專利名稱：一種膠膜及使用該膠膜的芯片封裝制程的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種膠膜，特別是涉及一種芯片封裝制程中所使用的膠膜。
背景技術(shù)：
已用的芯片堆棧的封裝構(gòu)造中，如圖1所示，該封裝構(gòu)造包含基板IO、
下層芯片20、虛設(shè)芯片(dummy die) 30以及上層芯片40。該下層芯片20 是借由黏膠22固定在該基板10上，且該下層芯片20的上表面的兩側(cè)邊緣設(shè) 有復(fù)數(shù)個鋁接墊24，它是借由復(fù)數(shù)條第一焊線26電性連接于該基板10的復(fù) 數(shù)個接墊12。該虛設(shè)芯片30是借由黏膠32固定于該下層芯片20上，并界 定該第一焊線26所需的空間，例如約5mils (lmi卜25.4微米)以上的高度。 該上層芯片40是借由黏膠42固定于該虛設(shè)芯片30上，且該上層芯片40的 上表面48設(shè)有復(fù)數(shù)個鋁接墊44，它是借由復(fù)數(shù)條第二焊線46電性連接于該 基板10的該復(fù)數(shù)個接墊12，如此兩芯片20、 40是堆棧于該基板10上。然 而，此封裝構(gòu)造的成本較高及封裝的制程時間較長。再者，該虛設(shè)芯片與該 黏膠的膨脹系數(shù)是不匹配，因此于封膠處理后該虛設(shè)芯片與該黏膠的結(jié)合界 面的結(jié)構(gòu)應(yīng)力會增加，進而產(chǎn)生芯片裂開(die crack)并降低封裝的良率。該 封裝的良率一般約為介于30%與40%之間。
另一種芯片堆棧的封裝構(gòu)造中，如圖2所示，該封裝構(gòu)造包含基板IIO、 第一芯片120、非導(dǎo)電膠130、第二芯片140以及復(fù)數(shù)個支撐球132。該第一 芯片120具有相對的上表面以及下表面，該下表面是固定于該基板110上。 該非導(dǎo)電膠130是配置于該第一芯片120的上表面上。該第二芯片140具有 相對的上表面以及下表面，其中該下表面是借由該非導(dǎo)電膠130固定于該第 一芯片120的上表面上，該復(fù)數(shù)支撐球132是配置于該非導(dǎo)電膠130中，并 支撐該第二芯片140。雖然此種封裝構(gòu)造借由增加非導(dǎo)電膠與芯片間的黏著 面積，以減少于封膠處理后的結(jié)構(gòu)應(yīng)力集中，因而可避免芯片裂開，并利用 復(fù)數(shù)支撐球界定焊線所需的空間。然而，該非導(dǎo)電膠130需在每一次進行黏
晶(die attach)時涂布，不但增加封裝的制程時間，且由于非導(dǎo)電膠130為 液態(tài)，因而每次涂布的出膠量不易控制，仍然容易造成該第二芯片140在黏 著時出現(xiàn)傾斜的現(xiàn)象。
此外，另一種已知的芯片堆棧的封裝制程，如臺灣專利第1240392號的
(多芯片同尺寸堆棧的封裝制程)，其是在晶圓的背面形成半固化樹脂，再將 該晶圓切割成復(fù)數(shù)個第一芯片，以其中具有半固化樹脂的第一芯片黏接至基 板或第二芯片的主動面，復(fù)數(shù)個焊線是電性連接該第一芯片與該基板；在第 一芯片對第二芯片的堆棧黏合時，在兩芯片間的該半固化樹脂是受熱熔融而 包附這些焊線，使得在封裝厚度內(nèi)可堆棧更多同尺寸的芯片。雖然利用該半 固化樹脂可避免在每次黏晶時涂布以縮短制程時間，但由于該半固化樹脂在 加熱后形成熔融態(tài)，當(dāng)黏晶的應(yīng)力過大時，會有無法維持該第一芯片與該基 板或第二芯片間的高度的問題，而使得該第一芯片接觸到焊線因而降低制程良率。
基于上述原因，其確實仍有必要進一步改良上述芯片堆棧的封裝構(gòu)造， 以解決上述已知技術(shù)中的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的之一是提供一種膠膜及使用該膠膜的芯片封裝制程，其可增 加膠膜與芯片間的黏著面積，以減少在封膠處理后的應(yīng)力集中，而具有避免 芯片裂開的功效。
本發(fā)明另一目的是提供一種膠膜及使用該膠膜的芯片封裝制程，其是借 由在一膠膜中配置復(fù)數(shù)圓弧彈性體以支撐一芯片，用以界定焊線或組件所需 的空間。
本發(fā)明再一目的是提供一種膠膜及使用該膠膜的芯片封裝制程，其是借 由于晶圓上黏附一膠膜，而避免再每次黏晶時涂布黏膠，使以縮短制程時間。
本發(fā)明再一 目的是提供一種膠膜及使用該膠膜的芯片封裝制程，由于膠 膜具有固定體積及高度，因而在黏晶時可避免高度不易控制的問題，使以增 加制程良率。
為達上述目的，本發(fā)明的膠膜主要包含可移除的基材、樹脂層及復(fù)數(shù)圓 弧彈性體。該樹脂層為半固化樹脂，其在第一溫度以上為具黏性的半熔融狀
態(tài)，其于第二溫度以下為不具黏性的固態(tài)，該樹脂層黏設(shè)在該基材上；該等 圓弧彈性體配置于該樹脂層中。
本發(fā)明另提供一種芯片封裝制程，其利用膠膜作為芯片黏著材料，該膠 膜是由半固化樹脂層結(jié)合基材所形成，且在該樹脂層中配置有復(fù)數(shù)圓弧彈性 體，該芯片封裝制程包含下列步驟提供半導(dǎo)體晶圓，其具有主動面及背面， 該主動面之內(nèi)形成有復(fù)數(shù)個接墊；形成該膠膜在該晶圓的背面；切割該晶圓 以形成復(fù)數(shù)芯片，其中，該等芯片的背面黏附有該膠膜；去除該等芯片中的 第一芯片背面的膠膜的基材；及將位于該第一芯片背面的樹脂層黏設(shè)在承載 體上；因此，借由該等圓弧彈性體使該第一芯片與該承載體間界定出一預(yù)設(shè) 空間。


圖1是常用的芯片堆棧的封裝構(gòu)造； 圖2是另一常用的芯片堆棧的封裝構(gòu)造； 圖3a是本發(fā)明第一實施例的膠膜的示意圖； 圖3b是本發(fā)明第二實施例的膠膜的示意圖； 圖3c圖是本發(fā)明第三實施例的膠膜的示意圖； 圖4是利用本發(fā)明實施例的膠膜的芯片封裝制程的流程圖； 圖5a-5f是利用本發(fā)明實施例的膠膜的芯片封裝制程的截面示意圖，其中 該承載體為基板；
圖6a-6b是利用本發(fā)明實施例的膠膜的芯片封裝制程的另一截面示意圖， 其中該承載體為芯片； 附圖符號說明
10基板12接墊
20下層芯片22黏膠
24鋁接墊26第一焊線
30虛設(shè)芯片40上層芯片
42黏膠44鋁接墊
46第二焊線48上表面
110基板120第一芯片
130非導(dǎo)電膠132支撐球
140第二芯片3、 3'、 3"膠膜
32基材34樹脂層
36圓弧彈性體361小尺寸圓球體
362大尺寸圓球體363橢球體
42晶圓42a主動面
42b背面421接墊
422第一芯片44晶圓承載臺
52承載體522組件
524第一焊線526第二焊線
60封膠體uv紫外光
90晶圓研磨工具92切割刀
94選取及安放裝置201-207步驟
具體實施例方式
為了讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點能更明顯，下文特舉本發(fā) 明實施例，并配合所附圖，作詳細說明如下。
如圖3a所示，揭示本發(fā)明第一實施例的膠膜(film) 3，它包含可移除的 基材32、樹脂層34以及復(fù)數(shù)圓弧彈性體36配置于該樹脂層34中。該膠膜3 是用于半導(dǎo)體芯片封裝制程中，作為芯片的黏接材料。該基材32的實施例可 為BT基板(BT substrate)或膠帶(tape);當(dāng)其為BT基板時，其可利用環(huán) 氧樹脂(epoxy)與該樹脂層34結(jié)合；當(dāng)其為膠帶時，可為紫外線照射膠帶 (UVtape)或藍膠帶(bluetape)，且具有可撓性。該基材32上結(jié)合混有該 圓弧彈性體36的樹脂層34。為了能夠適用于芯片的封裝制程，該基材32須 至少能承受攝氏85度的高溫。
該樹脂層34的一種實施例可為半固化樹脂，例如由環(huán)氧樹脂(epoxy resin)及酚樹脂(phenol resin)混合而成的樹脂，它較佳在常溫時(例如攝 氏45度以下)為固態(tài)且不具黏性，而在高溫時(例如攝氏85度以上〕時為 半熔融態(tài)且具有黏性；該圓弧彈性體36較佳為耐熱材質(zhì)所制，例如橡膠，其 包含兩種不同直徑的圓球體，其分別為小尺寸圓球體361以及大尺寸圓球體
362，該小尺寸圓球體361是用以間隔該大尺寸圓球體362，且其數(shù)目較佳是 小于全部圓弧彈性體數(shù)目的20%;該大尺寸圓球體362是用以在半導(dǎo)體芯片 的封裝制程中，界定焊線或被動組件的高度，因而其直徑較佳是至少為3至 8mils。在本實施例中，該樹脂層34的厚度須大于該大尺寸圓球體362的直 徑，且較佳是大于4至10微米(micrometer),以使得當(dāng)該樹脂層34受熱而 形成半熔融態(tài)時，允許該等圓弧彈性體36在該樹脂層34中重新均勻的排列。 該樹脂層34與該等圓弧彈性體36較佳是以非導(dǎo)電材料所制成。
如圖3b所示，揭示本發(fā)明第二實施例的膠膜3'，必須說明的是在本實施 例中，與第一實施例相同的組件是以相同的符號表示。本實施例與第一實施 例的差異在于，該圓弧彈性體36除包含小尺寸圓球體361以及大尺寸圓球體 362之外，另包含復(fù)數(shù)橢球體363，其長軸較佳是相等于該大尺寸圓球體362 的直徑，其功用的詳細說明將在以下的段落中描述，該樹脂層34的厚度須大 于該大尺寸圓球體362的直徑，且較佳是大于4至10微米(micro meter)。 在本實施例中，該等該圓弧彈性體36同樣為耐熱材質(zhì)所制，例如橡膠，且該 樹脂層34與該等圓弧彈性體36同樣是以非導(dǎo)電材料所制成。
如圖3c所示，揭示本發(fā)明第三實施例的膠膜3"，在本實施例中，與第 一實施例相同的組件是以相同的符號表示。本實施例與第一及第二實施例的 差異在于，該圓弧彈性體36是為同尺寸的圓球體(例如第一及第二實施例的 大尺寸圓球體362 )，其同樣用于芯片封裝制程中，界定焊線或被動組件的 高度，因而其直徑較佳是至少為3至8mils。于本實施例中，該樹脂層34的 厚度同樣須大于該圓弧彈性體36的直徑，且較佳是大于4至10微米。本實 施例的該等圓弧彈性體36較佳為耐熱材質(zhì)所制，例如橡膠，且該樹脂層34 與該等圓弧彈性體36是以非導(dǎo)電材料所制成。
如圖4、圖5a至5f以及圖6a至6b所示，揭示利用本發(fā)明各實施例的這 種膠膜3、 3'或3"在芯片封裝制程的流程圖及其示意圖，其中，是利用本發(fā) 明各實施例的膠膜3、 3'或3"作為芯片黏接材料，該芯片封裝制程包含下列 步驟提供一半導(dǎo)體晶圓，其具有主動面及背面，該主動面上形成有復(fù)數(shù)接 墊(步驟201);形成膠膜在該晶圓的背面(步驟202);切割該晶圓，以形成 復(fù)數(shù)芯片，其中該等芯片的背面黏附有該膠膜(步驟203);去除這種芯片中
的第一芯片背面的膠膜的基材(步驟204);將位于該第一芯片背面的樹脂層 黏設(shè)在承載體上(步驟205)，因此，借由該等圓弧彈性體使該第一芯片與該
承載體間界定出預(yù)設(shè)空間；電性連接該芯片及承載體(步驟206);及以封膠 體進行密封(步驟207)。此外，必須說明的是，在以下各圖的說明中，相同 的組件間是以相同的標(biāo)號表示。
如圖4和圖5a所示，在本發(fā)明的芯片封裝制程中，第一步為提供半導(dǎo)體 晶圓(wafer) 42，其具有主動面42a及背面42b，該主動面42a上具有復(fù)數(shù) 接墊421 (步驟201)。將該晶圓42的主動面42a放置在晶圓承載臺44上， 并利用晶圓研磨工具90研磨該晶圓42的背面42b，以將該晶圓的厚度研磨 至預(yù)定厚度，此預(yù)定厚度通常是lmil以上。
如圖4和圖5b所示，當(dāng)該晶圓42研磨至上述預(yù)定厚度后，接著將本發(fā) 明各實施例的該膠膜3'黏設(shè)在該晶圓42的背面(步驟202)。必須注意的是， 在圖5a至5f的說明中，是以本發(fā)明第二實施例的該模材3'來進行說明，而 使用本發(fā)明其它實施例的模材3或3"所進行的封裝制程與此類似，在本文中 不再詳加敘述。如前所述，由于該膠膜3'在常溫(攝氏45度以下)時為固態(tài)， 必須將其放置在固化爐(curing oven)加熱至高溫(例如攝氏85度以上)時
才呈現(xiàn)熔融態(tài)并具有黏性，因而欲將該膠膜3'黏附在該晶圓42上時，須先經(jīng) 過加熱處理，但為避免該膠膜3'反應(yīng)過度，在此加熱過程中僅加熱很短的時 間，其時間長短取決于使該膠膜3'呈現(xiàn)半熔融態(tài)并能夠黏附在該晶圓42的時 間，例如2秒。
如圖4和5c所示，接著以切割刀92 (dicing blade)切割該晶圓42，以 形成復(fù)數(shù)芯片，并假設(shè)其中之一芯片為第一芯片422，因而該等芯片(包含 該第一芯片422 )的背面都黏附有該膠膜3'，且每一芯片的主動面都具有復(fù) 數(shù)接墊421 (步驟203)。其中，該等芯片的實施例可為動態(tài)隨機存取內(nèi)存 (DRAM)、靜態(tài)隨機存取內(nèi)存(SRAM)、閃存(Flash)、雙倍數(shù)據(jù)存儲器(DDR) 或Rambus內(nèi)存等的記憶芯片、微處理器、邏輯芯片或射頻芯片等。
如圖4和5d所示，在將該第一芯片422設(shè)置在承載件之前，須先將該膠 膜3'的基材32移除(步驟204);若該基材32為紫外光照射膠帶，則必須將 該基材32照射紫外光UY后方可除去，但若該基材32為藍膠帶(bluetape)
或BT基板，則可直接移除。接著利用自動化選取及安放裝置94將該第一芯 片422放置在預(yù)定的承載體52。
如圖5e所示，接著將該第一芯片422經(jīng)由該膠膜3'設(shè)置在承載體52上 (步驟205)，在本發(fā)明的各實施例中，該承載體52可為基板、導(dǎo)線架或芯 片(第二芯片)，且欲使該第一芯片422背面的樹脂層34黏附在該承載體52 上時，亦必須經(jīng)過高溫的短時間加熱，例如加熱至攝氏85度以上且經(jīng)過2秒， 則該第一芯片422可預(yù)黏在該承載體52上。當(dāng)該承載體52為基板時，較佳 使用本發(fā)明第二實施例的膠膜3'做為該第一芯片422的黏著材料，亦即該等 圓弧彈性體包含復(fù)數(shù)小尺寸圓球體361、大尺寸圓球體362及橢球體363，該 等大尺寸圓球體362及橢球體363借由該小尺寸圓球體361間隔后，當(dāng)樹脂 層34欲黏附在該承載體52上時，由于該樹脂層34經(jīng)加熱形成半融熔態(tài)，該 等大尺寸圓球體362及橢球體363則可在其中自由移動以輕易的避開該承載 體52上的組件522，例如被動組件，并可借由該大尺寸圓球體362界定出該 等組件522所需的高度，若該橢球體363剛好位于該等組件522的上方時， 由于該橢球體363表面呈圓弧狀，其亦可借由轉(zhuǎn)動方向，如圖5e所示，而使 得該第一芯片422能夠水平的設(shè)置在該承載體52上。因此，即使黏晶時的應(yīng) 力過大，也可經(jīng)由該等大尺寸圓球體362維持黏晶的平整度。接著便可利用 復(fù)數(shù)第一焊線524電性連接該第一芯片422的接墊421及該承載體52 (步驟 206)。
如圖5f所示，最后再以封膠體60密封該第一芯片422及該第一焊線524， 并放置固化爐(未顯示)中加熱一段較長時間，例如攝氏85度以上且時間持 續(xù)120秒，此時預(yù)黏在該承載體52的樹脂層34經(jīng)過此一步驟后則完全反應(yīng)， 以使該承載體52與樹脂層34完全黏合，并完成本發(fā)明的芯片封裝制程(步 驟207)。
如圖6a所示，當(dāng)該承載體52為芯片(第二芯片)時，該第二芯片上通 常設(shè)置有復(fù)數(shù)第二焊線526且其設(shè)置在基板或?qū)Ь€架上，此時可選擇使用本 發(fā)明第一實施例的膠膜3做為該第一芯片422的黏著材料，亦即該等圓弧彈 性體包含復(fù)數(shù)小尺寸圓球體361及大尺寸圓球體362，該等大尺寸圓球體362 借由該小尺寸圓球體361間隔后，當(dāng)樹脂層34欲黏附在該承載體52上時，
由于該樹脂層34經(jīng)加熱形成半融熔態(tài)，該等大尺寸圓球體362則可在其中移 動以輕易的避開該承載體52上的第二焊線526，且可借由該大尺寸圓球體362 界定出該第二焊線526所需的高度。因此，即使黏晶時的應(yīng)力過大，也可經(jīng) 由該等大尺寸圓球體362維持黏晶的平整度。接著便可利用復(fù)數(shù)第一焊線524 電性連接該第一芯片422的接墊421及該基板或?qū)Ь€架(步驟206)。此外， 當(dāng)該承載體52為芯片時，仍可使用本發(fā)明第二實施例的膠膜3'及第三實施例 膠膜3"作為該第一芯片422的黏著材料。
如圖6b所示，最后同樣以封膠體60密封該第一芯片422、第一焊線524、 承載體52及第二焊線526，并放置在固化爐中〔未顯示)加熱一段較長時間， 例如攝氏85度以上且時間持續(xù)120秒，此時預(yù)黏在該承載體52的樹脂層34 經(jīng)過此一步驟后則完全反應(yīng)，以使該承載體52與樹脂層34完全黏合，并完 成本發(fā)明的芯片封裝制程(步驟207)。
如上所示，因圖1所示的已用芯片堆棧的封裝構(gòu)造具有芯片裂開及制程 時間較長的問題，而圖2所示的構(gòu)造因具有黏膠的出膠量不易控制，如此會 造成黏晶時出現(xiàn)傾斜的問題。相較于圖1及圖2的已用芯片堆棧的封裝構(gòu)造， 本發(fā)明各實施例的膠膜(如圖3a-3c所示)借由在該等膠膜中配置復(fù)數(shù)圓弧 彈性體，并支撐芯片，可用以界定焊線或組件所需的空間，并可縮短封裝的 制程時間。
雖然本發(fā)明已以前述較佳實施例揭示，然而其并非用以限定本發(fā)明，任 何熟悉本技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，應(yīng)當(dāng)可以作各種的變 更與修改。因此本發(fā)明的保護范圍應(yīng)當(dāng)以后附的權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種膠膜，包含可移除的基材；樹脂層，黏設(shè)在該基材上，該樹脂層為半固化樹脂，在第一溫度以上為具黏性的半熔融狀態(tài)，且該樹脂層在第二溫度以下為不具黏性的固態(tài)；以及復(fù)數(shù)圓弧彈性體，配置在該樹脂層中。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的膠膜，其中，該基材為BT基板。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的膠膜，其中，該基材具有可撓性。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的膠膜，其中，該基材為紫外線照射膠帶(UV tape)或藍膠帶(blue tape)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的膠膜，其中，該第一溫度為攝氏85度。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的膠膜，其中，該第二溫度為攝氏45度。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的膠膜，其中，該圓弧彈性體包含兩種不同直徑 的圓球體，其分別為大尺寸圓球體以及小尺寸圓球體。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的的膠膜，其中，該小尺寸圓球體用以間隔該大 尺寸圓球體。
9. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的膠膜，其中，該樹脂層界定一厚度，且該樹脂 層的厚度大于該大尺寸圓球體的直徑。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的膠膜，其中該樹脂層的厚度大于該大尺寸圓 球體的直徑4至10微米。
11. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的膠膜，其中，該小尺寸圓球體的數(shù)目小于全 部圓弧彈性體數(shù)目的20%。
12. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的膠膜，其中，該圓弧彈性體包含兩種不同直 徑的圓球體以及復(fù)數(shù)橢球體，該不同直徑的圓球體分別為大尺寸圓球體以及 小尺寸圓球體。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的膠膜，其中，該等橢球體的長軸長度等于該 大尺寸圓球體的直徑。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的膠膜，其中，該樹脂層界定一厚度，其中該樹脂層的厚度大于該大尺寸圓球體的直徑。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的膠膜，其中，該樹脂層的厚度大于該大尺寸 圓球體的直徑4至10微米。
16. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的膠膜，其中，該小尺寸圓球體用以間隔該大 尺寸圓球體以及該橢球體。
17. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的膠膜，其中，該小尺寸圓球體的數(shù)目小于全 部圓弧彈性體數(shù)目的20%。
18. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的膠膜，其中，該圓弧彈性體為耐熱材質(zhì)所制。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的膠膜，其中，該圓弧彈性體為橡膠所制。
20. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的膠膜，其中，該圓弧彈性體以及樹脂層為非 導(dǎo)電材料。
21. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的膠膜，其中，該基材至少可承受85度攝氏溫度。
22. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的膠膜，其中，該圓弧彈性體為相同尺寸的圓 球體。
23. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的膠膜，其中，該樹脂層界定一厚度，其中該 樹脂層的厚度大于該圓球體的直徑4至10微米。
24. —種芯片封裝制程，其利用膠膜作為芯片黏著材料，該膠膜是由樹 脂層結(jié)合基材所形成，該樹脂層為半固化樹脂，在第一溫度以上為具黏性的 半熔融狀態(tài)，另在第二溫度以下為不具黏性的固態(tài)，且于該樹脂層中配置有 復(fù)數(shù)圓弧彈性體，該芯片封裝制程包含以下步驟提供半導(dǎo)體晶圓，具有主動面及背面，該主動面之內(nèi)形成有復(fù)數(shù)個接墊; 形成該膠膜在該晶圓的背面；切割該晶圓形成復(fù)數(shù)芯片，其中該等芯片的背面黏附有該膠膜； 去除該等芯片中的第一芯片背面的膠膜的基材；以及 將位于該第一芯片背面的樹脂層黏設(shè)在承載體上；因此，借由該等圓弧彈性體使該第一芯片與該承載體間界定出預(yù)設(shè)空間。
25. 根據(jù)權(quán)利要求24所述的芯片封裝制程，其中，在提供半導(dǎo)體晶圓的 步驟中，該半導(dǎo)體晶圓預(yù)先被研磨至預(yù)定厚度。
26. 根據(jù)權(quán)利要求24所述的芯片封裝制程，其中，在去除該等芯片背面 的膠膜的基材步驟中，若該膠膜為紫外光照射膠帶，則去除該基材之前另包 含下列步驟照射紫外光于該基材。
27. 根據(jù)權(quán)利要求24所述的芯片封裝制程，其中，在形成該膠膜于該晶圓的背面步驟，另包括下列步驟加熱該膠膜至第一溫度以上，以使該膠膜黏設(shè)于該晶圓的背面。
28. 根據(jù)權(quán)利要求24所述的芯片封裝制程，其中，該承載體為基板、導(dǎo) 線架或第二芯片。
29. 根據(jù)權(quán)利要求24所述的芯片封裝制程，其中，在黏設(shè)該第一芯片于 承載體步驟之前，另包含下列步驟加熱該膠膜至第一溫度以上。
30. 根據(jù)權(quán)利要求27或29所述的芯片封裝制程，其中，該第一溫度為 攝氏85度。
31. 根據(jù)權(quán)利要求29所述的芯片封裝制程，其中，該加熱時間為2秒。
32. 根據(jù)權(quán)利要求24所述的芯片封裝制程，其中，該圓弧彈性體包含兩 種不同直徑的圓球體，其分別為大尺寸圓球體以及小尺寸圓球體。
33. 根據(jù)權(quán)利要求32所述的芯片封裝制程，其中，在將位于該第一芯片 背面的樹脂層黏設(shè)于承載體上的步驟中，該承載體為第二芯片且該第二芯片 上設(shè)有復(fù)數(shù)第二接墊及第二焊線，該大尺寸圓球體具有一預(yù)設(shè)直徑，以界定 該第二焊線所需的空間。
34. 根據(jù)權(quán)利要求33所述的芯片封裝制程，其中，另包含下列步驟 以復(fù)數(shù)第一焊線電性連接該第一芯片及該基板；以及 以封膠體密封該第一芯片、第一焊線、第二芯片及第二焊線。
35. 根據(jù)權(quán)利要求24所述的芯片封裝制程，其中，該圓弧彈性體包含兩 種不同直徑的圓球體及復(fù)數(shù)橢球體，該不同直徑的圓球體分別為大尺寸圓球 體以及小尺寸圓球體，且該等橢球體的長軸長度等于該大尺寸圓球體的直徑。
36. 根據(jù)權(quán)利要求35所述的芯片封裝制程，其中，在將位于該第一芯片 背面的樹脂層黏設(shè)于承載體上的步驟中，該承載體為基板且該基板上設(shè)有復(fù) 數(shù)個被動組件，該大尺寸圓球體具有一預(yù)設(shè)直徑，用以界定該等被動組件所 需的空間。
37.根據(jù)權(quán)利要求36所述的芯片封裝制程，其中，另包含下列步驟: 以復(fù)數(shù)第一焊線電性連接該芯片及該基板；以及 以封膠體密封該第一芯片及該第一焊線。
全文摘要
一種膠膜包含可移除的基材、樹脂層以及復(fù)數(shù)圓弧彈性體。該樹脂層為半固化樹脂，其在第一溫度以上為具黏性的半熔融狀態(tài)，其在第二溫度以下為不具黏性的固態(tài)，該樹脂層黏設(shè)在該基材上；該等圓弧彈性體配置于該樹脂層中。本發(fā)明另提供一種使用該膠膜的芯片封裝制程。
文檔編號H01L23/10GK101202252SQ20061016569
公開日2008年6月18日 申請日期2006年12月12日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月12日
發(fā)明者劉蕙綺, 孫國洋, 楊家銘, 董悅明, 麥鴻泰 申請人:華泰電子股份有限公司