專利名稱：雙面研磨裝置用載具、使用該載具的雙面研磨機及雙面研磨方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種在雙面研磨裝置中研磨晶片時，保持晶片的雙面研磨裝 置用載具。
背景技術(shù)：
例如雙面研磨半導(dǎo)體晶片時，通過載具(承載齒輪，carrier)來保持半 導(dǎo)體晶片。載具形成有保持孔，將半導(dǎo)體晶片保持在該保持孔中，然后夾在 貼有研磨布的上下磨盤之間， 一邊將研磨液供給至研磨面一邊使上下磨盤旋 轉(zhuǎn)而同時研磨半導(dǎo)體晶片的雙面。在該雙面研磨步驟中，以往所使用的載具大多是環(huán)氧玻璃材料的載具、 露出SUS材的載具或是在SUS材料上施行樹脂包覆而成的載具。然而，環(huán)氧玻璃材料的載具，研磨時磨耗大，載具使用壽命短，成本高； 另外，載具開始使用之前的準(zhǔn)備時間費時，生產(chǎn)性差。而且，有關(guān)露出SUS材的載具，包含在SUS材中的Fe、 Ni會有對半導(dǎo) 體晶片造成污染的危險性。接著，雖然也有將樹脂包覆在SUS材的表面上而成的載具，但是這種載 具的樹脂也會磨耗，其使用壽命短，因而容易對半導(dǎo)體晶片造成金屬污染。 進而，在進行研磨后的半導(dǎo)體晶片的外周部，會有容易發(fā)生塌邊之類的問題。為了要改進這種情況，公開了一種在SUS材上做出小孔，將表背面的樹 脂層結(jié)合在一起的載具，但是仍未徹底地解決上述問題(參照日本特開平 9-207064號公報)。發(fā)明內(nèi)容鑒于上述問題，提出了本發(fā)明，本發(fā)明的目的在于提供一種載具，該載 具本身強度高，且例如可抑制對于硅晶片等晶片的不純物污染，并能夠抑制 研磨后的晶片的外周部發(fā)生塌邊。200680005678.2
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本發(fā)明提供一種雙面研磨裝置用載具，該雙面研磨裝置用載具在雙面研 磨裝置中配設(shè)在貼有研磨布的上下磨盤之間并形成有保持孔，該保持孔在研: 磨時用以保持夾在所述上下磨盤之間的晶片，其特征在于
所述載具的材質(zhì)是鈦。
這樣，在雙面研磨裝置中，如果用以保持晶片的載具的材質(zhì)是鈦，那么 與樹脂相比，其硬度高，研磨時的磨耗小，可提高載具使用壽命。另外，鈦 本身例如在硅等的半導(dǎo)體晶片中的擴散系數(shù)小，發(fā)生不純物的問題很低，且 由于鈦中不存在Fe等擴散系數(shù)大的金屬不純物，所以可抑制對于晶片的金 屬不純物污染。另外，如果通過此載具來保持晶片，并實施研磨，由于不需 要在載具的表面覆蓋厚樹脂層，所以能夠得到平坦度高且在外周部不會發(fā)生 塌邊的晶片。
此時，所述載具的表面由氮化鈦膜、DLC (Diamond Like Carbon)膜中
的任一種包覆。
這樣，如果所述載具的表面由氮化鈦膜、DLC膜中的任一種包覆，則硬 度會更提高，不易受到損傷，也可抑制異物脫落在研磨漿中，能延長載具的 使用壽命及抑制對于晶片的污染。進而，能夠有效地防止晶片發(fā)生傷痕等不 良情況。
另外，所述膜的厚度優(yōu)選為0.3um 5um。
這樣，如果包覆在載具的表面上的所述膜的厚度是0.3pm 5pm，則由 于氮化鈦、DLC的硬度高，只要薄的厚度便可充分地保護載具；另外，與包 覆樹脂的情況相比，由于其厚度非常薄，所以對于得到在外周部沒有塌邊的 晶片一事，不會有任何妨礙。
另外，夾在所述上下磨盤之間的晶片可以是半導(dǎo)體晶片。 這樣，能夠?qū)A在所述上下磨盤之間的晶片設(shè)成半導(dǎo)體晶片，而可以得 到這樣一種半導(dǎo)體晶片其金屬不純物污染被抑制，平坦度高且在外周部不 會產(chǎn)生塌邊。
而且，優(yōu)選為至少具有所述雙面研磨裝置用載具的雙面研磨裝置。 這樣，如果是具有上述本發(fā)明的雙面研磨裝置用載具的雙面研磨裝置， 則由于載具或是包覆在載具表面上的膜的硬度高，所以研磨時的磨耗小，可 降低載具發(fā)生傷痕或破損等，延長載具的使用壽命。另外，例如在進行研磨
半導(dǎo)體晶片的情況下，可抑制載具對于半導(dǎo)體晶片的金屬不純物的污染，并 能夠研磨出一種外周部不會產(chǎn)生塌邊的半導(dǎo)體晶片。
另外，優(yōu)選為一種對晶片進行雙面研磨的方法，其將所述載具配設(shè)在貼 有研磨布的上下磨盤之間，并將晶片保持在該載具中所形成的保持孔中，以 將晶片夾在所述上下磨盤之間的方式進行雙面研磨。
這樣，如果將晶片保持在本發(fā)明的雙面研磨裝置用載具的保持孔中，以 將晶片夾在上下磨盤之間的方式進行雙面研磨，則由于載具的材質(zhì)也就是鈦
中不存在Fe等擴散系數(shù)大的不純物，所以可抑制對于晶片的污染；進而， 由于不需要在載具的表面覆蓋厚樹脂層，所以載具的平坦度高，能夠得到一 種外周部不會發(fā)生塌邊的晶片。
另外，由于載具的硬度高，磨耗被抑制，可延長載具使用壽命，抑制成 本，高效率地對晶片進行雙面研磨。
如本發(fā)明所述，在雙面研磨裝置中，用以保持夾在貼有研磨布的上下磨 盤之間的晶片的雙面研磨裝置用載具，如果是一種上述載具的材質(zhì)為鈦的雙 面研磨裝置用載具，則與樹脂相比，其硬度高，由于研磨時的磨耗也小，可 提高載具的使用壽命；另外，由于不存在Fe等擴散系數(shù)大的金屬不純物， 所以能夠抑制對于晶片的金屬污染。進而，由于不需要包覆厚樹脂層，所以 可得到一種外周部沒有塌邊且平坦度高的晶片。


圖1是表示具有本發(fā)明的雙面研磨裝置用載具的雙面研磨裝置的一實例 的縱剖面圖2是由俯視所得到的雙面研磨裝置的內(nèi)部構(gòu)造圖。 圖3是表示本發(fā)明的載具的一實例的概要圖。
圖4 (A)是表示本發(fā)明的鈦制載具所實行的半導(dǎo)體晶片的保持狀態(tài)的 說明圖；(B)是表示本發(fā)明的具有包覆的載具所實行的半導(dǎo)體晶片的保持 狀態(tài)的說明圖；(C)是表示以往的由樹脂包覆而成的載具所實行的半導(dǎo)體 晶片的保持狀態(tài)的說明圖。
圖5是實施例3、 4和比較例2、 3的分析結(jié)果。
圖6 (A)是實施例5的測定結(jié)果；圖6 (B)是比較例4的測定結(jié)果。
圖7是比較實施例6、 7的測定結(jié)果的數(shù)據(jù)。
其中，附圖標(biāo)記說明如下
1(雙面研磨裝置用)載具2 研磨液孔
3(半導(dǎo)體晶片)保持部4 保持孔
5外周齒10雙面研磨裝置
11下磨盤lla研磨布
12上磨盤12a研磨布
13太陽齒輪14內(nèi)部齒輪
15噴嘴16貫通孔
W半導(dǎo)體晶片
具體實施例方式
以下，說明關(guān)于本發(fā)明的實施方式，但是本發(fā)明并未被限定于這些實施方式。
以往的雙面研磨裝置用載具是使用環(huán)氧玻璃材料的載具、或是在sus材
料上施行樹脂包覆而成的載具。
但是，這些載具的表面硬度低，由于研磨時的磨耗大，所以載具的使用
壽命短，會有成本增加的問題。進而，由于研磨，例如載具中的Fe或Ni這 類的擴散系數(shù)大的金屬不純物，污染半導(dǎo)體晶片的危險性高。另外，表面上 需要100 20(Him這樣的厚樹脂層，所以按壓晶片周邊的研磨布的力量降低， 關(guān)于研磨后的半導(dǎo)體晶片的平面度，該半導(dǎo)體晶片的外周部會發(fā)生塌邊的問 題。
因此，本發(fā)明的發(fā)明人研發(fā)出一種雙面研磨裝置用載具，該雙面研磨裝 置用載具在雙面研磨裝置中配設(shè)在貼有研磨布的上下磨盤之間并形成有保 持孔，該保持孔在研磨時用以保持夾在所述上下磨盤之間的晶片，其中所述 載具的材質(zhì)是鈦。
如果是這種雙面研磨裝置用載具，那么與表面實施樹脂包覆而成的載具 相比，本發(fā)明的載具的硬度非常高，由于研磨時的磨耗小，可提高載具的使 用壽命；另外，由于不存在Fe等擴散系數(shù)大的金屬不純物，所以能夠抑制 對于晶片的金屬污染。進而，由于不需要包覆厚樹脂層，所以在研磨時能夠
抑制研磨后的晶片的外周部發(fā)生塌邊。
以下，根據(jù)附圖來說明關(guān)于本發(fā)明的實施方式。
在此，圖1是具有本發(fā)明的雙面研磨裝置用載具的雙面研磨裝置的縱剖
面圖；圖2是由俯視所得到的雙面研磨裝置的內(nèi)部構(gòu)造圖；圖3是本發(fā)明的
雙面研磨裝置用載具的概要圖；圖4是表示根據(jù)本發(fā)明和以往的載具所產(chǎn)生
的半導(dǎo)體晶片的保持狀態(tài)的說明圖。
本發(fā)明是在同時研磨晶片兩面的雙面研磨裝置中，對保持晶片的載具的
改良；首先，使用圖1與圖2，說明關(guān)于雙面研磨裝置的概況。
并且，能夠適用于本發(fā)明的載具中的晶片，并沒有特別地被限定。在此， 以硅等半導(dǎo)體晶片為例加以說明。
本發(fā)明的具有由鈦制成的雙面研磨裝置用載具1的雙面研磨裝置10,具 有設(shè)置成上下互相面對的下磨盤11和上磨盤12;在各磨盤互相面對面的一 側(cè)，分別貼有研磨布lla、 12a。另外，在上磨盤12的上部，設(shè)置用以供給 研磨漿的噴嘴15;在上磨盤12設(shè)置貫通孔16。而且，在上磨盤12和上磨 盤12之間的中心部，設(shè)置太陽齒輪(sungear) 13;在周邊部則設(shè)有內(nèi)部齒 輪(internal gear) 14。半導(dǎo)體晶片W被保持在載具1的保持孔4中，并夾 在上磨盤12和下磨盤11之間。
載具1的外周齒與太陽齒輪13和內(nèi)部齒輪14的各齒部嚙合；上磨盤12 與下磨盤11通過圖中未示出的驅(qū)動源而旋轉(zhuǎn)，伴隨著這種旋轉(zhuǎn)，載具1 一 邊自轉(zhuǎn)一邊繞著太陽齒輪13的周圍公轉(zhuǎn)。此時，半導(dǎo)體晶片W被利用載具 1的保持孔4加以保持，并通過上下的研磨布lla與12a同時研磨晶片的兩 面。并且，在研磨時，從噴嘴15通過貫通孔16供給研磨漿。
如果是具有本發(fā)明的這種雙面研磨裝置用載具的雙面研磨裝置10，則由 于載具l的硬度高，研磨時的磨耗小，可減少傷痕或破損，載具使用壽命變 長，能夠抑制成本。另外，在進行研磨的情況下，可抑制由于載具l所造成 的對于半導(dǎo)體晶片W的金屬不純物的污染來進行研磨，能夠得到一種可抑 制外周部塌邊的半導(dǎo)體晶片。特別是近年來硅等半導(dǎo)體晶片的口徑持續(xù)大口 徑化，載具也大型化，使用壽命會變得更短，所以本發(fā)明對于此類直徑為 200mm以上、特別是300mm以上的大口徑晶片的研磨裝置是有效的。
接著，使用圖3來說明本發(fā)明的雙面研磨裝置用載具。
載具1設(shè)有保持孔4，沿著該保持孔4的內(nèi)周設(shè)置半導(dǎo)體晶片保持部3， 使得不會對晶片的邊緣部造成傷痕。另外，在載具1中，除了保持孔4以夕卜， 還設(shè)有用來供研磨液通過的研磨液孔2;在載具l的外周部，設(shè)置外周齒5。
本發(fā)明載具1的主要材質(zhì)是鈦，載具1的表面硬度例如比在以往的SUS 材上施行樹脂包覆(coating)而成的載具高，且不存在Fe、 Ni等擴散系數(shù) 大的不純物。因此，可減少傷痕、破損等，載具使用壽命長；另外，可以抑 制半導(dǎo)體晶片W的金屬污染。
進而，如果利用氮化鈦膜、DLC膜中的任一種來對載具1的表面施行包 覆處理，則能夠使表面更硬，而變得可更加延長載具的使用壽命。對這些膜 的形成方法沒有特別限定，例如可通過CVD法來進行堆積、或是通過在氮 氣氛中進行熱處理使其表面與氮反應(yīng)而形成。另外，也可以通過濺鍍來形成 膜。如果采用這些形成方法，膜的不均也會變少，而可以制成均勻的表面。
以往的載具的材質(zhì)也就是SUS的硬度是420Hv，本發(fā)明的載具1的材質(zhì) 也就是Ti的硬度則是220Hv。因此，以往都是認(rèn)為Ti的硬度比SUS低而不 能作為載具的材質(zhì)來使用。但是，如上述，露出SUS材的載具，會對半導(dǎo)體 晶片W造成致命的金屬污染，實際上為了抑制金屬污染，必須在SUS材上 施行樹脂包覆。因此，材質(zhì)是鈦的、本發(fā)明的載具1的表面，其硬度比表面 覆蓋有樹脂的、以往的載具硬。因此，能夠延長使用壽命。進而，氮化鈦與 DLC的硬度分別為2200Hv、 3000 5000Hv，通過利用氮化鈦膜、DLC膜中 的任一種來覆蓋載具的表面，其硬度會變得更高，能夠更延長使用壽命。
進而，通過這些氮化鈦和DLC的膜來進行覆蓋，能夠有效地防止晶片 發(fā)生傷痕等不良情況。
這被認(rèn)為是利用硬度高的這些膜，來保護載具母體，能夠防止載具母體 在研磨中被切削，切屑混入研磨漿中而損傷晶片一事，所實現(xiàn)的效果。另外， 對載具的厚度進行磨光加工時，即使是在磨粒附著在載具表面上造成污染且 進行載具的洗凈仍然無法除去的情況下，由于是將此污染連同載具表面一起 進行包覆，所以被認(rèn)為通過這種包覆可以防止發(fā)生晶片傷痕。
另一方面，保持孔4周邊的保持部3例如是由酰胺(ammid)樹脂所制 成，所述保持部3被設(shè)計成在保持半導(dǎo)體晶片W時，可以保護半導(dǎo)體晶片 W的去角取面部(導(dǎo)角部(chamfer))，使其不會受到損傷。
而且，研磨液孔2是在研磨時所供給的研磨漿所要通過的洞，研磨漿通 過此洞而供給在整個下面?zhèn)鹊难心ッ嫔稀?br> 外周齒5如上述地與太陽齒輪13、內(nèi)部齒輪14嚙合，在研磨時，載具 1會繞著太陽齒輪13的周圍自轉(zhuǎn)與公轉(zhuǎn)。
接著，使用圖4來說明關(guān)于本發(fā)明的載具可有效地防止研磨中的晶片周 邊發(fā)生塌邊的效用。其分別表示利用(A)材質(zhì)為鈦的載具；(B)材質(zhì)為鈦 并利用氮化鈦膜、DLC膜的任一種來包覆其表面而成的載具；(C)材質(zhì)是 SUS并利用樹脂來包覆其表面而成的載具，來保持半導(dǎo)體晶片的狀態(tài)。圖4 中，(A) 、 (B)是使用本發(fā)明的載具的情況的說明圖；(C)是使用以往 的載具的情況的說明圖。
(A) 、 (B) 、 (C)的載具41、 42、 43，分別具有相應(yīng)的載具母體 44、 45、 46和保持部40。但是，在載具42的表面形成有膜47，在載具43 的表面形成有膜48。如上述，載具母體44、 45的材質(zhì)是鈦，載具母體46的 材質(zhì)是SUS。另外，保持部40都是由酰胺樹脂制成，膜47是氮化鈦、DLC 的任一種，膜48例如是聚碳酸酯等樹脂。
如圖4 (C)所示，以往的載具，也就是在SUS材上施行樹脂包覆而成 的載具43，其膜48的厚度需要為100 200,，載具母體46則因此少了該 厚度量，而在保持部40和膜48的表面會產(chǎn)生階梯差。因此，由于厚度大的 膜48的樹脂彈性，研磨時，在晶片周邊部的保持部40的正下方部分，無法 充分地按壓研磨布。亦即，定位環(huán)(retainer)效果降低，保持部40附近的 研磨布扭歪而會過度地磨削半導(dǎo)體晶片W的外周部，外周部會發(fā)生塌邊。
另外，為了防止定位環(huán)效果降低，而利用沒有進行樹脂包覆的露出SUS 材的載具、或是使膜48的厚度變薄來消除與保持部40之間的階梯差的載具， 來進行研磨，則會對半導(dǎo)體晶片W造成金屬污染，不可以使用。
另一方面，本發(fā)明的載具41，其母體44的材質(zhì)是鈦，比樹脂硬，由于 其也可抑制對于半導(dǎo)體晶片W的污染，所以不必利用樹脂包覆等來覆蓋其 表面，所以如圖4 (A)所示，不會產(chǎn)生階梯差，能夠充分地設(shè)置保持部40 的髙度。因此，由于能夠充分地按壓保持部40附近的研磨布，所以半導(dǎo)體 晶片W的去角取面部不會被過度地研磨，可以抑制研磨后的晶片的外周部 發(fā)生塌邊，而得到具有高平坦度的半導(dǎo)體晶片。
另外，如圖4 (B)所示，本發(fā)明的載具42，即使在載具母體45的表面 上施行膜47的包覆，其厚度只要0.3 5pm的薄膜便已足夠，所以幾乎不會 產(chǎn)生階梯差。于是，定位環(huán)效果幾乎沒有降低，可以抑制研磨后的半導(dǎo)體晶 片的外周部發(fā)生塌邊，而能夠得到具有高平坦度的半導(dǎo)體晶片。
這樣，如果使用本發(fā)明的雙面研磨裝置用載具1的雙面研磨方法，則可 以提高載具使用壽命，而可高效率地得到金屬污染、外周部塌邊等情況被抑 制的高質(zhì)量的半導(dǎo)體晶片W。
并且，上述說明中是以游星式雙面研磨裝置的載具為例來進行說明，但 是本發(fā)明的雙面研磨裝置用載具并非被限定于游星式，即使是采用擺動式雙 面研磨裝置的載具也是有效的。
以下，舉出本發(fā)明的實施例與比較例，更具體地說明本發(fā)明，但是本發(fā) 明并非被限定于這些實施例。
實施例1、 2和比較例1
首先，根據(jù)一定的研磨條件，研磨本發(fā)明的載具和以往的載具，直到載 具的厚度偏離規(guī)格為止，測量所需的時間。要測定的載具的形狀如圖3所示， 要測定的載具有以下三種露出鈦材料的載具(厚度778pm:實施例l)、 利用DLC膜包覆鈦材料的表面而成的載具(鈦材料厚度774pm、 DCL膜的 厚度2pm:實施例2)、以及在SUS材料的表面上施行樹脂包覆而成的載具 (SUS的厚度598pm、樹脂包覆的厚度90(im:比較例l)。
實施例1、 2分別耗時16000分、20800分，比較例1則耗時800分。
由此可知，如果使用本發(fā)明的雙面研磨裝置用載具，其硬度高具有耐久 性，載具使用壽命長而可降低成本。
實施例3、 4和比較例2、 3
接著，準(zhǔn)備直徑300mm的硅晶片作為試樣晶片(sample wafer)。將該 硅晶片保持在載具中，使用如圖l、圖2所示的雙面研磨裝置進行600分鐘 的雙面研磨。
之后，將研磨后的試樣晶片放入袋中，并加入硝酸與氫氟酸的混合液， 加以煮沸，然后利用ICP-MS來分析袋中的液體的不純物。
準(zhǔn)備材質(zhì)為鈦且沒有進行包覆的載具(實施例3、 4)、和材質(zhì)為SUS 且表面有包覆樹脂而成的載具(比較例2、 3)，作為用以保持試樣晶片的載
具，使用各載具來進行上述實驗。
將實施例3、 4和比較例2、 3的分析結(jié)果示于圖5。
根據(jù)圖5可知，使用本發(fā)明的載具的實施例3、 4和使用以往的載具的 比較例2、 3，在Fe和Ni的濃度項目中產(chǎn)生大的差異。并且，實施例、比較 例的研磨前的各個Fe、 Ni的濃度，與實施例的研磨后的分析結(jié)果，數(shù)值相 同。根據(jù)此結(jié)果，在比較例中，由于載具中的Fe、 Ni，試樣晶片被污染；另 一方面，在實施例中，則沒有對試樣晶片造成污染。
另外，有關(guān)Ti的濃度，實施例與比較例，在研磨前和研磨后，幾乎沒有 變化。
這樣，如果像本發(fā)明那樣將載具的材質(zhì)設(shè)成鈦，貝U判明能夠抑制金屬不 純物對于半導(dǎo)體晶片所造成的污染。 實施例5和比較例4
接著，使用本發(fā)明的材質(zhì)為鈦的載具，對試樣晶片進行雙面研磨，測量 研磨后的試樣晶片的形狀資料(測定器黑田精工股份有限公司制造的納米 (nanometro) 300TT)，并進行GBIR、 SFQR (max) 、 SBIR (max)、下 降(roll off)量的測定。
進而，使用以往的載具，也就是將樹脂包覆在SUS材上而成的載具，進 行與實施例5同樣的雙面研磨，然后進行測定(比較例4)。
并且，所謂的GBIR (global backside ideal range)是指在將晶片背面矯 正成平面的狀態(tài)中，在晶片面內(nèi)持有一個基準(zhǔn)面，表示相對于該基準(zhǔn)面的最 大、最小的位置變位的差。
另外，SFQR (site front least squares range)是在將晶片背面矯正成平面 的狀態(tài)中，在設(shè)定的位置(site)內(nèi)，將數(shù)據(jù)以最小平方法算出的位置內(nèi)平面 設(shè)為基準(zhǔn)平面，表示每個位置的從該平面算起的最大、最小的位置變位的差。 所謂的(max)是指各位置的該差值之中的最大值。
SBIR (site back ideal range)是在將晶片背面矯正成平面的狀態(tài)中，根 據(jù)背面基準(zhǔn)面，表示各位置的表面高度的最大值和最小值的差。(max)與 SFQR相同，指各位置的該差值之中的最大值。
而且，所謂的下降量是晶片最外周部的塌邊；在將晶片背面矯正成平面 的狀態(tài)中，是指中心部和外周部的表面高度的最大值和最小值的差。
將實施例5和比較例4的測定結(jié)果，表示于圖6 (A)、圖6 (B)中。這樣，在各數(shù)據(jù)中，使用本發(fā)明的載具的實施例5，與使用以往的載具 的比較例4相比，顯示出較小的數(shù)值，得知實施例5的平坦度較高。特別是 防止周邊塌邊的效果高。另一方面，根據(jù)比較例4的資料，能夠確認(rèn)出外周 部的塌邊狀態(tài)(在圖6 (B)中，以圓圈圍住的部分)。比較例4是在SUS材的表面上施行樹脂包覆，晶片保持部的酰胺 (aramid)樹脂的高度比實施例的本發(fā)明的載具的情況低，而在載具表面和 保持部的表面之間產(chǎn)生階梯差。加上表面的樹脂的彈性所造成的影響，定位 環(huán)效果會降低，所以研磨布扭歪而會過度地研磨試樣晶片的周邊部，被認(rèn)定 在外周部會發(fā)生塌邊。這樣，如果使用本發(fā)明的載具來對晶片進行雙面研磨，則能夠得到平坦 度高且在外周部不會產(chǎn)生塌邊的半導(dǎo)體晶片。實施例6、 7準(zhǔn)備材質(zhì)為鈦且沒有包覆的載具(實施例6)、和由DLC膜包覆而成的 載具(實施例7)作為用以保持試樣晶片的載具，并使用如圖1、圖2所示 的雙面研磨裝置，分別對250片試樣晶片實施雙面研磨。將研磨后的試樣晶片，放置在晶片背面檢査裝置RXM-1227E (雷泰 (Raytex)公司制造)中，通過CCD所實行的畫像處理，確認(rèn)晶片背面有無 傷痕。此時，通過上述方法檢査出來的傷痕，即使只有一個，該晶片也判定為 傷痕不良品(但是，由于晶片可以利用再研磨而再生，所以不一定是晶片的 不良品)。將實施例6和實施例7的晶片背面的傷痕不良率，利用相對比率表示于 圖7。根據(jù)圖7可知，如果使用包覆DCL膜而成的載具，則能夠更有效地防 止晶片發(fā)生傷痕，可得到更高質(zhì)量的晶片。并且，本發(fā)明并非被限定于上述實施方式。上述實施方式供示例說明， 只要是具有與記載于本發(fā)明的權(quán)利要求書中的技術(shù)思想實質(zhì)上相同的構(gòu)成， 能得到同樣的作用效果，均包含在本發(fā)明的專利保護范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種雙面研磨裝置用載具，其在雙面研磨裝置中配設(shè)在貼有研磨布的上下磨盤之間并形成有保持孔，該保持孔在研磨時用以保持夾在所述上下磨盤之間的晶片，其特征在于所述載具的材質(zhì)是鈦。
2. 如權(quán)利要求1所述的雙面研磨裝置用載具，其中所述載具的表面由氮 化鈦膜、DLC膜的任一種包覆。
3. 如權(quán)利要求2所述的雙面研磨裝置用載具，其中所述膜的厚度是 0.3(im 5(xm。
4. 如權(quán)利要求1至3中任一項所述的雙面研磨裝置用載具，其中夾在所 述上下磨盤之間的晶片為半導(dǎo)體晶片。
5. —種雙面研磨裝置，其特征在于至少具有權(quán)利要求1至4中任一項所述的雙面研磨裝置用載具。
6. —種晶片的雙面研磨方法，是對晶片進行雙面研磨的方法，將權(quán)利要 求1至4中任一項所述的載具配設(shè)在貼有研磨布的上下磨盤之間，并將晶片 保持在該載具中所形成的保持孔中，以將晶片夾在所述上下磨盤之間的方式 進行雙面研磨。
全文摘要
一種雙面研磨裝置用載具，其在雙面研磨裝置中被配設(shè)在貼有研磨布的上下磨盤之間，并形成有保持孔，該保持孔在研磨時用以保持夾在所述上下磨盤之間的晶片，其中所述載具的材質(zhì)是鈦。由此，可提供一種雙面研磨裝置用載具，該載具本身強度高，且例如可抑制對于硅晶片等晶片的不純物污染，并能夠抑制研磨后的晶片的外周部發(fā)生塌邊。
文檔編號H01L21/304GK101128920SQ200680005678
公開日2008年2月20日 申請日期2006年2月20日 優(yōu)先權(quán)日2005年2月25日
發(fā)明者上野淳一 申請人:信越半導(dǎo)體股份有限公司