專利名稱：：基板處理方法和基板處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及基板處理方法，詳細(xì)地說，涉及對(duì)半導(dǎo)體晶片等被處理基板進(jìn)行成膜等處理的基板處理方法。
背景技術(shù)：
：在利用CVD等方法對(duì)作為被處理基板的半導(dǎo)體晶片(以下，有時(shí)io僅稱為"晶片")進(jìn)行成膜的成膜裝置中，在作為載置晶片的基板載置臺(tái)的基座中設(shè)置有加熱單元，通過對(duì)該基座進(jìn)行加熱，間接地對(duì)晶片進(jìn)行加熱，并進(jìn)行各種成膜反應(yīng)?；蓪?dǎo)熱性優(yōu)異的A1N等陶瓷系材料構(gòu)成，能夠?qū)⒈惶幚砘寮訜嶂晾?0(TC以上的處理溫度。近年來，晶片的尺寸大型化至200mm300mm，與此相伴，由于15成膜時(shí)的加熱時(shí)(升溫工序)的溫度變化，晶片容易產(chǎn)生彎曲。當(dāng)這樣晶片產(chǎn)生彎曲吋，在搬送時(shí)會(huì)引起晶片的位置偏移等，在載置在基座上時(shí)，晶片的周邊部等與基座接觸，成為產(chǎn)生破損或微粒污染的原因。因此，在對(duì)品片進(jìn)行加熱處理的過程屮，使晶片不產(chǎn)生彎曲是非常重要的。20因此，已提出了在將晶片搬入到處理室中后，在保持在基板支撐銷上的狀態(tài)下進(jìn)行第一預(yù)加熱，然后，使基板支撐銷下降，將晶片載置在載置臺(tái)上，進(jìn)行第二預(yù)加熱的CVD成膜方法(例如，特開2003-77863號(hào)公報(bào))。25
發(fā)明內(nèi)容上述特開2003-77863號(hào)公報(bào)中所記載的進(jìn)行2階段的預(yù)加熱的方法，在避免基板的彎曲方面，是優(yōu)異的方法。但是，為了避免晶片的急劇的溫度上升，在利用晶片支撐銷使晶片離開載置臺(tái)的狀態(tài)下進(jìn)行第一預(yù)加熱，因此，預(yù)加熱需要時(shí)間，特別是在處理溫度為70(TC以上30的高溫的情況下，不得不犧牲生產(chǎn)率，希望對(duì)其進(jìn)行改善。因此，本發(fā)明的目的在于提供一種當(dāng)在700°C以上的高溫下對(duì)基板進(jìn)行處理的情況下，在升溫過程中能夠可靠地防止晶片的彎曲，并且能夠以高的生產(chǎn)率進(jìn)行處理的基板處理方法。本發(fā)明的第一方面提供一種基板處理方法，其特征在于，包括在基板處理裝置的處理室內(nèi)，在將被處理基板載置在載置臺(tái)上的狀5態(tài)下，進(jìn)行第一預(yù)加熱的工序；使上述載置臺(tái)的基板支撐銷上升，在將被處理基板保持在該基板支撐銷上的狀態(tài)下，進(jìn)行第二預(yù)加熱的工序；和使上述基板支撐銷下降，將被處理基板載置在上述載置臺(tái)上，一邊加熱至70(TC以上的處理溫度一邊進(jìn)行處理的工序。此外，本發(fā)明的第二方面提供一種基板處理方法，其特征在于，10包括在基板處理裝置的處理室內(nèi)，在將被處理基板載置在載置臺(tái)上的狀態(tài)下，在被處理基板不產(chǎn)生彎曲的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行規(guī)定時(shí)間的第一預(yù)加熱的工序；使上述載置臺(tái)的基板支撐銷上升，在將被處理基板保持在該基板支撐銷上的狀態(tài)下，在被處理基板容易產(chǎn)生彎曲的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行第二預(yù)加熱的工序；和使上述基板支撐銷下降，15將被處理基板載置在上述載置臺(tái)上，一邊加熱至70(TC以上的處理溫度一邊進(jìn)行處理的工序。此外，本發(fā)明的第三方面提供--種基板處理方法，其特征在于，包括將被處理基板搬入到基板處理裝置的處理室內(nèi)，使被處理基板位于第一位置的第一工序；從上述第一位置改變到第二位置，對(duì)20被處理基板進(jìn)行加熱的第二工序；從上述第二位置改變到第三位置，對(duì)被處理基板進(jìn)行加熱的第三工序；和從上述第三位置改變到第四位置，一邊對(duì)被處理基板進(jìn)行加熱一邊在700。C以上的處理溫度下進(jìn)行處理的第四工序。在上述第三方面中，上述第二位置和上述第四位置可以是將被處25理基板載置在上述載置臺(tái)上的位置，上述第三位置可以是將被處理基板支撐在上述載置臺(tái)上方的位置。在上述第一和第二方面中，優(yōu)選被處理基板是硅基板，上述第一預(yù)加熱中的加熱溫度小于60(TC。在上述第三方面中，優(yōu)選被處理基板是硅基板，上述第二工序30中的加熱溫度小于600°C。在上述第一方面第三方面中，優(yōu)選上述處理溫度為70(TCIIO(TC。此外，優(yōu)選上述基板處理裝置是使處理氣體的等離子體作用于被處理基板以對(duì)該被處理基板進(jìn)行處理的等離子體處理裝置。在該情況下，優(yōu)選上述等離子體通過利用具有多個(gè)縫隙的平面天線將微波導(dǎo)入上述處理室內(nèi)而形成。5此外，在第一方面第三方面中，優(yōu)選處理壓力大于53.3Pa小于等于101325Pa。此外，在上述第一和第二方面中，優(yōu)選在上述進(jìn)行第一預(yù)加熱的工序中，將被處理基板升溫至第一溫度，在上述進(jìn)行第二預(yù)加熱的工序中，將被處理基板升溫至第二溫度，上述第一溫度為比上述io第二溫度低的溫度。在該情況下，更優(yōu)選上述第一溫度為小于600r的溫度，更優(yōu)選上述第二溫度為超過60(TC的溫度。此外，優(yōu)選在上述進(jìn)行第一預(yù)加熱的工序中，使被處理基板在第一壓力條件下進(jìn)行升溫，在上述進(jìn)行第二預(yù)加熱的工序中，使被處理基板在第二壓力條件下進(jìn)行升溫，并且上述第一壓力條件的15壓力比上述第二壓力條件的壓力低。此外，優(yōu)選上述進(jìn)行第一預(yù)加熱的工序和上述進(jìn)行第二預(yù)加熱的工序，在相同的壓力條件下使被處理基板升溫。此外，優(yōu)選上述進(jìn)行第二預(yù)加熱的工序包括將被處理基板加熱規(guī)定吋間，在該被處理基板上形成彎曲的階段；和再將被處理基20板加熱規(guī)定時(shí)間，使該被處理基板的彎曲恢復(fù)的工序。本發(fā)明的第四方面提供一種控制程序，其特征在于，該控制程序在計(jì)算機(jī)上運(yùn)行，在執(zhí)行時(shí)，控制基板處理裝置，使其進(jìn)行包括以下工序的基板處理方法在上述基板處理裝置的處理室內(nèi)，在將被處理基板載置在載置臺(tái)上的狀態(tài)下，進(jìn)行第一預(yù)加熱的工序；使上25述載置臺(tái)的基板支撐銷上升，在將被處理基板保持在該基板支撐銷上的狀態(tài)下，進(jìn)行第二預(yù)加熱的工序；和使上述基板支撐銷下降，將被處理基板載置在上述載置臺(tái)上，一邊加熱至70(TC以上的處理溫度一邊進(jìn)行處理的工序。本發(fā)明的第五方面提供一種計(jì)算機(jī)可讀取的存儲(chǔ)介質(zhì)，其存儲(chǔ)有30在計(jì)算機(jī)上運(yùn)行的控制程序，其特征在于，上述控制程序在執(zhí)行時(shí)，控制基板處理裝置，使其進(jìn)行包括以下工序的基板處理方法在上述基板處理裝置的處理室內(nèi)，在將被處理基板載置在載置臺(tái)上的狀態(tài)下，進(jìn)行第一預(yù)加熱的工序；使上述載置臺(tái)的基板支撐銷上升，在將被處理基板保持在該基板支撐銷上的狀態(tài)下，進(jìn)行第二預(yù)加熱的工序；和使上述基板支撐銷下降，將被處理基板載置在上述載置5臺(tái)上，一邊加熱至700'C以上的處理溫度一邊進(jìn)行處理的工序。本發(fā)明的第六方面提供一種基板處理裝置，其特征在于，包括處理室，該處理室具有載置被處理基板的載置臺(tái)并能夠進(jìn)行真空排氣；基板支撐銷，該基板支撐銷相對(duì)于上述載置臺(tái)的基板載置面能10夠突出沒入地設(shè)置，在從基板載置面突出的狀態(tài)下支撐被處理基板；禾口控制部，該控制部進(jìn)行控制，使得進(jìn)行包括以下工序的基板處理方法在上述處理室內(nèi)，在將被處理基板載置在載置臺(tái)上的狀態(tài)下，進(jìn)行第一預(yù)加熱的工序；使上述載置臺(tái)的基板支撐銷上升，在15將被處理基板保持在該基板支撐銷上的狀態(tài)下，進(jìn)行第二預(yù)加熱的工序；和使上述基板支撐銷下降，將被處理基板載置在上述載置臺(tái)」.:，一邊加熱至70(TC以上的處理溫度一邊進(jìn)行處理的工序。根據(jù)本發(fā)明的基板處理方法，將被處理基板暫且載置在載置臺(tái)上，進(jìn)行第一預(yù)加熱直至規(guī)定溫度后，使載置臺(tái)的基板支撐銷上升，在將20被處理基板保持在基板支撐銷上的狀態(tài)下，進(jìn)行第二預(yù)加熱。在第二預(yù)加熱中，被處理基板未被載置在載置臺(tái)上，而是被支撐在基板支撐銷上，因此，通過在第二預(yù)加熱中通過在升溫過程中在基板上容易形成彎曲(變形)的溫度范圍，即使在被處理基板上產(chǎn)生彎曲，也能夠避免破損或微粒污染。25此外，在將被處理基板支撐在基板支撐銷上的狀態(tài)下緩慢地進(jìn)行升溫的第二預(yù)加熱的過程中，能夠使在被處理基板上形成的彎曲消除。因此，即使被處理基板是大型基板，也能夠可靠地防止彎曲的產(chǎn)生。此外，通過在將被處理基板載置在載置臺(tái)上的狀態(tài)下進(jìn)行第一預(yù)加熱，在該溫度范圍的升溫時(shí)間變短，能夠使處理的生產(chǎn)率提高。30圖1是表示在本發(fā)明中能夠利用的等離子體處理裝置的一個(gè)例子的概略截面圖。圖2是用于說明平面天線部件的圖。圖3是表示本發(fā)明方法的順序的一個(gè)例子的流程圖。5圖4A是表示將晶片搬入腔室內(nèi)、在第一位置交接至晶片支撐銷上的狀態(tài)的示意圖。圖4B是表示使晶片支撐銷下降、在第二位置對(duì)晶片進(jìn)行預(yù)加熱的狀態(tài)的示意圖。圖4C是表示使晶片支撐銷上升、在第三位置對(duì)晶片進(jìn)行預(yù)加熱的io狀態(tài)的示意圖。圖4D是表示使晶片支撐銷下降、在第四位置對(duì)晶片進(jìn)行等離子體處理的狀態(tài)的示意圖。圖5是與圖3的流程圖對(duì)應(yīng)的時(shí)間圖。圖6是將本發(fā)明方法與比較方法中的晶片支撐銷60的位置并列地15表示的時(shí)間圖。圖7是表示在對(duì)晶片進(jìn)行連續(xù)處理的情況下，微粒數(shù)量的測定結(jié)果的圖。圖8是表示在本發(fā)明中能夠利用的熱處理裝置的一個(gè)例子的概略20,圖9是表示在本發(fā)明中能夠利用的CVD裝置的一個(gè)例子的概略截面圖。具體實(shí)施例方式以下，適當(dāng)參照附圖，具體地對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。圖125是示意性地表示能夠適合在本發(fā)明中利用的等離子體處理裝置的一個(gè)例子的截面圖。該等離子體處理裝置100被構(gòu)成為，通過利用具有多個(gè)縫隙(slot)的平面天線、特別是RLSA(RadialLineSlotAntenna:徑向線縫隙天線)將微波導(dǎo)入處理室內(nèi)以產(chǎn)生等離子體，從而能夠產(chǎn)生高密度并且低電子溫度的微波激發(fā)等離子體的RLSA微波等離子體30處理裝置，能夠進(jìn)行利用具有1X101Q5X1012/cm3的等離子體密度、0.72eV的電子溫度的等離子體進(jìn)行的處理。在本實(shí)施方式中，等離子體處理裝置100被構(gòu)成為利用含氧氣體的等離子體進(jìn)行氧化處理的等離子體氧化處理裝置，能夠適合用于在例如MOS晶體管、MOSFET(場效應(yīng)型晶體管)等各種半導(dǎo)體裝置的制造過程中形成柵絕緣膜等目的。5上述等離子體處理裝置100具有被氣密地構(gòu)成、并被接地的大致圓筒狀的腔室1。在腔室1的底壁la的大致中央部，形成有圓形的開口部IO，在底壁la上設(shè)置有與該開口部IO連通、并向下方突出的排氣室11。在腔室1內(nèi)設(shè)置有用于水平地支撐作為被處理基板的晶片W的由ioA1N等陶瓷構(gòu)成的基座2。該基座2被從排氣室11的底部中央向上方延伸的圓筒狀的由A1N等陶瓷構(gòu)成的支撐部件3支撐。在基座2的外邊緣部設(shè)置有用于引導(dǎo)晶片W的導(dǎo)向環(huán)4。在基座2中埋入有電阻加熱型的加熱器5，該加熱器5通過從加熱器電源5a供電，對(duì)基座2進(jìn)行加熱，利用該熱量對(duì)作為被處理基板的15晶片W進(jìn)行加熱。此外，在基座2中配備有熱電偶6，其能夠在例如從室溫到1100。C的范圍對(duì)晶片W的加熱溫度進(jìn)行溫度控制。在基座2中，作為用于支撐晶片W并使其升降的基板支撐部件，相對(duì)于基座2的表面能夠突出沒入地設(shè)置有3根(僅圖示2根)品片支撐銷60，這些品片支撐銷60被固定在支撐板61上。品片支撐銷6020利用氣缸等驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)62通過支撐板61進(jìn)行升降。在腔室1的內(nèi)周，設(shè)置有由石英構(gòu)成的圓筒狀的襯墊(liner)7，防止由腔室構(gòu)成材料引起的金屬污染。此外，為了對(duì)腔室1內(nèi)均勻地進(jìn)行排氣，在基座2的外周側(cè)，呈環(huán)狀設(shè)置有形成有多個(gè)貫通孔(未圖示)的擋板(baffleplate)8。該擋板8由多個(gè)支柱9支撐。25在腔室1的側(cè)壁上設(shè)置有形成為環(huán)狀的氣體導(dǎo)入部件15，氣體供給系統(tǒng)16與該氣體導(dǎo)入部件15連接。此外，氣體導(dǎo)入部件15也可以配置成噴嘴狀或噴水器(shower)狀。氣體供給系統(tǒng)16例如包括稀有氣體供給源17、含氧氣體供給源18，稀有氣體和含氧氣體分別通過氣體管路20到達(dá)氣體導(dǎo)入部件15，從氣體導(dǎo)入部件15被導(dǎo)入腔室1內(nèi)。30在各氣體管路20中設(shè)置有質(zhì)量流量控制器21和其前后的開關(guān)闊22。作為上述含氧氣體，例如可以使用02氣等。此外，除了02氣以夕卜，還可以使用H2氣等，在這種情況下，02和H2從各自的氣體供給源分別導(dǎo)入。此外，作為上述稀有氣體，可以使用例如Ar氣、Kr氣、Xe氣、He氣等。排氣管23與上述排氣室11的側(cè)面連接，包括高速真空泵的排氣5裝置24與該排氣管23連接。通過使該排氣裝置24運(yùn)轉(zhuǎn)，腔室1內(nèi)的氣體通過擋板8向排氣室11的空間lla內(nèi)均勻地排出，通過排氣管23進(jìn)行排氣。由此能夠高速地將腔室1內(nèi)減壓至規(guī)定的真空度、例如0.133Pa。在腔室1的側(cè)壁上設(shè)置有用于在與和等離子體處理裝置100相10鄰的搬送室(未圖示)之間進(jìn)行晶片W的搬入搬出的搬入搬出口25;和對(duì)該搬入搬出口25進(jìn)行開關(guān)的閘閥26。腔室l的上部成為開口部，環(huán)狀的頂板27與該開口部接合。頂板27的內(nèi)周下部，向內(nèi)側(cè)的腔室內(nèi)空間突出，形成環(huán)狀的支撐部27a。在該支撐部27a上，通過密封部件29氣密地設(shè)置有由電介質(zhì)、例如石15英或八1203、A1N等陶瓷構(gòu)成的、透過微波的微波透過板28。因此，腔室l內(nèi)保持氣密。在透過板28的上方，以與基座2相對(duì)的方式設(shè)置有圓板狀的平面天線部件31。該平而天線部件31與腔室1的側(cè)壁上端卡止。平面天線部件31例如足山表而被鈹金或鍍銀的銅板或鋁板構(gòu)成的、按照規(guī)定的20圖案貫通形成有放射微波的多個(gè)縫隙狀的微波放射孔32的結(jié)構(gòu)。微波放射孔32，例如如圖2所示形成為長槽狀，典型地，相鄰的微波放射孔32彼此配置成"T"字狀，這些多個(gè)微波放射孔32呈同心圓狀配置。微波放射孔32的長度和排列間隔根據(jù)微波的波長ag)決定，例如配置成使得微波放射孔32的間隔為Xg/4、Xg/2或Xg。此外，25在圖2中，形成為同心圓狀的相鄰的微波放射孔32之間的間隔用Ar表示。此外，微波放射孔32也可以是圓形狀、圓弧狀等其它形狀。另夕卜，微波放射孔32的配置方式?jīng)]有特別的限定，除了同心圓狀以外，也可以配置成例如螺旋狀、放射狀。在該平面天線部件31的上面上設(shè)置有介電常數(shù)比真空大的滯波材30料33。因?yàn)樵谡婵罩形⒉ǖ牟ㄩL變長，該滯波材料33具有使微波的波長縮短從而調(diào)整等離子體的功能。此外，平面天線部件31與透過板28平面天線部件31之間，分別既可以緊密接觸又可以分離。在腔室1的上面上，以覆蓋這些平面天線部件31和滯波材料33的方式，設(shè)置有例如由鋁、不銹鋼等金屬材料構(gòu)成的屏蔽蓋體34。腔5室1的上面和屏蔽蓋體34由密封部件35密封。在屏蔽蓋體34中形成有冷卻水流路34a,通過向其中流通冷卻水，對(duì)屏蔽蓋體34、滯波材料33、平面天線部件31和透過板28進(jìn)行冷卻，由此防止平面天線部件31的變形、或屏蔽蓋體34、滯波材料33和透過板28的破損，能夠形成穩(wěn)定的等離子體。此外，屏蔽蓋體34被接地。io在屏蔽蓋體34的上壁的中央，形成有開口部36，波導(dǎo)管37與該開口部36連接。產(chǎn)生微波的微波發(fā)生裝置39通過匹配電路38與該波導(dǎo)管37的端部連接。由此，由微波發(fā)生裝置39產(chǎn)生的例如頻率為2.45GHz的微波，通過波導(dǎo)管37向上述平面天線部件31傳播。作為微波的頻率，也可以使用8.35GHz、1.98GHz等。15波導(dǎo)管37包括從上述屏蔽蓋體34的開口部36向上方延伸的截面為圓形狀的同軸波導(dǎo)管37a;和通過模式轉(zhuǎn)換器40與該同軸波導(dǎo)管37a的上端部連接的、在水平方向上延伸的矩形波導(dǎo)管37b。矩形波導(dǎo)管37b與同軸波導(dǎo)管37a之間的模式轉(zhuǎn)換器40，具有將在矩形波導(dǎo)管37b內(nèi)以TE模式傳播的微波轉(zhuǎn)換成TEM模式的功能。內(nèi)導(dǎo)體41在同20軸波導(dǎo)管37a的中心延伸，內(nèi)導(dǎo)體41在其下端部與平面天線部件31的中心連接并固定。由此，微波通過同軸波導(dǎo)管37a的內(nèi)導(dǎo)體41，呈放射狀高效并均勻地向平面天線部件31傳播。等離子體處理裝置100的各構(gòu)成部，與包括CPU的過程控制器50連接并受其控制。用戶接口51與過程控制器50連接，該用戶接口5125由工序管理者為了對(duì)等離子體處理裝置100進(jìn)行管理而進(jìn)行命令的輸入操作等的鍵盤、和將等離子體處理裝置100的運(yùn)轉(zhuǎn)狀況可視化并進(jìn)行顯示的顯示器等構(gòu)成。另外，存儲(chǔ)部52與過程控制器50連接，該存儲(chǔ)部52存儲(chǔ)有記錄有用于在過程控制器50的控制下實(shí)現(xiàn)在等離子體處理裝置100中進(jìn)行30的各種處理的控制程序(軟件)和處理?xiàng)l件數(shù)據(jù)等的方案。根據(jù)需要，按照來自用戶接口51的指示等，從存儲(chǔ)部52調(diào)出任意的方案，并由過程控制器50執(zhí)行，由此，在過程控制器50的控制下，在等離子體處理裝置100中進(jìn)行期望的處理。此外，上述控制程序和處理?xiàng)l件等的方案，也能夠利用存儲(chǔ)在例如CD-ROM、硬盤、軟盤、閃速存儲(chǔ)器等計(jì)算機(jī)可讀取的存儲(chǔ)介質(zhì)中的狀態(tài)的方案，或者，5也能夠從其它裝置通過例如專用線路隨時(shí)傳送并聯(lián)機(jī)利用。在這樣構(gòu)成的RLSA方式的等離子體處理裝置100中，能夠進(jìn)行將晶片W的硅(多晶硅或單晶硅)氧化以形成硅氧化膜的處理。以下，參照?qǐng)D3圖5對(duì)其順序進(jìn)行說明。圖3是表示等離子體氧化處理的工序的概要的流程圖，圖4是對(duì)主要工序中的腔室1內(nèi)的狀態(tài)進(jìn)行說明io的示意圖，圖5是表示各工序中的氣體流量、壓力、微波功率和晶片支撐銷60的位置的時(shí)間圖。首先，如圖4A所示，將閘閥26打開，利用搬送裝置71將晶片W從被保持為減壓狀態(tài)的搬送室70通過搬入搬出口25搬入到腔室1內(nèi)(步驟Sll)。然后，使晶片支撐銷60上升，在第一位置接受晶片W15(歩驟S12)。接著，將閘閥26關(guān)閉，從稀有氣體供給源17以規(guī)定流量、例如1000mL/min(sccm)將Ar氣導(dǎo)入腔室1內(nèi)，并且對(duì)腔室1內(nèi)進(jìn)行排氣，使其保持為規(guī)定壓力、例如126.6Pa(950mToir)(歩驟S13)。接著，如圖4B所示，使品片支撐銷60下降，將晶片W載置在基座2上，使20其位于第二位置(步驟S14)。該第二位置是用于對(duì)晶片W進(jìn)行處理的處理位置。在該第二位置(即，在將晶片W載置在基座2上的狀態(tài)下)進(jìn)行第一預(yù)加熱(步驟S15)。第一預(yù)加熱在晶片W產(chǎn)生彎曲的溫度之前進(jìn)行，即在晶片W不產(chǎn)生彎曲的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行。例如，在硅晶片的情25況下，在約60(TC放射率(熱吸收率)最大，在該溫度附近最容易產(chǎn)生彎曲，因此，加熱至晶片W達(dá)到該溫度之前的溫度、例如小于60(TC、更具體地說40(TC以上、優(yōu)選400。C55(TC。當(dāng)在晶片W上已經(jīng)有膜的情況下、或?qū)杈酝獾幕暹M(jìn)行處理的情況下，以因?yàn)榉派渎什煌?，所以可以通過預(yù)先測定放射率，決定第一預(yù)加熱工序中的最合30適的加熱溫皮。第一預(yù)加熱的時(shí)間因基座2的溫度和基板的種類、膜的種類等而改變，例如可以為5秒以上30秒以下，優(yōu)選為15秒以上25秒以下。這樣，第一預(yù)加熱在將晶片W載置在基座2上的狀態(tài)下進(jìn)行，因此，利用來自基座2的直接的熱傳遞，升溫速度快，能夠在短時(shí)間內(nèi)加熱。因此能夠提高生產(chǎn)率。另外，在放射率最大的溫度范圍容易產(chǎn)5生晶片W的彎曲，但第一預(yù)加熱是在其之前的升溫過程，因此，在該階段晶片W幾乎不產(chǎn)生彎曲。因此，也難以產(chǎn)生因彎曲導(dǎo)致晶片W的周邊部與基座2接觸、從而發(fā)生晶片W破損或微粒污染的問題。此后，如圖4C所示，使晶片支撐銷60上升(步驟S16)，將晶片W保持在與基座2分離的狀態(tài)(第三位置)，進(jìn)行第二預(yù)加熱(步驟ioS17)。該第三位置可以不同于在與搬送裝置71之間進(jìn)行晶片W的交接的第一位置，但優(yōu)選為與第一位置相同的位置。在該步驟S17中，在直到晶片W到達(dá)處理溫度為止的期間，將晶片W放置在交接位置，由此，抑制晶片W的中心與邊緣的溫度差由于晶片W的急劇升溫而變大。也就是說，在交接位置通過作為晶片W最容易產(chǎn)生彎曲的條件15的晶片W放射率最大的溫度范圍。BP，由此，即使晶片W產(chǎn)生彎曲，也不會(huì)就那樣進(jìn)行下去，在第二預(yù)加熱期間能夠使彎曲消除。此外，即使在第二預(yù)加熱期間產(chǎn)生彎曲，因?yàn)榫琖處于被支撐在晶片支撐銷60上的狀態(tài)，所以也不會(huì)因晶片W的周邊部與基座2接觸而產(chǎn)生破損或微粒污染的問題、或產(chǎn)生晶片W的位置偏移等問題。第二預(yù)加20熱的時(shí)間因基座2的溫度和基板的種類、膜的種類等而改變，例如可以為10秒以上120秒以下，優(yōu)選為30秒以上70秒以下。接著，使晶片支撐銷60下降，如圖4D所示，將晶片W載置在基座2上，使其位于第四位置(步驟S18)。在該狀態(tài)下，將壓力減壓到106.6Pa，從氣體供給系統(tǒng)16的含氧氣體供給源18，以規(guī)定的流量將25例如02氣通過氣體導(dǎo)入部件15導(dǎo)入到腔室1內(nèi)，等待至氣體流量穩(wěn)定化(步驟S19)。該氣體穩(wěn)定化工序的時(shí)間例如可以為5秒以上50秒以下，優(yōu)選為10秒以上30秒以下。然后，將微波功率接通(ON)，將等離子體點(diǎn)火，開始晶片處理(歩驟S20)。30目l]，將來自微波發(fā)生裝置39的微波經(jīng)過匹配電路38導(dǎo)入波導(dǎo)管37，使其依次通過矩形波導(dǎo)管37b、模式轉(zhuǎn)換器40、和同軸波導(dǎo)管37a，并通過內(nèi)導(dǎo)體41而供給至平面天線部件31，從平面天線部件31的微波放射孔32通過透過板28向腔室1內(nèi)的晶片W的上方空間放射。微波在矩形波導(dǎo)管37b內(nèi)以TE模式傳播，該TE模式的微波由模式轉(zhuǎn)換器40轉(zhuǎn)換成TEM模式，在同軸波導(dǎo)管37a內(nèi)向平面天線部件31傳播。5此時(shí)的微波功率可以采用例如5005000W。于是，利用從平面天線部件31經(jīng)過透過板28向腔室1放射的微波，在腔室1內(nèi)形成電磁場，將Ar氣和02氣等離子體化。由于微波從平面天線部件31的多個(gè)微波放射孔32放射，該微波等離子體成為大致1X10105XlO'W的高密度、并且在晶片W附近為大致1.5eV以下的低電子溫度的等離子體。io這樣形成的微波激發(fā)等離子體，因離子等造成的等離子體損傷少。然后，利用等離子體中的活性種、主要是O自由基的作用，將氧導(dǎo)入硅中，在硅表面均勻地形成SiOj莫。此外，在進(jìn)行等離子體氮化處理的情況下，能夠通過使用例如Ar和N2作為處理氣體而形成SiN膜，能夠通過使用例如Ar、N2和02作15為處理氣體進(jìn)行等離子體氧氮化處理而形成SiON膜。在等離子體氧化處理中，例如將Ar、Xe等稀有氣體流量設(shè)定為2502000mL/min(sccm)、將02等含氧氣體流量設(shè)定為1100mL/min(sccm)，將腔室內(nèi)調(diào)整至大于53.3Pa且小于等于101325Pa(大于400mTorrJi小于等于760Torr)、優(yōu)選為80Pa1333Pa(600mTorr2010Torr)、更優(yōu)選為106.7Pa400Pa(800mTorr3Torr)的處理壓力。此外，就處理溫度而言，作為晶片W的溫度，加熱到7001100°C、優(yōu)選80090(TC。等離子體氧化處理的工序時(shí)間沒有限制，例如可以為10秒以上60秒以下、優(yōu)選為20秒以上40秒以下。實(shí)施規(guī)定時(shí)間的等離子體氧化處理后，將微波功率斷幵(OFF)，25并且停止導(dǎo)入氣體，使處理結(jié)束(步驟S21)。此后，以與步驟S11和S12相反的順序，使晶片支撐銷60上升，使其位于第五位置，利用搬送裝置71將晶片W搬出(步驟S22)。在本實(shí)施方式中，在第二預(yù)加熱工序中，幾乎升溫至處理溫度范圍，因此，在使晶片支撐銷60下降并載置在基座2上以后，不需要再30進(jìn)行預(yù)加熱。但是，在處理溫度為例如超過IOO(TC的高溫的情況下，也可以設(shè)置第三預(yù)加熱工序。接著，對(duì)確認(rèn)本發(fā)明效果的試驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行說明。使用等離子體處理裝置100，在表1至表3所示的處理?xiàng)l件下進(jìn)行晶片W的處理，對(duì)晶片w有無產(chǎn)生彎曲和有無產(chǎn)生微粒進(jìn)行了調(diào)查。此外，在任何條件下，處理溫度(處理時(shí)的晶片W的溫度)均設(shè)為80(TC。5表l(比較方法l)是完全不實(shí)施對(duì)于晶片W彎曲的對(duì)策的例子。艮[J，如表1所示，在使晶片支撐銷60下降并位于處理位置的狀態(tài)下實(shí)施60秒的預(yù)加熱工序后，用20秒使氣體穩(wěn)定化，此后，實(shí)施30秒的等離子體氧化處理。此外，等離子體結(jié)束處理(工序分類4)進(jìn)行3秒。基座2的加熱器5的設(shè)定溫度在全部工序中為800°C。io表2(比較方法2)是作為對(duì)于晶片W彎曲的對(duì)策，設(shè)置有在將晶片W搬入腔室1后、照原樣使晶片支撐銷60上升并將晶片W在交接位置保持120秒的第一預(yù)加熱工序，此后，將晶片W載置在基座2上并在處理位置再次進(jìn)行60秒的第二預(yù)加熱的例子。在第二預(yù)加熱工序后，在處理位置用20秒使氣體穩(wěn)定化，此后，在處理位置實(shí)施3015秒的等離子體氧化處理。此外，等離子體結(jié)朿處理(工序分類5)進(jìn)行3秒?；?的加熱器5的設(shè)定溫度在全部工序中為800°C。表3(本發(fā)明方法)是作為對(duì)于晶片W彎曲的對(duì)策，在使晶片支l學(xué)銷60下降而位于處理位S的狀態(tài)下實(shí)施20秒的第--預(yù)加熱-l:序后，在使品片支撥銷60上升而使晶片W位于交接位置的狀態(tài)下實(shí)施70秒20的第二預(yù)加熱工序的例子。在第二預(yù)加熱工序后，在處理位置用20秒使氣體穩(wěn)定化，此后，在處理位置實(shí)施30秒的等離子體氧化處理。此夕卜，等離子體結(jié)束處理(工序分類5)進(jìn)行3秒。基座2的加熱器5的設(shè)定溫度僅在第一預(yù)加熱工序中為小于600°C，在其它工序中為800°C。此外，將與表1至表3的處理對(duì)應(yīng)的晶片支撐銷60的位置示于圖256。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table>表2<table>tableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table>表3<table>tableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table>在表1所示的比較方法1的情況下，從預(yù)加熱開始后30秒左右，晶片W產(chǎn)生劇烈的彎曲。此外，用異物檢查裝置(Surfscan)進(jìn)行的測定的結(jié)果表明，在晶片W上產(chǎn)生了微粒的密集部。在表2所示的比較方法2的情況下，在搬入晶片W后，將晶片W放置在交接位置進(jìn)行第一預(yù)加熱，在經(jīng)過晶片w產(chǎn)生彎曲的升溫范圍后，將其載置在基座2上進(jìn)行第二預(yù)加熱。在該情況下，晶片W的彎曲在預(yù)加熱開始后80120秒產(chǎn)生，因此，預(yù)加熱時(shí)間需要確保120秒以上。在該比較方法2中，沒有發(fā)現(xiàn)晶片W彎曲，也沒有發(fā)現(xiàn)產(chǎn)生5微粒。但是，因?yàn)樵趯⒕琖放置在交接位置的狀態(tài)下的第一預(yù)加熱的時(shí)間長達(dá)120秒，所以從第一預(yù)加熱到晶片處理結(jié)束的合計(jì)時(shí)間長達(dá)230秒，生產(chǎn)率降低(參照?qǐng)D6)。在表3所示的本發(fā)明方法的情況下，將晶片W搬入腔室1后，首先，在將晶片W載置在基座2上的狀態(tài)下進(jìn)行20秒的第一預(yù)加熱，io迅速升溫至晶片W產(chǎn)生彎曲之前，然后，切換到在使晶片W上升至交接位置的狀態(tài)下進(jìn)行的第二預(yù)加熱，由此能夠可靠地防止彎曲的產(chǎn)生，也沒有發(fā)現(xiàn)產(chǎn)生微粒。而且，如圖6所示，從第一預(yù)加熱到晶片處理結(jié)朿的合計(jì)吋間為140秒，與比較方法2相比，生產(chǎn)率大幅改善。晶片W(硅基板)的放射率已知在大約60(TC前后達(dá)到最大。l天l15此認(rèn)為，在使晶片W升溫的過程中，晶片溫度600。C前后是晶片W最容易產(chǎn)生彎曲(變形)的溫度范圍。因此，像比較方法1那樣，在將晶片W載置在基座2上的狀態(tài)下，進(jìn)行迅速的加熱，所以，在該升溫速率一K，在晶片溫度為60(TC前后的溫度范圍，晶片W產(chǎn)生彎曲而變形，與基座2接觸，成為產(chǎn)生微粒的原因。這是丙為加熱器側(cè)(基座220偵ij)的晶片面的溫度與真空側(cè)(晶片W的表面?zhèn)?的晶片面的溫度產(chǎn)生差異。另一方面，在交接位置對(duì)晶片W進(jìn)行第一預(yù)加熱的比較方法2的情況下，因?yàn)榫琖不接受來自基座2的直接的熱傳遞，所以溫度上升緩慢，不會(huì)產(chǎn)生急劇的溫度變化，因此難以產(chǎn)生彎曲。此外，如果25是將晶片W保持在晶片支撐銷60上、并與基座2之間具有足夠的距離的狀態(tài)，則隔著熱傳遞空間通過60(TC前后的溫度范圍，所以，即使在晶片W產(chǎn)生彎曲(變形)的情況下，也能夠避免與基座2接觸。此夕卜，通過在交接位置繼續(xù)升溫至60(TC以上的溫度范圍(處理溫度)，可將產(chǎn)生的彎曲消除。此后，在彎曲己消除的階段將晶片W載置在基30座2上，將晶片W升溫到例如超過70(TC的處理溫度，即使保持在該溫度下進(jìn)行等離子體處理，晶片W也不會(huì)產(chǎn)生彎曲，能夠避免微粒污染。但是，在該比較方法2的情況下，需要在將晶片W載置在晶片支撐銷60上的狀態(tài)下加熱至60(TC以上的溫度范圍，因此升溫需要120秒，生產(chǎn)率大幅降低。在本發(fā)明方法中，在預(yù)加熱的初期將晶片W載置在處理位置，在5硅晶片的情況下，直接利用來自基座2的熱傳遞，迅速加熱至放射率達(dá)到最大的60(TC之前，此后，使晶片支撐銷60上升，在交接位置通過60(TC前后的溫度范圍，由此，即使產(chǎn)生彎曲，也能夠避免與基座2接觸，并且，通過在該狀態(tài)下升溫到處理溫度并保持，也能夠?qū)呵耶a(chǎn)生的彎曲消除。而且，通過在將晶片W載置在基座2上的狀態(tài)下進(jìn)io行第一預(yù)加熱，能夠在短時(shí)間內(nèi)升溫至600'C附近。因此，本發(fā)明的方法能夠使晶片W的彎曲的消除和生產(chǎn)率兩者兼得。圖7是表示按照上述表1所示的比較方法1和表3所示的本發(fā)明方法，利用等離子體處理裝置IOO對(duì)晶片W進(jìn)行處理后的情況下的微粒數(shù)的圖。在此，在第1塊、第5塊、第10塊、第15塊、第20塊和15第25塊對(duì)晶片W進(jìn)行處理，并且在第24塊、第69塊、第1114塊、第1619塊、第2124塊對(duì)模擬晶片(dummywafer)進(jìn)行處理。此外，圖7的縱軸表示晶片W而內(nèi)的微粒數(shù)。從圖7可以看出，在比較方法1屮，檢測出微粒數(shù)多達(dá)16個(gè)以上，而在木發(fā)明方法中，微粒數(shù)少到IO個(gè)以下，結(jié)果良好。認(rèn)為這是因?yàn)?0在比較方法l中，由于迅速的加熱，晶片W產(chǎn)生彎曲，晶片W的周邊部與基座2接觸，造成產(chǎn)生微粒。接著，對(duì)在利用本發(fā)明方法使用等離子體處理裝置100對(duì)晶片W進(jìn)行等離子體氧化處理的情況下，壓力對(duì)預(yù)加熱時(shí)的彎曲的產(chǎn)生和此后的恢復(fù)(彎曲的消除)的影響進(jìn)行了研究。25在表4所示的處理?xiàng)l件下，使壓力在40Pa126.6Pa的范圍變化，進(jìn)行基板的處理。在各處理階段(工序分類15)中，通過目視對(duì)基板有無產(chǎn)生彎曲、到產(chǎn)生彎曲為止的時(shí)間和到產(chǎn)生的彎曲恢復(fù)(即，彎曲消除)為止的時(shí)間進(jìn)行觀察，將其結(jié)果示于表5。在表5中，〇表示沒有產(chǎn)生彎曲的狀態(tài)(也包括彎曲己消除的狀態(tài))，X表示產(chǎn)生了彎30曲的狀態(tài)。此外，基座2的加熱器5的設(shè)定溫度僅在第一預(yù)加熱工序中為小于600。C，在其它工序中為800°C。表4<table>tableseeoriginaldocumentpage21</column></row><table>表5<table>tableseeoriginaldocumentpage21</column></row><table>5從表5可以看出，在工序分類2(在交接位置的第二預(yù)加熱階段)中，全部樣品晶片W都產(chǎn)生了彎曲。但是，高壓側(cè)、例如處理壓力為80Pa以上的樣品7、8、1113，到產(chǎn)生彎曲為止的時(shí)間縮短為開始后40秒以內(nèi)的時(shí)間、例如3040秒，其結(jié)果，在70秒的工序分類2內(nèi)的剩余時(shí)間(即，工序分類2的后半段的3020秒)中，暫且產(chǎn)生的o彎曲消除。此外，在此后的階段(工序分類35)中沒有再產(chǎn)生彎曲。通過這樣將處理壓力設(shè)定為80Pa以上，在交接位置進(jìn)行的第二預(yù)加熱工序中，能夠在短時(shí)間內(nèi)產(chǎn)生彎曲、并且能夠使該彎曲迅速地恢復(fù)。S卩，如果將該壓力設(shè)定得較高，則能夠使晶片W在第二預(yù)加熱工序內(nèi)的早期產(chǎn)生彎曲，并且也能夠使彎曲的恢復(fù)提前，因此，能夠在15使晶片W保持在相同的交接位置的狀態(tài)下(第二預(yù)加熱工序內(nèi))使彎曲的恢復(fù)完成。與此相對(duì)，在腔室內(nèi)壓力為53.3Pa以下的低壓側(cè)的條件下，在工序分類2的預(yù)加熱階段，從開始到產(chǎn)生彎曲以前，需要40秒以上的時(shí)間，并且在70秒的工序分類2中彎曲不恢復(fù)，在此后的工序分類35中，即使將出現(xiàn)彎曲的晶片W載置在基座2上，也看不到產(chǎn)生的彎曲5消除。此外，在轉(zhuǎn)移到工序分類3的處理時(shí)，因?yàn)樵谟袕澢臓顟B(tài)下被載置在基座2上，所以存在晶片W在基座2上彈起的危險(xiǎn)。以上的結(jié)果表明，在第一預(yù)加熱工序(工序分類l)中，將基板載置在基座2上并迅速升溫到小于60(TC、例如550。C，接著在進(jìn)行升溫至600。C以上處理溫度的第二預(yù)加熱工序(工序分類2a和2b)中，io使晶片支撐銷60上升，不直接向晶片W進(jìn)行熱傳遞，通過氣體/真空區(qū)域進(jìn)行加熱，由此能夠防止晶片W的彎曲。此外，判明實(shí)施第二預(yù)加熱工序時(shí)的壓力越高，越能夠可靠地防止在晶片W上殘留彎曲的現(xiàn)象。通過氣體向晶片支撐銷60上的晶片W進(jìn)行熱傳遞，壓力高時(shí)，氣體分壓變高，在晶片W的周圍存在15大量的氣體分子。其結(jié)果，壓力高時(shí)，在第二預(yù)加熱工序中向處于被支撐在晶片支撐銷60上的狀態(tài)的晶片W的熱傳導(dǎo)效率提高，彎曲從產(chǎn)生到恢復(fù)的吋間縮短，結(jié)果，在晶片W上不殘留彎曲。因此，第二預(yù)加熱工序的壓力優(yōu)選設(shè)定為高于第一預(yù)加熱工序的壓力。另外，通過積極地利用該壓力的影響，例如在無法避免彎曲的產(chǎn)20生的情況下等，在80Pa以上的壓力下實(shí)施第二預(yù)加熱工序，在該第二預(yù)加熱工序內(nèi)，能夠產(chǎn)生彎曲，也能夠進(jìn)行彎曲恢復(fù)以使晶片W不殘留彎曲。根據(jù)以上情況，認(rèn)為至少實(shí)施第二預(yù)加熱工序時(shí)的腔室1內(nèi)的壓力優(yōu)選為大于53.3Pa小于等于1333Pa(400mTorr10Torr)，更優(yōu)選25為80Pa(600mTorr)以上，希望調(diào)整為106.6400Pa(800mTorr3Torr)。此外，第二預(yù)加熱工序的壓力與等離子體處理時(shí)(工序分類4)的壓力可以相同也可以不同。此外，不活潑氣體的流量，在提高氣體分壓方面，優(yōu)選為500mL/min以上，更優(yōu)選為1000mL/min以上。30以上，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行了說明，但本發(fā)明不受上述實(shí)施方式制約，能夠進(jìn)行各種變形。即，上述實(shí)施方式只是試圖使本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容清楚，本發(fā)明不應(yīng)僅限定并解釋為這樣的具體例子，在本發(fā)明的精神和權(quán)利要求所說明的范圍內(nèi)，能夠進(jìn)行各種變更而實(shí)施。例如，在上述實(shí)施方式中，舉出了RLSA方式的等離子體處理裝置100作為例子，但在使用例如遠(yuǎn)程等離子體方式、ICP等離子體方式、5ECR等離子體方式、表面反射波等離子體方式、磁控管等離子體方式等的等離子體處理裝置的情況下，也能夠應(yīng)用本發(fā)明的方法。此外，在上述實(shí)施方式中列舉了對(duì)作為被處理基板的半導(dǎo)體晶片進(jìn)行氧化處理的例子，但處理方法沒有特別的限制。例如在氮化處理方法、在700。C以上的溫度下對(duì)基板進(jìn)行成膜等處理的方法、使用RTPio(RapidThermalProcessor:快速熱處理器)等僅對(duì)基板進(jìn)行熱處理的方法、以及利用CVD堆積硅氧化膜或金屬膜等的方法等中，也能夠應(yīng)用本發(fā)明。例如圖8是表示能夠?qū)嵤┍景l(fā)明方法的熱處理裝置的結(jié)構(gòu)例的概略截面圖。該熱處理裝置200在例如由鋁構(gòu)成的腔室101內(nèi)具有圓板15狀的基座102，用于載置作為被處理基板的晶片W。在腔室101的側(cè)103由閘閥04進(jìn)行開閉。此外，在腔室101的側(cè)壁上設(shè)置有氣體噴嘴105，川于向處理空問供給在熱處理吋需要的處理氣體、例如N2等，構(gòu)成為能夠從氣體供給源112以規(guī)定的流量向腔室101內(nèi)供給處理氣20體。此外，在腔室101的下部連接有排氣管106，能夠通過該排氣管106利用未圖示的排氣裝置對(duì)處理空間內(nèi)進(jìn)行真空排氣。在基座102中設(shè)置有電阻加熱器107，通過從加熱器電源108供電，能夠?qū)⑤d置在基座102上的晶片W加熱到例如700。C以上的溫度。此夕卜，在基座102中，相對(duì)于晶片載置面能夠突出沒入地設(shè)置有用于支25撐晶片的3根(僅圖示2根)晶片支撐銷109。這些晶片支撐銷109通過支撐板110由氣缸等驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)111能夠升降地支撐。在這樣結(jié)構(gòu)的熱處理裝置200中，通過使晶片支撐銷109升降，能夠使晶片W的高度位置在交接位置與載置在基座102上的處理位置之間進(jìn)行切換。因此，在未圖示的控制部的控制下，能夠在不同位置對(duì)晶片W進(jìn)行第一30預(yù)加熱和第二預(yù)加熱。圖9是表示能夠?qū)嵤┍景l(fā)明方法的等離子體CVD裝置的結(jié)構(gòu)例的截面圖。該等離子體CVD裝置300具有腔室201，在其中，用于將作為被處理基板的晶片W水平地支撐的基座202以由設(shè)置在其中央下部的圓筒狀的支撐部件203支撐的狀態(tài)配置。該基座202由A1N等陶瓷構(gòu)成，在其中埋入有電阻加熱器204。該電阻加熱器204通過從加熱5器電源205供電，將作為被處理基板的晶片W加熱到規(guī)定的溫度。此夕卜，在基座202中，在電阻加熱器204之上埋設(shè)有作為下部電極起作用的電極206。在腔室201的側(cè)壁上設(shè)置有用于進(jìn)行晶片W的搬入搬出的搬入搬出口207;和對(duì)該搬入搬出口207進(jìn)行開關(guān)的閘閥208。在腔室201io的頂壁上設(shè)置有噴頭210。該噴頭210由上段塊體21K中段塊體212和下段塊體213構(gòu)成。在下段塊體213中交替地形成有噴出氣體的噴出孔214和215。這些氣體噴出孔214、215通過設(shè)置在噴頭上部的第一氣體導(dǎo)入口216和第二氣體導(dǎo)入口217，分別與第一氣體供給部218、第二氣體供給部219連接。第一氣體供給部218具有例如作為含Ti氣15體的TiCU氣體、作為等離子體氣體的Ar氣等的氣體供給源(圖示省略)，第二氣體供給部219具有例如作為還原氣體的H2氣、作為氮化氣體的NH3氣、K氣、作為氧化氣體的02氣等的氣體供給源(圖示省略)。高頻電源220與噴頭210連接，在成膜時(shí)從高頻電源220向噴頭20210供給高頻電力。通過從高頻電源220供給高頻電力，在噴頭210和電極206之間產(chǎn)生高頻電場，將供給到腔室201內(nèi)的氣體等離子體化，能夠形成Ti膜。在腔室201的下方設(shè)置有排氣室221，排氣管222與該排氣室221的側(cè)面連接，排氣裝置223與該排氣管222連接。通過使該排氣裝置223運(yùn)轉(zhuǎn)，能夠?qū)⑶皇?01內(nèi)減壓到規(guī)定的真空度。在25基座202中，相對(duì)于基座202的表面能夠突出沒入地設(shè)置有用于支撐晶片W并使其升降的3根(僅圖示2根)晶片支撐銷224，這些晶片支撐銷224被支撐在支撐板225上。晶片支撐銷224利用氣缸等驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)226通過支撐板225進(jìn)行升降，使支撐在其上的晶片W的位置上下移動(dòng)。30在這樣構(gòu)成的CVD裝置300中，通過使晶片支撐銷224升降，能夠使晶片W的高度位置在交接位置與載置在基座202上的處理位置之間進(jìn)行切換。因此，在未圖示的控制部的控制下，能夠在不同位置對(duì)晶片W進(jìn)行第一預(yù)加熱和第二預(yù)加熱。此外，在被處理基板為例如以液晶顯示器(LED)為代表的平板顯示器(FPD)用的玻璃基板的情況下、以及為化合物半導(dǎo)體基板等的情況下，也能夠應(yīng)用本發(fā)明的技術(shù)思想。產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明能夠適合利用于在各種半導(dǎo)體裝置等的制造過程中，伴隨著加熱的處理中。權(quán)利要求l.一種基板處理方法，其特征在于，包括在基板處理裝置的處理室內(nèi)，在將被處理基板載置在載置臺(tái)上的狀態(tài)下，進(jìn)行第一預(yù)加熱的工序；5使所述載置臺(tái)的基板支撐銷上升，在將被處理基板保持在該基板支撐銷上的狀態(tài)下，進(jìn)行第二預(yù)加熱的工序；和使所述基板支撐銷下降，將被處理基板載置在所述載置臺(tái)上，一邊加熱至700°C以上的處理溫度一邊進(jìn)行處理的工序。2.—種基板處理方法，其特征在于，包括在基板處理裝置的處理室內(nèi)，在將被處理基板載置在載置臺(tái)上的狀態(tài)下，在被處理基板不產(chǎn)生彎曲的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行規(guī)定時(shí)間的第一預(yù)加熱的工序；使所述載置臺(tái)的基板支撐銷上升，在將被處理基板保持在該基15板支撐銷上的狀態(tài)下，在被處理基板容易產(chǎn)生彎曲的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行第二預(yù)加熱的工序；和使所述基板支撐銷下降，將被處理基板載置在所述載置臺(tái)上，一邊加熱至700°C以上的處理溫度一邊進(jìn)行處理的工序。3.—種基板處理方法，其特征在于，包括將被處理基板搬入到基板處理裝置的處理室內(nèi)，使被處理基板位于第一位置的第一工序；從所述第一位置改變到第二位置，對(duì)被處理基板進(jìn)行加熱的第二工序；25從所述第二位置改變到第三位置，對(duì)被處理基板進(jìn)行加熱的第三工序；和從所述第三位置改變到第四位置，一邊對(duì)被處理基板進(jìn)行加熱一邊在700°C以上的處理溫度下進(jìn)行處理的第四工序。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基板處理方法，其特征在于所述第二位置和所述第四位置是將被處理基板載置在所述載置臺(tái)上的位置，所述第三位置是將被處理基板支撐在所述載置臺(tái)上方的位置。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理方法，其特征在于5被處理基板是硅基板，所述第一預(yù)加熱中的加熱溫度小于600。C。6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基板處理方法，其特征在于被處理基板是硅基板，所述第二工序中的加熱溫度小于60(TC。107.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理方法，其特征在于所述處理溫度為700°C1100°C。8.根據(jù)權(quán)利耍求1所述的基板處理方法，其特征在于15所述基板處理裝置是使處理氣體的等離子體作用于被處理基板以對(duì)該被處理基板進(jìn)行處理的等離子體處理裝置。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的基板處理方法，其特征在于所述等離子體通過利用具有多個(gè)縫隙的平面天線將微波導(dǎo)入所20述處理室內(nèi)而形成。10.根據(jù)權(quán)利要求l所述的基板處理方法，其特征在于處理壓力大于53.3Pa小于等于101325Pa。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理方法，其特征在于在所述進(jìn)行第一預(yù)加熱的工序中，將被處理基板升溫至第一溫度，在所述進(jìn)行第二預(yù)加熱的工序中，將被處理基板升溫至第二溫度，所述第一溫度為比所述第二溫度低的溫度。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的基板處理方法，其特征在于-所述第一溫度為小于60(TC的溫度。13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的基板處理方法，其特征在于所述第二溫度為超過60(TC的溫度。14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理方法，其特征在于5在所述進(jìn)行第一預(yù)加熱的工序中，使被處理基板在第一壓力條件下進(jìn)行升溫，在所述進(jìn)行第二預(yù)加熱的工序中，使被處理基板在第二壓力條件下進(jìn)行升溫，并且所述第一壓力條件的壓力比所述第二壓力條件的壓力低。1015.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理方法，其特征在于所述進(jìn)行第一預(yù)加熱的工序和所述進(jìn)行第二預(yù)加熱的工序，在相同的壓力條件下使被處理基板升溫。16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理方法，其特征在于15所述進(jìn)行第二預(yù)加熱的工序包括將被處理基板加熱規(guī)定吋間，在該被處理基板上形成彎曲的階段；和再將被處理基板加熱規(guī)定時(shí)間，使該被處理基板的彎曲恢復(fù)的工序。17.—種控制程序，其特征在于20該控制程序在計(jì)算機(jī)上運(yùn)行，在執(zhí)行吋，控制基板處理裝置，使其進(jìn)行包括以下工序的基板處理方法在所述基板處理裝置的處理室內(nèi)，在將被處理基板載置在載置臺(tái)上的狀態(tài)下，進(jìn)行第一預(yù)加熱的工序；使所述載置臺(tái)的基板支撐銷上升，在將被處理基板保持在該基25板支撐銷上的狀態(tài)下，進(jìn)行第二預(yù)加熱的工序；和使所述基板支撐銷下降，將被處理基板載置在所述載置臺(tái)上，一邊加熱至70(TC以上的處理溫度一邊進(jìn)行處理的工序。18.—種計(jì)算機(jī)可讀取的存儲(chǔ)介質(zhì)，其存儲(chǔ)有在計(jì)算機(jī)上運(yùn)行的30控制程序，其特征在于所述控制程序在執(zhí)行時(shí)，控制基板處理裝置，使其進(jìn)行包括以下工序的基板處理方法在所述基板處理裝置的處理室內(nèi)，在將被處理基板載置在載置臺(tái)上的狀態(tài)下，進(jìn)行第一預(yù)加熱的工序；使所述載置臺(tái)的基板支撐銷上升，在將被處理基板保持在該基板支撐銷上的狀態(tài)下，進(jìn)行第二預(yù)加熱的工序；和使所述基板支撐銷下降，將被處理基板載置在所述載置臺(tái)上，一邊加熱至700。C以上的處理溫度一邊進(jìn)行處理的工序。19.一種基板處理裝置，其特征在于，包括處理室，該處理室具有載置被處理基板的載置臺(tái)并能夠進(jìn)行真空排氣；基板支撐銷，該基板支撐銷相對(duì)于所述載置臺(tái)的基板載置面能夠突出沒入地設(shè)置，在從基板載置面突出的狀態(tài)下支撐被處理基板；禾口控制部，該控制部進(jìn)行控制，使得進(jìn)行包括以下工序的基板處理方法在所述處理室內(nèi)，在將被處理基板載置在載置臺(tái)上的狀態(tài)下，進(jìn)行第一預(yù)加熱的工序；使所述載置臺(tái)的基板支撐銷上升，在將被處理基板保持在該基板支撐銷上的狀態(tài)下，進(jìn)行第二預(yù)加熱的工序；和使所述基板支撐銷下降，將被處理基板載置在所述載置臺(tái)上，一邊加熱至70(TC以上的處理溫度一邊進(jìn)行處理的工序。全文摘要本發(fā)明提供一種基板處理方法，在基板處理裝置的處理室內(nèi)，將被處理基板載置在載置臺(tái)上，一邊利用加熱單元通過載置臺(tái)將被處理基板加熱至700℃以上的處理溫度，一邊對(duì)被處理基板進(jìn)行處理，在該基板處理方法中，將被處理基板搬入到處理室中，在將其載置在載置臺(tái)上的狀態(tài)下進(jìn)行第一預(yù)加熱，直至被處理基板到達(dá)規(guī)定溫度，接著，使載置臺(tái)的基板支撐銷上升，在將被處理基板保持在該基板支撐銷上的狀態(tài)下進(jìn)行第二預(yù)加熱，此后，使基板支撐銷下降，將被處理基板載置在載置臺(tái)上，進(jìn)行等離子體氧化處理等處理。文檔編號(hào)H01L21/31GK101147244SQ200680009019公開日2008年3月19日申請(qǐng)日期2006年7月28日優(yōu)先權(quán)日2005年7月28日發(fā)明者高槻浩一申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社