專利名稱：清潔元件、基片清潔裝置和基片處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用來(lái)清潔基片的清潔元件，更具體地涉及一種 清潔元件，其適合在從清潔元件中排出的污染物的數(shù)量減少的情況 下工作，以防止在受到清潔的基片的逆向污染以及以穩(wěn)定的方式保 持對(duì)基片的高度的清潔動(dòng)力，并且還涉及一種裝備有所述清潔元件 的基片清潔裝置和基片處理裝置。
背景技術(shù)：
已經(jīng)廣泛地使用了一種用于物理清潔處理的方法，這種方法由 于在移除污染物方面的較高效率以及操作簡(jiǎn)單而是非常受歡迎的， 其中在將清潔液體供應(yīng)至受到清潔的基片表面上的同時(shí)，將受到清 潔的基片表面帶入與清潔元件相接觸，以使得受到清潔的基片表面 上的污染物能夠通過(guò)利用基片和清潔元件之間的相對(duì)運(yùn)動(dòng)而被移 除。這種方法中使用的清潔元件經(jīng)常使用一種形成為圓柱或圓盤構(gòu) 造的吸收性聚合物的單種材料。而且，由于聚合材料常常是多孔的并且其孔隙尺寸在幾個(gè)u m至300 " m的范圍內(nèi)，在其形成期間更 易于包含顆粒。雖然充分的清潔，如果預(yù)先提供的話，能夠幫助減 少包含在聚合材料中的很多顆粒，但是顆粒不能夠完全移除，并且 在使用較大體積的清潔元件時(shí)似乎相當(dāng)難以移除所包含的顆粒。在通過(guò)這種由聚合材料制成的清潔元件所實(shí)現(xiàn)的清潔元件被 用來(lái)清潔基片時(shí)，由于聚合材料固有的高吸水性，污染物連同清潔 液體一起能夠進(jìn)入清潔元件內(nèi)。雖然清潔元件能夠?qū)⑽廴疚镱w粒捕 獲在孔隙中，但是其可以允許顆粒從清潔元件中排出，從而導(dǎo)致在 基片上引起逆向污染。在清潔具有由銅等制成的金屬膜所覆蓋的基片時(shí)，通常所使用的清潔元件將會(huì)被銅污染到使得在數(shù)片基片上執(zhí) 行的清潔處理結(jié)束時(shí)就易于在視覺(jué)上識(shí)別的程度。因此，在當(dāng)前的 情形下，清潔基片被用來(lái)清潔基片，同時(shí)由于其吸水性的屬性而讓 污染物不可避免地?cái)U(kuò)散。 參考專利文獻(xiàn)清單[專利文獻(xiàn)l]日本專利公開出版物No.H05-317783 [專利文獻(xiàn)2]日本專利出版物No.287521
發(fā)明內(nèi)容為了解決上述問(wèn)題，已經(jīng)建議了一種用于清潔元件的自清潔方 法，其中清潔液體可以噴射至清潔元件之上，或清潔元件可在裝備 有超聲換能器的系統(tǒng)中在超聲波的照射下在液體池中進(jìn)行清潔，如 上述專利文獻(xiàn)1中所公開的，但是在實(shí)際的實(shí)踐中，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)難以 保持清潔元件一直處于令人滿意的清潔水平，因?yàn)槲廴疚锍３?huì)擴(kuò) 散入清潔元件內(nèi)。在一種解決那些問(wèn)題的方法中，已經(jīng)采用了一種借助于化學(xué)溶液(例如表面活性劑)和/或一種溶解有氣體的溶液進(jìn) 行的zeta(S)電壓控制以減少排出的污染物逆向粘著至待清潔基片的可能性。然而，實(shí)際上不可避免地，在持續(xù)使用清潔元件時(shí)，污 染物能夠逐漸地?cái)U(kuò)散深入至清潔元件內(nèi)從而增加污染物的聚集。另 外，用在基片中的任何具體類型的薄膜可能會(huì)限制待使用的清潔液 體的類型，并且在如上所述的情況下，需要這些問(wèn)題的基礎(chǔ)性解決 方案。在考慮到上述觀點(diǎn)之下已經(jīng)做出了本發(fā)明，并且其目標(biāo)是提供 一種清潔元件、 一種基片清潔裝置和一種基片處理裝置，它們適合 在從清潔元件中排出的污染物的數(shù)量減少的情況下工作，以防止在 受到清潔的基片中的逆向污染以及以穩(wěn)定的方式保持對(duì)基片的高 度的清潔能力。為了完成上述目標(biāo)，如權(quán)利要求1所限定的發(fā)明提供了一種基 片清潔裝置的清潔元件，該基片清潔裝置在將清潔液體供應(yīng)到基片 表面上的同時(shí)，通過(guò)利用受到清潔的基片表面和被帶入與基片的表 面相接觸的清潔元件之間的相對(duì)運(yùn)動(dòng)來(lái)對(duì)受到清潔的基片的表面 進(jìn)行清潔，該清潔元件包括防水芯部，其中芯部的表面由多孔聚合 物材料覆蓋以限定出覆層。如權(quán)利要求2所限定的發(fā)明提供了根據(jù)權(quán)利要求1的清潔元 件，其中多孔聚合材料由從由PVA (聚乙烯醇)聚合物、丙烯酸聚 合物、其他加聚物、丙烯氨基化合物聚合物、聚氧乙烯聚合物、聚 醚聚合物、縮聚物、乙烯聚合物吡咯垸酮、聚苯乙烯酸(polystyrene aurfonicacid)、氨基甲酸乙酯樹脂和聚氨酯樹脂所構(gòu)成的組中選擇 的任意一種聚合材料所制成。如權(quán)利要求3所限定的發(fā)明提供了根據(jù)權(quán)利要求1的一種清潔 元件，其中多孔聚合材料的覆層的厚度在5"m至15mm范圍內(nèi)。如權(quán)利要求4所限定的發(fā)明提供了根據(jù)權(quán)利要求1的一種清潔 元件，其中芯部由選自于由柔性多孔泡沫塑料；包括氟橡膠、硅橡 膠、膦腈橡膠和聚氨酯橡膠的軟橡膠；以及環(huán)氧樹脂所構(gòu)成的組中 的任意一種防水材料所構(gòu)成。如權(quán)利要求5所限定的發(fā)明提供了根據(jù)權(quán)利要求1的一種清潔 元件，其中多孔聚合材料的覆層的硬度在潮濕狀態(tài)下等于或低于 100。需要注意到這里所用的硬度儀表是由Tedock制造的型號(hào)為 No. GS-743G的硬度計(jì)。如權(quán)利要求6所限定的發(fā)明提供了根據(jù)權(quán)利要求1的一種清潔 元件，其中一種由防水材料制成的防水層形成于多孔聚合材料的覆 層之間、或覆層和芯部之間。如權(quán)利要求7所限定的發(fā)明提供了一種基片清潔裝置，其用于在將清潔液體供應(yīng)到基片的表面上的同時(shí)，通過(guò)利用基片表面和被 帶入與基片表面相接觸的清潔元件之間的相對(duì)運(yùn)動(dòng)來(lái)對(duì)基片表面進(jìn)行清潔，該清潔裝置使用根據(jù)權(quán)利要求l-6任意一個(gè)的清潔元件 來(lái)實(shí)現(xiàn)基片清潔裝置的清潔元件。如權(quán)利要求8所限定的發(fā)明提供了根據(jù)權(quán)利要求7的一種清潔 裝置，其包括用來(lái)監(jiān)視多孔聚合材料的覆層是否出現(xiàn)在清潔元件內(nèi) 的硬度儀表、薄膜硬度儀表或CCD。如權(quán)利要求9所限定的發(fā)明提供了根據(jù)權(quán)利要求8的一種基片 清潔裝置，其還包括用來(lái)在清潔元件上監(jiān)視的孔隙分布或硬度從多 孔聚合材料的覆層的狀態(tài)移動(dòng)到芯部的狀態(tài)時(shí)輸出替換信號(hào)的裝 置。如權(quán)利要求10所限定的發(fā)明提供了一種基片處理裝置，其包 括用來(lái)在基片上執(zhí)行預(yù)定處理過(guò)程的基片處理部件、以及用來(lái)對(duì)在 基片處理部件中已經(jīng)完成預(yù)定處理過(guò)程的基片進(jìn)行清潔的基片清 潔部件，該基片處理裝置使用根據(jù)權(quán)利要求7-9任意一個(gè)的基片清 潔裝置來(lái)實(shí)現(xiàn)基片處理裝置的基片清潔部件。[發(fā)明效果]根據(jù)如權(quán)利要求1和2限定的發(fā)明，由于清潔元件在防水芯部 的表面上提供有包括多孔聚合材料的覆層，從而在清潔元件將被帶 入與基片直接接觸的區(qū)域中形成高柔性吸水多孔聚合材料的覆層， 那么本發(fā)明就能夠獲得一種清潔元件，其適合阻止任何污染物進(jìn)入 清潔元件內(nèi)或其芯部，并且因而減少在基片中引起逆向污染的可能 性，同吋仍然能維持極好的清潔能力。根據(jù)如權(quán)利要求3所限定的發(fā)明，由于多孔聚合材料的覆層的 厚度規(guī)定為在5um至15mm的范圍內(nèi)，那么多孔聚合材料的覆層 就能夠制作為很薄，這意味著能降低用于聚集污染物的部分的體積，這就有助于減少在基片中引起逆向污染的可能性。根據(jù)如權(quán)利要求4所限定的發(fā)明，由于芯部由選自于由柔性多 孔泡沫塑料、包括氟橡膠，硅橡膠，膦腈橡膠和聚氨酯橡膠的軟橡 膠以及環(huán)氧樹脂所組成的組中的任意一種防水材料所構(gòu)成，并且因 此，芯部具有防水性和彈性，那么就能保護(hù)清潔元件免受否則將進(jìn) 入芯部的污染物的影響，從而減少將會(huì)聚集的污染物的數(shù)量并且從 而減少在基片中引起逆向污染的可能性，同時(shí)總體上維持柔性以及 用于移除清潔元件的污染物的能力，不管多孔聚合材料的薄覆層。根據(jù)如權(quán)利要求5所限定的發(fā)明，由于多孔聚合材料覆層在潮 濕狀態(tài)下的硬度規(guī)定為等于或低于100 (通過(guò)使用由Teclock制造 的GS-743G型號(hào)的硬度計(jì)作為硬度儀表來(lái)測(cè)量)，就能夠在由多孔 聚合材料制成的與基片直接接觸的覆層中保持柔性，因此不會(huì)引起 基片的損傷。就此而言，覆層中高于100的硬度可能會(huì)導(dǎo)致基片損 壞。根據(jù)如權(quán)利要求6所限定的發(fā)明，由于由防水材料制成的防水 覆層形成于多孔聚合材料的覆層之間或覆層和芯部之間，那么就允 許限定于防水材料層外側(cè)中的覆層的厚度較薄，而無(wú)需擔(dān)心任何含 有污染物的液體或污染物會(huì)進(jìn)入(穿入)防水材料層的內(nèi)側(cè)區(qū)域， 從而減少將在清潔元件中聚集的含有污染物的液體或污染物的體 積，并且從而減少在基片中引起逆向污染的可能性，并且同時(shí)，覆 層的總體厚度能制作為足夠地厚以確保清潔元件總體上的柔性。另 外，由于無(wú)需考慮選擇來(lái)形成芯部的材料的防水性，就為選擇材料 提供了廣闊范圍的可能性，因?yàn)槟苓x擇具有專門有利于芯部的極好 性質(zhì)的材料。根據(jù)如權(quán)利要求7所限定的發(fā)明，由于基片清潔裝置的清潔元 件使用根據(jù)權(quán)利要求1至6任意一個(gè)的基片清潔元件，那么就能提供一種基片清潔裝置，其能夠減少由于清潔元件而在基片內(nèi)引起逆 向污染的可能性并且能夠長(zhǎng)時(shí)間地顯示清潔能力。根據(jù)如權(quán)利要求8所限定的發(fā)明，由于基片清潔裝置提供有用 來(lái)監(jiān)視多孔聚合材料的覆層是否呈現(xiàn)于清潔元件中的硬度儀表、薄 膜硬度儀表或CCD,那么就能提供這樣一種基片清潔裝置，其允 許在任何時(shí)間觀察清潔元件的覆層的狀態(tài)，包括覆層的存在與否以 及覆層中的損壞狀態(tài)，從而使得在清潔元件應(yīng)當(dāng)更換時(shí)能迅速地預(yù) 測(cè)。根據(jù)如權(quán)利要求9所限定的發(fā)明，由于基片清潔裝置還提供有 一種用來(lái)在清潔元件上監(jiān)視的孔隙分布和/或硬度從多孔聚合材料 的覆層的孔隙分布和/或硬度移動(dòng)到芯部的孔隙分布和/或硬度時(shí)輸 出替換信號(hào)的裝置，那么就能提供這樣一種基片清潔裝置，其使得 能知道應(yīng)當(dāng)更換清潔元件的準(zhǔn)確時(shí)間。根據(jù)如權(quán)利要求10所限定的發(fā)明，由于基片處理裝置的基片 清潔部件使用根據(jù)權(quán)利要求7至9任意一個(gè)的基片清潔裝置，那么 就能提供這樣一種基片處理裝置，其允許已經(jīng)在基片處理部件中完 成預(yù)定處理過(guò)程的基片在任何時(shí)間以高水平的清潔度進(jìn)行清潔，而 沒(méi)有對(duì)于逆向污染被引入基片的任何擔(dān)心。


圖1是示意圖，示出了使用根據(jù)本發(fā)明的清潔元件的基片清潔 裝置的一個(gè)實(shí)施例的示例性構(gòu)造；圖2是示意圖，示出了使用根據(jù)本發(fā)明的清潔元件的基片清潔 裝置的另一個(gè)實(shí)施例的示例性構(gòu)造；圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的筆型清潔元件的一個(gè)實(shí)施例的示例 性構(gòu)造；圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的筆型清潔元件另一個(gè)實(shí)施例的示例性構(gòu)造；圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的筆型清潔元件的又一個(gè)實(shí)施例的示 例性構(gòu)造；圖6示出了根據(jù)本發(fā)明的滾筒型清潔元件的一個(gè)實(shí)施例的示 例性構(gòu)造；圖7示出了根據(jù)本發(fā)明的滾筒型清潔元件的另一個(gè)示例性構(gòu)造；圖8示出了根據(jù)本發(fā)明的滾筒型清潔元件的另一個(gè)示例性構(gòu)造；圖9用于示出現(xiàn)有技術(shù)的清潔元件中和根據(jù)本發(fā)明的清潔元 件中排出的污染物以及污染狀況的視圖；圖10是用于示出現(xiàn)有技術(shù)的清潔元件中和根據(jù)本發(fā)明的清潔 元件中排出的污染物以及污染狀況的另一視圖；圖11是示出根據(jù)本發(fā)明的基片清潔裝置的清潔元件清潔機(jī)構(gòu) 的示例性構(gòu)造的示意圖；圖12是示出根據(jù)本發(fā)明的基片清潔裝置的清潔元件清潔機(jī)構(gòu) 的另一個(gè)示例性構(gòu)造的示意圖；以及圖13是示出根據(jù)本發(fā)明的基片處理裝置的一個(gè)示例性構(gòu)造的 示意圖。
具體實(shí)施方式
現(xiàn)在將參照附圖描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。圖l和2是分別示 出使用根據(jù)本發(fā)明的清潔元件的基片清潔裝置的第一和第二實(shí)施 例的不同示例性構(gòu)造的示意圖，其中圖1示出了使用筆型清潔元件 的基片清潔裝置的構(gòu)造，并且圖2示出了使用滾筒型清潔元件的基 片清潔裝置的構(gòu)造。圖1所示出的基片清潔裝置包括適合通過(guò)多個(gè)(圖中為四個(gè))嚙合銷11將基片W在其外圍保持并且使基片W連同嚙合銷11 一 起旋轉(zhuǎn)的基片保持和旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)10，其中圓盤形清潔元件13在被清 潔元件保持和旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)12所保持時(shí)繼續(xù)旋轉(zhuǎn)，并且被帶入與旋轉(zhuǎn) 基片W相接觸。在這種基片清潔裝置中，基片的頂面能夠在清潔 液體從清潔液體供應(yīng)噴嘴14供應(yīng)至旋轉(zhuǎn)基片W的表面上的同時(shí)借 助于基片W和清潔元件13之間的相對(duì)運(yùn)動(dòng)來(lái)進(jìn)行清潔。需要注 意到的是，清潔元件保持和旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)12由擺動(dòng)臂15可旋轉(zhuǎn)地支撐 并且清潔元件13適合于同時(shí)地繞著其自身的軸線旋轉(zhuǎn)，并且以擺 動(dòng)的方式沿著左右方向移動(dòng)越過(guò)基片W的頂面。圖2中所示出的基片清潔裝置包括具有多個(gè)(圖中為六個(gè))主 軸21的基片保持和旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)20，其適合于通過(guò)旋轉(zhuǎn)定位在主軸21 頂部上的滾筒22來(lái)將基片W在其外圍中夾緊以便旋轉(zhuǎn)基片W，其 中一對(duì)圓柱形清潔元件23被帶入與旋轉(zhuǎn)基片W的頂面和背面分別 地相接觸。在這種基片清潔裝置中，基片W的頂面和背面能夠在 清潔液體從清潔液體供應(yīng)噴嘴24 (用于背面的清潔液體供應(yīng)噴嘴 的圖示在此處省略)供應(yīng)至基片W的頂面和背面上的同時(shí)借助于 基片W和由清潔元件旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)(未示出)所旋轉(zhuǎn)的清潔元件 23之間的相對(duì)運(yùn)動(dòng)來(lái)進(jìn)行清潔。圖3至5分別地圖示了如上所述圓盤形清潔元件13(筆型清潔 元件)的實(shí)施例的示例性構(gòu)造。具有圖3所示構(gòu)造的清潔元件包括 圓盤形(或圓柱形)芯部13a和由多孔聚合材料制成的覆層13b (其 與芯部13a的下端表面一體成形并且位于其上面)。要注意到的是， 圖3 (a)示出了此種構(gòu)造的清潔元件的外部視圖并且圖3 (b)示 出了其側(cè)面剖視圖。具有如圖4所示構(gòu)造的清潔元件13包括圓盤 形(或圓柱形)芯部13a和由多孔聚合材料制成的覆層13b(其與芯 部13a—體成形以限定包圍芯部13a的下端表面和圓周壁)。需要注意到的是，圖4 (a)示出了此種構(gòu)造的清潔元件13的外部視圖 并且圖4(b)示出了其側(cè)面剖視圖。具有如圖5所示構(gòu)造的清潔元件 13包括大致半球形芯部13a和由多孔聚合材料制成的覆層13b(其 與芯部13a—體成形并且位于其上面以限定覆蓋芯部13a的外壁)。 需要注意到的是，圖5 (a)示出了此種構(gòu)造的清潔元件13的外部 視圖并且圖5(b)示出了其側(cè)面剖視圖。圖6和7分別是如上所述滾筒型清潔元件23的示例性構(gòu)造的 圖示。具有如圖6所示構(gòu)造的清潔元件23包括圓柱形芯部23a和 由多孔聚合材料制成的覆層23b (其與芯部23a—體成形并且位于 其圓周表面上)。具有如圖7所示構(gòu)造的清潔元件23包括圓柱形芯 部23a、在芯部23a的圓周表面上且由多孔聚合材料制成的覆層 23b-l、在覆層23b-l的圓周表面上且由防水材料制成的防水層23c 以及另一個(gè)在防水層23c的圓周表面上且由多孔聚合材料制成的覆 層23b-2。具體地，圖7所示的清潔元件使用了包括由防水材料制 成且插入在都由多孔聚合材料制成并且相對(duì)于芯部23a限定出圓周 層的覆層23b-l和23b-2之間的防水覆層23c。防水層23c和覆層 23b-l和23b-2也可一體成形。在圖6和7中，參考標(biāo)號(hào)27標(biāo)識(shí)一 個(gè)通孔， 一個(gè)軸(回轉(zhuǎn)軸元件)裝配插入穿過(guò)其中。由于基片W和清潔元件13或23之間的摩擦?xí)p清潔元件 13或23的頂部表面層中的覆層13b或23b，從而降低清潔效果， 因此在頂面中的大部分覆層13b或23b被磨損大約lOlim時(shí)，清 潔元件13或23就將需要用新的來(lái)替換。對(duì)于具有大約300mm直 徑的圓柱形清潔元件23，相應(yīng)于10um的頂層物質(zhì)基本上等于清 潔元件23總體積的0.2%。清潔元件13或23除了頂部表面層之外 的體積將不能夠直接有助于污染物的剝離。另一方面，由多孔聚合材料制成的覆層13b或23b的體積越大，覆層13b或23b保持污染物的能力就越高。清潔元件13或23僅需 要是柔性的但是不必要完全由吸水性多孔材料制成。以此觀點(diǎn)，通 過(guò)如上所述有利地使用具有高柔性的吸水性多孔聚合材料來(lái)形成 被帶入與基片W直接相接觸的覆層13b或23b以及使用具有防水 性的彈性材料來(lái)形成芯部13a或23a，根據(jù)本發(fā)明的清潔元件13 或23在一方面將保持柔性和由整個(gè)清潔元件來(lái)完成的污染物移除 能力，并且在另一方面阻止污染物進(jìn)入清潔元件13或23內(nèi)并且從 .而一定程度地減少基片中的逆向污染。雖然較薄的覆層13b或23b 能夠提供允許污染物聚集的較小體積，但頂層的厚度應(yīng)當(dāng)在lOPm 至15mm的范圍內(nèi)，這源自于能通過(guò)包括足夠的孔隙和通過(guò)將施加 于基片上的壓力范圍考慮在內(nèi)而補(bǔ)充的對(duì)于柔性的解決方案。用于形成芯部Ha或23a的材料可以是從由柔性蜂窩狀泡沬塑 料；包括氟橡膠、硅橡膠、膦腈橡膠和聚氨酯橡膠的軟橡膠；以及 環(huán)氧樹脂所構(gòu)成的組中選擇的任意一個(gè)。由于這些類型的材料具有 防水性和彈性，它們就能夠有利地阻止污染物進(jìn)入芯部13a或23a 內(nèi)并且還幫助在清潔元件13或23的整個(gè)單元中保持彈性。用于形成覆層13b或23b的材料可以使用從由PVA(聚乙烯醇) 聚合物、丙烯酸聚合物、其他加聚物、丙烯氨基化合物聚合物、聚 氧乙烯聚合物、聚醚聚合物、縮聚物、乙烯聚合物吡咯烷酮、聚苯 乙烯酸、氨基甲酸乙酯樹脂以及聚氨酯樹脂所構(gòu)成的組中選擇的任 意一種聚合材料。由于這些類型的材料具有柔性和吸水性，它們不 容易損壞基片W并且替代地具有更高的能力來(lái)移除污染物。由上述具有防水性以及彈性的材料之一制成的芯部13a或23a 可在芯部13a或23a的頂面上提供有由從上面列出的材料中選出的 一種，通過(guò)使用熱沉積、利用膠水的粘合、壓力粘結(jié)、熱壓縮和噴 射涂覆中的任意一種方法所制成的覆層13b或23b。在使用如圖7所示構(gòu)造的清潔元件23中，其中由具有防水性 的材料制成的芯部23a的圓周表面用由具有柔性和高吸水性的多孔 聚合材料制成的覆層23b-l所覆蓋，覆層23b-l的圓周表面接著用 由具有防水性的材料制成的防水層23c所覆蓋，并且此外防水層 23c的圓周表面由用多孔聚合材料制成的覆層23b-2所覆蓋，防水 層23c用來(lái)防止任何含有污染物的液體和/或污染物顆粒進(jìn)入覆蓋 芯部23a圓周表面的覆層23b-l內(nèi)，以及防止污染物從芯部23a和 覆層23b-l釋放出來(lái)并進(jìn)入覆層23b-2或者被帶入與基片W直接接 觸的表面區(qū)域。清潔裝置的使用者能夠在不采用任何特殊工作的情 況下輕易地用根據(jù)本發(fā)明的清潔元件替換現(xiàn)有的由多孔聚合材料 制成的清潔元件，由于接觸基片的一部分(最外表面)禾B/或用于 清潔元件的安裝部分(接觸區(qū)域，包括被帶入與用來(lái)固定清潔元件 23的固定件(例如穿過(guò)芯部的軸)相接觸的芯部)由與現(xiàn)有技術(shù) 的材料類似的多孔材料制成，并且根據(jù)本發(fā)明的清潔元件與清潔液 體的兼容性、功能和操作就與現(xiàn)有技術(shù)的清潔元件基本上相同。對(duì) 固定件的污染能夠由防水層23c所阻止，并且實(shí)際上將不會(huì)影響基 片W.將理解到，雖然在如圖7所示的構(gòu)造中，防水層23c布置在由 多孔聚合材料制成并且相對(duì)于芯部23a圓周地布置的覆層23b-l和 覆層23b-2之間，可選地，防水層23c可以布置在芯部23a和由多 孔聚合材料制成的覆層23b之間，如圖8所示，其仍然能夠提供與 如圖7所示的清潔元件23基本上相同的操作效果。將防水處理應(yīng) 用于如圖7和8所示其中已經(jīng)布置了防水層23c的清潔元件23的 兩端，能夠消除芯部23a應(yīng)當(dāng)由任何防水材料制成或應(yīng)當(dāng)考慮芯部 23a的防水性的需求，從而允許選擇專門適合于芯部23a性能的材 料并且因此給出了可用于制作芯部23a的材料的更寬泛范圍。圖9概念性地圖示了涉及清潔元件13或23 —部分的污染物顆 粒的進(jìn)入和排出。在圖示中，黑點(diǎn)1代表進(jìn)入的污染物顆粒并且白 點(diǎn)2代表最初殘留的污染物顆粒，并且參考標(biāo)號(hào)3代表孔隙。對(duì)于 如同現(xiàn)有技術(shù)的清潔元件那樣完全由具有吸水性和柔性的多孔聚 合材料制成的清潔元件，很可能會(huì)有大量含有污染物的液體和/或 進(jìn)入的污染物顆粒1被吸收深入到由具有吸水性和柔性的多孔聚 合材料制成的清潔元件13或23中，并且最初殘留的污染物顆粒2 還很可能從清潔元件內(nèi)排出，如圖9 (a)所示。對(duì)于包括由多孔聚 合材料制成且覆蓋芯部13外表面的覆層13b的清潔元件，如圖3 至5所示，觀察到很少量的進(jìn)入污染物顆粒1，因?yàn)楹形廴疚锏?液體和/或污染物顆粒1僅僅進(jìn)入覆層23b中(在圖示中用23b標(biāo) 識(shí)的區(qū)域)，如圖9 (b)所示。另外，由于最初殘留的污染物顆粒 2的數(shù)量也很少，因而將要排出的顆粒數(shù)量也很少。對(duì)于包括由具有吸水性和柔性的多孔聚合材料制成且覆蓋由 防水材料制成的芯部23a的圓周表面的覆層23b的清潔元件，如圖 6所示，僅觀察到很少量的進(jìn)入污染物顆粒1，因?yàn)楹形廴疚锏?液體和/或污染物顆粒1僅進(jìn)入覆層23b，如圖9 (b)所示。另外， 因?yàn)樽畛鯕埩舻奈廴疚镱w粒2的數(shù)量也很少，因而將要排出的顆粒 數(shù)量也很少。而且，對(duì)于包括介于由具有吸水性和柔性的多孔聚合 材料制成的覆層23b-l和23b-2之間的防水層23c的清潔元件，如 圖7所示，觀察到很少量的進(jìn)入污染物顆粒1，因?yàn)楹形廴疚锏?液體和/或污染物顆粒1僅進(jìn)入相對(duì)于防水層23c圓周地布置在外 層中的覆層23b-2，如圖9(c)所示。另外，因?yàn)樽畛鯕埩舻奈廴?物顆粒2的數(shù)量也很少，因而將要排出的顆粒數(shù)量也很少。圖10圖示了包括多個(gè)形成于清潔元件圓周表面中的突起的滾 筒型清潔元件中的污染物狀況，其中圖10 (a)代表包括在圓周表面中的突起23d和滾筒本體23e的清潔元件23 ，其完全由具有吸水 性和柔性的多孔聚合材料制成，并且圖10 (b)代表包括突起23d 和滾筒本體23e的清潔元件23，其由具有防水性的材料制成，并且 此還有分別地覆蓋突起23d和滾筒本體23e外表面的覆層26，其由 具有吸水性和柔性的多孔聚合材料制成。在前述實(shí)施例中，多個(gè)突 起以圓周地間隔開的關(guān)系布置于滾筒本體的外表面上且與滾筒本 體一體地形成。每個(gè)突起可沿著滾筒本體的軸線在其整個(gè)長(zhǎng)度上延 伸或者可在滾筒本體的長(zhǎng)度上分成多個(gè)區(qū)段。在如上所述每種類型構(gòu)造的清潔元件23被帶入與基片W相接 觸并且以如箭頭"a"所示的方向旋轉(zhuǎn)、同時(shí)清潔液體25供應(yīng)到基 片W的頂面上時(shí)，具體地在如圖10 (a)所示完全由具有吸水性和 柔性的多孔聚合材料制成的清潔元件23中，被污染的清潔液體和/ 或污染物顆粒穿過(guò)突起23d而被吸收進(jìn)入滾筒本體23e內(nèi)，如箭頭 B所示，導(dǎo)致被污染的清潔液體和/或污染物顆粒在清潔元件23內(nèi) 的大量聚集。從而，從清潔元件23排出的被污染液體和/或污染物 顆粒的數(shù)量將會(huì)很大，這意味著基片W被逆向污染的概率更高。 相反，具體地，在包括由具有吸水性和柔性的多孔聚合材料制成且 分別專門限定突起23d和滾筒本體23e外表面的覆層26的清潔元 件23中，被污染的清潔液體和/或污染物顆粒將僅僅聚集在薄的覆 層26中，但是它們將不會(huì)穿入都由具有防水性的材料制成的突起 23d或滾筒本體23e，由此被污染的清潔液體和/或污染物顆粒的聚 集量極少，并且因此，從清潔元件23排出的被污染液體和/或污染 物顆粒的數(shù)量將會(huì)極少，這意味著減少了基片W被逆向污染的概 率。因而，通過(guò)提供一種構(gòu)造為使得基片的待處理表面能夠在將處 理液體供應(yīng)至基片W的表面上的同時(shí)通過(guò)基片W的表面和如圖3、4、 5、 6、 7、 8和10 (b)所示那樣構(gòu)造并且被帶入與基片相接觸 的清潔元件之間的相對(duì)運(yùn)動(dòng)來(lái)進(jìn)行處理的基片處理裝置，以及另外 地通過(guò)給這樣構(gòu)造的基片處理裝置提供可操作來(lái)通過(guò)將基片W帶 入與清潔元件13或23的多孔聚合材料的覆層相接觸以引起其間的 摩擦來(lái)移除污染物的機(jī)構(gòu)，就可能將清潔元件13或23 —直維持在 清潔狀態(tài)并且沒(méi)有污染物或者如果有的話也會(huì)極少。而且，如果如圖1所示清潔裝置的清潔元件13利用一個(gè)使用 如圖3至5所示構(gòu)造中的任意一個(gè)的清潔元件而且清潔裝置還提供 有用來(lái)監(jiān)測(cè)多孔聚合材料的覆層13b是否存在于清潔元件13中的 微小尺寸硬度儀表、薄膜硬度儀表或者CCD，使用者就能了解清 潔元件13中覆層13b的狀態(tài)并且在適合的時(shí)間將清潔元件用新的 來(lái)替換以使之變化。類似地，如果如圖2所示清潔裝置的清潔元件 23利用了使用如圖6、 7、 8和10 (b)所示構(gòu)造中任意一個(gè)的清潔 元件而且清潔裝置還提供有用于監(jiān)測(cè)多孔聚合材料的覆層23b、 26 是否存在于清潔元件23中的微小尺寸硬度儀表、薄膜硬度儀表或 者CCD，使用者就能了解清潔元件23中覆層23b、 26的狀態(tài)并且 在適合的時(shí)間將清潔元件用新的來(lái)替換以使之變化。而且，如果其構(gòu)造如上述中的任意一個(gè)的基片處理裝置或基片 清潔裝置適合于在檢測(cè)到在清潔元件13， 23上監(jiān)視的孔隙分布或 者硬度已經(jīng)從覆層移動(dòng)到芯部時(shí)就輸出替換信號(hào)，那么就能讓使用 者知道將清潔元件更換為新的適合時(shí)間。圖11是示出清潔元件清潔機(jī)構(gòu)的示例性構(gòu)造的示意圖，該清 潔機(jī)構(gòu)用來(lái)監(jiān)視在具有如圖4所示結(jié)構(gòu)的清潔元件13中的覆層13b 的狀態(tài)，同時(shí)在清潔元件13上執(zhí)行清潔處理。這種構(gòu)造的清潔元 件清潔機(jī)構(gòu)放置在如圖1所示的基片清潔裝置中的基片W外面的 預(yù)定地點(diǎn)(備用位置)。清潔元件清潔機(jī)構(gòu)30包含清潔池31，清潔池31包括放置于清潔池31內(nèi)的底部中的觀察壁32。觀察壁32 由透明材料制成(例如，晶體)并且包括放置于在其中心部分中的 CCD 33，并且在運(yùn)行中， 一個(gè)來(lái)自CCD 33的輸出信號(hào)由圖象處理 裝置34接收，并且在該處信號(hào)被處理和轉(zhuǎn)換為圖像處理信號(hào)，這 個(gè)信號(hào)又被輸出至控制器35。而且，液體性質(zhì)傳感器36放置于清潔池31內(nèi)用來(lái)測(cè)量清潔液 體"Q"中的顆粒數(shù)量和/或清潔液體"Q"的成分的濃度，并且來(lái) 自液體性質(zhì)傳感器36的輸出信號(hào)還適應(yīng)地輸出至控制器35?？刂?器35適合于在收到來(lái)自圖像處理裝置34的圖像處理信號(hào)和來(lái)自液 體性質(zhì)傳感器36的輸出信號(hào)時(shí)產(chǎn)生例如清潔液體替換信號(hào)"S1" 或清潔元件替換信號(hào)"S2"并將產(chǎn)生的信號(hào)輸出至控制面板(未示 出)。清潔池31包含已經(jīng)從清潔液體供應(yīng)管37供應(yīng)的清潔液體Q， 并且清潔元件13由圖1的擺動(dòng)臂可旋轉(zhuǎn)地承載并且由從上面浸入 清潔液體Q并壓靠觀察壁32上表面的清潔元件保持和旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)12 所保持支持，其中清潔元件13以由箭頭A所示的方向旋轉(zhuǎn)以便被 清潔。由于覆層13b很薄，顆粒一旦被吸入覆層13b就能夠在這個(gè) 清潔過(guò)程中有效地排出。在清潔元件13的這個(gè)清潔過(guò)程期間，從 超聲波發(fā)生器38發(fā)出超聲波以激勵(lì)清潔液體Q從而增強(qiáng)清潔操作。 清潔液體Q的顆粒數(shù)量、清潔液體Q的成分的濃度等由液體性質(zhì) 傳感器36來(lái)測(cè)量和觀察，以使得在檢測(cè)到表示清潔液體Q不得不 更換的狀態(tài)時(shí)，將排液閥39打開以排出清潔池31中的清潔液體， 同時(shí)在排液后將一些清潔液體Q通過(guò)清潔液體供應(yīng)管37新引入到 清潔池31中。CCD 33通過(guò)透明的觀察壁32觀察清潔元件13的覆層13b的 狀態(tài)，并且來(lái)自CCD 33的輸出信號(hào)如上所述輸出至圖像處理裝置34，在該處輸出信號(hào)經(jīng)由圖像處理操作被轉(zhuǎn)換為圖像處理信號(hào)，這 個(gè)信號(hào)又進(jìn)入控制器35?？刂破?5能夠分析圖像處理信號(hào)以識(shí)別 清潔元件13中由多孔聚合材料制成的覆層13b的狀態(tài)，并且因此 控制器35能夠在適合替換的時(shí)間將清潔元件替換信號(hào)S2輸出至控 制面板。這可以幫助使用者及時(shí)地用新的元件替換清潔元件13。 例如，控制器35可以在檢測(cè)到覆層13b已經(jīng)磨損并且非常薄或者 一部分芯部13a己經(jīng)暴露時(shí)輸出表示需要用新的元件替換清潔元件 13的替換信號(hào)S2。這里需要注意到，類似地在如圖3和5所示的 清潔元件中，清潔狀態(tài)和清潔元件13的覆層13b能夠通過(guò)使用具 有如圖ll所示構(gòu)造的清潔元件清潔機(jī)構(gòu)來(lái)監(jiān)視(雖然附圖中省略)。圖12是示出了在對(duì)清潔元件23進(jìn)行清潔時(shí)可操作來(lái)對(duì)具有如 圖6所示構(gòu)造的清潔元件23的覆層23b的狀態(tài)進(jìn)行監(jiān)視的清潔元 件清潔機(jī)構(gòu)的示例性構(gòu)造。清潔元件清潔機(jī)構(gòu)放置于如圖2所示基 片清潔裝置的基片W外部的預(yù)定地點(diǎn)(備用位置)。清潔元件清潔 機(jī)構(gòu)40包括清潔池41，清潔池41包括放置于清潔池41內(nèi)的底部 中的觀察壁42。觀察壁42由透明材料(例如，晶體)制成并且包 括放置在其中心部分中的CCD 43，并且在操作中，來(lái)自CCD 43 的輸出信號(hào)由信號(hào)處理裝置44接收，在該處信號(hào)被處理和轉(zhuǎn)換為 圖像處理信號(hào)，這個(gè)信號(hào)又輸出至控制器45。而且，液體性質(zhì)傳感器46放置于清潔池41內(nèi)用來(lái)測(cè)量清潔液 體"Q"中的顆粒數(shù)量和/或清潔液體"Q"的成分的濃度，并且來(lái) 自液體性質(zhì)傳感器46的輸出信號(hào)還適應(yīng)地輸出至控制器45。控制 器45適合于在收到來(lái)自圖像處理裝置44的圖像處理信號(hào)和來(lái)自液 體性質(zhì)傳感器46的輸出信號(hào)時(shí)產(chǎn)生例如清潔液體替換信號(hào)"S1" 或清潔元件替換信號(hào)"S2"，并將產(chǎn)生的信號(hào)輸出至清潔液體供應(yīng) 閥50和/或清潔元件替換信號(hào)發(fā)生器52。清潔池41適合于通過(guò)打開清潔液體供應(yīng)閥50經(jīng)由清潔液體供 應(yīng)管51供應(yīng)清潔液體Q以及通過(guò)打開排液閥(未示出)而排出清 潔液體Q。而且， 一對(duì)清潔夾具48、 48放置于清潔池41內(nèi)，所述 清潔夾具48、 48可通過(guò)在箭頭A、 A所示的方向上移動(dòng)放置于觀 察壁42的上表面上的清潔元件23來(lái)在預(yù)定的壓力水平下夾緊或釋 放清潔元件23。這對(duì)清潔夾具48、 48由清潔夾具驅(qū)動(dòng)器47所驅(qū) 動(dòng)以便在箭頭A、 A所示方向上移動(dòng)。在操作中，在清潔元件23 被預(yù)定水平的壓力壓靠在觀察壁42的上表面上并且由這對(duì)清潔夾 具48、 48夾緊的狀態(tài)下，清潔元件23能夠通過(guò)在箭頭B所示方向 上旋轉(zhuǎn)而被清潔。在這種清潔過(guò)程中，因?yàn)楦矊?3b制作為很薄， 已經(jīng)被吸入覆層23b的顆粒就能夠被有效地排出。在清潔元件23 的這種清潔過(guò)程期間，超聲波從超聲波發(fā)生器49發(fā)出以激勵(lì)清潔 液體Q從而增強(qiáng)清潔效果。清潔液體Q中的顆粒數(shù)量、清潔液體 Q的成分的濃度等通過(guò)液體性質(zhì)傳感器46進(jìn)行測(cè)量和監(jiān)視，以使 得在檢測(cè)到表示清潔液體Q不得不更換的狀態(tài)時(shí)，將未示出的排液 閥打開以排出清潔池41中的清潔液體Q,同時(shí)在排液后通過(guò)打開 清潔液體供應(yīng)閥50經(jīng)由清潔液體供應(yīng)管51將一些清潔液體Q新引 入清潔池41中。CCD 43通過(guò)透明觀察壁42觀察清潔元件23的覆層23b的狀 態(tài)，并且來(lái)自CCD 43的輸出信號(hào)如上所述輸出到圖象處理裝置44， 在該處輸出信號(hào)經(jīng)由圖像處理操作而被轉(zhuǎn)換為圖像處理信號(hào)，這種 信號(hào)又進(jìn)入控制器45?？刂破?5能夠分析圖像處理信號(hào)以識(shí)別清 潔元件23中由多孔聚合材料制成的覆層23b的狀態(tài)。例如，控制 器45可在檢測(cè)到覆層23b已經(jīng)磨損并且非常薄或者一部分芯部23a 已經(jīng)暴露時(shí)輸出表示需要用新的元件替換清潔元件23的替換信號(hào) S2。這里需要注意到，類似地在如圖7和10 (b)所示的清潔元件中，清潔狀態(tài)和清潔元件23的覆層23b能夠通過(guò)使用具有如圖 12所示構(gòu)造的清潔元件清潔機(jī)構(gòu)來(lái)監(jiān)視(雖然附圖中省略)。圖13是示出了根據(jù)本發(fā)明的基片處理裝置(電鍍裝置)的示 例性構(gòu)造的示意性平視圖。本發(fā)明的基片處理裝置包括，例如，矩 形形狀的框架布置61，其適合于可拆卸地裝載有載體盒，所述載 體盒包括容納比如晶片之類的多個(gè)基片的SMIF盒等。在框架布置 61內(nèi)的中心區(qū)域中順序地布置第一基片傳送機(jī)械手62、臨時(shí)放置 工作臺(tái)63和第二基片傳送機(jī)械手64。還布置有一對(duì)基片清潔和干燥單元65、 一對(duì)基片清潔單元66、 一對(duì)電鍍預(yù)處理單元67以及一對(duì)電鍍預(yù)處理和電鍍單元68，每對(duì) 的每個(gè)單元分別放置于框架布置61內(nèi)的相對(duì)側(cè)。而且，用來(lái)將電 鍍預(yù)處理液體供應(yīng)至電鍍預(yù)處理單元67的電鍍預(yù)處理液體供應(yīng)部 件69和用于將電鍍液體供應(yīng)至電鍍預(yù)處理和電鍍單元68的電鍍液 體供應(yīng)部件70布置在與載體盒60相對(duì)的相應(yīng)位置。基片清潔單元 66使用具有如圖1或圖2所示構(gòu)造的基片清潔裝置。一片基片W由第一傳送機(jī)械手62從載體盒60中取出、傳送 并放置到臨時(shí)放置工作臺(tái)63中的干燥基片保持器上。由干燥基片 保持器(未示出)保持的基片W由第二基片傳送機(jī)械手64傳送至 電鍍預(yù)處理單元67,在該處基片W受到電鍍預(yù)處理。已經(jīng)完成電 鍍預(yù)處理的基片W由第二基片傳送機(jī)械手64傳送至電鍍預(yù)處理和 電鍍單元68，在該處基片W受到電鍍預(yù)處理和電鍍工藝，并且已 經(jīng)完成電鍍工藝的基片W又由第二基片傳送機(jī)械手64傳送至具有 如圖1或2所示構(gòu)造的基片清潔單元66。基片清潔單元66可操作來(lái)清潔基片W的頂面和背面以便將粘 附至基片W表面的任何顆粒和/或外來(lái)材料移除。顆粒和/或外來(lái)材 料已經(jīng)被移除的基片W由第二基片傳送機(jī)械手64傳送到臨時(shí)放置工作臺(tái)63中的濕基片保持器(現(xiàn)在示出)并放置在其上。第一基片傳送機(jī)械手62從臨時(shí)放置工作臺(tái)63中的濕基片保持 器中取走基片W并且將其傳送至基片清潔和干燥單元65,在該處 基片W受到化學(xué)物質(zhì)和純凈水的清潔處理并且然后旋轉(zhuǎn)脫水?；?片W在其已經(jīng)旋轉(zhuǎn)脫水之后由第一基片傳送機(jī)械手62送回到載體 盒60。因而就己經(jīng)完成了基片W的一系列處理。雖然本發(fā)明已經(jīng)參照一些實(shí)施例進(jìn)行了描述，但本發(fā)明將不限 于那些具體實(shí)施例而是在如權(quán)利要求所限定以及如說(shuō)明書和附圖 所描述和示出的技術(shù)概念的范圍內(nèi)可做出很多變化。
權(quán)利要求
1.一種用于基片清潔裝置的清潔元件，該基片清潔裝置用于在將清潔液體供應(yīng)到基片的表面上的同時(shí)通過(guò)利用基片表面和與基片表面相接觸的所述清潔元件之間的相對(duì)運(yùn)動(dòng)來(lái)對(duì)基片的所述表面進(jìn)行清潔，所述清潔元件包括防水芯部，其中所述芯部的表面由多孔聚合材料覆蓋以限定出覆層。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1的清潔元件，其中所述多孔聚合材料用選 自于由PVA (聚乙烯醇)聚合物、丙烯酸聚合物、其他加聚物、 丙烯氨基化合物聚合物、聚氧乙烯聚合物、聚醚聚合物、縮聚物、 乙烯聚合物吡咯烷酮、polystyrene aurfonic acid、氨基甲酸乙酯樹 脂和聚氨酯樹脂所構(gòu)成的組中的任意一種聚合材料所制成。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1的清潔元件，其中所述多孔聚合材料的所 述覆層的厚度在5nm至15mm范圍內(nèi)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1的清潔元件，其中所述芯部由選自于由柔 性多孔泡沫塑料；包括氟橡膠、硅橡膠、膦腈橡膠和聚氨酯橡膠 的軟橡膠；以及環(huán)氧樹脂所構(gòu)成的組中的任意一種防水材料所構(gòu) 成。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1的清潔元件，其中所述多孔聚合材料的所 述覆層的硬度在潮濕狀態(tài)下等于或低于100。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1的清潔元件，其中由防水材料制成的防水 層形成于所述多孔聚合材料的所述覆層內(nèi)、或所述覆層和所述芯 部之間。
7. —種基片清潔裝置，其用于在將清潔液體供應(yīng)到基片的表面上的同時(shí)通過(guò)利甩基片表面和與基片表面相接觸的清潔元件之 間的相對(duì)運(yùn)動(dòng)來(lái)對(duì)基片的所述表面進(jìn)行清潔，所述基片清潔裝置使用根據(jù)權(quán)利要求l-6任意一個(gè)的清潔元件來(lái)實(shí)現(xiàn)所述清潔元件。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7的清潔裝置，包括用來(lái)監(jiān)視所述多孔聚合 材料的所述覆層是否出現(xiàn)在所述清潔元件內(nèi)的硬度儀表、薄膜硬 度儀表或CCD。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8的基片清潔裝置，還包括用來(lái)在所述清潔 元件上監(jiān)視的孔隙分布或硬度從所述多孔聚合材料的所述覆層的 狀態(tài)移動(dòng)到所述芯部的狀態(tài)時(shí)輸出替換信號(hào)的裝置。
10. —種基片處理裝置，其包括用來(lái)在基片上執(zhí)行預(yù)定處理 過(guò)程的基片處理部件以及用來(lái)對(duì)已經(jīng)在所述基片處理部件中完成 所述預(yù)定處理過(guò)程的所述基片進(jìn)行清潔的基片清潔部件，所述基 片處理裝置使用根據(jù)權(quán)利要求7-9任意一個(gè)的基片清潔裝置來(lái)實(shí) 現(xiàn)所述基片清潔部件。
全文摘要
本發(fā)明提供一種清潔元件、基片清潔裝置和基片處理裝置，其從清潔元件中排出的污染物數(shù)量減少，防止在受清潔的基片的逆向污染并以穩(wěn)定的方式保持對(duì)基片的高度清潔力。本目標(biāo)由在將清潔液體供應(yīng)到受清潔的基片表面上的同時(shí)利用基片表面和與其接觸的清潔元件之間的相對(duì)運(yùn)動(dòng)來(lái)對(duì)基片表面清潔的基片清潔裝置的清潔元件來(lái)完成，清潔元件包括由防水材料制成的芯部(23a)，芯部(23a)的表面由多孔聚合物材料覆蓋以限定覆層(23b)。多孔聚合物材料可以從由PVA聚合物、丙烯酸聚合物、其他加聚物、丙烯氨基化合物聚合物、聚氧乙烯聚合物、聚醚聚合物、縮聚物、乙烯聚合物吡咯烷酮、polystyrene aurfonic acid、氨基甲酸乙酯樹脂和聚氨酯樹脂所構(gòu)成的組中選擇。
文檔編號(hào)H01L21/304GK101218665SQ20068002451
公開日2008年7月9日 申請(qǐng)日期2006年9月7日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月15日
發(fā)明者濱田聰美 申請(qǐng)人:株式會(huì)社荏原制作所