專利名稱：：太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板及其制造方法。
背景技術(shù)：
：對(duì)于太陽能電池，為了最大限度地利用入射的太陽光，人們希望提高光電轉(zhuǎn)換效率。作為用于提高光電轉(zhuǎn)換效率的手段之一，可例舉增加太陽能電池中作為電極使用的太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板中通過的電流的方法。因此，己知的有提高霧度值的方法，例如，在導(dǎo)電膜的表面設(shè)置凹凸的方法(例如，參照專利文獻(xiàn)1及2)。此外，作為太陽能電池中作為電極使用的太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板一般通過在玻璃等透光性良好的基體上形成透明導(dǎo)電性氧化物膜而構(gòu)成。以往，該太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板優(yōu)選采用從基體側(cè)開始依次設(shè)置了氧化硅層和氧化錫層的層疊膜或者從基體側(cè)開始依次層疊了氧化鈦層、氧化硅層和氧化錫層的層疊膜。為了使該層疊膜中的氧化錫層的導(dǎo)電性提高(即，降低電阻)，使其作為電極的性能提高，一般實(shí)施在氧化錫層中摻雜氟的操作(例如，參照專利文獻(xiàn)2)。專利文獻(xiàn)1:日本專利特開2002-260448號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2:日本專利特開2001-36117號(hào)公報(bào)發(fā)明的揭示但是，本發(fā)明者進(jìn)行探討后發(fā)現(xiàn)，如果增加為減小氧化錫層的電阻而摻雜的氟的量，則會(huì)產(chǎn)生近紅外光的吸收量增多的問題。因此，本發(fā)明的目的是提供氧化錫層的電阻低且氧化錫層中的近紅外光的吸收量少的太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板。此外，本發(fā)明者進(jìn)行探討后發(fā)現(xiàn)，如果增加為減小氧化錫層的電阻而摻雜的氟的量，特別是在基體和氧化硅層之間存在氧化鈦層的情況下，霧度值下降。因此，本發(fā)明的進(jìn)一步的目的是提供即使在基體和氧化硅層之間存在氧化鈦層的情況下霧度值也不會(huì)下降的太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板。本發(fā)明者為實(shí)現(xiàn)上述目的而進(jìn)行認(rèn)真研究后發(fā)現(xiàn)，通過在氧化錫層的厚度方向設(shè)置氟摻雜量多的區(qū)域和氟摻雜量少的區(qū)域，能夠在氟量多的區(qū)域中確保面方向的良好的導(dǎo)電性的同時(shí)，減少整體的氟量，從而減少近紅外光的吸收量。此外，本發(fā)明者發(fā)現(xiàn)，通過在氧化錫層的與氧化硅層的界面附近的區(qū)域中減少氟量，即使在基體和氧化硅層之間存在氧化鈦層時(shí)霧度值也不會(huì)下降。本發(fā)明是基于上述新發(fā)現(xiàn)完成的發(fā)明，具有以下的(i)(ix)的技術(shù)思想。(i)太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板，它是基體上從所述基體側(cè)開始至少依次具備氧化硅層以及與所述氧化硅層鄰接的多層層疊的氧化錫層的太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板，其中，所述多層層疊的氧化錫層中，至少分別具有1層摻雜了氟的氧化錫層和未摻雜氟的氧化錫層。(ii)如上述(i)記載的太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板，其中，作為與所述氧化硅層鄰接的氧化錫層的第1氧化錫層是所述未摻雜氟的氧化錫層。(iii)如上述(ii)記載的太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板，其中，所述第1氧化錫層中的氟濃度為所述摻雜了氟的氧化錫層中的氟濃度的20%以下。(iv)如上述(ii)或(iii)記載的太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板，其中，所述第1氧化錫層的厚度為10nm以上。(v)太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板，它是基體上從所述基體側(cè)開始至少依次具備氧化硅層以及與所述氧化硅層鄰接的氧化錫層的太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板，其中，所述氧化錫層的厚度為6001000nm，所述氧化錫層中，從與所述氧化硅層的界面起至200nm為止的區(qū)域(l)的氟濃度為所述氧化錫層的表面起至300nm為止的區(qū)域(3)的氟濃度的20%以下，所述氧化錫層的所述區(qū)域(1)和所述區(qū)域(3)之間的區(qū)域(2)的氟濃度在所述區(qū)域(1)的氟濃度以上，且在所述區(qū)域(3)的氟濃度以下。(vi)如上述(i)(v)中任一項(xiàng)記載的太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板，其中，在所述基體和所述氧化硅層之間還具有氧化鈦層。(vii)太陽能電池，其中，使用了上述(i)(vi)中任一項(xiàng)記載的太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板。(viii)太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板的制造方法，其中，采用常壓CVD法在基體上至少依次形成氧化硅層、未摻雜氟的氧化錫層及摻雜了氟的氧化錫層，獲得太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板。(ix)太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板的制造方法，它是采用常壓CVD法在基體上至少依次形成氧化硅層和氧化錫層而獲得太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板的方法，其中，在形成了所述氧化硅層的所述基體上，在使所述基體移動(dòng)的同時(shí)，從沿所述基體的移動(dòng)的方向配置的多個(gè)氣體供給裝置吹入氟化氫濃度從上游至下游提高的原料氣體而形成所述氧化錫層。本發(fā)明的太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板的氧化錫層的電阻低，且氧化錫層中的近紅外光的吸收量少。附圖的簡(jiǎn)單說明圖1為表示本發(fā)明的第1形態(tài)的太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板的實(shí)施方式的一例的模式截面圖。圖2為表示被用于本發(fā)明的第1形態(tài)的太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板的制造的制造裝置的一例的模式立體圖。圖3為表示使用了本發(fā)明的第1形態(tài)的太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板的級(jí)聯(lián)(tandem)結(jié)構(gòu)的太陽能電池的一例的模式截面圖。符號(hào)說明10為太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板，12為基體，14為氧化鈦層，16為氧化硅層，18為第1氧化錫層，20為第2氧化錫層，22為第l光電轉(zhuǎn)換層，24為第2光電轉(zhuǎn)換層，26為半導(dǎo)體層(光電轉(zhuǎn)換層)，28為背面電極層，50為制造裝置，52為主體，54為傳送帶，56為帶驅(qū)動(dòng)裝置，57為加熱區(qū)，58a58d為氣體供給裝置(注入器)，60a60d為氣體流量控制裝置，61為緩冷區(qū)，62為清掃刷，64為超聲波清潔機(jī)，66為帶干燥機(jī)，100為太陽能電池。實(shí)施發(fā)明的最佳方式以下，基于附圖所示的優(yōu)選實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明的太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板進(jìn)行詳細(xì)說明。首先，對(duì)本發(fā)明的第l形態(tài)進(jìn)行說明。本發(fā)明的第1形態(tài)是太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板，它是基體上從所述基體側(cè)開始至少依次具備氧化硅層以及與所述氧化硅層鄰接的多層層疊的氧化錫層的太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板，所述多層層疊的氧化錫層中，至少分別具有1層摻雜了氟的氧化錫層和未摻雜氟的氧化錫層。圖1是表示本發(fā)明的第1形態(tài)的太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板的實(shí)施方式的一例的模式截面圖。圖1所圖示的是太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板的入射光側(cè)位于圖的下側(cè)的狀態(tài)。如圖l所示，太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板IO在基體12上從基體12側(cè)開始依次具有氧化鈦層14、氧化硅層16、第1氧化錫層18和第2氧化錫層20?；w12的材質(zhì)無特別限定，但從透光性(透光率)及機(jī)械強(qiáng)度良好的角度考慮，優(yōu)選例示玻璃、塑料。其中，從透光性、機(jī)械強(qiáng)度及耐熱性良好且成本低廉的角度考慮，優(yōu)選玻璃。對(duì)玻璃無特別限定，例如可例舉鈉鈣玻璃、鋁硅酸鹽玻璃、鋰鋁硅酸鹽玻璃、石英玻璃、硼硅酸玻璃、無堿玻璃。其中，從無色透明、價(jià)廉且容易從市場(chǎng)上規(guī)定面積、性狀、板厚等性能規(guī)格來獲得的角度考慮，優(yōu)選鈉鈣玻璃?；w12為玻璃制時(shí)，厚度優(yōu)選0.26.0mm。如果在所述范圍內(nèi)，則機(jī)械強(qiáng)度及透光性的平衡良好?；w12優(yōu)選在4001200nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)的透光率良好。具體來講，較好的是在4001200nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)的平均透光率超過80%，更好是85%以上。此外，基體12優(yōu)選絕緣性良好，化學(xué)耐久性和物理耐久性也良好。圖1所示的基體12的截面形狀為平整的平板狀，但本發(fā)明對(duì)基體的截面形狀無特別限定，可根據(jù)使用基體12所制造的太陽能電池的形狀來進(jìn)行適當(dāng)選擇。因此，可以是曲面狀也可以是其它的不同形狀。圖1中，在基體12上形成有氧化鈦層14。本發(fā)明中，在基體和氧化硅層之間具有氧化鈦層的形態(tài)由于在基體為玻璃制時(shí)可抑制基體和氧化錫層的折射率的差異所產(chǎn)生的基體和氧化錫層的界面的反射，因此是優(yōu)選形態(tài)之一。氧化鈦層14是由4001200nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)的光折射率比基體12高的Ti02形成的層。氧化鈦層14是實(shí)質(zhì)上由Ti02形成的層，層中所含成分中的Ti02的比例優(yōu)選90摩爾X以上，更好為95摩爾％以上，進(jìn)一步更好為98摩爾％以上。氧化鈦層14的厚度較好為5nm以上不足22nm，更好為1020nm。如果在上述范圍內(nèi)，則太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板IO視作整體時(shí)的C光源霧度值的偏差小，另外，利用防反射效果可提高透光率，特別是4001200nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)的透光率。在氧化鈦層14上形成氧化硅層16之前，其利用原子力顯微鏡(AFM)測(cè)定的表面的算術(shù)平均粗度0O較好為3nm以下，更好為lnm以下。本發(fā)明的第l形態(tài)中，也可形成氧化錫層來替代氧化鈦層14。在氧化鈦層14上形成有氧化硅層16。氧化硅層16是4001200nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)的光折射率比基體12、第1氧化錫層18及第2氧化錫層20都低的由Si02形成的層。氧化硅層16是實(shí)質(zhì)上由Si02形成的層，層中所含成分中的Si02的比例優(yōu)選90摩爾X以上，更好為95摩爾％以上，進(jìn)一步更好為98摩爾％以上。在具有氧化鈦層時(shí)，氧化硅層16的厚度較好為1050nm，更好為2040nm，進(jìn)一步更好為2035nra。如果在上述范圍內(nèi)，則太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板的C光源霧度值高，且太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板IO視作整體時(shí)的C光源霧度值的偏差小。此外，在不具有氧化鈦層時(shí)，氧化硅層16的膜厚優(yōu)選在約20nm以上。氧化硅層作為后述的堿阻擋層，其膜厚越厚越好，但在設(shè)置氧化鈦層和氧化硅層這2層來發(fā)揮防反射效果時(shí)，氧化鈦層和氧化硅層的各自的膜厚及其組合存在限制。在氧化硅層16上形成第l氧化錫層18之前，其利用原子力顯微鏡(AFM)測(cè)定的表面的算術(shù)平均粗度OU較好為3nm以下，更好為lnm以下。在基體為玻璃制時(shí)，氧化硅層16抑制堿金屬離子自基體的擴(kuò)散。此外，氧化硅層16通過與氧化鈦層14的組合發(fā)揮防反射層的功能。如果假設(shè)太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板10不具有氧化鈦層14及氧化硅層16，則基體12和第1氧化錫層18的4001200nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)的光折射率的差異會(huì)引起入射光的反射損失。但是，由于太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板10在基體12和第1氧化錫層18之間具有4001200nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)的光折射率比基體12高的氧化鈦層14及4001200nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)的光折射率比第l氧化錫層18低的氧化硅層16，所以入射光的反射損失被降低，透光率，特別是4001200nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)的透光率高。基體12的材料為鈉鈣玻璃、堿含量低的玻璃等含堿金屬離子的玻璃時(shí)，氧化硅層也可作為將自基體12向第1氧化錫層18的堿金屬離子的擴(kuò)散抑制在最低限度的堿阻擋層發(fā)揮作用。在氧化硅層16上形成有第1氧化錫層18，在第1氧化錫層18上形成有第2氧化錫層20。這里，本發(fā)明的第1形態(tài)的太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板的多層層疊的氧化錫層中包括至少各1層的摻雜了氟的氧化錫層和未摻雜氟的氧化錫層。藉此，在氧化錫層的電阻維持低值的同時(shí)氧化錫層中的近紅外光的吸收量減少。下面，以第1氧化錫層18為未摻雜氟的氧化錫層而第2氧化錫層20為摻雜了氟的氧化錫層的情況為例進(jìn)行說明。一般，如果在氧化錫層中摻雜氟，則層中的自由電子的量增加。太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板10中，由于第l氧化錫層18未摻雜氟，所以層中的自由電子的量比摻雜了氟的第2氧化錫層20少。由于層中的自由電子會(huì)減小電阻提高導(dǎo)電性，所以從這方面考慮其量以多為宜，但由于吸收近紅外光而使到達(dá)半導(dǎo)體層的光減少，所以從這方面考慮其量以少為宜。因此，以往的太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板中的摻雜了氟的氧化錫層極難做到減小電阻的同時(shí)抑制近紅外光的吸收。本發(fā)明中，由于在第2氧化錫層20中摻雜了氟而在第1氧化錫層18中未摻雜氟，所以與氧化錫層整體都摻雜了氟的以往的太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板相比，可減少所摻雜的氟的總量，進(jìn)而可減少層中的自由電子的總量。其結(jié)果是，與以往的太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板相比，可減少近紅外光的吸收。另一方面，由于電流主要通過自由電子量多、電阻低的第2氧化錫層20，所以電阻高的第l氧化錫層18造成的影響小。即，作為氧化錫層整體，與氧化錫層整體都摻雜了氟的以往的太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板相比，可確保相同程度的導(dǎo)電性。因此，本發(fā)明的第1形態(tài)在氟量多的區(qū)域內(nèi)確保面方向的優(yōu)良的導(dǎo)電性的同時(shí)，可減少整體的氟量，減少近紅外光的吸收量。摻雜了氟的氧化錫層是主要由Sn02形成的層，層中含有的成分中的Sn02的比例優(yōu)選90摩爾X以上，更好為95摩爾％以上。摻雜了氟的氧化錫層中的氟濃度相對(duì)于Sn02優(yōu)選為0.014摩爾Q^，更好為0.022摩爾％。如果在上述范圍內(nèi)，則導(dǎo)電性良好。摻雜了氟的氧化錫層因?yàn)閾诫s了氟而自由電子密度提高。具體來講，自由電子密度較好為5X10194X102°cm—3，更好為1X102°2X102Qcm—3。如果在上述范圍內(nèi)，則導(dǎo)電性和近紅外光的吸收的平衡良好。未摻雜氟的氧化錫層實(shí)質(zhì)上由Sn02形成的層即可，可稍微含些氟。例如，可以通過氟從摻雜了氟的氧化錫層移動(dòng)并擴(kuò)散而稍微含些氟。未摻雜氟的氧化錫層所含有的成分中的Sn02的比例優(yōu)選90摩爾％以上，更好為95摩爾％以上，進(jìn)一步更好為98摩爾％以上。如果在上述范圍內(nèi)，則可充分減少近紅外光的吸收。多層層疊的氧化錫層從整體看其薄膜電阻較好為820Q/口，更好為812Q/口。多層層疊的氧化錫層的厚度合計(jì)較好為6001200nm，更好為7001000nm。如果在上述范圍內(nèi)，則太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板10的C光源霧度值變得特別高，且其偏差變得特別小。此外，透光率，特別是4001200nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)的透光率特別高，且氧化錫層的導(dǎo)電性特別好。氧化錫層的厚度在后述的存在表面凹凸的情況下是指包含該凹凸的值(到凸部的頂點(diǎn)的厚度)。具體來講，利用觸針式膜厚計(jì)進(jìn)行測(cè)定。未摻雜氟的氧化錫層的厚度(有多層時(shí)合計(jì))較好為10600nm，更好為20500nm。如果在上述范圍內(nèi)，則抑制近紅外光的吸收的效果充分變大。摻雜了氟的氧化錫層的厚度(有多層時(shí)合計(jì))較好為100700nm，更好為200500nm。如果在上述范圍內(nèi)，則減小電阻的效果充分變大。未摻雜氟的氧化錫層的厚度(有多層時(shí)合計(jì))和摻雜了氟的氧化錫層的厚度(有多層時(shí)合計(jì))之比較好為3/77/3。如果在上述范圍內(nèi)，則抑制近紅外光的吸收的效果和減小電阻的效果的平衡良好。本發(fā)明的第1形態(tài)中，作為與氧化硅層鄰接的氧化錫層的第1氧化錫層18優(yōu)選為未摻雜氟的氧化錫層。如后所述，本發(fā)明的第l形態(tài)中，在基體和氧化硅層之間具有氧化鈦層的例子是優(yōu)選例子之一，但本發(fā)明者經(jīng)過研究后發(fā)現(xiàn)，具有氧化鈦層的例子中，氧化硅層作為堿阻擋層的作用下降。其結(jié)果是，基體為含堿金屬離子的玻璃時(shí)，鈉等堿金屬離子易于通過氧化硅層向與第1氧化錫層的界面移動(dòng)。該鈉等堿金屬離子在第1氧化錫層形成時(shí)起到減小微晶的尺寸的作用，藉此氧化錫層的表面凹凸變小(具體情況如后所述)，進(jìn)而霧度值變這里，第1氧化錫層中未摻雜氟的情況與第1氧化錫層中摻雜了氟的情況相比，微晶的尺寸變大，氧化錫層的表面的凹凸變大，霧度值變大，所以比較理想。其理由推測(cè)如下，S口，如果第1氧化錫層中摻雜了氟，則F通過電氣方式吸引Na+等，因此促進(jìn)堿金屬離子的向與第1氧化錫層的界面的移動(dòng)，對(duì)應(yīng)于此，如果第1氧化錫層中未摻雜氟，則不會(huì)發(fā)生上述情況。也就是說，組合氧化鈦層和氧化硅層發(fā)揮防反射效果時(shí)，氧化硅層的膜厚存在限制，如果在氧化硅層上形成摻雜了氟的氧化錫層，則霧度值變小。為了應(yīng)對(duì)霧度值的減小，必須在氧化硅層上形成未摻雜氟的氧化錫層。第1氧化錫層18中未摻雜氟的情況下，第1氧化錫層18中的氟濃度較好為摻雜了氟的氧化錫層(第2氧化錫層20)中的氟濃度的20%以下。即使在第1氧化錫層18中未摻雜氟的情況下，如果成膜過程中鄰接的第2氧化錫層20中慘雜了氟，則該氟的一部分也會(huì)向第1氧化錫層18中移動(dòng)，擴(kuò)散。即使在氟擴(kuò)散了的情況下，如果第1氧化錫層18中的氟濃度為第2氧化錫層20中的氟濃度的20%以下，則減小微晶尺寸的作用也會(huì)被抑制，氧化錫層的表面凹凸變大，霧度值充分變大。本發(fā)明中，氟濃度采用二次離子質(zhì)譜法(SIMS)進(jìn)行測(cè)定。具體來講，可由采用SISM測(cè)定的F離子計(jì)數(shù)量算出氟濃度。根據(jù)所用的濺射離子，對(duì)于Sn離子的靈敏度和對(duì)于F離子的靈敏度不同，但只要使用相同的濺射離子，則靈敏度恒定。因此，如果使用相同的濺射離子，則可比較不同的測(cè)定點(diǎn)的Sn離子的計(jì)數(shù)量和F離子的計(jì)數(shù)量之比。此外，如前所述，相對(duì)于Sn02以摩爾X求出氟濃度時(shí)，采用SIMS測(cè)定事先Sn02基體中的氟濃度被定量了的試樣中的Sn離子的計(jì)數(shù)量和F離子的計(jì)數(shù)量，算出氟濃度。從微晶變大的角度考慮，第l氧化錫層的厚度優(yōu)選10nm以上，更好為50nm以上。此外，第1氧化錫層通常覆蓋整個(gè)氧化硅層，但本發(fā)明中，可以有一部分未被覆蓋。目卩，可存在氧化硅層和第2氧化錫層直接接觸的部分。另外，這種情況下，第l氧化錫層也可以是不連續(xù)的(換言之，第l氧化錫層在氧化硅層上以島狀散布。)。較好的是如圖1所示，在多層層疊的氧化錫層的與入射光側(cè)相反的一側(cè)的表面(圖1中為第2氧化錫層20的上側(cè)的面)的整個(gè)范圍內(nèi)具有凹凸。凹凸的尺寸較好是高低差(凸部和凹部的高低差)為0.10.5um，更好為0.20.4lim。另外，凹凸的凸部間的間距(鄰接的凸部間的頂點(diǎn)和頂點(diǎn)的距離)較好為0.10.75um，更好為0.20.45um。如果氧化錫層的表面具有凹凸，則太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板10的霧度值因光的散射而提高。此外，如果該凹凸在氧化錫層的整個(gè)表面內(nèi)均一地存在，則霧度值的偏差變小，因此比較理想。如果太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板的氧化錫層的表面具有凹凸，則霧度值變大。此外，如果氧化錫層的表面具有凹凸，則光在氧化錫層和半導(dǎo)體層的界面發(fā)生折射后前進(jìn)。另外，如果氧化錫層的表面具有凹凸，則在其上形成的半導(dǎo)體層的與背面電極層的界面也會(huì)變得凹凸不平，因此光易發(fā)生散射。如果霧度值變大，則獲得光在透明導(dǎo)電膜(的氧化錫層)和背面電極層之間的半導(dǎo)體層往復(fù)的長(zhǎng)度(光路長(zhǎng))變長(zhǎng)的效果(光捕獲效果(aneffecttotraplightin))，電流值變大。對(duì)在氧化錫層的表面設(shè)置凹凸的方法無特別限定。凹凸由在離基體最遠(yuǎn)的氧化錫層的與入射光側(cè)相反的一側(cè)的表面露出的微晶構(gòu)成。通常，多層層疊的氧化錫層中，通過調(diào)整第l氧化錫層的微晶的尺寸，可調(diào)整離基體最遠(yuǎn)的氧化錫層的微晶的尺寸，藉此可使凹凸尺寸在上述優(yōu)選范圍內(nèi)。圖1所示的太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板10中，第l氧化錫層18的表面有凹凸，因而使第2氧化錫層20的表面也有凹凸。為了加大第1氧化錫層的微晶的尺寸，例如可例舉如上所述不摻雜氟而減小氟濃度的方法。在基體上形成的透明導(dǎo)電膜的厚度(圖1所示的太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板10中，第1氧化錫層18和第2氧化錫層20的厚度合計(jì))較好為6001200nm。如果在上述范圍內(nèi)，則凹凸不會(huì)變得過深，易于實(shí)現(xiàn)采用硅的均一被覆，容易提高電池效率。其理由如下所述，即，光電轉(zhuǎn)換層的pin層結(jié)構(gòu)中的P層的厚度通常為數(shù)十nm左右，因此如果凹凸過深，則會(huì)在凹部產(chǎn)生結(jié)構(gòu)缺陷或向凹部的原料擴(kuò)散不夠充分，使均一被覆變得困難，可能會(huì)導(dǎo)致電池效率下降。對(duì)本發(fā)明的第1形態(tài)的太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板的制造方法無特別限定。例如，可優(yōu)選例舉采用常壓CVD法在基體上至少依次形成氧化硅層、未摻雜氟的氧化錫層和摻雜了氟的氧化錫層而獲得太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板的方法。以下，以該方法為例進(jìn)行說明。圖2為表示被用于本發(fā)明的第1形態(tài)的太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板的制造的制造裝置的一例的模式立體圖。圖2所示的制造裝置50基本上具備主體52、傳送帶54、帶驅(qū)動(dòng)裝置56、氣體供給裝置(注入器)58a58d、氣體流量控制裝置60a60d、清掃刷62、超聲波清潔機(jī)64和帶干燥機(jī)66。圖2所示的制造裝置50中，傳送帶54被設(shè)置于主體52，負(fù)載了基體12的傳送帶54通過帶驅(qū)動(dòng)裝置56旋轉(zhuǎn)，藉此基體12向箭頭方向移動(dòng)?；w12在加熱區(qū)57中一邊被運(yùn)送一邊被加熱至高溫(例如550°C)。然后，在載于經(jīng)過氣體供給裝置58a整流的簾狀的在爐寬度方向均一的氣流的狀態(tài)下，由氣體流量控制裝置60a控制了量的成為氧化鈦層14的原料的氣化的四異丙氧基鈦和氮?dú)獗淮捣饔诒患訜岬幕w12。四異丙氧基鈦在基體12上進(jìn)行熱分解反應(yīng)，在被運(yùn)送狀態(tài)下的基體12的表面形成氧化鈦層14。四異丙醇鈦進(jìn)入被裝入氣體流量控制裝置60a的保溫于IO(TC左右的起泡槽(bubblertank)，利用氮?dú)夤呐菔蛊錃饣?，再用不銹鋼配管運(yùn)送至氣體供給裝置58a。接著，表面形成了氧化鈦層14的基體12被再次加熱至高溫(例如，550°C)，在載于經(jīng)過氣體供給裝置58b整流的簾狀的在爐寬度方向均一的氣流的狀態(tài)下，由氣體流量控制裝置60b控制了量的成為氧化硅層16的原料的硅烷氣體和氧氣被吹拂于該基體12。硅垸氣體和氧氣在基體12的氧化鈦層14上混合并反應(yīng)，在被運(yùn)送狀態(tài)下的基體12的氧化鈦層14的表面形成氧化硅層16。然后，表面形成了氧化硅層16的基體12被再次加熱至高溫(例如，540°C)，在載于經(jīng)過氣體供給裝置58c整流的簾狀的在爐寬度方向均一的氣流的狀態(tài)下，由氣體流量控制裝置60c控制了量的成為第1氧化錫層18的原料的四氯化錫和水被吹拂于該基體12。四氯化錫和水在基體12的氧化硅層16上混合并反應(yīng)，在被運(yùn)送狀態(tài)下的基體12的氧化硅層16的表面形成未摻雜氟的第l氧化錫層18。四氯化錫進(jìn)入被保溫于55"C左右的起泡槽，利用氮?dú)夤呐菔蛊錃饣?，再用不銹鋼配管運(yùn)送至氣體供給裝置58c。此外，水通過加熱沸騰而形成水蒸氣，用另一不銹鋼配管運(yùn)送至氣體供給裝置58c。接著，表面形成了第1氧化錫層18的基體12被再次加熱至高溫(例如，54CTC)，在載于經(jīng)過氣體供給裝置58d整流的簾狀的在爐寬度方向均一的氣流的狀態(tài)下，由氣體流量控制裝置60d控制了量的成為第2氧化錫層20的原料的四氯化錫、水和氟化氫被吹拂于該基體12。四氯化錫、水和氟化氫在基體12的第1氧化錫層18上混合并反應(yīng)，在被運(yùn)送狀態(tài)下的基體12的第1氧化錫層18的表面形成摻雜了氟的第2氧化錫層20。四氯化錫和水采用與形成第1氧化錫層18時(shí)同樣的方法運(yùn)送至氣體供給裝置58d。氟化氫則以氣化的氟化氫的形態(tài)通過不銹鋼配管運(yùn)送至氣體供給裝置58d，再以與四氯化錫混合的狀態(tài)供至第1氧化錫層18上。形成了第2氧化錫層20的基體12在被運(yùn)送的同時(shí)通過緩冷區(qū)61，被冷卻至室溫附近，形成太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板IO并被送出。傳送帶54在移走太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板10后被清掃刷62和超聲波清潔機(jī)64洗滌，再被帶千燥機(jī)66干燥。上述方法是一種通過獨(dú)立于基體的制造工序?qū)嵤┨柲茈姵赜猛该鲗?dǎo)電膜的形成的離線(offline)CVD法。本發(fā)明從獲得高品位的太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板的角度考慮，優(yōu)選采用離線CVD法，但也可采用在基體(例如，玻璃制基體)的制造后接著實(shí)施太陽能電池用透明導(dǎo)電性的形成的在線(online)CVD法。以下，對(duì)本發(fā)明的第2形態(tài)進(jìn)行說明。本發(fā)明的第2形態(tài)的太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板是基體上從所述基體側(cè)開始至少依次具備氧化硅層以及與該氧化硅層鄰接的氧化錫層的太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板，所述氧化錫層的厚度為6001000nm，所述氧化錫層中，從與所述氧化硅層的界面起至200nm為止的區(qū)域(l)的氟濃度為從所述氧化錫層的與基體相反一側(cè)的表面起至300nm為止的區(qū)域(3)的氟濃度的20%以下，所述氧化錫層的所述區(qū)域(1)和所述區(qū)域(3)之間的區(qū)域(2)的氟濃度在所述區(qū)域(l)的氟濃度以上，且在所述區(qū)域(3)的氟濃度以下。這里，氧化錫層的與基體相反一側(cè)的表面是指在基體上形成氧化硅層并在所述氧化硅層上層疊了多層氧化錫層而由所述多層形成的氧化錫層的離基體最遠(yuǎn)的表面(界面)，圖1中是指第2氧化錫層20的上部的表面。此外，如圖3所示，在氧化錫層的與基體相反一側(cè)的表面具有凹凸時(shí)是指凸部中最高的部分(圖3中是指第2氧化錫層20的離基板12最遠(yuǎn)的凸部的頂點(diǎn))。如果區(qū)域(l)、區(qū)域(2)及區(qū)域(3)與第1氧化錫層、第2氧化錫層(如果有第3氧化錫層等更多的氧化錫層，也包括它們?cè)趦?nèi))的關(guān)系以區(qū)域(l)為例進(jìn)行說明，則由于區(qū)域(l)是表示從氧化硅層與第l氧化錫層的界面起200nm的范圍內(nèi)的氧化錫的膜，所以例如第1氧化錫層的厚度為200nm以上時(shí)，區(qū)域(l)僅由第1氧化錫層構(gòu)成。此外，例如第1氧化錫層的厚度為150nm時(shí)，則區(qū)域(l)由第1氧化錫層和第2氧化錫層構(gòu)成。這樣區(qū)域(l)、區(qū)域(2)及區(qū)域(3)就包括由單獨(dú)的氧化錫層構(gòu)成以及由多層的氧化錫層構(gòu)成的情況。以下，對(duì)本發(fā)明的第2形態(tài)的太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板異于本發(fā)明的第1形態(tài)的太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板的方面進(jìn)行說明。本發(fā)明的第1形態(tài)中，與氧化硅層鄰接的氧化錫層通過層疊慘雜了氟的氧化錫層和未摻雜氟的氧化錫層而在厚度方向上設(shè)置了氟摻雜量多的區(qū)域和氟慘雜量少的區(qū)域，對(duì)應(yīng)于此，本發(fā)明的第2形態(tài)中，也可以是所述層疊的形態(tài)，但并不限于此，也可以在與氧化硅層鄰接的氧化錫層本身在厚度方向上設(shè)置氟摻雜量多的區(qū)域和氟摻雜量少的區(qū)域，在這點(diǎn)上有所不同。具體來講，本發(fā)明的第2形態(tài)中，氧化錫層的厚度為6001000nm，與氧化硅層鄰接的氧化錫層中，從與氧化硅層的界面起至200nm為止的區(qū)域(l)的氟濃度為從氧化錫層的表面(與氧化硅層相反側(cè)的面)起至300nm為止的區(qū)域(3)的氟濃度的20%以下，氧化錫層的區(qū)域(1)和區(qū)域(3)之間的區(qū)域(2)的氟濃度在區(qū)域(1)的氟濃度以上，且在區(qū)域(3)的氟濃度以下。艮口，氧化錫層中的區(qū)域(1)(3)的氟濃度的關(guān)系為下述(A)、(B)及(C)的任一種。(A):區(qū)域(2)的氟濃度在區(qū)域(1)的氟濃度以上，且不到區(qū)域(3)的氟濃度。(B):區(qū)域(2)的氟濃度超過區(qū)域(1)的氟濃度，且在區(qū)域(3)的氟濃度以下。(C):區(qū)域(2)的氟濃度超過區(qū)域(1)的氟濃度，且不到區(qū)域(3)的氟濃度。藉此，獲得與本發(fā)明的第1形態(tài)的第1氧化錫層是未摻雜氟的層、第2氧化錫層是摻雜了氟的層、第1氧化錫層的厚度為lOmn以上的形態(tài)同樣的效果。即，可以在氟量多的區(qū)域(3)(或者區(qū)域(3)及區(qū)域(2))中確保面方向的良好的導(dǎo)電性的同時(shí)，減少整體的氟量，從而減少近紅外光的吸收量，且基體和氧化硅層之間具有氧化鈦層的形態(tài)中，即使基體是含堿金屬離子的玻璃的情況下，霧度值也充分提高。區(qū)域(l)的氟濃度相對(duì)于Sn02較好為0.0020.4摩爾％，更好為0.0040.02摩爾％。區(qū)域(3)的氟濃度相對(duì)于Sn02較好為0.012摩爾％，更好為0.021摩爾％。對(duì)本發(fā)明的第2形態(tài)的太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板的制造方法無特別限定。例如，可優(yōu)選例舉采用常壓CVD法在基體上至少依次形成氧化硅層、氧化錫層(區(qū)域(1)的氟濃度為區(qū)域(3)的氟濃度的20%以下，區(qū)域(2)的氟濃度在區(qū)域(1)的氟濃度以上且在區(qū)域(3)的氟濃度以下的氧化錫層)而獲得太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板的方法。氧化鈦層和氧化硅層的形成方法與本發(fā)明的第1形態(tài)的太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板的制造方法相同。氧化錫層的形成方法例如可例舉在形成了氧化硅層的基體上，在使基體移動(dòng)的同時(shí)，從沿基體的移動(dòng)的方向配置的多個(gè)氣體供給裝置(注入器)吹入氟化氫濃度從上游至下游提高的原料氣體而形成氧化錫層的方法。更具體的是在被運(yùn)送狀態(tài)下的基體的氧化硅層的表面，使作為原料氣體的四氯化錫、水及氟化氫的氣流從氣體供給裝置吐出而使氧化錫層形成的方法，該方法中，使上游的原料氣體中的氟化氫的濃度比下游的原料氣體中的氟化氫的濃度低。利用該方法可使在上游形成的氧化錫層的區(qū)域(l)的氟濃度比在下游形成的氧化錫層的區(qū)域(3)的氟濃度低。以下，對(duì)本發(fā)明的太陽能電池進(jìn)行說明。本發(fā)明的太陽能電池為使用了本發(fā)明的第1或第2形態(tài)的太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板的太陽能電池。本發(fā)明的太陽能電池可以是具備非晶硅系及微晶硅系的任一種的光電轉(zhuǎn)換層的太陽能電池。此外，可以是單體結(jié)構(gòu)及級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)的任一種的結(jié)構(gòu)。其中優(yōu)選級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)的太陽能電池。作為本發(fā)明的太陽能電池的優(yōu)選形態(tài)之一，可例舉依次層疊了本發(fā)明的第1或第2形態(tài)的太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板、第1光電轉(zhuǎn)換層、第2光電轉(zhuǎn)換層和背面電極層的級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)的太陽能電池。圖3為表示使用了本發(fā)明的第1形態(tài)的太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板的級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)的太陽能電池的一例的模式截面圖。圖3所圖示的是太陽能電池的入射光側(cè)位于圖的下側(cè)的狀態(tài)。圖3所示的太陽能電池100具備本發(fā)明的第1形態(tài)的太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板10、由第1光電轉(zhuǎn)換層22及第2光電轉(zhuǎn)換層24形成的半導(dǎo)體層(光電轉(zhuǎn)換層)26和背面電極層28。這是級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)的薄層太陽能電池的通常結(jié)構(gòu)。太陽能電池100中，光從太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板IO側(cè)入射。第1光電轉(zhuǎn)換層22及第2光電轉(zhuǎn)換層24分別具有從入射光側(cè)開始依次層疊了P層、i層及n層的pin結(jié)構(gòu)。這里，位于入射光側(cè)的第1光電轉(zhuǎn)換層22利用帶隙Eg大的非晶硅形成p層、i層及n層。另一方面，位于相對(duì)于入射光更下游側(cè)的第2光電轉(zhuǎn)換層24利用帶隙Eg小的單晶硅、多晶硅、微晶硅等結(jié)晶硅形成p層、i層及n層。圖3中，第2光電轉(zhuǎn)換層24僅由l層構(gòu)成，但也可以通過帶隙Eg互不相同的光電轉(zhuǎn)換層多層層疊而構(gòu)成。第2光電轉(zhuǎn)換層由多層光電轉(zhuǎn)換層層疊構(gòu)成時(shí)，以帶隙Eg從入射光側(cè)向下游逐漸變小的條件進(jìn)行層疊。入射太陽能電池100的光被第1光電轉(zhuǎn)換層22及第2光電轉(zhuǎn)換層24的任一層吸收，通過光電導(dǎo)效應(yīng)產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)。由此產(chǎn)生的電動(dòng)勢(shì)以作為太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板10的透明導(dǎo)電膜的第2氧化錫層20和背面電極層28作為電極被獲取至外部。由于太陽能電池100具有帶隙Eg互不相同的第1光電轉(zhuǎn)換層22和第2光電轉(zhuǎn)換層24，所以可在廣譜范圍內(nèi)有效地利用太陽光能量，光電轉(zhuǎn)換效率良好。通過以帶隙Eg從入射光側(cè)開始向下游側(cè)逐漸變小的條件層疊Eg互不相同的光電轉(zhuǎn)換層而設(shè)置第2光電轉(zhuǎn)換層，可使該效果更加顯著。太陽能電池可具備其它的層。例如，可在背面電極層28和第2光電轉(zhuǎn)換層24之間具備接觸改善層。通過設(shè)置接觸改善層，可使背面電極層28和第2光電轉(zhuǎn)換層24間的接觸性提高。圖3所示的級(jí)聯(lián)型太陽能電池與現(xiàn)有的單體型非晶硅系太陽能電池相比，光電轉(zhuǎn)換效率更佳。本發(fā)明中，由于使用了氧化錫層中的近紅外光的吸收量少、光電轉(zhuǎn)換效率優(yōu)良的太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板，因此可有效發(fā)揮級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)的太陽能電池的優(yōu)點(diǎn)。圖3所示的太陽能電池可通過以往公知的方法制造。例如，可例舉在太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板IO上采用等離子體CVD法依次形成第l光電轉(zhuǎn)換層22及第2光電轉(zhuǎn)換層24后，采用濺射法形成背面電極層28的方法。形成接觸改善層時(shí)優(yōu)選采用濺射法。實(shí)施例1.太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板的制造(實(shí)施例1)采用在通過網(wǎng)帶(meshbelt)運(yùn)送基體的隧道(tunnel)式加熱爐中安裝了多個(gè)氣體供給裝置的離線式CVD裝置，制造了太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板。具體如下所示，在玻璃基體上依次形成氧化鈦層、氧化硅層、未摻雜氟的第1氧化錫層、摻雜了氟的第2氧化錫層及摻雜了氟的第3氧化錫層，獲得玻璃基板上層疊了上述5層的太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板。首先，在運(yùn)送玻璃基體的同時(shí)將其在加熱區(qū)加熱至55(TC。然后，利用氣體供給裝置，對(duì)經(jīng)過加熱的基體吹拂成為氧化鈦層的原料的氣化的四異丙氧基鈦和作為載氣的氮?dú)?，在被運(yùn)送狀態(tài)下的基體的表面形成氧化鈦層。氧化鈦層的膜厚為12nm。四異丙醇鈦進(jìn)入保溫于IO(TC左右的起泡槽，利用氮?dú)夤呐菔蛊錃饣儆貌讳P鋼配管運(yùn)送至氣體供給裝置。接著，將表面形成了氧化鈦層的基體再次加熱至55(TC后，利用氣體供給裝置吹拂成為氧化硅層的原料的硅垸氣體、氧氣和作為載氣的氮?dú)?，在被運(yùn)送狀態(tài)下的基體的氧化鈦層的表面形成氧化硅層。氧化硅層的膜厚為30nm。然后，將表面形成了氧化硅層的基體再次加熱至54(TC后，利用氣體供給裝置吹拂成為第l氧化錫層的原料的四氯化錫、水和作為載氣的氮?dú)?，在被運(yùn)送狀態(tài)下的基體的氧化硅層的表面形成未摻雜氟的第1氧化錫層。四氯化錫進(jìn)入保溫于55t:左右的起泡槽，利用氮?dú)馐蛊錃饣?，再用不銹鋼配管運(yùn)送至氣體供給裝置。另外，水通過加熱沸騰而形成水蒸氣，用另一不銹鋼配管將該水蒸氣運(yùn)送至氣體供給裝置。接著，將表面形成了第1氧化錫層的基體再次加熱至54(TC后，利用氣體供給裝置吹拂成為第2氧化錫層的原料的四氯化錫、水、氟化氫和作為載氣的氮?dú)猓诒贿\(yùn)送狀態(tài)下的基體的第1氧化錫層的表面形成摻雜了氟的第2氧化錫層。四氯化錫和水通過與第1氧化錫層同樣的方法運(yùn)送至氣體供給裝置。氟化氫是將氣化的氟化氫通過不銹鋼配管運(yùn)送至氣體供給裝置，以與四氯化錫混合的狀態(tài)供至第l氧化錫層上。然后，將表面形成了第2氧化錫層的基體再次加熱至54(TC后，利用氣體供給裝置吹拂成為第3氧化錫層的原料的四氯化錫、水、氟化氫和作為載氣的氮?dú)?，在被運(yùn)送狀態(tài)下的基體的第2氧化錫層的表面形成摻雜了氟的第3氧化錫層。四氯化錫、水和氟化氫通過與第2氧化錫層同樣的方法運(yùn)送至氣體供給裝置。所得的第3氧化錫層的膜表面均勻地具有微細(xì)的凹凸(紋理)。在第l氧化錫層、第2氧化錫層和第3氧化錫層的任一層中，四氯化錫和水的混合比以摩爾比計(jì)都是H20/SnCh二80。第1氧化錫層、第2氧化錫層和第3氧化錫層的任一層的厚度都為270nra，合計(jì)為810rnn。此外，第2氧化錫層及第3氧化錫層中的氟化氫的添加量以摩爾比計(jì)都是HF/SnCl4=0.4。形成了第3氧化錫層的基體在運(yùn)送的同時(shí)通過緩冷區(qū)，被冷卻至室溫附近，獲得了太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板。(實(shí)施例25及比較例17)除了第1氧化錫層、第2氧化錫層和第3氧化錫層的厚度、HF/SnCl4摩爾比及H20/SnCl4摩爾比如表l所示以外，通過與實(shí)施例1同樣的方法，獲得了太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板。比較例17的摻雜了氟的第1氧化錫層的形成除了HF/SnCh摩爾比如表1所示以外，按照與實(shí)施例1的第2氧化錫層的形成相同的方法實(shí)施。2.物性評(píng)價(jià)對(duì)于以上獲得的太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板，如下所述評(píng)價(jià)物性。(1)氧化錫層中的氟濃度分布對(duì)于從太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板切出的測(cè)定用試樣，用SIMS(ADEPT1010型，ULVAC-PHI公司制)測(cè)定氧化錫層中的深度方向的氟濃度分布。氟濃度以相對(duì)于Sn0—2次離子的F2次離子的計(jì)數(shù)比(19F/120Sn)進(jìn)行評(píng)價(jià)。具體來講，測(cè)定從氧化錫層的與氧化硅層的界面起至200nm為止的區(qū)域(l)、從氧化錫層的表面起至300nm為止的區(qū)域(3)及區(qū)域(1)和區(qū)域(3)之間的區(qū)域(2)的氟濃度，算出厚度方向的平均值。SIMS分析的條件是蝕刻離子02，加速電壓5kV，束電流200nA。結(jié)果示于表1。由于從制膜裝置供給的原料氣體的流量在基板的寬度方向的整個(gè)范圍內(nèi)均一，且基板的行進(jìn)方向上無理論上的流量變化，因此認(rèn)為在整個(gè)基板的各部分無原料濃度的變化。因此，選擇切出基板的具有代表性的部分作為測(cè)定用試樣。(2)C光源霧度值對(duì)于從太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板切出的測(cè)定用試樣，采用霧度值測(cè)定計(jì)(HZ-1型，須賀試驗(yàn)機(jī)株式會(huì)社制)測(cè)定C光源霧度值。結(jié)果示于表1。這里，C光源是指國際照明委員會(huì)(CIE:ComissionInternationaldeI，Eclairage)確定的標(biāo)準(zhǔn)光。它被用于表示被近似色溫6774k的白晝光照射的物體色的場(chǎng)合。此外，霧度值是指擴(kuò)散透射率以Td表示、垂直透射率以Tn表示時(shí)用(Td-Tn)/Td的式子所表達(dá)的比例以百分比表示的值。整個(gè)基板的霧度值在視覺上大致均一，因此選擇切出基板的具有代表性的部分，將其作為測(cè)定用試樣。(3)近紅外光的吸收量對(duì)于從太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板切出的測(cè)定用試樣，采用分光光度計(jì)(UV3100PC島津制作所制)測(cè)定光譜透射率反射率。測(cè)定具有霧度的基板時(shí)，易發(fā)生光被捕獲入氧化錫膜內(nèi)再從試樣端部漏出的現(xiàn)象。因此，霧度值越高的基板其測(cè)定值在表觀上越低。為了防止上述測(cè)定誤差的出現(xiàn)，采用實(shí)質(zhì)上除去霧度的方法(IM法)來準(zhǔn)備測(cè)定試樣，該方法是使合成石英基板密合于基板的氧化錫膜面，再用高折射率溶液(二碘甲烷(diiodemethane))填滿空隙。首先，測(cè)定透射率和反射率后，用100%減去這些值，求出包含玻璃基板、底涂(underxoating)層(玻璃基體和氧化錫層之間的層)、氧化錫層的全部的吸收性的值。然后，對(duì)通過蝕刻除去了基板的氧化錫膜(玻璃基體+底涂層)的試樣實(shí)施同樣的測(cè)定和計(jì)算，求出來自玻璃基體，底涂層的吸收成分的值。從先前求出的整體吸收值減去該值近似地求出僅氧化錫層的光譜吸收率。來自自由電子的吸收量在700nm附近產(chǎn)生，向近紅外增加。作為顯現(xiàn)該成分對(duì)透射率的影響的指標(biāo)，選擇lOOOnm下的吸收量，評(píng)價(jià)質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)。<table>tableseeoriginaldocumentpage23</column></row><table>從表l可看出，本發(fā)明的太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板(實(shí)施例15)即使在基體和氧化硅層之間存在氧化鈦層的情況下，霧度值也較高。本發(fā)明的太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板的與氧化硅層的界面附近的氟濃度低。這被認(rèn)為是霧度值高的原因之一。此外，測(cè)定電阻和近紅外光的吸收量，本發(fā)明的太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板(實(shí)施例15)與比較例的太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板相比，電阻低且近紅外光的吸收量少。本發(fā)明如實(shí)施例所示，可以保持10%以上的高霧度值，且同時(shí)顯現(xiàn)1000nm的吸收率不到10%的值。此外，如實(shí)施例所示，即使霧度值在13%40%的范圍內(nèi)發(fā)生較大變化，吸收率也可固定在78左右的低值，因此即使按照太陽能電池所要求的霧度值來制作透明導(dǎo)電性基板，也能夠提供近紅外光的吸收率為同等程度的低值的基板。產(chǎn)業(yè)上利用的可能性本發(fā)明的氧化錫層的電阻小、氧化錫層的近紅外光的吸收量少、即使在基體和氧化硅層之間存在氧化鈦層時(shí)霧度值也不會(huì)下降的太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板在光電轉(zhuǎn)換效率高的太陽能電池的制作中極其有用。這里引用了2005年11月17日提出申請(qǐng)的日本專利申請(qǐng)2005-333185號(hào)說明書、權(quán)利要求書、附圖及摘要的全部?jī)?nèi)容作為本發(fā)明的說明書的揭示。2權(quán)利要求1.太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板，它是基體上從所述基體側(cè)開始至少依次具備氧化硅層以及與該氧化硅層鄰接的多層層疊的氧化錫層這2種層的太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板，其特征在于，所述多層層疊的氧化錫層中，至少分別具有1層摻雜了氟的氧化錫層和未摻雜氟的氧化錫層。2.如權(quán)利要求l所述的太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板，其特征在于，作為與所述氧化硅層鄰接的氧化錫層的第1氧化錫層是所述未慘雜氟的氧化錫層。3.如權(quán)利要求2所述的太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板，其特征在于，所述第1氧化錫層中的氟濃度為所述摻雜了氟的氧化錫層中的氟濃度的20%以下。4.如權(quán)利要求2或3所述的太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板，其特征在于，所述第1氧化錫層的厚度為10nm以上。5.太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板，它是基體上從所述基體側(cè)開始至少依次具備氧化硅層以及與該氧化硅層鄰接的氧化錫層這2種層的太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板，其特征在于，所述氧化錫層的厚度為6001000nm，所述氧化錫層中，從與所述氧化硅層的界面起至200nm為止的區(qū)域(l)的氟濃度為所述氧化錫層的與基體相反一側(cè)的表面起至300nm為止的區(qū)域(3)的氟濃度的20%以下，所述氧化錫層的所述區(qū)域(1)和所述區(qū)域(3)之間的區(qū)域(2)的氟濃度在所述區(qū)域(1)的氟濃度以上，且在所述區(qū)域(3)的氟濃度以下。6.如權(quán)利要求15中任一項(xiàng)所述的太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板，其特征在于，在所述基體和所述氧化硅層之間還具有氧化鈦層。7.太陽能電池，其特征在于，使用了權(quán)利要求16中任一項(xiàng)所述的太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板。8.太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板的制造方法，其特征在于，采用常壓CVD法在基體上至少依次形成氧化硅層、未摻雜氟的氧化錫層及摻雜了氟的氧化錫層這3種層，獲得太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板。9.太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板的制造方法，它是采用常壓CVD法在基體上至少依次形成氧化硅層和氧化錫層這2種層而獲得太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板的方法，其特征在于，在形成了所述氧化硅層的所述基體上，在使所述基體移動(dòng)的同時(shí)，從沿所述基體的移動(dòng)的方向配置的多個(gè)氣體供給裝置吹入氟化氫濃度從上游至下游提高的原料氣體而形成所述氧化錫層。全文摘要本發(fā)明提供氧化錫層的電阻小且氧化錫層的近紅外光的吸收量少的太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板。它是基體上從所述基體側(cè)開始至少依次具備氧化硅層以及與該氧化硅層鄰接的多層層疊的氧化錫層的太陽能電池用透明導(dǎo)電性基板，其中，所述多層層疊的氧化錫層中，至少分別具有1層摻雜了氟的氧化錫層和未摻雜氟的氧化錫層。文檔編號(hào)H01B5/14GK101310391SQ20068004274公開日2008年11月19日申請(qǐng)日期2006年11月9日優(yōu)先權(quán)日2005年11月17日發(fā)明者松井雄志申請(qǐng)人:旭硝子株式會(huì)社