專利名稱：：用于led基臺(tái)的多孔電路材料的制作方法用于LED基臺(tái)的多孔電路材料本發(fā)明涉及包括陶瓷基板和設(shè)置在其上的電路的基臺(tái)(submount),以及涉及包括至少一個(gè)發(fā)光二極管和本發(fā)明的基臺(tái)的發(fā)光器件。本發(fā)明進(jìn)一步涉及本發(fā)明中的這種基臺(tái)和這種發(fā)光器件的制造方法?；诎雽?dǎo)體的發(fā)光器件是目前可利用的最有效和最耐用的光源之一，例如基于發(fā)光二極管(LED)和激光二極管(LD)的發(fā)光器件。在基于LED的發(fā)光器件中，發(fā)光二極管通常設(shè)置在基板上，并與設(shè)置在基板上的電路連接。在效果高達(dá)每平方毫米3瓦的單一固態(tài)發(fā)光器件或總效果高達(dá)100瓦或更高的這種器件陣列的高功率應(yīng)用當(dāng)中，大量的熱從發(fā)光器件中散出。在這樣的高功率應(yīng)用當(dāng)中很容易就會(huì)達(dá)到高達(dá)250。C的溫度。這種高功率應(yīng)用要求在器件中使用特殊的材料。一方面，電路材料和基板材料都必須能經(jīng)受住高溫。另一方面，電路材料和基板材料都必須能夠處理這種器件中的高電流。對(duì)于電路來(lái)說(shuō)，這就要求材料具有高導(dǎo)電性，而對(duì)于基板來(lái)說(shuō)，這就要求材料具有良好的絕緣能力。同時(shí)，這一領(lǐng)域中的日益激烈的竟?fàn)幰蟊仨氁子谝源笈亢偷统杀镜姆绞街圃焖銎骷＿@種類型的發(fā)光器件的一個(gè)例子描述在Suehiro等人名下的美國(guó)專利申請(qǐng)US2004/0169466當(dāng)中，該申請(qǐng)所示為具有A1N基板的基于發(fā)光二極管的器件，在所述基板上通過(guò)鍍Ag形成電路。然而，US2004/0169466中所述的鍍Ag電路的熱膨脹系數(shù)遠(yuǎn)高于A1N基板的熱膨脹系數(shù)。因此，器件中的高溫度變化在器件中產(chǎn)生溫度所致的應(yīng)力，導(dǎo)致所鍍電路斷開(kāi)或所鍍電路從基板上剝落的可能性很大。在US2004/0169466中，這個(gè)問(wèn)題通過(guò)在A1N基板的背側(cè)上設(shè)置發(fā)散板(radiationplate),用以將熱量從基板導(dǎo)出到周圍的空氣當(dāng)中進(jìn)行解決。這個(gè)解決辦法降低了發(fā)生不利溫度變化的可能性。然而，這并沒(méi)有消除在發(fā)生不壽'J的溫度變化情況下所鍍電路斷開(kāi)和剝落的現(xiàn)實(shí)問(wèn)題。本發(fā)明的一個(gè)目的是要克服這一問(wèn)題，并提供一種基臺(tái)，特別是一種用于在其上設(shè)置發(fā)光二極管和/或其它散熱部件的基臺(tái)，其包括設(shè)置在基板上的電路，該基臺(tái)能抵抗高溫和溫度變化。本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供器件，特別是發(fā)光器件或其它散熱器件，其包括設(shè)置在這種基臺(tái)上的發(fā)光二極管和/或其它散熱部件，其中所述基臺(tái)能抵抗高溫和溫度變化。本發(fā)明的又一目的是要提供一種能抵抗高溫和溫度變化的上述基臺(tái)和/或器件的制造方法。本發(fā)明的又一目的是要提供可以用于制造上述這種基臺(tái)和/或器件的部件。發(fā)明者已發(fā)現(xiàn)，使用一種液體組合物可以至少部分地實(shí)現(xiàn)上述的目標(biāo)，所述液體組合物包含分散在液體介質(zhì)中的用至少一種非貴金屬摻雜的至少一種貴金屬的顆粒。本發(fā)明人已發(fā)現(xiàn)，當(dāng)在基板上設(shè)置這種液體組合物并充分加熱時(shí)，所述顆粒熔融(fuses)而液體介質(zhì)蒸發(fā)，產(chǎn)生多孔性結(jié)構(gòu)，同時(shí)非貴金屬氧化，由此在基板表面上形成多孔導(dǎo)電材料，并且該材料顯示出由于氧化所致的與基板的牢固結(jié)合。因此，本發(fā)明在第一方面涉及包括陶瓷基板和設(shè)置在其上的電路的基臺(tái)，其中所述電路包括導(dǎo)電多孔材料，所述導(dǎo)電多孔材料包括用至少一種非貴金屬摻雜的至少一種貴金屬。至少部分所述導(dǎo)電多孔材料的表面包含所述非貴金屬的氧化物，并且所述陶瓷基板通過(guò)所述非貴金屬的所述氧化物與所述多孔導(dǎo)電材料結(jié)合。通常情況下，所述多孔組合物的孔隙度范圍是25至75%。這種基臺(tái)具有超越常規(guī)基臺(tái)的若干優(yōu)點(diǎn)。例如，電路的多孔結(jié)構(gòu)使電路更具延性(ductile),并因此當(dāng)安置它的基板比如由于溫度的變化而膨脹或收縮時(shí)其不會(huì)輕易破裂。此外，非貴金屬的氧化物顯示出與陶瓷基板的牢固結(jié)合，這防止電路從基板上剝落。在本發(fā)明的基臺(tái)中，表面包含所述非貴金屬的氧化物的所述導(dǎo)電多孔材料的部分可富集所述非貴金屬。因此，電路的被氧化部分比電路的未氧化部分包含更多的非貴金屬。在非貴金屬的氧化期間，在某些情況下它們可以向正在形成的多孔材料的表面遷移，形成具有更高的所述(被氧化的)非貴金屬濃度的聚集體(aggregates)。這導(dǎo)致一系列離散的用于基板與電路之間結(jié)合的位置，這產(chǎn)生延性的電路。在本發(fā)明的實(shí)施方案中，所述至少一種貴金屬可選自于銀、金、鈀、柏、錸以及它們的組合。這一組中的貴金屬顯示出高電容(electricalcapacity),因此適合作為電路材料的主要導(dǎo)電元素。在本發(fā)明的實(shí)施方案中，所述至少一種非貴金屬可選自于鉛、釩、碲、鉍、、砷、銻、錫、4各以及它們的組合。這一組中的非貴金屬易被氧化，并且這些非貴金屬的氧化物顯示出與陶瓷基板的牢固結(jié)合。在優(yōu)選的實(shí)施方案中，貴金屬是銀，非貴金屬是鉛和釩。氧化時(shí)，鉛和釩一起形成提供與基板牢固結(jié)合的釩酸鉛玻璃。在本發(fā)明的實(shí)施方案中，陶瓷基板可以包括選自于氮化鋁和碳化硅的材料。一般而言，比起諸如氧化鋁或二氧化硅基板的氧化物基板來(lái)說(shuō)，優(yōu)選的是非氧化物基板，例如上面所提到的那些，但不限于此，這是由于非氧化物基板與電路中被氧化的非貴金屬形成更牢固的結(jié)合。在本發(fā)明的實(shí)施方案中，形成電路的導(dǎo)電多孔材料的熱膨脹系數(shù)可以與所述陶資基板的熱膨脹系數(shù)相匹配。有利的是，基板材料和電路材料的熱膨脹系數(shù)是匹配的，因?yàn)檫@進(jìn)一步緩解在電路與基板之間的結(jié)合上由溫度變化所致的應(yīng)力。進(jìn)一步有利的是，電路材料和與電路相連的任何散熱電氣部件的熱膨脹系數(shù)是匹配的，因?yàn)檫@會(huì)進(jìn)一步緩解在電路與這種電氣部件之間的結(jié)合上由溫度變化所致的應(yīng)力。在第二方面中，本發(fā)明提供一種發(fā)光器件，所述發(fā)光器件包括本發(fā)明的基臺(tái)和設(shè)置在基臺(tái)上并與電路電連接的至少一個(gè)發(fā)光二極管。在第三方面中，本發(fā)明提供用于發(fā)光二極管的基臺(tái)的制造方法。這樣的方法可以包括提供陶瓷基板；在所述陶瓷基板上設(shè)置組合物的電路圖案，該組合物包含用至少一種非貴金屬摻雜的至少一種貴金屬的顆粒，所述顆粒被分散在液體介質(zhì)中；以及在至少部分液體介質(zhì)被蒸發(fā)和至少部分所述非貴金屬被氧化的溫度下加熱所述組合物。在液體組合物中，在顆粒表面的部分貴金屬^皮氧化。然而，當(dāng)加熱時(shí)，被氧化的貴金屬釋放其氧原子。另一方面，在這一加熱過(guò)程中摻雜到貴金屬內(nèi)的非貴金屬變得更被氧化，提供了經(jīng)由所述氧化物的氧原子與陶瓷基板結(jié)合的機(jī)會(huì)。在這一加熱步驟期間，組合物的顆粒熔融到一起，且由于液體介質(zhì)(通常是油)的蒸發(fā)，該加熱之后留下的結(jié)構(gòu)為結(jié)合到基板表面的多孔導(dǎo)電材料。在本發(fā)明的實(shí)施方案中，所述至少一種貴金屬可選自于銀、金、鈀、鈿、錸以及它們的組合。這一組中的貴金屬顯示出高電容，因此適合作為電路材料的主要導(dǎo)電元素。此外，這些貴材料(noblematerials)的氧化物在所述非貴金屬易被氧化的溫度下釋放它們的氧。在本發(fā)明的實(shí)施方案中，所述至少一種非貴金屬可選自于鉛、釩、碲、鉍、砷、銻、錫、鉻以及它們的組合。這一組中的非貴金屬在被氧化的貴材料釋放它們的氧原子的溫度下易被氧化，并且這些非貴金屬的氧化物顯示出與陶瓷基板的牢固結(jié)合。在本發(fā)明的實(shí)施方案中，加熱是在約250。C至約500。C的溫度范圍進(jìn)行的，通常介于300至450。C之間。通常來(lái)說(shuō)，加熱進(jìn)行的時(shí)間為3至25分鐘，例如為5至20分鐘，如10至15分鐘。在第四方面中，本發(fā)明提供發(fā)光器件的制造方法，該方法可以包括根據(jù)本發(fā)明的基臺(tái)的制造方法；在基板上設(shè)置至少一個(gè)發(fā)光二極管；和使所述至少一個(gè)發(fā)光二極管與電路電連接。在本發(fā)明的實(shí)施方案中，在加熱過(guò)程中可將至少一個(gè)發(fā)光二極管設(shè)置到陶瓷基板上，使得借助于該加熱該至少一個(gè)發(fā)光二極管與電路電連接并與基臺(tái)結(jié)合。在第五方面中，本發(fā)明提供了包含用至少一種非貴金屬摻雜的至少一種貴金屬的顆粒的組合物用于制造本發(fā)明的基臺(tái)或其它器件的用途，其中所述顆粒被分散在液體介質(zhì)當(dāng)中。現(xiàn)在參考附圖對(duì)本發(fā)明的這些以及其它方面進(jìn)行更詳細(xì)的描述，所述附圖顯示的是目前本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方案。附圖不是按比例繪制的，且為了方便辨認(rèn)，一些尺寸或一些部件的大小可能是夸大的。圖la所示為本發(fā)明的發(fā)光器件的透視圖，所述發(fā)光器件包括本發(fā)明的基臺(tái)和設(shè)置在其上的發(fā)光二極管。圖lb為沿圖la中的線I-I的截面圖。圖2為根據(jù)本發(fā)明得到的電路材料的SEM照片(掃描電子顯微鏡)，顯示出了該材料的多孔結(jié)構(gòu)，其中箭頭A表示材料中富集(被氧化的)非貴金屬的部分，即，材料的其中非貴金屬的含量較高的部分。本發(fā)明的發(fā)光器件100示于圖la和lb。該器件包括本發(fā)明的基臺(tái)，所述基臺(tái)包括基板101和設(shè)置在其上的電路102。由此在合適的區(qū)域上，發(fā)光二極管(LED)103與基板101物理連結(jié)，并通過(guò)導(dǎo)電的焊料凸點(diǎn)(solderbumps)104電連接至電路102。任選的是，為了從器件中導(dǎo)出熱量，可以在基板101的底側(cè)設(shè)置散熱器(heatsink)105，例如在對(duì)應(yīng)于LED103位置的位置上進(jìn)行設(shè)置?；?01可以是本領(lǐng)域的技術(shù)人員眾所周知的、適合用作發(fā)光二極管或其它散熱電氣部件的基板的任何陶瓷材料。合適的陶瓷基板的例子包括氧化鋁、石英、鋯酸鈣、鎂橄欖石(frostbite)、SiC、石墨、熔融二氧化硅(fusedsilica)、莫來(lái)石(mulite)、堇青石、氧化鋯、氧化鈹和氮化鋁(A1N)。優(yōu)選的是，基板由A1N或SiC制成。陶瓷基板由于具有良好的電絕緣性能和高導(dǎo)熱性能而是優(yōu)選的。由此對(duì)于設(shè)置在基臺(tái)上的電氣部件可以容許高驅(qū)動(dòng)電流。同時(shí)，由這種電氣部件散發(fā)的熱被有效地從器件中導(dǎo)出。如在下文中將討論的那樣，非氧化物基板是優(yōu)選的，因?yàn)樗鼈兲峁┡c電路的牢固結(jié)合。A1N是優(yōu)選的基板材料，因?yàn)樗哂辛己玫碾娊^緣性能，同時(shí)結(jié)合了高導(dǎo)熱性能和相對(duì)低的熱膨脹系數(shù)。電路103包括導(dǎo)電多孔材料，該導(dǎo)電多孔材料包含用至少一種非貴金屬摻雜的至少一種貴金屬。至少部分所述導(dǎo)電多孔材料的表面包含所述非貴金屬的氧化物。通常，陶瓷基板101通過(guò)所述非貴金屬的所述氧化物與多孔導(dǎo)電材料結(jié)合。用于本發(fā)明的金屬的例子包括在空氣和/或水的存在下在高達(dá)至少300。C溫度下不發(fā)生氧化的金屬。這種金屬的例子包括貴金屬，如Ag、Au、Pt、Pd和Re以及這些的組合。銀(Ag)由于具有高電導(dǎo)率和高熱導(dǎo)率而是優(yōu)選的金屬。由此對(duì)于與電路連接的電氣部件可以容許高驅(qū)動(dòng)電流。同時(shí)，由這種電氣部件散發(fā)的熱被有效地從器件中導(dǎo)出。電路材料還包含表面包含被氧化的非貴金屬的部分，所述被氧化的非貴金屬是例如鉛、釩、碲、鉍、砷、銻、錫、鉻及其組合的氧化物。通常，這些氧化物形成所述材料表面上的玻璃相。非貴金屬的一個(gè)優(yōu)選的組合為鉛和釩，其在氧化態(tài)形成在部分電路表面上的釩酸鉛玻璃相。電路材料具有多孔結(jié)構(gòu)。電路材料的孔隙度范圍通常是約25至約75%,例如在約40至60%的范圍。也可以采用具有更高及更低孔隙度的電路材料。有利的是，選擇電路材料的孔隙度和組成比，使得電路材料的熱膨脹系數(shù)與基板材料的熱膨脹系數(shù)相匹配。這里，電路材料的多孔結(jié)構(gòu)是有利的，因?yàn)檫@使得電路比非多孔形式更具延性。本文中的術(shù)語(yǔ)"匹配的熱膨脹系數(shù)"涉及電路的熱膨脹系數(shù)(CTE)與基板材料的熱膨脹系數(shù)之間的差。為了達(dá)成匹配，該差應(yīng)如此之小，以致因?yàn)檫@兩種材料之間的熱膨脹系數(shù)存在差異，而由溫度變化所致的應(yīng)力不會(huì)造成電路斷開(kāi)或電路從基板上剝落。此外，還應(yīng)該優(yōu)選使電路材料的熱膨脹系數(shù)與設(shè)置在基臺(tái)上且與電路連接的任何散熱電氣部件的熱膨脹系數(shù)相匹配，這種散熱電氣部件例如為發(fā)光二極管。如果基板材料的熱膨脹系數(shù)不同于散熱電氣部件(發(fā)光二極管)的熱膨脹系數(shù)，則電路材料的熱膨脹系數(shù)應(yīng)處于基板材料熱膨脹系數(shù)與散熱電氣部件熱膨脹系數(shù)之間。通常情況下，如在下面優(yōu)選制造方法的記載中更詳細(xì)地描述的那樣，作為液體組合物在基板表面上施加電路，所述液體組合物包含在通常為油的液體介質(zhì)中的用非貴金屬摻雜的貴金屬顆粒。然后將設(shè)置到基板上的液體組合物加熱到非貴金屬氧化且油從液體組合物中蒸發(fā)的溫度。冷卻后所留下的是多孔及固態(tài)/無(wú)定形的電路材料，它具有關(guān)于熱膨脹系數(shù)、熱導(dǎo)率和電導(dǎo)率的理想性能。此外，在該加熱過(guò)程期間，被氧化的非貴金屬牢固地結(jié)合到基板材料，由此，所得到的電路被機(jī)械地緊固到基板表面上。非貴金屬的氧化物與基板材料牢固結(jié)合，特別是在基板材料為非氧化物陶瓷材料，該表面易于結(jié)合氧的情況下。除了所得到的牢固的機(jī)械結(jié)合外，在氧化過(guò)程期間非貴金屬和與電路接觸的材料之間的結(jié)合還提供了對(duì)可用作封裝物(encapsulants)的材料的良好結(jié)合，所述封裝物用于將光耦合出LED,例如玻璃或陶瓷封裝物。所述電路材料還可以適合于附加部件與基臺(tái)的結(jié)合及光學(xué)連接。例如在某些情況下，可能希望在基臺(tái)上設(shè)置的LED的頂上連接光學(xué)部件，例如折射元件，例如透鏡或散射部件。特別是在這種部件由陶瓷或玻璃材料制成的情況下，所述電路材料可以提供基臺(tái)和這種光學(xué)部件之間的良好的光學(xué)耦合以及機(jī)械性的牢固連接。此外，電路材料的貴金屬通常是反射性的，通過(guò)在基板表面附近接近LED設(shè)置這種材料，由LED發(fā)出的光可以在電路材料中被反射，從而提高器件的光利用率。在本發(fā)明的發(fā)光器件中可以使用任何類型的發(fā)光二極管(LED)103,包括基于無(wú)機(jī)的LED、基于有機(jī)的LED(OLED)和基于聚合物的LED(polyLED)。此外，本發(fā)明的發(fā)光器件在每個(gè)基臺(tái)上可以包括多于一個(gè)的LED。尤其是，如本領(lǐng)域的技術(shù)人員將會(huì)意識(shí)到的那樣，優(yōu)選無(wú)機(jī)LED，其至少在短時(shí)間段上可以經(jīng)受住用于制造電路的高溫(~250-500。C)。圖1中示出倒裝型(flip-chiptype)LED，陽(yáng)極和陰極連接器均設(shè)置在LED的下側(cè)。然而，也可以使用其它類型的LED，例如自上而下型(t叩-to-bottomtype)的LED,陽(yáng)極和陰極連接器設(shè)置在LED的相對(duì)側(cè)上。所述電路材料良好地適用于焊線(wirebonds)的附著，例如來(lái)自自上而下LED頂側(cè)的焊線的附著。本發(fā)明的基臺(tái)用于高功率的LED是特別有利的，例如效果高達(dá)3瓦/mn^或更高的LED,因?yàn)檫@種LED在運(yùn)轉(zhuǎn)當(dāng)中散熱很多，并且本發(fā)明的基臺(tái)特別設(shè)計(jì)用于處理高電流和高溫度變化。如圖1所示，LED通過(guò)焊料凸點(diǎn)104與電路連接。這種焊料凸點(diǎn)可以是本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的任何適當(dāng)?shù)牟牧?，包括但不限于銦、金、AuSn、PbSn、SnAgCu、BiSn、PbAg和AgCu。然而，在本發(fā)明的一些實(shí)施方案中，可以省去焊料凸點(diǎn)104，或者使之由電路材料制成。例如，當(dāng)采用耐高溫的LED(或待與電路連接的其它電氣部件)時(shí)，可以在加熱步驟之前將它們安置成與液體電路組合物相接觸，從而使得它們?cè)谘趸^(guò)程期間存在。這使LED與電路之間產(chǎn)生牢固的機(jī)械結(jié)合，且如上所述，在LED與電路之間(以及通過(guò)被氧化的電路材料而與基板之間)產(chǎn)生良好的光學(xué)耦合。如上所述的基臺(tái)(即，基板和設(shè)置在其上的電路)形成了本發(fā)明的優(yōu)選方面。如上所述包括本發(fā)明的基臺(tái)和與之連接的LED的發(fā)光器件，形成本發(fā)明的另一優(yōu)選方面。用來(lái)形成電路的液體組合物包含用至少一種非貴金屬摻雜的至少一種貴金屬的顆粒，所述顆粒被分散在液體介質(zhì)當(dāng)中。所述貴金屬和非貴金屬如先前所披露的那樣進(jìn)行選擇。通常情況下，該液體介質(zhì)為油。液體介質(zhì)有利的是應(yīng)該能夠在250至500。C、通常為300至450。C的溫度范圍進(jìn)行蒸發(fā)。所述金屬在液體組合物中存在的形式優(yōu)選為尺寸范圍是約l-100pm的顆粒，例如為約1至約10nm大小的細(xì)顆粒，如約1至約5^m。或者，金屬的形式為薄片，其厚度為約1至約10pm,例如為約1至約5pm,通常為2卞m左右，且其直徑為約10至約lOO^im,例如為約10至約50通常為30jim左右。適于使用形式的液體組合物的粘度取決于預(yù)期的施加方法，并且可以從噴墨印刷施加的1mPas數(shù)量級(jí)到模版印刷(stencilprinting)施加的10-100Pas變化。已在實(shí)踐中成功應(yīng)用的這種液體組合物的一個(gè)例子包含作為貴金屬的銀的顆粒，摻雜有作為非貴金屬的鉛和釩。上述的液體組合物在本發(fā)明基臺(tái)制造中的用途形成了本發(fā)明的優(yōu)選方面。通常是通過(guò)包含以下的方法制造本發(fā)明的基臺(tái)(i)提供陶瓷基板材料；(ii)在基板材料上設(shè)置液體組合物的電路圖案，所述液體組合物包含用非貴金屬摻雜的貴金屬的顆粒；和(iii)在這樣的溫度下加熱該液化，例如從而形成i璃相，導(dǎo)致-生自支撐的^孔導(dǎo)電固體/無(wú)定形二合物。在本方法中，基板和液體組合物如上文所述。用于形成玻璃相和蒸發(fā)液體介質(zhì)的溫度可以為約250。C至約500。C。通常，該溫度為約350。C。通常將基臺(tái)置于該溫度下達(dá)約3至約20分鐘的一l殳時(shí)間，例如約10分鐘，以充分地蒸發(fā)液體介質(zhì)和氧化非貴金屬?；蛘撸赡苄枰L(zhǎng)或更短的時(shí)間以達(dá)到，或者更長(zhǎng)或更短的時(shí)間已足以達(dá)到，所需的最終結(jié)果?？梢酝ㄟ^(guò)任何適當(dāng)?shù)姆椒▽⒁后w組合物設(shè)置到基板上，包括但不限于噴墨印刷、針轉(zhuǎn)移、分配(dispensing)和模版印刷。用于基臺(tái)制造的方法形成了本發(fā)明的優(yōu)選方面。圖2顯示的是通過(guò)本發(fā)明的方法在A1N基板上得到的多孔電路材料的SEM圖像。該SEM圖像中的刻度標(biāo)記相當(dāng)于50pm的距離。為了得到該多孔結(jié)構(gòu)，液體組合物的顆粒包含大約97.2%(w/w)的Ag、0.6%(w/w)的V和2.2%(w/w)的Pb，相當(dāng)于大約97.5摩爾。/。Ag、1.25摩爾。/。V和1.25摩爾。/oPb。顆粒占液體組合物的大約50體積％。將所述組合物設(shè)置到A1N基板上，并在350。C加熱15分鐘。由此得到的圖2中的多孔結(jié)構(gòu)包含了若干暗色部分(箭頭A所示處)，其是多孔材料具有釩酸鉛玻璃(被氧化的非貴金屬)表面的部分。該圖像清楚地表明形成了許多這種離散的部分。對(duì)所形成的結(jié)構(gòu)進(jìn)行元素分析，總組成如下面表l所示，其中A1部分來(lái)自于A1N基板。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>*在該元素分析中沒(méi)有檢測(cè)氧和氮的貢獻(xiàn)。從這些結(jié)果顯而易見(jiàn)，Ag、V和Pb之間的元素比例接近其初始值。對(duì)SEM圖像中由箭頭A所指處的部分單獨(dú)進(jìn)行元素分析，該暗色部分的組成如下面表1所示，其中Al部分來(lái)自于A1N基板。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>*在該元素分析中沒(méi)有檢測(cè)氧和氮的貢獻(xiàn)。這些結(jié)果清楚地顯示了在多孔材料的暗色區(qū)域中非貴金屬V和Pb的富集。造。在一個(gè)實(shí)施方案中，如上文所述制造基臺(tái)，按本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的常規(guī)方法，借助于焊料凸點(diǎn)使一個(gè)LED或多個(gè)LED與電路連接。在另一實(shí)施方案中，通過(guò)在上文的基臺(tái)制造方法中的步驟(ii)及步驟(iii)之間在基板上設(shè)置一個(gè)LED(或多個(gè)LED),使得LED在加熱步驟期間存在，并因此在玻璃形成過(guò)程期間電連接到和任選地光學(xué)連接到電路，制造發(fā)光器件。這里產(chǎn)生了牢固的LED-電路連接。此外，可以省卻常規(guī)使用的焊料凸點(diǎn)以及單獨(dú)的焊接(soldering)步驟。本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以意識(shí)到，本發(fā)明絕不限于上文所述的優(yōu)選實(shí)施方案。相反，在所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)可以作出多種修改和變動(dòng)。例如，本發(fā)明的基臺(tái)并不局限于與發(fā)光二極管結(jié)合使用。本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以意識(shí)到，這種基臺(tái)也可以與任何電氣部件結(jié)合使用，尤其有利的是與散熱電氣部件結(jié)合使用，通常是半導(dǎo)體部件，例如非發(fā)光二極管、晶體管等。本發(fā)明的器件還可以包括附加的部件。此外，本發(fā)明的器件通常與提供驅(qū)動(dòng)電氣部件的電流的驅(qū)動(dòng)單元連接或可與之連接?？傊?，本發(fā)明涉及包括陶瓷基板和設(shè)置在其上的電路的基臺(tái)，其中所述電路包括導(dǎo)電多孔材料，該導(dǎo)電多孔材料包含用至少一種非貴金屬摻雜的至少一種貴金屬，至少部分所述導(dǎo)電多孔材料的表面包含所述非貴金屬的氧化物，且所述陶瓷基板經(jīng)由所述非貴金屬的所述氧化物與所述多孔導(dǎo)電材料結(jié)合。權(quán)利要求1.一種基臺(tái)，包括陶瓷基板(101)和設(shè)置在其上的電路(102)，其特征在于所述電路(102)包括導(dǎo)電多孔材料，該導(dǎo)電多孔材料包含用至少一種非貴金屬摻雜的至少一種貴金屬，至少部分所述導(dǎo)電多孔材料的表面包含所述非貴金屬的氧化物，和所述陶瓷基板經(jīng)由所述非貴金屬的所述氧化物結(jié)合到所述多孔導(dǎo)電材料。2.根據(jù)權(quán)利要求1的基臺(tái)，其中，表面包含所述非貴金屬的氧化物的所述導(dǎo)電多孔材料的所述部分富集所述非貴金屬。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的基臺(tái)，其中所述多孔組合物的孔隙度范圍是25至75%。4.根據(jù)前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的基臺(tái)，其中所述貴金屬選自于銀、金、鈀、柏、錸以及它們的組合。5.根據(jù)前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的基臺(tái)，其中所述非貴金屬選自于4&、釩、碲、敘、、砷、4弟、錫、4各以及它們的組合。6.根據(jù)前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的基臺(tái)，其中所述至少一種貴金屬是銀，所述至少一種非貴金屬是鉛和釩。7.根據(jù)前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的基臺(tái)，其中所述陶瓷基板(101)包括選自于氮化鋁和^碳化硅的材料。8.根據(jù)前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的基臺(tái)，其中所述導(dǎo)電多孔材料的熱膨脹系數(shù)與所述陶瓷基板的熱膨脹系數(shù)相匹配。9.一種發(fā)光器件(IOO),包括根據(jù)前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的基臺(tái)，和設(shè)置在所述基臺(tái)上并與所述電路(102)電連接的至少一個(gè)發(fā)光二極管(103)。10.基臺(tái)的制造方法，包括提供陶瓷基板；在所述陶資基板上設(shè)置組合物的電路圖案，該組合物包含用至少一種非貴金屬摻雜的至少一種貴金屬的顆粒，所述顆粒被分散在液體介質(zhì)中；和在至少部分所述液體介質(zhì)被蒸發(fā)和至少部分所述非貴金屬被氧化的溫度下加熱所述組合物。11.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其中所述貴金屬選自于銀、金、4巴、鉬、一昧以及它們的組合。12.根據(jù)權(quán)利要求10至ll任一項(xiàng)的方法，其中所述非貴金屬選自于鉛、釩、碲、鉍、砷、銻、錫、鉻以及它們的組合。13.根據(jù)權(quán)利要求10至12任一項(xiàng)的方法，其中所述至少一種貴金屬是銀，所述至少一種非貴金屬是鉛和釩。14.根據(jù)權(quán)利要求10至13任一項(xiàng)的方法，其中所述陶瓷基板(101)包括選自于氮化鋁和碳化硅的材料。15.根據(jù)權(quán)利要求10至14任一項(xiàng)的方法，其中所述加熱是在約250。C至約500。C的溫度范圍進(jìn)行的。16.根據(jù)權(quán)利要求10至15任一項(xiàng)的方法，其中所述加熱進(jìn)行的時(shí)間為3至25分鐘。17.根據(jù)權(quán)利要求10至16任一項(xiàng)的方法，其中通過(guò)印刷將所述組合物設(shè)置到所述陶資基板上。18.發(fā)光器件的制造方法，包括根據(jù)權(quán)利要求10至17任一項(xiàng)的方法，還包括在所述基板上設(shè)置至少一個(gè)發(fā)光二極管；和使所述至少一個(gè)發(fā)光二極管與所述電路電連接。19.根據(jù)權(quán)利要求18的發(fā)光器件的制造方法，其中在所述加熱期間將至少一個(gè)發(fā)光二極管設(shè)置到所述陶資基板上，從而使所述至少一個(gè)發(fā)光二極管連接并結(jié)合到所述電路。20.組合物在制造基臺(tái)中的用途，該組合物包含用至少一種非貴金屬摻雜的至少一種貴金屬的顆粒，所述顆粒被分散在液體介質(zhì)中。21.可由根據(jù)權(quán)利要求10至17任一項(xiàng)的方法得到的基臺(tái)。22.可由根據(jù)權(quán)利要求18至19任一項(xiàng)的方法得到的發(fā)光器件。全文摘要本發(fā)明提供一種包括陶瓷基板和設(shè)置在其上的電路的基臺(tái)。該電路包括導(dǎo)電多孔材料，該導(dǎo)電多孔材料包含用至少一種非貴金屬摻雜的至少一種貴金屬，至少部分所述導(dǎo)電多孔材料的表面包含所述非貴金屬的氧化物，且所述陶瓷基板經(jīng)由所述非貴金屬的所述氧化物結(jié)合到所述多孔導(dǎo)電材料。文檔編號(hào)H01B1/16GK101341803SQ200680048410公開(kāi)日2009年1月7日申請(qǐng)日期2006年11月28日優(yōu)先權(quán)日2005年12月22日發(fā)明者K·范奧斯,L·J·A·M·貝克爾斯申請(qǐng)人:皇家飛利浦電子股份有限公司