專利名稱：具有阻擋來自外圍電路的光的不透明層的成像儀裝置及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明通常涉及具有其上形成有成像儀裝置的集成電路，和制作所述集成電路 的方法。
背景技術(shù)：
固態(tài)成像儀電路小片(例如CMOS成像儀電路小片)通常在單個芯片上的像素 單元陣列中含有數(shù)千個像素單元。像素單元將輻射能轉(zhuǎn)換成電信號，然后電信號可由 例如處理器的電子裝置存儲和再調(diào)用。所存儲的電信號可被再調(diào)用以在例如計算機屏 幕或可印刷媒體上產(chǎn)生圖像。
實例性CMOS成像電路、其處理步驟和對成像電路中各種CMOS元件的功能的 詳細說明描述于例如美國專利第6,140,630; 6,376,868; 6,310,366; 6,326,652; 6,204,524; 6,333,205號中，所述專利的每一者皆讓予美光科技公司(Micron Technology, Inc)。 前述專利的每一者的揭示內(nèi)容以全文引用的方式并入本文中。
圖1圖解說明常規(guī)集成電路10的框圖。所述集成電路包含其上包含有成像儀裝 置8的電路小片12;如所圖解說明且針對實例性論述，所述成像儀裝置是CMOS裝 置8。成像儀裝置8具有像素單元陣列14，其包括以預(yù)定數(shù)目的列和行布置的多個像 素單元。由行選擇線同時全部接通像素單元陣列14中的每一行的像素單元，且由相 應(yīng)列選擇線選擇性地輸出每一列的像素單元。為整個像素單元陣列14提供多個行線 和列線。行驅(qū)動器1響應(yīng)于行地址解碼器2按順序有選擇地啟動行線且列驅(qū)動器3響 應(yīng)于列地址解碼器4按每一行啟動的順序有選擇地啟動列選擇線。成像儀裝置8由控 制電路5操作，控制電路5控制用于為像素單元讀出選擇合適行線和列線的地址解碼 器2、 4以及將驅(qū)動電壓施加到選定的行線和列線的驅(qū)動晶體管的行和列驅(qū)動器電路 1、 3。
像素單元輸出信號通常包含當(dāng)重置電荷存儲節(jié)點時從電荷存儲節(jié)點獲得的像素 重置信號Vw和在將由圖像產(chǎn)生的電荷轉(zhuǎn)移到存儲節(jié)點后從所述節(jié)點獲得的像素圖像
信號V— Vw和Vsig信號由取樣和保持電路6讀取，且由差分放大器7相減，從而
產(chǎn)生每一像素單元的差信號(VKt-Vsig)，其表示照射到像素單元上的輻射能的量。 模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器9對信號差進行數(shù)字化。然后，將經(jīng)數(shù)字化的信號差饋送到圖像處理 器11以形成并輸出數(shù)字圖像。另外，如圖1中所描繪，成像儀裝置8組件可全部包 含在單個電路小片12上以形成集成電路10或所述組件可集成在多個電路小片上。集 成電路10可包含于許多圖像捕獲和/或再現(xiàn)應(yīng)用中，包含但不限于傳感器、照相機、 個人數(shù)字助理(PDA)、掃描儀、傳真機和復(fù)印機。
在圖像捕獲期間朝向像素單元陣列14引導(dǎo)的輻射能也沖擊成像儀裝置8的外圍
電路，從而可干擾正常圖像捕獲。例如，輻射能可沖擊行驅(qū)動器l、解碼器2、 4、模 擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器9、圖像處理器ll、定時和控制電路5和/或列驅(qū)動器3的電路，例如 晶體管和電容器(未顯示)。外圍電路通常包括晶體管、電容器和其它在曝光于變化 量的輻射能時易受噪聲影響的組件。此可導(dǎo)致例如列條帶效應(yīng)的圖像假影，從而使成 像儀裝置性能顯著降級。
因此，期望并需要一種固態(tài)成像儀裝置，其消除或減少沖擊成像儀裝置的外圍 電路的輻射能的量，由此降低圖像中噪聲的量并導(dǎo)致更好的圖像質(zhì)量。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實例性實施例提供其上形成有固態(tài)成像儀裝置的集成電路，其中阻光 材料層形成于與所述成像儀裝置相關(guān)聯(lián)的外圍電路上以消除或減少沖擊所述外圍電 路的輻射能的量。本發(fā)明還涉及制作所述集成電路的方法。
根據(jù)參考附圖提供的以下詳細說明，將更清楚地理解本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點， 在附圖中
圖1圖解說明具有成像儀裝置的常規(guī)集成電路的框圖2圖解說明根據(jù)本發(fā)明的實例性實施例構(gòu)造的集成電路的框圖3圖解說明圖2集成電路的部分剖視圖4-6圖解說明制造圖2集成電路的實例性方法的部分剖視圖7圖解說明根據(jù)本發(fā)明的第二實例性實施例構(gòu)造的集成電路的部分剖視圖8圖解說明根據(jù)本發(fā)明的第三實例性實施例構(gòu)造的集成電路的部分剖視圖9圖解說明根據(jù)本發(fā)明的第四實例性實施例構(gòu)造的集成電路的框圖10圖解說明根據(jù)本發(fā)明的第五實例性實施例構(gòu)造的集成電路的框圖11圖解說明根據(jù)本發(fā)明的第六實例性實施例構(gòu)造的集成電路的部分剖視和
圖12是根據(jù)本發(fā)明的實例性實施例并入有圖2集成電路的處理器系統(tǒng)的框圖。
具體實施例方式
在以下詳細說明中，參考附圖，所述附圖形成本文的一部分且以說明方式顯示 可實踐本發(fā)明的具體實施例。充分詳細描述這些實施例以使所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠 實施本發(fā)明，且應(yīng)了解可利用其它實施例，且可在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況 下作出結(jié)構(gòu)、邏輯和電改變。所描述處理步驟的進程對于本發(fā)明的實施例來說是實例 性的；然而，步驟的序列并不限于本文所陳述的序列，且可如此項技術(shù)中已知的那樣 而改變，除了必須以特定次序發(fā)生的步驟以外。
術(shù)語"晶片"、"電路小片"和"襯底"應(yīng)理解為基于半導(dǎo)體的材料，包含硅、
絕緣體上硅(SOI)或藍寶石上硅(SOS)技術(shù)、摻雜和未摻雜半導(dǎo)體、由基底半導(dǎo)
體基礎(chǔ)支撐的硅的外延層，以及其它半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。此外，當(dāng)以下說明中引用"晶片"、 "電路小片"和"襯底"時，可能己利用先前工藝步驟在基底半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)或基礎(chǔ)中或 其上形成了區(qū)或結(jié)。另外，半導(dǎo)體無需基于硅，而是可基于硅-鍺、絕緣體上硅、藍 寶石上硅、鍺或砷化鎵，或其它半導(dǎo)體材料。
術(shù)語"像素單元"指圖片元素單位單元，其含有光傳感器和其它用于將輻射能 轉(zhuǎn)換成電信號并提供像素單元輸出的裝置。出于說明的目的，在本文的圖式和說明中 圖解說明代表性像素單元的多個部分，且通常將以類似方式同時進行成像儀陣列中所
有成像儀像素單元的制造。盡管以下針對CMOS成像儀裝置來論述本發(fā)明的實例性 實施例，但本發(fā)明并非限于此，且本發(fā)明可應(yīng)用于具有成像像素單元陣列的任何固態(tài) 成像儀。
術(shù)語"不透明材料"或"大致不透明材料"指能夠大致阻擋輻射能且尤其是光 通過的材料層。
現(xiàn)在參照圖式，其中相同參考編號指代相同元件，圖2圖解說明根據(jù)本發(fā)明的 實施例構(gòu)造的集成電路100的實施例。具體而言，圖2圖解說明具有形成于電路小片 125上的CMOS成像儀裝置180的集成電路100。成像儀裝置180包含像素單元陣列 145和外圍讀出電路122，所述外圍讀出電路122包含行驅(qū)動器110、列驅(qū)動器130、 行解碼器120、列解碼器140、定時和控制電路150、模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器190、取樣和保 持電路160、放大器170和圖像處理器114。
明顯地，圖2集成電路100包含形成于外圍電路122上的大致不透明材料層124。 材料層124耦合到形成圍繞外圍電路122的周邊的第一框架116和形成圍繞像素單元 陣列145的周邊的第二框架118。所圖解說明的第一和第二框架116、 118經(jīng)形成以 使第二框架118形成于第一框架116的周邊內(nèi)。材料層124保護外圍電路122免受輻 射能的照射，同時允許輻射能沖擊像素單元陣列145。材料層124可通過保護外圍電 路122的各種組件的晶體管和電容器(未顯示)免受輻射能來減少像素單元讀出期間 的噪聲。材料層124可由任何大致不透明材料形成，包含但不限于負性光致抗蝕劑。
圖3圖解說明圖2集成電路100的部分剖視圖。如所圖解說明，集成電路100 具有形成于外圍電路122上的大致不透明材料層124，其防止輻射能沖擊外圍電路 122，從而導(dǎo)致讀出過程期間的噪聲減少及圖像假影(例如，列條帶效應(yīng))的消除或 減少。圖3還圖解說明具有微透鏡141陣列的像素單元陣列145的部分剖視圖，微透 鏡141將輻射能引導(dǎo)到形成于電路小片125上的外延層121中的相應(yīng)光致反應(yīng)區(qū)域 147。所圖解說明的微透鏡141形成于平坦化層191上，所述平坦化層191形成于濾 色片陣列U7和其它常規(guī)介電和電極材料層120a、 120b、 120c、 120d上。
在像素單元陣列(例如，像素單元陣列145)中通常使用濾色片陣列(例如，濾 色片陣列117)以允許特定波長范圍(對應(yīng)于特定顏色)內(nèi)的輻射能到達像素單元。 例如，濾色片陣列包含濾波器，其允許與紅色、藍色或綠色(RBG)色彩相關(guān)聯(lián)的光 的波長產(chǎn)生對應(yīng)的紅色、藍色或綠色像素單元。但是其它濾色片陣列允許與青色、洋
紅色和黃色(CMY)色彩相關(guān)聯(lián)的光的波長產(chǎn)生對應(yīng)的青色、洋紅色和黃色像素單 元。
圖3材料層124耦合到第一和第二框架116、 118，所述第一和第二框架形成為 平坦化層191上的臺面。所圖解說明的材料層124僅形成于外圍電路122上，由此允 許輻射能沖擊微透鏡141。盡管圖解說明為形成于與微透鏡陣列141相同材料層(即， 平坦化層191)上，但材料層124和第一及第二框架116、 118并非限于所圖解說明 的實施例，且可形成于集成電路100的其它材料層上，如以下關(guān)于圖6-8進一步所論 述。
圖4-6圖解說明制造圖2集成電路100的實例性方法。如圖4中所圖解說明，中 間結(jié)構(gòu)100a包含其上形成有外延層121的電路小片125。光致反應(yīng)區(qū)域147和外圍 電路122與外延層121關(guān)聯(lián)地形成。平坦化層191形成于濾色片陣列117和其它材料 層120a、 120b、 120c、 120d上，濾色片陣列117和其它材料層120a、 120b、 120c、 120d形成于外延層121上。盡管將光致反應(yīng)區(qū)域147和外圍電路122圖解說明為分 別形成于外延層121內(nèi)和其上，但此僅是實例性的且不打算以任何方式進行限制。
在平坦化層191上圖案化前驅(qū)物塊141a。前驅(qū)物塊141a可是適合直接光刻圖案 化的充足厚度的任何材料(例如通常為光致抗蝕劑或具體而言為通常在形成微透鏡 (例如，圖3的微透鏡陣列141)中使用的材料)。例如，前驅(qū)物塊Mla可由選自 由以下材料組成的群組的材料形成聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚烯烴、乙酸丁 酸纖維素、或聚苯乙烯；聚酰亞胺；例如環(huán)氧樹脂等熱固性樹脂；感光明膠；或例如 丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、氨基甲酸酯丙烯酸酯、環(huán)氧丙烯酸酯或聚酯丙烯酸酯等輻 射可固化酯。
可用UV光有選擇地處理經(jīng)圖案化以形成第一和第二框架116、 118(例如，圖2) 的前驅(qū)物塊141a以使其較少受到如以下關(guān)于圖5所論述的后續(xù)回流工藝的影響。通 過遮罩155有選擇地保護在光致反應(yīng)區(qū)域147上圖案化的前驅(qū)物塊141a免受UV光。
圖5圖解說明在光致反應(yīng)區(qū)域147上圖案化且不用UV光處理的前驅(qū)物塊141a 經(jīng)回流以形成微透鏡141陣列。負性光致抗蝕劑層124a形成于中間結(jié)構(gòu)100a上。在 材料層124a的選定部分上(例如，在像素單元陣列145上)提供遮罩155，所述選 定部分上不需要材料層124 (圖3)。將UV光引導(dǎo)到負性光致抗蝕劑上以使曝光于 光的負性光致抗蝕劑交聯(lián)，且變成不可溶于顯影劑。
圖6圖解說明移除遮罩并隨后將中間結(jié)構(gòu)100a(圖5)曝光于顯影劑(未顯示)。 顯影劑腐蝕光致抗蝕劑124a (圖5)未曝光于UV光(即，未交聯(lián))的部分，但光致 抗蝕劑124a (圖5)先前經(jīng)適當(dāng)交聯(lián)的部分仍保持為材料層124。
產(chǎn)生第一和第二框架116、 118允許在這些區(qū)域中形成材料層124的較薄部分 124p;材料層124的較薄部分124p比位于第一與第二框架116、 U8之間的中間部分 124m需要較少地曝光于UV光以適當(dāng)交聯(lián)。例如，材料層124的較薄部分124p可具 有約0.5pm的厚度且材料層124的中間部分124m可具有約lpm或更大的厚度。在 光致抗蝕劑124a的處理期間(圖5)，較薄部分124p可能需要約200mJ的曝光量以
適當(dāng)交聯(lián)光致抗蝕劑124a (圖5)。另一方面，中間部分124m可能需要約1600mJ 的曝光量來適當(dāng)交聯(lián)。1600mJ的曝光量將顯著減少曝光工具的生產(chǎn)產(chǎn)量且增加裝置 成本。其也可導(dǎo)致材料出氣和曝光工具損壞。最后，像這樣的高曝光量可導(dǎo)致雜散光 的增加的水平且致使有效陣列區(qū)域中的光致抗蝕劑殘留問題，而此可負面地影響成像 儀的性能。
另外，第一和第二框架116、 118防止顯影劑腐蝕光致抗蝕劑124a(圖5)的中間 部分124m。由于UV光穿入光致抗蝕劑124a (圖5)的頂表面124s的深度可能不足 以到達中間部分124m的可能性，因此任何未適當(dāng)交聯(lián)的光致抗蝕劑124a(圖5)將可 能局限于中間部分124m中。因此，第一和第二框架116、 118充當(dāng)使用顯影劑的隨 后工藝的勢壘。只要材料層124的頂表面以及材料層124在第一及第二框架116、 118 上方的較薄部分124p曝光于充足的UV劑量以充分交聯(lián)，便可形成高質(zhì)量的材料層 124以阻擋光沖擊外圍電路122。
盡管將圖6材料層124描述為在材料層124的較薄部分124p處具有0.5nm的厚 度且在材料層124的中間部分124m處具有l(wèi)pm的厚度，但并非打算以任何方式進行 限制。例如，取決于應(yīng)用，較薄部分124p可大于或小于0.5pm,且中間部分124m可 類似地大于或小于l(im。類似地，取決于所需材料層124的厚度和它的曝光敏感度， 光致抗蝕劑124a (圖5)對UV光的曝光劑量可大于或小于200mJ。
應(yīng)注意盡管在橫截面圖解中將第一和第二框架116、 118圖解說明為具有大致矩 形形狀，但并非打算進行限制。例如，取決于像素單元陣列145和外圍電路122的面 積，第一和第二框架可具有大致半橢圓形、大致半圓形、或大致梯形形狀(如果需要)。
還應(yīng)注意用UV處理前驅(qū)物塊141a (如以上關(guān)于圖4所論述)是可選的，且并 不打算進行限制。例如，經(jīng)圖案化以產(chǎn)生第一和第二框架116、 118 (圖6)的前驅(qū)物 塊141a(圖4)可連同經(jīng)圖案化以形成微透鏡141陣列(圖6)的前驅(qū)物塊141a (圖4) 一起回流，以便第一和第二框架116、 118 (圖6)經(jīng)形成以具有半圓形形狀(例如， 圖11)。
應(yīng)進一步注意第一和第二框架116、 118未必由與微透鏡141陣列相同的材料形 成。例如，第一和第二框架116、 118可由正性或負性抗蝕劑材料或任何其它材料形 成。
圖7圖解說明根據(jù)本發(fā)明的第二實施例構(gòu)造的集成電路200的部分剖視圖，其 中第一和第二框架216、 218形成為濾色片陣列217的臺面。第一和第二框架216、 218通過以下步驟形成提供濾色片陣列前驅(qū)物層，且在前驅(qū)物層中形成溝槽，由此 產(chǎn)生形成第一和第二框架216、 218的對應(yīng)臺面。平坦化層191有選擇地形成于濾色 片陣列217上以使平坦化層191形成于在濾色片陣列前驅(qū)物層中所形成的溝槽內(nèi)(即， 不在形成第一和第二框架216、 218的臺面上)。微透鏡陣列141形成于平坦化層191 上。材料層124以以上關(guān)于圖5和6所論述的大致類似方式形成于第一和第二框架 216、 218上且形成于第一與第二框架116、 118之間。
圖8圖解說明根據(jù)本發(fā)明的第三實施例構(gòu)造的集成電路300的部分剖視圖，其
中第一和第二框架316、 318形成為平坦化層391的臺面。第一和第二框架316、 318 可通過以下步驟形成形成平坦化前驅(qū)物層，且在平坦化前驅(qū)物層內(nèi)蝕刻溝槽，由此 產(chǎn)生形成第一和第二框架316、 318的對應(yīng)臺面。圖8圖解說明形成于平坦化層391 下方的濾色片陣列317。微透鏡陣列141隨后形成于平坦化層391上。材料層124以 以上關(guān)于圖5和6所論述的大致類似方式形成。
應(yīng)注意盡管圖6-8圖解說明第一和第二框架116、 118 (圖6) ， 216、 218 (圖7)， 316、 318 (圖8)分別形成為微透鏡材料、濾色片陣列材料和平坦化層材料的臺面， 但是可使用集成電路(圖6-8的100、 200、 300)的任何其它材料層來形成第一和第 二框架。例如，如圖8中所圖解說明，平坦化層391形成于各種材料層320a、 320b、 320c、 320d上。通常是層間介電材料的各種材料層320a、 320b、 320c、 320d中的任 一者可經(jīng)形成具有臺面以形成第一和第二框架(例如，第一和第二框架316、 318)， 只要隨后處理不使臺面結(jié)構(gòu)平坦化。
圖9圖解說明根據(jù)本發(fā)明的第四實例性實施例構(gòu)造的集成電路400。集成電路 400具有形成于電路小片425上的成像儀裝置480。與圖2成像儀裝置180 (圖2)相 同，圖9成像儀裝置480包含像素單元陣列445和外圍讀出電路422，所述外圍讀出 電路422包括行驅(qū)動器410、列驅(qū)動器430、行解碼器420、列解碼器440、定時和控 制電路450、模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器490、取樣和保持電路460、差分放大器470、和圖像處 理器414。然而，不同于圖2實施例，圖9集成電路400具有形成圍繞外圍電路422 的周邊的單個框架416。單個框架416是形成圍繞外圍電路的周邊的連續(xù)框架，材料 層424隨后形成于其內(nèi)，如圖9中所圖解說明。材料層424以以上關(guān)于圖5和6所論 述的大致類似方式耦合到單個框架416。
圖9集成電路400以與圖2集成電路100的大致類似方式構(gòu)造。圖9集成電路 400可具有單個框架416，其由用于集成電路制造的材料層形成，例如平坦化前驅(qū)物 層、濾色片陣列前驅(qū)物層、或微透鏡陣列前驅(qū)物層。
圖10圖解說明根據(jù)本發(fā)明的第五實施例構(gòu)造的集成電路500。集成電路500包 含形成于電路小片525上的成像儀裝置580。成像儀裝置580包含包括外圍電路522 的組件。外圍電路522的每一組件具有形成圍繞所述組件的周邊的相應(yīng)框架。圖10 集成電路500包含行驅(qū)動器510、列驅(qū)動器530、行解碼器520、列解碼器540、定時 和控制電路550、模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器5卯、取樣和保持電路560、差分放大器570和圖 像處理器514。因此，集成電路500包含行驅(qū)動器框架511、列驅(qū)動器框架531、行 解碼器框架521、列解碼器框架541、定時和控制電路框架551、模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器框 架591、取樣和保持電路框架561、放大器框架571和圖像處理器框架581。材料層 524形成于外圍電路522的每一組件上且耦合到相應(yīng)框架，如以上關(guān)于圖5和6所論 述。
圖11圖解說明根據(jù)本發(fā)明的第六實施例構(gòu)造的集成電路600。所圖解說明的集 成電路600具有形成于平坦化層691上的第一框架616和第二框架618，第一框架616 具有第一和第二部分616a、 616b，第二框架618具有第一和第二部分618a、 618b， 平坦化層691形成于電路小片625上。材料層624以大致類似于圖6集成電路100的 方式形成于第一和第二框架616、 618上并與其耦合。材料層624可通過將第一和第 二框架616、 618的每一者分別劃分成兩個部分616a、 616b和618a、 618b而固定在 四個單獨點處，由此為整個集成電路600提供更大耐久性。
盡管圖解說明為具有半球形橫截面形狀，但第一和第二框架616、 618的第一和 第二部分616a、 616b和618a、 618b并不相應(yīng)地受此限制。例如，如以上關(guān)于圖6所 論述，第一和第二框架616、 618可經(jīng)形成以分別具有第一和第二部分616a、 616b和 618a、 618b，所述部分具有大致半橢圓形、大致半圓形或大致梯形形狀。類似地，材 料層620a、 620b、 620c、 620d的任一者可包括第一和第二框架616、 618，其每一者 分別具有第一和第二部分616a、 616b和618a、 618b。
圖12是具有根據(jù)本發(fā)明的實施例(例如，圖2、 7、 8、 9、 10、 11的集成電路 100、 200、 300、 400、 500、 600)中的一者的集成電路的系統(tǒng)900的框圖。在不受限 制的情況下，此系統(tǒng)900可包含計算機系統(tǒng)、照相機系統(tǒng)、掃描儀、機器視覺、車輛 導(dǎo)航、視頻電話、監(jiān)視系統(tǒng)、自動對焦系統(tǒng)、天體追蹤器系統(tǒng)、運動檢測系統(tǒng)、圖像 穩(wěn)定化系統(tǒng)以及采用具有成像儀裝置(例如，圖2、 9、 10的成像儀裝置180、 480、 580)的集成電路的其它系統(tǒng)。為清晰起見，將圖12作為并入有圖2集成電路100來 進一步論述。然而，應(yīng)注意可將關(guān)于圖2、 7、 8、 9、 10和11所論述的集成電路(即， 集成電路200、 300、 400、 500、 600)中的任一者并入到圖12系統(tǒng)900中，且并未 打算以任何方式對所述說明進行限制。
系統(tǒng)900 (例如照相機系統(tǒng))通常包括例如微處理器的中央處理單元(CPU) 902， 其通過總線904與輸入/輸出(I/O)裝置906通信。集成電路100也通過總線904與 CPU卯2通信。基于處理器的系統(tǒng)900還包含隨機存取存儲器(RAM)910，且可包含 例如快閃存儲器的可拆卸存儲器914，所述存儲器也都通過總線904與CPU 902通信。 集成電路100可與例如CPU、數(shù)字信號處理器、或微處理器的處理器組合，無論在 單個集成電路上或除處理器之外的不同芯片上有或沒有存儲器存儲裝置。
以上的說明和圖式圖解說明實現(xiàn)本發(fā)明的目標(biāo)、特征和優(yōu)點的優(yōu)選實施例。盡 管上文己描述了某些優(yōu)點和優(yōu)選實施例，但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將認識到，可在不脫 離本發(fā)明的精神或范圍的條件下，作出替代、添加、刪除、修改和/或其它改變。因 此，本發(fā)明并非由前述說明來限制，而是僅由隨附權(quán)利要求書的范圍限制。
權(quán)利要求
1、一種集成電路，其包括電路小片；像素單元陣列，其與所述電路小片關(guān)聯(lián)形成；外圍電路，其與所述電路小片關(guān)聯(lián)形成且電連接到所述像素單元陣列；第一框架，其形成圍繞所述外圍電路的周邊；和大致不透明材料層，其在所述電路上，所述材料層耦合到所述框架。
2、 如權(quán)利要求l所述的集成電路，其進一步包括形成圍繞所述像素陣列的周邊 的第二框架，其中所述大致不透明材料層耦合到所述第二框架。
3、 如權(quán)利要求2所述的集成電路，其中所述第一和第二框架中的至少一者形成 為包含于所述集成電路內(nèi)的材料層的臺面。
4、 如權(quán)利要求3所述的集成電路，其中所述材料層是平坦化層。
5、 如權(quán)利要求2所述的集成電路，其中所述第一框架形成圍繞所述第二框架的 周邊。
6、 如權(quán)利要求5所述的集成電路，其中所述電路上的所述大致不透明材料層耦 合到所述第一和第二框架，且局限于所述第一與第二框架之間的區(qū)域。
7、 如權(quán)利要求l所述的集成電路，其中所述大致不透明材料層包括負性光致抗 蝕劑。
8、 如權(quán)利要求l所述的集成電路，其中所述像素單元陣列進一步包括微透鏡陣 列，且所述第一框架和所述微透鏡陣列由同一材料構(gòu)成。
9、 如權(quán)利要求l所述的集成電路，其中所述第一框架和所述微透鏡陣列形成于 材料層的同一層級上。
10、 如權(quán)利要求1所述的集成電路，其中所述像素單元陣列進一步包括濾色片 陣列，且所述第一框架和所述濾色片陣列由同一材料構(gòu)成。
11、 如權(quán)利要求1所述的集成電路，其中所述第一框架和所述濾色片陣列形成 于材料層的同一層級上。
12、 如權(quán)利要求1所述的集成電路，其進一步包括平坦化層，所述第一框架和 所述平坦化層由同一材料構(gòu)成。
13、 如權(quán)利要求1所述的集成電路，其中所述第一框架和所述平坦化層形成于 材料層的同一層級上。
14、 一種成像儀處理器系統(tǒng)，其包括 處理器；和集成電路，其包括； 電路小片；像素單元陣列，其與所述電路小片關(guān)聯(lián)形成；電路，其與所述電路小片關(guān)聯(lián)形成且電連接到所述像素單元陣列； 第一框架，其形成圍繞所述電路的周邊；和大致不透明材料層，其在所述電路上，所述材料層耦合到所述框架。
15、 如權(quán)利要求14所述的處理器系統(tǒng)，其進一步包括形成圍繞所述像素陣列的 周邊的第二框架，其中所述大致不透明材料層進一步耦合到所述第二框架。
16、 如權(quán)利要求15所述的處理器系統(tǒng)，其中所述第一框架形成圍繞所述第二框 架的周邊。
17、 如權(quán)利要求14所述的處理器系統(tǒng)，其中所述電路上的所述大致不透明材料 層耦合到所述第一和第二框架，且局限于所述第一與第二框架之間的區(qū)域。
18、 如權(quán)利要求14所述的處理器系統(tǒng)，其中所述大致不透明材料層包括負性光 致抗蝕劑。
19、 如權(quán)利要求14所述的處理器系統(tǒng)，其中所述第一框架形成為包含于所述集 成電路內(nèi)的材料層的臺面。
20、 一種制造集成電路的方法，其包括 提供電路小片；與所述電路小片關(guān)聯(lián)地形成像素單元陣列；與所述電路小片關(guān)聯(lián)地形成電路并將其電連接到所述像素單元陣列； 形成第一框架以使所述第一框架形成圍繞所述電路的周邊； 在所述電路上形成大致不透明材料層；和 將所述大致不透明材料層耦合到所述框架。
21、 如權(quán)利要求20所述的方法，其進一步包括形成第二框架以使所述第二框架形成圍繞所述像素陣列的周邊的步驟。
22、 如權(quán)利要求21所述的方法，其中形成所述第二框架以使所述第一框架形成圍繞所述第二框架的周邊。
23、 如權(quán)利要求21所述的方法，其進一步包括將所述大致不透明材料層耦合到所述第二框架的步驟。
24、 如權(quán)利要求23所述的方法，其中將所述大致不透明材料層形成為被限制于所述第一與第二框架之間的區(qū)域。
25、 如權(quán)利要求20所述的方法，其中所述第一框架由以下步驟形成 圖案化前驅(qū)物塊；和用輻射處理所述前驅(qū)物塊。
26、 如權(quán)利要求20所述的方法，其中所述大致不透明材料層通過以下步驟耦合 到所述第一框架在所述電路小片上形成材料層前驅(qū)物；用輻射有選擇地處理所述材料層前驅(qū)物，由此交聯(lián)所述經(jīng)處理的材料層前驅(qū)物;和將所述材料層前驅(qū)物曝光于顯影劑。
全文摘要
本發(fā)明揭示提供具有形成于像素單元陣列外側(cè)的外圍電路上的阻光材料層的成像儀裝置的方法和設(shè)備。所述成像儀裝置包括電路小片；與所述電路小片關(guān)聯(lián)形成的像素單元陣列；與所述電路小片關(guān)聯(lián)形成并電連接到所述像素單元陣列的外圍電路；形成圍繞所述外圍電路的周邊的第一框架；和所述電路上的大致不透明材料層，所述材料層耦合到所述框架。
文檔編號H01L27/146GK101351889SQ200680050027
公開日2009年1月21日 申請日期2006年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2005年11月30日
發(fā)明者烏爾里?！·伯蒂格, 楊照輝 申請人:美光科技公司