專利名稱：自發(fā)光顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)于一種自發(fā)光顯示裝置，特別是有關(guān)于一種具有微共振腔(micro-cavity)結(jié)構(gòu)的有機(jī)電致發(fā)光裝置(organic light-emitting device，OLED)。
背景技術(shù)：
有機(jī)電致發(fā)光裝置(OLED，或稱有機(jī)發(fā)光二極管OLED)，為一種使用有機(jī)材料的自發(fā)光型組件。相較于傳統(tǒng)的無機(jī)發(fā)光二極管(LED)需嚴(yán)格的長晶要求，有機(jī)發(fā)光二極管可輕易制作在大面積基板上，形成非晶態(tài)(amorphous)薄膜。另一方面，有機(jī)發(fā)光二極管也異于液晶顯示技術(shù)，不需要背光模塊，因此可簡化制造工序。隨著技術(shù)迅速的發(fā)展，未來有機(jī)發(fā)光二極管將應(yīng)用在個人數(shù)字助理、數(shù)字相機(jī)等小尺寸全彩顯示面板上，一旦此技術(shù)更趨成熟時，將可擴(kuò)展至大尺寸的計算機(jī)及電視屏幕上，甚至應(yīng)用于可撓式顯示器。
典型的有機(jī)電致發(fā)光裝置包括一陽極、一陰極、以及設(shè)置于陽極與陰極之間的有機(jī)發(fā)光層。陽極與陰極相對設(shè)置于一基板上。有機(jī)發(fā)光層包括鄰近陽極的空穴注入層(hole injection layer，HIL)與空穴傳輸層(hole transport layer，HTL)、鄰近陰極的電子注入層(electron injection layer，EIL)與電子傳輸層(electron transport layer，ETL)、以及設(shè)置于空穴傳輸層與電子傳輸層之間的發(fā)光層(emitting material layer，EML)。當(dāng)施加一電位差于陰極與陽極之間時，電子會從陰極經(jīng)電子注入層注入電子傳輸層，并穿越電子傳輸層及發(fā)光層。同時，空穴會從陽極經(jīng)空穴注入層注入空穴傳輸層，并穿越空穴傳輸層。之后，電子與空穴會于鄰近發(fā)光層與空穴傳輸層的界面重新結(jié)合(recombine)而以發(fā)光的形式來釋放能量。
為了改善有機(jī)電致發(fā)光裝置的效率及色飽和度(color saturation)，有機(jī)發(fā)光層會導(dǎo)入微共振腔(micro-cavity)結(jié)構(gòu)。在微共振腔結(jié)構(gòu)中，發(fā)射的光會形成建設(shè)性(constructive)及破壞性(destructive)干涉而增強(qiáng)某特定波長的光。然而，在不同的角度的光強(qiáng)度及波常會不一樣而使視角(view angle)變小。換句話說，具有微共振腔結(jié)構(gòu)的有機(jī)電致發(fā)光裝置，其從不同角度看過去，光的顏色會有所改變(即，色偏(color shift))。
為了解決上述的問題，有必要發(fā)展新的有機(jī)電致發(fā)光裝置，其可在提高效率及色飽和度的同時，改善色偏的問題。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于提供一種自發(fā)光顯示裝置，其通過在每一像素中提供不同光波長偏移方向的微共振腔結(jié)構(gòu)，以改善每一像素中的色偏現(xiàn)象。
根據(jù)上述的目的，本發(fā)明提供一種自發(fā)光顯示裝置，包括具有一像素區(qū)用以顯示單一主色的一基板以及設(shè)置于基板的像素區(qū)上的一有機(jī)電致發(fā)光多層結(jié)構(gòu)。有機(jī)電致發(fā)光多層結(jié)構(gòu)包括第一及第二微共振腔部，其中第一微共振腔部包括提供光發(fā)射的一有機(jī)材料層及決定第一微共振腔部光波長偏移的一第一膜層，而第二微共振腔部鄰近第一微共振腔部且包括提供光發(fā)射的有機(jī)材料層及決定第二微共振腔部光波長偏移的一第二膜層。第一與第二膜層具有不同的光學(xué)長度，使第一與第二微共振腔部提供相反的光波長偏移方向。
又根據(jù)上述的目的，本發(fā)明提供一種自發(fā)光顯示裝置，包括具有一像素區(qū)用以顯示單一主色的一基板及設(shè)置于基板的像素區(qū)上的一有機(jī)電致發(fā)光多層結(jié)構(gòu)。有機(jī)電致發(fā)光多層結(jié)構(gòu)包括第一及第二微共振腔部，其中第一微共振腔部包括決定第一微共振腔部光波長偏移的第一與第二透明電極以及位于兩透明電極之間用以提供光發(fā)射的一有機(jī)材料層。第二微共振腔部鄰近第一微共振腔部，具有決定第二微共振腔部光波長偏移的第一與第二透明電極以及位于兩透明電極之間用以提供光發(fā)射的有機(jī)材料層。第一及第二微共振腔部的第一透明電極具有不同的厚度且第一及第二微共振腔部的第二透明電極具有不同的厚度，使第一與第二微共振腔部提供相反的光波長偏移方向。
又根據(jù)上述的目的，本發(fā)明提供一種自發(fā)光顯示裝置，包括具有一像素區(qū)用以顯示單一主色的一基板及設(shè)置于基板的像素區(qū)上的一有機(jī)電致發(fā)光多層結(jié)構(gòu)。有機(jī)電致發(fā)光多層結(jié)構(gòu)包括第一及第二微共振腔部，其中第一微共振腔部包括一下電極、決定第一微共振腔部光波長偏移的一上透明電極與一第一膜層以及位于兩電極之間用以提供光發(fā)射的一有機(jī)材料層。第二微共振腔部鄰近第一微共振腔部包括下電極、決定第二微共振腔部光波長偏移的上透明電極與一第二膜層以及位于兩電極之間用以提供光發(fā)射的有機(jī)材料層。第一及第二微共振腔部的上透明電極具有不同的厚度且第一與第二膜層具有不同的光學(xué)長度，使第一與第二微共振腔部提供相反的光波長偏移方向。


圖1示出了本發(fā)明實施例的下發(fā)光有機(jī)電致發(fā)光裝置剖面示意圖；圖2示出了本發(fā)明實施例的下發(fā)光有機(jī)電致發(fā)光裝置剖面示意圖；圖3示出了本發(fā)明實施例的下發(fā)光有機(jī)電致發(fā)光裝置剖面示意圖；圖4示出了本發(fā)明實施例的上發(fā)光有機(jī)電致發(fā)光裝置剖面示意圖；圖5示出了本發(fā)明實施例的雙面發(fā)光有機(jī)電致發(fā)光裝置剖面示意圖；圖6示出了本發(fā)明實施例的雙面發(fā)光有機(jī)電致發(fā)光裝置剖面示意圖；圖7示出了本發(fā)明實施例的雙面發(fā)光有機(jī)電致發(fā)光裝置剖面示意圖；圖8示出了本發(fā)明實施例的雙面發(fā)光有機(jī)電致發(fā)光裝置剖面示意圖。
其中，附圖標(biāo)記10～像素區(qū)； 100～基板；102～第一膜層； 104～第二膜層；106～下電極； 106a、110a～第一上表面；106b、110b～第二上表面； 108～有機(jī)材料層；110～上電極； 110c～第一下表面；110d～第二下表面；112、112’～有機(jī)電致發(fā)光多層結(jié)構(gòu)。
具體實施例方式
圖1示出了本發(fā)明一實施例的下發(fā)光(bottom emitting)有機(jī)電致發(fā)光裝置剖面示意圖。有機(jī)電致發(fā)光裝置10包括一基板100以及一有機(jī)電致發(fā)光多層結(jié)構(gòu)112。本實施例中，基板100可為玻璃、石英、或其它透明基板，其具有多個像素區(qū)，用以顯示三種主色(R、G、及B)。此處，為了簡化圖式，僅示出了用于顯示單一主色的像素區(qū)10。另外，基板100上可形成有一或多層的絕緣層(未示出)，用以作為緩沖層、層間介電(interlayer dielectric，ILD)層、平坦層或是保護(hù)層。一或多層的絕緣層可由氧化硅層及氮化硅層所構(gòu)成。
有機(jī)電致發(fā)光多層結(jié)構(gòu)112設(shè)置于基板100的像素區(qū)10上，其包括至少一第一微共振腔部及至少一第二微共振腔部。在本實施例中，第一微共振腔部由一第一膜層102、一下電極106、一有機(jī)材料層108、及一上電極110依序?qū)盈B而成，而第二微共振腔部由一第二膜層104、下電極106、有機(jī)材料層108、及上電極110依序?qū)盈B而成。
第一膜層102與第二膜層104相鄰設(shè)置且具有大體相同的厚度，用以分別決定第一及第二微共振腔部的光波長偏移。在本實施例中，第一膜層102與第二膜層104具有不相同的光學(xué)長度，使第一及第二微共振腔部提供相反的光波長偏移方向。為了使第一膜層102與第二膜層104具有不相同的光學(xué)長度，第一膜層102與第二膜層104可由不同的介電材料所構(gòu)成。舉例而言，第一膜層102可由氧化硅所構(gòu)成，而第二膜層104可由氮化硅所構(gòu)成。
下電極106可由透明的導(dǎo)電材料所構(gòu)成，例如氧化銦錫(indium tin oxide，ITO)。上電極110則由非透明的導(dǎo)電材料所構(gòu)成，例如鋁金屬，用以構(gòu)成下發(fā)光有機(jī)電致發(fā)光裝置。有機(jī)材料層108用于提供光發(fā)射，其通常由一空穴注入層、一空穴傳輸層、一發(fā)光層、一電子傳輸層及一電子注入層依序?qū)盈B而成。此處，為簡化圖式，僅示出一單層結(jié)構(gòu)。
當(dāng)光線(如箭號所示)穿過第一及第二微共振腔部與基板100時，由于第一膜層102與第二膜層104具有不相同的光學(xué)長度，使第一及第二微共振腔部提供相反的光波長偏移方向。舉例而言，第一及第二膜層102及104其中之一使光波長往紅色光波長偏移，而另一則使光波長往藍(lán)色光波長偏移。因此，可通過調(diào)整第一及第二膜層102及104在像素區(qū)10所占的面積比例，改善來自有機(jī)材料層108的微共振腔效應(yīng)，進(jìn)而平衡像素區(qū)10中的色偏現(xiàn)象。
圖2示出了本發(fā)明一實施例的下發(fā)光有機(jī)電致發(fā)光裝置剖面示意圖，其中相同于圖1的部件使用相同的標(biāo)號并省略相關(guān)的說明。在本實施例中，第一膜層102鄰近于第二膜層104，且側(cè)向延伸至第二膜層104的下方。亦即，多個第二膜層104彼此分隔并位于第一膜層102上。在其它實施例中，有機(jī)電致發(fā)光多層結(jié)構(gòu)112可僅具有一第二膜層104，其局部覆蓋第一膜層102。不同于圖1的實施例，第二微共振腔部由一第一膜層102、一第二膜層104、下電極106、有機(jī)材料層108、及上電極110依序?qū)盈B而成。第一膜層102及第二膜層104可具有相同或不同的厚度。
當(dāng)光線(如箭號所示)穿過第一及第二微共振腔部與基板100時，由于第一膜層102與第二膜層104具有不相同的光學(xué)長度，使第一及第二微共振腔部可提供相反的光波長偏移方向。另外，當(dāng)光線(如箭號所示)穿過第二微共振腔部時，會經(jīng)過第二及第一膜層104及102，而當(dāng)光線(未示出)自穿過第一微共振腔部時，僅經(jīng)過第一膜層102。因此，即使第一膜層102與第二膜層104使用相同的介電材料，第一及第二微共振腔部仍可提供相反的光波長偏移方向。因此，在本實施例中，可通過調(diào)整第二膜層104在像素區(qū)10所占的面積比例，改善來自有機(jī)材料層108的微共振腔效應(yīng)，進(jìn)而平衡像素區(qū)10中的色偏現(xiàn)象。
另外，需注意的是在上述的實施例中，第一及第二膜層102及104可與緩沖層、ILD層、平坦層或是保護(hù)層同時形成，而無需利用額外的沉積工序來制造。
圖3示出了本發(fā)明一實施例的下發(fā)光有機(jī)電致發(fā)光裝置剖面示意圖，其中相同于圖1的部件使用相同的標(biāo)號并省略相關(guān)的說明。在本實施例中，第一微共振腔部由一第一膜層、一有機(jī)材料層108、及一上電極110依序?qū)盈B而成，而第二微共振腔部由一第二膜層、有機(jī)材料層108、及上電極110依序?qū)盈B而成。第一膜層與鄰近于第二膜層，兩者具有不同的厚度。另外，第一及第二膜層由相同的透明導(dǎo)電材料所構(gòu)成，例如ITO，并作為有機(jī)電致發(fā)光多層結(jié)構(gòu)112’的下電極106。舉例而言，由第一膜層構(gòu)成的一部分下電極106具有一第一上表面106a，而由第二膜層構(gòu)成的另一部分下電極106具有一第二上表面106b，其中第一上表面106a低于第二上表面106b。
由于下電極106中的第一及第二膜層具有不同的厚度而使下電極106具有兩種光學(xué)長度。因此，當(dāng)光線(如箭號所示)穿過第一及第二微共振腔部與基板100時，同樣可使第一及第二微共振腔部提供相反的光波長偏移方向。因此，可通過調(diào)整下電極106中第一及第二膜層在像素區(qū)10所占的面積比例，平衡像素區(qū)10中的色偏現(xiàn)象。
在其它實施例中，下電極106可由非透明的導(dǎo)電材料所構(gòu)成，例如鋁金屬，而上電極110則由透明的導(dǎo)電材料所構(gòu)成，例如ITO，用以構(gòu)成上發(fā)光(topemitting)有機(jī)電致發(fā)光裝置。其中，上電極110可具有類似于圖3中下電極106的結(jié)構(gòu)。舉例而言，由第一膜層構(gòu)成的一部分上電極110具有一第一上表面110a，而由第二膜層構(gòu)成的另一部分上電極110具有一第二上表面110b，其中第一上表面110a低于第二上表面110b，如圖4所示。
同樣地，由于上電極110中的第一及第二膜層具有不同的厚度而使上電極110具有兩種光學(xué)長度。因此，當(dāng)光線(如箭號所示)穿過第一及第二微共振腔部與基板100時，同樣可使第一及第二微共振腔部提供相反的光波長偏移方向。因此，可通過調(diào)整下電極106中第一及第二膜層在像素區(qū)10所占的面積比例，平衡像素區(qū)10中的色偏現(xiàn)象。
圖5示出了本發(fā)明一實施例的雙面發(fā)光有機(jī)電致發(fā)光裝置剖面示意圖，其中相同于圖3及圖4的部件使用相同的標(biāo)號并省略相關(guān)的說明。在本實施例中，第一及第二微共振腔部同時利用下電極106與上電極110決定光波長偏移方向，且下電極106與上電極110均由透明的導(dǎo)電材料所構(gòu)成，例如ITO。其中，第一及第二微共振腔部的下電極106具有不同的厚度且第一及第二微共振腔部的上電極110亦具有不同的厚度，使第一與第二微共振腔部提供相反的光波長偏移方向。舉例而言，一部分的下電極106具有一第一上表面106a，而一部分的下電極106具有一第二上表面106b，其中第一上表面106a低于第二上表面106b。再者，對應(yīng)下電極106的第一上表面106a的上電極110具有一第一下表面110c，而對應(yīng)下電極106的第二上表面106b的上電極110具有一第二下表面110d，其中第一下表面110c低于第二下表面110d。
因此，由于上電極110與下電極106具有不同的厚度而使上電極110與下電極106分別具有兩種光學(xué)長度。因此，無論光線(如箭號所示)自裝置上方或下方射出，第一及第二微共振腔部均可提供相反的光波長偏移方向，進(jìn)而平衡像素區(qū)10中的色偏現(xiàn)象。
圖6示出了本發(fā)明一實施例的雙面發(fā)光有機(jī)電致發(fā)光裝置剖面示意圖，其中相同于圖1及圖4的部件使用相同的標(biāo)號并省略相關(guān)的說明。在本實施例中，第一微共振腔部利用上電極110與第一膜層102決定光波長偏移方向，而第二微共振腔部利用上電極110與第二膜層104決定光波長偏移方向，其中上電極及下電極110及106由透明的導(dǎo)電材料所構(gòu)成，例如ITO。再者，第一及第二微共振腔部的上電極110具有不同的厚度。第一膜層102與第二膜層104相鄰設(shè)置且具有大體相同的厚度。再者，為了使第一膜層102與第二膜層104具有不相同的光學(xué)長度而使第一及第二微共振腔部提供相反的光波長偏移方向，第一膜層102與第二膜層104可由不同的介電材料所構(gòu)成。舉例而言，第一膜層102可由氧化硅所構(gòu)成，而第二膜層104可由氮化硅所構(gòu)成。另外，對應(yīng)第一膜層102的上電極110具有一第一上表面110a，而對應(yīng)第二膜層104的上電極110具有一第二上表面110b，其中第一上表面110a低于第二上表面110b。
在其它的實施例中，第一上表面110a高于第二上表面110b，如圖7所示。
同樣地，無論光線(如箭號所示)自裝置上方或下方射出，第一及第二微共振腔部均可提供相反的光波長偏移方向，進(jìn)而平衡像素區(qū)10中的色偏現(xiàn)象。
圖8示出了本發(fā)明一實施例的雙面發(fā)光有機(jī)電致發(fā)光裝置剖面示意圖，其中相同于圖2及圖5的部件使用相同的標(biāo)號并省略相關(guān)的說明。在本實施例中，在第一微共振腔部利用上電極110與第一膜層102決定光波長偏移方向，而第二微共振腔部利用上電極110與第一及第二膜層102及104決定光波長偏移方向，其中上電極及下電極110及106由透明的導(dǎo)電材料所構(gòu)成，例如ITO。另外，第一及第二微共振腔部的上電極110具有不同的厚度。第一膜層102鄰近于第二膜層104，且側(cè)向延伸至第二膜層104的下方，其相似于圖2的實施例。另外，對應(yīng)第一微共振腔的第一膜層102的上電極110具有一第一下表面110c，而對應(yīng)第二微共振腔的第二膜層104的上電極110具有一第二下表面110d，其中第一下表面110c低于第二下表面110d。
同樣地，無論光線(如箭號所示)自裝置上方或下方射出，第一及第二微共振腔部均可提供相反的光波長偏移方向，進(jìn)而平衡像素區(qū)10中的色偏現(xiàn)象。
雖然本發(fā)明已以一較佳實施例進(jìn)行描述，但是其并非用以限定本發(fā)明，任何熟知本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可對本發(fā)明進(jìn)行各種改進(jìn)與變化，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍為后附的權(quán)利要求書所限定。
權(quán)利要求
1.一種自發(fā)光顯示裝置，其特征在于，包括一基板，具有一像素區(qū)用以顯示單一主色；以及一有機(jī)電致發(fā)光多層結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該基板的該像素區(qū)上，包括一第一微共振腔部，包括提供光發(fā)射的一有機(jī)材料層及決定該第一微共振腔部光波長偏移的一第一膜層；以及一第二微共振腔部，鄰近該第一微共振腔部，包括提供光發(fā)射的該有機(jī)材料層及決定該第二微共振腔部光波長偏移的一第二膜層；其中該第一與該第二膜層具有不同的光學(xué)長度，使該第一與該第二微共振腔部提供相反的光波長偏移方向。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自發(fā)光顯示裝置，其特征在于，該第一膜層鄰近于該第二膜層，且該第一及該第二膜層具有相同厚度并由不同的介電材料所構(gòu)成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的自發(fā)光顯示裝置，其特征在于，該第一及該第二膜層分別由氧化硅及氮化硅所構(gòu)成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自發(fā)光顯示裝置，其特征在于，該第一膜層側(cè)向延伸至該第二膜層下方。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的自發(fā)光顯示裝置，其特征在于，該第一及該第二膜層分別由氧化硅及氮化硅所構(gòu)成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自發(fā)光顯示裝置，其特征在于，該第一膜層鄰近于該第二膜層而構(gòu)成該有機(jī)電致發(fā)光多層結(jié)構(gòu)的一電極，且該第一及該第二膜層由相同的透明導(dǎo)電材料所構(gòu)成并具有不同的厚度。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的自發(fā)光顯示裝置，其特征在于，該電極設(shè)置于該有機(jī)材料層的下方。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的自發(fā)光顯示裝置，其特征在于，該電極設(shè)置于該有機(jī)材料層的上方。
9.一種自發(fā)光顯示裝置，包括一基板，具有一像素區(qū)用以顯示單一主色；以及一有機(jī)電致發(fā)光多層結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該基板的該像素區(qū)上，包括一第一微共振腔部，包括決定該第一微共振腔部光波長偏移的第一與第二透明電極以及位于兩透明電極之間用以提供光發(fā)射的一有機(jī)材料層；以及一第二微共振腔部，鄰近該第一微共振腔部，具有決定該第二微共振腔部光波長偏移的該第一與該第二透明電極以及位于兩透明電極之間用以提供光發(fā)射的該有機(jī)材料層；其中該第一及該第二微共振腔部的該第一透明電極具有不同的厚度且該第一及該第二微共振腔部的該第二透明電極具有不同的厚度，使該第一與該第二微共振腔部提供相反的光波長偏移方向。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的自發(fā)光顯示裝置，其特征在于，該第一或該第二透明電極包括氧化銦錫。
11.一種自發(fā)光顯示裝置，包括一基板，具有一像素區(qū)用以顯示單一主色；以及一有機(jī)電致發(fā)光多層結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該基板的該像素區(qū)上，包括一第一微共振腔部，包括一下電極、決定該第一微共振腔部光波長偏移的一上透明電極與一第一膜層以及位于兩電極之間用以提供光發(fā)射的一有機(jī)材料層；以及一第二微共振腔部，鄰近該第一微共振腔部，包括該下電極、決定該第二微共振腔部光波長偏移的該上透明電極與一第二膜層以及位于兩電極之間用以提供光發(fā)射的該有機(jī)材料層；其中該第一及該第二微共振腔部的該上透明電極具有不同的厚度且該第一與該第二膜層具有不同的光學(xué)長度，使該第一與該第二微共振腔部提供相反的光波長偏移方向。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的自發(fā)光顯示裝置，其特征在于，該上透明電極包括氧化銦錫。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的自發(fā)光顯示裝置，其特征在于，該第一膜層鄰近于該第二膜層，且該第一及該第二膜層具有相同厚度并由不同的介電材料所構(gòu)成。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的自發(fā)光顯示裝置，其特征在于，該第一及該第二膜層分別由氧化硅及氮化硅所構(gòu)成。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的自發(fā)光顯示裝置，其特征在于，該第一膜層側(cè)向延伸至該第二膜層下方。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的自發(fā)光顯示裝置，其特征在于，該第一及該第二膜層分別由氧化硅及氮化硅所構(gòu)成。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種自發(fā)光顯示裝置，包括具有一像素區(qū)用以顯示單一主色的一基板及設(shè)置于基板的像素區(qū)上的一有機(jī)電致發(fā)光多層結(jié)構(gòu)。有機(jī)電致發(fā)光多層結(jié)構(gòu)包括第一及第二微共振腔部，其中第一微共振腔部包括提供光發(fā)射的一有機(jī)材料層及決定第一微共振腔部光波長偏移的一第一膜層，而第二微共振腔部鄰近第一微共振腔部且包括提供光發(fā)射的有機(jī)材料層及決定第二微共振腔部光波長偏移的一第二膜層。第一與第二膜層具有不同的光學(xué)長度，使第一與第二微共振腔部提供相反的光波長偏移方向。
文檔編號H01L51/52GK101017884SQ20071008000
公開日2007年8月15日 申請日期2007年2月28日 優(yōu)先權(quán)日2007年2月28日
發(fā)明者李重君, 李興銓 申請人:友達(dá)光電股份有限公司