專利名稱：有機(jī)電激發(fā)光顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明關(guān)于一種有機(jī)電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)及其制作方法，尤指一種在次像素區(qū)中具有多個(gè)串接的發(fā)光元件的像素結(jié)構(gòu)及其制作方法。
背景技術(shù)：
有機(jī)電激發(fā)光顯示器(organic electroluminescent display)，例如有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器，由于具有尺寸輕薄、高分辨率、高對(duì)比度、省電與主動(dòng)發(fā)光等特性，已有凌駕液晶顯示器而成為下一代平面薄型顯示器主流產(chǎn)品的趨勢(shì)。
請(qǐng)參考圖1與圖2。圖1為現(xiàn)有有機(jī)電激發(fā)光顯示面板的單一發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)示意圖，而圖2為現(xiàn)有有機(jī)電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)電路架構(gòu)示意圖。如圖1所示，現(xiàn)有有機(jī)電激發(fā)光顯示面板的發(fā)光元件包含有基板10，且基板10之上依序堆疊有陽極12、空穴注入層14、空穴傳輸層16、有機(jī)發(fā)光層18、電子傳輸層20與陰極22。具有上述元件堆疊方式的發(fā)光元件為現(xiàn)行常用的架構(gòu)，一般稱之為標(biāo)準(zhǔn)型(normal type)發(fā)光元件。標(biāo)準(zhǔn)型發(fā)光元件在制造工藝上已為成熟技術(shù)，具有高合格率與高可靠度的優(yōu)點(diǎn)。
早期具備標(biāo)準(zhǔn)型發(fā)光元件的像素結(jié)構(gòu)在搭配非晶硅(amorphous Si)制造工藝的a-Si TFT的實(shí)際運(yùn)作上有下列缺點(diǎn)。如圖2所示，具有標(biāo)準(zhǔn)型發(fā)光元件的像素結(jié)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)電路架構(gòu)包含有兩個(gè)薄膜晶體管T1、T2與電容C，薄膜晶體管T1、T2舉例而言為N型金屬氧化半導(dǎo)體晶體管(NMOS)，其中薄膜晶體管T1的柵極與掃描線連接，而其源極與漏極分別與數(shù)據(jù)線與薄膜晶體管T2的柵極連接；薄膜晶體管T2的源極與Vdd電壓源連接，而其漏極則連接至發(fā)光元件的陽極12。由圖2可知，若采用一般非晶硅制造工藝所制作的N型金屬氧化半導(dǎo)體晶體管，發(fā)光元件位于薄膜晶體管T2與Vss電壓源之間，而此配置使得發(fā)光元件在運(yùn)作上因元件電壓上升影響到薄膜晶體管T2的起始電壓，而導(dǎo)致薄膜晶體管T2電流的變化而更不穩(wěn)定。
后來，在搭配驅(qū)動(dòng)電路的薄膜晶體管制造工藝上，改以低溫多晶硅(LTPS)制造工藝的P型金屬氧化半導(dǎo)體晶體管(PMOS)來取代，以降低發(fā)光元件跨壓上升的影響。然而，LTPS的成本較高，面板均勻度較差，且大面積基板發(fā)展的成熟度不足。
此外，現(xiàn)有有機(jī)電激發(fā)光顯示面板的單一像素結(jié)構(gòu)僅設(shè)置有單一發(fā)光元件，因此發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)電流(I)較大，而大電流不僅使薄膜晶體管T2的驅(qū)動(dòng)能力較差(特別是對(duì)于電子漂移率較低的非晶硅薄膜晶體管而言)，同時(shí)大電流對(duì)薄膜晶體管T2的功耗較大，且會(huì)產(chǎn)生較高熱能，而使發(fā)光元件因高溫而影響發(fā)光壽命。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的之一在于提供一種有機(jī)電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)及其制作方法。
為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供一種有機(jī)電激發(fā)光顯示面板，包含基板，具有多個(gè)像素區(qū)；多個(gè)薄膜晶體管，分別設(shè)置于各像素區(qū)內(nèi)；多個(gè)分隔物，設(shè)置于各像素區(qū)內(nèi)，并將所述各像素區(qū)分割為多個(gè)次像素區(qū)；以及多個(gè)有機(jī)發(fā)光元件，每一有機(jī)發(fā)光元件分別設(shè)置于每一次像素區(qū)內(nèi)，且各有機(jī)發(fā)光元件包含有陽極、有機(jī)發(fā)光層與陰極，依序堆疊于該基板之上，其中位于同一像素區(qū)中，該次像素區(qū)的該陰極與相鄰的次像素區(qū)的該陽極電連接，使位于同一像素區(qū)內(nèi)的所述有機(jī)發(fā)光元件以串聯(lián)方式連接，且與該同一像素區(qū)中的該薄膜晶體管最鄰近的另一該次像素區(qū)的該陰極與該薄膜晶體管電連接。
如上所述的有機(jī)電激發(fā)光顯示面板，其中所述像素區(qū)包含有紅色像素區(qū)、綠色像素區(qū)與藍(lán)色像素區(qū)。
如上所述的有機(jī)電激發(fā)光顯示面板，其中各陽極具有串接區(qū)，且在同一像素區(qū)中該次像素區(qū)的該陰極與相鄰的次像素區(qū)的該串接區(qū)接觸，由此與相鄰的該次像素區(qū)的該陽極電連接。
如上所述的有機(jī)電激發(fā)光顯示面板，其中各分隔物的垂直剖面形狀為上寬下窄的倒置梯形。
如上所述的有機(jī)電激發(fā)光顯示面板，其中各分隔物具有上表面以及傾斜側(cè)表面與該上表面連接，該上表面與該傾斜側(cè)表面形成的夾角約為40-90度。
如上所述的有機(jī)電激發(fā)光顯示面板，其中各分隔物具有上表面以及傾斜側(cè)表面與該上表面連接，該上表面與該傾斜側(cè)表面形成的夾角約為40-70度。
如上所述的有機(jī)電激發(fā)光顯示面板，其中各分隔物大體遮蔽至少部分該串接區(qū)。
如上所述的有機(jī)電激發(fā)光顯示面板，其中各分隔物的寬度約為5-20微米。
如上所述的有機(jī)電激發(fā)光顯示面板，其中各分隔物的寬度約為10微米。
如上所述的有機(jī)電激發(fā)光顯示面板，其中各分隔物的高度約為1-3微米。
為達(dá)到上述目的，本發(fā)明還提供一種有機(jī)電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)。上述有機(jī)電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)包含有基板，具有薄膜晶體管區(qū)、第一發(fā)光元件區(qū)與第二發(fā)光元件區(qū)；薄膜晶體管，設(shè)置于該基板的該薄膜晶體管區(qū)內(nèi)；第一保護(hù)層，設(shè)置于該基板的上，且該第一保護(hù)層具有開口，曝露出部分該薄膜晶體管；第一陽極，設(shè)置于該第一發(fā)光元件區(qū)的該第一保護(hù)層上；第二陽極，設(shè)置于該第二發(fā)光元件區(qū)的該第一保護(hù)層上；第二保護(hù)層，至少部分覆蓋該第一陽極以及該第二陽極以曝露出部分該第一陽極與該第二陽極，且曝露出的該第一陽極具有第一發(fā)光區(qū)與第一串接區(qū)，而曝露出的該第二陽極具有第二發(fā)光區(qū)與第二串接區(qū)；分隔物，大體設(shè)置于該薄膜晶體管區(qū)、該第一發(fā)光元件區(qū)與該第二發(fā)光元件區(qū)的該第二保護(hù)層上，該分隔物大體環(huán)繞該第一發(fā)光區(qū)與該第二發(fā)光區(qū)；有機(jī)發(fā)光層，覆蓋該第一陽極的該第一發(fā)光區(qū)及該第二陽極的該第二發(fā)光區(qū)；第一陰極，覆蓋于該第一發(fā)光區(qū)的該有機(jī)發(fā)光層與該薄膜晶體管區(qū)的部分該第一保護(hù)層上，并通過該第一保護(hù)層的該開口與該薄膜晶體管電連接；第二陰極，覆蓋于該第二發(fā)光區(qū)的該有機(jī)發(fā)光層的上，并與該第一串接區(qū)電連接；以及共同陰極，覆蓋于該第二發(fā)光區(qū)之外，并與該第二串接區(qū)以及Vdd電壓源電連接。
本發(fā)明還提供一種制作有機(jī)電激發(fā)光顯示面板的方法。上述方法包含有提供基板，該基板具有多個(gè)像素區(qū)以及多個(gè)薄膜晶體管，每一該薄膜晶體管分別設(shè)置于各像素區(qū)內(nèi)；在該基板上形成第一保護(hù)層，該第一保護(hù)層對(duì)應(yīng)于各薄膜晶體管具有一開口，曝露出至少部分各薄膜晶體管；在各像素區(qū)內(nèi)形成多個(gè)陽極；在該第一保護(hù)層與所述陽極上形成第二保護(hù)層，該第二保護(hù)層部分曝露出各陽極，以在各陽極形成發(fā)光區(qū)與串接區(qū)；在該第二保護(hù)層上形成多個(gè)分隔物，各分隔物將各像素區(qū)分割為多個(gè)次像素區(qū)，且各陽極位于其相對(duì)應(yīng)的各次像素區(qū)內(nèi)；所述陽極上形成有機(jī)發(fā)光層，并通過所述分隔物使該有機(jī)發(fā)光層在所述陽極上形成多個(gè)彼此不相連接的有機(jī)發(fā)光圖案，分別對(duì)應(yīng)各陽極；在該有機(jī)發(fā)光層上形成陰極層，并通過所述分隔物使該陰極層在所述有機(jī)發(fā)光圖案上形成多個(gè)彼此不相連接的陰極，分別對(duì)應(yīng)各有機(jī)發(fā)光圖案，而形成多個(gè)有機(jī)發(fā)光元件，且在各像素區(qū)內(nèi)，該次像素區(qū)的該陰極與相鄰的陽極的串接區(qū)接觸，另一該次像素區(qū)的陰極與相鄰的該薄膜晶體管接觸，使得在各像素區(qū)內(nèi)的所述有機(jī)發(fā)光元件以串聯(lián)方式連接至該薄膜晶體管。
本發(fā)明具有低電流與高穩(wěn)定性的優(yōu)點(diǎn)，還可應(yīng)用于a-Si制造工藝的TFT基板，在降低成本與大尺寸面板的應(yīng)用上，具有極大的發(fā)展?jié)摿Α?br> 以下為有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說明與附圖。然而所附附圖僅供參考與輔助說明用，并非用來對(duì)本發(fā)明加以限制。


圖1為現(xiàn)有有機(jī)電激發(fā)光顯示面板的單一發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2為現(xiàn)有有機(jī)電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的有機(jī)電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)示意圖。
圖4至圖9為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例制作有機(jī)電激發(fā)光顯示面板其及像素結(jié)構(gòu)的方法示意圖。
其中，附圖標(biāo)記說明如下10 基板12陽極14 空穴注入層 16空穴傳輸層18 有機(jī)發(fā)光層 20電子傳輸層22 陰極30基板32 像素區(qū) 32a 次像素區(qū)34 薄膜晶體管區(qū)36薄膜晶體管36a 源極38第一保護(hù)層40 開口42陽極
42a發(fā)光區(qū)42b串接區(qū)44 第二保護(hù)層46 分隔物48 有機(jī)發(fā)光層48a有機(jī)發(fā)光圖案50 陰極層50a陰極52 有機(jī)發(fā)光元件具體實(shí)施方式
請(qǐng)參考圖3。圖3為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的有機(jī)電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)電路架構(gòu)示意圖。如圖3所示，本實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)電路架構(gòu)包含有兩個(gè)薄膜晶體管T1、T2與電容C，其中薄膜晶體管T1、T2例如為NMOS薄膜晶體管，其中薄膜晶體管T1的柵極與掃描線連接，而其源極與漏極和數(shù)據(jù)線與薄膜晶體管T2的柵極連接；薄膜晶體管T2的源極與多個(gè)發(fā)光元件連接而薄膜晶體管T2的漏極則與Vss電壓源連接。本實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)與現(xiàn)有像素結(jié)構(gòu)不同之處主要有兩點(diǎn)。首先在本實(shí)施例中，發(fā)光元件位于Vdd電壓源端與薄膜晶體管T2的源極之間，可減少發(fā)光元件跨壓上升對(duì)薄膜晶體管T2的影響程度，特別是在使用非晶硅薄膜晶體管的情況下，如此配置可增加發(fā)光元件的穩(wěn)定度。其次本實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)中不僅僅具有單一發(fā)光元件，而是設(shè)置有至少兩個(gè)以上的多個(gè)發(fā)光元件，并以串聯(lián)方式連接，而隨著串聯(lián)的發(fā)光元件數(shù)目愈多，單一發(fā)光元件所需驅(qū)動(dòng)電流會(huì)愈小。舉例來說，若使用兩個(gè)串聯(lián)的發(fā)光元件，相對(duì)于單一發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)電流I而言，各發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)電流可減少為I/2，但像素結(jié)構(gòu)的總亮度并不會(huì)減少，而若串聯(lián)的發(fā)光元件數(shù)目為N個(gè)，則各發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)電流的大小會(huì)減至I/N，以此類推。降低電流對(duì)薄膜晶體管T2的功耗較小，且會(huì)減少熱能所導(dǎo)致的高溫，進(jìn)而改善發(fā)光元件的壽命。
請(qǐng)參考圖4至圖9。圖4至圖9為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例制作有機(jī)電激發(fā)光顯示面板其及像素結(jié)構(gòu)的方法示意圖，其中圖4至圖7與圖9為剖面示意圖，而圖8則為圖7所示的像素結(jié)構(gòu)的俯視圖。值得說明的是本實(shí)施例以非晶硅薄膜晶體管作為開關(guān)元件的有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板為例說明本發(fā)明的方法，但本發(fā)明的方法并不局限于此，而可用于制作其它類型的有機(jī)電激發(fā)光顯示面板，如以低溫多晶硅或固態(tài)結(jié)晶(solid phase crystalline，SPC)制造工藝所得的薄膜晶體管為開關(guān)元件的有機(jī)電激發(fā)光顯示面板。另外為強(qiáng)調(diào)本發(fā)明的重點(diǎn)所在，圖示中僅描繪出單一像素結(jié)構(gòu)。如圖4所示，首先提供基板30，例如玻璃基板，基板30包含有多個(gè)像素區(qū)32與多個(gè)薄膜晶體管區(qū)34。接著在各薄膜晶體管區(qū)34內(nèi)的基板30上制作出薄膜晶體管36，其中制作薄膜晶體管36的步驟為業(yè)界所熟知，在此不再多加敘述。
如圖5所示，隨后在基板30上形成第一保護(hù)層38，并在第一保護(hù)層38形成多個(gè)開口40分別對(duì)應(yīng)各薄膜晶體管36，而各開口40曝露出各薄膜晶體管36的源極36a。如圖6所示，接著在各像素區(qū)32內(nèi)形成多個(gè)陽極42。本實(shí)施例以底部發(fā)光型(bottom emission type)的有機(jī)電激發(fā)光顯示面板為例說明本發(fā)明的方法，因此陽極42的材料使用透明導(dǎo)電材料，例如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋁鋅(AZO)或上述組合，但本發(fā)明的方法亦可用于制作頂部發(fā)光型(top emission type)的有機(jī)電激發(fā)光顯示面板，且在此狀況下陽極42的材料則可使用金屬材料。隨后，在第一保護(hù)層38與陽極42上形成第二保護(hù)層44，且第二保護(hù)層44部分曝露出各陽極42的至少部分區(qū)域，以在各陽極42形成發(fā)光區(qū)42a與串接區(qū)42b，其中各陽極42的串接區(qū)42b的位置位于其本身的發(fā)光區(qū)42a與相鄰陽極42的發(fā)光區(qū)42a之間。另外，第二保護(hù)層44并未覆蓋第一保護(hù)層38的開口40。
如圖7與圖8所示，接著在第二保護(hù)層44上形成多個(gè)分隔物46，各分隔物46將各像素區(qū)32分割為多個(gè)次像素區(qū)32a，且各陽極42位于其相對(duì)應(yīng)的各次像素區(qū)32a內(nèi)。在本實(shí)施例之中各分隔物46由俯視方向看去具有多個(gè)環(huán)狀結(jié)構(gòu)(如圖8所示)，而環(huán)狀結(jié)構(gòu)的數(shù)目根據(jù)各像素區(qū)32所欲分割出的次像素區(qū)32a的數(shù)目而決定。
如圖9所示，隨后在陽極42上形成有機(jī)發(fā)光層48，有機(jī)發(fā)光層48通過分隔物46而在陽極42上形成多個(gè)彼此不相連接的有機(jī)發(fā)光圖案48a，且各有機(jī)發(fā)光圖案48a分別對(duì)應(yīng)各陽極42。接著，再在有機(jī)發(fā)光層48上形成陰極層50，并同樣通過分隔物46的設(shè)置使陰極層50在有機(jī)發(fā)光圖案48a上形成多個(gè)彼此不相連接的陰極50a，分別對(duì)應(yīng)各有機(jī)發(fā)光圖案48a，由此在各次像素區(qū)32a中形成有機(jī)發(fā)光元件52。有機(jī)發(fā)光層48的材料視像素區(qū)32為紅色像素區(qū)、綠色像素區(qū)或藍(lán)色像素區(qū)的不同而為不同的有機(jī)發(fā)光材料，而例如陰極層50的材料則由于本實(shí)施例的有機(jī)電激發(fā)光顯示面板為底部發(fā)光型而選用金屬材料，例如鋰、鈣、鎂、鋇或上述組合，若欲制作頂部發(fā)光型的有機(jī)電激發(fā)光顯示面板，則陰極層50的材料可使用透明導(dǎo)電材料。
本實(shí)施例的分隔物46除了將各像素區(qū)32分割為多個(gè)次像素區(qū)32a之外，在后續(xù)形成有機(jī)發(fā)光層48與陰極層50時(shí)更具有定義圖案的功能，使得有機(jī)發(fā)光層48與陰極層50可直接在各次像素區(qū)32a中被定義為有機(jī)發(fā)光圖案48a與陰極50a，而不需增加額外的金屬屏蔽(metal mask)。此外，各次像素區(qū)32a內(nèi)的陰極50a可直接與相鄰的次像素區(qū)32a內(nèi)的陽極42的串接區(qū)42b接觸，至于最靠近薄膜晶體管36的次像素區(qū)32a內(nèi)的陰極50a則通過第一保護(hù)層38的開口40而可與薄膜晶體管36的源極36a直接接觸，如此一來使得位于各像素區(qū)32內(nèi)的有機(jī)發(fā)光元件52可以串聯(lián)方式連接至薄膜晶體管36。另外，位于相對(duì)于薄膜晶體管36的另一側(cè)的陽極42的串接區(qū)42b上的陰極50a則與Vdd電壓源電連接。
為了使各有機(jī)發(fā)光元件52具有良好的電連接效果，本實(shí)施例的分隔物的結(jié)構(gòu)設(shè)置上具有下列若干特征。首先，分隔物的垂直剖面形狀為上寬下窄的倒置梯形，亦即各分隔物具有上表面以及傾斜側(cè)表面與該上表面連接。在本實(shí)施例中，上表面與傾斜側(cè)表面形成的夾角約為40-90度，且上述夾角以約介于40-70度為優(yōu)選。此外，各分隔物46大體遮蔽至少部分其相對(duì)應(yīng)的串接區(qū)32b，且各分隔物46的寬度約為5-20微米，并以約為10微米為優(yōu)選，而分隔物46的高度則約為1-3微米。
由上述可知，本發(fā)明的有機(jī)電激發(fā)光顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的各像素區(qū)均設(shè)置有多個(gè)串聯(lián)的有機(jī)發(fā)光元件，且有機(jī)發(fā)光元件位于薄膜晶體管的源極與Vdd電壓源之間，因此具有低電流與高穩(wěn)定性的優(yōu)點(diǎn)。此外，各陽極均具有串接區(qū)，搭配分隔物的設(shè)置使得在本發(fā)明的方法不需變更標(biāo)準(zhǔn)型發(fā)光元件的制造工藝，即可使得有機(jī)發(fā)光元件設(shè)置在薄膜晶體管的源極與Vdd電壓源之間，并以串聯(lián)方式連接。如此一來，本發(fā)明可應(yīng)用于a-Si制造工藝的TFT基板，在降低成本與大尺寸面板的應(yīng)用上，具有極大的發(fā)展?jié)摿Α?br> 以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，凡依本發(fā)明權(quán)利要求書所做的等效變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)電激發(fā)光顯示面板，包含基板，具有多個(gè)像素區(qū)；多個(gè)薄膜晶體管，分別設(shè)置于各像素區(qū)內(nèi)；多個(gè)分隔物，設(shè)置于各像素區(qū)內(nèi)，并將所述各像素區(qū)分割為多個(gè)次像素區(qū)；以及多個(gè)有機(jī)發(fā)光元件，每一有機(jī)發(fā)光元件分別設(shè)置于每一次像素區(qū)內(nèi)，且各有機(jī)發(fā)光元件包含有陽極、有機(jī)發(fā)光層與陰極，依序堆疊于該基板之上，其中位于同一像素區(qū)中，該次像素區(qū)的該陰極與相鄰的次像素區(qū)的該陽極電連接，使位于同一像素區(qū)內(nèi)的所述有機(jī)發(fā)光元件以串聯(lián)方式連接，且與該同一像素區(qū)中的該薄膜晶體管最鄰近的另一該次像素區(qū)的該陰極與該薄膜晶體管電連接。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電激發(fā)光顯示面板，其中所述像素區(qū)包含有紅色像素區(qū)、綠色像素區(qū)與藍(lán)色像素區(qū)。
3.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電激發(fā)光顯示面板，其中各陽極具有串接區(qū)，且在同一像素區(qū)中該次像素區(qū)的該陰極與相鄰的次像素區(qū)的該串接區(qū)接觸，由此與相鄰的次像素區(qū)的該陽極電連接。
4.如權(quán)利要求3所述的有機(jī)電激發(fā)光顯示面板，其中各分隔物的垂直剖面形狀為上寬下窄的倒置梯形。
5.如權(quán)利要求4所述的有機(jī)電激發(fā)光顯示面板，其中各分隔物具有上表面以及傾斜側(cè)表面與該上表面連接，該上表面與該傾斜側(cè)表面形成的夾角約為40-90度。
6.如權(quán)利要求4所述的有機(jī)電激發(fā)光顯示面板，其中各分隔物具有上表面以及傾斜側(cè)表面與該上表面連接，該上表面與該傾斜側(cè)表面形成的夾角約為40-70度。
7.如權(quán)利要求3所述的有機(jī)電激發(fā)光顯示面板，其中各分隔物大體遮蔽至少部分該串接區(qū)。
8.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電激發(fā)光顯示面板，其中各分隔物的寬度約為5-20微米。
9.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電激發(fā)光顯示面板，其中各分隔物的寬度約為10微米。
10.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電激發(fā)光顯示面板，其中各分隔物的高度約為1-3微米。
全文摘要
本發(fā)明公開一種有機(jī)電激發(fā)光顯示面板，該顯示面板的像素結(jié)構(gòu)包含有多個(gè)次像素區(qū)，其中各次像素區(qū)均包含有多個(gè)以串聯(lián)方式連接的有機(jī)發(fā)光元件，且位于各次像素區(qū)內(nèi)的有機(jī)發(fā)光元件設(shè)置于薄膜晶體管的源極與Vdd電壓源之間。本發(fā)明具有低電流與高穩(wěn)定性的優(yōu)點(diǎn)，還可應(yīng)用于a－Si制造工藝的TFT基板，在降低成本與大尺寸面板的應(yīng)用上，具有極大的發(fā)展?jié)摿Α?br> 文檔編號(hào)H01L27/28GK101022124SQ20071008784
公開日2007年8月22日 申請(qǐng)日期2007年3月21日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月21日
發(fā)明者趙清煙, 蕭夏彩, 葉協(xié)鑫 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司