專利名稱：由多個金屬層制成的半導(dǎo)體裝置封裝引線框架的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有凸起形體的用于半導(dǎo)體裝置封裝的引線框架，其可通過將至少兩個金屬層結(jié)合在一起來制造。
背景技術(shù)：
圖1A顯示一用于容納半導(dǎo)體裝置的傳統(tǒng)方形扁平無引腳(QFN)封裝的底側(cè)平面圖。圖1B顯示定位于PC板上的圖1A所示傳統(tǒng)QFN封裝沿線B-B′截取的剖面圖。
QFN封裝100包括上面制作有電有源結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體電路小片102。電路小片102通過粘合劑106粘附至下面引線框架104的電路小片焊墊104a部分上。顯示于圖1B中的電路小片及引線框架的相對厚度及本專利申請案的所有其它圖式均未按比例繪制。引線框架104還包括通過焊線108與電路小片102進(jìn)行電連通的非整體引腳部分104b。焊線108還實現(xiàn)電路小片102與電路小片焊墊104a之間的電連通。
塑料模件109囊封除分別為引線框架部分104a及104b的外露部分104a′及104b′外的所有部分。出于本專利申請案的目的，術(shù)語“囊封”是指將元件部分地或全部地包封于周圍材料中，通常是將引線框架的金屬包封于周圍介電材料(例如塑料)內(nèi)。
引線框架104上表面的某些部分帶有通過電鍍所形成的銀(Ag)105。引線框架104的下表面帶有通過電鍍形成的Pd/Ni或Au/Ni層107。
QFN封裝100通過較佳具有所示圓形形狀的焊料114緊固至下面PC板112上的跡線110。焊料114的導(dǎo)電屬性使電信號能夠在引線框架部分104a及104b與下面的跡線110之間傳送。
圖1C僅顯示圖1A-B所示QFN封裝100的引線框架104的平面圖。引線框架104通常通過完全穿透一片均勻的銅片蝕刻出孔圖案來形成。圖1D顯示在一卷銅118中的這樣一種孔圖案116的一個實例。這些孔圖案界定包括原始電路小片焊墊124及原始非整體部分126的原始引線框架122。原始電路小片焊墊124通過系桿120緊固至周圍金屬框架上。原始非整體引腳部分126通過凸耳128緊固至周圍金屬框架上。
通過以下操作將圖1D中所示圖案化金屬部分處理至封裝中將電路小片膠粘至電路小片焊墊上，并連接所述電路小片與非整體部分及/或所述電路小片焊墊之間的焊線。當(dāng)電路小片焊墊與非整體部分仍附連至周圍金屬時，將焊線、電路小片焊墊的一部分及非整體引線框架部分囊封于介電材料(如塑料)內(nèi)。通過切斷凸耳及系桿以將單個封裝從其周圍金屬框架及與其相關(guān)聯(lián)的其他封裝單分出來，來完成單個封裝的制造。
盡管剛才所述的傳統(tǒng)QFN封裝能滿足許多目的，然而其可能具有某些缺陷?？赡苋毕葜皇请y以在引線框架上形成凸起形體。
例如，圖1B顯示非整體引線框架引腳部分104b呈現(xiàn)出一緊靠電路小片焊墊的變薄的區(qū)域104b′。變薄的引腳區(qū)域104b′的在三個側(cè)上由封裝本體的塑料囊封劑109環(huán)繞，從而在實體上將非整體引腳部分104b緊固于封裝內(nèi)。
此外，圖1B還顯示電路小片焊墊部分104a呈現(xiàn)出一緊靠非整體引腳的變薄的區(qū)域104a′。變薄的電路小片焊墊區(qū)域104a′在三個側(cè)上由封裝本體的塑料囊封劑環(huán)繞，從而實體上將電路小片焊墊緊固于該封裝內(nèi)。
圖1E-1H顯示用來制造具有變薄部分的引線框架的傳統(tǒng)工藝步驟的剖面圖。在圖1E中，在倒置的Cu片118的底面上電鍍Au/Pd/Ni組合或Ag/Ni組合，以形成層107。對于Au/Pd/Ni組合而言，Au的厚度在大約0.01-0.015μm之間、Pd的厚度在大約0.02-0.2μm之間、且Ni的厚度在大約0.5-2.5μm之間。對于Ag/Ni電鍍涂層而言，Ag和Ni的厚度各在約0.5-2.5μm之間。
在圖1F中，在層107上將光阻劑掩模150圖案化，以露出要變薄的區(qū)域152。然后將外露區(qū)域152暴露在蝕刻劑中達(dá)受控的時間段，以移除Cu材料至預(yù)定深度Y。
在圖1G中，移除光阻劑掩模，然后將Cu卷118重新定向成使正確的面朝上。然后對Cu卷118的上表面有選擇地進(jìn)行電鍍以形成銀層105。在該步驟中，可利用掩模(未示出)只在襯底上的特定區(qū)域中電鍍銀。
在圖1H中，用光阻劑掩模119對經(jīng)局部蝕刻的Cu片118的背面進(jìn)行圖案化，以留下對應(yīng)于變薄區(qū)域的外露區(qū)域121。然后，在外露區(qū)域121中將經(jīng)局部蝕刻的Cu片118徹底蝕刻透，以形成孔圖案116，從而將電路小片焊墊104a與非整體引腳104b分離。
隨后，通過如下步驟來完成QFN封裝的制造將電路小片粘附至電路小片焊墊上，附連電路小片、電路小片焊墊與非整體引腳部分之間的焊線，并然后將該結(jié)構(gòu)包封在塑料囊封內(nèi)，此在所屬領(lǐng)域中眾所周知。
圖1F中所示QFN封裝制造過程的蝕刻階段相對難以精確地進(jìn)行控制。具體而言，在小的區(qū)域中蝕刻Cu引線框架的精確度大約是引線框架總厚度的20-25％。這是因為一旦開始發(fā)生化學(xué)蝕刻反應(yīng)，便不能快速且可再現(xiàn)地中止化學(xué)蝕刻反應(yīng)的進(jìn)行。超出上述容差范圍的蝕刻可導(dǎo)致許多引線框架報廢，從而增加封裝成本。
此外，進(jìn)行局部蝕刻以形成變薄的形體形狀的傳統(tǒng)方法限制引線的間距，并因而限制在給定QFN封裝本體尺寸情況下可使用的引腳的數(shù)量。此種引線間距限制是由蝕刻工藝的至少局部各向同性特性引起-其在橫向及豎向上移除材料。
在傳統(tǒng)上，經(jīng)蝕刻形成的引線框架一直用于制作新產(chǎn)品的原型，及用于快速地生產(chǎn)初始的有限生產(chǎn)量。當(dāng)引線框架被接受且所裝運的產(chǎn)品數(shù)量開始增加時，大部分的引線框架設(shè)計均使用工具加工，以對銅片或其他金屬片進(jìn)行沖孔而形成引線框架。通過工具加工來生產(chǎn)經(jīng)沖孔形成的引線框架的初始成本通常大大高于第一批經(jīng)蝕刻形成的引線框架。然而，隨著生產(chǎn)量的增加，經(jīng)沖孔形成的引線框架的每一引線框架的成本僅占蝕刻引線框架的成本的一小部分。然而，簡單的沖孔工藝不能形成上文所述的“階梯狀邊緣”形體。
另一在過去一直廣泛應(yīng)用于沖壓引線框架的制造工藝是“壓花”。該術(shù)語取自于在金屬中沖壓出各種形體(如在沖壓硬幣時一樣)的工藝。對于半導(dǎo)體引線框架，這最常用于形成有助于在回流焊接過程中阻止軟焊料的擴散的“壕溝”狀形體、及會改善電路小片粘附環(huán)氧樹脂或囊封劑的粘著性的表面圖案。圖2A及2B顯示具有這一特點的引線框架的簡化的透視及剖面圖。
然而，壓花工藝不移除金屬，其只對金屬進(jìn)行整形。因此，如果要變薄的區(qū)域遍及引線框架形體的較大比例，則壓花通常并不是適用于引線框架的工藝。
因此，在此項技術(shù)領(lǐng)域中，需要一種改進(jìn)的、且具有更大成本效益的技術(shù)來制造用于QFN或類似無引線半導(dǎo)體裝置封裝的引線框架。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明具有凸起形體的用于半導(dǎo)體裝置封裝的引線框架的一實施例可通過將至少兩個金屬層結(jié)合在一起來制造。第一金屬層界定包括任何電路小片焊墊及引線的引線框架的橫向尺寸。結(jié)合至第一金屬層上的第二金屬層界定引線框架的凸起形體，例如用于在實體上將引線框架緊固至封裝本體中的階梯?？赏ㄟ^許多可能的技術(shù)將多個金屬層結(jié)合在一起，這些技術(shù)包括(但不限于)超聲波焊接、軟焊、或使用環(huán)氧樹脂。在結(jié)合之前或之后，可對一個或多個金屬層進(jìn)行壓花或沖壓，以形成其他形體，例如分岔或溝槽。
提供一種根據(jù)本發(fā)明的用于制造半導(dǎo)體裝置封裝用引線框架的方法的實施例，該方法包括提供界定引線框架的第一金屬層，提供界定引線框架凸起形體的第二金屬層，并將所述第一金屬層結(jié)合至所述第二金屬層上。
一種根據(jù)本發(fā)明的用于半導(dǎo)體裝置封裝的引線框架的實施例包括界定引線框架的第一金屬層，以及結(jié)合至第一金屬層上并界定凸起形體的第二金屬層。
一種根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置封裝的實施例包括支撐于引線框架上的電路小片，該引線框架包括結(jié)合至第二金屬層上的第一金屬層，所述第二金屬層界定引線框架的凸起形體。
本發(fā)明的這些及其它實施例以及其特征和一些潛在的優(yōu)點將結(jié)合下面的正文及附圖更詳盡地加以闡述。


圖1A顯示一傳統(tǒng)的QFN封裝的簡化的底側(cè)平面圖。
圖1B顯示圖1A所示封裝沿線B-B′截取的簡化剖面圖。
圖1C顯示圖1A-B所示傳統(tǒng)封裝的僅引線框架的簡化平面圖。
圖1D顯示帶有用于制造圖1A-B所示封裝的孔圖案的銅合金金屬片的簡化平面圖。
圖1E-1H顯示用于制造圖1C所示引線框架的具體步驟的簡化剖面圖。
圖2A-B分別顯示一包括典型焊料壕溝及防潮層的引線封裝的簡化透視圖及剖面圖。
圖3A顯示在層壓前-多層引線框架的兩部分的簡化分解圖。
圖3B-C分別顯示在層壓這兩個金屬層后圖3A所示引線框架的簡化剖面圖及平面圖。
圖3D-E分別顯示包括多個金屬層的引線框架的一替代實施例的簡化剖面圖及平面圖。
圖3F顯示具有圖3D-E所示引線框架且?guī)в型饴兜碾娐沸∑笁|的經(jīng)囊封封裝的簡化底側(cè)圖。
圖3G顯示具有根據(jù)本發(fā)明的引線框架的一替代實施例且不帶有外露電路小片焊墊的封裝的簡化底側(cè)圖。
圖4A顯示一種根據(jù)本發(fā)明的用于自多個金屬層制成引線框架的方法的一個實施例的簡化示意圖。
圖4B顯示根據(jù)本發(fā)明一實施例的一多金屬層引線框架的實施例的簡化分解圖，其特點是通過壓花形成溝槽。
圖4C顯示用于無引線功率封裝的引線框架的倒置的簡化分解圖，其中結(jié)合區(qū)域下沉(在圖中為凸起)至約等于電路小片厚度的水平。
圖4D顯示使用圖4C所示引線框架且?guī)в型饴兜碾娐沸∑笁|的經(jīng)囊封的封裝的仰視圖。
圖5A-D顯示一經(jīng)焊線連接的電路小片的不同的簡化圖，其中使接觸電路小片的電觸點(焊線)重新分布以利用電路小片的更緊湊的布局規(guī)則。
圖6A顯示包括根據(jù)本發(fā)明的多層引線框架的封裝的實施例的簡化平面圖，該多層引線框架在每一電路小片結(jié)合焊墊上具有用標(biāo)準(zhǔn)焊球制成的電氣及機械附連件。
圖6AA顯示圖6A所示封裝沿線A-A’截取的一簡化剖面圖。
圖6AB顯示圖6A所示封裝沿線B-B’截取的一簡化剖面圖。
圖6B顯示一包含根據(jù)本發(fā)明一實施例的多層引線框架的封裝的替代實施例的簡化平面圖，該多層引線框架在每一電路小片結(jié)合焊墊上具有用標(biāo)準(zhǔn)焊塊制成的電氣及機械附連件。
圖6BA顯示圖6B所示封裝沿線A-A’截取的一簡化剖面圖。
圖6BB顯示圖6B所示封裝沿線B-B’截取的一簡化剖面圖。
圖7A顯示包含根據(jù)本發(fā)明的多層引線框架的單電路小片封裝的一實施例的簡化平面圖。
圖7AA顯示圖7A所示封裝沿線A-A’截取的簡化剖面圖。
圖7AB顯示圖7A所示封裝沿線B-B’截取的一簡化剖面圖。
圖7B顯示一包含根據(jù)本發(fā)明一實施例的多層引線框架的雙電路小片封裝的一實施例的簡化平面圖。
圖7BA顯示圖7B所示封裝沿線A-A’截取的簡化剖面圖。
圖7BB顯示圖7B所示封裝沿線B-B’截取的一簡化剖面圖。
具體實施例方式
根據(jù)本發(fā)明一實施例具有凸起形體的用于半導(dǎo)體裝置封裝的引線框架可通過將至少兩個金屬層結(jié)合在一起來制造。第一金屬層界定包括任何電路小片焊墊及引線的引線框架的橫向尺寸。結(jié)合至第一金屬層上的第二金屬層界定引線框架的凸起形體，例如用于在實體上將引線框架緊固至封裝本體內(nèi)的階梯。可通過許多可能的技術(shù)將多個金屬層結(jié)合在一起，這些技術(shù)包括但不限于超聲波焊接、軟焊、或使用環(huán)氧樹脂。在結(jié)合之前或之后，可對一個或多個金屬層進(jìn)行壓花或沖壓，以形成其他形體，例如分岔或溝槽。
在根據(jù)本發(fā)明的一個實施例中，可通過以下方式在具有與前面所述類似形狀的形體中實現(xiàn)鎖定及防潮沖壓兩個引線框架，其中頂部引線框架450的區(qū)域形成引線框架的頂部或電路小片側(cè)(圖3A)上的區(qū)域，且下面的一半452形成將暴露在外的用于封裝底部(圖3B)上電及熱連接的銅。所得到的占用面積如圖3F所示。引線框架的這兩個層450及452也可經(jīng)層壓以形成具有前面針對引腳所述的鎖定形體的單個銅引線框架，且大的區(qū)域(如電路小片焊墊404a(圖3E))可為單個層，此使其能夠用塑料進(jìn)行囊封而不會在封裝底部上外露(圖3E)。
這兩個引線框架層的層壓可使用數(shù)種方法中的一種來實現(xiàn)。一種層壓方法是使用兩個具有壓印電路小片500及502的銅引線框架層，這兩個壓印電路小片500及502使用線性饋送超聲波焊接工藝504熔合到一起。在進(jìn)行大批量生產(chǎn)時，該工藝可設(shè)置成從兩卷銅506直接通過兩個平行的線性沖壓臺508來獲得引線框架材料，使其對齊并饋送過線性超聲波焊接臺，然后將引線框架切割成饋送過現(xiàn)有處理設(shè)備的長度(圖4A)。
本發(fā)明的實施例并不僅限于兩個相同材料的層、或兩個厚度相同的層-甚至并不僅限于兩個層。使用兩種不同的基于銅的合金可有利于優(yōu)化與電路小片或與PC板的結(jié)合或增加外露表面的堅固性。層壓兩種不同的金屬層也可證明是有利的。若干種金屬組合適用于超聲波焊接層壓方法，且如果一個表面預(yù)先鍍有界面或屏障材料，則可組合使用許多其他材料。
可如同單層銅引線框架一樣，將可在引線框架表面中壓花形成的形體(例如焊料壕溝或防潮層)包括在同一工藝中(圖4B)。經(jīng)層壓的引線框架也可進(jìn)行沖壓而在引線框架的層壓部分上形成例如上凸或下凹等形體(圖4C)?？稍O(shè)計一種允許在層壓之前對各單個層進(jìn)行壓花或膠印的多層引線框架工藝。在這些情況下，將引線框架切割成一定長度并利用一經(jīng)設(shè)計以對各別或成組的標(biāo)準(zhǔn)矩陣長度段施加熱和壓力的臺來對層進(jìn)行層壓證明是有利的。
一種可證明比較經(jīng)濟的替代層壓方法是將兩層引線框架軟焊在一起。仔細(xì)控制焊料在兩半引線框架之間的布置及量，可最大程度地減少沿縫外側(cè)“擠出”的量。沿接合處擠出的任何焊料均難于除去，且會使最終封裝中的塑料封裝劑變薄，從而可能導(dǎo)致塑料材料破裂。盡管可將簡單的引線框架設(shè)計制作成更能容忍焊料擠出，且?guī)追N控制焊料布置及量的方法可證明在制造環(huán)境中是經(jīng)濟、可靠的，但是根據(jù)一個實施例，軟焊工藝將是對一半引線框架材料預(yù)先鍍上一薄層焊料。然后，可在一線性級上完成層壓，該線性級將引線框架材料加熱至焊料回流溫度，并在受控壓力下將引線框架層結(jié)合在一起。
另一替代實施例使用環(huán)氧樹脂來層壓引線框架層。當(dāng)前的環(huán)氧樹脂沉積控制足以用來層壓簡單的引線框架。隨著用導(dǎo)電性及非導(dǎo)電性兩種環(huán)氧樹脂對半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行“絲網(wǎng)印刷”變得更加常見，其可充分成為一種可選的層壓方法。
環(huán)氧樹脂所提供的一個優(yōu)點是可選擇導(dǎo)電性及非導(dǎo)電性結(jié)合材料，這些結(jié)合材料可印制成一種允許存在兩個重疊的引線框架層的圖案，或者一電路小片-引線框架接口可進(jìn)行電及/或熱接觸(參見圖5C所示的實施例的電路小片焊墊604a)，而同一引線框架/電路小片上的其他兩個可在機械上附連但仍然電絕緣(參見圖5C所示實施例的引線604b)。與在各層之間留出用于注射成型的空間來進(jìn)行填充并提供隔離相比，這可成為一種具有更低矮外形、更可控制、且更可靠的用于隔離兩個相鄰層的方法。
當(dāng)通過進(jìn)行電路小片附連/電連接的倒裝芯片方法將多層引線框架組合時，電路小片焊墊可完全消除。圖6A-AB圖解說明用一種“球”工藝進(jìn)行電路小片附連。圖6A顯示一以“倒裝芯片”形式附連有電路小片(102)的經(jīng)組裝的多層引線框架(層104a和104b)組合件，其中使用標(biāo)準(zhǔn)的焊球(108)在每一電路小片結(jié)合焊墊上進(jìn)行電和機械附連。與相同封裝的以前的焊線接合型式相比，圖6A所示的倒裝芯片附連構(gòu)造的優(yōu)點是大大增加了電路小片的大小。此種構(gòu)造的缺點是其迫使電路小片符合PC板的布局及間距規(guī)則。與PC板的觸點仍為0.5mm的間距，在超過此間距時，PC板的制造會變得昂貴得多，而電路小片間距規(guī)則允許具有緊密得多的間距，從而會浪費電路小片上的空間。
圖6B-BB圖解說明使用“焊塊”工藝進(jìn)行電路小片附連。圖6B顯示一以“倒裝芯片”形式附連有電路小片(102)的經(jīng)組裝的多層引線框架(層104a和104b)組合件，其中在每一電路小片結(jié)合焊墊上使用標(biāo)準(zhǔn)的焊料“塊”(108)來進(jìn)行電和機械附連。
根據(jù)本發(fā)明的其他實施例可允許在以倒裝芯片形式附連的電路小片下面使用引線框架，以重新分配引腳輸出或互連兩個或更多個電路小片。例如，電路小片上的形體大小遠(yuǎn)小于PC板上的形體大小，因此，在傳統(tǒng)上，須對用于導(dǎo)線或用于焊塊或焊球電連接的焊墊的間距及大小加以確定，以與傳統(tǒng)封裝(其須滿足與PC板技術(shù)兼容的引腳間距)的間距及大小相匹配?？朔搯栴}的一種方法是重新分布電路小片上的互連焊墊(焊球或焊塊)，以節(jié)省硅面積。當(dāng)對與電路小片的電連接進(jìn)行絲焊時，可證明具有該優(yōu)點，但當(dāng)電路小片通過焊塊附連至或通過以倒裝芯片形式附連至引線框架時，該優(yōu)點更加突出。
在焊塊焊墊的布置及大小得到優(yōu)化從而使電觸點在電路小片上占據(jù)最小的空間的情況下，引線框架的底部可根據(jù)本發(fā)明的實施例進(jìn)行設(shè)計，以將連接擴展至引線-其與PC板設(shè)計規(guī)則相一致地布置成一行或多行。圖7A-AB圖解說明一標(biāo)準(zhǔn)0.5mm間距的QFN封裝(100)，其中結(jié)合焊墊及焊球或焊塊(108)的間距為0.25mm，以節(jié)省(單個)電路小片(102)上的空間。所有“選路”均在引線框架的上層(104b)上完成，且在囊封后，外露于封裝背面上的唯一引線框架是引線框架的下層(104a)。
該方法也可用來實現(xiàn)與容納于單個封裝內(nèi)的多個電路小片的空間有效的連接。圖7B-BA圖解說明一標(biāo)準(zhǔn)0.5mm間距的QFN封裝(100)，其中結(jié)合焊墊及焊球或焊塊(108)以一種在實體上支撐雙電路小片(102)的圖案分布。該實例中顯示用于電路小片之間互連的兩種替代方案。互連線104d是與104b相同的層，且對這兩個電路小片上的電節(jié)點進(jìn)行電連接，而不連接至引至封裝外側(cè)的引腳。另一互連104c(同樣是未外露于封裝背面上的104b層)電連接這兩個電路小片上的節(jié)點并還連接至外部引腳。
此外，在多電路小片組合件中，在無需在引腳上引至外側(cè)的不同電路小片上對節(jié)點進(jìn)行互連是常見的情況。因此，根據(jù)本發(fā)明的另外的實施例，在多電路小片組合件中，可在電路小片下面敷設(shè)跡線，以互連單獨電路小片上的節(jié)點。通過將互連跡線制作成單個層，可對其進(jìn)行完全囊封。
類似于圖7A-B所示的本發(fā)明的實施例可滿足如經(jīng)調(diào)制DC-DC功率轉(zhuǎn)換等應(yīng)用的需求，在經(jīng)調(diào)制DC-DC功率轉(zhuǎn)換中，連續(xù)升高頻率以使分量減小并提高效率。使PWM控制器-功率級-至輸出裝置連接盡可能地接近、以及盡可能地不存在雜散電感這一需要可能很重要。在某個頻率上，電路小片可共同位于共用封裝內(nèi)，且僅焊線需要進(jìn)行焊塊或焊球附連。壓花形成的形體及/或沖壓形成的“上凸”或“下凹”形體可與根據(jù)本發(fā)明實施例的多層引線框架結(jié)合使用，以在電路小片之間實現(xiàn)絕緣的互連，其中相對于在單獨的絲焊封裝中使用電路小片的傳統(tǒng)解決方案而言，雜散電感大約減小一個數(shù)量級。
除了使用根據(jù)上文中所述本發(fā)明實施例的多層銅引線框架外，使封裝中的各層或各層的某些部分進(jìn)行絕緣可能需要在將電路小片附連及電連接或熱連接至引線框架之前，對引線框架的各層或各層的某些部分進(jìn)行“預(yù)囊封”。對各層或各層的某些部分進(jìn)行預(yù)囊封也可增加額外的能力，如使互連線搭接焊墊保持絕緣、以及在高能量結(jié)合過程及/或切割或“撕裂”過程(如在鋁帶結(jié)合過程中所要求)中為牢固夾緊引線框架提供經(jīng)絕緣的支撐。
通過使用根據(jù)本發(fā)明實施例的多金屬層而形成的引線框架上的凸起圖案可適用于QFN封裝以及其他封裝型式，這些封裝型式包括但不限于DPAK、D2PAK、TO-220、TO-247、SOT-223、TSSOP-x、SO-x、SSOP-x、TQFP、以及J型引線封裝系列，包括SE70-8、TSOP-8和TSOP12。
雖然上文已全面闡述了各具體實施例，但也可使用各種修改形式、替代構(gòu)造及等效形式。因此，上文說明及例示不應(yīng)視為限定由隨附權(quán)利要求書所界定的本發(fā)明的范圍。
權(quán)利要求
1.一種制造用于半導(dǎo)體裝置封裝的引線框架的方法，所述方法包括提供界定引線框架的第一金屬層；提供界定引線框架的凸起形體的第二金屬層；以及將所述第一金屬層結(jié)合至所述第二金屬層。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中通過超聲波焊接將所述第一金屬層結(jié)合至所述第二金屬層。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中通過環(huán)氧樹脂將所述第一金屬層結(jié)合至所述第二金屬層。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中通過焊料將所述第一金屬層結(jié)合至所述第二金屬層。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中對所述第二金屬層進(jìn)行圖案化，以在功率型封裝的電路小片焊墊上形成所述凸起形體，所述功率型封裝選自由以下封裝組成的群組DPAK、D2PAK、TO-220、TO-247、SOT-223、TSSOP-x、SO-x、SSOP-x、TQFP、SE70-8、TSOP-8以及TSOP12。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中對所述第二金屬層進(jìn)行圖案化，以形成所述凸起形體作為用于將引線緊固在塑料本體中的階梯。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中對所述第二金屬層進(jìn)行圖案化，以形成所述凸起形體作為用于連接封裝內(nèi)兩個電路小片的跡線。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中對所述第二金屬層進(jìn)行圖案化，以形成所述凸起形體作為用于將電路小片觸點連接分布至所述封裝的周緣的跡線。
9.一種用于半導(dǎo)體裝置封裝的引線框架，所述引線框架包括第一金屬層，其用于界定引線框架；以及第二金屬層，其結(jié)合至所述第一金屬層并界定所述引線框架的凸起形體。
10.如權(quán)利要求9所述的引線框架，其中所述第二金屬層焊接至所述第一金屬層。
11.如權(quán)利要求9所述的引線框架，其進(jìn)一步在所述第一與第二金屬層之間包括環(huán)氧樹脂。
12.如權(quán)利要求9所述的引線框架，其進(jìn)一步在所述第一與第二金屬層之間包括焊料。
13.如權(quán)利要求9所述的引線框架，其中所述凸起形體包括用于將引線緊固在塑料封裝本體中的階梯。
14.如權(quán)利要求9所述的引線框架，其中所述凸起形體包括用于連接封裝中的兩個電路小片的導(dǎo)電跡線。
15.如權(quán)利要求9所述的引線框架，其中所述凸起形體包括用于將電路小片觸點分布至封裝周緣的導(dǎo)電跡線。
16.一種半導(dǎo)體裝置封裝，其包括支撐于引線框架上的電路小片，所述引線框架包括結(jié)合至第二金屬層上的第一金屬層，所述第二金屬層界定所述引線框架的凸起形體。
17.如權(quán)利要求16所述的封裝，其中所述第二金屬層通過焊接、環(huán)氧樹脂、或焊料結(jié)合至所述第一金屬層。
18.如權(quán)利要求16所述的封裝，其中所述凸起形體選自階梯，其用于將引線緊固于所述封裝的本體內(nèi)；導(dǎo)電跡線，其用于在所述封裝本體中連接所述電路小片與第二電路小片；或?qū)щ娵E線，其用于將電路小片觸點分布至所述封裝本體的周緣上。
全文摘要
通過將至少兩個金屬層結(jié)合在一起來制造一種具有凸起形體的用于半導(dǎo)體裝置封裝的引線框架。第一金屬層可界定包括任何電路小片焊墊及引線的引線框架的橫向尺寸。結(jié)合至第一金屬層的第二金屬層可界定引線框架的凸起形體，例如用于在實體上將引線框架緊固于封裝本體內(nèi)的階梯。所述多個金屬層可通過許多可能的技術(shù)結(jié)合到一起，包括(但不限于)超聲波焊接、軟焊、或使用環(huán)氧樹脂。在結(jié)合之前或之后，可對一個或一個以上金屬層進(jìn)行壓花或沖壓以形成其他形體，例如分岔或溝槽。
文檔編號H01L23/48GK101068005SQ200710090879
公開日2007年11月7日 申請日期2007年4月9日 優(yōu)先權(quán)日2006年5月2日
發(fā)明者詹姆斯·哈恩登, 安東尼·謝, 王黎明, 楊宏波 申請人:捷敏服務(wù)公司