專利名稱：拋光劑的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及葡糖酸鹽在半導(dǎo)體晶片制備中的用途，優(yōu)選在所述制備方法中對(duì)半導(dǎo)體晶片進(jìn)行拋光中的用途，并涉及一種拋光劑，所述拋光劑基于研磨材料和/或膠體以及二琥珀酸/鹽(disuccinate)或者甲基甘氨酸二乙酸(MGDA)和葡糖酸鹽的混合物。
用于拋光半導(dǎo)體晶片的方法是公知的。在這些方法中，半導(dǎo)體晶片移動(dòng)跨過(guò)覆蓋有拋光布的拋光板，其中引入了拋光劑。所述拋光劑含有研磨材料或者膠體，而且是酸性、中性或者堿性的——具體取決于應(yīng)用領(lǐng)域。半導(dǎo)體晶片，例如硅半導(dǎo)體晶片，是沒有被覆蓋的或者覆蓋有厚度為1-1.5nm的天然氧化物，或者，在制備電子元件的情況下，至少部分覆蓋有人為施加的層和/或結(jié)構(gòu)。在實(shí)施這些方法時(shí)，基于二氧化硅的并且其中可以加入各種其它研磨材料的堿性懸浮體，例如，根據(jù)DE19817087A1和DE10063488A1，被廣泛用作化學(xué)機(jī)械拋光劑。
在大多數(shù)情況下，金屬污染的程度都很重要，這是因?yàn)槿绻^(guò)臨界限值，那么在元件制備方法中將產(chǎn)生大量的負(fù)面效應(yīng)，這必然和產(chǎn)量損失相關(guān)。銅占據(jù)著特殊的位置，在例如拋光過(guò)程中，它甚至在室溫下穿透到?jīng)]有被天然氧化物保護(hù)的硅表面內(nèi)。當(dāng)在元件制備中拋光半導(dǎo)體晶片時(shí)，目前有時(shí)故意利用銅來(lái)例如形成電軌道(electrical track)。
所以，已經(jīng)開發(fā)了這種拋光劑，它在沒有被覆蓋的半導(dǎo)體晶片的拋光過(guò)程中結(jié)合了不想要的痕量銅，或者結(jié)合了由于元件層或結(jié)構(gòu)的拋光而釋放的銅，并因此使其偏離平衡。根據(jù)WO01/06553A1，這通過(guò)形成溶解度有限的銅化合物得以實(shí)現(xiàn)。另一種策略是采用螯合劑，例如，這在US5366542、US2002/0124474A1、JP2001077063A、JP2001176826A和EP1229094A1中進(jìn)行了描述。這些螯合劑是多官能有機(jī)分子，它和金屬離子例如帶正電的銅(Cu2+)形成具有至少兩個(gè)配位點(diǎn)(具有自由電子對(duì))的籠型化合物(螯合物)，因此也對(duì)銅結(jié)合有貢獻(xiàn)。有效的螯合劑是乙酸衍生物，比如亞氨基二乙酸鹽(IDA)、乙二胺四乙酸鹽(EDTA)和二亞乙基三胺五乙酸鹽(DTPA)，通常以其鈉鹽形式使用，這些鈉鹽是很容易在工業(yè)上得到的，例如Na2IDA、Na4EDTA和Na5DTPA。
具有螯合劑(所述螯合劑具有乙酸根)的拋光劑的缺點(diǎn)在于它們?cè)谏镂鬯幚碇袃H能很困難地發(fā)生降解，并且或者造成生態(tài)破壞，或者必須在代價(jià)很大的另外污水處理工藝(比如，用臭氧氧化或者焚燒)中去除。所以，在DE10304894B4中，開發(fā)了基于二琥珀酸/鹽的拋光劑。但是，在應(yīng)用中，發(fā)現(xiàn)二琥珀酸/鹽的絡(luò)合能力有限，尤其是在存在鐵離子的情況下，可能出現(xiàn)不想要的氫氧化鐵沉淀。
本發(fā)明的目標(biāo)是提供適用于拋光半導(dǎo)體晶片的拋光劑，它含有對(duì)銅離子具有高絡(luò)合能力的螯合劑，同時(shí)不會(huì)導(dǎo)致在生物污水處理中出現(xiàn)問(wèn)題，并且防止出現(xiàn)不想要的沉淀，尤其是氫氧化鐵沉淀。
在涉及本發(fā)明的工作中，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)葡糖酸鹽，優(yōu)選葡糖酸的堿金屬鹽或者堿土金屬鹽，特別優(yōu)選葡糖酸的堿金屬鹽，可用于制備半導(dǎo)體晶片，尤其優(yōu)選用于在制備過(guò)程期間拋光半導(dǎo)體晶片。
然而本發(fā)明還提供了一種拋光劑，它含有如下組分a)水，b)研磨材料和/或膠體，c)甲基甘氨酸二乙酸(MGDA)或者以下通式的二琥珀酸/鹽 其中R表示-(NH-CH2-CH2-)nNH-，X表示氫和/或堿金屬和n表示0-2的整數(shù)，和d)葡糖酸的堿金屬鹽或者堿土金屬鹽。
本發(fā)明另外提供了用于拋光具有前表面、后表面和邊緣的半導(dǎo)體晶片的方法，特征在于采用了上述類型的拋光劑。
令人驚奇的是，含有MGDA或二琥珀酸/鹽和葡糖酸鹽的組合的本發(fā)明拋光劑一方面顯示出由DE10304894B1公知的優(yōu)點(diǎn)，而且還對(duì)另外的不想要的陽(yáng)離子，比如鐵、銅和鎳，具有優(yōu)異的絡(luò)合性質(zhì)。
下面將更詳細(xì)描述本發(fā)明的拋光劑的組分及其在半導(dǎo)體晶片拋光中的用途。就組分(a)而言，出于對(duì)原理、技術(shù)和生態(tài)學(xué)方面的各種原因以及成本原因的考慮，采用水作為拋光劑成分的流體或者載體介質(zhì)。優(yōu)選通過(guò)蒸餾、去離子作用、反滲透、過(guò)濾和/或類似方法純化后的水。特別優(yōu)選電導(dǎo)率達(dá)18(MΩ·cm)-1的超純水。在本發(fā)明的拋光劑中，水的優(yōu)選存在量的比例為45-99.9wt％，特別優(yōu)選的比例為84-99.8wt％。但是，如果必需，也可以采用水和無(wú)機(jī)或者有機(jī)溶劑的混合物。
大量具有限定顆粒尺寸分布的研磨材料的含水懸浮體或者含水溶膠或者膠體是合適的研磨材料和/或膠體(組分(b))，其中所述顆粒尺寸分布可以是納米至微米范圍，具體取決于預(yù)期應(yīng)用。本發(fā)明可用的固體的實(shí)例是SiO2、TiO2、ZrO2、CeO2、SnO2、Al2O3、Si3N4和/或SiC。在對(duì)尤其用硅制成的半導(dǎo)體晶片進(jìn)行拋光的過(guò)程中，優(yōu)選二氧化硅作為組分(b)，比例為0.05-50wt％(基于SiO2)；特別優(yōu)選比例為0.1-10wt％，基于SiO2。合適的二氧化硅可以根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)通過(guò)例如水玻璃(硅酸鈉)的沉淀和純化、通過(guò)硅酸鹽的水解或者通過(guò)SiCl4的煅燒來(lái)制備。在二氧化硅用作組分(b)的情況下，優(yōu)選堿性穩(wěn)定化處理。
就組分(c)而言，采用MGDA或者二琥珀酸/鹽。二琥珀酸/鹽是具有兩個(gè)琥珀酸單元的化合物，具有以下通式 它已經(jīng)由于自身的羧酸基團(tuán)而具有四個(gè)潛在的配位位置以和多價(jià)金屬形成絡(luò)合物。如果連接基團(tuán)R另外包含至少一個(gè)具有自由電子對(duì)的氮原子，那么存在一種與現(xiàn)有技術(shù)拋光劑中的螯合劑(其在氮原子上具有強(qiáng)吸電子的乙酸根)不同的螯合劑，其是生物可降解的、還具有對(duì)多價(jià)過(guò)渡金屬離子的良好的絡(luò)合性質(zhì)。
除了MGDA以外，具有R為-(NH-CH2-CH2-)nNH-的二琥珀酸/鹽已經(jīng)證明對(duì)本發(fā)明而言是合適的，其中n表示0-2的整數(shù)，X表示氫或者堿金屬
除了MGDA以外，這個(gè)組分(c)的優(yōu)選化合物是如下三個(gè)代表物質(zhì)亞氨基二琥珀酸(縮寫成IDS；n＝0)，和其鹽，例如，具有以下通式的亞氨基二琥珀酸四鈉(Na4IDS) 這些化合物及其在造紙中的用途在例如DE19713911A1中有描述。
組分(c)的其它優(yōu)選化合物是乙二胺二琥珀酸(縮寫成EDDS；n＝1)和其鹽，例如，具有以下通式的乙二胺二琥珀酸四鈉(Na4EDDS) 從例如US5859273中已知這些化合物及其在攝影、氣體處理和銅沉積中的用途。同樣適合于作為組分(c)來(lái)實(shí)施本發(fā)明的是二亞乙基三胺二琥珀酸(縮寫成DTDS；n＝2)和其鹽，例如，二亞乙基三胺二琥珀酸四鈉(Na4DTDS)。
所以，根據(jù)本發(fā)明，優(yōu)選含有亞氨基二琥珀酸(n＝0)和/或乙二胺二琥珀酸(n＝1)和/或二亞乙基三胺二琥珀酸和/或這些化合物的一種或多種鹽或者甲基甘氨酸二乙酸作為組分(c)的拋光劑。
MGDA和上述化合物IDS、EDDS和DTDS以0.005-5wt％的比例加入，其中后者優(yōu)選以酸或堿金屬鹽的形式加入。特別優(yōu)選以0.01-1wt％的比例加入MGDA或者IDS、EDDS或DTDS的鈉鹽和/或鉀鹽。當(dāng)以上述比例存在時(shí)，本發(fā)明拋光劑中的重金屬離子比如Cu2+、Ni2+和Fe3+，被有效地結(jié)合。所得的螯合物保留在溶液中；但是，在半導(dǎo)體晶片拋光中的不想要的金屬離子，例如Cu2+，以化學(xué)方式被阻擋，由此變得沒有害處。和現(xiàn)有技術(shù)拋光劑中所含的具有乙酸根的螯合劑的顯著區(qū)別在于如下事實(shí)MGDA和上述二琥珀酸及其鹽、以及和其形成的具有金屬離子的螯合物，在常規(guī)生物污水處理工廠中會(huì)沒有任何問(wèn)題地被降解，而采用例如IDA、EDTA和DTPA時(shí)就不是這樣。在最后提到的螯合劑的情況下存在的如下風(fēng)險(xiǎn)對(duì)于采用MGDA、IDS、EDDS和DTDS的情況來(lái)說(shuō)是不存在的所述物質(zhì)以沒有分解狀態(tài)進(jìn)入環(huán)境中，并且例如從污水污泥或者沉淀物中浸出有毒重金屬。
葡糖酸的堿金屬鹽或堿土金屬鹽被用作組分(d)。葡糖酸鹽的所有形式都可以用作拋光劑。最便宜的是D(+)葡糖酸[CAS 526-95-4]或者其堿金屬鹽或者堿土金屬鹽。葡糖酸的堿金屬鹽，尤其是葡糖酸的鈉鹽或鉀鹽，是本發(fā)明優(yōu)選的。
在本發(fā)明的拋光劑中，組分(d)的含量是0.005-5wt％，優(yōu)選0.01-0.5wt％。
含有組分(a)-(c)或者組分(a)-(d)的拋光劑的優(yōu)選pH是pH8-pH13，特別優(yōu)選pH9-pH12。
含有組分(a)、(b)、(c)和(d)的拋光劑已經(jīng)可以在各種情況下能夠滿足其預(yù)期目的。這應(yīng)用于例如那些其中采用強(qiáng)機(jī)械性組分進(jìn)行拋光的情況，例如，采用Al2O3作為研磨材料的情況。這也應(yīng)用于如下情況要求使用堿性系統(tǒng)，而且所用的研磨材料或膠體，例如二氧化硅，已經(jīng)經(jīng)過(guò)了合適的堿性穩(wěn)定化處理，而且已經(jīng)達(dá)到了本情況優(yōu)選的pH(8-13)。在這種情況下有利的是，例如市售二氧化硅膠體，尤其是在通過(guò)離子交換去除了例如堿金屬離子之后，已經(jīng)具有了堿度和緩沖效果，所述堿度和緩沖效果在一些情況中是足夠的。但是，也可能存在如下情況，尤其是在進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)時(shí)其中為了將pH調(diào)至所需值和/或?yàn)榱诵纬删哂性黾拥木彌_能力并因而在拋光過(guò)程中pH值變化小的緩沖系統(tǒng)，另外引入堿性化合物將是有利的，然而在它們的基本性質(zhì)方面，在加入或不加入其它組分的情況下，本發(fā)明的拋光劑之間不存在差異。
拋光劑可以任選地僅僅含有組分(a)、(b)和(d)。
合適作為任選的附加組分(c)的是比例優(yōu)選為0.01-10wt％、特別優(yōu)選0.05-5wt％的堿金屬離子或者銨離子的堿式鹽或者氫氧化物。堿金屬是鋰、鈉、銣和銫；優(yōu)選鈉(Na+)和鉀(K+)離子。銨離子是例如銨(NH4+)和四甲基銨(N(CH3)4+，縮寫成(TMAH))。堿金屬鹽是上述陽(yáng)離子的例如碳酸鹽(CO32-)和碳酸氫鹽(HCO3-)。在實(shí)施本發(fā)明時(shí)優(yōu)選堿性Na和/或K鹽；特別優(yōu)選Na2CO3和K2CO3。
本發(fā)明的拋光劑可以另外含有其它組分，這些組分對(duì)寬范圍的可能用途中的特殊應(yīng)用提供了支持。這些其它組分不應(yīng)超過(guò)優(yōu)選5wt％、特別優(yōu)選1wt％的比例，以避免改變本發(fā)明拋光劑的本質(zhì)。所述另外組分可以是例如氧化劑，比如過(guò)氧化氫、拋光促進(jìn)劑和耐腐蝕劑，比如胺類和羧酸類，比如丁醇和聚乙烯醇，和其它有機(jī)化合物，比如纖維素化合物和氨基酸，和無(wú)機(jī)化合物，比如鹽、氧化物和氫氧化物。
對(duì)于本發(fā)明拋光劑的制備而言，可能存在著不同的變化。因此，所有組分可以通過(guò)例如攪拌或者泵循環(huán)在容器中混和，通過(guò)抽吸或者重力作用轉(zhuǎn)移到拋光設(shè)備中。對(duì)所述組分的濃縮溶液進(jìn)行預(yù)先稀釋可能是明智的做法。但是，在實(shí)踐中，尤其在添加堿性組分(c)時(shí)，制備兩種預(yù)混物并僅僅在拋光地點(diǎn)將這兩種預(yù)混物組合在一起是可行的而且可能是有利的，所述兩種預(yù)混物是例如水和研磨材料、膠體和Na4IDS、MGDA或Na4DTDS和葡糖酸鹽(預(yù)混物1)和水與堿性組分(e)(預(yù)混物2)。在可以實(shí)施的所有操作方法中，應(yīng)該保證對(duì)于所用組分(b)的懸浮體而言合適的pH范圍不是沿著過(guò)酸或者過(guò)堿的方向，即使短時(shí)間也不行，以避免形成沉淀或者凝膠，所述沉淀或凝膠對(duì)拋光劑的性質(zhì)有負(fù)面影響。
本發(fā)明的拋光劑也適于循環(huán)使用。在這種操作中，部分所用的拋光劑通常被新鮮拋光劑替換，或者通過(guò)針對(duì)性引入在每種情況下所用的組分來(lái)加滿。在一定量的拋光操作之后，或者在特定使用服務(wù)期限之后，建議用新鮮批次徹底替換所述批次的拋光劑。以此方式，拋光劑性質(zhì)的逐漸改變得到抵消，而且，雖然重金屬離子，尤其是銅和鎳，是以二琥珀酸螯合物或者與MGDA的螯合物形式存在，但是它們的過(guò)分累積也得到抵消。
本發(fā)明的拋光劑適于寬范圍的應(yīng)用，就金屬性雜質(zhì)尤其是銅和鎳的污染而言，半導(dǎo)體晶片是優(yōu)選的拋光目標(biāo)。在拋光過(guò)程中，以組分(b)(MGDA或者IDS，EDDS和/或DTDS；以游離酸或者鹽的形式)形式存在的螯合劑通過(guò)形成螯合物防止這些金屬引入到半導(dǎo)體晶片中，所述螯合物盡管事實(shí)上保留在溶液中，但是確實(shí)在化學(xué)上使離子比如Cu2+和Ni2+失活，而且抑制這些離子進(jìn)入半導(dǎo)體晶片的晶格中。理論上，可以區(qū)分兩種類型的拋光過(guò)程(1)拋光沒有被覆蓋的或者僅僅用天然氧化物覆蓋的、由例如硅形成的半導(dǎo)體晶片，其中例如Cu2+和Ni2+以不可避免的污染物形式存在并且必須被阻擋，和(2)在元件制備過(guò)程中拋光半導(dǎo)體晶片，所述晶片覆蓋有人工施加的層和/或結(jié)構(gòu)，所述層和/或結(jié)構(gòu)可能含有故意添加的銅，這些銅在釋放時(shí)立刻被螯合劑阻擋，不會(huì)穿透進(jìn)入所述元件的其它部分或者半導(dǎo)體晶片自身中并導(dǎo)致破壞，例如，通過(guò)漏電流或者甚至短路來(lái)導(dǎo)致破壞。
在對(duì)沒有被覆蓋的或者僅僅用天然氧化物覆蓋的、由例如硅制成的、而且具有邊緣、前表面和后表面的半導(dǎo)體晶片進(jìn)行拋光(1)中，本發(fā)明拋光劑的各種應(yīng)用可能存在著不同。因此，可能拋光半導(dǎo)體晶片的邊緣以防止在元件制備過(guò)程中出現(xiàn)顆粒粘附。如果存在著切痕作為晶軸的取向特征，它也可以被拋光。對(duì)于這些應(yīng)用而言，市場(chǎng)上有合適尺寸的邊緣拋光機(jī)。
同樣在現(xiàn)有技術(shù)的設(shè)備上以單側(cè)拋光或者兩側(cè)拋光的形式而實(shí)現(xiàn)使用本發(fā)明的拋光方法來(lái)拋光半導(dǎo)體晶片的至少一個(gè)前表面。在一側(cè)拋光的情況下，一個(gè)或多個(gè)通常蝕刻的半導(dǎo)體晶片被連接到載體單元上，其相反側(cè)通過(guò)蠟、真空或者粘合固定；所述晶片發(fā)生移動(dòng)，其前表面一般在拋光板上旋轉(zhuǎn)，所述拋光板一般也旋轉(zhuǎn)，在拋光板上貼有拋光布，而且連續(xù)引入滿足本發(fā)明條件的拋光劑。在兩側(cè)拋光的情況下，一個(gè)或多個(gè)硅晶片在兩個(gè)通常相反旋轉(zhuǎn)的拋光板之間移動(dòng)，在拋光板上貼有拋光布，同樣連續(xù)引入所述拋光劑，所述拋光劑在一個(gè)或多個(gè)旋轉(zhuǎn)盤的作用下沿著相對(duì)于拋光板的預(yù)定路徑移動(dòng)，這樣使得硅晶片的前表面和后表面被同時(shí)拋光。
在本發(fā)明的范圍內(nèi)，對(duì)于拋光沒有被覆蓋的或者僅僅用天然氧化物覆蓋的、由硅制備的半導(dǎo)體晶片而言，特別優(yōu)選的拋光劑的pH值為9-12，含有比例為84-99.8wt％的水、比例為0.1-10wt％的沉淀二氧化硅(以SiO2計(jì)算)、比例為0.01-1wt％的亞氨基二琥珀酸和/或乙二胺二琥珀酸的鈉鹽或鉀鹽或者M(jìn)GDA、比例為0.05-5wt％的碳酸鈉和/或碳酸鉀、比例為0.001-0.5wt％的葡糖酸鈉或鉀。
在元件制備過(guò)程中對(duì)覆蓋了人工施加的層和/或結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體晶片的拋光(2)現(xiàn)在在制備最新一代元件中起到重要作用。這通常涉及采用單側(cè)拋光方法和設(shè)備，所述方法和設(shè)備和(1)中所述的類似。在這種情況下，該方法稱作化學(xué)機(jī)械平坦化(也稱作CMP)。本發(fā)明的拋光劑尤其對(duì)于拋光鎢和銅層而言是特別合適的。和拋光沒有被覆蓋的表面相比，在這種情況下優(yōu)選具有較粗顆粒尺寸的研磨材料和/或膠體和較硬拋光布。
可以通過(guò)具有較高回收率(例如大于90％的回收率)的方法來(lái)分析確定硅晶格中的銅含量。為此，待分析的硅晶片可以完全溶解在濃硝酸和濃氫氟酸的高純混合物中，在蒸發(fā)和吸收(take up)在稀酸之后通過(guò)光譜法確定銅比例。這種方法很復(fù)雜，而且伴隨較高的測(cè)量誤差。優(yōu)選如下方法其中，由例如多晶硅組成的吸除層(gettering layer)在升高溫度下被氣相沉積到硅晶片表面上，然后通過(guò)化學(xué)方法分離并分析，所述吸除層幾乎將銅定量吸到表面上。
在本發(fā)明的拋光劑中加入作為組分(c)的MGDA或者IDS、EDDS、DTDS或者其鹽以及作為組分(d)的葡糖酸鹽，提供了有效螯合和因而阻擋例如銅離子與生態(tài)學(xué)方面的生物可降解性的優(yōu)異結(jié)合，并具有顯著降低用過(guò)的拋光劑和特別存在于堿性范圍內(nèi)的氫氧化物(尤其是氫氧化鐵)沉淀的處理成本的優(yōu)點(diǎn)。
實(shí)施例
權(quán)利要求
1.一種拋光劑，含有如下組分a)水，b)研磨材料和/或膠體，c)甲基甘氨酸二乙酸或者以下通式的二琥珀酸/鹽 其中R表示-(NH-CH2-CH2-)nNH-，X表示氫和/或堿金屬n是0-2的整數(shù)，和d)葡糖酸的堿金屬鹽或者堿土金屬鹽。
2.權(quán)利要求1的拋光劑，特征在于含有比例為0.05-50wt％的二氧化硅作為組分(b)，以SiO2計(jì)算。
3.權(quán)利要求1或2的拋光劑，特征在于pH值為8-13。
4.權(quán)利要求1-3之一的拋光劑，特征在于鈉鹽或者鉀鹽被用作葡糖酸的堿金屬鹽。
5.權(quán)利要求1-4之一的拋光劑，特征在于含有亞氨基二琥珀酸(n＝0)和/或乙二胺二琥珀酸(n＝1)和/或二亞乙基三胺二琥珀酸和/或這些化合物的一種或多種鹽或者甲基甘氨酸二乙酸作為組分(c)。
6.權(quán)利要求1-5之一的拋光劑，特征在于含有比例為0.005-5wt％的組分(c)。
7.權(quán)利要求1-4之一的拋光劑，特征在于不含組分(c)。
8.權(quán)利要求1-7之一的拋光劑，特征在于含有比例為0.01-10wt％的堿金屬離子和/或銨離子的一種或多種堿式鹽和/或氫氧化物作為附加組分(e)。
9.權(quán)利要求1-6和8之一的拋光劑，pH值為9-12，含有如下組分(a)比例為84-99.8wt％的水，(b)比例為0.1-10wt％的二氧化硅，以SiO2計(jì)算，(c)比例為0.01-1wt％的亞氨基二琥珀酸和/或乙二胺二琥珀酸的鈉鹽或鉀鹽，和(d)比例為0.05-5wt％的碳酸鈉和/或碳酸鉀，(e)比例為0.01-0.5wt％的葡糖酸鉀或鈉。
10.用于拋光具有前表面、后表面和邊緣的半導(dǎo)體晶片的方法，特征在于采用了權(quán)利要求1-8之一的拋光劑。
11.權(quán)利要求10的方法，特征在于所述半導(dǎo)體晶片基本由硅組成。
12.權(quán)利要求10或11的方法，特征在于半導(dǎo)體晶片的前表面的至少一部分覆蓋有人工施加的層和/或結(jié)構(gòu)。
13.權(quán)利要求12的方法，特征在于在所述層和/或結(jié)構(gòu)中含有銅作為電導(dǎo)體。
14.權(quán)利要求10或11的方法，特征在于所述硅晶片的前表面沒有被覆蓋或者覆蓋有天然氧化物，通過(guò)引入權(quán)利要求1-9之一的拋光劑進(jìn)行拋光。
15.權(quán)利要求10或11的方法，特征在于所述硅晶片的前表面和后表面沒有被覆蓋或者覆蓋有天然氧化物，通過(guò)引入權(quán)利要求1-9之一的拋光劑進(jìn)行拋光。
16.權(quán)利要求10或11的方法，特征在于通過(guò)引入權(quán)利要求1-9之一的拋光劑拋光所述硅晶片的邊緣。
17.權(quán)利要求10-16之一的方法，特征在于所用拋光劑的至少一部分被循環(huán)使用。
18.如下組分的混合物作為拋光劑，優(yōu)選作為半導(dǎo)體晶片拋光劑的用途a)水，b)研磨材料和/或膠體，c)甲基甘氨酸二乙酸或者以下通式的二琥珀酸/鹽 其中X和R具有權(quán)利要求1中給出的意義，和d)葡糖酸的堿金屬鹽或者堿土金屬鹽。
19.權(quán)利要求18的用途，特征在于不含組分(c)。
20.葡糖酸鹽，優(yōu)選葡糖酸的堿金屬鹽或者堿土金屬鹽，在制備半導(dǎo)體晶片中的用途。
21.權(quán)利要求20的用途，特征在于葡糖酸鹽和甲基甘氨酸二乙酸或者二琥珀酸/鹽組合使用。
全文摘要
本發(fā)明涉及葡糖酸鹽在半導(dǎo)體晶片制備中的用途，優(yōu)選在制備方法中拋光半導(dǎo)體晶片中的用途，而且涉及一種拋光劑，所述拋光劑基于研磨材料和/或膠體以及二琥珀酸/鹽或者甲基甘氨酸二乙酸(MGDA)和葡糖酸鹽的混合物。
文檔編號(hào)H01L21/304GK101029208SQ20071009234
公開日2007年9月5日 申請(qǐng)日期2007年2月25日 優(yōu)先權(quán)日2006年2月24日
發(fā)明者G·海伊, A·阿格希納 申請(qǐng)人:H.C.施塔克公司