專利名稱：發(fā)光裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及插入兩面貼有導(dǎo)電箔的絕緣襯底的薄型發(fā)光裝置及其制造 方法。
背景技術(shù)：
圖7中表示有防止從發(fā)光元件發(fā)出的光被支承襯底吸收、抑制發(fā)光損失 而實(shí)現(xiàn)整體亮度提高的發(fā)光裝置。該發(fā)光裝置由發(fā)光元件100、支承襯底200、襯底電極300、固著電極部 400、光反射部500、孔部600及鍍層700構(gòu)成。發(fā)光元件100為三族氮化物 類化合物半導(dǎo)體發(fā)光元件。支承襯底200為由聚酰亞氨、玻璃環(huán)氧樹脂或 BT樹脂等樹脂形成的絕緣性襯底，還具有以下部分由從該表面敷蓋到背 面形成的銅箔膜構(gòu)成的一對(duì)襯底電極部300、在與發(fā)光元件100的載置面相 反側(cè)的面上形成的銅箔膜構(gòu)成的光反射部500、在支承襯底200的厚度方向 開設(shè)了 一對(duì)襯底電極部300相對(duì)的絕緣部的孔部600、由形成于從該孔部600 露出的光反射部500的露出面和孔部600的內(nèi)周面的金或銀形成的鍍層700。 另外，由設(shè)于支承襯底200的背面且和襯底電極部300導(dǎo)通的導(dǎo)電膜構(gòu)成的 電極為安裝于主插件板等裝置襯底上的固著電極部400。專利文獻(xiàn)1:特開2005 — 185387號(hào)公報(bào)上述的發(fā)光裝置中存在以下這些問題點(diǎn)。例如移動(dòng)終端設(shè)備等正在進(jìn)行小型化、薄型化，發(fā)光裝置的薄型化是市 場要求。但是，在如圖7的發(fā)光裝置中，發(fā)光元件100為配置于支承襯底200上 的結(jié)構(gòu)，因此，需要安裝后的厚度至少為發(fā)光元件100的厚度和支承襯底200 的厚度的總和以上。對(duì)支承襯底200的材料進(jìn)行改良等的薄型化進(jìn)程也在進(jìn) 行著，但作為支承材料需要確保一定程度的強(qiáng)度，在也考慮制造工序中操作 的容易度等時(shí)以上大幅度的薄型化是有限度的。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是鑒于有關(guān)的問題點(diǎn)而開發(fā)的，目的在于提供一種發(fā)光裝置及其 制造方法。本發(fā)明第一方面提供一種發(fā)光裝置，其具備設(shè)于絕緣襯底的兩主面上 的第一導(dǎo)電箔及第二導(dǎo)電箔、貫通所述絕緣襯底的元件載置用貫通孔、由覆 蓋所述貫通孔的底面的所述第二導(dǎo)電箔形成的固著電極、粘接于所述固著電 極上并且埋入所述絕緣襯底的元件載置用貫通孔的發(fā)光元件、用由所述第一 導(dǎo)電箔形成的所述發(fā)光元件的第一電極和金屬細(xì)線連接的取出電極。其具備 如下特征1、 所述發(fā)光元件大部分埋入所述元件載置用貫通孔，其上面高于所述 絕緣襯底表面。2、 所述發(fā)光元件用導(dǎo)電膏或非導(dǎo)電膏粘接于固著電極上，所述發(fā)光元 件的第二電極和由第二導(dǎo)電箔形成的背面安裝電極電連接。3、 所述第一及第二導(dǎo)電箔由銅構(gòu)成，在所述固著電極上積層有鎳鍍層 和金或銀鍍層，利用所述鎳鍍層使所述固著電極的硬度提高。4、 在所述元件載置用貫通孔的內(nèi)壁設(shè)有通孔鍍敷層，在該通孔鍍敷層 上也積層有鎳鍍層和金或銀鍍層。5、 所述固著電極和所述取出電極及所述背面安裝電極一體形成并傳遞 來自發(fā)光元件的發(fā)熱。6、 所述通孔鍍敷層上的所述金或銀鍍層作為所述發(fā)光元件的反射器共用。本發(fā)明第二方面提供一種發(fā)光裝置的制造方法，其具備準(zhǔn)備在其兩主 面貼有第一導(dǎo)電箔及第二導(dǎo)電箔的絕緣襯底的工序；選擇性除去形成預(yù)定的 元件載置用貫通孔的區(qū)域的所述第一導(dǎo)電箔而使所述絕緣襯底露出的工序； 對(duì)所述絕緣襯底選擇性地進(jìn)行干蝕刻而形成所述元件載置用貫通孔、檢測所 述第二導(dǎo)電箔的背面而停止干蝕刻、在所述元件載置用貫通孔的底面形成露 出所述第二導(dǎo)電箔的背側(cè)的固著電極的工序；通過通孔鍍敷在所述第 一導(dǎo)電 箔及第二導(dǎo)電箔、所述元件載置用貫通孔的內(nèi)壁形成通孔鍍敷層的工序；按 所希望的形狀對(duì)所述第一導(dǎo)電箔及第二導(dǎo)電箔進(jìn)行干蝕刻而形成取出電極、 背面安裝電極的工序；在所述取出電極、背面安裝電極、所述元件載置用貫 通孔的內(nèi)壁的通孔鍍敷層及所述固著電極上積層而形成鎳鍍層及金或銀鍍層的工序；在所述元件載置用貫通孔的底面的所述固著電極上粘接發(fā)光元件 的工序；用金屬細(xì)線連接所述發(fā)光元件的第一電極和所述取出電極的工序； 用透明樹脂包覆所述發(fā)光元件及所述金屬細(xì)線的工序；將各單元部分別分割 為單個(gè)發(fā)光裝置的工序。其具備如下特征1、 所述干蝕刻利用激光蝕刻而進(jìn)行。2、 在形成所述通孔鍍敷層的工序中，在通過表面沾污去除處理除去所 述元件載置用貫通孔內(nèi)的蝕刻殘?jiān)笮纬伤鐾族兎髮印?、 所述第一導(dǎo)電箔及第二導(dǎo)電蕩用銅構(gòu)成，所述通孔層也通過銅形成。4、 各單元形成長方形形狀并以行列狀排列有多個(gè)。 根據(jù)本發(fā)明能夠得到以下效果第 一 ，將發(fā)光元件埋入式安裝于貫通成為發(fā)光裝置的支承材料的絕緣襯 底的元件載置用貫通孔內(nèi)，由此，發(fā)光裝置可大幅度薄型化。在支承材料(支 承村底)上層疊發(fā)光元件的安裝結(jié)構(gòu)需要成為發(fā)光元件和支承材料的總厚度 以上，存在不能增進(jìn)發(fā)光裝置的薄型化的問題。但是，根據(jù)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)， 發(fā)光元件能夠配置于不存在絕緣襯底的固著電極上，因此，即使采用如現(xiàn)有 厚度的發(fā)光元件及支承材料(絕緣襯底)，也能夠?qū)崿F(xiàn)發(fā)光裝置的薄型化。第二，發(fā)光元件大部分被埋入元件載置用貫通孔，并以其上面高于絕緣 襯底表面的方式配置，因此，能夠防止發(fā)光效率的劣化。發(fā)光元件^C完全埋入元件載置用貫通孔時(shí)，向外部的發(fā)光效率可能劣 化。另外，發(fā)光元件的發(fā)光角度根據(jù)其尺寸(厚度)而變化，因此，大幅度 變更發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)時(shí)，發(fā)光特性可能變化。但是根據(jù)本實(shí)施方式，在發(fā)光元件的載置區(qū)域不存在絕緣襯底，即，可 以忽視目前受到制約的絕緣襯底的厚度。因而，使用和現(xiàn)有同樣的發(fā)光元件 不會(huì)改變發(fā)光效率的劣化及發(fā)光特性，能夠容易地實(shí)現(xiàn)發(fā)光裝置的薄型化。第三，發(fā)光元件用導(dǎo)電膏或非導(dǎo)電膏粘接在設(shè)于元件載置用貫通孔的底 部的固著電極上，發(fā)光元件的第二電極經(jīng)由固著電極或經(jīng)由金屬細(xì)線能夠和 用第二導(dǎo)電箔形成的背面安裝電極電連接。通過在設(shè)于絕緣村底背面的第二 導(dǎo)電箔上固著發(fā)光元件能夠?qū)崿F(xiàn)裝置的大幅度薄型化。第四，固著電極層疊有鎳鍍層和金或銀鍍層，因此，在由不存在絕緣襯 底的導(dǎo)電箔(第二導(dǎo)電箔)構(gòu)成的固著電極上載置發(fā)光元件而實(shí)現(xiàn)薄型化的 結(jié)構(gòu)，照樣能夠確保作為發(fā)光元件的載置區(qū)域的強(qiáng)度。第五，在元件載置用貫通孔的內(nèi)壁層疊有通孔鍍敷層、鎳鍍層和金或銀 鍍層，由此，即使是在元件載置用貫通孔中絕緣襯底被徹底分離的結(jié)構(gòu)，利 用硬度高的鎳鍍層也能夠確保作為發(fā)光元件的支承材料的強(qiáng)度。第六，固著電極和取出電極及背面安裝電極被一體形成，因此，能夠?qū)?來自發(fā)光元件的發(fā)熱經(jīng)由分別直接連接的固著電極及取出電極傳給背面安 裝電極。第七，設(shè)于元件載置用貫通孔內(nèi)壁的通孔鍍敷層上的金或銀鍍層和發(fā)光 元件的側(cè)面相對(duì)，因此，能夠?qū)⑦@些鍍層作為發(fā)光元件的反射器共用。根據(jù)本發(fā)明的制造方法，第一，能夠提供通過將發(fā)光元件埋入式配置于 貫通絕緣襯底的元件載置用貫通孔的內(nèi)部，實(shí)現(xiàn)發(fā)光裝置的薄型化的制造方 法。還通過在元件載置用貫通孔的干蝕刻的終點(diǎn)4全測中利用第二導(dǎo)電箔的背 面，能夠正確且容易地形成規(guī)定深度的元件載置用貫通孔，同時(shí)能夠使連接 發(fā)光元件的固著電極露出。另外，通過在取出電極、背面安裝電極、元件載置用貫通孔的內(nèi)壁的通 孔鍍敷層、固著電極上層疊而形成鎳鍍層及金或銀鍍層的工序，能夠在一個(gè) 工序中實(shí)施用于確保不存在絕緣襯底的固著電極部分的強(qiáng)度的鍍層的形成、 和粘結(jié)用鍍層的形成及發(fā)光元件的反射器的形成，從而，能夠簡化制造工序。進(jìn)而，能夠使發(fā)光元件的取出電極和第一電機(jī)趨于大致同等的高度，因 此，能夠容易地進(jìn)行金屬細(xì)線的固著。第二，通過使用激光蝕刻進(jìn)行形成元件載置用貫通孔的干蝕刻，能夠在 由銅構(gòu)成的第二導(dǎo)電箔的背面檢測蝕刻的終點(diǎn)。另外，能夠?qū)⒃d置用貫 通孔內(nèi)壁的傾斜角形成為大致研缽狀，因此，能夠作為反射器有效地利用。 還因?yàn)槭谴笾卵欣彔?，因此發(fā)光元件的安裝也變得容易。第三，在形成通孔鍍敷層的工序中，在通過表面沾污去除處理除去元件 載置用貫通孔內(nèi)的蝕刻殘?jiān)笮纬伤鐾族兎髮?，由此，能夠提高通?鍍敷層的密合性。第四，第 一導(dǎo)電箔及第二導(dǎo)電箔由銅構(gòu)成，通孔鍍敷層也用銅鍍層形成， 由此，在這些鍍層上形成的鎳鍍層及金或銀鍍層能夠通過電解鍍層形成彼此 均勻的厚度。第五，將各單元做成長方形狀的單元群并以行列狀多個(gè)排列配置，由此， 能夠大量地制造發(fā)光裝置，而且可將必不可少的反射器也作入元件載置用貫通孔內(nèi)。
圖1是本發(fā)明的發(fā)光裝置的(A)上面圖、(B)剖面圖； 圖2用于本發(fā)明的安裝襯底的(A)上面圖、(B)底面圖; 圖3 (A) (D)是說明本發(fā)明的制造方法的剖面圖； 圖4 (A) (B)是說明本發(fā)明的制造方法的剖面圖； 圖5 (A) (C)是說明本發(fā)明的制造方法的剖面圖； 圖6 (A) (C)是說明本發(fā)明的制造方法的平面圖； 圖7是說明現(xiàn)有的發(fā)光裝置的剖面圖。 符號(hào)說明10絕緣襯底11第一導(dǎo)電箔lla取出電極12第二導(dǎo)電箔12a固著電極12b背面安裝電極13通孔鍍敷層20通孔23、23a、 23b、 23c、 23d、 23e 導(dǎo)電性金屬層25元件載置用貫通孔26傾斜面27、28 分離槽29連接圖案30金屬細(xì)線31發(fā)光元件32透明樹脂33粘接劑34第一電極35第二電極40對(duì)位孔具體實(shí)施方式
參照?qǐng)D1 ~圖6說明本發(fā)明的實(shí)施方式。首先，圖1中表示本發(fā)明的發(fā)光裝置。圖1 (A)是上面圖，圖1 (B) 是圖1 (A)的a-a線剖面圖。本實(shí)施方式的發(fā)光裝置由絕緣襯底10、第一導(dǎo)電箔11、第二導(dǎo)電箔12、 元件載置用貫通孔25、固著電極12a、發(fā)光元件31、金屬細(xì)線30、取出電 lla構(gòu)成。絕緣襯底10作為第 一及第二導(dǎo)電箔11 、 12的支承襯底起作用，其為FR4 (環(huán)氧玻璃布)、BT (雙馬來酰亞胺三。秦)樹脂構(gòu)成的襯底、玻璃環(huán)氧襯底、 玻璃聚酰亞胺襯底等。本實(shí)施方式中作為一例使用BT樹脂構(gòu)成的襯底。絕 緣襯底10的厚度tl例如為60 ]u m左右。第一導(dǎo)電箔11及第二導(dǎo)電箔12用粘接劑壓接式貼于絕緣襯底10的兩 面。作為第一導(dǎo)電箔ll及第二導(dǎo)電箔12只要為可蝕刻的金屬即可。在本實(shí) 施方式中，采用由銅構(gòu)成的金屬箔。這些構(gòu)成配線的一部分，另外，后述的 第二導(dǎo)電箔12構(gòu)成發(fā)光元件31的支承材料。即，這些的膜厚選擇必要的厚度作為配線及發(fā)光元件31的支承材料。 配線的厚度可由安裝的電路元件的電流容量等任意確定。第一導(dǎo)電箔11和 第二導(dǎo)電箔12的膜厚相等，例如為9|am~35jum。元件載置用貫通孔25在絕緣襯底10的大致中央附近貫通絕緣襯底10 而設(shè)置。元件載置用貫通孔25通過干蝕刻而形成。作為本實(shí)施方式之一例 為通過激光形成的激光通道(匕、7)。其側(cè)面成為通過干蝕刻形成的平坦的 傾斜面26。即，相對(duì)于配置于內(nèi)壁的發(fā)光元件31能夠形成所需要的足夠的 大小，能夠?qū)崿F(xiàn)發(fā)光裝置50的小型化。利用元件載置用貫通孔25將構(gòu)成一 個(gè)發(fā)光裝置的絕緣襯底IO徹底分割成多個(gè)。元件載置用貫通孔25形成大小比被收容的發(fā)光元件31更大的正方形、 圓、橢圓或多角形等形狀。作為一例，元件載置用貫通孔25的形狀為上面開口直徑為0.3mm， 下面開口直徑為0.16mm的研缽狀，高度為O.lmm。元件載置用貫通孔25 的傾斜面26的傾斜度為125度。固著電極12a由覆蓋發(fā)光元件載置用貫通孔25的底面的第二導(dǎo)電箔12形成。即，元件載置用貫通孔25以自絕緣襯底IO的一主面(第一導(dǎo)電箔11) 側(cè)起貫通絕緣襯底10、且第二導(dǎo)電箔12的背面(絕緣襯底10側(cè))露出的方 式設(shè)置。而且，以覆蓋發(fā)光元件載置用貫通孔25的方式殘存的第二導(dǎo)電箔 12為固著電極12a。發(fā)光元件31為三族氮化物類化合物半導(dǎo)體(例如鎵滲氮物(GaN))的 發(fā)光元件，在元件的表面設(shè)有第一電極34及第二電極35。發(fā)光元件31的形 狀為底面0.15mm四方，高度為60jum~ 100jLim。在此作為一例用高度為 100jum的發(fā)光元件31。發(fā)光元件31以埋入元件載置用貫通孔25的方式配 置，并用粘接劑33粘接于自元件載置用貫通孔25露出的固著電極12a上。 還有后述，發(fā)光元件31實(shí)際上的粘接的是被層疊于固著電極12a上的導(dǎo)電 性金屬層23 ( 23 d )。粘接劑33例如為非導(dǎo)電膏或銀(Ag)等導(dǎo)電膏。另外，發(fā)光元件31 在固著電極12a上施予金(Au)鍍敷，由Au共晶粘接也可以。發(fā)光元件31大部分#1埋入元件載置用貫通孔25，其上面比絕緣襯底10 表面( 一主面)稍微突出。發(fā)光元件配置于絕緣襯底10的背面(另一主面) 的第二導(dǎo)電箔12構(gòu)成的固著電極12a上，因此，可實(shí)現(xiàn)發(fā)光裝置的大幅度 薄型化。另外，在本實(shí)施方式中，發(fā)光元件31的上面為自絕緣村底10稍微 突出，設(shè)于上面的第一電極34 (及第二電極35)的引線接合也容易。取出電極11 a通過按所希望的形狀對(duì)第 一 導(dǎo)電箔11進(jìn)行構(gòu)圖而形成， 并用金屬細(xì)線和發(fā)光元件31的第一電極34電連接。背面安裝電極12b通過按所希望的形狀對(duì)第二導(dǎo)電箔12進(jìn)行構(gòu)圖而形 成，并用金屬細(xì)線和發(fā)光元件31的第二電極35電連接。發(fā)光元件31的第二電極35和第一電極34同樣地設(shè)于發(fā)光元件31的上 面(參照?qǐng)D1 (A))，并通過金屬細(xì)線30和成為背面安裝電極12b的導(dǎo)電箔 12連接。在這種情況下，發(fā)光元件31經(jīng)由非導(dǎo)電膏粘接在固著電極12a上 (導(dǎo)電性金屬層23d)。另外，圖示省略，第二電極35也可以設(shè)于和第一電極34相對(duì)的發(fā)光元 件31的背面，在這種情況下，發(fā)光元件31經(jīng)由導(dǎo)電膏粘接在固著電極12a 上(導(dǎo)電性金屬層23),并通過固著電極12a和背面安裝電極12b連接。另外，在元件載置用貫通孔25的內(nèi)壁(側(cè)壁及底面)設(shè)有由通孔鍍敷 形成的通孔鍍敷層13。通孔鍍敷層13例如為銅箔(例如厚度15 ium左右)，10也被形成于第一導(dǎo)電箔11和第二導(dǎo)電箔12 (固著電極12a)的表面。即， 元件載置用貫通孔25的內(nèi)壁只形成通孔鍍敷層13,在其以外的區(qū)域通孔鍍 敷層13和第一導(dǎo)電箔11及第二導(dǎo)電箔12 (固著電極12a) —體化而將這些 相連接。導(dǎo)電性金屬層23為可固著的硬度高的多層金屬。在此，例如為鎳(Ni) -金(Au)層或Ni-Ag層。另外，也可以是使用把(Pd)等的Ni-Pd層 及Ag-Pd層。Ni層為硬度高的金屬層，Au層或Ag層可以和金屬細(xì)線30 進(jìn)行固著。另外，設(shè)有鎳(Ni)-金(Au)層時(shí)，能夠利用Au共晶固著如 上所述的發(fā)光元件31。另外，在被共晶的情況下，另外進(jìn)行Au鍍敷。導(dǎo)電性金屬層23 (例如厚度33nm)利用電解電鍍層疊于第 一導(dǎo)電箔 11、第二導(dǎo)電箔12及通孔鍍敷層13上。即，在取出電極lla、通孔鍍敷層 13及背面安裝電極12b上分別設(shè)有導(dǎo)電性金屬層23a、 23b、 23c,在固著電 極12a上也設(shè)有導(dǎo)電性金屬層23d、 23e。導(dǎo)電性金屬層23通過金屬細(xì)線30和發(fā)光元件31的第一電極34電連接， 并和取出電極lla (第一導(dǎo)電箔11 ) 一起形成發(fā)光元件31的正極側(cè)的電極。 另外，導(dǎo)電性金屬層23c、 23d、 23e和第一導(dǎo)電箔11 (或固著電極12a)及 背面安裝電極12b (第二導(dǎo)電箔12) —起形成發(fā)光元件31的負(fù)極側(cè)電極。取出電極lla和背面安裝電極12b通過分離槽27、 28、 28，分離，在分 離槽27、 28、 28，內(nèi)壁也設(shè)有導(dǎo)電性金屬層23。透明樹脂32覆蓋整體，作為發(fā)光元件31及金屬細(xì)線30的保護(hù)，同時(shí) 作為發(fā)光元件31的透鏡而工作。另外，在絕緣襯底10的另一主面(背面)側(cè)設(shè)有樹脂層(阻焊劑層) 38。阻焊劑層38從背面安裝電極12b上的導(dǎo)電性金屬層23c接連覆蓋到分 離槽28并埋入絕緣襯底10的背面?zhèn)鹊姆蛛x槽28、 28'。在安裝本實(shí)施方式的發(fā)光裝置50時(shí)，露出于阻焊劑層38兩側(cè)的導(dǎo)電性 金屬層23利用焊錫等固著于安裝襯底。利用阻焊劑層38能夠防止正極側(cè)和負(fù)極側(cè)的短路并吸收分離槽28、28， 部分的高差。其次，圖2中表示本發(fā)明的單個(gè)單元。圖2(A)是其上面圖，圖2(B) 是其底面圖。單元在絕緣襯底10的上面一體地貼有第一導(dǎo)電箔11，而在下面貼有第二導(dǎo)電箔12。在圖2中，最表面的導(dǎo)電性金屬層23被圖示出來，第一導(dǎo)電 箔11及第二導(dǎo)電箔12未圖示。在第一導(dǎo)電箔11 (導(dǎo)電性金屬層23)上設(shè) 有分離槽27且將第一導(dǎo)電箔ll左右分離， 一側(cè)(導(dǎo)電性金屬層23a側(cè))作 為正電極，另一側(cè)(導(dǎo)電性金屬層23側(cè))作為負(fù)電極。即，在中央附近成 凹狀圖案時(shí)，在凹狀圖案的左側(cè)形成L字狀圖案，將L字狀的圖案作為發(fā)光 元件31的正電極，將凹狀圖案作為負(fù)電極。在凹狀圖案的大致中央設(shè)有載 置有發(fā)光元件31的載置用貫通孔25。第二導(dǎo)電箔12由分離槽28、 28，分離成三個(gè)，左右兩端分別作為正電 極和負(fù)電極。具體地說，在左右設(shè)有長方形狀的圖案，在中央設(shè)有凸?fàn)畹膱D 案。左端的長方形狀的圖案成為正電極而右端的長方形狀圖案成為負(fù)電極。 中央的凸?fàn)畹膱D案是成為自元件載置用貫通孔25露出的固著電極12a的區(qū) 域。在元件載置用貫通孔25的側(cè)壁形成有通孔鍍敷層13,由此，成為正電 極及負(fù)電極的第一導(dǎo)電箔ll及第二導(dǎo)電箔12連結(jié)且被電連接(參照?qǐng)D1 (B))。另外，在單元的周端部形成有通孔20，在該通孔20內(nèi)也形成有通 孔鍍敷層13。由此，在單元的周端部也連結(jié)有成為正電極及負(fù)電極的第一導(dǎo) 電箔11及第二導(dǎo)電箔12，并切實(shí)地被通孔連接。上述的單元形成為在大的薄板狀的安裝襯底(絕緣襯底10 )上以行列狀 并列多個(gè)而排列。在實(shí)施方式中，通過將發(fā)光元件31埋入貫通絕纟彖襯底10的元件載置用 貫通孔25的內(nèi)部而配置于第二導(dǎo)電箔12上，能夠使發(fā)光裝置大幅度薄型化。如現(xiàn)有例(圖7 ),將發(fā)光元件100層疊在成為支承材料的內(nèi)壁襯底200 上的安裝結(jié)構(gòu)最低也需要在發(fā)光元件100和支承村底200的總厚度以上，因 而存在發(fā)光裝置的薄型化不能增進(jìn)的問題。但是，在本實(shí)施方式中將發(fā)光元件31配置于不存在絕緣襯底10的第二 導(dǎo)電箔12 (固著電極12a)上，因此，能夠完全無視制約現(xiàn)有例的大的絕緣 村底10的厚度而實(shí)現(xiàn)薄了絕緣襯底10的厚度的量的薄型化的發(fā)光裝置50 的薄型化。因而，即使釆用和現(xiàn)有例同等厚度的發(fā)光元件31及絕緣襯底10， 也能夠?qū)崿F(xiàn)發(fā)光裝置50的薄型化。具體地說，作為一例，發(fā)光裝置50能夠 形成150|im~200|im的薄度。由于不存在絕緣襯底IO,因此，由第二導(dǎo)電箔12構(gòu)成的固著電極12a成為發(fā)光元件31的支承材料。固著電極12a (包括一體化了的通孔鍍敷層) 例如薄到28lam左右的電極，在其兩面設(shè)有包含硬度高的Ni層的導(dǎo)電性金 屬層23d、 23e (厚度分別為33jam左后)。由此，即使不存在絕緣襯底10， 作為發(fā)光元件31的支承材料也能夠確保充分的強(qiáng)度。另外，在元件載置用貫通孔25的側(cè)壁也層疊有通孔鍍敷層13、導(dǎo)電性 金屬層23b，由此，即使是絕緣襯底10被元件載置用貫通孔25徹底分離的 機(jī)構(gòu)，也能夠確保作為發(fā)光元件31的支承材料的強(qiáng)度。上述的導(dǎo)電性金屬層23的厚度為一例，其可在考慮發(fā)光元件31及絕緣 襯底10的厚度及能夠支承這些的強(qiáng)度之后，進(jìn)行適當(dāng)選擇。另外，固著電極12a經(jīng)由通孔鍍敷層13和取出電極lla (第一導(dǎo)電箔 11)及背面安裝電極12b—體形成。另外，第一導(dǎo)電箔11及第二導(dǎo)電箔12 跨越絕緣襯底10的兩主面設(shè)置。即，發(fā)光元件31的第二電極35通過金屬細(xì)線30和絕緣襯底10的表面 的導(dǎo)電性金屬層23連接，并和背面?zhèn)鹊膶?dǎo)電性金屬層23c及背面安裝電極 12b電連接?；蛘?，發(fā)光元件31的第二電極35經(jīng)由導(dǎo)電性膏粘接于元件載置用貫通 孔25的底部并通過固著電極12a直接和覆蓋絕緣襯底10的主面(背面)的 背面安裝電極12b電連接。因而，形成成為負(fù)電極的背面安裝電極12b (導(dǎo)電性金屬層23c)的大 的長方形狀圖案，由此，可提高粘接于元件載置用貫通孔25的底面的發(fā)光 元件31的放熱性。另外，在圖2(B)的虛線區(qū)域設(shè)置阻焊劑層38以防止分離槽28、 28， 的高差時(shí)，防止正極和負(fù)極間的短路。再者，通孔鍍敷層13上的導(dǎo)電性金屬層23b也可作為發(fā)光元件31的反 射器而用。如上所述，元件載置用貫通孔25的側(cè)面具有由激光通道形成的 所希望的角度的傾斜面26，因此，能夠使來自發(fā)光元件31的發(fā)光高效地反 射到其焦點(diǎn)方向(上方)。接著，參照?qǐng)D3及圖4對(duì)本發(fā)明的制造方法進(jìn)行說明。本發(fā)明的制造方法由以下工序構(gòu)成準(zhǔn)備將在其兩主面貼有第一導(dǎo)電箔 及第二導(dǎo)電箔的絕緣襯底的工序；選擇性除去形成預(yù)定的元件載置用貫通孔 的區(qū)域的第 一導(dǎo)電蕩而使所述絕緣襯底露出的工序；對(duì)絕緣襯底選擇性地進(jìn)行干蝕刻而形成所述元件載置用貫通孔、；險(xiǎn)測第二導(dǎo)電箔的背面而停止干蝕 刻、在元件載置用貫通孔的底面形成露出所述第二導(dǎo)電箔的背側(cè)的固著電極的工序；通過通孔鍍敷在第一導(dǎo)電箔及第二導(dǎo)電箔、元件載置用貫通孔的內(nèi) 壁形成通孔鍍敷層的工序；按所希望的形狀對(duì)第一導(dǎo)電箔及第二導(dǎo)電箔進(jìn)行 干蝕刻而形成取出電極、背面安裝電極的工序；在取出電極、背面安裝電極、 元件載置用貫通孔的內(nèi)壁的通孔鍍敷層及固著電極上層疊而形成鎳鍍層及 金或銀鍍層的工序；在元件載置用貫通孔的底面的所述固著電極上粘接發(fā)光 元件的工序；用金屬細(xì)線連接發(fā)光元件的第一電極和取出電極的工序；用透 明樹脂包覆發(fā)光元件及所述金屬細(xì)線的工序；將各單元都分別分割為單個(gè)發(fā) 光裝置的工序。第一工序(圖3 (A)):準(zhǔn)備將在其兩主面貼有第一導(dǎo)電箔及第二導(dǎo)電 箔的絕緣襯底的工序。準(zhǔn)備在其一主面貼上銅等第一導(dǎo)電箔11、在其另一主面貼上和第一導(dǎo)電 箔11相同厚度的第二導(dǎo)電箔12的絕緣襯底10。作為絕緣襯底10是例如由FR4或BT樹脂構(gòu)成的襯底、玻璃環(huán)氧襯底 或玻璃聚酰亞胺村底，根據(jù)情況也可以是氟襯底、玻璃PPO襯底或陶瓷襯 底等、撓性薄板、薄膜等。在本實(shí)施方式中，作為一例采用了厚度60ym左 右的BT設(shè)置襯底。作為第一導(dǎo)電箔11及第2導(dǎo)電箔12只要是可蝕刻的金屬即可。在本實(shí) 施方式中，采用了銅構(gòu)成的金屬箔。第一導(dǎo)電箔ll、第二導(dǎo)電箔12的膜厚 是相等的，均為9jam-35jum (例如13Mm)。第一導(dǎo)電箔及第二導(dǎo)電箔12使用對(duì)應(yīng)配線高度的厚度的導(dǎo)電箔。配線 的厚度可根據(jù)被安裝的電路元件的電流容量等任意確定。另外，第二導(dǎo)電箔 12構(gòu)成搭載并支承發(fā)光元件31的固著電極12a，因此，也要考慮作為支承 材料的強(qiáng)度而進(jìn)行選擇。而且，通孔20使用NC工作機(jī)用鉆頭等貫通第一導(dǎo)電箔11、第二導(dǎo)電 箔12及絕緣襯底10而被開通。通孔20與多個(gè)單元接連且在單元的兩端形 成狹縫狀，由此相鄰的單元被分離(參照?qǐng)D6)。第二工序(圖3 (B)):選擇性除去形成預(yù)定的元件載置用貫通孔的區(qū) 域的第 一導(dǎo)電箔而使所述絕緣襯底露出的工序。還有后述，在本實(shí)施方式中作為一例，通過使用激光的干蝕刻(激光通道加工)形成元件載置用貫通孔。此時(shí)，在被激光照射的區(qū)域存在導(dǎo)電箔(Cu )時(shí)，在相對(duì)于Cu激光輸出弱時(shí)激光被Cu反射，在能夠除去Cu的程度激光 輸出強(qiáng)時(shí)，容易引起其下側(cè)的絕緣襯底IO也溶化等蝕刻不良。于是，在本工序中，將形成了所希望的圖案的抗蝕劑PR作為掩膜，通 過蝕刻選擇性地除去形成元件載置用貫通孔的預(yù)定區(qū)域的第一導(dǎo)電箔11，從 而形成露出該區(qū)域的絕緣襯底10的開口部OP。第三工序(圖3 (C)):對(duì)絕緣襯底選擇性地進(jìn)行干蝕刻而形成元件載 置用貫通孔，檢測第二導(dǎo)電箔的背面而停止干蝕刻、在元件載置用貫通孔的 底面形成露出第二導(dǎo)電箔的背側(cè)的固著電極的工序。將從開口部OP露出的絕緣襯底IO進(jìn)行干蝕刻。在此，作為干蝕刻采 用使用激光的蝕刻(激光通道加工法)。激光例如為YAG激光、C02激光等， 在BT樹脂的絕緣襯底10可蝕刻、第二導(dǎo)電箔即Cu不溶融的條件下進(jìn)行激 光照射。作為激光通道加工法，有相對(duì)于除去第一導(dǎo)電箔11的開口部OP的直徑 進(jìn)行同等激光加工的保形加工法、及進(jìn)行比開口部OP的直徑小的激光加工的輻射窗口加工法等。對(duì)從開口部OP露出的絕緣村底10進(jìn)行激光照射。檢測絕緣襯底10被 除去、第二導(dǎo)電箔12的背面(和絕緣村底IO抵接的一側(cè))的露出，然后停 止蝕刻(激光照射)。由此，形成徹底貫通絕緣村底IO的元件載置用貫通孔 25,露出第二導(dǎo)電箔12的背面的一部分。該露出的第二導(dǎo)電箔12成為固著 電極12a。在本實(shí)施方式中，利用第二導(dǎo)電箔12的4企測可成為終點(diǎn);險(xiǎn)測，因此， 能夠正確且容易地形成元件載置用貫通孔25、和覆蓋該元件載置用貫通孔 25的底部的固著電極12a。另外，由于可以進(jìn)行通過第二導(dǎo)電箔12的終點(diǎn) 檢測，因此，以絕緣襯底IO可加工且第二導(dǎo)電箔12 (Cu)不溶化的程度適 當(dāng)選擇激光照射條件。還有，用激光通孔加工法形成的元件載置用貫通孔25,其側(cè)壁成為平坦 的傾斜面26。元件載置用貫通孔25形成為大小比收容的發(fā)光元件31大的正 方形、圓、橢圓或多角形等形狀。作為一例，元件載置用貫通孔25的形狀 為上面開口直徑為0.3mm，下面開口直徑為0.16mm的研缽狀。元件載置 用貫通孔的傾斜面的傾斜度為125度。第四工序(圖3 (D)):通過通孔鍍敷在第一導(dǎo)電箔及第二導(dǎo)電箔、元 件載置用貫通孔的內(nèi)壁形成通孔鍍敷層的工序首先，通過表面沾污去除處理除去元件載置用貫通孔25內(nèi)的蝕刻殘?jiān)?另外，通過表面沾污去除處理使元件載置用貫通孔25內(nèi)的內(nèi)壁變得粗糙， 使鍍層的密合性也提高。表面沾污去除處理在使用氧化劑的表面沾污去除液 中進(jìn)行。氧化劑例如為過錳酸及重鉻酸等，在此，采用了過錳酸鈉。另外， 合適的是在利用氧化劑處理之前進(jìn)行膨潤處理，這樣容易除去污點(diǎn)。用抗蝕劑PR將背面包覆并將絕緣襯底整體浸漬在鈀溶液中，在第一導(dǎo) 電箔11及第二導(dǎo)電箔12表面、和元件載置用貫通孔25內(nèi)施與Cu的無電解 電鍍，之后再施與Cu的電解電鍍，形成約20jum膜厚的通孔鍍敷層13。通孔鍍敷層13覆蓋露出于元件載置用貫通孔25的側(cè)壁的絕緣襯底10 表面。另外，通孔鍍敷層13在第一導(dǎo)電箔ll及第二導(dǎo)電箔12a的表面形成， 這些鍍層一體化地和第一導(dǎo)電箔ll及第二導(dǎo)電箔12連接。另外，通孔鍍敷層13也在絕緣襯底10端部的通孔20的內(nèi)壁形成，在 絕緣襯底IO端部連接第一導(dǎo)電箔11和第二導(dǎo)電箔12。第五工序(圖4):按所希望的形狀對(duì)第一導(dǎo)電箔及第二導(dǎo)電箔進(jìn)行干蝕 刻而形成取出電極、背面安裝電極的工序。在本工序中，用抗蝕劑層(未圖示)覆蓋絕緣襯底10的第一導(dǎo)電箔11 及第二導(dǎo)電箔12,使圖2 (A)所示的L字狀的圖案和凹狀的圖案在第一導(dǎo) 電箔11上進(jìn)行曝光顯像，將殘留的抗蝕劑層作為掩膜進(jìn)行第一導(dǎo)電箔11的 蝕刻。由此形成分離槽27,將第一導(dǎo)電箔11進(jìn)行構(gòu)圖。第一導(dǎo)電箔ll為銅 時(shí)使用氯化鐵作為蝕刻溶液。然后進(jìn)行抗蝕劑層的剝離除去。接著，如圖4(B))所示，也進(jìn)行第二導(dǎo)電箔12的化學(xué)蝕刻。再一次 用抗蝕劑層(未圖示)覆蓋絕緣村底10的第一導(dǎo)電箔ll及第二導(dǎo)電箔12， 在第導(dǎo)電箔12上使圖2 (B)所示的左右長方形形狀的圖案及中央的凸?fàn)畹?圖案進(jìn)行曝光顯像，以殘留的抗蝕劑層作為掩膜進(jìn)行第二導(dǎo)電箔12的蝕刻， 形成分離槽28、 28，使得第二導(dǎo)電箔12被構(gòu)圖。第二導(dǎo)電箔12為銅時(shí)同樣 使用氯化鐵作為蝕刻溶液。然后進(jìn)行抗蝕劑層的剝離除去。由此，發(fā)光元件31的第一電極34及第二電極35和分別連接的取出電 極lla及背面安裝電極12b被形成，載置各發(fā)光元件31的第一的圖案以行 列狀形成多個(gè)。關(guān)于各單元的圖案的形狀都參照?qǐng)D2 (A)進(jìn)行了說明，因此在這里省略。另外，第二導(dǎo)電箔12的單元圖案各自利用連接圖案29(參照?qǐng)D2(B)) 電連接。這是為了下個(gè)工序中在將導(dǎo)電性金屬層進(jìn)行電鍍時(shí)以第二導(dǎo)電箔12 作為共同電極使用。第六工序(圖5 (A)):在取出電極、背面安裝電極、元件載置用貫通 孔的內(nèi)壁的通孔鍍敷層及固著電極上層疊而形成鎳鍍層及金或銀鍍層的工 序。在本工序中，將被連結(jié)的第二導(dǎo)電箔12的單元圖案作為共同電極，在 經(jīng)由通孔鍍敷層13與其電連接的第一導(dǎo)電箔11的第一圖案、及元件載置用 貫通孔25的內(nèi)壁通過電解電鍍貼上導(dǎo)電性金屬層23。導(dǎo)電性金屬層23為可 固著的硬度高的多層金屬層。在此，例如為鎳(Ni)-金(Au)層或Ni-Ag層。 另外，也可以是使用鈀(Pd)等的Ni-Pd層及Ag-Pd層。Ni層為 硬度高的金屬層，Au層或Ag層可以和金屬細(xì)線30進(jìn)行固著。由此，在取出電極lla、通孔鍍敷層13、背面安裝電極12b上分別層疊 有導(dǎo)電性金屬層23a、 23b、 23c，在固著電極12a上(兩面)層疊有導(dǎo)電性 金屬層23d、 23e。本實(shí)施方式的固著電極12a成為發(fā)光元件31的支承材料，因此，通過 將導(dǎo)電性金屬層23d、 23e設(shè)于其兩面，能夠確保不存在絕緣村底IO的固著 電極12a部分的強(qiáng)度。另外，元件載置用貫通孔25的內(nèi)壁的導(dǎo)電性金屬層23b、 23d作為發(fā)光 元件31的反射鏡而發(fā)揮作用。即，通過本工序，用于確保固著電極12a部分的強(qiáng)度的鍍層(導(dǎo)電性金 屬層23d、 23e)的形成、和固著用的鍍層(導(dǎo)電性金屬層23a)的形成及發(fā) 光元件31的反射鏡(導(dǎo)電性金屬層23b、 23d)的形成能夠在一工序中實(shí)施， 能夠使制造工序簡化。還有，在本實(shí)施方式中，成為導(dǎo)電性金屬層23的底子的第一導(dǎo)電箔11 及第二導(dǎo)電箔12由銅構(gòu)成，通孔鍍敷層13也由銅電鍍形成，因此，在這些 鍍層上形成的鎳鍍層及金或銀鍍層能夠均勻地形成。第七工序(圖5 (B)):在元件載置用貫通孔的底面的固著電極上粘接 發(fā)光元件的工序。將發(fā)光元件31的第二電極35用粘接劑33粘接在以覆蓋發(fā)光元件載置用貫通孔25的底面的方式設(shè)置的固著電極12a上。在發(fā)光元件31的粘接中 使用芯片插裝。發(fā)光元件31實(shí)際被粘接的是層疊于固著電極12a上的導(dǎo)電 性金屬層23 (23d)。元件載置用貫通孔25形成為研缽狀，因此，向其內(nèi)部 的發(fā)光元件31的安裝變得容易。粘接劑33例如為非導(dǎo)電性膏。另外，在通過固著電極12a從背面取出 第二電極35時(shí)，粘接劑33使用銀(Ag)等導(dǎo)電性膏。另外，發(fā)光元件31 也可以在固著電極12a上施予金(Au)層，利用Au共晶而粘接，在這種情 況下，另外要進(jìn)行Au鍍敷。第8工序(圖5 (C)):用金屬細(xì)線連接發(fā)光元件的第一電極和取出電 極的工序。用金的金屬細(xì)線30利用連接器邊對(duì)電極的位置進(jìn)行圖案識(shí)別邊通過超 聲波熱壓接連接發(fā)光元件31的第 一電極34、和包覆取出電極11 a上的導(dǎo)電 性金屬層23a。同樣，利用金屬細(xì)線30連接第二電極355、和與背面安裝電 極12b連接的導(dǎo)電性金屬層23 ( 23c )。通過元件載置用貫通孔25，發(fā)光元件31的第一電極34 (第二電極35 也一樣)和導(dǎo)電性金屬層23a大致等高，第一電極34位于稍微突出的高度。 即如現(xiàn)有結(jié)構(gòu)(圖7)的對(duì)發(fā)光元件100和支承村底200層疊的情況相比， 金屬細(xì)線30的固著被無高低差地高效地進(jìn)行。另外，通過第一電極34稍微 突出，在發(fā)光元件31以埋入元件載置用貫通孔25內(nèi)部的方式進(jìn)行安裝時(shí)， 固著也變得容易。第九工序(圖5 (C)):用透明樹脂包覆發(fā)光元件及金屬細(xì)線的工序。 用透明樹脂32包覆發(fā)光元件31及金屬細(xì)線30。透明樹脂可保護(hù)發(fā)光元件31及金屬細(xì)線30不與外界氣體接觸，也作為取出光的凸透鏡而發(fā)揮作用。 第十工序(圖6):將各單元都分別分割為單個(gè)發(fā)光裝置的工序。 圖6是表示本工序中的薄板狀絕緣襯底IO的一例的圖，圖6 (A)是l薄板的平面圖，圖6 (B)是表面的放大圖，圖6 (C)是背面的放大圖。 在如圖的絕緣襯底IO上以行列狀排列有多個(gè)單元。詳細(xì)地it，在Y軸方向利用連接圖案29 (參照?qǐng)D2 (B))連結(jié)許多個(gè)各單元的每一個(gè)而形成長方形形狀的單元群，多個(gè)單元群以行列狀沿Y軸方向及X軸方向配置。另外，各單元群的兩端被設(shè)置的通孔20分離為狹縫狀。而且，通過沖壓或刻模將在絕緣襯底IO上以行列狀排列的許多個(gè)單元分離為單個(gè)完成的發(fā)光裝置。這時(shí)，連結(jié)第二導(dǎo)電箔12的連接圖案29 (參 照?qǐng)D2 (B))也被切斷，使得第二導(dǎo)電箔12的單元各自也被電分離。具體而言，作為 一例，絕緣襯底10是68mm x 1 OOmm的BT樹脂村底 的薄板。在周邊設(shè)有多個(gè)對(duì)位孔40，在內(nèi)部配置有在行列上為多個(gè)長方形形狀的各單元。對(duì)位孔40用于刻膜時(shí)的定位。通過將各單元設(shè)計(jì)成長方形狀并以行列狀多個(gè)并列配置，能夠大量地制造發(fā)光裝置，而且也能夠?qū)⒈匦璧姆瓷淦髯鋈朐d置用貫通孔25內(nèi)。
權(quán)利要求
1、一種發(fā)光裝置，其特征在于，具備設(shè)于絕緣襯底的兩主面上的第一導(dǎo)電箔及第二導(dǎo)電箔；貫通所述絕緣襯底的元件載置用貫通孔；由覆蓋所述貫通孔的底面的所述第二導(dǎo)電箔形成的固著電極；固著于所述固著電極上并且埋入所述絕緣襯底的元件載置用貫通孔的發(fā)光元件；通過金屬細(xì)線與由所述第一導(dǎo)電箔形成的所述發(fā)光元件的第一電極連接的取出電極。
2、 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述發(fā)光元件大部分 埋入所述元件載置用貫通孔，其上面高于所述絕緣襯底表面。
3、 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述發(fā)光元件用導(dǎo)電 膏或非導(dǎo)電膏固著于所述固著電極上，所述發(fā)光元件的第二電極和由所述第 二導(dǎo)電箔形成的背面安裝電極電連接。
4、 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述第一及第二導(dǎo)電 箔由銅構(gòu)成，在所述固著電極上層疊有鎳鍍層和金或銀鍍層，利用所述鎳鍍 層提高所述固著電極的硬度。
5、 如權(quán)利要求4所述的發(fā)光裝置，其特征在于，在所述元件載置用貫 通孔的內(nèi)壁設(shè)有通孔鍍敷層，在該通孔鍍敷層上也層疊有鎳鍍層和金或銀鍍 層。
6、 如權(quán)利要求3所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述固著電極和所述 取出電極及所述背面安裝電極一體形成并傳遞來自所述發(fā)光元件的發(fā)熱。
7、 如權(quán)利要求5所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述通孔鍍敷層上的 所述金或銀鍍層作為所述發(fā)光元件的反射器共用。
8、 一種發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于，包括準(zhǔn)備在其兩主面貼有第 一導(dǎo)電箔及第二導(dǎo)電箔的絕緣襯底的工序； 選"l奪性除去形成預(yù)定的元件載置用貫通孔的區(qū)域的所述第一導(dǎo)電箔而使所述絕緣襯底露出的工序；對(duì)所述絕緣襯底選擇性地進(jìn)行干蝕刻而形成所述元件載置用貫通孔、檢測出所述第二導(dǎo)電箔的背面而停止干蝕刻、在所述元件載置用貫通孔的底面形成露出所述第二導(dǎo)電箔的背側(cè)的固著電極的工序；通過通孔鍍敷在所述第一導(dǎo)電箔及第二導(dǎo)電箔、所述元件載置用貫通孔 的內(nèi)壁形成通孔鍍敷層的工序；按所希望的形狀對(duì)所述第 一導(dǎo)電箔及第二導(dǎo)電箔進(jìn)行干蝕刻而形成取 出電極、背面安裝電極的工序；在所述取出電極、背面安裝電極、所述元件載置用貫通孔的內(nèi)壁的通孔 鍍敷層及所述固著電極上層疊并形成鎳鍍層及金或銀鍍層的工序；在所述元件載置用貫通孔的底面的所述固著電極上固著發(fā)光元件的工序；通過金屬細(xì)線連接所述發(fā)光元件的第一電極和所述取出電極的工序； 用透明樹脂包覆所述發(fā)光元件及所述金屬細(xì)線的工序； 將各單元都分別分割為單個(gè)發(fā)光裝置的工序。
9、 如權(quán)利要求8所述的發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于，所述干蝕 刻利用激光蝕刻而進(jìn)行。
10、 如權(quán)利要求8所述的發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于，在形成所 述通孔鍍敷層的工序中，在通過表面沾污去除處理除去所述元件載置用貫通 孔內(nèi)的蝕刻殘?jiān)笮纬伤鐾族兎髮印?br>
11、 如權(quán)利要求8所述的發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于，所述第一 導(dǎo)電箔及第二導(dǎo)電箔用銅構(gòu)成，所述通孔層也通過銅鍍敷形成。
12、 如權(quán)利要求8所述的發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于，各單元形 成長方形形狀并以行列狀排列有多個(gè)。
全文摘要
一種發(fā)光裝置及其制造方法，現(xiàn)有發(fā)光裝置是在支承襯底上層疊發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)，因此，對(duì)發(fā)光裝置的薄型化有限制。本發(fā)明的發(fā)光裝置由設(shè)于絕緣襯底的一主面上的第一導(dǎo)電箔、設(shè)于另一主面的第二導(dǎo)電箔、貫通絕緣襯底的元件載置用貫通孔、發(fā)光元件、由第二導(dǎo)電箔以覆蓋元件載置用貫通孔的方式形成的固著電極、由第一導(dǎo)電箔(11)構(gòu)成的取出電極、連接發(fā)光元件的第一電極和取出電極的金屬細(xì)線、透明樹脂構(gòu)成，在元件載置用貫通孔內(nèi)配置為發(fā)光元件，發(fā)光元件(31)的發(fā)光經(jīng)由設(shè)于元件載置用貫通孔的傾斜面的導(dǎo)電性金屬層被反射。在不存在絕緣襯底的區(qū)域配置發(fā)光元件，因此，能夠?qū)崿F(xiàn)發(fā)光裝置的薄型化，通過在固著電極上層疊導(dǎo)電性金屬層，能夠確保作為支承材料的強(qiáng)度。
文檔編號(hào)H01L33/00GK101296540SQ20071011187
公開日2008年10月29日 申請(qǐng)日期2007年6月20日 優(yōu)先權(quán)日2007年4月28日
發(fā)明者成田悟郎 申請(qǐng)人:株式會(huì)社元素電子