本發(fā)明涉及沉積裝置以及利用該沉積裝置的發(fā)光顯示裝置的制造方法。

背景技術(shù)：

在發(fā)光顯示裝置之中，有機(jī)發(fā)光顯示裝置作為自發(fā)光型顯示器件，其不僅具有視角寬、對(duì)比度優(yōu)秀的優(yōu)點(diǎn)，而且還具有響應(yīng)速度快的優(yōu)點(diǎn)，因此作為下一代顯示裝置而備受矚目。

有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括在陽(yáng)電極與陰電極之間由有機(jī)發(fā)光物質(zhì)構(gòu)成的發(fā)光層。隨著陽(yáng)極電壓和陰極電壓分別施加到這些電極，從陽(yáng)電極注入的空穴(hole)經(jīng)由空穴注入層和空穴傳輸層移動(dòng)至發(fā)光層，而電子從陰電極經(jīng)由電子注入層和電子傳輸層移動(dòng)至發(fā)光層，從而使得電子與空穴在發(fā)光層中復(fù)合。通過(guò)這種復(fù)合生成激子(exiton)，并且隨著該激子從激發(fā)態(tài)躍遷至基態(tài)而從發(fā)光層放射出光，從而顯示圖像。

有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括像素限定膜，其中該像素限定膜具有開(kāi)口部以暴露以像素為單位形成的陽(yáng)電極，并且空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰電極形成在通過(guò)該像素限定膜的開(kāi)口部暴露的陽(yáng)電極上。其中，空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層可通過(guò)各種方法形成，其中一種方式為沉積方法。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

另外，用于執(zhí)行沉積方法的沉積裝置具有沉積源，該沉積源包括儲(chǔ)存沉積物質(zhì)的坩堝、加熱坩堝的加熱部件、包括多個(gè)噴嘴的噴嘴部以及收納坩堝和加熱部件的殼，其中上述多個(gè)噴嘴形成供在坩堝中被加熱的沉積物質(zhì)朝著襯底方向噴射的路徑。此外，沉積裝置還可具有角度限制板，該角度限制板設(shè)置在多個(gè)噴嘴的周圍并且限制經(jīng)由多個(gè)噴嘴朝著襯底方向噴射的沉積物質(zhì)的沉積區(qū)域。

然而，由于角度限制板在沉積物質(zhì)經(jīng)由多個(gè)噴嘴朝著襯底方向噴射時(shí)作用為障礙物，因此經(jīng)由多個(gè)噴嘴朝著襯底方向噴射的沉積物質(zhì)可能無(wú)法被沉積在襯底上而是堆積在角度限制板上。由此，可能需要更大量的沉積物質(zhì)以在襯底上形成薄膜，從而降低沉積物質(zhì)的利用效率。

對(duì)此，本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題在于提供能夠提高沉積工藝中的沉積物質(zhì)的利用效率的沉積裝置。

此外，本發(fā)明要解決的另一技術(shù)問(wèn)題在于提供利用能夠提高沉積工藝中的沉積物質(zhì)的利用效率的沉積裝置制造發(fā)光顯示裝置的方法。

本發(fā)明的問(wèn)題不限于上文中提及的技術(shù)問(wèn)題，并且本領(lǐng)域技術(shù)人員可通過(guò)下面的記載明確理解未提及的其它的技術(shù)問(wèn)題。

用于解決上述技術(shù)問(wèn)題的、根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的沉積裝置包括：坩堝，配置成沿著第一方向延伸并且其上部具有開(kāi)口部以將沉積物質(zhì)容納在其內(nèi)部空間中；加熱部件，布置在所述坩堝的側(cè)部并且對(duì)所述坩堝進(jìn)行加熱；蓋，覆蓋所述坩堝的所述開(kāi)口部；以及多個(gè)噴嘴，從所述蓋朝著上方突出并且在所述蓋上沿著所述第一方向布置，其中，所述多個(gè)噴嘴分別具有一對(duì)槽，所述一對(duì)槽從所述噴嘴的上端沿著側(cè)壁以一定深度形成，并且所述一對(duì)槽布置成彼此相對(duì)。

布置于所述多個(gè)噴嘴中的所有的槽可位于沿著所述第一方向延伸的同一個(gè)延長(zhǎng)線上。

所述槽可具有其寬度在從所述噴嘴的上端朝著所述蓋的方向上逐漸變窄的形態(tài)。

所述槽的截面形狀可以是倒梯形。

所述槽可具有其寬度在從所述噴嘴的上端朝著所述蓋的方向上相同的形態(tài)。

所述槽的截面形狀可以是四邊形。

所述槽可具有其寬度在從所述噴嘴的上端朝著所述蓋的方向上逐漸變寬的形態(tài)。

所述槽的截面形狀可以是梯形。

所述槽可在從所述噴嘴的上端朝著所述蓋的方向上具有彼此不同的圖形的組合。

所述槽的截面形狀可具有四邊形和半圓形的組合或四邊形和七邊形的組合。

此外，所述沉積裝置還可包括角度限制部件，所述角度限制部件包括第一角度限制部件和第二角度限制部件，所述第一角度限制部件和所述第二角度限制部件配置成在所述蓋上沿著所述第一方向延伸，并且所述第一角度限制部件和所述第二角度限制部件在與所述第一方向垂直相交的第二方向上布置在所述多個(gè)噴嘴的兩側(cè)且彼此相對(duì)。

此外，所述沉積裝置還可包括設(shè)置在所述坩堝內(nèi)部的至少一個(gè)內(nèi)板，并且所述內(nèi)板可具有多個(gè)孔。

此外，所述沉積裝置還可包括殼和反射件，所述殼容納所述坩堝和所述加熱部件，并且所述反射件以暴露所述多個(gè)噴嘴的方式布置在所述蓋的上方并結(jié)合至所述殼。

用于解決上述另一技術(shù)問(wèn)題的、利用根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的沉積裝置制造發(fā)光顯示裝置的方法包括以下步驟：準(zhǔn)備沉積裝置；將襯底布置成與所述多個(gè)噴嘴相對(duì)；以及在與所述第一方向垂直相交的第二方向上移動(dòng)所述坩堝或所述襯底期間，經(jīng)由所述多個(gè)噴嘴將所述沉積物質(zhì)噴射至所述襯底上以在所述襯底上形成薄膜，其中，所述沉積裝置包括坩堝、加熱部件、蓋和多個(gè)噴嘴，其中，所述坩堝配置成沿著第一方向延伸并且具有開(kāi)口部以將沉積物質(zhì)容納在其內(nèi)部，所述加熱部件布置成圍繞所述坩堝的側(cè)部并且對(duì)所述坩堝進(jìn)行加熱，所述蓋覆蓋所述坩堝的所述開(kāi)口部，所述多個(gè)噴嘴從所述蓋朝著上方突出并且在所述蓋上沿著所述第一方向布置，以及其中，所述多個(gè)噴嘴分別具有一對(duì)槽，所述一對(duì)槽從所述噴嘴的上端沿著側(cè)壁以一定深度形成，并且所述一對(duì)槽布置成彼此相對(duì)。

布置于所述多個(gè)噴嘴中的所有的槽可位于沿著所述第一方向延伸的同一個(gè)延長(zhǎng)線上。

準(zhǔn)備所述沉積裝置的步驟可包括以下步驟：將角度限制部件設(shè)置在所述蓋上，其中，所述角度限制部件配置成沿著所述第一方向延伸并且包括第一角度限制部件和第二角度限制部件，所述第一角度限制部件和所述第二角度限制部件在與所述第一方向垂直相交的第二方向上將所述多個(gè)噴嘴插置于其間而彼此面對(duì)。

所述薄膜可以是發(fā)光顯示裝置的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層中的至少任意一個(gè)。

其它實(shí)施方式的具體內(nèi)容包括在詳細(xì)的說(shuō)明和附圖中。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，至少具有如下效果。

根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的沉積裝置能夠提高沉積工藝中的沉積物質(zhì)的利用效率。

根據(jù)本發(fā)明的效果并不限于上文中所例示的內(nèi)容，并且更加多樣的效果包括在本說(shuō)明書(shū)中。

附圖說(shuō)明

圖1是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的沉積裝置的立體圖。

圖2是沉積裝置的分解立體圖。

圖3是圖1的i-i'線的剖視圖。

圖4是圖1的噴嘴的放大立體圖。

圖5是在‘a(chǎn)’方向上觀察圖4的噴嘴的圖。

圖6是由圖4的噴嘴噴射的沉積物質(zhì)在ii-ii'線上的剖視圖。

圖7是在圖4的‘a(chǎn)’方向上觀察不具有槽的現(xiàn)有噴嘴的圖。

圖8是由圖7的現(xiàn)有噴嘴噴射的沉積物質(zhì)中與圖6對(duì)應(yīng)的部分的剖視圖。

圖9至圖12是示出噴嘴的多種實(shí)施方式的圖。

圖13至圖14是用于說(shuō)明利用根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的沉積裝置的制造發(fā)光顯示裝置的方法的立體圖和剖視圖。

具體實(shí)施方式

參照下文中結(jié)合附圖詳細(xì)描述的實(shí)施方式，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征以及實(shí)現(xiàn)所述優(yōu)點(diǎn)和特征的方法將變得明確。但是，本發(fā)明不限定于下文中所公開(kāi)的實(shí)施方式，而是可實(shí)現(xiàn)為彼此不同的多種形態(tài)。這些實(shí)施方式只是為了使本發(fā)明的公開(kāi)完整并且為了將發(fā)明的范圍完整地告知給本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員而提供，并且本發(fā)明僅由權(quán)利要求書(shū)的范圍來(lái)定義。

當(dāng)元件(elements)或?qū)颖环Q為在其它元件或?qū)印吧?on)”時(shí)，該元件或?qū)又苯游挥谄渌?、或者在中間插置有其它層或其它元件。在整篇說(shuō)明書(shū)中，相同的附圖標(biāo)記指代相同的構(gòu)成要素。

應(yīng)明確，雖然第一、第二等用于敘述多種構(gòu)成要素，但這些構(gòu)成要素并不受這些措辭限制。這些措辭僅用于將一個(gè)構(gòu)成要素與其它構(gòu)成要素區(qū)分開(kāi)。因此，應(yīng)明確，在不背離本發(fā)明的技術(shù)思想的情況下，下文中提及的第一構(gòu)成要素也可稱為第二構(gòu)成要素。

以下，將參照附圖說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式。

圖1是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的沉積裝置的立體圖，圖2是沉積裝置的分解立體圖，并且圖3是圖1的i-i'線的剖視圖。

參照?qǐng)D1至圖3，根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的沉積裝置1可包括沉積源100、角度限制部件200、沉積掩模300以及襯底支承部400。雖然未圖示，但是沉積裝置1的結(jié)構(gòu)可布置在提供用于執(zhí)行沉積工藝的空間的腔的內(nèi)部。上述腔可提供真空環(huán)境。

沉積源100配置成加熱沉積物質(zhì)dm并使其蒸發(fā)。蒸發(fā)的沉積物質(zhì)dm沉積在襯底s上從而形成薄膜。沉積源100可包括坩堝110、加熱部件120、內(nèi)板130、140、蓋150、多個(gè)噴嘴160、反射件170以及殼180。襯底s可以是用于發(fā)光顯示裝置的襯底，但是不限于此。沉積物質(zhì)dm可以是發(fā)光顯示裝置的空穴注入層物質(zhì)、空穴傳輸層物質(zhì)、發(fā)光層物質(zhì)、電子傳輸層物質(zhì)和電子注入層物質(zhì)等，但是不限于此。

坩堝110配置成在其上部具有開(kāi)口部110a以將沉積物質(zhì)dm容納在內(nèi)部空間中，例如可形成為上部被開(kāi)口的盒子形態(tài)。坩堝110的上側(cè)內(nèi)部可具有用于提供供內(nèi)板130、140結(jié)合的空間的階梯狀部。此外，坩堝110的上側(cè)端部可布置有用于提供與蓋150結(jié)合的空間的翼部。在本實(shí)施方式中，例示了坩堝110配置成具有沿著第一方向x延伸的形態(tài)的線形坩堝。坩堝110可由具有優(yōu)異的導(dǎo)熱性的物質(zhì)，例如，石墨(graphite)形成。這種坩堝110可通過(guò)利用由加熱部件120提供的熱來(lái)提高加熱沉積物質(zhì)dm的效率。

加熱部件120可布置在坩堝110的側(cè)部，并且可配置為沿著第一方向x延伸的多個(gè)加熱板。加熱部件120通過(guò)提供用于加熱坩堝110的熱，例如提供輻射熱來(lái)加熱坩堝110。這種加熱部件120使容納在坩堝110中的沉積物質(zhì)dm蒸發(fā)，并使其沉積在待形成薄膜的襯底s上。

雖然在圖2中例示了加熱部件120配置為加熱板，但是不限于這種結(jié)構(gòu)。例如，加熱部件120可以是如發(fā)熱線圈的部件。此外，雖然在圖2中示出了加熱部件120布置于坩堝110的側(cè)部的一部分處，但是加熱部件120也可布置于坩堝110的整個(gè)側(cè)部處。即，加熱部件120不僅可以布置成在第一方向x上延伸，而且還可布置成在與第一方向x垂直相交的第二方向y上延伸。此外，雖然在圖2中加熱部件120具有沿著與第一方向x垂直的第三方向z劃分的形態(tài)，但是加熱部件120也可具有一體的形態(tài)。

內(nèi)板130、140設(shè)置在坩堝110的上側(cè)內(nèi)部。內(nèi)板130、140可區(qū)分為第一內(nèi)板130和第二內(nèi)板140。

第一內(nèi)板130可在坩堝110的內(nèi)部布置于沉積物質(zhì)dm的上方，并且可包括多個(gè)貫通孔。第一內(nèi)板130可通過(guò)增加坩堝110的內(nèi)壓來(lái)提高在坩堝110中被加熱而蒸發(fā)的沉積物質(zhì)dm沉積至襯底(圖1的s)的沉積效率，并且可防止成塊的沉積物質(zhì)dm向坩堝110的上方向?yàn)R射。

第二內(nèi)板140可在坩堝110的內(nèi)部布置在第一內(nèi)板130的上方，并且可包括多個(gè)貫通孔。第二內(nèi)板140可通過(guò)使在坩堝110中被加熱而蒸發(fā)的沉積物質(zhì)dm釋放的移動(dòng)路徑變得復(fù)雜，從而有效地防止沉積物質(zhì)dm附著至蓋150上或釋放出成塊的沉積物質(zhì)dm。這里，第二內(nèi)板140的貫通孔的大小可小于第一內(nèi)板130的貫通孔的大小。這是為了使在坩堝110中被加熱而蒸發(fā)的沉積物質(zhì)dm通過(guò)第一內(nèi)板130的貫通孔被一次性地大量噴射。

蓋150結(jié)合至坩堝110的被打開(kāi)的上部以覆蓋坩堝110的開(kāi)口部110a。蓋150在與坩堝110的延伸方向(即，第一方向x)相同的方向上延伸，并且可具有板的形態(tài)。蓋150可由與坩堝110的材料相同的材料形成，但是不限于此。另外，雖然在圖2中示出了蓋150配置成具有階梯狀部的板，但是不限于這種結(jié)構(gòu)。例如，蓋150也可配置成一個(gè)平坦的板。此外，雖然蓋150示出為與坩堝110分離的形態(tài)，但是也可形成為一體。

多個(gè)噴嘴160朝著蓋150的上方突出，并且在蓋150上沿著第一方向x布置。多個(gè)噴嘴160可具有包括開(kāi)口的管的形態(tài)，使得釋放從坩堝110中蒸發(fā)的沉積物質(zhì)dm。雖然在圖2中示出了多個(gè)噴嘴160布置成其一部分具有相同的間隔并且另一部分具有不同的間隔，但是也可布置成其整體具有相同的間隔或其整體具有不同的間隔。此外，雖然在圖2中示出了多個(gè)噴嘴160中位于第一方向x上的邊緣部分處的一部分噴嘴具有通過(guò)沿著第一方向x連接的側(cè)壁連接的形態(tài)，但是也可具有彼此分離的形態(tài)。

另外，多個(gè)噴嘴160分別具有從上端沿著側(cè)壁形成為具有一定深度的一對(duì)槽161、162，并且一對(duì)槽161、162布置成彼此相對(duì)。此外，布置在多個(gè)噴嘴160上的所有的槽161、162位于沿著第一方向x延伸的同一個(gè)延長(zhǎng)線上。

在這種情況下，由多個(gè)噴嘴160噴射的沉積物質(zhì)dm行進(jìn)至以多個(gè)噴嘴160為中心布置于第二方向y上的角度限制部件200的情況可被減少，并且行進(jìn)至襯底s中沿著第一方向x形成的沉積區(qū)域的情況可被增加。

因此，因?yàn)槟軌驕p少堆積到角度限制部件200上的沉積物質(zhì)dm的量并且能夠?qū)⒊练e物質(zhì)dm集中噴射至襯底s上的待沿著第一方向x形成的沉積區(qū)域中，因此能夠提高將沉積物質(zhì)dm沉積到襯底s上而形成薄膜時(shí)的沉積物質(zhì)dm的利用效率。

與此同時(shí)，因?yàn)闇p少了經(jīng)由如上所述的多個(gè)噴嘴160的沉積物質(zhì)dm在第二方向y上行進(jìn)的情況，因此能夠省略用于限制第二方向y上的沉積區(qū)域的角度限制部件200，其中該角度限制部件200在第二方向上布置在將多個(gè)噴嘴160的兩側(cè)。

將在下文中詳細(xì)地描述如上所述的多個(gè)噴嘴160的結(jié)構(gòu)和效果。

反射件170以暴露多個(gè)噴嘴160的方式布置在蓋150的上方，并且與殼180結(jié)合。反射件170可沿著坩堝110的延伸方向(即，第一方向x)延伸，并且可配置為使多個(gè)噴嘴160貫穿的板。反射件170可由隔熱材料形成。這種反射件170能夠防止加熱部件120的熱或坩堝110上方的熱釋放至外部。

殼180配置成可容納坩堝110和加熱部件120。例如，殼180可形成為上方被開(kāi)口的盒子形態(tài)，并且與反射件170結(jié)合。這種殼180起到從外部保護(hù)容納在內(nèi)部的結(jié)構(gòu)的作用。另外，殼180可由隔熱材料形成，并且配置成防止內(nèi)部的熱向外部流出。例如，殼180的內(nèi)部可安裝有冷卻管，冷卻管提供供冷卻水流動(dòng)的路徑。

角度限制部件200包括第一角度限制板210和第二角度限制板220，第一角度限制板210和第二角度限制板220配置成位于蓋150上并且在第二方向y上彼此相對(duì)且在第一方向x上延伸，其中，多個(gè)噴嘴160位于第一角度限制板210和第二角度限制板220之間。這種角度限制部件200限制經(jīng)由多個(gè)噴嘴160朝著襯底s方向噴射的沉積物質(zhì)dm的沉積區(qū)域。具體地，在將沉積物質(zhì)dm沉積到襯底s上的工藝中沿著第二方向y移動(dòng)坩堝110或襯底s的情況下，角度限制部件200可相對(duì)于第二方向y限制沉積物質(zhì)dm的沉積區(qū)域。另外，雖然圖2中示出了角度限制部件200包括第一角度限制板210和第二角度限制板220，但是角度限制部件200還可包括在第一方向x上布置在多個(gè)噴嘴160的兩側(cè)并且彼此相對(duì)的角度限制板。

沉積掩模300可布置在沉積源100與襯底s之間，并且可與襯底s緊貼。沉積掩模300可具有沉積開(kāi)口，沉積開(kāi)口與將從沉積源100蒸發(fā)的沉積物質(zhì)dm沉積到襯底s上而形成的薄膜的圖案相對(duì)應(yīng)。這種沉積掩模300可使從沉積源100蒸發(fā)的沉積物質(zhì)dm沉積到襯底s的期望位置處，從而在襯底s上形成具有期望圖案的薄膜。雖然未圖示，但是沉積掩模300上可結(jié)合有支承沉積掩模300的掩?？?。

襯底支承部400起到在從沉積源100蒸發(fā)的沉積物質(zhì)dm被沉積到襯底s上時(shí)將襯底s布置于沉積源100的上方的作用。襯底支承部400可以是靜電卡盤(pán)，并且可以是能夠移動(dòng)的。

以下，將詳細(xì)地說(shuō)明關(guān)于多個(gè)噴嘴160的結(jié)構(gòu)及效果。

圖4是圖1的噴嘴的放大立體圖，圖5是在‘a(chǎn)’方向上觀察圖4的噴嘴的圖，圖6是由圖4的噴嘴噴射的沉積物質(zhì)在ii-ii'線上剖視圖，圖7是在圖4的‘a(chǎn)’方向上觀察不具有槽的現(xiàn)有噴嘴的圖，并且圖8是由圖7的現(xiàn)有噴嘴噴射的沉積物質(zhì)中與圖6對(duì)應(yīng)的部分的剖視圖。以下，將以多個(gè)噴嘴160中的一個(gè)噴嘴為例進(jìn)行說(shuō)明。

參照?qǐng)D4和圖5，布置于噴嘴160上的一對(duì)槽161、162可具有在其寬度在從噴嘴160的上端至蓋150的方向上逐漸變窄的形態(tài)。例如，布置于噴嘴160上的一對(duì)槽161、162的截面形狀可以是倒梯形。在這種情況下，在坩堝110中被加熱而蒸發(fā)的沉積物質(zhì)dm能夠通過(guò)噴嘴160朝著上方向順暢地噴射，并且能夠使噴嘴160的制造變得容易。此外，能夠減少在坩堝110中被加熱而蒸發(fā)的沉積物質(zhì)dm堆積在一對(duì)槽161、162的上方而堵塞噴射沉積物質(zhì)dm的通道的情況。

另外，參照?qǐng)D6，具有一對(duì)槽161、162的噴嘴160使經(jīng)由噴嘴160噴射的沉積物質(zhì)dm在第二方向y上的中央?yún)^(qū)域c處的密度高于在邊緣區(qū)域e處的密度，并且使經(jīng)由噴嘴160噴射的沉積物質(zhì)dm的截面在第二方向y上的寬度小于在第一方向x上的寬度。由此可知，在通過(guò)具有一對(duì)槽161、162的噴嘴160將沉積物質(zhì)dm沉積到襯底s上而形成薄膜時(shí)，由于沉積物質(zhì)dm朝著布置在第二方向y上的角度限制部件(圖2的200)行進(jìn)而堆積至角度限制部件200上的情況得到減少，并且沉積物質(zhì)dm被集中噴射至襯底s上的待沿著第一方向x形成的沉積區(qū)域中。由此可知，在應(yīng)用具有一對(duì)槽161、162的噴嘴160的情況下，沉積物質(zhì)dm的利用效率得到提高。

相反地，參照?qǐng)D7和圖8，現(xiàn)有的噴嘴16不具有槽，并且使經(jīng)由噴嘴16噴射的沉積物質(zhì)dm在第二方向y上的中央?yún)^(qū)域c1處的密度高于在邊緣區(qū)域e1處的密度，并且使經(jīng)由噴嘴16噴射的沉積物質(zhì)dm的截面在第二方向y上的寬度與在第一方向x上的寬度相似。由此可知，在通過(guò)不具有槽的噴嘴16將沉積物質(zhì)dm沉積到襯底s上而形成薄膜時(shí)，可能由于沉積物質(zhì)dm朝著布置于第二方向y上的角度限制部件(圖2的200)行進(jìn)而導(dǎo)致大量的沉積物質(zhì)dm堆積在角度限制部件200上。由此可知，在應(yīng)用不具有槽的現(xiàn)有的噴嘴16的情況下，沉積物質(zhì)dm的利用效率低下。

如上所述，根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的沉積裝置1包括具有一對(duì)槽161、162的多個(gè)噴嘴160，而一對(duì)槽161、162從上端沿著側(cè)壁以一定深度形成并且彼此相對(duì)，因此能夠減少沉積物質(zhì)dm行進(jìn)至以多個(gè)噴嘴160為中心布置在第二方向y上的角度限制部件200的情況，并且能夠增加沉積物質(zhì)dm行進(jìn)至襯底s中沿著第一方向x形成的沉積區(qū)域的情況。

因此，能夠減少堆積至角度限制部件200上的沉積物質(zhì)dm的量，并且沉積物質(zhì)dm能夠集中噴射至襯底s上的待沿著第一方向x形成的沉積區(qū)域中，因而能夠提高在將沉積物質(zhì)dm沉積到襯底s上而形成薄膜時(shí)的沉積物質(zhì)dm的利用效率。

此外，根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的沉積裝置1通過(guò)具有一對(duì)槽161、162的多個(gè)噴嘴160來(lái)減少沉積物質(zhì)dm在第二方向y上行進(jìn)的情況，因此能夠省略用于限制第二方向y上的沉積區(qū)域的角度限制部件200，其中該角度限制部件200在第二方向y上布置在多個(gè)噴嘴160的兩側(cè)。

因此，省去了關(guān)于角度限制部件200的制造費(fèi)用，從而能夠減少沉積裝置1的制造成本。

圖9至圖12是示出噴嘴的多種實(shí)施方式的圖。

在圖9中，噴嘴160a的槽162a可具有其寬度在從噴嘴160a的上端至蓋150的方向上相同的形態(tài)。例如，噴嘴160a的槽162a的截面形狀可以是四邊形。這種噴嘴160a可提供與圖4的噴嘴160所提供的效果相同的效果。

在圖10中，噴嘴160b的槽162b可具有其寬度在從噴嘴160b的上端至蓋150的方向上逐漸變寬的形態(tài)。例如，噴嘴160b的槽162b的截面形狀可以是梯形。這種噴嘴160b由于存在著在坩堝(圖3的110)中被加熱而蒸發(fā)的沉積物質(zhì)(圖3的dm)堆積在槽162b的上部處的可能性，因此能夠應(yīng)用于在沉積物質(zhì)(圖3的dm)的噴射量少的小型襯底上形成薄膜的情形中。

圖11和圖12例示了噴嘴160c、160d的槽162c、162d在從噴嘴160c、160d的上端至蓋150的方向上具有彼此不同的圖形的組合的情形。

例如，如圖11中所示，噴嘴160c的槽162c的截面形狀可在從噴嘴160c的上端至蓋150的方向上具有四邊形和半圓形的組合。這種噴嘴160c可提供與圖4的噴嘴160所提供的效果相同的效果。

此外，如圖12所示，噴嘴160d的槽162d的截面形狀可在從噴嘴160d的上端至蓋150的方向上具有四邊形和七邊形的組合。這種噴嘴160d可提供與圖10的噴嘴160b所提供的效果相同的效果。

在下文中，將對(duì)利用根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的沉積裝置制造發(fā)光顯示裝置的方法進(jìn)行說(shuō)明。

圖13和圖14是用于說(shuō)明利用根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的沉積裝置制造發(fā)光顯示裝置的方法的立體圖和剖視圖。

首先，參照?qǐng)D13，準(zhǔn)備沉積裝置1，其中該沉積裝置1包括坩堝(圖2的110)、加熱部件(圖2的120)、蓋(圖2的150)以及多個(gè)噴嘴160，其中，坩堝(圖2的110)配置成沿著第一方向x延伸并且具有開(kāi)口部(圖2的110a)以在內(nèi)部容納沉積物質(zhì)(圖3的dm)，加熱部件(圖2的120)布置在坩堝(圖2的110)的側(cè)部并對(duì)坩堝(圖2的110)進(jìn)行加熱，蓋(圖2的150)覆蓋坩堝(圖2的110)的開(kāi)口部(圖2的110a)，并且多個(gè)噴嘴160從蓋(圖2的150)朝著上方突出并在蓋(圖2的150)上沿著第一方向x布置。

這里，多個(gè)噴嘴160分別具有一對(duì)槽161、162，一對(duì)槽161、162從上端沿著側(cè)壁以一定深度形成，并且一對(duì)槽161、162布置成彼此相對(duì)。此外，布置于多個(gè)噴嘴160中的所有的槽161、162位于沿著第一方向x延伸的同一個(gè)延長(zhǎng)線上。

由于已在前文中詳細(xì)地描述了沉積裝置1的結(jié)構(gòu)，因此省略重復(fù)的說(shuō)明。

另外，準(zhǔn)備沉積裝置1的步驟還可包括將角度限制部件200設(shè)置在蓋150上，其中，角度限制部件200配置成沿著第一方向x延伸并且在第二方向y上彼此相對(duì)地設(shè)置在多個(gè)噴嘴160的兩側(cè)。由于已在前文中詳細(xì)地描述了角度限制部件200，因此省略重復(fù)的說(shuō)明。

接下來(lái)，將襯底s布置成與多個(gè)噴嘴160相對(duì)。這時(shí)，襯底s可由襯底支承部400支承。此外，可將沉積掩模300布置在多個(gè)噴嘴160與襯底s之間，其中沉積掩模300可與襯底s緊貼。由于已在前文中詳細(xì)地描述了襯底支承部400和沉積掩模300，因此省略重復(fù)的說(shuō)明。

接下來(lái)，在在第二方向y上移動(dòng)坩堝110或襯底s期間，經(jīng)由多個(gè)噴嘴160將沉積物質(zhì)(圖3的dm)噴射至襯底s上以在襯底s上形成薄膜。

參照?qǐng)D14，上述薄膜可以是發(fā)光顯示裝置中布置于第一電極10與第二電極80之間的空穴注入層30、空穴傳輸層40、發(fā)光層50、電子傳輸層60和電子注入層70中的至少任意一個(gè)，其中第一電極10通過(guò)布置于襯底s上的像素限定膜20的像素開(kāi)口部21暴露，并且第二電極80布置于第一電極10的上方。

襯底s可由透明的絕緣性物質(zhì)形成。例如，襯底s可由玻璃、石英、陶瓷、塑料等形成。襯底s可以是平坦的板狀。根據(jù)一些實(shí)施方式，襯底s也可由能夠易于被外力彎曲的材料形成。襯底s可支承布置于襯底s上的其它結(jié)構(gòu)。雖然未圖示，但是襯底s可包括多個(gè)薄膜晶體管。多個(gè)薄膜晶體管中的至少一部分薄膜晶體管的漏電極可與第一電極10電連接。

第一電極10可以以各像素為單位布置在襯底s上。第一電極10可以是接收施加至薄膜晶體管的漏電極上的信號(hào)并向發(fā)光層50提供空穴的陽(yáng)電極，或提供電子的陰電極。

第一電極10可用作透明電極、反射電極或半透半反射電極。當(dāng)?shù)谝浑姌O10用作透明電極時(shí)，第一電極10可由氧化銦錫(ito)、氧化銦鋅(izo)、氧化鋅(zno)或in2o3形成。當(dāng)?shù)谝浑姌O10用作反射電極時(shí)，第一電極10可在使用ag、mg、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr及其化合物等形成反射膜之后在該反射膜上形成ito、izo、zno或in2o3而構(gòu)成。當(dāng)?shù)谝浑姌O10用作半透半反射電極時(shí)，第一電極10可在使用ag、mg、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr及其化合物等以薄的厚度形成反射膜之后在該反射膜上形成ito、izo、zno或in2o3而構(gòu)成。第一電極10可利用圖1的沉積裝置通過(guò)沉積方法形成，但是不限于此。

像素限定膜20在襯底s上布置成具有暴露第一電極10的開(kāi)口部21，并且在襯底s上劃分各像素。像素限定膜20可由絕緣物質(zhì)構(gòu)成。例如，像素限定膜20可配置為包括選自苯并環(huán)丁烯(benzocyclobutene；bcb)、聚酰亞胺(polyimide；pi)、聚酰胺(polyamide；pa)、丙烯酸樹(shù)脂及酚樹(shù)脂等的至少一種有機(jī)物質(zhì)。此外，作為另一示例，像素限定膜20也可配置為包括如氮化硅等的無(wú)機(jī)物質(zhì)。像素限定膜20可通過(guò)光刻工藝形成，但是不限于此。

空穴注入層30形成在通過(guò)像素限定膜20的開(kāi)口部21暴露的第一電極10上，并且可形成為覆蓋整個(gè)像素限定膜20?？昭ㄗ⑷雽?0作為降低第一電極10與空穴傳輸層40之間的能量勢(shì)壘的緩沖層，其起到使由第一電極10提供的空穴容易地注入進(jìn)空穴傳輸層40的作用?？昭ㄗ⑷雽?0可由例如4,4',4”-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺(mtdata)、銅酞菁(cupu)或聚(3,4-乙烯二氧噻吩)/聚苯乙烯磺酸酯(pedot/pss)等的有機(jī)化合物構(gòu)成，但是不限于此。

空穴傳輸層40形成在空穴注入層30上?？昭▊鬏攲?0起到將經(jīng)由空穴注入層30接收到的空穴傳遞至發(fā)光層50的作用。這種空穴傳輸層40可由例如n,n'-二苯基-n,n'-雙[3-甲基苯基]-1,1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺(tpd)或n,n'-二(萘-1-基)-n,n'-二苯基-聯(lián)苯胺(npb)等的有機(jī)化合物構(gòu)成，但是不限于此。

發(fā)光層50形成在空穴傳輸層40上。發(fā)光層50將由第一電極10提供的空穴與由第二電極80提供的電子重新結(jié)合而發(fā)射光。更詳細(xì)地，當(dāng)空穴和電子提供至發(fā)光層50時(shí)，空穴和電子結(jié)合而形成激子，并且隨著該激子從激發(fā)態(tài)躍遷至基態(tài)而發(fā)射光。這種發(fā)光層50可包括發(fā)射紅光的紅色發(fā)光層、發(fā)射綠光的綠色發(fā)光層以及發(fā)射藍(lán)光的藍(lán)色發(fā)光層。

上述紅色發(fā)光層可形成為包括一種紅色發(fā)光物質(zhì)，或包括主體和紅色摻雜劑。上述紅色發(fā)光層的主體例如可使用：三-(8-羥基喹啉)鋁(alq3)、4,4'-n,n'-二咔唑-聯(lián)苯(cbp)、聚(n-乙烯基咔唑)(pvk)、9,10-二(萘-2-基)蒽(adn)、1,3,5-三(n-苯基苯并咪唑-2-基)苯(tpbi)、3-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(tbadn)、聯(lián)苯乙烯基亞芳基(dsa)等，但是不限于此。此外，上述紅色摻雜劑可使用ptoep、ir(piq)3、btp2ir(acac)等，但是不限于此。

上述綠色發(fā)光層可形成為包括一種綠色發(fā)光物質(zhì)，或包括主體和綠色摻雜劑。上述綠色發(fā)光層的主體可使用上述紅色發(fā)光層的主體。并且上述綠色摻雜劑可使用ir(ppy)3、ir(ppy)2(acac)、ir(mpyp)3等，但并不限于此。

上述藍(lán)色發(fā)光層可形成為包括一種藍(lán)色發(fā)光物質(zhì)，或包括主體和藍(lán)色摻雜劑。上述藍(lán)色發(fā)光層的主體可使用上述紅色發(fā)光層的主體。并且上述藍(lán)色摻雜劑可使用f2irpic、(f2ppy)2ir(tmd)、ir(dfppz)3、三芴、4,4,-雙(4-二對(duì)甲苯基氨基苯乙烯基)聯(lián)苯(dpavbi)、2,5,8,11-四-叔丁基苝(tbpe)等，但并不限于此。

電子傳輸層60形成在發(fā)光層50上，并且起到將從第二電極80接收到的電子傳遞至發(fā)光層50的作用。這種電子傳輸層60可使用例如4,7-二苯基-1,10-鄰二氮菲(bphen)、鋁(iii)雙(2-甲基-8-羥基喹啉)4-苯基苯酚酯(balq)、三-(8-羥基喹啉)鋁(alq3)、(雙(10-羥基苯并[h]羥基喹啉)鈹(bebq2)、1,3,5-三(n-苯基苯并咪唑-2-基)苯(tpbi)等的有機(jī)化合物材料，但是不限于此。

電子注入層70形成在電子傳輸層60上，并且作為降低電子傳輸層60與第二電極80之間的能量勢(shì)壘的緩沖層，其起到使由第二電極80提供的電子容易地注入到電子傳輸層60中的作用。這種電子注入層70可由例如lif或csf等形成，但是不限于此。

第二電極80可布置在電子注入層70上。第二電極80可由與第一電極10相同的材料形成，但是不一定限于此。根據(jù)一些實(shí)施方式，第二電極80可以是布置于包括在發(fā)光顯示裝置中的多個(gè)像素上的公共電極。根據(jù)一些實(shí)施方式，第二電極80也可布置在電子注入層70的上方以及像素限定膜20的上方整體上。發(fā)光層50的發(fā)光可根據(jù)在第一電極10與第二電極80之間流經(jīng)的電流來(lái)控制。

雖然在上文中參照附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式進(jìn)行了說(shuō)明，但在本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解，本發(fā)明可在不改變本發(fā)明的技術(shù)思想或必要特征的情況下實(shí)施為其它具體形態(tài)。因此，應(yīng)理解，上文中所記載的實(shí)施方式在所有方面均為例示性的，而非限定性的。

附圖標(biāo)記的說(shuō)明

1：沉積裝置100：沉積源

110：坩堝120：加熱部件

130、140：內(nèi)板150：蓋

160、160a、160b、160c、160d：多個(gè)噴嘴

170：反射件180：殼

200：角度限制部件300：沉積掩模

400：襯底支承部