專利名稱：Igbt超薄晶片背面工藝的新方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種微電子技術(shù)領(lǐng)域中的半導(dǎo)體器件的制造工藝，特別是一種 IGBT超薄晶片背面加工工藝的新方法。
背景技術(shù)：
近年來非穿透型IGBT在電力和民用工業(yè)得到了越來越廣泛的應(yīng)用。由于它 的VCEa)N)正向溫度系數(shù)，使它比穿透型IGBT更容易并聯(lián)。它的寬基區(qū)使它比 穿透型IGBT能吸收更多的雪崩擊穿能量。 一般非穿透型IGBT可用于硬開關(guān)工作 環(huán)境并允許一定時(shí)間的短路，而穿透型IGBT—般則不可以。因此，對(duì)非穿透型 IGBT器件的需求越來越高。然而非穿透型IGBT器件需要在超薄的芯片上完成其
后道工序。能用于超薄芯片工藝的設(shè)備非常昂貴。目前國內(nèi)還沒有這樣的設(shè)備。 從而給制做非穿透型IGBT由其是1200V以下器件帶來困難。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于避免上述不足而提供的一種加工IGBT超薄晶片背面工藝 的新方法。
本發(fā)明的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的
IGBT超薄晶片背面工藝的新方法，將每兩片芯片面對(duì)面放在一起，用聚酰 亞胺將芯片邊緣粘起來，在完成離子注入和金屬鍍膜等后道工序之后，用溶劑 將聚酰亞胺溶解并分離芯片。
本發(fā)明的目的還可以這樣實(shí)現(xiàn)
用聚酰亞胺將芯片非連續(xù)的數(shù)邊緣點(diǎn)粘起來。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是可以使IGBT在加工工序過程中不被穿透，而且生產(chǎn)過程中性能穩(wěn)定，安全可靠，成本低，使用方便等。
具體實(shí)施例方式
下面詳細(xì)敘述本發(fā)明的實(shí)施例。
本發(fā)明是為解決非穿透型IGBT超薄芯片背面工藝碎片問題，屬于IGBT器 件制造的新工藝。
(1) 首先是將非穿透型IGBT芯片減薄；然后將兩片IGBT超薄芯片A， B面 對(duì)面排序，每對(duì)芯片放在同一芯片盒的溝槽里；選擇多個(gè)IGBT超薄芯片的邊緣 點(diǎn)，將聚酰亞胺涂在這些邊緣點(diǎn)處；在150C下烘干30分鐘；
(2) 在兩片IGBT超薄芯片A， B背面進(jìn)行離子注入；在兩片IGBT超薄芯 片A, B背面進(jìn)行金屬鍍膜；
(3) 加工完的IGBT超薄芯片放入溶劑中溶解聚酰亞胺，分離A,B芯片。 聚酰亞胺可工作在40(TC以上的溫度，所以可承受背面離子注入和金屬鍍膜
等后道工序。為了容易溶解聚酰亞胺選數(shù)邊緣粘接點(diǎn)。
"雙片"的強(qiáng)度足可以支持使用一般離子注入和金屬鍍膜設(shè)備。
權(quán)利要求
1、IGBT超薄晶片背面工藝的新方法，其特征在于在將每兩片芯片面對(duì)面放在一起，用聚酰亞胺將芯片邊緣粘起來，在完成離子注入和金屬鍍膜等后道工序之后，用溶劑將聚酰亞胺溶解并分離芯片。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的IGBT超薄晶片背面工藝的新方法，其特征在于 用聚酰亞胺將芯片非連續(xù)的數(shù)邊緣點(diǎn)粘起來。
全文摘要
本發(fā)明提供的一種加工IGBT超薄晶片背面工藝的新方法，將每倆片芯片面對(duì)面放在一起，用聚酰亞胺將芯片邊緣粘起來，在完成離子注入和金屬鍍膜等后道工序之后，用溶劑將聚酰亞胺胺溶解并分離芯片，可以使IGBT在加工工序過程中不被穿透，而且生產(chǎn)過程中性能穩(wěn)定，安全可靠，成本低，使用方便。
文檔編號(hào)H01L21/00GK101452815SQ20071011484
公開日2009年6月10日 申請日期2007年12月4日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月4日
發(fā)明者昕 李 申請人:科達(dá)半導(dǎo)體有限公司