專利名稱：具訊號(hào)匯集膠帶的芯片承載器及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種芯片承載器，特別是有關(guān)于一種具訊號(hào)匯集膠帶的芯片承載器及其制作方法。
背景技術(shù)：
如圖1所示，現(xiàn)有的芯片承載器100是用以承載一芯片500，該芯片承載器100是具有一電源環(huán)110、一接地環(huán)120、一芯片承座130及若干個(gè)內(nèi)引腳140，該電源環(huán)110與該接地環(huán)120是設(shè)置于該芯片承座130與該些內(nèi)引腳140之間，并且圍繞該芯片承座130，而該芯片500是設(shè)置于該芯片承座130，且該芯片500是通過若干個(gè)焊線700電性連接至該電源環(huán)110、該接地環(huán)120及該些內(nèi)引腳140，但現(xiàn)有的該電源環(huán)110與該接地環(huán)120的設(shè)計(jì)具有應(yīng)用上的缺失，其原因的一是會(huì)導(dǎo)致連接該芯片500與該電源環(huán)110、該接地環(huán)120及該些內(nèi)引腳140的該些焊線700的數(shù)量及長(zhǎng)度增加，并相對(duì)增加制作成本；另一原因是由于該電源環(huán)110與該接地環(huán)120是設(shè)置于該芯片承座130與該些內(nèi)引腳140之間，使得該芯片500與該些內(nèi)引腳140之間的距離被拉長(zhǎng)，而無法在短距離內(nèi)完成電性連接，其是會(huì)造成使用該芯片承載器100的封裝體體積無法縮小。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的是在于提供一種芯片承載器，是用以承載一芯片，其不僅可節(jié)省該芯片承載器的制作成本，更可大幅縮短焊線長(zhǎng)度及讓封裝體體積縮小。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種訊號(hào)匯集膠帶以取代現(xiàn)有的電源環(huán)及接地環(huán)的設(shè)計(jì)。
依據(jù)本發(fā)明的一種芯片承載器，其包含一承載板及至少一訊號(hào)匯集膠帶，該承載板是具有一表面、一芯片承座及若干個(gè)內(nèi)引腳，該些內(nèi)引腳是圍繞該芯片承座，該訊號(hào)匯集膠帶是設(shè)置于該承載板的該表面，并電性連接該芯片。
依據(jù)本發(fā)明的一種芯片承載器的制作方法，其包含提供一承載板，該承載板是具有一表面、一芯片承座及若干個(gè)內(nèi)引腳，該些內(nèi)引腳是圍繞該芯片承座；以及設(shè)置至少一訊號(hào)匯集膠帶于該承載板的該表面。
依據(jù)本發(fā)明的一種芯片承載器，其包含一承載板及至少一訊號(hào)匯集膠帶，該承載板是具有一表面、一芯片承載區(qū)及若干個(gè)手指，該些手指是圍繞該芯片承載區(qū)，該訊號(hào)匯集膠帶是設(shè)置于該承載板的該表面，并電性連接該芯片。
依據(jù)本發(fā)明的一種芯片承載器的制作方法，其包含提供一承載板，該承載板是具有一表面、一芯片承載區(qū)及若干個(gè)手指，該些手指是圍繞該芯片承載區(qū)；以及設(shè)置至少一訊號(hào)匯集膠帶于該承載板的該表面。
依據(jù)本發(fā)明的一種訊號(hào)匯集膠帶，其包含一底層及一導(dǎo)接層，該底層是具有一黏膠層及一絕緣層，該絕緣層是形成于該黏膠層上，該導(dǎo)接層是形成于該底層的該絕緣層上，該導(dǎo)接層是具有一金屬層及一電鍍層，該電鍍層是形成于該金屬層上。
依據(jù)本發(fā)明的一種訊號(hào)匯集膠帶的制作方法，其包含提供一底層，該底層是由一黏膠層及一絕緣層所組成，該絕緣層是形成于該黏膠層上；以及設(shè)置一導(dǎo)接層于該底層的該絕緣層上，該導(dǎo)接層是由一金屬層及一電鍍層所組成，該電鍍層是形成于該金屬層上。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的芯片承載器其包含一承載板及至少一訊號(hào)匯集膠帶，該承載板是具有一表面、一芯片承座及若干個(gè)內(nèi)引腳，該些內(nèi)引腳是圍繞該芯片承座，該訊號(hào)匯集膠帶是設(shè)置于該承載板的該表面，并電性連接該芯片。本發(fā)明是通過該訊號(hào)匯集膠帶取代現(xiàn)有的電源環(huán)及接地環(huán)的設(shè)計(jì)，不僅可節(jié)省該芯片承載器的制作成本，更可大幅縮短焊線長(zhǎng)度及讓封裝體體積縮小。


圖1是現(xiàn)有芯片承載器的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2是依據(jù)本發(fā)明的第一較佳實(shí)施例，一種芯片承載器的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3是依據(jù)本發(fā)明的一具體實(shí)施例，一種芯片承載器的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖4A至圖4B是依據(jù)本發(fā)明的第一較佳實(shí)施例，一種芯片承載器的制作方法流程圖。
第5A至5B圖是依據(jù)本發(fā)明的第一較佳實(shí)施例，一種訊號(hào)匯集膠帶的制作方法流程圖。
圖6是依據(jù)本發(fā)明的第二較佳實(shí)施例，一種芯片承載器的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖7是依據(jù)本發(fā)明的一具體實(shí)施例，一種芯片承載器的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖8A至圖8B是依據(jù)本發(fā)明的第二較佳實(shí)施例，一種芯片承載器的制作方法流程圖。
具體實(shí)施例方式
請(qǐng)參閱圖2，其是本發(fā)明的第一較佳實(shí)施例，一種芯片承載器200，是用以承載一芯片500，該芯片承載器200是包含有一承載板210及至少一訊號(hào)匯集膠帶220，在本實(shí)施例中，該承載板210是為導(dǎo)線架(Lead Frame)，該承載板210是具有一表面211、一芯片承座212及若干個(gè)內(nèi)引腳213，該芯片承座212是用以設(shè)置該芯片500，該些內(nèi)引腳213是圍繞該芯片承座212，該訊號(hào)匯集膠帶220是設(shè)置于該承載板210的該表面211，并通過至少一焊線700電性連接該芯片500，該訊號(hào)匯集膠帶220除了可取代現(xiàn)有的電源環(huán)(Power Ring)及接地環(huán)(Ground Ring)外，更可大幅縮短該焊線700的長(zhǎng)度，在本實(shí)施例中，該訊號(hào)匯集膠帶220是設(shè)置于該芯片承座212，用以電性連接該芯片500與該些內(nèi)引腳213，或者，請(qǐng)參閱圖3，在另一實(shí)施例中，該訊號(hào)匯集膠帶220是可設(shè)置于該些內(nèi)引腳213，而原先由該芯片500欲連接至電源環(huán)或接地環(huán)的焊線700是可匯集至該訊號(hào)匯集膠帶220，再經(jīng)由該訊號(hào)匯集膠帶220與其它導(dǎo)接組件(如內(nèi)引腳213)作電性連接，如此可節(jié)省制作電源環(huán)或接地環(huán)所需耗費(fèi)的成本與時(shí)間，更可讓使用該芯片承載器200的封裝體體積縮小。
請(qǐng)?jiān)賲㈤唸D3，在本實(shí)施例中，該訊號(hào)匯集膠帶220是包含一底層221及一導(dǎo)接層222，該底層22 1是具有一黏膠層221A及一絕緣層221B，該絕緣層221B是形成于該黏膠層221A上，該訊號(hào)匯集膠帶220是通過該黏膠層221A與該芯片承座212或該些內(nèi)引腳213連接，該絕緣層221B是用以電性絕緣該導(dǎo)接層222與該芯片承座212或該些內(nèi)引腳213，較佳地，該黏膠層221A與該絕緣層221B的厚度是介于5微米至30微米之間。該導(dǎo)接層222是形成于該底層221的該絕緣層221B上，該導(dǎo)接層222是具有一金屬層223及一電鍍層224，且該導(dǎo)接層222是可為具圖案化的線路層，該電鍍層224是形成于該金屬層223上，在本實(shí)施例中，該金屬層223是為銅箔以作為電性傳導(dǎo)層，該金屬層223是具有一膠層223A，該金屬層223是可通過該膠層223A與該底層221結(jié)合，或者，在另一實(shí)施例中，該金屬層223是可以無電電鍍法或?yàn)R鍍法方式直接形成于該底層221的該絕緣層221B上，其中以無電電鍍法所形成的該金屬層223的厚度是可小于1奈米，且較佳地，該金屬層223的厚度是介于0.1奈米至28微米之間，該電鍍層224是由一鎳層224A及一金層224B所組成，該金層224B是形成于該鎳層224A上，其中該鎳層224A是用以增加該金層224B與該金屬層223的接著強(qiáng)度，且較佳地，該鎳層224A的厚度是介于0.1微米至20微米之間，而該金層224B的厚度是介于0.1微米至5微米之間。
關(guān)于本發(fā)明第一較佳實(shí)施例的該芯片承載器200的制作方法請(qǐng)參閱圖4A至圖4B所示。首先，請(qǐng)參閱圖4A，提供一承載板210，如導(dǎo)線架(LeadFrame)，該承載板210是具有一表面211、一芯片承座212及若干個(gè)內(nèi)引腳213，該些內(nèi)引腳213是圍繞該芯片承座212；接著，請(qǐng)參閱圖4B，設(shè)置至少一訊號(hào)匯集膠帶220于該承載板210的該表面211，在本實(shí)施例中，該訊號(hào)匯集膠帶220是形成于該芯片承座212，用以電性連接該芯片500與該些內(nèi)引腳213，或者，在另一實(shí)施例中，該訊號(hào)匯集膠帶220是可形成于該些內(nèi)引腳213。
另外，關(guān)于該訊號(hào)匯集膠帶220的制作方法請(qǐng)參閱圖5A至圖5B所示。首先，請(qǐng)參閱圖5A，提供一底層221，該底層221是由一黏膠層221A及一絕緣層221B所組成，該絕緣層221B是形成于該黏膠層221A上；接著，請(qǐng)參閱圖5B，形成一導(dǎo)接層222于該底層221的該絕緣層221B上，該導(dǎo)接層222是為導(dǎo)電材質(zhì)，在本實(shí)施例中，該導(dǎo)接層222是由一金屬層223及一電鍍層224所組成，且該導(dǎo)接層222是可為具圖案化的線路層，該電鍍層224是形成于該金屬層223上，通過上述的制作方法，即可制作完成本發(fā)明的該訊號(hào)匯集膠帶220。
請(qǐng)參閱圖6，其是本發(fā)明的第二較佳實(shí)施例，一種芯片承載器300，是用以承載一芯片500，該芯片承載器300是包含有一承載板310及至少一訊號(hào)匯集膠帶320，在本實(shí)施例中，該承載板310是為基板(Substrate)，該承載板310是具有一表面311、一芯片承載區(qū)312及若干個(gè)手指313，該芯片承載區(qū)312是用以設(shè)置該芯片500，該些手指313是圍繞該芯片承載區(qū)312，該訊號(hào)匯集膠帶320是設(shè)置于該承載板310的該表面311，并通過至少一焊線700電性連接該芯片500，該訊號(hào)匯集膠帶320除了可取代現(xiàn)有的電源環(huán)(Power Ring)及接地環(huán)(Ground Ring)外，更可大幅縮短該焊線700的長(zhǎng)度，在本實(shí)施例中，該訊號(hào)匯集膠帶320是設(shè)置于該芯片承載區(qū)312，用以電性連接該芯片500與該些手指313，或者，請(qǐng)參閱圖7，在另一實(shí)施例中，該訊號(hào)匯集膠帶320是可設(shè)置于該些手指313，而原先由該芯片500欲連接至電源環(huán)或接地環(huán)的焊線700是可匯集至該訊號(hào)匯集膠帶320，再經(jīng)由該訊號(hào)匯集膠帶320與其它導(dǎo)接組件(如手指313)作電性連接，如此可節(jié)省制作電源環(huán)或接地環(huán)所需耗費(fèi)的成本與時(shí)間，更可讓使用該芯片承載器300的封裝體體積縮小。
關(guān)于本發(fā)明第二較佳實(shí)施例的該芯片承載器300的制作方法請(qǐng)參閱圖8A至圖8B所示。首先，請(qǐng)參閱圖8A，提供一承載板310，如基板(Substrate)，該承載板310是具有一表面311、一芯片承載區(qū)312及若干個(gè)手指313，該些手指313是圍繞該芯片承載區(qū)312；接著，請(qǐng)參閱圖8B，設(shè)置至少一訊號(hào)匯集膠帶320于該承載板310的該表面311，在本實(shí)施例中，該訊號(hào)匯集膠帶320是形成于該芯片承載區(qū)312，用以電性連接該芯片500與該些手指313，或者，在另一實(shí)施例中，該訊號(hào)匯集膠帶320是可形成于該些手指313。
本發(fā)明的該芯片承載器300是通過該訊號(hào)匯集膠帶320取代現(xiàn)有的電源環(huán)及接地環(huán)的設(shè)計(jì)，不僅可節(jié)省該芯片承載器300的制作成本，更可大幅縮短該焊線700的長(zhǎng)度及讓封裝體體積縮小。
權(quán)利要求
1.一種芯片承載器，是用于承載一芯片，其包含一承載板，其中該承載板為導(dǎo)線架，其具有一表面、一芯片承座及若干個(gè)內(nèi)引腳，該些內(nèi)引腳是圍繞該芯片承座；其特征在于其還包括至少一訊號(hào)匯集膠帶，是設(shè)置于該承載板的芯片承座或該些內(nèi)引腳，并電性連接該芯片。
2.如權(quán)利要求1所述的芯片承載器，其特征在于該訊號(hào)匯集膠帶是由一底層及一導(dǎo)接層所組成，該導(dǎo)接層是形成于該底層上。
3.如權(quán)利要求2所述的芯片承載器，其特征在于該底層是具有一黏膠層及一絕緣層，該絕緣層是形成于該黏膠層上，該黏膠層或該絕緣層的厚度是介于5微米至30微米之間。
4.如權(quán)利要求2所述的芯片承載器，其特征在于該導(dǎo)接層是具有一金屬層及一電鍍層，該電鍍層是形成于該金屬層上，該金屬層的厚度是介于0.1奈米至28微米之間。
5.如權(quán)利要求4所述的芯片承載器，其特征在于該金屬層是具有一膠層。
6.如權(quán)利要求4項(xiàng)所述的芯片承載器，其特征在于該電鍍層是由一鎳層及一金層所組成，該金層是形成于該鎳層上，該鎳層的厚度是介于0.1微米至20微米之間，該金層的厚度是介于0.1微米至5微米之間。
7.一種芯片承載器，是用以承載一芯片，其包含一承載板，其中該承載板是為基板，其具有一表面、一芯片承載區(qū)及若干個(gè)手指，該些手指是圍繞該芯片承載區(qū)；其特征在于其還包括至少一訊號(hào)匯集膠帶，是設(shè)置于該承載板的該芯片承載區(qū)或該些手指，并電性連接該芯片。
8.如權(quán)利要求6所述的芯片承載器，其特征在于該訊號(hào)匯集膠帶是由一底層及一導(dǎo)接層所組成，該導(dǎo)接層是形成于該底層上。
9.如權(quán)利要求8所述的芯片承載器，其特征在于該底層是具有一黏膠層及一絕緣層，該絕緣層是形成于該黏膠層上，該黏膠層或該絕緣層的厚度是介于5微米至30微米之間。
10.如權(quán)利要求8所述的芯片承載器，其特征在于該導(dǎo)接層是具有一金屬層及一電鍍層，該電鍍層是形成于該金屬層上，該金屬層的厚度是介于0.1奈米至28微米之間。
11.如權(quán)利要求10項(xiàng)所述的芯片承載器，其特征在于該金屬層是具有一膠層。
12.如權(quán)利要求10項(xiàng)所述的芯片承載器，其特征在于該電鍍層是由一鎳層及一金層所組成，該金層是形成于該鎳層上，該鎳層的厚度是介于0.1微米至20微米之間，該金層的厚度是介于0.1微米至5微米之間。
全文摘要
一種芯片承載器，其用以承載一芯片，其包含一承載板及至少一訊號(hào)匯集膠帶，該承載板具有一表面、一芯片承座及若干個(gè)內(nèi)引腳，該些內(nèi)引腳是圍繞該芯片承座，該訊號(hào)匯集膠帶是設(shè)置于該承載板的該表面，并電性連接該芯片，該訊號(hào)匯集膠帶是可取代現(xiàn)有的電源環(huán)及接地環(huán)設(shè)計(jì)，并縮短焊線長(zhǎng)度及使封裝體體積縮小。
文檔編號(hào)H01L23/12GK101090103SQ20071012902
公開日2007年12月19日 申請(qǐng)日期2007年6月29日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月29日
發(fā)明者陳俊吉, 馬康薇 申請(qǐng)人:日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司