專利名稱：：半導(dǎo)體裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置及其制造方法，具體地說，涉及具有絕緣柵型雙極晶體管及續(xù)流二極管的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
：近年來，從節(jié)能觀點出發(fā)，控制家電產(chǎn)品和工業(yè)用電力裝置等用的逆變器電路得到了廣泛應(yīng)用。逆變器電路用功率半導(dǎo)體裝置反復(fù)使電壓或電流通斷，對功率進行控制。在這種逆變器電路中，額定電壓在300V以上，從此特性出發(fā)，主要采用絕緣柵型雙極晶體管(以下簡稱IGBT)。逆變器電路往往主要驅(qū)動感應(yīng)電動機等的電感負載，在這種場合，從電感負載產(chǎn)生反電動勢，因此需要使該反電動勢引起的電流回流的續(xù)流二極管。通常的逆變器電路由IGBT和續(xù)流二極管反向并聯(lián)(反向?qū)↖GBT)構(gòu)成。為了達到使逆變器裝置小型化的目的，將續(xù)流二極管和IGBT集成在一起，實現(xiàn)單片化的半導(dǎo)體裝置的開發(fā)。傳統(tǒng)技術(shù)中，例如，在日本專利特開平06-085269號公告、特開平06-196705號公告、特開平2005-057235號公告中提出這樣的IGBT和續(xù)流二極管等形成為一體而單片化的半導(dǎo)體裝置。在反向?qū)↖GBT中，在半導(dǎo)體襯底表面?zhèn)刃纬山^緣柵型場效應(yīng)晶體管部和續(xù)流二極管的陽極區(qū)，在背面?zhèn)刃纬蒊GBT集電極區(qū)和續(xù)流二極管的陰極區(qū)。然后，在半導(dǎo)體襯底的背面上形成背面電極，在電氣上連接該集電極區(qū)和陰極區(qū)。傳統(tǒng)技術(shù)中，該背面電極具有從半導(dǎo)體襯底背面?zhèn)纫来螌盈BAl(鋁)、Mo(鉬)、Ni(鎳)和Au(金)的結(jié)構(gòu)。該背面電極Al/Mo/Ni/Au可以與P型雜質(zhì)形成良好的歐姆接觸。因此，IGBT的絕緣柵型場效應(yīng)晶體管部導(dǎo)通時，可得到良好的導(dǎo)通電壓?？墒?，背面電極Al/Mo/Ni/Au難以與n型雜質(zhì)形成良好的歐姆接觸。因此，存在續(xù)流二極管導(dǎo)通時導(dǎo)通電壓惡化的問題。另外，在反向?qū)↖GBT上，須用電子射線、Y射線、中子射線、離子射線等輻射線照射半導(dǎo)體晶圓，進行壽命控制。此外，為了使背面電極Al/Mo/Ni/Au與半導(dǎo)體襯底的歐姆接觸良好，必須在背面電極形成后對半導(dǎo)體晶圓進行熱處理。但是，反向?qū)↖GBT的半導(dǎo)體晶圓在背面研磨后厚度變薄。因此，若在背面電極形成后進行熱處理，由于硅與背面電極的熱膨脹系數(shù)不同，半導(dǎo)體晶圓會發(fā)生翹曲，存在使批量生產(chǎn)性能惡化的問題。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的一個目的在于，提供一種不論在絕緣柵型場效應(yīng)晶體管部導(dǎo)通時，還是續(xù)流二極管導(dǎo)通時，都能得到良好導(dǎo)通電壓的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。另外，本發(fā)明的另一目的在于，提供一種難以造成熱處理翹曲的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置具有半導(dǎo)體襯底、絕緣柵型雙極晶體管的絕緣柵型場效應(yīng)晶體管部及第一導(dǎo)電型集電極區(qū)、續(xù)流二極管的第一導(dǎo)電型陽極區(qū)和第二導(dǎo)電型陰極區(qū)和背面電極。半導(dǎo)體襯底具有彼此相對的第一主面和第二主面。絕緣柵型場效應(yīng)晶體管部在半導(dǎo)體襯底的第一主面上形成。陽極區(qū)在半導(dǎo)體襯底的第一主面上形成。集電極區(qū)在半導(dǎo)體襯底的笫二主面上形成。陰極區(qū)在半導(dǎo)體襯底的第二主面上形成。背面電極在第二主面上形成，連接集電極區(qū)和陰極區(qū)，而且具有從第二主面?zhèn)纫来螌盈B的鈦層、鎳層及金層。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置制造方法包括以下工序。首先，在半導(dǎo)體襯底的第一主面上形成絕緣柵型雙極晶體管的絕緣柵型場效應(yīng)晶體管部和續(xù)流二極管的第一導(dǎo)電型陽極區(qū)。研磨與笫一主面相對的第二主面。在半導(dǎo)體第二主面上，形成絕緣柵型雙極晶體管的第一導(dǎo)電型集電^l區(qū)。在半導(dǎo)體笫二主面上，形成續(xù)流二極管第二導(dǎo)電型的陰極區(qū)。從第二主面?zhèn)纫来螌盈B鈦層、鎳層及金層，在第二主面上形成背面電極，連接集電極區(qū)和陽極區(qū)。按照本發(fā)明，由于形成鈦層，連接集電極區(qū)和陰極區(qū)，不論在絕緣柵型場效應(yīng)晶體管部導(dǎo)通時，還是在續(xù)流二極管導(dǎo)通時，都可以得到良好的導(dǎo)通電壓。此外，由于可以得到上述良好的導(dǎo)通電壓，沒有必要為了使背面電極與半導(dǎo)體襯底的歐姆接觸良好，而在背面電極形成后進行熱處理。因此，不會由于熱處理而使半導(dǎo)體襯底翹曲。由于在鈦層上形成鎳層，才莫塊組裝連接背面?zhèn)葧r，鎳層起到焊錫的作用，可以獲得良好的連4妾。另外，由于在容易氧化的鎳層上形成金層，故可防止鎳層氧化。聯(lián)系附圖，從以下對本發(fā)明的詳細說明中可以明白本發(fā)明的上述和其他目的、特征、形態(tài)和優(yōu)點。圖1是概略表示本發(fā)明一實施例的半導(dǎo)體裝置的剖視圖；圖2是表示沿著圖1的II-II線(剖面)部分p型雜質(zhì)的濃度分布圖3-圖8依次表示本發(fā)明一實施例的半導(dǎo)體裝置制造方法各工序的概略剖視圖。具體實施例方式以下根據(jù)本發(fā)明的實施例。參見圖1，本發(fā)明的實施例的半導(dǎo)體裝置具有在半導(dǎo)體村底20的單元區(qū)上形成的IGBT和續(xù)流二極管。半導(dǎo)體襯底20例如，由摻入n型雜質(zhì)的硅組成，具有彼此相對的第一主面20a和笫二主面20b。該半導(dǎo)體襯底20厚度最好在15(^im以下。IGBT主要有半導(dǎo)體襯底20的rT半導(dǎo)體層1、p型基極區(qū)2、n+發(fā)射極區(qū)3、溝道柵極5和p型集電極區(qū)9。半導(dǎo)體襯底20的單元區(qū)上，在iT型半導(dǎo)體層的第一主面20a側(cè)上，通過擴散p型雜質(zhì)選擇性地形成p型基極區(qū)2。在p型基極區(qū)2內(nèi)的第一主面20a上，通過選擇性地擴散高濃度n型雜質(zhì)而選擇性地形成n+型發(fā)射極區(qū)3。在半導(dǎo)體襯底20的第一主面20a上，形成多個溝槽4,貫穿n+型發(fā)射極區(qū)3和p型基極區(qū)2，達到n—型半導(dǎo)體層l。沿著各個溝槽4的內(nèi)壁形成柵絕緣層6，在該溝槽4內(nèi)進行填充而形成溝槽柵極5。形成該溝槽柵極5,它隔著柵絕緣層6與iT半導(dǎo)體層1和n+型發(fā)射極區(qū)3所夾持的p型基極區(qū)2相對。通過這些n—半導(dǎo)體層1、p型基極區(qū)2、n+型發(fā)射極區(qū)3及溝槽柵極5,在半導(dǎo)體村底20的笫一主面20a側(cè)構(gòu)成IGBT的絕緣柵型場效應(yīng)晶體管部。就是說，iT半導(dǎo)體層1及n+發(fā)射極區(qū)3起一對源極/漏極的作用，隔著柵絕緣層6,與溝槽柵極5相對的p型基極區(qū)2部分(溝槽柵極的周邊部分)起溝道作用，溝槽柵極5起控制該溝道形成的柵極作用。在半導(dǎo)體襯底20的單元區(qū)，在第二主面20b上，通過擴散p型雜質(zhì)選擇性地形成p型集電極區(qū)9。續(xù)流二極管具有半導(dǎo)體襯底20的n—半導(dǎo)體層1、p型陰極區(qū)2和n型陰極區(qū)10。上述p型基極區(qū)2還起續(xù)流二極管陽極區(qū)的作用。半導(dǎo)體襯底20的單元區(qū)上，在第二主面20b上，通過擴散n型雜質(zhì)，選擇性地形成n型陰極區(qū)10。相鄰地交替形成n型陰極區(qū)10與p型集電極區(qū)9。在半導(dǎo)體襯底20的第一主面20a上形成絕緣層7，覆蓋溝槽柵極5并露出p型基極區(qū)2和n+型發(fā)射極區(qū)3的表面。在第一主面20a上形成發(fā)射極8，與該露出的p型基極區(qū)2和n+型發(fā)射極區(qū)3表面接觸。該發(fā)射極8兼作續(xù)流二極管的陽極。在半導(dǎo)體襯底20的整個第二主面20b上，形成背面電極14。背面電極14在單元區(qū)上連接p型集電極區(qū)9和n型陰極區(qū)10。背面電極14從第二主面20b側(cè)依次層疊鈥(Ti)j:11、鎳(Ni)層12和金(Au)層13。從而，鈦層11連接p型集電極區(qū)9和n型陰極區(qū)10。另夕卜，形成鎳層12與鈦層11連接，形成金層13與鎳層12連接。該背面電極14既是IGBT的集電極，又是續(xù)流二極管的陰極。4太層的厚度例如最好在0.05pm以上、0.3|im以下，鎳層的厚度例如最好在0.3pm以上、2.0nm以下，金層的厚度例如最好在0.02nm以上、0.4pm以下，從而可以穩(wěn)定反向?qū)↖GBT的特性。形成護環(huán)區(qū)(未作圖示)，包圍上述包含IGBT和續(xù)流二極管的單元區(qū)的第一主面20a的外圍。該護環(huán)區(qū)是通過擴散p型雜質(zhì)而形成。護環(huán)區(qū)的表面覆蓋有絕緣層7，其上形成護環(huán)電極。參照圖2,例如以從第二主面(背面)20b起的0.3pm左右的深度形成p型集電極區(qū)9，最好整個具有1.0xl019cm-3以上的峰值濃度。該p型集電極區(qū)9最好從第二主面20b起形成l.Onm以下的深度，且最好具有3.0xl019cm-3以上的峰值濃度。如本實施例這樣背面電極14為Ti/Ni/Au時，采用后述的激光退火，如圖2所示，p型集電極區(qū)9的擴散深度在1.0|Lim以下，而且峰值濃度控制在3.0xl019cm-3以上，以此使背面電極14與半導(dǎo)體襯底20具有良好的歐姆接觸，可以進一步防止導(dǎo)通電壓增大。接著，用圖1說明本實施例的IGBT的導(dǎo)通動作。參見圖l，為了使導(dǎo)通動作發(fā)生，首先在發(fā)射極8和背面電極14之間施加預(yù)定的正集電極電壓VCE，在發(fā)射極8和溝槽柵極5之間施加預(yù)定的正柵極電壓VQE,使柵極處于導(dǎo)通狀態(tài)。此時，從與溝槽柵極5相對的p型基極區(qū)2的部分從p型翻轉(zhuǎn)為n型而形成溝道，來自發(fā)射極8的電子通過該溝道注入iT型半導(dǎo)體層1。由于該電子注入，在p型集電極區(qū)9和n—型半導(dǎo)體層1之間形成正偏置狀態(tài)，從p型集電極區(qū)9向iT型半導(dǎo)體層1注入空穴。從而，n—型半導(dǎo)體層l的電阻大幅度降低，絕緣柵型場效應(yīng)晶體管部的導(dǎo)通電阻大幅降低，電流容量增大。另外，在第一主面20a上形成的絕緣柵型場效應(yīng)晶體管部正下方的第二主面20b上，形成p型集電極區(qū)9，從而可將注入電子和空穴的路徑,縮到最短，防止導(dǎo)通電阻上升。接著，用圖1說明本實施例的續(xù)流二極管的導(dǎo)通動作。參見圖1，在發(fā)射極8和背面電極14之間施加超過預(yù)定閾值電壓的正偏置(陽極電壓V^)。從而，從p型基極區(qū)2向n-型半導(dǎo)體層1注入空穴，進而從n型陰極區(qū)10注入電子，正向電壓(V》大幅度降低，有電流流過。另外，在第一主面20a上形成的續(xù)流二極管區(qū)正下方的笫二主面20b上，形成n型陰極區(qū)10。從而可以將電子和空穴的注入路徑縮到最短，防止正向電壓(V。的增加。接著，說明本實施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法。參見圖3，制備從摻入了n型雜質(zhì)的單晶硅形成的半導(dǎo)體襯底20。在此狀態(tài)下，整個半導(dǎo)體村底20由n-型半導(dǎo)體層1形成。此后，在第一主面20a上，通過在n—型半導(dǎo)體層1的表面上擴散p型雜質(zhì)，形成護環(huán)區(qū)(圖中未示出)，包圍單元區(qū)的外圍。參照圖4，在半導(dǎo)體襯底20的第一主面20a上，形成IGBT絕緣柵型場效應(yīng)晶體管部(p型基極區(qū)2、n+發(fā)射極區(qū)3、溝槽4、柵極絕層6、溝槽柵極5)。此時，由于絕緣柵型場效應(yīng)晶體管部的p型基極區(qū)2也變?yōu)槔m(xù)流二極管的陽極區(qū)，所以同時還形成續(xù)流二極管陽極區(qū)2。在第一主面20a上形成絕緣層7，覆蓋溝槽柵極5和續(xù)流二極管區(qū)上部，并露出p型基極區(qū)2和n+型發(fā)射極區(qū)3的表面。參照圖5，形成發(fā)射極8而連接p型基極區(qū)2和n+型發(fā)射極區(qū)3,同時在護環(huán)區(qū)上面形成護環(huán)電極。此后，研磨半導(dǎo)體村底20的第二主面20b。參照圖6，通過上述研磨，將半導(dǎo)體襯底20例如設(shè)成150pm以下的厚度。此后，進行壽命控制處理。該壽命控制處理是通過用例如電子射線、Y射線、中子射線、離子射線等幅射線照射半導(dǎo)體襯底20進行的。參照圖7，在第二主面20b的單元區(qū)，例如選擇性地用25keV以上、200keV以下的加速電壓進行p型雜質(zhì)的離子注入。從而，在第二主面20b上選擇性地形成p型集電極區(qū)9。參照圖8，在第二主面20b的單元區(qū)，例如選擇性地用25keV以上、200keV以下的加速電壓，選擇性地進行n型雜質(zhì)的離子注入。從而，在第二主面20b上選擇性地形成n型陽極區(qū)10，與p型集電極區(qū)9相鄰。此后，通過同樣的熱處理，活化離子注入到p型集電極區(qū)9的p型雜質(zhì)和離子注入到n型陽極區(qū)10的n型雜質(zhì)。該活化的熱處理，例如用激光退火進行。參照圖1，從第二主面20b側(cè)依次層疊，在笫二主面20b上形成鈦層11、鎳層12和金層3，從而形成背面電極14。鈦層的厚度例如在0.05|xm以上、0.3pm以下，鎳層的厚度例如在0.3|im以上、2.0pm以下，金層的厚度例如在0.02pm以上、0.4nm以下。從而制造出特性穩(wěn)定的圖1所示的反向?qū)↖GBT。按照本實施例，由于形成4太層11而連接p型集電極區(qū)9和n型陰極區(qū)10，所以不^r絕緣柵型場效應(yīng)晶體管部導(dǎo)通時，還是續(xù)流二極管導(dǎo)通時，都可獲得良好的導(dǎo)通電壓。另外，由于能夠獲得如上所述的良好的導(dǎo)通電壓，背面電極14形成后，沒有必要進行熱處理來使背面電極14和半導(dǎo)體襯底20獲得良好的歐姆接觸。因此，不會因熱處理而使半導(dǎo)體襯底20翹曲。另外，由于在鈦層11上形成鎳層12，在模塊組裝時連接背面?zhèn)葧r，鎳層12起到焊錫的作用，故可獲得良好的連接。此外，由于在容易氧化的鎳層12上形成金層13，可以防止鎳層12氧化。通過圖5和圖6的工序的研磨，使半導(dǎo)體襯底20的厚度在150jim以下，可使絕緣柵型場效應(yīng)晶體管部和續(xù)流二極管的導(dǎo)通電壓進一步改善。另外，由于通過進行壽命控制處理，可以在半導(dǎo)體襯底20中形成晶體缺陷(亦稱"復(fù)合中心"或"壽命控制區(qū)")，控制半導(dǎo)體襯底20中載流子的壽命，故可達到良好的開關(guān)特性。另外，如圖7所示，p型雜質(zhì)的離子注入和圖8所示的n型雜質(zhì)的離子注入，可分別通過在25keV以上、200keV以下的范圍內(nèi)改變，可以控制從第二主面20b向深度方向的雜質(zhì)濃度梯度。這樣，可以改善絕緣柵型場效應(yīng)晶體管部和續(xù)流二極管的導(dǎo)通電壓。此外，能夠在圖8的工序中背面電極14形成之前進行激光退火熱處理，因此可加熱至背面電才及14的熔點以上的溫度。乂人而，可以只在第二主面20b的最表面(從第二主面20b起l.Onm以下的深度)活化高濃度p型雜質(zhì)和n型雜質(zhì)，可以降低形成p型集電極區(qū)9和n型陰極區(qū)IO所需要的雜質(zhì)量。特別是，如圖2所示，通過將p型雜質(zhì)的峰值濃度設(shè)置在3.0xl0"cm-s以上，在p型集電4l區(qū)9和背面電極14形成良好的歐姆接觸，可以防止絕緣柵型場效應(yīng)晶體管部導(dǎo)通時導(dǎo)通電壓的增加。另外，p型集電極區(qū)9的p型雜質(zhì)和n型陰極區(qū)10的n型雜質(zhì)受到同一熱處理(例如，激光退火)而活化，與分開進行熱處理的情況相比，可省略熱處理工序，并可簡化制造工序。本發(fā)明者調(diào)查了因背面電才及14的材質(zhì)、構(gòu)成的不同而造成導(dǎo)通電壓的差異。以下就此作一說明。假定背面電極以外的制造工序與上述實施例相同，為背面電極制備以下(l)-(3)各種材質(zhì)、構(gòu)成而形成的IGBT。(1)從半導(dǎo)體襯底20的第二主面20b側(cè)依次形成了鈦層、鎳層和金層的背面電極(Ti/Ni/Au);(2)從半導(dǎo)體襯底20的第二主面20b側(cè)依次形成了鋁層、鈦層、鎳層和金層的背面電極(Al/Ti/Ni/Au);(3)從半導(dǎo)體襯底20的第二主面20b側(cè)依次形成了鋁和硅的化合物層、鈦層、鎳層和金層的背面電極(AlSi/Ti/Ni/Au)。表1表示在這些反向?qū)↖GBT中，在同一測定條件下使額定電流通過絕緣柵型場效應(yīng)晶體管部時的導(dǎo)通電壓(VcE(^))和使額定電流通過續(xù)流二極管時的導(dǎo)通電壓(VF)的比較結(jié)果。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>從該表的結(jié)果看，絕緣柵型場效應(yīng)晶體管部的發(fā)射極8和柵極5之間施加15V柵極電壓VCE時，背面電極14采用Ti/Ni/Au材質(zhì)和構(gòu)成時，與其他兩類背面電極的材質(zhì)和構(gòu)成相比可以看出，Vce一)與VF之和變低變好，特別是Vp優(yōu)異。另外，背面電極14為Ti/Ni/Au時，如表1所示，背面電極14形成后，為了使歐姆接觸良好，進行熱處理與不進行處理相比，在Vce一)與Vp上幾乎沒有差別。就是說，可以看出，形成背面電極14之后，不進行上述熱處理在鈦和硅的界面上也能實現(xiàn)良好的歐姆接觸。因此，可在背面電極14形成之前施加壽命控制后的熱處理，從而可以解決翹曲的問題。盡管已經(jīng)對本發(fā)明進行了詳細的說明，但應(yīng)明白，它們僅為示例，并不起限定作用，本發(fā)明的精神和范圍只由后附的權(quán)利要求書限定。權(quán)利要求1.一種半導(dǎo)體裝置，設(shè)有半導(dǎo)體襯底(20)，具有彼此相對的第一主面(20a)和第二主面(20b)；絕緣柵型雙極晶體管的絕緣柵型場效應(yīng)晶體管部，在所述半導(dǎo)體襯底(20)的第一主面(20a)側(cè)形成；續(xù)流二極管的第一導(dǎo)電型的陽極區(qū)(2)，在所述半導(dǎo)體襯底(20)的所述第一主面(20a)上形成；絕緣柵型雙極晶體管的第一導(dǎo)電型的集電極區(qū)(9)，在所述半導(dǎo)體襯底(20)的所述第二主面(20b)上形成；續(xù)流二極管的第二導(dǎo)電型的陰極區(qū)(10)，在所述半導(dǎo)體襯底(20)的所述第二主面(20b)上形成；以及在所述第二主面(20b)上形成的背面電極(14)，具有從所述第二主面(20b)側(cè)起依次層疊的鈦層(11)、鎳層(12)及金層(13)，連接所述集電極區(qū)(9)和所述陰極區(qū)(10)。2.權(quán)利要求1記載的半導(dǎo)體裝置，其特征在于所述集電極區(qū)(IO)的第一導(dǎo)電型雜質(zhì)從所述第二主面(20b)起的擴散深度為l.Opm以下。3.—種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括如下工序在半導(dǎo)體襯底(20)的第一主面(20a)側(cè)形成絕緣柵型雙極晶體管的絕緣柵型場效應(yīng)晶體管部和續(xù)流二極管的第一導(dǎo)電型的陽極區(qū)(2);研磨與所述半導(dǎo)體襯底(20)的第一主面(20a)相對的第二主面(20b);在所述半導(dǎo)體襯底(20)的第二主面(20b)上形成絕緣柵型雙極晶體管的第一導(dǎo)電型的集電極區(qū)(9);在所述半導(dǎo)體襯底(20)的笫二主面(20b)上形成所述續(xù)流二極管的第二導(dǎo)電型的陰極區(qū)(10);以及從所述第二主面(20b)側(cè)依次層疊鈦層(ll)、鎳層(12)及金層(13)，在所述第二主面(20b)上形成背面電極(14),將所述集電極區(qū)(9)和所述陽極區(qū)(10)連接。4.權(quán)利要求3記載的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于還包括^口下工序在所述研磨后對所述半導(dǎo)體襯底(20)進行壽命控制處理；以及在所述壽命控制處理后、所述背面電極(14)形成前，對所述半導(dǎo)體襯底C20)進行熱處理。5.權(quán)利要求3記載的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于形成所述集電極區(qū)(9)的工序包含將第一導(dǎo)電型雜質(zhì)離子注入到所述半導(dǎo)體襯底(20)的所述笫二主面(20b)的工序；形成所述陰極區(qū)(10)的工序包含將笫二導(dǎo)電型雜質(zhì)離子注入到所述半導(dǎo)體村底(20)的所述第二主面(20b)的工序。6.權(quán)利要求5記載的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于所述離子注入到所述集電極區(qū)(9)的所述第一導(dǎo)電型雜質(zhì)和所述離子注入到所述陰極區(qū)(10)的所述第二導(dǎo)電型雜質(zhì)通過同一熱處理;波活化。7.權(quán)利要求6記載的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于被離子注入到所述集電極區(qū)(9)的所述第一導(dǎo)電型雜質(zhì)和被離子注入到所述陰極區(qū)(10)的所述第二導(dǎo)電型雜質(zhì)的活化熱處理，用激光退火進行。全文摘要在半導(dǎo)體襯底(20)的第二主面(20b)上交互地形成IGBT的p型集電極區(qū)(9)和續(xù)流二極管的n型陰極區(qū)(10)。背面電極(14)在第二主面(20b)上形成，連接p型集電極區(qū)(9)和n型陰極區(qū)(10)，且從第二主面(20b)側(cè)起具有依次層疊的鈦層(11)、鎳層(12)和金層(13)。由此可實現(xiàn)不論在絕緣柵型場效應(yīng)晶體管導(dǎo)通時，還是在續(xù)流二極管導(dǎo)通時，均可獲得良好導(dǎo)通電壓的半導(dǎo)體器件及其制造方法。文檔編號H01L27/06GK101170109SQ20071013688公開日2008年4月30日申請日期2007年7月10日優(yōu)先權(quán)日2006年10月27日發(fā)明者友松佳史,鈴木健司,高橋英樹申請人:三菱電機株式會社