專利名稱：一種發(fā)光半導體晶片和發(fā)光半導體組件的制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光半導體組件的熒光粉涂布工藝流程，特別是涉及一種 晶片級的發(fā)光半導體組件熒光粉涂布工藝流程。
背景技術：
發(fā)光半導體組件具有低耗電量、低發(fā)熱量、操作壽命長、耐撞擊、體積小、 反應速度快、無汞以及可發(fā)出穩(wěn)定波長的色光等良好光電特性，隨著光電科技 的進步，發(fā)光二極管組件在提升發(fā)光效率、使用壽命以及亮度等方面已有長足 的進步，己被視為新世代光源的較佳選擇之一。
以白光發(fā)光二極管(Light Emitting diode; LED)組件為例，傳統(tǒng)上是將 熒光粉與膠體混合而成的熒光粉膠體，利用點膠設備滴于發(fā)光二極管晶粒上， 借助藍光發(fā)光二極管晶粒所發(fā)射出的藍光激發(fā)黃色熒光粉產(chǎn)生黃光，再與部分 藍光混合而產(chǎn)生出白光。
傳統(tǒng)的發(fā)光二極管組件的熒光粉涂布工藝流程是在封裝階段中進行。首先 將發(fā)光二極管晶粒固定于一基材之上，并將熒光粉膠體直接滴在此發(fā)光二極管 晶粒上。由于熒光粉膠體具流動性，其尚未固化之前受重力影響，則熒光粉膠 體會向四周流動，導致大部分的熒光粉膠體沉淀于發(fā)光半導體組件的邊緣，使 得位于發(fā)光二極管晶粒的頂面的熒光粉膠體厚度比側面薄，以致于通過頂面與 側面的光線路徑長短不一而產(chǎn)生不同強度的光線，使藍光與黃光混合不均勻， 導致色溫(color temperature)不均而無法發(fā)揮應有的發(fā)光效率。
目前較先進的作法，請參考圖1A至圖1F，首先采用固晶工藝流程，例如 芯片倒裝焊封裝(Flip Chip)工藝流程，將發(fā)光二極管晶粒100固定于一基材， 例如硅基材101，之上。再采用網(wǎng)版印刷或厚膜壓合等共形涂布(Conformal Coating)工藝流程在基材101和發(fā)光二極管晶粒100上形成光刻膠層103。接 著采用圖案化工藝在光刻膠層103中形成凹穴104以暴露出發(fā)光二極管晶粒 100。再將熒光粉膠體105填充于凹穴104中。經(jīng)過烘烤成形后剝除光刻膠層
103，并進行切割引線，以完成發(fā)光二極管晶組件的封裝制作過程。
但是，在進行發(fā)光二極管組件封裝的批次化生產(chǎn)時，固晶步驟會影響相鄰 發(fā)光二極管晶粒100之間的對位精準度，進而影響到由后續(xù)進行的共形涂布與
圖案化步驟所產(chǎn)生的凹穴104與發(fā)光二極管晶粒100之間的對位精準度，使得 熒光粉無法均勻覆蓋發(fā)光二極管晶粒100，導致發(fā)光二極管封裝組件產(chǎn)生色溫 不均，而無法發(fā)揮應有的發(fā)光效率的現(xiàn)象。此一現(xiàn)象將隨著發(fā)光二極管晶粒尺 寸日益微型化，而越發(fā)嚴重。另外基材101的使用不僅增加材料成本，且嚴重 降低發(fā)光二極管封裝組件的導熱效率，而降低其操作效能。
因此有需要提供一種成本低廉的熒光粉鋪設方法，以提高發(fā)光半導體組件 的發(fā)光效率與改善散熱效果
發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于提供一種發(fā)光半導體晶片和發(fā)光半導體組件的制造方 法，解決公知技術因對位不精準造成亮度不足與度色溫不均勻的問題，達到節(jié) 省成本、提高生產(chǎn)效率及提升發(fā)光半導體組件發(fā)光效率的目的。
為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種發(fā)光半導體組件涂布熒光粉的方
法，此方法包括下述歩驟首先提供包括有數(shù)個晶粒單元的發(fā)光半導體晶片。 再在發(fā)光半導體晶片上形成光刻膠層，以覆蓋這些晶粒單元。接著圖案化光刻 膠層，以形成與這些晶粒單元匹配的數(shù)個開口，經(jīng)開口將這些晶粒單元暴露出 來，并在開口之中填充熒光粉后移除光刻膠層。
為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種發(fā)光半導體組件的制造方法，此 方法包括下述步驟首先提供包括有數(shù)個晶粒單元的發(fā)光半導體晶片。再在發(fā) 光半導體晶片上形成光刻膠層，以覆蓋這些晶粒單元。接著圖案化光刻膠層， 以形成與這些晶粒單元匹配的數(shù)個開口，并經(jīng)開口將這些晶粒單元暴露出來， 之后在開口之中填充熒光粉后移除光刻膠層。再對發(fā)光半導體晶片進行切割， 以分離每一個晶粒單元并加以封裝。
為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種涂布有熒光粉的發(fā)光半導體晶片， 其中發(fā)光半導體晶片具有至少一條凹溝以定義出數(shù)個發(fā)光單元，其中每一個發(fā) 光單元包括第一電性半導體外延層、主動層、第二電性半導體外延層、第一 電極、第二電極以及圖案化熒光粉涂布層。其中主動層位于第一電性半導體外
延層之上。第二電性半導體外延層位于主動層之上。第一電極位于第二電性半 導體外延層上，并且與第二電性半導體外延層電性連結。第二電極位于第一電 性半導體外延層或第二電性半導體外延層上，可經(jīng)第一電性半導體外延層、主 動層及第二電性半導體外延層與第一電極電性連接。圖案化熒光粉涂布層位于 第二電性半導體外延層之上，并包覆由凹溝所暴露的一部分第二電性半導體外 延層、 一部分主動層以及一部分第一電性半導體外延層，且圖案化熒光粉涂布 層具有至少一個開口，可將第一電極暴露于外。
根據(jù)以上所述，本發(fā)明的技術特征是在發(fā)光半導體晶片階段進行熒光粉涂 布工藝，先采用共形涂布工藝流程在發(fā)光半導體晶片上形成具有數(shù)個開口的圖 案化光刻膠層，并使這些開口與發(fā)光半導體晶片中的每一顆晶粒匹配。使圖案 化光刻膠環(huán)繞于每一個晶粒外圍。再在開口中填充含有熒光粉的膠體，以精確 控制熒光粉膠體的形狀與份量，達到節(jié)省成本、提高生產(chǎn)效率及提升發(fā)光半導 體組件發(fā)光效率的目的。解決公知技術因對位不精準造成亮度不足與色溫不均 勻的問題。
下面結合附圖和具體實施例對本發(fā)明進行詳細描述，但不作為對本發(fā)明的 限定。
圖1A至圖1F為根據(jù)公知技術，繪示在發(fā)光半導體組件上涂布熒光粉的一 系列工藝流程剖面圖2A為根據(jù)本發(fā)明的一較佳實施例所繪示的發(fā)光二極管晶片的結構俯視 圖和局部放大圖2B為沿著圖2A的切線S所繪示的發(fā)光二極管晶片的部分結構剖面圖； 圖2C為繪示在圖2B上形成光刻膠層以后的發(fā)光二極管晶片的部分結構剖 面圖2D為繪示圖案化圖2C的光刻膠層以后的發(fā)光二極管晶片的部分結構剖 面圖2E為繪示在圖2A上形成圖案化光刻膠層以后的發(fā)光二極管晶片的部分 結構俯視圖2F為繪示在每一個開口內形成一個熒光粉膠體包覆層以后的發(fā)光二極
管晶片部分結構剖面圖2G為繪示移除圖案化光刻膠層之后的發(fā)光二極管晶片部分結構剖面
圖2H為繪示根據(jù)本發(fā)明的一較佳實施例所制作出來的發(fā)光二極管組件結 構剖面圖3A為根據(jù)本發(fā)明的另一較佳實施例所繪示的發(fā)光二極管晶片的部分結 構剖面圖3B為繪示在圖3A上形成圖案化光刻膠層以后的發(fā)光二極管晶片的部分 結構剖面圖3C為繪示在每一個開口內形成一個熒光粉膠體包覆層以后的發(fā)光二極 管晶片部分結構剖面圖3D為繪示移除圖案化光刻膠層之后的發(fā)光二極管晶片部分結構剖面
圖3E為繪示根據(jù)本發(fā)明的另一較佳實施例所制作出來的發(fā)光二極管組件 結構剖面圖。
其中，附圖標記-
100:發(fā)光二極管晶粒101:基材
103:光刻膠層跳凹穴
105:熒光粉膠體200:發(fā)光二極管晶片
201:晶粒單元201a:立壁
202:外延基板203:p形半導體外延層
204:主動層205:n型半導體外延層
206:堆棧外延結構207:凹溝
207a:凹溝暴露出的部分208:第一電極
209:第二電極210:光刻膠層
210a:擋墻210b::光刻膠層余留的部分
211:開口212:熒光粉膠體
213:刷膠機器214:熒光粉膠體包覆層
215:導電支架216:開口
300:發(fā)光二極管晶片301:晶粒單元
301a:立壁
303: p形半導體外延層 305: n型半導體外延層
307:凹溝 309:第二電極 310a:擋墻
310c:光刻膠層余留的部分
312:熒光粉膠體
314:熒光粉膠體包覆層
316:開!U
S:切線
302:外延基板
304:主動層
306:堆棧外延結構
308:第一電極
310:光刻膠層
310b:光刻膠層余留的部分
311:開口
313:刷膠機器
315:導電支架
317:開口
D:晶粒單元之間的距離
具體實施例方式
為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征、優(yōu)點與實施例能更明顯易懂，特提 供數(shù)種發(fā)光二極管組件的制造方法作為較佳實施例來進行說明。但值得注意的 是，其它發(fā)光半導體晶片，例如高功率發(fā)光二極管晶片或激光二極管晶片也適 用于以下所公開的技術特征。
請參考圖2A至圖2G，圖2A為根據(jù)本發(fā)明的一較佳實施例所繪示的發(fā)光 二極管晶片200的結構俯視圖和局部放大圖。圖2B至圖2G為沿著圖2A的切 線S所繪示的制備發(fā)光二極管晶片200的部分結構制作過程剖面圖。首先提供 包括有數(shù)個晶粒單元201的發(fā)光二極管晶片200。在本發(fā)明的較佳實施例之中， 發(fā)光二極管晶片200包括依序堆棧于外延基板202上的p型半導體外延層203、 主動層204以及n型半導體外延層205以形成一堆棧外延結構206。而堆棧外 延結構206之中具有數(shù)條由n型半導體外延層205表面垂直向下延伸進入p 型半導體外延層203、主動層204以及n型半導體外延層205的凹溝207，可 用來將整個發(fā)光二極管晶片200定義出數(shù)個發(fā)光二極管晶粒單元201。
在本發(fā)明的一些較佳實施例之中，每一個晶粒單元201還包括形成于n 型半導體外延層205上的第一電極208，以及由具有導電性質的外延基板202 所形成的第二電極209。其中第一電極208和第二電極209經(jīng)由p型半導體外 延層203主動層204以及n型半導體外延層205相互電性連接。
接著請參考圖2C，圖2C為繪示在圖2B上形成光刻膠層210以后的發(fā)光 二極管晶片200的部分結構剖面圖。采用旋涂工藝或網(wǎng)板印刷技術，在發(fā)光二 極管晶片200上形成光刻膠層210，以覆蓋這些晶粒單元201 。
然后再采用掩模(未繪示)對光刻膠層210進行曝光顯影，以圖案化光刻膠 層210，并在圖案化光刻膠層210之中形成與這些晶粒單元201匹配的數(shù)個開 口211，經(jīng)由開口211將這些晶粒單元201暴露出來。
請參考圖2D和圖2E，圖2D為繪示圖案化圖2C的光刻膠層210以后的發(fā) 光二極管晶片200的部分結構剖面圖。圖2E為繪示在圖2A上形成圖案化光刻 膠層210以后的發(fā)光二極管晶片200的部分結構俯視圖。在本發(fā)明的實施例之 中，每一個開口 211的尺寸都大于其相對應的晶粒單元201，因此每一個開口 211同時也會將一部分的該凹溝207暴露出。而圖案化后的光刻膠層210在留 下來的部分，會在每一個晶粒單元201之間的凹溝207內形成至少與晶粒單元 201等高的擋墻210a，以定義出每一個開口 211。在本發(fā)明的實施例之中，檔 墻210a的高度與每一個開口 211的形狀可配合不同發(fā)光二極管組件的尺寸、 形狀及深寬比來加以設計。
另外，在圖案化光刻膠層210的步驟中，還需要在開口 211之中余留一部 分的光刻膠層210b，以覆蓋晶粒單元201的第一電極208。
在圖案化光刻膠層210之后，使用刷膠機器213將含有熒光粉的熒光粉膠 體212填入每一個開口 211。由于每一個開口 211的尺寸大于其所對應的晶粒 單元201，且擋墻210a的高度高于其所對應的晶粒單元201。因此熒光粉膠體 212不僅可覆蓋于晶粒單元201的n型半導體外延層205的上表面，并且可包 覆位于開口 211之中檔墻210a和晶粒單元201之間的一部分凹溝207。也因 此可以完全包覆晶粒單元201垂直n型半導體外延層205上表面的立壁201a。
其中熒光粉為含有可被發(fā)光半導體組件激發(fā)而發(fā)光的材質，此熒光粉材質 可被發(fā)光半導體組件激發(fā)而發(fā)出紅色、黃色、綠色、藍光等可見光。在本發(fā)明 的實施例之中熒光粉膠體212由熒光粉與有機樹脂混合以形成。在本發(fā)明的另 外一些實施例之中，熒光粉膠體212可為熒光粉與有機樹脂或熒光粉與硅膠的 混合物。依照本發(fā)明的較佳實施例，可利用刷膠機器213進行一次或多次填充， 將此熒光粉膠212體注入每一個開口 211中。注入的熒光粉膠體212可依需要 調整不同粘度及體積，以達到完全包覆晶粒單元201及避免間隙產(chǎn)生的目的。
接著，再進行烘烤成形，固化之后即在每一個開口 211內形成一個熒光粉
膠體包覆層214(如圖2F所繪示)。然后再移除圖案化后所余留下來的光刻膠 層210a和210b以完成發(fā)光二極管晶片200的熒光粉圖布工藝層(如第2G圖所 繪示)。在本發(fā)明的此實施例之中，圖案化后所余留下來的光刻膠層210a和 210b是借助曝光顯影工藝流程或等離子體蝕刻工藝流程來加以移除。在移除 檔墻210a之后，會暴露出一部份的凹溝207a，使發(fā)光二極管晶片200上的每 一個包覆有熒光粉膠體包覆層214的晶粒單元201之間相隔有一段距離D。而 暴露出來的凹溝207a則可以用來作為后續(xù)晶粒切割工藝流程的切割道。至于 移除開口 211中所余留的一部分光刻膠層210b之后，會在包覆每一個晶粒單 元201的熒光粉膠體包覆層214中形成一個開口 216，用來提供后續(xù)晶粒封裝 工藝流程的引線空間。
之后沿著凹溝暴露出的部份207a所形成的切割道，對涂布有熒光粉的發(fā) 光二極管晶片200進行切割，以分離出數(shù)個具有熒光粉膠體包覆層214的晶粒 單元201。并對每一個晶粒單元201進行引線封裝，將晶粒單元201固定并電 性連結于一導電支架215上，以完成發(fā)光二極管組件的制作(如圖2H所繪示)。
請參考圖3A至圖犯，圖3A至圖3E為根據(jù)本發(fā)明的另外較佳實施例所繪 示的制備發(fā)光二極管晶片300的部分結構制作流程剖面圖。首先提供包括有數(shù) 個晶粒單元301的發(fā)光二極管晶片300。在本實施例之中，發(fā)光二極管晶片300 包括依序堆棧于外延基板302上的p型半導體外延層303、主動層304以及n 型半導體外延層305以形成一堆棧外延結構306。而堆棧外延結構306之中具 有數(shù)條由n型半導體外延層305表面垂直向下延伸進入p型半導體外延層303、 主動層304以及n型半導體外延層305的凹溝307，可用來將整個發(fā)光二極管 晶片300定義出數(shù)個發(fā)光二極管晶粒單元301。
在本實施例之中，每一個晶粒單元301還包括形成于n型半導體外延層 305上的第一電極308，以及位于p型半導體外延層303上方的第二電極309。 其中第一電極308和第二電極309經(jīng)p型半導體外延層303主動層304以及n 型半導體外延層305相互電性連接。
接著請參考圖3B，圖3B為繪示在圖3A上形成圖案化光刻膠層310以后 的發(fā)光二極管晶片300的部分結構剖面圖。采用旋涂工藝流程或網(wǎng)板印刷技 術，在發(fā)光二極管晶片300上形成光刻膠層310，以覆蓋這些晶粒單元301。
然后再采用掩模(未繪示)對光刻膠層310進行曝光顯影，以圖案化光刻膠層
310，并在圖案化光刻膠層310之中形成與這些晶粒單元301匹配的數(shù)個開口 311，經(jīng)開口211將這些晶粒單元201暴露出來。其中，每一個開口311的尺 寸都大于其相對應的晶粒單元301，因此每一個開口 311同時也會將一部分的 該凹溝307暴露出。而圖案化后的光刻膠層310在留下來的部分，會在每一個 晶粒單元301之間的凹溝307內形成至少與晶粒單元301等高的擋墻310a， 以定義出每一個開口 311。在本發(fā)明的實施例之中，檔墻310a的高度與每一 個開口 311的形狀可配合不同發(fā)光二極管組件的尺寸、形狀及深寬比來加以設 計。
另外，在圖案化光刻膠層310的步驟中，還需要在開口 311之中余留一部 分的光刻膠層310b以及光刻膠層310c，以覆蓋晶粒單元301的第一電極308 和第二電極309。
在圖案化光刻膠層310之后，使用刷膠機器313將含有熒光粉的熒光粉膠 體312填入每一個開口 311。由于每一個開口 311的尺寸大于其所對應的晶粒 單元301，且擋墻310a的高度至少高于其所對應的晶粒單元301。因此熒光粉 膠體312不僅可覆蓋于晶粒單元301的n型半導體外延層305的上表面，并且 可包覆位于開口 311之中擋墻310a和晶粒單元301之間的一部分凹溝307。 也因此可以完全包覆晶粒單元301垂直n型半導體外延層305上表面的立壁 301a。
其中熒光粉膠體312為含有可被發(fā)光半導體組件激發(fā)而發(fā)光的熒光粉，此 熒光粉可被發(fā)光半導體組件激發(fā)而發(fā)出紅色、黃色、綠色、藍光等可見光。在 本發(fā)明的實施例之中熒光粉膠體312由熒光粉與有機樹脂混合以形成。在本發(fā) 明的另外一些實施例之中，熒光粉膠體312可為熒光粉與有機樹脂或熒光粉與 硅膠的混合物。依照本發(fā)明的較佳實施例，可利用刷膠機器313進行一次或多 次填充，將此熒光粉膠312體注入每一個開口 311中。注入的熒光粉膠體312 可依需要調整不同粘度及體積，以達到完全包覆晶粒單元301及避免間隙產(chǎn)生 的目的。
接著，再進行烘烤成形，固化之后即在每一個開口 311內形成一個熒光粉 膠體包覆層314(如圖3C所繪示)。然后再移除圖案化后所余留下來的光刻膠 層310a和310b以完成發(fā)光二極管晶片300的熒光粉圖布工藝層(如圖3D所繪
示)。在本發(fā)明的此實施例之中，圖案化后所余留下來的光刻膠層310a、 310b 和310c是借助曝光顯影工藝流程或等離子體蝕刻工藝流程來加以移除。在移 除擋墻310a之后，會暴露出一部分的凹溝307a，使發(fā)光二極管晶片300上的 每一個包覆有熒光粉膠體包覆層314的晶粒單元301之間相隔有一段距離。而 暴露出來的凹溝307a則可以用來作為后續(xù)晶粒切割工藝流程的切割道。至于 移除開口 311中所余留的一部分光刻膠層310b之后，會在包覆每一個晶粒單 元301的熒光粉膠體包覆層314中形成開口 316和317，用來提供后續(xù)晶粒封 裝工藝流程的引線空間。
之后沿著凹溝暴露出的部份307a所形成的切割道，對涂布有熒光粉的發(fā) 光二極管晶片300進行切割，以分離出數(shù)個具有熒光粉膠體包覆層314的晶粒 單元301。并對每一個晶粒單元301進行引線封裝，將晶粒單元301固定并電 性連結于一導電支架315上，以完成發(fā)光二極管組件的制作(如圖3E所繪示)。
根據(jù)以上所述的實施例，本發(fā)明的技術特征是在發(fā)光半導體組件的晶片制 作過程階段即進行熒光粉涂布步驟。利用半導體晶片級(Wafer Level)的光刻 工藝流程，在發(fā)光半導體上形成具有數(shù)個開口的圖案化光刻膠層，并使這些開 口與發(fā)光半導體晶片中的晶粒單元匹配。再在開口中填充含有熒光粉的膠體。 相比于公知技術，利用半導體晶片制作過程進行熒光粉涂布，可精確地在半導 體晶片上建構出圍繞于晶粒單元四周的圖案化光刻膠層(擋墻結構)，以精確控 制使填入開口中的熒光粉膠體的形狀與份量，并使熒光粉膠體完全包覆晶片中 晶粒單元的側壁，不僅可以節(jié)省封裝基板的使用，減少晶粒與導電支架之間的 熱阻隔效應；更可避免晶粒封裝工藝流程造成晶粒對位失準的問題，使后續(xù)完 成的發(fā)光半導體組件的色溫混合更均勻，以發(fā)揮發(fā)光半導晶粒應有的發(fā)光效 率。
因此，借助本發(fā)明所提供的技術優(yōu)勢，可達到減少制作過程步驟、節(jié)省成 本、提高生產(chǎn)效率及提升發(fā)光半導體組件發(fā)光效率及散熱功能的目的。解決公 知技術因對位不精準造成亮度不足與色度不均勻的問題。
雖然本發(fā)明已以較佳實施例公開如上，然其并非用以限定本發(fā)明，例如上 述光刻工藝流程除了適用于晶片階段的制作過程外，同時也適用于采用各式發(fā) 光半導體晶粒以及各種粘著方式的封裝制作過程，不論是合金共融(Eutectic) 技術、膠體粘著或是芯片倒裝焊工藝，都可使用上述熒光粉涂布工藝流程，以
達到最佳的發(fā)光效率，亮度與色度的均勻性，以及提高性能及降低成本。
當然，本發(fā)明還可有其他多種實施例，在不背離本發(fā)明精神及其實質的情 況下，熟悉本領域的技術人員可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應的改變和變形，但這 些相應的改變和變形都應屬于本發(fā)明所附的權利要求的保護范圍。
權利要求
1、一種發(fā)光半導體組件的制造方法，其特征在于，包括提供一發(fā)光半導體晶片，包括數(shù)個晶粒單元；在該發(fā)光半導體晶片上形成一光刻膠層，以覆蓋這些晶粒單元；圖案化該光刻膠層，以形成數(shù)個開口與這些晶粒單元匹配，并經(jīng)這些開口暴露出這些晶粒單元；在這些開口之中填充一熒光粉膠體；移除該光刻膠層；以及切割該發(fā)光半導體晶片，以分離每一該晶粒單元；封裝每一該晶粒單元。
2、 根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光半導體組件的制造方法，其特征在于，提 供該發(fā)光半導體外延的步驟，包括提供該至少一凹溝用來定義出這些晶粒單 元。
3、 根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光半導體組件的制造方法，其特征在于，圖 案化該光刻膠層的步驟，包括對該光刻膠層進行一曝光顯影工藝流程，以使每 一該開口大于相對應的該晶粒單元，并暴露出一部分的該凹溝。
4、 根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光半導體組件的制造方法，其特征在于，填 充該熒光粉膠體的步驟，包括將熒光粉與有機樹脂混合以形成一熒光粉膠體；以及 將該熒光粉膠體填充于每一該開口之中。
5、 根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光半導體組件的制造方法，其特征在于，該 光刻膠層是借助一曝光顯影工藝流程或一等離子體蝕刻工藝流程來加以移除。
6、 根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光半導體組件的制造方法，其特征在于，圖 案化該光刻膠層的步驟，還包括在該開口之中余留一部分該光刻膠層，以覆蓋 該晶粒單元的至少一電極。
7、 一種涂布有熒光粉的發(fā)光半導體晶片，該發(fā)光半導體晶片具有至少一 凹溝，用來定義出數(shù)個發(fā)光單元，其中每一該發(fā)光單元包括一第一電性半導體外延層；一主動層，位于該第一電性半導體外延層之上； 一第二電性半導體外延層，位于該主動層之上；一第一電極，位于該第二電性半導體外延層上，并且與該第二電性半導體 外延層電性連結；一第二電極，位于該第一電性半導體外延層與該第二電性半導體外延層其 中之一上，并可經(jīng)該第一電性半導體外延層、該主動層及該第二電性半導體外 延層與該第一電極電性連接；以及一圖案化熒光粉涂布層，位于該第二電性半導體外延層之上，并包覆由該 凹溝所暴露的一部分該第二電性半導體外延層、一部分該主動層以及一部分該 第一電性半導體外延層，且該圖案化熒光粉涂布層具有至少一開口將該第一電 極暴露于外。
8、 根據(jù)權利要求7所述的涂布有熒光粉的發(fā)光半導體晶片，其特征在于， 該凹溝由垂直該第二電性半導體外延層的一表面而延伸進入該第二電性半導 體外延層、該主動層以及該第一電性半導體外延層之中。
9、 根據(jù)權利要求7所述的涂布有熒光粉的發(fā)光半導體晶片，其特征在于， 該圖案化熒光粉涂布層包覆于該第二電性半導體外延層、該主動層以及一部分 該第一電性半導體外延層所暴露出來的一立壁。
10、 根據(jù)權利要求9所述的涂布有熒光粉的發(fā)光半導體晶片，其特征在于， 該圖案化熒光粉涂布層暴露出一部分該凹溝，以作為一切割道。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種發(fā)光半導體晶片和發(fā)光半導體組件的制造方法，其中該制造方法包括下述步驟首先提供包括有數(shù)個晶粒單元的發(fā)光半導體晶片。再在發(fā)光半導體晶片上形成光刻膠層，以覆蓋這些晶粒單元。接著圖案化光刻膠層，以形成與這些晶粒單元匹配的數(shù)個開口，以經(jīng)開口將這些晶粒單元暴露出來。并在開口中填充熒光粉后移除光刻膠層。
文檔編號H01L33/00GK101388426SQ20071014809
公開日2009年3月18日 申請日期2007年9月10日 優(yōu)先權日2007年9月10日
發(fā)明者趙自皓 申請人:億光電子工業(yè)股份有限公司