專利名稱：集成電路結(jié)構(gòu)及其形成方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及集成電路，特別涉及具有空氣間隙的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)及其形成方法。
背景技術(shù)：
隨著半導體工業(yè)引進新一代的集成電路，其具有較高的性能與較多的功 能，增加了用以形成上述集成電路的元件密度，另一方面卻縮減了其尺寸、 大小、與構(gòu)件或元件之間的間隔。在過去，上述縮減僅限制以光刻法定義結(jié) 構(gòu)的能力，具有較小尺度的裝置形狀則造成了新的限制西子。例如對于任何 二個相鄰的導體元件而言，當導體元件之間的距離減少時，結(jié)果會造成電容值(其為以前述距離將上述導體元件分開的絕緣材料的介電常數(shù)(k值)的函數(shù)) 的增加。此電容值的增加會造成導體間的電容耦合(capacitive coupling)的增 加、耗電量的增加、與電阻-電容時間常數(shù)(resistive-capacitive time constant; RCtimeconstant)的增加。因此，要對半導體集成電路的表現(xiàn)與功能做持續(xù)性 的改善，是依靠低介電常數(shù)材料的發(fā)展。既然具有最低的介電常數(shù)的材料是空氣(k-l.O)，低介電常數(shù)材料通常包 含多孔質(zhì)的材料。另外，空氣間隙的形成，會更進一步降低內(nèi)連線結(jié)構(gòu)的有 效介電常數(shù)。圖1A 圖1C示出第一工藝，用以形成具有空氣間隙的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)。請 參考圖1A，銅線4及對應的擴散阻擋層(未示出)形成于金屬間介電層6中， 金屬間介電層6為低介電常數(shù)材料，含高濃度的碳。在銅線4的形成過程中， 金屬間介電層6的一部分8，其在銅線4的形成過程中為暴露的狀態(tài)，其會 受到損傷而因此具有較低的碳濃度。如圖1B所示，可以HF來蝕刻受損的 部分8，而形成空氣間隙IO。接下來，如圖1C所示，形成介電層ll而將空 氣間隙10密封。雖然空氣間隙10的形成會減少內(nèi)連線結(jié)構(gòu)的寄生電容，但是傳統(tǒng)的工。由于空氣間隙10的形成，無任何的介電層倚靠著銅線4 的側(cè)壁而形成。缺少了來自上述介電層所提供的背向壓力，會增加電性遷移 (electro-migration; EM)，且會對內(nèi)連線結(jié)構(gòu)的依時性介質(zhì)擊穿電壓(time dependent dielectric breakdown; TDDB)的表現(xiàn)造成不良影響。另一個問題是 在后續(xù)工藝中，在銅線4上形成介層結(jié)構(gòu)(via)時，若發(fā)生對準不良時，有可 能會將上述介層結(jié)構(gòu)形成于空氣間隙10上，而將銅鍍于空氣間隙10內(nèi)。此 問題會造成銅直接與低介電常數(shù)材料的金屬間介電層6接觸，而使銅擴散而 進入低介電常數(shù)材料的金屬間介電層6中。圖2A與圖2B示出第二工藝，用以形成空氣間隙。在圖2A中，銅線4 形成于可熱分解式的介電層12內(nèi)，可熱分解式的介電層12又為可滲透的硬 掩模層14所覆蓋。然后如圖2B所示，將此基底加熱，而將可熱分解式的介 電層12分解、并經(jīng)由可滲透的硬掩模層14而蒸發(fā)，而因此形成空氣間隙16。圖3示出第三工藝，用以形成空氣間隙。銅線4形成于可熱分解式的介 電層12中，而為金屬頂蓋18所覆蓋，然后形成可滲透的層間介電層17。在 后續(xù)的工藝步驟中，將此基底加熱，而將可熱分解式的介電層12分解、并 經(jīng)由可滲透的層間介電層17而蒸發(fā)，而因此形成空氣間隙。示出于圖2A 圖3的傳統(tǒng)工藝與第一傳統(tǒng)工藝有相同的問題，無任何介 電層倚靠著銅線4的側(cè)壁而形成。缺少了來自上述介電層所提供的背向壓力， 會增加電性遷移，且會對內(nèi)連線結(jié)構(gòu)的依時性介質(zhì)擊穿電壓的表現(xiàn)造成不良 影響。另外，在銅線4上形成介層結(jié)構(gòu)(via)時的對準不良有可能將銅形成于 空氣間隙內(nèi)，而大幅減少金屬線間的距離，而因此增加寄生電容。因此，業(yè)界需要一種技術(shù)，將空氣間隙導入內(nèi)連線結(jié)構(gòu)而得到降低寄生 電容的效果的同時，能夠克服前述己知技術(shù)的問題。發(fā)明內(nèi)容有鑒于此，本發(fā)明提供一種集成電路結(jié)構(gòu)，包含導線；側(cè)壁間隔物于上述導線的側(cè)壁上，其中上述側(cè)壁間隔物包含介電材料；空氣間隙水平地毗 鄰著上述側(cè)壁間隔物；以及介電層于該空氣間隙上。根據(jù)本發(fā)明的集成電路結(jié)構(gòu)，其中所述介電層為可滲透性的硬掩模層， 且所述側(cè)壁間隔物延伸至所述介電層的側(cè)壁上。根據(jù)本發(fā)明的集成電路結(jié)構(gòu)，還包含蝕刻停止層于所述介電層與所述導 線上。根據(jù)本發(fā)明的集成電路結(jié)構(gòu)，其中所述介電層為可滲透性的金屬間介電 層，且所述介電層延伸至所述側(cè)壁間隔物的上緣的上方。 根據(jù)本發(fā)明的集成電路結(jié)構(gòu)，還包含額外的導線，位于所述空氣間隙的一側(cè)，且為所述導線的相反側(cè)，其中 所述空氣間隙水平地毗鄰著所述額外的導線；以及 額外的側(cè)壁間隔物于所述額外的導線的側(cè)壁上。根據(jù)本發(fā)明的集成電路結(jié)構(gòu)，其中所述側(cè)壁間隔物并未延伸至所述導線下。根據(jù)本發(fā)明的集成電路結(jié)構(gòu)，其中所述側(cè)壁間隔物的上部是水平地毗鄰 著所述空氣間隙，且所述側(cè)壁間隔物的下部是水平地毗鄰著所述空氣間隙下 的一低介電常數(shù)介電層。本發(fā)明又提供一種集成電路結(jié)構(gòu)，包含第一導線；第一側(cè)壁間隔物于 上述第一導線的側(cè)壁上；第二導線與上述第一導線成水平間隔配置；第二側(cè) 壁間隔物于上述第二導線的側(cè)壁上；空氣間隙水平地毗鄰著上述第一側(cè)壁間 隔物與該第二側(cè)壁間隔物；以及可滲透的介電層，位于上述空氣間隙上、且 與其毗鄰。根據(jù)本發(fā)明的集成電路結(jié)構(gòu)，還包含蝕刻停止層于所述可滲透的介電 層、所述第一導線、與所述第二導線上，其中所述可滲透的介電層為可滲透 的硬掩模層，且所述第一側(cè)壁間隔物與所述第二側(cè)壁間隔物延伸至所述可滲 透的介電層的側(cè)壁上。本發(fā)明又提供一種集成電路結(jié)構(gòu)，包含導線；側(cè)壁間隔物于上述導線 的側(cè)壁上；空氣間隙水平地毗鄰著上述側(cè)壁間隔物；可滲透的掩模位于上述 空氣間隙的正上方，且上述側(cè)壁間隔物延伸至上述可滲透的掩模的側(cè)壁上； 蝕刻停止層于上述導線與上述可滲透的掩模上；以及金屬間介電層于上述導 線與上述可滲透的掩模上。根據(jù)本發(fā)明的集成電路結(jié)構(gòu)，其中所述可滲透的掩模包含材料擇自下列 所組成的族群黑鉆石、芳香族碳氫化合物、碳氧化硅、與上述的組合。本發(fā)明又提供一種集成電路結(jié)構(gòu)的形成方法，包含形成犧牲層；形成可滲透性的介電層于上述犧牲層上；形成開口于上述犧牲層中；形成側(cè)壁間 隔物于上述開口中，并位于上述犧牲層的側(cè)壁上；以導體材料填滿上述開口； 以及經(jīng)由上述可滲透性的介電層移除上述犧牲層的至少一部分。 根據(jù)本發(fā)明的集成電路結(jié)構(gòu)的形成方法，還包含 形成蝕刻停止層于所述導體材料與所述可滲透性的介電層上；以及 形成金屬間介電層于所述蝕刻停止層上。
根據(jù)本發(fā)明的集成電路結(jié)構(gòu)的形成方法，其中所述犧牲層是擇自由下列 所組成的族群聚丙二醇、聚丁二烯、聚乙二醇、聚己內(nèi)酯、摻氟的非晶系 碳、硅膠以及有機硅氧垸。
根據(jù)本發(fā)明的集成電路結(jié)構(gòu)的形成方法，其中所述可滲透性的介電層是 擇自由下列所組成的族群黑鉆石、芳香族碳氫化合物、碳氧化硅、與上述 的組合。
本發(fā)明所能提供的技術(shù)效果包含減少電性遷移、以及改善依時性介質(zhì)擊 穿電壓的表現(xiàn)。


圖1A 圖1C為一系列的剖面圖，顯示用以形成空氣間隙的傳統(tǒng)工藝， 其中將低介電常數(shù)介電層的受損部分蝕除而形成空氣間隙。
圖2A與圖2B為一系列的剖面圖，顯示用以形成空氣間隙的傳統(tǒng)工藝， 其經(jīng)由可滲透的硬掩模層移除可熱分解式的介電層，而形成空氣間隙。
圖3為剖面圖，顯示用以形成空氣間隙的傳統(tǒng)工藝，其經(jīng)由可滲透的硬 掩模層移除可熱分解式的材料，而形成空氣間隙。。
圖4~圖IO為一系列的剖面圖，顯示本發(fā)明的第一實施例的中間制造階段。
圖11 圖16為一系列的剖面圖，顯示本發(fā)明的第二實施例的中間制造階段。
其中，附圖標記說明如下
4 銅線 6 金屬間介電層 8 部分 l(T空氣間隙 11 介電層 12 可熱分解式的介電層14 可滲透的硬掩模層
17 可滲透的層間介電層
20 底層
24 可滲透性的硬掩模層
28 間隔物層
32 擴散阻擋層
36 空氣間隙
40 金屬間介電層
16 空氣間隙
18~金屬頂蓋
22 犧牲層
26 溝槽
30 間隔物
34 金屬線(銅線)
38 蝕刻停止層
44 頂蓋層
46 可滲透性的金屬間介電層
具體實施例方式
為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征、和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉
出較佳實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下
本發(fā)明提供內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，其具有空氣間隙與側(cè)壁間隔物。本發(fā)明較佳實 施例的中間制造階段已示出于附圖中。在本發(fā)明的整體圖式與整體示出的實 施例中，類似的元件符號用以代表類似的元件。在后續(xù)的敘述中，細討論單 鑲嵌工藝。本領域技術(shù)人員可以了解以下的公開內(nèi)容也可應用于雙鑲嵌工藝 中。
圖4~圖IO為一系列的剖面圖，顯示本發(fā)明的第一實施例的中間制造階
段。圖4示出起始結(jié)構(gòu)，其包含底層20上的犧牲層22、以及犧牲層22上的 可滲透性的硬掩模層24。底層20、犧牲層22、與可滲透性的硬掩模層24形 成于基底(未示出)上，上述基底可以是單晶或化合物半導體基底。主動裝置 (未示出)例如為晶體管可形成于上述半導體基底上。底層20可以是介電層例 如為層間介電層、金屬間介電層、以及其他類似者?？蓪w元件(未示出) 例如為接觸插塞或介層結(jié)構(gòu)形成于底層20中，并連接至后續(xù)形成的導線。
在例示的實施例中，底層20為低介電常數(shù)材料，其介電常數(shù)小于3。底 層20可包含常用的低介電常數(shù)材料例如為含碳的介電材料，并可還包含氮、 氫、氧、及上述的組合。在實施例中，犧牲層22包含聚合物，其可在高溫 下例如為250。C 450。C分解并蒸發(fā)。當犧牲層22分解時，上述聚合物會崩解 為較小的氣體分子，其可經(jīng)由可滲透性的硬掩模層24而擴散。犧牲層22的例示材料包含聚丙二醇(polypropylene glycol; PPG)、聚丁二烯(polybutadine; PB)、聚乙二醇(polyethylene glycol; PEG)、聚己內(nèi)酉旨(polycaprolactone diol; PCL)、摻氟的非晶系碳(fluorinated amorphous carbon; a-FiC)、硅膠(silicon gel)、與有機硅氧烷(siloxane)。犧牲層22的形成較好為通過旋轉(zhuǎn)涂布法的工 藝或化學氣相沉積法的工藝。在另一實施例中，可通過濕蝕刻或干蝕刻的工 藝移除犧牲層22，其中所形成的液體或氣體也可穿透可滲透性的硬掩模層 24而將其移除。在例示的實施例中，可蝕刻的犧牲層22包含氧化硅。
可滲透性的硬掩模層24可允許熱分解反應或蝕刻工藝所產(chǎn)生的物質(zhì)穿 透。可滲透性的硬掩模層24的例示材料包含由下列所組成的族群黑鉆石(應 用材料的Black DiamondTM)、芳香族碳氫化合物(Dow Chemical Company的 SiLKTM)、碳氧化硅、及上述的組合。在例示的實施例中，其中可滲透性的 硬掩模層24包含碳氧化硅，其形成可使用高密度等離子化學氣相沉積法 (high-density plasma chemical vapor deposition; HDPCVD)的工藝，且用于工 藝中的氣體較好為包含含硅的氣體(例如為硅垸)、氬、與氧?？蓾B透性的硬 掩模層24的厚度較好為小于2000A、更好為500~1500A。
圖5顯示多個溝槽26的形成，其形成較好為通過光阻的涂覆與圖形化， 再蝕刻犧牲層22與可滲透性的硬掩模層24，然后再移除上述光阻。
然后如圖6所示，沉積間隔物層28，以覆蓋溝槽26。間隔物層28較好 為包含介電材料例如擇自下列所組成的族群黑鉆石(應用材料的Black DiamondTM)、 Si02、 SiON、 SiC、 SiCN、與上述的組合。間隔物層28的厚 度較好為50~300A、更好為約100A，該較佳厚度是與形成技術(shù)的尺度有關(guān)。 然后如圖7所示，執(zhí)行圖形化的步驟，以移除間隔物層28的水平部分，而 留下其垂直的部分而形成多個間隔物30。本領域技術(shù)人員可了解間隔物層 28的圖形化可通過蝕刻或氬氣的濺擊來執(zhí)行。
圖8示出將導線形成于溝槽26中，上述導線包含多個擴散阻擋層32與 多個金屬線34。擴散阻擋層32可包含鈦、氮化鈦、鉭、氮化鉭、或其他衍 生物。擴散阻擋層32的形成可使用物理氣相沉積法(physical vapor deposition; PVD)、或各種的化學氣相沉積法中的一種。擴散阻擋層32的厚 度可以是20 200A。
金屬線34的材料較好為包含銅或銅合金，雖然其也可包含其他導體材料例如銀、金、鉤、鋁、及其他類似材料。本領域技術(shù)人員可了解用以形成 擴散阻擋層32與金屬線34的步驟可包含毯覆性地形成阻擋層；沉積銅或 銅合金的薄層的種子層；以導體材料填入溝槽26中，上述導體材料例如為 銅或銅合金，其方法較好為電鍍，因此金屬線34也可稱之為銅線34。然后， 執(zhí)行化學機械研磨(chemical mechanical polish; CMP)的步驟以移除可滲透性 的硬掩模層24上多余的擴散阻擋層與導體材料，僅留下溝槽26內(nèi)的擴散阻 擋層32與銅線34。另外，也可不形成擴散阻擋層32，而以間隔物30作為 擴散阻擋層。如圖9A所示，將犧牲層22分解，將其轉(zhuǎn)換成蒸氣，其分子小 到足以經(jīng)由可滲透性的硬掩模層24而向外擴散。因此，而形成多個空氣間 隙36。較好為通過加熱的工藝來執(zhí)行上述的分解與蒸發(fā)，將溫度升高至相對 高溫。在例示的實施例中，升溫至200~450°C 。另外，也可以通過濕蝕刻或 干蝕刻來移除犧牲層22，其中蝕刻的副產(chǎn)品(液體或氣體)可穿透可滲透性的 硬掩模層24。既然是從上方移除犧牲層22，如圖9B所示，有可能會殘留犧 牲層22的下部。請參考圖10，形成蝕刻停止層38與金屬間介電層40。蝕刻停止層38 較好為由SiC、 SiCN、或其他常用的材料所形成，形成于上述導線與可滲透 性的硬掩模層24上。金屬間介電層40較好為包含低介電常數(shù)介電材料例如 為含碳的材料，形成于蝕刻停止層38上。在后續(xù)的工藝步驟中，可形成介 層結(jié)構(gòu)與上方的金屬線，而繼續(xù)內(nèi)連線結(jié)構(gòu)的形成工藝。在某些實施例中，若已完成內(nèi)連線結(jié)構(gòu)的最上層電路，則不需再形成蝕 刻停止層38與金屬間介電層40。圖11~圖16為一系列的剖面圖，顯示本發(fā)明的第二實施例的中間制造階 段，其中第二實施例中類似的元件符號用來代表與第一實施例中類似的元 件。除非有特別注記，第一與第二實施例中類似的元件使用本質(zhì)上相同的材 料與相同的形成方法。請參考圖ll，形成底層20與犧牲層22，然后將溝槽 26形成于犧牲層22中。然后如圖12所示，將多個間隔物30形成于溝槽26 的側(cè)壁上。圖13顯示將擴散阻擋層32與金屬線34形成于溝槽26中。然后如圖14 所示，將多個頂蓋層44形成于金屬線34上，也有可能形成于擴散阻擋層32 的上緣上。可以擇自下列所組成的族群的材料來形成頂蓋層44: CoP、 CoB、CoWP、 CoWB、 NiWP、 CoSnP、 NiWB、 CuSi、 ZrN、 NiMoP、及上述的組 合，其較佳的形成方法包含無電鍍法(electroless plating)，其中頂蓋層44選 擇性地形成于金屬線34 (與擴散阻擋層32)上，但未形成于介電材料上。請參考圖15，毯覆性地形成可滲透性的金屬間介電層46于犧牲層22、 間隔物30、與頂蓋層44上。在較佳的實施例中，可滲透性的金屬間介電層 46包含擇自由下列所組成的族群黑鉆石(應用材料的Black DiamondTM)、 芳香族碳氫化合物(Dow Chemical Company的SiLKTM)、碳氧化硅、及上述 的組合?？蓾B透性的金屬間介電層46的厚度較好為500~2000A。圖16示出犧牲層22的移除。在以可熱分解式的聚合物形成犧牲層22 的情況中，將基底加熱以分解犧牲層22，而形成空氣間隙36。在另一實施 例中，執(zhí)行干蝕刻或濕蝕刻的步驟，并經(jīng)由可滲透性的金屬間介電層46來 移除其副產(chǎn)物。移除犧牲層22的細節(jié)已敘述于第一實施例中，在此便不重 復敘述。本發(fā)明的實施例具有多個技術(shù)效果。通過空氣間隙的形成，減少內(nèi)連線 結(jié)構(gòu)中的介電材料的介電常數(shù)，有時可將其降至約2.0。間隔物30對金屬線 34與擴散阻擋層32提供背向壓力，因此可減少內(nèi)連線結(jié)構(gòu)的電性遷移情況、 以及改善內(nèi)連線結(jié)構(gòu)的依時性介質(zhì)擊穿電壓的表現(xiàn)。另一項技術(shù)效果則是當 上方的介層結(jié)構(gòu)發(fā)生對準不良時，上述介層結(jié)構(gòu)可坐落于間隔物30上，而 非空氣間隙36中，因此改善了內(nèi)連線結(jié)構(gòu)的性能與可靠度。雖然本發(fā)明已以較佳實施例公開如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何 本領域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可作些許的更動與潤 飾，因此本發(fā)明的保護范圍當視后附的權(quán)利要求所界定者為準。
權(quán)利要求
1.一種集成電路結(jié)構(gòu)，包含導線；側(cè)壁間隔物，位于所述導線的側(cè)壁上，其中所述側(cè)壁間隔物包含介電材料；空氣間隙，水平地毗鄰著所述側(cè)壁間隔物；以及介電層，位于所述空氣間隙上。
2. 如權(quán)利要求1所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中所述介電層為可滲透性的硬 掩模層，且所述側(cè)壁間隔物延伸至所述介電層的側(cè)壁上。
3. 如權(quán)利要求2所述的集成電路結(jié)構(gòu)，還包含蝕刻停止層，位于所述介 電層與所述導線上。
4. 如權(quán)利要求1所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中所述介電層為可滲透性的金 屬間介電層，且所述介電層延伸至所述側(cè)壁間隔物的上緣的上方。
5. 如權(quán)利要求1所述的集成電路結(jié)構(gòu)，還包含額外的導線，位于所述空氣間隙的一側(cè)，且為所述導線的相反側(cè)，其中 所述空氣間隙水平地毗鄰著所述額外的導線；以及額外的側(cè)壁間隔物，位于所述額外的導線的側(cè)壁上。
6. 如權(quán)利要求1所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中所述側(cè)壁間隔物并未延伸至 所述導線下。
7. 如權(quán)利要求1所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中所述側(cè)壁間隔物的上部水平 地毗鄰著所述空氣間隙，且所述側(cè)壁間隔物的下部水平地毗鄰著所述空氣間 隙下的低介電常數(shù)介電層。
8. —種集成電路結(jié)構(gòu)，包含 第一導線；第一側(cè)壁間隔物，位于所述第一導線的側(cè)壁上； 第二導線，與所述第一導線成水平間隔配置； 第二側(cè)壁間隔物，位于所述第二導線的側(cè)壁上；空氣間隙，水平地毗鄰著所述第一側(cè)壁間隔物與所述第二側(cè)壁間隔物；以及可滲透的介電層，位于所述空氣間隙上、且與其毗鄰。
9. 如權(quán)利要求8所述的集成電路結(jié)構(gòu)，還包含蝕刻停止層于所述可滲透 的介電層、所述第一導線、與所述第二導線上，其中所述可滲透的介電層為 可滲透的硬掩模層，且所述第一側(cè)壁間隔物與所述第二側(cè)壁間隔物延伸至所 述可滲透的介電層的側(cè)壁上。
10. —種集成電路結(jié)構(gòu)，包含 導線；側(cè)壁間隔物，位于所述導線的側(cè)壁上； 空氣間隙，水平地毗鄰著所述側(cè)壁間隔物；可滲透的掩模，位于所述空氣間隙的正上方，且所述側(cè)壁間隔物延伸至 所述可滲透的掩模的側(cè)壁上；蝕刻停止層，位于所述導線與所述可滲透的掩模上；以及 金屬間介電層，位于所述導線與所述可滲透的掩模上。
11. 如權(quán)利要求10所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中所述可滲透的掩模包含材 料擇自下列族群黑鉆石、芳香族碳氫化合物、碳氧化硅以及上述的組合。
12. —種集成電路結(jié)構(gòu)的形成方法，包含 形成犧牲層；形成可滲透性的介電層于所述犧牲層上； 形成開口于所述犧牲層中；形成側(cè)壁間隔物于所述開口中，并位于所述犧牲層的側(cè)壁上； 以導體材料填滿所述開口；以及通過所述可滲透性的介電層移除所述犧牲層的至少一部分。
13. 如權(quán)利要求12所述的集成電路結(jié)構(gòu)的形成方法，還包含 形成蝕刻停止層于所述導體材料與所述可滲透性的介電層上；以及 形成金屬間介電層于所述蝕刻停止層上。
14. 如權(quán)利要求12所述的集成電路結(jié)構(gòu)的形成方法，其中所述犧牲層是 擇自下列族群聚丙二醇、聚丁二烯、聚乙二醇、聚己內(nèi)酯、摻氟的非晶系 碳、硅膠以及有機硅氧烷。
15. 如權(quán)利要求12所述的集成電路結(jié)構(gòu)的形成方法，其中所述可滲透性 的介電層是擇自下列族群黑鉆石、芳香族碳氫化合物、碳氧化硅以及上述 的組合。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種集成電路結(jié)構(gòu)及其形成方法，上述集成電路結(jié)構(gòu)具有空氣間隙。上述集成電路結(jié)構(gòu)包含導線；側(cè)壁間隔物于上述導線的側(cè)壁上，其中上述側(cè)壁間隔物包含介電材料；空氣間隙(air-gap)水平地毗鄰著上述側(cè)壁間隔物；以及介電層于上述空氣間隙上。本發(fā)明所能提供的技術(shù)效果包含減少電性遷移、以及改善依時性介質(zhì)擊穿電壓的表現(xiàn)。
文檔編號H01L23/522GK101241897SQ200710153268
公開日2008年8月13日 申請日期2007年9月29日 優(yōu)先權(quán)日2007年2月5日
發(fā)明者余振華, 劉重希, 孫元成, 米玉杰 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司