專利名稱：互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體傳感器封裝組件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明主要涉及一種半導(dǎo)體封裝組件，尤其涉及一種互補(bǔ)式金 屬氧化物半導(dǎo)體傳感器封裝組件及其制造方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展非?？焖伲貏e是半導(dǎo)體芯片(semiconductor dice)有趨于小型化的傾向。然而，半導(dǎo)體芯片的功能需求卻有相對 多樣化的傾向。換言之，半導(dǎo)體芯片在一較小區(qū)域中需求更多的輸 入/輸出盤(pads)，所以引腳(pins)的密度也隨之快速提高。其導(dǎo)致 半導(dǎo)體芯片之封裝變得更困難且降低成品率。封裝結(jié)構(gòu)的主要目的 在于保護(hù)芯片免受外部損傷。然而，大部份封裝技術(shù)是先將一晶圓 上的芯片切割成多個(gè)單一芯片，然后再封裝與測試每一顆單一芯 片。另夕卜， 一種稱為"晶圓級封裝"(wafer level package; WLP)的 封裝技術(shù)，可以在分割芯片成為單一芯片之前，在一晶圓上封裝芯 片。晶圓級封裝技術(shù)有一些優(yōu)點(diǎn)，例如生產(chǎn)周期較短、成本較低以 及不需要填充物(under-fill)。
一種數(shù)字影像技術(shù)已廣泛運(yùn)用至影像攝影裝置，例如數(shù)字相 機(jī)、影像掃描等，目前的影像攝影裝置大都使用互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體 傳感器(CMOS傳感器)作為影像讀取的裝置?；パa(bǔ)式金屬氧化物半 導(dǎo)體傳感器具有 一 固定于其中的芯片(chip),影像信號通過芯片的感 測區(qū)域中的多個(gè)凄t組式感測組件傳送到凄t字處理器，用以轉(zhuǎn)換才莫擬
8信號成為數(shù)字信號。由于互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體傳感器的感測區(qū)域?qū)τ?灰塵粒子相當(dāng)敏感，會導(dǎo)致感測組件的質(zhì)量下降。為了達(dá)到上述目 的，一4殳是在芯片的感測區(qū)域的多個(gè)感測組件上再形成一透明材 質(zhì)，特別是一種^皮璃，用以保護(hù)感測組件，并且還可以增加聚焦的 功能。
接著，請參考圖1,為先前技術(shù)所披露的一種以晶圓級封裝來
形成一CMOS傳感器的封裝結(jié)構(gòu)，其封裝結(jié)構(gòu)是將一CMOS傳感 器固接于絕緣基板100之上，在CMOS傳感器的感測區(qū)域上形成 一孩i型透鏡140凄t組，然后再在孩吏型透鏡140數(shù)組上形成另 一保護(hù) 層150。
^艮明顯地，在先前技術(shù)中，對CMOS傳感器的封裝工藝較為復(fù) 雜且必須逐層來完成，除了增加工藝的時(shí)間外，還有可能在制造過 程中，使得CMOS傳感器的感測區(qū)域受到污染。為此，本發(fā)明提 出一種新的CMOS傳感器封裝工藝及其結(jié)構(gòu)，可以有效減少封裝 的時(shí)間并可有效地4是升CMOS傳感器的可靠度。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于以上的問題，本發(fā)明的主要目的在于提供一種互補(bǔ)式金屬 氧化物半導(dǎo)體傳感器封裝組件，藉以減少制造時(shí)間以節(jié)省制造成本。
本發(fā)明的另 一主要目的在于提供一種互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo) 體傳感器封裝組件，藉以增加組件的可靠度。
才艮據(jù)以上目的，本發(fā)明-提供一種互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體感測 芯片的封裝結(jié)構(gòu)，包括:一個(gè)具有一上表面及一下表面的載板，載板 的上表面配置有圖案化的金屬層； 一個(gè)互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體感測芯片，其主動(dòng)面上配置有多個(gè)互補(bǔ)式金屬氧4匕物半導(dǎo)體感測紐/f牛 且具有多個(gè)焊盤^1置在主動(dòng)面的外圍附近上，且每一焊盤與部^分的
圖案化金屬層電性連接；多個(gè)電性連接組件，設(shè)置在部份圖案化金 屬層之上并形成電性連接；封月交體，包覆載板的上表面、電性連4妻 組件及互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體感測裝置；及多個(gè)導(dǎo)電組件，形成 在這些連接組件之上。
本發(fā)明還披露一種互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體感測芯片的封裝 方法，包含:提供一具有一上表面及一下表面的載寺反；形成多個(gè)相同 圖案化的金屬層在載板的上表面上；接著電性連接多個(gè)互補(bǔ)式金屬 氧化物半導(dǎo)體感測芯片至多個(gè)圖案化金屬層，其中互補(bǔ)式金屬氧化 物半導(dǎo)體感測芯片的主動(dòng)面上具有多個(gè)互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體
感測組件且具有多個(gè)焊盤i殳置在主動(dòng)面之外圍附近上，通過焊盤電 性連接于部份圖案化金屬層之上；電性連接多個(gè)電性連接組件于部 份圖案化之金屬層之上；然后執(zhí)行一注模步驟，以包覆載板的上表 面、電性連接組件及這些互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體感測芯片；4妄著 暴露出電性連接組件的一端點(diǎn)；形成多個(gè)導(dǎo)電組件在每一 已暴露的 電性連接組件的端點(diǎn)上；及執(zhí)行一切割步驟，以形成多個(gè)完成封裝 的互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體感測裝置'
有關(guān)本發(fā)明的特征，現(xiàn)配合圖示作最佳實(shí)施例詳細(xì)說明如下。 (為使對本發(fā)明的目的、構(gòu)造、特征、及其功能有進(jìn)一步的了解， jE見配合實(shí)施例"^細(xì)"i兌明^。下。)


圖1為現(xiàn)有的封裝組件的剖面示意圖2為根據(jù)本發(fā)明在載板上形成多個(gè)圖案化金屬層的示意圖；圖3為根據(jù)本發(fā)明在多個(gè)圖案化金屬層上貼附多個(gè)互補(bǔ)式金屬
氧化物半導(dǎo)體傳感器芯片的剖面示意圖4為根據(jù)本發(fā)明在圖3的結(jié)構(gòu)上形成多個(gè)電性連接組件的剖 面示意圖5為根據(jù)本發(fā)明執(zhí)行一注模工序、用封膠體來包覆圖4的結(jié) 構(gòu)的剖面示意圖6為4艮據(jù)本發(fā)明在圖5的結(jié)構(gòu)中，在多個(gè)電性連接組件上形 成多個(gè)導(dǎo)電組件的剖面示意圖；及
圖7為根據(jù)本發(fā)明所披露的另一封裝結(jié)構(gòu)的剖示圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明4皮露一種互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體感測芯片的封裝結(jié)構(gòu)及其 制造方法，因此，本發(fā)明是針對已完成制造并且也已切割的互補(bǔ)式 金氧半導(dǎo)體感測芯片進(jìn)行封裝。然而，為便于說明，本發(fā)明對互補(bǔ)
式金屬氧化物半導(dǎo)體感測芯片的定義為一主動(dòng)面上具有多個(gè)成數(shù)
8為分別說明本發(fā)明所披露的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體感測芯片的封裝結(jié) 構(gòu)剖示圖以及制造步驟流程圖。
請參閱圖2,是表示將多個(gè)圖案化的金屬層形成在載板上的剖 面示意圖。首先，^是供具有一上表面及一下表面的載板(carrier substrate)lO，在本發(fā)明的具體實(shí)施例中，載板10為一種透明材泮+, 其可以是玻璃或是光學(xué)級的玻璃。如圖2所示，多個(gè)圖案化的金屬 層12形成在載^反10的方式包4舌先爿夸一金屬層形成在載斗反10上； 然后涂布一光阻層于金屬層之上并經(jīng)過一圖案化的光罩曝光及顯 影后，在金屬層上形成一具有圖案化的光阻層(未在圖中表示)；4妻 著執(zhí)行一蝕刻步驟，以移除部份的金屬層；接著，移除具有圖案化 的光阻層，藉此在載^反10上形成多個(gè)相同圖案4匕的金屬層12。此外，上述將多個(gè)圖案化的金屬層12形成在載板10的方式也
可以包括先將光阻層涂布在載才反10上，然后經(jīng)過一圖案化的光 罩曝光及顯影后，在光阻層上形成圖案化的凹槽或是溝渠，再將金 屬材料填入凹槽或是溝渠中，最后再將光阻移除后，即可在載板IO 上形成圖案化的金屬層12。在本發(fā)明中，上述金屬材料的形成方式 可以是蒸鏈(evaporating process)或是賊鍵(sputtering process ), 而在一壽交佳實(shí)施例中，是^f吏用電4度(plating)方式來形成。
此夕卜，載4反10上的虛線101為切割道(sawing street),在此要 強(qiáng)調(diào)，此虛線101其可以是已形成在載4反10之上，同時(shí)其也可以 是不存在的線，對此本發(fā)明并不加以限制，其目的是在組件完成封 裝之后對載板10進(jìn)行切割的基準(zhǔn)線，以形成多個(gè)單一封裝組件。
接著，請參閱圖3，是表示將多個(gè)互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體感 測芯片(CMOS chip, Complementary Metal-Oxide Semiconductor chip)20貼附在多個(gè)圖案化的金屬層12上的剖面示意圖，其中互補(bǔ) 式金屬氧化物半導(dǎo)體感測芯片20的主動(dòng)面202上具有多個(gè)成翁:纟且 排列的感測組件(未顯示于圖中)以及位于感測組件周圍的多個(gè)焊 盤(pad)2022。 ^口圖3戶斤示，以傳'J裝4支術(shù)(flip chip technology)的方式， 將每一個(gè)互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體感測芯片20上的多個(gè)焊盤2022 的朝向圖案化的金屬層12的上表面，并將多個(gè)焊盤2022與圖案化 的金屬層12的部份上表面電性連接，藉此倒裝技術(shù)使得每一個(gè)互 補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體感測芯片20上的多個(gè)成凄t組排列的感測組 件透過透明載板10而進(jìn)行感測。在此，可以利用導(dǎo)電膠(未在圖中 表示)，例如錫膏，將多個(gè)焊盤2022與圖案化的金屬層12的部份 上表面電性連接。
接著，請參閱圖4，是表示在圖3的結(jié)構(gòu)上形成多個(gè)電性連接 組件的剖面示意圖。如圖4所示，多個(gè)電性連4妻組-f牛(connecting element)30形成在暴露的部份圖案化金屬層12的上表面，且鄰近于每一個(gè)互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體感測芯片20，其中每一個(gè)電性連接-
組件30的高度均等，且高于互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體感測芯片20 的厚度；在本實(shí)施例中，此多個(gè)電性連4妄組件30為一種具有金手 指的結(jié)構(gòu)，是通過絕緣材料(例如塑料)或是陶瓷材料(ceramic)來包 覆多條與圖案化金屬層12相應(yīng)的金屬線302所形成；接著，再將 電性連接組件30經(jīng)由導(dǎo)電膠(未在圖中表示)，例如錫膏(paste)與載 板10上的圖案化的金屬層12電性連接。
在上述的圖2及圖3的制造過程中，均使用導(dǎo)電膠材料來作為 電性連接材料，因此在制造上，可以選才奪將導(dǎo)電膠材料涂布在圖案 化的金屬層12上；當(dāng)然，其也可以分別涂布在互補(bǔ)式金屬氧化物 半導(dǎo)體感測芯片20的焊盤202上以及電性連4妾組件30的端點(diǎn)上， X寸》匕本發(fā)明并不力口以卩艮制。
接下來，如圖5所示，是表示一封膠體40包覆圖4中的結(jié)構(gòu) 的剖示圖。將多個(gè)電性連"^妄組件30電性連接至圖案化金屬層12上 之后，隨即進(jìn)4亍注才莫工序(molding process),以形成一佳'于月交體40來 包覆住互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體感測芯片20、多個(gè)電性連接組件 30及圖案化金屬層12。然后，移除部V分的封月交體40以暴露出電性 連一妻組ff 30 ，例如當(dāng)電性連4妻組件30為 一金手指結(jié)構(gòu)時(shí)，移l余部 份的封膠體40以暴露出金屬線302的端點(diǎn)。另外，也可以選擇在 進(jìn)4亍注才莫工序之前，先利用Y呆護(hù)層(未在圖中表示)，例如月交帶，以 覆蓋住電性連接組件30,例如金屬線302之端點(diǎn)，然后將模流注入 至與電性連接組件30同樣高度之后，再進(jìn)行脫膠以暴露出多個(gè)電 性連接組件30。而在本發(fā)明的具體實(shí)施例中，其封膠體40的材料 包括環(huán)氧化物(epoxy)或是膠體(colloid)。
接著，請繼續(xù)參閱圖6，是表示在電性連接組件30 (例如金屬 線302)上形成多個(gè)導(dǎo)電組件的示意圖。在此具體實(shí)施例中，是利 用封裝技術(shù)中的現(xiàn)有技術(shù)，例如植球，在每一個(gè)暴露的電性連4妄組件30的上方形成多個(gè)導(dǎo)電組件50,以將此導(dǎo)電組件50作為對封裝 體之外的電性連接點(diǎn)。在此要強(qiáng)調(diào)，導(dǎo)電組件30可以是錫球(solder ball),其也可以是金屬凸塊(solderbump)。
另夕卜，本發(fā)明還披露另一具體實(shí)施例，如圖7所示。在本實(shí)施 例中，在將多個(gè)互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體感測芯片20與栽板10上 的多個(gè)圖案化金屬層12完成電性連接之后，即先進(jìn)行注4莫工序， 以形成一委:f月交體40來包^隻多個(gè)互補(bǔ)式金屬氧^匕物半導(dǎo)體感測芯片 20及部份圖案化的金屬層12。緊接著，在完成對準(zhǔn)工序(alignment process)之后，利用蝕刻步驟，例如干式蝕刻或是反應(yīng)性離子蝕刻 (RIE)，將部份圖案化金屬層12上的封膠體40移除，以形成多個(gè)孔 洞并暴出部份圖案化露出的金屬層12;接著，再利用電鍍的方式， 將導(dǎo)電材料填滿孔洞，以形成多個(gè)電性連接組件30，再接著，將多 個(gè)導(dǎo)電組^f牛50形成在多個(gè)電性連4妻《且件30上之后，即可完成互4卜 式金屬氧化物半導(dǎo)體感測芯片20的封裝操作步驟。同樣地，在此 本實(shí)施例中的導(dǎo)電組件30可以是錫球(solder ball)也可以是金屬凸 塊(solder bump)。
在完成上述的圖6及圖7的步驟后，再進(jìn)行芯片切割工序(die sawing),并依照切割道101的位置來切割載才反10,以形成多個(gè)完 成封裝的互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體感測裝置。很明顯地，由本發(fā)明 所才皮露的過程中可知，在載板10上形成多個(gè)圖案化金屬層12的工 序與完成互補(bǔ)式金屬氧4匕物半導(dǎo)體感測芯片20的工序可以分別實(shí) 施，因此可以有效地縮短封裝的時(shí)間；此外，在本發(fā)明所披露的過 程可知，每一個(gè)互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體感測芯片20的5個(gè)面(除 了主動(dòng)面與透明載板10連接外)都被封膠體40所包覆，因此可以 提高互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體感測芯片20的可靠度。
當(dāng)互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體感測芯片20完成封裝以形成互補(bǔ) 式金屬氧化物半導(dǎo)體感測裝置之后，其可通過互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體感測裝置上的多個(gè)導(dǎo)電組件50與電路才反(未顯示于圖中)完成 電性連接，并通過電路板與其它的控制裝置電性連接，以便驅(qū)動(dòng)本
發(fā)明的互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體感測裝置進(jìn)行影像的讀取。特別是 當(dāng)本發(fā)明的互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體感測裝置與可撓性軟板
(flexible circuit)連接后，其可以應(yīng)用于各種可攜式的數(shù)字影像裝置 中，例如數(shù)字相機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理裝置(PDA)、具有照相功能的 通訊裝置(例如移動(dòng)電話)等等，以增加互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體 傳感器封裝組件的應(yīng)用性。
雖然本發(fā)明以前述較佳實(shí)施例披露如上，然而其并非用以限定 本發(fā)明，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明之精神和范圍內(nèi)，應(yīng) 當(dāng)可作多種更動(dòng)與潤飾，因此本發(fā)明的專利保護(hù)范圍須以權(quán)利要求 書的限定為準(zhǔn)。
主要組件符號說明
10 載纟反 101 切割道
102 感測區(qū)i或 12 金屬層
20 互補(bǔ)式金屬氧4匕物半導(dǎo)體感測芯片(CMOS chip)
202 主動(dòng)面 2022 焊盤
30 電性連4妻組4牛 302 金屬線
40 封月交體 50 導(dǎo)電組件
權(quán)利要求
1. 一種互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體感測芯片的封裝結(jié)構(gòu)，包括載板，具有上表面及下表面；圖案化的金屬層，設(shè)置于所述載板的所述上表面之上，且暴露出所述金屬層；互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體感測芯片，其主動(dòng)面上配置有復(fù)多個(gè)互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體感測組件且具有多個(gè)焊盤設(shè)置在所述主動(dòng)面的外圍附近上，這些焊盤電性連接于部份所述圖案化金屬層之上；多個(gè)電性連接組件，設(shè)置在部份所述圖案化金屬層之上并形成電性連接；封膠體，包覆所述載板的所述上表面、這些電性連接組件及所述互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體感測裝置；及多個(gè)導(dǎo)電組件，形成在這些連接組件之上。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其中這些電性連接組件為一 種金手指結(jié)構(gòu)。
3. —種互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體感測芯片的封裝方法，包含才是供具有上表面及下表面的載板；形成多個(gè)相同圖案化的金屬層在所述載板的所述上表面 上，包含形成金屬層在所述載一反上；形成具有多個(gè)相同圖案化的光阻層在所述金屬層上；移除部份所述金屬層以形成所述圖案化金屬層，且暴露出部份所述載板的所述上表面；及移除所述具有這些圖案化的光阻層；電性連4妄多個(gè)互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體感測芯片至所述 多個(gè)圖案化金屬層，其中所述互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體感測芯 片的主動(dòng)面上具有多個(gè)互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體感測組件且 具有多個(gè)焊盤設(shè)置在所述主動(dòng)面的外圍附近上，通過這些焊盤電性連接于部份所述圖案化金屬層之上；電性連接多個(gè)電性連接組件于部份所述圖案化金屬層之上；牙丸行一注纟莫步驟，以包覆所述載板的上表面、這些電性 連接組件及這些互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體感測芯片；暴露出這些電性連接組件的端點(diǎn)；形成多個(gè)導(dǎo)電組件在每一這些已暴露的電性連接組件的 端點(diǎn)上；及4丸行切割步驟，以形成多個(gè)完成封裝的互補(bǔ)式金屬氧化 物半導(dǎo)體感測裝置。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的封裝方法，其中這些電性連接組件為一 種金手指結(jié)構(gòu)。
5. —種互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體感測芯片的封裝方法，包含提供具有上表面及下表面的載板；形成多個(gè)相同圖案化的金屬層在所述載板的所述上表面上；電性連4妻多個(gè)互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體感測芯片至所述 多個(gè)圖案化金屬層，其中所述互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體感測芯片的主動(dòng)面上具有多個(gè)互補(bǔ)式金屬氧4b物半導(dǎo)體感測紐j牛且具有多個(gè)焊盤設(shè)置在所述主動(dòng)面的外圍附近上，通過這些焊盤 電性連4妄于部^f分所述圖案化金屬層之上；注入才莫流，以形成封膠體來包覆所述載板的所述上表面及所述互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體感測芯片；形成多個(gè)孔洞以暴露出部^分所述圖案4匕金屬層； 填滿這些孔洞以形成多個(gè)電性連接組件；形成多個(gè)導(dǎo)電組件在這些電性連"^妻組件之上；及執(zhí)行切割步驟，以形成多個(gè)完成封裝的互補(bǔ)式金屬氧化 物半導(dǎo)體感測裝置。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的封裝方法，其中形成這些圖案化金屬層 的方法包含形成金屬層在所述載板上；形成具有多個(gè)相同圖案化的光阻層在所述金屬層上；移除部4分所述金屬層以形成這些相同圖案化金屬層，且 暴露出部4分所述載才反的所述上表面；及移除具有所述些圖案化之光阻層。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的封裝方法，其中形成這些孔洞是以蝕刻 方式形成。
8. —種互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體感測裝置的封裝方法，包含提供具有上表面及下表面的載板；形成多個(gè)相同圖案化的金屬層在所述載板的所述上表面上，其中形成這些相同圖案化金屬層的方法包含形成金屬層在所述載板上；形成具有圖案化的光阻層在所述金屬層上；移除部份所述金屬層以形成所述圖案化金屬層，且暴露 出部份所述載板的所述上表面；及移除所述具有圖案化光阻層；電性連接多個(gè)互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體感測芯片至所述 多個(gè)圖案化的金屬層，其中所述互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體感測 芯片的主動(dòng)面上具有多個(gè)互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體感測組件 且具有多個(gè)焊盤設(shè)置在所述主動(dòng)面的外圍附近上，通過這些焊 盤電性連接于部份所述圖案化金屬層之上；電性連接多個(gè)電性連接組件于部份所述圖案化金屬層之上；在所述多個(gè)電性連接組件的相對于所述圖案化金屬層的 另一端上形成隔離層；執(zhí)行注模步驟，以包覆所述載板的上表面、這些電性連 接組件及這些互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體感測裝置；剝離所述隔離層以暴露出所述多個(gè)電性連接組件的相對 于所述圖案化金屬層的金屬端；在每一這些電性連接組件的所述暴露的金屬端上形成多 個(gè)導(dǎo)電組件；及執(zhí)行切割步驟，以形成多個(gè)完成封裝的互補(bǔ)式金屬氧化 物半導(dǎo)體感測裝置。
9. 一種影像讀取裝置，是將完成封裝的互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體 感測裝置電性連接至可撓性電^各板所組成，其中所述互補(bǔ)式金 屬氧化物半導(dǎo)體感測裝置的特征在于，包括載—反，具有上表面及下表面；圖案化的金屬層，設(shè)置于所述載板所述上表面之上，且暴露出所述金屬層；互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體感測芯片，其主動(dòng)面上配置有 多個(gè)互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體感測組件且具有多個(gè)焊盤i殳置 在所述主動(dòng)面的外圍附近上，這些焊盤電性連4姿于部份所述圖 案化金屬層之上；多個(gè)電性連接組件，設(shè)置在部份所述圖案化金屬層之上 并形成電性連接；去于月交體，包^隻所述載一反的所述上表面、這些電性連4妾組 件及所述互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體感測裝置；及多個(gè)導(dǎo)電組件，形成在所述些連接組件之上并與所述可 撓性電路板電性連接。
10. —種具有互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體感測裝置的數(shù)字裝置，所述 數(shù)字裝置選自于數(shù)字照相機(jī)、移動(dòng)電話及個(gè)人數(shù)字助理所組成 的群組，其中所述互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體感測裝置的特征在 于包括載一反，具有上表面及下表面；圖案化的金屬層，設(shè)置于所述載板的所述上表面之上， 且暴露出所述金屬層；互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體感測裝置，其主動(dòng)面上配置有 多個(gè)互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體感測組件且具有多個(gè)焊盤設(shè)置 在所述主動(dòng)面的外圍附近上，所述些焊盤電性連接于部份所述 圖案化金屬層之上；多個(gè)電性連接組件，i殳置在部4分所述圖案化金屬層之上 并形成電性連接；封膠體，包覆所述載板的所述上表面、這些電性連接組 件及所述互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體感測裝置；及
全文摘要
本發(fā)明提供一種互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體感測芯片的封裝結(jié)構(gòu)，包括一個(gè)具有上表面及下表面的載板，載板的上表面配置有圖案化的金屬層；一個(gè)互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體感測芯片，其主動(dòng)面上配置有多個(gè)互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體感測組件且具有多個(gè)焊盤設(shè)置在主動(dòng)面的外圍附近上，且每一焊盤與部份的圖案化金屬層電性連接；多個(gè)電性連接組件，設(shè)置在部份圖案化金屬層之上并形成電性連接；封膠體，包覆載板的上表面、電性連接組件及互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體感測裝置；及多個(gè)導(dǎo)電組件，形成在這些連接組件之上。本發(fā)明的新的CMOS傳感器封裝工藝及其結(jié)構(gòu)，可以有效減少封裝的時(shí)間并可有效地提升CMOS傳感器的可靠度。
文檔編號H01L27/146GK101425523SQ20071016437
公開日2009年5月6日 申請日期2007年10月30日 優(yōu)先權(quán)日2007年10月30日
發(fā)明者葉秀慧 申請人:葉秀慧