專利名稱：半導(dǎo)體裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置，特別涉及封裝型半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
近年來，作為新的封裝技術(shù)，受到關(guān)注的是CSP (Chip Size Package: 芯片尺寸封裝)。CSP是指具有與半導(dǎo)體芯片的外形尺寸大致相同的小型封裝。
現(xiàn)在，作為CSP的一種，公開了 BGA (Ball Grid Array:球柵陣列)型 半導(dǎo)體裝置。該BGA型半導(dǎo)體裝置設(shè)置有多個與設(shè)置在半導(dǎo)體基板上的焊 盤電極電連接的球狀導(dǎo)電端子。
在將該BGA型半導(dǎo)體裝置組裝入電子器件時，通過將各導(dǎo)電端子安裝 在印刷基板上的配線圖案上，從而將半導(dǎo)體芯片和搭載在印刷基板上的外 部電路電連4妄。
這樣的BGA型半導(dǎo)體裝置與具有在側(cè)部突出的引腳的SOP (Small Outline Package:小輪廓封裝)和QFP ( Quad Flat Package:四方平面封裝) 等其它CSP型半導(dǎo)體裝置相比，因具有可設(shè)置多個導(dǎo)電端子并可小型化的 優(yōu)點，所以被廣泛使用。
圖14是表示現(xiàn)有的BGA型半導(dǎo)體裝置110的概略結(jié)構(gòu)的剖面圖。在 由硅(Si)等構(gòu)成的半導(dǎo)體基板100的表面，形成CCD (Charge Coupled Device:電荷耦合器件)型圖像傳感器或CMOS型圖像傳感器等器件元件 101,并且，經(jīng)由第一絕緣膜103形成焊盤電極102。另外，在半導(dǎo)體裝置 100的表面，例如，經(jīng)由由環(huán)氧樹脂等構(gòu)成的粘接層105粘接有玻璃基板 104。另外，在半導(dǎo)體基板100的側(cè)面及背面，形成有由氧化硅膜或氮化硅 膜等構(gòu)成的第二絕緣膜106。
第二絕緣膜106上形成有與焊盤電極102電連接的配線層107。配線層 107形成在半導(dǎo)體基板100的側(cè)面及背面。另外，形成有覆蓋第二絕緣膜
106及配線層107、且由抗焊劑等構(gòu)成的保護層108。在配線層107上的保 護層108的規(guī)定區(qū)域形成開口部，貫通該開口部形成有與配線層107電連 接的球狀導(dǎo)電端子109。
上述技術(shù)在以下專利文獻中有記載。
專利文獻l:(日本)特開2005-072554號公報
作為組裝有如上所述的封裝型半導(dǎo)體裝置的裝置整體，.要求薄型化、 小型化。
另外，在上述現(xiàn)有半導(dǎo)體裝置110中，在制造工藝過程和實際使用狀 態(tài)下，存在水、藥液、金屬離子等產(chǎn)生腐蝕的原因的物質(zhì)浸入而腐蝕配線 層107的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種可靠性高，且可實現(xiàn)更加小型化裝置的封 裝型半導(dǎo)體裝置及制造方法。
本發(fā)明是鑒于上述課題而開發(fā)的，具有以下主要特征。即，本發(fā)明的 半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有半導(dǎo)體基板，其表面形成有器件元件； 焊盤電極，其與所述器件元件電連接；絕緣膜，其覆蓋所述半導(dǎo)體基板的 側(cè)面及背面；配線層，其與所述焊盤電極電連接，并沿所述半導(dǎo)體基板的 側(cè)面形成；側(cè)壁電極，其從所述半導(dǎo)體基板的側(cè)面?zhèn)认蛲獠柯冻觯厮?半導(dǎo)體基板的側(cè)面形成，且經(jīng)由所述配線層與所述焊盤電極電連接；保護 層，其包圍所述側(cè)壁電極，并且，覆蓋所述半導(dǎo)體基板的背面?zhèn)龋谂c所 述側(cè)壁電極重疊的區(qū)域具有開口 。
另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，具有準備半 導(dǎo)體基板，該半導(dǎo)體基板表面上形成有器件元件及與所述器件元件電連接 的焊盤電極，從所述半導(dǎo)體基板的背面?zhèn)瘸ニ霭雽?dǎo)體基板的一部分并 使所述焊盤電極的至少一部分露出的工序；經(jīng)由絕緣膜在所述半導(dǎo)體基板 側(cè)面形成與所述露出的焊盤電極電連接的配線層的工序；形成覆蓋所述半 導(dǎo)體裝置的背面?zhèn)?，并在?cè)壁電極形成區(qū)域具有開口部的保護層的工序； 在所述保護層開口的區(qū)域沿所述半導(dǎo)體基板的側(cè)面形成側(cè)壁電極的工序， 所述側(cè)壁電極從所述半導(dǎo)體基板的側(cè)面?zhèn)认蛲獠柯冻觯⒔?jīng)由所述配線層 與所述焊盤電極電連接。 在本發(fā)明中，不是象現(xiàn)有技術(shù)那樣在半導(dǎo)體基板的背面上形成球狀導(dǎo) 電端子，而是沿半導(dǎo)體基板的側(cè)面形成側(cè)壁電極。因此，與現(xiàn)有技術(shù)相比， 可謀求半導(dǎo)體裝置的薄型化。另外，在本發(fā)明中，沿半導(dǎo)體基板的側(cè)面形 成配線層，進而沿半導(dǎo)體基板的側(cè)面形成側(cè)壁電極。因此，側(cè)壁電極可防 止來自外部的腐蝕性物質(zhì)的浸入，與現(xiàn)有技術(shù)相比可抑制配線層的腐蝕。


圖1是說明本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體裝置及其制造方法的剖面圖； 圖2是說明本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體裝置及其制造方法的剖面圖； 圖3 (a)及(b)是說明本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體裝置及其制造方法的平 面圖4是說明本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體裝置及其制造方法的剖面圖； 圖5是說明本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體裝置及其制造方法的剖面圖； 圖6是說明本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體裝置及其制造方法的剖面圖； 圖7是說明本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體裝置及其制造方法的剖面圖； 圖8是說明本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體裝置及其制造方法的剖面圖； 圖9是說明本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體裝置及其制造方法的剖面圖； 圖10是說明本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體裝置及其制造方法的平面圖； 圖11是說明本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體裝置及其制造方法的剖面圖； 圖12是說明本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體裝置及其制造方法的剖面圖； 圖13是說明本發(fā)明其它實施例的半導(dǎo)體裝置及其制造方法的剖面圖14是說明現(xiàn)有半導(dǎo)體裝置的剖面圖。
附圖標記說明
1器件元件2半導(dǎo)體基板第一絕緣膜
4焊盤電極5鈍化膜6粘接層
7支承體8開口部9第二絕緣膜
10配線層11電極連接層12保護層
13側(cè)壁電極20半導(dǎo)體裝置30電路基板
31外部電極32紅外線吸收層33反射層
35電^各基板36凹部37外部電極
38 外部電極
102焊盤電極
105 粘接層 108保護層
DL 切割線
100 半導(dǎo)體基板
103 第一絕緣膜 106第二絕緣膜
109 導(dǎo)電端子
101 器件元件
104 玻璃基板
107 配線層 110半導(dǎo)體裝置
具體實施例方式
下面，參照

本發(fā)明的實施例。圖1-圖IO是分別是順序表示 制造工序的剖面圖或平面圖。另外，以下說明的制造工序是使用晶片狀的 半導(dǎo)體基板ii行的，以規(guī)定的切割線為邊界，多個半導(dǎo)體裝置形成為矩陣 狀，但為了方便起見僅說明形成其中 一個半導(dǎo)體裝置的工序。
首先，如圖l所示，準備半導(dǎo)體基板2，該半導(dǎo)體基板2由在其表面形 成器件元件1 (例如，CCD、紅外線傳感器、CMOS傳感器等受光元件或發(fā) 光元件或其它半導(dǎo)體元件)的硅(Si)等構(gòu)成。半導(dǎo)體基板2例如其厚度為 300pm~700|Am左右。接著，在半導(dǎo)體基板2的表面形成例如膜厚2jim的 第一絕緣膜3 (例如，通過熱氧化法或CVD法等形成的硅氧化膜)。
接著，通過濺射法或電鍍法或其它成膜方法形成鋁(Al)或鋁合金或 銅(Cu)等金屬層，此后將未圖示的抗蝕層作為掩模有選擇地蝕刻該金屬 層，在第一絕緣膜3上形成例如膜厚lpm的焊盤電極4。焊盤電極4是經(jīng) 由未圖示的配線與器件元件1和其周邊元件電連接的外部連接用電極。另 外，在圖1中，雖然在器件元件1的兩側(cè)配置焊盤電極4，但其位置并不限 于此，也可在器件元件1上配置。
接著，在半導(dǎo)體基板2的表面形成覆蓋在焊盤電極4的一部分上或全 部的鈍化膜5(例如，通過CVD法形成的氧化硅膜)。在圖1中，以覆蓋在 焊盤電極4 一部分上的方式形成鈍化膜5 。
接著，在包含焊盤電極4的半導(dǎo)體基板2的表面上，經(jīng)由環(huán)氧樹脂、 聚酰亞胺(例如感光性聚酰亞胺)、抗蝕劑、丙烯等粘接層6貼合支承體7。
支承體7即可以是例如薄膜狀的保護帶，也可以是玻璃或石英、陶瓷、 金屬等剛性基板，也可由樹脂構(gòu)成。支承體7支承半導(dǎo)體基板2，并且具有 保護其元件表面的功能。另外，當器件元件1是受光元件或發(fā)光元件時， 支承體7由透明或半透明的材料構(gòu)成，具有使光透過的性能。
接下來，對半導(dǎo)體基板2的背面，使用背面磨削裝置(研磨機)進行
背研磨，將半導(dǎo)體裝置2的厚度減薄為規(guī)定的厚度(例如5O4m左右)。另 外，該磨削工序即可以為蝕刻處理，也可一并進行研磨和蝕刻處理。根據(jù) 最終產(chǎn)品的用途或規(guī)格、所準備的半導(dǎo)體基板2最初的厚度，也存在沒有 必要進行該磨削工序的情況。
接著，如圖2所示，從半導(dǎo)體基板2的背面?zhèn)扔羞x擇地僅僅蝕刻半導(dǎo) 體基板2中的對應(yīng)焊盤電極4的規(guī)定區(qū)域，并使第一絕緣膜3部分露出。 以下，將該露出部分作為開口部8。
參照圖3 (a)、 (b)說明該半導(dǎo)體基板2的有選擇的蝕刻。圖3 (a)、 (b )是從下方(半導(dǎo)體基板2 —側(cè))觀察的概略平面圖，圖2與圖3 ( a )、 (b)中的沿X-X線的剖面圖對應(yīng)。
如圖3 (a)所示，也可將半導(dǎo)體基板2蝕刻成比支承體7的寬度窄且 呈大致長方形的形狀。另外，如圖3 (b)所示，通過僅蝕刻形成焊盤電極 4的區(qū)域，也可構(gòu)成為半導(dǎo)體基板2的外周是凹凸狀的結(jié)構(gòu)。后者，半導(dǎo)體 基板2和支承體7重疊的面積大， 一直到支承體7的外周附近都殘留冇半 導(dǎo)體基板2。因此，從提高支承體7對于半導(dǎo)體基板2的支承強度的觀點來 看，優(yōu)選為后者的結(jié)構(gòu)。另外，根據(jù)后者的結(jié)構(gòu)，可以防止因半導(dǎo)體基板2 和支承體7的熱膨脹率的差異而導(dǎo)致支承體7的翹曲，所以，可以防止半 導(dǎo)體裝置的裂紋或剝離。另外，也可將半導(dǎo)體裝置2設(shè)計成與圖3(a)、 (b) 所示的平面形狀不同的其它形狀。
另外，在本實施例中，雖然以半導(dǎo)體基板2的橫向?qū)挾仍娇拷砻鎮(zhèn)?越寬的方式、半導(dǎo)體裝置2的側(cè)壁傾斜地被蝕刻，但也可以是半導(dǎo)體基板2 的寬度一定、其側(cè)壁相對支承體7的主面垂直地被蝕刻。
接著，如圖4所示，在開口部8內(nèi)部及半導(dǎo)體基板2 ^背面上形成第 二絕緣膜9。該第二絕緣膜9例如是通過等離子CVD法形成的氧化硅膜或 氮化硅膜等絕緣膜。
接著，如圖5所示，將未圖示的抗蝕層作為掩模，有選擇地蝕刻第一 絕緣膜3及第二絕緣膜9。通過該蝕刻，在從焊盤電極4的一部分直到切割 線DL的區(qū)域所形成的第一絕緣膜3及第二絕緣膜9被除去，在開口部8的 底部，焊盤電極4的至少一部分露出。
通過賊射法或電鍍法或其它成膜方法形成膜厚例如lpm的、構(gòu)成配線層10的鋁(Al)或銅(Cu)等導(dǎo)電層。此后，將未圖示的抗蝕層作為掩模， 有選擇地蝕刻該導(dǎo)電層。如圖6所示，通過該蝕刻，導(dǎo)電層變?yōu)榻?jīng)由第二 絕緣膜9沿半導(dǎo)體基板2的側(cè)面形成的配線層10。另外，配線層10至少與 焊盤電極4的一部分連接，并延伸到半導(dǎo)體基板2背面的一部分上。
如圖7所示，形成覆蓋配線層IO的電極連接層11。之所以形成電極連 接層11是因為由鋁等構(gòu)成的配線層10和由后述的焊錫等構(gòu)成的側(cè)壁電極 13難以接合，另外也是為了防止側(cè)壁電極13的材料流入到焊盤電極4。因 此，優(yōu)選為如圖7所示以覆蓋配線層10整體的方式形成。電極連接層11 是例如依次層壓鎳(Ni)層和金(Au)層而形成的層，可將抗蝕層作為掩 模依次賊射這些金屬，此后通過將抗蝕層除去的剝離(lift-off)法或電鍍法 形成。
另外，電極連接層11的材質(zhì)可根據(jù)配線層10或側(cè)壁電極13的材質(zhì)適 當變更。即，也可通過除鎳層和金層之外的鈦(Ti)層、鎢(W)層、銅(Cu) 層、錫(Sn)層、釩(V)層、鎳釩(NiV)層、鉬(Mo)層、鉭(Ta )層 等構(gòu)成，只要將配線層IO和側(cè)壁電極13之間電連接，具有保護配線層10 的功能，并不限定其材質(zhì)，也可是它們的單層或?qū)臃e層。作為層積結(jié)構(gòu)的 例子，可以是鎳層/金層、鈦層/鎳層/銅層、鈦層/鎳層/金層、鈦層/鎳釩層/ 銅層等。
接著，如圖8所示，形成例如膜厚10pm的、在后述的側(cè)壁電極13的 形成區(qū)域具有開口的保護層12。保護層12的形成例如如下進行。首先，通 過涂覆/涂布法全面涂覆聚酰亞胺類樹脂、抗焊劑等有機材料，并施加熱處 理(預(yù)烘干)。接著，曝光/顯影涂覆的有機材料，形成使電極連接層11的 表面露出的開口，此后通過對其施加熱處理(后烘干)，從而得到在側(cè)壁電 極13的形成區(qū)域具有開口的保護層12。
接著，在從保護層12的開口露出的電極連接層11上網(wǎng)板印刷導(dǎo)電材料 (例如焊錫)，并通過熱處理使該導(dǎo)電材料回流。這樣，如圖9所示，經(jīng)由 配線層IO及電極連接層11與焊盤電極4電連接的側(cè)壁電極13沿半導(dǎo)體基 板2的側(cè)面形成。本實施例中的側(cè)壁電極13大致對應(yīng)焊盤電極4的形成位 置，沿支承體7的外周形成。另外，從半導(dǎo)體基板2的側(cè)面?zhèn)认蛲獠柯冻觥?br> 另外，側(cè)壁電極13的形成方法并不限于上述方法，也可使用將電極連 接層11作為電鍍電極使用的電解電鍍法或使用分配器將焊錫等涂覆在規(guī)定 區(qū)域的所謂分配法(涂覆法)等形成。另外，側(cè)壁電極13也可以金或銅、 鎳為材料，其材料并沒有特別的限定。
接著，沿切割線DL切斷，分割成各個半導(dǎo)體裝置20。另外，作為分 割為各個半導(dǎo)體裝置20的方法，有切割法、蝕刻法、激光切斷法等方法。 支承體7雖然可保持貼合在半導(dǎo)體基板2的狀態(tài)，但也可在切割工序前后 將其從半導(dǎo)體基板2剝離。
圖10是從半導(dǎo)體裝置20的背面?zhèn)?未形成支承體7的一側(cè))觀察的 平面圖的概略圖。這樣，半導(dǎo)體裝置20中，側(cè)壁電極13沿外周存在于多 個位置。另外，圖9中的半導(dǎo)體裝置20對應(yīng)圖IO的沿Z-Z線的剖面圖。
在本實施例中，不是象現(xiàn)有結(jié)構(gòu)(參照圖14)在半導(dǎo)體基板的背面上 形成球狀導(dǎo)電端子，而是沿半導(dǎo)體基板的側(cè)面形成側(cè)壁電極13。因此，與 現(xiàn)有結(jié)構(gòu)相比，可謀求半導(dǎo)體裝置的薄型化。
另外，沿半導(dǎo)體基板2的側(cè)面形成配線層10，該配線層10被側(cè)壁電極 13覆蓋。因此，側(cè)壁電極13可防止腐蝕物質(zhì)向配線層10的浸入，與現(xiàn)有 結(jié)構(gòu)相比可抑制配線層10的腐蝕。另外，通過覆蓋配線層10的電極連接 層ll,也可防止腐蝕物質(zhì)向配線層10的浸入。 '
但是，假設(shè)在半導(dǎo)體基板2的背面配線材料(例如鋁)寬廣地形成， 則存在從支承體7側(cè)入射的特定波長的光(例如紅外線)透過半導(dǎo)體基板2, 通過配線材料反射到器件元件1側(cè)的情況。當器件元件1為受光元件時， 這一情況是導(dǎo)致在輸出圖形上映入配線圖案的原因。
但，在本實施例中,可避開該問題。在現(xiàn)有結(jié)構(gòu)中，為了形成球狀導(dǎo) 電端子109，有必要使一定長度的配線層在半導(dǎo)體基板的背面延伸。與此相 對，在本實施例中，通過形成側(cè)壁電極13,與現(xiàn)有結(jié)構(gòu)相比可縮短半導(dǎo)體 基板2背面上的配線層10的長度。
另外，因可以消除上述配線圖案映入的問題，所以可擴大占據(jù)半導(dǎo)體 基板2平面面積的器件先件1的面積。因而，例如可擴大受光區(qū)域或發(fā)光 區(qū)域，具有可制造更加小型化的高性能半導(dǎo)體裝置的優(yōu)點。
接著，說明將半導(dǎo)體裝置20安裝到電路基板(組件基板)時的例子。 另外，在以下說明中，以器件元件l是CCD型或CMOS型圖像傳感器等受 光元件，半導(dǎo)體裝置2作為攝像組件的攝像裝置使用的場合進行說明。
例如，如圖11所示，側(cè)壁電極13直接與如印刷基板的電路基板30的
外部電極31連接。另外，雖然未圖示，但側(cè)壁電極13和其它裝置的電極 也可經(jīng)由接合線或配線等導(dǎo)電性物質(zhì)間接連接。
另夕卜，如圖ll所示，電路基板30中的與器件元件1的受光區(qū)域重疊的 位置、且與側(cè)壁電極13不重疊的位置，也可形成吸收特定波長的光的層(例 如，紅外線吸收層32 )。'紅外線吸收層32例如由添加黑色顏料等紅外線吸 收材料的樹脂層構(gòu)成。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，可防止從支承體7側(cè)入射并透過半導(dǎo) 體裝置2的紅外線通過電路基板30的表面反射到器件元件1側(cè)。
或者，也可代替圖11中的紅外線吸收層32,在該位置形成反射層33。 反射層33是使從支承體7經(jīng)由半導(dǎo)體基板2向其背面方向入射的特定波長 的光(例如紅外線)進一步透過到前端，具有反射到器件元件1側(cè)的功能 的層。反射層33例如含有鋁或銅等金屬材料，通過'CVD法或濺射法等成 膜法形成。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，從支承體7側(cè)入射并透過半導(dǎo)體基板2到達反射 層33的光反射到器件元件1側(cè)。因此，可使相對器件元件1的光強度上升， 并提高輸出圖像的對比度。
另外，也可如圖12所示將半導(dǎo)體裝置20安裝到電路基板。如圖12所 示，電路基板35上形成有凹部36，以將凸部(半導(dǎo)體裝置20的半導(dǎo)體基 板2 —側(cè))埋入到該凹部36的方式載置半導(dǎo)體裝置20。凹部36的形成， 例如通過由激光照射的蝕刻或由鉆頭的切削等進行。在電路基板35的凹部 36的臺階處增高的表面上形成有外部電極37。
接著，側(cè)壁電極13的與支承體7接近的部分和外部電極37直接接觸。 另夕卜，也可沿凹部36的側(cè)面設(shè)置外部電極38，將該外部電極38和側(cè)壁電 極13直接接觸。這樣，根據(jù)本實施例的半導(dǎo)體裝置，安裝到電路基板的方 法可以變更，從而提高設(shè)計的自由度。
另外，在現(xiàn)有結(jié)構(gòu)(參照圖14)中，將半導(dǎo)體裝置IIO安裝到電路基 板之后，難以將導(dǎo)電材料補充到導(dǎo)電端子109的形成部分。即，在構(gòu)成導(dǎo) 電端子109的導(dǎo)電材料不足的狀態(tài)下完成半導(dǎo)體裝置，此后將其安裝到電 路基板之后時，產(chǎn)生接觸不良的問題，難以消除該問題。與此相對，在本 實施例中，側(cè)壁電極13沿半導(dǎo)體基板2的側(cè)面形成。因此，安裝到電路基 板后，例如從圖12的半導(dǎo)體裝置20和電路基板35之間如箭頭40所示補 充側(cè)壁電極13的材料(例如焊錫)，從而可以在事后消除接觸不良的問題。
另外，本發(fā)明并不限于上述實施例，不言而喻，在不脫離其要旨的范圍內(nèi)可進行各種設(shè)計變更。例如，如圖13所示，在形成配線層10的工序
中，也可形成為配線層10不在半導(dǎo)體基板2的背面的一部分上延伸。另夕卜， 同樣如該圖所示，關(guān)于電極連接層11也可形成為不在半導(dǎo)體基板2的背面 的一部分上延伸。這樣通過構(gòu)圖配線層IO和電極連接層11，可抑制側(cè)壁電 極13從半導(dǎo)體基板2的背面?zhèn)韧怀?，從而可謀求半導(dǎo)體裝置的進一步薄型 化。另外，此時的側(cè)壁電極13優(yōu)選為通過分配法形成。
另外，作為抑制側(cè)壁電極13從半導(dǎo)體基板2的背面?zhèn)韧怀龅钠渌鼘嵤?例，如圖7所示，也可為形成在半導(dǎo)體基板2背面的一部分上延伸的配線 層IO及電極連接層11之后，如圖13所示，形成覆蓋電極連接層ll，并且 覆蓋半導(dǎo)體基板2背面?zhèn)鹊谋Ｗo層12，此后，在未被保護層12覆蓋的電極 連接層11上形成側(cè)壁電極13。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有半導(dǎo)體基板，其表面形成有器件元件；焊盤電極，其與所述器件元件電連接；絕緣膜，其覆蓋所述基板半導(dǎo)體基板的側(cè)面及背面；配線層，其與所述焊盤電極電連接，并沿所述半導(dǎo)體基板的側(cè)面形成；側(cè)壁電極，其從所述半導(dǎo)體基板的側(cè)面?zhèn)认蛲獠柯冻?，沿所述半?dǎo)體基板的側(cè)面形成，且經(jīng)由所述配線層與所述焊盤電極電連接；保護層，其包圍所述側(cè)壁電極，并且，覆蓋所述半導(dǎo)體基板的背面?zhèn)?，在與所述側(cè)壁電極重疊的區(qū)域具有開口。
2. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在所述側(cè)壁電極和 所述配線層之間，具有覆蓋所述配線層、并且電連接所述側(cè)壁電極和所述 配線層之間的電極連接層。 '
3. 如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在所述半導(dǎo)體 基板的表面上具有支承體。
4. 如權(quán)利要求1-3中任一項所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述配 線層延伸到所述半導(dǎo)體基板背面的一部分上。
5. —種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，具有 準備半導(dǎo)體基板，該半導(dǎo)體基板表面上形成有器件元件及與所述器件元件電連接的焊盤電極，從所述半導(dǎo)體基板的背面?zhèn)瘸ニ霭雽?dǎo)體基板 的一部分并使所述焊盤電極的至少一部分露出的工序；經(jīng)由絕緣膜在所述半導(dǎo)體基板側(cè)面形成與所述露出的焊盤電極電連接 的配線層的工序；形成保護層的工序，該保護層覆蓋所述半導(dǎo)體裝置的背面?zhèn)?，并在?cè) 壁電極形成區(qū)域具有開口部；在所述保護層開口的區(qū)域沿所述半導(dǎo)體基板的側(cè)面形成側(cè)壁電極的工 序，所述側(cè)壁電極從所述半導(dǎo)體基板的側(cè)面?zhèn)认蛲獠柯冻觯⒔?jīng)由所述配 線層與所述焊盤電極電連接。
6. 如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在形成 所述配線層的工序之后，具有形成覆蓋所述配線層、并且電連接所述側(cè)壁 電極和所述配線層之間的電極連接層的工序。
7. 如權(quán)利要求5或6所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，具 有使支承體貼合在所述半導(dǎo)體基板表面上的工序。
8. 如權(quán)利要求5 ~ 7中任一項所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在 于，在形成所述配線層的工序，所述配線層以在所述半導(dǎo)體基板背面的一 部分上延伸的方式形成。,
全文摘要
本發(fā)明的目的在于提供一種可靠性高，且可實現(xiàn)更加小型化裝置的封裝型半導(dǎo)體裝置及其制造方法。首先，準備半導(dǎo)體基板(2)，該半導(dǎo)體基板(2)的表面上形成有器件元件(1)和焊盤電極(4)。接著，從半導(dǎo)體基板(2)的背面?zhèn)扔羞x擇地進行蝕刻，形成開口部(8)。然后，形成覆蓋半導(dǎo)體基板(2)的側(cè)面及背面的第二絕緣膜(9)。接著，有選擇地除去開口部(8)底部的第一及第二絕緣膜(3、9)，使焊盤電極(4)部分露出。然后，沿半導(dǎo)體基板(2)的側(cè)面形成與露出的焊盤電極(4)電連接的配線層(10)。接著，形成覆蓋配線層(10)的電極連接層(11)。然后，形成覆蓋半導(dǎo)體基板(2)的背面?zhèn)?、并在?cè)壁電極形成區(qū)域具有開口部的保護層(12)。最后，在保護層(12)的開口露出的區(qū)域形成側(cè)壁電極(13)。
文檔編號H01L23/485GK101170090SQ20071016688
公開日2008年4月30日 申請日期2007年10月23日 優(yōu)先權(quán)日2006年10月23日
發(fā)明者岡田和央, 北川勝彥, 大久保登, 山田纮士, 森田佑一, 石部真三, 窱木裕之, 野間崇 申請人:三洋電機株式會社;三洋半導(dǎo)體株式會社