專利名稱：可減少離子植入陰影效應(yīng)的淺摻雜漏極版圖邏輯運算方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導體制造的一種可減少傾角離子植入陰影效應(yīng)的淺摻雜漏 極版圖邏輯運算方法。
背景技術(shù)：
LDD(lightly doped drain淺摻雜漏極)是通過版圖邏輯運算產(chǎn)生的。進 行LDD和Halo (暈環(huán))(又稱Pocket)兩道離子才直入，部分LDD和絕大多數(shù) Halo離子植入時并非垂直，而是傾斜一定角度，這就有可能受晶片上臨近掩 蔽層的光阻影響，從而產(chǎn)生陰影效應(yīng)(如圖1)。 一般來說，版圖邏輯運算產(chǎn) 生的LDD沿著重注入層(Plus implant layer)的邊界(如圖2)，這使得在 一些特殊版圖中需要更加嚴格的重注入層版圖設(shè)計規(guī)則，如圖3中引入tnl 和m2最小尺寸的限制，用于拉開臨近掩蔽層光阻到器件溝道的距離，減少傾 角離子植入陰影效應(yīng)(例如在有些0. 15微米邏輯制程中，規(guī)定ml和m2的最 小尺寸為0. 4微米)。而且在制程中，也需要盡量減薄LDD的光阻(PR)厚 度，控制CD(critical dimension關(guān)鍵性尺寸)和al ignment overlay (疊力口 對準)的精度。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供的一種可減少傾角離子才"陰影效應(yīng)的淺摻雜漏極版圖邏輯 運算方法，在減小了陰影效應(yīng)的同時，緊縮了版圖面積，保證了工藝質(zhì)量， 同時提高了集成度。為了達到上述目的，本發(fā)明提供了一種可減少離子植入陰影效應(yīng)的淺摻 雜漏極版圖邏輯運算方法，包含以下步驟步驟1、確定柵極與有源區(qū)UCT)交迭的金屬氧化物半導體(M0S)管 的溝道區(qū)域； 步驟2、將步驟1確定的區(qū)域每邊漲大a，其中a可以才艮據(jù)具體的制程能 力進行調(diào)整；步驟3、在步驟2確定的區(qū)域內(nèi)，進行離子植入，生成LDD。 利用本發(fā)明提供的版圖邏輯運算，版圖設(shè)計時ml和m2最小尺寸不再直 接受到制程能力的限制，唯一和制程直接關(guān)聯(lián)的參數(shù)變?yōu)閍，這可以緊縮版 圖面積。 一般情況下ml和m2小于a,這意味著通過本發(fā)明提供的版圖邏輯 運算產(chǎn)生的N型或者P型LDD層(NLDD/PLDD layer )會有一部分覆蓋相鄰的 P+/N+重摻雜區(qū)(Plus)，由于在一般邏輯制程中LDD無論從濃度還是深度都 遠不如重摻雜區(qū)(Plus )，所以對重摻雜區(qū)不會產(chǎn)生任何影響。而LDD/Halo離 子注入只有緊鄰M0S管溝道的部分才會對M0S管特性產(chǎn)生影響，故而相比于 傳統(tǒng)LDD版圖邏輯運算來說，本邏輯運算減少的離子植入?yún)^(qū)域?qū)OS管特性 不會產(chǎn)生任何作用。


圖l是背景技術(shù)中傾角離子植入陰影效應(yīng)的示意圖； 圖2是背景技術(shù)中傳統(tǒng)版圖邏輯運算產(chǎn)生的LDD的區(qū)域邊界示意圖； 圖3是背景技術(shù)中與陰影效應(yīng)相關(guān)的版圖設(shè)計規(guī)則； 圖4是本發(fā)明提供的一種可減少傾角離子植入陰影效應(yīng)的淺摻雜漏極版 圖邏輯運算方法產(chǎn)生的LDD的區(qū)域示意圖。
具體實施方式
以下根據(jù)圖4具體說明本發(fā)明的較佳實施方式如圖4所示，本發(fā)明提供了一種可減少傾角離子植入陰影效應(yīng)的淺摻雜 漏極版圖邏輯運算方法，包含以下步驟步驟1、確定柵極與有緣區(qū)交迭的金屬氧化物半導體(MOS)管的溝道區(qū)域；步驟2、將步驟1確定的區(qū)域每邊漲大a,在有些0. 15微米邏輯制程中， 可選擇a值的范圍為0. 3-0. 5um; '步驟3、在步驟2確定的區(qū)域內(nèi)，進行離子植入，生成LDD。
利用本發(fā)明提供的邏輯制程，版圖設(shè)計時ml和m2最小尺寸不再直接受 到制程能力的限制，可以適當降低要求從而緊縮版圖面積。唯一和制程直接 關(guān)聯(lián)的參數(shù)變?yōu)閍，(如在0.15微米制程中，受制程能力限制，ml和m2最小 尺寸為0. 4微米。但是應(yīng)用了這種新型的版圖邏輯運算后，ml和m2可以下 降到0. 25微米，只需將a設(shè)定為0. 4微米即可)一般情況下ml和m2小于a， 這意味著通過本發(fā)明提供的版圖邏輯運算產(chǎn)生的N型或者P型LDD層 (NLDD/PLDD layer )會有一部分覆蓋相鄰的？+^+重摻雜區(qū)(Plus),由于 在一般邏輯制程中LDD無論從濃度還是深度都遠不如重摻雜區(qū)(Plus )，所以 對重摻雜區(qū)不會產(chǎn)生任何影響。而LDD/Halo離子注入只有緊鄰M0S管溝道 的部分才會對MOS管特性產(chǎn)生影響，故而相比于傳統(tǒng)LDD版圖邏輯運算來說， 本邏輯運算減少的離子植入?yún)^(qū)域?qū)OS管特性不會產(chǎn)生任何作用。
權(quán)利要求
1.一種可減少離子植入陰影效應(yīng)的淺摻雜漏極版圖邏輯運算方法，其特征在于，包含以下步驟步驟1、確定柵極與有源區(qū)交迭的金屬氧化物半導體管的溝道區(qū)域；步驟2、將步驟1確定的區(qū)域每邊漲大a，其中a可以根據(jù)具體的制程能力進行調(diào)整；步驟3、在步驟2確定的區(qū)域內(nèi)，進行離子植入，生成淺摻雜漏極。
2. 如權(quán)利要求1所述的可減少離子植入陰影效應(yīng)的淺摻雜漏極版圖邏輯運 算方法，其特征在于，在邏輯制程中，所述的步驟2中的a的取值范圍為 0. 3-0. 5um。
全文摘要
一種可減少離子植入陰影效應(yīng)的淺摻雜漏極版圖邏輯運算方法，首先確定柵極與有源區(qū)交迭的金屬氧化物半導體管的溝道區(qū)域，然后將確定的區(qū)域每邊漲大a，在最后確定的區(qū)域內(nèi)，進行離子植入，生成淺摻雜漏極。本發(fā)明提供的一種可減少傾角離子植入陰影效應(yīng)的淺摻雜漏極版圖邏輯運算方法，在減小了陰影效應(yīng)的同時，緊縮了版圖面積，保證了工藝質(zhì)量，同時提高了集成度。
文檔編號H01L21/02GK101211765SQ20071017273
公開日2008年7月2日 申請日期2007年12月21日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月21日
發(fā)明者軍 何, 黃圣楊 申請人:上海宏力半導體制造有限公司