技術(shù)編號(hào)：7236690
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造的一種可減少傾角離子植入陰影效應(yīng)的淺摻雜漏 極版圖邏輯運(yùn)算方法。背景技術(shù)LDD(lightly doped drain淺摻雜漏極)是通過(guò)版圖邏輯運(yùn)算產(chǎn)生的。進(jìn) 行LDD和Halo (暈環(huán))(又稱Pocket)兩道離子才直入，部分LDD和絕大多數(shù) Halo離子植入時(shí)并非垂直，而是傾斜一定角度，這就有可能受晶片上臨近掩 蔽層的光阻影響，從而產(chǎn)生陰影效應(yīng)(如圖1)。 一般來(lái)說(shuō)，版圖邏輯運(yùn)算產(chǎn) 生的LDD沿著重注入層(Plus implant ...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。