專利名稱：：半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置及其制造方法，尤其涉及包含銅布線的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
：在現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置中，作為布線材料采用鋁。近年來(lái)，逐漸用電阻率低且廉價(jià)的銅取代鋁作為布線材料。但是，如果在含氧的氣氛中對(duì)Cu布線熱處理，其表面進(jìn)行氧化，結(jié)果使布線的電阻大大增加。圖1A~1C是示意性地分別展示現(xiàn)有技術(shù)中的多層布線的形成工藝的一例的剖面圖。圖1A中，在半導(dǎo)體基板2上形成第一層間絕緣膜13，第一銅布線14埋入第一層間絕緣膜13。"銅布線14"是以Cu為主要成分的布線，例如在其側(cè)壁和底面上形成有含Ta、TaN、Ti、TiN等的單層或多層。該工藝首先，如圖1A所示，在第一層間絕緣膜13和第一銅布線14上形成層間絕緣膜23作為連續(xù)膜，在層間絕緣膜23上形成光刻膠圖案5。此時(shí)，"層間絕緣膜23"具有單層或多層結(jié)構(gòu)，含有氮化硅膜(下面稱"SiN膜)、氧化硅膜、有機(jī)硅氧化膜、和有機(jī)絕緣膜等。然后，如圖1B所示，以光刻膠圖案5為掩模進(jìn)行反應(yīng)性離子蝕刻(下面稱"RIE)，由此在層間絕緣膜23上形成第二銅布線用的溝。另外，為了引線接觸，使在層間絕緣膜23上設(shè)計(jì)的溝的底面的一部分上露出第一銅布線14。然后，通過(guò)在含氧氣氛中進(jìn)行灰化處理去除光刻膠圖案5。這時(shí)，第一銅布線14的露出部分因暴露在高溫的氧中被氧化，結(jié)果如圖1C所示，形成Cu20等構(gòu)成的氧化膜14a。由于Cu氧化變成Cu20，膨脹到原來(lái)的堆積層的1.65倍。因此，如圖1C所示地形成氧化膜14a的情況下，容易在其周圍形成裂紋。類似的問(wèn)題在銅用作焊盤之類的電極材料時(shí)，也同樣地會(huì)發(fā)生。圖2A和2B是分別示意性地展示現(xiàn)有技術(shù)的鍵合工藝的一例的剖面圖。圖2A中，在半導(dǎo)體基板2上形成層間絕緣膜13，在層間絕緣膜13中埋入銅制的焊盤4。在層間絕緣膜13上依次層積SiN膜6和層間絕緣膜23。圖2A所示的金線到焊盤4上的引線鍵合通常在對(duì)半導(dǎo)體基板2高溫加熱的狀態(tài)下和大氣中進(jìn)行。因此，焊盤4的表面因暴露在高溫的氧中而氧化，結(jié)果如圖2B所示，形成Cu20等構(gòu)成的氧化膜4a。從而在焊盤4的周圍產(chǎn)生裂紋，發(fā)生剝離。作為防止出現(xiàn)結(jié)合圖1A~1C、2A和2B說(shuō)明的裂紋的工藝，已知有圖3A3F、4A4C所示的工藝。圖3A~3F是分別示意性地展示現(xiàn)有技術(shù)的多層布線的形成工藝的另一例子。該工藝首先如圖13A所示地形成銅布線14后，如圖3B所示，形成SiN膜16、層間絕緣膜23和光刻膠圖案5。之后如圖3C所示，以光刻膠圖案5為掩模用RIE在層間絕緣膜23上形成溝。在該蝕刻時(shí)，SiN膜16起到蝕刻停止膜的作用。然后，在含氧ll的氣氛中進(jìn)行灰化處理，由此除去光刻膠圖案5。然后，如圖3E所示，用蝕刻除去SiN膜16的位于溝內(nèi)的部分，如圖3F所示用銅填埋溝得到銅布線24。根據(jù)該工藝，在灰化時(shí)，由于在層間絕緣膜23上設(shè)置的溝內(nèi)用SiN膜16覆蓋銅布線14，銅布線14沒(méi)有氧化。因此，可以防止裂紋的產(chǎn)生。圖4A~4C分別示意地展示現(xiàn)有技術(shù)中的鍵合工藝的另一例的剖面圖。在該工藝中，首先如圖4A所示，在半導(dǎo)體基板2上形成層間絕緣膜13、銅制的焊盤4、SiN膜6和絕緣膜23。然后，如圖4B所示，用鋁電極7覆蓋在SiN膜6和絕緣膜23上設(shè)置的溝的側(cè)壁和底面。然后，把Au引線8鍵合到該鋁電極7上。在該工藝中，由于在溝內(nèi)用鋁電極7覆蓋焊盤4，在鍵合Au引線8時(shí)焊盤不被氧化。如上所述，在結(jié)合圖1A1C、2A和2B說(shuō)明的工藝中銅布線14和銅焊盤4的表面氧化。另一方面，在結(jié)合圖3A3F、和4A4C說(shuō)明的工藝中可以防止銅布線14和銅焊盤4的表面氧化，但是形成SiN膜16的工序和蝕刻工序或形成鋁電極7的工序成為不可缺少的。伴隨著銅布線或銅焊盤的氧化還會(huì)出現(xiàn)其它的問(wèn)題。例如，銅布線和層間絕緣膜之間出現(xiàn)電位差，氧化銅離子化容易向絕緣膜中擴(kuò)散。這種擴(kuò)散也會(huì)增加布線電阻和布線間的電容。另外，在埋有銅布線的層間絕緣膜的表面上，一般地用化學(xué)汽相淀積(以下稱"CVD，，)法形成SiN膜或SiCH膜等作為擴(kuò)散防止膜。這些SiN膜或SiCH膜和氧化銅層之間很難以良好的狀態(tài)維持密合性。通過(guò)例如，用以NHs氣或H2氣為原料的等離子體對(duì)銅布線表面進(jìn)行處理，可以抑制與銅布線的氧化相關(guān)的問(wèn)題。但是，這種等離子體處理，會(huì)出現(xiàn)下面說(shuō)明的問(wèn)題。在現(xiàn)有的具有多層布線結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置中，層間絕緣膜一般采用介電率K為4.1左右的氧化硅膜。最近，正在研究作為層間絕緣膜使用介電率小于3.0的有機(jī)硅膜或有機(jī)膜、作為布線材料使用銅的多層布線結(jié)構(gòu)的實(shí)用化。用這種結(jié)構(gòu)可以同時(shí)降低布線電阻值和布線間的電容。但是，在對(duì)有機(jī)硅膜或有機(jī)膜實(shí)施上述等離子體處理時(shí)，從其表面區(qū)域奪走有機(jī)成分，表面區(qū)域成為脆弱的變質(zhì)層。該變質(zhì)層與層間絕緣膜和擴(kuò)散膜之間的密合性低，在后面的熱處理工序中發(fā)生擴(kuò)散防止膜從層間絕緣膜上剝離。而且該變質(zhì)層容易吸附水分。一般地，吸收水分的絕緣膜的介電率有增加的傾向，若形成變質(zhì)層會(huì)損害降低布線間電容的效果。而且，吸收水分的絕緣膜在熱處理工序中產(chǎn)生氣體，所以助長(zhǎng)擴(kuò)散防止膜的剝離。而且，在用涂敷法形成擴(kuò)散防止膜的場(chǎng)合，難以在真空中連續(xù)地進(jìn)行上述等離子體處理和形成擴(kuò)散防止膜。因此，即使銅布線表面因等離子體處理而還原，以后也會(huì)再次氧化。如果在銅布線的表面形成氧化膜，由于其表面電阻增加布線電阻增加，而且布線間電容也增加。
發(fā)明內(nèi)容根據(jù)本發(fā)明第一方面，提供一種半導(dǎo)體裝置，具有半導(dǎo)體基板和在該半導(dǎo)體基板上的導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層含有銅，所述導(dǎo)電層的表面區(qū)域具有C-H鍵和C-C鍵中的至少一種，所述表面區(qū)域中的形成C-H鍵的C原子和形成C-C鍵的C原子的總量占所述表面區(qū)域中的元素總量的30%以上。根據(jù)本發(fā)明第二方面，提供一種半導(dǎo)體裝置，具有半導(dǎo)體基板和在半導(dǎo)體基板上的導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層含有銅，在所述導(dǎo)電層的表面提供含有碳的粒子。根據(jù)本發(fā)明第三方面，提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括下列步驟在半導(dǎo)體基板上形成含有銅的第一導(dǎo)電層；向所述第一導(dǎo)電層的表面提供含有碳的物質(zhì)；以及在殘留有基于所述含有碳的物質(zhì)導(dǎo)入的碳的所述第一導(dǎo)電層的表面上形成第二導(dǎo)電層，所述第一和第二導(dǎo)電層在上述殘留有碳的表面上相互接觸。根據(jù)本發(fā)明第四方面，提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括下列步驟在含有碳的第一絕緣層上形成導(dǎo)電層，所述絕緣層設(shè)在半導(dǎo)體基板上；對(duì)所述導(dǎo)電層和所述絕緣層的露出面進(jìn)行含碳的等離子體處理；以及在所述處理后在所述導(dǎo)電層和所述第一絕緣層上形成第二絕緣層。圖1A1C是分別示意性地展示現(xiàn)有技術(shù)的多層布線的形成工藝的一例的剖面圖；圖2A和2B是分別示意性地展示現(xiàn)有技術(shù)的鍵合工藝的一例的剖面圖；圖3A~3F是分別示意性地展示現(xiàn)有技術(shù)的多層布線的形成工藝的另一例的剖面圖；圖4A~4C是分別示意性地展示現(xiàn)有技術(shù)的鍵合工藝的另一例的剖面圖；圖5A和5B是分別示意性地展示根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方案的半導(dǎo)體裝置的制造工藝中可利用的處理的剖面圖；圖6是展示對(duì)圖5A和5B所示的結(jié)構(gòu)進(jìn)行氧化處理時(shí)形成的氧化膜的厚度的圖；圖7A~7C是分別示意性地展示根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方案的半導(dǎo)體裝置的制造工藝的剖面圖；圖8A8E是分別示意性地展示根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施方案的半導(dǎo)體裝置的制造工藝的剖面圖；圖9是示意性地展示根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施方案的半導(dǎo)體裝置的制造工藝的剖面圖；圖10A和10B是展示對(duì)如圖9所示照射激光束后的焊盤表面用XPS測(cè)定后得到的Cls和Cu2p3波鐠的圖；圖11A和11B是展示對(duì)照射激光束后的焊盤表面用XPS測(cè)定后得到的Cls和Cu2p3波鐠的圖；圖12是展示對(duì)圖9所示的結(jié)構(gòu)進(jìn)行氧化處理時(shí)形成的氧化膜的厚度的圖；圖13A和13B是示意性地展示如圖9所示照射激光束前后的布線的剖面圖；圖14A~14C是分別示意性地展示根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施方案的半導(dǎo)體裝置的制造工藝的剖面圖；圖15A15G是分別示意性地展示根據(jù)本發(fā)明的第六實(shí)施方案的半導(dǎo)體裝置的制造工藝的剖面圖16A~16C是分別示意性地展示根據(jù)本發(fā)明的第七實(shí)施方案的半導(dǎo)體裝置的制造工藝的剖面圖；具體實(shí)施方式下面，結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的各實(shí)施方案進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。另外，各圖中同樣的部件采用同一標(biāo)號(hào)，并省略重復(fù)說(shuō)明。圖5A和5B是分別示意性地展示在根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方案中可利用的處理的剖面圖。在圖5A和5B中，在表面上設(shè)置有晶體管的半導(dǎo)體基板2上形成第一層間絕緣膜13。在第一層間絕緣膜13上設(shè)置溝，向該溝內(nèi)埋入銅制的布線14。并在第一層間絕緣膜13和布線14上依次層疊分別設(shè)有開(kāi)口的SiN膜16和第二層間絕緣膜23。在圖5A所示的結(jié)構(gòu)中，布線14的一部分從SiN膜16和第二層間絕緣膜23上設(shè)置的開(kāi)口內(nèi)露出。因此，在含氧氣氛中對(duì)圖5A所示的結(jié)構(gòu)進(jìn)行熱處理時(shí)，布線14的露出部分被氧化。針對(duì)這一點(diǎn)，在本方案中先進(jìn)行上述熱處理，然后如圖5B所示，用含碳的等離子體IO對(duì)布線14的露出部分進(jìn)行表面處理。由此，可以防止因此后的熱處理使布線14的表面氧化。因此，用本實(shí)施方案，可以防止裂紋和剝離的發(fā)生且簡(jiǎn)化制造工藝。下面，說(shuō)明上述的等離子體處理的一例。通過(guò)向反應(yīng)室內(nèi)供給的原料氣體采用含CO的氣體的RIE產(chǎn)生等離子體IO，用該等離子體IO對(duì)布線14的露出部分表面處理。向反應(yīng)室內(nèi)供給的原料氣體的流量為350sccm,反應(yīng)室內(nèi)的CO分壓為50毫乇。等離子體功率為400W，采用等離子體10的表面處理，即等離子體處理進(jìn)行10秒。在該等離子體處理之后，用X射線電子光譜(以下稱XPS)對(duì)布線14的表面進(jìn)行成分分析。結(jié)果如下表所示。<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>在上述表中，"CuC03"表示在布線14的表面區(qū)域中，形成CuCo3的碳原子相對(duì)于全部原子的濃度。"C-H鍵/C-C鍵"表示在布線14的表面區(qū)域中，形成C-H鍵的C原子和形成C-C鍵的C原子的總量相對(duì)于全部原子的濃度。而"共計(jì)"表示在布線14的表面區(qū)域中，碳原子相對(duì)于全部原子的濃度。從上表明顯可以看出，與未進(jìn)行等離子體處理的場(chǎng)合相比，在進(jìn)行了等離子體處理的場(chǎng)合表面區(qū)域中的碳原子濃度要高得多。這個(gè)結(jié)果表明，通過(guò)等離子體處理可向布線14的表面區(qū)域?qū)胩荚踊蚝荚拥奈镔|(zhì)。另外，即使在不進(jìn)行等離子體處理的場(chǎng)合("未處理")，布線14的表面區(qū)域也含有碳原子。這是因?yàn)椴季€14的表面區(qū)域被大氣中存在的含碳元素的物質(zhì)污染的緣故。另外，從上表可以明顯看出，與不進(jìn)行等離子體處理的場(chǎng)合相比，濃度"CuC03"大幅度降低，濃度"C-H鍵/C-C鍵，，大幅度增加。另外，在每種場(chǎng)合中都從布線14的表面區(qū)域檢測(cè)出碳化銅。然后，在大氣中200。C溫度下對(duì)等離子體處理后的布線"進(jìn)行熱處理，調(diào)查熱處理時(shí)間與在布線14表面形成的氧化膜厚度的關(guān)系。另外，同樣地，在大氣中200。C溫度下對(duì)等離子體處理前的布線14進(jìn)行熱處理，調(diào)查熱處理時(shí)間與在布線14表面形成的氧化膜厚度的關(guān)系。圖6示出對(duì)圖5A和5B所示的結(jié)構(gòu)進(jìn)行氧化處理時(shí)形成的氧化膜的厚度。圖中，橫軸是熱處理時(shí)間，縱軸是氧化膜的厚度。另外，圖中的曲線31示出進(jìn)行等離子體處理時(shí)得到的數(shù)據(jù)，曲線32是不進(jìn)行等離子體處理時(shí)得到的數(shù)據(jù)。從圖6可以明顯地看出，不進(jìn)行等離子體處理時(shí)，在熱處理的開(kāi)始和同時(shí)，開(kāi)始形成氧化膜。相反地，在進(jìn)行等離子體處理時(shí)，直到熱處理開(kāi)始后20分鐘，還幾乎未形成氧化膜。即，如果是20分鐘以內(nèi)的熱處理，通過(guò)進(jìn)行等離子體處理可以防止氧化膜的形成。例如，可如下所述地說(shuō)明得到的上述結(jié)果。在例如20(TC的熱處理溫度下，CO和CO;j的吉布斯自由能比CU20的低。即，氧與碳結(jié)合比與銅結(jié)合更穩(wěn)定。另外，與CuC03相比，C-H鍵和C-C鍵與氧的反應(yīng)性更強(qiáng)。如上所述，通過(guò)進(jìn)行等離子體熱處理，可以大幅度提高布線14的表面區(qū)域中的"C-H鍵/C-C鍵"濃度。因此，進(jìn)行了等離子體處理的情況下，在含氧的氣氛中熱處理時(shí)，在布線14的表面區(qū)域C-H鍵和C-C鍵優(yōu)先與氧反應(yīng)，結(jié)果抑制了銅的氧化。因C-H鍵或C-C鍵與氧反應(yīng)生成的CO和C02在上述溫度下是氣體，從布線14表面迅速放到氣氛中。因此，根據(jù)本實(shí)施方案，伴隨著含氧氣氛中的熱處理，布線14的表面區(qū)域中的碳原子濃度低。因此，若采用本實(shí)施方案，通過(guò)適當(dāng)?shù)卦O(shè)定等離子體處理?xiàng)l件或上述熱處理?xiàng)l件等，在上述熱處理時(shí)可以消耗掉在布線14的表面區(qū)域中引入的C-H鍵或C-C鍵中的多數(shù)。即，若采用本實(shí)施方案，上述熱處理后可以把布線14表面區(qū)域中的碳原子濃度抑制到十分低，而且，不會(huì)妨礙第一布線14和在其上形成的第二布線(圖中未示出)之間的引線接觸。若用Ar濺射和XPS對(duì)實(shí)施等離子體處理的布線14的表面進(jìn)行成分分析，結(jié)果表明在布線14的從表面到10A的區(qū)域內(nèi)檢測(cè)不出C-H鍵和C-C鍵。而且在該表面區(qū)域內(nèi)不僅有C-H鍵和C-C鍵，還有銅。因此，若釆用本實(shí)施方案，即使例如，在上述熱處理后在布線14的表面區(qū)域中殘留有C-H鍵或C-C鍵，也不會(huì)妨害第一布線14和在其上形成的第二布線(圖中未示出)之間的引線接觸。在本實(shí)施方案中，上述抑制銅的氧化的效果，通常在"C-H鍵/C-C鍵"為30原子％以上時(shí)可以得到。另外，優(yōu)選地，該"C-H鍵/C-C鍵，，濃度在布線14的表面區(qū)域的銅原子的濃度以上。另一方面，在布線14的表面區(qū)域，"C-H鍵/C-C鍵"濃度優(yōu)選地為銅原子濃度的IO倍以下。此時(shí)，一般地可以把上述熱處理后的布線14的表面區(qū)域中的碳原子濃度抑制到十分低，而且，不會(huì)妨害第一布線14和在其上形成的第二布線之間的引線接觸。除了C-H鍵和C-C鍵以外，布線14的表面區(qū)域還含有其它形態(tài)的C原子。該表面區(qū)域可以含有例如，碳酸銅或碳酸銅之類的含有碳但又不含C-H鍵或C-C鍵的化合物。"C-H鍵/C-C鍵"濃度與"共計(jì)"濃度的比值，優(yōu)選為0.7以上，更優(yōu)選為0.8以上，最優(yōu)選為0.85以上。如上所述，與C-H鍵和/或C-C鍵相比，CuC03之類的沒(méi)有C-H鍵和/或C-H鍵的化合物與氧的反應(yīng)性差。因此，在"C-H鍵/C-C鍵"濃度與"共計(jì)"濃度的比設(shè)定為如上所述時(shí)，抑制銅的氧化的效果比較顯著。另外，上述等離子體處理或第四實(shí)施方案中說(shuō)明的激光束照射后，通常，"C-H鍵/C-C鍵"濃度與"CuC03"濃度的比為2倍以上。下面，說(shuō)明本發(fā)明的第二實(shí)施方案。圖7A~7C是分別示意性地展示根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方案的半導(dǎo)體裝置的制造工藝的剖面圖。本實(shí)施方案的工藝，除了對(duì)焊盤進(jìn)行上述等離子體處理外，與第一實(shí)施方案的工藝基本相同。在圖7A所示的結(jié)構(gòu)中，在半導(dǎo)體基板2上形成層間絕緣膜13。在層間絕緣膜13上形成銅制的焊盤4，在層間絕緣膜13和焊盤4上形成絕緣膜23。在絕緣膜23上設(shè)置開(kāi)口，焊盤4的一部分從該開(kāi)口內(nèi)露出。在本實(shí)施方案中，如圖7B所示，對(duì)焊盤4的露出部分用第一實(shí)施方案中說(shuō)明的等離子體10處理。通過(guò)該處理，與第一實(shí)施方案中說(shuō)明的同樣地，向焊盤4的表面區(qū)域?qū)隒-H鍵和C-C鍵。因此，如圖7C所示，在大氣中把Au引線8鍵合到焊盤4時(shí)可抑制焊盤4的氧化?；蛘撸诤副P14上形成凸點(diǎn)時(shí)，用本實(shí)施方案通過(guò)等離子體處理可以防止焊盤4的氧化，所以無(wú)需用鋁電極等覆蓋焊盤4的露出部分。另夕卜，在本實(shí)施方案中，焊盤4的表面區(qū)域不僅含有C-H鍵或C-C鍵還含有銅，所以不會(huì)妨害金和銅的合金化。因此，若采用本實(shí)施方案，可以防止裂紋和剝離的發(fā)生，且可以簡(jiǎn)化制造工藝。下面，說(shuō)明本發(fā)明的第三實(shí)施方案。圖8A~8E是分別示意性地展示根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施方案的半導(dǎo)體裝置的制造工藝的剖面圖。本實(shí)施方案的工藝，除了在形成層間絕緣膜23之前進(jìn)行上述等離子體處理外，與第一實(shí)施方案的工藝基本相同。本實(shí)施方案的工藝中，首先，在表面上形成了晶體管等的半導(dǎo)體基板2上形成第一層間絕緣膜13。然后，在層間絕緣膜13上形成布線用的溝，用濺射法等向該溝填埋以銅為主要成分的層。并用化學(xué)機(jī)械拋光(下稱"CMF，)法除去銅層的位于溝外側(cè)的部分，形成布線14。然后，用第一實(shí)施方案說(shuō)明的等離子體10對(duì)布線14的表面進(jìn)行處理。通過(guò)該處理，與第一實(shí)施方案說(shuō)明的同樣地，向布線14的表面區(qū)域?qū)隒-H鍵或C-C鍵。由此得到圖8A所示的結(jié)構(gòu)。然后，在層間絕緣膜13和布線14上堆積第二層間絕緣膜23。然后如圖8B所示，在層間絕緣膜23上用光刻技術(shù)形成光刻膠圖案5。通過(guò)以該光刻膠圖案5作蝕刻掩模的RIE對(duì)層間絕緣膜23構(gòu)圖，得到圖8C所示的結(jié)構(gòu)。然后，如圖8D所示，通過(guò)在含氧ll的氣氛中灰化處理，除去光刻膠圖案5。在該灰化時(shí)，與第一實(shí)施方案說(shuō)明的同樣地，向布線14的表面區(qū)域中導(dǎo)入的C-H鍵和C-C鍵防止銅的氧化。然后，如圖8E所示，用濺射法等在設(shè)置在層間絕緣膜23上的溝的底面和側(cè)壁上形成阻擋金屬層27，用銅層填埋該溝。并用CMP法除去銅層的位于溝外側(cè)的部分，形成布線24。阻擋金屬層27具有防止銅從布線24向?qū)娱g絕緣膜23擴(kuò)散的作用。若采用本實(shí)施方案，可以得到與第一實(shí)施方案說(shuō)明的同樣的效果。另外，在本實(shí)施方案中，由于在形成層間絕緣膜23之前進(jìn)行等離子體處理，在圖8C所示的結(jié)構(gòu)中，不僅布線14的從層間絕緣膜23上設(shè)置的開(kāi)口內(nèi)露出的部分而且布線14的被層間絕緣膜23覆蓋的部分也導(dǎo)入了C-H鍵或C-C鍵。灰化時(shí)，向前者導(dǎo)入的C-H鍵和C-C鍵的至少一部分被消耗掉，而向后者導(dǎo)入的C-H鍵和C-C鍵未被消耗。因此，在圖8E所示的結(jié)構(gòu)中，位于兩端的兩個(gè)布線14的表面區(qū)域中的碳原子濃度比中央的布線14的表面區(qū)域的碳原子濃度高得多。在上述第一到第三實(shí)施方案中，主要以采用CO氣的RIE的等離子體處理為主進(jìn)行了說(shuō)明。若以比較長(zhǎng)的時(shí)間如60秒進(jìn)行該RIE，則在布線14或焊盤4上形成厚的非晶態(tài)碳層。此時(shí)，即使在400。C以上的高溫氧化氣氛中暴露布線14和焊盤4，也完全不發(fā)生銅的氧化。但是，在這種情況下，即使在氧化氣氛中熱處理后，非晶態(tài)碳層也會(huì)殘留。因此，例如在Au引線8鍵合到焊盤4上時(shí)，會(huì)妨害金和銅的合金化，使Au引線8和焊盤4的連接成為不可能。另外，在多層布線結(jié)構(gòu)中，由于布線14和布線24之間夾有非晶態(tài)碳層，增加了引線接觸電阻。通過(guò)進(jìn)行釆用CO氣的RIE，并接著進(jìn)行采用02氣的RIE，除去非晶態(tài)碳層的剩余部分，可以避免這種連接不良的發(fā)生和接觸電阻的增大。例如，進(jìn)行60秒的采用CO氣的RIE，之后進(jìn)行30秒的采用02氣的RIE時(shí)，可以防止銅的氧化、連接不良的發(fā)生以及接觸電阻的增大。另夕卜，為了把布線14電氣連接到焊盤4之外的目的進(jìn)行氧化氣氛中的熱處理時(shí)，也可采用以下的方法。即，首先，在布線14和焊盤4上形成十分厚的非晶態(tài)碳層。然后，在氧化氣氛中進(jìn)行熱處理。之后，通過(guò)采用02氣的RIE除去布線14和焊盤4上殘留的非晶態(tài)碳層。這種方法對(duì)于在氧化氣氛中進(jìn)行400。C以上的高溫下的熱處理的場(chǎng)合是有效的。在第一到第三實(shí)施方案中，作為等離子體的原料氣體，可以使用含有CO、C02、C2H4、C2H2、CH3OH、以及C2HsOH等的含碳化合物的氣體。另外，若作為原料氣體采用含有CF4、C4F8、和SFs等的含氟的化合物的氣體對(duì)布線14進(jìn)行RIE而處理時(shí)，在布線14的表面形成CuF2。在布線14的表面形成CuF2時(shí)，也可以抑制銅的氧化，可以與Au引線鍵合，且可把引線接觸電阻降到十分低。用上述原料氣體生成等離子體時(shí)，除了RIE法，也可以利用例如等離子體CVD法、ECR法、光CVD法和熱CVD法等。上述等離子體處理和用于在層間絕緣膜23等上形成開(kāi)口的RIE處理，在不存在氧時(shí)也可以連續(xù)地進(jìn)行。通過(guò)例如，在上述等離子體處理中利用RIE時(shí)，在同一反應(yīng)室內(nèi)進(jìn)行這些處理并改變向反應(yīng)室內(nèi)供給的氣體成分等，可以實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)。下面，說(shuō)明本發(fā)明的第四實(shí)施方案。圖9是示意性地展示根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施方案的半導(dǎo)體裝置的制造工藝的剖面圖。在圖9所示的結(jié)構(gòu)中，在半導(dǎo)體基板2上形成層間絕緣膜13。在層間絕緣膜13中埋入銅制的布線14,在層間絕緣膜13和布線14上形成層間絕緣膜23。在層間絕緣膜23上設(shè)置開(kāi)口，布線14的一部分從該開(kāi)口內(nèi)露出。除了用進(jìn)行激光束照射取代等離子體處理，本實(shí)施方案的工藝與第一實(shí)施方案的工藝基本相同。即，在本實(shí)施方案的工藝中，如圖9所示，在大氣中用激光束12照射布線14的露出部分。由此，可向布線14的表面區(qū)域中導(dǎo)入C-H鍵或C-C鍵。下面，說(shuō)明上述激光束照射的一例。采用波長(zhǎng)266nm的Q開(kāi)關(guān)YAG第四諧波激光，在大氣中向布線14的露出部分照射一個(gè)脈沖的激光束。脈沖寬度為5~10納秒，每個(gè)脈沖的照射能量是l2J/cm2。之后，用XPS對(duì)焊盤4的表面進(jìn)行成分分析。圖10A和10B是用XPS測(cè)定圖9所示的激光束照射后的焊盤4表面得到的Cls和Cu2p3鐠線的圖.圖11A和11B是用XPS測(cè)定未照射激光束的焊盤4表面得到的Cls和Cu2p3鐠線的圖。圖中，橫軸是結(jié)合能，縱軸是強(qiáng)度。從圖IOA、IOB和圖IIA、11B得到的碳原子濃度標(biāo)在上面的表中.從上表可以明顯看出，與未進(jìn)行激光束照射的場(chǎng)合("未處理，，)相比，照射激光束時(shí)的表面區(qū)域中的碳原子濃度高得多。該結(jié)果表明，通過(guò)激光束照射向布線14的表面區(qū)域中導(dǎo)入的碳原子或含碳原子的物質(zhì)。另外，從上表可以明顯看出，與未進(jìn)行激光束照射的場(chǎng)合("未處理，，)相比，照射激光束時(shí)的"CuC03"濃度大幅度下降，而"C-H鍵/C-C鍵"濃度大幅度上升。即，與上述第一到三實(shí)施方案中說(shuō)明的等離子體處理同樣地，具有向布線14的表面區(qū)域中導(dǎo)入C-H鍵和C-C鍵的效果。然后，在大氣中200。C溫度下對(duì)等離子體處理后的布線14進(jìn)行熱處理，調(diào)查熱處理時(shí)間與在布線14表面形成的氧化膜厚度的關(guān)系。另外，同樣地，在大氣中200。C溫度下對(duì)等離子體處理前的布線14進(jìn)行熱處理，調(diào)查熱處理時(shí)間與在布線14表面形成的氧化膜厚度的關(guān)系。圖12示出對(duì)圖9所示的結(jié)構(gòu)進(jìn)行氧化處理時(shí)形成的氧化膜的厚度。圖中，橫軸是熱處理時(shí)間，縱軸是氧化膜的厚度。另外，圖中的曲線31示出進(jìn)行等離子體處理時(shí)得到的數(shù)據(jù)，曲線32是不進(jìn)行等離子體處理時(shí)得到的數(shù)據(jù)。從圖12可以明顯地看出，不進(jìn)行等離子體處理時(shí)，在熱處理的開(kāi)始和同時(shí)開(kāi)始形成氧化膜。相反地，在進(jìn)行等離子體處理時(shí)，直到熱處理開(kāi)始后20分鐘，還幾乎未形成氧化膜。即，若采用本實(shí)施方案，可得到與第一實(shí)施方案中說(shuō)明的同樣的效果。另外，從圖6的曲線31和圖12的曲線33的比較可明顯看出，通過(guò)照射激光束可以得到比等離子體處理更大的氧化防止效果。下面，用透射電子顯液鏡(以下稱TEM)觀察進(jìn)行激光束照射后的布線14。圖13A是示意地示出圖9所示的激光束照射前的布線14的剖面圖。圖13B是示意地示出圖9所示的激光束照射后的布線14的剖面圖。圖中，標(biāo)號(hào)141表示晶界。在上述激光束照射之前，通常，如圖13A所示，布線14中的晶界141到達(dá)布線14的露出面。若進(jìn)行上述激光束照射，通常，布錢14的表面熔融并發(fā)生再結(jié)晶。該熔融/再結(jié)晶通常如圖13B所示，在布線14的表面上形成凹凸結(jié)構(gòu)，而且在以布線14表面到數(shù)千A的區(qū)域內(nèi)生長(zhǎng)晶粒，結(jié)果，到達(dá)布線14的露出面的晶界141消失。因此，通過(guò)用TEM等研究布線14的表面結(jié)構(gòu)和晶界等，可以判斷對(duì)布線14進(jìn)行的激光束照射是否完成。在以上說(shuō)明的第四實(shí)施方案中，通過(guò)在在大氣中照射激光束向布線14的表面區(qū)域?qū)隒-H鍵或C-C鍵，但在含有碳或碳化合物的氣氛中進(jìn)行激光束照射也可以得到同樣的效果。另外，在第四實(shí)施方案中雖然使用了波長(zhǎng)266nm的Q開(kāi)關(guān)YAG第四諧波激光，但也可以使用其它的激光。使用波長(zhǎng)在紫外區(qū)的激光時(shí)，可以高效率地對(duì)氣相中或布線14上的碳或碳化合物光分解，可向布線14的表面區(qū)域中高效率地導(dǎo)入C-H鍵或C-C鍵。這種激光可以舉出例如，上述波長(zhǎng)為266nm的Q開(kāi)關(guān)YAG第四諧波激光、或波長(zhǎng)248nm的KrF激態(tài)激光。用波長(zhǎng)248nm的KrF激態(tài)激光對(duì)布線14照射一個(gè)脈沖的激光束時(shí)，可以是例如，脈沖寬度為10~30納秒，照射能量為l~2J/cm2。另外，可以使用的激光或照射條件，不受上述限制，可進(jìn)行種種變更。而且，在第四實(shí)施方案中是為了向布線14的表面區(qū)域中導(dǎo)入C-H鍵或C-C鍵而利用大氣中的激光束照射，但也可以是向焊盤4的表面區(qū)域中導(dǎo)入C-H鍵或C-C鍵而利用大氣中的激光束照射。此時(shí)，可以得到與第二實(shí)施方案中說(shuō)明的同樣的效果。另外，上述激光束照射在氧化氣氛中熱處理前的任何時(shí)候都可以，例如，可以在形成絕緣膜23之前進(jìn)行。下面，說(shuō)明本發(fā)明的第五實(shí)施方案。圖14A~14C是分別示意性地展示根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施方案的半導(dǎo)體裝置的制造工藝的剖面圖。在圖14A所示的結(jié)構(gòu)中，在半導(dǎo)體基板2上形成層間絕緣膜13。在層間絕緣膜13上埋置銅制的焊盤4，在層間絕緣膜13和焊盤4上依次層積SiN膜6和絕緣膜23。在SiN膜6和絕緣膜23上設(shè)置開(kāi)口。焊盤4的一部分從該開(kāi)口內(nèi)露出。本實(shí)施方案的工藝，除了對(duì)進(jìn)行下述處理以取代上述等離子體處理外，與第二實(shí)施方案的工藝基本相同。即，在本實(shí)施方案的工藝中，首先，準(zhǔn)備如圖14A所示的結(jié)構(gòu)。然后，如圖14B所示，在焊盤4涂敷含有含碳粒子35和溶劑36的溶液，形成涂膜37。并如圖14C所示，對(duì)粒子35殘留在焊盤4上的涂膜31干燥處理。之后，與第二實(shí)施方案說(shuō)明的同樣地進(jìn)行鍵合。這樣地，在含碳粒子35附著在焊盤4上的狀態(tài)下進(jìn)行鍵合時(shí)，在粒子35的近傍抑制銅的氧化。因此，可以得到與第二實(shí)施方案說(shuō)明的相同效果。這種效果可以從例如以下的試驗(yàn)結(jié)果來(lái)驗(yàn)證。在銅制的焊盤4上涂敷在溶劑36中分散直徑lnm5nm的碳微粒35得到的溶液，形成涂膜37。然后，從涂膜37中揮發(fā)溶劑，碳微粒附著在焊盤4上。碳微粒35之間的平均距離為10jun以下。而且，在大氣中200350。C的溫度下進(jìn)行熱氧化處理。結(jié)果表明，銅的氧化速度顯著降低。在以上說(shuō)明的第五實(shí)施方案中，雖然是為防止焊盤4的氧化而利用粒子35，但也可以是為防止布線14的氧化而利用粒子35。這時(shí)，可以得到與第一和第三實(shí)施方案中說(shuō)明的同樣的效果。另外，參照?qǐng)D14B和14C說(shuō)明的工序在氧化氣氛中的熱處理前的任何時(shí)候進(jìn)行都可以，例如，也可以在形成絕緣膜23之前進(jìn)行。在本實(shí)施方案中，熱氧化處理結(jié)束時(shí)粒子35可以完全消耗掉，也可以殘留在焊盤4上。當(dāng)熱氧化處理后粒子35殘留在焊盤4上時(shí)，也可以利用采用例如02氣等的RIE等除去這些粒子35。此時(shí)，對(duì)于防止成為高速動(dòng)作處理用半導(dǎo)體裝置的問(wèn)題的布線間靜電電容增大等是有利的。或者，當(dāng)熱氧化處理后粒子35殘留在焊盤4上時(shí)，也可以不除去這些粒子35。由于在粒子35間的間隙處，銅可以與金合金化，所以可以把Au引線鍵合到焊盤4上。在本實(shí)施方案中，粒子35可以是導(dǎo)電性的，也可以絕緣性的。在哪一種情況下，只要粒子35之間有間隙，An引線就可以與焊盤4直接接觸，所以不會(huì)產(chǎn)生與表面電阻有關(guān)的問(wèn)題。另外，在本實(shí)施方案中，如上所述，由于涂敷含有粒子35和溶劑36的溶液，粒子35不僅附著在焊盤4上，還附著在絕緣膜23上。此時(shí)，即使粒子35是導(dǎo)電性的碳微粒，只在粒子35之間的間隙充分大，就不會(huì)發(fā)生電流泄露。本實(shí)施方案中，通常地，附著在焊盤4上的粒子35的半徑在約10nm以內(nèi)的范圍內(nèi)時(shí)，可發(fā)揮防止銅氧化的作用。因此，如果附著在例如，焊盤4上的粒子35之間的距離為10jim以下，就可以防止焊盤4的整個(gè)表面上的銅的氧化。在以上說(shuō)明的第一到第五實(shí)施方案中，雖然說(shuō)明了通過(guò)等離子體處理、激光束照射或涂敷向布線14或焊盤4的表面供給碳，但碳的供給方法并不僅限于這些。例如，也可以利用離子注入法或熱擴(kuò)散法等。下面，說(shuō)明本發(fā)明的第六實(shí)施方案。圖15A~15G是分別示意性地展示根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施方案的半導(dǎo)體裝置的制造工藝的剖面圖。在本實(shí)施方案的工藝中，首先如圖15A所示，在半導(dǎo)體基板2上形成第一層間絕緣膜13。在本實(shí)施方案中，層間絕緣膜13是含有聚甲基硅氧烷的絕緣膜等的含碳的絕緣膜。然后，在絕緣膜13上形成圖中未示出的反射防止膜，在該反射防止膜上用光刻技術(shù)形成圖中未示出的光刻膠圖案。并通過(guò)以該光刻膠圖案為蝕刻掩模的RIE對(duì)反射防止膜和絕緣膜13構(gòu)圖。然后用02-RIE除去反射防止膜和光刻膠圖案。通過(guò)以上方法，如圖15B所示在絕緣膜13上形成溝。然后，用濺射法形成例如TaN制的阻擋金屬層17,覆蓋在絕緣膜13上設(shè)置的溝和側(cè)壁和底面。接著用電鍍法用銅層填埋上述溝。并如圖15C所示，用CMP法除去阻擋金屬層17和銅層的位于溝外側(cè)的部分，形成銅制的第一布線14。然后，進(jìn)行與第一到第三實(shí)施方案中說(shuō)明的同樣的等離子體處理。即，對(duì)絕緣膜13的形成阻擋金屬層和布線14的面以采用含碳?xì)怏w如CH4氣作為原料氣體的等離子體處理30秒鐘。接著，通過(guò)采用SiH4和NH3氣體作為原料氣體的等離子體CVD法，如圖15D所示在絕緣膜13上堆積例如SiN制的擴(kuò)散防止膜16。然后，如圖15E所示，在擴(kuò)散防止膜16上形成第二層間絕緣膜23。在本實(shí)施方案中，第二層間絕緣膜23和第一層間絕緣膜13同樣地，也是諸如含有聚甲基硅氧烷的絕緣膜的含碳絕緣膜。然后，通過(guò)與參照?qǐng)D15B說(shuō)明的同樣的方法，如圖15F所示在絕緣膜23上形成布線用的溝，同時(shí)在絕緣膜23和擴(kuò)散防止膜16上形成引線孔。為了形成引線孔而進(jìn)行蝕刻時(shí)，布線14的露出面被氧化。此時(shí)，根據(jù)需要，用濕蝕刻等除去在布線14的表面上形成的氧化膜。然后，通過(guò)與參照?qǐng)D15C說(shuō)明的同樣的方法，如圖15G所示，形成例如TaN制的阻擋金屬層27和銅制的第二布線24。由此可以得到圖15G所示的二層布線結(jié)構(gòu)。當(dāng)布線的層疊數(shù)目為3以上時(shí)，可以再反復(fù)進(jìn)行等離子體處理工序和參照?qǐng)D15D15G說(shuō)明的工序。若采用上述工藝，先形成擴(kuò)散防止膜16,然后絕緣膜13的形成阻擋金屬層17和布線14的面進(jìn)行含碳的等離子體表面處理。通過(guò)該等離子體處理，向絕緣膜13的表面區(qū)域中導(dǎo)入碳。因此，若采用本實(shí)施方案，可以抑制從絕緣膜13奪走有機(jī)成分，可以防止絕緣膜13的表面區(qū)域成為脆弱的變質(zhì)層。另外，在本實(shí)施方案中，與第一實(shí)施方案中說(shuō)明的同樣地，通過(guò)等離子體處理使布線14的表面區(qū)域還原的同時(shí)向布線14的表面區(qū)域中導(dǎo)入碳。因此，若采用本實(shí)施方案，即使在上述等離子體處理和形成擴(kuò)散防止膜16之間，布線14暴露在氧化氣氛中，也可以防止布線14的氧化。而且，實(shí)施過(guò)等離子體處理的布線14的表面區(qū)域，對(duì)于濕蝕刻有高的耐腐蝕性。即，若采用本實(shí)施方案，可以同時(shí)減小布線電阻和布線間電容，防止剝離的發(fā)生，并可以簡(jiǎn)化制造工藝。在上述第六實(shí)施方案中，層間絕緣膜13和23是諸如含有有機(jī)硅氧化物的膜或含有有機(jī)材料的膜的含碳絕緣膜。作為這樣的有機(jī)硅氧化物，可舉出例如聚甲基硅氧烷等。多數(shù)場(chǎng)合下，聚甲基硅氧烷之類的有機(jī)硅氧化物的介電率R小于3.0。因此，通過(guò)使用這樣的材料可以減小布線間電容?？梢杂美缦旅嬲f(shuō)明的涂敷法得到絕緣膜13和23。以形成含聚曱基硅氧烷的絕緣膜13的情況為例進(jìn)行說(shuō)明。即，首先，在溶劑中溶解聚甲基硅氧烷得到漆狀溶液，然后，用旋涂法等之類的涂敷法把該溶液涂在基板2上。并施行熱處理，從涂膜揮發(fā)溶劑等的同時(shí)，把聚甲基硅氧烷固著在基板2上。由此，可得到絕緣膜13。在該成膜方法中，作為上述熱處理，也可以依次進(jìn)行80。Cxl分鐘、200。Cxl分鐘、和42(TCx30分鐘的熱處理。進(jìn)行這種分階段熱處理時(shí)，可以從涂膜中均勻地?fù)]發(fā)出溶劑。由此，可以提高絕緣膜13的表面平坦性。另外，在上述成膜方法中，也可以在氮?dú)夥罩惖牟换顫姎夥罩羞M(jìn)行上述熱處理。由此可以抑制聚甲基硅氧烷和氣氛中含的物質(zhì)發(fā)生不期望的反應(yīng)。圖16A~16C是分別示意性地展示本發(fā)明第七實(shí)施方案的半導(dǎo)體裝置的制造工藝的剖面圖。本實(shí)施方案的藝是，首先實(shí)施在第六實(shí)施方案中參照?qǐng)D15A15C說(shuō)明的工序。由此，得到圖16A所示的結(jié)構(gòu)。然后，進(jìn)行與第一到第三實(shí)施方案中說(shuō)明的同樣的等離子體處理。即，以采用含碳?xì)怏w如CH4氣作為原料氣體的等離子體對(duì)絕緣膜13的形成了阻擋金屬層17和布線14的面進(jìn)行處理30秒鐘。根據(jù)一個(gè)例子，這樣的等離子體處理后，布線14的表面區(qū)域中碳原子濃度為約38原子％，表面區(qū)域中的碳幾乎都形成C-C鍵和C-H鍵。之后，如圖16B所示，在絕緣膜13上用涂敷法形成含有機(jī)材料的擴(kuò)散防止膜16。例如，首先，在溶劑中溶解聚芳撐得到漆狀溶液，然后，用旋涂法等之類的涂敷法把該溶液涂在絕緣膜13上。并施行熱處理，從涂膜揮發(fā)溶劑等的同時(shí)，把聚芳撐固著在絕緣膜13上。由此，可得到擴(kuò)散防止膜16。在該成膜方法中，作為上述熱處理，也可以依次進(jìn)行800'Cxl分鐘、200'Cxl分鐘、和400。Cx30分鐘的熱處理。另外，在上述成膜方法中，也可以在氮?dú)夥罩惖牟换顫姎夥罩羞M(jìn)行上述熱處理。由此可以抑制聚甲基硅氧烷和氣氛中含的物質(zhì)發(fā)生不期望的反應(yīng)。在絕緣膜13上形成擴(kuò)散防止膜16后，實(shí)施第六實(shí)施方案中參照?qǐng)D15E15G說(shuō)明的工序。如上所述，可得到圖16C所示的二層布線結(jié)構(gòu)。另外，布線的疊層數(shù)目在3以上時(shí)，可以再反復(fù)進(jìn)行等離子體處理工序和參照?qǐng)D16B和16C說(shuō)明的工序。在本實(shí)施方案中進(jìn)行與第六實(shí)施方案中進(jìn)行的同樣的等離子體處理。因此，與第六實(shí)施方案同樣地，若采用本實(shí)施方案也可以減小布線電阻和布線間電容，防止剝離的發(fā)生，并可簡(jiǎn)化制造工藝。另外，在本實(shí)施方案中，由于擴(kuò)散防止膜16和層間絕緣膜13和23的材料都是有機(jī)材料，它們之間密合性比較高。另外，與第六實(shí)施方案同樣地，本實(shí)施方案中層間絕緣膜13和23也是含碳的絕緣膜，所以可減小布線間電容。而且，如下所述，若采用本實(shí)施方案，也不局限于用涂敷法形成擴(kuò)散防止膜16，可以防止布線14的氧化。通過(guò)在形成擴(kuò)散防止膜16時(shí)進(jìn)行的熱處理，發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)，生成反應(yīng)副反物H;jO。在有水的情況下加熱時(shí)銅易氧化，本實(shí)施方案中由于在形成擴(kuò)散防止膜14之前對(duì)布線14時(shí)行等離子體處理抑制了布線14的氧化。另外，在本實(shí)施方案中由于在形成擴(kuò)散防止膜16時(shí)釆用涂敷法，與利用CVD法等的場(chǎng)合相比，可以減少i殳備費(fèi)和處理時(shí)間等。形成擴(kuò)散防止膜16時(shí)可以釆用涂敷法的主要理由是通過(guò)上述等離子體處理可以防止布線14的氧化。在上述第六和第七實(shí)施方案中雖然說(shuō)明了用涂敷法形成層間絕緣膜13和23，但也可以用等離子體CVD法等形成層間絕緣膜13和23。例如，也可以通過(guò)采用含三甲基硅烷((CH3)3SiH)或四甲基硅烷((CH3)4Si)等的有機(jī)硅烷的氣體和含02或N20等的氧化性氣體的等離子體CVD法形成層間絕緣膜13和23通常這樣的方法得到的膜具有低介電率。另外，雖然在上述第六和第七實(shí)施方案中，作為層間絕緣膜13和23的材料采用了聚甲基硅氧烷等的有機(jī)硅氧化物，但層間絕緣膜13和23并不特別限于含有機(jī)材料的絕緣膜之類的含碳的絕緣膜。例如，作為層間絕緣膜13和23的材料，也可以使用在聚芳撐、聚芳醚和聚酰胺等的骨架中含有碳原子的物質(zhì)。通常用這些材料得到的膜具有低介電率。而且，在第六和第七實(shí)施方案中，雖然進(jìn)行的是采用含甲烷(CH4)的氣體的等離子體處理，但也可以進(jìn)行采用其它氣體的等離子體處理。例如，可以用含有含碳化合物的氣體。在使用這樣的氣體中的、含有乙烷(QH6)或丙烷(<:3118)之類的含碳和氫的化合物的氣體時(shí)，可以得到與使用含甲烷的氣體時(shí)同樣的效果。在第六實(shí)施方案中，雖然通過(guò)采用SiH4氣和NH3氣作為原料氣體的等離子體CVD法形成擴(kuò)散防止膜16,但作為原料氣體也可以釆用其它氣體。作為擴(kuò)散防止膜16，也可以通過(guò)采用含例如三曱基硅烷((CH3)3SiH)或四甲基硅烷((CH3)4Si)等的有機(jī)硅的氣體和氧化性氣體的等離子體CVD法，形成SiCH膜或SiCHO膜。另外，在第七實(shí)施方案中，雖然作為擴(kuò)散防止膜16用涂敷法形成了含聚芳撐的絕緣膜，但也可以取代而采用其它的材料。例如，可以用聚醚等的含碳和氫的化合物。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以很容易地想到其它優(yōu)點(diǎn)和變更。因此，本發(fā)明的范圍并不僅限于在此描述的細(xì)節(jié)和代表性的實(shí)施方案，在不背離所附權(quán)利要求書(shū)限定的總的發(fā)明構(gòu)思和其等同物的范圍和精神的前提下，可以做出種種變更。權(quán)利要求1.一種半導(dǎo)體裝置，具有半導(dǎo)體基板和在該半導(dǎo)體基板上的導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層含有銅，所述導(dǎo)電層的表面區(qū)域具有C-H鍵和C-C鍵中的至少一種，所述表面區(qū)域中的形成C-H鍵的C原子和形成C-C鍵的C原子的總量占所述表面區(qū)域中的元素總量的30％以上。2.如權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述表面區(qū)域中的形成C-H健的C原子和形成C-C鍵的C原子的所述總量與所述表面區(qū)域中的Cu原子的摩爾比為10以下。3.如權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述表面區(qū)域還含有CuC03,所述表面區(qū)域中的形成C-H鍵的C原子和形成C-C鍵的C原子的所述總量與所述表面區(qū)域中的CuC03分子的量的摩爾比為2以上。4.如權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述表面區(qū)域中形成C-H鍵的C原子和形成C-C鍵的C原子的所述總量占所述表面區(qū)域中的C原子總量的80%以上。5.如權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述表面區(qū)域的厚度為10人以下。6.如權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述導(dǎo)電層是第一布線；且該裝置還具有所述半導(dǎo)體基板和所述第一布線之間的第一絕緣層、所述第一布線和所述第一絕緣層上的第二絕緣層，該第二絕緣層提供孔、以及所述第二絕緣層上的第二布線，所述第二布線通過(guò)所述孔與所述第一布線電氣連接。7.如權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述導(dǎo)電層是焊盤，且該裝置還具有所述半導(dǎo)體基板和所述焊盤之間的第一絕緣層、所述第一絕緣層上的第二絕緣層，該第二絕緣層提供孔、以及通過(guò)所述孔與所述焊盤電氣連接的引線。8.—種半導(dǎo)體裝置，具有半導(dǎo)體基板和在半導(dǎo)體基板上的導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層含有銅，在所述導(dǎo)電層的表面提供含有碳的粒子。9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述粒子各含有C-H鍵和C-C鍵中的至少一種。10.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述導(dǎo)電層是第一布線；且該裝置還具有所述半導(dǎo)體基板和所述第一布線之間的第一絕緣層、所述第一布線和上述第一絕緣層上的第二絕緣層，該第二絕緣層提供孔、以及所述第二絕緣層上的第二布線，所述第二布線通過(guò)所述孔與所述第一布線電氣連接。11.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述導(dǎo)電層是焊盤，且該裝置還具有所述半導(dǎo)體基板和所述焊盤之間的第一絕緣層、所述第一絕緣層上的第二絕緣層，該第二絕緣層提供孔、以及通過(guò)所述孔與所述焊盤電氣連接的引線或凸點(diǎn)。全文摘要提供一種半導(dǎo)體裝置，具有半導(dǎo)體基板和在該半導(dǎo)體基板上的導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層含有銅，所述導(dǎo)電層的表面區(qū)域具有C-H鍵和C-C鍵中的至少一種，所述表面區(qū)域中的形成C-H鍵的C原子和形成C-C鍵的C原子的總量占所述表面區(qū)域中的元素總量為30％以上。文檔編號(hào)H01L23/532GK101150114SQ20071018090公開(kāi)日2008年3月26日申請(qǐng)日期2001年9月7日優(yōu)先權(quán)日2000年9月7日發(fā)明者中田錬平,久恒善美,依田孝,早坂伸夫,池上浩申請(qǐng)人:株式會(huì)社東芝