專利名稱：晶片的加工方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及晶片的加工方法。
技術(shù)背景通過分割預(yù)定線劃分形成有IC (Integrated Circuit:集成電路)、LSI (large scale integration:大規(guī)模集成電路)等多個器件的晶片，通過劃片 機等切削裝置被分割為一個個的器件，并用于移動電話、個人電腦等電 子設(shè)備。切削裝置結(jié)構(gòu)為具有吸盤工作臺，其保持晶片；切削單元，其安 裝有對保持在吸盤工作臺上的晶片進行切削的切削刀具；加工進給單元， 其使吸盤工作臺在X軸方向上進行加工進給；分度進給單元，其使切削 單元在與X軸方向正交的Y軸方向上進行分度進給；晶片盒工作臺，其 載置容納了多塊晶片的晶片盒；搬出單元，其從晶片盒搬出晶片；臨時 放置工作臺，其臨時放置所搬出的晶片；搬送單元，其將臨時放置在臨 時放置工作臺上的晶片搬送到吸盤工作臺上；以及對準單元，其對保持 在吸盤工作臺上的晶片進行攝像，以檢測出應(yīng)當切削的區(qū)域，該切削裝 置可以將晶片高效地分割為 一個個器件。在這樣的切削裝置中，作為切削刀具， 一般使用電鑄刀具，其通過 鎳等金屬鍍層將由金剛石等構(gòu)成的磨料結(jié)合起來而構(gòu)成，但當由于磨料 的保持力高，而與晶片的磨合性不好時，在通過切削而形成的切削槽的 兩側(cè)會產(chǎn)生比較大的缺陷，這成為使質(zhì)量下降的原因。因此，在切削晶 片的過程中，在切削刀具破損的情況下，在將安裝在切削單元上的切削 刀具更換為新的切削刀具之后，必須進行稱為預(yù)切割的切削作業(yè)，艮P， 對由與作為切削對象的晶片實質(zhì)上為相同材質(zhì)的材料形成的偽晶片 (dummy wafer)進行切削，以使新的切削刀具與晶片磨合。
專利文獻l:日本特開昭62-53804號公報 專利文獻2:日本特許第3765265號公報但是，關(guān)于使用了現(xiàn)有的切削裝置的晶片的加工方法，在切削晶片 的過程中，在切削刀具破損而更換為新的切削刀具并進行預(yù)切割的情況 下，必須從吸盤工作臺上卸下切削半途中的晶片，改為放置預(yù)切割用的 偽晶片，當對偽晶片的預(yù)切割動作結(jié)束后，從吸盤工作臺上卸下偽晶片， 改為放置已處于切削半途中的晶片，然后進行切削動作，這樣非常麻煩， 而且加工效率極低。此外，即使將切削半途中的晶片替換放置在吸盤工 作臺上，由于與原來的載置狀態(tài)發(fā)生偏差，因此，除了必須再次進行對 準作業(yè)外，還必須變更為由操作人員進行的手工切割來進行切削動作。順便一提，根據(jù)專利文獻l、 2等，提出了這樣的切削裝置具有兩 個吸盤工作臺，能夠一邊在一個吸盤工作臺上對晶片執(zhí)行切削動作，一 邊對保持在另一個吸盤工作臺上的切削前的晶片并行地進行對準作業(yè)， 但是它們對于適當?shù)念A(yù)切割處理的方法沒有提及任何有關(guān)的內(nèi)容，并沒 有解決上述不良狀況。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明鑒于上述狀況而完成，其目的在于提供一種晶片的加工方法， 即使因在對晶片進行切削的半途中切削刀具破損更換為新的切削刀具， 而需要進行預(yù)切割處理，也并不需要卸下切削半途中的晶片，也不需要 再次對準，能夠高效地加工晶片。為了解決上述課題達成目的，本發(fā)明所述的晶片的加工方法是使用 切削裝置的加工方法，其特征在于，所述切削裝置具有吸盤工作臺， 其保持晶片；切削單元，其安裝有對保持在該吸盤工作臺上的晶片進行 切削的切削刀具；加工進給單元，其使所述吸盤工作臺在X軸方向上進 行加工進給；分度進給單元，其使所述切削單元在與X軸方向正交的Y 軸方向上進行分度進給；晶片盒工作臺，其上載置有收容了多塊晶片的 晶片盒；搬出單元，其從所述晶片盒搬出晶片；臨時放置工作臺，其臨 時放置被搬出的晶片；搬送單元，其將臨時放置在該臨時放置工作臺上
的晶片搬送到所述吸盤工作臺上；以及對準單元，其對保持在所述吸盤 工作臺上的晶片進行攝像，以檢測出應(yīng)當切削的區(qū)域，所述吸盤工作臺 由彼此相鄰地配設(shè)的第一吸盤工作臺和第二吸盤工作臺構(gòu)成，所述加工 進給單元由使所述第一吸盤工作臺進行加工進給的第一加工進給單元， 以及使所述第二吸盤工作臺進行加工進給的第二加工進給單元構(gòu)成，所 述晶片的加工方法具有以下工序晶片保持工序，通過所述搬送單元， 將從所述晶片盒搬出到所述臨時放置工作臺上的晶片，搬送到所述第一 吸盤工作臺或所述第二吸盤工作臺中的一方上進行保持；對準工序，將 保持在所述吸盤工作臺上的晶片，定位在所述對準單元的正下方，并檢 測出應(yīng)當切削的區(qū)域；切削工序，相對于保持在所述吸盤工作臺上、并 執(zhí)行了所述對準工序的晶片，定位所述切削單元的所述切削刀具，并對 晶片進行切削；以及預(yù)切割工序，當在該切削工序的晶片的切削半途中 將所述切削刀具更換為新的切削刀具時，使切削半途中的晶片維持保持 在所述吸盤工作臺上的狀態(tài)，使偽晶片保持在沒有保持切削半途中的晶 片'的一方的所述吸盤工作臺上，利用安裝有新的切削刀具的所述切削單 元，執(zhí)行切削偽晶片的預(yù)切割。此外，本發(fā)明所述的晶片的加工方法的特征在于，在上述發(fā)明中， 使用具有這樣的所述切削單元的切削裝置，該切削單元由安裝有第一切 削刀具的第一切削單元，以及安裝有第二切削刀具的第二切削單元構(gòu)成， 所述第二切削刀具由與所述第一切削刀具相同的結(jié)構(gòu)構(gòu)成，并與該第一 切削刀具對置，并且該切削單元對同一晶片同時并行地進行切削，所述 預(yù)切割工序包括以下工序在所述第一切削刀具和所述第二切削刀具之 中，在利用位于在該預(yù)切割工序中保持偽晶片的所述吸盤工作臺側(cè)的所 述切削刀具，來執(zhí)行切削偽晶片的預(yù)切割的情況下，對切削半途中的晶 片，使用另一方的所述切削刀具繼續(xù)進行所述切削工序，在利用另一方 的所述切削刀具執(zhí)行切削偽晶片的預(yù)切割的情況下，中斷對切削半途中 的晶片的所述切削工序，直到該預(yù)切割工序結(jié)束。此外，本發(fā)明的晶片的加工方法的特征在于，在上述發(fā)明中，在所 述預(yù)切割工序中所用的偽晶片收容在所述晶片盒中。
此外，本發(fā)明所述的晶片的加工方法的特征在于，在上述發(fā)明中， 在所述預(yù)切割工序中所用的偽晶片收容在偽晶片收容部中，所述偽晶片 收容部形成在所述晶片盒工作臺的下部。根據(jù)本發(fā)明所述的晶片的加工方法，即使是因在切削過程中切削刀 具破損更換為新的切削刀具并切削偽晶片，而進行磨合新的切削刀具的 鋒利度的預(yù)切割動作的情況下，利用有兩個吸盤工作臺這一情況，能夠 使切削半途中的晶片維持保持在吸盤工作臺上的狀態(tài)，使偽晶片保持在 另一方的吸盤工作臺上，來完成預(yù)切割動作，不需要卸下切削半途中的 晶片，也不需要進行再次對準，具有可以高效地加工晶片這一效果。特別地，如果是具有分別安裝了切削刀具的兩個切削單元，并利用對置的兩個切削刀具同時并行地進行對同 一 晶片的切削這樣的所謂的雙切割方式的情況，根據(jù)不需要更換的切削刀具與切削半途中的晶片的位置關(guān)系，能夠在利用更換的切削刀具對偽晶片進行預(yù)切割的動作中，繼續(xù)進行對切削半途中的晶片的切削動作，從而具有能夠提高晶片加工的 效率這一效果。


圖1是剖切表示為了實施本發(fā)明的實施方式的晶片的加工方法所使 用的切削裝置的一部分的立體圖。圖2是表示圖1所示的切削裝置的主要部分的立體圖。圖3是表示切削單元周圍的結(jié)構(gòu)例的立體圖。圖4是表示切削單元周圍的結(jié)構(gòu)例的側(cè)視圖。圖5-1是表示切削工序中的切削刀具的示意圖。圖5-2是表示預(yù)切割工序中的切削刀具的一例的示意圖。圖5-3是表示預(yù)切割工序中的切削刀具的另一例的示意圖。圖6是表示偽晶片的供給方式的變形例的晶片盒工作臺附近的立體圖。圖7是表示偽晶片供給時的狀況的晶片盒工作臺附近的立體圖。 標號說明
2:晶片盒工作臺；3:搬出單元；4:臨時放置工作臺；5:搬送單 元；6:晶片盒；20:吸盤工作臺；20a:第一吸盤工作臺；20b:第二吸 盤工作臺；30:切削單元；30a:第一切削單元；30b:第二切削單元； 33a:第一切削刀具；33b:第二切削刀具；40:加工進給單元；40a:第 一加工進給單元；40b:第二加工進給單元；50:分度進給單元；70:對 準單元；W:晶片；DW:偽晶片。
具體實施方式
以下，對用于實施本發(fā)明的作為最優(yōu)方式的晶片的加工方法，參照 附圖進行說明。圖1是剖切表示為了實施本實施方式的晶片的加工方法所使用的切 削裝置的一部分的立體圖；圖2是表示圖1所示的切削裝置的主要部分 的立體圖；圖3是表示切削單元周圍的結(jié)構(gòu)例的立體圖；圖4是表示切 削單元周圍的結(jié)構(gòu)例的側(cè)視圖。關(guān)于本實施方式的切削裝置1，其沿分割預(yù)定線切削晶片W，作為 概要結(jié)構(gòu)，如圖1所示，其具有晶片盒工作臺2;搬出單元3;臨時放 置工作臺4;搬送單元5;并且還具有吸盤工作臺20;切削單元30; 加工進給單元40;分度進給單元50;切深進給單元60;對準單元70; 以及對準分度進給單元80。晶片盒工作臺2是可沿Z軸方向自由升降的工作臺，其配設(shè)在裝置 殼體7的一端，晶片盒工作臺2上載置有容納了多塊晶片W的晶片盒6， 晶片W處于通過保持膠帶T而與圓環(huán)狀的框體F成為一體的狀態(tài)。這里， 在晶片盒6內(nèi)，除了作為切削對象的晶片W之外，例如，在最下層容納 收容有一塊偽晶片DW，該偽晶片DW由與上述晶片W實質(zhì)上同材質(zhì)的 材料形成。此外，晶片W通過在表面上呈格子狀形成的多條分割預(yù)定線 (間隔道)而形成了多個矩形形狀的區(qū)域，在這些多個矩形形狀的區(qū)域 中分別形成有器件。關(guān)于搬出單元3，其將收容在晶片盒6中的晶片W 搬出到可由搬送單元5搬送的臨時放置工作臺4上，臨時放置工作臺4 臨時放置由搬出單元3搬出的晶片W。搬送單元5用于把持被搬出到臨 時放置工作臺4上的晶片W的框體F部分，并將其搬送到吸盤工作臺20 上。此處，在本實施方式中，如后所述，吸盤工作臺20由在Y軸方向上 彼此相鄰地配設(shè)的兩個吸盤工作臺構(gòu)成，利用搬送單元5的由門型支柱 結(jié)構(gòu)形成的搬送導(dǎo)軌5a部分被設(shè)定為這樣的長度可從臨時放置工作臺 4部分橫亙兩個吸盤工作臺部分進行移動。此外，吸盤工作臺20用于保持晶片W，切削單元30具有對保持在 吸盤工作臺20上的晶片W進行切削的切削刀具33，加工進給單元40使 吸盤工作臺20在X軸方向上進行加工進給，分度進給單元50使切削單 元30在Y軸方向上進行分度進給，切深進給單元60使切削單元30在Z 軸方向上進行切深進給，對準單元70對保持在吸盤工作臺20上的晶片 W進行攝像，以檢測出應(yīng)當切削的區(qū)域，對準分度進給單元80使對準單 元70在Y軸方向上進行分度進給。此處，在本實施方式中，如圖2所示，吸盤工作臺20由以在Y軸方 向上相鄰的方式配設(shè)的第一吸盤工作臺20a和第二吸盤工作臺20b構(gòu)成。 與此對應(yīng)，如圖2 圖4等所示，切削單元30、加工進給單元40、分度 進給單元50、切深進給單元60、對準單元70、以及對準分度進給單元 80，也分別由第一、第二切削單元30a、 30b，第一、第二加工進給單元 40a、 40b，第一、第二分度進給單元50a、 50b，第一、第二切深進給單 元60a、 60b，第一、第二對準單元70a、 70b，以及第一、第二對準分度 進給單元80a、 80b構(gòu)成，這些部件配置在設(shè)置于裝置殼體7內(nèi)的底座8 上。下面對這些部件的結(jié)構(gòu)例參照圖2 圖4進行說明。第一、第二吸盤工作臺20a、 20b由多孔質(zhì)陶瓷等多孔性材料構(gòu)成， 它們與未圖示的抽吸單元連接。從而，通過利用抽吸單元使第一、第二 吸盤工作臺20a、 20b有選擇地連通到抽吸源，來抽吸保持載置在載置面 上的晶片W或偽晶片DW。這些第一、第二吸盤工作臺20a、 20b分別可 旋轉(zhuǎn)地配設(shè)在第一、第二圓筒部件21a、 21b上，并與設(shè)置在第一、第二 圓筒部件21a、 21b內(nèi)的未圖示的脈沖電動機等驅(qū)動源連接，而且構(gòu)成為 可以適當?shù)剞D(zhuǎn)動。并且，在圓筒部件21a、 21b的上端部，配設(shè)有矩形形 狀的第一、第二蓋部件22a、 22b，在第一、第二蓋部件22a、 22b的上表 面，配設(shè)有用于檢測后述的第一、第二切削刀具的位置的第一、第二刀具檢測單元23a、 23b。此外，在第一、第二蓋部件22a、 22b的X軸方向 兩端連接有可自由伸縮的未圖示的波紋部件，從而構(gòu)成為即使第一、第 二吸盤工作臺20a、 20b被加工進給而發(fā)生位置移動，也可以與第一、第 二蓋部件22a、 22b —起，始終覆蓋第一、第二加工進給單元40a、 40b 上方。第一、第二加工進給單元40a、 40b用于通過使安裝有第一、第二圓 筒部件21a、 21b的第一、第二支承底座41a、 41b沿著X軸方向移動， 來使第一、第二吸盤工作臺20a、20b分別相對于第一、第二切削單元30a、 30b在X軸方向上進行加工進給(切削進給)。這些第一、第二加工進給 單元40a、 40b由以下部分構(gòu)成滾柱絲杠42a、 42b，它們沿X軸方向配 設(shè)；脈沖電動機43a、 43b,它們連接在滾柱絲杠42a、 42b的一端； 一對 導(dǎo)軌44a、 44b，它們與滾柱絲杠42a、 42b平行地配設(shè)在底座8上，在滾 柱絲杠42a、 42b上旋合有設(shè)置在支承底座41a、 41b的下部的未圖示的 螺母。從而構(gòu)成為這樣的結(jié)構(gòu)滾柱絲杠42a、 42b由可以自由正反轉(zhuǎn)的 脈沖電動機43a、 43b驅(qū)動而旋轉(zhuǎn)，伴隨該旋轉(zhuǎn)，支承底座41a、 41b由 導(dǎo)軌44a、 44b引導(dǎo)著在X軸方向上往復(fù)移動。此外，本實施方式的切削裝置1具有支承框體9，該支承框體9以 跨過導(dǎo)軌44a、 44b并與X軸方向正交的方式配設(shè)在底座8上，而且形成 為門型形狀以便不妨礙第一、第二吸盤工作臺20a、 20b在X軸方向上的 移動，在該支承框體9的沿Y軸方向配設(shè)的支承部9a上安裝有第一、 第二切削單元30a、 30b，第一、第二分度進給單元50a、 50b，第一、第 二切深進給單元60a、 60b，第一、第二對準單元70a、 70b，以及第一、 第二對準分度進給單元80a、 80b。并且，支承框體9的兩側(cè)的支柱9b、 9c的一部分形成為寬度較大，在寬度較大的部分上形成有開口9d、 9e， 開口9d、 9e允許第一、第二切削單元30a、 30b在Y軸方向上的移動。第一、第二對準單元70a、 70b分別與第一、第二吸盤工作臺20a、 20b對應(yīng)地配設(shè)在支承框體9的支承部9a的X軸方向的一面，第一、第 二對準單元70a、 70b由第一、第二移動塊71a、 71b、以及安裝在第一、 第二移動塊71a、 71b上的第一、第二攝像單元72a、 72b構(gòu)成。第一、 第二攝像單元72a、 72b分別具有CCD等攝像元件，從而可從上方對保 持在第一、第二吸盤工作臺20a、 20b上的晶片W進行攝像，并將攝像 得到的圖像信號輸出到未圖示的控制單元中。第一、第二對準分度進給單元80a、 80b用于通過使安裝有第一、第 二攝像單元72a、 72b的第一、第二移動塊71a、 71b在Y軸方向上移動， 來使第一、第二對準單元70a、70b分別相對于第一、第二吸盤工作臺20a、 20b上的晶片W在Y軸方向上進行分度進給。這些第一、第二對準分度 進給單元80a、 80b由以下部分構(gòu)成滾柱絲杠81a、 81b，它們在支承部 9a的一面沿Y軸方向配設(shè)；脈沖電動機82a、 82b，它們連接在滾柱絲杠 81a、 81b的一端；以及一對共用導(dǎo)軌83，其與滾柱絲杠81a、 81b平行 地配設(shè)在支承部9a的一面上，在滾柱絲杠81a、 81b上旋合有設(shè)置在移 動塊71a、 71b內(nèi)的未圖示的螺母。從而成為這樣的結(jié)構(gòu)滾柱絲杠81a、 81b被可以自由正反轉(zhuǎn)的脈沖電動機82a、 82b驅(qū)動而旋轉(zhuǎn)，伴隨該旋轉(zhuǎn)， 移動塊71a、 71b由導(dǎo)軌83引導(dǎo)著在Y軸方向上往復(fù)移動。第一、第二切削單元30a、 30b配設(shè)在支承框體9的支承部9a的下 部，如圖3和圖4所示，其具有主軸箱31a、 31b;旋轉(zhuǎn)主軸32a、 32b， 它們可旋轉(zhuǎn)地由主軸箱31a、 31b支承；第一、第二切削刀具33a、 33b， 它們可自由更換地安裝在旋轉(zhuǎn)主軸32a、32b的一端;切削液供給噴嘴34a、 34b，它們對第一、第二切削刀具33a、 33b提供切削液；刀具罩35a、 35b， 它們覆蓋第一、第二切削刀具33a、 33b;以及未圖示的伺服電動機，其 旋轉(zhuǎn)驅(qū)動旋轉(zhuǎn)主軸32a、 32b。此處，旋轉(zhuǎn)主軸32a、 32b的軸線方向配設(shè) 成與Y軸方向所示的分度方向一致，為了同時并行地進行對同一晶片W 的切削的雙切割，由同一結(jié)構(gòu)構(gòu)成的第一、第二切削刀具33a、 33b設(shè)定 為在Y軸方向上對置。第一、第二切深進給單元60a、 60b用于通過使安裝有第一、第二切 削單元30a、 30b的第一、第二切深移動底座61a、 61b在Z軸方向上移 動，來使第一、第二切削刀具33a、 33b相對于吸盤工作臺20a或20b上 的晶片W在Z軸方向上進行切深進給。這里，第一、第二切深移動底座 61a、 61b在Y軸方向上觀察形成為大致L字形狀，它們使第一、第二切 削刀具33a、 33b位于內(nèi)側(cè)，使主軸箱31a、 31b安裝在正下方，并且第 一、第二切深移動底座Ma、 61b配設(shè)在支承部9a的X軸方向的另一面 上。這些第一、第二切《.進給單元60a、 60b由以下部分構(gòu)成滾柱絲杠 62a、 62b，它們配設(shè)在h軸方向上；脈沖電動機63a、 63b，它們連接在 滾柱絲杠62a、 62b的-端；以及一對導(dǎo)軌64a、 64b，它們與滾柱絲杠 62a、 62b平行地配設(shè)》'一、第二分度移動底座51a、 51b上。在滾柱絲 杠62a、 62b上旋合有i〗在切深移動底座61a、 61b內(nèi)的未圖示的螺母。 從而成為這樣的結(jié)構(gòu)滾柱絲杠62a、 62b被可以自由正反轉(zhuǎn)的脈沖電動 機63a、 63b驅(qū)動而旋轉(zhuǎn)、伴隨該旋轉(zhuǎn)，切深移動底座61a、 61b由導(dǎo)軌 64a、 64b引導(dǎo)著在Z軸方向上往復(fù)移動。第一、第二分度進給單元50a、 50b用于通過使具有可在Z軸方向上 自由移動的第一、第二切深移動底座61a、 61b的第一、第二分度進給移 動底座51a、 51b在Y軸方向上移動，來使第一、第二切削刀具33a、 33b 相對于吸盤工作臺20a或20b上的晶片W在Y軸方向上進行分度進給。 這些第一、第二分度進給單元50a、 50b由以下部分構(gòu)成滾柱絲杠52a、 52b，它們沿Y軸方向配設(shè)；脈沖電動機53a、 53b，它們連接在滾柱絲 杠52a、 52b的一端；以及一對共用導(dǎo)軌54,其與滾柱絲杠52a、 52b平 行地配設(shè)在支承部9a的X軸方向的多面?zhèn)壬?，在滾柱絲杠52a、 52b上 旋合有設(shè)置在分度移動底座51a、 51b內(nèi)的未圖示的螺每。從而成為這樣 的結(jié)構(gòu)滾柱絲杠5 a、 52b被可以自由正反轉(zhuǎn)的脈沖電動機53a、 53b 驅(qū)動而旋轉(zhuǎn)，伴隨該旋轉(zhuǎn)，分度移動底座51a、 51b由導(dǎo)軌54引導(dǎo)著在Y 軸方向上往復(fù)移動。這里，由這些第一、第二分度進給單元50a、 50b驅(qū) 動的第一、第二切削 33a、 33b的分度進給量，被設(shè)定為使其可跨越 吸盤工作臺20a、 20b J]進行移動。接下來，對使用ii' ^的切削裝置1的晶片W的加工方法進行說明。 首先，從晶片盒6中由搬出單元3將晶片W搬出到臨時放置工作臺4上， 通過搬送單元5將搬出到臨時放置工作臺4上的晶片W搬送到第一吸盤 工作臺20a上。此時，第一吸盤工作臺20a定位在圖2所示的晶片裝卸 位置上。然后，通過使未圖示的抽吸單元工作，將晶片W抽吸保持在第一吸盤工作臺20a上C晶片保持工序)。接著，通過第一加工進給單元40a的工作，使抽吸保持有晶片W的 第一吸盤工作臺20a移動到第一對準單元70a的對準區(qū)域。然后，使第 一對準分度進給單元80a工作，使第一對準單元70a移動成使得保持在 第一吸盤工作臺20a上的晶片W定位在第一對準單元70a的第一攝像單 元72a的正下方。因此，通過第一攝像單元72a，對第一吸盤工作臺20a 上的晶片W的表面進行攝像，檢測出形成在晶片W的表面上的分割預(yù) 定線，以供利用第一、第二切削刀具33a、 33b的切削加工動作的定位(對 準工序)。在對這樣保持在第一吸盤工作臺20a上的晶片W，通過第一對準單 元70a執(zhí)行對準工序的期間，通過搬送單元5將晶片W搬送到定位在圖 2所示的晶片裝卸位置上的第二吸盤工作臺20b上。然后，通過使未圖示 的抽吸單元工作，來將載置在第二吸盤工作臺20b上的晶片W抽吸保持 在第二吸盤工作臺20b上(晶片保持工序)。接著，通過第二加工進給單元40b的工作，使抽吸保持有晶片W的 第二吸盤工作臺20b移動到第二對準單元70b的對準區(qū)域。然后執(zhí)行這 樣的對準工序使第二對準分度進給單元80b工作，使第二對準單元70b 移動成使保持在第二吸盤工作臺20b上的晶片W定位在第二對準單元 70b的第二攝像單元72b的正下方，通過第二攝像單元72b，對第二吸盤 工作臺20b上的晶片W的表面進行攝像，檢測出形成在晶片W的表面 上的分割預(yù)定線。該對準工序也與上述對準工序同樣地執(zhí)行。另一方面，在結(jié)束了上述第一攝像單元72a的對準工序后，使第一 切削單元30a的分度進給單元50a工作，使第一切削單元30a的第一切削 刀具33a定位于與形成在由第一吸盤工作臺20a保持的晶片W上的中央 分割預(yù)定線對應(yīng)的位置，然后，使第一切深進給單元60a工作，使第一 切削刀具33a下降，并定位在預(yù)定的切深進給位置上。同樣地，使第二 切削單元30b的分度進給單元50b工作，使第二切削單元30b的第二切 削刀具33b定位于與形成在由第一吸盤工作臺20a保持的晶片W上的端
部的分割預(yù)定線對應(yīng)的位置，然后使第二切深進給單元60b工作，使第二切削刀具33b下降，定位在預(yù)定的切深進給位置上。接下來， 一邊使 第一、第二切削單元30a、 30b的第一、第二切削刀具33a、 33b旋轉(zhuǎn)， 一邊使第一加工進給單元40a工作，使第一吸盤工作臺20a在X軸方向 上進行加工進給，由此，利用高速旋轉(zhuǎn)的第一、第二切削刀具33a、 33b， 對保持在第一吸盤工作臺20a上的晶片W的預(yù)定的分割預(yù)定線進行切削(切削工序)。亦即，如圖5-l所示，第一、第二切削刀具33a、 33b以雙 切割方式同時并行地執(zhí)行對同一晶片W的切削。當沿著保持在第一吸盤工作臺20a上的晶片W的預(yù)定的分割預(yù)定線 進行切削時，使第一、第二切削單元30a、 30b的第一、第二分度進給單 元50a、 50b，在Y軸方向進行相當于分割預(yù)定線的間隔的分度進給，然 后再次執(zhí)行上述切削工序。這樣，通過在反復(fù)進行分度進給的同時每次 都執(zhí)行切削工序，晶片W被沿著在預(yù)定方向上形成的所有的分割預(yù)定線 切削。當沿著在預(yù)定方向上形成的所有的分割預(yù)定線對晶片W進行了切 削之后，使保持有晶片W的第一吸盤工作臺20a旋轉(zhuǎn)90度。然后對保 持在第一吸盤工作臺20a上的晶片W，反復(fù)執(zhí)行伴隨上述分度進給的切 削工序，由此，晶片W被沿著形成為格子狀的所有的分割預(yù)定線切削， 從而被分割為一個個器件芯片。另外，即使晶片W被分割為一個個器件 芯片，由于其粘貼在安裝于環(huán)狀框體F的保持膠帶T上，因此，不會分 散開來，可維持晶片的形態(tài)。當對保持在這樣的第一吸盤工作臺20a上的晶片W結(jié)束了切削工序 之后，對于保持在第二吸盤工作臺20b上的、執(zhí)行過了對準工序的晶片 W，與上述情況一樣地以雙切割方式利用第一、第二切削刀具33a、 33b執(zhí)行切削工序。另一方面，在對保持在第二吸盤工作臺20b上的晶片W執(zhí)行切削工 序的過程中，保持有結(jié)束了切削工序的晶片W的第一吸盤工作臺20a， 借助于第一加工進給單元40a，從切削區(qū)域朝向晶片裝卸位置移動，并在 該晶片裝卸位置解除對晶片W的抽吸保持。然后，被分割為一個個器件 芯片的晶片W，通過搬送單元5被搬送到下一工序。當分割過的晶片W14 向下一工序的搬送結(jié)束時，在第一吸盤工作臺20a上執(zhí)行搬送和保持下 一個晶片W的晶片保持工序，然后，依次執(zhí)行對準工序、切削工序。此外，在對保持在第一吸盤工作臺20a上的晶片W執(zhí)行切削工序的 過程中，保持有結(jié)束了切削工序的晶片W的第二吸盤工作臺20b，借助 于第二加工進給單元40b從切削區(qū)域朝向晶片裝卸位置移動，并在該晶 片裝卸位置解除對晶片W的抽吸保持。然后，被分割為一個個器件芯片 的晶片W，通過搬送單元5被搬送到下一工序。當分割后的晶片W向下 一工序的搬送結(jié)束時，在第二吸盤工作臺20b上執(zhí)行搬送和保持下一個 晶片W的晶片保持工序，然后依次執(zhí)行對準工序、切削工序。接下來，說明以下情況下的處理在對這樣的晶片W進行切削的半 途中，第一、第二切削刀具33a、 33b中的某個上產(chǎn)生破損，而更換為新 的切削刀具。首先，在利用第一、第二切削刀具33a、 33b對保持在例如如圖5-1 所示的第一吸盤工作臺20a上的晶片W，進行切削的半途中，以第二切 削刀具33b產(chǎn)生破損，將第二切削刀具33b更換為新的第二切削刀具33b' 的情況進行說明。當在切削過程中第二切削刀具33b產(chǎn)生破損的情況下， 暫時中斷對保持在第一吸盤工作臺20a上的晶片W的切削動作，使破損 了的第二切削刀具33b返回到初始位置。然后由操作者從旋轉(zhuǎn)主軸32b 上卸下第二切削刀具33b，將新的第二切削刀具33b'安裝到旋轉(zhuǎn)主軸32b 上。此時，切削半途中的晶片W仍維持保持在第一吸盤工作臺20a上的 狀態(tài)，當在第二吸盤工作臺20b上載置有未切削的晶片W的情況下，解 除對該未切削的晶片W的抽吸保持，通過搬送單元5和搬出單元3使其 返回到晶片盒6內(nèi)之后，將收容在晶片盒6內(nèi)的最下層的偽晶片DW， 通過搬出單元3和搬送單元5搬送到第二吸盤工作臺20b上進行保持。 然后，如圖5-2所示，將具有更換的新的第二切削刀具33b'的第二切削單 元30b，通過第二分度進給單元50b、第二切深進給單元60b，定位在第 二吸盤工作臺20b上的偽晶片DW上。接著，執(zhí)行這樣的預(yù)切割 一邊 使新的第二切削刀具33b'旋轉(zhuǎn)， 一邊使第二加工進給單元40b工作，使 第二吸盤工作臺20b在X軸方向上進行加工進給，從而，利用高速旋轉(zhuǎn)的新的第二切削刀具33b'，對保持在第二吸盤工作臺20b上的偽晶片DW 進行切削(預(yù)切割工序)。這樣的預(yù)切割工序通過使新的切削刀具33b'進 行適當次數(shù)的分度進給以反復(fù)進行加工進給，來重復(fù)執(zhí)行切削工序，以 使切削刀具33b'與晶片W磨合。在這樣的預(yù)切割工序中是這樣的情況第二切削刀具33b'位于保持 偽晶片DW的第二吸盤工作臺20b側(cè)，利用該第二切削刀具33b'執(zhí)行對 偽晶片DW進行切削的預(yù)切割的情況，由于第一切削刀具33a不需要進 行更換和退避動作等，因此，如圖5-2所示，對維持保持在第一吸盤工作 臺20a上狀態(tài)的切削半途中的晶片W，可切換到只利用第一切削刀具33a 的單切割模式，繼續(xù)進行剩余的切削工序。從而，在利用更換后的切削 刀具33b'對偽晶片DW進行的預(yù)切割動作中，可以用第一切削刀具33a 繼續(xù)進行對切削半途中的晶片W的切削動作，可以使晶片加工的效率提 高。另一方面，考慮這樣的情況在利用第一、第二切削刀具33a、 33b 對保持在例如如圖5-1所示的第一吸盤工作臺20a上的晶片W進行切削 的半途中，第一切削刀具33a產(chǎn)生破損，將第一切削刀具33a更換為新 的第一切削刀具33a'。當在切削過程中第一切削刀具33a產(chǎn)生破損的情況 下，暫時中斷對保持在第一吸盤工作臺20a上的晶片W的切削動作，使 第一、第二切削刀具33a、 33b均返回到初始位置。然后由操作者從旋轉(zhuǎn) 主軸32a上卸下第一切削刀具33a，將新的第一切削刀具33a'安裝到旋轉(zhuǎn) 主軸32a上。此時，切削半途中的晶片W仍維持保持在第一吸盤工作臺20a上的 狀態(tài)，當在第二吸盤工作臺20b上載置有未切削的晶片W的情況下，解 除對該未切削的晶片W的抽吸保持，通過搬送單元5、搬出單元3，使 其返回到晶片盒6內(nèi)之后，將收容在晶片盒6內(nèi)的最下層的偽晶片DW， 通過搬出單元3和搬送單元5搬送到第二吸盤工作臺20b上進行保持。 然后如圖5-3所示，使不需要更換的第二切削刀具33b維持在初始位置待 機的狀態(tài)，將具有更換的新的第一切削刀具33a'的第一切削單元30a，通 過第一分度進給單元50a和第一切深進給單元60a，定位在第二吸盤工作 臺20b上的偽晶片DW上。接著，執(zhí)行這樣的預(yù)切割 一邊使新的第一 切削刀具33a'旋轉(zhuǎn)， 一邊使第二加工進給單元40b動作，使第二吸盤工 作臺20b在X軸方向上進行加工進給，從而，利用高速旋轉(zhuǎn)的新的第一 切削刀具33a'，對保持在第二吸盤工作臺20b上的偽晶片DW進行切削 (預(yù)切割工序)。這樣的預(yù)切割工序使新的第一切削刀具33a'進行適當次 數(shù)的分度進給以反復(fù)進行加工進給，反復(fù)執(zhí)行切削工序，以使切削刀具 33a'與晶片W磨合。在這樣的預(yù)切割工序中是這樣的情況利用不是位于保持偽晶片DW的第二吸盤工作臺20b側(cè)的第二切削刀具33b的第一切削刀具33a'， 來執(zhí)行切削偽晶片DW的預(yù)切割，如圖5-3所示，由于在第一吸盤工作 臺20a上并不存在切削刀具，因此，對維持保持在第一吸盤工作臺20a 上的狀態(tài)的、處于切削半途中的晶片W的切削工序中斷，直到對第一切 削刀具33a'的預(yù)切割工序結(jié)束。當預(yù)切割工序結(jié)束之后，通過使第一、 第二切削刀具33a'、 33b定位于維持保持在第一吸盤工作臺20a上狀態(tài)的 處于切削半途中的晶片W的中斷前的切削位置上，再次開始切削工序。 由此，不需要卸下第一吸盤工作臺20a上的切削半途中的晶片W，也不 需要再次進行對準，可以高效地加工晶片W。并且，上述預(yù)切割工序以對保持在第一吸盤工作臺20a上的晶片W 進行切削的半途中必須更換切削刀具的情況的示例進行了說明，但對保 持在第二吸盤工作臺20b上的晶片W進行切削的半途中必須更換切削刀 具33a或33b的情況下，也同樣可以適用。此外，在本實施方式中，對雙切割方式的切削單元30的示例進行了 說明，該切削單元30具有使同一結(jié)構(gòu)的第一、第二切削刀具33a、 33b 對置的結(jié)構(gòu)，并同時并行地進行對同一晶片W的切削，但對這樣的步進 切割方式的情況也可以適用具有第一、第二切削單元，第一、第二切 削單元具有對晶片W的切削深度不同的第一、第二切削刀具，對同一分 割預(yù)定線利用第一、第二切削刀具分兩個階段依次進行切削，此外，也 可以適用于使用只有一個切削刀具的切削單元來對晶片W進行切削的情況。在這些情況下，在切削刀具產(chǎn)生破損而更換為新的切削刀具之后的 預(yù)切割動作過程中，由于對維持在切削半途中的狀態(tài)的晶片無法繼續(xù)進 行切削工序，因此，可使切削工序中斷直到預(yù)切割工序結(jié)束為止，在預(yù) 切割工序結(jié)束之后再次開始切削工序。此外，在本實施方式中，在執(zhí)行預(yù)切割時，將收容在晶片盒6的最下層的偽晶片DW作為預(yù)切割用進行供給，但例如也可以如圖6和圖7 所示，在形成于晶片盒工作臺2下部的偽晶片收容部2a中，預(yù)先收容一 塊或兩塊偽晶片DW，在執(zhí)行預(yù)切割時，使偽晶片收容部2a上升到可供 給偽晶片DW的位置，以進行預(yù)切割用的供給。如果這樣，就不需要將 切削刀具破損時很少進行的預(yù)切割所用的偽晶片DW每次都收容到晶片 盒6內(nèi)，可以只收容成為切削對象的晶片W。并且，在圖6和圖7中， 90是使晶片盒工作臺2升降的升降單元，其具有滾柱絲杠91，其與晶 片盒工作臺2的一部分旋合；可自由地正反旋轉(zhuǎn)的電動機92，其使?jié)L柱 絲杠91旋轉(zhuǎn)；以及導(dǎo)軌93，其引導(dǎo)晶片盒工作臺2在Z軸方向上的移動。
權(quán)利要求
1.一種晶片的加工方法，其特征在于，其是使用切削裝置的加工方法，所述切削裝置具有吸盤工作臺，其保持晶片；切削單元，其安裝有對保持在該吸盤工作臺上的晶片進行切削的切削刀具；加工進給單元，其使所述吸盤工作臺在X軸方向上進行加工進給；分度進給單元，其使所述切削單元在與X軸方向正交的Y軸方向上進行分度進給；晶片盒工作臺，其上載置有收容了多塊晶片的晶片盒；搬出單元，其從所述晶片盒搬出晶片；臨時放置工作臺，其臨時放置被搬出的晶片；搬送單元，其將臨時放置在該臨時放置工作臺上的晶片搬送到所述吸盤工作臺上；以及對準單元，其對保持在所述吸盤工作臺上的晶片進行攝像，以檢測出應(yīng)當切削的區(qū)域，所述吸盤工作臺由彼此相鄰地配設(shè)的第一吸盤工作臺和第二吸盤工作臺構(gòu)成，所述加工進給單元由使所述第一吸盤工作臺進行加工進給的第一加工進給單元，以及使所述第二吸盤工作臺進行加工進給的第二加工進給單元構(gòu)成，所述晶片的加工方法具有以下工序晶片保持工序，通過所述搬送單元，將從所述晶片盒搬出到所述臨時放置工作臺上的晶片，搬送到所述第一吸盤工作臺或所述第二吸盤工作臺中的一方上進行保持；對準工序，將保持在所述吸盤工作臺上的晶片，定位在所述對準單元的正下方，并檢測出應(yīng)當切削的區(qū)域；切削工序，相對于保持在所述吸盤工作臺上、并執(zhí)行了所述對準工序的晶片，定位所述切削單元的所述切削刀具，并對晶片進行切削；以及預(yù)切割工序，當在該切削工序的晶片的切削半途中將所述切削刀具更換為新的切削刀具時，使切削半途中的晶片維持保持在所述吸盤工作臺上的狀態(tài)，使偽晶片保持在沒有保持切削半途中的晶片的一方的所述吸盤工作臺上，利用安裝有新的切削刀具的所述切削單元，執(zhí)行切削偽晶片的預(yù)切割。
2. 如權(quán)利要求l所述的晶片的加工方法，其特征在于， 使用具有這樣的所述切削單元的切削裝置，該切削單元由安裝有第一切削刀具的第一切削單元，以及安裝有第二切削刀具的第二切削單元 構(gòu)成，所述第二切削刀具由與所述第一切削刀具相同的結(jié)構(gòu)構(gòu)成，并與 該第一切削刀具對置，并且該切削單元對同一晶片同時并行地進行切削， 所述預(yù)切割工序包括以下工序在所述第一切削刀具和所述第二切削刀具之中，在利用位于在該預(yù) 切割工序中保持偽晶片的所述吸盤工作臺側(cè)的所述切削刀具，來執(zhí)行切 削偽晶片的預(yù)切割的情況下，對切削半途中的晶片，使用另一方的所述 切削刀具繼續(xù)進行所述切削工序，在利用另一方的所述切削刀具執(zhí)行切 削偽晶片的預(yù)切割的情況下，中斷對切削半途中的晶片的所述切削工序， 直到該預(yù)切割工序結(jié)束。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的晶片的加工方法，其特征在于，在所述預(yù)切割工序中所用的偽晶片收容在所述晶片盒中。
4. 如權(quán)利要求1或2所述的晶片的加工方法，其特征在于，在所述預(yù)切割工序中所用的偽晶片收容在偽晶片收容部中，所述偽 晶片收容部形成在所述晶片盒工作臺的下部。
全文摘要
本發(fā)明提供一種晶片的加工方法，即使因在對晶片切削的半途中切削刀具破損更換為新的切削刀具，而需要進行預(yù)切割處理，也并不需要卸下切削半途中的晶片，也不需要進行再次對準，可以高效地加工晶片。在切削工序的晶片(W)的切削半途中，在將切削刀具更換為新的切削刀具(33b′)時，使切削半途中的晶片(W)維持保持在吸盤工作臺(20a)上的狀態(tài)，使偽晶片(DW)保持在沒有保持切削半途中的晶片(W)的一方的吸盤工作臺(20b)上，用安裝有新的切削刀具(33b′)的切削單元(30b)執(zhí)行切削偽晶片(DW)的預(yù)切割。
文檔編號H01L21/02GK101165858SQ20071018089
公開日2008年4月23日 申請日期2007年10月19日 優(yōu)先權(quán)日2006年10月20日
發(fā)明者根岸克治 申請人:株式會社迪思科