專利名稱：晶圓支架的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及半導體制程中使角的裝置，尤其涉及一個晶圓支架。
技術背景在半導體的物理氣相沉積的制程中涉及沉積鋁(Al)的子制程，通常是將 晶圓通過機械手臂傳送至鋁反應腔內，機械手臂將晶圓放入反應腔的晶圓支架 上，然后晶圓支架升高^f吏鎖緊環(huán)卡扣在晶圓四周的晶圓支架上。該鎖緊環(huán)可以 在鋁反應腔內進行沉積鋁的過程中，鋁不會濺射到晶圓支架上，只需定期將鎖 緊環(huán)取出來清洗或者更換即可。請參閱圖l，現(xiàn)有技術中晶圓支架l，該支架底座呈環(huán)狀，支架上設置的四 個支柱12，支柱12上半部分的截面為梯形以形成支柱槽，該支柱槽可以用于承 載晶圓。然而，在長期使用過程中，機械手臂的精度會發(fā)生偏差，導致晶圓并 不能平放入支柱槽內。當晶圓支架1升高與鎖緊環(huán)卡扣后，晶圓與鎖緊環(huán)之間 的間距就不是等距的，在隨后沉積鋁的過程中，鋁由于其熱溶性會使晶圓和鎖 緊環(huán)較小間距的之間的空隙粘合在一起，當該子制程結束后，晶圓不能取出或 在取出晶圓的過程中造成晶圓的破片。實用新型內容本實用新型的目的在于提供一種改進的晶圓支架，其可以防止晶圓由于放 入位置偏差而不能平放在晶圓支架中間。為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供一種晶圓支架，用于承栽晶圓，該晶圓 支架包括底座和垂直設置在底座上的四根支柱，每個支柱的上段設有支柱槽； 其中，支柱槽表面和支柱上表面的連接段設置為坡面。所述坡面為晶圓平放在晶圓支架的中心位置時，晶圓邊緣位置和支柱上表 面的連4秦li。 所述i皮面為 一斜形的i皮面。 所述坡面為 一弧形的坡面。 所述弧形的坡面朝向晶圓支架中心凹陷。與現(xiàn)有技術相比，本實用新型支柱槽表面和支柱上表面的連接段設置為坡 面可以導引晶圓傾斜的邊緣，而且坡面的摩擦系數(shù)較低，便于晶圓順坡面緩慢 下落，從而可以有效防止晶圓在支柱槽內傾斜。


通過以下對本實用新型一實施例結合其附圖的描述，可以進一步理解其實用新型的目的、具體結構特征和優(yōu)點。其中，附圖為圖l為現(xiàn)有^t支術中晶圓支架的剖面示意圖； 圖2為本發(fā)明中晶圓支架的結構示意圖； 圖3為本發(fā)明中晶圓支架的剖面示意圖。
具體實施方式
請參閱圖2，本實用新型的晶圓支架包括底座11和垂直設置在底座11上的 四根支柱12。每個支柱12的上段設有支柱槽in。支柱槽121表面和支柱l2 上表面的連接段為弧形的坡面12 3 。所述弧形的坡面12 3朝向晶圓支架中心凹陷。在本發(fā)明其他實施例中，坡面123也可以設置為斜形的坡面。在本發(fā)明其他實施例中，坡面123也可以定義為晶圓3平放在晶圓支架的 中心位置時晶圓3邊緣位置和支柱12上表面的連接段。請參閱圖3，當機械手臂將晶圓3放入晶圓支架的時候，即便機械手臂放置 的晶圓3發(fā)生傾斜，晶圓3向上傾斜的邊緣也會由于坡面123的導引以及其較 低的摩擦系數(shù)而順勢緩慢下落，從而使晶圓3最終可以平置在四個支柱槽121 內。當晶圓支架升起與鎖緊環(huán)(未圖示)卡扣后，晶圓3和鎖緊環(huán)之間的間距 是等距的，不會在沉積鋁的過程中發(fā)生晶圓3與鎖緊環(huán)粘合在一起的現(xiàn)象。
權利要求1、一種晶圓支架，用于承載晶圓，該晶圓支架包括底座和垂直設置在底座上的四根支柱，每個支柱的上段設有支柱槽；其特征在于支柱槽表面和支柱上表面的連接段設置為坡面。
2、 如權利要求l所述的晶圓支架，其特征在于所述坡面為晶圓平放在晶圓支 架的中心位置時，晶圓邊緣位置和支柱上表面的連接段。
3、 如權利要求1或2所述的晶圓支架，其特征在于所述坡面為一斜形的坡面。
4、 如權利要求1或2所述的晶圓支架，其特征在于所述坡面為一弧形的坡面。
5、 如權利要求4所述的晶圓支架，其特征在于所述弧形的坡面朝向晶圓支架 中心凹陷。
專利摘要本實用新型提供一種晶圓支架，用于承載晶圓，該晶圓支架包括底座和垂直設置在底座上的四根支柱，每個支柱的上段設有支柱槽；其中，支柱槽表面和支柱上表面的連接段設置為坡面。與現(xiàn)有技術相比，本實用新型支柱槽表面和支柱表面的連接段設置為坡面可以導引晶圓傾斜的邊緣，而且坡面的摩擦系數(shù)較低，便于晶圓順坡面緩慢下落，從而可以有效防止晶圓在支柱槽內傾斜。
文檔編號H01L21/687GK201024212SQ20072006762
公開日2008年2月20日 申請日期2007年3月6日 優(yōu)先權日2007年3月6日
發(fā)明者曾玉帆, 邊逸軍, 郭曉清 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司