一種晶圓正面的保護(hù)方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體而言涉及一種晶圓正面的保護(hù)方法。
【背景技術(shù)】
[0002]微機電系統(tǒng)(Micro-Electro-Mechanical Systems,MEMS)壓力傳感器需要在正面工藝完成后再進(jìn)行晶圓背部的制程。而在進(jìn)行背面制程時，晶圓正面不可避免的要和設(shè)備直接接觸。為防止此接觸導(dǎo)致晶圓正面受損，必須采取措施對晶圓正面進(jìn)行保護(hù)。
[0003]目前通常使用的保護(hù)方法為在正面制程完成后在晶圓正面增加一層氧化層，在背面制程完成后，再通過HF去除正面的保護(hù)氧化層。如圖1A所示，在晶圓100表面形成一層氧化物層101。
[0004]但是，對于正面已經(jīng)打開了鋁引線孔的制程，若使用氧化層保護(hù)的方式，后期需要使用HF去除保護(hù)氧化層，這樣會導(dǎo)致金屬接觸點被HF侵蝕從而影響器件的可靠性。如圖1B所不為被HF侵蝕后金屬表面形貌圖。
[0005]因此，針對上述問題，有必要提出一種新的保護(hù)方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]在
【發(fā)明內(nèi)容】
部分中引入了一系列簡化形式的概念，這將在【具體實施方式】部分中進(jìn)一步詳細(xì)說明。本發(fā)明的
【發(fā)明內(nèi)容】
部分并不意味著要試圖限定出所要求保護(hù)的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確定所要求保護(hù)的技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
[0007]本發(fā)明為了克服目前存在問題，提出一種晶圓正面的保護(hù)方法，包括:提供晶圓；在所述晶圓正面形成緩沖層；在所述緩沖層上形成保護(hù)層；進(jìn)行晶圓背部制程；去除所述保護(hù)層；去除所述緩沖層。
[0008]可選地，所述緩沖層為光阻層。
[0009]可選地，采用旋涂工藝涂覆所述光阻層后，進(jìn)行硬烤工藝。
[0010]可選地，所述保護(hù)層為保護(hù)膠帶。
[0011]可選地，所述保護(hù)膠帶為藍(lán)膜膠帶。
[0012]可選地，使用揭膜機去除所述保護(hù)膠帶。
[0013]可選地，采用濕法去膠工藝去除所述光阻層。
[0014]可選地，所述晶圓的正面形成有焊盤。
[0015]可選地，所述晶圓的正面形成有微機電系統(tǒng)壓力傳感器元件。
[0016]綜上所述，根據(jù)本發(fā)明的方法，利用光阻層作為晶圓正面與保護(hù)膠帶間的緩沖層，除具有保護(hù)晶圓正面器件的功能外，還可有效避免殘膠滯留在器件表面，進(jìn)而提高器件的性能和良率。
【附圖說明】
[0017]本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實施例及其描述，用來解釋本發(fā)明的原理。
[0018]附圖中:
[0019]圖1A為在晶圓正面形成氧化物保護(hù)層的剖面示意圖；
[0020]圖1B為被HF侵蝕后金屬表面形貌圖；
[0021]圖2A-2G為根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的方法依次實施所獲得器件的示意圖；
[0022]圖3為根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的方法依次實施步驟的流程圖。
【具體實施方式】
[0023]在下文的描述中，給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見的是，本發(fā)明可以無需一個或多個這些細(xì)節(jié)而得以實施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進(jìn)行描述。
[0024]應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明能夠以不同形式實施，而不應(yīng)當(dāng)解釋為局限于這里提出的實施例。相反地，提供這些實施例將使公開徹底和完全，并且將本發(fā)明的范圍完全地傳遞給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，為了清楚，層和區(qū)的尺寸以及相對尺寸可能被夸大。自始至終相同附圖標(biāo)記表示相同的元件。
[0025]應(yīng)當(dāng)明白，當(dāng)元件或?qū)颖环Q為“在...上”、“與...相鄰”、“連接至『或“耦合到”其它元件或?qū)訒r，其可以直接地在其它元件或?qū)由?、與之相鄰、連接或耦合到其它元件或?qū)?，或者可以存在居間的元件或?qū)印Ｏ喾?，?dāng)元件被稱為“直接在...上”、“與...直接相鄰”、“直接連接到”或“直接耦合到”其它元件或?qū)訒r，則不存在居間的元件或?qū)印?yīng)當(dāng)明白，盡管可使用術(shù)語第一、第二、第三等描述各種元件、部件、區(qū)、層和/或部分，這些元件、部件、區(qū)、層和/或部分不應(yīng)當(dāng)被這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅僅用來區(qū)分一個元件、部件、區(qū)、層或部分與另一個元件、部件、區(qū)、層或部分。因此，在不脫離本發(fā)明教導(dǎo)之下，下面討論的第一元件、部件、區(qū)、層或部分可表示為第二元件、部件、區(qū)、層或部分。
[0026]空間關(guān)系術(shù)語例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在這里可為了方便描述而被使用從而描述圖中所示的一個元件或特征與其它元件或特征的關(guān)系。應(yīng)當(dāng)明白，除了圖中所示的取向以外，空間關(guān)系術(shù)語意圖還包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附圖中的器件翻轉(zhuǎn)，然后，描述為“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征將取向為在其它元件或特征“上”。因此，示例性術(shù)語“在...下面”和“在...下”可包括上和下兩個取向。器件可以另外地取向(旋轉(zhuǎn)90度或其它取向)并且在此使用的空間描述語相應(yīng)地被解釋。
[0027]在此使用的術(shù)語的目的僅在于描述具體實施例并且不作為本發(fā)明的限制。在此使用時，單數(shù)形式的“一”、“一個”和“所述/該”也意圖包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚指出另外的方式。還應(yīng)明白術(shù)語“組成”和/或“包括”，當(dāng)在該說明書中使用時，確定所述特征、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一個或更多其它的特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、部件和/或組的存在或添加。在此使用時，術(shù)語“和/或”包括相關(guān)所列項目的任何及所有組合。
[0028]為了徹底理解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳細(xì)的步驟以及詳細(xì)的結(jié)構(gòu)，以便闡釋本發(fā)明提出的技術(shù)方案。本發(fā)明的較佳實施例詳細(xì)描述如下，然而除了這些詳細(xì)描述外，本發(fā)明還可以具有其他實施方式。
[0029][示例性實施例]
[0030]目前有一種經(jīng)常使用的晶圓正面的保護(hù)方法，其采用藍(lán)膜膠帶直接貼覆在晶圓正面，作為器件的保護(hù)層，但是貼在器件上的藍(lán)膜膠帶去除后，藍(lán)膜膠帶的殘膠會殘留在器件表面很難去除，對器件造成污染，進(jìn)而會影響器件的性能和良率。鑒于此，本發(fā)明提出了一種新的保護(hù)方法。
[0031]下面，參照圖2A-圖2G來描述根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的方法在晶圓正面形成保護(hù)層的詳細(xì)步驟。
[0032]首先，如圖2A所示，提供晶圓200，所述晶圓的正面200a上形成有焊盤(未示出)。
[0033]所述晶圓200的正面200a上已經(jīng)完成焊盤的工藝流程。所述晶圓200包含硅底基層、半導(dǎo)體襯底和器件，為了簡化，未示出。所述硅底基層為單晶硅或者硅玻璃等。所述半導(dǎo)體襯底的材料是單晶硅，也可以是絕緣體上的硅或者應(yīng)力硅等其他襯底。本實施例中，