專利名稱：：復合氧氮化物熒光體、使用該熒光體的發(fā)光裝置、圖像顯示裝置、照明裝置、含熒光體的組...的制作方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及在來自作為第1發(fā)光體的半導體發(fā)光元件等激發(fā)光源的光的照射下發(fā)出綠色光的復合氧氮化物熒光體、使用該熒光體的高效率發(fā)光裝置、圖像顯示裝置和照明裝置以及復合氧氮化物。
背景技術：
：在穩(wěn)定性、制造容易性方面，氮化物比氧化物差，但是已知有不少氮化物具有氧化物以及其他無機化合物所沒有的特性?，F(xiàn)今，Si3N4、BN、A1N、GaN、TiN等二元系氮化物被用于基板材料、半導體、發(fā)光二極管(lightemittingdiode。以下為了方便起見簡稱為"LED")、結構用陶瓷、涂覆劑等各種用途，并進行工業(yè)規(guī)模的生產。另外，在由三元系以上的元素構成的氮化物方面，近年制造出了大量的新物質，特別是最近在以氮化硅為基礎的多元系氮化物、氧氮化物方面，開發(fā)了具有優(yōu)異特性的熒光體材料。這些熒光體材料己知在藍色LED或近紫外LED的激發(fā)下發(fā)出黃色紅色的光。通過這樣的藍色LED或近紫外LED與這些熒光體的組合，能夠構成發(fā)出白色光的發(fā)光裝置。照明用途和顯示器用途中常常使用的白色光通常是根據光的加算混合原理來組合藍色、綠色、紅色的發(fā)光得到的。在顯示器用途中的一個領域-彩色液晶顯示裝置用背光中，為了有效再現(xiàn)色度坐標上的寬的范圍的色彩，優(yōu)選藍色、綠色、紅色的各發(fā)光體發(fā)光強度盡可能高、色純度盡可能好。對于它們的指標，例如作為TV的色再現(xiàn)范圍的標準之一，已知有NTSC(美國全國電視標準委員會，NationalTelevisionStandardCommittee)。近年，進行了使用半導體發(fā)光裝置作為藍色、綠色和紅色這3色的發(fā)光光源的嘗試。但是，這3色全部使用半導體發(fā)光裝置時，通常需要設置對使用中的色移進行補償的電路。因此，實際中是使用熒光體等波長轉換材料對半導體發(fā)光元件發(fā)出的光進行波長轉換，得到所期望的藍色、綠色、紅色這3色光。具體地說，已知有以近紫外發(fā)光的半導體發(fā)光元件為光源，使之發(fā)出藍色、綠色、紅色的光的方式；和從發(fā)藍色光的半導體發(fā)光元件發(fā)出的光直接作為藍色光使用，綠色和紅色的光通過利用熒光體進行波長轉換來得到的方法。藍色、綠色和紅色這3色中，綠色對人眼的視見度最高，對顯示器的整體明亮度的影響大，所以與其他2色相比，其尤為重要。但是，現(xiàn)有的發(fā)綠色光的熒光體在對藍色光或近紫外光的轉換效率和色純度方面不足，所以期待有一種實現(xiàn)上述目的高性能的發(fā)出綠色熒光的熒光體(以下為了方便起見，稱作"綠色熒光體")。以往，作為綠色熒光體的公知例有專利文獻1或2所示的SrSi202N2:Eu、CaSi202N2:Eu或BaSi202N2:Eu熒光體。對于波長為400nm的激發(fā)光，這些熒光體的發(fā)光峰波長為4卯nm580nm，表現(xiàn)為藍綠色黃紅色。但是，由這些熒光體的發(fā)光光譜圖可知，其峰的波長過短，或者半峰寬較寬，色純度低，所以使用這些熒光體的顯示器的色再現(xiàn)范圍變窄。另外，由于輝度也低，對于上述目的來說，其不令人滿意。另外，專利文獻3記載了具有藍綠色黃色系的發(fā)光色的氧氮化物熒光體。但是，專利文獻3中具體公開的僅是組成與上述公知文獻1和2中的熒光體的組成相同的熒光體以及取代了其金屬元素或硅的熒光體，這些熒光體存在與上述相同的問題。另外，專利文獻4公開了含Al的Si-O-N系熒光體。但是，該熒光體的發(fā)光光譜的半峰寬較寬，色純度低，所以對于上述目的來說，其也不令人滿意。另一方面，非專利文獻1記載了Ba3Si609N^nEu3Si609N4的合成方法及其X射線結構解析結果。但是，這些氧氮化物均不是發(fā)出熒光的物質。此外，該文獻是在2005年11月17日投稿的，并在2006年5月3日在線公開的，而本申請優(yōu)先日前僅公開了記載有Ba3Si609N4和Ba3Si609N4組成式的題目。專利文獻l:日本特表2005-530917號公報專利文獻2:日本特表2006-503431號公報專利文獻3:國際公開第2004/039915號小冊子專利文獻4:日本特表2005-529229號公報非專利文獻1:Z.Anorg.Allg.Chem.,2006，vol.632，p.949-95
發(fā)明內容照明用和顯示器用的綠色發(fā)光體優(yōu)選其發(fā)光峰波長在525nm附近、發(fā)光效率高。并且，優(yōu)選隨著發(fā)光裝置的溫度上升而產生的發(fā)光效率的降低小或產生的色差小。但是，現(xiàn)有的綠色熒光體對藍色光或近紫外光的轉換效率不足，并且在色純度方面也不足。因此，期待一種實現(xiàn)上述目的高性能的綠色熒光體。本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)了一種迄今為止未知的全新氧氮化物，以該氧氮化物結晶為母體，通過添加發(fā)光中心元素，成功地制造了高性能的綠色熒光體，從而完成了本發(fā)明。艮P，本發(fā)明的要點在于一種復合氧氮化物熒光體，其特征在于，其如通式[I]所示。MlxBayM2zLuOvNw[I](通式[I]中，Ml表示選自由Cr、Mn、Fe、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm和Yb組成的組中的至少一種活化元素，M2表示選自Sr、Ca、Mg和Zn中的至少一種二價金屬元素，L表示選自屬于元素周期表第4族或第14族的金屬元素中的金屬元素，x、y、z、u、v和w分別是下述范圍的數值。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula>0<u〇ll6<v^250<w^l7)此時，上述通式[I]中，優(yōu)選u、v和w分別為5^u^7、9<v<15、0<w<4。并且，優(yōu)選上述復合氧氮化物熒光體的結晶具有三方晶系的晶胞。進而，優(yōu)選上述M1至少含有Eu或Ce。并且，上述通式[I]中，優(yōu)選y是0〈y〈2.99999范圍的數值。進而，優(yōu)選上述復合氧氮化物熒光體含有BSON相，其是下述定義的結晶相。BSON相該結晶相在使用CuKa的X射線源的X射線衍射測定中，于衍射角(20)26.928.2。的范圍(RO)觀測到了衍射峰，以該衍射峰(PO)為基準衍射峰，根據PO的布拉格角(eO)導出的5個衍射峰(其中，不包括位于20.9。22.9°的角度范圍的衍射峰)從低角度側開始依次設為P1、P2、P3、P4和P5，并將這些衍射峰的衍射角的角度范圍設為Rl、R2、R3、R4和R5，此時，Rl、R2、R3、R4和R5分別表示Rl二RlsRle、R2=R2sR2e、R3=R3sR3e、R4二R4sR4e、R5=R5sR5e的角度范圍，在R1、R2、R3、R4和R5的全部范圍存在至少1個衍射峰，并且，相對于PO、Pl、P2、P3、P4和P5中衍射峰高最高的衍射峰的高度，以衍射峰高比計，P0的強度為20。/。以上，以衍射峰高比計，Pl、P2、P3、P4和P5中至少1個以上的峰的強度是5%以上。此處，在角度范圍RO、Rl、R2、R3、R4和R5各自的角度范圍內存在2個以上衍射峰的情況下，分別將這些之中峰強度最高的峰設為PO、Pl、P2、P3、P4禾卩P5。并且，Rls、R2s、R3s、R4s和R5s分別表示Rl、R2、R3、R4和R5的開始角度，Rle、R2e、R3e、R4e和R5e分別表示Rl、R2、R3、R4和R5的終止角度，具體表示以下的角度。Rls:2xarcsin(sin(e0)/(1.994xl.015)}Rle:2xarcsin(sin(60)/(1.994x0.985)}R2s:2xarcsin(sin(的)/(1.412x1.015))R2e:2xarcsin(sin(00)/(1.412x0.985))R3s:2xarcsin(sin(00)/(1.155x1.015)}R3e:2xarcsin(sin(00)/(1.155x0.985)}R4s:2xarcsin(sin(0O)/(O.894x1,015))R4e:2xarcsin{sin(60)/(0.894x0.985)}R5s:2xarcsin(sin(0O)/(O.756x1.015)}R5e:2xarcsin(sin(0O)/(O.756x0.985))另外，上述復合氧氮化物熒光體優(yōu)選在使用CuKa的X射線源的X射線衍射測定中，X射線衍射測定結果之中的雜質相的最強峰強度為上述PO、Pl、P2、P3、P4和P5之中的最強峰強度的40。/。以下。本發(fā)明的另一個要點在于一種含熒光體的組合物，其特征在于，其含有上述復合氧氮化物熒光體和液體介質。本發(fā)明的另一個要點在于一種發(fā)光裝置，其特征在于，其具有激發(fā)光源和熒光體，所述熒光體在來自該激發(fā)光源的光的照射下發(fā)出綠色熒光，并且具有下述(l)、(2)和(3)的特性。(1)照射455nm波長的光的情況下，15(TC的發(fā)光光譜圖中的發(fā)光峰強度值與2(TC的發(fā)光光譜圖中的發(fā)光峰強度值的比例為55%以上。(2)照射410nm波長的光的情況下的發(fā)光光譜圖中的發(fā)光峰強度值與照射390nm波長的光的情況下的發(fā)光光譜圖中的發(fā)光峰強度值的比例為90%以上。(3)熒光體的發(fā)光色基于JISZ8701的色度坐標值滿足x0.3、y^0.5。本發(fā)明的另一個要點在于一種發(fā)光裝置，其具有激發(fā)光源和熒光體，所述熒光體在來自該激發(fā)光源的光的照射下發(fā)出綠色熒光，并且具有下述(4)以及上述(2)和(3)的特性。(4)氧氮化物結晶具有三方晶系的晶胞。此時，優(yōu)選與通電前的色度(x'，y')相比，在氣溫85。C、相對濕度85%的環(huán)境下，以電流密度238mA/mm2通電200小時后，上述發(fā)光裝置的發(fā)光的色度(x，y)的值分別滿足0^Ix-x，I^0.035、Iy-y，I當0,035。進而，優(yōu)選上述發(fā)光裝置的發(fā)光效率為30lm/W以上。并且，上述發(fā)光裝置優(yōu)選含有一種以上的上述的復合氧氮化物熒光體作為所述熒光體。本發(fā)明的另一個要點在于一種發(fā)光裝置，其具有第1發(fā)光體和第2發(fā)光體，所述第2發(fā)光體在來自該第1發(fā)光體的光的照射下發(fā)出可見光，其特征在于，所述發(fā)光裝置含有第1熒光體作為上述第2發(fā)光體，所述第1熒光體含有一種以上權利要求17的任意一項所述的復合氧氮化物熒光體。此時，上述發(fā)光裝置優(yōu)選含有第2熒光體作為第2發(fā)光體，所述第2發(fā)光體含有一種以上發(fā)光峰波長與上述第1熒光體不同的熒光體。并且，上述發(fā)光裝置優(yōu)選含有一種以上在570nm780nm的波長范圍具有發(fā)光峰波長的熒光體作為上述第2熒光體。進而，上述發(fā)光裝置優(yōu)選上述第1發(fā)光體在420nm500nm的波長范圍具有發(fā)光峰。并且，上述發(fā)光裝置優(yōu)選上述第1發(fā)光體在300nm420nm的波長范圍具有發(fā)光峰，作為上述第2熒光體，上述發(fā)光裝置含有在420nm490nm的波長范圍具有發(fā)光峰的至少一種熒光體和在570nm780nm的波長范圍具有發(fā)光峰的至少一種熒光體。進而，上述發(fā)光裝置優(yōu)選含有選自由(Ca，Sr,Ba)2Si5(N,0)8:Eu、(Ca,Sr,Ba)Si(N，0)2:Eu、(Ca,Sr，Ba)AlSi(N，0)3:Eu、(Ca，Sr，Ba)AlSi(N，0)3:Ce、(Sr,Ba)3Si05:Eu、(Ca，Sr)S:Eu、(La，Y)202S:Eu和Eu絡合物組成的組中的至少一種熒光體作為上述第2熒光體。并且，上述發(fā)光裝置優(yōu)選含有選自由(Ca，Sr，Ba)MgAlu)On:Eu、(Sr,Ca，Ba,Mg)1()(P04)6(Cl，F(xiàn))2:Eu和(Ba，Ca,Mg,Sr)2Si04:Eu組成的組中的至少一種熒光體作為上述第2熒光體。進而，上述發(fā)光裝置優(yōu)選發(fā)光色處于JISZ8701中用(黃)白、(綠)白、(藍)白、(紫)白和白規(guī)定的范圍。本發(fā)明的另一個要點在于一種圖像顯示裝置，其特征在于，其具有上述的發(fā)光裝置。本發(fā)明的另一個要點在于一種照明裝置，其特征在于，其具有上述的發(fā)光裝置。本發(fā)明的另一個要點在于一種復合氧氮化物，其特征在于，其如通式[II]所示。Bay.M2，z,Lu,OvNw.[II](通式[II]中，M2，表示選自Sr、Ca、Mg、Zn、Cr、Mn、Fe、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一種金屬元素，L表示選自屬于元素周期表第4族或第14族的金屬元素中的金屬元素，y'、z'、u'、v'和w'分別是下述范圍的數值。2,6^y，+z，S39<v，<150<w，<4)此時，優(yōu)選上述復合氧氮化物的結晶具有三方晶系的晶胞。并且，優(yōu)選上述復合氧氮化物含有BSON相，所述BSON相是上述定義的結晶相。進而，優(yōu)選上述復合氧氮化物在使用CuKa的X射線源的X射線衍射測定中，X射線衍射測定結果之中的雜質相的最強峰強度為上述P0、Pl、P2、P3、P4和P5之中的最強峰強度的40。/。以下。本發(fā)明的新的復合氧氮化物熒光體的代表組成是Ba3Si6012N2，根據使用CuKa的X射線源的X射線衍射法，證明其結晶結構是新的。另外，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，通過用作為活化劑的Ei^+取代該結晶的Ba離子位點，從而得到一種綠色熒光體，對于來自半導體發(fā)光元件的激發(fā)光例如波長380nm480nm的范圍的光，其發(fā)光效率高，從而完成了本發(fā)明。本發(fā)明的復合氧氮化物熒光體是綠色熒光體，可被近紫外發(fā)光或藍色發(fā)光的半導體發(fā)光元件特別有效地激發(fā)，發(fā)光光譜中在波長525nm附近具有峰。并且，通常與以往大量用于白色發(fā)光裝置的YAG:Ce熒光體相比，本發(fā)明的復合氧氮化物熒光體的發(fā)光效率隨溫度上升而發(fā)生的降低較少。本發(fā)明的復合氧氮化物熒光體的用途廣，能夠用于照明領域、顯示器領域。其中，對于通常的照明用LED，特別適合實現(xiàn)高功率燈、尤其是高輝度下的色再現(xiàn)范圍寬的背光光源用白色LED的目的。并且，本發(fā)明的發(fā)光裝置的發(fā)光效率高、發(fā)光效率隨著溫度上升而較少地降低、高輝度下的色再現(xiàn)范圍寬。進而，本發(fā)明的復合氧氮化物具有酸穩(wěn)定性和高溫穩(wěn)定性，作為耐熱材料是有用的。圖1是說明本發(fā)明的發(fā)光裝置的一例中激發(fā)光源(第1發(fā)光體)和含熒光體部(第2發(fā)光體)的位置關系的示意性立體圖。圖2中圖2(a)和圖2(b)均是說明具有激發(fā)光源(第1發(fā)光體)和含熒光體部(第2發(fā)光體)的發(fā)光裝置的一個實施例的示意性截面圖。圖3是示意性表示本發(fā)明的照明裝置的一個實施方式的截面圖。圖4用于說明本發(fā)明的圖像顯示裝置的一個實施方式，其是示意性表示圖像顯示裝置的要部的分解截面圖。圖5用于說明本發(fā)明的圖像顯示裝置的另一個實施方式，其是示意性表示圖像顯示裝置的要部的分解截面圖。圖6是表示制造例112得到的熒光體的X射線衍射圖案的圖。圖7是表示實施例113、18和3538得到的熒光體的X射線衍射圖案的圖。圖8是實施例27、18、35和36中測定的在波長400nm激發(fā)下的發(fā)光光譜圖。圖9是實施例813、18、37和38中測定的在波長400nm激發(fā)下的發(fā)光光譜圖。圖10是實施例27、18、35和36中測定的在波長455nm激發(fā)下的發(fā)光光譜圖。圖11是實施例813、18、37和38中測定的在波長455nm激發(fā)下的發(fā)光光譜圖。圖12是表示實施例4151得到的熒光體的X射線衍射圖案的圖。圖13是實施例4151中測定的在波長400nm激發(fā)下的發(fā)光光譜圖。圖14是實施例4151中測定的在波長455nm激發(fā)下的發(fā)光光譜圖。圖15是表示實施例5262得到的熒光體的X射線衍射圖案的圖。圖16是實施例5262中測定的在波長400nm激發(fā)下的發(fā)光光譜圖。圖17是實施例5262中測定的在波長455nm激發(fā)下的發(fā)光光譜圖。圖18是表示實施例6366得到的熒光體的X射線衍射圖案的圖。圖19是實施例6366中測定的在波長400nm激發(fā)下的發(fā)光光譜圖。圖20是實施例6366中測定的在波長455nm激發(fā)下的發(fā)光光譜圖。圖21是表示實施例1425、39和40得到的熒光體的X射線衍射圖案的圖。圖22是實施例1425、39和40中測定的在波長400nm激發(fā)下的發(fā)光光譜圖。圖23是實施例1425、39和40中測定的在波長455nm激發(fā)下的發(fā)光光譜圖。圖24是表示實施例6769得到的熒光體的X射線衍射圖案的圖。圖25是實施例6769中測定的在波長340nm激發(fā)下的發(fā)光光譜圖。圖26是實施例6769中測定的在波長400nm激發(fā)下的發(fā)光光譜圖。圖27是實施例6769中測定的在波長455nm激發(fā)下的發(fā)光光譜圖。圖28是表示實施例2634得到的熒光體的X射線衍射圖案的圖。圖29是實施例34得到的熒光體的X射線衍射圖案的放大圖。圖30是SEM拍攝的實施例30中得到的熒光體的附圖代用照片。圖31是以與P46-Y3(YAG:Ce)相比較的方式表示實施例34得到的熒光體的溫度特性的圖。圖32是表示對實施例32和實施例34的熒光體測定的XANES光譜的一階微分曲線的圖。圖33是實施例2634中測定的在波長400nm激發(fā)下的發(fā)光光譜圖。圖34是實施例2634中測定的在波長455nm激發(fā)下的發(fā)光光譜圖。圖35是表示圖29使用的粉末試樣的限制視野電子衍射圖像的用作附圖的照片。圖36是表示對a-Si3N4和P-Si3N4分別進行測定得到的反射光譜的圖。圖37是表示實施例7074得到的熒光體的X射線衍射圖案的圖。圖38是實施例7074中測定的在波長400nm激發(fā)下的發(fā)光光譜圖。圖39是實施例7074中測定的在波長455nm激發(fā)下的發(fā)光光譜圖。圖40是表示實施例75、76得到的熒光體的X射線衍射圖案的圖。圖41是實施例75、76中測定的在波長400nm激發(fā)下的發(fā)光光譜圖。圖42是實施例75、76中測定的在波長455nm激發(fā)下的發(fā)光光譜圖。圖43是表示實施例76得到的燒制物的激發(fā)光譜的圖。圖44是表示實施例77得到的熒光體的X射線衍射圖案的圖。圖45是表示實施例7887得到的熒光體的X射線衍射圖案的圖。圖46是表示實施例88測定的發(fā)光裝置的發(fā)光光譜的圖。圖47是表示實施例101測定的發(fā)光裝置的發(fā)光光譜的圖。符號說明1:第2發(fā)光體2:面發(fā)光型GaN系LD3:基板4:發(fā)光裝置5:安裝引線6:內引線7:第l發(fā)光體8:含熒光體的樹脂部9:導線10:模塑部件11:面發(fā)光照明裝置12:支持殼體13:發(fā)光裝置14:擴散板15:顯示裝置16:光源17R，17G，17B:熒光體部17-1:透明基板17-2:黑底層18:框架19:起偏振器20:光閥20-1:背面電極20-2:液晶層20-3:前面電極21:檢偏振器22:第l發(fā)光體23:含熒光體的樹脂部24:框架25:導線26:電極27:電極具體實施例方式下面對本發(fā)明的實施方式進行詳細說明，但本發(fā)明不限于下述的實施方式，實施時可以在其要點的范圍內進行各種變化。另外，本說明書中的色名和色度坐標的關系全都是基于JIS標準(JISZ8110和Z8701)。此外，本說明書中的熒光體的組成式中，各組成式以頓號(、)隔開來表示。并且記錄有用逗號(，)隔開的多個元素時，表示可以以任意的組合和組成含有所記錄的元素之中的一種或兩種以上的元素。例如，"(Ca,Sr,Ba)Al204:Eu"這一組成式是將"CaAl204:Eu"、"SrAl204:Eu"、"BaAl204:Eu"、"Ca^SrxAlzO^Eu"、"Sr^BaxAbO^Eu"、"Cai.xBaxAl204:Eu"和"Cai_x.ySrxBayAl204:Eu"全部囊括表示的組成式(但是，上述式中0<乂<1、0<y<l、0<x+y<l)。[l.復合氧氮化物熒光體][l-l.復合氧氮化物熒光體的組成和結晶結構]本發(fā)明人為了獲得新的熒光體而進行BaO、Si3N4和Si02這3種成分體系的探索時，得到了具有PDF(粉末衍射文件，PowderDiffractionFile)中沒有登記的衍射圖案的物質，并且發(fā)現(xiàn)該物質具有能夠鑒定為大致單一相的上述衍射圖案(以下將該結晶相稱作BSON相)。本發(fā)明的復合氧氮化物熒光體(以下為了方便起見，稱作"本發(fā)明的熒光體")的組成范圍如下述通式[I]所示。MlxBayM2zLuOvNw[I](通式[I]中，Ml表示選自由Cr、Mn、Fe、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm和Yb組成的組中的至少一種活化元素，M2表示選自Sr、Ca、Mg和Zn中的至少一種二價金屬元素，L表示選自屬于元素周期表第4族或第14族的金屬元素中的金屬元素，x、y、z、u、v和w分別是下述范圍的數值。0.00001^x^3O^yS2.999992.6^x+y+z^30<u^ll<formula>formulaseeoriginaldocumentpage21</formula>上述通式(I)中，Ml是活化元素。作為上述M1，除了Eu以外，還可以舉出選自由Cr、Mn、Fe、Ce、Pr、Nd、Sm、Tb、Dy、Ho、Er、Tm和Yb組成的組中的至少一種過渡金屬元素或稀土元素。此外，作為M1，可以單獨含有這些元素之中的任意一種，也可以以任意組合和比例同時含有這些元素中的兩種以上。其中，除了Eu之外，作為優(yōu)選的元素，還可以舉出稀土元素Ce、Sm、Tm或Yb。進而，作為上述M1，從發(fā)光量子效率方面考慮，其中優(yōu)選至少含有Eu或Ce。并且，其中特別是從發(fā)光峰波長方面考慮，更優(yōu)選至少含有Eu，特別優(yōu)選僅使用Eu。該活化元素Ml在本發(fā)明的熒光體中以2價的陽離子和/或3價的陽離子的形式存在。此時，對于活化元素M1，優(yōu)選其2價陽離子的存在比例高。具體來說，Ml是Eu的情況下，E^+相對于全部Eu量的比例通常為20摩爾％以上，優(yōu)選為50摩爾％以上，更優(yōu)選為80摩爾％以上，特別優(yōu)選為90摩爾％以上。此外，本發(fā)明的熒光體所含有的全部Eu中的E浐的比例例如可通過X射線吸收精細結構(X-rayAbsorptionFineStructure)的測定來進行研究。即，觀啶Eu原子的L3吸收端時，E^+和E^+顯示出各自的吸收峰，所以根據其面積，可以對其比例進行定量。另外，本發(fā)明的熒光體所含有的全部Eu中的E^+的比例還可根據電子自旋共振(ESR)的測定來獲知。另外，上述通式[I]中，x是0.00001Sx^3范圍的數值。其中，x優(yōu)選為0.03以上，更優(yōu)選為0.06以上，特別優(yōu)選為0.12以上。另一方面，如果活化元素M1的含有比例過大，則有時產生濃度消光，所以x優(yōu)選為0.9以下，更優(yōu)選為0.7以下，特別優(yōu)選為0.45以下。另外，本發(fā)明的熒光體能在維持BSON相結晶結構的同時用Sr、Ca、Mg禾tV或Zn取代Ba的位置。因此，上述通式[I]中，M2表示選自Sr、Ca、Mg和Zn中的至少一種二價金屬元素。此時，M2優(yōu)選為Sr、Ca和/或Zn，更優(yōu)選為Sr和/或Ca，進一步優(yōu)選為Sr。另夕卜，還可以用這些元素的離子取代Ba和M2的一部分。此外，作為上述M2，可以單獨含有這些元素之中的任意一種，也可以以任意的組合和比例同時含有這些元素中的兩種以上。上述利用Ca離子進行取代時，Ca相對于Ba和Ca的總量的存在比例優(yōu)選為40摩爾％以下。如果Ca量多于該量，則有時導致發(fā)光波長的長波長化、發(fā)光強度的降低。上述利用Sr離子進行取代時，Sr相對于Ba和Sr的總量的存在比例優(yōu)選為50摩爾％以下。如果Sr量多于該量，則有時導致發(fā)光波長的長波長化以及發(fā)光強度的降低。上述利用Zn離子進行取代時，Zn相對于Ba和Zn的總量的存在比例優(yōu)選為60摩爾％以下。如果Zn量多于該量，則有時導致發(fā)光波長的長波長化以及發(fā)光強度的降低。所以，上述通式[I]中，z的量根據取代的金屬元素M2的種類和y的量進行設定即可。具體地說，上述通式[I]中，作為上述y，其是0Sy^2.9999范圍的數值。并且，通式[I]中，x+y+z滿足2.6^x+y本發(fā)明的熒光體中，有時Ba、M2元素與氧或氮同時缺失。因此，上述通式[I]中，有時x+y+z的值小于3，x+y+z通常取2.6^x+y十zS3的值，理想地是x+y+z-3。另外，從結晶結構的穩(wěn)定性的角度出發(fā)，本發(fā)明的熒光體優(yōu)選含有Ba。所以，上述通式[I]中，優(yōu)選y大于0，更優(yōu)選為0.9以上，特別優(yōu)選為1.2以上，并且根據與惰性元素的含有比例的關系，優(yōu)選y小于2.99999，更優(yōu)選為2.99以下，進一步優(yōu)選為2.98以下，特別優(yōu)選為2.95以下。上述通式[I]中，L表示選自Ti、Zr、Hf等元素周期表第4族的金屬元素或者Si、Ge等元素周期表第14族的金屬元素中的金屬元素。此外，L可以單獨含有這些金屬元素中的任意一種，也可以以任意組合和比例同時含有這些元素中的兩種以上。其中，L優(yōu)選為Ti、Zr、Hf、Si或Ge，更優(yōu)選為Si或Ge，特別優(yōu)選為Si。此處，從熒光體的結晶的電荷平衡方面考慮，在對該熒光體的性能沒有不良影響的范圍內，上述L中可以部分混入B、Al、Ga等能形成3價陽離子的金屬元素。作為其混入量，通常為L的10原子％以下、優(yōu)選為L的5原子。/。以下。另外，上述通式[I]中，數值u通常為11以下，優(yōu)選為9以下，更優(yōu)選為7以下，并且大于0，優(yōu)選為3以上，更優(yōu)選為5以上。通式[I]中，O離子和N離子的量用數值v和w表示。具體地說，上述通式(I)中，v通常是大于6的數值，優(yōu)選是大于7的數值，更優(yōu)選是大于8的數值，進一步優(yōu)選是大于9的數值，特別優(yōu)選是大于11的數值，并且其通常是25以下的數值，優(yōu)選為小于20的數值，更優(yōu)選為小于15的數值，進一步優(yōu)選為小于13的數值。另外，由于本發(fā)明的熒光體是氧氮化物，所以N是必要成分。因此，上述通式(I)中，w是大于O的數值。另夕卜，w通常是17以下的數值，優(yōu)選為小于10的數值，更優(yōu)選為小于4的數值，進一步優(yōu)選為小于2.4的數值。所以，從上述的角度出發(fā)，上述通式[I]中，特別優(yōu)選u、v和w分別滿足5^u^7、9<v<15、0<w<4。由此，能夠提高發(fā)光強度。另外，本發(fā)明的熒光體優(yōu)選氧原子與(M1+Ba+M2)和L這些金屬元素的比例大于氮原子與(M1+Ba+M2)和L這些金屬元素的比例，作為氮原子的量與氧原子的量的比(N/0)，其值為70摩爾％以下，優(yōu)選為50摩爾％以下，更優(yōu)選為30摩爾％以下，進一步優(yōu)選小于20摩爾％。另外，下限通常大于0摩爾％，優(yōu)選為5摩爾％以上，更優(yōu)選為10摩爾％以上。下面舉出本發(fā)明的熒光體的優(yōu)選組成的具體例，但本發(fā)明的熒光體的組成不限于下述的例子。作為本發(fā)明的熒光體的優(yōu)選的具體例，可以舉出(Ca，Sr，Ba)3(Si，Ge)6012N2:(Eu，Ce,Mn)、(Ca,Sr,Ba)3(Si，Ge)609N4:(Eu，Ce,Mn)、(Ca,Sr，Ba)3(Si,Ge)603N8:(Eu，Ce,Mn)、(Ca,Sr,Ba)3(Si，Ge)7012N8/3:(Eu，Ce,Mn)、(Ca，Sr，Ba)3(Si,Ge)8012N14/3:(Eu，Ce,Mn)、(Ca，Sr，Ba)3(Si，Ge)8012N6:(Eu，Ce,Mn)、(Ca,Sr，Ba)3(Si，Ge)28/3012N22/3:(Eu,Ce,Mn)、(Ca，Sr,Ba)3(Si，Ge)29/3012N26/3:(Eu，Ce,Mn)、(Ca，Sr，Ba)3(Si，Ge)6.5013N2:(Eu,Ce,Mn)、(Ca，Sr,Ba)3(Si,Ge)7014N2:(Eu，Ce，Mn)、(Ca,Sr，Ba)3(Si,Ge)8016N2:(Eu，Ce，Mn)、(Ca，Sr,Ba)3(Si,Ge)9018N2:(Eu,Ce，Mn)、(Ca,Sr,Ba)3(Si,Ge)k)02。N2:(Eu,Ce,Mn)或(Ca,Sr，Ba)3(Si,Ge)n022N2:(Eu,Ce,Mn),作為更優(yōu)選的具體例，可以舉出Ba3Si6012N2:Eu、Ba3Si609N4:Eu、Ba3Si603N8:Eu、Ba3Si7012N8/3:Eu、Ba3Si8012N14/3:Eu、Ba3Si8012N6:Eu、Ba3Si28/3012N22/3:Eu、Ba3Si29/30i2N26/3:Eu、Ba3Si65013N2:Eu、Ba3Si7014N2:Eu、Ba3Si8016N2:Eu、Ba3Si9018N2:Eu、Ba3Si10O20N2:Eu、Ba3Sin022N2:Eu、Ba3Si6012N2:Eu，Mn、Ba3Si609N4:Eu，Mn、Ba3Si603N8:Eu，Mn、Ba3Si70i2N8/3:Eu，Mn、Ba3Si80i2N14/3:Eu，Mn、Ba3Si8012N6:Eu，Mn、Ba3Si28/3012N22/3:Eu，Mn、Ba3Si29/30i2N26/3:Eu,Mn、Ba3Si6.5Oi3N2:Eu，Mn、Ba3Si7014N2:Eu，Mn、Ba3Si8016N2:Eu，Mn、Ba3Si9018N2:Eu，Mn、Ba3SiI0O20N2:Eu，Mn、Ba3Siu022N2:Eu，Mn、Ba3Si6012N2:Ce、Ba3Si609N4:Ce、Ba3Si603N8:Ce、Ba3Si7012N8/3:Ce、Ba3Si8012N14/3:Ce、Ba3Si8012N6:Ce、Ba3Si28/3012N22/3:Ce、Ba3Si29/3012N26/3:Ce、Ba3Si65013N2:Ce、Ba3Si7014N2:Ce、Ba3Si8016N2:Ce、Ba3Si9018N2:Ce、Ba3SiK)02。N2:Ce、Ba3Siu022N2:Ce等。另外，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)在上述組成范圍的基礎上具有特定的結晶結構的熒光體的發(fā)光強度特別高。艮口，作為本發(fā)明的熒光體，優(yōu)選根據X射線衍射、中子射線衍射等衍射法鑒定的結晶具有三方晶系的晶胞(特性(4))。由此，發(fā)光波長為可見光區(qū)域、特別是綠色區(qū)域。其晶格常數根據構成結晶的元素的種類發(fā)生變化，晶格常數a通常為7.2埃以上，優(yōu)選為7.26埃以上，更優(yōu)選為7.3埃以上。并且，晶格常數a通常為7.8埃以下，更優(yōu)選為7.7埃以下。另外，晶格常數c通常為5.8埃以上，優(yōu)選為6.0埃以上，更優(yōu)選為6.1埃以上，進一步優(yōu)選為6.2埃以上。并且，晶格常數c通常為6.8埃以下，更優(yōu)選為6.7埃以下。另外，優(yōu)選根據原子坐標計算的L-N的化學鍵的近鄰原子間距離(J(l-n))和L-0的化學鍵的近鄰原子間距離(J(L-O))分別滿足J1闊x(1-0.15)^J(L—N)^J1(L—n)X(1+0.15)、J1(L-O)X(1陽0.,J(L隱O一Jl(L-O)x(l+0.15)。此處，J1(l-n)二1.7士0.3埃、J1(l-o尸1.6士0.3埃。另外，作為其空間群，優(yōu)選其屬于基于"InternationalTablesforCrystallography(Third,revisededition)，VolumeASPACE-GROUPSYMMETRY"的143號(P3)和147號(P3-)。此處，上述晶格常數可以通過對X射線衍射和中子射線衍射的結果進行Rietveld解析來求出，空間群可以通過電子射線衍射求出。此外，Rietvdd解析以中井泉、泉富士夫編著的"粉末X射線解析的實際-Rietvdd法入門"朝倉書店刊(2002年)為參考，使用解析程序RIETAN2000進行解析即可。此外，這樣的結晶結構中，活化元素成為被固熔取代在Ba和/或M2的位點的狀態(tài)。另外，有時N—部分存在于O的位點。另外，通常使用上述的結晶系、空間群等進行結晶結構的確定，但本發(fā)明的熒光體的結晶相隨著組成的變化而產生結晶結構的變形(微妙的結構變化)，因而產生結晶系、空間群的變化，所以難以進行根本意義的結構確定。因此，通過對有助于發(fā)光的結晶相進行確定時所必須的X射線衍射圖案，來確定本發(fā)明的熒光體。通常，為了根據X射線衍射圖案確定兩個化合物的結晶結構是相同的，只需基于其結晶結構的包括最強衍射峰的6個左右的衍射峰的角度(20)—致即可。但是如本發(fā)明的化合物那樣，構成元素比不同的情況下，即使結晶結構相同，由于衍射峰的角度發(fā)生位移，所以也不能以數值的形式定義具體的衍射峰的角度。因此，本發(fā)明人著眼于使用布拉格方程計算出的衍射峰的面間距，用以下的表示方法確定衍射峰的角度范圍。布拉格方程d=A/{2xsin(e)}(式1)e=arcsin(V(2xd)〉(式2)此處，式2是式i的變形。并且，式i和式2中，d、e和x分別表示下述的意義。d:面間距(A)e:布拉格角(°)入CuKct的X射線波長二1.54184A此處，將基準衍射峰(P0)的面間距范圍規(guī)定為3.3lA3.16A時，根據式2，衍射角(2e)的范圍在26.9°28.2°。并且，根據觀測到的基準衍射峰(po)的角度(eo)，基準衍射峰的面間距(dO)由式1變?yōu)橄率?。dO=X/(2xsin(e0))(式3)將基準衍射峰(PO)以外的5個衍射峰(其中，不包括位于20.9°22.9°的角度范圍的衍射峰)從低角度側開始分別設定為P1、P2、P3、P4和P5，并將各個峰出現(xiàn)的角度范圍依次設定為Rl、R2、R3、R4和R5時，Pl出現(xiàn)的角度范圍R1如下確定。即，設定具有來自基準衍射峰的面間距(d0)的1.994倍的面間距的衍射面，將伴隨結構的變形而發(fā)生的面間距的偏位設定為1.5%時，根據式1，如下導出角度范圍R1的開始角度(Rls)和終止角度(Rle)。Rls:2xarcsin{X/(2xd0xl.994><1.015)}Rle:2xarcsin(X/(2xd0x1.994x0.985)}分別帶入式3，則得到Rls:2xarcsin(sin(00)/(1.994x1.015)}Rle:2xarcsin(sin(60)/(1.994x0.985)}。下面同樣地將P2、P3、P4和P5出現(xiàn)的角度范圍定義為來自基準衍射峰的面間距的1.412倍、1.155倍、0.894倍、0.756倍，并將伴隨結構的變形而發(fā)生的面間距的偏位一律設定為1.5%時，各角度范圍如下所示。R2s:2xarcsin{sin(90)/(1.412xl.015)}R2e:2xarcsin(sin(00)/(1.412x0.985)}R3s:2xarcsin(sin(0O)/(1.155x1.015))R3e:2xarcsin(sin(00)/(1.155x0.985)}R4s:2xarcsin(sin(e0)/(0.894xl.015)}R4e:2xarcsin(sin(e0)/(0.894x0.985))R5s:2xarcsin(sin(0O)/(O.756x1.015))R5e:2xarcsin(sin(60)/(0.756x0.985))對于得到的X射線衍射測定結果，確認到從基準峰PO到P5的各峰出現(xiàn)在上述的角度范圍，由此能夠確認到存在本發(fā)明的特定的結晶結構(結晶相BSON相)。本發(fā)明的復合氧氮化物熒光體優(yōu)選是含有具有bson相的結晶結構的新的復合氧氮化物熒光體。即，本發(fā)明的復合氧氮化物熒光體優(yōu)選為以含有bson相為特征的復合氧氮化物熒光體，所述bson相是下述定義的結晶相。bson相該結晶相在使用CuKa的X射線源的X射線衍射測定中，于衍射角(26)26.928.2°的范圍(RO)觀測到了衍射峰，以該衍射峰(PO)為基準衍射峰，根據P0的布拉格角(e0)導出的5個衍射峰(其中，不包括位于20.9。22.9°的角度范圍的衍射峰)從低角度側開始依次設為P1、P2、P3、P4和P5，并將這些衍射峰的衍射角的角度范圍設為Rl、R2、R3、R4和R5，此時，Rl、R2、R3、R4和R5分別表示Rl=RlsRle、R2=R2sR2e、R3=R3sR3e、R4=R4sR4e、R5-R5sR5e的角度范圍，在R1、R2、R3、R4和R5的全部范圍存在至少1個衍射峰，并且，相對于P0、Pl、P2、P3、P4和P5中衍射峰高最高的衍射峰的高度，以衍射峰高比計，P0的強度為20°/。以上，以衍射峰高比計，pi、P2、P3、P4禾tlP5中至少1個以上的峰的強度是5%以上，優(yōu)選為9%以上。此處，在角度范圍RO、Rl、R2、R3、R4和R5各自的角度范圍內存在2個以上衍射峰的情況下，分別將這些之中峰強度最高的峰設為P0、Pl、P2、P3、P4禾卩P5。并且，Rls、R2s、R3s、R4s禾tlR5s分別表示Rl、R2、R3、R4和R5的開始角度，Rle、R2e、R3e、R4e禾BR5e分別表示Rl、R2、R3、R4和R5的終止角度，具體表示以下的角度。Rls:2xarcsin(sin(0O)/(1.994x1.015))Rle:2xarcsin(sin(60)/(1.994x0.985)}R2s:2xarcsin(sin(0O)/(1.412x1,015))R2e:2xarcsin(sin(eO)/(1.412x0.985)}R3s:2xarcsin(sin(eO)/(1.155x1.015)}R3e:2xarcsin{sin(00)/(1.155x0,985)}R4s:2xarcsin(sin(0O)/(O.894x1.015)}R4e:2xarcsin{sin(60)/(0.894x0.985))R5s:2xarcsin{sin(0O)/(O.756xl.O15)}R5e:2xarcsin(sin(0O)/(O.756x0.985))此外，在使用CuKa的X射線源的X射線衍射測定中，本發(fā)明的熒光體可以含有作為二氧化硅的一種結晶形態(tài)的方英石、(x-氮化硅、p-氮化硅等雜質相。這些雜質的含量可以通過使用CuKa的X射線源的X射線衍射測定獲知。即，X射線衍射測定結果之中的雜質相的最強峰強度相對于上述PO、Pl、P2、P3、P4和P5之中的最強峰強度通常為40%以下，優(yōu)選為30%以下，更優(yōu)選為20%以下，進一步優(yōu)選為10%以下，特別優(yōu)選BSON相以單一相存在而沒有觀察到雜質相的峰。由此，能夠提高發(fā)光強度。本發(fā)明的熒光體優(yōu)選除了上述的特性之外，還具有下述說明的特性。[1-2-1.關于發(fā)光光譜的特性]鑒于作為綠色熒光體的用途，優(yōu)選本發(fā)明的熒光體在對以波長400nm的光激發(fā)的情況下的發(fā)光光譜進行測定時具有下述特性。首先，優(yōu)選本發(fā)明的熒光體在上述的發(fā)光光譜中的峰波長^p(nm)在下述范圍通常大于500nm、其中優(yōu)選為510nm以上、進一步優(yōu)選為515nm以上，并且通常為550nm以下、其中優(yōu)選為540nm以下、進一步優(yōu)選為535nm以下。該發(fā)光峰波長、過短時，趨于泛藍，另一方面，該發(fā)光峰波長^p過長時，趨于泛黃，均存在降低綠色光的特性的可能性。另外，優(yōu)選本發(fā)明的熒光體在上述的發(fā)光光譜中的發(fā)光峰的半峰寬(fbllwidthathalfmaximum。以下為了方便起見，簡稱為"FWHM")在下述范圍通常大于40nm、其中優(yōu)選為50nrn以上、進一步優(yōu)選為60nm以上，并且通常小于90nm、其中優(yōu)選為80nm以下、進一步優(yōu)選為75nm以下。該半峰寬FWHM過窄時，用作照明的情況下，發(fā)光輝度降低，所以存在演色性降低的可能性，該半峰寬FWHM過寬時，其用于液晶顯示器等圖像顯示裝置的情況下，色純度降低，所以存在圖像顯示裝置的色再現(xiàn)范圍變窄的可能性。此外，用波長400nm的光激發(fā)本發(fā)明的熒光體時，可以使用例如GaN系LED。另外，本發(fā)明的熒光體的發(fā)光光譜的測定、以及其發(fā)光峰波長、峰相對強度和峰半峰寬的計算可以使用例如具有150W氙燈作為激發(fā)光源、多通道CCD檢測器C7041(濱松光子學株式會社制造)作為光譜測定裝置的熒光測定裝置(日本分光社制造)來進行。[1-2-2.溫度特性]另外，本發(fā)明的熒光體的溫度特性也優(yōu)異。具體地說，照射455nm波長的光的情況下，15(TC的發(fā)光光譜圖中的發(fā)光峰強度值與2(TC的發(fā)光光譜圖中的發(fā)光峰強度值的比例通常為55%以上，優(yōu)選為60%以上，特別優(yōu)選為70%以上(特性(1))。另外，通常的熒光體在溫度上升時發(fā)光強度發(fā)生降低，所以據認為該比例難以大于100%,但是由于某些原因，該比例也可以大于100°/。。但是，該比例大于150%時，由于溫度變化，傾向于產生色差。本發(fā)明的熒光體不僅在上述發(fā)光峰強度方面優(yōu)異，在輝度方面也是優(yōu)異的。具體地說，照射455nm波長的光的情況下，150°C的輝度與20°C的輝度的比例也通常為55%以上，優(yōu)選為60%以上，特別優(yōu)選為70%以上。此外，測定上述溫度特性時，例如可以使用裝置如下進行測定，所述裝置具備大塚電子生產的MCPD7000多通道光譜測定裝置作為發(fā)光光譜裝置，具備色彩輝度計BM5A作為輝度測定裝置，并具備載物臺(其具有利用珀耳帖元件的冷卻機構和利用加熱器的加熱機構)，還具備150W氙燈作為光源的。在載物臺上放置裝有熒光體試樣的測定皿(cell)，將溫度從2(TC到15(TC進行變化。確認熒光體的表面溫度恒定為2(TC或150°C。接下來，用從光源經衍射光柵分光得到的455nm的光激發(fā)熒光體，測定發(fā)光光譜。根據測定的發(fā)光光譜求出發(fā)光峰強度。此處，對于熒光體的激發(fā)光照射側的表面溫度的測定值，利用通過輻射溫度計和熱電偶得到的溫度測定值進行校正，使用校正后的值。[1-2-3.激發(fā)波長]另外，本發(fā)明的熒光體優(yōu)選能夠用200nm500nm的波長范圍的光進行激發(fā)，但是為了很好地用于以半導體元件等為第1發(fā)光體、以其光為熒光體的激發(fā)光源的發(fā)光裝置，本發(fā)明的熒光體優(yōu)選能夠用例如藍色區(qū)域(波長范圍420nm500nm)的光和/或近紫外區(qū)域(波長范圍300nm420nm)的光進行激發(fā)。另外，照射410nm波長的光的情況下的發(fā)光光譜圖中的發(fā)光峰強度值與照射390nm波長的光的情況下的發(fā)光光譜圖中的發(fā)光峰強度值的比例優(yōu)選為90%以上(特性(2))。該發(fā)光光譜與上述相同，可以使用從光源經衍射光柵分光獲得的波長為390nm或410nm的光激發(fā)熒光體，進行測定。根據所測定的發(fā)光光譜求出發(fā)光峰強度。[1-2-4.發(fā)光色]此外，本發(fā)明的熒光體的發(fā)光色如下作為基于JISZ8701的色度坐標值，x通常為0.3以下，優(yōu)選為0.29以下，y通常為0.5以上，優(yōu)選為0.55以上，更優(yōu)選為0.6以上(特性(3))。[l-2-5.溶解性]作為本發(fā)明的熒光體，優(yōu)選其不溶于水和/或lN鹽酸。[1-2-6.耐久性]對于在氮氣氣氛下加熱2小時的耐久性試驗，本發(fā)明的熒光體通常在IOO(TC以上、優(yōu)選120(TC以上、更優(yōu)選1500'C以上、特別優(yōu)選1700°C以上也不分解。另夕卜，對于氣溫85"C、相對濕度85%的環(huán)境下的耐久性試驗，本發(fā)明的熒光體通常在200小時以上、優(yōu)選500小時以上、更優(yōu)選600小時以上、特別優(yōu)選800小時以上穩(wěn)定。這種情況下，穩(wěn)定的時間越長，越是優(yōu)選的，但通常能穩(wěn)定1000小時就足夠了。此外，在此"穩(wěn)定"是指耐久性試驗后的發(fā)光強度與耐久性試驗前的發(fā)光強度的比例為50%以上。該耐久性的測定中，使用山勝電子工業(yè)社的LED老化系統(tǒng)，在氣溫85°C、相對濕度85%的環(huán)境下，通電20mA，由此進行測定，但也可以使用其他相同的裝置進行測定。[1-2-7.重量中值徑]本發(fā)明的熒光體的重量中值徑優(yōu)選如下范圍通常為O.Olpm以上，優(yōu)選為lpm以上，更優(yōu)選為5|mi以上，進一步優(yōu)選為10pm以上，并且通常為lOOjxm以下，優(yōu)選為30(xm以下，更優(yōu)選為20(im以下。重量中值徑過小時，輝度降低，熒光體顆粒有發(fā)生凝聚的傾向。另一方面，重量中值徑過大時，有產生涂布斑、分配器(dispenser)等的阻塞的傾向。此外，本發(fā)明的熒光體的重量中值徑例如可使用激光衍射/散射式粒度分布測定裝置等裝置進行測定。其內部量子效率越高，本發(fā)明的熒光體越是優(yōu)選的。其值通常為0.5以上，優(yōu)選為0.6以上，進一步優(yōu)選為0.7以上。此處，內部量子效率是指熒光體發(fā)出的光子數與吸收的激發(fā)光的光子數的比例。內部量子效率低，則發(fā)光效率有降低的傾向。本發(fā)明的熒光體的吸收效率越高越是優(yōu)選的。其值通常為0.5以上，優(yōu)選為0.6以上，進一步優(yōu)選為0.7以上。吸收效率低，則發(fā)光效率有降低的傾向。另外，外部量子效率通常為0.2以上，優(yōu)選為0.3以上，更優(yōu)選為0.4以上，特別優(yōu)選為0.5以上。外部量子效率過小，則存在難以設計高發(fā)光強度的發(fā)光元件的可能性。(吸收效率、內部量子效率以及外部量子效率的測定方法)下面說明計算熒光體的吸收效率aq、內部量子效率Tii以及外部量子效率rio的方法。首先，將作為測定對象的熒光體試樣(例如粉末狀等)填滿測定皿，并使表面足夠平滑，以確保測定精度，然后安裝在積分球等聚光裝置上。使用積分球等聚光裝置是因為，其能夠將從熒光體試樣反射的光子以及由于熒光現(xiàn)象而從熒光體試樣釋放出的光子全都計算上，即消除了沒有計算在內的飛出測定體系之外的光子。將用于激發(fā)熒光體的發(fā)光光源安裝于該積分球等聚光裝置上。該發(fā)光光源例如使用Xe燈等，并使用濾色器、單色儀(衍射光柵分光器)等進行調整，從而形成發(fā)光峰波長為例如405nm、455nm的單色光。將其發(fā)光峰波長經調整的從發(fā)光光源發(fā)出的光照射到測定對象的熒光體試樣上，用分光測定裝置(例如大塚電子株式會社制造的MCPD2000、MCPD7000等)測定包括發(fā)光(熒光)和反射光的光譜。此處測定的光譜中，實際包含了由激發(fā)發(fā)光光源發(fā)出的光(以下簡記作"激發(fā)光")中未被熒光體吸收的反射光和熒光體吸收激發(fā)光并通過熒光現(xiàn)象發(fā)出的其他波長的光(熒光)。即，激發(fā)光附近區(qū)域相當于反射光譜，與其相比為長波長的區(qū)域相當于熒光光譜(在此有時也稱作發(fā)光光譜)。吸收效率aq是用由熒光體試樣吸收的激發(fā)光的光子數Nabs除以激發(fā)光的總光子數N得到的值。首先，如下計算后者激發(fā)光的總光子數N。即，以對激發(fā)光具有大致100%反射率R的物質例如Labsphere生產的"Spectralon"(對波長為450nm的激發(fā)光具有98%的反射率R)等反射板為測定對象，以與熒光體試樣相同的配置將其安裝在上述的積分球等聚光裝置上，使用該分光測定裝置，測定反射光譜Lf(人)。從該反射光譜Iref(X)求出的下述(式4)的數值與N成比例。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage32</formula>解(式4)此處，積分區(qū)間可以僅在實質上kf^)具有有意義的值的區(qū)間進行積分。熒光體試樣吸收的激發(fā)光的光子數N^與下述(式5)求出的量成比例。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage32</formula>式5)此處，I(X)是安裝了作為求得吸收效率aq的對象的熒光體試樣時的反射光譜。(式5)的積分區(qū)間與(式4)確定的積分區(qū)間相同。通過如此對積分區(qū)間進行限定，上述(式5)的第二項變成了與作為測定對象的熒光體試樣反射激發(fā)光而產生的光子數對應的數值，即與作為測定對象的熒光體試樣產生的全部光子中由熒光現(xiàn)象產生的光子之外的光子數對應的數值。實際的光譜測定值通常以與X相關的某個有限的譜帶寬度隔開的數字數據形式得到，所以上述的(式4)和(式5)的積分通過基于其譜帶寬度的和來計算。根據上述內容，可以求出aq-Nabs/N二(式5)/(式4)。接著，說明計算內部量子效率Tii的方法。iii是由熒光現(xiàn)象產生的光子的數Npl除以熒光體試樣吸收的光子的數N^得到的值。此處，N^與下述(式6)求得的量成比例。此時，積分區(qū)間限定在熒光體試樣由熒光現(xiàn)象產生的光子所具有的波長范圍。這是為了從I(X)中除去從熒光體試樣反射的光子的貢獻。具體地說，上述(式6)的積分區(qū)間的下限取上述(式4)的積分區(qū)間的上端，上述(式6)的積分區(qū)間的上限設定為為了包含由熒光產生的光子所必要的范圍。由上述可以求出內部量子效率W為^=(式6)/(式5)。此外，有關根據作為數字數據的光譜進行積分的內容，與計算吸收效率(xq的情況相同。于是，通過取如上所述求得的吸收效率aq和內部量子效率Tii的積，能夠求出外部量子效率tio?；蛘呖梢愿鶕io-(式6)/(式4)的關系求出外部量子效率T!O。T!O是由熒光產生的光子的數NpL除以激發(fā)光的總光子數N得到的值。用于得到本發(fā)明的熒光體的原料、熒光體制造法等如下。對本發(fā)明的熒光體的制造方法沒有特別限制，例如將上述通式(I)中作為活化元素的元素M1的原料(以下為了方便起見，稱作"Ml源")、Ba的原料(以下為了方便起見，稱作"Ba源")、金屬元素M2的原料(以下為了方便起見，稱作"M2源")以及L的原料(以下為了方便起見，稱作"L源")混合(混合工序)，對所得到的混合物進行燒制(燒制工序)，由此能夠制造本發(fā)明的熒光體。本發(fā)明的熒光體的制造中使用的熒光體原料(即，Ml源、Ba源、M2源和L源)可以舉出M1、Ba、M2和L各元素的金屬、合金、酰亞胺化合物、氧氮化物、氮化物、氧化物、氫氧化物、碳酸鹽、硝酸鹽、硫酸鹽、草酸鹽、羧酸鹽、鹵化物等?？紤]與復合氧氮化物的反應性、燒制時的NOpSOx等的產生量低等，適當從這些化合物中選擇即可。作為上述Ml源中Eu源的具體例，可以舉出Eu203、Eu2(S04)3、Eu2(C2O4)3'10H2O、EuCl2、EuCl3、Eu(N03)3,6H20、EuN、EuNH等。其中，優(yōu)選EU203、EuCl2等，特別優(yōu)選為EU203。另外，作為Sm源、Tm源、Yb源等其他活化劑元素的原料的具體例，可以舉出作為Eu源的具體例舉出的各化合物中Eu分別被Sm、Tm、Yb等取代了的化合物。作為上述Ba源的具體例，可以舉出BaO、Ba(OHV8H20、BaC03、Ba(N03)2、BaS04、Ba(C204)、Ba(OCOCH3)2、BaCl2、Ba3N2、Ba麗等。這些之中，作為優(yōu)選，可以使用碳酸鹽、氧化物等，但氧化物容易與空氣中的水分反應，所以從處理方面考慮，更優(yōu)選碳酸鹽。其中，優(yōu)選BaC03。這是因為，其在空氣中的穩(wěn)定性好，且加熱容易分解，因此不易殘留目的以外的元素，進而容易獲得高純度的原料。在以碳酸鹽為原料的情況下，優(yōu)選預先對碳酸鹽進行預燒制，然后用作原料。作為用作上述M2源的Sr源的具體例，可以舉出SrO、Sr(OH)2.8H20、SrC03、Sr(N03)2、SrS04、Sr(C204)'H20、Sr(OCOCH3)2-0.5H2O、SrCl2、Sr3N2、SrNH等。其中，優(yōu)選SrC03。這是因為，其在空氣中的穩(wěn)定性好，且加熱容易分解，因此不易殘留目的以外的元素，進而容易獲得高純度的原料。作為Mg源的具體例，可以舉出MgO、Mg(OH)2、堿性碳酸鎂(mMgC03'Mg(OH)2,nH20)、Mg(N03V6H20、MgS04、Mg(C204)'2H20、Mg(OCOCH3)2'4H20、MgCl2、Mg3N2、MgNH等。其中，優(yōu)選MgO、堿性碳酸鎂。作為Ca源的具體例，可以舉出CaO、Ca(OH)2、CaC03、Ca(N03)2'4H20、CaS(V2H20、Ca(C204》H20、Ca(OCOCH3)2'H20、CaCl2、Ca3N2、CaNH等。其中，優(yōu)選CaC03、CaCl2等。作為Zn源的具體例，可以舉出ZnO、ZnF2、ZnCl2、Zn(OH)2、Zn3N2、ZnNH等鋅化合物(可以為水合物)。其中，從促進顆粒成長的效果高的方面考慮，優(yōu)選ZnF^4H20(可以為無水物)等。另外，作為M2，以碳酸鹽為原料的情況下，優(yōu)選預先對碳酸鹽進行預燒制，然后用作原料。作為上述L源中的Si源化合物，優(yōu)選使用Si02或Si3N4。另外，還可以使用可形成Si02的化合物。作為這樣的化合物，具體地說，可以舉出Si02、H4Si04、Si(OCOCH3)4等。另外，對于Si3N4，從反應性的方面考慮，優(yōu)選粒徑小，從發(fā)光效率方面考慮，優(yōu)選純度高。進而，從發(fā)光效率的方面考慮，P-Si3N4比Ol-Si3N4更優(yōu)選，特別是優(yōu)選作為雜質的碳元素的含有比例少。碳的含有比例越少，越優(yōu)選，但通常含有0.01重量％以上，并通常為0.3重量％以下，優(yōu)選為0.1重量％以下，更優(yōu)選為0.05%以下。另外，作為Ge源化合物，優(yōu)選使用Ge02或Ge3N4。另外，還可以使用可形成Ge02的化合物。作為這樣的化合物，具體地說，可以舉出Ge02、Ge(OH)4、Ge(OCOCH3)4、GeCU等。作為其他的L源化合物的具體例，可以舉出作為上述Si源或Ge源的具體例舉出的各化合物中Si、Ge分別被Ti、Zr、Hf等取代的化合物。上述各種熒光體原料中，優(yōu)選使用純度高、具有更高白色度的熒光體原料，以提高得到的熒光體的發(fā)光效率。具體地說，優(yōu)選使用在380nm780nm的波長范圍下反射率為60%以上、優(yōu)選為70%以上、更優(yōu)選為80%以上的熒光體原料。特別優(yōu)選在接近本發(fā)明的熒光體的發(fā)光峰波長的波長即525nm下該熒光體原料的反射率為60%以上、更優(yōu)選為70%以上、進一步優(yōu)選為80%以上、特別優(yōu)選為90%以上。另外，即使在具有多種原料的熒光體原料之中，特別是Si3N4也優(yōu)選使用反射率高的物質。另外，對于滿足該反射率的Si3N4，優(yōu)選作為雜質含有的碳的量通常為0.2重量％以下、優(yōu)選為0.1重量％以下、更優(yōu)選為0.05重量％以下、進一步優(yōu)選為0.03重量％以。該雜質碳量越少越優(yōu)選，但通常為0.001重量°/。以上。這樣的反射率通過進行反射光譜測定即可得到，作為該測定方法，采用與上述的吸收效率、內部量子效率和外部量子效率的說明項中記載的相同的方法即可。此外，上述的M1源、Ba源、M2源和L源均可以僅使用一種化合物，也可以以任意組合和比例同時使用兩種以上化合物。[1-3-2.熒光體的制造方法混合工序]按得到的目的組成的方式稱取熒光體原料，使用球磨機等進行充分混合后，填充到坩堝中，在規(guī)定溫度、氣氛下進行燒制，通過對燒制物進行粉碎、清洗，可以得到本發(fā)明的熒光體。對上述混合方法沒有特別限定，具體地說，可以舉出下述(A)和(B)的方法。(A)將使用例如錘式粉碎機、輥磨機、球磨機、噴射式粉碎機等干式粉碎機或研缽及研杵等的粉碎和使用例如帶狀混合機、V型混合機、亨舍爾混合器等混合機或研缽及研杵的混合進行組合，對上述的熒光體原料進行粉碎混合的干式混合法。(B)在上述的熒光體原料中加入水等溶劑或分散介質，使用例如粉碎機、研缽及研杵、或蒸發(fā)皿及攪拌棒等進行混合，形成溶液或漿料的狀態(tài)后，利用噴霧干燥、加熱干燥或者自然干燥等進行干燥的濕式混合法。熒光體原料的混合采用上述濕式或干式混合均可，更優(yōu)選使用水或乙醇的濕式混合。將得到的混合物填充到由與各熒光體原料的反應性低的材料構成的坩堝或盤等耐熱容器中。作為燒制時使用的耐熱容器的材質，可以舉出例如氧化鋁、石英、氮化硼、氮化硅、碳化硅、鎂、莫來石等的陶瓷、鉑、鉬、鎢、鉭、鈮、銥、銠等的金屬或者以這些為主成分的合金、碳(石墨)等。此處，石英制造的耐熱容器可以用于在比較低的溫度即120(TC以下的熱處理，優(yōu)選的使用溫度范圍為100(TC以下。作為這樣的耐熱容器的例子，可優(yōu)選舉出氮化硼制、氧化鋁制、氮化硅制、碳化硅制、鉑制、鉬制、鎢制、鉭制的耐熱容器。對于燒制工序，通常在大于1600'C的燒制溫度時，存在燒制粉發(fā)生燒結、發(fā)光強度降低的情況，而在140(TC前后的燒制溫度時，能夠得到結晶性良好的粉體。所以，作為用于制造本發(fā)明的熒光體的燒制溫度，通常為1000。C以上、優(yōu)選為1100。C以上、更優(yōu)選為120(TC以上的溫度，并且通常為160(TC以下、優(yōu)選為1500'C以下、更優(yōu)選為145(TC以下的溫度。對于燒制氣氛不特別限制，通常在惰性氣體氣氛或還原氣氛下進行。此處，如上所述，作為活化元素的價數，優(yōu)選2價的活化元素多，所以優(yōu)選還原氣氛。此外，惰性氣體和還原性氣體可以僅使用一種，也可以以任意組合和比例同時使用兩種以上。作為惰性氣體和還原性氣體，例如可以舉出一氧化碳、氫、氮、氬等。其中，優(yōu)選氮氣氣氛下，更優(yōu)選為含有氫氣的氮氣氣氛。作為上述氮(N》氣，優(yōu)選使用純度99.9%以上的氮氣。使用含氫的氮氣的情況下，優(yōu)選將電爐內的氧濃度降低到20ppm以下。另外，氣氛中的氫含量優(yōu)選為1體積％以上，更優(yōu)選為2體積％以上，并且優(yōu)選為5體積％以下。這是因為氣氛中的氫的含量過高時，存在安全性降低的可能性，氫的含量過低時，存在不能實現(xiàn)足夠的還原氣氛的可能性。燒制時間因燒制時的溫度、壓力等而不同，通常所述燒制時間為0.5小時以上，優(yōu)選為l小時以上。并且，以燒制時間長為好，但通常為IOO小時以下，優(yōu)選為50小時以下，更優(yōu)選為24小時以下，進一步優(yōu)選為12小時以下。燒制時的壓力因燒制溫度等而不同，所以對其沒有特別的限制，通常所述壓力為lxlO-5Pa以上，優(yōu)選為lxl(T3Pa以上，更優(yōu)選為O.OlMPa以上，進一步優(yōu)選為O.lMPa以上，并且，作為上限，通常為5GPa以下，優(yōu)選為1Gpa以下，更優(yōu)選為200MPa以下，進一步優(yōu)選為lOOMPa以下。其中，工業(yè)上從成本和操作方面考慮，大氣壓lMPa左右是優(yōu)選的。[1-3-4.助熔劑]燒制工序中，從成長為良好的結晶的方面考慮，優(yōu)選在反應體系共存助熔劑。對助熔劑的種類沒有特別限制，例如可以舉出NH4C1、NH4F-HF等鹵化銨；NaCO"LiC03等堿金屬碳酸鹽；LiCl、NaCl、KC1、CsCl、LiF、NaF、KF、CsF等堿金屬鹵化物；CaCl2、BaCl2、SrCl2、CaF2、BaF2、SrF2等堿土金屬鹵化物；CaO、SrO、BaO等堿土金屬氧化物；B203、H3B03、NaB407等硼氧化物、硼酸和硼酸鹽化合物；Li3P04、NH4H2P04等磷酸鹽化合物；A1F3等鹵化鋁；ZnCl2、ZnF2等鹵化鋅、氧化鋅、硫化鋅等鋅化合物；Bi203等周期表第15族元素化合物；Li3N、Ca3N2、Sr3N2、Ba3N2、BN等堿金屬、堿土金屬或第13族元素的氮化物等。其中優(yōu)選的是鹵化物，尤其優(yōu)選堿金屬鹵化物、堿土金屬鹵化物、Zn的鹵化物。另外，這些鹵化物中，優(yōu)選氟化物、氯化物。助熔劑的用量因原料的種類、助熔劑的材料等而有所不同，所述用量優(yōu)選為下述范圍通常為0.01重量％以上，優(yōu)選為0.1重量％以上，更優(yōu)選為1重量％以上，并且通常為20重量％以下，進一步優(yōu)選10重量％以下。如果助熔劑的用量過少，則有時不能體現(xiàn)出助熔劑的效果。如果助熔劑的用量過多，則有時助熔劑效果飽和，或者進入母體結晶而使發(fā)光色發(fā)生變化，或者引起輝度降低。這些助熔劑可以單獨使用一種，也可以以任意組合和比例同時使用兩種以上。[1-3-5.—次燒制和二次燒制]此外，燒制工序分為一次燒制和二次燒制，可以首先將混合工序得到的原料混合物進行一次燒制，然后用球磨機等再次粉碎后進行二次燒制。只要不明顯損害本發(fā)明的效果，一次燒制的溫度是任意的，但通常為80(TC以上，優(yōu)選為100(TC以上，并且通常為160(TC以下，優(yōu)選為140(TC以下，更優(yōu)選為130(TC以下。此處，為了得到粒度一致的熒光體，優(yōu)選將一次燒制溫度設定得低，并在粉體狀態(tài)進行固相反應。另一方面，為了得到高輝度的熒光體，優(yōu)選將一次燒制溫度設定得高，并以熔融狀態(tài)將原料充分混合進行反應后通過二次燒制使結晶成長。只要不明顯損害本發(fā)明的效果，一次燒制的時間是任意，但是通常為1小時以上，優(yōu)選為2小時以上，并且通常為100小時以下，優(yōu)選為50小時以下，更優(yōu)選為24小時以下，進一步優(yōu)選為12小時以下。二次燒制的溫度、時間等條件基本上與上述的燒制工序項記載的條件相同。此外，助熔劑既可以在一次燒制前混合，也可以在二次燒制前混合。并且，在一次燒制或二次燒制中，氛圍氣等燒制條件也可進行變更。[1-3-6.后處理]根據需要，在上述的燒制工序的加熱處理后進行清洗、干燥、粉碎、分級處理等。粉碎處理中，可以使用例如作為原料混合工序可使用的器具而列舉的粉碎機。清洗可以用例如去離子水等水；乙醇等有機溶劑；氨水等堿性水溶液等進行。另外，為了除去所使用的助熔劑等目的，可以使用例如鹽酸、硝酸、硫酸等無機酸；或醋酸等有機酸的水溶液。這種情況下，優(yōu)選在酸性水溶液中進行清洗處理后，用水進一步進行清洗。分級處理可以通過例如進行水篩或使用各種氣流分級機、振動篩等各種分級機來進行。其中，使用利用尼龍篩的干式分級時，能夠得到重量中值徑為20^im左右的分散性好的熒光體。需要說明的是，使用所得到的本發(fā)明的熒光體并用后述的方法制造發(fā)光裝置時，為了進一步提高耐濕性等耐候性，或者為了提高在后述的發(fā)光裝置的含熒光體部中對樹脂的分散性，根據需要可以進行以不同的物質覆蓋熒光體的表面等的表面處理。作為可以通過處理而存在于熒光體的表面的物質(以下隨意稱作"表面處理物質")，例如可以舉出有機化合物、無機化合物和玻璃材料等作為有機化合物，例如可以舉出丙烯酸樹脂、聚碳酸酯、聚酰胺、聚乙烯等熱熔融性聚合物、膠乳、聚硅氧烷等。作為無機化合物，例如可以舉出氧化鎂、氧化鋁、氧化硅、氧化鈦、氧化鋯、氧化錫、氧化鍺、氧化鉭、氧化鈮、氧化釩、氧化硼、氧化銻、氧化鋅、氧化釔、氧化鉍等金屬氧化物；氮化硅、氮化鋁等金屬氮化物;磷酸轉、磷酸鋇、磷酸鍶等正磷酸鹽；多磷酸鹽。作為玻璃材料，例如可以舉出硼硅酸鹽、磷硅酸鹽、堿性硅酸鹽等。這些表面處理物質可以僅單獨使用任意一種，也可以以任意組合和比例同時使用兩種以上。經上述表面處理得到的本發(fā)明的熒光體的前提是存在表面處理物質，其形態(tài)可以舉出例如下述形態(tài)。(i)上述表面處理物質構成連續(xù)膜，覆蓋熒光體的表面的形態(tài)。(ii)上述表面處理物質形成大量的微粒，附著在熒光體的表面，由此覆蓋熒光體的表面的形態(tài)。只要不明顯損害本發(fā)明的效果，表面處理物質對熒光體的表面的附著量或被覆量是任意的，相對于熒光體的重量，其通常為0.1重量％以上，優(yōu)選為1重量％以上，更優(yōu)選為5重量％以上，進一步優(yōu)選為10重量％以上，并通常為50重量％以下，優(yōu)選為30重量％以下，更優(yōu)選為20重量％以下。如果表面處理物質的量相對于熒光體過多，則有時有損于熒光體的發(fā)光特性，如果過少，則有時表面被覆不完全，不能得到耐濕性、分散性的改善。另外，只要不明顯損害本發(fā)明的效果，經表面處理形成的表面處理物質的膜厚(層厚)是任意的，其通常為10nm以上，優(yōu)選為50nm以上，且通常為2000nm以下，優(yōu)選為1000nm以下。如果該膜厚過厚，則有時有損于熒光體的發(fā)光特性，如果該膜厚過薄，則有時表面被覆不完全，不能得到耐濕性、分散性的改善。對于表面處理的方法沒有特別限定，例如可以舉出下述說明的利用金屬氧化物(氧化硅)的被覆處理法。將本發(fā)明的熒光體混合到乙醇等醇中，攪拌，進一步混合氨水等堿性水溶液，并進行攪拌。接著，混合可水解的烷基硅酸酯例如四乙基原硅酸，并進行攪拌。將所得到的溶液靜置3分鐘60分鐘后，用玻璃吸管等除去含有未附著在熒光體表面的氧化硅顆粒的上清。接下來，重復數次混合醇、攪拌、靜置、除去上清的操作后，在12(TC15(TC經10分鐘5小時例如2小時的減壓干燥工序，得到表面處理的熒光體。作為熒光體的表面處理方法，此外還可采用例如使球形的氧化硅微粉附著于熒光體的方法(日本特開平2-209989號公報、日本特開平2-233794號公報)、使硅系化合物被膜附著于熒光體的方法(日本特開平3-231987號公報)、用聚合物微粒覆蓋熒光體微粒的表面的方法(日本特開平6-314593號公報)、用有機材料、無機材料和玻璃材料等涂布熒光體的方法(日本特開2002-223008號公報)、通過化學氣相反應法對熒光體的表面進行被覆的方法(日本特開2005-82788號公報)、使金屬化合物的顆粒附著在熒光體上的方法(日本特開2006-28458號公報)等公知的方法。另外，為了得到本發(fā)明的熒光體，除了上述的原料和制造法以外，還可以采用以合金為原料的制造法。工業(yè)上廣泛使用的金屬單質的精制方法己知有升華精制、懸浮區(qū)熔法、蒸餾法等。如此，與化合物相比，金屬單質存在大量容易精制的元素。因此，制造熒光體時，以必要的金屬元素單質為起始原料比以化合物為原料的方法更容易得到純度高的原料，在這方面，其是優(yōu)異的。另外，在活化劑元素的晶胞內均一分散的觀點方面，作為構成元素的原料是金屬單質時，通過將這些金屬單質熔解，制成合金，從而能夠容易地使活化劑元素均一分布。從以上的觀點出發(fā)，以含有構成目的熒光體的金屬元素的合金、優(yōu)選以含有所有構成目的熒光體的金屬元素的合金為起始原料，制造熒光體，由此能夠在工業(yè)上生產高性能的熒光體。以往，作為含有Si和堿土金屬的合金，己知有Ca7Si、Ca2Si、Ca5Si3、CaSi、Ca2Si2、Ca14Si19、Ca3Si4、SrSi、SrSi2、Sr4Si7、Sr5Si3、Sr7Si，含有Si、鋁、堿土金屬的合金已知有Ca(Sh.xA1》2、Sr(SiLXAlx)2、Ba(Si"Alx)2、CaLxSr"Sh.yAly)2等，其中，關于超導特性，日本特開2005-54182號公報、M.Imai,AppliedPhysicsLetters,80(2002)1019-1021、M.Imai，PhysicalReviewB，68，(2003)，064512等中對A(B0.5Si0.5)2:(A=Ca，Sr，Ba:B=Al,Ga)進行了研究。本發(fā)明中，作為熔解方法，對于上述含有Si和堿土金屬的合金，可以使用公知的熔解方法，例如電弧熔解、高頻熔解法。另外，原料合金為原來的塊狀的情況下幾乎不進行熒光體化的反應，所以優(yōu)選通過粉碎工序將其制成規(guī)定的粒徑。優(yōu)選的粒徑范圍通常為lpm50(^m。假設，合金存在不均一部分，通過該粉碎工序，宏觀上形成均質化，但是微觀上，被粉碎的顆粒具有不同的組成，這不是優(yōu)選的狀態(tài)。所以，優(yōu)選合金全體是均質的。將填充有如此得到的合金粉末的坩堝或盤放進可控制氣氛的加熱爐后，流通含氮的氣體，用該氣體對體系內進行充分置換。根據需要，可以對體系內進行真空排氣后，流通氣體。氧氮化物的制造可以使用氮和氧的混合氣體。上述的合金粉末優(yōu)選在保持在40%以下的體積填充率的狀態(tài)進行燒制。此外，體積填充率可以根據(混合粉末的堆積密度)/(混合粉末的理論密度)xlOO[%]來求出。作為容器，優(yōu)選氮化硼燒結體，這是由于其與金屬化合物的反應性低。金屬的氮化反應通常是放熱反應。使用金屬合金作為原料的情況下應考慮的是，急劇釋放的反應熱導致原料合金再次熔解，表面積減少，所以延遲了與氣體氮的反應。因此，為了穩(wěn)定制造高性能的熒光體，優(yōu)選維持原料合金不發(fā)生熔解的反應速度。[l-4.復合氧氮化物熒光體的用途]本發(fā)明的熒光體可以用于使用熒光體的任意用途，特別是利用可用藍色光或近紫外光激發(fā)的特性，能夠很好地用于各種發(fā)光裝置(例如后述的"本發(fā)明的第1、第2和第3發(fā)光裝置")。通過調整組合的熒光體的種類、使用比例，能夠制造各種發(fā)光色的發(fā)光裝置。特別是由于本發(fā)明的熒光體為綠色熒光體，所以如果將發(fā)出藍色光的激發(fā)光源和發(fā)出橙色紅色熒光的熒光體(橙色紅色熒光體)組合，能夠制造白色發(fā)光裝置。通過調整本發(fā)明的熒光體、綠色熒光體的發(fā)光波長，能夠實現(xiàn)這種情況下的發(fā)光色為理想的發(fā)光色，例如可以得到與所謂類白色(例如將藍色LED和發(fā)出黃色熒光的熒光體(黃色熒光體)組合而得到的發(fā)光裝置的發(fā)光色)的發(fā)光光譜類似的發(fā)光光譜。另外，如果在該白色發(fā)光裝置中組合發(fā)出紅色熒光的熒光體(紅色熒光體)，能夠實現(xiàn)紅色演色性極為優(yōu)異的發(fā)光裝置、發(fā)出電燈泡色(暖白色)光的發(fā)光裝置。另外，將發(fā)出近紫外光的激發(fā)光源與本發(fā)明的熒光體、發(fā)出藍色熒光的熒光體(藍色熒光體)和紅色熒光體進行組合，也可以制造白色發(fā)光裝置。作為發(fā)光裝置的發(fā)光色，其不限于白色，根據需要，組合黃色熒光體(發(fā)出黃色熒光的熒光體)、藍色熒光體、橙色紅色熒光體、其他綠色熒光體等，并通過調整熒光體的種類、使用比例，能夠制造發(fā)出任意色的光的發(fā)光裝置。能夠將如此得到的發(fā)光裝置用作圖像顯示裝置的發(fā)光部(特別是液晶用背光光源等)、照明裝置。[2.含熒光體的組合物]本發(fā)明的熒光體還可以與液體介質混合使用。特別是將本發(fā)明的熒光體用于發(fā)光裝置等用途的情況下，優(yōu)選將其分散到液體介質中，以此形態(tài)進行使用。為了方便起見，將本發(fā)明的熒光體分散到液體介質中得到的物質稱作"本發(fā)明的含熒光體的組合物"。[2-l.熒光體]對本發(fā)明的含熒光體的組合物含有的本發(fā)明的熒光體的種類沒有限制，可以從上述的物質中任意選擇。另外，本發(fā)明的含熒光體的組合物中含有的本發(fā)明的熒光體可以僅是一種，也可以以任意組合和比例同時使用兩種以上。另外，只要不明顯損害本發(fā)明的效果，本發(fā)明的含熒光體的組合物可以含有本發(fā)明的熒光體以外的熒光體。作為本發(fā)明的含熒光體的組合物使用的液體介質，只要在不損害該熒光體的性能的目的范圍，就對其沒有特別限定。例如，只要在所希望的使用條件下為液狀性質，并且在使本發(fā)明的熒光體很好地分散的同時不產生不理想的反應，就可以使用任意的無機系材料和/或有機系材料。作為無機系材料，例如可以舉出金屬醇鹽、陶瓷前體聚合物或者含有金屬醇鹽的溶液經溶膠凝膠法水解聚合而成的溶液，或這些物質組合固化得到的無機系材料(例如具有硅氧垸鍵的無機系材料)等。作為有機系材料，例如可以舉出熱塑性樹脂、熱固性樹脂、光固性樹脂等。具體地說，例如可以舉出聚甲基丙烯酸甲酯等甲基丙烯酸樹酯;聚苯乙烯、苯乙烯-丙烯腈共聚物等苯乙烯樹脂；聚碳酸酯樹脂；聚酯樹脂；苯氧基樹脂；丁醛樹脂；聚乙烯醇；乙基纖維素、乙酸纖維素、乙酸丁酸纖維素等纖維素類樹脂；環(huán)氧樹脂；酚醛樹脂；硅酮樹脂等。這些之中，特別是將熒光體用于照明等大功率發(fā)光裝置的情況下，優(yōu)選使用含硅化合物以實現(xiàn)耐熱性、耐光性等。含硅化合物是指分子中含有硅原子的化合物，例如可以舉出聚硅氧烷等有機材料(硅酮系材料)、氧化硅、氮化硅、氧氮化硅等無機材料、以及硼硅酸鹽、磷硅酸鹽、堿性硅酸鹽等玻璃材料。其中，從操作的容易性等方面考慮，優(yōu)選硅酮系材料。上述硅酮系材料通常是指以硅氧垸鍵為主鏈的有機聚合物，例如可以舉出以組成通式(i)表示的化合物和/或它們的混合物。(R!R2R3SiO,/2)M(R4R5Si02/2)D(R6Si03/2)T(Si04/2)Q'■■式(i)組成通式(i)中，WW表示選自由有機官能團、羥基、氫原子組成的組中的基團。此外，WW可以相同也可以不同。另外，上述式(i)中，M、D、T和Q分別為0小于1且滿足M+D十T+Q二1的數。該硅酮系材料用于半導體發(fā)光元件的密封時，使用中可以使用液狀的硅酮系材料進行密封后，利用熱、光使其固化。根據硅酮系材料固化的機理來分類，則通?？梢耘e出加成聚合固化型、縮聚固化型、紫外線固化型、過氧化物交聯(lián)型等硅酮系材料。這些之中，優(yōu)選加成聚合固化型(加成型硅酮樹脂)、縮合固化型(縮合型硅酮樹脂)、紫外線固化型。下面，對加成型硅酮系材料以及縮合型硅酮系材料進行說明。加成型硅酮系材料是指聚硅氧垸鏈通過有機加成鍵合而交聯(lián)得到的物質。作為代表性物質，例如可以舉出使乙烯基硅烷和羥基硅烷在Pt催化劑等加成型催化劑的存在下反應得到的在交聯(lián)點具有Si-C-C-Si鍵的化合物等。這些可以使用市售品，例如作為加成聚合固化型的具體的商品名，可以舉出信越化學工業(yè)社制造的"LPS-1400""LPS-2410""LPS-3400"等。另一方面，縮合型硅酮系材料可以舉出例如烷基烷氧基硅烷經水解縮聚得到的在交聯(lián)點具有Si-O-Si鍵的化合物。具體地說，可以舉出將下述通式(ii)和域(iii)表示的化合物和域其低聚物進行水解"縮聚而得到的縮聚物。此外，這些化合物和/或其低聚物可以僅使用一種，也可以以任意組合和比例同時使用兩種以上。Mm+X。Y1,通式<formula>formulaseeoriginaldocumentpage45</formula>(通式(ii)中，M表示選自硅、鋁、鋯以及鈦中的至少一種元素，X表示水解性基團，Yi表示l價的有機基團，m是l以上的整數用于表示M的價數，n是l以上的整數用于表示X基的個數。其中，m^n。)(MS+XtY;t)uY2通式<formula>formulaseeoriginaldocumentpage45</formula>(通式(iii)中，M表示選自硅、鋁、鋯以及鈦中的至少一種元素，X表示水解性基團，V表示l價的有機基團，￥2表示11價的有機基團，s是1以上的整數用于表示M的價數，t表示1s-l的整數，u表示2以上的整數。)另外，縮合型硅酮系材料中可以含有固化催化劑。作為該固化催化劑，例如可以使用金屬螯合物等作為優(yōu)選的化合物。金屬螯合物優(yōu)選含有Ti、Ta、Zr中的任意l個以上，進一步優(yōu)選含有Zr。此外，固化催化劑可以僅使用一種，也可以以任意的組合和比例同時使用兩種以上。作為這樣的縮合型硅酮系材料，優(yōu)選例如日本特愿2006-47274號47277號說明書和日本特愿2006-176468號說明書所述的半導體發(fā)光器件用部件。下面，對縮合型硅酮系材料中特別優(yōu)選的材料進行說明。硅酮系材料一般與半導體發(fā)光元件、用于配置元件的基板、外殼等的粘結性弱而成為問題，作為密合性高的硅酮系材料，特別優(yōu)選具有下述特征(5〕〔7〕之中1個以上特征的縮合型硅酮系材料?！?〕硅含量為20重量％以上。(6〕通過后面詳細描述的方法測定的固體Si-核磁共振(NMR)光譜中，具有至少一個來自Si的下述(a)和/或(b)峰。(a)以四甲氧基硅烷為基準，峰頂位置處于化學位移-40ppm0ppm的區(qū)域，峰的半峰寬為0.3ppm3.0ppm的峰。(b)以四甲氧基硅垸為基準，峰頂位置處于化學位移-80ppm小于■40ppm的區(qū)域，峰的半峰寬為0.3ppm5.0ppm的峰?！?〕硅垸醇含量為0.1重量％10重量％。本發(fā)明中，優(yōu)選具有上述特征〔5)(7)中特征〔5〕的硅酮系材料。進一步優(yōu)選具有上述特征〔5〕和〔6〕的硅酮系材料。特別優(yōu)選具有上述全部特征〔5〕〔7)的硅酮系材料。下面對上述特征〔5)(7〕進行說明。本發(fā)明優(yōu)選的硅酮系材料的硅含量通常為20重量％以上，其中優(yōu)選為25重量％以上，更優(yōu)選為30重量％以上。另一方面，作為上限，由于僅由Si02構成的玻璃中的硅含量為47重量°/。，所以其上限通常為47重量％以下。此外，對于硅酮系材料的硅含量，使用例如以下的方法進行感耦等離子體分光(inductivelycoupledplasmaspectrometry,以下為了方便起見，簡稱作"ICP")分析，基于其結果，可以計算出硅酮系材料的硅含量。(硅含量的測定〉將硅酮系材料在鉑坩堝中，于大氣中燒制，燒制時，在45(TC保持1小時，接下來，在750。C保持1小時，在95(TC保持1.5小時，除去碳成分后，在少量所得到的殘渣中加入10倍量以上的碳酸鈉，噴燈加熱，使其熔融，將其冷卻后，加入去離子水，進一步用鹽酸將pH調整到中性程度，同時進行定容，使硅為數ppm的程度，進行ICP分析。[2-2-2.特征(6〕(固體Si-NMR光譜)]測定本發(fā)明優(yōu)選的硅酮系材料的固體Si-NMR光譜時，在由有機基團的碳原子直接結合的硅原子產生的上述(a)和/或(b)的峰區(qū)域至少觀測到1個峰，優(yōu)選觀測到多個峰。按化學位移進行整理時，本發(fā)明優(yōu)選的硅酮系材料中，由于分子運動的約束少，所以與后述的(b)所述的峰的情況相比，(a)所述的峰的半峰寬整體上小，(a)所述的峰的半峰寬通常為3.0ppm以下，優(yōu)選為2.0ppm以下，并且通常為0.3ppm以上。另一方面，(b)所述的峰的半峰寬通常為5.0ppm以下，優(yōu)選為4.0ppm以下，并且通常為0.3ppm以上，優(yōu)選為0.4ppm以上。上述的化學位移區(qū)域中，觀測到的峰的半峰寬過大時，分子運動約束大，成為了變形大的狀態(tài)，容易產生裂紋，存在得到的部件的耐熱-耐候耐久性差的情況。例如，在較多地使用四官能硅烷的情況和在干燥工序進行急劇干燥而蓄積了大的內部應力的狀態(tài)等，半峰寬范圍變得比上述的范圍大。另外，峰的半峰寬過小時，處于該環(huán)境的Si原子變得與硅氧烷交聯(lián)無關，存在由于三官能硅垸以未交聯(lián)狀態(tài)殘留的例子等以硅氧垸鍵主體形成的物質導致部件的耐熱"耐候耐久性差的情況。但是，大量的有機成分中含有少量的Si成分的硅酮系材料中，即使在-80ppm以上觀察到上述的半峰寬范圍的峰，有時也不能得到良好的耐熱-耐光性和涂布性能。對于本發(fā)明優(yōu)選的硅酮系材料的化學位移的值，可以采用例如以下的方法進行固體Si-NMR測定，基于其結果，計算出本發(fā)明優(yōu)選的硅酮系材料的化學位移的值。另外，對于測定數據的解析(半峰寬、硅垸醇量解析)，可通過利用例如高斯函數、洛侖茲函數的波形分離解析等將各峰分割分離的方法進行解析。{固體Si-NMR光譜測定和硅垸醇含量的計算)對硅酮系材料進行固體Si-NMR光譜時，在以下的條件，進行固體Si-NMR光譜測定和波形分離解析。另外，根據所得到的波形數據，求出硅酮系材料的各個峰的半峰寬。另外，根據硅垸醇產生的峰的面積與全部峰面積的比例，求出全部硅原子中形成硅垸醇的硅原子的比例(％)，通過與另外分析得到的硅含量相比較，求出硅烷醇含量。(裝置條件)裝置Chemagnetics社InfinityCMX-400核磁共振分光裝置29Si共振頻率79.436MHz探針7.5mmcpCP/MAS用探針測定溫度室溫試樣轉速4kHz測定法單脈沖法1H去偶合頻率50kHz29Si觸發(fā)角90°29Si90。脈沖寬:5-0ps重復時間600s積分次數128次觀測寬30kHz增寬因子20Hz標準試樣四甲氧基硅烷對于硅酮系材料，取512點作為測定數據，零填充到8192點進行傅利葉變換。(波形分離解析法)對于傅利葉變換后的光譜的各峰，將利用洛侖茲波形和高斯波形或兩者的混合制成的峰形狀的中心位置、高度、半峰寬作為可變參數，利用非線性最小二乘法進行最佳化計算。此外，峰的鑒定參考AIChEJournal,44(5)，p.1141，1998年等。[2-2-3.特征(7〕(硅垸醇含量)]本發(fā)明優(yōu)選的硅酮系材料的硅垸醇含量通常為0.1重量％以上，優(yōu)選為0.3重量％以上，且通常為10重量％以下，優(yōu)選為8重量％以下、進一步優(yōu)選為5重量％以下。通過降低硅烷醇含量，硅垸醇系材料具有經時變化少、長期的性能穩(wěn)定性優(yōu)異、吸濕"透濕性均低的優(yōu)異的性能。但是，由于完全不含硅垸醇的部件的密合性差，所以在硅烷醇含量方面存在上述的最佳范圍。此外，硅酮系材料的硅烷醇含量可以如下計算例如使用上述[2-2-2.特征〔6〕(固體Si-NMR光譜)]中(固體Si-NMR光譜測定和硅烷醇含量的計算}項說明的方法進行固體Si-NMR光譜測定，根據硅垸醇產生的峰的面積與全部峰面積的比例求出全部硅原子中形成硅烷醇的硅原子的比例(%)，通過與其他途徑分析得到的硅含量進行比較，計算出硅酮系材料的硅垸醇含量。并且，本發(fā)明優(yōu)選的硅酮系材料由于含有適當量的硅烷醇，所以通常硅烷醇與存在于器件表面的極性部分形成氫鍵，表現(xiàn)出密合性。作為極性部分，可以舉出例如羥基、金屬-氧-金屬(metalloxane)鍵的氧等。并且，本發(fā)明優(yōu)選的硅酮系材料通常在適當的催化劑的存在下進行加熱時發(fā)生脫水縮合而與器件表面的羥基之間形成共價鍵，從而能夠表現(xiàn)出更強的密合性。另一方面，硅烷醇過多時，體系內粘度增加而難以進行涂布，或者活性增高，加熱下低沸成分揮發(fā)前就發(fā)生了固化，因此可能產生發(fā)泡和產生內部應力的增大，引起裂紋等的發(fā)生。[2-2-4.液體介質的含量]只要不明顯損害本發(fā)明的效果，液體介質的含量是任意的，但相對于本發(fā)明的含熒光體的組合物整體，液體介質通常為50重量％以上，優(yōu)選為75重量％以上，并且通常為99重量％以下，優(yōu)選為95重量％以下。液體介質的量多的情況下，不會引起特別的問題，但是制成半導體發(fā)光裝置時，為了得到所期望的色度坐標、演色指數、發(fā)光效率等，通常優(yōu)選以上述那樣的配合比例使用液體介質。另一方面，液體介質過少時，沒有流動性，所以存在處理變得困難的可能性。液體介質在本發(fā)明的含熒光體的組合物中主要起到粘合劑的作用。液體介質可以單獨使用一種，也可以以任意組合和比例同時使用兩種以上。例如，基于耐熱性、耐光性等目的使用含硅化合物的情況下，可以在不損害該含硅化合物的耐久性的程度含有環(huán)氧樹脂等其他熱固性樹脂。這種情況下，通常優(yōu)選其他熱固性樹脂的含量為作為粘合劑的液體介質總量的25重量％以下，優(yōu)選為10重量％以下。[2-3.其他的成分]此外，在不明顯損害本發(fā)明的效果的前提下，除了熒光體和液體介質以外，還可以使本發(fā)明的含熒光體的組合物中含有其他成分。另外，其他成分可以僅使用一種，也可以以任意組合和比例同時使用兩種以上。[3.發(fā)光裝置][3-l.第l發(fā)光裝置]本發(fā)明的第1發(fā)光裝置具有激發(fā)光源和熒光體，所述熒光體在激發(fā)光源發(fā)出的光的照射下發(fā)出綠色熒光，并且具有下述(l)、(2)和(3)的特性。(1)照射455nm波長的光的情況下，150°C的發(fā)光光譜圖中的發(fā)光峰強度值與2(TC的發(fā)光光譜圖中的發(fā)光峰強度值的比例為55%以上。(2)照射410nm波長的光的情況下的發(fā)光光譜圖中的發(fā)光峰強度值與照射390nm波長的光的情況下的發(fā)光光譜圖中的發(fā)光峰強度值的比例為90%以上。(3)熒光體的發(fā)光色基于JISZ8701的色度坐標值滿足x■0.3、y^0.5。此處，對于激發(fā)光源沒有限制，只要能夠激發(fā)具有特性(1)(3)的特性的綠色熒光體，可以使用任意的激發(fā)光源。其中，優(yōu)選與后述的第1發(fā)光體相同的發(fā)光體。此外，激發(fā)光源可以單獨使用1個，也可以以任意組合和比例同時使用2個以上。另外，對于特性(l)，其如[1-2-2.溫度特性]中所說明的內容所述，對于特性(2)，其如[1-2-3.激發(fā)波長]中所說明的內容所述，對于特性(3)，其如[l-2-4.發(fā)光色]中所說明的內容所述。本發(fā)明的第l發(fā)光裝置具有激發(fā)光源，并且使用具有上述(l)、(2)和(3)特性的綠色熒光體，此外，可以采用任意的公知的裝置構成。通過使用具有上述(l)、(2)和(3)的特性的綠色熒光體，升溫導致的色差小，并且對于從近紫外到藍色區(qū)域的激發(fā)光源表現(xiàn)出了穩(wěn)定的發(fā)光效率，進而作為液晶顯示器用光源等白色發(fā)光裝置使用的情況下顯示器的色再現(xiàn)范圍變寬，在這點上，能夠實現(xiàn)優(yōu)異的發(fā)光裝置。另外，本發(fā)明的第1發(fā)光裝置使用的綠色熒光體優(yōu)選除了特性(1)(3)以外還具有與[1-2-2.溫度特性]、[1-2-3.激發(fā)波長]和[1-2-4.發(fā)光色]所說明的本發(fā)明的熒光體相同的特性。另外，本發(fā)明的第1發(fā)光裝置使用的綠色熒光體的重量中值徑與[1-2-7.重量中值徑]項中對本發(fā)明的熒光體說明的相同。另外，本發(fā)明的第1發(fā)光裝置使用的綠色熒光體的內部量子效率、吸收效率以及外部量子效率與[1-2-8.內部量子效率等]項中對本發(fā)明的熒光體說明的相同。作為上述的本發(fā)明的第1發(fā)光裝置使用的綠色熒光體的優(yōu)選的具體例，可以舉出上述的本發(fā)明的熒光體。因此，本發(fā)明的第1發(fā)光裝置的構成中可以含有一種以上本發(fā)明的熒光體。另外，作為本發(fā)明的第1發(fā)光裝置的發(fā)光光譜中的綠色區(qū)域的發(fā)光峰，優(yōu)選在515535nm的波長范圍具有發(fā)光峰。此外，本發(fā)明的第1發(fā)光裝置的發(fā)光光譜可以在保持在氣溫25士rc的室內使用海洋光學社生產的色^照度測定軟件和USB2000系列分光器(積分球規(guī)格)進行測定。根據該發(fā)光光譜的380nm780nm的波長范圍的數據，可以計算出JISZ8701規(guī)定的XYZ表色系中作為色度坐標的色度值(C正x,CIEy,CIEz)。此外，這種情況下，Cx+Cy+Cz=l的關系式成立。本發(fā)明的第1發(fā)光裝置特別是在作為能單色RGB發(fā)光的白色發(fā)光裝置的情況下，優(yōu)選其NTSC比高。此外，能單色RGB發(fā)光是指，能夠分別以紅色、綠色和藍色單色發(fā)光。具體地說，本發(fā)明的第1發(fā)光裝置的NTSC比(％)通常為70以上，優(yōu)選為72以上，更優(yōu)選為74以上，并且NTSC比的數值越高，則越是優(yōu)選的，理論上NTSC比為150以下，通常為120以下。此外，NTSC比的測定方法如下。作為日本的彩色TV的標準的NTSC方式中，將作為基準的R、G、B色度點以CIE色度坐標上的點(x,y)如下地進行規(guī)定。R(0.67,0.33)、G(0.21，0.71)、B(0.14,0.08)將由該RGB的3點形成的三角形的面積設為100時，測定要計算的白色發(fā)光裝置的R、G、B形成的三角形的面積，具體地說，用要計算的白色發(fā)光裝置進行單色RGB發(fā)光，測定色度(x,y)，將在CIE色度圖上繪制得到的三角形的面積除以NTSC的標準三角形的面積，將得到的值乘以100后的值定義為NTSC比(％)。并且，作為本發(fā)明的第1發(fā)光裝置，優(yōu)選下述的P/V(blue)或P/V(red)的任意一個是1.4以上，更優(yōu)選為1.5以上，進一步優(yōu)選為1.6以上，特別優(yōu)選為1.7以上。(a)發(fā)光光譜的515535nm的波長范圍的發(fā)光峰中發(fā)光強度最大值(P)與480515nm的波長范圍中發(fā)光強度最小值(V)的強度比(P/V(blue))。(b)發(fā)光光譜的515535nm的波長范圍中發(fā)光峰的發(fā)光強度最大值(P)與535590nm的波長范圍中發(fā)光強度的最小值(V)的強度比(P/V(red))。上述的P/V(blue)和P/V(red)根據與上述的綠色熒光體組合使用的熒光體的種類和量而發(fā)生變化，通過選擇熒光體的種類和量以滿足上述規(guī)定，從而能提供色再現(xiàn)范圍寬的發(fā)光裝置。此外，P/V(blue)或P/V(red)的值越大越是優(yōu)選的，但通常為100以下。進而，優(yōu)選具有以下的耐久性。即，優(yōu)選本發(fā)明的第1發(fā)光裝置在氣溫85"C、相對濕度85°/。的環(huán)境下，以電流密度238mA/mmS通電200小時后的色度(x，y)的值與通電前的色度(x'，y')分別滿足Ix-x'I^0.035、OSIy-y，I^0.035。進而，更優(yōu)選Ix-x，I為0.025以下，進一步優(yōu)選Ix-x，1為0.02以下。另外，更優(yōu)選Iy-y，i為0.025以下，進一步優(yōu)選Iy-y'I為0.02以下。此外，該耐久性的測定可以使用山勝電子工業(yè)社的LED老化系統(tǒng)，在氣溫85"C、相對濕度85%的條件下，通電20mA來進行，也可以使用與其相同的裝置進行。另外，本發(fā)明的第1發(fā)光裝置的發(fā)光效率優(yōu)選為30lm/W以上，更優(yōu)選為35lm/W以上，特別優(yōu)選為40lm/W以上。該發(fā)光效率高是優(yōu)選的，但通常為2501m/W以下。此外，對于發(fā)光效率，由使用上述的發(fā)光裝置的發(fā)光光譜測定的結果求出總光通量，將其流明(lm)值除以消耗功率(W)來求出發(fā)光效率。使用Fluke社的TrueRMSMultimetersModel187&189，測定LED端子間的電壓，以電流值和電壓值的積求出消耗功率。[3-2.第2發(fā)光裝置]本發(fā)明的第2發(fā)光裝置具有激發(fā)光源和熒光體，所述熒光體在激發(fā)光源發(fā)出的光的照射下發(fā)出綠色熒光，并且具有下述(4)、(2)和(3)的特性。(4)氧氮化物結晶具有三方晶系的晶胞。(2)照射410nm波長的光的情況下的發(fā)光光譜圖中的發(fā)光峰強度值與照射390nm波長的光的情況下的發(fā)光光譜圖中的發(fā)光峰強度值的比例為90°/。以上。(3)熒光體的發(fā)光色基于JISZ8701的色度坐標值滿足x^0.3、y^0.5。此處，對于激發(fā)光源沒有限制，只要能夠激發(fā)具有特性(2)(4)的特性的綠色熒光體，能夠使用任意的激發(fā)光源。其中，優(yōu)選與后述的第1發(fā)光體相同的熒光體。此外，激發(fā)光源可以單獨使用1個，也可以以任意組合和比例同時使用2個以上。另外，對于特性(2)，其如[1-2-3.激發(fā)波長]中所說明的內容所述，對于特性(3)，其如[1-2-4.發(fā)光色]中所說明的內容所述。另外，對于特性(4)，其如[l-l.復合氧氮化物熒光體的組成和結晶結構]中所說明的內容所述。本發(fā)明的第2發(fā)光裝置具有激發(fā)光源并使用具有上述(4)、(2)和(3)的特性的綠色熒光體，除此之外，可以采用任意的公知的裝置構成。通過使用具有上述(4)、(2)和(3)的特性的綠色熒光體，升溫導致的色差小，并且對近紫外藍色區(qū)域的激發(fā)光源表現(xiàn)出穩(wěn)定的發(fā)光效率，進而用作液晶顯示器用光源等白色發(fā)光裝置的情況下，顯示器的色再現(xiàn)范圍變寬，在這點上，能夠實現(xiàn)優(yōu)異的發(fā)光裝置。另外，本發(fā)明的第2發(fā)光裝置使用的綠色熒光體優(yōu)選具有與[1-2-2.溫度特性]所說明的本發(fā)明的熒光體相同的特性。本發(fā)明的第2發(fā)光裝置使用的綠色熒光體優(yōu)選除了特性(2)(4)以外還具有與[l-l.復合氧氮化物熒光體的組成和結晶結構]、[1-2-3.激發(fā)波長]和[1-2-4.發(fā)光色]所說明的本發(fā)明的熒光體相同的特性。另外，本發(fā)明的第2發(fā)光裝置使用的綠色熒光體的重量中值徑與[1-2-7.重量中值徑]項中對本發(fā)明的熒光體說明的相同。另外，本發(fā)明的第2發(fā)光裝置使用的綠色熒光體的內部量子效率、吸收效率以及外部量子效率與[1-2-8.內部量子效率等]項中對本發(fā)明的熒光體說明的相同。作為上述的本發(fā)明的第2發(fā)光裝置使用的綠色熒光體的優(yōu)選的具體例，可以舉出上述的本發(fā)明的熒光體。因此，本發(fā)明的第2發(fā)光裝置的構成中可以含有一種以上本發(fā)明的熒光體。另外，本發(fā)明的第2發(fā)光裝置關于發(fā)光裝置的發(fā)光光譜中綠色區(qū)域的存在發(fā)光峰的波長范圍、NTSC比、P/V(blue)或P/V(red)、耐久性以及發(fā)光效率分別與本發(fā)明的第1發(fā)光裝置相同。[3-3.第3發(fā)光裝置]本發(fā)明的第3發(fā)光裝置是具有第1發(fā)光體和第2發(fā)光體的發(fā)光裝置，所述第2發(fā)光體在該第1發(fā)光體發(fā)出的光的照射下發(fā)出可見光，該發(fā)光裝置含有第1熒光體作為該第2發(fā)光體，所述第1熒光體含有至少一種以上本發(fā)明的熒光體。作為本發(fā)明的第3發(fā)光裝置，只要具有能作為激發(fā)光源的第1發(fā)光體，并且含有第1熒光體作為第2發(fā)光體，所述第1熒光體含有至少一種以上本發(fā)明的熒光體，可以采用任意的公知的裝置構成。作為該發(fā)光裝置，具體地說，可以舉出具有后述那樣的裝置構成的發(fā)光裝置。[3-3-1-1.第1發(fā)光體]第1發(fā)光體用于發(fā)出激發(fā)后述的第2發(fā)光體的光。只要第1發(fā)光體的發(fā)光波長與后述的第2發(fā)光體的吸收波長有重合，則沒有特別限制，可以使用發(fā)光波長范圍寬的發(fā)光體。通常，使用具有紫外區(qū)域到藍色區(qū)域的發(fā)光波長的發(fā)光體，特別優(yōu)選使用具有近紫外區(qū)域到藍色區(qū)域的發(fā)光波長的發(fā)光體。作為第1發(fā)光體的發(fā)光波長的具體的數值，其通常為200nm以上。其中，使用近紫外光作為激發(fā)光的情況下，使用具有通常為300nm以上、更優(yōu)選為330nm以上、進一步優(yōu)選為360nm以上并且通常為420nm以下的峰發(fā)光波長的發(fā)光體。另外，使用藍色光作為激發(fā)光的情況下，使用具有通常為420nm以上、更優(yōu)選為430nm以上、且通常為500nm以下、優(yōu)選為480nm以下的峰發(fā)光波長的發(fā)光體。這是從發(fā)光裝置的色純度的觀點出發(fā)的。作為該第1發(fā)光體，通常使用半導體發(fā)光元件，具體地說，可以使用發(fā)光LED、半導體激光二極管(semiconductorlaserdiode。以下為了方便起見簡稱為"LD")等。此外，作為可以用作第1發(fā)光體的發(fā)光體，例如可以舉出有機電致發(fā)光元件、無機電致發(fā)光元件等。但是，可以用作第1發(fā)光體的發(fā)光元件不限于本說明書所舉出的例子。其中，作為第1發(fā)光體，優(yōu)選為使用了GaN系化合物半導體的GaN系LED、LD。其原因在于，與發(fā)出該區(qū)域的光的SiC系LED等相比，GaN系LED和LD的發(fā)光功率、外部量子效率格外地大，通過與上述熒光體組合，能以非常低的電功率得到非常明亮的發(fā)光。例如，對于20mA的電流載荷，通常GaN系LED和LD具有SiC系的100倍以上的發(fā)光強度。GaN系LED和LD中，優(yōu)選具有AlxGaYN發(fā)光層、GaN發(fā)光層或InxGaYN發(fā)光層。GaN系LED中，具有這些之中的InxGaYN發(fā)光層的LED的發(fā)光強度非常強，所以是特別優(yōu)選的，GaN系LED中，InxGaYN層與GaN層的多重量子阱結構的LED的發(fā)光強度非常強,所以是特別優(yōu)選的。此外，上述中，X+Y的值通常為0.81.2的范圍的值。GaN系LED中，這些發(fā)光層中摻雜了Zn、Si或者沒有摻雜劑的LED在調整發(fā)光特性方面是優(yōu)選的。GaN系LED以這些發(fā)光層、p層、n層、電極以及基板為基本構成要素，且具有發(fā)光層被n型和p型的AlxGaYN層、GaN層、或者InxGaYN層等夾在中間的異質結構時，其發(fā)光效率高，所以是優(yōu)選的，并且，異質結構是量子阱結構時，其發(fā)光效率更高，所以是更優(yōu)選的。此外，第1發(fā)光體可以僅使用一個，也可以將2個以上以任意組合和比例合用。本發(fā)明的第3發(fā)光裝置中的第2發(fā)光體是在來自上述第1發(fā)光體的光的照射下發(fā)出可見光的發(fā)光體，其含有上述的本發(fā)明的熒光體(綠色熒光體)作為第1熒光體，同時，根據其用途等適宜含有后述的第2熒光體(紅色熒光體、藍色熒光體、橙色熒光體等)。另外，第2發(fā)光體例如通過將第1和第2熒光體分散到密封材料中來構成。此外，對于上述第2發(fā)光體中使用的本發(fā)明的熒光體以外的熒光體的組成沒有特別限制，其例子可以舉出在作為結晶母體的、以Y203、Zn2Si04、Y3A15012、Sr2Si04等為代表的金屬氧化物、以Sr2Si5N8等為代表的金屬氮化物、以Ca5(P04)3Cl等為代表的磷酸鹽和以ZnS、SrS、CaS等為代表的硫化物中組合Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb等稀土金屬的離子、Ag、Cu、Au、Al、Mn、Sb等金屬的離子作為活化元素或共活化元素而形成的熒光體。作為結晶母體的優(yōu)選的例子，可以舉出例如(Zn,Cd)S、SrGa2S4、SrS、ZnS等硫化物；Y202S等氧硫化物；(Y，Gd)3Al5012、YA103、BaMgAl1QOl7、(Ba,Sr)(Mg，Mn)Al10O17、(Ba,Sr，Ca)(Mg，Zn，Mn)Al10O17、BaAl12019、CeMgAlH019、(Ba,Sr,Mg)OAl203、BaAl2Si208、SrAl204、Sr4All4025、￥3八15012等鋁酸鹽；Y2Si05、Zn2Si04等硅酸鹽；Sn02、丫203等氧化物；GdMgB501()、(Y,Gd)B03等硼酸鹽；Ca1Q(P04)6(F,Cl)2、(Sr,Ca,Ba,Mg)K)(P04)6Cl2等鹵磷酸鹽；Sr2P207、(La，Ce)P04等磷酸鹽等。但是，對元素組成沒有特別限制，上述結晶母體和活化元素或共活化元素的一部分也可以換成同族的元素，所得到的熒光體只要是吸收近紫外到可見光區(qū)域的光轉而發(fā)出可見光的熒光體，就可以使用。具體地說，作為熒光體，可以使用下述舉出的熒光體，當然這些只是用于舉例，本發(fā)明可以使用的熒光體并不限于這些。此外，以下的例示中，如上對僅部分結構不同的熒光體進行適當省略來表示。[3-3-1-2-1.第1熒光體]本發(fā)明的第3發(fā)光裝置中的第2發(fā)光體含有至少上述的本發(fā)明的熒光體作為第1熒光體。本發(fā)明的熒光體可以單獨使用任意一種，也可以以任意組合和比例同時使用兩種以上。另外，作為第1熒光體，除了本發(fā)明的熒光體以外，還可以使用發(fā)出與本發(fā)明的熒光體同色的熒光的熒光體(同色合用熒光體)。通常，本發(fā)明的熒光體是綠色熒光體，所以可以與本發(fā)明的熒光體一起使用其他種類的綠色熒光體作為第1熒光體。作為該綠色熒光體，可以使用不明顯損害本發(fā)明效果的任意的熒光體。此時，綠色熒光體的發(fā)光峰波長通常處于490nm以上、優(yōu)選500nm以上、更優(yōu)選510nm以上、進一步優(yōu)選515nm以上并且通常560nm以下、優(yōu)選550nm以下、更優(yōu)選540nm以下、進一步優(yōu)選535nm以下的波長范圍。該綠色熒光體的具體例可以舉出由具有破裂面的破裂顆粒構成且進行綠色區(qū)域發(fā)光的以(Mg，Ca,Sr，Ba)Si202N2:Eu表示的銪活化堿土硅氧氮化物系熒光體、由具有破裂面的破裂顆粒構成且進行綠色區(qū)域發(fā)光的以(Ba，Ca，Sr，Mg)2Si04:Eu表示的銪活化堿土硅酸鹽系熒光體等。另外，作為其他的綠色熒光體，也可以使用Sr4Al14025:Eu、(Ba,Sr，Ca)Al204:Eu等Eu活化鋁酸鹽熒光體、(Sr，Ba)Al2Si208:Eu、(Ba,Mg)2Si04:Eu、(Ba,Sr，Ca,Mg)2Si04:Eu、(Ba，Sr,Ca)2(Mg，Zn)Si207:Eu、(Ba,Ca,Sr，Mg)9(Sc，Y，Lu，Gd)2(Si，Ge)6024:Eu等Eu活化硅酸鹽熒光體、Y2Si05:Ce，Tb等Ce,Tb活化硅酸鹽熒光體、Sr2P207'Sr2B205:Eu等Eu活化硼酸磷酸鹽熒光體、Sr2Si3CV2SrCl2:EU等Eu活化鹵硅酸鹽熒光體、Zri2Si04:Mn等Mn活化硅酸鹽熒光體、CeMgAl019:Tb、Y3Al5012:Tb等Tb活化鋁酸鹽熒光體、Ca2Y8(Si04)602:Tb、La3Ga5Si014:Tb等Tb活化硅酸鹽熒光體、(Sr,Ba，Ca)Ga2S4:Eu,Tb，Sm等Eu，Tb,Sm活化硫代鎵酸鹽熒光體、Y3(Al，Ga)5012:Ce、(Y,Ga,Tb，La，Sm，Pr,Lu)3(Al，Ga)5012:Ce等Ce活化鋁酸鹽熒光體、Ca3Sc2Si3012:Ce、Ca3(Sc，Mg,Na,Li)2Si3012:Ce等Ce活化硅酸鹽熒光體、CaSc204:Ce等Ce活化氧化物熒光體、SrSi202N2:Eu、(Mg，Sr，Ba，Ca)Si202N2:Eu、Eu活化P賽隆(sialon)等Eu活化氧氮化物熒光體、BaMgAlK)On:Eu，Mn等Eu，Mn活化鋁酸鹽熒光體、SrAl204:Eu等Eu活化鋁酸鹽熒光體、(La，Gd,Y)202S:Tb等Tb活化氧硫化物熒光體、LaP04:Ce，Tb等Ce,Tb活化磷酸鹽熒光體、ZnS:Cu,Al、ZnS:Cu，Au，Al等硫化物熒光體、(Y，Ga，Lu,Sc,La)B03:Ce,Tb、Na2Gd2B207:Ce，Tb、(Ba，Sr)2(Ca，Mg，Zn)B206:K，Ce，Tb等Ce，Tb活化硼酸鹽熒光體、Ca8Mg(Si04)4Cl2:Eu，Mn等Eu,Mn活化鹵硅酸鹽熒光體、(Sr，Ca，Ba)(Al，Ga，In)2S4:Eu等Eu活化硫代鋁酸鹽熒光體和硫代鎵酸鹽熒光體、(Ca，Sr)8(Mg，Zn)(Si04)4Cl2:Eu，Mn等Eu，Mn活化鹵硅酸鹽熒光體、MSi202N2:Eu、M3Si609N4:Eu、M2SMDk)N4:Eu(其中，M表示堿土金屬元素)等Eu活化氧氮化物熒光體等。另外，作為綠色熒光體，還可以使用吡啶-鄰苯二甲酰亞胺縮合衍生物、苯并噁嗪酮系、喹唑啉酮系、香豆素系、喹酞酮系、萘二甲酰亞胺系等熒光色素、鋱絡合物等有機熒光體。此外，以上舉出的綠色熒光體可以單獨使用任意一種，也可以以任意組合和比例同時使用兩種以上。本發(fā)明的第3發(fā)光裝置中使用的第1熒光體的發(fā)光峰波長、(nm)優(yōu)選下述范圍通常大于500nm、特別是510nm以上、進一步是515nm以上且通常是550nm以下、特別是540nm以下、進一步是535nm以下。該發(fā)光峰波長、過短時，有泛藍的傾向，另一方面，該發(fā)光峰波長^p過長時，有泛黃的傾向，均存在作為綠色光的特性發(fā)生降低的可能性，所以不是優(yōu)選的。另外，本發(fā)明的第3發(fā)光裝置中使用的第1熒光體優(yōu)選上述的發(fā)光光譜中的發(fā)光峰半峰寬(FWHM)在下述范圍通常大于40nm，特別是50nm以上，進一步是60nm以上，且通常小于90nm，特別是80nm以下，進一步是75nm以下。如果該半峰寬FWHM過窄，則其用作照明時發(fā)光輝度降低，所以存在演色性降低的可能性，如果該半峰寬FWHM過寬，則其用于液晶顯示器等圖像顯示裝置時，色純度降低，所以存在圖像顯示裝置的色再現(xiàn)范圍變窄的可能性。[3-3-1-2-2.第2熒光體]本發(fā)明的第3發(fā)光裝置中的第2發(fā)光體根據其用途還可以含有上述的第1熒光體以外的熒光體(即第2熒光體)。該第2熒光體是發(fā)光波長與第1熒光體不同的熒光體。通常，這些第2熒光體被用于調整第2發(fā)光體的發(fā)光的色調，作為第2熒光體，大多使用發(fā)出與第1熒光體不同顏色的熒光的熒光體。如上所述，由于通常使用綠色熒光體作為第1熒光體，所以使用例如橙色紅色熒光體、藍色熒光體、黃色熒光體等非綠色熒光體的熒光體作為第2熒光體。本發(fā)明的第3發(fā)光裝置使用的第2熒光體的重量中值徑優(yōu)選為下述范圍通常為0.01pm以上，優(yōu)選為1拜以上，更優(yōu)選為5pm以上，進一步優(yōu)選為10pm以上，且通常為lOOpm以下，優(yōu)選為30pm以下，更優(yōu)選為20pm以下。重量中值徑過小時，輝度降低，熒光體顆粒有發(fā)生凝集的傾向。另一方面，重量中值徑過大時，有產生涂布斑、分配器(dispenser)等的阻塞的傾向。使用橙色紅色熒光體作為第2熒光體的情況下，該橙色紅色熒光體可以使用不明顯損害本發(fā)明的效果的任意的熒光體。此時，橙色紅色熒光體的發(fā)光峰波長在下述波長范圍是適宜的通常為570nm以上、優(yōu)選為580nm以上、更優(yōu)選為585nm以上，且通常為780nm以下、優(yōu)選為700nm以下、更優(yōu)選為680nm以下。作為這樣的橙色紅色熒光體，例如可以舉出由具有紅色破裂面的破裂顆粒構成且進行紅色區(qū)域發(fā)光的以(Mg，Ca，Sr,Ba)2Si5Ns:Eu表示的銪活化堿土硅氮化物系熒光體、由具有大致球形作為規(guī)則的結晶成長形狀的成長顆粒構成且進行紅色區(qū)域發(fā)光的以(Y,La,Gd,Lu)202S:Eu表示的銪活化稀土氧硫化物系熒光體等。另外，日本特開2004-300247號公報所記載的熒光體也可用于本實施方式，所述熒光體屬于含有氧氮化物和/或氧硫化物(所述氧氮化物和/或氧硫化物含有選自由Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、W以及Mo組成的組中的至少一種元素)的熒光體并且該熒光體含有具有Al元素的一部分或全部被Ga元素取代了的(x賽隆結構的氧氮化物。需要注意的是，這些是含有氧氮化物和/或氧硫化物的熒光體。此外，作為紅色熒光體，也可以使用(La，Y)202S:Eu等Eu活化氧硫化物熒光體；Y(V，P)04:Eu、Y203:Eu等Eu活化氧化物熒光體；(Ba,Mg)2Si04:Eu，Mn、(Ba，Sr,Ca，Mg)2Si04:Eu,Mn等Eu，Mn活化硅酸鹽熒光體；LiW208:Eu、LiW208:Eu,Sm、Eu2W209、Eu2W209:Nb、Eu2W209:Sm等Eu活化鉤酸鹽熒光體;(Ca，Sr)S:Eu等Eu活化硫化物熒光體;YA103:Eu等Eu活化鋁酸鹽熒光體；Ca2Y8(Si04)602:Eu、LiY9(Si04)602:Eu、(Sr，Ba，Ca)3Si05:Eu、Sr2BaSi05:Eu等Eu活化硅酸鹽熒光體；(Y,Gd)3Al5012:Ce、(Tb，Gd)3Al5012:Ce等Ce活化鋁酸鹽熒光體；(Mg，Ca,Sr,Ba)2Si5(N,0)8:Eu、(Mg，Ca,Sr，Ba)Si(N，0)2:Eu、(Mg,Ca,Sr，Ba)AlSi(N，0)3:Eu等Eu活化氮化物或氧氮化物熒光體；(Mg，Ca，Sr,Ba)AlSi(N，0)3:Ce等Ce活化氮化物或氧氮化物熒光體；(Sr,Ca，Ba,Mg)1()(P04)6Cl2:Eu,Mn等Eu，Mn活化鹵磷酸鹽熒光體；Ba3MgSi208:Eu，Mn、(Ba，Sr，Ca,Mg)3(Zn，Mg)Si208:Eu,Mn等Eu,Mn活化硅酸鹽熒光體；3.5MgO0.5MgF2'Ge02:Mn等Mn活化鍺酸鹽熒光體；Eu活化a賽隆等Eu活化氧氮化物熒光體；(Gd，Y，Lu，La)203:Eu，Bi等Eu,Bi活化氧化物熒光體；(Gd，Y,Lu，La)202S:Eu,Bi等Eu，Bi活化氧硫化物熒光體；(Gd，Y,Lu，La)V04:Eu，Bi等Eu,Bi活化釩酸鹽熒光體；SrY2S4:Eu,Ce等Eu,Ce活化硫化物熒光體；CaLa2S4:Ce等Ce活化硫化物熒光體；(Ba,Sr，Ca)MgP207:Eu，Mn、(Sr，Ca，Ba，Mg，Zn)2P207:Eu，Mn等Eu,Mn活化磷酸鹽熒光體；(Y，Lu)2W06:Eu,Mo等Eu，Mo活化鎢酸鹽熒光體；(Ba，Sr,Ca)xSiyNz:Eu，Ce(其中，x、y、z表示1以上的整數)等Eu,Ce活化氮化物熒光體；(Ca，Sr,Ba，Mg)1()(P04)6(F,Cl,Br,OH)2:Eu，Mn等Eu，Mn活化鹵磷酸鹽熒光體；((Y,Lu，Gd,Tb)1_x.yScxCey)2(Ca,Mg)1.r(Mg，Zn)2+rSiz.qGeq012+s等Ce活化硅酸鹽熒光體等。作為紅色熒光體，還可以使用例如由稀土元素離子絡合物(其中以P-二酮酸鹽、P-二酮、芳香族羧酸、或布朗斯臺德酸等的陰離子為配位體)構成的紅色有機熒光體、二萘嵌苯系顏料(例如，二苯并{[^]-4,4'，7,7'-四苯基)二茚并[1,2,3-cd:l'，2',3'-lm]二萘嵌苯)、蒽醌系顏料、色淀系顏料、偶氮系顏料、喹吖啶酮系顏料、蒽系顏料、異吲哚啉系顏料、異說明書第53/121頁吲哚啉酮系顏料、酞菁系顏料、三苯甲烷系堿性染料、陰丹酮系顏料、靛酚系顏料、花青系顏料、二噁嗪系顏料等。上述物質中，作為紅色熒光體，優(yōu)選含有選自由(Ca，Sr,Ba)2Sis(N,0)8:Eu、(Ca，Sr,Ba)Si(N,0)2:Eu、(Ca,Sr，Ba)AlSi(N，0)3:Eu、(Ca，Sr，Ba)AlSi(N,0)3:Ce、(Sr，Ba)3Si05:Eu、(Ca，Sr)S:Eu、(La，Y)202S:Eu和Eu絡合物組成的組中的至少一種熒光體，更優(yōu)選含有(Ca,Sr，Ba)2Si5(N，0)8:Eu、(Ca，Sr，Ba)Si(N，0)2:Eu、(Ca,Sr,Ba)AlSi(N,0)3:Eu、(Ca，Sr,Ba)AlSi(N,0)3:Ce、(Sr,Ba)3Si05:Eu、(Ca,Sr)S:Eu或(La，Y)202S:Eu或者Eu(二苯甲?；淄?3-l，lO-菲咯啉絡合物等卩-二酮系Eu絡合物或羧酸系Eu絡合物，特別優(yōu)選(Ca，Sr，Ba)2Sis(N,0)8:Eu、(Sr,Ca)AlSiN3:Eu或(La，Y)202S:Eu。另外，上述例子中，作為橙色熒光體，優(yōu)選(Sr，Ba)3SiOs:Eu。[3畫3誦l-2-2隱2.藍色熒光體]使用藍色熒光體作為第2熒光體的情況下，該藍色熒光體可以使用不明顯損害本發(fā)明效果的任意的熒光體。此時，藍色熒光體的發(fā)光峰波長在下述波長范圍是適宜的通常為420nm以上，優(yōu)選為430nm以上，更優(yōu)選為440nm以上，且通常為490nm以下，優(yōu)選為480nm以下，更優(yōu)選為470nm以下，進一步優(yōu)選為460nm以下。作為這樣的藍色熒光體，例如可以舉出由具有大致六邊形作為規(guī)則的結晶成長形狀的成長顆粒構成且進行藍色區(qū)域發(fā)光的以BaMgAl1()017:EU表示的銪活化鋇鎂鋁酸鹽系熒光體、由具有大致球形作為規(guī)則的結晶成長形狀的成長顆粒構成且進行藍色區(qū)域發(fā)光的以(Ca，Sr，Ba)5(P04)3Cl:Eu表示的銪活化鹵磷酸鈣系熒光體、由具有大致立方體形狀作為規(guī)則的結晶成長形狀的成長顆粒構成且進行藍色區(qū)域發(fā)光的以(Ca，Sr，Ba)2B509Cl:Eu表示的銪活化堿土氯硼酸鹽系熒光體、由具有破裂面的破裂顆粒構成且進行藍綠色區(qū)域發(fā)光的以(Sr，Ca，Ba)Al204:Eu或(Sr,Ca,Ba)4Al,4025:Eu表示的銪活化堿土鋁酸鹽系熒光體等。此外，作為藍色熒光體，還可以使用例如Sr2P207:Sn等Sn活化磷酸鹽熒光體、(Sr,Ca，Ba)Al204:Eu或(Sr,Ca，Ba)4Al!4025:Eu、BaMgAl1()017:Eu、(Ba，Sr，Ca)MgA"。On:Eu、BaMgAl10O17:Eu，Tb,Sm、BaAl8013:Eu等Eu活化鋁酸鹽熒光體、SrGa2S4'.Ce、CaGa2S4:Ce等Ce活化硫代鎵酸鹽熒光體、(Ba，Sr,Ca)MgAl1()017:Eu，Mn等Eu，Mn活化鋁酸鹽熒光體、(Sr,Ca,Ba，Mg)10(PO4)6Cl2:Eu、(Ba，Sr,Ca)5(P04)3(Cl,F，Br，OH)2:Eu,Mn,Sb等Eu活化鹵磷酸鹽熒光體、BaAl2Si208:Eu、(Sr,Ba)3MgSi208:Eu等Eu活化硅酸鹽熒光體、Sr2P207:Eu等Eu活化磷酸鹽熒光體、ZnS:Ag、ZnS:Ag,Al等硫化物熒光體、Y2Si05:Ce等Ce活化硅酸鹽熒光體、CaW04等鎢酸鹽熒光體、(Ba,Sr,Ca)BP05:Eu,Mn、(Sr，Ca)1()(P04)6■nB203:Eu、2SrO■0.84P2O5■0.16B2O3:Eu等Eu，Mn活化硼酸磷酸鹽熒光體、Sr2Si308'2SrCl2:Eu等Eu活化鹵硅酸鹽熒光體、SrSi9Al19ON31:Eu、EuSi9Al19ON31等Eu活化氧氮化物熒光體等。另外，作為藍色熒光體，還可以使用例如萘二甲酰亞胺系、苯并噁唑系、苯乙烯基系、香豆素系、吡唑啉(t'，D'/>)系、三唑系化合物的熒光色素、銩絡合物等有機熒光體等。以上的例示中，作為藍色熒光體，優(yōu)選含有選自由(Ca,Sr，Ba)MgAlt。0口:Eu、(Sr，Ca，Ba，Mg)K)(P04)6(Cl，F(xiàn))2:Eu和(Ba，Ca,Mg，Sr)2Si04:Eu組成的組中的至少一種熒光體，更優(yōu)選含有(Ca，Sr,Ba)MgAl10O17:Eu、(Sr,Ca，Ba,Mg)10(PO4)6(Cl，F(xiàn))2:Eu或(Ba,Ca,Sr)3MgSi208:Eu，進一步優(yōu)選含有BaMgAl1()017:Eu、Sr1()(P04)6(Cl，F(xiàn))2:Eu或Ba3MgSi208:Eu。另外，其中對于照明用途，優(yōu)選(Ca,Sr，Ba)MgAlK)On:Eu，對于顯示器用途，優(yōu)選(Sr,Ca，Ba,Mg)K)(P04)6Cl2:Eu。[3一3—1_2_2_3.黃色熒光體]使用黃色熒光體作為第2熒光體的情況下，該藍色熒光體可以使用不明顯損害本發(fā)明效果的任意的熒光體。此時，黃色熒光體的發(fā)光峰波長在下述波長范圍是適宜的通常為530nm以上，優(yōu)選為540nm以上，更優(yōu)選為550nm以上，且通常為620nm以下，優(yōu)選為600nm以下，更優(yōu)選為580nm以下。作為這樣的黃色熒光體，例如可以舉出各種氧化物系、氮化物系、氧氮化物系、硫化物系、氧硫化物系等熒光體。特別可以舉出以RE3M50!2:Ce(此處，RE表示選自由Y、Tb、Gd、Lu以及Sm組成的組中的至少一種元素，M表示選自由A1、Ga以及Sc組成的組中的至少一種元素)、Ma3Mb2Me30!2:Ce(此處，Nf表示2價的金屬元素、Mb表示3價的金屬元素、Me表示4價的金屬元素)等表示的具有石榴石結構的石榴石系熒光體；以AE2Md()4:Eu(此處，AE表示選自由Ba、Sr、Ca、Mg以及Zn組成的組中的至少一種元素，Md表示Si和/或Ge)等表示的原硅酸鹽系熒光體；這些體系的熒光體的構成元素中的氧的一部分被氮取代了的氧氮化物系熒光體；AEAlSiN3:Ce(此處，AE表示選自由Ba、Sr、Ca、Mg和Zn組成的組中的至少一種元素)等具有CaAlSiN3結構的氮化物系熒光體等經Ce活化了的熒光體。并且，作為黃色熒光體，此外還可以使用例如CaGa2S4:EU、(Ca，Sr)Ga2S4:Eu、(Ca，Sr)(Ga,Al)2S4:Eu等硫化物系熒光體；Cax(Si，Al)2(0，N)16:Eu等具有SiA10N結構的氧氮化物系熒光體等經Eu活化了的熒光體。并且，作為黃色熒光體，還可以使用例如brilliantsulfoflavineFF(染料索引號56205)、堿性黃HG(染料索引號46040)、曙紅(染料索引號45380)、羅丹明6G(染料索引號45160)等熒光染料等。[3—3-"2-2-4.關于第2熒光體的其他事項]作為上述第2熒光體，可以單獨使用一種熒光體，也可以將兩種以上的熒光體以任意的組合和比例合用。另外，第1熒光體和第2熒光體的比例在不明顯損害本發(fā)明的效果的前提下也是任意的。因此，第2熒光體的用量以及用作第2熒光體的熒光體的組合及其比例等根據第3發(fā)光裝置的用途等任意設定即可。本發(fā)明的第3發(fā)光裝置中，是否使用以上說明的第2熒光體(橙色紅色熒光體、藍色熒光體等)及使用的第2熒光體的種類根據第3發(fā)光裝置的用途適宜選擇即可。例如，將本發(fā)明的第3發(fā)光裝置制成綠色發(fā)光的發(fā)光裝置的情況下，構成中僅使用第1熒光體(綠色熒光體)即可，通常無需使用第2熒光體。另一方面，將本發(fā)明的第3發(fā)光裝置制成白色發(fā)光的發(fā)光裝置的情況下，構成中適當組合第1發(fā)光體、第1熒光體(綠色熒光體)和第2熒光體來得到所期望的白色光即可。具體地說，在將本發(fā)明的第3發(fā)光裝置制成白色發(fā)光的發(fā)光裝置的情況下，構成中作為第1發(fā)光體、第1熒光體和第2熒光體的優(yōu)選組合的例子可以舉出以下的(i)(iii)的組合。(i)使用藍色發(fā)光體(藍色LED等)作為第1發(fā)光體，使用綠色熒光體(本發(fā)明的熒光體等)作為第1熒光體，使用紅色熒光體作為第2熒光體。這種情況下，作為紅色熒光體，優(yōu)選為選自由(Sr,Ca)AlSiN3:Eu組成的組中的一種或兩種以上的紅色熒光體。(ii)使用近紫外發(fā)光體(近紫外LED等)作為第1發(fā)光體，使用綠色熒光體(本發(fā)明的熒光體等)作為第1熒光體，合用藍色熒光體和紅色熒光體作為第2熒光體。這種情況下，作為藍色熒光體，優(yōu)選BaMgAlu)On:Eu。另外，作為紅色熒光體，優(yōu)選選自由(Sr，Ca)AlSiN3:Eu和La202S:Eu組成的組中的一種或兩種以上的紅色熒光體。其中，優(yōu)選組合使用近紫外LED、本發(fā)明的熒光體、作為藍色熒光體的BaMgAlu)0,7:Eu和作為紅色熒光體的(Sr，Ca)AlSiN3:Eu。(iii)使用藍色發(fā)光體(藍色LED等)作為第1發(fā)光體，使用綠色熒光體(本發(fā)明的熒光體等)作為第1熒光體，使用橙色熒光體作為第2熒光體。這種情況下，作為橙色熒光體，優(yōu)選(Sr，Ba)3Si05:Eu。并且，本發(fā)明的熒光體可以與其他的熒光體混合(此處，混合是指熒光體之間未必混合，但組合了種類不同的熒光體)使用。特別是以上述記載的組合來混合熒光體時，得到了優(yōu)選的熒光體混合物。此外，對混合的熒光體的種類、其比例沒有特別限制。[3-4-1.密封材料]本發(fā)明的第1、第2和第3發(fā)光裝置(以下不區(qū)分本發(fā)明的第1、第2和第3發(fā)光裝置的情況下，為了方便起見，稱作"本發(fā)明的發(fā)光裝置")中使用的各熒光體通常通過分散在作為密封材料的液體介質后進行使用。作為該液體介質，可以舉出與上述的[2-2.液體介質]項記載的物質相同的物質。并且，為了調整密封部件的折射率，可以使該液體介質含有能夠形成具有高折射率的金屬氧化物的金屬元素。作為能形成具有高折射率的金屬氧化物的金屬元素的例子，可以舉出Si、Al、Zr、Ti、Y、Nb、B等。這些金屬元素可以單獨使用，也可以以任意組合和比例合用兩種以上。只要不損害密封部件的透明度，對這樣的金屬元素的存在形態(tài)沒有特別限定，例如可以以金屬-氧-金屬鍵的形式形成均勻的玻璃層，或在密封部件中以顆粒狀存在。以顆粒狀存在的情況下，該顆粒內部的結構可以是無定形，也可以是結晶結構，但為了提供高折射率，優(yōu)選是結晶結構。另外，為了不損害密封部件的透明度，其粒徑通常為半導體發(fā)光元件的發(fā)光波長以下，優(yōu)選為100nm以下，進一步優(yōu)選為50nm以下，特別優(yōu)選為30nm以下。例如通過在硅酮系材料中混合氧化硅、氧化鋁、氧化鋯、氧化鈦、氧化釔、氧化鈮等的顆粒，從而使上述金屬元素以顆粒狀存在于密封部件中。并且，作為上述液體介質，還可以含有擴散劑、填料、粘度調整劑、紫外線吸收劑等公知的添加劑。本發(fā)明的發(fā)光裝置只要具有上述的激發(fā)光源(第1發(fā)光體)和熒光體(第2發(fā)光體)，對其他構成沒有特別限制，通常在適當的框架上配置上述的激發(fā)光源(第1發(fā)光體)和熒光體(第2發(fā)光體)。此時，熒光體(第2發(fā)光體)被激發(fā)光源(第1發(fā)光體)發(fā)出的光激發(fā)而產生發(fā)光，并且，該激發(fā)光源(第1發(fā)光體)和/或熒光體(第2發(fā)光體)被配置成發(fā)出的光射向外部的形式。此處，使用多種熒光體的情況下，各熒光體未必混合在同一層中，可以根據熒光體的發(fā)光色在各個層含有熒光體的方式進行操作，例如可以在含有第1熒光體的層上層積含有第2熒光體的層等。并且，本發(fā)明的發(fā)光裝置中，還可以使用上述的激發(fā)光源(第1發(fā)光體)、熒光體(第2發(fā)光體)和框架以外的部件。作為其例子，可以舉出上述的密封材料。發(fā)光裝置中，使用該密封材料的目的除了使熒光體(第2發(fā)光體)分散之外，還可將激發(fā)光源(第1發(fā)光體)、熒光體(第2發(fā)光體)和框架間粘結。下面舉出具體的實施方式，對本發(fā)明的發(fā)光裝置進行更詳細的說明，但本發(fā)明并不限于下述的實施方式，實施時可以在不脫離本發(fā)明的要點的范圍進行任意變化。用于表示本發(fā)明的發(fā)光裝置的一例中、作為激發(fā)光源的第1發(fā)光體與第2發(fā)光體(其構成為含有熒光體的含熒光體部)的位置關系的示意性立體圖見圖1。圖1中的符號1表示含熒光體部(第2發(fā)光體)、符號2表示作為激發(fā)光源(第1發(fā)光體)的面發(fā)光型GaN系LD、符號3表示基板。為了形成相互接觸的狀態(tài)，既可以分別制作LD(2)和含熒光體部(第2發(fā)光體)(l)，通過粘結劑或其他方法使它們的面之間接觸，也可以在LD(2)的發(fā)光面上將含熒光體部(第2發(fā)光體)制膜(成型)。其結果，能夠形成LD(2)與含熒光體部(第2發(fā)光體)(l)接觸的狀態(tài)。采用這樣的裝置構成的情況下，能夠避免來自激發(fā)光源(第1發(fā)光體)的光在含熒光體部(第2發(fā)光體)的膜面被反射而泄漏到外部造成的光量損失，所以能改善裝置整體的發(fā)光效率。圖2(a)是通常稱作炮彈型的形態(tài)的發(fā)光裝置的代表例，其是表示具有激發(fā)光源(第1發(fā)光體)和含熒光體部(第2發(fā)光體)的發(fā)光裝置的一個實施例的示意性截面圖。該發(fā)光裝置(4)中，符號5表示安裝引線、符號6表示內引線、符號7表示激發(fā)光源(第1發(fā)光體)、符號8表示含熒光體的樹脂部、符號9表示導線、符號10表示模塑部件。并且，圖2(b)是被稱作表面實裝型的形態(tài)的發(fā)光裝置的代表例，其是表示具有激發(fā)光源(第1發(fā)光體)和含熒光體部(第2發(fā)光體)的發(fā)光裝置的一個實施例的示意性截面圖。圖中，符號22表示激發(fā)光源(第1發(fā)光體)、符號23表示含熒光體的樹脂部(作為含熒光體部(第2發(fā)光體))、符號24表示框架、符號25表示導線、符號26和符號27表示電極。[3_4_4.關于第1第3發(fā)光裝置的其他事項]上述的本發(fā)明的發(fā)光裝置均使用上述那樣的激發(fā)光源作為激發(fā)光源(第1發(fā)光體)，并且，將上述那樣的綠色熒光體與紅色熒光體、藍色熒光體、黃色熒光體等公知的熒光體任意組合使用，形成公知的裝置構成，由此能夠構成白色發(fā)光裝置。此處，該白色發(fā)光裝置的白色包括JISZ8701規(guī)定的(黃)白、(綠)白、(藍)白、(紫)白和白中的全部白色，其中優(yōu)選白。對本發(fā)明的發(fā)光裝置的用途沒有特別限制，可以用于通常的使用發(fā)光裝置的各種領域，由于色再現(xiàn)范圍寬且演色性高，所以特別適合用作照明裝置、圖像顯示裝置的光源。[3-5-1.照明裝置]將本發(fā)明的發(fā)光裝置用于照明裝置的情況下，將上述那樣的發(fā)光裝置適當組裝在公知的照明裝置中即可。例如，可以舉出圖3所示的組裝有上述的發(fā)光裝置(4)的面發(fā)光照明裝置(11)。圖3是示意性表示本發(fā)明的照明裝置的一個實施方式的截面圖。如該圖3所示，該面發(fā)光照明裝置中，在內面設定為白色的平滑面等不透光性的方形支持殼體(12)的底面設置大量的發(fā)光裝置(13)(相當于上述的發(fā)光裝置(4))，并在其外側設置用于發(fā)光裝置(13)的驅動的電源和電路等(未圖示)，在相當于支持殼體(12)的蓋部的部位固定乳白色的亞克力板等擴散板(14)以使發(fā)光均一化。這樣，驅動面發(fā)光照明裝置(ll)，對發(fā)光裝置(13)的激發(fā)光源(第1發(fā)光體)施加電壓，由此使其發(fā)光，作為含熒光體部(第2發(fā)光體)的含熒光體樹脂部中的上述熒光體吸收該發(fā)光的一部分，發(fā)出可見光，另一方面，通過與未被熒光體吸收的藍色光等的混色，得到了演色性高的發(fā)光，該光透過擴散板(14)，在附圖上方射出，在支持殼體(12)的擴散板(14)面內得到了明亮度均勻的照明光。[3-5-2.圖像顯示裝置]將本發(fā)明的發(fā)光裝置用于圖像顯示裝置的情況下，對該圖像顯示裝置的具體構成沒有限制，例如作為代表例，可以舉出圖4和圖5所示的構成。圖4用于說明本發(fā)明的圖像顯示裝置的一個實施方式，其為示意性表示圖像顯示裝置的要部的分解截面圖。此外，對于圖4所示的顯示裝置，觀察者從圖中右側能看到顯示裝置顯示的圖像。本實施方式的顯示裝置(15)具有發(fā)出激發(fā)光的光源(16)和含有熒光體(該熒光體吸收由該光源(16)發(fā)出的光轉而發(fā)出可見光)的熒光體部(17R)、(17G)、(17B)。并且，顯示裝置(15)具有框架(18)、起偏振器(19)、光閥(20)、檢偏振器(21)。下面對各部件進行說明。[框架]框架(18)是保持構成顯示裝置(15)的光源(16)等部件的基部，其形狀是任意的。并且，框架(18)的材質也是任意的，例如可以根據用途適當使用金屬、合金、玻璃、碳等無機材料、合成樹脂等有機材料等。但是，從有效利用由光源(16)發(fā)出的光、改善顯示裝置(15)的發(fā)光效率的方面考慮，優(yōu)選提高由光源(16)發(fā)出的光照射到的框架(18)的面對照射到的光的反射率。因此，優(yōu)選至少光照射到的面由反射率高的材料形成。作為具體例，可以舉出用含有玻璃纖維、氧化鋁粉、氧化鈦粉等具有高反射率的物質的材料(注射成型用樹脂等)形成框架(18)的整體或框架(18)的表面。并且，提高框架(18)的表面的反射率的具體方法是任意的，除了如上所述那樣選擇框架(18)本身的材料之外，還可以通過用例如銀、鉬、鋁等具有高反射率的金屬、合金進行鍍覆或蒸鍍處理來提高光的反射率。此外，提高反射率的部分可以是框架(18)的整體，也可以是其一部分，但通常優(yōu)選提高由光源(16)發(fā)出的光照射到的部分的整個表面的反射率。進而，通常在框架(18)上設置用于對光源(16)供電的電極、端子等。此時，將電極、端子與光源(16)進行連接的方法是任意的，例如將光源(16)與電極、端子通過引線接合來接線，從而進行供電。對于所用的引線沒有限制，其材料、尺寸等是任意的。例如，作為引線的材料，可以使用金、鋁等金屬，另夕卜，其粗度通?？梢远?0nm40,，但引線并不限于此。并且，作為向光源(16)供電的其他方法的例子，可以舉出通過使用焊齊(J(vamp)的倒裝片式實裝向光源(16)供電的方法。另外，向光源(16)供電的情況下，可以使用焊料。這是因為，焊料發(fā)揮優(yōu)異的散熱性，從而在將散熱性重要的大電流型LED、LD等用作光源(16)中的激發(fā)光源(第1發(fā)光體)的情況下，可以提高顯示裝置(15)的散熱性。焊料的種類是任意的，例如可以使用AuSn、AgSn等。并且，焊料除了與電極、端子連接用于供電通路之外，還可以用于將光源(16)簡單地設置于框架(18)上。另外，通過焊料以外的手段將光源(16)安裝于框架(18)上的情況下，例如可以使用環(huán)氧樹脂、酰亞胺樹脂、丙烯酸樹脂等粘結劑。這種情況下，通過使用在粘結劑中混合銀顆粒、碳顆粒等導電性填料而形成的膏狀物，能夠像使用焊料時那樣，對粘結劑通電來向光源(16)供電。另外，由于混合這些導電性填料時，散熱性也得到了提高，所以是優(yōu)選的。本實施方式中，使用提高了表面反射率的平板狀框架(18)，在該表面設置有用于向光源(16)供電的端子(省略圖示)。并且，設計成可以從電源(省略圖示)向該端子供電的形式。[光源]光源(16)在上述那樣的本發(fā)明的發(fā)光裝置中屬于發(fā)出激發(fā)光的第1發(fā)光體。該光源(16)發(fā)出的光是激發(fā)熒光體部(17R)、(17G)、(17B)含有的熒光體的激發(fā)光。另外，也可以設置成顯示裝置(15)的觀察者能夠看見光源(16)發(fā)出的光本身的形式，這種情況下，由光源(16)發(fā)出的光也就是像素發(fā)出的光本身。只要光源(16)發(fā)出的光的波長能夠激發(fā)熒光體部(17R)、(17G)、(17B)內的熒光體，就可以任意使用處于紫外區(qū)域或可見光區(qū)域的光。由該光源發(fā)出的光優(yōu)選的波長范圍如下主發(fā)光峰波長通常為350nm以上，優(yōu)選為380nm以上，更優(yōu)選為390nm以上，且通常為500nm以下，優(yōu)選為480nm以下，更優(yōu)選為470nm以下。這是因為，如果低于該范圍的下限，則使用液晶光閥作為光閥(20)的情況下，存在光源(16)發(fā)出的光破壞液晶物質本身的可能性。另一方面，如果超出上述的范圍的上限，則有可能熒光體的發(fā)光效率變低而引起像素輝度的降低，色再現(xiàn)范圍變窄，因此不是優(yōu)選的。此外，由于光源(16)發(fā)出的激發(fā)光的波長通常位于可見光區(qū)域，所以可以將光源(16)發(fā)出的光直接用于圖像的顯示。這種情況下，用光閥(20)調整光源(16)發(fā)出的光的光量，由此使利用了該光源(16)發(fā)出的光的像素的輝度得到調整。例如，在光源(16)發(fā)出波長450nm470nm的藍色光的情況下，可以將該藍色光直接用作顯示裝置(15)的像素發(fā)出的光。其中，在這種情況下，由于無需使用熒光體進行波長轉換，所以可以不存在對應該藍色像素的熒光體部。作為光源的例子，可以舉出LED、熒光燈、端面發(fā)光型或面發(fā)光型LD、電致發(fā)光元件等。其中，通常優(yōu)選LED、熒光燈。進而，對于熒光燈，雖然可以使用以往使用的冷陰極管、熱陰極管，但是使用白色光時在藍、綠、紅色的發(fā)光區(qū)域會混入其他顏色，所以優(yōu)選使用濾色器等，從白色光中僅取出近紫外區(qū)域的光。其中特別優(yōu)選的是使用僅涂布有近紫外熒光體的熒光燈，使用該熒光燈時，在降低耗電量方面是有效果的。作為熒光燈中使用的熒光體，例如可以舉出SrMgP207:Eu(發(fā)光波長394nm)、Sr3(P04)2:Eu(發(fā)光波長408nm)、(Sr，Ba)Al2Si208:Eu(發(fā)光波長400nm)、Y2Si2(37:Ce(發(fā)光波長385nm)、ZnGa204丄i，Ti(發(fā)光波長380nm)、YTa04:Nb(發(fā)光波長400nm)、CaW04(發(fā)光波長410nm)、BaFX:Eu(X為鹵素，發(fā)光波長380nm)、(Sr,Ca)02B203:Eu(發(fā)光波長380nm450nm)、SrA1^0M:Eu(發(fā)光波長400nm)和Y2SiOs:Ce(發(fā)光波長400nm)等。此外，這些熒光體可以單獨使用一種，也可以以任意組合和比例同時使用兩種以上。另一方面，作為LED，最近由于可以得到高輝度的近紫外發(fā)光無機半導體LED，所以也可以使用應用了這些光源的背光光源。特別是近紫外發(fā)光無機半導體LED能夠選擇性發(fā)射出本發(fā)明優(yōu)選的波長區(qū)域的光，因此優(yōu)選使用近紫外發(fā)光無機半導體LED。例如，優(yōu)選以InGaN為發(fā)光層的公知的單一或多重量子阱結構的藍色LED、以AlInGaN、GaN或AlGaN為發(fā)光層的公知的單一或多重量子阱結構的近紫外LED。另夕卜，由光源(16)發(fā)出的光除了直接射入熒光體部(17R)、(17G)、(17B)之外，還可以使用導光板、光擴散板將其轉換為面狀發(fā)光后射入熒光體部(17R)、(17G)、(17B)，另外，也可以設置反射板，使其反射一次后射入熒光體部(17R)、(17G)、(17B)。此外，當框架(18)使用具有高反射率的物質，光源(16)的背面(與光閥(20)相反一側)設置反射板時，能夠提高由光源(16)發(fā)出的光的利用效率。將光源(16)發(fā)出的光轉換成面狀發(fā)光的轉換機構是任意的，例如可以使用石英板、玻璃板、亞克力板等導光板；Al片、各種金屬蒸鍍膜等反射機構；使用了Ti02系化合物的圖樣(pattem)、光擴散片、光擴散棱鏡等光擴散機構，這些轉換機構可以單獨使用，優(yōu)選多個組合后使用。特別是使用導光板、反射板、擴散板等對光源(16)進行面發(fā)光體化而將光轉換成面狀光的轉換機構可以很好地用于本實施方式。另外，例如液晶顯示裝置用途等使用的轉換機構也可以很好地用于本實施方式。另外，將光源(16)設置于框架(18)時，對其設置方法沒有限制，可以采用公知的任意方法。因此，如上所述，例如可以使用焊料等將光源(16)設置在框架(18)上。本實施方式中，使用進行面狀發(fā)光的面發(fā)光體作為光源(16)。并且，使用相互連接電路或引線等，將框架(18)上的端子與光源(16)的電極電連接，由此進行向光源(16)的供電。[起偏振器]優(yōu)選在光源(16)的前方(圖中右偵lj)詳細地說是在光源(16)和光閥(20)之間設置起偏振器(19)。設置起偏振器(19)是為了僅選擇由光源(16)發(fā)出的光之中的規(guī)定方向的光。本實施方式中，將起偏振器(19)設置在光源(16)與光閥(20)之間。[光闊]本實施方式中，光閥(20)使照射來的光透過，并同時調整光量。詳細地說，其是使照射到背面的光透過的部件，在使光向前方透過時，其對應顯示的圖像，按每個像素調整光量。本實施方式的情況下，光閥(20)對應各像素中的每一個像素調整由光源(16)向熒光體部(17R)、(17G)、(17B)發(fā)射的光的光量，使其向前方透射。此外，光源(16)發(fā)出的光直接用作像素的光的情況下，也構成為對光源(16)發(fā)出的光的光量進行調節(jié)并使其向前方透射。詳細地說，在作為多色或全色顯示器構成顯示裝置(15)的情況下，將上述熒光體配置在兩種以上作為光波長轉換機構獨立確定的區(qū)域(即熒光體部(17R)、(17G)、(17B))。本實施方式中，分別用光閥(20)調整向這些熒光體部(17R)、(17G)、(17B)照射的激發(fā)光的光量，以調整熒光體部(17R)、(17G)、(17B)發(fā)出的光的光量，由此能夠在顯示裝置(15)以多色發(fā)光顯示所期望的圖像。并且，利用某些種類的光閥(20)，可以僅對特定的波長范圍的光進行光量的調節(jié)。因此，作為光閥(20)，使用能夠在光源(16)發(fā)出的光的波長范圍調整光的光量、進行光切換的光閥。此外，在顯示裝置(15)的某些構成下，光閥(2)不是對來自光源(16)的光進行調節(jié)而是對熒光體部(17R)、(17G)、(17B)發(fā)出的光進行光量調節(jié)，這種情況下，使用在熒光體部(17R)、(17G)、(17B)發(fā)出的光波長范圍調整光的光量，能夠進行光切換的光閥。通常，光源(16)發(fā)出的光、熒光體部(17R)、(17G)、(17B)發(fā)出的光的中心波長通常為350nm以上，且通常為780nm以下，優(yōu)選為420nm以下，所以優(yōu)選光閥(20)能夠調整該波段的光的光量。并且，光閥(20)的機構通常由多個像素(pixel)的集合體構成。但是，根據畫面尺寸、顯示方式、用途等，像素的數量和尺寸以及排列方式有變化，并不特別限制在一定的值。所以，對光閥(20)的像素的尺寸沒有限制，只要不明顯損害本發(fā)明的效果，其是任意的。例如，通常的顯示器用途中，一個像素的尺寸優(yōu)選為500^im見方以下。作為更優(yōu)選的像素尺寸，以現(xiàn)在實用化的液晶顯示器的值來說，像素數為640x3x480、單色一個像素尺寸為100lamx300iam左右。另外，對于光闊(20)本身的數量、尺寸也沒有限制，只要不明顯損害本發(fā)明的效果，其是任意的。例如，厚度通常為5cm以下的光閥(20)是有用的，從薄型化和輕量化考慮，優(yōu)選為lcm以下。并且，將顯示裝置(15)制成平面型顯示裝置的情況下，為了能夠進行灰度顯示，優(yōu)選使用通過電控制使像素的光透過率變化為任意的值的光閥(20)。光透過率的絕對值、其變化的對比度和速度響應性越高越是優(yōu)選的。作為滿足這些條件的光閥(20)的例子，可以舉出TFT(薄膜晶體管，ThinFilmTransistor)、STN(超扭曲向列型液晶，SuperTwistedNematicliquidcrystal)、強介電、反強介電、使用了二色性色素的賓主型、聚合物分散型的PDN(聚合物分散網絡，PolymerDispersedNetwork)方式等透射型液晶光閥；以氧化鎢、氧化銥、普魯士藍、紫精衍生物、TTF-聚苯乙烯、稀土金屬-二酞菁絡合物、聚噻吩、聚苯胺等為代表的電致變色光閥、化學變色光閥等。其中，液晶光閥具有薄型、輕量、消耗電功率低的特征，具有實用的耐久性，并且能夠實現(xiàn)區(qū)域(segment)高密度化，因此優(yōu)選使用液晶光閥。其中特別優(yōu)選的是使用TFT有源矩陣驅動、PDN方式的液晶光閥。其原因如下對于使用扭曲向列液晶的有源矩陣，其原因在于對應動畫的高速響應性和不會發(fā)生串擾，對于PDN方式，由于不需要起偏振器(21)，所以來自光源(16)和熒光體部(17R)、(17G)、(17B)的光的衰減少，能夠發(fā)出高輝度的光。并且，顯示裝置(15)中，通常設置控制光閥(20)的控制部(省略圖示)，其對應顯示裝置(15)顯示的圖像，依每個像素進行光量調節(jié)。光閥(20)對應該控制部的控制來調節(jié)從各像素發(fā)出的可見光的光量，由此，通過顯示裝置(15)顯示所期望的圖像。禾擁光閥(20)調整像素的輝度，由此，顯示裝置(15)中，能夠使控制部的控制電路更簡單。例如，使用LED作為光源(16)，通過控制該LED的發(fā)光強度等進行像素的輝度調整，該情況下，由于LED的電流-輝度特性隨時間變化，所以有時控制所顯示的像的控制電路變得復雜。與此相對，像本實施方式那樣設置對光源(16)發(fā)出的光的光量進行調節(jié)的光閥(20)部分，通過光閥(20)調整像素的輝度的話，則因為液晶光閥等光閥大多是電壓控制的，所以能夠用簡單的控制電路調整輝度。本實施方式中，使用背面電極(20-l)、液晶層(20-2)以及前面電極(20-3)以上述順序疊置形成的液晶光閥作為光閥(20)，光閥(20)設置在起偏振器(19)的前方(圖中右方)。此外，背面電極(20-l)和前面電極(20-3)由不吸收顯示裝置(15)使用的光的透明電極構成。這樣，該液晶光閥中，通過對背面電極(20-l)和前面電極(20-3)施加的電壓來控制液晶層(20-2)內的液晶分子的排列，通過該分子排列，對應各像素中的每一個(即，分別為熒光體部(17R)、(17G)、(17B))調節(jié)照射到背面?zhèn)鹊母鞴獾墓饬俊檢偏振器]在光閥(20)的前方通常設置檢偏振器(21)，用于接受從光閥(20)透過并被調整了光量的光。檢偏振器(21)是用于選擇從光閥(20)通過后的光中僅具有特定的偏振光面的光。本實施方式中，在光閥(20)的前方、詳細地說是光閥(20)與熒光體部(17R)、(17G)、(17B)之間設置有檢偏振器(21)。[熒光體部]熒光體部(17R)、(17G)、(17B)是含有吸收光源(16)發(fā)出的激發(fā)光并發(fā)出用于形成顯示裝置(15)顯示的圖像的可見光的熒光體的部分。并且，通常對應像素來一個一個設置熒光體部(17R)、(17G)、(17B)，以產生成為顯示裝置(15)的像素發(fā)出的光的光。所以，本實施方式中，觀察者看到該熒光體部(17R)、(17G)、(17B)發(fā)出的熒光而認清圖像。作為上述熒光體部中使用的熒光體，至少綠色熒光體使用本發(fā)明的熒光體，并且，只要不明顯損害本發(fā)明的效果，還可以使用任意的熒光體。作為這些熒光體的具體例，可以舉出作為上述的第1熒光體和第2熒光體舉出的例子等。另外，該熒光體可以使用一種或將兩種以上的熒光體混合使用。熒光體的發(fā)光色對應其用途有適當的顏色，所以不特別限定，例如制作全色顯示器的情況下，優(yōu)選使用色純度高的藍、綠、紅色發(fā)光體。其適當的色彩的表現(xiàn)方法存在幾個方法，簡單的就是使用發(fā)光的中心波長、C正色度坐標等。另外，光波長轉換機構是單色顯示或多色顯示時，優(yōu)選含有顯色為紫、藍紫、黃綠、黃色、橙色的熒光體。另外，還可以將這些熒光體中的2種以上混合，進行色純度高的發(fā)光，或進行中間色、白色的發(fā)光。并且，該熒光體部(17R)、(17G)、(17B)中通常使用粘合劑，以保護熒光體不受來自外部環(huán)境的外力、水分等的影響。作為該粘合劑，只要是這一用途中通常使用的粘合劑，則沒有特別限定，本發(fā)明中使用的是作為上述的液體介質記載的那樣的無色透明的材料。并且，只要不明顯損害本發(fā)明的效果，熒光體部(17R)、(17G)、(17B)中，粘合劑在熒光體部(17R)、(17G)、(17B)內所占的比例是任意的，相對于熒光體為100重量份，粘合劑通常為5重量份以上，優(yōu)選為10重量份以上，且通常為95重量份以下，優(yōu)選為90重量份以下。低于該范圍的下限時，存在熒光體部(17R)、(17G)、(17B)變脆的可能性，超過上限時，存在發(fā)光強度降低的可能性。并且，還可在熒光體部(17R)、(17G)、(17B)中含有粘合劑和熒光體以外的添加劑。作為添加劑，例如可以含有用于進一步增加可視角的擴散劑。作為具體的擴散劑，可以舉出鈦酸鋇、二氧化鈦、氧化鋁、氧化硅等。另外，作為添加劑，例如為了截止所需以外的波長，可以含有有機或無機的著色染料、著色顏料。此外，這些添加劑均可以單獨使用一種，也可以以任意組合和比例同時使用兩種以上。另外，熒光體部(17R)、(17G)、(17B)可以釆用公知的任意方法進行制作。例如，對于熒光體部(17R)、(17G)、(17B)來說，可以通過絲網印刷法將由粘合劑、熒光體和溶劑組成的混合物(涂布液)在透明基板(17-1)上以與光閥(20)的像素對應的間隔形成為鑲嵌狀、陣列狀或者條紋狀。并且，為了吸收外部光，在各熒光體部(17R)、(17G)、(1TB)之間可以形成黑底層(17-2)。黑底層(17-2)既可以在玻璃等透明基板(17-1)上通過利用感光性樹脂的感光原理制造由炭黑構成的光吸收膜的工序形成，也可以在玻璃等透明基板(17-1)上通過絲網印刷法層積由樹脂、炭黑和溶劑組成的混合物來形成。并且，熒光體部(17R)、(17G)、(17B)的形狀是任意的。例如，將顯示裝置(15)制成多色顯示的情況下，在熒光體部(17R)、(17G)、(17B)等發(fā)光區(qū)域，結合光閥機構的像素形狀來配置發(fā)出規(guī)定顏色的光的熒光體，作為該熒光體部(17R)、(17G)、(17B)的形狀，可以舉出信息顯示所必須的片段形狀、矩陣形狀，矩陣形狀中，作為優(yōu)選的形態(tài)，可以舉出條紋結構、S結構等。另外，單色顯示的情況下，除了上述形狀之外，還可以均勻地涂布熒光體。另外，熒光體部(17R)、(17G)、(17B)的尺寸也是任意的。例如，只要不明顯損害本發(fā)明的效果，其厚度是任意的，但通常優(yōu)選設定在lcm以下使用。另外，對于要求薄型、輕量化的平板顯示器，更優(yōu)選設定為2mm以下的厚度。特別是考慮到與發(fā)光光線的出射率的平衡時，熒光體部(17R)、(17G)、(17B)的厚度通常為lpm以上，優(yōu)選為5pm以上，更優(yōu)選為lO(am以上，且通常為1000pm以下，優(yōu)選為500拜以下，更優(yōu)選為200fim以下。另夕卜，如上所述，由光源(16)發(fā)出藍色光等可見光時，由該光源(16)發(fā)出的可見光可以用作像素發(fā)出的光。這種情況下，無需發(fā)出與該可見光對應的光同色的熒光的熒光體部。例如，使用藍色發(fā)光LED作為光源(16)的情況下，不需要含有藍色熒光體的熒光體部。因此，如果設定成該光源(16)發(fā)出的可見光經光閥調整光量后發(fā)射到顯示裝置(15)的外部，則不必所有的像素均使用熒光體。但是，即使在這種情況下，為了更有效地將光源(16)發(fā)出的可見光輻射或散射到外部，或者截止所需波長以外的波長的光，優(yōu)選使光源(16)發(fā)出的可見光透過在粘合劑中含有添加劑的光透過部。上述那樣的圖像顯示裝置在使用時從光源(16)以規(guī)定的強度發(fā)光。光源(16)發(fā)出的光在起偏振器(19)作用下使偏振光面一致后，射入光閥(20)。光閥(20)根據控制部(省略圖示)的控制，對應要顯示的圖像，按每個像素調節(jié)從背面?zhèn)壬淙氲墓獾墓饬坎⑹蛊渫干涞角胺?。具體地說，通過控制施加在透明電極(20-l)和(20-3)上的電壓，調整與各像素對應的部位的液晶的取向性，由此，一邊調整對應每個像素透過何種強度的光，一邊使背面接受到的光透射到前方。通過光閥(20)的光經檢偏振器(21)，分別入射到對應的熒光體部(17R)、(17G)、(17B)。在熒光體部(17R)，分散在熒光體部(17R)內的紅色熒光體吸收入射光，發(fā)出紅色的熒光。另外，在熒光體部(17G)，分散在熒光體部(17G)內的綠色熒光體吸收入射光，發(fā)出綠色的熒光。另外，在熒光體部(17B)，分散在熒光體部(17G)內的藍色熒光體吸收入射光，發(fā)出藍色的熒光。此時，對應要形成的圖像，由光閥(20)—個像素一個像素地調節(jié)入射光的光量，所以各熒光體部(17R)、(17G)、(17B)發(fā)出的熒光(可見光)的光量也被針對每個像素進行了調整，形成所期望的圖像。如此生成的紅色、綠色和藍色的熒光經透明基板(17-1)發(fā)射到顯示裝置(15)的外部(圖中右側)。觀察者看到從該透明基板(17-1)的表面發(fā)出的光而認清圖像。通過如上構成，圖像顯示裝置(15)能夠抑制熒光體部(17R)、(17G)、(17B)所含有的粘合劑的光老化著色。因此，能夠防止圖像顯示裝置(15)顯示的圖像的色彩、輝度隨時間發(fā)生劣化。另外，根據上述顯示裝置，由于能夠減少熒光體部(17R)、(17G)、(17B)內的水分量，所以能夠抑制熒光體部(17R)、(17G)、(17B)內熒光體的老化。并且，根據上述圖像顯示裝置(15)，與使用液晶光閥的顯示裝置不同，能夠防止像素輝度因可視角而降低或者色彩因可視角而發(fā)生變化。圖5用于對本發(fā)明的圖像顯示裝置的另一個實施方式進行說明，其是示意性表示圖像顯示裝置的要部的分解截面圖。此外，對于圖5所示的顯示裝置，觀察者從圖中右側可以看到顯示裝置顯示的圖像。另外，圖5中，使用與圖4中相同的符號表示的部位表示與圖4中相同的部位。圖中的圖像顯示裝置(15，)與圖像顯示裝置(15)類似，但熒光體部存在于光源(16)和起偏振器(19)之間。本圖像顯示裝置中的各構成部件可以舉出與上述的顯示裝置(15)相同的各構成部件。并且，優(yōu)選光閥(20)的像素間設置有黑底層(省略圖示)。黑底層具有將像素間的間隙黑化以容易看見圖像的作用。作為黑底層的材質，可以舉出例如鉻、碳、或者分散有碳或其他黑色物質的樹脂，但并不限于此。本實施方式中，為了使觀察者看到透過光閥(20)的光，在光閥設置這樣的黑底層。并且，本實施方式的顯示裝置(15')中，如上所述那樣改變了構成部件的配置順序，所以光閥(20)針對各像素中每一個像素調整熒光體部(17R)、(17G)、(17B)發(fā)出的光的光量，并使經調節(jié)后的光透射到前方。即，使光源(16)發(fā)出的光射入熒光體部(17R)、(17G)、(17B),從而使熒光體部(17R)、(17G)、(17B)內的熒光體發(fā)光，光閥(20)針對每個像素調整該熒光體部(17R)、(17G)、(17B)內的熒光體發(fā)出的光的光量并使其透射到前方，利用經光閥(20)調整了光量的光，能夠在顯示裝置(15')以多色發(fā)光的形式顯示所期望的圖像。因此，作為光閥(20)，圖像顯示裝置15中，使用能夠在光源(16)發(fā)出的光的波長范圍調整光的光量的光閥，而本實施方式的顯示裝置(15')中，使用能夠在熒光體部(17R)、(17G)、(17B)發(fā)出的光的波長范圍調整光的光量的光閥。詳細地說，本實施方式的光閥(20)中，通過施加在背面電極(20-l)和前面電極(20-3)上的電壓來控制液晶層(20-2)內的液晶的分子排列，通過該分子排列，對應各像素中的每一個像素調整照射到背面?zhèn)鹊母鞴獾墓饬?。通過光閥(20)后的光被照射到檢偏振器(21)。此時，通過光閥(20)針對每個像素調整了熒光體部(17R)、(17G)、(17B)發(fā)出的熒光的光量，所以照射到檢偏振器(21)的熒光形成了所期望的圖像。于是，觀察者看到從該檢偏振器(21)的表面發(fā)出的光，從而認清圖像。另外，由于如上所述那樣進行構成，所以圖像顯示裝置(15')能夠抑制熒光體部(17R)、(17G)、(17B)所含有的粘合劑的光老化著色。因此，能夠防止圖像顯示裝置(15，)顯示的圖像的色彩、輝度隨時間發(fā)生劣化。并且，根據圖像顯示裝置(15')，由于能夠使熒光體部(17R)、(17G)、(17B)內的水分量比以往少，所以能夠抑制熒光體部(17R)、(17G)、(17B)內熒光體的老化。另外，根據圖像顯示裝置(15')，與現(xiàn)有的使用液晶光閥的顯示裝置不同，能夠排除熒光體部(17R)、(17G)、(17B)內的熒光體的殘光特性的影響。熒光體有時在停止光的照射后仍在規(guī)定的時間發(fā)出熒光，這種在光照射停止后發(fā)出熒光的時間稱作殘光特性。殘光特性因熒光體而有所不同，所以，以往存在在顯示裝置顯示的圖像中某特定的色彩被強調的趨勢，這種趨勢成為了成本高、控制復雜化的一個原因。但是，通過采取圖像顯示裝置(15，)那樣的構成，能夠排除上述的殘光特性的影響，能夠防止圖像的特定的色彩被強調。另外，與圖像顯示裝置(15)相同，其還能使控制部的控制電路變得更簡單。本發(fā)明的圖像顯示裝置并不限于上述圖像顯示裝置的實施方式，對于各構成可任意地變化。例如，上述的實施方式中說明的是使用紅色、綠色和藍色這3種光來顯示圖像的情況，但是也可以使用上述的紅色、綠色和藍色以外的光進行圖像顯示，還可以使用2種或4種以上的光進行圖像顯示。并且，還可以例如一部分像素直接使用光源(16)發(fā)出的光作為像素的光。另外，除了透過熒光體部(17R)、(17G)、(17B)之外，還可以采用光源(16)發(fā)出的光在熒光體部(17R)、(17G)、(17B)反射的反射型的構成。具體地說，例如，圖像顯示裝置(15)中，可以將光源(16)設置在熒光體部(17R)、(17G)、(17B)的前方。并且，除了設置光閥(20)之外，還可以一個像素設置一個光源(16)，通過調整供給到各光源(16)的電流量來針對每個像素控制光源(16)發(fā)出的光的強度，從而調整像素的輝度。另外，在不脫離本發(fā)明的要點的范圍，上述的光源(16)、熒光體部(17R)、(17G)、(17B)、框架(18)、起偏振器(19)、光閥(20)、檢偏振器(21)等部件可以任意組合使用。并且，本發(fā)明的圖像顯示裝置中還可以組合使用其他構成部件。例如可以如日本特開2005-884506號公報的第0039段落以下的記載那樣采用保護膜。另外，除了上述部件之外，還可以追加或層積形成防反射層、取向膜、位相差膜、輝度提高膜、反射膜、半透過反射膜、光擴散膜等具有各種功能的膜。具有這些光學功能的膜可以通過例如下述的方法形成。具有作為位相差膜的功能的層可通過實施例如日本特許第2841377號公報、日本特許第3094113號公報等記載的拉伸處理或者通過實施日本特許第3168850號公報等所記載的處理來形成。并且，具有作為輝度提高膜的功能的層可通過例如以日本特開2002-169025號公報、日本特開2003-29030號公報所記載的那樣的方法形成微細孔或者通過將選擇性反射的中心波長不同的2層以上的膽甾型液晶層進行重疊來形成。另外，具有作為反射膜或半透過反射膜的功能的層例如可以使用以蒸鍍、濺射等得到的金屬薄膜來形成。并且，具有作為擴散膜的功能的層可通過在上述的保護膜上涂布含有微粒的樹脂溶液來形成。另外，具有作為位相差膜、光學補償膜的功能的層可以通過涂布盤狀(于"<》zt于J'77)液晶性化合物、向列液晶性化合物等液晶性化合物并使其取向來形成。本發(fā)明的復合氧氮化物如通式[II]所示。BayM2，z'LuOv'Nw,[II](通式[II]中，M2，表示選自Sr、Ca、Mg、Zn、Cr、Mn、Fe、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一種金屬元素，L表示選自屬于元素周期表第4族或第14族的金屬元素中的金屬元素，y，、z，、u，、v，和w'分別是下述范圍的數值。2.6^y，+z，當39<v，<150<w，<4)本發(fā)明的復合氧氮化物是一種新化合物，屬于本發(fā)明的熒光體的母體結晶。上述通式[II]中，M2，表示選自Sr、Ca、Mg、Zn、Cr、Mn、Fe、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb禾卩Lu中的至少一種金屬元素。其中，優(yōu)選與通式[I]中說明的M1和M2相同的元素。上述通式[II]中，L與通式[I]說明的相同。上述通式[II]中，y，通常為0以上，優(yōu)選為1以上，更優(yōu)選為1.5以上，且通常是3以下的數值。上述通式[II]中，y，+z，通常為2.6以上，優(yōu)選為2.7以上，更優(yōu)選為2.8以上，且通常為3以下的數值。上述通式[II]中，u，通常為5以上，優(yōu)選為5.2以上，更優(yōu)選為5.5以上，且通常為7以下，優(yōu)選為6.8以下，更優(yōu)選為6.5以下的數值。上述通式[II]中，v，通常大于9，優(yōu)選為10以上，更優(yōu)選為11以上，且通常小于15，優(yōu)選為14以下，更優(yōu)選為13以下的數值。上述通式[II]中，w，通常大于0，優(yōu)選為1以上，更優(yōu)選為1.5以上，且通常小于4，優(yōu)選為3以下，更優(yōu)選為2.5以下的數值。作為本發(fā)明的復合氧氮化物，優(yōu)選的具體例有(Sr，Ca，Mg,Ba，Zn,Cr，Mn，F(xiàn)e,Ce,Pr，Nd，Sm，Eu,Gd，Tb,Dy，Ho,Er，Tm，Yb)3(Si,Ge)6012N2、(Sr，Ca，Mg,Ba，Zn,Cr,Mn,Fe，Ce，Pr,Nd，Sm,Eu，Gd,Tb，Dy，Ho，Er，Tm，Yb)3(Si,Ge)609N4、(Sr，Ca，Mg，Ba，Zn，Cr，Mn,Fe，Ce，Pr,Nd,Sm，Eu，Gd，Tb，Dy，Ho,Er,Tm，Yb)3(Si，Ge)603N8、(Sr，Ca，Mg,Ba，Zn，Cr,Mn，F(xiàn)e,Ce，Pr,Nd,Sm，Eu，Gd，Tb，Dy,Ho，Er，Tm,Yb)3(Si,Ge)7012N8/3、(Sr,Ca,Mg，Ba,Zn,Cr,Mn,Fe,Ce,Pr，Nd，Sm,Eu,Gd，Tb，Dy，Ho，Er，Tm，Yb)3(Si，Ge)8012N14/3、(Sr,Ca，Mg,Ba，Zn，Cr，Mn，F(xiàn)e，Ce，Pr，Nd,Sm，Eu,Gd,Tb,Dy，Ho，Er,Tm,Yb)3(Si,Ge)8012N6、(Sr,Ca，Mg，Ba，Zn,Cr，Mn，F(xiàn)e，Ce,Pr,Nd，Sm，Eu，Gd，Tb,Dy,Ho,Er，Tm，Yb)3(Si,Ge)28/3012N22/3、(Sr，Ca,Mg，Ba，Zn,Cr,Mn，F(xiàn)e，Ce,Pr,Nd，Sm,Eu，Gd，Tb，Dy，Ho，Er，Tm，Yb)3(Si,Ge)29/3012N26/3、(Sr,Ca，Mg,Ba,Zn，Cr，Mn,Fe,Ce，Pr，Nd，Sm，Eu,Gd，Tb,Dy，Ho,Er，Tm,Yb)3(Si,Ge)6.5013N2、(Sr，Ca,Mg,Ba，Zn，Cr,Mn，F(xiàn)e，Ce，Pr,Nd,Sm,Eu，Gd,Tb,Dy,Ho，Er，Tm,Yb)3(Si,Ge)7014N2、(Sr，Ca，Mg,Ba,Zn，Cr，Mn,Fe，Ce，Pr，Nd，Sm,Eu，Gd,Tb,Dy,Ho，Er,Tm，Yb)3(Si,Ge)8016N2、(Sr，Ca，Mg,Ba，Zn，Cr,Mn，F(xiàn)e，Ce，Pr，Nd，Sm，Eu，Gd,Tb，Dy，Ho,Er，Tm，Yb)3(Si，Ge)9018N2、(Sr,Ca，Mg，Ba,Zn，Cr，Mn，F(xiàn)e，Ce,Pr，Nd,Sm,Eu，Gd，Tb，Dy,Ho，Er,Tm，Yb)3(Si,Ge)10O20N2或(Sr,Ca,Mg，Ba，Zn，Cr,Mn，F(xiàn)e,Ce，Pr，Nd，Sm，Eu，Gd,Tb,Dy，Ho,Er,Tm,Yb)3(Si,Ge)022N2等。作為更優(yōu)選的具體例，可以舉出Ba3(Si，Ge)6C^N2、Ba3(Si,Ge)609N4、Ba3(Si,Ge)603N8、Ba3(Si,Ge)7012N8/3、Ba3(Si，Ge)8012N14/3、Ba3(Si,Ge)8012N6、Ba3(Si,Ge)28/3012N22/3、Ba3(Si,Ge)29/30I2N26/3、Ba3(Si,Ge)6.5013N2、Ba(Si，Ge》014N2、Ba3(Si，Ge)8016N2、Ba3(Si，Ge)9018N2、Ba3(Si,Ge)10O20N2、Ba3(Si，Ge)u022N2、(Ba,Ca)3Si6012N2、(Ba，Ca)33Si609N4、(Ba，Ca)33Si603N8、(Ba，Ca)3Si7012N8/3、(Ba,Ca)3Si8012N14/3、(Ba，Ca)3Si8012N6、(Ba，Ca)3Si28/3012N22/3、(Ba，Ca)3Si29/3012N26/3、(Ba,Ca)3Si65013N2、(Ba，Ca)3Si7014N2、(Ba，Ca)3Si8016N2、(Ba,Ca)3Si9018N2、(Ba,Ca)3Si10O20N2、(Ba'Ca^SinC^N^(Ba，Sr)3Si6012N2、(Ba,Sr)3Si609N4、(Ba，Sr)3Si603N8、(Ba,Sr)3Si7012N8/3、(Ba，Sr)3Si8012Nl4/3、(Ba,Sr;)3Si8012N6、(Ba,Sr)3Si28/3012N22/3、(Ba,Sr)3Si29/3012N26/3、(Ba，Sr)3Si6.5013N2、(Ba,Sr)3Si7014N2、(Ba,Sr)3Si8016N2、(Ba，Sr)3Si9018N2、(Ba,Sr)3Si10O20N2、(Ba,Sr)3Si022N2、(Ba，Mn)3Si6012N2、(Ba,Mn)3Si609N4、(Ba,Mn)3Si603N8、(Ba,Mn)3Si7012N8/3、(Ba,Mn)3Si8012N14/3、(Ba，Mn)3Si8012N6、(Ba,Mn)3Si28/3Oi2N22/3、(Ba，Mn)3Si29/3012N26/3、(Ba,Mn)3Si6.5013N2、(Ba，Mn)3Si7Oi4N2、(Ba,Mn)3Si8016N2、(Ba,Mn)3Si9018N2、(Ba,Mn)3Si10O20N2、(Ba,Mn)3Siu022N2、(Ba,Pr)3Si6012N2、(Ba，Pr)3Si609N4、(Ba，Pr)3Si603N8、(Ba,Pr)3Si7012N8/3、(Ba，Pr)3Si8012N14/3、(Ba,Pr)3Si8012N6、(Ba,Pr)3Si28/3012N22/3、(Ba,Pr)3Si29/3012N26/3、(Ba,Pr)3Si65013N2、(Ba，Pr)3Si7014N2、(Ba，Pr)3Si8016N2、(Ba，Pr)3Si9018N2、(Ba，Pr)3Si10O20N2、(Ba'Pi^SinC^N"(Ba,Nd)3Si6012N2、(Ba，Nd)3Si609N4、(Ba，Nd)3Si603N8、(Ba，Nd)3Si7012N8/3、(Ba,Nd)3Si8012N14/3、(Ba,Nd)3Si8012N6、(Ba,Nd)3Si28/3012N22/3、(Ba,Nd)3Si29/3012N26/3、(Ba,Nd)3Si65013N2、(Ba，Nd)3Si7014N2、(Ba,Nd)3Si8016N2、(Ba，Nd)3Si9018N2、(Ba，Nd)3Si10O20N2、(Ba,Nd)3Siu022N2、(Ba，Sm)3Si6012N2、(Ba,Sm)3Si609N4、(Ba，Sm)3Si603N8、(Ba,Sm)3Si7012N8/3、(Ba，Sm)3Si8012N14/3、(Ba，Sm)3Si8012N6、(Ba，Sm)3Si28/3012N22/3、(Ba，Sm)3Si29/3012N26/3、(Ba,Sm)3Si6.5013N2、(Ba，Sm)3Si7014N2、(Ba，Sm)3Si8016N2、(Ba,Sm)3Si9018N2、(Ba，Sm)3Si10O20N2、(B^Sm^SiuO^N2、(Ba,Tb)3Si6012N2、(Ba,Tb)3Si609N4、(Ba,Tb)3Si603N8、(Ba,Tb)3Si7012N8/3、(Ba，Tb)3Sis012N14/3、(Ba，Tb)3Si8012N6、(Ba，Tb)3Si28/3012N22/3、(Ba，Tb)3Si29/3012N26/3、(Ba，Tb)3Si6.5013N2、(Ba，Tb)3Si7014N2、(Ba，Tb)3Si8016N2、(Ba，Tb)3Si9018N2、(Ba，Tb)3Si10O20N2、(Ba,Tb)3Siu022N2、(Ba，Dy)3Si6012N2、(Ba，Dy)3Si609N4、(Ba，Dy)3Si603N8、(Ba，Dy)3Si7012N8/3、(Ba,Dy)3Si8012N14/3、(Ba,Dy)3Si8012N6、(Ba，Dy)3Si28/3012N22/3、(Ba,Dy)3Si29/3012N26/3、(Ba,Dy)3Si65013N2、(Ba，Dy)3Si7014N2、(Ba,Dy)3Si8016N2、(Ba，Dy)3Si9018N2、(Ba，Dy)3Si10O20N2、(Ba，Dy)3Si"。22N2、(Ba，Ho)3Si6012N2、(Ba,Ho)3Si609N4、(Ba，Ho)3Si603N8、(Ba,Ho)3Si7012N8/3、(Ba,Ho)3Si8012N14/3、(Ba，Ho)3Si8012N6、(Ba,Ho)3Si28/3012N22/3、(Ba,Ho)3Si29/3012N26/3、(Ba，Ho)3Si6.5013N2、(Ba，Ho)3Si7014N2、(Ba,Ho)3Si8016N2、(Ba，Ho)3Si9018N2、(Ba,Ho)3Si10O20N2、(Ba'Ho^SiuC^N2、(Ba，Er)3Si6012N2、(Ba，Er)3Si609N4、(Ba，Er)3Si603N8、(Ba，Er)3Si7012N8/3、(Ba，Er)3Si8012N14/3、(Ba，Er)3Si8012N6、(Ba，Er)3Si28/3012N22/3、(Ba，Er)3Si29/3Ol2N26/3、(Ba,Er)3Si65013N2、(Ba,Er)3Si7014N2、(Ba，Er)3Si8016N2、(Ba,Er)3Si9018N2、(Ba，Er)3Si10O20N2、(Ba,Er)3Siu022N2、(Ba,Tm)3Si6012N2、(Ba,Tm)3Si609N4、(Ba,Tm)3Si603N8、(Ba，Tm)3Si7012N8/3、(Ba，Tm)3Si8012N14/3、(Ba,Tm)3Si8Oi2N6、(Ba,Tm)3Si28/3012N22/3、(Ba，Tm)3Si29/3012N26/3、(Ba,Tm)3Si6.5013N2、(Ba，Tm)3Si7014N2、(Ba，Tm)3Si8016N2、(Ba，Tm)3Si9018N2、(Ba，Tm)3Si10O20N2、(Ba，Tm)3Siu022N2、(Ba，Yb)3Si6012N2、(Ba,Yb)3Si609N4、(Ba,Yb)3Si603N8、(Ba，Yb)3Si7012N8/3、(Ba，Yb)3Si8012N14/3、(Ba，Yb)3Si8012N6、(Ba,Yb)3Si28/3012N22/3、(Ba，Yb)3Si29/3012N26/3、(Ba，Yb)3Si6.5013N2、(Ba,Yb)3Si7014N2、(Ba,Yb)3Si8016N2、(Ba,Yb)3Si9018N2、(Ba，Yb)3Si10O20N2或(Ba,Yb)3Si"。22N2，作為進一步優(yōu)選的具體例，可以舉出Ba3Si6012N2、Ba3Si609N4、Ba3Si603N8、Ba3Si7012N8/3、Ba3Si8012N14/3、Ba3Si8012N6、Ba3Si28/3012N22/3、Ba3Si29/3012N26/3、Ba3Si6.5013N2、Ba3Si7014N2、Ba3Si8016N2、Ba3Si9018N2、Ba3Si1()02。N2或Ba3Siu022N2等。另外，本發(fā)明的復合氧氮化物在其結晶結構方面優(yōu)選具有與[1-1.復合氧氮化物熒光體的組成和結晶結構]項說明的本發(fā)明的熒光體相同的特性。作為本發(fā)明的復合氧氮化物的制造方法，可以根據上述的[l-3.復合氧氮化物熒光體的制造方法]項記載的原料及其制造條件等進行制造。即，可以任意組合上述的原料以符合上述組成，并根據上述的制造方法進行制造。并且，此外還可以按目的組成來混合原料，采用對該混合物施加壓力進行成型這類的作為無機化合物的壓縮成型方法而公知的方法來進行制造。本發(fā)明的復合氧氮化物的用途是任意的，對其沒有限制。作為其用途的例子，可以舉出涂料、研磨劑、絕緣體、介電體、耐熱材這樣的普通陶瓷用途，此外，還可以用作熒光顏料、油漆、化妝品的材料。實施例下面通過實施例對本發(fā)明進行更具體地說明。但只要不超出本發(fā)明的要點，本發(fā)明并不限定于以下的實施例。[l.熒光體的測定評價方法]后述的各實施例和各比較例中，利用下述方法進行熒光體顆粒的各種評價。發(fā)光光譜使用熒光測定裝置(日本分光社制造)進行測定，所述熒光測定裝置具有150W氙燈作為激發(fā)光源，多通道CCD檢測器C7041(濱松光子學社制造)作為光譜測定裝置。將激發(fā)光源發(fā)出的光通過焦距10cm的衍射光柵分光器，僅使波長340nm、400nm或455nm的激發(fā)光通過光纖，照射到熒光體。受到激發(fā)光的照射而從熒光體發(fā)出的光經焦距25cm的衍射光柵分光器分光，在300nm800nm的波長范圍用光譜測定裝置測定各波長的發(fā)光強度，利用個人計算機，經靈敏度校正等信號處理得到發(fā)光光譜。此外，測定時，將受光側分光器的狹縫寬度設定為lnm。另外，發(fā)光峰波長和半峰寬從所得到的發(fā)光光譜讀取。發(fā)光峰強度以將化成Optonix社制造的LP-B4在波長365nm激發(fā)時的峰強度設為基準值100的相對值表示。優(yōu)選該相對發(fā)光峰強度高。根據發(fā)光光譜的380nm800nm(激發(fā)波長340nm的情況)、430nm800nm(激發(fā)波長400nm的情況)或480nm800nm(激發(fā)波長455nm的情況)的波長區(qū)域的數據，采用基于JISZ8724的方法，計算出JISZ8701規(guī)定的XYZ表色系中的色度坐標CIEx和CIEy。[激發(fā)光譜的測定方法]使用日立制作所生產的熒光分光光度計F-4500，監(jiān)視(monitor)波長525nm的綠色發(fā)光峰，得到250nm500nm波長范圍內的激發(fā)光譜。[溫度特性]使用下述裝置進行測定。所述裝置具有大塚電子生產的MCPD7000多通道光譜測定裝置作為發(fā)光光譜測定裝置、載物臺(其具有利用珀耳帖元件的冷卻機構和利用加熱器的加熱機構)以及作為光源的150W氙燈。在載物臺上放置裝有熒光體試樣的測定皿，將溫度從2(TC到175°C進行變化。g卩，在確認到熒光體的表面溫度恒定為20°C、25°C、50°C、75°C、100°C、125°C、150。C或175。C后，在各溫度，用從光源經衍射光柵分光得到的波長455nm的光激發(fā)熒光體，測定發(fā)光光譜。根據測定的發(fā)光光譜求出發(fā)光峰強度，以相對于2(TC的峰強度值設為100時的比例計算各溫度的該峰強度值。此外，對于熒光體的表面溫度的測定值，利用通過輻射溫度計和熱電偶得到的溫度測定值進行校正，使用校正后的值。[輝度維持率]使用增加了色彩輝度計BM5A作為輝度測定裝置的上述裝置進行測定。具體地說，以利用輝度測定裝置測定的輝度值相對于20。C的輝度值的相對值為輝度維持率。如下求出熒光體的吸收效率aq、內部量子效率iii以及外部量子效率效率tio。首先，將作為測定對象的熒光體試樣填充到測定皿中，并使表面足夠平滑以確保測定精度，然后安裝在積分球上。使用光纖從用于激發(fā)熒光體的發(fā)光光源(150W的Xe燈)將光導入該積分球。使用單色儀(衍射光柵分光器)等將來自上述的發(fā)光光源的光調整為發(fā)光峰波長為455nm的單色光。以該單色光作為激發(fā)光，向作為測定對象的熒光體試樣照射，用分光測定裝置(大塚電子株式會社制造的MCPD7000)測定熒光體試樣的發(fā)光(熒光)和反射光的光譜。積分球內的光使用光纖導入分光測定裝置。吸收效率aq是熒光體試樣吸收的激發(fā)光的光子數N^除以激發(fā)光的總光子數N得到的值。首先，后者的激發(fā)光的總光子數N與下述(式4)求得的數值成比例。因此，以對激發(fā)光具有幾乎100%的反射率R的反射板(Labsphere生產的"Spectralon")(對波長450nm的激發(fā)光具有98%的反射率R)作為測定對象，以與熒光體試樣相同的配置安裝于上述的積分球，照射激發(fā)光，用分光測定裝置進行測定，由此測定反射光譜Iref(X)，求出下述(式4)的值。(式4)此處，積分區(qū)間定為410nm480nm。熒光體試樣吸收的激發(fā)光的光子數N^與下述(式5)求得的量成比例。Ipi.4,(，;i—J"(，(式5)因此，求出安裝有熒光體試樣(其作為計算吸收效率(xq的對象)時的反射光譜I(X)。(式5)的積分范圍定為與(式4)確定的積分范圍相同。實際的光譜測定值通常以與^相關的某個有限的譜帶寬度分開的數字數據形式得到，所以(式4)和(式5)的積分通過基于該譜帶寬度的和來計算。根據以上內容，計算出吸收效率aq-N^/N氣式5)/(式4)。接著，如下求出內部量子效率Tli。內部量子效率i!i是源自熒光現(xiàn)象的光子數Npl除以熒光體試樣吸收的光子數Nabs得到的值。此處，Npl與下述(式6沐得的量成比例。因此，計算以下述(式6)求出的量。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage87</formula>(式6)積分區(qū)間定為481nm800nm。根據以上內容，計算^=(式6)/(式5)，求出內部量子效率Tii。此外，有關根據數字數據形式的光譜進行積分的內容，與計算吸收效率(xq的情況同樣地進行。然后，求出如上所述求出的吸收效率aq和內部量子效率Tii的積，以此求出外部量子效率"o。[重量中值徑]使用堀場制作所生產的激光器衍射/散射式粒徑分布測定裝置LA-300,以水作為分散介質進行測定。粉末X射線衍射用PANalytical生產的粉末X射線衍射裝置X'Pert進行精密測定。測定條件如下。使用CuKa管球X射線功率二40KV，30mA發(fā)散狹縫=自動可變(將對試樣的X射線照射寬度固定為10mm)檢測器二使用半導體陣列檢測器X，Celerator、使用Ni濾色器掃描范圍20=5155度讀取寬度=0.015度計數時間=99.7秒此外，對于測定數據，實施從可變發(fā)散狹縫到固定發(fā)散狹縫的轉換。粉末X射線衍射用PANalytical生產的粉末X射線衍射裝置X'Pert進行精密測定。測定條件如下。使用CuKa管球X射線功率二45KV，40mA發(fā)散狹縫=1/4°，X射線鏡檢測器=使用半導體陣列檢測器X'Celerator、使用Ni濾色器掃描范圍29=1065度讀取寬度=0.05度計數時間=33秒用電子天平以規(guī)定的組成比稱量BaC03(白辰化學研究所制造)、Si02((株)龍森社制造)、Si3N4(宇部興產(株)社制造)、Ell203(信越化學(株)社制造)。稱量后，將這些原料粉末全部加入瑪瑙自動研缽，添加乙醇，用濕式混合法混合至均勻。將如此得到的糊狀混合物干燥后，直接以粉末狀填充到氮化硼坩堝中，輕輕地對其施加負荷，進行模壓成型。將該氮化硼坩堝設置到電阻加熱式真空加壓氣氛熱處理爐(富士電波工業(yè)制造)內，在〈5xl0-Spa(即小于5xl(^Pa)的減壓下，以升溫速度20°C/min從室溫真空加熱到800'C。到達80(TC后，維持在該溫度，用30分鐘導入高純度氮氣(99.9995%)，直至壓力達到0.92MPa。導入后，在保持0.92MPa下，進一步以升溫速度20。C/min升溫到1200°C。在該溫度保持5分鐘，從熱電偶換成輻射溫度計，進一步以升溫速度2(TC/min加熱到1600°C。達到1600。C后，維持2小時，進一步以20。C/min加熱到1800°C，在該溫度維持2小時。燒制后，以降溫速度2(TC/min冷卻到1200°C，然后放冷。以下的制造例112中，使用該燒制工藝。具體的制造例和實施例如下所示。(制造例112)使用表1所示量的BaC03、Si02、Si3N4、Eu203，以使投料組成比為表2所示的組成比，進行混合-燒制。表l:原私t的使用量<table>complextableseeoriginaldocumentpage88</column></row><table>表2:投料組成比<table>tableseeoriginaldocumentpage89</column></row><table>得到的燒制物的X射線衍射圖案見圖6。制造例312的組成的燒制物檢測出了BSON相。其中，制造例4是最優(yōu)選的狀態(tài)。下述的實施例140中，M-Si-N-O的含有比例以制造例4的投料組成為基準進行制造。(實施例113、18和實施例3538)分別稱量BaC03、SrC03(白辰化學研究所制造)、CaC03(白辰化學研究所制造)、Si02、Si3N4、Eu203，以使投料組成是表3所示的組成比，以與制造例112相同的方法進行混合-燒制。g卩，實施例1中，使用2.52gBaC03、1.55gSi02、0.91gSi3N4、0.02gEu2O3。另外，實施例2中，使用2.29gBaC03、0.10gSrCO3、1.57gSi02、0.91gSi3N4、0.14gEu2O3。此外的實施例中根據各組成比，以上述加入量為基準，改變其配合比。得到的燒制物的X射線衍射圖案見圖7。實施例17和實施例812和實施例18中，檢測出BSON相是主相?？芍肅a取代40原子。/。以上的Ba的情況下，不能維持BSON相的結晶結構。并且可知，以Sr取代50原子％以上的Ba的情況下，同樣也不能維持BSON相的結晶結構。另外，對這些燒制物的熒光特性的評價結果見表3，波長400nm激發(fā)和波長455nm激發(fā)下的發(fā)光光譜圖分別見圖8圖11。由該結果可知，通過將Eu的投料組成從0.01增加到0.12，發(fā)光光譜的峰強度增大。另一方面，可知，對于Ca在超過40原子％時，對于Sr在超過50原子。/。時，熒光體的發(fā)光光譜的峰強度降低。表3:實施例1~13、18以及實施例3538的結果<table>tableseeoriginaldocumentpage90</column></row><table>(實施例4151)分別稱量BaC03、ZnO、Si02、Si3N4、Eu203，以使投料組成為表4所示的組成比。艮卩，實施例41中，使用2.75gBaC03、1.74gSi02、1.02gSi3N4、0.15gEu2O3，另夕卜，實施例42中，使用2.52gBaC03、O.llgZnO(三井金屬礦業(yè)社制造)、1.78gSi02、1.04gSi3N4、0.16gEu2O3。其他實施例中根據各組成比基于上述的加入量改變其配合比例。將這些原料粉末全部加入瑪瑙自動研缽，添加乙醇，用濕式混合法混合至均勻。將如此得到的糊狀混合物干燥后，分別填充到氧化鋁坩堝中，輕輕地施加負荷，對填充物進行模壓成型。將其置于帶有溫度調節(jié)器的電阻加熱式管狀電爐內，于大氣壓下、0.51/min的氮氣流中，以4.8°C/min的升溫速度加熱到1200°C，在該溫度保持4小時后，自然冷卻到室溫。所得到的試樣用氧化鋁研缽粉碎，經粉碎的試樣再次分別填充到氧化鋁坩堝中，輕輕地施加負荷，對填充物進行模壓成型。將該氧化鋁坩堝置于帶有溫度調節(jié)器的電阻加熱式管狀電爐內，于大氣壓下、0.51/min的氮氣流中，以4.8'C/min的升溫速度加熱到1300°C，在該溫度保持4小時，其后，自然冷卻到室溫。得到的燒制物的X射線衍射圖案見圖12。使Zn固熔取代到1050重量％后，得到了比僅Ba的BSON相更強的發(fā)光強度。但是，XRD圖案中，沒有明顯觀察到伴隨Zn的固溶取代的峰位移，因此，可以認為ZnO只是作為助熔劑，有助于提高BSON相的結晶性。另外，隨著Zn的添加量的增大，觀察到了Si02作為雜質相析出。此時，XRD圖案不能觀察到含有Zn的化合物的生成。因此，認為在該合成條件下，Zn以某種形式飛入到氮氣流中。另外，對這些燒制物進行的熒光特性的評價結果見表4，波長400nm激發(fā)和波長455nm激發(fā)下的發(fā)光光譜圖分別見圖13和圖14。實施例4149中，檢測出了BSON相。將Ba用Zn取代的情況下，置換90%以上時，不能維持上述的結晶結構。由該結果可知，Zn多于90%時，熒光體的發(fā)光光譜的峰強度減少。<table>tableseeoriginaldocumentpage92</column></row><table>(實施例5262)分別稱量BaC03、ZnO、Si02、Si3N4、Eu203，以使投料組成如表5所示的組成比。艮口，實施例52中，使用2.75gBaC03、1.74gSi02、1.02gSi3N4、0.15gEu2O3，另外，實施例53中，使用2.52gBaC03、O.llgZnO、1.78gSi02、1.04gSi3N4、0.16gEu203。其他實施例中根據各組成比基于上述的加入量改變其配合比例。另外，將氮氣改成氮96體積％+氫4體積％的混合氣體，除此以外，通過與上述實施例4151記載的相同的方法，進行混合-燒制。得到的燒制物的X射線衍射圖案見圖15。另外，對這些燒制物進行熒光特性的評價結果見表5，波長400nm激發(fā)和波長455nm激發(fā)下的發(fā)光光譜圖分別見圖16和圖17。實施例5260中，檢測到了BSON相?？芍瑢a用Zn取代了的情況下，置換90%以上時，不能維持上述的結晶結構。另外還可知，即使將燒制氣氛從N2氣氛下改為還原氣氛下(N2+H2)，Zn多于90%時，熒光體的發(fā)光光譜的峰強度也減少。表5:實施例5262的結果<table>tableseeoriginaldocumentpage94</column></row><table>(實施例6366)分別稱量BaC03、Si02、Ge02、Si3N4、Eu203，以使投料組成如表6所示的組成比。艮口，實施例63中，使用3.85gBaC03、2.44gSi02、1.43gSi3N4、0.21gEu2O3，另外，實施例64中，使用3.80gBaC03、2.29gSi02、0.21gGe02(FuruuchiChemicalCorporation制造)、1.41gSi3N4、0.21gEu203。其他實施例中根據各組成比基于上述的加入量改變其配合比例。以與上述實施例4151相同的方法進行混合-燒制。得到的燒制物的X射線衍射圖案見圖18。另外，對這些燒制物進行熒光特性的評價結果見表6，波長400nm激發(fā)和波長455nm激發(fā)下的發(fā)光光譜圖分別見圖19和圖20。由于XRD的峰形狀稍有變化，所以認為Ge少量地固熔取代在BSON相中。但是，Ge的取代量為3原子％以上時，明顯觀察到了發(fā)光強度的降低。據認為，其原因是在氮氣流中的燒制中Ge02發(fā)生了黑色化。表6:實施例6366的結果<table>tableseeoriginaldocumentpage96</column></row><table>(實施例1425和實施例39、40)分別稱量BaC03、Si02、Si3N4、Eu203，以使投料組成如表7所示的組成比。艮口，實施例14中，使用2.53gBaC03、1.55gSi02、0.91gSi3N4、0.01gEu2O3，另外，實施例15中，使用2.52gBaC03、1.55gSi02、0.91gSi3N4、0.02gEu203。其他實施例中根據各組成比基于上述的加入量改變其配合比例。將這些原料粉末全部加入瑪瑙自動研缽，添加乙醇，用濕式混合法混合至均勻。將如此得到的糊狀混合物干燥后，直接以粉末狀填充到氮化硼坩堝中，輕輕地對其施加負荷，進行模壓成型。將該氮化硼坩堝設置到電阻加熱式真空加壓氣氛熱處理爐(富士電波工業(yè)制造)內，在<5xl(T3Pa的減壓下，以升溫速度20°C/min從室溫真空加熱到800°C。到達8(KTC后，維持在該溫度，用30分鐘導入高純度氮氣(99.9995%)，直至壓力達到0.92MPa。導入后，在保持0.92MPa下，進一步以升溫速度2(TC/min升溫到1200°C。在該溫度保持5分鐘，從熱電偶換成輻射溫度計，進一步以升溫速度20。C/min加熱到1400°C。到達1400。C后，維持2小時，進一步以2(TC/min加熱到1600°C，在該溫度維持2小時。燒制后，以降溫速度20'C/min冷卻到1200°C，接下來，自然冷卻。對得到的燒制物進行X射線衍射測定的結果見圖21。實施例1425中，檢測出BSON相為主相。另外，對這些燒制物進行熒光特性的評價結果見表7，波長400nm激發(fā)和波長455nm激發(fā)下的發(fā)光光譜圖分別見圖22和圖23。對于任何的激發(fā)波長，均在Eu濃度為0.5原子％50原子％的范圍觀測到了發(fā)光，在Eu濃度為0.5原子％20原子％時發(fā)光強，在Eu濃度為1原子％10原子％時發(fā)光最強。Eu添加量與發(fā)光峰波長的關系如下對于激發(fā)波長400nm，Eu濃度為0.5原子％的情況下，發(fā)光峰波長為520nm。隨著Eu的濃度的增加，發(fā)光波長向長波長移動，在Eu濃度為10原子Q/。、Eu濃度為30原子n/。、Eu濃度為50原子n/。時，分別在526nm、544nm、553nm出現(xiàn)了峰波長。表7:實施例1425以及實施例39、40的結果<table>tableseeoriginaldocumentpage98</column></row><table>(實施例6769)分別稱量BaC03、Si02、Si3N4、Eu203、Ce02、Mn02，以使投料組成如表8所示的組成比。艮卩，實施例67中，使用5.80gBaCO3、3.50gSi02、2.04gSi3N4、0.05gCe02(信越化學工業(yè)社制造)，實施例68中，使用5.80gBaC03、3.50gSiO2、2.04gSi3N4、0.05gEu2O3，實施例69中，使用5.45gBaC03、3.50gSiO2、2.04gSi3N4、0.31gEu2O3、0.03gMn02(純正化學社制造)。將這些原料粉末全部加入瑪瑙自動研缽，添加乙醇，用濕式混合法混合至均勻。將如此得到的糊狀混合物干燥后，分別填充到氧化鋁坩堝中，輕輕地施加負荷，對填充物進行模壓成型。將其置于帶有溫度調節(jié)器的電阻加熱式管狀電爐內，于大氣壓下、0.51/min的氮96體積y。+氫4體積％的混合氣流中，以4.8X:/min的升溫速度加熱到1200°C，在該溫度保持4小時后，自然冷卻到室溫。所得到的試樣用氧化鋁研缽粉碎，經粉碎的試樣再次分別填充到氧化鋁坩堝中，輕輕地施加負荷，對填充物進行模壓成型。將該氧化鋁坩堝置于帶有溫度調節(jié)器的電阻加熱式管狀電爐內，于大氣壓下、0.51/min的氮96體積％+氫4體積％的混合氣流中，以4.8t:/min的升溫速度加熱到130(TC，在該溫度保持4小時，其后，自然冷卻到室溫。得到的燒制物的X射線衍射圖案見圖24。由該結果可知，BSON相為主相。另外，對這些燒制物進行熒光特性的評價結果見表8，波長340nm激發(fā)、波長400mn激發(fā)和波長455nm激發(fā)下的發(fā)光光譜圖分別見圖25圖27。在340nm的激發(fā)波長，只有以Ce、Eu為發(fā)光中心的BSON相觀察到了微小的發(fā)光。另外，Eu-Mn共活化時，不能觀察到來自Mn的紅色發(fā)光，能夠觀察到Eu的綠色發(fā)光。表8:實施例6769的結果<table>tableseeoriginaldocumentpage100</column></row><table>(實施例2634)使用2.40gBaCO3、1.56gSi02、0.91gSi3N4、0.14gEu2O3，以使投料組成如表9所示的組成比。實施例26中，將這些原料粉末全部加入瑪瑙自動研缽，添加乙醇，用濕式混合法混合至均勻。將如此得到的糊狀混合物干燥后，直接以粉末狀填充到氮化硼坩堝中，輕輕地對其施加負荷，進行模壓成型。將該氮化硼坩堝設置到電阻加熱式真空加壓氣氛熱處理爐(富士電波工業(yè)制造)內，在〈5xl(^Pa的減壓下，以升溫速度20°C/min從室溫真空加熱到800°C。到達80(TC后，維持在該溫度，用30分鐘導入高純度氮氣(99.9995%)，直至壓力達到0.92MPa。導入后，在保持為0.92MPa的同時進一步以升溫速度20"C/min升溫到1200°C。在該溫度保持5分鐘，從熱電偶換成輻射溫度計，進一步以升溫速度20'C/min加熱到1600°C。達到160(TC后，維持2小時，接著，以20。C/min加熱到1800°C，在該溫度維持2小時。燒制后，以降溫速度2(TC/min冷卻到1200°C，然后自然冷卻。對于實施例2729，將上述實施例26的燒制溫度160(TC和1800°C分別設定為表9所記載的溫度，除此以外與上述同樣地進行混合-燒制。另外，實施例30中，在上述的實施例26所述的混合-燒制方法中從熱電偶換成輻射溫度計后，其后的操作如下進行改變。即，以升溫速度20°C/min加熱到1300°C，在該溫度維持2小時后，以20°C/min的降溫速度冷卻到120(TC，接下來進行自然冷卻。實施例31中，將在130(TC的維持時間設定為4小時，除此以外，與實施例30同樣操作，進行混合-燒制。實施例32中，將以實施例30的方法得到的燒制物用氧化鋁研缽粉碎混合后，進一步以與實施例31相同的方法再次進行燒制。實施例33中，填充到氮化硼坩堝中進行燒制時，首先將其設置于電阻加熱式電爐內，于大氣中，從室溫以升溫速度5'C/min加熱到IIO(TC，在該溫度維持3小時后，自然冷卻到室溫。其后，將所得到的預燒制物用氧化鋁研缽粉碎混合后，進一步以與實施例30相同的方法再次進行燒制。實施例34中，將實施例33得到的燒制物進一步用氧化鋁研缽粉碎混合后，進一步以與實施例31相同的方法再次進行燒制。得到的燒制物的X射線衍射圖案見圖28。特別是僅對實施例34，將其放大圖示于圖29。實施例2634的所有實施例中，均檢測出了BSON相。進行燒制溫度為140(TC以上的高溫燒制的情況下，綠色發(fā)光強度急劇減少。此時，沒有觀察到發(fā)光峰波長的變化。實施例30的130(TC燒制中，得到了結晶性高的BSON相。用透射型電子顯微鏡(SEM)對此時的試樣粉末進行拍照，得到用作附圖的照片，將其示于圖30。觀察到具有約6pm的粒徑的1次顆粒形成了2次顆粒。實施例32中，也得到了結晶性高的粉體，并且發(fā)光強度也高。特別是實施例34得到的粉體表現(xiàn)出了高的結晶性，發(fā)光強度最高。對實施例34得到的熒光體和YAG:Ce熒光體(化成Optonix社制造的釔鋁石榴石系熒光體"P46-Y3")測定溫度特性。其結果見圖31。與YAG:Ce熒光體相比，溫度上升的情況下，實施例34的熒光體的發(fā)光強度降低，并且發(fā)光輝度降低的少。由此可知，本發(fā)明的熒光體適合用作為了得到大功率而在高的發(fā)光芯片溫度區(qū)域使用的照明用燈。此外，實施例33中觀察到了玻璃相。不能進行該玻璃相的相鑒定。發(fā)光是微發(fā)光。表9:實施例2634的結果<table>tableseeoriginaldocumentpage103</column></row><table>另外，對于實施例32和實施例34得到的熒光體，進行Eu-L3吸收端的X射線吸收端微細結構(X-rayabsorptionnear-edgefinestructure:XANES)光譜測定。在設置于(大學共同利用機關法人高能量加速器研究機構物質結構科學研究所放射光科學研究設施的)束線(beamline)12C的XAFS測定裝置中使用Si(lll)2結晶分光器進行XANES測定。在金屬銅箔的Cu-K吸收端XANES光譜中，以8980.3eV出現(xiàn)的前邊吸收峰(pre-edgepeak)的分光器的角度為12.7185度進行X射線的能量校正，并在試樣測定前后實施氧化銪的Eu-L3吸收端XANES測定，校正分光器隨時間發(fā)生的微小偏差。此時，氧化銪中的Ei^+峰的位置為6979.6eV。通過透射法在Eu-L3吸收端(6970eV附近)附近以約0.25eV間隔、各點1秒或2秒的累積時間來進行XANES光譜的測定。即，將填充了氮氣的電極長17cm和31cm的電離箱分別用作入射X射線和透過了試樣的X射線的檢測器，根據朗伯-比爾公式，以pt^n(I0/I)(此處，IO為入射X射線強度、I為透過X射線強度)來定義X射線吸收系數。作為測定用試樣，使用下述試樣用瑪瑙研缽將燒制后過篩的熒光體粉末與70mg左右氮化硼混合均勻后，在150kg重/cm2的壓力下成型為直徑10mm的片劑而得到的試樣。為了消除背景的影響，對如此得到的Eu-L3吸收端XANES光譜進行一階微分，來自Ei^+和EuS+的光譜圖案分別出現(xiàn)在6965eV6976eV附近和6976eV69卯eV附近。因此，求出各自的能量范圍內的微分光譜的最大值或最小值的差，將其除以Eu2+、Ei^標準試樣的Eu-L3XANES微分光譜的最大值和最小值的差，進行標準化，將其作為Ei^+、E^+峰的強度p、q進行定義，以r^/(p+q)來定義Ei^+在全部Eu中所占的比例r，證明均大于95%。上述XANES光譜的一階微分曲線圖見圖32。另外，實施例2634的熒光體的波長400nm激發(fā)和波長455nm激發(fā)下的發(fā)光光譜圖分別見圖33和圖34。圖29中的20=21.88°、28.40°、35.94°(參見表10)的峰被鑒定為屬于具有方英石型結構的Si02的雜質峰(PDF卡片(39-1425))。其余的未知峰被確認為單斜晶系、三方晶系、斜方晶系等多種晶系的備選。表io中分別歸納了觀察到的峰以及單斜晶系P2!/c(a二7.486A、b=6.469A、c=7.471A、卩=119.97。)的米勒指數、三方晶系P3(ah:7.483A、C=6.474A)的米勒指數和斜方晶系Ama2(a=6.47A、b=12.943A、c二7.484A)的米勒指數。比較上述晶格常數可知，其值全部相同。例如，單斜晶系與三方晶系相比較，存在(3=119.97°和卩二120°的區(qū)別。另外，斜方晶系中的晶格常數b與使用上述三方晶系P3中的ah的值表示的下述公式對應，^x2xV/2二12.96三方晶系與斜方晶系只是采用的晶格不同而已。因此，除了Si02的雜質峰以外的所有的峰完全沒有測定到米勒指數，是單一相，根據PDF數據庫檢索，沒有與其相同的，因此可知其是新物質。表10中給出了通式(I)表示的復合氧氮化物熒光體觀察到的X射線衍射峰(CuKcx二1.5406A用作射線源)的2e。bs的范圍(二1060。)、峰相對強度Us(二I/l27.5。xl00)和在2e。bs二1060。的范圍中基于三種晶系的米勒指數的結果。表10:關于X射線衍射峰的測定結果<table>tableseeoriginaldocumentpage105</column></row><table>注意)根據PDF卡片(39-1425)，峰編號3、6、8、12被鑒定為方英石(Cristobalite)型結構的Si02。為了使三種晶系成為一個，對實施例34使用的粉末試樣，使用FEI社生產的TECNAIG2F20進行限制視野電子衍射像的測定。此時，電子線的加速電壓為200kV、照相機長為970mm。其結果見圖35。從結晶片的各自獨立的方向(右是c軸向、中央是a或者b軸向、左是沿ab面的方向)射入電子線，得到各電子線衍射圖形。從左圖開始到c軸向經過了3個軸，因此該結晶是三方晶系。帶有米勒指數的全部的圖中，沒有觀察到衰變規(guī)則，所以其空間群為P3。將空間群定為P3后，進行晶格常數的精修，得到下述表U所示的晶格常數。表ll:晶格常數7.5066.487根據精修的晶格常數進行XRD圖案的積分強度分離，使用這些的值和直接法程序，求出該未知結構物質的晶胞內的近似分數坐標。為了進一步充實從程序求出的分數坐標的解，使用第一原理計算方法。使用如此得到的分數坐標，根據BSON的X射線、中子衍射圖案的數據進行Rietveld法的分數坐標的精修，得到了表12的結果。表12:分數坐標<table>tableseeoriginaldocumentpage106</column></row><table>另外，由于存在P(3-)的空間群的可能性，所以將用P3求出的分數坐標以P(3-)的形式轉換，再次使用中子衍射圖案，通過Rietveld法進行精修，得到了表13和表14的結果。Rietveld法進行分數坐標的精修時，也進行了晶格常數的精修。表13:晶格常數<table>tableseeoriginaldocumentpage107</column></row><table>表14:分數坐標<table>tableseeoriginaldocumentpage107</column></row><table>這樣，根據與P3、P(3-)不同的空間群求出了分數坐標，作為對象物質的未知物質所具有的結晶結構中的原子所示的空間位置基本不變。確認如此確定的晶胞內的原子數，證明該結晶的組成是Ba3Si6012N2:Eu。(實施例7074)使用5.78gBaC03、3.34gSi02、1.95gSi3N4、0.32gEu2O3，以使投料組成如表15所示的組成比。實施例70和71中，將這些原料粉末全部加入瑪瑙自動研缽，添加乙醇，用濕式混合法混合至均勻。將如此得到的糊狀混合物干燥后，分別填充到氧化鋁坩堝中，輕輕地施加負荷，對填充物進行模壓成型。將其置于帶有溫度調節(jié)器的電阻加熱式管狀電爐內，于大氣壓下、0.51/min的氮96體積％+氫4體積％的混合氣流中，以4.8°C/min的升溫速度加熱到1200'C，在該溫度保持4小時后，自然冷卻到室溫。所得到的試樣用氧化鋁研缽粉碎，將經粉碎的試樣再次分別填充到氧化鋁坩堝中，輕輕地施加負荷，對填充物進行模壓成型。將該氧化鋁坩堝置于帶有溫度調節(jié)器的電阻加熱式管狀電爐內，于大氣壓下、0.51/min的氮96體積％+氫4體積％的混合氣流中，以4.8"C/min的升溫速度加熱到1300°C，在該溫度保持4小時，其后，自然冷卻到室溫。實施例72中，將上述的實施例70和71的方法中的燒制溫度1300°C改為140(TC，此外與其同樣地進行操作。實施例73中，將這些原料粉末全部加入瑪瑙自動研缽中，添加乙醇，用濕式混合法混合至均勻。將如此得到的糊狀混合物干燥后，直接以粉末狀填充到氮化硼坩堝中，輕輕地對其施加負荷，進行模壓成型。先將該氮化硼坩堝設置在電阻加熱式電爐內，于大氣中，從室溫以升溫速度5°C/min加熱到IIOO'C，在該溫度維持3小時后，自然冷卻到室溫。其后，將所得到的預燒制物用氧化鋁研缽粉碎混合后，直接以粉末狀填充到氮化硼坩堝中，輕輕地對其施加負荷，進行模壓成型。將該氮化硼坩堝設置到電阻加熱式真空加壓氣氛熱處理爐(富士電波工業(yè)制造)內，在<5xl(T3Pa的減壓下，以升溫速度20°C/min從室溫真空加熱到800°C。到達80(TC后，維持在該溫度，用30分鐘導入高純度氮氣(99.9995%)，直至壓力達到0.92MPa。導入后，在保持0.92MPa的同時進一步以升溫速度20°C/min升溫到1200°C。在該溫度保持5分鐘，從熱電偶換成輻射溫度計，進一步以升溫速度2(TC/min加熱到1300°C。達到1300'C后，維持2小時，其后，以20。C/min的降溫速度冷卻到1200°C，接下來進行自然冷卻。將所得到的燒制物進一步用氧化鋁研缽粉碎，將粉碎后的試樣再一次分別填充到氧化鋁坩堝中，輕輕地施加負荷，對填充物進行模壓成型。該氧化鋁坩堝設置于帶有溫度調節(jié)器的電阻加熱式管狀電爐(siliconit社制造)內，于大氣壓下，0.51/min的氮氣流中，以4.8'C/min的升溫速度加熱到1300°C，在該溫度保持48小時，其后，自然冷卻到室溫。對于得到的試樣，利用N-N0355T(開孔37pm)尼龍篩進行過篩處理。另外，實施例74如上述實施例73，其中，使用殘留在篩上的物質作為試樣。此處，實施例72和73中，作為原料Si3N4，分別使用經下述處理得到的(3-Si3N4。將292ga-Si3N4(宇部興產社制造)直接以粉末狀填充到氮化硼坩堝中，輕輕施加負荷，進行模壓成型。將該氮化硼坩堝設置到電阻加熱式真空加壓氣氛熱處理爐(富士電波工業(yè)制造)內，在〈5xl(^Pa的減壓下，以升溫速度2(rC/min從室溫真空加熱到800。C。到達800。C后，維持在該溫度，用30分鐘導入高純度氮氣(99.9995%)，直至壓力達到0.92MPa。導入后，在保持0.92MPa的同時進一步以升溫速度20°C/min升溫到1200°C。在該溫度保持5分鐘，從熱電偶換成輻射溫度計，進一步以升溫速度20°C/min加熱到2000°C。達到200(TC后，維持2小時，接著以20°C/min加熱到1800°C，在該溫度維持3小時。燒制后，以降溫速度20。C/min冷卻到1200°C，然后自然冷卻。對進行上述處理前和進行上述處理后的Si3N4進行X射線衍射測定和反射光譜測定。將各自的X射線衍射圖案與PDF(粉末衍射文件，PowderDiffractionFile)76-1407和75-0950中的a-Si3H^tl|3-Si3N4的峰比較，發(fā)現(xiàn)處理前是a-Si3N4，而上述處理后完全相轉移為p-Si3N4。另夕卜，將上述a-Si3N4和卩-Si3N4的反射光譜圖示于圖36。由此可知，與a-Si3N4相比較，經上述處理得到的(3-Si3N4的反射率高。另外，對于這些a-Si3N4和|3-Si3N4，用高頻爐加熱燃燒提取-非分散紅外檢測法(堀場制作所制，EMIA520FA型)測定殘留碳量，其結果如下，對于a-SbN4來說，殘留碳量是0.1重量％，對于P-Si3N4來說，殘留碳量是0.02重量％，(3-Si3N4的殘留碳量少。另外，根據它們的SEM觀察結果可知，對于a-Si3N4來說，平均粒徑是0.20.5!xm，對于(3-Si3N4來說，平均粒徑是12pim。將上述實施例7074中得到的燒制物的X射線衍射圖案示于圖37。由該結果可知，BSON相為主相。另外，對這些燒制物進行熒光特性的評價結果見表15，波長400nm激發(fā)和波長455nm激發(fā)下的發(fā)光光譜圖分別見圖38和圖39。關于發(fā)光特性，通過改變合成方法(對玻璃狀相進行再燒制操作等)，其中以改變燒制時間為首，能夠改善發(fā)光特性。<table>tableseeoriginaldocumentpage110</column></row><table>另外，對于這些燒制物，進一步求出發(fā)光效率、吸收效率和內部量子效率。結果見表16。表16:實施例7074的發(fā)光效率<table>tableseeoriginaldocumentpage111</column></row><table>發(fā)光效率均為20%以上，將起始原料Si3N4從ct型(實施例71)改為(3型(實施例72)時，發(fā)光效率增大到30%以上。另夕卜，通過改變合成方法(對玻璃狀相進行再燒制操作等)，其中以改變燒制時間為首，能夠改善發(fā)光效率，使其達到40%以上。另一方面，吸收效率均為40%以上，同樣，通過改變合成條件(以燒制時間為首)，能夠提高吸收效率，使其達到60%以上，進而，用N-N0355T(開孔37pm)尼龍進行篩分操作時，篩上殘留的試樣即實施例74中，吸收效率能夠得到70%以上的值。另外，內部量子效率是用發(fā)光效率除以吸收效率得到的值。(實施例75和76)使用6.02gBaCO3、2.87gSi02、2.23gSi3N4、0.34gEu2O3，以使投料組成如表n所示的組成比。將這些原料粉末全部加入瑪瑙自動研缽，添加乙醇，用濕式混合法混合至均勻。將如此得到的糊狀混合物干燥后，分別填充到氧化鋁坩堝中，輕輕地施加負荷，對填充物進行模壓成型。將其置于帶有溫度調節(jié)器的電阻加熱式管狀電爐內，于大氣壓下、0.51/min的氮96體積。/。+氫4體積％的混合氣流中，以4.8"C/min的升溫速度加熱到1200°C，在該溫度保持4小時后，自然冷卻到室溫。所得到的試樣用氧化鋁研缽粉碎，經粉碎的試樣再次分別填充到氧化鋁坩堝中，輕輕地施加負荷，對填充物進行模壓成型。將該氧化鋁坩堝置于帶有溫度調節(jié)器的電阻加熱式管狀電爐內，于大氣壓下、0.51/min的氮96體積％+氫4體積％的混合氣流中，以4.8°C/min的升溫速度加熱到1350°C，在該溫度保持72小時，其后，自然冷卻到室溫。此處，上述實施例76中，作為Si3N4，使用進行了上述的處理的(3-Si3N4。關于上述實施例75和76得到的燒制物，與實施例75得到的合成粉體相比，實施例76得到的粉體的體色為鮮綠色。另外，其X射線衍射圖案見圖40。由該結果可知，實施例75和76得到的燒制物均以BSON相為主相。另外，對這些燒制物進行熒光特性的評價結果見表17，波長400nm激發(fā)和波長455nm激發(fā)下的發(fā)光光譜圖分別見圖41和圖42。得到的發(fā)光峰的位置基本沒有變化，實施例76得到的燒制物的發(fā)光峰高。另外，實施例76得到的燒制物的激發(fā)光譜圖見圖43。表17:實施例75和76的結果<table>tableseeoriginaldocumentpage113</column></row><table>(實施例77)使用15.lgBaC03、6.76gSi02、1.75gSi3N4，以使投料組成比為Ba3Si6012N2。將這些原料粉末全部加入瑪瑙自動研缽，添加乙醇，用濕式混合法混合至均勻。將如此得到的糊狀混合物干燥后，分別填充到氧化鋁坩堝中，輕輕地施加負荷，對填充物進行模壓成型。將其置于帶有溫度調節(jié)器的電阻加熱式管狀電爐內，于大氣壓下、0.51/min的氮96體積％+氫4體積％的混合氣流中，以4.8tVmin的升溫速度加熱到12(KTC，在該溫度保持4小時后，自然冷卻到室溫。所得到的試樣用氧化鋁研缽粉碎，經粉碎的試樣再次分別填充到氧化鋁坩堝中，輕輕地施加負荷，對填充物進行模壓成型。將該氧化鋁坩堝置于帶有溫度調節(jié)器的電阻加熱式管狀電爐內，于大氣壓下、0.51/min的氮氣流中，以4.8°C/min的升溫速度加熱到135(TC，在該溫度保持10小時，其后，自然冷卻到室溫。將所得到的燒制物進一步用氧化鋁研缽粉碎，經粉碎的試樣再一次分別填充到氧化鋁坩堝中，輕輕地施加負荷，對填充物進行模壓成型。將該氧化鋁坩堝置于帶有溫度調節(jié)器的電阻加熱式管狀電爐內，于大氣壓下、0.51/min的氮96體積％+氫4體積％的混合氣流中，以4.8°C/min的升溫速度加熱到140(TC，在該溫度保持4小時，其后，自然冷卻到室溫。得到的燒制物的X射線衍射圖案見圖44。由該結果可知，BSON相為主相。(實施例7887)分別稱量BaC03、Si02、Si3N4、Mn02(純正化學社制造)、Pr6Ou(FuruuchiChemicalCorporation制造)、Nd203(日產希元素化學社制造)、Sm203(三津和化學藥品社制造)、Tb407(信越化學(株)社制造)、Dy203(:'7*社制造)、Ho203(FuruuchiChemicalCo卬oration制造)、Er203(日產希元素化學社制造)、1^203(信越化學(株)社制造)、Yb203(FuruuchiChemicalCorporation制造)，使投料組成如表18所示的組成比。即，實施例78中，使用5.82gBaC03、3.50gSi02、2.05gSi3N4、0.03gMnO2，實施例79中，使用5.80gBaCO3、3.50gSi02、2.04gSi3N4、0.05gPr6Ou。其他實施例中根據各組成比基于上述的加入量改變其添加量。將這些原料粉末全部加入瑪瑙自動研缽，添加乙醇，用濕式混合法混合至均勻。將如此得到的糊狀混合物干燥后，分別填充到氧化鋁坩堝中，輕輕地施加負荷，對填充物進行模壓成型。將其置于帶有溫度調節(jié)器的電阻加熱式管狀電爐內，于大氣壓下、0.51/min的氮96體積W+氫4體積％的混合氣流中，以4.8T:/min的升溫速度加熱到120(rC，在該溫度保持4小時后，自然冷卻到室溫。所得到的試樣用氧化鋁研缽粉碎，經粉碎的試樣再次分別填充到氧化鋁坩堝中，輕輕地施加負荷，對填充物進行模壓成型。將該氧化鋁坩堝置于帶有溫度調節(jié)器的電阻加熱式管狀電爐內，于大氣壓下、0.51/min的氮氣流中，以4.8°C/min的升溫速度加熱到1300'C，在該溫度保持10小時，其后，自然冷卻到室溫。得到的燒制物的X射線衍射圖案見圖45。由該結果可知，所有的實施例中，均檢測到BSON相為主相。表18:實施例7887的投料組成實施例投料組成78Bai.a8Mn0.02Si7O,0N479Ba,.MPr。.。2Si70，。N480Ba198Nd。.。2Si7O10N48182Ba,.98Tb0.02Si7O10N483Bau8Dy。.。jiSi70,oN48485Ba，.MEr0.o2Si70，0N486BaLwTmo.ozSi'O'oN^87Ba1.a8Yb0.02Si7Oi0N4作為參考例，描述以下所示的用于制作發(fā)光裝置的各熒光體的制造方法。(參考例l:CaAlSiN3:Eu的制造)稱量各原料粉末，以相對于1摩爾熒光體的比計Ca3N2為0.331摩爾、A1N為1摩爾、SigN4為0.363摩爾、Eu203為0.004摩爾，以使所制造的熒光體的化學組成比為Cao.992AlEuo.o()8SiN3。將這些原料用臺式混合器混合，在氮化硼坩堝中，于0.5MPa的氮氣氣氛中，以最高180(TC燒制2小時。將所得到的燒制粉用氧化鋁研缽粉碎，過450pm和224pm的尼龍篩。其后，在純水中攪拌1小時，進行球磨機粉碎處理。接著，進行用于調整粒徑的分級處理、干燥，由此制造Cao.992AlEuo細SiN3。(參考例2:Sr2Si5N8:Eu的制造)稱量各原料粉末，其中以相對于1摩爾熒光體的比計SrC03為1.96摩爾、Si3N4A1.666摩爾、Eu203為0.02摩爾，以使所制造的熒光體的化學組成比為SrL96EUo.04Si5N8。將這些原料在瑪瑙研缽上進行濕式混合，在碳坩堝中，于0.92MPa的氮氣氣氛中，以最高180(TC燒制2小時。將所得到的燒制粉用瑪瑙研缽粉碎，在氮化硼坩堝中，于0.92MPa的氮氣氣氛中，以最高180(TC燒制2小時。將燒制粉粉碎，過37，的尼龍篩。(參考例3:Sro.8Cao.2AlSiN3:Eu的制造)〈母合金的制造〉稱量各金屬，使金屬元素組成比為Al:Si二l:l(摩爾比)，使用石墨坩堝，在氬氣氛下，使用高頻電感式熔融爐，將原料金屬熔融后，將其從坩堝向金屬模澆注，使其凝固，得到金屬元素組成比為Al:Si二l:l的合金?！礋晒怏w原料用合金的制造〉稱量母合金、其他原料金屬，使Eu:Sr:Ca:Al:Si=0.008:0.792:0.2:1:l(摩爾比)。將爐內抽真空到5xl(T2Pa后，停止抽真空，將氬氣填充到爐內直到規(guī)定壓力。在該爐內，于氧化鈣坩堝內將母合金熔融，其后熔融Sr，將熔融液從坩堝向金屬模澆注，并使其凝固。在氮氣氣氛下，將得到的合金用氧化鋁研缽進行粗粉碎，將該粗粉碎物用超音速氣流粉碎機在氮氣氣氛下粉碎，其中粉碎壓力為0.15MPa，原料供給速度為0.8kg/hr。通過對所得到的合金粉末進行水洗、分級處理、干燥，制造Sr0.792Ca0.200AlEu0.008SiN3o(參考例4:Sr2BaSi05:Eu的制造)稱量各原料粉末，其中以相對于1摩爾熒光體的比計BaC03為1摩爾、SrC03為1.98摩爾、Si02為1摩爾、Eu203為0.02摩爾，以成為組成式BaSrL98Euo.o2SiOs。將這些原料在瑪瑙研缽上進行濕式混合，在鉬箔中，于氮氣氣氛中，以最高155(TC燒制2小時。將所得到的燒制粉在氧化鋁研缽上粉碎，在鉑箔中，于含有4體積％氫的氮氣氣氛中，以最高155(TC燒制2小時。將燒制粉粉碎，過37pm的尼龍篩。(參考例5:(Ca,Sr)S:Eu的制造)稱量各原料粉末，以相對于1摩爾熒光體的比計CaS為0.5976摩爾、SrS為0.3984摩爾、EuF3為0.004摩爾，以使所制造的熒光體的化學組成比為Ca,76Eu,4SrQ.3984S。將這些原料在瑪瑙研缽上進行濕式混合，在氧化鋁坩堝中，于含有4體積％氫的氮氣氣氛中，以最高100(TC燒制2小時。將所得到的燒制粉粉碎，過37拜的尼龍篩。(參考例6:Si5Al(0，N)8:Eu的制造)稱量各原料粉末，以相對于1摩爾熒光體的比計A1N為0.333摩爾、八1203為0.333摩爾、Si3N4A1.666摩爾、Eu203為0.006摩爾、CaC03為8.93xl(T4摩爾，以使所制造的熒光體的化學組成比為Si5皿9Al,7。Eu,2(A.(H84N7.則6。在瑪瑙研缽上進行粉碎、混合，將得到的混合物，在氮化硼制造的坩堝中，于0.92MPa的氮氣氣氛中，以最高170(TC燒制2小時。將所得到的燒制粉用研缽粉碎，再次在氮化硼制坩堝中，于0.92MPa的氮氣氣氛中，以最高200CTC燒制2小時。燒制后，使用研缽進行粉碎，過37pm的尼龍篩，由此制造Si5.0029Al0.9970Eu().(H20O0.0i84N7.9816。(參考例7:(Ba，Sr)2Si04:Eu的制造)稱量各原料粉末，以相對于1摩爾熒光體的比計BaC03為1.39摩爾、SrC03為0.46摩爾、Eu203為0.15摩爾、SiCb為1摩爾，以使所制造的熒光體的化學組成比為Bai.39Sr,Euai5Si04。將這些原料在塑料袋中進行干式混合，過100微米的尼龍篩。其后，進一步在塑料袋中進行干式混合。輕輕地將得到的混合物填充在氧化鋁坩堝中用研杵在中央開孔。將氧化鋁制坩堝的蓋置于坩堝上，并留出縫隙。用氮氣氣氛中的還原氣氛爐以最高IOO(TC將裝有粗粉的坩堝燒制12小時。將所得到的燒制粉在氧化鋁研缽上粉碎，過100nm的尼龍篩后，混入粗粉重量的12重量％的SrCl2'2H20作為助烙劑，過65pm的尼龍篩。輕輕地將其填充到氧化鋁坩堝中，在固體碳存在下的含CO氣的氮氣氣氛中，以最高溫度1190°C加熱5小時，由此進行燒制。將燒制粉用搗磨機粉碎，過37nrn的尼龍篩。向其中加入5倍的純水，攪拌，將得到的漿料通過潷析濃縮后，用37,的尼龍篩，不施加外力進行水篩。其后，將篩下物稀釋到一定量，除去上清液的微細顆粒。其后，反復水洗，使溶液的導電率達到2mS/m以下，使用布氏漏斗進行脫水，在干燥機中于150'C干燥10小時。過37pm的尼龍篩進行精加工，制造Bau9Sro.46Eu。.!5Si04。(參考例8:SrGa2S4:Eu的制造)稱量各原料粉末，其中以相對于1摩爾熒光體的比計SrS為0.85摩爾、Ga^3為1摩爾、Eii&為0.15摩爾，以使所制造的熒光體的化學組成比為Sro.85Ga2Eu。.15S4。除此以外，與日本特開2003-291608號公報的實施例1同樣地進行制造。即，稱量下述各量的各原料粉末，以相對于1摩爾熒光體的比計SrS為0.85摩爾、Ga^3為1摩爾、EuFs為0.15摩爾，以使所制造的熒光體的化學組成比為Sr。.8sGa2Eu(H5S4。在瑪瑙研缽上進行粉碎、混合，將得到的混合物，在氧化鋁制坩堝中，于氬氣流下，以最高IOOO'C燒制8小時。將所得到的燒制粉在氧化鋁研缽上粉碎，控制粒徑，由此制造熒光體。(參考例9:SrSi202N2:Eu的制造)稱量下述各量的各原料粉末，以相對于2摩爾熒光體計SrC03為1.92摩爾、Si02為1摩爾、Eii203為0.04摩爾，以使1次燒制得到的化合物的化學組成比為SrL92Eu謹Sii04。在氧化鋁研缽上粉碎、混合，將得到的混合物，在氮化硼制坩堝中，于含有4體積％氫的氮氣氣氛中，以125(TC燒制3小時。進一步將得到的燒制物在氧化鋁研缽上粉碎，在其中混入相對于2摩爾熒光體為1摩爾的Si3N4以使制造的熒光體的化學組成比為Sr,Euao4Si202N2。于0.92MPa的氮氣氣氛中，以最高1450。C燒制2小時。將所得到的燒制粉在氧化鋁研缽上粉碎，過37pm的尼龍篩，由此制造Sr0.96Eu0.04Si2O2N2。(參考例10:CaSc204:Ce的制造)稱量下述各量的各原料粉末，以相對于1摩爾熒光體的比計CaC03為1.04摩爾、Sc-Ce共沉物SCl.9935Ce,6503為1摩爾，以使所制造的熒光體的化學組成比為CeQ.。Q65Cao.9935SC204。將這些原氺斗在袋中混合，過224pm的尼龍篩。將所得到的混合物，在氧化鋁坩堝中，于大氣氣氛中，以最高1100115(TC燒制4小時。將所得到的燒制粉用研缽粉碎，混入分別為粗粉重量的10重量°/。、5重量％、1.5重量％的CaCl2、Li3P04、KC1作為助熔劑，將其在袋中混合后，過10(Him的尼龍篩。在氧化鋁坩堝中，于含有4體積％氫的氮氣氣氛中，以最高溫度145(TC將這些物質加熱9小時，由此進行燒制。將燒制粉冷卻后，在氧化鋁研缽上進行粉碎，在0.6升的容器中加入3mm的氧化鋁球600g、稀鹽酸和粉碎后的粉末，以旋轉速度60rpm進行4小時的球磨機粉碎。球磨機停止后，用純水使稀鹽酸的濃度降低，然后，濕式通過65pm的尼龍篩。其后，用1N-HC1清洗粉體，進行分級處理后，除去約5拜以下的顆粒。進一步在含有100g所得到的熒光體的500ml溶液中進行攪拌，直至燒制粉分散，注入1.5mlNa3P04'12H20，進行攪拌。進一步注入0.75mlCa(NO3)2'H20，由此進行涂層處理。接著，為了除去大顆粒，過4(^m和25pm的尼龍篩。其后，反復水洗，使溶液的導電率達到2mS/m以下，使用布氏漏斗進行脫水，在干燥機中，以150。C干燥IO小時，由此制造Ce,65Cao.993sSc204。(參考例11:Ca3(Sc,Mg)2Si3012:Ce的制造)稱量下述各量的各原料粉末，以相對于l摩爾熒光體的比計CaC03為2.94摩爾、Ce。2為0.06摩爾、Sc203*0.97摩爾、MgC03為0,06摩爾、Si02為3摩爾，使所制造的熒光體的化學組成比為Ca2.94Ceo.o6ScL94Mgo.o6Si30i2。將這些原料用攪拌混合器(juicermixer)混合，過224pm的尼龍篩。在氧化鋁坩堝中，于大氣氣氛中，以最高1380。C將所得到的混合物燒制6小時。將所得到的燒制粉在氧化鋁研缽上粉碎，過100,的尼龍篩，然后在容器中混入燒制粉和燒帝ij粉4倍重量的尼龍鐵球，以60rpm的旋轉速度進行2小時的球磨機粉碎?；烊氪址壑亓康?2重量o/。的CaCl2-2H20作為助熔齊!j，過65pm的尼龍篩。將這些物質在20(TC的干燥機中干燥8小時。在氧化鋁坩堝中，于含有4體積％氫的氮氣氣氛中，以最高溫度1450'C將干燥后的粉加熱6/J、時，由此進行燒制。將燒制粉在氧化鋁研缽上加上水后，進行粗分散，過2mm的篩，在0.6升的容器中，加入3mm的氧化鋁球600g、稀鹽酸和粉碎的粉末，以旋轉速度60rpm進行12小時的球磨機粉碎。球磨機停止后，用純水將稀鹽酸的濃度降低，然后，濕式通過65pm的尼龍篩。其后，用lN-HCr清洗粉體，進行分級處理后，除去約5pm以下的顆粒。進一步在含有100gf導到的熒光體的500ml溶液中進行攪拌，直至燒制粉分散，注入1.5mlNa3P04-12H20，進行攪拌。進一步注入0.75mlCa(N03)2'H20，由此進斤亍涂層處理。接著，為了除去大顆粒，過40pm和25pm的尼龍篩。其后，反復水洗，使溶液的導電率達到2mS/m以下，使用布氏漏斗進行脫水，在干燥機中，以150。C干燥IO小時，由此制造Ca2,94Ceo.o6Sd.94Mg謹Si30,2。(參考例12:BaMgAl1()017:Eu的制造)稱量下述各量的各原料粉末，以相對于1摩爾熒光體的比計BaC03為0.7摩爾、MgC。3為1摩爾、Eu203A0.15摩爾、丫-順為5摩爾，以使所制造的熒光體的化學組成比為BaQ.7EUa3MgAl1()017。將這些原料在袋中混合，過224pm的尼龍篩。在氧化鋁坩堝中，于固體碳存在下的含CO氣的氮氣氣氛中，以最高溫度155(TC將所得到的混合物加熱5小時，由此進行燒制。燒制粉冷卻后，在研缽中用研杵進行粉碎，通過進行水洗、分級處理、干燥，制造Bao.7Euo.3MgAlK)On。(參考例13:Ba3MgSi208:Eu的制造)稱量下述各量的各原料粉末，以相對于1摩爾熒光體的比i十BaC03為2.98摩爾、MgC03為l摩爾、Si02為2摩爾、611203為0.01摩爾，以使所制造的熒光體的化學組成比為Ba2.98Eu,MgSi208。在氧化鋁研缽上進行粉碎、混合，將得到的混合物，在氧化鋁制坩堝中，于含有4體積％氫的氮氣氣氛中，以1200。C燒制2小時。將所得到的燒制物粉碎，過37拜的尼龍篩，由此制造Ba2.98Eua02MgSi2O8。(參考例14:Sr5(P04)3Cl:Eu的制造)稱量下述各量的各原料粉末，以相對于1摩爾熒光體的比i十SrC03為1摩爾、SrHP04為3摩爾、SrCb為0.5摩爾、Eii203為0.25摩爾，以使所制造的熒光體的化學組成比為Sr4.5EUa5(P04)3Cl。在氧化鋁石,缽上進行粉碎、混合，將得到的混合物，在氧化鋁制坩堝中，于含有4體積％氫的氮氣氣氛中，以1200'C燒制2小時。將所得到的燒制物在氧化鋁研缽上粉碎，過37,的尼龍篩，由此制造81"4^110.5(04)3(:1。(參考例15:Eu(DBM)3Phen的制造)將0.67g(3毫摩爾)二苯甲?；综?H-DBM)、0.20g(1.0毫摩爾)Phen一水合物(鄰菲咯啉一水合物)和0.32g(3.0毫摩爾)2，2，-亞氨基二乙醇溶解到50ml乙醇中。室溫，用2小時向該溶液滴加由0.37g(10毫摩爾)的氯化銪(IH)6水合物溶解在20ml乙醇中形成的溶液。進而，繼續(xù)攪拌1小時后，對生成的沉淀進行抽濾，用乙醇清洗。將所得到的黃色粉體在50°C進行真空干燥，得到目的物Eu(DBM)3Phen。該絡合物的熔點為171-174°C。將該粉末用噴射式粉碎機粉碎。(參考例16:La202S:Eu的制造)將以相對于1摩爾熒光體的比計1^203為0.9摩爾、"(:03為0.05摩爾、Na2C03為0.2摩爾、K2C03A0.75摩爾、KH2P04A0.1摩爾、Eu203為0.1摩爾、硫粉末以S計為4.0的比例進行干式混合，以使所制造的熒光體的化學組成比為Lai.8EuQ.202S，然后將所得到的混合物裝入高純度的氧化鋁制坩堝中并蓋上密閉性良好的氧化鋁蓋，在氮氣氣氛中，以125(TC加熱2小時，由此以該加熱生成的硫化鋰、硫化鈉和硫化鉀作為堿金屬硫化物助熔劑，使其與氧化鑭和氧化銪接觸，得到氧硫化物，接著，繼續(xù)接觸這些助熔劑，得到所期望的熒光體。用水清洗，除去附著在表面的堿金屬硫化物助熔劑后，在12(TC進行干燥，制造熒光體LaL8Eu。,202S。(實施例88)按下述順序制作圖2(b)所示構成的表面實裝型白色發(fā)光裝置，以CIE色度坐標值(CIEx、CIEy)評價其色度。此外，對于實施例88的各構成要件中與圖2(b)對應的構成要件，適當將其符號寫在括號中來表示。作為第1發(fā)光體(22)，使用在波長450nm470nm發(fā)光的藍色發(fā)光二極管(以下為了方便起見，簡稱作"藍色LED")C460EZ290(Cree制造)。用作為粘結劑的銀膏將該藍色LED(22)芯片鍵合在框架(24)的凹部的底的電極(27)上。此時，考慮到藍色LED(22)產生的熱的散熱性，薄薄地均勻涂布作為粘結劑的銀膏。在15(TC加熱2小時，使銀膏固化后，將藍色LED(22)和框架(24)的電極(26)引線鍵合。作為引線(25)，使用直徑25pm的金屬線。作為含熒光體部(23)的發(fā)光物質，使用作為綠色熒光體的上述實施例76的熒光體(有時將該熒光體稱作"熒光體(A)")和作為紅色熒光體的CaAlSiN3:Eu(有時將該熒光體稱作"熒光體(B)")。將這兩種熒光體、環(huán)氧樹脂(日本環(huán)氧樹脂社制的YL7301)、固化劑(日本環(huán)氧樹脂社制的YLH1230)和AEROSIL(氣相法二氧化硅，日本阿埃羅西爾公司生產的RY-200S)混合，制作熒光體漿料(含熒光體的組合物)。氣相法二氧化硅的使用目的是防止熒光體在樹脂中沉降。將得到的熒光體漿料注入上述的框架(24)的凹部，在IO(TC加熱3小時，進一步在140'C加熱3小時，使其固化，形成含熒光體部(23)，制作表面實裝型白色發(fā)光裝置。本發(fā)光裝置的NTSC比見表19。另外，將所得到的發(fā)光裝置在25'C對其藍色LED(22)通20mA的電流，對其進行驅動使其發(fā)光。用積分球接收從白色發(fā)光裝置發(fā)出的全部的光，并且用光纖將其導入分光器，測定發(fā)光光譜或總光通量，測定白色色度坐標。具體地說，在保持在氣溫25土rc的室內，使用海洋光學社生產的色"照度測定軟件和USB2000系列分光器(積分球型號)，通電20mA，進行測定。測定的發(fā)光光譜見圖46。另外，根據該發(fā)光光譜的380nm780nm的波長區(qū)域的數據，作為JISZ8701規(guī)定的XYZ表色系中的色度坐標，計算出色度值(CIEx，CIEy)。需要注意的是，這種情況下，Cx+Cy+Cz=l的關系式成立。另外，根據上述總光通量和LED端子間的電壓求出發(fā)光效率(hn/W)。消耗功率如下進行測定，在通電20mA的狀態(tài)，使用Fluke社的TrueRMSMultimetersModel187&189，測定LED端子間的電壓，用電流值和電壓值的積求出消耗功率。結果見表19。(實施例8993、比較例16)如下述表19所示改變所使用的熒光體，除此以外，與實施例88同樣操作，制作白色發(fā)光裝置，進行評價。(發(fā)光特性的評價)結果見表19。表19:實施例8892以及比較例16的結果<table>tableseeoriginaldocumentpage123</column></row><table>需要注意的是，上述熒光體的混合量是各熒光體相對于環(huán)氧樹脂、固化劑和氣相法二氧化硅的總重量比(ioo)的重量比。由上述結果可知，使用本申請的綠色熒光體的情況下，其NTSC比高。并且，使用Si5Al(0,N)8:Eu代替本申請的綠色熒光體的情況下，發(fā)光效率最低。(耐久性試驗)對上述實施例88以及NTSC比高的比較例2和3的發(fā)光裝置進行耐久性試驗。具體地說，在氣溫85'C、相對濕度85%的高溫高濕條件下的耐久性試驗裝置中，對其藍色LED(21)通20mA的電流，進行驅動，使其發(fā)光。200小時后，從該耐久性試驗裝置中將其取出，冷卻到25'C，然后測定發(fā)光光譜和色度。以試驗前的色度(C正x、CIEy)為基準，將200小時后的色度(CIEx、C正y)的偏差示于表20。表20:耐久性試驗的結果<table>complextableseeoriginaldocumentpage124</column></row><table>另外，對于上述發(fā)光裝置使用的各綠色熒光體，將其在激發(fā)波長455nm下、于150°C的發(fā)光峰強度維持率(2(TC情況下的發(fā)光峰強度設為100)示于下述表21。表21:發(fā)光蜂強度維持率的測定結果<table>complextableseeoriginaldocumentpage124</column></row><table>(實施例9499)改變各熒光體的混合量，以使白色發(fā)光裝置的色彩為電燈泡色，除此以外，與實施例8893同樣操作，制作發(fā)光裝置，進行評價。結果見表22。表22:實施例9499的結果<table>complextableseeoriginaldocumentpage124</column></row><table>需要注意的是，上述熒光體的混合量是各熒光體相對于環(huán)氧樹脂、固化劑和氣相法二氧化硅的總重量比(100)的重量比。(實施例100)使用功率芯片C460XB900(Cree社制造)代替C460EZ290(Cree社制造)，將熒光體A(綠色熒光體)以及CaAlSiN3:Eu(紅色熒光體)的混合量分別改變?yōu)橄鄬τ诃h(huán)氧樹脂、固化劑和氣相法二氧化硅總重量比(100)為16.1重量％和1.8重量％，除此以外，與實施例88同樣操作，制作白色發(fā)光裝置，進行評價。(CIEx、CIEy)為(0.291、0.289)，發(fā)光效率為3.7lm/W。[3-2.使用近紫外發(fā)光二極管的發(fā)光裝置的制作和評價](實施例101)作為第1發(fā)光體(22)，使用C395MB2卯(Cree制造)BR0428-03A近紫外發(fā)光二極管(以下為了方便起見，簡稱作"近紫外LED")。另外，含熒光體的樹脂部(22)中，作為所使用的發(fā)光物質，使用了包括作為藍色熒光體的BaMgAhoOn:Eu(有時將該熒光體稱作"熒光體(M)")在內的3種熒光體，并且使用硅酮樹脂(信越化學社制造6101UP)代替環(huán)氧樹脂，固化條件改為7(TC加熱1小時，進而在14(TC加熱3小時，除此以外，與實施例88同樣操作，制作發(fā)光裝置，進行評價。結果見表23。另外，進行評價時測定的發(fā)光光譜見圖47。(實施例102110)如下述表23所述那樣改變所用的熒光體，除此以外，與實施例101同樣操作，制作白色發(fā)光裝置，進行評價。結果見表23。<table>tableseeoriginaldocumentpage126</column></row><table>需要注意的是，上述熒光體的混合量是各熒光體相對于硅酮樹脂、固化劑和氣相法二氧化硅的總重量比(100)的重量比。另外，上述表23中的紅色熒光體(N)Eu(DBM)3Phen(式中，DBM是二苯甲酰基甲烷、Phen表示1,10-菲咯啉)的結構式如下所示。(實施例111120)改變各熒光體的混合量，以使白色發(fā)光裝置的色彩為電燈泡色，除此以外，與實施例101110同樣操作，制作發(fā)光裝置，進行評價。結果見表24。表24:實施例111120的結果<table>tableseeoriginaldocumentpage128</column></row><table>需要注意的是，上述熒光體的混合量是各熒光體相對于硅酮樹脂、固化劑和氣相法二氧化硅的總重量比(100)的重量比。(實施例121)使用功率芯片C395XB900(Cree社制造)代替C395MB290(Cree社制造)，并將熒光體A(綠色熒光體)、CaAlSiN3:Eu(紅色熒光體)以及BaMgAl50n:Eu(藍色熒光體)的混合量改變?yōu)橄鄬τ诠柰獦渲?、固化劑和氣相法二氧化硅總重量?100)分別為13.8重量％、3.7重量％和30.7重量％，除此以外，與實施例101同樣操作，制作白色發(fā)光裝置，進行評價。(CIEx、CIEy)為(0.401、0.156)，發(fā)光效率為3.1lm/W。產業(yè)上的可利用性本發(fā)明可用于產業(yè)上的任意領域，特別是尤其適合用于照明、圖像顯示裝置等使用光的用途。上面使用特定的方式詳細說明了本發(fā)明，但本領域技術人員明白，可以在不脫離本發(fā)明的意圖和范圍下進行各種變化。另外，本申請基于2006年2月2日提出的日本專利申請(特愿2006-26272)、2006年11月7日提出的日本專利申請(特愿2006-302031)以及2007年2月2日提出的日本專利申請(特愿2007-23824)，所以在此以引用的方式引入其全部內容支持本申請。權利要求1、一種復合氧氮化物熒光體，其特征在于，其如通式[I]所示，M1xBayM2zLuOvNw[I]通式[I]中，M1表示選自由Cr、Mn、Fe、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm和Yb組成的組中的至少一種活化元素，M2表示選自Sr、Ca、Mg和Zn中的至少一種二價金屬元素，L表示選自屬于元素周期表第4族或第14族的金屬元素中的金屬元素，x、y、z、u、v和w分別是下述范圍的數值，0.00001≦x≦30≦y≦2.999992.6≦x+y+z≦30<u≦116<v≦250<w≦17。2.6^x+y+z^30<u^ll6<v^250<w^l7。2、如權利要求1所述的復合氧氮化物熒光體，其特征在于，所述通式[I]中，u、v和w分別滿足5^u互7、9<v<15、0<w<4。3、如權利要求1或2所述的復合氧氮化物熒光體，其特征在于，所述復合氧氮化物熒光體的結晶具有三方晶系的晶胞。4、如權利要求13任一項所述的復合氧氮化物熒光體，其特征在于，所述M1至少含有Eu或Ce。5、如權利要求14任一項所述的復合氧氮化物熒光體，其特征在于，所述通式[I]中，y是0〈y〈2.99999范圍的數值。6、如權利要求15任一項所述的復合氧氮化物熒光體，其特征在于，其含有BSON相，所述BSON相是如下定義的結晶相，BSON相該結晶相在使用CuKa的X射線源的X射線衍射測定中，于衍射角(20)26.9°28.2°的范圍(RO)觀測到了衍射峰，以該衍射峰PO為基準衍射峰，根據po的布拉格角(eo)導出的5個衍射峰從低角度側開始依次設為Pl、P2、P3、P4和P5，并將這些衍射峰的衍射角的角度范圍設為Rl、R2、R3、R4和R5，其中所述5個衍射峰不包括位于20.9°22.9°的角度范圍的衍射峰，此時，Rl、R2、R3、R4和R5分另lJ表示Rl=RlsRle、R2=R2sR2e、R3=R3sR3e、R4二R4sR4e、R5二R5sR5e的角度范圍，在R1、R2、R3、R4和R5的全部范圍存在至少1個衍射峰，并且，相對于P0、Pl、P2、P3、P4和P5中衍射峰高最高的衍射峰的高度，以衍射峰高比計，P0的強度為20Q/()以上，以衍射峰高比計，Pl、P2、P3、P4和P5中至少1個以上的峰的強度是5%以上，此處，在角度范圍RO、Rl、R2、R3、R4和R5各自的角度范圍內存在2個以上衍射峰的情況下，分別將這些之中峰強度最高的峰設為PO、Pl、P2、P3、P4禾卩P5，并且，Rls、R2s、R3s、R4s和R5s分別表示Rl、R2、R3、R4和R5的開始角度，Rle、R2e、R3e、R4e和R5e分別表示Rl、R2、R3、R4和R5的終止角度，具體表示以下的角度，Rls:2xarCsin(sin(90)/(1.994x1,015)}Rle:2xarcsin(sin(90)/(1.994x0,985)}R2s:2x,in{sin(e0)/(1.412xl.015)}R2e:2xarcsin(sin(00)/(1.412x0.985)}R3s:2xarcsin{sin(eO)/(1.155x1.015))R3e:2xarcsin(sin(60)/(1.155x0.985)}R4s:2xarcsin(sin(e0)/(0.894x1.015))R4e:2xarcsin(sin(90)/(0.894x0.985;))R5s:2xarcsin{sin(60)/(0.756xl.015)}R5e:2xarcsin{sin(60)/(0.756x0.985)}。7、如權利要求16任一項所述的復合氧氮化物熒光體，其特征在于，所述復合氧氮化物熒光體在使用CuKa的X射線源的X射線衍射測定中，X射線衍射測定結果之中的雜質相的最強峰強度為所述PO、Pl、P2、P3、P4和P5之中的最強峰強度的40n/。以下。8、一種含熒光體的組合物，其特征在于，其含有權利要求17任一項所述的復合氧氮化物熒光體和液體介質。9、一種發(fā)光裝置，其特征在于，其具有激發(fā)光源和熒光體，所述熒光體在來自該激發(fā)光源的光的照射下發(fā)出綠色熒光并且具有下述(l)、(2)和(3)的特性，(1)照射455nm波長的光的情況下，150'C的發(fā)光光譜圖中的發(fā)光峰強度值與2(TC的發(fā)光光譜圖中的發(fā)光峰強度值的比例為55%以上；(2)照射410nm波長的光的情況下的發(fā)光光譜圖中的發(fā)光峰強度值與照射390nm波長的光的情況下的發(fā)光光譜圖中的發(fā)光峰強度值的比例為90%以上；(3)熒光體的發(fā)光色基于JISZ8701的色度坐標值滿足x^0.3、y^0.5。10、一種發(fā)光裝置，其特征在于，其具有激發(fā)光源和熒光體，所述熒光體在來自該激發(fā)光源的光的照射下發(fā)出綠色熒光并且具有下述(4)、(2)和(3)的特性，(4)氧氮化物結晶具有三方晶系的晶胞；(2)照射410nm波長的光的情況下的發(fā)光光譜圖中的發(fā)光峰強度值與照射390nm波長的光的情況下的發(fā)光光譜圖中的發(fā)光峰強度值的比例為90%以上；(3)熒光體的發(fā)光色基于JISZ8701的色度坐標值滿足x^0.3、y^0.5。11、如權利要求9或10所述的發(fā)光裝置，其中，與通電前的色度(x，，y，)相比，在氣溫85°C、相對濕度85°/。的環(huán)境下，以電流密度238mA/mm2通電200小時后的發(fā)光的色度(x，y)的值分別滿足Ix-x'I^0.035、OSIy-y，i0.035。12、如權利要求911任一項所述的發(fā)光裝置，其特征在于，其發(fā)光效率為301m/W以上。13、如權利要求912任一項所述的發(fā)光裝置，其特征在于，其含有一種以上權利要求17任一項所述的復合氧氮化物熒光體作為所述熒光體。14、一種發(fā)光裝置，其具有第1發(fā)光體和第2發(fā)光體，所述第2發(fā)光體在來自該第1發(fā)光體的光的照射下發(fā)出可見光，其特征在于，所述發(fā)光裝置含有第1熒光體作為所述第2發(fā)光體，所述第1熒光體含有一種以上權利要求17任一項所述的復合氧氮化物熒光體。15、如權利要求14所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述發(fā)光裝置含有第2熒光體作為第2發(fā)光體，所述第2熒光體含有發(fā)光峰波長與所述第1熒光體不同的一種以上的熒光體。16、如權利要求15所述的發(fā)光裝置，其特征在于，其含有一種以上在570nm780nm的波長范圍具有發(fā)光峰波長的熒光體作為所述第2熒光體。17、如權利要求1416任一項所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述第1發(fā)光體在420nm500nm的波長范圍具有發(fā)光峰。18、如權利要求15所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述第1發(fā)光體在300nm420nm的波長范圍具有發(fā)光峰，作為所述第2熒光體，所述發(fā)光裝置含有至少一種在420nm490nm的波長范圍具有發(fā)光峰的熒光體和至少一種在570nm780nm的波長范圍具有發(fā)光峰的熒光體。19、如權利要求1518任一項所述的發(fā)光裝置，其特征在于，作為所述第2熒光體，所述發(fā)光裝置含有選自由(Ca,Sr,Ba)2Si5(N,0)8:Eu、(Ca，Sr,Ba)Si(N，0)2:Eu、(Ca，Sr,Ba)AlSi(N,0)3:Eu、(Ca,Sr，Ba)AlSi(N,0)3:Ce、(Sr,Ba)3Si05:Eu、(Ca,Sr)S:Eu、(La,Y)202S:Eu和Eu絡合物組成的組中的至少一種熒光體。20、如權利要求18或19所述的發(fā)光裝置，其特征在于，作為所述第2熒光體，所述發(fā)光裝置含有選自由(Ca，Sr,Ba)MgAlu)0,7:Eu、(Sr,Ca,Ba，Mg)K)(p04)6(Cl,F)2:Eu和(Ba,Ca，Mg,Sr)2Si04:Eu組成的組中的至少一種熒光體。21、如權利要求920任一項所述的發(fā)光裝置，其特征在于，其發(fā)光色處于JISZS701中用(黃)白、(綠)白、(藍)白、(紫)白和白規(guī)定的范圍。22、一種圖像顯示裝置，其特征在于，其具有權利要求921任一項所述的發(fā)光裝置。23、一種照明裝置，其特征在于，其具有權利要求921任一項所述的發(fā)光裝置。24、一種復合氧氮化物，其特征在于，其如通式[II]所示，Bay'M2，z.Lu'Ov'Nw.[II]通式[II]中，M2，表示選自Sr、Ca、Mg、Zn、Cr、Mn、Fe、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一種金屬元素，L表示選自屬于元素周期表第4族或第14族的金屬元素中的金屬元素，y'、z'、u，、v'和w'分別是下述范圍的數值，2.6蕓y，+z，^39<v，<150<w,<4。25、如權利要求24所述的復合氧氮化物，其特征在于，所述復合氧氮化物的結晶具有三方晶系的晶胞。26、如權利要求24或25所述的復合氧氮化物，其特征在于，其含有BSON相，所述BSON相是如下定義的結晶相，BSON相該結晶相在使用CuKa的X射線源的X射線衍射測定中，于衍射角(20)26.9°28.2。的范圍(R0)觀測到了衍射峰，以該衍射峰(P0)為基準衍射峰，根據po的布拉格角(eo)導出的5個衍射峰從低角度側開始依次設為Pl、P2、P3、P4和P5，并將這些衍射峰的衍射角的角度范圍設為Rl、R2、R3、R4和R5，其中所述5個衍射峰不包括位于20.9°22.9°的角度范圍的衍射峰，此時，Rl、R2、R3、R4和R5分別表示Rl=RlsRle、R2二R2sR2e、R3=R3sR36、R4=R4sR4e、R5二R5sR5e的角度范圍，在R1、R2、R3、R4禾PR5的全部范圍存在至少1個衍射峰，并且，相對于P0、Pl、P2、P3、P4和P5中衍射峰高最高的衍射峰的高度，以衍射峰高比計，P0的強度為20。/。以上，以衍射峰高比計，Pl、P2、P3、P4和P5中至少1個以上的峰的強度是5%以上，此處，在角度范圍RO、Rl、R2、R3、R4和R5各自的角度范圍內存在2個以上衍射峰的情況下，分別將這些之中峰強度最高的峰設為PO、Pl、P2、P3、P4禾口P5，并且，Rls、R2s、R3s、R4s和R5s分別表示Rl、R2、R3、R4禾BR5的開始角度，Rle、R2e、R3e、R4e和R5e分別表示Rl、R2、R3、R4和R5的終止角度，具體表示以下的角度，Rls:2xarcsin(sin(60)/(1.994x1.015))Rle:2xarcsin(sin(90)/(1.994x0.985)}R2s:2xarcsin(sin(0O)/(1.412x1.015))R2e:2xarcsin(sin(00)/(1.412x0.985)}R3s:2xarcsin{sin(0O)/(l.155x1.015)}R3e:2xarcsin(sin(00)/(1.155x0.985)}R4s:2xarcsin(sin(0O)/(O.894x1.015))R4e:2xarcsin(sin(60)/(0.894x0.985"R5s:2xarcsin(sin(0O)/(O.756x1.015)}R5e:2xarcsin{sin(e0)/(0.756x0.985)}。27、如權利要求2426任一項所述的復合氧氮化物，其特征在于，所述復合氧氮化物在使用CuKa的X射線源的X射線衍射測定中，X射線衍射測定結果之中的雜質相的最強峰強度為所述PO、Pl、P2、P3、P4和P5之中的最強峰強度的40%以下。全文摘要為了提供一種對藍色光或近紫外光的轉換效率高且色純度良好的綠色熒光體，本發(fā)明提出了以通式[I]表示的復合氧氮化物熒光體。式[I]中，M1表示Cr、Mn、Fe、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm和Yb，M2表示Sr、Ca、Mg和Zn，L表示屬于元素周期表第4族或第14族的金屬元素，x、y、z、u、v和w分別是下述的數值，0.00001≤x≤3、0≤y≤2.99999、2.6≤x+y+z≤3、0＜u≤11、6＜v≤25、0＜w≤17。M1_xBa_yM2_zL_uO_vN_w[I]。文檔編號H01L33/62GK101379163SQ200780004248公開日2009年3月4日申請日期2007年2月2日優(yōu)先權日2006年2月2日發(fā)明者三上昌義,上田恭太,下岡智,伊村宏之,堀部謙太郎,木島直人申請人:三菱化學株式會社