專利名稱：：用于使污染及表面退化最小化的中間介電層的表面改變的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明大體上涉及半導體系統(tǒng)，尤其涉及先進的半導體制造系統(tǒng)及i殳備系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
：半導體設(shè)備用于像移動電話、收音機、及電視機等產(chǎn)品。該半導體設(shè)備包括由嵌在絕緣材料中的導線連接的集成電路。隨著半導體設(shè)備尺寸的減小以及低介電常數(shù)(k)中間層介電(ILD)絕緣材料的使用，獲得可靠的半導體設(shè)備變得越來越富有才兆戰(zhàn)性。尤其，可靠性問題以泄漏、電遷移、應力遷移、擊穿電壓、以及隨時間變化的介電質(zhì)層崩潰(TDDB)等形式發(fā)生在銅(Cu)線與低kILD材料之間的分界面。Cu容易地擴散入硅(Si)并引起該介電材料的退化。Cu也容易被氧化及腐蝕。因此，由材料如氮化硅(SiN)或碳化硅(SiC)構(gòu)成的覆蓋層作為鈍化層被放在該Cu表面，以防止Cu氧化及Cu遷移入該ILD。然而，由于Cu與該覆蓋層之間的弱粘合力，該Cu/覆蓋層的分界面仍然是主要的失效路徑之一。在制造工藝中(如，Cu化學才幾械拋光(CMP)或金屬覆蓋層(如鈷鴒磷(CoWP))的化學鍍)，該介電層受到表面污染。這些污染物是帶電且可移動的，特別在應力下(高溫及電場)。這些污染物的移動性導致高泄漏電流，且當它們沿該分界面移動時，可導致對該介電材沖+的損壞。低k材料(特別是多孔的低k材料)密度小于二氧化硅(Si02)介電材料，且具有較弱的機械屬性，即其化學鍵較容易斷開。由濕法化學或氧化等離子清潔工藝引起的損壞清楚地表現(xiàn)為越來越大的自由4建密度、末端四曱基-圭(Si-CH3)4建向更加親水的硅烷(Si-OH)基團的轉(zhuǎn)化。這些轉(zhuǎn)化導致濕法的接觸角減小、水分才聶入增大、k-值變大、以及泄漏電流惡化。為了防止Cu遷移入周圍的介電材料，該Cu被阻擋層包裹。水分累積的增大可促進在該阻擋層/Cu分界面的該阻擋層及Cu的氧化。已知這種過程縮短TDDB壽命。多孔的低k電介質(zhì)對水分4聶入更加毐文感，因此越來越關(guān)注其介質(zhì)擊穿性能?？傊?，影響設(shè)備可靠性的一些因素是該Cu/覆蓋層的分界面的性質(zhì)、該介電材料的表面污染物、以及由機械損壞引起的低k電介質(zhì)的退化、由疏水向親水的表面改變、以及水分攝入。盡管進行了很多嘗試以通過施加金屬/金屬合金覆蓋層至銅互連提高設(shè)備可靠性，對分界面可靠性有關(guān)的問題的解決方案也尋找^艮長時間，-f旦長期以來本領(lǐng)域才支術(shù)的人員始終未能找到。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供半導體系統(tǒng)，包括提供介電層；在該介電層提供導體，該導體暴露在該介電層的頂部；覆蓋該暴露的導體；以及改變該介電層的表面，其中改變該表面包括通過將該導體溶解在低pH溶液中清理導體離子、溶解該導體離子下方的介電層、^L械增強清潔、或用化學方法吸收介電層上的疏水層。當參考附圖閱讀下文的詳細描述時，這些優(yōu)點將對本領(lǐng)域才支術(shù)人員而言變得顯而易見。圖l是根據(jù)本發(fā)明的第一實施例，CMP步驟之后，半導體互連的全貌圖2是才艮據(jù)本發(fā)明的第一實施例，氧化移除步驟之后，該半導體互連的全貌圖3是根據(jù)本發(fā)明的第一實施例，疏水層形成步驟之后，該半導體互連的全貌圖4是根據(jù)本發(fā)明的第一實施例，覆蓋步驟之后，該半導體互連的全貌8圖5是根據(jù)本發(fā)明的第二實施例，CMP步驟之后，該半導體互連的全貌圖6是根據(jù)本發(fā)明的第二實施例，氧化移除步驟之后，該半導體互連的全貌圖7是根據(jù)本發(fā)明的第二實施例，覆蓋步驟之后，該半導體互連的全貌圖8是才艮據(jù)本發(fā)明的第二實施例，后沉積處理步驟之后，該半導體互連的全貌圖9顯示用于實施本發(fā)明一個實施例的半導體系統(tǒng)；以及圖IO是才艮據(jù)本發(fā)明另一實施例，半導體系統(tǒng)的流程圖。具體實施例方式對下面的實施例進行足夠詳細的描述，以使本領(lǐng)域普通技術(shù)人員能夠制造和使用本發(fā)明?？梢岳斫猓诋斍暗墓_內(nèi)容，其它實施例將是顯而易見的，且可作出系統(tǒng)、工藝或機械的變化而沒有偏離本發(fā)明的范圍。在下面的描述中，給出多個具體細節(jié)以^是供對本發(fā)明的徹底理解。然而，顯然可在沒有這些具體描述情況下實施本發(fā)明。為了避免使本發(fā)明變得模糊不清，沒有對某些已知的電路、系統(tǒng)、構(gòu)造及工藝步驟進行詳細描述。同樣地，顯示本發(fā)明實施例的這些附圖是半示意圖，并不是按一定比例繪制，且尤其，某些尺寸是用于清楚顯示本發(fā)明，并在圖中進行了夸大顯示。另外，在揭示并描述具有一些共同的特4i的多個實施例中，為了清楚以及便于對其說明、描述及理解，彼此類似或相似的特征通常將用相似的參考標號進行描述。為了描述方便，這些實施例被編號為第一實施例、第二實施例等，而并沒有任何其他意義或者對本發(fā)明的限制。為了說明目的，此處所用的術(shù)語"水平的"被定義為平行于該集成電^^的平面或表面的平面，而不管其方向。術(shù)語"豎直的"指的是垂直于前述定義的7K平的方向。術(shù)語，例如"上方"、"下方"、"底部"、"頂部"、"側(cè)面(side)"(如在"側(cè)壁"中)、"4交高"、"下面的"、"上面的"、"在…上方(over)"、"上"及"下"，是相對水平面進行定義的。術(shù)i吾"在...上(on)"意p木著元件之間的直4^接觸。此處所用的術(shù)語"處理"包括材料的沉積、圖案化(patterning),爆光(exposure)、顯景》(development)、個蟲刻、；青〉、吉、成型(molding)、和/或材坤+的移除或才艮據(jù)形成所描述的結(jié)構(gòu)。此處所用的術(shù)語"系統(tǒng)"，根據(jù)使用該術(shù)語的上下文，意味著且指的是本發(fā)明的方法及裝置。本發(fā)明涉及通過最小化或消除ILD污染，解決電介質(zhì)引起的可靠性問題，以及導致更高的泄漏電流、更低的擊穿電壓以及更短的介質(zhì)擊穿時間的表面退化。在Cu互連上形成覆蓋層的該工藝流程一般由幾個步驟構(gòu)成，其可包纟舌下述清潔銅表面以建立沒有銅氧化物的表面以及牢固粘合有機化合物；同樣的工藝步驟也用作從該電介質(zhì)表面移除污染物；乂人該晶片表面沖洗4皁該清潔4匕學品；10選擇性沉積金屬/金屬合金覆蓋(cap)至銅特4正；該金屬/金屬合金覆蓋和/或ILD的后處理，以4吏沉積引起的ILD污染最小^匕和/或^是高該膜的^t腐蝕性；用去離子水沖洗該晶片表面；和/或干燥該晶片。本發(fā)明的實施例一般在給定點增加工藝步驟至上述工藝流程。1.在Cu結(jié)構(gòu)上形成金屬/金屬合金覆蓋之后，用不同的干燥方法移除水分在銅互連上選擇性沉積覆蓋層之后立即使用的旋轉(zhuǎn)沖洗/干燥才支術(shù)并不能完全移除水分。用下述工藝之一可實現(xiàn)水分的顯著減少a.覆蓋層沉積之后進行熱處理i.在惰性(N2等)環(huán)境或真空環(huán)境中烘干或者ii.用熱的惰性氣體干燥；上述兩者均在約30。C至約15(TC的溫度下進行。b.金屬覆蓋層沉積之后用超臨界C02進行臨界點干燥(臨界點干燥使用從自次臨界流體至超臨界流體的溶液，從而通過保持氣體與液體的密度相當以避免氣-液分界面)；c.金屬覆蓋層沉積之后，用例如^f旦并不限于脫水酒精的脫水劑進行干燥；或者iid.用水反應性化學品，例如但并不限于，二叔丁基碳酸氫鈉、乙酸酐等干燥。這些化合物與水的反應簡要描述于方程式1及2(CH3)3COCOOCOOC(CH3)3+H20=2C02+2(CH3)3COH只于于乙g臾酐CH3COOCOCH3+H20=2CH3COOH這些起始化學品的進一步的優(yōu)點是其反應產(chǎn)品或者是氣態(tài)的或者是易揮發(fā)的化合物。該工藝是在全部金屬覆蓋層沉積工藝順序的最終干燥部分中執(zhí)行。特別地，該金屬/金屬合金覆蓋沉積工藝之后，該晶片一般用簡單的化學品沖洗或者利用化學品沖洗與擦洗的組合進4亍后清潔，然后再在DI中用或者不用化學品沖洗，然后該晶片被旋轉(zhuǎn)干燥以移除非附著的水。此階段之后，將水反應性化學品引入至該晶片。將該水反應性液體分配在整個晶片表面上之后，并經(jīng)過適當?shù)姆磻獣r間，該晶片被旋轉(zhuǎn)干燥，該工藝完成。該水反應性液體的反應可在室溫或者更高的溫度下進4亍，以改變反應時間及反應產(chǎn)率。這些過程(即，干燥)作為工藝流程中最后的步驟進行。2.在Cu結(jié)構(gòu)上形成金屬或金屬合金覆蓋之后，立即移除表面污染a.通過在該工藝流程中干燥步驟之后引入的等離子(例如，Ar、N2、NH3、H2...)清潔；b.超臨界C02干燥作為該工藝步驟中的最后步驟；12c.通過下面方式從該介電表面去除金屬離子i.絡(luò)合(用化學品如羥乙基乙二胺三醋酸(HEDTA)、氰化物等在放熱過程中形成鍵)或者ii.改變ILD表面上的金屬化合物的電荷以及該ILD的表面電荷(即，寸氐pH溶液(pH<2))4吏4尋這兩個表面以及該金屬化合物帶正電；后者通過使連接至金屬離子的該化合物質(zhì)子化以分解該金屬化合物/復合物而實現(xiàn)；d.在低pH溶液中溶解形成在ILD上的金屬；e.通過溶解ILD剝離污染物；f.上述的組合；或者g.上述任意一個與機械增強清潔(例如擦洗)的組合。在一個實施例中，該濕法清潔制劑也應當包含腐蝕4中制劑和/或除氧劑以使從該覆蓋層移除的金屬/金屬合金最少。在另一實施例中，該濕法清潔工藝在缺氧氣氛中進行(O2<20%vol.)。步驟c、d及e也包括在該覆蓋工藝的后處理階段。3.在Cu結(jié)構(gòu)上形成金屬或金屬合金覆蓋之前(在ILD上)或者之后(ILD、金屬覆蓋或者兩者)，立即通過疏水層表面改性。該疏水層或者選4爭性地用化學方法吸附在該介電層上、在該金屬/金屬合金覆蓋上，或者既覆蓋(cover)該金屬覆蓋層(像CoWP、CoWB等)又覆蓋介電表面。這樣的疏水層可使用但并不限于包含至少一個非極性基團的硅烷形成，在經(jīng)另一官能團將該硅烷4建合至該基板或其它無才幾陰離子之后(該無機陰離子連接至疏水基團或基團組(例如長鏈烷基或芳基))，該非極性基團保留在該表面上。在該硅烷上的活性官能團可為但并不限于Si-OR、Si-X或Si-NH-Si(其中R為烷基或芳基基團，而X為卣素)。沒有直接落在上述分類內(nèi)但可用于形成疏水層的又一個硅烷基團是氮雜環(huán)硅烷。非石圭烷化合物的一些示例是烷基磷酸酯或膦酸酯。該表面活性官能團必須足夠牢固地鍵合至該表面從而在覆蓋過程中以及之后能保留在該表面。當用在該覆蓋工藝之前(即，在Cu結(jié)構(gòu)上形成金屬或金屬合金覆蓋之前)，必須清潔該ILD以及該被嵌入的Cu結(jié)構(gòu)。為了避免硅烷層形成在Cu結(jié)構(gòu)上，該清潔優(yōu)選從該銅結(jié)構(gòu)上移除銅氧化物。由于硅烷對沒有氧化的銅的附著力很弱(如果該硅烷化合物不包含很強的鍵合基團，例如胺基、巰基等)，該硅烷層的形成將被限制在該介電區(qū);或。該工藝建立疏水層，因此不推薦使用任何經(jīng)歷質(zhì)子化/去質(zhì)子化反應的官能團或者水中的氫鍵合。優(yōu)選的對水不敏感的官能團是烷基、芳基、或者它們的衍生物，其一個或多個(或者最終所有)氫原子被交換為卣素原子如氟、氯、溴、碘，最優(yōu)選氟。該層可通過將該基板暴露至硅烷蒸汽(對于易揮發(fā)的硅烷)或者溶劑形成，比如但并不限于乙醇、異丙醇、l-曱基-2-他咯烷酮或氯仿，對于受水解影響較小的硅烷以及烷基磷酸酯及烷基膦酸酯而言，包含最對水敏感的硅烷或水溶液。然而，后者化合物，如受水解影響較小的硅烷以及烷基磷酸酯及烷基膦酸酯，也可用于無水溶液中。此外，如果需要，該基板可被直接暴露在該硅烷化合物，而不使用任何溶劑。該暴露優(yōu)選在室溫下進行，但較低或較高的溫度也可用于控制層的厚度及交聯(lián)。表l顯示在不同類型的介電材料上用硅烷處理獲得的結(jié)果。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>由上述詳細工藝形成的該疏水層也作為3寸處理后水分纟聶入的阻擋層。例如存儲期間的該水分攝入可導致覆蓋層的氧化和腐蝕，其最纟冬導致更大的ILD污染，以及由此更高的泄漏電流、更壞的電壓擊穿、以及降低的TDDB性能。另外，該覆蓋層的阻擋擴散的性能也將因腐蝕而受到不利影響。上面和克述的該發(fā)u7j^層可在實際的覆蓋層;兄積之前、才尤在該覆蓋層形成之后形成(見下文)或者作為后處理的一部分。4.通過將形成疏水層的成分包含在該沉積溶液浴中，進行表面改變。上述方法的任何組合都是可行的。本申請以銅互連作為示例進行討論，但并不限于Cu互連。例l將圖案化的晶片暴露在清潔溶液，以從該表面移除氧化銅，接著沖洗并干燥。隨后，該晶片在室溫下被暴露在甲苯三甲氧基硅烷蒸汽中300秒鐘，接著用異丙醇及DI沖洗。這些步驟之后，該晶片或者經(jīng)歷進一步的清潔步驟或者經(jīng)歷非電沉積，隨后如果需要進行后-清潔，接著沖洗并干燥。以這種方式獲得的該表面即使在整個沉積工藝之后仍^f呆持強的疏水特性。在多凄t情況下，用石圭烷處理的全部工藝之后，該表面的4妄觸角比未處理的晶片高。不用石圭》克處理時，該接觸角顯著低于未處理的晶片的接觸角。對于硅氧化物或其他含介電材料如黑金剛石的石圭氧化物，這個陳述也是有效的。現(xiàn)在參考圖l，根據(jù)本發(fā)明第一實施例，顯示CMP步驟之后，半導體互連100的全貌圖。半導體晶片102可以是如石圭、鎵砷化物、金剛石等材料。該半導體晶片102已#:處理以在其內(nèi)和其上方形成半導體元件，如晶體管。介電層104(例如ILD);故沉積在該半導體晶片102上。該介電層104是如硅氧化物(SiOx)、四乙基原硅酸鹽(TEOS)、硼磷硅酸鹽(BPSG)玻璃等介電材料(介電常數(shù)從4.2至3.9)或如氟化四乙基原石圭酸鹽(FTEOS)、氫矽酸鹽(HSQ)、苯并環(huán)丁烯(BCB)等低介電常數(shù)介電材料(介電常數(shù)低于3.9)。超低介電常數(shù)介電材料為介電常數(shù)低于2.5的介電材料。這些材料的示例包括商業(yè)可得的特氟龍、特氟龍-AF、特氟龍微乳液、聚酰亞胺納米泡沫、硅石氣凝膠、二氧化硅干凝膠、以及介孔氧化硅。處理該介電層104以在其內(nèi)形成通道(channel)或通孔(via),其中襯有(linedwith)阻擋層106。該阻擋層106由材料如鉭(Ta)、氮化鉭(TaN)、鈥(Ti)、鴒(W)、其合金，以及其化合物構(gòu)成。用導體108,如銅(Cu)、鋁(Al)、金(Au)、銀(Ag)、其合金，以及其4b合物i真充該阻擋層106。該半導體互連100經(jīng)歷CMP且該導體108被氧化以形成氧化層110。在一個實施例中，該導體108為銅，該氧化層110為銅氧化物。現(xiàn)在參考圖2，才艮據(jù)本發(fā)明第一實施例，其中顯示氧化移除步驟之后，該半導體互連100的全貌圖。該氧化移除步艱《移除圖l的該氧〗匕層110?，F(xiàn)在參考圖3，才艮據(jù)本發(fā)明第一實施例，顯示疏7JC層形成步驟之后，該半導體互連100的全貌圖。在一個實施例中，疏水層300可為硅烷層。由于該疏水層300的特性，其未形成在該阻擋層106或該導體108上，^f旦具有表面活性官能團以牢固地鍵合至該介電層104,以在進一步的處理期間得以保留。現(xiàn)在參考4，才艮據(jù)本發(fā)明第一實施例，顯示覆蓋步驟之后，該半導體互連100的全貌圖。接著，覆蓋層400被沉積在該阻擋層106及該導體108上。該覆蓋層400可為金屬或金屬化合物如鈷(Co)或鈷鴒磷(CoWP)、鈷鴒硼(CoWB)、鈷鴒石粦硼(CoWPB)等，通過無電沉積沉積。例2沉積該覆蓋層以及沖洗該晶片表面以移除沉積溶液之后，4察洗該晶片以/人該表面移除污染物。該^"洗溶液包含腐蝕抑制劑(即，三哇化合物，例如曱苯三唑、苯并三哇)、除氧劑(即L-抗壞血酸)，以及絡(luò)合劑，其也作為該清潔溶液的pH調(diào)節(jié)劑。一個這樣的pH調(diào)節(jié)劑為草酸。該溶液的pH介于1.5至2.0。該抑制劑的濃度介于0.1至10000ppm，最優(yōu)選100至2000ppm。該除氧劑的濃度介于O至lOOOOppm，最優(yōu)選介于1000至SOOOppm。該草酸的濃度介于2至50g/L,最優(yōu)選介于5至15g/L。根據(jù)本發(fā)明實施例，該方法的步驟為1.在Cu結(jié)構(gòu)上形成金屬或金屬合金覆蓋之后，用不同的干燥方法移除水分a.在CuCMP與覆蓋層沉積之間進^f亍熱處理i.在惰性(N2、Ar等)環(huán)境或真空環(huán)境下烘干或者ii.用熱的惰性氣體干燥；b.用超臨界C02進行臨界點干燥；c.用脫水劑，例如4旦并不限于脫水酒^[，進4亍干燥；或者d.用水反應性化學品干燥。2.在Cu結(jié)構(gòu)上形成金屬或金屬合金覆蓋之后，移除表面污染a.用等離子(如Ar、N2、NH3、H2...)表面清潔；b.超臨界C02表面清潔；c.通過下列方式從該介電表面移除金屬離子i.絡(luò)合(如HEDTA、氰化物)或者18ii.改變在該ILD表面上的金屬化合物的電荷以及該ILD的表面電4肓；d.在低pH溶液中溶解金屬；e.通過溶解ILD剝離污染物；f.上述的組合；或者g.上述任何一個與才幾械增強清潔(如l察洗)的組合3.通過建立疏水層的表面改性。在Cu結(jié)構(gòu)上形成金屬或金屬合金覆蓋之前(在ILD上)或者之后(ILD、金屬覆蓋或者兩者)，使用多官能團硅烷(其中至少一個該官能團為非極性且在該疏水層形成過程中及之后保持完整，而其它官能團與基4反反應并將該石圭烷4建合至該表面)或者任4可由疏水官能團及至少一個無才幾酸基團構(gòu)成的混合化合物，該無機酸基團足夠牢固地4定合至該表面以在覆蓋過程中及之后^f呆持在該表面上。4.通過將形成疏水層的成分包含在該沉積溶液浴中，進行表面改性。上面提到的方法的任何組合是本發(fā)明實施例的一部分。本申請以Cu互連作為示例進^S寸i侖，^f旦并不限于Cu互連?，F(xiàn)在參考圖5，4艮據(jù)本發(fā)明的第二實施例，顯示CMP步驟之后，半導體互連100的全貌圖。該結(jié)構(gòu)與圖l的結(jié)構(gòu)相同?，F(xiàn)在參考圖6，才艮據(jù)本發(fā)明第二實施例，顯示氧化物移除步驟之后，半導體互連100的全貌圖。該結(jié)構(gòu)與圖2的結(jié)構(gòu)相同?，F(xiàn)在參考圖7，根據(jù)本發(fā)明第二實施例，顯示覆蓋步驟之后，半導體互連100的全貌圖。接著，在該阻擋層106及該導體108上;;冗積覆蓋層700。該覆蓋層700可為金屬或金屬化合物，例如通過化學沉積沉積的鈷(Co)或鈷鵠磷(CoWP)?，F(xiàn)在參考圖8，才艮據(jù)本發(fā)明第二實施例，顯示后沉積處理步驟之后，半導體互連100的全貌圖。在一個實施例中，疏水層800可為硅烷層。該疏水層800形成在該覆蓋層700上方，且具有表面活性官能團以牢固地4建合于該介電層104，從而在進一步的處理中得以保持。現(xiàn)在參考圖9,顯示用于實施本發(fā)明實施例的半導體系統(tǒng)900。該半導體系統(tǒng)900可批J亍多步驟處理，包括作為示例的表面準備、開始、可選的沖洗、沉積、以及后沉積處理。該半導體系統(tǒng)900包括晶片處理室及相關(guān)系統(tǒng)902和分配及相關(guān)系統(tǒng)卯4。現(xiàn)在參考圖IO，才艮據(jù)本發(fā)明的另一實施例，顯示半導體系統(tǒng)IOOO的流程圖。該半導體系統(tǒng)包括在方?jīng)_匡1002，^是供介電層；在方框1004，在該介電層提供導體，該導體暴露在該介電層的頂部；在方框1006,覆蓋該暴露的導體；以及在方框1008,改變該介電層的表面，其中改變該表面包括通過將該導體溶解在低pH溶液中而從該介電層清潔導體離子、溶解該導體離子下方的該介電層、才幾械增強清潔或者用化學方法吸附該介電層上的疏水層。類似的進一步處理以建立額外的導體層及介電層之后，該晶片被分割(singulated)為單個的半導體芯片，并封裝入集成電路包裝。盡管結(jié)合具體的最佳實施例，對本發(fā)明進行了描述，可以理解根據(jù)前述描述，很多替換、改變及變化對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言20是顯而易見的。因此，本發(fā)明意圖是包括落入所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)的所有這些替換、改變及變化。這里目前為止闡述的或者附圖顯示的所有情況將解釋為說明性而非限定目的。權(quán)利要求1.一種制造互連器件的方法，包括提供介電層(104)；在該介電層(104)中提供導體(108)，該導體(108)暴露在該介電層(104)的頂部；覆蓋該暴露的導體(108)；以及改變該介電層(104)的表面，其中改變該表面包括通過將該導體(108)溶解在低pH溶液中而從該介電層(104)清潔該導體(108)離子、溶解該導體(108)離子下方的介電層(104)、機械增強性清潔或在該介電層(104)上化學吸附疏水層(800)。2.如權(quán)利要求1的方法，其中改變該表面包括覆蓋之后，通過在惰性或真空環(huán)境，或者熱的惰性氣體中烘干進行熱處理。3.如權(quán)利要求1的方法，其中改變該表面包括覆蓋之后，用超臨界氣體進行臨界點干燥。4.如權(quán)利要求1的方法，其中改變該表面包括覆蓋之后，用脫水劑、水反應性化學品、或其組合進行干燥。5.如權(quán)利要求1的方法，其中改變該表面包括覆蓋之后，進行等離子清潔、超臨界氣體清潔，或其組合。6.如權(quán)利要求1的方法，其中改變該表面包括通過絡(luò)合，從該介電層(104)清潔該導體(108)離子。7.如權(quán)利要求1的方法，其中改變該表面包括通過改變該導體(108)的電荷以及該介電層(104)的表面電荷而從該介電層(104)清潔導體(108)離子。8.—種制造互連器件的方法，包括提供介電層(104);在該介電層(104)中提供導體(108),該導體(108)暴露在該介電層(104)頂部；覆蓋該暴露的導體(108);以及改變該介電層(104)的表面，其中改變該表面包括在該介電層(104)、該覆蓋層(400)(700)或其組合上建立疏水層(800)。9.如權(quán)利要求8的方法，其中改變該表面包括覆蓋之后，通過在惰性或真空環(huán)境、或者熱的惰性氣體中烘干進行熱處理。10.如權(quán)利要求8的方法，其中改變該表面包括覆蓋之后，用超臨界氣體進行臨界點千燥。11.如^f又利要求8的方法，其中改變該表面包括覆蓋之后，用脫水劑、水反應性化學品、或其組合進行干燥。12.如權(quán)利要求8的方法，其中改變該表面包括覆蓋之后，進行等離子清潔、超臨界氣體清潔，或其組合。13.如權(quán)利要求8的方法，其中改變該表面包括通過絡(luò)合，從該介電層(104)清潔該導體(108)離子。14.如4又利要求8的方法，其中改變該表面包4舌通過改變該導體(108)的電^i以及該介電層(104)的表面電荷，乂人該介電層(104)清潔導體(108)離子。15.—種制造互連器件的方法，包括提供介電層(104);在該介電層(104)中提供導體(108)，該導體(108)暴露在該介電層(104)的頂部；用覆蓋材料覆蓋該暴露的導體(108);以及通過覆蓋之后立即水分移除、表面污染移除或者形成該導體(108)或覆蓋材料之后立即形成疏水層(800),或其組合，改變該介電層(104)的表面。16.如權(quán)利要求15的方法，其中改變該表面包括覆蓋之前，通過在惰性或真空環(huán)境、或者熱的惰性氣體中、在約3(TC至約15(TC的溫度下烘干進行熱處理。17.如權(quán)利要求15的方法，其中改變該表面包括覆蓋之后，用二氧化碳進行臨界點干燥。18.如權(quán)利要求15的方法，其中改變該表面包括覆蓋之后，用脫水酒精、水反應性二7f又丁基碳酸氫鈉或乙酸酐，或其組合進行干燥。19.如權(quán)利要求15的方法，其中改變該表面包括覆蓋之后，非反應氣體等離子清潔、超臨界二氧化碳清潔、或其組合。20.如4又利要求15的方法，其中改變該表面包4舌通過用HEDTA或氰化物絡(luò)合從該介電層(104)清潔導體(108)離子。21.如權(quán)利要求15的方法，其中改變該表面包括通過用低于2的pH〉容液改變該導體(108)的電荷與該介電層(104)的表面電荷，從該介電層(104)清潔導體(108)離子。22.如權(quán)利要求15的方法，其中改變該表面包括通過在低于2的pH溶液中溶解該導體(108)而乂人該介電層(104)清潔導體(108)離子、通過溶解該導體(108)離子下方的該介電層(104)而剝離污染物、枳4成纟察洗清潔或其組合。23.如^L利要求15的方法，其中改變該表面包4舌在該介電層(104)上用化學方法吸附非胺基或非巰基硅烷疏水層(800)。24.如片又利要求15的方法，其中？支變該表面包4舌在該介電層(104)、該覆蓋層(400)(700)或其組合上，建立石圭;院、氮雜環(huán)石圭;院或膦酸酯發(fā)u水層(800)。25.如片又利要求15的方法，其中改變該表面包4舌通過暴露在包括乙醇、異丙醇、l-曱基-2-吡咯烷酮或氯仿、烷基膦酸酯、或烷基磷酸酯的石圭烷蒸汽或溶劑，在該介電層(104)、該覆蓋層(400)(700)或其組合上建立疏水層(800)。26.如4又利要求15的方法，其中改變該表面包4舌在氧以體積計小于(20)20%的環(huán)境中，用腐蝕抑制劑或除氧劑濕法清潔該晶片。全文摘要半導體系統(tǒng)包括提供介電層(104)；在該介電層(104)內(nèi)提供導體(108)，該導體(108)暴露在該介電層(104)的頂部；覆蓋(capping)該暴露的導體(108)；以及改變該介電層(104)的表面，改變該介電層(104)的表面，其中改變該表面包括通過將該導體(108)溶解在低pH溶液中而將該導體(108)離子從該介電層(104)清潔掉、溶解該導體(108)離子下方的介電層(104)、機械增強清潔或用化學方法吸附在該介電層(104)上的疏水層(800)。文檔編號H01L21/02GK101467232SQ200780021363公開日2009年6月24日申請日期2007年6月9日優(yōu)先權(quán)日2006年6月9日發(fā)明者李南海,瑪麗娜·波利揚斯基亞,詹森·科爾內(nèi)耶,阿爾圖爾·科利奇,馬克·韋斯申請人:朗姆研究公司