專利名稱：襯底處理系統(tǒng)以及襯底搬送方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及對半導(dǎo)體晶片等的被處理襯底進(jìn)行包括光刻工序的處 理的襯底處理系統(tǒng)以及襯底搬送方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體器件的制造工藝中，為了在半導(dǎo)體晶片(以下有時記為"晶 片")上進(jìn)行圖案形成，反復(fù)進(jìn)行光刻工序。在光刻工序中，進(jìn)行在半 導(dǎo)體晶片表面上形成抗蝕劑膜的抗蝕劑涂敷處理、對涂敷抗蝕劑后的晶
片使用曝光掩模進(jìn)行曝光的曝光處理和對曝光后的晶片進(jìn)行顯影的顯
影處理。另外，在曝光處理之前進(jìn)行曝光前烘焙(PAB)處理、在曝光 處理之后進(jìn)行曝光后烘焙(Post Exposure Bake: PEB )處理。
在半導(dǎo)體制造工藝中，光刻工序在連接到工廠內(nèi)的自動搬送系統(tǒng) (AMHS; Automated Material Handling Systems:自動材并+處理系統(tǒng)) 的光刻處理部中進(jìn)行。以往，光刻處理部如下構(gòu)成受工藝上的制約， 串聯(lián)配置抗蝕劑涂敷顯影處理裝置，將此作為一個單位在與所述AMHS 之間能夠交接晶片W (例如，特開2000-124124號公報(bào)(第0027段、 圖2等))。在這種以往的裝置布局中，被AMSH盒搬送來的多張晶片 以盒為單位交接到光刻處理部的抗蝕劑涂敷顯影處理裝置中。然后，通 過抗蝕劑涂敷顯影處理裝置從盒中一張一張取出晶片W,進(jìn)行抗蝕劑涂 敷、曝光、顯影等一系列處理。
但是，由于對應(yīng)于半導(dǎo)體裝置的技術(shù)點(diǎn)、即微細(xì)化的進(jìn)展，所以， 最近正在開發(fā)雙重曝光等新技術(shù)。雙重曝光是如下這樣的技術(shù)對涂敷 抗蝕劑后的晶片例如以預(yù)定的線寬進(jìn)行曝光處理后，使掩模的位置偏移 進(jìn)行第二次的曝光處理，從而使線寬微細(xì)化，提高分辨率。但是，在雙 重曝光技術(shù)中，如文字那樣進(jìn)行兩次曝光處理，所以光刻工序所需要的 時間以單純計(jì)算變?yōu)閮杀?，有可能大幅度降低半?dǎo)體裝置制造的生產(chǎn)能 力(throughput)
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種能夠以高效率實(shí)施光刻工序中的各處理的襯底處理系統(tǒng)以及襯底搬送方法。
本發(fā)明的第 一觀點(diǎn)提供一種襯底處理系統(tǒng)，該襯底處理系統(tǒng)是對被
處理襯底進(jìn)行包括光刻工序的處理的襯底處理系統(tǒng)，具有第一自動襯
底搬送線，在對^皮處理襯底單獨(dú)進(jìn)行處理的多個處理部之間進(jìn)行^皮處理
襯底的搬送；光刻處理部，以能夠在與所述第一自動襯底搬送線之間交接被處理襯底的方式構(gòu)成，進(jìn)行所述光刻工序中的一系列處理；第二自動襯底搬送線，在所述光刻處理部的各處理裝置之間進(jìn)行被處理襯底的搬送。
在上述第 一觀點(diǎn)中，優(yōu)選所述第二自動襯底搬送線是與所述第 一 自動襯底搬送線獨(dú)立的循環(huán)式的襯底搬送線。在該情況下，優(yōu)選具有第一自動襯底搬送裝置，在所述笫一自動襯底搬送線上移動，并在與所述各處理部之間進(jìn)行被處理襯底的交接；第二自動襯底搬送裝置，在所述第二自動襯底搬送線上移動，在所述光刻處理部的各處理裝置之間進(jìn)行被處理襯底的交接。
另外，所述第 一 自動襯底搬送裝置和所述第二自動襯底搬送裝置可以是將多張被處理襯底容納在容器中進(jìn)行搬送的容器搬送裝置?；蛘?，所述第一 自動襯底搬送裝置是將多張被處理襯底容納在容器中進(jìn)行搬送的容器搬送裝置，所述第二自動襯底搬送裝置是一張一張地搬送被處理襯底的片材搬送裝置也可以。
另外，優(yōu)選所述襯底處理系統(tǒng)具有第一控制部，控制所述第一自動襯底搬送線上的被處理襯底的搬送；第二控制部，控制所述第二自動襯底搬送線上的被處理襯底的搬送。
另外，所述光刻處理部可以具有抗蝕劑涂敷處理裝置、曝光處理裝置和顯影處理裝置。在該情況下，在所述光刻處理部中，也可以至少所述抗蝕劑涂敷處理裝置和所述顯影處理裝置以能夠分別在與所述第二自動襯底搬送線之間交接被處理襯底的方式分離配置?；蛘?，在所述光刻處理部中，所述抗蝕劑涂敷處理裝置、所述曝光裝置和所述顯影處理裝置以能夠分別在與所述第二自動襯底搬送線之間交接被處理襯底的方式分離配置也可以。或者，在所述光刻處理部中，所述抗蝕劑涂敷處理裝置、所述曝光處理裝置和所述顯影處理裝置以能夠分別單獨(dú)地經(jīng)由襯底交接端口在與所述第二自動襯底搬送線之間交接被處理襯底的方
6式構(gòu)成也可以。
另外，優(yōu)選以所述曝光處理裝置的設(shè)置數(shù)量相對于所述抗蝕劑涂敷
處理裝置的設(shè)置數(shù)量為1: 2的比率的方式配置。
另外，優(yōu)選曝光后烘焙處理裝置與所述曝光處理裝置相鄰配置。另外，優(yōu)選所述光刻處理部是通過雙重曝光技術(shù)進(jìn)行圖案形成的處理部。
本發(fā)明的第二觀點(diǎn)提供襯底搬送方法，該襯底搬送方法是在對被處理襯底進(jìn)行包括光刻工序的襯底處理系統(tǒng)中搬送被處理襯底的襯底搬
送方法，所述襯底處理系統(tǒng)具有第一自動襯底搬送線，在對被處理襯底單獨(dú)進(jìn)行處理的多個處理部之間進(jìn)行被處理襯底的搬送；循環(huán)式的第二自動襯底搬送線，以能夠在與所述第一 自動襯底搬送線之間交接被處理襯底的方式構(gòu)成，并且專用于進(jìn)行所述光刻工序中的 一 系列處理的光刻處理部，在所述光刻處理部中，利用所述第二自動襯底搬送線在各處理裝置之間進(jìn)行被處理襯底的搬送。
在上述第二觀點(diǎn)中，優(yōu)選在所述光刻處理部中，至少所述抗蝕劑涂敷處理裝置和所述顯影處理裝置以能夠分別在與所述第二自動襯底搬送線之間交接被處理襯底的方式分離配置，根據(jù)各處理裝置的運(yùn)轉(zhuǎn)狀態(tài)，選擇從所述第二自動襯底搬送線搬入被處理襯底的搬入目的地。
在所述第一 自動襯底搬送線和所述第二自動襯底搬送線中，將多張被處理襯底容納在容器中進(jìn)行搬送，在所述第二自動襯底搬送線和所述光刻處理部的各處理裝置之間，在容納在所述容器中的狀態(tài)下進(jìn)行被處理襯底的交4妻也可以。
另外，在所述第一自動襯底搬送線中，將多張被處理襯底容納在容器中進(jìn)行搬送，在所述第二自動襯底搬送線中， 一張一張地搬送被處理襯底，并且，在所述第二自動襯底搬送線和所述光刻處理部的各處理裝置之間， 一張一張地進(jìn)行被處理襯底的交接也可以。
本發(fā)明的第三觀點(diǎn)提供一種控制程序，在計(jì)算機(jī)上工作，以在執(zhí)行時進(jìn)行上述第二觀點(diǎn)的襯底搬送方法的方式控制所述襯底處理系統(tǒng)。
本發(fā)明的第四觀點(diǎn)提供一種計(jì)算機(jī)可讀取的存儲介質(zhì)，該計(jì)算機(jī)可讀取的存儲介質(zhì)存儲在計(jì)算機(jī)上工作的控制程序，所述控制程序以在執(zhí)行時進(jìn)行上述第二觀點(diǎn)的襯底搬送方法的方式控制所述襯底處理系統(tǒng)。


圖l是表示第一實(shí)施方式的襯底處理系統(tǒng)中的光刻處理部的裝置布局的圖。
圖2是抗蝕劑涂敷處理裝置的平面圖。
圖3是圖2示出的抗蝕劑涂敷處理裝置的主視圖。
圖4是圖2示出的抗蝕劑涂敷處理裝置的后視圖。
圖5是PEB處理裝置的平面圖。
圖6是圖5示出的PEB處理裝置的主視圖。
圖7是圖5示出的PEB處理裝置的后視圖。
圖8是顯影處理裝置的平面圖。
圖9是圖8示出的顯影處理裝置的主視圖。
圖IO是圖8示出的顯影處理裝置的后視圖。
圖11是表示第一MES的結(jié)構(gòu)的框圖。
圖12是表示第二實(shí)施方式的襯底處理系統(tǒng)中的光刻處理部的裝置布局的圖。
圖13是表示第三實(shí)施方式的襯底處理系統(tǒng)中的光刻處理部的裝置布局的圖。
圖14是表示第四實(shí)施方式的襯底處理系統(tǒng)中的光刻處理部的裝置布局的圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明人員在本發(fā)明的開發(fā)過程中，對在對半導(dǎo)體晶片等的被處理襯底進(jìn)行包括光刻工序的處理的以往的襯底處理系統(tǒng)中發(fā)生的問題進(jìn)行了研究。其結(jié)果是，本發(fā)明人員得到如下所述的見解。
即，如上所述，為了提高微細(xì)化發(fā)展的半導(dǎo)體裝置制造的生產(chǎn)性，在將來光刻工序中的生產(chǎn)能力的提高成為重要的課題。具體地說，考慮如下在采用例如上述雙重曝光技術(shù)的情況下，若不使光刻工序的處理能力按照目前的時間從100- 150張(晶片)增加至兩倍約200-300張(晶片)，則不能夠維持與目前相同水平的生產(chǎn)性。
但是，在為了提高在光刻工序中的生產(chǎn)性而使抗蝕劑涂敷顯影處理裝置中的晶片的處理張數(shù)增加的情況下，可以預(yù)想到各裝置的故障等麻況下，對生產(chǎn)造成的影響變得很大。特別是在以往的光刻處理部的裝置布局中，由于抗蝕劑涂敷顯影處理裝置和曝光處理裝置為一組相鄰配置，所以，若在抗蝕劑涂敷顯影處理裝置中發(fā)生問題，則造成高價的曝光處理裝置的運(yùn)轉(zhuǎn)也停止，成為使生產(chǎn)成本大幅度增加的因素。
另外，在以往的裝置布局中，對于搬送到抗蝕劑涂敷顯影處理裝置中的任意盒內(nèi)的所有晶片，直到抗蝕劑涂敷、曝光、顯影的一系列處理
結(jié)束，不進(jìn)行下一個盒的處理，因而必須在AMHS中配置儲料(stocker)設(shè)備(緩沖器)，從而有可能增加AMHS的負(fù)擔(dān)，并且導(dǎo)致半成品批次的增加。對于該問題來說，使以往的抗蝕劑涂敷顯影處理裝置內(nèi)的抗蝕劑涂敷處理單元(COT)以及顯影處理單元(DEV)的設(shè)置臺數(shù)增加來使處理能力增大，從而能夠解決，但是，在該方法中，使裝置大型化而導(dǎo)致設(shè)置空間增大。
下面，參照附圖針對基于這種見解而構(gòu)成的本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。此外，在下面的說明中，對具有大致相同的功能以及結(jié)構(gòu)的構(gòu)成要素，標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記，僅在必要的情況下進(jìn)行重復(fù)說明。
<第一實(shí)施方式>
圖l是表示在本發(fā)明第一實(shí)施方式的襯底處理系統(tǒng)100中將用于實(shí)施光刻工序的光刻處理部la作為中心的搬送裝置的概要的圖。該襯底處理裝置100具有主搬送線20,該主搬送線20是在整個系統(tǒng)中進(jìn)行晶片W的搬送以及與各處理部(例如處理部Al、 A2)的襯底交接的第一自動襯底搬送線；副搬送線30,該副搬送線30是進(jìn)行在光刻處理部la內(nèi)的晶片W的搬送的第二自動襯底搬送線。
在構(gòu)成為AMSH ( Automated Material Handling Systems: 自動才才沖牛處理系統(tǒng))的主搬送線20上設(shè)置有例如多個OHT (Overhead HoistTransport:高架提升傳輸器)21。各OHT21以如下方式構(gòu)成在晶片W容納在未圖示的盒內(nèi)的狀態(tài)下在主搬送線20上移動，進(jìn)行晶片W向以光刻處理部la為首的各處理部(例如處理部A1、 A2)的搬送。
另外，副搬送線30設(shè)置成與主搬送線20獨(dú)立的AMHS,并具有OHT31 。該OHT31在形成為環(huán)狀的循環(huán)式的副搬送線30上轉(zhuǎn)圏移動，向光刻處理部la內(nèi)的各處理裝置搬送晶片W,在與各處理裝置之間進(jìn)行晶片W的交接。此外，雖然省略圖示，但是，OHT31在比OHT21高的位置的軌道上移動。
9光刻處理部la具有抗蝕劑涂敷處理裝置2，對晶片W表面涂敷預(yù)定的抗蝕劑；第一曝光處理裝置3a，對涂敷了抗蝕劑的晶片W進(jìn)行曝光處理；第一PEB處理裝置4a,對曝光處理后的抗蝕劑進(jìn)行加熱處理；第二曝光處理裝置3b,對晶片W進(jìn)行曝光處理；第二PEB處理裝置4b，對曝光處理后的抗蝕劑進(jìn)行加熱處理；顯影處理裝置5，對被曝光處理后的晶片W進(jìn)行顯影。這樣，光刻處理部la采用適于雙重曝光處理的裝置布局，該雙重曝光處理通過對晶片W反復(fù)進(jìn)行兩次曝光處理來形成微細(xì)的圖案。在光刻處理部la中，抗蝕劑涂敷處理裝置2、第一曝光處理裝置3a、第二曝光處理裝置3b以及顯影處理裝置5被分離配置，第一曝光處理裝置3a和第一PEB處理裝置4a、第二曝光處理裝置3b和第二 PEB處理裝置4b被相鄰配置。第 一曝光處理裝置3a與第一 PEB處理裝置4a相鄰配置，能夠經(jīng)由第一 PEB處理裝置4a在與副搬送線30的OHT31之間交接晶片W。同樣，第二曝光處理裝置3b與第二 PEB處理裝置4b相鄰配置，能夠經(jīng)由第二 PEB處理裝置4b在與副搬送線30的OHT31之間交接晶片W。
另外，在圖1中省略圖示，但是，在光刻處理部la中，將抗蝕劑涂敷處理裝置2、第一以及第二曝光處理裝置3a、 3b、第一以及第二 PEB處理裝置4a、 4b、顯影處理裝置5作為一個組，設(shè)置有多組。也就是，在各組內(nèi)仍維持上述各處理裝置的設(shè)置比率，配置有整數(shù)倍的處理裝置。
在本實(shí)施方式的襯底處理系統(tǒng)100中，在抗蝕劑涂敷處理裝置2中涂敷了抗蝕劑的晶片W可以搬送到第 一曝光處理裝置3a或第二曝光處理裝置3b的任一個中。也就是，能夠選擇第一曝光處理裝置3a或第二曝光處理裝置3b中的處理余力大即空閑的曝光處理裝置來搬入晶片W。
抗蝕劑涂敷處理裝置2例如象圖2~圖4所示那樣構(gòu)成。圖2是表示抗蝕劑涂敷處理裝置2的概略平面圖，圖3是其主視圖，圖4是其后視圖?？刮g劑涂敷處理裝置2具有作為搬送工作臺的盒工作臺210和具有多個處理單元的處理工作'臺211。
盒工作臺210是在晶片盒CR和處理工作臺211之間進(jìn)行晶片W的搬入搬出的交接端口，在將作為一皮處理體的晶片W以多張、例如以25張為單位搭載到晶片盒CR中的狀態(tài)下，從副搬送線30搬入到抗蝕劑涂敷處理裝置2中，或者從抗蝕劑涂敷處理裝置2向副搬送線30搬出等。
10如圖2所示，在盒工作臺210中，在盒裝載臺220上沿著圖中X方向形成多個(在圖中為4個)定位突起220a,在該突起220a的位置上，能夠使各自的晶片出入口朝向處理工作臺211側(cè)呈一列地載置晶片盒CR。在晶片盒CR中，晶片W在垂直方向(Z方向)排列。另外，盒工作臺210具有位于盒裝載臺220和處理工作臺211之間的晶片搬送機(jī)構(gòu)221。
晶片搬送機(jī)構(gòu)221具有能夠在盒排列方向(X方向)以及其中的晶片W的排列方向(Z方向)上移動的晶片搬送用臂221a,利用該晶片搬送用臂221a,能夠有選擇地對任一個晶片盒CR進(jìn)行訪問。另外，晶片搬送用臂221a構(gòu)成為能夠在圖2中所示的9方向上旋轉(zhuǎn)，從而也能夠?qū)儆诤笫龅奶幚砉ぷ髋_211側(cè)的第三處理組G23中的校準(zhǔn)單元(alignment unit) ( ALIM )以及擴(kuò)展單元(EXT )進(jìn)行訪問。
另一方面，處理工作臺211具有用于實(shí)施對晶片W進(jìn)行涂敷時的一系列工序的多個處理單元，它們呈多級配置在預(yù)定位置上，由它們對晶片W—張一張地進(jìn)行處理。如圖2所示，該處理工作臺211在中心部具有晶片搬送路徑222a,在其中設(shè)置有主晶片搬送機(jī)構(gòu)222，在晶片搬送路徑222a的周圍配置有所有的處理單元。這些多個處理單元分成多個處理組，在各處理組中，多個處理單元沿著垂直方向(Z方向)呈多級配置。
如圖4所示，主晶片搬送機(jī)構(gòu)222在筒狀支撐體249的內(nèi)側(cè)裝配晶片搬送裝置246,該晶片搬送裝置246在上下方向(Z方向)升降自由。筒狀支撐體249能夠通過未圖示的馬達(dá)的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動力進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，伴隨于此，晶片搬送裝置246也能夠一體地旋轉(zhuǎn)。晶片搬送裝置246具有能夠在搬送基臺247的前后方向移動自由的多根保持構(gòu)件248,通過這些保持構(gòu)件248實(shí)現(xiàn)在各處理單元之間的晶片W的交接。
如圖2所示，在抗蝕劑涂敷處理裝置2中，五個處理組G^、 G22、G23、 G24、 G25配置在晶片搬送路徑222a的周圍。其中，第一以及第二處理組G^、 G22并列配置在抗蝕劑涂敷處理裝置2的正面?zhèn)?，第三處理組G23與盒工作臺210相鄰配置，第四處理組G24夾著晶片搬送路徑222a配置在與第三處理組G23相反一側(cè)。另外，第五處理組Gu配置在背面部。
在第一處理組G21中，在旋涂杯(coater cup) (CP)內(nèi)將晶片W裝載在未圖示的旋轉(zhuǎn)卡盤(spin chuck)上進(jìn)行預(yù)定處理的兩臺旋轉(zhuǎn)器(spinner)型處理單元即抗蝕劑涂敷處理單元(COT)呈兩級重疊。另
外，第二處理組G22也同樣地將兩臺旋轉(zhuǎn)型處理單元即抗蝕劑涂敷處理
單元(COT)呈兩級重疊。
如圖4所示，在第三處理組G23中，將晶片W裝載到裝載臺SP上進(jìn)行預(yù)定的處理的烘箱(oven)型的處理單元呈多級重疊。即，進(jìn)行用于提高抗蝕劑的定影性的所謂的疏水化處理的粘附(adhesion)單元(AD)、進(jìn)行對位的校準(zhǔn)單元(ALIM)、進(jìn)行晶片W的搬入搬出的擴(kuò)展單元(EXT)、進(jìn)行冷卻處理的冷卻單元(COL)、在曝光處理前對晶片W進(jìn)行加熱處理的四個加熱板單元(HP)從下方依次呈八級重疊。此外，也可以取代校準(zhǔn)單元(ALIM)而設(shè)置冷卻單元(COL),使冷卻單元(COL)具有校準(zhǔn)功能。
在第四處理組G24中，烘箱型的處理單元也呈多級重疊。即，冷卻單元(COL )、具有冷卻板的晶片搬入搬出部即擴(kuò)展冷卻單元(EXTCOL )、擴(kuò)展單元(EXT)、冷卻單元(COL)以及四個加熱板單元(HP)從下方開始依次呈八級重疊。
此外，在主晶片搬送機(jī)構(gòu)222的背部側(cè)設(shè)置第五處理組Gm的情況下，第五處理組G25從主晶片搬送機(jī)構(gòu)222觀察能夠沿著導(dǎo)軌225向側(cè)方移動。
與第一曝光處理裝置3a相鄰配置的第一PEB處理裝置4a例如如圖5至圖7所示那樣構(gòu)成。此外，第二PEB處理裝置4b由于是與第一PEB處理裝置4a同樣的結(jié)構(gòu)，所以下面僅以第一 PEB處理裝置4a為例進(jìn)行說明，省略第二 PEB處理裝置4b的說明。
圖5是表示第一PEB處理裝置4a的概略平面圖，圖6是其主視圖，圖7是其后視圖。第一PEB處理裝置4a具有搬送工作臺即盒工作臺310、具有多個處理單元的處理工作臺311、用于在與鄰接處理工作臺311而設(shè)置的未圖示的曝光處理裝置之間交接晶片W的接口部312。
盒工作臺310是在晶片盒CR和處理工作臺311之間進(jìn)行晶片W的搬入搬出的交接端口，其在將作為被處理體的晶片W以多張、例如以25張為單位搭載在晶片盒CR中的狀態(tài)下，從副搬送線30向該第一 PEB處理裝置4a搬入，或者，從該第一 PEB處理裝置4a向副搬送線30搬出等。
12如圖5所示，在盒工作臺310中，在盒裝載臺320上沿著圖中X方向形成有多個(在圖中為四個)定位突起320a,晶片盒CR使各自的晶片出入口朝向處理工作臺311呈一列載置在該突起320a的位置上。在晶片盒CR中，晶片W在垂直方向(Z方向)上排列。另外，盒工作臺310具有位于盒裝載臺320和處理工作臺311之間的晶片搬送機(jī)構(gòu)321。
晶片搬送機(jī)構(gòu)321具有能夠在盒排列方向(X方向)上以及在其中的晶片W的排列方向(Z方向)上移動的晶片搬送用臂321a,利用該晶片搬送用臂321a,能夠?qū)θ我粋€晶片盒CR有選擇地進(jìn)行訪問。另外，晶片搬送用臂321a構(gòu)成為能夠在圖5中所示的e方向上旋轉(zhuǎn)，也能夠?qū)儆诤竺缘奶幚砉ぷ髋_311側(cè)的第三處理組G"中的校準(zhǔn)單元(ALIM )以及擴(kuò)展單元(EXT)進(jìn)行訪問。
另一方面，處理工作臺311具有用于實(shí)施對晶片W進(jìn)行PEB處理時的一系列工序的多個處理單元，它們呈多級配置在預(yù)定位置，由它們對晶片W—張一張地處理。如圖5所示，該處理工作臺311在中心部具有晶片搬送路徑322a,在其中設(shè)置有主晶片搬送機(jī)構(gòu)322，在晶片搬送路徑322a的周圍配置有所有的處理單元。這些多個處理單元分成多個處理組，在各處理組中，多個處理單元沿著垂直方向(Z方向)呈多級配置。
如圖7所示，主晶片搬送機(jī)構(gòu)322在筒狀支撐體349的內(nèi)側(cè)裝配晶片搬送裝置346,該晶片搬送裝置346在上下方向(Z方向)升降自由。筒狀支撐體349能夠通過未圖示的馬達(dá)的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動力進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，伴隨于此，晶片搬送裝置346也能夠一體地旋轉(zhuǎn)。晶片搬送裝置346具有能夠在搬送基臺347的前后方向自由移動的多根保持構(gòu)件348,通過這些保持構(gòu)件348實(shí)現(xiàn)在各處理單元之間的晶片W的交接。
如圖5所示，在第一PEB處理裝置4a中，五個處理組G3,、 G32、 G33、G34、 G35實(shí)際上配置在晶片搬送路徑322a的周圍。其中，第一和第二處理組G3,、 G32并列配置在第一 PEB處理裝置4a的正面?zhèn)?，第三處理組033與盒工作臺310相鄰配置，第四處理組G34與接口部312相鄰配置。另夕卜，
第五處理組G35配置在背面部。
在第一處理組Gn和第四處理組G34中，如圖6和圖7所示，將晶
片W放置在裝載臺SP上進(jìn)行預(yù)定的處理的烘箱型處理單元呈多級重疊。即，冷卻單元(COL)、具有冷卻板的晶片搬入搬出部即擴(kuò)展冷卻
13單元(EXTCOL)、擴(kuò)展單元(EXT)、冷卻單元(COL)以及四個加熱板單元(HP)從下方開始依次呈八級重疊。
在第二處理組G32和第三處理組G33中，如圖6和圖7所示，將晶片W放置在裝載臺SP上進(jìn)行預(yù)定處理的烘箱型的處理單元呈多級重疊。即，進(jìn)行用于提高抗蝕劑的定影性的所謂的疏水化處理的粘附單元(AD)、進(jìn)行對位的校準(zhǔn)單元(ALIM)、進(jìn)行晶片W的搬入搬出的擴(kuò)展單元(EXT)、進(jìn)行冷卻處理的冷卻單元(COL)、對曝光處理后的晶片W進(jìn)行加熱處理的四個加熱板單元(HP)從下方依次呈八級重疊。此外，也可以取代校準(zhǔn)單元(ALIM)而設(shè)置冷卻單元(COL),使冷卻單元(COL)具有校準(zhǔn)功能。
在主晶片搬送機(jī)構(gòu)322的背部側(cè)設(shè)置第五處理組G35的情況下，第五處理組G35從主晶片搬送機(jī)構(gòu)322觀察能夠沿著導(dǎo)軌325向側(cè)方移動。
對于接口部312來說，在縱深方向(X方向)具有與處理工作臺311相同的長度。如圖5、圖6所示，在該接口部312的正面部呈兩級配置可搬性的拾取盒CR和固定型的緩沖盒BR，在背面部配置周邊曝光處理裝置323,在中央部配置晶片搬送機(jī)構(gòu)324。該晶片搬送機(jī)構(gòu)324具有晶片搬送用臂324a,該晶片搬送用臂324a在X方向、Y方向移動，能夠?qū)珊蠧R、 BR以及周邊曝光處理裝置323進(jìn)行訪問。
此外，晶片搬送用臂324a能夠在e方向上旋轉(zhuǎn)，也能夠?qū)儆谔幚砉ぷ髋_311的第四處理組G34的擴(kuò)展單元(EXT)或相鄰的曝光處理裝置3a側(cè)的未圖示的晶片交接臺進(jìn)行訪問。
顯影處理裝置5例如如圖8~圖IO所示那樣構(gòu)成。圖8是表示顯影處理裝置5的概略平面圖，圖9是其主視圖，圖10是其后視圖。顯影處理裝置5中，在處理工作臺211a的第一處理組Gu以及第二處理組G22中分別呈兩級重疊配置對抗蝕劑的圖案進(jìn)行顯影的顯影單元(DEV),來取代抗蝕劑涂敷處理裝置2的處理工作臺211a中的抗蝕劑涂敷處理單元(COT),除此之外，是與圖2~圖4所示的抗蝕劑涂敷處理單元(COT)相同的結(jié)構(gòu)。
再參照圖1,主搬送線20的OHT21和副搬送線30的OHT31構(gòu)成為能夠在具有晶片操縱機(jī)械手(wafer handling robot) 41的多個晶片交接部40中交接晶片W。
主搬送線20連接到作為管理襯底處理系統(tǒng)100整體的統(tǒng)括控制部的第一制造管理系統(tǒng)(MES: Manufacturing Execution System) 50。該 第一 MES50與在各處理部或搬送系統(tǒng)中獨(dú)立設(shè)置的控制部(例如后述 的MES60 )協(xié)作將工廠中的與各工序相關(guān)的實(shí)時信息反饋到骨干業(yè)務(wù)系 統(tǒng)(省略圖示)，并且，考慮工廠整體的負(fù)荷等進(jìn)行與工序相關(guān)的判斷。 具體地說，第一 MES50 —邊掌握例如主搬送線20上的各OHT21的負(fù) 荷， 一邊管理OHT21的移動、停止、待機(jī)、在與各處理部(例如處理 部A1、 A2)之間交接晶片W等，使搬送狀態(tài)最優(yōu)化。
另外，副搬送線30連接到第二制造管理系統(tǒng)(MES) 60。該第二 MES60作為光刻處理部la中的不同控制部發(fā)揮功能，進(jìn)行光刻處理部 la的副搬送線30中的搬送狀態(tài)或各處理裝置例如抗蝕劑涂敷處理裝置 2、第一以及第二曝光處理裝置3a、 3b、第一以及第二PEB處理裝置4a、 4b、顯影處理裝置5中的各處理?xiàng)l件等的控制。更具體地說，第二MES60 一邊掌握例如副搬送線30上的各OHT31的負(fù)荷， 一邊管理OHT31的 移動、停止、待機(jī)、在與各處理部之間交接晶片W等，使搬送狀態(tài)最 優(yōu)化。
圖11是表示第一MES50的結(jié)構(gòu)的圖。第一MES50具有控制器 51,具有主計(jì)算機(jī)；用戶接口52;存儲部53。與控制器51連接的用戶 接口 52由工程管理者為了管理襯底處理系統(tǒng)100而進(jìn)行指令的輸入操 作的鍵盤或使襯底處理系統(tǒng)100的運(yùn)轉(zhuǎn)狀況可視化顯示的顯示器等構(gòu) 成。與控制器51連接的存儲部53保存用于通過控制器51的控制實(shí)現(xiàn) 在襯底處理系統(tǒng)100中執(zhí)行的晶片搬送或各種處理的控制程序(軟件) 或記錄有搬送條件數(shù)據(jù)、處理?xiàng)l件數(shù)據(jù)等的方案(recipe)。
然后，根據(jù)需要，由來自用戶接口 52的指示等從存儲部53中調(diào)用 任意的方案讓控制器51執(zhí)行，由此，在控制器51的控制下，在襯底處 理系統(tǒng)100中進(jìn)行所希望的處理。另外，上述控制程序或處理?xiàng)l件數(shù)據(jù) 等的方案也能夠利用保存在計(jì)算機(jī)可讀取的存儲介質(zhì)、例如CD-ROM、 硬盤、軟盤、閃存等中的狀態(tài)的方案，或者，從其它裝置經(jīng)由例如專用 線路隨時傳送并在線利用。
此外，對于第二 MES60的基本結(jié)構(gòu)來說，除了控制對象被限定于 光刻處理部la這點(diǎn)外，由于與第一MES同樣，所以省略說明和圖示。
在如上所構(gòu)成的襯底處理系統(tǒng)100中，例如，/人其它處理部(未圖 示)交接到主搬送線20的0HT21上的晶片W,在任一個晶片交接部
1540中利用晶片操縱機(jī)械手41被交接到光刻處理部la的副搬送線30上 的OHT31。然后，副搬送線30上的OHT31在與光刻處理部la內(nèi)的各 處理裝置之間進(jìn)行晶片的交接。
在上述的抗蝕劑涂敷處理裝置2中，首先，在盒工作臺210中，晶 片搬送機(jī)構(gòu)221的晶片搬送用臂221a訪問盒裝載臺220上的容納未處 理的晶片W的晶片盒CR,取出一張晶片W,并搬送到第三處理組G23 的擴(kuò)展單元(EXT)。
晶片W由主晶片搬送機(jī)構(gòu)222的晶片搬送裝置246從該擴(kuò)展單元 (EXT)搬入到處理工作臺211。然后，由第三處理組G23的校準(zhǔn)單元 (ALIM)校準(zhǔn)后，搬送到粘附處理單元(AD),在此處實(shí)施用于提高 抗蝕劑的定影性的疏水化處理(HMDS處理)。由于該處理伴隨著加熱， 所以，然后晶片W由晶片搬送裝置246搬送到冷卻單元(COL)被冷卻。
粘附處理單元(AD)中的處理結(jié)束并在冷卻單元(COL)中被冷卻 的晶片W或者未進(jìn)行粘附處理單元(AD)中的處理的晶片W接著由晶 片搬送裝置246搬送到抗蝕劑涂敷處理單元(COT),在此處涂敷抗蝕
劑，形成涂敷膜。涂敷處理結(jié)束后，晶片W在第三或第四處理組G23、
G24的任一個的加熱板單元(HP)內(nèi)被預(yù)烘焙處理，然后，由任一個的 冷卻單元(COL)冷卻。
冷卻后的晶片W被搬送到第三處理組G23的校準(zhǔn)單元(ALIM), 經(jīng)由第三處理組G23的擴(kuò)展單元(EXT)返回到盒工作臺210,容納在 任一個晶片盒CR中。
在抗蝕劑涂敷處理單元2中涂敷了抗蝕劑的晶片W暫時經(jīng)由盒工 作臺210交接到副搬送線30的OHT31。然后，接受到晶片W的OHT31 將晶片W搬送到PEB處理裝置4a的盒工作臺310,交接到PEB處理裝 置4a。在PEB處理裝置4a中，首先，在盒工作臺310中，晶片搬送機(jī) 構(gòu)321的晶片搬送用臂321a訪問盒裝載臺320上的容納涂敷完抗蝕劑 的晶片W的晶片盒CR,取出一張晶片W,搬送到第三處理組G33的擴(kuò) 展單元(EXT)。
由主晶片搬送機(jī)構(gòu)322的晶片搬送裝置346從該擴(kuò)展單元(EXT) 將晶片W搬入到處理工作臺311。然后，由第三處理組G33的校準(zhǔn)單元 (ALIM)校準(zhǔn)后，經(jīng)由第四處理組G34的擴(kuò)展單元(EXT)搬送到接口 部312。對于晶片W來說，在接口部312由周邊曝光處理裝置323進(jìn)行周 邊曝光而除去多余的抗蝕劑后，被搬送到與接口部312相鄰設(shè)置的第一 曝光處理裝置3a,在此處按照預(yù)定的圖案對晶片W的抗蝕劑膜實(shí)施曝 光處理。曝光后的晶片W再次被送回到第一PEB處理裝置4a的接口部 312,由晶片搬送機(jī)構(gòu)324搬送到屬于第四處理組G34的擴(kuò)展單元(EXT )。 然后，對于晶片W來說，由晶片搬送裝置346搬送到任一個加熱板單 元(HP),并被實(shí)施PEB處理，接著，由冷卻單元(COL)冷卻。在 本實(shí)施方式中，與曝光處理裝置(3a、 3b )相鄰地配置PEB處理單元(4a、 4b)，所以能夠正確地進(jìn)行在曝光處理后至PEB處理的時間管理。然后， 晶片W經(jīng)由第三處理組G33的擴(kuò)展單元(EXT)返回到盒工作臺310, 并容納在任一個晶片盒CR中。
在第一曝光處理裝置3a中被曝光的晶片W經(jīng)由第一PEB處理裝置 4a的盒工作臺310再次被交接到副搬送線30的OHT31。然后，接受到 晶片W的OHT31接著將晶片W搬送到第二PEB處理裝置4b的盒工作 臺310,交接到第二 PEB處理裝置4b中。然后，在第二曝光處理裝置 3b以及第二 PEB處理裝置4b中，以與對第一 PEB處理裝置4a以及第 一曝光處理裝置3a進(jìn)行說明的順序同樣的順序進(jìn)行第二次的曝光處理 以及第二次的PEB處理。然后，實(shí)施了兩次曝光處理的晶片W經(jīng)由第 二 PEB處理裝置4b的盒工作臺310再次交接到副搬送線30的OHT31。
接受到晶片W的OHT31將晶片W搬送到顯影處理裝置5的盒工作 臺210,交接到顯影處理裝置5中。在顯影處理裝置5中，首先，在盒 工作臺210,晶片搬送機(jī)構(gòu)221的晶片搬送用臂221a對盒裝載臺220上 的容納雙重曝光后的晶片W的晶片盒CR進(jìn)行訪問，取出 一張晶片W， 并搬送到第三處理組G23的擴(kuò)展單元(EXT)。
利用主晶片搬送機(jī)構(gòu)222的晶片搬送裝置246將晶片W從該擴(kuò)展 單元(EXT)搬入到處理工作臺221a。然后，利用第三處理組G23的校 準(zhǔn)單元(ALIM)校準(zhǔn)后，被搬送到顯影單元(DEV)中，在此處進(jìn)行 曝光圖案的顯影。顯影結(jié)束后，晶片W被搬送到任一個的加熱板單元 (HP)中實(shí)施PEB處理，接著，由冷卻單元(COL)冷卻。這樣一系 列的處理結(jié)束后，經(jīng)由第三處理組G23的擴(kuò)展單元(EXT)返回到盒工 作臺210,容納在任一個晶片盒CR中。然后，實(shí)施了顯影處理的晶片 W經(jīng)由顯影處理裝置5的盒工作臺210再次交接到副搬送線30的
17OHT31。這樣，在光刻處理部la中的一系列工序結(jié)束并形成了預(yù)定圖 案的晶片W在任一個晶片交接部40中從光刻處理部la的副搬送線30 上的OHT31交接到主搬送線20的OHT21上。然后，利用主搬送線20 的OHT21搬送到其他處理部例如蝕刻處理部(未圖示)，基于所述圖 案進(jìn)行蝕刻。關(guān)于蝕刻處理結(jié)束后的晶片W,也能夠根據(jù)需要實(shí)施其他 處理后，再次由主搬送線20的OHT21搬送到光刻處理部la,再次反復(fù) 進(jìn)行光刻處理。
這樣，在本實(shí)施方式的襯底處理系統(tǒng)100中，作為與主搬送線20 獨(dú)立的搬送機(jī)構(gòu)，在光刻處理部la中設(shè)置副搬送線30,從而能夠增大 向光刻處理部la內(nèi)的各處理裝置的搬送自由度，并且，能夠?qū)⒐饪坦?序中的處理速度以及晶片搬送速度與襯底處理系統(tǒng)100中的其他處理部 分離控制。因此，能夠以高的處理能力處理光刻工序，例如，對象雙重 曝光工序那樣在光刻工序中施加大負(fù)荷這種處理中也能夠謀求對應(yīng)。另 外，配置了多個OHT31的副搬送線30自身具有緩沖器功能，從而能夠 減少貯存(stock)在主搬送線20上的半成品批次數(shù)量，能夠抑制對主 搬送線20的負(fù)荷。
另外，在上述結(jié)構(gòu)中，抗蝕劑涂敷處理裝置2、曝光處理裝置(第 一曝光處理裝置3a、第二曝光處理裝置3b)和顯影處理裝置5并列配 置，并能夠向副搬送線30交接晶片W,所以即使在任一個裝置中發(fā)生 故障等問題的情況下，也能夠靈活地向同種的其他裝置搬送襯底進(jìn)行處 理。因此，能夠提高包括光刻處理部la的襯底處理系統(tǒng)100的可靠性。
另外，由于第一曝光處理裝置3a和對曝光處理后的抗蝕劑進(jìn)行加 熱處理的第一 PEB處理裝置4a、第二曝光處理裝置3b和對曝光處理后 的抗蝕劑進(jìn)行加熱處理的第二 PEB處理裝置4b分別相鄰配置，所以能 夠正確進(jìn)行從曝光處理至PEB處理的時間管理。因此，能夠在高再現(xiàn)性 之下進(jìn)行PEB處理。例如，在使用以ArF抗蝕劑為代表的化學(xué)增強(qiáng)型抗 蝕劑的情況下，通過PEB處理進(jìn)行抗蝕劑中的溶解抑制劑的脫離反應(yīng)， 決定堿可溶性。因此，在化學(xué)增強(qiáng)型抗蝕劑中，曝光處理后直到PEB處 理要求非常嚴(yán)格的時間管理和溫度管理。當(dāng)從曝光處理至PEB處理的處 理時間不恒定，在PEB處理中晶片面內(nèi)或晶片間的溫度發(fā)生不均勻時， 產(chǎn)生線寬偏差、蝕刻精度下降等壞影響。在本實(shí)施方式中，將曝光處理 裝置和PEB處理裝置相鄰配置，從而曝光后的時間管理變得容易，能夠
18進(jìn)行精度高的PEB處理，所以能夠特別有效地利用于使用以ArF抗蝕劑 為代表的化學(xué)增強(qiáng)型抗蝕劑的光刻工藝。
另外，對提高光刻處理部la的生產(chǎn)性來說，由于提高曝光處理裝 置的運(yùn)轉(zhuǎn)率很重要，所以，作為在曝光處理裝置中附帶的必要最小限度 的設(shè)備、僅相鄰配置PEB處理裝置，由此，能夠降低由除曝光處理裝置 以外的裝置的麻煩使曝光處理裝置的運(yùn)轉(zhuǎn)率下降的危險(xiǎn)，使光刻處理部 la中的可靠性提高。
<第二實(shí)施方式>
圖12是表示在本發(fā)明第二實(shí)施方式的襯底處理系統(tǒng)101中將用于 實(shí)施光刻工序的光刻處理部lb作為中心的搬送裝置的概要的圖。在本 實(shí)施方式中，作為第二自動襯底搬送線，配置了進(jìn)行晶片W的片材(枚 葉)搬送的傳送帶70。
如圖12所示，光刻處理部lb具有抗蝕劑涂敷處理裝置2，對晶 片W表面涂敷預(yù)定的抗蝕劑；第一曝光處理裝置3a,對涂敷了抗蝕劑 的晶片W進(jìn)行曝光處理；第一PEB處理裝置4a,對曝光處理后的抗蝕 劑進(jìn)行加熱處理；第二曝光處理裝置3b，對晶片W進(jìn)行曝光處理；第 二 PEB處理裝置4b，對曝光處理后的抗蝕劑進(jìn)行加熱處理；顯影處理 裝置5,對曝光處理后的晶片W進(jìn)行顯影。在光刻處理部lb中，抗蝕 劑涂敷處理裝置2、第一曝光處理裝置3a、第二曝光處理裝置3b和顯 影處理裝置5被分離配置，第一曝光處理裝置3a和第一 PEB處理裝置 4a、第二曝光處理裝置3b和第二PEB處理裝置4b被相鄰配置。第一曝 光處理裝置3a與第一 PEB處理裝置4a相鄰配置，能夠經(jīng)由第一 PEB 處理裝置4a在與傳送帶70之間交接晶片W。同樣，第二曝光處理裝置 3b與第二 PEB處理裝置4b相鄰配置，能夠經(jīng)由第二 PEB處理裝置4b 在與傳送帶70之間交接晶片W。此外，各處理裝置的基本結(jié)構(gòu)和配置 與圖1所示的實(shí)施方式相同。
另外，在圖12中省略圖示，但是，在光刻處理部lb中，將抗蝕劑 涂敷處理裝置2、第一以及第二曝光處理裝置3a、 3b、第一以及第二 PEB 處理裝置4a、 4b、顯影處理裝置5作為一個組，并設(shè)置有多組。也就是， 在各組內(nèi)仍維持上述各處理裝置的設(shè)置比率，配置有整數(shù)倍的處理裝 置。
第一自動襯底搬送線即主搬送線20在襯底處理系統(tǒng)101整體進(jìn)行
19晶片W的搬送以及與各處理部(例如處理部A1、 A2)的襯底的交接。 與第一實(shí)施方式(圖1 )同樣，在主搬送線20上例如設(shè)置有OHT21。 各OHT21以如下方式構(gòu)成在未圖示的盒內(nèi)容納了晶片W的狀態(tài)下在 主搬送線20上移動，能夠進(jìn)行向以光刻處理部lb為首的各處理部(例 如處理部A1、 A2)的晶片W的搬送。
傳送帶70是一張一張搬送晶片W的片材搬送線。傳送帶70以如 下方式構(gòu)成能夠經(jīng)由配置在多處(在圖12中為四處)的晶片操縱機(jī) 械手71,在與各處理裝置的交接端口即盒工作臺之間進(jìn)行襯底的交接。
在本實(shí)施方式中，主搬送線20的OHT21向抗蝕劑涂敷處理裝置2 的盒工作臺210交接容納了多張晶片W的盒。在盒工作臺210上設(shè)置有 片材搬入搬出端口P,例如，將抗蝕劑涂敷處理裝置2中的處理結(jié)束的 晶片W臨時放置在該片材搬入搬出端口 P。然后，晶片操縱機(jī)械手71 將臨時放置在所述片材搬入搬出端口 P的晶片W—個一個交接到傳送 帶70。由于傳送帶70構(gòu)成為環(huán)狀，所以，使晶片W—張一張循環(huán)式地 移動。
對于在該傳送帶70上移動過程中的晶片W來說，根據(jù)ID號碼管 理在傳送帶70內(nèi)的下一個搬送目的地或搬送時間等。例如，在抗蝕劑 涂敷處理裝置2中的抗蝕劑涂敷處理結(jié)束并被供給到傳送帶70上的晶 片W根據(jù)ID號碼進(jìn)行管理，下一個搬送目的地從第一曝光處理裝置3a 或第二曝光處理裝置3b中選擇。然后，為了進(jìn)行在第一曝光處理裝置 3a或第二曝光處理裝置3b中的曝光處理，利用晶片操縱機(jī)械手71,交 接到在第一 PEB處理裝置4a或第二 PEB處理裝置4b的盒工作臺310 上設(shè)置的片材搬入搬出端口 P。然后，曝光處理以及PEB處理結(jié)束的晶 片W從在第一PEB處理裝置4a或第二PEB處理裝置4b的盒工作臺310 上設(shè)置的片材搬入搬出端口 P，經(jīng)由晶片操縱機(jī)械手71再次搬送到傳送 帶70。
然后，晶片W由晶片操縱機(jī)械手71從傳送帶70交接到在顯影處 理裝置5的盒工作臺210上設(shè)置的片材搬入搬出端口 P。然后，在顯影 處理裝置5中進(jìn)行顯影處理后，晶片W被搬送至顯影處理裝置5的盒工 作臺210,并容納在盒CR內(nèi)。這樣，在光刻處理部lb中的一系列工序 結(jié)束并形成了預(yù)定圖案的晶片'W被交接到主搬送線20的OHT21 。然后， 通過主搬送線20的OHT21搬送到其他處理部例如蝕刻處理部(未圖示)，基于所述圖案進(jìn)行蝕刻。
此外，由主搬送線20的OHT21進(jìn)行盒搬送的晶片W搬入到抗蝕 劑涂敷處理裝置2、第一PEB處理裝置4a、第二PEB處理裝置4b或者 顯影處理裝置5的哪個盒工作臺都可以。在該情況下，在各盒工作臺中， 進(jìn)行從盒中抽出晶片W并直接將晶片臨時放置在片材搬入搬出端口 P 的交接動作。也就是，將由主搬送線20的OHT21進(jìn)行盒搬送的晶片W 在各裝置中的處理前暫時交接到傳送帶70上，從而能夠?qū)⒃搨魉蛶?0 活用為光刻處理部lb內(nèi)的緩沖器，并且，能夠根據(jù)光刻處理部lb中的 各裝置的運(yùn)轉(zhuǎn)狀況在第二 MES60的控制之下進(jìn)行靈活(flexible)的搬 送。
在本實(shí)施方式的襯底處理系統(tǒng)101中，作為與主搬送線20獨(dú)立的 搬送機(jī)構(gòu)，在光刻處理部lb中使用傳送帶70,從而能夠增大向光刻處 理部lb內(nèi)的各處理裝置的搬送的自由度。另外，由于能夠?qū)⒃诠饪烫?理部lb內(nèi)的各處理裝置中,處理后的晶片W依次由傳送帶70向進(jìn)行下一 工序處理的處理裝置進(jìn)行片材搬送，所以，與例如以盒為單位搬送至下 一個處理裝置的情況相比，等待時間減少，能夠提高處理能力 (throughput)。
另外，設(shè)置傳送帶70，從而能夠?qū)⒐饪坦ば蛑械奶幚硭俣纫约熬?搬送速度與襯底處理系統(tǒng)101中的其他處理部分離控制。因此，能夠以 高處理能力處理光刻工序，在象雙重曝光工序那樣在光刻工序施加大負(fù) 荷這種處理中也能夠謀求對應(yīng)。另外，傳送帶70具有緩沖器功能，從 而能夠減少貯存在主搬送線20上的半成品批次數(shù)量，能夠抑制對主搬 送線20的負(fù)荷。
另外，與第一實(shí)施方式的襯底處理系統(tǒng)100同樣，在第二實(shí)施方式 的襯底處理系統(tǒng)101中，抗蝕劑涂敷處理裝置2、曝光處理裝置(第一 曝光處理裝置3a、笫二曝光處理裝置3b)和顯影處理裝置5并列配置， 并能夠向傳送帶70交接晶片'W,所以，即使在任一個裝置中發(fā)生故障 等不良的情況下，也能夠靈活地向同種的其他裝置搬送晶片W進(jìn)行處 理。因此，能夠提高包括光刻處理部lb的襯底處理系統(tǒng)101的可靠性。
另外，第一曝光處理裝置3a和對曝光處理后的抗蝕劑進(jìn)行加熱處 理的第一 PEB處理裝置4a、第二曝光處理裝置3b和對曝光處理后的抗 蝕劑進(jìn)行加熱處理的第二 PEB處理裝置4b分別相鄰配置，所以能夠在高的可靠性之下進(jìn)行PEB處理。即，曝光后的時間管理變得容易，實(shí)現(xiàn)
精度高的PEB處理。另外，能夠降低由曝光處理裝置以外的裝置的麻煩 使曝光處理裝置的運(yùn)轉(zhuǎn)率下降的危險(xiǎn)，使光刻處理部lb中的可靠性提高。
<第三實(shí)施方式>
圖13是表示本發(fā)明第三實(shí)施方式的襯底處理系統(tǒng)102中以用于實(shí) 施光刻工序的光刻處理部lc為中心的搬送裝置的概要的圖。在本實(shí)施 方式中，配置了副搬送線30作為第二自動襯底搬送線，相對于該副搬 送線30，以能夠分別直接交接晶片W的方式分離地并列配置對晶片W 表面涂敷預(yù)定的抗蝕劑的第一抗蝕劑涂敷處理裝置2a和第二抗蝕劑涂 敷處理裝置2b、以及對曝光處理后的晶片W進(jìn)行顯影的第一顯影處理 裝置5a和第二顯影處理裝置5b。
對晶片W進(jìn)行曝光處理的第一曝光處理裝置3a經(jīng)由對曝光處理后 的抗蝕劑進(jìn)行加熱處理的第一 PEB處理裝置4a,與第一顯影處理裝置 5a串聯(lián)配置。第二曝光裝置3b經(jīng)由第二PEB處理裝置4b,與第二顯影 處理裝置5b串聯(lián)配置。第一曝光處理裝置3a以如下方式構(gòu)成能夠經(jīng) 由第一 PEB處理裝置4a以及第一顯影處理裝置5a,在與副搬送線30 的OHT31之間交接晶片W。同樣地，第二曝光處理裝置3b以如下方式 構(gòu)成能夠經(jīng)由第二PEB處理裝置4b以及第一顯影處理裝置5b,在與 副搬送線30的OHT31之間交接晶片W。此外，在本實(shí)施方式中，除了 光刻處理部lc的裝置布局結(jié)構(gòu)不同之外，與圖1示出的第一實(shí)施方式 的襯底處理系統(tǒng)100相同。
另外，在圖13中省略圖示，但是，在光刻處理部lc中，將第一以 及第二抗蝕劑涂敷處理裝置2a、 2b、第一以及第二曝光處理裝置3a、 3b、第一以及第二 PEB處理裝置4a、 4b、第一以及第二顯影處理裝置 5a、 5b作為一個組，并設(shè)置有多組。也就是，在各組內(nèi)仍維持上述各處 理裝置的設(shè)置比率，配置有整數(shù)倍的處理裝置。
在襯底處理系統(tǒng)102中，例如，利用主搬送線20的OHT21從其他 處理部(未圖示)搬送來的'晶片W在任一個晶片交接部40中交接到光 刻處理部lc的副搬送線30上的OHT31。然后，副搬送線30上的OHT31 在與光刻處理部lc內(nèi)的各處理裝置之間進(jìn)行晶片W的交接。具體地說， 例如，搬送到光刻處理部lc的晶片W由副搬送線30的OHT31搬送至
22第一抗蝕劑涂敷處理裝置2a或第二抗蝕劑涂敷處理裝置2b的任一個 中。此時，在第二 MES60的控制之下，進(jìn)行搬入到第一抗蝕劑涂敷處 理裝置2a或第二抗蝕劑涂敷處理裝置2b的哪一個中的分配。因此，能 夠根據(jù)抗蝕劑涂敷處理裝置的運(yùn)轉(zhuǎn)狀態(tài)進(jìn)行靈活的晶片搬送，能夠提高 光刻工序的處理能力。
接著，對于在第一抗蝕劑涂敷處理裝置2a或第二抗蝕劑涂敷處理 裝置2b的任一個中實(shí)施了抗蝕劑涂敷處理的晶片W來說，為了進(jìn)行曝 光處理，經(jīng)由副搬送線30搬送至第一顯影處理裝置5a和第二顯影處理 裝置5b的任一個中。此時，在第二MES60的控制下，也進(jìn)行搬入到第 一顯影處理裝置5a或第二顯影處理裝置5b的哪一個中的分配。因此， 能夠根據(jù)顯影處理裝置以及曝光處理裝置的運(yùn)轉(zhuǎn)狀態(tài)進(jìn)行靈活的晶片 搬送，能夠提高光刻工序的處理能力。然后，涂敷了抗蝕劑的晶片W按 照曝光、PEB、顯影的順序進(jìn)行處理。在本實(shí)施方式中，將顯影處理裝 置(5a、 5b) 、 PEB處理裝置(4a、 4b)和曝光處理裝置(3a、 3b)串 聯(lián)配置，從而能夠以較高的處理能力進(jìn)行曝光處理、PEB處理和顯影處 理這一系列的處理。
另外，副搬送線30具有緩沖器功能，從而能夠減少貯存在主搬送 線20上的半成品批次的數(shù)量，能夠抑制向主搬送線20的負(fù)荷。
這樣，在本實(shí)施方式的襯底處理系統(tǒng)102中，作為與主搬送線20 獨(dú)立的搬送機(jī)構(gòu)，在光刻處理部lc中使用副搬送線30,從而能夠增大 向光刻處理部lc內(nèi)的各處理裝置的搬送的自由度，并且，能夠?qū)⒐饪?工序中的處理速度以及晶片搬送速度與襯底處理系統(tǒng)102中的其他處理 部分離控制。因此，能夠以較高的處理能力處理光刻工序，例如，在象 雙重曝光工序那樣在光刻工序中施加大負(fù)荷這種處理中也能夠謀求對 應(yīng)。
另外，在上述結(jié)構(gòu)中，兩個抗蝕劑涂敷處理裝置(2a、 2b)和顯影 處理裝置(5a、 5b)并列配置，并能夠?qū)Ω卑崴途€30直接交接晶片W， 所以，即使在任一個裝置中發(fā)生故障等問題的情況下，也能夠靈活地向 其他裝置搬送晶片W進(jìn)行處理。因此，能過提高包括光刻處理部lc的 襯底處理系統(tǒng)102整體的可靠性。
另外，由于能夠?qū)⒌趶V曝光處理裝置3a和第一PEB處理裝置4a、 第二曝光處理裝置3b和第二PEB處理裝置4b分別相鄰配置，所以，曝光后的時間管理變得容易，能夠進(jìn)行精度較高的PEB處理。 <第四實(shí)施方式>
圖14是表示在本發(fā)明第四實(shí)施方式的襯底處理系統(tǒng)03中以用于 實(shí)施光刻工序的光刻處理部ld為中心的搬送裝置的概要的圖。在本實(shí) 施方式中，作為第二自動襯底搬送線，配置有一張一張地搬送晶片W的 傳送帶70,相對于該傳送帶70,以分別能夠直接交接晶片W的方式分 離地并列配置對晶片W表面涂敷預(yù)定的抗蝕劑的第一抗蝕劑涂敷處理 裝置2a和第二抗蝕劑涂敷處理裝置2b、以及對曝光處理后的晶片W進(jìn) 行顯影的第一顯影處理裝置5a和第二顯影處理裝置5b。
對晶片W進(jìn)行曝光處理的第一曝光處理裝置3a經(jīng)由對曝光處理后 的抗蝕劑進(jìn)行加熱處理的第一 PEB處理裝置4a,與第一顯影處理裝置 5a串聯(lián)配置。第二曝光裝置3b經(jīng)由第二PEB處理裝置4b,與第二顯影 處理裝置5b串聯(lián)配置。第一曝光處理裝置3a以如下方式構(gòu)成能夠經(jīng) 由第一 PEB處理裝置4a以及第一顯影處理裝置5a,在與傳送帶70之 間交接晶片W。同樣地，第二曝光處理裝置3b以如下方式構(gòu)成能夠 經(jīng)由第二 PEB處理裝置4b以及第一顯影處理裝置5b,在與傳送帶70 之間交接晶片W。此外，在本實(shí)施方式中，除了光刻處理部ld的裝置 布局結(jié)構(gòu)不同之外，與圖12示出的第二實(shí)施方式的襯底處理系統(tǒng)101 相同。
另外，在圖14中省略圖示，但是，在光刻處理部ld中，將第一以 及第二抗蝕劑涂敷處理裝置2a、 2b、第一以及第二曝光處理裝置3a、 3b、第一以及第二 PEB處理裝置4a、 4b、第一以及第二顯影處理裝置 5a、 5b作為一個組，并設(shè)置有多組。也就是，在各組內(nèi)仍維持上述各處 理裝置的設(shè)置比率，配置有整數(shù)倍的處理裝置。
在襯底處理系統(tǒng)103中，例如，由主搬送線20的OHT21從其他處 理部(未圖示)進(jìn)行盒搬送的晶片W，例如按照每個盒交接到第一抗蝕 劑涂敷處理裝置2a或第二抗蝕劑涂敷處理裝置2b的任一個的盒工作臺 210。在盒工作臺210上設(shè)置有片材搬入搬出端口 P,例如，將在第一抗 蝕劑涂敷處理裝置2a或第二抗蝕劑涂敷處理裝置2b中抗蝕劑涂敷處理 結(jié)束的晶片W臨時放置在該片材搬入搬出端口 P。然后，晶片操縱才幾械 手71將臨時放置在所述片材搬入搬出端口 P的晶片W—個一個交接到 傳送帶70。由于傳送帶7Q構(gòu)成為環(huán)狀，所以使晶片W—張一張循環(huán)式
24地移動。
此外，由主搬送線20的OHT21進(jìn)行搬送的晶片W搬入到第一抗 蝕劑涂敷處理裝置2a、第二抗蝕劑涂敷處理裝置2b、第一顯影處理裝 置5a或第二顯影處理裝置5b的哪一個盒工作臺210上都可以。在該情 況下，在各盒工作臺210中，能夠進(jìn)行從盒中抽出晶片W并將晶片直 接臨時放置到片材搬入搬出端口 P的交接動作。也就是，將由主搬送線 20的0HT21進(jìn)行盒搬送的晶片W在各裝置中處理之前暫時交接到傳送 帶70上，從而能夠?qū)⒃搨魉蛶?0活用為光刻處理部ld內(nèi)的緩沖器， 并且，能夠根據(jù)光刻處理部ld中的各裝置的運(yùn)轉(zhuǎn)狀況，在第二MES60 的控制之下進(jìn)行靈活的搬送。
對于在該傳送帶70上移動過程中的晶片W來說，利用ID號碼管 理下一個搬送目的地或搬送時間等。例如，對于在環(huán)狀的傳送帶70上 搬送的晶片W來說，在第二 MES60的控制之下進(jìn)行搬入到第一抗蝕劑 涂敷處理裝置2a或第二抗蝕劑處理裝置2b中的哪一個的分配。因此， 能夠根據(jù)抗蝕劑涂敷處理裝置的運(yùn)轉(zhuǎn)狀態(tài)進(jìn)行靈活的晶片搬送，能夠提 高光刻工序的處理能力。另外，對于在第一抗蝕劑涂敷處理裝置2a或 第二抗蝕劑處理裝置2b的任一個中抗蝕劑涂敷處理結(jié)束后的晶片W來 說，為了進(jìn)行曝光處理，經(jīng)由傳送帶70被搬送到第一顯影處理裝置5a 以及第二顯影處理裝置5b的任一個中。此時，也在第二MES60的控制 之下進(jìn)行搬送到第一顯影處理裝置5a或第二顯影處理裝置5b的哪一個 中的分配。因此，能夠根據(jù)顯影處理裝置和曝光處理裝置的運(yùn)轉(zhuǎn)狀態(tài)進(jìn) 行靈活的晶片搬送，能夠提高光刻工序的處理能力。然后，涂敷了抗蝕 劑的晶片W按照曝光、PEB、顯影的順序進(jìn)行處理。另外，在本實(shí)施方 式中，將顯影處理裝置(5a、 5b) 、 PEB處理裝置(4a、 4b)和曝光處 理裝置(3a、 3b)串聯(lián)配置，從而能夠以高處理能力進(jìn)行曝光處理、PEB 處理和顯影處理這一系列的處理。
在本實(shí)施方式的襯底處理系統(tǒng)103中，作為與主搬送線20獨(dú)立的 搬送機(jī)構(gòu)，在光刻處理部ld中使用傳送帶70,從而能夠增大向光刻處 理部ld內(nèi)的各處理裝置的搬送自由度。另外，能夠?qū)⒃诠饪烫幚聿縧d 內(nèi)的各處理裝置中處理后的晶片W依次由傳送帶70向進(jìn)行下一個工序 的處理的處理裝置進(jìn)行片材搬送，所以，與例如以盒為單位搬送至下一 個處理裝置的情況相比，等待時間減少，能夠提高效率。設(shè)置傳送帶70,
25從而能夠?qū)⒃诠饪坦ば蛑械奶幚硭俣纫约熬崴退俣扰c襯底處理系 統(tǒng)103中的其他處理部分離控制。因此，能夠以較高的處理能力處理光 刻工序。例如，對象雙重曝光工序那樣在光刻工序中施加大負(fù)荷這種處 理中也能夠謀求對應(yīng)。
另外，由于傳送帶70具有緩沖器功能，從而減少貯存在主搬送線
20上的半成品批次的數(shù)量，能夠抑制向主搬送線20的負(fù)荷。
另外，在上述結(jié)構(gòu)中，兩個抗蝕劑涂敷處理裝置(2a、 2b)和顯影 處理裝置(5a、 5b)并列配置，使得對于傳送帶70能夠直接交接晶片 W,所以，在任一個裝置中發(fā)生故障等問題的情況下，也能夠靈活地向 同種的其他裝置搬送晶片W并進(jìn)行處理。因此，能過提高包括光刻處 理部ld的襯底處理系統(tǒng)103整體的可靠性。
另外，由于能夠?qū)⒌谝黄毓馓幚硌b置3a和第一PEB處理裝置4a、 第二曝光處理裝置3b和第二PEB處理裝置4b分別相鄰配置，所以，曝 光后的時間管理變得容易，能夠進(jìn)行精度較高的PEB處理。
根據(jù)本發(fā)明的第一 ~第四實(shí)施方式，分別設(shè)置第 一 自動襯底搬送線 和第二自動襯底搬送線，從而能夠增大向光刻處理部內(nèi)的各處理裝置的
搬送的自由度，并且，能夠?qū)⒐饪坦ば蛑械奶幚硭俣纫约熬崴退俣?與襯底處理系統(tǒng)中的其他處理部分離控制，其中，所述第一自動襯底搬 送線在對被處理襯底單獨(dú)進(jìn)行處理的多個處理部之間進(jìn)行被處理襯底 的搬送，所述第二自動襯底搬送線構(gòu)成為能夠在與該第一襯底搬送線之 間交接襯底，在進(jìn)行所述光刻工序中 一 系列處理的各處理裝置之間進(jìn)行 被處理襯底的搬送。因此，能夠以較高的處理能力處理光刻工序，例如， 對象雙重曝光工序那樣在光刻工序中施加大負(fù)荷這種處理中也能夠謀 求對應(yīng)。另外，第二自動襯底搬送線本身具有緩沖器功能，所以能夠減 少貯存在第 一搬送襯底線上的半成品批次數(shù)量，并能夠抑制向第 一 自動 襯底搬送線的負(fù)荷的增大。
以上，例舉幾個實(shí)施方式對本發(fā)明進(jìn)行了說明，但是，本發(fā)明并不 限于這些實(shí)施方式，能夠進(jìn)行各種變形。例如，在第一 第四實(shí)施方式 (圖1、圖12、圖13以及圖14)的裝置布局結(jié)構(gòu)中，在使抗蝕劑涂敷 處理裝置、PEB處理裝置、曝光處理裝置和顯影處理裝置的設(shè)置個數(shù)進(jìn) 一步增加的情況下，如上所述，優(yōu)選仍維持圖1、圖12、圖13和圖14 示出的各裝置的設(shè)置比率，使整體的設(shè)置數(shù)量增加，但是，也可以僅使特定裝置增加，例如，僅增加抗蝕劑涂敷處理裝置的設(shè)置數(shù)量等。
并且，在上述實(shí)施方式的襯底處理系統(tǒng)中，對在半導(dǎo)體晶片上進(jìn)行 抗蝕劑涂敷、曝光、顯影的一系列的光刻工序的情況進(jìn)行了說明，但是， 本發(fā)明也能夠應(yīng)用于對除半導(dǎo)體晶片以外的其它^f皮處理襯底、例如FPD (平板顯示器)用的玻璃襯底進(jìn)行包括光刻工序的襯底處理系統(tǒng)。
產(chǎn)業(yè)上的可利用性
本發(fā)明能夠應(yīng)用于對半導(dǎo)體襯底等被處理襯底進(jìn)行包括光刻工序 的處理的襯底處理。
權(quán)利要求
1. 一種襯底處理系統(tǒng)，對被處理襯底進(jìn)行包括光刻工序的處理，具備第一自動襯底搬送線，在對被處理襯底單獨(dú)進(jìn)行處理的多個處理部之間進(jìn)行被處理襯底的搬送；光刻處理部，以能夠在與所述第一自動襯底搬送線之間交接被處理襯底的方式構(gòu)成，進(jìn)行所述光刻工序中的一系列處理；以及第二自動襯底搬送線，在所述光刻處理部的各處理裝置之間進(jìn)行被處理襯底的搬送。
2. 如權(quán)利要求1所述的襯底處理系統(tǒng)，其中，所述第二自動襯底搬送線是從所述第一 自動襯底搬送線獨(dú)立的循 環(huán)式的襯底搬送線。
3. 如權(quán)利要求2所述的襯底處理系統(tǒng)，其中，具備第一自動襯底搬送裝置，在所述第一自動襯底搬送線上移動， 在與所述各處理部之間進(jìn)行被處理襯底的交接；第二自動襯底搬送裝置，在所述第二自動襯底搬送線上移動，在所述光刻處理部的各處理裝 置之間進(jìn)行被處理襯底的交接。
4. 如權(quán)利要求3所述的襯底處理系統(tǒng)，其中，所述第一 自動襯底搬送裝置以及所述第二自動襯底搬送裝置是將 多張被處理襯底容納在容器中進(jìn)行搬送的容器搬送裝置。
5. 如權(quán)利要求3所述的襯底處理系統(tǒng)，其中，所述第 一 自動襯底搬送裝置是將多張被處理襯底容納在容器中進(jìn) 行搬送的容器搬送裝置，所述第二自動襯底搬送裝置是一張一張地搬送 被處理襯底的片材搬送裝置。
6. 如權(quán)利要求1所述的襯底處理系統(tǒng)，其中，具備第一控制部，控制所述第一自動襯底搬送線上的被處理襯底 的搬送；第二控制部，控制所述第二自動襯底搬送線上的被處理襯底的 搬送。
7. 如權(quán)利要求1所述的襯底處理系統(tǒng)，其中， 所述光刻處理部具備抗蝕劑涂敷處理裝置、曝光處理裝置和顯影處理裝置。
8. 如權(quán)利要求7所述的襯底處理系統(tǒng)，其中，在所述光刻處理部中，至少所述抗蝕劑涂敷處理裝置和所述顯影處 理裝置以能夠分別在與所述第二自動襯底搬送線之間交接被處理襯底 的方式分離配置。
9. 如權(quán)利要求7所述的襯底處理系統(tǒng)，其中，在所述光刻處理部中，所述抗蝕劑涂敷處理裝置、所述曝光處理裝 置和所述顯影處理裝置以能夠分別在與所述第二自動襯底搬送線之間 交接被處理襯底的方式分離配置。
10. 如權(quán)利要求7所述的襯底處理系統(tǒng)，其中， 在所述光刻處理部中，所述抗蝕劑涂敷處理裝置、所述曝光處理裝置和所述顯影處理裝置以能夠分別單獨(dú)地經(jīng)由襯底交接端口在與所述 第二自動襯底搬送線之間交接被處理襯底的方式構(gòu)成。
11. 如權(quán)利要求7所述的襯底處理系統(tǒng)，其中，以所述曝光處理裝置的設(shè)置數(shù)量相對于所述抗蝕劑涂敷處理裝置 的設(shè)置數(shù)量為1: 2的比率的方式配置。
12. 如權(quán)利要求7所述的襯底處理系統(tǒng)，其中， 曝光后烘焙處理裝置與所述曝光處理裝置相鄰配置。
13. 如權(quán)利要求1所述的襯底處理系統(tǒng)，其中， 所述光刻處理部是通過雙重曝光技術(shù)進(jìn)行圖案形成的處理部。
14. 一種襯底搬送方法，在對一皮處理襯底進(jìn)行包括光刻工序的處理 的襯底處理系統(tǒng)中搬送被處理襯底，其中，所述襯底處理系統(tǒng)具備第一自動襯底搬送線，在對被處理襯底單 獨(dú)進(jìn)行處理的多個處理部之間進(jìn)行被處理襯底的搬送；循環(huán)式的第二自 動襯底搬送線，以能夠在與所述第 一自動襯底搬送線之間交接被處理襯 底的方式構(gòu)成，并且專用于進(jìn)行所述光刻工序中的 一 系列處理的光刻處 理部，在所述光刻處理部中，利用所述第二自動襯底搬送線在各處理裝置 之間進(jìn)行被處理襯底的搬送。
15. 如權(quán)利要求14所述的襯底搬送方法，其中， 在所述光刻處理部中，至少所述抗蝕劑涂敷處理裝置和所述顯影處理裝置以能夠分別在與所述第二自動襯底搬送線之間交接被處理襯底 的方式分離配置，根據(jù)各處理裝置的運(yùn)轉(zhuǎn)狀態(tài)，選擇從所述第二自動襯底搬送線搬入-故處理襯底的搬入目的地。
16. 如權(quán)利要求14所述的襯底搬送方法，其中，在所述第一 自動襯底搬送線和所述第二自動襯底搬送線中，將多張 被處理襯底容納在容器中進(jìn)行搬送，在所述第二自動襯底搬送線和所述 光刻處理部的各處理裝置之間，在容納在所述容器中的狀態(tài)下進(jìn)行被處 理襯底的交接。
17. 如權(quán)利要求14所述的襯底搬送方法，其中，在所述第一 自動襯底搬送線中，將多張被處理襯底容納在容器中進(jìn) 行搬送，在所述第二自動襯底搬送線中， 一張一張地搬送被處理襯底， 并且，在所述第二自動襯底搬送線和所述光刻處理部的各處理裝置之 間， 一張一張地進(jìn)行被處理襯底的交接。
18. —種控制程序，其中，在計(jì)算機(jī)上進(jìn)行工作，以在執(zhí)行時進(jìn)行權(quán)利要求14的襯底搬送方 法的方式控制所述襯底處理系統(tǒng)。
19. 一種計(jì)算機(jī)可讀取的存儲介質(zhì)，對在計(jì)算機(jī)上工作的控制程序進(jìn)行存儲，其中，所述控制程序以在執(zhí)行時進(jìn)行杈利要求14的襯底搬送方法的方式 控制所述襯底處理系統(tǒng)。
全文摘要
本發(fā)明涉及襯底處理系統(tǒng)以及襯底搬送方法。襯底處理系統(tǒng)(100)具有主搬送線(20)和副搬送線(30)，該主搬送線(20)是在系統(tǒng)的整體中進(jìn)行晶片的搬送以及與各處理部的襯底交接的第一自動襯底搬送線，該副搬送線(30)是進(jìn)行在光刻處理部(1a)內(nèi)的晶片的搬送的第二自動襯底搬送線。副搬送線(30)設(shè)置成與主搬送線(20)獨(dú)立的搬送系統(tǒng)，OHT(31)圍繞形成為環(huán)狀的副搬送線(30)移動，向光刻處理部(1a)內(nèi)的各處理裝置搬送晶片，在與各處理裝置之間進(jìn)行晶片的交接。
文檔編號H01L21/677GK101467242SQ200780022258
公開日2009年6月24日 申請日期2007年6月15日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月15日
發(fā)明者山口忠之, 山本雄一, 山田善章, 雜賀康仁 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社