專利名稱：：靜電吸盤(pán)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及靜電吸盤(pán)裝置，具體涉及在電極上施加高頻而生成等離子體，由該等離子體對(duì)半導(dǎo)體薄片、金屬薄片、玻璃板等板狀試料實(shí)施等離子體處理的高頻放電方式的等離子體處理裝置中適用的靜電吸盤(pán)裝置。
背景技術(shù)：
：以前，在IC、LSI、VLSI等半導(dǎo)體器件或者液晶顯示器等平板顯示器(FlatPanelDisplay:FPD)等的制造工藝的蝕刻、沉積、氧化、濺射等處理中，為了使處理氣體在比較低的溫度下進(jìn)行良好的反應(yīng)，大多利用等離子體。一般而言，等離子體處理裝置生成等離子體的方式大致分為利用輝光放電或高頻放電的方式和利用微波的方式。圖7是表示現(xiàn)有高頻放電方式的等離子體處理裝置中搭載的靜電吸盤(pán)裝置的一個(gè)例子的斷面圖，該靜電吸盤(pán)裝置1設(shè)置在兼作真空容器的工作室(圖示省略)的下部，包括靜電吸盤(pán)部2和固定于該靜電吸盤(pán)部2的底面而成為一體的金屬基座部3。靜電吸盤(pán)部2包括把上面作為載置、靜電吸附半導(dǎo)體薄片等板狀試料W的載置面4a并且內(nèi)置了靜電吸附用內(nèi)部電極5的基體4和對(duì)該靜電吸附用內(nèi)部電極5施加直流電壓的供電用端子6，該供電用端子6與施加高壓直流電壓的高壓直流電源7連接。還有，金屬基座部3兼作高頻產(chǎn)生用電極(下部電極)，因而與高頻電壓產(chǎn)生用電源8連接，在其內(nèi)部形成了讓水、有機(jī)溶劑等冷卻用介質(zhì)循環(huán)的流路9。并且，工作室接地。在該靜電吸盤(pán)裝置l中，把板狀試料W載置在載置面4a上，由高壓直流電源7通過(guò)供電用端子6對(duì)靜電吸附用內(nèi)部電極5施加直流電壓，從而靜電吸附板狀試料W。接著，使工作室內(nèi)成為真空而導(dǎo)入處理氣體，由高頻電壓產(chǎn)生用電源8在金屬基座部3(下部電極)和上部電極(圖示省略)之間施加高頻功率而在工作室內(nèi)產(chǎn)生高頻電場(chǎng)。作為高頻，一般采用十幾MHz以下范圍的頻率。能由該高頻電場(chǎng)來(lái)加速電子，通過(guò)該電子和處理氣體的碰撞電離而產(chǎn)生等離子體，由該等離子體進(jìn)行各種處理。而近幾年，在等離子體處理中，對(duì)于采用等離子體中的離子能量低并且電子密度高的「低能量高密度等離子體」的處理的要求越來(lái)越多。在采用該低能量高密度等離子體的處理中，有時(shí)產(chǎn)生等離子體的高頻功率的頻率與以前相比變得非常高，例如為100MHz。這樣，若提高所施加的功率的頻率，則存在電場(chǎng)強(qiáng)度在與靜電吸盤(pán)部2的中央即板狀試料W的中央相當(dāng)?shù)膮^(qū)域變強(qiáng)，而在其周緣部變?nèi)醯膬A向。因此，電場(chǎng)強(qiáng)度的分布變得不均勻，所產(chǎn)生的等離子體的電子密度也會(huì)不均勻，隨板狀試料W的面內(nèi)的位置不同，處理速度等就會(huì)不同，不能得到面內(nèi)均勻性良好的處理結(jié)果，這是存在的問(wèn)題。為了消除這樣的問(wèn)題，提出了圖8所示的等離子體處理裝置(專利文獻(xiàn)1)。該等離子體處理裝置11是為了提高等離子體處理的面內(nèi)均勻性，在施加高頻功率的下部電極(金屬基座部)12的與上部電極13對(duì)著的一側(cè)的表面的中央部埋設(shè)陶瓷等電介質(zhì)層14而使電場(chǎng)強(qiáng)度分布變得均勻。另外，在圖中，15是高頻產(chǎn)生用電源，PZ是等離子體，E是電場(chǎng)強(qiáng)度，W是板狀試料。在該等離子體處理裝置11中，若由高頻產(chǎn)生用電源15對(duì)下部電極12施加高頻功率，則通過(guò)趨膚效應(yīng)在下部電極12的表面上傳播而到達(dá)上部的高頻電流沿著板狀試料w的表面流向中央，并且有一部分泄露到下部電極12—側(cè)，此后，向外側(cè)流到下部電極12內(nèi)部。在該過(guò)程中高頻電流在設(shè)置電介質(zhì)層14的部分，比起未設(shè)置電介質(zhì)層14的部分來(lái)，會(huì)更深地潛入，從而產(chǎn)生TM模式的空腔圓筒諧振。結(jié)果，從板狀試料W的面上向等離子體供給的中央部分的電場(chǎng)強(qiáng)度變?nèi)?，板狀試料W的面內(nèi)的電場(chǎng)變得均勻。而等離子體處理大多是在接近真空的減壓下進(jìn)行，在這樣的情況下，板狀試料W的固定常采用圖9所示的靜電吸盤(pán)裝置。該靜電吸盤(pán)裝置16是在電介質(zhì)層17中內(nèi)置了導(dǎo)電性的靜電吸附用內(nèi)部電極18的構(gòu)造，例如由噴度氧化鋁等而形成的2個(gè)電介質(zhì)層夾持導(dǎo)電性的靜電吸附用內(nèi)部電極。在該靜電吸盤(pán)裝置16中，利用由高壓直流電源7對(duì)靜電吸附用內(nèi)部電極18施加高壓直流功率而在電介質(zhì)層17的表面上產(chǎn)生的靜電吸附力來(lái)靜電吸附、固定板狀試料W。特開(kāi)2004—363552號(hào)公報(bào)(第15頁(yè)，段落00840085，圖19)
發(fā)明內(nèi)容發(fā)明打算解決的課題然而，在這樣的靜電吸盤(pán)裝置中，板狀試料W的中央部的上方的等離子體的電位高并且周緣部的電位低，所以在板狀試料W的中央部和周緣部，處理速度會(huì)不同，成為蝕刻等等離子體處理的面內(nèi)不均勻的主要原因，這是存在的問(wèn)題點(diǎn)。還有，靜電吸附力的表現(xiàn)、響應(yīng)性也不充分。對(duì)此，本發(fā)明者為消除上述問(wèn)題而進(jìn)行了深入研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，需要把靜電吸盤(pán)裝置的靜電吸附用內(nèi)部電極的體積固有電阻設(shè)為1.0X10一10*cm以上且1.0X105Q.cm以下，優(yōu)選的是1.0X102Qcm以上且1.0X104Qcm以下的范圍內(nèi)。并且，作為具有這樣的體積固有電阻的材料，可列舉下面的燒結(jié)體。(1)對(duì)氧化鋁(Al203)等絕緣性陶瓷添加鉬(Mo)、鎢(W)、鉭(Ta)等高熔點(diǎn)金屬所得的燒結(jié)體。(2)對(duì)氧化鋁(Al203)等絕緣性陶瓷添加氮化鉅(TaN)、碳化鉅(TaC)、碳化鉬(Mo2C)等導(dǎo)電性陶瓷所得的燒結(jié)體。(3)對(duì)氧化鋁(Al203)等絕緣性陶瓷添加碳(C)等導(dǎo)電體所得的燒結(jié)體。然而，若由上述(1)(3)的燒結(jié)體制造靜電吸附用內(nèi)部電極，則難以把高熔點(diǎn)金屬、導(dǎo)電性陶瓷、碳等導(dǎo)電性成分與絕緣性陶瓷在工業(yè)規(guī)模下均勻混合，所以這些導(dǎo)電性成分的比率相對(duì)于為得到目標(biāo)體積固有電阻值所需的比率容易發(fā)生變動(dòng)。這樣，若這些導(dǎo)電性成分稍微變動(dòng)，則體積固有電阻值會(huì)很大地變動(dòng)，所以該體積固有電阻不會(huì)成為希望的一定值，因而容易從1.0X10—'cm以上且1.0X105Qcm以下，優(yōu)選的是1.0X1020cm以上且1.0X104Qcm以下的范圍偏離，非常難把靜電吸附用內(nèi)部電極的體積固有電阻調(diào)整到希望的一定值，這是存在的問(wèn)題點(diǎn)。還有，對(duì)于制造靜電吸盤(pán)裝置時(shí)采用的工業(yè)規(guī)模的熱處理爐而言，爐內(nèi)的溫度分布不均勻，通常有士25。C土5(rC程度的溫度偏差。因此，在制造該靜電吸盤(pán)裝置時(shí)，若在載置板狀試料的軟置板和支撐該載置板的支撐板之間，夾持成為靜電吸附用內(nèi)部電極的含有上述(1)(3)的燒結(jié)體的原料成分的導(dǎo)電材料層，此后，對(duì)其進(jìn)行燒制，使載置板、靜電吸附用內(nèi)部電極及支撐板接合成一體，則所生成的靜電吸附用內(nèi)部電極的體積固有電阻會(huì)受到爐內(nèi)的溫度分布的很大影響，所以該體積固有電阻不會(huì)成為希望的一定值，因此，容易從1.0X10—1Q*cm以上且1.0X105Qcm以下，優(yōu)選的是1.0X102Qcm以上且1.0X104Q，cm以下的范圍偏離，非常難把靜電吸附用內(nèi)部電極的體積固有電阻調(diào)整到希望的一定值，這是存在的問(wèn)題點(diǎn)。這樣，靜電吸附用內(nèi)部電極的體積固有電阻容易受到導(dǎo)電性成分的變動(dòng)、燒制時(shí)的溫度變動(dòng)的影響，所以難以穩(wěn)定地獲得希望的一定值，因而，難以獲得可對(duì)板狀試料進(jìn)行均勻的等離子體處理且靜電吸附力的表現(xiàn)、響應(yīng)性良好的靜電吸盤(pán)裝置。本發(fā)明是鑒于上述情況而提出的，其目的在于提供一種在適用于等離子體處理裝置的情況下，能提高等離子體中的電場(chǎng)強(qiáng)度的面內(nèi)均勻性，對(duì)板狀試料進(jìn)行面內(nèi)均勻性高的等離子體處理的靜電吸盤(pán)裝置。解決課題的方案本發(fā)明者等為解決上述課題而進(jìn)行了深入研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，把含有絕緣性陶瓷和作為導(dǎo)電性成分的碳化硅的復(fù)合燒結(jié)體作為靜電吸附用內(nèi)部電極，并且將其體積固有電阻設(shè)為1.0X1(T10，cm以上且1.0X10SQ，cm以下，就能有效地解決上述課題，于是提出了本發(fā)明。艮P，本發(fā)明的靜電吸盤(pán)裝置，其特征在于，具備靜電吸盤(pán)部，該靜電吸盤(pán)部具備把一主面作為載置板狀試料的載置面并且內(nèi)置了靜電吸附用內(nèi)部電極的基體；以及對(duì)該靜電吸附用內(nèi)部電極施加直流電壓的供電用端子；以及固定于該靜電吸盤(pán)部的基體的另一主面上而與其成為一體，作為高頻產(chǎn)生用電極的金屬基座部，上述靜電吸附用內(nèi)部電極由含有絕緣性陶瓷和碳化硅的復(fù)合燒結(jié)體形成，并且其體積固有電阻為1.0X1(T10cm以上且1.0X105Qcm以下。在該靜電吸盤(pán)裝置中，用含有絕緣性陶瓷和碳化硅的復(fù)合燒結(jié)體作為靜電吸附用內(nèi)部電極，并且將其體積固有電阻設(shè)為1.0X10—10vm以上且1.0X105Qvm以下，從而即使是作為導(dǎo)電性成分的碳化硅(SiC)的含有率相對(duì)于為能獲得目標(biāo)體積固有電阻所需的含有率發(fā)生變動(dòng)，該靜電吸附用內(nèi)部電極的體積固有電阻也不會(huì)相對(duì)于目標(biāo)值發(fā)生很大變動(dòng)，還有，該體積固有電阻的溫度變化也小，可在室溫(25'C)100'C的溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定地使用。還有，在制造該靜電吸附用內(nèi)部電極時(shí)熱處理溫度、燒制溫度變動(dòng)了的情況下，該靜電吸附用內(nèi)部電極的體積固有電阻也不會(huì)相對(duì)于目標(biāo)值發(fā)生很大變動(dòng)。這樣，在靜電吸附用內(nèi)部電極的體積固有電阻保持于l.OXl(T1Q*cm以上且1.0X105Q'cm以下的范圍內(nèi)，對(duì)金屬基座部施加了高頻電壓的情況下，高頻電流通過(guò)靜電吸附用內(nèi)部電極，效率很好地實(shí)現(xiàn)等離子體密度的均勻化。因而，可對(duì)板狀試料進(jìn)行均勻的等離子體處理。還有，靜電吸附力的表現(xiàn)、響應(yīng)性也出色。優(yōu)選的是，上述復(fù)合燒結(jié)體含有5重量％以上且20重量％以下的碳化硅。在該復(fù)合燒結(jié)體中，按5重量％以上且20重量％以下的范圍控制復(fù)合燒結(jié)體中的碳化硅的含有率，從而使靜電吸附用內(nèi)部電極的體積固有電阻容易地處于1.0X10_1Qcm以上且1.0X105Qcm以下的范圍內(nèi)。還有，復(fù)合燒結(jié)體含有碳化硅，從而成為致密的、機(jī)械強(qiáng)度出色的東西。8優(yōu)選的是，上述復(fù)合燒結(jié)體按合計(jì)30體積％以下含有從金屬、碳、導(dǎo)電性陶瓷的組中選擇的1種或2種以上。在該復(fù)合燒結(jié)體中，按合計(jì)30體積％以下含有從金屬、碳、導(dǎo)電性陶瓷的組中選擇的1種或2種以上，從而可把復(fù)合燒結(jié)體的體積固有電阻容易地調(diào)整到1.0X10_1Qcm以上且1.0X105Qcm以下的范圍內(nèi)。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明的靜電吸盤(pán)裝置，用含有絕緣性陶瓷和碳化硅的復(fù)合燒結(jié)體作為靜電吸附用內(nèi)部電極，并且，將其體積固有電阻設(shè)為1.0X10一10cm以上且1.0X105Q'cm以下，因而即使是作為導(dǎo)電性成分的碳化硅(SiC)的含有率相對(duì)于為能獲得目標(biāo)體積固有電阻所需的含有率發(fā)生變動(dòng)，還有，即使是在制造該靜電吸附用內(nèi)部電極時(shí)熱處理溫度、燒制溫度發(fā)生變動(dòng)，也能把該靜電吸附用內(nèi)部電極的體積固有電阻很好地保持于1.0X10—^cm以上且1.0X105Qcm以下的范圍內(nèi)。因此，在對(duì)金屬基座部施加了高頻電壓的情況下，高頻電流能通過(guò)靜電吸附用內(nèi)部電極，能效率很好地實(shí)現(xiàn)等離子體密度的均勻化。因而，能對(duì)板狀試料實(shí)施均勻的等離子體處理。還有，能獲得靜電吸附力的表現(xiàn)、響應(yīng)性出色的東西。還有，復(fù)合燒結(jié)體含有5重量％以上且20重量％以下的碳化硅，因而能把靜電吸附用內(nèi)部電極的體積固有電阻容易地控制在l.OXl(T1Qcm以上且1.0X105Q.cm以下的范圍內(nèi)。還有，復(fù)合燒結(jié)體含有碳化硅，因而能獲得致密且機(jī)械強(qiáng)度出色的東西。還有，復(fù)合燒結(jié)體金屬按合計(jì)30體積％以下含有從金屬、碳、導(dǎo)電性陶瓷的組中選擇的1種或2種以上，因而可把體積固有電阻容易地調(diào)整到1.0X10—cm以上且1.0X105Qcm以下的范圍內(nèi)。是本發(fā)明的一實(shí)施方式的靜電吸盤(pán)裝置的斷面圖。[圖2]是表示本發(fā)明的一實(shí)施方式的靜電吸附用內(nèi)部電極的變形例的俯視圖。是表示本發(fā)明的一實(shí)施方式的靜電吸附用內(nèi)部電極的變形例的俯視圖。是表示本發(fā)明的一實(shí)施方式的靜電吸附用內(nèi)部電極的變形例的俯視圖。是表示本發(fā)明的一實(shí)施方式的靜電吸附用內(nèi)部電極的變形例的俯視圖。是表示實(shí)施例及比較例1、2的靜電吸附力的經(jīng)時(shí)變化的測(cè)量結(jié)果的圖。是表示現(xiàn)有靜電吸盤(pán)裝置的一個(gè)例子的斷面圖。[圖8]是表示現(xiàn)有等離子體處理裝置的一個(gè)例子的斷面圖。[圖9]是表示現(xiàn)有的搭載了靜電吸盤(pán)裝置的等離子體處理裝置的一個(gè)例的斷面圖。符號(hào)說(shuō)明21靜電吸盤(pán)裝置22靜電吸盤(pán)部23金屬基座部24電介質(zhì)板25靜電吸附用內(nèi)部電極26基體27供電用端子28流路31載置板31a上面32支撐板33絕緣材料層34凹部35絕緣性的粘著/接合劑層36供電用端子插入孔37絕緣子38冷卻氣體導(dǎo)入孔41靜電吸附用內(nèi)部電極42復(fù)合燒結(jié)體43開(kāi)口51靜電吸附用內(nèi)部電極52a52e復(fù)合燒結(jié)體61靜電吸附用內(nèi)部電極62a、62b復(fù)合燒結(jié)體63開(kāi)口71靜電吸附用內(nèi)部電極72a72d復(fù)合燒結(jié)體73開(kāi)口W板狀試料具體實(shí)施例方式對(duì)于實(shí)施本發(fā)明的靜電吸盤(pán)裝置的最佳方式進(jìn)行說(shuō)明。另外，以下各實(shí)施方式是為了更好地理解發(fā)明宗旨而具體地進(jìn)行說(shuō)明，在沒(méi)有特別指明的情況下，本發(fā)明不限于此。圖1是表示本發(fā)明的一實(shí)施方式的靜電吸盤(pán)裝置的斷面圖，該靜電吸盤(pán)裝置21包括靜電吸盤(pán)部22、金屬基座部23和電介質(zhì)板24。靜電吸盤(pán)部22包括把上面(一主面)作為載置板狀試料W的載置面而內(nèi)置了靜電吸附用內(nèi)部電極25的圓板狀的基體26和對(duì)該靜電吸附用內(nèi)部電極25施加直流電壓的供電用端子27?；w26以把上面31a作為用于載置半導(dǎo)體薄片、金屬薄片、玻璃板等板狀試料W的載置面的圓板狀的載置板31、與該載置板31的下面(另一主面)側(cè)相對(duì)配置的圓板狀的支撐板32、在載置板31和支撐板32之間夾持的面狀的靜電吸附用內(nèi)部電極25和在該內(nèi)部電極25的外周側(cè)以圍著它的方式設(shè)置的環(huán)狀的絕緣材料層33作為主體而構(gòu)成。另一方面，在金屬基座部23上，形成了讓水、有機(jī)溶劑等冷卻用介質(zhì)在其內(nèi)部循環(huán)的流路28，可把上述載置面上載置的板狀試料W的溫度維持在希望的溫度。該金屬基座部23兼作高頻產(chǎn)生用電極。在該金屬基座部23的靜電吸盤(pán)部22—側(cè)的表面(主面)上，形成了圓形的凹部34，在該凹部34內(nèi)夾隔絕緣性的粘著/接合劑層35而粘著/接合電介質(zhì)板24，該電介質(zhì)板24和靜電吸盤(pán)部22的支撐板32夾隔絕緣性的粘著/接合劑層35而粘著/接合。還有，在支撐板32及金屬基座部23的中央部附近，形成了供電用端子插入孔36,在該供電用端子插入孔36中，夾隔圓筒狀的絕緣子37而插入用于對(duì)靜電吸附用內(nèi)部電極25施加直流電壓的供電用端子27。該供電用端子27的上端部與靜電吸附用內(nèi)部電極25電連接。還有，在載置板31、支撐板32、靜電吸附用內(nèi)部電極25、電介質(zhì)板24及金屬基座部23上，形成了貫通它們的冷卻氣體導(dǎo)入孔38，通過(guò)該冷卻氣體導(dǎo)入孔38向載置板31和板狀試料W的下面之間的間隙中供給He等冷卻氣體。12該載置板31的上面31a搭載1枚板狀試料W，作為通過(guò)靜電吸附力而靜電吸附該板狀試料W的靜電吸附面，在該上面(靜電吸附面)31a上，設(shè)有多個(gè)沿著該上面31a的斷面為大致圓形的圓柱狀的突起部(圖示省略)，這些突起部各自的頂面與上面31a平行。還有，在該上面31a的周緣部，為不使He等冷卻氣體泄漏，圍繞該上面31a的周緣部而形成了沿該周緣部連續(xù)且與突起部的高度為相同高度的壁部(圖示省略)。作為把該電介質(zhì)板24和靜電吸盤(pán)部22的支撐板32粘著/接合起來(lái)的絕緣性的粘著/接合劑層35，只要是絕緣性出色的東西即可，沒(méi)有特別的限制，例如，優(yōu)選采用在硅酮類粘著劑中添加作為絕緣性陶瓷的氮化鋁(A1N)粉末、氧化鋁(八1203)粉末而成的東西。在這里，使用絕緣性的粘著/接合劑層35的原因是，若不使用該絕緣性的粘著/接合劑層35，而是夾隔導(dǎo)電性的粘著/接合劑層來(lái)粘著/接合電介質(zhì)板24和支撐板32，則高頻電流不能通過(guò)導(dǎo)電性的粘著/接合劑層，而會(huì)傳到該導(dǎo)電性的粘著/接合劑層，流向外緣部方向，無(wú)法實(shí)現(xiàn)等離子體的均勻化。在這里，是夾隔絕緣性的粘著/接合劑層35而粘著/固定電介質(zhì)板24和凹部34的構(gòu)成，不過(guò)，電介質(zhì)板24和凹部34的固定方法沒(méi)有特別的限制，例如，也可以是夾隔導(dǎo)電性的粘著/接合劑層而粘著/固定的構(gòu)成，或者，也可以是把電介質(zhì)板24和凹部34的粘著/接合部分設(shè)為互補(bǔ)形狀，嵌合電介質(zhì)板24和凹部34的構(gòu)成。這樣構(gòu)成的靜電吸盤(pán)裝置21可以搭載于等離子體蝕刻裝置等等離子體處理裝置的工作室內(nèi)，在作為載置面的上面31a上載置板狀試料W，對(duì)靜電吸附用內(nèi)部電極25通過(guò)供電用端子27施加給定的直流電壓，從而利用靜電力來(lái)吸附、固定板狀試料W，并且在兼作高頻產(chǎn)13生用電極的金屬基座部23和上部電極之間施加高頻電壓而在載置板31上產(chǎn)生等離子體，從而對(duì)板狀試料W實(shí)施各種等離子體處理。其次，更加詳細(xì)地說(shuō)明該靜電吸盤(pán)裝置的各構(gòu)成要素。「載置板及支撐板」載置板31及支撐板32都是陶瓷的。作為該陶瓷，優(yōu)選的是由從氮化鋁(A1N)、氧化鋁(八1203)、氮化硅(Si3N4)、氧化鋯(ZrO。、賽隆、氮化硼(BN)、碳化硅(SiC)中選擇的1種組成的陶瓷，或者包含2種以上的復(fù)合陶瓷。還有，構(gòu)成它們的材料可以是單一的也可以是混合物，優(yōu)選的是熱膨脹系數(shù)盡可能接近靜電吸附用內(nèi)部電極25的熱膨脹系數(shù)的東西，并且是容易燒結(jié)的東西。還有，載置板31的上面31a—側(cè)成為靜電吸附面，所以優(yōu)選的是介電常數(shù)特別高的材質(zhì)，選擇對(duì)于所靜電吸附的板狀試料W不會(huì)成為雜質(zhì)的東西?？紤]到以上情況，載置板31及支撐板32優(yōu)選的是以氧化鋁為主要成分，實(shí)質(zhì)上含有1重量％20重量％的碳化硅的碳化硅一氧化鋁類復(fù)合燒結(jié)體。作為該碳化硅一氧化鋁類復(fù)合燒結(jié)體，若采用由氧化鋁^1203)和以氧化硅(Si02)覆蓋的碳化硅(SiC)組成的復(fù)合燒結(jié)體，相對(duì)于復(fù)合燒結(jié)體整體，把碳化硅(SiC)的含有率設(shè)為5重量％以上且15重量％以下，則室溫(25'C)下的體積固有電阻為1.0X10"Q，cm以上，適合作為庫(kù)侖型的靜電吸盤(pán)裝置的載置板31。并且是耐磨損性出色，不會(huì)成為薄片的污染、粒子產(chǎn)生的原因，而且提高了耐等離子體性的東西。還有，作為該碳化硅一氧化鋁類復(fù)合燒結(jié)體，若采用由氧化鋁(Al203)和碳化硅(SiC)組成的復(fù)合燒結(jié)體，相對(duì)于復(fù)合燒結(jié)體整體，把碳化硅(SiC)的含有率設(shè)為5重量％以上且15重量。/。以下，則室溫(25。C)下的體積固有電阻為1.0X109Q*cm以上且1.0X1012Q'cm以下，適合作為約翰遜拉貝庫(kù)型的靜電吸盤(pán)裝置的載置板31。并且是耐磨損性出色，不會(huì)成為薄片的污染、粒子產(chǎn)生的原因，而且提高了耐等離子體性的東西。還有，該碳化硅一氧化鋁類復(fù)合燒結(jié)體中的碳化硅粒子的平均粒子徑優(yōu)選的是0.2um以下。這是因?yàn)椋籼蓟枇Ｗ拥钠骄Ｗ訌匠^(guò)0.2wm，則等離子體照射時(shí)的電場(chǎng)集中在碳化硅—氧化鋁類復(fù)合燒結(jié)體中的碳化硅粒子的部分，碳化硅粒子周邊容易受到損傷。還有，該碳化硅一氧化鋁類復(fù)合燒結(jié)體中的氧化鋁粒子的平均粒子徑優(yōu)選的是2um以下。這是因?yàn)?，若氧化鋁粒子的平均粒子徑超過(guò)2nm，則碳化硅—氧化鋁類復(fù)合燒結(jié)體容易被等離子體蝕刻，形成濺射痕，表面粗糙度變粗?！胳o電吸附用內(nèi)部電極」靜電吸附用內(nèi)部電極25由含有絕緣性陶瓷和碳化硅的厚度lOwm50um程度的圓板狀的復(fù)合燒結(jié)體構(gòu)成，靜電吸盤(pán)裝置的使用溫度下的體積固有電阻為1.0X10—^cm以上且1,0X105Qcm以下，優(yōu)選的是1.0X1020cm以上且1.0X104Qcm以下。在這里，按上述方式限定體積固有電阻的范圍的原因是，若體積固有電阻低于1.0X10—*cm，則在對(duì)金屬基座部23施加了高頻電壓的情況下，高頻電流不能通過(guò)靜電吸附用內(nèi)部電極25，因而，不能使靜電吸盤(pán)部22的表面的電場(chǎng)強(qiáng)度均勻化，結(jié)果就不能實(shí)現(xiàn)等離子體的均勻化，另一方面，若體積固有電阻超過(guò)1.0X105Q.cm，則靜電吸附用內(nèi)部電極25實(shí)質(zhì)上成為絕緣體，不能表現(xiàn)作為靜電吸附用內(nèi)部電極的功能，靜電吸附力不表現(xiàn)，或者靜電吸附力的響應(yīng)性降低，達(dá)到所需的靜電吸附力的表現(xiàn)需要很長(zhǎng)時(shí)間。對(duì)于作為含有該絕緣性陶瓷和碳化硅的復(fù)合燒結(jié)體而言，采用氧化鋁作為絕緣性陶瓷的碳化硅—氧化鋁復(fù)合燒結(jié)體通過(guò)控制氧化鋁及碳化硅的粒子徑、燒制條件(燒制溫度、燒制時(shí)間、燒制時(shí)的加壓力等)，能在1.0X10—^cm以上且1.0X105Qcm以下的范圍容易地獲得目標(biāo)體積固有電阻，因而是優(yōu)選的。構(gòu)成該靜電吸附用內(nèi)部電極25的碳化硅一氧化鋁復(fù)合燒結(jié)體中的氧化鋁(八1203)的粒子徑優(yōu)選的是5ym以下，更優(yōu)選的是0.1ym以上且lum以下。這是因?yàn)?，若氧化鋁(Al203)的粒子徑超過(guò)5um，則體積固有電阻變得過(guò)大，難以把碳化硅一氧化鋁復(fù)合燒結(jié)體的體積固有電阻控制在1.0X10一10cm以上且1.0X105Qcm以下。在這里，為了把氧化鋁(Al203)的粒子徑控制在5um以下，控制所采用的氧化鋁的粒子徑、燒制條件(燒制溫度、燒制時(shí)間、燒制時(shí)的加壓力等)即可。還有，該靜電吸附用內(nèi)部電極25不是必須是其全區(qū)域由具有1.0X10_1Q'cm以上且1.0X105Qcm以下的范圍內(nèi)的體積固有電阻的材料來(lái)形成，只要是該靜電吸附用內(nèi)部電極25的全區(qū)域的50%以上，優(yōu)選的是70%以上的區(qū)域由具有1.0X10_1Q'cm以上且1.0X105Q，cm以下的范圍內(nèi)的體積固有電阻的材料來(lái)形成即可。16該靜電吸附用內(nèi)部電極25的形狀、大小可按照其目的適當(dāng)?shù)刈兏＠?，作為形狀，除了上述圓板狀以外，還可以列舉圖2圖5所示的形狀。圖2是表示本實(shí)施方式的靜電吸盤(pán)裝置的靜電吸附用內(nèi)部電極的變形例的俯視圖，是具備單極型的靜電吸盤(pán)部的靜電吸盤(pán)裝置的靜電吸附用內(nèi)部電極的例子。該靜電吸附用內(nèi)部電極41是在含有絕緣性陶瓷和碳化硅的圓形的復(fù)合燒結(jié)體42的中心部形成了圓形的開(kāi)口43的構(gòu)造。圖3是表示本實(shí)施方式的靜電吸盤(pán)裝置的靜電吸附用內(nèi)部電極的變形例的俯視圖，是具備單極型的靜電吸盤(pán)部的靜電吸盤(pán)裝置的靜電吸附用內(nèi)部電極的另一個(gè)例子。該靜電吸附用內(nèi)部電極51是含有絕緣性陶瓷和碳化硅的直徑不同的圓環(huán)的復(fù)合燒結(jié)體52a52c按同心圓狀配置，復(fù)合燒結(jié)體52a、52b由多個(gè)條狀的復(fù)合燒結(jié)體52d(圖3是4個(gè))連接，復(fù)合燒結(jié)體52b、52c由多個(gè)條狀的復(fù)合燒結(jié)體52e(圖3是4個(gè))連接的構(gòu)造。圖4是表示本實(shí)施方式的靜電吸盤(pán)裝置的靜電吸附用內(nèi)部電極的變形例的俯視圖，是具備雙極點(diǎn)型的靜電吸盤(pán)部的靜電吸盤(pán)裝置的靜電吸附用內(nèi)部電極的例子。該靜電吸附用內(nèi)部電極61是含有絕緣性陶瓷和碳化硅的半圓形的復(fù)合燒結(jié)體62a、62b按整體形狀成為圓形的方式相對(duì)配置，在它們的中心部形成了圓形的開(kāi)口63的構(gòu)造。圖5是表示本實(shí)施方式的靜電吸盤(pán)裝置的靜電吸附用內(nèi)部電極的變形例的俯視圖，是具備雙極點(diǎn)型的靜電吸盤(pán)部的靜電吸盤(pán)裝置的靜電吸附用內(nèi)部電極的另一個(gè)例子。該靜電吸附用內(nèi)部電極71是含有絕緣性陶瓷和碳化硅而成的扇形的復(fù)合燒結(jié)體72a72d以中心軸為中心按整體形狀成為圓形的方式配置，在它們的中心部形成了圓形的開(kāi)口73的構(gòu)造?！附^緣材料層」絕緣材料層33是用于把載置板31和支撐板32連接成一體的東西，還有，它是用于相對(duì)于等離子體、腐蝕性氣體來(lái)保護(hù)靜電吸附用內(nèi)部電極25的東西。作為構(gòu)成該絕緣材料層33的材料，優(yōu)選的是主要成分與載置板31及支撐板32相同的絕緣性材料，例如，在載置板31及支撐板32由碳化硅—氧化鋁類復(fù)合燒結(jié)體構(gòu)成的情況下，優(yōu)選的是氧化鋁^1203)?！胳o電吸盤(pán)裝置的制造方法J對(duì)于本實(shí)施方式的靜電吸盤(pán)裝置的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。在這里，舉例說(shuō)明采用實(shí)質(zhì)上含有1重量％20重量％的碳化硅的碳化硅一氧化鋁復(fù)合燒結(jié)體來(lái)制造載置板31及支撐板32的情況。作為所采用的碳化硅(SiC)的原料粉末，優(yōu)選的是采用平均粒子徑為O.lum以下的碳化硅粉末。其原因是，若碳化硅(SiC)粉末的平均粒子徑超過(guò)0.1wm，則對(duì)于所獲得的碳化硅一氧化鋁復(fù)合燒結(jié)體而言，碳化硅粒子的平均粒子徑會(huì)超過(guò)0.2um，有可能在有等離子體時(shí)電場(chǎng)會(huì)集中于碳化硅(SiC)粒子的部分而容易受到大的損傷，等離子體抗性低，等離子體損傷后的靜電吸附力降低。作為該碳化硅(SiC)粉末，優(yōu)選的是采用等離子體CVD法獲得的粉末，特別是在非氧化性氣氛的等離子體中，導(dǎo)入硅垸化合物或鹵化硅和碳化氫的原料氣體，把反應(yīng)系統(tǒng)的壓力控制在lX105Pa(l個(gè)大氣壓)至1.33X10Pa(0.1Torr)的范圍進(jìn)行氣相反應(yīng)而獲得的平均粒子徑為O.lum以下的超微粉末，其燒結(jié)性出色，是高純度的，粒子形狀為球狀，所以成形時(shí)的分散性良好，因而是優(yōu)選的。另一方面，作為氧化鋁(Ab03)的原料粉末，優(yōu)選的是采用平均粒子徑為1um以下的氧化鋁(Al203)粉末。其原因是，對(duì)于釆用平均粒子徑超過(guò)lwm的氧化鋁(八1203)粉末獲得的碳化硅一氧化鋁復(fù)合燒結(jié)體而言，復(fù)合燒結(jié)體中的氧化鋁(八1203)粒子的平均粒子徑會(huì)超過(guò)2um，所以載置板31的載置板狀試料的一側(cè)的上面31a容易被等離子體蝕刻，會(huì)形成濺射痕，有可能該上面31a的表面粗糙度變粗，靜電吸盤(pán)裝置21的靜電吸附力降低。另外，作為所使用的氧化鋁(Al203)粉末，只要是平均粒子徑為1um以下并且是高純度的即可，沒(méi)有特別限制。接著，按能獲得希望的體積固有電阻值的比率，稱量、混合上述碳化硅(SiC)粉末和氧化鋁(Al203)粉末。接著，把所獲得的混合粉采用模具按給定形狀成形，此后，對(duì)所獲得的成形體，例如利用熱壓制(HP)，在加壓的情況下進(jìn)行燒制，獲得碳化硅一氧化鋁類復(fù)合燒結(jié)體。作為熱壓制(HP)的條件，加壓力不受特別限制，不過(guò)，在獲得碳化硅一氧化鋁類復(fù)合燒結(jié)體時(shí)，例如，優(yōu)選的是540MPa。若加壓力低于5MPa，則不能獲得充分的燒結(jié)密度的復(fù)合燒結(jié)體，另一方面，若加壓力超過(guò)40MPa，則由石墨等構(gòu)成的器具會(huì)變形、損耗。還有，作為燒制時(shí)的溫度，優(yōu)選的是16501850°C。若燒制溫度不到1650'C，則不能獲得充分致密的碳化硅一氧化鋁復(fù)合燒結(jié)體，另一方面，若超過(guò)185(TC，則在燒制過(guò)程中燒結(jié)體的分解、粒成長(zhǎng)容易發(fā)生。還有，作為燒制時(shí)的氣氛，從防止碳化硅的氧化的觀點(diǎn)來(lái)看，優(yōu)選的是氬氣氛、氮?dú)夥盏榷栊詺夥?。在這樣獲得的2枚碳化硅一氧化鋁類復(fù)合燒結(jié)體中的一方復(fù)合燒結(jié)體的給定位置通過(guò)機(jī)械加工而形成供電用端子插入孔36，制成支撐板32。還有，作為用于形成靜電吸附用內(nèi)部電極的涂敷劑，是在氧化鋁(八1203)等絕緣性陶瓷粉末中，以使得靜電吸盤(pán)裝置的使用溫度下的體積固有電阻成為1.0X10—^cm以上且1.0X105Qcm以下的比例添加碳化硅(SiC)粉末而制作漿狀的涂敷劑，在支撐板32的形成靜電吸附用內(nèi)部電極的區(qū)域內(nèi)涂敷該涂敷劑而形成導(dǎo)電層，在形成了該導(dǎo)電層的區(qū)域外側(cè)的區(qū)域，涂敷含有氧化鋁(八1203)等絕緣性陶瓷粉末的漿狀的涂敷劑，形成絕緣層。接著，在支撐板32的供電用端子插入孔36中夾隔圓筒狀的絕緣子37而插入供電用端子27，使該支撐板32的形成了導(dǎo)電層及絕緣層的面和載置板31重合，接著，對(duì)該載置板31及支撐板32例如在加熱到160(TC以上的情況下進(jìn)行加壓，由上述導(dǎo)電層形成靜電吸附用內(nèi)部電極25，并且由絕緣層形成作為接合層的絕緣材料層33，使載置板31及支撐板32夾隔靜電吸著用內(nèi)部電極25及絕緣材料層33而接合。并且，對(duì)成為載置面的載置板31的上面31a按Ra(中心線平均粗細(xì))成為0.3um以下的方式進(jìn)行研磨，制成靜電吸盤(pán)部22。另一方面，采用鋁(A1)板制作金屬基座部23，金屬基座部23是在表面上形成了圓形的凹部34，在內(nèi)部形成了讓冷卻用介質(zhì)循環(huán)的流路28。還有，成形、燒制氧化鋁(Al203)粉末，制作由氧化鋁燒結(jié)體構(gòu)成的電介質(zhì)板24。接著，在金屬基座部23的凹部34的內(nèi)面整面上涂敷絕緣性的粘著/接合劑，接著，在該導(dǎo)電性的粘著/接合劑上粘著/接合電介質(zhì)板24，在包含該電介質(zhì)板24的金屬基座部23上涂敷絕緣性的粘著/接合劑，在該絕緣性的粘著/接合劑上粘著/接合靜電吸盤(pán)部22。在該粘著/接合過(guò)程中，把電介質(zhì)板24夾隔絕緣性的粘著/接合劑層35而粘著/固定于金屬基座部23的凹部34內(nèi)，把靜電吸盤(pán)部22的支撐板32夾隔絕緣性的粘著/接合劑層35而粘著/固定于金屬基座部23及電介質(zhì)板24。按以上方式就能獲得本實(shí)施方式的靜電吸盤(pán)裝置。如以上說(shuō)明的，根據(jù)本實(shí)施方式的靜電吸盤(pán)裝置，用含有絕緣性陶瓷和碳化硅的復(fù)合燒結(jié)體作為靜電吸附用內(nèi)部電極25，且使其體積固有電阻為1.0X10_1Qcm以上且1.0X105Qcm以下，因而即使是碳化硅的含有率、熱處理溫度、燒制溫度等發(fā)生了變動(dòng)的情況下，也能把該靜電吸附用內(nèi)部電極的體積固有電阻很好地保持在l.OXl(T1Qcm以上且1.0X105Q，cm以下的范圍內(nèi)。因此，在對(duì)金屬基座部23施加了高頻電壓的情況下，高頻電流能通過(guò)靜電吸附用內(nèi)部電極25，能使靜電吸盤(pán)部22的表面的電場(chǎng)強(qiáng)度均勻化，能效率很好地實(shí)現(xiàn)等離子體密度的均勻化。結(jié)果就能對(duì)板狀試料實(shí)施均勻的等離子體處理。以下，通過(guò)實(shí)驗(yàn)例、實(shí)施例及比較例來(lái)具體地說(shuō)明本發(fā)明，不過(guò)，本發(fā)明不限于該實(shí)驗(yàn)例及實(shí)施例。21實(shí)施例「實(shí)驗(yàn)例1」按碳化硅(SiC)粉末的添加量成為6.0重量％的方式混合碳化硅(SiC)粉末及氧化鋁粉末作為混合粉末，對(duì)該混合粉末進(jìn)行加壓成形，把所獲得的成形體在氬(Ar)氣氛中在165(TC下燒制2小時(shí)。該燒制所使用的電爐是爐內(nèi)的溫度分布為±l(TC的實(shí)驗(yàn)用的東西。由此獲得直徑50mm、厚度30mm的實(shí)驗(yàn)例1的燒結(jié)體。按常規(guī)方法在室溫(25'C)下測(cè)量了該燒結(jié)體的體積固有電阻，如表l所示?！笇?shí)驗(yàn)例26」除了碳化硅(SiC)粉末的添加量及燒制溫度為表1所示的添加量及燒制溫度以外，以實(shí)驗(yàn)例1為準(zhǔn)而獲得實(shí)驗(yàn)例26的燒結(jié)體。按常規(guī)方法在室溫(25'C)下測(cè)量了該燒結(jié)體的體積固有電阻，如表l所示?！副容^實(shí)驗(yàn)例1」按碳化鉬(M02C)粉末的添加量成為48.2重量％的方式混合碳化鉬(M02C)粉末及氧化鋁粉末作為混合粉末，對(duì)該混合粉末進(jìn)行加壓成形，把所獲得的成形體在氬(Ar)氣氛中在1750'C下燒制2小時(shí)。該燒制所使用的電爐與實(shí)驗(yàn)例1中使用的電爐相同。由此獲得直徑50mm、厚度30mm的比較實(shí)驗(yàn)例1的燒結(jié)體。按常規(guī)方法在室溫(25'C)下測(cè)量了該燒結(jié)體的體積固有電阻，如表l所示?！副容^實(shí)驗(yàn)例24」22除了碳化鉬(M02C)粉末的添加量及燒制溫度為表1所示的添加量及燒制溫度以外，以比較實(shí)驗(yàn)例1為準(zhǔn)而獲得比較實(shí)驗(yàn)例24的燒結(jié)體。按常規(guī)方法在室溫(25T:)下測(cè)量了該燒結(jié)體的體積固有電阻，如表1所示。<table>tableseeoriginaldocumentpage23</column></row><table>根據(jù)表1可知，由實(shí)驗(yàn)例16的碳化硅(SiC)及氧化鋁組成的復(fù)合燒結(jié)體與由比較實(shí)驗(yàn)例14的碳化鉬(M02C)和氧化鋁組成的復(fù)合燒結(jié)體相比，即使是在組成比、燒制溫度變動(dòng)了的情況下，體積固有電阻值的變動(dòng)也小?！笇?shí)施例」按照上述制造方法制作了圖1所示的靜電吸盤(pán)裝置。此處，載置板31及支撐板32均由室溫(25。C)下的體積固有電阻為1.0X1015Q<cm，厚度為0.5mm，直徑為298mm的碳化硅一氧化鋁復(fù)合燒結(jié)體形成。還有，靜電吸附用內(nèi)部電極25為圓板狀，由8重量W的碳化硅(SiC)和剩余部分為氧化鋁的室溫(25'C)下的體積固有電阻為1.8X102Q，cm，厚度為25um的碳化硅一氧化鋁復(fù)合燒結(jié)體形成。再有，電介質(zhì)板24由直徑為239mm，厚度為3.9mm的氧化鋁燒結(jié)體形成。「評(píng)價(jià)」按以下方式評(píng)價(jià)了實(shí)施例的靜電吸盤(pán)裝置的等離子體均勻性。還有，在室溫(25'C)下評(píng)價(jià)了對(duì)供電用端子施加了直流2500V時(shí)的靜電吸附力的經(jīng)時(shí)變化(靜電吸附力的響應(yīng)性)。圖6表示靜電吸附力的經(jīng)時(shí)變化。(等離子體均勻性的評(píng)價(jià)方法)把實(shí)施例的靜電吸盤(pán)裝置搭載在等離子體蝕刻裝置上，作為板狀試料，采用其上形成了直徑300mm(12英寸)的保護(hù)膜的薄片，把該薄片載置在靜電吸盤(pán)裝置的載置面上，借助于施加直流2500V所造成的靜電吸附將其固定，并且產(chǎn)生等離子體，進(jìn)行保護(hù)膜的灰化處理。處理容器內(nèi)的壓力為0.7Pa(5mTorr)的02氣體(以100sccm供給)，等離子體產(chǎn)生用的高頻功率為頻率100MHz、2kW，還有，從冷卻氣體導(dǎo)入孔38向靜電吸盤(pán)裝置的載置體板21和薄片的間隙中注入給定壓力(15torr)的He氣體，向金屬基座部件23的流路28中注入20'C的冷卻水。然后，測(cè)量從上述薄片的中心部到外周部的保護(hù)膜的膜厚，算出了蝕刻量?！副容^例1」由35voP/。的碳化鉬(Mo2C)和剩余部分為氧化鋁的室溫(25。C)下的體積固有電阻為5.0X10—2Q，cm，厚度為10um的碳化鉬一氧化鋁復(fù)合燒結(jié)體形成了靜電吸附用內(nèi)部電極25，此外與實(shí)施例同樣，獲得比較例1的靜電吸盤(pán)裝置。以實(shí)施例為基準(zhǔn)，評(píng)價(jià)了該比較例1的靜電吸盤(pán)裝置的等離子體均勻性和靜電吸附力的經(jīng)時(shí)變化(靜電吸附力的響應(yīng)性)。圖6表示靜電吸附力的經(jīng)時(shí)變化?！副容^例2」由3重量。/o的碳化硅(SiC)和剩余部分為氧化鋁的室溫(25X:)下的體積固有電阻為5.0X108Q'cm，厚度為20wm的碳化硅一氧化鋁復(fù)合燒結(jié)體形成了靜電吸附用內(nèi)部電極25，此外與實(shí)施例同樣，獲得比較例2的靜電吸盤(pán)裝置。以實(shí)施例為基準(zhǔn)，評(píng)價(jià)了該比較例2的靜電吸盤(pán)裝置的等離子體均勻性和靜電吸附力的經(jīng)時(shí)變化(靜電吸附力的響應(yīng)性)。圖6表示靜電吸附力的經(jīng)時(shí)變化。根據(jù)評(píng)價(jià)結(jié)果可知，對(duì)于實(shí)施例的靜電吸盤(pán)裝置而言，蝕刻量在薄片的中心部和外周部是大致相同的，所以等離子體均勻性出色，靜電吸附力在施加電壓后立刻飽和，靜電吸附響應(yīng)性也良好。相比之下可知，對(duì)于比較例1的靜電吸盤(pán)裝置而言，靜電吸附響應(yīng)性良好，但是蝕刻量在薄片中心部大，在外周部小，所以等離子體均勻性差。還有，對(duì)于比較例2的靜電吸盤(pán)裝置而言，蝕刻量在薄片的中心部和外周部是大致相同的，所以等離子體均勻性出色，但是靜電吸附力的響應(yīng)性差，靜電吸附力未飽和。權(quán)利要求1.一種靜電吸盤(pán)裝置，其特征在于，具備靜電吸盤(pán)部，該靜電吸盤(pán)部具備把一主面作為載置板狀試料的載置面并且內(nèi)置了靜電吸附用內(nèi)部電極的基體；以及對(duì)該靜電吸附用內(nèi)部電極施加直流電壓的供電用端子；以及固定于該靜電吸盤(pán)部的基體的另一主面上而與其成為一體，作為高頻產(chǎn)生用電極的金屬基座部，上述靜電吸附用內(nèi)部電極由含有絕緣性陶瓷和碳化硅的復(fù)合燒結(jié)體形成，并且其體積固有電阻為1.0×10-1Ω·cm以上且1.0×105Ω·cm以下。2.根據(jù)權(quán)利要求l所述的靜電吸盤(pán)裝置，其特征在于，上述復(fù)合燒結(jié)體含有5重量％以上且20重量％以下的碳化硅。3.根據(jù)權(quán)利要求l或2所述的靜電吸盤(pán)裝置，其特征在于，上述復(fù)合燒結(jié)體按合計(jì)30體積％以下含有從金屬、碳、導(dǎo)電性陶瓷的組中選擇的l種或2種以上。全文摘要本發(fā)明提供一種在適用于等離子體處理裝置的情況下，能提高等離子體中的電場(chǎng)強(qiáng)度的面內(nèi)均勻性，對(duì)板狀試料進(jìn)行面內(nèi)均勻性高的等離子體處理的靜電吸盤(pán)裝置。本發(fā)明的靜電吸盤(pán)裝置(21)包括由上面(31a)為載置板狀試料(W)的載置面的電介質(zhì)板(31)、支撐板(32)、靜電吸附用內(nèi)部電極(25)和絕緣材料層(33)構(gòu)成的靜電吸盤(pán)部(22)；作為高頻產(chǎn)生用電極的金屬基座部(23)；以及絕緣板(24)，靜電吸附用內(nèi)部電極(25)由含有絕緣性陶瓷和碳化硅的復(fù)合燒結(jié)體構(gòu)成，并且，其體積固有電阻為1.0×10^-1Ω·cm以上且1.0×10⁵Ω·cm以下。文檔編號(hào)H01L21/3065GK101501834SQ200780029770公開(kāi)日2009年8月5日申請(qǐng)日期2007年8月1日優(yōu)先權(quán)日2006年8月10日發(fā)明者三浦幸夫,小坂井守,牧惠吾,稻妻地浩申請(qǐng)人:住友大阪水泥股份有限公司