專利名稱：Tft-lcd的數(shù)據(jù)線引線區(qū)的結(jié)構(gòu)及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種TFT-LCD的數(shù)據(jù)線(Data線)結(jié)構(gòu)及其制作方法，尤其 是涉及一種TFT-LCD的數(shù)據(jù)線引線區(qū)(lead區(qū))的結(jié)構(gòu)及其制作方法。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)TFT-LCD生產(chǎn)過程中的5次掩模(5Mask )工藝中的數(shù)據(jù)線引線區(qū)， 如圖1和圖2所示，其工藝過程如下(1 )在基板7上形成柵極層薄膜(gate 層)，然后被刻蝕掉'；(2 )形成柵絕緣層薄膜3 ( G-SiNx層)和有源層薄膜 (Active層)，然后有源層薄膜被刻蝕掉；(3 )形成源/漏極金屬層薄膜(S/D 層)，并將數(shù)據(jù)線引線區(qū)的源/漏極金屬層薄膜刻蝕成數(shù)據(jù)線引線2; (4)形 成鈍化層薄膜1 (PVX層)；(5)形成像素電極層薄膜，然后被刻蝕掉。圖 1和圖2中的B區(qū)域為靜電釋放區(qū)，C區(qū)域為管腳區(qū)。
4次掩模(4 Mask)工藝中的數(shù)據(jù)線引線區(qū)如圖l和圖2所示，其工藝過 程如下(1)在基板7上形成柵極層薄膜，然后被刻蝕掉；(2 )形成柵絕 緣層薄膜3、有源層薄膜和源/漏極金屬層薄膜，并將數(shù)據(jù)線引線區(qū)的源/漏 極金屬層薄膜刻蝕^數(shù)據(jù)線引線2，刻蝕掉數(shù)據(jù)線引線下方的有源層薄膜； (3)形成鈍化層薄膜l; (4)形成像素電極層薄膜，然后被刻蝕掉。
這兩種工藝均形成上、下層為絕緣層，中間為導(dǎo)線的引線區(qū)結(jié)構(gòu)。然而 在源/漏極金屬層沉積(Deposition)過程前和過程中落在上面的微粒 (Particle)、后續(xù)工序中在引線區(qū)的靜電擊穿和異物壓斷數(shù)據(jù)線引線都會 導(dǎo)致數(shù)據(jù)線引線斷線，即引線斷開(Lead Open)現(xiàn)象，在產(chǎn)品中表現(xiàn)為一條 豎直的亮線，直接影響了產(chǎn)品的質(zhì)量。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種TFT-LCD數(shù)據(jù)線引線區(qū)的結(jié)構(gòu)及其制作方法， 能夠避免數(shù)據(jù)線引線區(qū)的靜電放電(ESD)性導(dǎo)致的引線斷開，沉積
開的不良現(xiàn)象。
為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種TFT-LCD數(shù)據(jù)線引線區(qū)的結(jié)構(gòu)，包 括基板、柵絕緣層薄膜、數(shù)據(jù)線引線和鈍化層薄膜，所述數(shù)據(jù)線引線下方的 基板上保留有柵極層金屬線；所述數(shù)據(jù)線引線上形成有過孔；所述過孔下方 和上方對應(yīng)位置的柵絕緣層薄膜和鈍化層薄膜被去除，并與所述過孔共同形 成連接孔；所述連接孔中形成有透明像素電極引線；所述透明像素電極引線 通過所述連接孔將所述柵極層金屬線和數(shù)據(jù)線引線連接起來。
為實現(xiàn)上述目的'，本發(fā)明還提供一種TFT-LCD的數(shù)據(jù)線引線區(qū)結(jié)構(gòu)的制 作方法，包括
步驟51，在基板上形成柵極層薄膜，采用掩模版掩模，并通過曝光和刻 蝕工藝，在基板的數(shù)據(jù)線引線區(qū)形成柵極層金屬線；
步驟52,在完血步驟51的基板上，依次沉積柵絕緣層薄膜和有源層薄 膜，采用掩模版掩模，并通過曝光和刻蝕工藝刻蝕掉有源層薄膜；
步驟53，在完成步驟52的基板上，形成源/漏極金屬層薄膜，采用掩模 版掩模，并通過曝光和刻蝕工藝將數(shù)據(jù)線引線區(qū)的源/漏極金屬層薄膜刻蝕成 數(shù)據(jù)線引線，并在所迷數(shù)據(jù)線引線上形成過孔；
步驟54,在完成步驟53的基板上，形成鈍化層薄膜，然后采用掩模版
掩模，并通過曝光和刻蝕工藝將所述過孔正上方和正下方對應(yīng)位置處的鈍化 層薄膜和柵絕緣層薄,膜刻蝕掉，形成連接孔；
步驟55，在完成步驟54的基板上，形成像素電極層薄膜，然后通過掩 模版掩模、曝光和刻蝕工藝在所述連接孔處形成將所述柵極層金屬線和數(shù)據(jù)線引線連接起來的像素電極引線。
本發(fā)明還提供了.一種TFT-LCD的數(shù)據(jù)線引線區(qū)結(jié)構(gòu)的制作方法，包括
步驟81,在基板上形成柵極層薄膜，采用掩模版掩模，并通過曝光和刻 蝕工藝，在基板的數(shù)據(jù)線引線區(qū)形成柵極層金屬線；
步驟82,在完成步驟81的基板上，依次沉積柵絕緣層薄膜、有源層薄 膜和源/漏極金屬層薄膜，采用掩模版掩模，并通過曝光和刻蝕工藝將數(shù)據(jù)線 引線區(qū)的源/漏極金屬層薄膜刻蝕成數(shù)據(jù)線引線，在數(shù)據(jù)線引線上形成過孔， 然后將所述過孔處的有源層薄膜刻蝕掉；
步驟83,在完成步驟82的基板上，形成鈍化層薄膜，然后采用掩模版
掩模，并通過曝光和刻蝕工藝將所述過孔正上方和正下方對應(yīng)位置處的鈍化 層薄膜和柵絕緣層薄膜刻蝕掉，形成連接孔；
步驟84，在完成步驟83的基板上，形成像素電極層薄膜，然后通過掩 模版掩模、曝光和刻蝕工藝在所述連接孔處形成將所述柵極層金屬線和數(shù)據(jù) 線引線連接起來的森素電極引線。
因此，本發(fā)明通過引入在所述數(shù)據(jù)線引線區(qū)形成的通過沉積在所述過 孔中的透明像素電極引線與數(shù)據(jù)線引線相連接的柵極層金屬線，與現(xiàn)有技 術(shù)中的數(shù)據(jù)線引線區(qū)的結(jié)構(gòu)相比能夠很好的避免引線斷開這種不良現(xiàn)象 的出現(xiàn)。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)的TFT-LCD的數(shù)據(jù)線引線區(qū)結(jié)構(gòu)圖； 圖2為圖1中A - A向位置截面放大圖3為本發(fā)明TFT-LCD的數(shù)據(jù)線引線區(qū)的結(jié)構(gòu)的實施例的數(shù)據(jù)線引線區(qū) 的結(jié)構(gòu)圖4為本發(fā)明TFT-LCD的數(shù)據(jù)線引線區(qū)的結(jié)構(gòu)的實施例一的圖3中D-D
6向位置截面放大圖5為本發(fā)明TFT-LCD的數(shù)據(jù)線引線區(qū)的結(jié)構(gòu)的實施例一的圖3中E-E 向位置剖面放大圖6為本發(fā)明T.FT-LCD的數(shù)據(jù)線引線區(qū)的結(jié)構(gòu)的實施例二的圖3中D-D 向位置截面放大圖7為本發(fā)明TFT-LCD的數(shù)據(jù)線引線區(qū)的結(jié)構(gòu)的實施例二的圖3中E-E 向位置剖面放大圖8為本發(fā)明T.FT-LCD的教:據(jù)線引線區(qū)結(jié)構(gòu)的制作方法的實施例一的流 程圖9為本發(fā)明TFT-LCD的凄t據(jù)線引線區(qū)結(jié)構(gòu)的制作方法的實施例二的流 程圖。
附圖標記說明
l-鈍化層薄膜； 2-數(shù)據(jù)線引線；3-柵絕緣層薄膜；4-柵極層金屬線;
5-透明像素電極引線；6-有源層薄膜；7-基板； 8-連接孔。
具體實施例方式
下面結(jié)合附圖和實施例，對本發(fā)明作進一步的詳細介紹。
本發(fā)明TFT-LCD的數(shù)據(jù)線引線區(qū)的結(jié)構(gòu)的實施例一
如圖3所示，本實施例描述的結(jié)構(gòu)部分位于陣列基板的外圍引線區(qū)域， 通過圖4所示的D-D'向位置的截面放大圖和圖5所示的E-E向位置剖面放大 圖來進一步說明本發(fā)明的結(jié)構(gòu)。
如圖4所示，本實施例描述的結(jié)構(gòu)部分位于陣列基板的外圍引線區(qū)域包 括基板7、柵絕緣層薄膜3、數(shù)據(jù)線引線2、鈍化層薄膜l和透明像素電極引 線5，所述數(shù)據(jù)線引^2下方的基板7上保留有柵極層金屬線4;所述數(shù)據(jù)線 引線2上方形成有過孔；所述過孔下方和上方對應(yīng)位置的柵絕緣層薄膜3和鈍化層薄膜1被去除，并與所述過孔共同形成連接孔8;所述連接孔8中形 成有透明像素電極引線5;所述透明像素電極引線5通過所述連接孔8將所 述柵極層金屬線4和數(shù)據(jù)線引線2連接起來，所述柵極層金屬線4位于數(shù)據(jù) 線引線2的下方，最優(yōu)是正下方，這樣可使得其能與數(shù)據(jù)線引線2通過連接 孔8方便的連接，所述數(shù)據(jù)線引線2上形成的過孔數(shù)量為一個或多個，形狀 可變化為多樣，如方形、圓形或截斷式等。
如圖5所示，其為圖3中E-E向位置的截面放大圖，從E-E向看，該結(jié) 構(gòu)包含了間隔排列的多個過孔，圖中僅示出兩個過孔，由于數(shù)據(jù)線引線2上 的過孔為一個或多個，且可為截斷型過孔，因此上述本實施例中所述數(shù)據(jù)線 引線可呈分段式結(jié)構(gòu).。
本發(fā)明TFT-LCD的數(shù)據(jù)線引線區(qū)的結(jié)構(gòu)的實施例二
如圖3和圖6所示，本實施例與實施例一的不同之處在于保留了數(shù)據(jù)線 引線2下方、柵絕緣層薄膜3上方的有源層薄膜6，并將連接孔8位置對應(yīng) 的有源層薄膜6去除。
如圖7所示，其為圖3中E-E向位置的截面放大圖，從E-E向看，該結(jié) 構(gòu)包含了間隔排列的多個過孔，圖中僅示出兩個過孔，由于數(shù)據(jù)線引線2上 的過孔為一個或多個，且可為截斷型過孔，因此上述本實施例中所述數(shù)據(jù)線 引線可呈分l殳式結(jié)構(gòu)。
通過上述兩個實施例可以看出，通過引入在柵極層形成的金屬線，這樣 在數(shù)據(jù)線的引線區(qū)就形成了上方為數(shù)據(jù)線引線、下方為柵極層金屬線的雙層 金屬線的連接結(jié)構(gòu)。通過雙層的金屬線連接結(jié)構(gòu)設(shè)計，即使上層的數(shù)據(jù)線引 線由于在源/漏極金屬層沈積過程前和過程中落在上面的微粒、后續(xù)工序中在 引線區(qū)的靜電擊穿和異物壓斷而導(dǎo)致斷開，也不會出現(xiàn)引線斷開的不良現(xiàn)象。 在數(shù)據(jù)線的整個引線區(qū)通過雙層的金屬線連接能夠在很大程度上保證不會出 現(xiàn)引線斷開的不良現(xiàn)象，并且本實施例在現(xiàn)有的工藝條件下就可以實現(xiàn)。本發(fā)明TFT-LCD'的數(shù)據(jù)線引線區(qū)結(jié)構(gòu)的制作方法的實施例一
本實施例涉及5次掩模工藝，為了更好說明本發(fā)明，本實施例結(jié)合陣列 基板的中心區(qū)域進行說明，如圖8所示，其具體實施過程如下
步驟51，在基板上形成柵極層薄膜，采用掩模版掩模，并通過曝光和刻 蝕工藝，在基板的中心區(qū)域形成柵線和柵電極的同時，在周邊引線區(qū)域的后 續(xù)形成數(shù)據(jù)線引線位置處形成柵極層金屬線；
步驟52，在完成步驟51的基板上，依次沉積柵絕緣層和有源層薄膜， 采用掩模版掩模，并通過曝光和刻蝕工藝形成基板中心區(qū)域有源層的同時， 刻蝕掉周邊引線區(qū)域的有源層；
步驟53，在完成步驟52的基板上，形成源/漏極金屬層薄膜，采用掩模 版掩模，并通過曝光和刻蝕工藝，在基板中心區(qū)域形成源極、漏極和數(shù)據(jù)線 的同時，在周邊引線,區(qū)域形成數(shù)據(jù)線引線，并在所述數(shù)據(jù)線引線上形成過孔， 所述過孔為一個或多個，形狀可為圓形、方形或截斷式等形狀；
步驟54，在完成步驟53的基板上，形成鈍化層薄膜，然后采用掩模版 掩模，并通過曝光和刻蝕工藝，在基板中心區(qū)域形成漏極上方的鈍化層過孔 的同時，將周邊引線區(qū)域數(shù)據(jù)線引線上過孔正上方和正下方對應(yīng)位置處的鈍 化層薄膜和柵絕緣層薄膜刻蝕掉，以形成連接孔；
步驟55，在完成步驟54的基板上，形成像素電極層薄膜，然后通過掩 模版掩模、曝光和刻蝕工藝，在基板中心區(qū)域形成像素電極的同時，在周邊 引線區(qū)域形成像素電極引線，像素電極引線通過連接孔將所述柵極層金屬線 和所述數(shù)據(jù)線引線連接起來。
本發(fā)明TFT-LCD的數(shù)據(jù)線引線區(qū)結(jié)構(gòu)的制作方法的實施例二
本實施例涉及4次掩^^莫工藝，如圖9所示，其具體實施過程如下
步驟81，在基板上形成柵極層薄膜，采用掩模版掩模，并通過曝光和刻 蝕工藝，在基板的中心區(qū)域形成柵線和柵電極的同時，在周邊引線區(qū)域的后續(xù)形成數(shù)據(jù)線引線位置處形成柵極層金屬線；
步驟82，在完成步驟81的基板上，依次沉積柵絕緣層薄膜、有源層薄 膜和源/漏極金屬層薄膜，采用掩模版掩模，并通過曝光和刻蝕工藝，在基板 中心區(qū)域形成源極、漏極和數(shù)據(jù)線的同時，在周邊引線區(qū)域形成數(shù)據(jù)線引線， 使其位于所述柵極層金屬線的正上方，并在所述數(shù)據(jù)線引線上形成過孔，所 述過孔為一個或多個，形狀可為圓形、方形或截斷式等形狀，然后將所述過 孔處的有源層薄膜刻蝕掉；
步驟83，在完成步驟82的基板上，形成鈍化層薄膜，然后采用掩模版 掩模，并通過曝光和刻蝕工藝，在基板中心區(qū)域形成漏極上方的鈍化層過孔 的同時，將周邊引線區(qū)域數(shù)據(jù)線引線上過孔正上方和正下方對應(yīng)位置處的鈍 化層薄膜和柵絕緣層薄膜刻蝕掉，以形成連接孔；
步驟84，在完成步驟83的基板上，形成像素電極層薄膜，然后通過掩 模版掩模、曝光和刻蝕工藝，在基板中心區(qū)域形成像素電極的同時，在周邊 引線區(qū)域形成像素電極引線，像素電極引線通過所述連接孔將所述柵極層金 屬線和所述數(shù)據(jù)線引線連接起來。
本實施例與實施例一的不同之處在于保留了數(shù)據(jù)線引線下方、柵絕緣層 薄膜上方的有源層薄膜，并將連接孔位置對應(yīng)的有源層薄膜去除。
通過上述兩個TF.T-LCD的數(shù)據(jù)線引線區(qū)結(jié)構(gòu)的制作方法的實施例所公開的方 法，可以在數(shù)據(jù)線的引線區(qū)形成上方為數(shù)據(jù)線引線、下方為柵才iU^r屬線的雙M 屬線的連接結(jié)構(gòu)，并且上述兩個實施例均可在現(xiàn)有的工藝條件下實現(xiàn)。
最后應(yīng)說明的是以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案而非對其進 行限制，盡管參照較佳實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，本領(lǐng)域的普通技 術(shù)人員應(yīng)當理解其依然可以對本發(fā)明的技術(shù)方案進行修改或者等同替換， 而這些修改或者等同替換亦不能使修改后的技術(shù)方案脫離本發(fā)明技術(shù)方案的 精神和范圍。
權(quán)利要求
1、一種TFT-LCD的數(shù)據(jù)線引線區(qū)的結(jié)構(gòu)，包括基板、柵絕緣層薄膜、數(shù)據(jù)線引線和鈍化層薄膜，其特征在于所述數(shù)據(jù)線引線下方的基板上保留有柵極層金屬線；所述數(shù)據(jù)線引線上形成有過孔；所述過孔下方和上方對應(yīng)位置的柵絕緣層薄膜和鈍化層薄膜被去除，并與所述過孔共同形成連接孔；所述連接孔中形成有透明像素電極引線；所述透明像素電極引線通過所述連接孔將所述柵極層金屬線和數(shù)據(jù)線引線連接起來。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT-LCD數(shù)據(jù)線引線區(qū)的結(jié)構(gòu)，其特征在于 還包括位于柵絕緣層薄膜上的有源層薄膜，所述連接孔對應(yīng)位置的有源層薄 膜被去除。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的TFT-LCD數(shù)據(jù)線引線區(qū)的結(jié)構(gòu)，其特征在 于所述柵極層金屬線位于所述數(shù)據(jù)線引線的正下方。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的TFT-LCD數(shù)據(jù)線引線區(qū)的結(jié)構(gòu)，其特征在 于所述過孔為圓形'、方形或截斷式。
5、 一種TFT-LCD的數(shù)據(jù)線引線區(qū)結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包括 步驟51,在基板上形成柵極層薄膜，采用掩模版掩模，并通過曝光和刻蝕工藝，在基板的數(shù)據(jù)線引線區(qū)形成柵極層金屬線；步驟52，在完咸步驟51的基板上，依次沉積柵絕緣層薄膜和有源層薄 膜，采用掩模版掩模，并通過曝光和刻蝕工藝刻蝕掉有源層薄膜；步驟53，在完成步驟52的基板上，形成源/漏極金屬層薄膜，采用掩模 版掩模，并通過曝光和刻蝕工藝將數(shù)據(jù)線引線區(qū)的源/漏極金屬層薄膜刻蝕成 數(shù)據(jù)線引線，并在所'述數(shù)據(jù)線引線上形成過孔；步驟54，在完成步驟53的基板上，形成鈍化層薄膜，然后采用掩模版 掩模，并通過曝光和刻蝕工藝將所述過孔正上方和正下方對應(yīng)位置處的鈍化 層薄膜和柵絕緣層薄膜刻蝕掉，形成連接孔；步驟55，在完戍步驟54的基板上，形成像素電極層薄膜，然后通過掩模版掩模、曝光和刻蝕工藝在所述連接孔處形成將所述柵極層金屬線和數(shù)據(jù) 線引線連接起來的像素電極引線。
6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的TFT-LCD的數(shù)據(jù)線引線區(qū)結(jié)構(gòu)的制作方法，其 特征在于所述步驟51中形成的柵極層金屬線位于所述步驟53中形成的數(shù) 據(jù)線引線的正下方。
7、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的TFT-LCD的數(shù)據(jù)線引線區(qū)結(jié)構(gòu)的制作方法，其 特征在于所述步驟53中形成的過孔為方形、圓形或截斷式。
8、 一種TFT-LCD的數(shù)據(jù)線引線區(qū)結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包括 步驟81，在基板上形成柵極層薄膜，采用掩模版掩模，并通過曝光和刻蝕工藝，在基板的數(shù)據(jù)線引線區(qū)形成柵極層金屬線；步驟82，在完成步驟81的基板上，依次沉積柵絕緣層薄膜、有源層薄 膜和源/漏極金屬層薄膜，采用掩模版掩模，并通過曝光和刻蝕工藝將數(shù)據(jù)線 引線區(qū)的源/漏極金屬層薄膜刻蝕成數(shù)據(jù)線引線，在數(shù)據(jù)線引線上形成過孔， 然后將所述過孔處的有源層薄膜刻蝕掉；步驟83，在完成步驟82的基板上，形成鈍化層薄膜，然后采用掩模版層薄膜和柵絕緣層薄膜刻蝕掉，形成連接孔；步驟84，在完成步驟83的基板上，形成像素電極層薄膜，然后通過掩 模版掩模、曝光和刻蝕工藝在所述連接孔處形成將所述柵極層金屬線和數(shù)據(jù) 線引線連接起來的像素電極引線。
9、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的TFT-LCD的數(shù)據(jù)線引線區(qū)結(jié)構(gòu)的制作方法，其 特征在于所述步驟81中形成的柵極層金屬線位于所述步驟82中形成的數(shù) 據(jù)線引線的正下方。
10、根據(jù)權(quán)利要求8所述的TFT-LCD的數(shù)據(jù)線引線區(qū)結(jié)構(gòu)的制作方法，其 特征在于所述步驟82中形成的過孔為方形、圓形或截斷式。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種TFT-LCD的數(shù)據(jù)線引線區(qū)的結(jié)構(gòu)及其制作方法，該結(jié)構(gòu)包括基板、柵絕緣層薄膜、數(shù)據(jù)線引線和鈍化層薄膜，數(shù)據(jù)線引線下方的基板上保留有柵極層金屬線，數(shù)據(jù)線引線上形成有過孔，過孔下方和上方對應(yīng)位置的柵絕緣層薄膜和鈍化層薄膜被去除，并與過孔共同形成連接孔，連接孔中形成有透明像素電極引線，透明像素電極引線通過連接孔將柵極層金屬線和數(shù)據(jù)線引線連接起來。本發(fā)明還公開了一種數(shù)據(jù)線引線區(qū)結(jié)構(gòu)的制作方法。本發(fā)明通過引入在數(shù)據(jù)線引線區(qū)形成的通過沉積在過孔中的透明像素電極引線與數(shù)據(jù)線引線相連接的柵極層金屬線，與現(xiàn)有技術(shù)中的數(shù)據(jù)線引線區(qū)的結(jié)構(gòu)相比能夠很好的避免引線斷開這種不良現(xiàn)象的出現(xiàn)。
文檔編號H01L21/84GK101504499SQ20081005769
公開日2009年8月12日 申請日期2008年2月4日 優(yōu)先權(quán)日2008年2月4日
發(fā)明者威 王, 緯 秦 申請人:北京京東方光電科技有限公司