專利名稱：具有熱電致冷散熱功能的整合型芯片的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種整合型芯片，并且特別是涉及一種具有熱電致 冷散熱(熱電制冷)功能的整合型芯片。
背景技術：
隨著各種電子裝置的效能提高，電子裝置內部的產(chǎn)熱量也相對 增加，尤其是對于具有高速運算芯片的裝置而言，散熱機制更為重要。
以中央處理器(CPU)為例，當處理器的速度與效能提升時，
較高的工作頻率與工作電壓將使得處理器的溫度急速升高。目前，
大多是在處理器上增加散熱器(熱沉，heat sink)的散熱面積來提_ 高傳熱效果，以維持處理器的正常運行。然而，散熱器大多占有一 定的體積，并且大多需以扣件或螺絲固定，此外，也必須在散熱器 與處理器之間涂布散熱膏以使二者緊密接觸。
對于如何有效地將芯片散熱才幾制達到最佳化狀態(tài)確實是值得 探討的問題。

發(fā)明內容
本發(fā)明涉及一種具有熱電致冷散熱功能的整合型芯片，該整合 型芯片本身具有主動散熱功能，因而可廣泛地制作成各種不同功能
的芯片。本發(fā)明提供了一種熱電致冷散熱功能的整合型芯片，該整合型 芯片包括襯底(基板)、多個樣t電子元件以及多個散熱單元。襯底 的表面"i殳有功能運算區(qū)與至少一個散熱區(qū)，其中散熱區(qū)相鄰于功能 運算區(qū)。這些微電子元件設置于功能運算區(qū)中，并且將這些散熱單 元沿著功能運算區(qū)的至少 一個邊緣設置于散熱區(qū)中。各散熱單元包
4舌才目連4妄的P型熱電元4牛(thermoelectric element)與N型熱電元 件，并且將散熱單元的N型熱電元件連4妄至相鄰的散熱單元的P型 熱電元件。當電流依次通過這些散熱單元時，散熱單元在4妾近功能 運算區(qū)的一側形成多個吸熱端，而在遠離功能運算區(qū)的另 一側形成 多個》文熱端，由此降低這些擺i電子元件的溫度。
根據(jù)本發(fā)明的整合型芯片，還包括第一電力驅動線；第二電 力驅動線；以及其中，該開關元件還用以將該P型熱電元件連4妄至 該第 一 電力驅動線，以及用以4夸該N型熱電元件連4妄至該第二電力
驅動線。
根據(jù)本發(fā)明的整合型芯片，還包括多個第一導電元件，分別 用以連接各該散熱單元的P型熱電元件與N型熱電元件；以及多個 第二導電元件，分別用以連接各該散熱單元的N型熱電元件與相鄰 散熱單元的p型熱電元4牛。
才艮據(jù)本發(fā)明的整合型芯片，其中，該第一導電元件位于該》文熱 端，該第二導電元^H立于該"及熱端。
根據(jù)本發(fā)明的整合型芯片，其中，該第一導電元件各包括第一 導電體與第二導電體，該第一導電體對應于所處》文熱端的該P型熱 電元件，該第二導電體對應于所處放熱端的該N型熱電元件，并且 該第 一導電體與該第二導電體具有間隙。根據(jù)本發(fā)明的整合型芯片，其中，該散熱單元以陣列的形式設 置于該散熱區(qū)中，該開關元件用以連4妾^壬意兩個相鄰列的散熱單 元，或是同一行中相鄰的兩個散熱單元。
根據(jù)本發(fā)明的整合型芯片，還包括至少一個感測單元，設置
于該襯底上，用以感測該散熱區(qū)的溫度；以及控制單元，連4妻至該 至少一個感測單元以及該開關元^f牛，該^空制單元用以當該感測單元
檢測到該散熱區(qū)的溫度變化時，選擇性地致動該開關元件。
根據(jù)本發(fā)明的整合型芯片，其中，該開關元件各為半導體元件。
根據(jù)本發(fā)明的整合型芯片，其中，該功能運算區(qū)具有至少一個 弧形邊緣，該散熱單元沿著該弧形邊^(qū)彖i殳置于該散熱區(qū)中。
根據(jù)本發(fā)明的整合型芯片，其中，該;徵電子元件包括至少一個 半導體元件。
本發(fā)明還提供了另一種熱電致冷散熱功能的整合型芯片，其包 括襯底、多個微電子元件以及多個熱電元件。襯底的表面設有功能 運算區(qū)與至少一個散熱區(qū)，其中散熱區(qū)相鄰于功能運算區(qū)。這些微 電子元件設置于功能運算區(qū)中。將熱電元件沿著功能運算區(qū)的至少 一個邊緣設置于散熱區(qū)中。當將電流供》會至這些熱電元件時，熱電 元件在接近功能運算區(qū)的一側形成多個吸熱端，并且在遠離功能運 算區(qū)的另 一側形成多個放熱端，由此降低微電子元件的溫度。
根據(jù)本發(fā)明的整合型芯片，其中，該熱電元件為P型熱電元件。
根據(jù)本發(fā)明的整合型芯片，其中，該熱電元件為N型熱電元件。
根據(jù)本發(fā)明的整合型芯片，其中，該熱電元件以并聯(lián)的方式電連接。才艮據(jù)本發(fā)明的整合型芯片，其中，該熱電元件以串聯(lián)的方式電連接。
為了4吏本發(fā)明的上述內容能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實施
例，并結合所附附圖4乍詳細i兌明如下


圖1A示出了才艮據(jù)本發(fā)明實施例1的具有熱電致冷散熱功能的 整合型芯片的示意圖。
圖1B示出了圖1A的整合型芯片沿著B-B，切線的剖面圖。
圖1C示出了圖1A的散熱區(qū)局部的示意圖。
圖2示出了實施例1的散熱單元以陣列形式i殳置于散熱區(qū)的示意圖。
圖3A、圖3B示出了一列散熱單元的》丈熱端延伸至相鄰列散熱 單元的口及熱端的示意圖。
圖4A示出了第一導電元件延伸至絕緣層外的剖面圖。
圖4B示出了第一導電元件具有鰭狀結構的剖面圖。
圖5示出了根據(jù)本發(fā)明實施例2的具有熱電致冷散熱功能的整 合型芯片的散熱區(qū)局部的示意圖。
圖6示出了圖5部分的散熱單元浮皮導通的示意圖。
圖7示出了實施例2的散熱單元以陣列形式i殳置于散熱區(qū)的示意圖。圖8示出了才艮據(jù)本發(fā)明實施例3的具有熱電致冷散熱功能的整 合型芯片的示意圖。
圖9示出了根據(jù)本發(fā)明實施例4的具有熱電致冷散熱功能的整 合型芯片的示意圖。
圖IO示出了 N型熱電元件之間以串聯(lián)的方式結合的示意圖。
具體實施例方式
實施例1
參照圖1A至圖1C，圖1A示出了才艮據(jù)本發(fā)明實施例1的具有 熱電致冷散熱功能的整合型芯片的示意圖，圖1B示出了圖1A的整 合型芯片沿著B-B，切線的剖面圖，圖1C示出了圖1A的散熱區(qū)局 部的示意圖。如圖1A、圖1B所示，本實施例的整合型芯片100包 括襯底110、多個微電子元件120以及多個散熱單元130。村底110 的表面設有功能運算區(qū)112與至少一個散熱區(qū)，其中散熱區(qū)相鄰于 功能運算區(qū)112。本實施例是以兩個對稱并且相鄰于功能運算區(qū)112 的散熱區(qū)114、 116作說明。孩史電子元件120設置于功能運算區(qū)112 中。孩t電子元件120例如包括半導體元件，其可以是晶體管、電阻 元件、電容元件、二極管等其中之一或任意組合。散熱單元130沿 著功能運算區(qū)112的邊續(xù)^殳置于散熱區(qū)114、 116中。如圖1C所示， 各散熱單元130包括相連接的P型熱電元件與N型熱電元件，并且 散熱單元130的N型熱電元件;故連接至相鄰的散熱單元130的P型 熱電元件。散熱單元130例如被成橫列地設置于散熱區(qū)114 (或散 熱區(qū)116)中。
g熱電元件與N型熱電元件的材質例如是 具有高熱電優(yōu)值的半導體材料、半金屬元素或化合物。當在兩種不同熱電元件接合成的線路上通以電流時，如果其中 一個4姿點-放熱， 則另一個4妄點會產(chǎn)生吸熱的情形。所以，當電流依次通過這些散熱
單元130時，散熱單元130在接近功能運算區(qū)112的一側會形成多 個吸熱端130A，而在遠離功能運算區(qū)112的另一側會形成多個》文 熱端130B。這樣，如圖1B中的箭頭所示，功能運算區(qū)112中的微 電子元件120所產(chǎn)生的熱量爿夸會沿兩個散熱區(qū)114、 116的方向^皮帶 走，由此降低功能運算區(qū)112中孩i電子元件120的溫度。
如圖1C所示，整合型芯片100包4舌多個第一導電元件141與 多個第二導電元件142，其中，第一導電元件141用以連接各散熱 單元130的P型熱電元件與N型熱電元件，而第二導電元件142用 以連4妾各散熱單元130的N型熱電it/f牛與相鄰散熱單元130的P型 熱電7t/f牛。此外，第一導電元件141位于力文熱端130B,而第二導 電元件142位于吸熱端130A。由于第一導電元件141 ^立于》文熱端 130B, ^尤選地，可4吏第一導電元件141具有舉交大的體積，以力"夬整 合型芯片100的自行散熱的速度。第一導電元件141與第二導電元 件142的材質例如是金、銅等具有導電性的材料。
另外，除了如圖1C所示僅設置單列的P型熱電元件與N型熱 電元件，也可^f吏熱電元件具有更大的分布范圍以及其它的排列方 式。參照圖2,其示出了實施例1的散熱單元以陣列形式i殳置于散 熱區(qū)的示意圖。如圖2所示，散熱單元130是以陣列的形式排列于 散熱區(qū)中的，其中， 一列散熱單元130的放熱端130B鄰近于相鄰 列散熱單元130的吸熱端130A,也就是列與列之間的》文熱端130B 上的第 一導電元件141是對應于吸熱端130A上的第二導電元件142 設置的。如此，功能運算區(qū)112的熱量除了一皮導引至散熱區(qū)114、 116，并且將由散熱區(qū)114、 116被導引到襯底110夕卜，以有效地將 芯片100的溫度降^[氐。參照圖3A、圖3B,其示出了一列散熱單元的》文熱端延伸至相 鄰列散熱單元的吸熱端的示意圖。優(yōu)選地，位于列與列之間的力文熱 端的第一導電元件具有延伸至相鄰的吸熱端的延伸部。如圖3A所 示，位于兩列散熱單元130間的第一導電元件141，是T形結構，其 具有延伸至相鄰的第二導電元件142處的延伸部141A，，然而二者 并不4妄觸。另夕卜，如圖3B所示，第一導電元4牛141，的延伸部141A" 也可為三角形。
參照圖4A，其示出了第一導電元件延伸至絕緣層外的剖面圖。 優(yōu)選地，襯底110在工藝中會被覆蓋絕緣層130以保護襯底110上 的孩i電子元件120以及散熱單元130的P型熱電元4牛與N型熱電元 件，所以，可將放熱端130B (見圖1C)的第一導電元件141延伸 至絕》彖層150外以形成凸出端141C，該凸出端141C用以與外界大 氣接觸以將熱逸散至芯片100外。
另外，參照圖4B,其示出了具有鰭狀結構的第一導電元件的 剖面圖。第一導電元件141在延伸至絕緣層150外的凸出端141C， 優(yōu)選為鰭狀結構。鰭狀結構的"i殳計加大了凸出端141C，與外界4妄觸
的面積，如此可更加快速i也爿尋溫度降寸氐。
由于微電子元件120包括半導體元件，并且各散熱單元130的 P型熱電元件與N型熱電元件可通過半導體材^F制作，此外，散熱 單元130與微電子元件120同樣設置于村底110的表面，所以，整 合型芯片100上的各個散熱單元130與導電元件141、 142的工藝 可整合于微電子元件120的工藝(半導體工藝)中。并且僅需要根 據(jù)微電子元件120的種類，以及適當安排P/N型熱電元件與導電元 件141、 142的制作次序，便可在微電子元件120的工藝中將散熱 單元130與導電元件141、 142 —起制作完成。這才羊，制作完成的 整合型芯片即具有自身散熱的效果，并且不會增加額外的工藝費 用。實施例2
實施例2與實施例1的不同之處在于實施例2的整合型芯片 可調整其本身散熱區(qū)的大小，所以對于相同的元件部分將不再贅 述。參照圖5,其示出了根據(jù)本發(fā)明實施例2的具有熱電致冷散熱 功能的整合型芯片的散熱區(qū)局部的示意圖。本實施例2的整合型芯 片在散熱區(qū)214中還包括多個開關元件260 (為了簡化圖示，僅示 出出開關元件260(1)至260(15)),這些開關元件260連接任意兩個 相鄰的P型熱電元〗牛與N型熱電元件，用以選擇性i也導通或+刀斷不 同散熱單元230 (僅示出散熱單元230(1)至230(4))之間的連-接， 由此調整散熱區(qū)214的散熱范圍。在此，部分的開關元件260被連 4妄于散熱單元230的P型熱電元^牛與N型熱電it/f牛，部分的開關元 件260 ^皮連4妾于散熱單元230的N型熱電元4牛與相鄰散熱單元230 的P型熱電元件。開關元件260可為半導體元件，其例如是具有1/0 開關特性的晶體管，在施加適當電壓的條件下可產(chǎn)生導通的情形。
另夕卜，將各個散熱單元230的P型熱電元件連4妄至第一電力驅 動線271,而將N型熱電元件連接至第二電力驅動線272。將部分 的開關元件260連接于P型熱電元件與第一電力驅動線271之間， 而將部分的開關元件260連接于N型熱電元件與第二電力驅動線 272之間。在本實施例中，電流方向例如是由第一電力驅動線271 流至各散熱單元，并由第二電力驅動線272流出。
位于il熱端的第一 導電元件241 U又示出第一導電元件241(1) 至241(4))各具有第一導電體2411與第二導電體2412,其中，第 一導電體2411連接至P型熱電元件，第二導電體2412連接至N型 熱電元件，并且第 一導電體2411與第二導電體2412之間具有間隙。
參照圖6,其示出了圖5中部分的散熱單元被導通的示意圖。 當開關元件260(5)、 260(6)、 260(8)、 260(10)及260(11)導通時,第一電力驅動線271、散熱單元230(2)、 230(3)與第二電力驅動線2"
會形成一個回^各。此時，回^各各^妾點之間會產(chǎn)生吸熱與i文熱的情形。 由于^f義有散熱單元230(2)、 230(3)被導通，熱將由放熱端的第一導 電元件241(2)、 241(3)排出，所以散熱區(qū)214局部地具有散熱功能。 這樣，通過開關元件260的設置可以根據(jù)需求來調整散熱區(qū)214的范圍。
參照圖7，其示出了實施例2的散熱單元以陣列形式設置于散 熱區(qū)的示意圖。散熱單元230以陣列形式4非列成第1列散熱單元 230R1至第N列散熱單元230RN。開關元件260設置于任意兩個相 鄰的P型熱電元件與N型熱電元件之間、P型熱電元件與第一電力 驅動線271之間、N型熱電元件與第二電力驅動線272之間等位置。 通過適當?shù)貙ㄋx定位置的開關元件260,便可決定散熱區(qū)214 的散熱范圍。
在列與列之間的第一導電元件，例如第1列散熱單元230R1的 ;改熱端的第一導電元件241，可i殳計為具有延伸至第2列散熱單元 230R2的吸熱端的延伸部241A，。對于第N列散熱單元230RN (位 于最外列)的第一導電元件241，其可具有較大的體積以增加與外 界4妾觸的面積。
優(yōu)選地，本實施例的整合型芯片可4荅配有控制單元(或稱為驅 動電路)與感測單元以更加彈性地調控散熱區(qū)214的散熱^L制?？?制單元與感測單元可制作于整合型芯片的^t底上，其中，感測單元 用以感測散熱區(qū)214的溫度，控制單元則連接至感測單元以及前述 所有的開關元件260。所以，當感測單元片企測到散熱區(qū)214的溫度 變化時，控制單元可以選擇性地致動開關元件260,以調控散熱區(qū) 214的散熱范圍。舉例來i兌，當感測單元4企測到功能運算區(qū)局部產(chǎn) 生高溫時，控制單元可通過控制開關元件來開啟對應該高溫區(qū)域的 散熱單元以執(zhí)行散熱功能。值得一提的是，由于熱電材料自身即具有溫差與電信號的互相
可逆反應，所以可在散熱區(qū)214中最靠近功能運算區(qū)的至少一個散
熱單元中多i殳置兩組開斷3各開關，再將這兩《且開斷3各開關與感測電 路連接。當該散熱單元與原先的控制單元、外圍的散熱單元互為斷 3各時，并且與感測電3各形成通3各時，則該散熱單元即轉變?yōu)楦袦y單 元而可一是供溫度感測的功能。
實施例3
實施例3的整合-型芯片與實施例1的不同的處在于功能運算區(qū) 的輪廓與散熱區(qū)的設置，所以相同的部分將不再贅述。參照圖8， 其示出了根據(jù)本發(fā)明實施例3的具有熱電致冷散熱功能的整合型芯 片的示意圖。整合型芯片300的襯底310上的功能運算區(qū)312具有 弧形邊緣，所以位于散熱區(qū)314中的散熱單元330沿著該弧形邊纟彖 配置。散熱單元330在4妄近功能運算區(qū)312的一端為吸熱端(冷端)， 而在遠離功能運算區(qū)312的另一端則為力文熱端(熱端)，由ot匕熱乂人 ^H"底310內向^H"底310夕卜的方向逸散。
在其它實施例中，可根據(jù)芯片性能或結構條件等限制而具有其 它不同的邊緣形狀來設計功能運算區(qū)，只要將散熱單元設置于功能 運算區(qū)的外圍，均屬于本發(fā)明的范疇。
實施例4
參照圖9，其示出了根據(jù)本發(fā)明實施例4的具有熱電致冷散熱 功能的整合型芯片的示意圖。整合型芯片400包^^H"底410、多個 微電子元件420以及多個熱電元件。襯底410的表面設有功能運算 區(qū)412與至少一個散熱區(qū)414,其中散熱區(qū)414相鄰于功能運算區(qū) 412。熱電元件沿著功能運算區(qū)412的至少一個邊鄉(xiāng)彖i殳置于散熱區(qū) 414中。當將電流供給至這些熱電元件時，熱電元件在4妄近功能運能運算區(qū)412的另 一側形成多個放熱端，由此降低微電子元件420的溫度。
如圖9所示，這些熱電元件為N型熱電元件。此夕卜，S尋N型 熱電元件之間以并聯(lián)的方式電連接起來。當電流通入時，在N型熱 電元件的下方會產(chǎn)生吸熱效果而形成冷端，并且在N型熱電元件的 上方會產(chǎn)生散熱效果而形成熱端，使熱由功能運算區(qū)412向散熱區(qū) 414 (或向外)的方向逸散，所以整合型芯片400本身即具有熱電 致冷的散熱功能。
這些N型熱電元件之間也可以通過串聯(lián)的方式結合起來，參照 圖10。此外，雖然本實施例是以N型熱電元件為例作i兌明，然而 在其它實施例中，也可以4吏用P型熱電元4牛。P型熱電it/f牛之間同 樣可通過并聯(lián)或串耳關的方式電連接。
本發(fā)明的上述實施例所:披露的具有熱電致,令散熱功能的整合 型芯片，可為各種不同功能的芯片，特別是可提供高速運算或是高 功率運行的芯片，如計算器的中央處理器(CPU)或液晶顯示器的 源才及驅動芯片(Source Driver IC )等，并可才荅配例如f 1線4妄合(wire bonding),球柵陣列(BGA )或覆晶(薄膜覆晶封裝，COF )等封 裝技術。本發(fā)明的整合型芯片是將散熱單元直接整合于芯片的襯底 上，使芯片本身即具有主動散熱的功能。將散熱單元是沿著芯片的 功能運算區(qū)外圍設置，以將芯片上產(chǎn)生的熱導引至芯片外。由于散 熱單元的P/N型熱電元件可在芯片上孩t電子元件的工藝中制作出 來，并不會額外增加工藝成本。另外，還可將散熱單元以陣列的形 式排列，以便提供一維或二維的芯片散熱效果，也可更加彈性地調 控散熱區(qū)的散熱范圍。此外，本發(fā)明所披露的具有電致散熱功能的 整合型芯片，其內部散熱單元的設計除了前述的P/N組合實施之外， 還可選用單一 N或P型的熱電材料以提供芯片散熱目的。這種方式 主要是將多個同為P型或N型的熱電材料并聯(lián)或串聯(lián)起來，并施加電流，同4羊可4吏熱電桐 H" —端為熱端而另一端為冷端，由it匕產(chǎn)生吸 熱力文熱的J見象。
綜上所述，雖然已經(jīng)以優(yōu)選的實施例4皮露如上，然而其并非用 以限定本發(fā)明。本發(fā)明所屬技術領域中的普通技術人員，在不脫離 本發(fā)明的精神和范圍的情況下，應當可作出各種更改與變化。因此， 本發(fā)明的保護范圍應當以隨后所附的權利要求所界定的范圍為準。
主要元件符號說明
100、 300、 400 整合型芯片
110、 310、 410 沖十底
112、 312、 412 功能運算區(qū)
114、 116、 214、 314、 414 散熱區(qū)
120、 420《斂電子元件
130、 230、 330 散熱單元
130A 吸熱端
130B 》i:熱端
141、 "r、 241、 241" 第一導電元件 141A，、 141 A"、 241A，延伸部 141C、 141C， 凸出端142 第二導電元4牛
150 絕纟彖層
230R1、 230R2、 230RN
260 開關元件 272 第二電力馬區(qū)動線 2412 第二導電體 N N型熱電元Y牛。
1、 2、 N列散熱單元
271 第一電力馬區(qū)動線 2411 第一導電體 P P型熱電元-降
權利要求
1. 一種具有熱電致冷散熱功能的整合型芯片，包括襯底，所述襯底的表面設有功能運算區(qū)與至少一個散熱區(qū)，所述散熱區(qū)相鄰于所述功能運算區(qū)；多個微電子元件，設置于所述功能運算區(qū)中；以及多個散熱單元，沿著所述功能運算區(qū)的至少一個邊緣設置于所述散熱區(qū)中，各所述散熱單元包括相連接的P型熱電元件與N型熱電元件，并且各所述散熱單元的N型熱電元件連接至相鄰的散熱單元的P型熱電元件；其中，當電流依次通過所述散熱單元時，所述散熱單元在接近所述功能運算區(qū)的一側形成多個吸熱端，并且在遠離所述功能運算區(qū)的另一側形成多個放熱端，由此降低所述微電子元件的溫度。
2. 根據(jù)權利要求1所述的整合型芯片，還包括多個第一導電元件，分別用以連接各所述散熱單元的P 型熱電元^f牛與N型熱電元4牛；以及多個第二導電元件，分別用以連接各所述散熱單元的N 型熱電元件與相鄰的散熱單元的P型熱電元4牛。
3. 根據(jù)權利要求2所述的整合型芯片，其中，所述第一導電元件 位于所述》文熱端，而所述第二導電元件位于所述p及熱端。
4. 根據(jù)權利要求3所述的整合型芯片，其中，所述散熱單元以陣 列的形式i殳置于所述散熱區(qū)中，并且一列的散熱單元的所述》文熱端的所述第 一導電元件鄰近于相鄰列的散熱單元的所述吸 熱端的所述第二導電元件。
5. 根據(jù)權利要求4所述的整合型芯片，其中，位于列與列之間的 所述方丈熱端的所述第一導電元件各具有延伸至相鄰的吸熱端 的延伸部。
6. 根據(jù)權利要求5所述的整合型芯片，其中，所述第一導電元件 各為T形結構。
7. 根據(jù)權利要求3所述的整合型芯片，其中，所述第一導電元件 在未連接所述P型熱電元件與所述N型熱電元件的 一側各具 有鰭狀結構。
8. 根據(jù)權利要求3所述的整合型芯片，還包括絕緣層，覆蓋于所述P型熱電元件與所述N型熱電元件 上，并4吏所述P型熱電元件與所述N型熱電元件隔離開來， 并且所述第一導電元件暴露于所述絕緣層外。
9. 根據(jù)權利要求1所述的整合型芯片，還包括多個開關元件，分別連接任意兩個相鄰的P型熱電元件 與N型熱電元件，所述開關元件用以選一奪性地導通或切斷所 述散熱單元，由此以調整所述散熱區(qū)的散熱范圍。
10. —種具有熱電致冷散熱功能的整合型芯片，包括襯底，所述襯底的表面設有功能運算區(qū)與至少一個散熱 區(qū)，所述散熱區(qū)相鄰于所述功能運算區(qū)；多個微電子元件，設置于所述功能運算區(qū)中；以及多個熱電元件，沿著所述功能運算區(qū)的至少一個邊續(xù)^殳置于所述散熱區(qū)中；其中，當將電流供癥合至所述熱電元件時，所述熱電元件 在接近所述功能運算區(qū)的一側形成多個吸熱端，并且在遠離所 述功能運算區(qū)的另 一側形成多個》文熱端，由此降低所述樣i電子 元件的溫度。
全文摘要
一種具有熱電致冷散熱功能的整合型芯片，包括襯底、多個微電子元件以及多個散熱單元。襯底的表面設有功能運算區(qū)與至少一個散熱區(qū)，其中散熱區(qū)相鄰于功能運算區(qū)。這些微電子元件設置于功能運算區(qū)中，而散熱單元是沿著功能運算區(qū)的至少一個邊緣被設置于散熱區(qū)中。各散熱單元包括相連接的P型熱電元件與N型熱電元件，并且散熱單元的N型熱電元件是連接至相鄰的散熱單元的P型熱電元件。當電流依次通過這些散熱單元時，散熱單元于接近功能運算區(qū)的一側形成多個吸熱端，而于遠離功能運算區(qū)的另一側形成多個放熱端，由此降低這些微電子元件的溫度。
文檔編號H01L27/16GK101533847SQ20081008570
公開日2009年9月16日 申請日期2008年3月13日 優(yōu)先權日2008年3月13日
發(fā)明者周忠誠, 威 王 申請人:瑞鼎科技股份有限公司