專利名稱：發(fā)光元件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及適合于從側(cè)面照射諸如液晶面板那樣的薄型的顯示體的 發(fā)光元件及其制造方法。
背景技術(shù)：
以往，作為從側(cè)面照射液晶等顯示面板的背光光源，使用特開2005-223082號(hào)公報(bào)(
公開日2005年08月18日，以下為"專利文獻(xiàn)1") 等中表示的側(cè)面發(fā)光型的發(fā)光二極管(以下為"LED")等發(fā)光元件。發(fā)光元件101如圖42所示，具有形成有模片鍵合圖案108和電極 端子109的芯片基板114;安裝在芯片基板114上的LED芯片103;連接 LED芯片103和電極端子109的引線116;在芯片基板114上以包圍LED 芯片103的周圍的方式配置并且在上面和側(cè)壁的一部分具有開口部的反射 框體123;作為反射框體123的側(cè)壁內(nèi)周面的反射面122;形成在芯片基 板114上的反射框體123內(nèi)并且把側(cè)壁一側(cè)的開口部作為光出射面117的 光透過樹脂體119;覆蓋光透過樹脂體119的上表面的反射膜121。以如 下方式構(gòu)成發(fā)光元件101:即從LED芯片103發(fā)出的光由反射框體123的 反射面122和反射膜121反射，從形成在一側(cè)面的光出射面117向外部出 射。此外，如果在發(fā)光元件內(nèi)產(chǎn)生的熱的散熱較差，元件內(nèi)的構(gòu)件就受到 熱引起的損害，引起發(fā)光效率的下降、元件自身的損傷，無法確保長期的 可靠性。因此，要求散熱性優(yōu)異的發(fā)光元件的開發(fā)。例如，在特開2004-282004號(hào)公報(bào)(
公開日2004年10月07日，以 下為"專利文獻(xiàn)2")中描述散熱性優(yōu)異的發(fā)光元件用基板。參照?qǐng)D15和圖16，說明專利文獻(xiàn)2的發(fā)光元件用基板的結(jié)構(gòu)。圖15是表示具有所述發(fā)光元件用基板的以往的發(fā)光元件1000的結(jié)構(gòu) 的剖面圖。5圖16是表示圖15所示的發(fā)光元件用基板的導(dǎo)體圖案1008和布線層 1009的形狀的圖。在所述的發(fā)光元件用基板中，如圖15所示，作為導(dǎo)體圖案1003，形 成第一電極1004和第二電極1005， LED芯片(未圖示) 一方的電極與第 一電極1004連接，另一方的電極與第二電極1005連接。此外，第一電極1004、層間連接圖案1006、保護(hù)金屬層1007和導(dǎo)體 圖案1008從反射體1001的下側(cè)連續(xù)形成到搭載有LED芯片的位置的下 側(cè)。另外，導(dǎo)體圖案1008形成在布線層1009上。而且，通過第一電極1004、層間連接圖案1006、保護(hù)金屬層1007和 導(dǎo)體圖案1008，使層疊的金屬層疊體的、對(duì)反射體1001的發(fā)熱進(jìn)行傳熱 的傳熱面積增大。即如圖16所示，使導(dǎo)體圖案I008的面積增大。據(jù)此，通過保護(hù)金屬層1002和金屬層疊體，能高效將反射體1001的 發(fā)熱傳遞到保護(hù)金屬層1012和下層的金屬基板1010。此外，在特開2005-235778號(hào)公報(bào)(
公開日2005年9月2日，以下 為"專利文獻(xiàn)3")中公開了如下結(jié)構(gòu)在搭載LED芯片的多布線基板的 表面樹脂中添加無機(jī)裝填物(7V，一)，使該表面樹脂變?yōu)榘咨?，提?表面樹脂的光反射率。通常，來自LED芯片1003的出射光強(qiáng)度在圖42中央箭頭118所示 的向上方向變?yōu)樽畲?。可是，在上述的專利文獻(xiàn)l的結(jié)構(gòu)中，在來自LED 芯片103的光出射方向上，反射膜121與LED芯片103的光出射面相面 對(duì)地形成。因此，從LED芯片103出射的光在反射膜121和芯片基板114 之間反復(fù)反射，從LED芯片103出射的光的大部分無法從光出射面117 向外部高效出射，而由反射膜121和芯片基板114所吸收。此外，在所述專利文獻(xiàn)1的發(fā)光元件101的結(jié)構(gòu)中，光出射面117形 成在來自LED芯片103的出射光強(qiáng)度變?yōu)樽畲蟮南蛏戏较?箭頭118)偏 移90度的位置。因此，無法把從LED芯片103出射的光高效向發(fā)光元件 IOI的光出射面引導(dǎo)，向元件外部取出。此外，在光透過樹脂體119的材 料的樹脂中使用熒光體粒子時(shí)，沒有變換為熒光的光和沒有被散射的光在 反射膜121和芯片基板114之間反復(fù)反射，大部分由反射膜121和芯片基 板114吸收。由于熒光體粒子量的變動(dòng)，散射程度變動(dòng)，所以光取出效率不穩(wěn)定。此外，近年來，伴隨著具有液晶面板的移動(dòng)電話等電子儀器的薄型化，要求液晶背光中使用的側(cè)面發(fā)光型LED的薄型化?？墒牵趯＠墨I(xiàn)1 所示的以往的構(gòu)造中，是LED芯片103的上表面和反射膜121的距離越 短，所述光吸收和泄漏引起的損傷越增大的結(jié)構(gòu)，所以存在來自發(fā)光元件 的光取出效率進(jìn)一步下降的問題。因此，要求不引起光取出效率的下降、能實(shí)現(xiàn)薄型化的側(cè)面發(fā)光型 LED的開發(fā)。此外，專利文獻(xiàn)2的發(fā)光元件如圖15和圖16所示，安裝LED芯片 的安裝面為底面時(shí)，金屬反射體1001不包圍元件側(cè)面全體地形成。因此， 從LED芯片向周圍放出的光從沒有形成所述金屬反射體1001的側(cè)面向元 件外部泄漏。此外，在所述安裝面的第一電極1004和第二電極1005的形成區(qū)域以 外的區(qū)域形成權(quán)利要求1 8中的任意一項(xiàng)的絕緣層1011。因此，從LED 芯片出射的光中向基板一側(cè)的光的大部分透過樹脂絕緣層1011，從背面一 側(cè)向元件外部泄漏。如所述那樣泄漏的光由發(fā)光元件外部的其他構(gòu)件吸收，所以在整體上 變?yōu)楹艽蟮哪芰繐p失。因此，具有無法高效取出從LED芯片出射的光， 來自光出射面的出射光強(qiáng)度下降的問題。此外，在專利文獻(xiàn)3的結(jié)構(gòu)中，由于無機(jī)填充物的添加，助長光催化 劑效應(yīng)引起的周邊構(gòu)件的氧化，產(chǎn)生了由無機(jī)填充物的吸濕性的影響引起 的弊端。此外，在專利文獻(xiàn)3中，未提及無機(jī)填充物的添加量的限制。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是鑒于所述的問題提出的，其目的在于，提供一種長期的可靠 性優(yōu)異的發(fā)光元件及其制造方法，其能夠抑制光泄漏，謀求提高來自光出 射面的光出射強(qiáng)度，并且提高散熱性。本發(fā)明的發(fā)光元件為了解決所述的課題，提供一種發(fā)光元件，其特征 在于，包括LED芯片，其安裝在基板上；絕緣部，其由形成在上述基板 的表面的光透過性的樹脂構(gòu)成，上述絕緣部由添加了光反射性填充物的光反射性填充物添加區(qū)域和未添加該光反射性填充物的光反射性填充物未 添加區(qū)域構(gòu)成。根據(jù)所述的結(jié)構(gòu)，能用所述光反射性填充物添加區(qū)域，對(duì)從所述LED 芯片出射并對(duì)所述絕緣部入射的光進(jìn)行反射。因此，能減少進(jìn)入所述絕緣 部，向周邊構(gòu)件反射時(shí)，部分被吸收、衰減的光，能提高光利用效率和散 熱性。本發(fā)明的發(fā)光元件為了解決所述的課題，包括第一金屬部，其形成 在基板的安裝面上，作為安裝面金屬反射膜；至少一個(gè)第二金屬部，其與 上述第一金屬部通過絕緣部電絕緣，并形成在上述安裝面上；LED芯片， 其安裝在上述第一金屬部上，并且一方的電極與上述第一金屬部電連接， 另一方的電極與上述第二金屬部電連接；金屬反射板，其以包圍上述安裝 面的方式與上述第一金屬部一體化形成，反射來自上述LED芯片的出射 光，并將之導(dǎo)向設(shè)置在上述光出射方向的光出射面；透光性密封體，其以 填充由上述基板和上述金屬反射板包圍的區(qū)域且密封上述LED芯片的方 式形成，上述絕緣部由包含光反射性填充物的樹脂構(gòu)成，在由上述金屬反 射板包圍的區(qū)域內(nèi)，以包圍上述第二金屬部的周圍的方式形成。根據(jù)所述的結(jié)構(gòu)，對(duì)來自所述LED芯片的出射光進(jìn)行反射并將之向 設(shè)置在所述光出射方向的光出射面引導(dǎo)的金屬反射板，設(shè)置在所述LED 芯片的光出射方向，包圍該LED芯片的周圍全體地形成。因此，從LED 芯片向周圍放出的光由所述金屬反射板反射，能高效地向所述光出射面引 導(dǎo)。據(jù)此，能抑制來自元件側(cè)面的光泄漏，能提高來自光出射面的出射光 強(qiáng)度。此外，所述金屬反射板的內(nèi)周面與所述透光性密封體緊貼，所以能 抑制金屬從該金屬反射板的內(nèi)周面一側(cè)剝離的問題。據(jù)此，通過所述透光 性密封體，能在穩(wěn)定的狀態(tài)下保護(hù)所述金屬反射板的內(nèi)周面。此外，所述第一金屬層具有作為安裝面金屬反射膜的功能，隔著形成 在所述第二金屬層的外周的絕緣部，以包圍所述第二金屬層的外周的方式 形成。因此，能確保與所述第二金屬層的絕緣，在所述基板的安裝面的所 述絕緣部形成區(qū)域的外側(cè)的全面形成作為安裝面金屬反射膜的所述第一 金屬層。如此，因?yàn)槟茉诎惭b面上的寬范圍內(nèi)形成作為安裝面金屬反射膜 的所述第一金屬層，所以從LED出射的光中向基板一側(cè)的光的大部分能由所述第一金屬部更高效率地向光出射面一側(cè)引導(dǎo)。因此，能進(jìn)一步減少 由基板吸收的光量，能進(jìn)一步提高來自光出射面的出射光強(qiáng)度。此外，所述絕緣部由包含光反射性填充物的樹脂形成。因此，能用所述光反射性填充物，對(duì)從所述LED芯片出射并對(duì)所述絕緣部入射的光進(jìn)行反射。因此，能減少進(jìn)入所述絕緣部并向周邊構(gòu)件反射時(shí)部分被吸收、 衰減的光，能提高來自光出射面的出射光強(qiáng)度。根據(jù)以下所示的記載，能充分理解本發(fā)明的其他目的、特征和優(yōu)異的 點(diǎn)。此外，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在參照附圖的以下的說明中變得明白。


圖1是第1實(shí)施方式的發(fā)光元件的立體圖。圖2是第1實(shí)施方式的發(fā)光元件的剖面圖。圖3 (a) 圖3 (h)是第1實(shí)施方式的發(fā)光元件的金屬反射板和層 疊基板的結(jié)構(gòu)圖。圖4是第1實(shí)施方式的發(fā)光元件的立體圖。 圖5是第1實(shí)施方式的發(fā)光元件的立體圖。 圖6是第2實(shí)施方式的發(fā)光元件的立體圖。 圖7是第2實(shí)施方式的發(fā)光元件的剖面圖。圖8 (a) 圖8 (f)是第2實(shí)施方式的發(fā)光元件的金屬反射板和層疊 基板的結(jié)構(gòu)圖。圖9是第2實(shí)施方式的發(fā)光元件的立體圖。 圖10是第2實(shí)施方式的發(fā)光元件的立體圖。 圖11是第2實(shí)施方式的發(fā)光元件的立體圖。 圖12是第2實(shí)施方式的發(fā)光元件的剖面圖。 圖13是第2實(shí)施方式的發(fā)光元件的立體圖。 圖14是第2實(shí)施方式的發(fā)光元件的剖面圖。 圖15是以往的發(fā)光元件的立體圖。 圖16是圖26所示的發(fā)光元件的I-I向視俯視圖。 圖17是第3實(shí)施方式的發(fā)光元件的剖面圖。圖18是表示把第3實(shí)施方式的發(fā)光元件安裝在電子儀器的框體上的狀態(tài)的示意圖。圖19是第4實(shí)施方式的發(fā)光元件的剖面圖。圖20是表示第4實(shí)施方式的發(fā)光元件的概略結(jié)構(gòu)的說明圖。 圖21是表示第5實(shí)施方式的發(fā)光元件的概略結(jié)構(gòu)的說明圖。 圖22 (a) 圖22 (h)是第5實(shí)施方式的發(fā)光元件的金屬反射板和層疊基板的結(jié)構(gòu)圖。圖23是表示第2實(shí)施方式的發(fā)光元件的概略結(jié)構(gòu)的說明圖。圖24是表示第2實(shí)施方式的發(fā)光元件的概略結(jié)構(gòu)的說明圖。圖25是表示第2實(shí)施方式的發(fā)光元件的概略結(jié)構(gòu)的說明圖。圖26是表示第2實(shí)施方式的發(fā)光元件的概略結(jié)構(gòu)的說明圖。圖27是表示第3實(shí)施方式的發(fā)光元件的概略結(jié)構(gòu)的說明圖。圖28是表示第3實(shí)施方式的發(fā)光元件的概略結(jié)構(gòu)的說明圖。圖29是表示第3實(shí)施方式和4的發(fā)光元件的電位的例子的說明圖。圖30是表示第3實(shí)施方式的發(fā)光元件的電位的例子的說明圖。圖31是表示第3實(shí)施方式的發(fā)光元件的電位的例子的說明圖。圖32是表示第4實(shí)施方式的發(fā)光元件的概略結(jié)構(gòu)的說明圖。圖33是表示第4實(shí)施方式的發(fā)光元件的概略結(jié)構(gòu)的說明圖。圖34是表示第4實(shí)施方式的發(fā)光元件的概略結(jié)構(gòu)的說明圖。圖35是表示第5實(shí)施方式的發(fā)光元件的概略結(jié)構(gòu)的說明圖。圖36是表示第5實(shí)施方式的發(fā)光元件的電位的例子的說明圖。圖37是表示第5實(shí)施方式的發(fā)光元件的電位的例子的說明圖。圖38 (a) 圖38 (c)是表示第1實(shí)施方式的發(fā)光元件的絕緣部的形成工序的說明圖。圖39是表示第1實(shí)施方式的發(fā)光元件的絕緣部的形成工序的說明圖。 圖40是表示第1實(shí)施方式的發(fā)光元件的研磨后的絕緣部的截面的說明圖。圖41是表示圖40所述的發(fā)光元件的局部放大截面的說明圖。 圖42是以往的側(cè)面發(fā)光型LED的立體圖。 圖43是第6實(shí)施方式的發(fā)光元件的剖面圖。圖44是表示絕緣部的可見光反射率和光反射性填充物的添加量的關(guān)系的曲線圖。
具體實(shí)施方式
(第1實(shí)施方式)以下參照?qǐng)D5和圖38 圖41，說明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式。 圖1是表示本實(shí)施方式的發(fā)光元件500的一個(gè)結(jié)構(gòu)例的立體圖。 圖2是表示發(fā)光元件500的詳細(xì)的結(jié)構(gòu)的剖面圖。 圖3表示金屬反射板502、構(gòu)成層疊基板506的各層的蝕刻圖例子。 圖3中，(a)表示第一層521， (b)表示第二層522， (c)表示第三層523， (d)表示第四層524， (e)表示第五層525， (f)表示第六層526， (g) 表示第七層527， (h)表示第八層528。本實(shí)施方式的發(fā)光元件500如圖l所示，具有安裝在層疊基板506 上的LED芯片501;立設(shè)在該LED芯片501的光出射方向、以包圍該LED 芯片501的周圍全體的方式設(shè)置在所述安裝面上，反射來自所述LED芯 片501的出射光，并向設(shè)置在所述光出射方向的光出射面引導(dǎo)的金屬反射 板502，并以填充所述安裝面上的由金屬反射板502包圍的區(qū)域地形成透 光性密封體510。發(fā)光元件500構(gòu)成為，把光出射面與設(shè)置在移動(dòng)電話等的顯示畫面上 的液晶面板的側(cè)面相面對(duì)地安裝。即發(fā)光元件500作為從側(cè)面照射液晶面 板的背光使用。LED芯片501是由GaN類半導(dǎo)體材料構(gòu)成的半導(dǎo)體芯片，從發(fā)光面 501a發(fā)出藍(lán)色光。LED芯片501中，以發(fā)光面501a變?yōu)樯蟼?cè)的方式通過 模片鍵合(die bonding),安裝在后面描述的模片鍵合區(qū)(die bonding area) *電極公共部(第一電極部、安裝面金屬反射膜)507上。而且，LED 芯片501在發(fā)光面501a上具有由陽極電極和陰極電極構(gòu)成的電極端子(未 圖示)。層疊基板506具有從安裝面一側(cè)形成表面層503、中間層504、背 面層505的層疊結(jié)構(gòu)。層疊基板506如圖2所示，是具有2層構(gòu)造的表面 層503、3層構(gòu)造的中間層504、由2層構(gòu)造的背面層505構(gòu)成的層疊構(gòu)造。 所述結(jié)構(gòu)的層疊基板506層疊在金屬反射板502上，與金屬反射板502 —體地形成。這里，參照?qǐng)D2和圖3，說明層疊基板506的詳細(xì)的結(jié)構(gòu)。 首先，說明表面層503的結(jié)構(gòu)。表面層503具有從安裝面一側(cè)層疊第二層522和第三層523的兩層層 疊構(gòu)造。在第二層522 (安裝面)，作為對(duì)LED芯片501供給驅(qū)動(dòng)電流的電極 端子，形成分別與LED芯片501連接的模片鍵合區(qū)、電極公共部(第一 金屬部)507和島(7一，y K)電極(第二金屬部)508。此外，以包圍 島電極508的外周的方式，形成用于從模片鍵合區(qū) 電極公共部507把島 電極508電絕緣的絕緣部509。模片鍵合區(qū)"電極公共部507通過引線粘結(jié)(引線511)與LED芯片 501的陰極電極連接。模片鍵合區(qū)，電極公共部507和金屬反射板502由同 種類的金屬(在本實(shí)施方式中，銅)構(gòu)成。另外，作為模片鍵合區(qū)，電極公共部507和金屬反射板502的材料， 并不局限于銅，也可以是使用其他金屬的結(jié)構(gòu)，希望使用反射性優(yōu)異的銅、 銀、金或者鎳。即在本實(shí)施方式中，不需要粘結(jié)劑，通過電鍍等方法，能與作為安裝 面金屬反射膜的模片鍵合區(qū)"電極公共部507 —體地形成金屬反射板502。 因此，LED芯片501的發(fā)光時(shí)的熱不會(huì)如以往那樣停留在熱傳導(dǎo)性低的樹 脂等中，而是傳導(dǎo)到模片鍵合區(qū)，電極公共部507，再高效地在基板的背面 一側(cè)散熱，所述模片鍵合區(qū) 電極公共部507在一體地形成了金屬反射板 502的基板的表面上形成。此外，通過這樣一體地形成金屬反射板502和 模片鍵合區(qū)，電極公共部507，元件全體的金屬所占的比例增大，所以成為 不僅散熱性，有關(guān)光泄漏的防止，也改善的結(jié)構(gòu)。另外，模片鍵合區(qū)*電極公共部507如后面詳細(xì)說明的那樣，在把500 切割時(shí)，為了防止飛邊的發(fā)生引起的損傷，確保形成切割的容限。另一方面，作為另一方的電極端子的島電極508由銅構(gòu)成，通過引線 粘結(jié)(引線511)與LED芯片501的陽極電極連接。此外，在作為安裝面 的第二層522的由金屬反射板502包圍的區(qū)域內(nèi)，島電極508形成其外周 由絕緣部509包圍的島。此外，島電極508的形狀除了本實(shí)施方式所示的以外，并不特別限定 為三角、四邊、矩形等，但是為了能避免電場(chǎng)集中，更理想的是在角部具 有圓形的形狀。也可以在島電極508上設(shè)置調(diào)整LED芯片的驅(qū)動(dòng)條件的 元件、電路。例如，可以設(shè)置穩(wěn)壓二極管等限制對(duì)LED芯片通電的電流 的保護(hù)電路元件。另外，這些事實(shí)也同樣在本實(shí)施方式以外的實(shí)施方式中 應(yīng)用。在本實(shí)施方式中，如上所述，成為LED芯片501的陰極電極與模片 鍵合區(qū)，電極公共部507連接，陽極電極與島電極508連接的結(jié)構(gòu)?？墒牵?本實(shí)施方式并不局限于此，也可以采用LED芯片501的陽極電極與模片 鍵合區(qū)，電極公共部507連接，陰極電極與島電極508連接的結(jié)構(gòu)。另外，模片鍵合區(qū)，電極公共部507和島電極508電位不同，根據(jù)設(shè) 計(jì)，LED芯片501的陽極電極和陰極電極的任意一個(gè)個(gè)各與一方連接。絕緣部509由環(huán)氧樹脂等RCC樹脂(resin coated copper)形成，從模 片鍵合區(qū)，電極公共部507電絕緣地形成島電極508。在所述環(huán)氧樹脂中添 加反射400nm 850nm的波長區(qū)域的可見光線的光反射性填充物。所述環(huán) 氧樹脂在所述波長區(qū)域的光反射率希望是50%以上。作為所述光反射性填 充物，能使用光反射率高的氧化鋁、氧化硅、二氧化鈦等。其中，二氧化 鈦的光反射率高，在成本方面是廉價(jià)的，所以是理想的?？墒牵鳛楣夥瓷湫蕴畛湮?，使用二氧化鈦時(shí)，在氧的存在下，由于 光催化(光觸媒)反應(yīng)，在發(fā)光動(dòng)作中，存在把金屬反射板502或透光性 密封體510、絕緣部509氧化的危險(xiǎn)性(通過密封樹脂中，由周邊構(gòu)件吸 收，并內(nèi)在的大氣、水分，成為氧的根源)。而使用氧化鋁、氧化硅等其 他反射性填充物時(shí)，雖然不產(chǎn)生所述的光催化劑作用，但是氧化鋁、氧化 硅具有吸濕性。因此，在透光性密封體510的密封工序中吸濕的大氣、水 分在發(fā)光動(dòng)作中由于熱蒸汽化，存在使透光性密封體510剝離的危險(xiǎn)性。 這里，密封所述LED芯片501的透光性密封體510希望是耐光性好，氣 密性好的?？墒牵绞悄凸庑院玫臉渲?， 一般大氣等氣體越容易透過，大 氣、水分有可能到達(dá)搭載面。因此，只在LED芯片501的搭載面附近的表面層添加時(shí)，特別希望 減少光反射性填充物的添加量，據(jù)此，能減少使氧化發(fā)生的活性氧量，能提高光反射率。因此，希望絕緣部509具有從光入射側(cè)層疊不包含所述的光反射性填充物的光反射性填充物未添加樹脂層和包含光反射性填充物的光反射性 填充物添加樹脂層的層疊構(gòu)造。這里，環(huán)氧樹脂吸收光，所以把不包含所 述的光反射性填充物的光反射性填充物未添加樹脂層盡可能薄地形成為 層狀，在其下層形成包含光反射性填充物的光反射性填充物添加樹脂層。這里，參照?qǐng)D38 圖41，以下說明絕緣部509的形成工序。首先， 如圖38 (a)所示，在稱作RCC樹脂(resin coated copper)的銅箔509a 上涂敷液狀的RCC樹脂，形成稍微凝固的膏(^一7卜)狀的二氧化鈦未添 加層(光反射性填充物未添加樹脂層)509b。接著，如圖38 (b)所示， 在二氧化鈦未添加樹脂層509b上涂敷在所述液狀的RCC樹脂中添加二氧 化鈦的物質(zhì)，形成同樣凝固的糊料狀的二氧化鈦添加樹脂層(光反射性填 充物添加樹脂層)509c。使二氧化鈦添加樹脂層509c凝固后，在二氧化 鈦添加樹脂層509c上形成二氧化鈦未添加樹脂層509b，形成圖38 (c) 所示的層疊構(gòu)造509d。進(jìn)而，如圖39所示，把在所述工序中形成的層疊構(gòu)造509d，貼附于 形成有模片鍵合區(qū) 電極公共部(第一金屬部)507和島電極508 (第二 金屬部)的金屬板530的背面(與光入射面相反一側(cè))，通過熱壓，與金 屬板530貼在一起。如圖40所示，銅箔509a在與二氧化鈦未添加樹脂層509b和二氧化 鈦添加樹脂層509c層疊的狀態(tài)下，表面研磨，部分成為導(dǎo)電層(Cu柱層) 509e。在樹脂中添加氧化鈦等光反射性填充物時(shí)，在液體狀態(tài)的RCC樹脂 中混合光反射性填充物，但是在單層的樹脂中，光反射性填充物由于與 RCC樹脂的比重差，而下沉，下沉到銅箔509a—側(cè)，難以控制包含光反 射性填充物的二氧化鈦添加樹脂層(光反射性填充物添加樹脂層)509c的 位置。因此，首先，在連接在導(dǎo)電層509e上的銅箔509a上形成二氧化鈦 未添加樹脂層50%，在二氧化鈦未添加樹脂層50%上形成包含所述光反 射性填充物的氧化鈦添加樹脂層(光反射性填充物添加樹脂層)509c，并 凝固，在氧化鈦添加樹脂層509c上再度涂敷不包含所述光反射性填充物的RCC樹脂，由此形成氧化鈦未添加樹脂層(光反射性填充物未添加樹脂層)509b，能在搭載面表面不包含光反射性填充物。如上所述，把這樣 形成的RCC樹脂，貼附在形成了模片鍵合區(qū)'電極公共部507和島電極508 的金屬板530的背面，通過熱壓加工，形成絕緣部509。然后，雖然省略 詳細(xì)的說明，但是在絕緣部509的下層，模片鍵合區(qū)，電極公共部507和 島電極508的電位通過導(dǎo)電層509e向基板背面?zhèn)葘?dǎo)通，并且在模片鍵合 區(qū)，電極公共部507與島電極508之間取得絕緣地把導(dǎo)電層、樹脂層配置 為平面狀的層，多層層疊，并貼附形成有貫通孔的環(huán)氧(力'，工求)基板， 通過貫通孔與導(dǎo)電層導(dǎo)通地設(shè)置背面電極，最終蝕刻金屬板的表面一側(cè)， 以絕緣部509在搭載面露出的方式形成反射板。圖41是表示由圖40所示的剖面圖的圓包圍的區(qū)域的放大剖面圖。 這樣，通過在絕緣部509使用包含光反射性填充物的RCC樹脂，而 如圖41所示，能用所述光反射性填充物，把從LED芯片501出射而入射 到絕緣部509的光，以及從密封LED芯片501的透光性密封體510中含 有的熒光體放出而入射到絕緣部509的光，反射。因此，能減少進(jìn)入絕緣 部509，向周邊構(gòu)件反射時(shí)， 一部分被吸收，衰減的光，能提高光利用效 率和散熱性。此外，在作為光反射性填充物使用二氧化鈦的情況下，與在絕緣部509 的全部區(qū)域中添加的結(jié)果相比，能抑制在氧的存在下，該光反射性填充物 的光催化反應(yīng)引起的金屬反射板502、透光性密封體510、絕緣部509的 氧化、或透光性密封體510的剝離等問題，能謀求提高來自光出射面的出 射光強(qiáng)度。即能減少由絕緣部509吸收的光以及通過所述基板從背面一側(cè)向外部 放出的光量，所以能提高光利用效率和散熱性。此外，所述RCC樹脂希望由惰性氣體氣氛下的熱工序形成。據(jù)此， 能防止絕緣部509中使用的樹脂的變質(zhì)(黃變化)，所以不存在由變質(zhì)樹 脂引起的光吸收，能有效發(fā)揮所述效果。特別是，在密封透光性密封體510的工序中，在透光性密封體510的 樹脂注入時(shí)，大氣、水分容易進(jìn)入搭載面。在該狀態(tài)下進(jìn)行加熱硬化時(shí)， 由于內(nèi)在的大氣、水分，搭載面的絕緣部(RCC樹脂)509會(huì)氧化。因此，希望在惰性氣體氣氛下進(jìn)行透光性密封體510的加熱硬化工序。在本實(shí)施方式中，如圖2所示，從垂直于LED芯片501的發(fā)光面501a 的方向觀察時(shí)，絕緣部509和模片鍵合區(qū)*電極公共部507的界面成為直 線?？墒?，在安裝面的由金屬反射板502包圍的區(qū)域內(nèi)，盡可能窄地形成 包圍島電極508的絕緣部509，增加作為安裝面金屬反射膜的模片鍵合區(qū)， 電極公共部507所占的比例，在光的利用效率上是優(yōu)選的。因此，總的來說，在第二層522，形成與金屬反射板502 —體化地層 疊并且與島電極508隔著絕緣部509形成的模片鍵合區(qū)*電極公共部507、 以及由絕緣部509包圍形成的島電極508。為了電連接第二層522和后面描述的第四層524之間而設(shè)置第三層 523，具有在第二層522上形成絕緣部509時(shí)，提高絕緣部509的粘接度 的功能。為了在通過作為所述粘結(jié)層的第三層523與其他構(gòu)件接合的界面附 近，避免與水分、空氣接觸，希望采用不包含二氧化鈦等光反射性填充物 的結(jié)構(gòu)。即與所述接合層或其他構(gòu)件的界面容易停留水分、空氣，所以希 望不與光反射性填充物接觸。此外，作為添加二氧化鈦的所述絕緣部509 的樹脂， 一般使用環(huán)氧樹脂等大氣等氣體幾乎不透過的樹脂。因此，特別 理想的是在絕緣部509的內(nèi)部設(shè)置二氧化鈦添加樹脂層509c。是在未形成絕緣部509，而形成了模片鍵合區(qū)*電極公共部507和島電 極508的圖案面上，只在模片鍵合區(qū)'電極公共部507和島電極508的外 緣具有蝕刻的厚度(臺(tái)階)的狀態(tài)。這時(shí)，即使為了形成絕緣部509，而 在圖案面上貼附與所述厚度相同厚度的絕緣材料而壓接(7°^7)，由于 接合面是平面，所以不用擔(dān)心剝離。因此，在比第二層522的蝕刻的外緣更靠近內(nèi)側(cè)處追加設(shè)置具有被蝕 刻后的外緣的導(dǎo)電部531和導(dǎo)電部532的第三層523，能增加與絕緣部509 的接觸面積，提高絕緣部509的粘接性。另夕卜，為了使陽極電極和陰極電極的分離可靠，島電極508的形成區(qū) 域的正下方的導(dǎo)電部532有必要比島電極508更小地形成。下面，說明中間層504的結(jié)構(gòu)。中間層504具有從安裝面一側(cè)層疊第四層524、第五層525、第六層526的3層層疊構(gòu)造。中間層504，是電連接第三層523、形成在后面描述 的第五層525和第六層526上的貫通孔515、以及在貫通孔516中形成的 各電極部的層。第四層524，以與模片鍵合區(qū)，電極公共部507電連接的導(dǎo)電部533、 和與島電極508電連接的導(dǎo)電部534不接觸的方式，形成。導(dǎo)電部533覆 蓋第三層523的導(dǎo)電部531的形成區(qū)域全體地形成。同樣，導(dǎo)電部534， 以覆蓋第三層523的導(dǎo)電部532的形成區(qū)域全體的方式，形成。這里，在 把發(fā)光元件500切割(夕、^oy夕o時(shí)，為了防止由飛邊(A!J)的發(fā)生 引起的損傷，確保切割的容限地形成導(dǎo)電部533和導(dǎo)電部534。第五層525，以與模片鍵合區(qū)*電極公共部507電連接的導(dǎo)電部535、 和與島電極508電連接的導(dǎo)電部536不接觸的方式，形成。第六層526，以與模片鍵合區(qū)*電極公共部507電連接的導(dǎo)電部537、 和與島電極508電連接的導(dǎo)電部538不接觸的方式，形成。導(dǎo)電部537和導(dǎo)電部538，為了在對(duì)后面描述的貫通孔515和貫通孔 516形成銅鍍層517時(shí)，使銅不從貫通孔515和貫通孔516的間隙泄漏， 而以比貫通孔515和貫通孔516的面方向的寬度更大的寬度覆蓋貫通孔 515和貫通孔516的方式形成。下面，說明背面層505。背面層505具有從安裝面?zhèn)葘盈B第七層527、第八層528的2層層疊 構(gòu)造。第七層527和第八層528由玻璃環(huán)氧樹脂基板等粘貼(張>9合b甘) 基板構(gòu)成，并使用粘接帶514a層疊。在第七層527和第八層528的2層構(gòu)造的背面層505，形成貫通孔515 和貫通孔516。貫通孔515和貫通孔516分別是對(duì)于連接在模片鍵合區(qū)， 電極公共部507上的陰極電極、連接在島電極508上的陽極電極，進(jìn)行布 線的部分。貫通孔515和貫通孔516分別設(shè)置在模片鍵合區(qū)，電極公共部 507、島電極508的下層側(cè)。貫通孔515和貫通孔516為了使陽極電極和陰極電極的熱容量相同， 以距離安裝面的中心cl等距離(dl=d2)的方式進(jìn)行配置，由鉆孔加工形 成。這是因?yàn)闉榱诉B接背面電極(后面描述的背面電極518和背面電極519)和外部電極，進(jìn)行焊錫附著時(shí)，在背面電極，在陽極電極側(cè)和陰極 電極側(cè)面積不同，如果在熱容量上產(chǎn)生差異，就在焊錫的熔化情況上產(chǎn)生 偏差，發(fā)生焊錫附著不良。此外，陽極電極和陰極電極的層疊基板506背面的分開部分對(duì)于安裝 面的中心cl，陽極電極和陰極電極變?yōu)榈染嚯x(d3=d4)地配置?？墒?， 也可以，確保切割的容限，不發(fā)生電鍍不良地根據(jù)設(shè)計(jì)決定所述貫通孔515 和貫通孔516的直徑。如上所述，層疊第七層527和第八層528而構(gòu)成的背面層505通過粘 接帶514b，通過按壓，粘貼在第六層526上。這里，貫通孔515和貫通孔 516由第六層526的導(dǎo)電部537和導(dǎo)電部538覆蓋地形成。在該狀態(tài)下，在貫通孔515和貫通孔516，在各自的內(nèi)周面形成銅鍍 層(力o含)517。此外，第六層526的導(dǎo)電部537和導(dǎo)電部538，以覆蓋 貫通孔515和貫通孔516的方式貼附，所以對(duì)在貫通孔515和貫通孔516 的內(nèi)側(cè)露出的第六層526的導(dǎo)電部537和導(dǎo)電部538也實(shí)施鍍銅。此外，在第八層528的下面也形成銅鍍層517。然后，蝕刻貫通孔515 和貫通孔516之間的銅鍍層517。據(jù)此，形成與模片鍵合區(qū)"電極公共部 507電連接的背面電極518、與島電極508電連接的背面電極519。在背面 電極518和背面電極519，在后面描述的金屬反射板502的內(nèi)周一側(cè)的表 面502a實(shí)施鍍銀512時(shí)，形成銀鍍層512。金屬反射板502，以反射從LED芯片501的發(fā)光面出射的光，向光出 射面513出射的方式構(gòu)成。此外，金屬反射板502由銅構(gòu)成，包圍LED 芯片501和島電極508地在基板的安裝面上與層疊基板506 —體地形成。 具體而言，金屬反射板502在內(nèi)周側(cè)以模片鍵合區(qū)'電極公共部507露出 一部分的方式與模片鍵合區(qū)，電極公共部507 —體形成。如圖2所示，以側(cè)面的內(nèi)側(cè)表面502a在層疊方向具有弓形的截面的 方式形成金屬反射板502。另外，通過蝕刻長方體的金屬反射板，形成金屬反射板502的內(nèi)周側(cè) 的形狀。或者，通過沖壓加工金屬箔形成凹形狀，并通過蝕刻凹形狀，而 形成金屬反射板502的內(nèi)周側(cè)的形狀。據(jù)此，在已經(jīng)形成的凹形狀蝕刻， 所以能更容易形成金屬反射板502的內(nèi)周一側(cè)的形狀。由于濕蝕刻形成金屬反射板502的外周一側(cè)的側(cè)面，所以垂直于層疊 基板506的截面的形狀形成平穩(wěn)的曲線狀。具體而言，從上端向下端，形 成從LED芯片501遠(yuǎn)離的平穩(wěn)的曲線狀。透光性密封體510，以對(duì)由層疊基板506和金屬反射板502包圍的內(nèi) 部空間進(jìn)行密封的方式形成。此外，透光性密封體510由樹脂構(gòu)成，在本 實(shí)施方式中，使用硅。從LED芯片501的發(fā)光面501a發(fā)出的光，從設(shè)置 在透光性密封體510的光出射方向的光出射面513出射。在金屬反射板502的上表面和內(nèi)周側(cè)的表面502a形成銀鍍層512。銀 的藍(lán)色光的反射率非常高，所以通過這樣形成銀鍍層512，能高效反射從 LED芯片501出射的光，向光出射面513引導(dǎo)。另外，透光性密封體510具有保護(hù)LED芯片501、引線511和銀鍍層 512的功能。如上所述，在金屬反射板502，如上所述為了高效反射來自LED芯片 501發(fā)光，實(shí)施藍(lán)色光的反射率高的銀鍍層512?？墒?，銀的反應(yīng)性高， 所以由于腐蝕性的氣體等，容易變色、惡化。因此，為了防止在惡劣條件 下，銀反應(yīng)或剝離，由透光性密封體510保護(hù)。在本實(shí)施方式中，如上所述，由所述安裝面和金屬反射板502包圍的 區(qū)域的來自LED芯片501的光的出射方向的上端部，作為光出射面513 而被開口，透光性密封體510填充所述區(qū)域地形成。此外，在所述區(qū)域的 光出射面513 (上端開口部)和成為底面的安裝面之間的中段部，具有面 方向的截面的最大寬度比光出射面513的面方向的最大寬度更大的區(qū)域， 從該中段部向光出射面513，開口縮小。此外，形成銀鍍層512的金屬反射板502的內(nèi)周面502a以及模片鍵 合區(qū)，電極公共部507和島電極508的形成銀鍍層512的區(qū)域的與透光性 密封體510接觸的內(nèi)周面形成凹凸。作為凹凸形狀，理想的是尖銳的峰和谷連續(xù)的形狀。把表面變粗糙的 方法可以使用一般從以往使用的各種方法，例如在蝕刻形成金屬反射板 502的工序，或者在同一工序后，在安裝面除去設(shè)置在金屬反射板502和 第二層522之間的鍍鎳層(未圖示)的蝕刻工序時(shí)，與通常的時(shí)候變更蝕 刻劑或蝕刻條件，金屬反射板502的表面能變粗糙，從而能夠形成。銀鍍層512如上所述，反應(yīng)性高，容易劣化、腐蝕，所以有必要保護(hù)銀鍍層512，防止剝離、惡化。因此，在本實(shí)施方式中，根據(jù)所述的結(jié)構(gòu)， 把透光性密封體510與銀鍍層512緊貼，提高作為透光性密封體510的保 護(hù)膜的功能。此外，在透光性密封體510含有熒光體。據(jù)此，從LED芯片501發(fā) 出的藍(lán)色光在透光性密封體510內(nèi)變換為黃色光。因此，通過從LED芯 片501發(fā)出的藍(lán)色光和從熒光體發(fā)出的黃色光的合成，能從光出射面513 出射白色光。另外，從由LED芯片501發(fā)出的藍(lán)色光取得白色光時(shí)，如上所述， 有使用黃色熒光體的方法、使用綠色熒光體和紅色熒光體的方法等。如果 組合所示，光就混合，能取得白色光。接著，說明在具有所述結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件500中，來自LED芯片501 的發(fā)光前進(jìn)的方向。首先，希望從LED芯片501的發(fā)光面501a發(fā)出的光從光出射面513， 沒有光損傷地高效出射。如上所述，基本上來自LED芯片501的發(fā)光面 501a的出射光強(qiáng)度變?yōu)樽畲蟮姆较蚴谴怪庇诎l(fā)光面501a的向上方向。因 此，透光性密封體510的光出射面513設(shè)置為與LED芯片501的發(fā)光面 501a相面對(duì)，所以光出射面513的配置最合適?？墒?，具體而言，從LED芯片501的發(fā)光面501a發(fā)出的光從發(fā)光面 501a以放射狀發(fā)出。而且，光在透過透光性密封體510的途中，通過熒光 體進(jìn)行波長變換，并且被變換后的光散射而發(fā)出。因此，光在180度中的 任意的方向前進(jìn)。金屬反射板502具有不分割(分?jǐn)?地包圍全周的形狀，所以向金屬 反射板502的方向前進(jìn)的光不會(huì)從金屬反射板502向外部泄漏，在金屬反 射板502的表面502a反射。而且，所述光一次或多次反復(fù)反射，從透光 性密封體510的光出射面513出射。另外，熒光體具有向底部下沉的性質(zhì)，所以在透光性密封體510的內(nèi) 部，存在熒光體下沉到基板一側(cè)的傾向。可是，在本實(shí)施方式的發(fā)光元件 500中，光被金屬反射板502所反射，能在基板方向前進(jìn)。因此，能有效 利用熒光體。另一方面，從LED芯片501發(fā)出的全部光，并不限于到達(dá)光出射面 513，還產(chǎn)生在層疊基板506的方向前進(jìn)的光。這里，詳細(xì)說明這時(shí)的光 的路線。如果由樹脂構(gòu)成層疊基板506，因?yàn)闃渲哂泄馔高^性，所以會(huì)使光 透過。作為對(duì)策，也考慮在層疊基板的任意的層中形成金屬，對(duì)透過而從 層疊方向(即與發(fā)光面501a相反一側(cè)的層疊方向)泄漏的光進(jìn)行抑制?？墒牵谥圃旃ば蛑?，最終通過切割，分離發(fā)光元件500。由切割形 成的端面是各層的端部露出的狀態(tài)。因此，在層內(nèi)前進(jìn)的光從所述端面出 射。即發(fā)光元件500的封裝為長方體時(shí)，重心的位置是LED芯片501，某 一面是光出射面513。這時(shí)，光從與光出射面513形成90度的4個(gè)面泄漏。在本實(shí)施方式中，為了抑制光泄漏，在安裝面的由金屬反射板502包 圍的區(qū)域內(nèi)，用絕緣部509包圍模片鍵合區(qū)*電極公共部507、島電極508 地形成，在該絕緣部509的外側(cè)的區(qū)域?qū)掗煹匦纬赡ＦI合區(qū)，電極公共 部507。從發(fā)光元件泄漏的光成為雜散光，發(fā)光元件作為液晶面板的背光等光 源組入時(shí)，對(duì)于液晶面板的顯示，成為不需要光。此外，在光源部去除不 需要光時(shí)，發(fā)生光損傷。因此，無法高效使用來自LED芯片的出射光。此外，雜散光由發(fā)光元件的外部的其他構(gòu)件吸收，所以全體變?yōu)楹艽?的能量的損失，同樣無法有效使用來自LED芯片的發(fā)光。金屬使光反射。因此，光在層疊基板506側(cè)的方向前進(jìn)，由金屬反射 板502包圍的安裝面的形成金屬的區(qū)域變寬，所以不透過層疊基板506， 再度反射，能增加在光出射面513的方向前進(jìn)的光。此外，能進(jìn)一步抑制 透過到層疊基板506的內(nèi)部的光。本實(shí)施方式所涉及的發(fā)光元件500在LED芯片501的光出射方向設(shè) 置金屬反射板502，所述的光出射方向設(shè)置金屬反射板502反射來自LED 芯片501的出射光，并將之向設(shè)置在光出射方向的光出射面513引導(dǎo)。因 此，能把從LED芯片501向周圍放出的光用金屬反射板502反射，高效 向光出射面513引導(dǎo)。據(jù)此，能抑制來自發(fā)光元件500的側(cè)面?zhèn)鹊墓庑孤?能提高來自光出射面513的出射光強(qiáng)度。此外，在安裝面上的由金屬反射板502包圍的區(qū)域內(nèi)，在用于從模片鍵合區(qū)，電極公共部507把島電極508絕緣的絕緣部509的形成區(qū)域以外， 形成作為安裝面金屬反射膜的模片鍵合區(qū)，電極公共部507。因此，能夠用 模片鍵合區(qū) 電極公共部507反射從LED芯片501出射的光中向基板一側(cè) 的光的大部分，并將之向設(shè)置在光出射方向的光出射面513側(cè)引導(dǎo)。因此， 能減少由基板吸收的光和通過基板并且從背面一側(cè)向外部泄漏的光的量。 據(jù)此，能提高來自光出射面的出射光強(qiáng)度。此外，在本實(shí)施方式的發(fā)光元件500中，由于LED芯片501發(fā)光， 因此在LED芯片501產(chǎn)生熱?？墒牵琇ED芯片501安裝在寬闊地形成的 模片鍵合區(qū)，電極公共部507上，并且模片鍵合區(qū)，電極公共部507與金屬 反射板502 —體地成形。因此，本實(shí)施方式的發(fā)光元件500散熱性優(yōu)異， 能減少由于熱引起的構(gòu)成元件的各構(gòu)件或元件自身損傷的問題的發(fā)生。此外，所述發(fā)光元件500的透光性密封體510中使用的硅的接合性弱， 所以只貼附在平面上，有可能剝離?？墒?，在本實(shí)施方式的發(fā)光元件500中，如上所述，金屬反射板502 中，作為光出射面513的光出射方向上端的開口部比該開口部和安裝面一 側(cè)的底面部之間的中段部更窄。因此，防止透光性密封體510從發(fā)光元件 500剝落。此外，在金屬反射板502的與形成銀鍍層512的透光性密封體510接 觸的內(nèi)周面形成凹凸。這樣增大透光性密封體510和金屬反射板502的接 觸面積，所以透光性密封體510和金屬反射板502的粘接度提高，抑制了 透光性密封體510剝落問題。此外，如圖2所示，至少背面電極519以如下方式形成即對(duì)與包圍 島電極508地形成的絕緣部509的形成區(qū)域在層疊方向相對(duì)應(yīng)的區(qū)域全體 進(jìn)行覆蓋。據(jù)此，能防止從LED芯片501出射的光中從安裝面向基板內(nèi) 部的光通過絕緣部509，通過基板，從背面?zhèn)认蛟獠啃孤?。?jù)此，能 提高來自光出射面513的出射光強(qiáng)度。據(jù)此，防止反射透過層疊基板506而來的光透過而到達(dá)外部。因此， 能抑制光的泄漏。島電極508通過形成在第四層524的導(dǎo)電部534與背面電極519連接。這里，希望覆蓋與絕緣部509的形成區(qū)域在層疊方向上對(duì)應(yīng)的區(qū)域全體地形成導(dǎo)電部534。以被在比背面電極519更靠基板安裝面?zhèn)刃纬傻膶?dǎo)電部534覆蓋的方 式，形成絕緣部509，能更有效減少通過絕緣部509從背面一側(cè)向元件外 部泄漏的光的量。此外，導(dǎo)電部534，利用對(duì)包圍金屬反射板502的內(nèi)周側(cè)的、圍繞島 電極508地形成的絕緣部509進(jìn)行覆蓋的尺寸，以覆蓋絕緣部509的方式 配置。據(jù)此，對(duì)透過層疊基板506而來的光進(jìn)行反射，從而防止其透過到 達(dá)背面層505。因此，能進(jìn)一步抑制光的泄漏。此外，在層疊基板506的第八層528，在四角設(shè)置切口 539。然后， 在該切口 539也形成銅鍍層517。 '對(duì)于上述的結(jié)構(gòu)的情況，最終把發(fā)光元件500切割時(shí)，在形成在切口 539的鍍銅部分也進(jìn)行切割。因此，在切斷的側(cè)面的鍍銅部分產(chǎn)生飛邊(A l))。因此，有時(shí)從飛邊產(chǎn)生的金屬須與金屬反射板502接觸，而發(fā)生短 路。因此，通過把金屬反射板502的外周面的最大外緣配置在比切口 539 的形成位置更內(nèi)側(cè)，能防止上述那樣的短路的發(fā)生。具體而言，所述金屬須最大成為與背面層505的厚度相等的長度，所 以金屬反射板502的外周面的最大外緣和切口 539的距離為A，金屬反射 板502和背面層505之間的厚度(從第二層522到第七層527的厚度)為 B，背面層505的厚度為C時(shí)，設(shè)計(jì)為AX:—B。此外，也可以，按照容易蝕刻的形狀或設(shè)計(jì)，決定金屬反射板502的 開口部和外周側(cè)的側(cè)面形狀。在圖4中，表示具有其他外周側(cè)的形，的金 屬反射板541。在圖5中，表示具有其他外周側(cè)的形狀的金屬反射^ 542 和開口部543。此外，因?yàn)楣庠吹男⌒突囊?，希望發(fā)光元件的外形尺寸盡可能小。 而為了確保光源的發(fā)光面積，在實(shí)現(xiàn)元件的小型化的同時(shí)，盡可能大地設(shè) 計(jì)金屬反射板502的開口部。以后的實(shí)施方式追加記載請(qǐng)學(xué)習(xí)第1實(shí)施方式的記載，修正。 (第2實(shí)施方式)如果根據(jù)圖6 圖14和圖23 圖26，說明本發(fā)明的其他實(shí)施方式， 就如下所述。另外，為了便于說明，對(duì)與所述實(shí)施方式的附圖中表示的構(gòu) 件相同的構(gòu)件付與相同的符號(hào)，省略其說明。本實(shí)施方式的發(fā)光元件600除了第1實(shí)施方式的發(fā)光元件500產(chǎn)生的 效果，還在光泄漏防止效果方面較為優(yōu)異，此外，成為層疊基板606的層 疊數(shù)削減的結(jié)構(gòu)。在以下，把重點(diǎn)放在產(chǎn)生這些效果的結(jié)構(gòu)和作用上，進(jìn) 行說明。在所述第1實(shí)施方式的發(fā)光元件500中，從垂直于光出射面的方向觀 察，絕緣部507與模片鍵合區(qū) 電極公共部607的界面成為直線。在本實(shí)施方式中，如圖6、圖7和圖23所示，在安裝面的由金屬反射 板502包圍的區(qū)域內(nèi)，以包圍島電極608的外周的方式環(huán)狀地形成使島電 極608與模片鍵合區(qū) 電極公共部607電絕緣的絕緣部609，所以能以更 小的面積使島電極608從模片鍵合區(qū)，電極公共部607絕緣。此外，以包圍用于把島電極608從模片鍵合區(qū) 電極公共部607絕緣 的絕緣部609的方式，形成模片鍵合區(qū) 電極公共部607，所以在絕緣部 609和金屬反射板502之間存在模片鍵合區(qū) 電極公共部607。因此，在 金屬反射板502的形成工序中，即使產(chǎn)生位置偏移，絕緣部609的形狀、 面積不受影響，來自絕緣部609的光泄漏量不會(huì)產(chǎn)生離散。不用在意工藝 上的對(duì)準(zhǔn)(7，一tO卜)誤差，也可以使用于取得金屬反射板502與模 片鍵合區(qū)*電極公共部607、島電極608的絕緣的分開距離最短，能最小地 設(shè)計(jì)絕緣部609的區(qū)域。因此，能更有效防止來自絕緣部609的光泄漏， 能把從金屬反射板502向基板一側(cè)的光由安裝面金屬反射膜高效地向光出 射面513—側(cè)反射。結(jié)果，能進(jìn)一步提高光利用效率和散熱性。即在安裝面上的由金屬反射板502包圍的區(qū)域內(nèi)，能通過絕緣部609 包圍島電極608地廣泛地全面形成作為安裝面金屬反射膜的模片鍵合 區(qū)*電極公共部607，所以與第l實(shí)施方式相比，能進(jìn)一步減少由基板吸 收的光和通過基板并且從背面?zhèn)认蛲獠啃孤┑墓獾牧?。圖6是表示本實(shí)施方式的發(fā)光元件600的一個(gè)結(jié)構(gòu)例的立體圖。本實(shí)施方式的發(fā)光元件600如圖6所示，具有LED芯片501、金屬反 射板502、層疊基板606 (表面層603、中間層604和背面層605)、透光性密封體510。在表面層603形成模片鍵合區(qū) 電極公共部(第一金屬部)607、島 電極(第二金屬部)608、絕緣環(huán)(第二絕緣部)609。如上所述，絕緣環(huán)609以包圍島電極608的外周的方式形成環(huán)狀(圓 環(huán))。因此，在安裝面的由金屬反射板502包圍的區(qū)域內(nèi)，即使通過絕緣 部609以包圍島電極608的外周的方式廣泛地全面形成作為安裝面金屬反 射膜的模片鍵合區(qū) 電極公共部(第一金屬部)607，也能從該區(qū)域的其 他部位把島電極608絕緣，所以能把從LED芯片501出射的光中向基板 一側(cè)的光的大部分由所述安裝面金屬反射膜反射，并向設(shè)置在光出射方向 的光出射面513的一側(cè)引導(dǎo)。因此，能減少由基板吸收的光和通過基板并 且從背面一側(cè)向元件外部泄漏的光的量，能謀求提高來自光出射面513的 出射光強(qiáng)度。絕緣環(huán)609與第1實(shí)施方式的絕緣部509同樣，由環(huán)氧樹脂等RCC 樹脂形成。RCC樹脂包含反射400nm 850nm的波長區(qū)域的可見光線的光 反射性填充物。RCC樹脂在所述波長區(qū)域的光反射率希望是50%以上。作 為所述光反射性填充物，能使用光反射率高的氧化鋁、氧化硅、二氧化鈦 等。其中，二氧化鈦的光反射率高，在成本方面是廉價(jià)的，所以是理想的。可是，作為光反射性填充物，使用二氧化鈦時(shí)，在氧的存在下，由于 光催化反應(yīng)，在發(fā)光動(dòng)作中，存在把金屬反射板502或透光性密封體510、 絕緣環(huán)609氧化的危險(xiǎn)性(以通過密封樹脂中、由周邊構(gòu)件吸收而內(nèi)在的 大氣、水分作為氧源)。而使用氧化鋁、氧化硅等其他反射性填充物時(shí)， 雖然不產(chǎn)生所述的光催化劑作用，但是氧化鋁、氧化硅具有吸濕性。因此， 在透光性密封體510的密封工序中吸濕的大氣、水分在發(fā)光動(dòng)作中由于熱， 蒸汽化，存在使透光性密封體510剝離的危險(xiǎn)性。這里，密封所述LED 芯片501的透光性密封體510希望是耐光性好、氣密性好的物質(zhì)?？墒?， 越是耐光性好的樹脂， 一般大氣等氣體越容易透過，大氣、水分有可能到 達(dá)搭載面。因此，只在LED芯片501的搭載面附近的表面層進(jìn)行添加時(shí)，希望 減少光反射性填充物的添加量，據(jù)此，能減少使氧化發(fā)生的活性氧量，能 提高光反射率。因此，絕緣環(huán)609具有從光入射側(cè)層疊不包含所述的光反射性填充物 的光反射性填充物未添加樹脂層和包含光反射性填充物的光反射性填充 物添加樹脂層的層疊構(gòu)造。這里，環(huán)氧樹脂吸收光，所以把不包含所述的 光反射性填充物的光反射性填充物未添加樹脂層盡可能薄地形成為層狀， 在其下層形成包含光反射性填充物的光反射性填充物添加樹脂層。關(guān)于絕緣環(huán)609的形成工序，能由與所述的第1實(shí)施方式的絕緣部509 同樣的方法形成，所以省略這里的說明。這樣，通過在絕緣環(huán)609使用包含光反射性填充物的RCC樹脂，能 用所述光反射性填充物把從LED芯片501出射并且向絕緣環(huán)609入射的 光、從密封LED芯片501的透光性密封體510中含有的熒光體放出并且 對(duì)絕緣環(huán)609入射的光反射。因此，能減少進(jìn)入絕緣環(huán)609而由周邊構(gòu)件 反射時(shí)，部分被吸收、衰減的光，能提高光利用效率和散熱性。此外，作為光反射性填充物，使用二氧化鈦時(shí)，與在絕緣環(huán)609的全 部區(qū)域中添加的結(jié)果相比，能抑制在氧的存在下，該光反射性填充物的光 催化反應(yīng)引起的金屬反射板502、透光性密封體510、絕緣環(huán)609的氧化、 或透光性密封體510的剝離等問題，并能提高來自光出射面的出射光強(qiáng)度。即能減少由絕緣環(huán)609吸收的光以及通過所述基板從背面?zhèn)认蛲獠糠?出的光量，所以能提高光利用效率和散熱性。此外，所述RCC樹脂希望由惰性氣體氣氛下的熱工序形成。據(jù)此， 能防止絕緣環(huán)609中使用的樹脂的變質(zhì)(黃變化)，所以不存在由變質(zhì)樹 脂引起的光吸收，能有效發(fā)揮所述效果。此外，本實(shí)施方式的發(fā)光元件600削減散熱性低的樹脂形成區(qū)域，寬 闊地形成作為安裝面金屬反射膜的模片鍵合區(qū)，電極公共部607，從而也能 獲得散熱性提高的效果。與第一實(shí)施方式同樣，模片鍵合區(qū) 電極公共部 607與金屬反射板502 —體地形成，所以能把由金屬反射板502產(chǎn)生的熱 高效向外部釋放。此外，本實(shí)施方式的發(fā)光元件600的層疊基板606采用比所述實(shí)施方 式的發(fā)光元件500的層疊基板506層疊數(shù)更少的結(jié)構(gòu)。對(duì)此，參照?qǐng)D7和 圖8，加以說明。另外，在金屬反射板502上層疊層疊基板606而一體地 形成，所以把金屬反射板502和層疊基板606作為第一層521，以下說明。圖7是表示發(fā)光元件600的詳細(xì)的結(jié)構(gòu)的剖面圖。 圖8表示金屬反射板502、層疊基板606的各層的蝕刻圖。圖8中， (a)表示第一層621， (b)表示第二層622， (c)表示第三層623， (d) 表示第四層624， (e)表示第五層625， (f)表示第六層626。表面層603具有從安裝面一側(cè)層疊第二層622和第三層623的2層構(gòu)造。在第二層622 (安裝面)，作為對(duì)LED芯片501供給驅(qū)動(dòng)電流的電極 端子，形成與LED芯片501分別連接的模片鍵合區(qū) 電極公共部(第一 金屬部)607和島電極(第二金屬部)608。此外，用于把島電極608從模 片鍵合區(qū) 電極公共部607電絕緣的絕緣環(huán)609以包圍島電極608的外周 的方式形成環(huán)狀。與第1實(shí)施方式不同，在本實(shí)施方式的安裝面，通過絕緣環(huán)609以包 圍島電極608的外周的方式形成模片鍵合區(qū)，電極公共部507。即在形成在 安裝面上的金屬反射膜602和絕緣部609之間形成作為安裝面金屬反射膜 的模片鍵合區(qū) 電極公共部607。另外，模片鍵合區(qū) 電極公共部607、島電極608和絕緣環(huán)609除了 上述的形狀以外，具有與第一實(shí)施方式的模片鍵合區(qū)'電極公共部507、島 電極508、絕緣部509同樣的結(jié)構(gòu)。第三層623是為了把第二層622與后面描述的第四層624電連接而設(shè) 置的層，在第二層622形成絕緣部時(shí)，也具有提高絕緣部609的粘接度的 功能。在通過作為所述接合層的第三層623與其它構(gòu)件接合的界面附近，為 了避免與水分、空氣的接觸，希望采用不包含二氧化鈦等光反射性填充物 的結(jié)構(gòu)。即與接合層或其他構(gòu)件的界面容易停留水分、空氣，所以希望不 與光反射性填充物接觸。此外，作為添加二氧化鈦的所述絕緣環(huán)609的樹 脂， 一般使用環(huán)氧樹脂等幾乎不透過大氣等氣體的樹脂。因此，特別理想 的是在絕緣環(huán)609的內(nèi)部設(shè)置二氧化鈦添加樹脂層509c。此外，在第三層623形成用于電連接在安裝面上形成的各電極和背面 電極的導(dǎo)電部631和導(dǎo)電部632。導(dǎo)電部631和導(dǎo)電部632具有與第1實(shí) 施方式的導(dǎo)電部531和導(dǎo)電部532基本同樣的結(jié)構(gòu)。按照模片鍵合區(qū) 電極公共部607和島電極608的形狀，適宜選擇導(dǎo)電部631和導(dǎo)電部632的 形成區(qū)域。下面，說明中間層604。與第1實(shí)施方式的設(shè)置具有3層層疊構(gòu)造的中間層504的層疊基板 506的不同點(diǎn)在于，本實(shí)施方式的中間層604只由第四層624構(gòu)成。第四層624是為了將第三層623、與在后述的第五層625和第六層626 上形成的貫通孔515和貫通孔516中形成的背面電極518以及背面電極 519進(jìn)行連接而設(shè)置的。此外，第四層624，以與模片鍵合區(qū) 電極公共部607電連接的導(dǎo)電 部633和與島電極608電連接的導(dǎo)電部634不接觸的方式，形成。為了在貫通孔515鍍銅時(shí)，使得銅不泄漏，而以覆蓋貫通孔515全體 的方式形成導(dǎo)電部633。即導(dǎo)電部633具有覆蓋貫通孔515的任務(wù)。另外， 在對(duì)發(fā)光元件600進(jìn)行切割時(shí)，有可能發(fā)生飛邊，但是導(dǎo)電部633是與金 屬反射板502相同電位，所以不發(fā)生由飛邊的接觸引起的短路等問題。導(dǎo)電部634覆蓋第三層623的導(dǎo)電部632的形成區(qū)域全體，并且形成 比貫通孔516在面方向更小的寬度。在把發(fā)光元件600切割時(shí)，為了防止 飛邊的發(fā)生引起的損傷，確保切割的容限，形成導(dǎo)電部634。下面，說明背面層605。背面層605具有從安裝面一側(cè)層疊第五層625、第六層626的2層層 疊構(gòu)造。第五層625、第六層626的結(jié)構(gòu)具有與第1實(shí)施方式的第七層527、 第八層528分別相同的結(jié)構(gòu)。層疊了第五層625、第六層626的背面層605通過粘接帶，通過按壓 粘貼在第四層624上。這里，貫通孔515以由第四層624的導(dǎo)電部633覆 蓋的方式形成。另一方面，貫通孔516在內(nèi)部容納第四層624的導(dǎo)電部634，以由第 三層623覆蓋的方式形成。通過使第四層624的導(dǎo)電部634的面方向的寬 度比貫通孔516的面方向的寬度更小，能用第三層623堵塞貫通孔516。 層疊一體化的第五層625、第六層626，對(duì)于第四層624，在幾何學(xué)上，只 在導(dǎo)電部633面接觸，如果加壓，就以導(dǎo)電部63的臺(tái)階部分為支點(diǎn)，產(chǎn) 生間隙，但是通過適宜調(diào)整導(dǎo)電部633和粘接帶的厚度，層疊一體化的第五層625、第六層626不傾斜，能平坦地與第四層624接合，據(jù)此，在后 面描述的銅鍍層517的形成工序中，能防止銅的泄漏。在該狀態(tài)下，貫通孔515和貫通孔516在各自的內(nèi)周面形成銅鍍層 517。而且，第四層624的導(dǎo)電部633覆蓋貫通孔515地形成，所以在第 四層624的導(dǎo)電部633也形成銅鍍層517。此外，第三層623和第四層624 的導(dǎo)電部634覆蓋貫通孔516地形成，所以銅鍍層517也在第三層623以 及第四層624的導(dǎo)電部634形成。據(jù)此，形成作為發(fā)光元件600的外部連 接電極端子的背面電極518和背面電極519。層疊基板606如上所述，通過使第四層624的導(dǎo)電部634比貫通孔515 更小，適宜調(diào)整導(dǎo)電部633和粘接帶的厚度，實(shí)現(xiàn)層疊數(shù)的削減。本實(shí)施 方式的發(fā)光元件600據(jù)此能謀求小型化和制造成本的下降。與第1實(shí)施方式同樣，按照容易蝕刻的形狀、設(shè)計(jì)，決定金屬反射板 502的開口部和外周一側(cè)的側(cè)面形狀。例如，圖9表示具有其它外周一側(cè) 的形狀的金屬反射板641，圖IO表示具有其它外周一側(cè)的形狀的金屬反射 板642和開口部643。此外，發(fā)光元件600作為外部連接電極端子，在與光出射面相反一側(cè) 的背面?zhèn)刃纬杀趁骐姌O518和背面電極519。可是，本實(shí)施方式并不局限 于此，也可以采用在光出射面?zhèn)仍O(shè)置這些外部連接電極端子的結(jié)構(gòu)。即如圖11和圖12所示，通過與金屬反射板502 —體成形，形成外部 接合電極711和外部接合電極712。據(jù)此，能把區(qū)域P和區(qū)域Q作為焊錫 接合面使用，所以能提高焊錫的潤濕性?？墒牵ㄟ^形成外部接合電極711和外部接合電極712，發(fā)光元件的 封裝尺寸增大。與此相對(duì)，圖13和圖14表示減小發(fā)光元件的封裝尺寸的 結(jié)構(gòu)。在圖13和圖14所示的結(jié)構(gòu)中，具有把金屬反射板502和外部接合電 極711 —體化的一體型外部接合電極751，從而能夠把發(fā)光元件的封裝小 型化。另外，雖然說明了具有一個(gè)LED芯片501的結(jié)構(gòu)，但是本實(shí)施方式 并不局限于此，在如圖24所示的發(fā)光元件600a、如圖25所示的發(fā)光元件 600b、如圖26所示的發(fā)光元件600c那樣，具有2個(gè)以上的LED芯片的結(jié)構(gòu)中也能適應(yīng)。在圖23 圖26的結(jié)構(gòu)中，成為島電極608的電位與包含由金屬反射 板502包圍的模片鍵合區(qū)，電極公共部607的其他區(qū)域的電位不同的結(jié)構(gòu)。如此，在一個(gè)發(fā)光元件內(nèi)適宜配置多個(gè)LED芯片，并搭載，不會(huì)使 元件的結(jié)構(gòu)大型化，能提高光出射強(qiáng)度。另外，LED芯片的搭載數(shù)并不以 4個(gè)為上限，在具有大的元件基板的結(jié)構(gòu)中，還能進(jìn)一步增加LED芯片的 搭載數(shù)?！驳?實(shí)施方式〕如果根據(jù)圖17、圖18和圖27 圖31，說明本發(fā)明的又一其它實(shí)施方 式，就如下所述。另外，為了便于說明，對(duì)與所述實(shí)施方式的附圖中表示 的構(gòu)件相同的構(gòu)件付與相同的符號(hào)，省略其說明。本實(shí)施方式的發(fā)光元件700具有與所述第1實(shí)施方式的發(fā)光元件500 的層疊基板506同樣的層疊基板。如圖17所示，作為對(duì)LED芯片701供給驅(qū)動(dòng)電流的電極端子，與該 LED芯片701分別連接的任意電極都成為島電極。即與所述第1實(shí)施方式 的不同點(diǎn)在于，反射來自LED芯片701的出射光，向設(shè)置在光出射方向 的光出射面513引導(dǎo)的金屬反射板702相對(duì)于對(duì)LED芯片701供給驅(qū)動(dòng) 電流的任意電極都電絕緣。在本實(shí)施方式中，在第一島電極(第一金屬部)707連接LED芯片 501的陰極電極，在第二島電極(第二金屬部)708連接陽極電極。第一島電極707通過包圍其外周地形成環(huán)狀的第一絕緣部709a，與安 裝面的由金屬反射板702包圍的區(qū)域內(nèi)的其他部位電絕緣。第二島電極708與第1實(shí)施方式的島電極508同樣，通過包圍其外周 地形成環(huán)狀的第二絕緣部709b，與所述區(qū)域內(nèi)的其他部位電絕緣。此外，在所述區(qū)域內(nèi)的第一絕緣部709a和第二絕緣部709b的外側(cè)的 區(qū)域全體形成安裝面金屬反射膜720。第一絕緣部709a和第二絕緣部70%與第1實(shí)施方式的絕緣部509和 第2實(shí)施方式的絕緣環(huán)609同樣，由環(huán)氧樹脂等RCC樹脂形成。所述RCC 樹脂包含反射400nm 850nm的波長區(qū)域的可見光線的光反射性填充物。 RCC樹脂在所述波長區(qū)域的光反射率希望是50%以上。作為所述光反射性填充物，能使用光反射率高的氧化鋁、氧化硅、二氧化鈦等。其中，二氧 化鈦的光反射率高，在成本方面是廉價(jià)的，所以是理想的?？墒?，作為光反射性填充物，使用二氧化鈦時(shí)，在氧的存在下，由于光催化反應(yīng)，在發(fā)光動(dòng)作中，存在把金屬反射板702或透光性密封體510、 第一絕緣部709a和第二絕緣部709b氧化的危險(xiǎn)性(以通過密封樹脂中， 由周邊構(gòu)件吸收而內(nèi)在的大氣、水分作為氧源)。而使用氧化鋁、氧化硅 等其他反射性填充物時(shí)，雖然不產(chǎn)生所述的光催化劑作用，但是氧化鋁、 氧化硅具有吸濕性。因此，在透光性密封體510的密封工序中吸濕的大氣、水分在發(fā)光動(dòng)作中由于熱而蒸汽化，存在使透光性密封體510剝離的危險(xiǎn) 性。這里，密封所述LED芯片701的透光性密封體510希望是耐光性好、 氣密性好的?？墒?，越是耐光性好的樹脂， 一般大氣等氣體越容易透過， 大氣、水分有可能到達(dá)搭載面。因此，只在LED芯片701的搭載面附近的表面層添加時(shí)，希望減少 光反射性填充物的添加量，據(jù)此，能減少使氧化發(fā)生的活性氧量，能提高 光反射率。此外，在通過作為所述接合層的第三層，與其他構(gòu)件接合的界面附近， 為了避免與水分、空氣的接觸，希望為不包含二氧化鈦等光反射性填充物 的結(jié)構(gòu)。即與接合層或其他構(gòu)件的界面容易停留水分、空氣，所以希望不 與光反射性填充物接觸。此外，作為添加二氧化鈦的第一絕緣部709a和 第二絕緣部709b的樹脂， 一般使用環(huán)氧樹脂等、大氣等氣體幾乎不透過 的樹脂。因此，特別理想的是在第一絕緣部709a和第二絕緣部709b的樹 脂內(nèi)部設(shè)置二氧化鈦添加樹脂層509c。因此，第一絕緣部709a和第二絕緣部709b分別具有從光入射一側(cè)層 疊不包含所述光反射性填充物的光反射性填充物未添加樹脂層、包含光反 射性填充物的光反射性填充物添加樹脂層的層疊構(gòu)造。這里，RCC樹脂吸 收光，所以把不包含所述光反射性填充物的光反射性填充物未添加樹脂層 盡可能地薄地形成層狀，在其下層形成包含光反射性填充物的光反射性填 充物添加樹脂層。關(guān)于第一絕緣部709a和第二絕緣部709b的形成工序，能由與所述的 第1實(shí)施方式的絕緣部509同樣的工序制造，所以省略這里的說明。此外，作為光反射性填充物，使用二氧化鈦時(shí)，與在第一絕緣部709a 和第二絕緣部709b的全部區(qū)域添加的結(jié)構(gòu)相比，能抑制在氧的存在下， 該光反射性填充物的光催化反應(yīng)引起的金屬反射板702、透光性密封體 510、第一絕緣部709a和第二絕緣部709b的氧化、透光性密封體510的 剝離等問題，能提高從光出射面的出射光強(qiáng)度。即能減少由第一絕緣部709a和第二絕緣部709b吸收的光和通過所述 基板且向背面一側(cè)放出的光的量，所以能提高光利用效率和散熱性。如此，在第一絕緣部709a和第二絕緣部709b中使用包含光反射性填 充物的樹脂，能用所述光反射性填充物把從LED芯片701出射并且對(duì)第 一絕緣部709a和第二絕緣部709b入射的光以及從密封LED芯片701的 透光性密封體510中含有的熒光體放出并且對(duì)第一絕緣部709a和第二絕 緣部709b入射的光反射。因此，能減少進(jìn)入第一絕緣部709a和第二絕緣 部709b，向周邊構(gòu)件反射時(shí)，部分被吸收、衰減的光，能提高光利用效率 和散熱性。此外，希望所述RCC樹脂由惰性氣體氣氛下的熱工序形成。據(jù)此， 能防止第一絕緣部709a和第二絕緣部70%中使用的樹脂的變質(zhì)(黃變 化)，所以沒有因變質(zhì)樹脂引起的光吸收，能有效發(fā)揮所述效果。此外，發(fā)光元件700與所述的第1實(shí)施方式和第2實(shí)施方式同樣，反 射來自LED芯片701的出射光，向設(shè)置在光出射方向的光出射面513引 導(dǎo)的金屬反射板702在LED芯片701的光出射方向設(shè)置，包圍LED芯片 701的周圍全體地形成。因此，從LED芯片701向周圍放出的光由金屬反 射板702反射，高效地向光出射面513引導(dǎo)。據(jù)此，能抑制來自元件側(cè)面 的光泄漏，能提高來自光出射面513的出射光強(qiáng)度。此外，在第一絕緣部709a和金屬反射板702之間以及第二絕緣部70% 和金屬反射板702之間安裝面金屬反射膜720。因此，在金屬反射板702 的形成工序中，即使是容易發(fā)生位置偏移時(shí)，通過安裝面金屬反射膜720， 也能吸收偏移，所以不會(huì)由于所述位置偏移，使第一絕緣部709a、第二絕 緣部709b的形狀、面積受到影響，即使減小形成在所述基板安裝面上的 第一絕緣部709a、第二絕緣部709b的各面積，也能確保第一島電極707 和第二島電極708的絕緣狀態(tài)。因此，根據(jù)所述的結(jié)構(gòu)，能進(jìn)一步減小在所述安裝面上形成的第一絕緣部709a、第二絕緣部709b的各面積，能把 隔著這些絕緣部包圍第一島電極707和第二島電極708的安裝面金屬反射 膜720形成為更寬的面積。因此，能更有效防止來自第二絕緣部709b的 光的泄漏，通過所述安裝面金屬反射膜，能把從金屬反射板702向基板一 側(cè)的光高效地向光出射面513—側(cè)反射。結(jié)果，能進(jìn)一步提高光利用效率 和散熱性。此外，本實(shí)施方式的金屬反射板702如上所述，從第一島電極707和 第二島電極708的任意一個(gè)都電絕緣。因此，如圖18所示，把本發(fā)光元 件700在移動(dòng)電話等電子儀器的由鋁等金屬構(gòu)成的筐體400上安裝時(shí)，金 屬反射板702不具有電位。因此，能夠在不隔著散熱性低的樹脂的情況下， 在使金屬反射板702與筐體400接觸的狀態(tài)下，進(jìn)行安裝。據(jù)此，能高效 把金屬反射板702中產(chǎn)生的熱向發(fā)光元件700的外部散熱。此外，本實(shí)施方式的發(fā)光元件700如圖18所示，在金屬反射板702 的外周面的至少一部分、包含層疊基板506的底面的元件外周面上形成用 于把金屬反射板702中產(chǎn)生的熱散熱到外部的放熱薄板740。據(jù)此，能通過放熱薄板740把金屬反射板702中產(chǎn)生的熱更高效地向 外部散熱。作為過放熱薄板740，希望使用散熱性優(yōu)異的導(dǎo)電性材料。如上所述， 本實(shí)施方式的金屬反射板702從其他構(gòu)件絕緣，不具有電位。因此，不產(chǎn) 生短路等問題，通過由散熱性優(yōu)異的導(dǎo)電性材料構(gòu)成的該放熱薄板高效地 把金屬反射板702中產(chǎn)生的熱向外部散熱。另外，作為所述導(dǎo)電性材料， 希望使用散熱性特別優(yōu)異的石墨類材料。此外，在安裝面上的第一絕緣部709a和第二絕緣部709b的外側(cè)的區(qū) 域形成安裝面金屬反射膜720。因此，從LED芯片701出射的光中向基板 一側(cè)的光的大部分由安裝面金屬反射膜720反射，向設(shè)置在光出射方向的 光出射面513引導(dǎo)。因此，能減少由基板吸收的光和通過基板并且從背面 一側(cè)向發(fā)光元件700的外部泄漏的光的量。據(jù)此，能提高來自光出射面的 出射光強(qiáng)度。發(fā)光元件700在層疊基板506的與安裝面相反側(cè)的背面，作為外部連 接電極端子，形成分別與第一島電極707和第二島電極708連接的背面電極(第一背面電極)718和背面電極(第二背面電極)719。這樣，在安裝基板506的背面?zhèn)仍O(shè)置作為發(fā)光元件700的外部連接電 極端子的背面電極718、 719，能減少通過層疊基板506內(nèi)，從背面一側(cè)向 發(fā)光元件700的外部泄漏的光的量。可是，本實(shí)施方式并不局限于此，也可以采用在光出射面一側(cè)設(shè)置這 些外部連接電極端子的結(jié)構(gòu)。此外，如圖17所示，背面電極718和背面電極719以分別覆蓋與第 一絕緣部709a和第二絕緣部70%的各形成區(qū)域，在層疊方向相對(duì)應(yīng)的各 區(qū)域全體的方式形成。因此，能有效防止從LED芯片701出射的光中從安裝面向基板內(nèi)部 的光經(jīng)由(介L"T)第一絕緣部709a和第二絕緣部709b，通過層疊基板 506，從背面一側(cè)向發(fā)光元件的外部泄漏。據(jù)此，能提高來自光出射面的 出射光強(qiáng)度。此外，與第l實(shí)施方式同樣，背面電極718和背面電極719分別通過 形成在第四層524上的導(dǎo)電部734和導(dǎo)電部733，與第一島電極707和第 二島電極708電連接。這里，在本實(shí)施方式中，導(dǎo)電部734和導(dǎo)電部733， 以分別覆蓋與第一絕緣部709a在層疊方向?qū)?yīng)的區(qū)域全體、與第二絕緣 部70%在層疊方向?qū)?yīng)的區(qū)域全體的方式形成。這樣，用分別在比背面電極718和背面電極719更靠基板安裝面一側(cè) 形成的各導(dǎo)電部734、 733進(jìn)行覆蓋的方式形成第一絕緣部709a和第二絕 緣部709b，能更有效地降低通過該第一絕緣部709a和第二絕緣部709b， 從背面一側(cè)向元件外部泄漏的光量。此外，發(fā)光元件700與所述的實(shí)施方式同樣，作為光出射面513，來 自由安裝面和金屬反射板702包圍的區(qū)域的LED芯片701的光的出射方 向的上端部，被開口。透光性密封體510填充所述區(qū)域地形成，在所述區(qū) 域的光出射面513和成為底面的安裝面之間，以具有面方向的截面的最大 寬度比光出射面513的面方向的最大寬度更大的區(qū)域的方式，縮小所述區(qū) 域的上端部的開口。作為透光性密封體510的密封樹脂，使用比環(huán)氧樹脂等粘接性弱的硅 等。因此，如上所述，縮小成為光出射面513的開口地形成金屬反射板702，能提高透光性密封體510對(duì)金屬反射板702的內(nèi)周面的緊貼性，能抑制透光性密封體510的剝離。據(jù)此，利用透光性密封體510，能在穩(wěn)定的狀態(tài) 下保護(hù)鍍銀的金屬反射板702的內(nèi)周面。此外，如圖17所示，至少在金屬反射板702的與透光性密封體510 的接觸的內(nèi)周面形成凹凸，增大與透光性密封體510的接觸面積。據(jù)此， 能提高透光性密封體510相對(duì)于金屬反射板702的內(nèi)周面的緊貼性，能抑 制透光性密封體510的剝離。結(jié)果，通過透光性密封體510，能在穩(wěn)定的 狀態(tài)下保護(hù)鍍銀的金屬反射板702的內(nèi)周面。作為構(gòu)成本實(shí)施方式的發(fā)光元件700的第一島電極707、第二島電極 708、金屬反射板702和安裝面金屬反射膜720的材料，使用在金屬中反 應(yīng)性優(yōu)異的銅、銀、金或鎳是因?yàn)槟馨褟腖ED芯片701出射的光高效向 光出射面513引導(dǎo)。此外，說明具有一個(gè)島電極608的結(jié)構(gòu)，但是本實(shí)施方式并不局限于 此，如圖27所示的發(fā)光元件600d、圖28所示的發(fā)光元件600e那樣，也 可以采用備有多個(gè)島電極的結(jié)構(gòu)。在圖17的結(jié)構(gòu)中，串聯(lián)2個(gè)LED芯片501時(shí)，在圖18的結(jié)構(gòu)中， 把并聯(lián)2個(gè)LED芯片的LED芯片群串聯(lián)時(shí)，如圖29所示，2個(gè)島電極一 方為陽極電極一側(cè)，另一方為陰極電極一側(cè)地變?yōu)椴煌碾娢唬c不同的 背面電極分別電連接地形成。另一方面，在圖27的構(gòu)成中，串聯(lián)連接2 個(gè)芯片時(shí)，圖28所示的并聯(lián)4個(gè)LED芯片501時(shí)，如圖30或圖31所示， 2個(gè)島電極變?yōu)橄嗤碾娢弧＿@時(shí)，以2個(gè)島電極都與一方的背面電極電連接的方式配置形成層疊基板中的各層的導(dǎo)電部(未圖示)。另外，圖29 31中的+ 、 一表示模片鍵合區(qū) 電極公共部上的陽極 電極(+ )、陰極電極(一)的取得方法，F(xiàn)表示電位不落到任何地方，為 浮動(dòng)電位。該記載在以下實(shí)施方式中也同樣。 (第4實(shí)施方式)如果根據(jù)圖19、圖20、圖22、圖29和圖32 圖34，說明本發(fā)明的 其他實(shí)施方式，就如下所述。另外，為了便于說明，對(duì)與所述實(shí)施方式的 附圖中表示的構(gòu)件相同的構(gòu)件付與相同的符號(hào)，省略其說明。本實(shí)施方式的發(fā)光元件800具有與所述的第2實(shí)施方式的發(fā)光元件600的層疊基板606同樣的層疊基板。本實(shí)施方式的發(fā)光元件800，如圖19和圖20所示，與所述的第3實(shí) 施方式的發(fā)光元件700同樣，作為對(duì)LED芯片701供給驅(qū)動(dòng)電流的電極 端子，與該LED芯片701分別連接的任意電極都成為島電極。此外，與 所述第2實(shí)施方式的不同點(diǎn)在于，對(duì)來自LED芯片701的出射光進(jìn)行方 式并向設(shè)置在光出射方向的光出射面513引導(dǎo)的金屬反射板802，相對(duì)于 對(duì)LED芯片701供給驅(qū)動(dòng)電流的任意電極都電絕緣。在本實(shí)施方式中，成為在第一島電極(第一金屬部)807上連接LED 芯片701的陰極電極、在第二島電極(第二金屬部)808連接陽極電極的 結(jié)構(gòu)。第一島電極807成為如下結(jié)構(gòu)即通過以包圍其外周的方式形成為環(huán) 狀的第一絕緣部809a，與由安裝面的由金屬反射板802包圍的區(qū)域內(nèi)的其 他部位電絕緣的結(jié)構(gòu)。第二島電極808與第2實(shí)施方式的島電極608同樣，通過包圍其外周 地形成為環(huán)狀的第二絕緣部809b，與所述區(qū)域內(nèi)的其他部位電絕緣。此外，在所述區(qū)域內(nèi)的第一絕緣部809a和第二絕緣部809b的外側(cè)的 區(qū)域全體形成安裝面金屬反射膜820。第一絕緣部809a和第二絕緣部809b與第1實(shí)施方式的絕緣部509、 第2實(shí)施方式的絕緣環(huán)609、第3實(shí)施方式的第一絕緣部709a以及第二絕 緣部709b同樣，由環(huán)氧樹脂等RCC樹脂形成。所述RCC樹脂包含反射 400nm 850nm的波長區(qū)域的可見光線的光反射性填充物。所述環(huán)氧樹脂 在所述波長區(qū)域的光反射率希望是50%以上。作為所述光反射性填充物， 能使用光反射率高的氧化鋁、氧化硅、二氧化鈦等。其中，二氧化鈦的光 反射率高，在成本方面是廉價(jià)的，所以是理想的。可是，作為光反射性填充物，使用二氧化鈦時(shí)，在氧的存在下，由于 光催化反應(yīng)，在發(fā)光動(dòng)作中，存在把金屬反射板802或透光性密封體510、 第一絕緣部809a和第二絕緣部809b氧化的危險(xiǎn)性(通過密封樹脂中，由周邊構(gòu)件吸收而內(nèi)在的大氣、水分成為氧源)。另一方面，使用氧化鋁、 氧化硅等其他反射性填充物時(shí)，雖然不產(chǎn)生所述的光催化劑作用，但是氧化鋁、氧化硅具有吸濕性。因此，在透光性密封體510的密封工序中吸濕的大氣、水分在發(fā)光動(dòng)作中由于熱而蒸汽化，存在使透光性密封體510剝離的危險(xiǎn)性。這里，密封所述LED芯片701的透光性密封體510希望是 耐光性好、氣密性好的?？墒?，越是耐光性好的樹脂，通常大氣等氣體越 容易透過，大氣、水分有可能到達(dá)搭載面。因此，只在LED芯片701的搭載面附近的表面層添加時(shí)，希望減少 光反射性填充物的添加量，據(jù)此，能減少使氧化發(fā)生的活性氧量，且能提 高光反射率。此外，在通過作為所述接合層的第三層623，與其他構(gòu)件接合的界面 附近，為了避免與水分、空氣的接觸，希望為不包含二氧化鈦等光反射性 填充物的結(jié)構(gòu)。即與接合層或其他構(gòu)件的界面容易停留水分、空氣，所以 希望不與光反射性填充物接觸。此外，作為添加二氧化鈦的第一絕緣部 809a和第二絕緣部809b的樹脂， 一般使用環(huán)氧樹脂等、大氣等氣體幾乎 不透過的樹脂。因此，特別理想的是在第一絕緣部809a和第二絕緣部809b 的樹脂內(nèi)部設(shè)置二氧化鈦添加樹脂層509c。因此，第一絕緣部809a和第二絕緣部809b分別具有從光入射一側(cè)層 疊不包含所述光反射性填充物的光反射性填充物未添加樹脂層、包含光反 射性填充物的光反射性填充物添加樹脂層的層疊構(gòu)造。這里，由于RCC 樹脂吸收光，所以把不包含所述光反射性填充物的光反射性填充物未添加 樹脂層盡可能地薄地形成為層狀，而在其下層形成包含光反射性填充物的 光反射性填充物添加樹脂層。關(guān)于第一絕緣部809a和第二絕緣部809b的形成工序，能由與所述的 第1實(shí)施方式的絕緣部509同樣的工序制造，所以省略這里的說明。作為光反射性填充物使用二氧化鈦時(shí)，在氧的存在下，由于光催化反 應(yīng)會(huì)使導(dǎo)電層氧化，所以希望盡可能從導(dǎo)電層離開地形成。此外，為了從 包含氧的大氣遠(yuǎn)離，希望在搭載面表明不包含光反射性填充物。因此，第一絕緣部809a和第二絕緣部809b分別具有從光入射側(cè)層疊不包含所述光反射性填充物的光反射性填充物未添加樹脂層、包含光反射 性填充物的光反射性填充物添加樹脂層的層疊構(gòu)造。這里，環(huán)氧樹脂吸收 光，所以把不包含所述光反射性填充物的光反射性填充物未添加樹脂層盡 可能薄地形成為層狀，并在其下層形成包含光反射性填充物的光反射性填充物添加樹脂層。關(guān)于第一絕緣部809a和第二絕緣部809b的形成工序，能由與所述的 第1實(shí)施方式的絕緣部509同樣的工序制造，所以省略這里的說明。此外，作為光反射性填充物，使用二氧化鈦時(shí)，與在第一絕緣部809a 和第二絕緣部80%的全部區(qū)域添加的結(jié)構(gòu)相比，能抑制在氧的存在下， 該光反射性填充物的光催化反應(yīng)引起的金屬反射板802、透光性密封體 510、第一絕緣部809a和第二絕緣部809b的氧化、透光性密封體510的 剝離等問題，能提高從光出射面的出射光強(qiáng)度。即能減少由第一絕緣部809a和第二絕緣部809b吸收的光和通過所述 基板并且向背面一側(cè)放出的光的量，所以能提高光利用效率和散熱性。如此，在第一絕緣部809a和第二絕緣部80%中使用包含光反射性填 充物的樹脂，能用所述光反射性填充物把從LED芯片701出射并且對(duì)第 一絕緣部809a和第二絕緣部809b入射的光以及從密封LED芯片701的 透光性密封體510中含有的熒光體放出并且對(duì)第一絕緣部809a和第二絕 緣部809b入射的光反射。因此，能減少進(jìn)入第一絕緣部809a和第二絕緣 部809b，向周邊構(gòu)件反射時(shí)，部分被吸收、衰減的光，能謀求提高光利用 效率和散熱性。此外，希望所述RCC樹脂由惰性氣體氣氛下的熱工序形成。據(jù)此， 能防止第一絕緣部809a和第二絕緣部809b中使用的樹脂的變質(zhì)(黃變 化)，所以沒有變質(zhì)樹脂引起的光吸收，能有效發(fā)揮所述效果。此外，發(fā)光元件800，與所述的第1實(shí)施方式 第3實(shí)施方式同樣， 對(duì)來自LED芯片701的出射光進(jìn)行反射并向設(shè)置在光出射方向的光出射 面513引導(dǎo)的金屬反射板802，在LED芯片701的光出射方向立設(shè)(立設(shè))， 并以包圍LED芯片701的周圍全體的方式形成。因此，從LED芯片701 向周圍放出的光由金屬反射板802反射，被高效地向光出射面513引導(dǎo)。 據(jù)此，能抑制來自元件側(cè)面的光泄漏，能提高來自光出射面513的出射光 強(qiáng)度。此外，如圖19所示，本實(shí)施方式的發(fā)光元件800中，與安裝面金屬 反射膜820 —體地形成金屬反射板802。因此，能在安裝面上的寬闊范圍內(nèi)形成安裝面金屬反射膜820。通過增大元件全體的金屬形成區(qū)域，能實(shí)現(xiàn)散熱性優(yōu)異的發(fā)光元件。此外，把LED芯片501的發(fā)光時(shí)的熱向一體成形有安裝面金屬反射膜820的層疊基 板606的表面?zhèn)葌鲗?dǎo)，再有效地向背面一側(cè)散熱。據(jù)此，能抑制熱引起的 惡化，能實(shí)現(xiàn)長期的可靠性優(yōu)異的發(fā)光元件。此外，在本實(shí)施方式中，金屬反射板802如上所述，相對(duì)于第一島電 極807和第二島電極808的任意一個(gè)都電絕緣。因此，如圖29所示，把 本發(fā)光元件800在移動(dòng)電話等電子儀器的由鋁等金屬構(gòu)成的筐體400上安 裝時(shí)，金屬反射板802不具有電位。因此，能夠在不通過散熱性低的樹脂 等的情況下，以使金屬反射板802與筐體400接觸的狀態(tài)，進(jìn)行安裝。據(jù) 此，能高效把金屬反射板802中產(chǎn)生的熱向發(fā)光元件800的外部散熱。本實(shí)施方式的發(fā)光元件800與第3實(shí)施方式的發(fā)光元件700同樣，在 金屬反射板802的外周面的至少一部分和包含層疊基板606的底面的元件 外周面上，形成用于把金屬反射板802中產(chǎn)生的熱散熱到外部的放熱薄板 740。據(jù)此，能通過放熱薄板740把金屬反射板802中產(chǎn)生的熱更高效地向 外部散熱。作為放熱薄板740，希望使用散熱性優(yōu)異的導(dǎo)電性材料。如上所述， 本實(shí)施方式的金屬反射板802從其他構(gòu)件絕緣，不具有電位。因此，能夠 在不產(chǎn)生短路等的情況下，通過由散熱性優(yōu)異的導(dǎo)電性材料構(gòu)成的該放熱 薄板高效地把金屬反射板802中產(chǎn)生的熱向外部散熱。另外，作為所述導(dǎo) 電性材料，希望使用散熱性特別優(yōu)異的石墨類材料。此外，在所述筐體上，以能夠與背面電極取得絕緣的方式，把該導(dǎo)電 性的放熱薄板接地，金屬反射板以及與金屬反射板電、熱連接的搭載LED 芯片的安裝面金屬反射膜的電位不浮動(dòng)，能防止不必要的電涌進(jìn)入LED 芯片，發(fā)生發(fā)光元件的故障或錯(cuò)誤動(dòng)作。此外，在本實(shí)施方式中，與所述的第3實(shí)施方式不同，安裝面上的第 一絕緣部809a和第二絕緣部80%形成環(huán)狀，所以能以更小的面積從其他 部位把各電極絕緣。因此，如圖19和圖20所示，在安裝面的由金屬反射板802包圍的區(qū) 域內(nèi)，以隔著(介Lt)這些第一絕緣部809a和第二絕緣部809b，包圍第一島電極807和第二島電極808的方式寬闊地全體形成安裝面金屬反射 膜820。因此，從LED芯片701出射的光中向基板一側(cè)的光的大部分由安 裝面金屬反射膜820反射，并將之向設(shè)置在光出射方向的光出射面513引 導(dǎo)。據(jù)此，能更有效地減少由層疊基板606吸收的光和通過層疊基板606 并且從背面一側(cè)向發(fā)光元件800的外部泄漏的光的量，與第3實(shí)施方式的 結(jié)構(gòu)相比，能進(jìn)一步提高來自光出射面的出射光強(qiáng)度。發(fā)光元件800成為如下那樣的結(jié)構(gòu)即在層疊基板606的與安裝面相 反側(cè)的背面，作為外部連接電極端子，形成分別與第一島電極807和第二 島電極808連接的背面電極(第一背面電極)818和背面電極(第二背面 電極)819。這樣，在安裝基板606的背面?zhèn)?，設(shè)置作為發(fā)光元件800的外部連接 電極端子的背面電極818、 819，能減少通過層疊基板806內(nèi)，從背面一側(cè) 向發(fā)光元件800的外部泄漏的光的量?？墒?，本實(shí)施方式并不局限于此，也可以采用在光出射面一側(cè)設(shè)置這 些外部連接電極端子的結(jié)構(gòu)。此外，如圖19所示，背面電極818和背面電極819以分別覆蓋與第 一絕緣部809a和第二絕緣部809b的各形成區(qū)域在層疊方向相對(duì)應(yīng)的各區(qū) 域全體地形成。因此，與所述的實(shí)施方式的各發(fā)光元件同樣，能有效防止從LED芯 片701出射的光中從安裝面向基板內(nèi)部的光通過第一絕緣部809a和第二 絕緣部809b，通過層疊基板606，從背面一側(cè)向發(fā)光元件800的外部泄漏。 據(jù)此，能提高來自光出射面的出射光強(qiáng)度。作為構(gòu)成本發(fā)明的發(fā)光元件800的第一島電極807、第二島電極808、 金屬反射板802和安裝面金屬反射膜820的材料，使用在金屬中反應(yīng)性優(yōu) 異的銅、銀、金或鎳是因?yàn)槟馨褟腖ED芯片701出射的光高效向光出射 面513引導(dǎo)。另外，說明具有一個(gè)LED芯片701的結(jié)構(gòu)，但是本實(shí)施方式并不局 限于此，如圖32所示的發(fā)光元件800a、圖33所示的發(fā)光元件800b、圖 34所示的發(fā)光元件800c那樣，也可以在具有2個(gè)以上LED芯片的結(jié)構(gòu)中 適應(yīng)。此外，如圖32和圖33所示，并聯(lián)/串聯(lián)2個(gè)LED芯片時(shí)，如圖34 所示，把并聯(lián)2個(gè)LED芯片的LED芯片群串聯(lián)時(shí)，如圖29所示，2個(gè)島 電極一方為陽極電極一側(cè)，另一方為陰極電極一側(cè)地變?yōu)椴煌碾娢?。如此，在一個(gè)發(fā)光元件內(nèi)適宜配置、搭載多個(gè)LED芯片，不會(huì)使元 件的結(jié)構(gòu)大型化，能提高光出射強(qiáng)度。另外，LED芯片的搭載數(shù)不以4個(gè) 為上限，在具有大的元件基板的結(jié)構(gòu)中，LED芯片的搭載數(shù)還能進(jìn)一步增 加。[第5實(shí)施方式]如果根據(jù)圖21和圖35 圖37，說明本發(fā)明的又一其他實(shí)施方式，就 如下所述。另外，為了便于說明，對(duì)與所述實(shí)施方式的附圖中表示的構(gòu)件 相同的構(gòu)件付與相同的符號(hào)，省略其說明。在所述的實(shí)施方式中，說明安裝單一的LED芯片的發(fā)光元件，但是 本發(fā)明的發(fā)光元件并不局限于此，也可以采用搭載多個(gè)LED芯片的結(jié)構(gòu)。因此，在所述的第4實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)中，參照?qǐng)D21，以下說明具有多 個(gè)LED芯片的結(jié)構(gòu)。如圖21所示，本實(shí)施方式的發(fā)光元件900除了LED芯片701，還具 有LED芯片(第二LED芯片)901。與發(fā)光元件800同樣，成為在第一島電極(第一金屬部)807連接LED 芯片701的陰極電極、在第二島電極(第二金屬部)808連接陽極電極的 結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施方式中，作為對(duì)LED芯片701供給驅(qū)動(dòng)電流的第二島電極 808，也具有作為對(duì)LED芯片901供給驅(qū)動(dòng)電流的電源端子的功能。即第 二島電極808也與LED芯片卯1的陽極電極電連接。此外，發(fā)光元件900 中，具有與LED芯片901的陰極電極電連接，作為在層疊基板中通過 導(dǎo)電部與第一島電極807電連接的電源端子的第三島電極908，金屬反射 板802成為相對(duì)于第一 第三島電極的任意一個(gè)都電絕緣的結(jié)構(gòu)。第一島電極807與所述的第4實(shí)施方式的發(fā)光元件800同樣，成為通 過以包圍其外周的方式形成為如下結(jié)構(gòu)即環(huán)狀的第一絕緣部809a，與安 裝面中的由金屬反射板802包圍的區(qū)域內(nèi)的其他部位電絕緣。此外，第二 島電極808與第2實(shí)施方式以及第4實(shí)施方式的島電極608、 808同樣，通過包圍其外周地形成為環(huán)狀的第二絕緣部809b，與所述區(qū)域內(nèi)的其他部 位電絕緣。此外，在本實(shí)施方式中，第三島電極(第三電極部)908，通過包圍 其外周而形成為環(huán)狀的第三絕緣部909c,與上述區(qū)域內(nèi)的其他部位電絕緣。即在本實(shí)施方式的發(fā)光元件900中，用1電路系統(tǒng)安裝2個(gè)(安裝 LED芯片701 .901)。因此，不會(huì)使元件的結(jié)構(gòu)大型化，能取得2倍的光 出射強(qiáng)度。此外，在本實(shí)施方式中，與所述的第4實(shí)施方式同樣，安裝面上的第 一 第三絕緣部形成為環(huán)狀。因此，能夠用更小的面積從其他部位把各電 極絕緣。因此，如圖21所示，能夠在安裝面的由金屬反射板802包圍的區(qū)域 內(nèi)，隔著(介L"C)這些第一 第三絕緣部，分別以包圍第一 第三島電 極807 809的方式寬闊地全體形成安裝面金屬反射膜920。因此，從LED 芯片701和LED芯片901出射的光中向基板一側(cè)的光的大部分由安裝面 金屬反射膜920反射，能向設(shè)置在光出射方向的光出射面513引導(dǎo)。因此， 能更有效地減少由層疊基板606吸收的光和通過層疊基板607并且從背面 一側(cè)向發(fā)光元件900的外部泄漏的光的量。此外，第一絕緣部809a、第二絕緣部809b和第三絕緣部卯9c，與第 1實(shí)施方式的絕緣部509、第2實(shí)施方式的絕緣部609、第3實(shí)施方式的第 一絕緣部709a和第二絕緣部70%同樣，由環(huán)氧樹脂等RCC樹脂形成。 所述環(huán)氧樹脂包含反射400nm 850nm的波長區(qū)域的可見光線的光反射性 填充物。RCC樹脂在所述波長區(qū)域的光反射率希望是50%以上。作為所述 光反射性填充物，能使用光反射率高的氧化鋁、氧化硅、二氧化鈦等。其 中，二氧化鈦的光反射率高，在成本方面是廉價(jià)的，所以是理想的?？墒?，作為光反射性填充物，使用二氧化鈦時(shí)，在氧的存在下，由于 光催化反應(yīng)，在發(fā)光動(dòng)作中，存在把金屬反射板702或透光性密封體510、 第一絕緣部809a、第二絕緣部809b和第三絕緣部909c氧化的危險(xiǎn)性(以 通過密封樹脂中，由周邊構(gòu)件吸收而內(nèi)在的大氣、水分作為氧源)。而使 用氧化鋁、氧化硅等其他反射性填充物時(shí)，雖然不產(chǎn)生所述的光催化劑作用，但是氧化鋁、氧化硅具有吸濕性。因此，在透光性密封體510的密封 工序中吸濕的大氣、水分在發(fā)光動(dòng)作中由于熱而蒸汽化，存在使透光性密封體510剝離的危險(xiǎn)性。這里，密封LED芯片701、 901的透光性密封體 510希望是耐光性好，氣密性好的?？墒?，越是耐光性好的樹脂， 一般大 氣等氣體越容易透過，大氣、水分有可能到達(dá)搭載面。因此，只在LED芯片701、 901的搭載面附近的表面層添加時(shí)，希望 減少光反射性填充物的添加量，據(jù)此，能減少使氧化發(fā)生的活性氧量，且 能提高光反射率。此外，在通過作為所述接合層的第三層623與其它構(gòu)件接合的界面附 近，為了避免與水分、空氣的接觸，希望采用不包含二氧化鈦等光反射性 填充物的結(jié)構(gòu)。即與接合層或其他構(gòu)件的界面容易停留水分、空氣，所以 希望不與光反射性填充物接觸。此外，作為添加二氧化鈦的第一絕緣部 809a、第二絕緣部809b和第三絕緣部909c的樹脂， 一般使用環(huán)氧樹脂等， 大氣等氣體幾乎不透過的樹脂。因此，特別理想的是在第一絕緣部809a、 第二絕緣部809b和第三絕緣部909c的樹脂的內(nèi)部設(shè)置二氧化鈦添加樹脂 層509c。因此，第一絕緣部809a、第二絕緣部809b和第三絕緣部909c分別具 有從光入射一側(cè)層疊不包含所述光反射性填充物的光反射性填充物未添 加樹脂層、包含光反射性填充物的光反射性填充物添加樹脂層的層疊構(gòu) 造。這里，RCC樹脂吸收光，所以把不包含所述光反射性填充物的光反射 性填充物未添加樹脂層盡可能地薄地形成為層狀，在其下層形成包含光反 射性填充物的光反射性填充物添加樹脂層。關(guān)于第一絕緣部809a、第二絕緣部80%和第三絕緣部909c的形成工 序，能由與所述的第1實(shí)施方式的絕緣部509同樣的工序制造，所以省略 這里的說明。作為光反射性填充物，使用二氧化鈦時(shí)，在氧的存在下，通過光催化 反應(yīng)，使導(dǎo)電層氧化，所以希望盡可能從導(dǎo)電層離幵形成。此外，為了遠(yuǎn) 離包含氧的大氣，希望在搭載面表面不包含光反射性填充物。因此，第一絕緣部809a、第二絕緣部809b和第三絕緣部909c分別具 有從光入射側(cè)層疊不包含所述光反射性填充物的光反射性填充物未添加樹脂層、包含光反射性填充物的光反射性填充物添加樹脂層的層疊構(gòu)造。 這里，環(huán)氧樹脂吸收光，所以把不包含所述光反射性填充物的光反射性填 充物未添加樹脂層盡可能地薄地形成為層狀，在其下層形成包含光反射性 填充物的光反射性填充物添加樹脂層。關(guān)于第一絕緣部809a、第二絕緣部809b和第三絕緣部909c的形成工 序，能由與所述的第1實(shí)施方式的絕緣部509同樣的工序制造，所以省略 這里的說明。此外，作為光反射性填充物，使用二氧化鈦時(shí)，與在第一絕緣部809a、 第二絕緣部809b和第三絕緣部909c的全部區(qū)域添加的結(jié)構(gòu)相比，能抑制 在氧的存在下，該光反射性填充物的光催化反應(yīng)引起的金屬反射板802、 透光性密封體510、第一絕緣部809a、第二絕緣部809b和第三絕緣部909c 的氧化，以及透光性密封體510的剝離等問題，能提高從光出射面的出射 光強(qiáng)度。即能減少由第一絕緣部809a、第二絕緣部80%和第三絕緣部卯9c吸 收的光和通過所述基板并且向背面?zhèn)确懦龅墓獾牧浚阅芴岣吖饫眯?率和散熱性。如此，在第一絕緣部809a、第二絕緣部80%和第三絕緣部909c中使 用包含光反射性填充物的樹脂，能用所述光反射性填充物把從LED芯片 701出射并且對(duì)第一絕緣部809a、第二絕緣部809b和第三絕緣部909c入 射的光以及從密封LED芯片701的透光性密封體510中含有的熒光體放 出并且對(duì)第一絕緣部809a、第二絕緣部809b和第三絕緣部909c入射的光 進(jìn)行反射。因此，能減少進(jìn)入第一絕緣部809a、第二絕緣部809b和第三 絕緣部909c，向周邊構(gòu)件反射時(shí)，部分被吸收、衰減的光，能提高光利用 效率和散熱性。此外，希望所述RCC樹脂由惰性氣體氣氛下的熱工序形成。據(jù)此， 能防止第一絕緣部809a、第二絕緣部809b和第三絕緣部卯9c中使用的樹 脂的變質(zhì)(黃化(黃変化))，所以沒有變質(zhì)樹脂引起的光吸收，能夠有效 發(fā)揮所述效果。發(fā)光元件900與所述的實(shí)施方式同樣，反射來自LED芯片701、 901 的出射光、并將之向設(shè)置在光出射方向的光出射面513引導(dǎo)的金屬反射板2008 802，在LED芯片701、 901的光出射方向設(shè)置，并以包圍LED芯片701 的周圍全體的方式形成。因此，從LED芯片701、 901向周圍放出的光由 金屬反射板802反射，并高效地被向光出射面513引導(dǎo)。據(jù)此，能抑制來 自元件側(cè)面的光泄漏，且能提高來自光出射面513的出射光強(qiáng)度。此外，如圖21所示，本實(shí)施方式的發(fā)光元件900把金屬反射板802 與安裝面金屬反射膜920 —體形成。因此，能在安裝面上的寬闊范圍形成安裝面金屬反射膜920。通過增 大元件全體的金屬形成區(qū)域，能實(shí)現(xiàn)散熱性優(yōu)異的發(fā)光元件。此外，把 LED芯片701、 901的發(fā)光時(shí)的熱向一體成形有安裝面金屬反射膜920的 層疊基板606的表面?zhèn)葌鲗?dǎo)，再有效地向背面一側(cè)散熱。據(jù)此，能抑制熱 引起的惡化，能實(shí)現(xiàn)長期的可靠性優(yōu)異的發(fā)光元件。此外，本實(shí)施方式的金屬反射板802如上所述，相對(duì)于第一島電極807 和第二島電極808和第三島電極908的任意一個(gè)都電絕緣。因此，如圖18 所示，把本發(fā)光元件900在移動(dòng)電話等電子儀器的由鋁等金屬構(gòu)成的筐體 400上安裝時(shí)，金屬反射板802不具有電位。因此，能不通過散熱性低的 樹脂，在使金屬反射板802與筐體400接觸的狀態(tài)下，進(jìn)行安裝。據(jù)此， 能高效把金屬反射板802中產(chǎn)生的熱向發(fā)光元件900的外部散熱。本實(shí)施方式的發(fā)光元件900與第3實(shí)施方式以及第4實(shí)施方式的發(fā)光 元件700 800同樣，在金屬反射板802的外周面的至少一部分、包含層 疊基板606的底面的元件外周面上，形成用于把金屬反射板802中產(chǎn)生的 熱散熱到外部的放熱薄板740。據(jù)此，能通過放熱薄板740把金屬反射板802中產(chǎn)生的熱更高效地向 外部散熱。據(jù)此，能實(shí)現(xiàn)長期的可靠性優(yōu)異的發(fā)光元件900。作為放熱薄板740，希望使用散熱性優(yōu)異的導(dǎo)電性材料。如上所述， 本實(shí)施方式的金屬反射板802相對(duì)于其他構(gòu)件絕緣，不具有電位。因此， 不產(chǎn)生短路等問題，利用由散熱性優(yōu)異的導(dǎo)電性材料構(gòu)成的該放熱薄板， 高效地把金屬反射板802中產(chǎn)生的熱向外部散熱。另外，作為所述導(dǎo)電性 材料，希望使用散熱性特別優(yōu)異的石墨類材料。此外，在所述筐體上，以與背面電極能夠取得絕緣的方式把該導(dǎo)電性 的放熱薄板接地，金屬反射板以及與金屬反射板電、熱連接的搭載LED45芯片701的安裝面金屬反射膜的電位不浮動(dòng)，能防止不必要的電涌進(jìn)入 LED芯片701、發(fā)生發(fā)光元件的故障或錯(cuò)誤動(dòng)作。另外，說明具有2個(gè)LED芯片701的結(jié)構(gòu)，但是本實(shí)施方式并不局 限于此，如圖35所示的發(fā)光元件卯0b那樣，也能在具有4個(gè)LED芯片的結(jié)構(gòu)中適應(yīng)。在圖21的結(jié)構(gòu)中串聯(lián)2個(gè)LED芯片時(shí)，在圖35的結(jié)構(gòu)中，把并聯(lián)2 個(gè)LED芯片的LED芯片組串聯(lián)時(shí)，如圖36所示，2個(gè)島電極一方為陽極 電極一側(cè)，另一方為陰極電極一側(cè)地變?yōu)椴煌碾娢?，與不同的背面電極 分別電連接地形成。而在圖21的結(jié)構(gòu)中，并聯(lián)2個(gè)LED芯片時(shí)，在圖35 的結(jié)構(gòu)中，并聯(lián)4個(gè)LED芯片時(shí)，如圖35所示，2個(gè)島電極變?yōu)橄嗤?電位。這時(shí)，2個(gè)島電極都與一方的背面電極電連接地配置、形成層疊基 板中的各層的導(dǎo)電部(不圖示)。如此，在一個(gè)發(fā)光元件內(nèi)適宜配置、搭載多個(gè)LED芯片，不會(huì)使元 件的結(jié)構(gòu)大型化，能提高光出射強(qiáng)度。另外，LED芯片的搭載數(shù)4個(gè)不是 上限，在具有大的元件基板的結(jié)構(gòu)中，LED芯片的搭載數(shù)還能進(jìn)一步增加。另外，說明搭載LED芯片的安裝面金屬反射膜820安裝在移動(dòng)電話 等電子儀器的由鋁等金屬構(gòu)成的筐體400上時(shí)，通過導(dǎo)電性的放熱薄板接 地，而不浮動(dòng)，能防止由于電涌等產(chǎn)生的發(fā)光元件的動(dòng)作不良或故障，但 是不釆用這樣的手法，例如把圖32的層疊基板的結(jié)構(gòu)，如圖21所示，變 為如下那樣的結(jié)構(gòu)即以把搭載LED芯片501的安裝面金屬反射膜，與 和外部電源的陽極電極、陰極電極連接的第一、第二背面電極絕緣的另外 的第三背面電極電、熱連接的方式進(jìn)行層疊基板的各層的導(dǎo)電部的配置， 把第三背面電極與和陽極電極、陰極電極絕緣的外部的接地端子連接，研 究對(duì)策。在該例子中，通過第三背面電極，LED芯片501的散熱特性能進(jìn) 一步改善。該方法對(duì)于第四實(shí)施方式所示的圖20、圖32 35的實(shí)施方式也同樣 能應(yīng)用。上述的各實(shí)施方式中說明的本發(fā)明的發(fā)光元件改善了光泄漏，光的出 射效率高，散熱性優(yōu)異，所以適合在具有配置在光出射面5的附近配置的 波導(dǎo)板背光部件中使用。即通過設(shè)置本發(fā)明的發(fā)光元件，能實(shí)現(xiàn)光的利用效率高，長期的可靠 性優(yōu)異的背光部件?！驳?實(shí)施方式)如果根據(jù)圖43和圖44，說明本發(fā)明的又一其他實(shí)施方式，就如下所示。另外，為了便于說明，對(duì)與所述實(shí)施方式的附圖中表示的構(gòu)件相同的 構(gòu)件付與相同的符號(hào)，省略其說明。在所述的各實(shí)施方式中，絕緣部具有層疊不包含光反射性填充物的光 反射性填充物未添加樹脂層和包含光反射性填充物的光反射性填充物添 加樹脂層的層疊構(gòu)造。而在本實(shí)施方式中，在絕緣部全體添加光反射性填 充物。圖43是表示本實(shí)施方式的發(fā)光元件1000的剖面圖。發(fā)光元件1000 是在圖2所示的發(fā)光元件500中，把絕緣部509置換為絕緣部1009的結(jié) 構(gòu)。絕緣部1009與絕緣部509不同，在全體添加光反射性填充物。據(jù)此， 與絕緣部具有層疊構(gòu)造的情形相比，能把制造成本抑制在較為價(jià)廉。作為光反射性填充物，能使用光反射率高的氧化鋁、氧化硅、二氧化 鈦等。這里，如上所述，作為光反射性填充物，使用二氧化鈦時(shí)，在氧的 存在下，由于光催化反應(yīng)，在發(fā)光動(dòng)作中，存在把金屬反射板502或透光 性密封體510、絕緣部1009氧化的危險(xiǎn)性(以通過密封樹脂中，由周邊構(gòu) 件吸收而內(nèi)在的大氣、水分作為氧源)。而使用氧化鋁、氧化硅等其他反 射性填充物時(shí)，雖然不產(chǎn)生所述的光催化劑作用，但是氧化鋁、氧化硅具 有吸濕性。因此，在透光性密封體510的密封工序中吸濕的大氣、水分在 發(fā)光動(dòng)作中由于熱而蒸汽化，存在使透光性密封體510剝離的危險(xiǎn)性。因此，在本實(shí)施方式中，對(duì)光反射性填充物的添加量設(shè)置限制。接著， 說明光反射性填充物的添加量。圖44是表示絕緣部1009的可見光反射率和光反射性填充物的添加量 的關(guān)系的曲線圖。絕緣部1009的反射率在光反射性填充物的添加量為a 重量％時(shí)，在反射率^%成為飽和狀態(tài)。這里，如果光反射性填充物的添 加量較少，光就透過絕緣部1009，由絕緣部1009吸收，所以反射率下降。 如果光反射性填充物的添加量為a重量M以下，由于添加量的離散，絕緣 部1009的反射率的設(shè)定變得困難。因此，光反射性填充物的添加量設(shè)定為比0重量％更多。如果光反射性填充物的添加量過多，就存在金屬反射板502等的氧化 或透光性密封體510的剝離，所以光反射性填充物的添加量比a重量％更 多，并且設(shè)定在a重量"/。附近。此外，對(duì)于發(fā)光元件1000，進(jìn)行溫度循環(huán)(廿^夕，)試驗(yàn)，測(cè)定發(fā) 光元件1000的熱膨脹、熱收縮的影響和對(duì)溫度變化的耐久性。在該溫度 周期試驗(yàn)中，用30分鐘，從低溫(—40°C) 高溫(120°C)使周圍溫度 變化的周期為1循環(huán)，把該循環(huán)重復(fù)100次。結(jié)果，如果對(duì)于絕緣部1009的光反射性填充物的添加量過多，就容 易發(fā)生裂紋。具體而言，光反射性填充物的添加量為30% (樹脂70%)時(shí)， 就確認(rèn)不到裂紋的發(fā)生，但是光反射性填充物的添加量為36%(樹脂64%) 時(shí)，就確認(rèn)到裂紋的發(fā)生。另外，該試驗(yàn)中，作為光反射性填充物，使用 二氧化鈦，在絕緣部1009添加用于熱膨脹系數(shù)調(diào)整的硅石，硅石的一部 分與二氧化鈦置換。因此，在本實(shí)施方式中，光反射性填充物的添加量的上限設(shè)定在30 重量％以下。即如果光反射性填充物的添加量為A，就設(shè)定為a〈A^30。如上所述，在絕緣部1009全體添加光反射性填充物時(shí)，通過對(duì)光反 射性填充物的添加量設(shè)置限制，能避免金屬反射板502等的氧化或透光性 密封體510的剝離等弊害、以及發(fā)光元件1000的裂紋的發(fā)生，能提高光 利用效率。(實(shí)施方式的總結(jié))另外，本發(fā)明并不局限于上述的各實(shí)施方式，在權(quán)利要求書的范圍中 能進(jìn)行各種變更，關(guān)于適宜組合不同實(shí)施方式中描述的技術(shù)手段而取得的 實(shí)施方式，也包含在本發(fā)明的技術(shù)范圍中。本實(shí)施方式的發(fā)光元件具有由添加光反射性填充物的光反射性填充 物添加區(qū)域和不添加該光反射性填充物的光反射性填充物不添加區(qū)域構(gòu) 成的絕緣部，因此，能減少進(jìn)入所述絕緣部，向周邊構(gòu)件反射時(shí)部分被吸 收、衰減的光，能提高光利用效率和散熱性。在所述的結(jié)構(gòu)中，希望所述絕緣部只在安裝面露出部包含光反射性填 充物。在所述的結(jié)構(gòu)中，作為所述光反射性填充物，希望使用氧化鋁、氧化 硅或二氧化鈦。其中，二氧化鈦的光反射率高，在成本方面是廉價(jià)的，所 以是特別理想的。如專利文獻(xiàn)2所述，在反射構(gòu)件中使用的樹脂中添加二氧化鈦，具有 白色化，提高反射率的功能?？墒牵鳛楣夥瓷湫蕴畛湮?，使用二氧化鈦時(shí)，在氧的存在下，由于 光催化反應(yīng)，在發(fā)光動(dòng)作中，存在把金屬反射板或透光性密封體、絕緣部 氧化的危險(xiǎn)性(以通過密封樹脂中，由周邊構(gòu)件吸收而內(nèi)在的大氣、水分 作為氧源)。而使用氧化鋁、氧化硅等其他反射性填充物時(shí)，雖然不產(chǎn)生 所述的光催化劑作用，但是氧化鋁、氧化硅具有吸濕性。因此，在透光性 密封體的密封工序中吸濕的大氣、水分在發(fā)光動(dòng)作中由于熱蒸汽化，存在使透光性密封體剝離的危險(xiǎn)性。這里，密封所述LED芯片的透光性密封 體希望是耐光性好，氣密性好的?？墒?，越是耐光性好的樹脂， 一般大氣 等氣體越容易透過，大氣、水分有可能到達(dá)搭載面。因此，只在LED芯片的搭載面附近的表面層添加時(shí)，希望減少光反 射性填充物的添加量，據(jù)此，能減少使氧化發(fā)生的活性氧量，能提高光反 射率。在所述的結(jié)構(gòu)中，所述絕緣部具有從光入射一側(cè)層疊不包含所述的光 反射性填充物的光反射性填充物未添加樹脂層和包含光反射性填充物的 光反射性填充物添加樹脂層的層疊構(gòu)造。二氧化鈦的光反射性填充物在氧的存在下，由于光催化反應(yīng)，例如使 形成在絕緣部的下層的導(dǎo)電層氧化。因此，希望在搭載面表面不添加所述 光反射性填充物，并遠(yuǎn)離包含氧的大氣。根據(jù)所述的結(jié)構(gòu)，所述絕緣部具有從光入射側(cè)層疊不包含所述的光反 射性填充物的光反射性填充物未添加樹脂層和包含光反射性填充物的光 反射性填充物添加樹脂層的層疊構(gòu)造。據(jù)此，能抑制在氧的存在下，由該 光反射性填充物的光催化反應(yīng)引起的金屬反射板、透光性密封體、絕緣部 的氧化或透光性密封體的剝離等問題，能提高光利用效率。在所述的結(jié)構(gòu)中，為了避免與水分、空氣的接觸，希望采用在搭載面 或絕緣部和其他構(gòu)件的接合層的界面附近不包含二氧化鈦等光反射性填充物的結(jié)構(gòu)。與接合層或其他構(gòu)件的界面容易停留水分、空氣，所以希望 不與光反射性填充物接觸。此外，作為添加二氧化鈦的所述絕緣部的樹脂， 一般使用環(huán)氧樹脂等、 大氣等氣體幾乎不透過的樹脂。因此，特別理想的是在絕緣部的樹脂內(nèi)部 設(shè)置光反射性填充物添加樹脂層。在所述的結(jié)構(gòu)中，所述光反射性填充物反射400nm 850nm的波長區(qū) 域的光即可見光線。在所述的結(jié)構(gòu)中，在所述波長區(qū)域的包含所述光反射性填充物的樹脂 的光反射率希望是50%以上。含有二氧化鈦的RCC樹脂(resin coated copper)在光反射率不是 100%，停留在50 70%左右，光會(huì)透過。因此，在使用含有二氧化鈦的 RCC樹脂時(shí)，光在RCC樹脂內(nèi)部散射、擴(kuò)散，光泄漏到與其他構(gòu)件的接 合層。如果在RCC樹脂的全層具有光反射性填充物添加樹脂層，經(jīng)過(越 L)其他構(gòu)件或由其他構(gòu)件吸收的氧和所述泄漏光成為由于光催化反應(yīng)使 RCC樹脂或其他構(gòu)件、接合層中存在的電極氧化的要因，所以所述光反射 性填充物添加樹脂層(區(qū)域)形成為薄的層狀。本實(shí)施方式的發(fā)光元件的制造方法為了解決所述的課題，其特征在 于，所述絕緣部的形成工序包含形成所述光反射性填充物未添加樹脂層的 工序(a);形成所述光反射性填充物添加樹脂層的工序(b);把所述光反 射性填充物未添加樹脂層和所述光反射性填充物添加樹脂層以所需的順 序在金屬箔上形成層疊構(gòu)造地形成。該層疊構(gòu)造例如在形成所述第一金屬部和第二金屬部的金屬板，從背 面一側(cè)(與光出射面相反一側(cè))，通過熱壓，粘貼。在上述的結(jié)構(gòu)中，由所述光反射性填充物未添加樹脂層和所述光反射 性填充物添加樹脂層構(gòu)成的層疊構(gòu)造由在惰性氣體氣氛下的加熱工序形 成。根據(jù)上述的結(jié)構(gòu)，能防止絕緣部中使用的樹脂的變質(zhì)(黃變化)，所 以沒有變質(zhì)樹脂引起的光吸收，能有效發(fā)揮所述效果。在上述的結(jié)構(gòu)中，通過惰性氣體氣氛下的熱硬化工序，形成以填充由上述基板和上述金屬反射板包圍的區(qū)域的方式密封LED芯片的透光性密封體。另外，在現(xiàn)狀的RCC樹脂的生產(chǎn)調(diào)整(，^y于:y:7。)中，樹脂層 的厚度最薄為3um。因此，因?yàn)闃渲瑢拥耐糠蠛穸鹊目刂菩缘慕缦?，?yōu) 選為，二氧化鈦添加樹脂層進(jìn)入從接合層至少離開3nm以上的地方。此外，由于樹脂吸收光，所以把所述光反射性填充物未添加樹脂層盡 可能薄地形成為層狀，在其下層形成光反射性填充物添加樹脂層。作為所述樹脂，希望使用RCC樹脂。RCC樹脂是使液體稍微凝固后 那樣的糊料狀，二氧化鈦等光反射性填充物與液體狀態(tài)的RCC樹脂混合。 因此，在單層的RCC樹脂中，難以控制包含所述光反射性填充物的光反 射性填充物添加樹脂層的位置。因此，首先，使所述光反射性填充物添加 樹脂層凝固，在其上再度涂敷不包含所述光反射性填充物的RCC樹脂， 形成光反射性填充物未添加樹脂層，能在搭載面表面不包含反射性填充 物。如此，通過在絕緣部使用包含光反射性填充物的樹脂，能用所述光反 射性填充物把從所述LED芯片出射并對(duì)所述絕緣部入射的光，進(jìn)行反射。 因此，能減少進(jìn)入所述絕緣部，向周邊構(gòu)件反射時(shí)部分被吸收、衰減的光， 能提高光利用效率和散熱性。本實(shí)施方式的發(fā)光元件的特征在于，包括安裝在基板上的LED芯片；形成在所述基板的表面上的由光透過性的樹脂構(gòu)成的絕緣部， 所述絕緣部在全體添加光反射性填充物。本實(shí)施方式的發(fā)光元件的特征在于，包括形成在基板的安裝面上， 作為安裝面金屬反射膜的第一金屬部；與所述第一金屬部通過絕緣部電絕 緣，形成在所述安裝面上的至少一個(gè)第二金屬部；安裝在所述第一金屬上， 并且一方的電極與所述第一金屬部電連接，另一方的電極與所述第二金屬 部電連接的LED芯片；以包圍所述安裝面的方式與所述第一金屬部一體 化成形，反射來自所述LED芯片的出射光，并將之導(dǎo)向設(shè)置在所述光出 射方向的光出射面的金屬反射板；填充由所述基板和所述金屬反射板包圍 的區(qū)域，并以密封所述LED芯片的方式形成的透光性密封，所述絕緣部 由包含光反射性填充物的樹脂構(gòu)成，在由所述金屬反射板包圍的區(qū)域內(nèi)，以包圍所述第二金屬部的周圍的方式形成，所述絕緣部在全體添加光反射 性填充物。在上述的結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選為，所述光反射性填充物的添加量比所述絕緣 部的可見光反射率飽和的添加量更多，并且是該可見光反射率飽和的添加 量的附近。在所述的結(jié)構(gòu)中，所述光反射性填充物的添加量希望比在把所述發(fā)光 元件反復(fù)暴露在高溫和低溫的溫度周期試驗(yàn)中，比裂紋進(jìn)入所述絕緣部的 添加量更少。在上述的結(jié)構(gòu)中，所述光反射性填充物的添加量不足30重量％。 本發(fā)明的詳細(xì)的說明中形成的具體的實(shí)施方式只不過是為了把本發(fā) 明的技術(shù)內(nèi)容變得清楚，不應(yīng)該是只限定在這樣的具體例，狹義地解釋， 在本發(fā)明的精神和以下記載的權(quán)利要求書的范圍中，能進(jìn)行各種變更，實(shí) 施。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光元件，其特征在于，包括LED芯片，其安裝在基板上；絕緣部，其由形成在上述基板的表面的光透過性的樹脂構(gòu)成，上述絕緣部由添加了光反射性填充物的光反射性填充物添加區(qū)域和未添加該光反射性填充物的光反射性填充物未添加區(qū)域構(gòu)成。
2、 一種發(fā)光元件，其特征在于，包括第一金屬部，其形成在基板的安裝面上，作為安裝面金屬反射膜；至少一個(gè)第二金屬部，其與上述第一金屬部通過絕緣部電絕緣，并形 成在上述安裝面上；LED芯片，其安裝在上述第一金屬部上，并且一方的電極與上述第一 金屬部電連接，另一方的電極與上述第二金屬部電連接；金屬反射板，其以包圍上述安裝面的方式與上述第一金屬部一體化形 成，反射來自上述LED芯片的出射光，并將之導(dǎo)向設(shè)置在上述光出射方 向的光出射面；透光性密封體，其以填充由上述基板和上述金屬反射板包圍的區(qū)域且 密封上述LED芯片的方式形成；上述絕緣部由包含光反射性填充物的樹脂構(gòu)成，在由上述金屬反射板 包圍的區(qū)域內(nèi)，以包圍上述第二金屬部的周圍的方式形成。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光元件，其特征在于， 上述絕緣部只在安裝面露出部包含光反射性填充物。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光元件，其特征在于， 上述絕緣部具有從光入射側(cè)起層疊不包含上述的光反射性填充物的光反射性填充物未添加樹脂層和包含上述光反射性填充物的光反射性填 充物添加樹脂層的層疊構(gòu)造。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光元件，其特征在于， 在通過粘結(jié)層與其它構(gòu)件粘結(jié)的界面附近不包含光反射性填充物。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光元件，其特征在于， 上述光反射性填充物反射400nm以上850nm以下的波長區(qū)域的光。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光元件，其特征在于， 上述波長區(qū)域中的、包含上述光反射性填充物的樹脂的光反射率，是50%以上。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光元件，其特征在于， 上述光反射性填充物由氧化鋁、氧化硅或二氧化鈦構(gòu)成。
9. 一種發(fā)光元件的制造方法，所述發(fā)光元件包含安裝在基板上的LED 芯片以及由形成在上述基板的表面且光透過性樹脂構(gòu)成的絕緣部，上述絕 緣部由添加光反射性填充物的光反射性填充物添加區(qū)域和未添加該光反 射性填充物的光反射性填充物未添加區(qū)域構(gòu)成，其特征在于，上述絕緣部的形成工序，包含形成上述光反射性填充物未添加樹脂 層的工序(a)、形成上述光反射性填充物添加樹脂層的工序(b);按照以所希望的順序在金屬箔上形成層疊構(gòu)造的方式，形成上述光反 射性填充物未添加樹脂層和上述光反射性填充物添加樹脂層。
10. 一種發(fā)光元件的制造方法，所述發(fā)光元件，包括第一金屬部， 其形成在基板的安裝面上，作為安裝面金屬反射膜；至少一個(gè)第二金屬部， 其與上述第一金屬部通過絕緣部電絕緣，并形成在上述安裝面上；LED芯 片，其安裝在上述第一金屬部上，并且一方的電極與上述第一金屬部電連 接，另一方的電極與上述第二金屬部電連接；金屬反射板，其以包圍上述 安裝面的方式與上述第一金屬部一體化形成，反射來自上述LED芯片的出 射光，并將之導(dǎo)向設(shè)置在上述光出射方向的光出射面；透光性密封體，其 以填充由上述基板和上述金屬反射板包圍的區(qū)域且密封上述LED芯片的方 式形成；上述絕緣部由包含光反射性填充物的樹脂構(gòu)成，在由上述金屬反 射板包圍的區(qū)域內(nèi)，以包圍上述第二金屬部的周圍的方式形成，其特征在 于，上述絕緣部的形成工序，包含形成上述光反射性填充物未添加樹脂 層的工序(a)、形成上述光反射性填充物添加樹脂層的工序(b);按照以所希望的順序在金屬箔上形成層疊構(gòu)造的方式，形成上述光反 射性填充物未添加樹脂層和上述光反射性填充物添加樹脂層。
11、 根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的發(fā)光元件的制造方法，其特征在于， 在惰性氣體氣氛下，通過加熱工序形成由上述光反射性填充物未添加樹脂層和上述光反射性填充物添加樹脂層構(gòu)成的層疊構(gòu)造。
12、 根據(jù)權(quán)利要求9或IO所述的發(fā)光元件的制造方法，其特征在于， 通過惰性氣體氣氛下的加熱硬化工序，形成透光性密封體，所述透光性密封體以填充由上述基板和上述金屬反射板包圍的區(qū)域的方式密封上 述LED芯片。
13、 一種發(fā)光元件，其特征在于，包括LED芯片，其安裝在基板上；絕緣部，其形成在上述基板的表面上，并由光透過性樹脂構(gòu)成， 上述絕緣部在整體添加光反射性填充物。
14、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光元件，其特征在于， 上述絕緣部在整體添加光反射性填充物。
15、 根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的發(fā)光元件，其特征在于， 上述光反射性填充物的添加量，比上述絕緣部的可見光反射率飽和的添加量更多，并且處于該可見光反射率飽和的添加量的附近。
16、 根據(jù)權(quán)利要求15所述的發(fā)光元件，其特征在于， 上述光反射性填充物的添加量，比在溫度循環(huán)試驗(yàn)中在上述絕緣部中產(chǎn)生裂紋的添加量更少，所述溫度循環(huán)試驗(yàn)是將上述發(fā)光元件反復(fù)暴露于 高溫和低溫的試驗(yàn)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種發(fā)光元件及其制造方法，所述發(fā)光元件，包含安裝在基板上的LED芯片(501)；由形成在所述基板的表面的光透過性的樹脂構(gòu)成的絕緣部(509)；絕緣部(509)具有由添加二氧化鈦的二氧化鈦添加樹脂層(509c)和未添加該二氧化鈦的二氧化鈦未添加樹脂層(509b)構(gòu)成的層疊構(gòu)造。從而能夠提高來自光出射面的出射光強(qiáng)度，并且散熱性優(yōu)異。
文檔編號(hào)H01L33/32GK101276873SQ20081008589
公開日2008年10月1日 申請(qǐng)日期2008年3月28日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月30日
發(fā)明者竹本理史 申請(qǐng)人:夏普株式會(huì)社