專利名稱：固體圖像捕獲裝置、其制造方法、及電子信息裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及固體圖^f象捕獲裝置(solid-state image capturing device ) (例如CMOS圖像傳感器、CCD圖像傳感器等)，其中光學(xué)波導(dǎo)區(qū)域 形成于在半導(dǎo)體基板上形成的多個(gè)光接收部的每一個(gè)上；該固體圖像捕 獲裝置的制造方法；以及使用該固體圖像捕獲裝置作為圖像捕獲部的電 子信息裝置。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)固體圖像捕獲裝置已知具有下述結(jié)構(gòu)層間絕緣膜被加工形成 于每個(gè)光接收部上，該光接收部為分別用于將對(duì)象光轉(zhuǎn)換成信號(hào)電荷的 多個(gè)光電轉(zhuǎn)換部；且光學(xué)波導(dǎo)區(qū)域形成為在每個(gè)光接收部上方具有井結(jié) 構(gòu)，由此提高在光接收部區(qū)域上的聚光效率。參考圖11描述具有這種光學(xué)波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的傳統(tǒng)固體圖像捕獲裝置的 示例性具體結(jié)構(gòu)。圖11為示出傳統(tǒng)固體圖像捕獲裝置100的示例性基本結(jié)構(gòu)的縱向 剖面圖。應(yīng)注意，圖11示出為傳統(tǒng)固體圖像捕獲裝置100的CMOS圖 像傳感器的單個(gè)光接收部及該光接收部周邊的外圍部的結(jié)構(gòu)。在圖11的傳統(tǒng)固體圖像捕獲裝置100中，多個(gè)光接收部102，例如 分別用作光電轉(zhuǎn)換部的光電二極管，二維地形成于半導(dǎo)體基板101的表 面層內(nèi)。此外，為引出電極的柵電極膜104設(shè)置為鄰接光接收部102上 方的一部分，且通過(guò)柵極絕緣膜103設(shè)置于半導(dǎo)體基板101的表面上。多層層間絕緣膜106 (第一絕緣膜106a、第二絕緣膜106b、第三絕 緣膜106c、第四絕緣膜106d)以及多層布線層107 (第一布線107a、第 二布線107b、第三布線107c)形成于柵電極膜104上方以具有夾層結(jié) 構(gòu)。更具體而言，第一絕緣膜106a形成于位于半導(dǎo)體基板101上方的4冊(cè)電極膜104上方。第一布線107a形成于第一絕緣膜106a上。第二絕 緣膜106b形成于第一布線107a上。第二布線107b形成于第二絕緣膜 106b上。同樣地，第三絕緣膜106c、第三布線107c和第四絕緣膜106d 按此順序依次形成于第二布線107b上方。此外，均由導(dǎo)電材料制成的接觸插塞105 (第一接觸插塞105a、第 二接觸插塞105b、第三接觸插塞105c)形成于布線層107和半導(dǎo)體基 板101之間(未示出)、布線層107和4冊(cè)電才及膜104之間、以及布線層 107之間，從而在布線層107和半導(dǎo)體基板101之間、布線層107和柵 電極膜104之間、以及布線層107之間形成電連接。在某些情形中，接 觸插塞105使用與布線層107相同的材料形成。在其它情形中，接觸插 塞105使用不同材料形成，例如當(dāng)布線層107使用鋁形成時(shí)，接觸插塞 105〗吏用鴒形成。此外，具有布置用于每個(gè)光接收部102的紅(R)色、綠(G)色和 藍(lán)(B)色的濾光片108形成于第四絕緣膜106d上。第五絕緣膜106e 形成于濾光片108上。用于將聚光到每個(gè)光接收部的微透鏡109形成于 第五絕緣膜106e上。在形成鈍化膜和濾光片之前，第四絕緣膜106d形 成為平坦化膜。在形成微透鏡之前，第五絕緣膜106e形成為平坦化膜。此外，根據(jù)傳統(tǒng)固體圖像捕獲裝置100,用于成為光學(xué)波導(dǎo)的開口 (用于形成波導(dǎo)的孔)形成于第四絕緣膜106d和停止層110之間，該 停止層IIO位于第一絕緣膜106a頂面?zhèn)仍诠饨邮詹?02正上方。波導(dǎo) 膜111 (第一波導(dǎo)膜llla、第二波導(dǎo)膜lllb、第三波導(dǎo)膜lllc)形成為 填充該開口的內(nèi)部，用于光傳播的目的。這種情況下，第一波導(dǎo)膜llla 和第二波導(dǎo)膜lllb形成于該用于形成波導(dǎo)的孔的內(nèi)部，且位于該用于 形成波導(dǎo)的孔的底部的第一波導(dǎo)膜llla和第二波導(dǎo)膜lllb通過(guò)蝕刻除 去以露出停止層110的表面。隨后，第三波導(dǎo)膜lllc填充在該用于形 成波導(dǎo)的孔內(nèi)，其中第一波導(dǎo)膜llla和第二波導(dǎo)膜lllb形成于該孔的 側(cè)壁上。采用上述結(jié)構(gòu)，聚焦在微透鏡109上的對(duì)象光通過(guò)具有相應(yīng)顏色的 濾光片108從第四絕緣膜106d被引導(dǎo)至光學(xué)波導(dǎo)膜111內(nèi)，且通過(guò)光 學(xué)波導(dǎo)膜111被引導(dǎo)至光接收部側(cè)。這里將描述各個(gè)專利文獻(xiàn)1至7。專利文獻(xiàn)1提出了 一種傳統(tǒng)固體圖像捕獲裝置，其中在平坦化膜形成之后，光4妻收部上方的一部分一皮挖掘形成開口 ，且開口內(nèi)部的高折射 率的透明膜多重狀充填以形成光學(xué)波導(dǎo)。該固體圖像捕獲裝置旨在通過(guò) 其光學(xué)波導(dǎo)結(jié)構(gòu)來(lái)提高聚光效率。這里分別具有高折射率的透明膜對(duì)應(yīng) 于圖11中的光學(xué)波導(dǎo)膜111。專利文獻(xiàn)2提出了 一種傳統(tǒng)固體圖像捕獲裝置，其中具有凹透鏡的 層設(shè)置于光接收部和最上表面層之間，井狀挖掘結(jié)構(gòu)設(shè)置于該凹透鏡結(jié) 構(gòu)的底部，且蝕刻停止膜形成于該井狀挖掘結(jié)構(gòu)的底部。這里的蝕刻停止膜對(duì)應(yīng)于圖11中設(shè)置在用于形成波導(dǎo)的孔的底部的停止層110。專利文獻(xiàn)3提出了 一種傳統(tǒng)固體圖像捕獲裝置，該傳統(tǒng)固體圖像捕高其中的聚焦效率。在:結(jié)構(gòu)中，、光學(xué)波導(dǎo)區(qū)域的波導(dǎo)配置有具有不; 折射率的材料，通過(guò)光折射將光引導(dǎo)至光接收部?jī)?nèi)。該光學(xué)波導(dǎo)結(jié)構(gòu)對(duì) 應(yīng)于圖11中的第一光學(xué)波導(dǎo)膜llla、第二光學(xué)波導(dǎo)膜lllb和第三光學(xué) 波導(dǎo)膜lllc。專利文獻(xiàn)4提出了 一種傳統(tǒng)固體圖像捕獲裝置，其具有柱狀單層結(jié) 構(gòu)用作光學(xué)波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，旨在提高聚焦效率和微型化。專利文獻(xiàn)5和6提出了一種傳統(tǒng)固體圖像捕獲裝置，其中在加工光 學(xué)波導(dǎo)結(jié)構(gòu)時(shí)產(chǎn)生的金屬擴(kuò)散引起的晶體缺陷被抑制，從而改善光接收 部的特性。例如，在專利文獻(xiàn)5中所述的傳統(tǒng)固體圖像捕獲裝置的制造 方法中，通過(guò)形成含氫等離子體的氮化硅膜并在氫氣氣氛中執(zhí)行退火工 藝，由此抑制在加工光學(xué)波導(dǎo)結(jié)構(gòu)時(shí)產(chǎn)生的金屬擴(kuò)散引起的晶體缺陷。 此外，蝕刻停止膜也設(shè)置在除了光接收部之外的區(qū)域內(nèi)，從而防止氫滲 入，由此改善光接收部的特性。此外，對(duì)于專利文獻(xiàn)6所披露的傳統(tǒng)固 體圖像捕獲裝置，在光接收部側(cè)的光學(xué)波導(dǎo)區(qū)域的端部與光接收部上的 光接收面之間設(shè)置有預(yù)定間隔。專利文獻(xiàn)7提出了一種傳統(tǒng)固體圖像捕獲裝置，其光學(xué)波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中 設(shè)置有用于釋放應(yīng)力以及減小漏電流和裂縫的空隙。接下來(lái)，圖12至15詳細(xì)地描述，根據(jù)圖11的傳統(tǒng)固體圖像捕獲 裝置100的制造方法的絕緣膜106、接觸插塞105和布線層107的相應(yīng) 制造步驟。圖12至15分別為描述該傳統(tǒng)固體圖像捕獲裝置的制造步驟的俯視圖。如圖12所示，在形成柵電極膜104之后，首先，使用Si02材料例 如BPSG (硼磷硅酸鹽玻璃)與/或高密度等離子體Si〇2 (HDP-Si〇2)在 才冊(cè)電才及膜104上生長(zhǎng)第一絕緣膜106a。第一絕緣膜106a形成，通過(guò)CMP (化學(xué)機(jī)械拋光)來(lái)拋光其表面，主要目的是平坦化以使下一步驟的加 工變得容易。接下來(lái)，在第一絕緣膜106a的表面拋光之后，為了形成第一接觸 插塞105a,光敏抗蝕劑膜涂敷在第一絕緣膜106a上方且被曝光和顯影 以具有預(yù)定圖案化形狀，且以該圖案化抗蝕劑膜為掩模，對(duì)第一絕緣膜 106a執(zhí)行各向異性蝕刻。在蝕刻第一絕緣膜106a之后，通過(guò)金屬濺射 生長(zhǎng)接觸插塞用金屬膜。例如也可以用CVD(化學(xué)氣相沉積)生長(zhǎng)由鴒 制成的金屬插塞用金屬膜。此外，在金屬濺射之前，濺射阻擋金屬膜以 防止與基底硅化。隨后，第一絕緣膜106a的整個(gè)表面被蝕刻以除去第 一絕緣膜106a上的濺射膜，以同時(shí)形成嵌在第一絕緣膜106a的孔內(nèi)的 第一接觸插塞105a。對(duì)第一絕緣膜106a上的整個(gè)金屬表面的該蝕刻例 如可以通過(guò)CMP拋光來(lái)進(jìn)行。圖12為在上述步驟形成的形狀的俯—見圖。 圖12示出不在同一平面上的光電二極管(光接收部102)和柵電極膜 104,這是出于闡明與第一接觸插塞105a的位置關(guān)系的目的。另外，如圖13所示，為了在其上形成有第一接觸插塞105a的該基 板上方形成第一布線107a,通過(guò)金屬賊射生長(zhǎng)金屬膜。隨后，光敏抗蝕 劑膜涂敷在該金屬膜上方且被曝光和顯影以具有預(yù)定圖案化形狀，且以 該圖案化抗蝕劑膜為掩模，對(duì)該金屬膜執(zhí)行各向異性蝕刻。結(jié)果，在其 上形成有笫一接觸插塞105a的該基板上形成具有預(yù)定形狀的第一布線 107a。圖13為通過(guò)上述步驟形成的形狀的俯視圖。圖13還示出與第一 布線107a不在同一平面上的光電二極管(光接收部102)、柵電極膜 104和第一接觸插塞105a,這是出于闡明其間的位置關(guān)系的目的。此外， 第一布線107a示為兩種類型的鄰接帶圖案。隨后，使用Si02材料例如BPSG (硼磷硅酸鹽玻璃)與/或高密度等 離子體Si02 (HDP-Si02)在其上形成有第一布線107a的基板上生長(zhǎng)第 二絕緣膜106b。第二絕緣膜106b形成，通過(guò)CMP (化學(xué)機(jī)械拋光)來(lái) 拋光其表面，主要目的是平坦化以使下一步驟的加工變得容易。在拋光第二絕緣膜106b的表面之后，為了形成第二接觸插塞105b, 光敏抗蝕劑材料涂敷在第二絕緣膜106b上方且被曝光和顯影以具有預(yù)定圖案化形狀，且以該圖案化抗蝕劑膜為掩模，對(duì)第二絕緣膜106b執(zhí) 行各向異性蝕刻。在蝕刻之后，接觸插塞用金屬膜通過(guò)金屬賊射而生長(zhǎng)
在第二絕緣膜106b上。例如也可以用CVD生長(zhǎng)由鎢制成的金屬插塞用 金屬膜。此外，在金屬濺射之前，濺射阻擋金屬膜以防止與基底硅化。 隨后，第二絕緣膜106b的整個(gè)表面被蝕刻以除去第二絕緣膜106b上的 濺射膜，使得嵌在第二絕緣膜106b內(nèi)的第二接觸插塞105b保留。對(duì)第 二絕緣膜106b上的整個(gè)表面的該蝕刻例如也可以通過(guò)CMP拋光來(lái)進(jìn) 行。圖14示出在上述步驟形成的每個(gè)部分的形狀的俯視圖。圖14示出 與第二接觸插塞105b不在同一平面上的光電二^^管(光接收部102 )和 柵電極膜104,這是出于闡明與其的位置關(guān)系的目的。
此外，為了在其上形成有第二接觸插塞105b的基板上方形成第二 布線107b,通過(guò)金屬賊射形成金屬膜。隨后，光敏抗蝕劑膜涂敷在該金 屬膜上方且被曝光和顯影以具有預(yù)定圖案化形狀，且以該圖案化抗蝕劑 膜為掩模，對(duì)該金屬膜執(zhí)行各向異性蝕刻。結(jié)果，在其上形成有第二接 觸插塞105b的基板上形成具有預(yù)定形狀的第二布線107b。圖15為由上 述步驟形成的形狀的俯^L圖。圖15還示出與第二布線107b不在同一平 面上的光電二極管(光接收部102)、柵電極膜104和第二接觸插塞105b, 這是出于闡明其間的位置關(guān)系的目的。此外，第二布線107b示為兩種 類型的鄰接帶圖案。
類似地，第三絕緣膜106c、第三接觸插塞105c、第三布線107c和 第四絕緣膜106d順序形成。
隨后，將成為光學(xué)波導(dǎo)111的開口形成于第四絕緣膜106d和停止 層110之間，該停止層IIO設(shè)置在第一絕緣膜106a表面?zhèn)仍诠饨邮詹?102正上方。形成嵌入該開口 (孔)的光學(xué)波導(dǎo)111 (第一波導(dǎo)膜llla 至第三波導(dǎo)膜lllc)。
隨后，布置用于相應(yīng)顏色的濾光片108、第五絕緣膜106e以及微透 鏡109順序形成，由此制造圖11所示的固體圖像捕獲裝置100。
圖16和17示出上述光學(xué)波導(dǎo)111對(duì)于光線的聚光效果。對(duì)于從微 透鏡109上方入射到圖像捕獲區(qū)域內(nèi)相應(yīng)光接收部102的光線，圖16 示出下述情形，其中光線以垂直方向角度(來(lái)自對(duì)象的光L1)入射到固 體圖像捕獲裝置100的圖像捕獲區(qū)域的中心。此外，圖17還示出下述 情形，其中光線以傾斜方向角度(來(lái)自對(duì)象的光L2 )入射到固體圖像捕獲裝置100的圖像捕獲區(qū)域的周邊。如圖16和17所示，從微透鏡109 上方入射的光線(光L1和L2)在光學(xué)波導(dǎo)lll內(nèi)通過(guò)全反射或折射而 傳播，被引導(dǎo)至光接收部102且高效地聚焦在光接收部102上。
專利文獻(xiàn)1:特開平11-121725號(hào)乂>寺艮
專利文獻(xiàn)2:特開2000-150845號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)3:特開2003-249633號(hào)^H艮
專利文獻(xiàn)4:特開2005-191396號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)5:特開2004-207433號(hào)乂>報(bào)
專利文獻(xiàn)6:特開2005-322824號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)7:特開2005-340498號(hào)7〉寸艮

發(fā)明內(nèi)容
然而，上述傳統(tǒng)固體圖像捕獲裝置存在如下問(wèn)題。參考圖11來(lái)描 述這些問(wèn)題。
需要在光接收部102上方打開一個(gè)用于形成光學(xué)波導(dǎo)111的孔，從 而在光接收部102上方形成光學(xué)波導(dǎo)111用區(qū)域。然而，由于光學(xué)波導(dǎo) 111傳統(tǒng)上鄰近光接收部102的正上方，因此在加工光學(xué)波導(dǎo)用孔時(shí)， 光接收部102遭受蝕刻損傷，由此導(dǎo)致使圖像質(zhì)量特性劣化的問(wèn)題。
盡管高折射率材料和低折射率材料被使用以獲得光學(xué)波導(dǎo)111到光 接收部102的出色的聚光效果和光傳播效果，但仍存在由于這些材料中 包含的雜質(zhì)的擴(kuò)散所引起的圖像質(zhì)量特性劣化的問(wèn)題。
此外，由于使用多種高折射率材料和低折射率材料形成多層膜以獲 得光學(xué)波導(dǎo)111到光接收部102的出色的聚光效果和光傳播效果，出現(xiàn) 由于應(yīng)力導(dǎo)致的漏電流和裂縫，由此也導(dǎo)致圖像質(zhì)量特性劣化的問(wèn)題。
因此，傳統(tǒng)固體圖像捕獲裝置通過(guò)加工用于形成光學(xué)波導(dǎo)的孔來(lái)改 善聚光效果，這樣的代價(jià)是遭受圖像質(zhì)量特性的劣化。
本發(fā)明解決了如上所述的這些傳統(tǒng)問(wèn)題。本發(fā)明的目的是提供一種 固體圖像捕獲裝置，其通過(guò)光學(xué)波導(dǎo)能夠獲得出色的聚光效果和光傳播 效果，而沒有傳統(tǒng)的蝕刻損傷、由于膜材料的雜質(zhì)引起的污染、或者由 于多層的應(yīng)力導(dǎo)致的圖像質(zhì)量特性劣化； 一種固體圖像捕獲裝置的制造 方法，其能夠與除了用于形成波導(dǎo)的孔的加工步驟之外的傳統(tǒng)加工步驟 相組合以有效地形成光學(xué)波導(dǎo)區(qū)域，而不加工用于形成波導(dǎo)的孔；以及一種電子信息裝置(例如數(shù)碼相機(jī)、裝備有相機(jī)的蜂窩電話裝置等)， 其使用該固體圖像捕獲裝置作為圖像捕獲部。
提供了根據(jù)本發(fā)明的一種固體圖像捕獲裝置，由此實(shí)現(xiàn)上述目的， 其中多層導(dǎo)電膜通過(guò)相應(yīng)絕緣膜來(lái)形成，且光學(xué)波導(dǎo)形成于光接收部上 方，多個(gè)光接收部設(shè)置于半導(dǎo)體基板的頂面部分內(nèi)，且該多層導(dǎo)電膜形 成于該光接收部正上方的區(qū)域之外的區(qū)域上，其中使用與該多層導(dǎo)電膜 至少之一相同的材料形成作為該光學(xué)波導(dǎo)的多層光學(xué)波導(dǎo)管。
提供了根據(jù)本發(fā)明的一種固體圖像捕獲裝置，由此實(shí)現(xiàn)上述目的， 其中多層導(dǎo)電膜通過(guò)相應(yīng)絕緣膜來(lái)形成且光學(xué)波導(dǎo)形成于光接收部上 方，多個(gè)光接收部設(shè)置于半導(dǎo)體基板的頂面部分內(nèi)，該多層導(dǎo)電膜形成 于該光接收部正上方的區(qū)域之外的區(qū)域上，其中使用與該導(dǎo)電膜、或者 該多層導(dǎo)電膜的導(dǎo)電膜之間的接觸插塞以及電連接于該半導(dǎo)體基板和 該導(dǎo)電膜之間與/或該導(dǎo)電膜之間的該接觸插塞相同的材料形成作為該 光學(xué)波導(dǎo)的單層或多層光學(xué)波導(dǎo)管。
優(yōu)選地，在根據(jù)本發(fā)明的固體圖像捕獲裝置中，該半導(dǎo)體基板和該 導(dǎo)電層之間以及該多層導(dǎo)電膜之間至少之一是通過(guò)由導(dǎo)電材料制成的 接觸插塞來(lái)電連接的，且該多層光學(xué)波導(dǎo)管部至少之一是使用與該接觸 插塞相同的材料形成。
優(yōu)選地，在根據(jù)本發(fā)明的固體圖像捕獲裝置中，柵電極膜形成為鄰 接該光接收部，該半導(dǎo)體基板和該導(dǎo)電膜之間、該柵電極膜和該導(dǎo)電膜 之間以及該多層導(dǎo)電膜之間至少之一是通過(guò)由導(dǎo)電材料制成的接觸插 塞來(lái)電連接的，其中該多層光學(xué)波導(dǎo)管部至少之 一 是使用與該接觸插塞 相同的材料形成。
優(yōu)選地，在根據(jù)本發(fā)明的固體圖像捕獲裝置中，該多層光學(xué)波導(dǎo)管 是通過(guò)順序?qū)盈B該光學(xué)波導(dǎo)管部而構(gòu)成的，該光學(xué)波導(dǎo)管部與每個(gè)該多 層導(dǎo)電膜和該接觸插塞同時(shí)形成。
優(yōu)選地，在根據(jù)本發(fā)明的固體圖像捕獲裝置中，該多層光學(xué)波導(dǎo)管 是通過(guò)順序?qū)盈B該光學(xué)波導(dǎo)管部而構(gòu)成的，該光學(xué)波導(dǎo)管部與每個(gè)順序 層疊的多層導(dǎo)電膜和該接觸插塞同時(shí)形成。
優(yōu)選地，在根據(jù)本發(fā)明的固體圖像捕獲裝置中，導(dǎo)電膜至少為該布 線膜的布線膜以及遮光膜。
優(yōu)選地，在根據(jù)本發(fā)明的固體圖像捕獲裝置中，該導(dǎo)電膜為金屬膜。優(yōu)選地，在根據(jù)本發(fā)明的固體圖像捕獲裝置中，該導(dǎo)電膜是由銅、 銀、鋁和鴒的至少一種或者其合金制成。
優(yōu)選地，在根據(jù)本發(fā)明的固體圖像捕獲裝置中，該接觸插塞是由與 該導(dǎo)電膜相同的材料制成，或者該接觸插塞是由與該導(dǎo)電膜不同的材料 制成。
優(yōu)選地，在根據(jù)本發(fā)明的固體圖像捕獲裝置中，至少該光學(xué)波導(dǎo)管 的該多層光學(xué)波導(dǎo)管部的內(nèi)周面對(duì)準(zhǔn)。
優(yōu)選地，在根據(jù)本發(fā)明的固體圖像捕獲裝置中，該光學(xué)波導(dǎo)管的該 多層光學(xué)波導(dǎo)管部的外周面不對(duì)準(zhǔn)。
優(yōu)選地，在根據(jù)本發(fā)明的固體圖像捕獲裝置中，每個(gè)該光學(xué)波導(dǎo)管 部調(diào)整為同 一 層內(nèi)的該導(dǎo)電膜和該接觸插塞的尺寸。
優(yōu)選地，在根據(jù)本發(fā)明的固體圖像捕獲裝置中，在平面圖中，該光 學(xué)波導(dǎo)管的內(nèi)周是圓形或橢圓形，且該光學(xué)波導(dǎo)管的外周是圓形、橢圓 形、方形或矩形。
優(yōu)選地，在根據(jù)本發(fā)明的固體圖像捕獲裝置中，越靠近該光學(xué)波導(dǎo) 管的開口，該光學(xué)波導(dǎo)管的內(nèi)周面變得越寬。
優(yōu)選地，在根據(jù)本發(fā)明的固體圖像捕獲裝置中，錐形(taper)形成 于該光學(xué)波導(dǎo)管的開口。
優(yōu)選地，在根據(jù)本發(fā)明的固體圖像捕獲裝置中，該光學(xué)波導(dǎo)管用作 與信號(hào)讀取電路一起被設(shè)置的電源線、控制線、時(shí)鐘線和信號(hào)線之一的 一部分。
優(yōu)選地，在根據(jù)本發(fā)明的固體圖像捕獲裝置中，該光學(xué)波導(dǎo)管的該 多層光學(xué)波導(dǎo)管部除了用作信號(hào)讀取電路的布線之外，還用作設(shè)置于該 信號(hào)讀取電路內(nèi)的電源線、控制線、時(shí)鐘線和信號(hào)線之一的一部分。
優(yōu)選地，在根據(jù)本發(fā)明的固體圖像捕獲裝置中，該光學(xué)波導(dǎo)管部的 一層或多層通過(guò)絕緣膜與另一鄰接光學(xué)波導(dǎo)管部絕緣，該絕緣膜盡可能 足夠薄以絕緣每條布線以及與該信號(hào)讀取電路一起被設(shè)置的電源線、控 制線、時(shí)鐘線和信號(hào)線，該信號(hào)讀取電路的布線也用于該光學(xué)波導(dǎo)管部。
優(yōu)選地，在根據(jù)本發(fā)明的固體圖像捕獲裝置中，該絕緣膜為形成于 導(dǎo)電膜和不同于該導(dǎo)電膜的另 一導(dǎo)電膜之間的層間絕緣膜。
優(yōu)選地，在根據(jù)本發(fā)明的固體圖像捕獲裝置中，濾光片設(shè)置于該絕 緣膜的最上層上，使得相應(yīng)顏色對(duì)應(yīng)于每個(gè)該光接收部，且在形成微透鏡之前，平坦化膜形成于該濾光片上，以及微透鏡形成于該平坦化膜上 以^于應(yīng)于每個(gè)該光4妻收部。
提供了根據(jù)本發(fā)明的 一種固體圖像捕獲裝置的制造方法，由此實(shí)現(xiàn) 上述目的，通過(guò)相應(yīng)絕緣膜形成多層導(dǎo)電膜，以及在光接收部上方形成 光學(xué)波導(dǎo)，多個(gè)光接收部二維地設(shè)置于半導(dǎo)體基板的頂面部分內(nèi)，且該
括:一導(dǎo)電膜/光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟，在加工,單層導(dǎo)電膜i該多層導(dǎo)電膜
至少之一的同時(shí)，使用與該單層導(dǎo)電膜或者該多層導(dǎo)電膜相同的材料形 成光學(xué)波導(dǎo)管部，該光學(xué)波導(dǎo)管部構(gòu)成該光學(xué)波導(dǎo)的一部分。
優(yōu)選地，在根據(jù)本發(fā)明的固體圖像捕獲裝置的制造方法中，該半導(dǎo) 體基板和該導(dǎo)電膜之間以及該多層導(dǎo)電膜之間至少之一是通過(guò)由導(dǎo)電
材料制成的接觸插塞來(lái)電連接的，該方法還包括接觸插塞/光學(xué)波導(dǎo)管 部形成步驟，在加工和形成該接觸插塞的同時(shí)， -使用與該接觸插塞相同 的材料形成光學(xué)波導(dǎo)管部。
優(yōu)選地，在根據(jù)本發(fā)明的固體圖像捕獲裝置的制造方法中，柵電極 膜形成為鄰接該光接收部，且該半導(dǎo)體基板和該導(dǎo)電膜之間以及該多層 導(dǎo)電膜之間至少之一是通過(guò)由導(dǎo)電材料制成的接觸插塞來(lái)電連接的，該 方法還包括接觸插塞/光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟，在加工和形成該接觸插 塞的同時(shí)，使用與該接觸插塞相同的材料形成光學(xué)波導(dǎo)管部。
優(yōu)選地，根據(jù)本發(fā)明的一種固體圖像捕獲裝置的制造方法包括第 一絕緣膜形成步驟，在該半導(dǎo)體基板上形成第一絕緣膜，該半導(dǎo)體基板 在其表面部分內(nèi)二維地形成有多個(gè)光接收部；第 一接觸插塞/第 一光學(xué)波 導(dǎo)管部形成步驟，在該第一絕緣膜內(nèi)同時(shí)形成第一接觸插塞和第一光學(xué) 波導(dǎo)管部；以及第一布線膜/第二光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟，在其中形成有 該第一接觸插塞和該第一光學(xué)波導(dǎo)管部的該第一絕緣膜上形成第一布 線膜和第二光學(xué)波導(dǎo)管部。
優(yōu)選地，根據(jù)本發(fā)明的一種固體圖像捕獲裝置的制造方法包括第 一絕緣膜形成步驟，在該半導(dǎo)體基板上形成第一絕緣膜，該半導(dǎo)體基板 在其表面部分內(nèi)二維地形成有多個(gè)光接收部；第一接觸插塞形成步驟， 在該第一絕緣膜內(nèi)形成第一接觸插塞；以及第一布線膜/第二光學(xué)波導(dǎo)管 部形成步驟，在其中形成有該第 一接觸插塞的該第 一絕緣膜上同時(shí)形成 第一布線膜和第二光學(xué)波導(dǎo)管部。優(yōu)選地，在根據(jù)本發(fā)明的一種固體圖像捕獲裝置的制造方法中，該 第一接觸插塞/第一光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟包括第一抗蝕劑膜形成步 驟，圖案化該第 一絕緣膜內(nèi)的第 一抗蝕劑膜以具有與該第 一接觸插塞和該第一光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的形狀；第一凹部形狀形成步驟，使用該第 一抗蝕劑膜為掩;t莫，在該第一絕緣膜內(nèi)加工形成與該第一接觸插塞和該 第一光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的第一凹部形狀；第一金屬膜涂敷步驟，在其 中形成有該第 一凹部形狀的該第 一絕緣膜上涂敷第 一金屬膜；以及除去 整個(gè)第 一絕緣膜上的該第 一金屬膜的步驟，使得該第 一金屬膜保留在該 第一凹部?jī)?nèi)，以在該第一凹部?jī)?nèi)形成該第一4妻觸插塞和該第一光學(xué)波導(dǎo)管部。優(yōu)選地，在根據(jù)本發(fā)明的一種固體圖像捕獲裝置的制造方法中，該 第一接觸插塞形成步驟包括第一抗蝕劑膜形成步驟，圖案化該第一絕 緣膜上的第 一抗蝕劑膜以具有與該笫 一接觸插塞相對(duì)應(yīng)的形狀；第 一凹 部形狀形成步驟，使用該第一抗蝕劑膜為掩;漢，在該第一絕緣膜內(nèi)加工 形成與該第 一接觸插塞相對(duì)應(yīng)的第 一 凹部形狀；第 一金屬膜涂敷步驟， 在其中形成有該第 一 凹部形狀的該第 一絕緣膜內(nèi)涂敷第 一金屬膜；以及 除去整個(gè)第一絕緣膜上的該第一金屬膜的步驟，使得該第一金屬膜保留 在該第一凹部?jī)?nèi)，以在該第一凹部?jī)?nèi)形成該第一接觸插塞。優(yōu)選地，在根據(jù)本發(fā)明的一種固體圖像捕獲裝置的制造方法中，該 第一布線膜/第二光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟包括第二金屬膜涂敷步驟，在 其中形成有該第 一接觸插塞和該第 一光學(xué)波導(dǎo)管部的該第 一絕緣膜上 涂敷第二金屬膜；第二抗蝕劑膜形成步驟，圖案化該第二金屬膜上的第 二抗蝕劑膜以具有與該第一布線和該第二光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的形狀； 以及使用該第二抗蝕劑膜為掩模，由該第二金屬膜形成該第一布線和該 第二光學(xué)波導(dǎo)管部的步驟。優(yōu)選地，在根據(jù)本發(fā)明的一種固體圖像捕獲裝置的制造方法中，該 第一凹部形狀為用于該第一接觸插塞的凹部形狀和用于該第一光學(xué)波 導(dǎo)管部的凹部形狀。優(yōu)選地，根據(jù)本發(fā)明的一種固體圖像捕獲裝置的制造方法包括第 二絕緣膜形成步驟，在其上形成有該第一布線和該第二光學(xué)波導(dǎo)管部的 該基板上形成第二絕緣膜；第二接觸插塞/第三光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟， 在該第二絕緣膜內(nèi)形成第二接觸插塞和第三光學(xué)波導(dǎo)管部；以及第二布線/第四光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟，在其中形成有該第二接觸插塞和該第三 光學(xué)波導(dǎo)管部的該第二絕緣膜上同時(shí)形成第二布線和第四光學(xué)波導(dǎo)管部。優(yōu)選地，在根據(jù)本發(fā)明的一種固體圖像捕獲裝置的制造方法中，該 第二接觸插塞/第三光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟包括第三抗蝕劑膜形成步 驟，圖案化該第二絕緣膜上的第三抗蝕劑膜以具有與該第二接觸插塞和該第三光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的形狀；第二凹部形狀形成步驟，使用該第三抗蝕劑膜為掩模，在該第二絕緣膜內(nèi)加工形成與該第二接觸插塞和該第三光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的第二凹部形狀；第三金屬膜涂敷步驟，在其 中形成有該第二凹部形狀的該第二絕緣膜內(nèi)涂敷第三金屬膜；以及除去 整個(gè)第二絕緣膜上的該第三金屬膜的步驟，使得該第三金屬膜保留在該第二凹部?jī)?nèi)，以在相應(yīng)第二凹部?jī)?nèi)形成該第二^妻觸插塞和該第三光學(xué)波 導(dǎo)管部。優(yōu)選地，在根據(jù)本發(fā)明的一種固體圖像捕獲裝置的制造方法中，該 第二布線/第四光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟包括第四金屬膜涂敷步驟，在其中形成有該第二接觸插塞和該第三光學(xué)波導(dǎo)管部的該基板上涂敷第四 金屬膜；第四抗蝕劑膜形成步驟，圖案化該第四金屬膜上的第四抗蝕劑 膜以具有與該第二布線和該第四光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的形狀；以及使用 該第四抗蝕劑膜為掩才莫，由該第四金屬膜形成該第二布線和該第四光學(xué) 波導(dǎo)管部的步驟。優(yōu)選地，在根據(jù)本發(fā)明的一種固體圖像捕獲裝置的制造方法中，該 第二凹部形狀為用于該第二接觸插塞的凹部形狀和用于該第三光學(xué)波 導(dǎo)管部的凹部形狀。優(yōu)選地，根據(jù)本發(fā)明的一種固體圖像捕獲裝置的制造方法包括第 三絕緣膜形成步驟，在其上形成有該第二布線和該第四光學(xué)波導(dǎo)管部的 該基板上形成第三絕緣膜；第三接觸插塞/第五光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟， 在該第三絕緣膜內(nèi)同時(shí)形成第三接觸插塞和第五光學(xué)波導(dǎo)管部；以及第 三布線/第六光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟，在其中形成有該第三接觸插塞和該 第五光學(xué)波導(dǎo)管部的該第三絕緣膜上形成第三布線和第六光學(xué)波導(dǎo)管 部。優(yōu)選地，在根據(jù)本發(fā)明的一種固體圖像捕獲裝置的制造方法中，該 第三接觸插塞/第五光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟包括第五抗蝕劑膜形成步驟，圖案化該第三絕緣膜上的第五抗蝕劑膜以具有與該第三接觸插塞和 該第五光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的形狀；第三凹部形狀形成步驟，使用該第 五抗蝕劑膜為掩模，在該第三絕緣膜內(nèi)加工形成與該第三接觸插塞和該 第五光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的第三凹部形狀；第五金屬膜涂敷步驟，在其上形成有該第三凹部形狀的該基板上涂敷第五金屬膜；以及除去整個(gè)第三絕緣膜上的該第五金屬膜的步驟，使得該第五金屬膜保留在第三凹部 內(nèi)，以在相應(yīng)第三凹部?jī)?nèi)形成該笫三接觸插塞和該第五光學(xué)波導(dǎo)管部。 優(yōu)選地，在根據(jù)本發(fā)明的一種固體圖像捕獲裝置的制造方法中，該第三布線/第六光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟包括第六金屬膜涂敷步驟，在其 中形成有該第三接觸插塞和該第五光學(xué)波導(dǎo)管部的該基板上涂敷第六 金屬膜；第六抗蝕劑膜形成步驟，圖案化該第六金屬膜內(nèi)的第六抗蝕劑 膜以具有與該第三布線和該第六光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的形狀；以及使用 該第六抗蝕劑膜為掩模，由該第六金屬膜形成該第三布線和該第六光學(xué) 波導(dǎo)管部的步驟。優(yōu)選地，在根據(jù)本發(fā)明的一種固體圖像捕獲裝置的制造方法中，該 第三凹部形狀為用于該第三接觸插塞的凹部形狀和用于該第五光學(xué)波 導(dǎo)管部的凹部形狀。優(yōu)選地，根據(jù)本發(fā)明的一種固體圖像捕獲裝置的制造方法包括第 N (N為大于或等于2的整數(shù))絕緣膜形成步驟，在其上形成有該第一 布線和該第二光學(xué)波導(dǎo)管部的該基板上形成第N絕緣膜；第N接觸插 塞/第2N-1光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟，在該第N絕緣膜內(nèi)同時(shí)形成第N接 觸插塞和第2N-1光學(xué)波導(dǎo)管部；以及第N布線/第2N光學(xué)波導(dǎo)管部形 成步驟，在其中形成有該第N接觸插塞和該第2N-1光學(xué)波導(dǎo)管部的該 基板上形成第N布線和第2N光學(xué)波導(dǎo)管部。優(yōu)選地，在根據(jù)本發(fā)明的一種固體圖像捕獲裝置的制造方法中，該 第N接觸插塞/第2N-1光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟包括第2N-1抗蝕劑膜 形成步驟，圖案化該第N絕緣膜上的第2N-1抗蝕劑膜以具有與第N接 觸插塞和第2N-1光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的形狀；第N凹部形狀形成步驟， 使用該第2N-1抗蝕劑膜為掩模，在該第N絕緣膜內(nèi)加工形成與該第N 接觸插塞和該第2N-1光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的第N凹部形狀；第2N-1金 屬膜涂敷步驟，在其中形成有該第N凹部形狀的該基板上涂敷第2N-1 金屬膜；以及除去整個(gè)第N絕緣膜上的該第2N-1金屬膜的步驟，使得該第2N-1金屬膜保留在該第N凹部?jī)?nèi)，以在相應(yīng)第N凹部?jī)?nèi)形成該第 N接觸插塞和該第2N-1光學(xué)波導(dǎo)管部。優(yōu)選地，在根據(jù)本發(fā)明的一種固體圖像捕獲裝置的制造方法中，該 第N布線/第2N光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟包括第2N金屬膜涂敷步驟， 在其中形成有該第N接觸插塞和該第2N-1光學(xué)波導(dǎo)管部的該基板上涂 敷第2N金屬膜；第2N抗蝕劑膜形成步驟，圖案化該第2N金屬膜上的 第2N抗蝕劑膜以具有與該第N布線和該第2N光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的 形狀；以及使用該第2N抗蝕劑膜為掩^t,由該第2N金屬膜形成該第N 布線和該第2N光學(xué)波導(dǎo)管部的步驟。優(yōu)選地，根據(jù)本發(fā)明的一種固體圖像捕獲裝置的制造方法包括第 一絕緣膜形成步驟，在該半導(dǎo)體基板上形成第一絕緣膜，該半導(dǎo)體基板 在其表面部分內(nèi)二維地形成有多個(gè)光接收部；以及第一布線/第一光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟，在該第一絕緣膜內(nèi)形成第一布線和第一光學(xué)波導(dǎo)管部。優(yōu)選地，在根據(jù)本發(fā)明的一種固體圖像捕獲裝置的制造方法中，該 第一布線/第一光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟包括第一抗蝕劑膜形成步驟，圖 案化該第 一絕緣膜內(nèi)的第 一抗蝕劑膜以具有與第 一接觸插塞和部分的 第一光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的形狀；第一凹部形狀形成步驟，使用該第一 抗蝕劑膜為掩模，在該第 一 絕緣膜內(nèi)加工形成與該第 一 接觸插塞和該部 分的第一光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的第一凹部形狀；第二抗蝕劑膜形成步 驟，圖案化該第 一絕緣膜上的第二抗蝕劑膜以具有與和該第 一接觸插塞 整合的該第一布線以及和該部分的第一光學(xué)波導(dǎo)管部整合的該第一光 學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的形狀；第二凹部形狀形成步驟，使用該第二抗蝕劑 膜為掩模，在該第一絕緣膜內(nèi)加工形成與該第一布線和該第一光學(xué)波導(dǎo) 管部相對(duì)應(yīng)的第二凹部形狀；第一金屬膜涂敷步驟，在其中形成有該第 二凹部形狀的該第一絕緣膜上涂敷第一金屬膜；以及除去整個(gè)第一絕緣膜上的該第一金屬膜的步驟，使得該第一金屬膜保留在凹部?jī)?nèi)，以在相 應(yīng)凹部?jī)?nèi)形成該第一布線和該第一光學(xué)波導(dǎo)管部。優(yōu)選地，在根據(jù)本發(fā)明的一種固體圖像捕獲裝置的制造方法中，該 第一布線/第一光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟包括第一抗蝕劑膜形成步驟，圖 案化該第 一 絕緣膜上的第 一 抗蝕劑膜以具有與該第 一 接觸插塞相對(duì)應(yīng) 的形狀；笫一凹部形狀形成步驟，使用該第一抗蝕劑膜為掩模，在該第一絕緣膜內(nèi)加工形成與該第 一接觸插塞相對(duì)應(yīng)的第 一 凹部形狀；第二抗 蝕劑膜形成步驟，圖案化該第一絕緣膜上的第二抗蝕劑膜以具有與和該 第 一接觸插塞整合的該第 一 布線以及該第 一 光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的形 狀；第二凹部形狀形成步驟，使用該第二抗蝕劑膜為掩模，在該第一絕 緣膜內(nèi)加工形成與該第一布線和該第一光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的第二凹部形狀；第一金屬膜涂敷步驟，在其中形成有該第二凹部形狀的該第一 絕緣膜上涂敷第一金屬膜；以及除去整個(gè)第一絕緣膜上的該第一金屬膜的步驟，使得該第一金屬膜保留在凹部?jī)?nèi)，以在相應(yīng)凹部?jī)?nèi)形成該第一 布線和該第一光學(xué)波導(dǎo)管部。優(yōu)選地，根據(jù)本發(fā)明的一種固體圖像捕獲裝置的制造方法包括第 二絕緣膜形成步驟，在其中設(shè)置有該第一布線和該第一光學(xué)波導(dǎo)管部的 該第一絕緣膜上形成第二絕緣膜；以及第二布線/第二光學(xué)波導(dǎo)管部形成 步驟，在該第二絕緣膜內(nèi)形成第二布線和第二光學(xué)波導(dǎo)管部。優(yōu)選地，在根據(jù)本發(fā)明的一種固體圖像捕獲裝置的制造方法中，該 第二布線/第二光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟包括第三抗蝕劑膜形成步驟，圖 案化該第二絕緣膜上的第三抗蝕劑膜以具有與第二接觸插塞和部分的 第二光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的形狀；第三凹部形狀形成步驟，使用該第三 抗蝕劑膜為掩模，在該第二絕緣膜內(nèi)加工形成與該第二接觸插塞和該部 分的第三光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的第三凹部形狀；第四抗蝕劑膜形成步 驟，圖案化該第二絕緣膜上的笫四抗蝕劑膜以具有與和該第二接觸插塞 整合的該第二布線以及和該部分的第二光學(xué)波導(dǎo)管部整合的該第二光 學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的形狀；第四凹部形狀形成步驟，使用該第四抗蝕劑 膜為掩^t,在該第二絕緣膜內(nèi)加工形成與該第二布線和該第二光學(xué)波導(dǎo) 管部相對(duì)應(yīng)的第四凹部形狀；第二金屬膜涂敷步驟，在其中形成有該第 四凹部形狀的該第二絕緣膜上涂敷第二金屬膜；以及除去整個(gè)第二絕緣 膜上的該第二金屬膜的步驟，使得該第二金屬膜保留在凹部?jī)?nèi)，以在相 應(yīng)凹部?jī)?nèi)形成該第二布線和該第二光學(xué)波導(dǎo)管部。優(yōu)選地，根據(jù)本發(fā)明的一種固體圖像捕獲裝置的制造方法包括第 三絕緣膜形成步驟，在設(shè)置有該第二布線和該第二光學(xué)波導(dǎo)管部的該第 二絕緣膜上形成第三絕緣膜；以及第三布線/第三光學(xué)波導(dǎo)管部形成步 驟，在該第三絕緣膜內(nèi)形成第三布線和第三光學(xué)波導(dǎo)管部。優(yōu)選地，在根據(jù)本發(fā)明的一種固體圖像捕獲裝置的制造方法中，該第三布線/第三光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟包括第五抗蝕劑膜形成步驟，圖 案化該第三絕緣膜內(nèi)的第五抗蝕劑膜以具有與第三接觸插塞和部分的第三光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的形狀；第五凹部形狀形成步驟，使用該第五抗蝕劑膜為掩模，在該第三絕緣膜內(nèi)加工形成與該第三接觸插塞和該部分的第三光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的第五凹部形狀；第六抗蝕劑膜形成步 驟，圖案化該第三絕緣膜上的第六抗蝕劑膜以具有與和該第三接觸插塞 整合的該第三布線以及和該部分的第三光學(xué)波導(dǎo)管部整合的該第三光 學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的形狀；第六凹部形狀形成步驟，使用該第六抗蝕劑 膜為掩模，在該第三絕緣膜內(nèi)加工形成與該第三布線和該第三光學(xué)波導(dǎo) 管部相對(duì)應(yīng)的第六凹部形狀；第三金屬膜涂敷步驟，在其中形成有該第 六凹部形狀的該第三絕緣膜上涂敷第三金屬膜；以及除去整個(gè)第三絕緣膜上的該第三金屬膜的步驟，使得該第三金屬膜保留在凹部?jī)?nèi)，以在相 應(yīng)凹部?jī)?nèi)形成該第三布線和該第三光學(xué)波導(dǎo)管部。優(yōu)選地，根據(jù)本發(fā)明的一種固體圖像捕獲裝置的制造方法包括第 N (N為大于或等于2的整數(shù))絕緣膜形成步驟，在設(shè)置有第N-l布線 和第N-l光學(xué)波導(dǎo)管部的第N-l絕緣膜上形成第N絕緣膜；以及第N 布線/第N光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟，在第N絕緣膜內(nèi)形成第N布線和第 N光學(xué)波導(dǎo)管部。優(yōu)選地，在根據(jù)本發(fā)明的一種固體圖像捕獲裝置的制造方法中，該 第N布線/第N光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟包括第2N-1抗蝕劑膜形成步驟， 圖案化該第N絕緣膜上的笫2N-1抗蝕劑膜以具有與第N接觸插塞和部 分的第N光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的形狀；笫2N-1凹部形狀形成步驟，使 用該第2N-1抗蝕劑膜為掩模，在該第N絕緣膜內(nèi)加工形成與該第N接 觸插塞和該部分的第N光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的第2N-1凹部形狀；第2N 抗蝕劑膜形成步驟，圖案化該第N絕緣膜內(nèi)的第2N抗蝕劑膜以具有與 和該第N接觸插塞整合的第N布線以及和該部分的第N光學(xué)波導(dǎo)管部 整合的第N光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的形狀；第2N凹部形狀形成步驟，使 用該第2N抗蝕劑膜為掩才莫，在該第N絕緣膜內(nèi)加工形成與該第N布線 和該第N光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的第2N凹部形狀；第N金屬膜涂敷步驟， 在其中形成有該第2N-1凹部形狀和該第2N凹部形狀的該第N絕緣膜 上涂敷第N金屬膜；以及除去整個(gè)第N絕緣膜上的該第N金屬膜的步 驟，4吏得該第N金屬膜保留在凹部?jī)?nèi)，以在相應(yīng)凹部?jī)?nèi)形成該第N布線和該第N光學(xué)波導(dǎo)管部。優(yōu)選地，根據(jù)本發(fā)明的 一種固體圖像捕獲裝置的制造方法還包括 第N+l絕緣膜形成步驟，在其上形成有該第N布線和該第2N光學(xué)波導(dǎo) 管部的該基板上形成第N+l絕緣膜；濾光片形成步驟，在該第N+l絕 緣膜上形成布置用于相應(yīng)顏色的濾光片；第N+2絕緣膜形成步驟，在該 濾光片上形成第N+2絕緣膜；以及微透鏡形成步驟，在該第N+2絕緣 膜上形成微透鏡。提供了根據(jù)本發(fā)明的一種固體圖像捕獲裝置的制造方法，由此實(shí)現(xiàn) 上述目的，通過(guò)相應(yīng)絕緣膜形成多層導(dǎo)電膜，以及在光接收部上方形成 光學(xué)波導(dǎo)，多個(gè)光接收部二維地設(shè)置于半導(dǎo)體基板的頂面部分內(nèi)，且該括接觸插塞/第一光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟，在加工和形成該接觸插塞的 同時(shí)，使用與該接觸插塞相同的材料形成光學(xué)波導(dǎo)管部，該第一光學(xué)波 導(dǎo)管部構(gòu)成該光學(xué)波導(dǎo)的一部分，且該接觸插塞電連接在該半導(dǎo)體基板 和多層導(dǎo)電膜之間以及該多層導(dǎo)電膜之間的至少之一 。優(yōu)選地，根據(jù)本發(fā)明的一種固體圖像捕獲裝置的制造方法包括導(dǎo) 電膜/第二光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟，在形成多層導(dǎo)電膜至少之一或單層導(dǎo) 電膜的同時(shí)，形成第二光學(xué)波導(dǎo)管部以將其層疊在該第一光學(xué)波導(dǎo)管部 上，該第二光學(xué)波導(dǎo)管部使用與該導(dǎo)電膜相同的材料形成，且該第二光 學(xué)波導(dǎo)管部構(gòu)成該光學(xué)波導(dǎo)的一部分。優(yōu)選地，在根據(jù)本發(fā)明的一種固體圖像捕獲裝置的制造方法中，該 接觸插塞/第一光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟包括第一絕緣膜形成步驟，在該 半導(dǎo)體基板上形成第一絕緣膜；第一接觸插塞形成步驟，在該第一絕緣 膜內(nèi)形成第一接觸插塞；第一布線膜形成步驟，在其中形成有該第一接 觸插塞的該第一絕緣膜上形成第一布線；第二絕緣膜形成步驟，在其上 形成有該第 一布線的該基板上形成第二絕緣膜；以及第二接觸插塞/第一 光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟，在該第二絕緣膜內(nèi)形成第二接觸插塞，且同時(shí) 在該第二絕緣膜和該第 一絕緣膜內(nèi)或者僅在該第二絕緣膜內(nèi)形成第一 光學(xué)波導(dǎo)管部。優(yōu)選地，在根據(jù)本發(fā)明的一種固體圖像捕獲裝置的制造方法中，該 接觸插塞/第一光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟包括第一絕緣膜形成步驟，在該 半導(dǎo)體基板上形成第一絕緣膜；第一接觸插塞形成步驟，在該第一絕緣膜內(nèi)形成第一接觸插塞；第一布線膜形成步驟，在其中形成有該第一接觸插塞的該第一絕緣膜上形成第一布線膜；第二絕緣膜形成步驟，在其 上形成有該第 一布線的該基板上形成第二絕緣膜；第二接觸插塞形成步 驟，在該第二絕緣膜內(nèi)形成笫二接觸插塞；第二布線膜形成步驟，在其 中形成有該第二接觸插塞的該第二絕緣膜上形成第二布線；第三絕緣膜 形成步驟，在其上形成有該第二布線的該基板上形成第三絕緣膜；以及 第三接觸插塞/第 一光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟，在第三接觸插塞形成于該第 三絕緣膜內(nèi)的同時(shí)，在該第三絕緣膜、該第二絕緣膜和該第一絕緣膜內(nèi) 或者僅在該第三絕緣膜和該第二絕緣膜內(nèi)形成第 一 光學(xué)波導(dǎo)管部。優(yōu)選地，在根據(jù)本發(fā)明的一種固體圖像捕獲裝置的制造方法中，該 導(dǎo)電膜/第二光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟包括第二布線形成步驟，在其中形 成有該第二接觸插塞和該第一光學(xué)波導(dǎo)管部的該第二絕緣膜上形成第二布線；第三絕緣膜形成步驟，在其上形成有該第二布線的該基板上形 成第三絕緣膜；第三接觸插塞/第二光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟，在該第三絕 緣膜內(nèi)形成笫三接觸插塞和部分的第二光學(xué)波導(dǎo)管部；以及第三布線/ 第二光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟，在其中形成有該第三接觸插塞和該部分的 第二光學(xué)波導(dǎo)管部的該第三絕緣膜上形成第三布線和其余的第二光學(xué) 波導(dǎo)管部。根據(jù)本發(fā)明的一種電子信息裝置，使用如上所述的根據(jù)本發(fā)明的固 體圖像捕獲裝置作為圖像捕獲部，由此實(shí)現(xiàn)上述目的。 具有上述結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的功能在下文描述。傳統(tǒng)上，微透鏡的聚光效率大幅影響光接收靈敏度，且因此微透鏡 和相應(yīng)光接收部之間的距離應(yīng)短于其預(yù)定距離范圍，以保證良好的聚光 效率。如果微透鏡和光接收部之間的距離大于該預(yù)定距離范圍，則光將 通過(guò)微透鏡聚焦在期望的位置，且光學(xué)波導(dǎo)管用于把該光高效地導(dǎo)向至 光接收部。如果光學(xué)波導(dǎo)管形成于光接收部上方，則分別需要該光學(xué)波 導(dǎo)管的形成步驟以及用于該步驟的材料。例如需要加工用于形成光學(xué) 波導(dǎo)的孔的步驟；在該用于形成光學(xué)波導(dǎo)的孔內(nèi)層疊兩種光學(xué)波導(dǎo)材料 (成多層膜)用于反射或折射的步驟；通過(guò)蝕刻除去該層疊多層膜的底 部并在該孔內(nèi)填充用于透射光的光學(xué)波導(dǎo)材料的步驟；以及拋光該光學(xué) 波導(dǎo)的表面的步驟。在這些步驟中，由于對(duì)光學(xué)波導(dǎo)外圍，特別是對(duì)光 接收部的負(fù)面影響，例如蝕刻損傷、來(lái)自膜材料的雜質(zhì)的污染以及來(lái)自多層膜的應(yīng)力，圖像質(zhì)量特性發(fā)生退化。為了解決上述問(wèn)題，根據(jù)本發(fā)明，柵電極膜通過(guò)柵極絕緣膜形成于 基板上，該基板在其表面上形成有多個(gè)光接收部，例如布線層和遮光層 的多層導(dǎo)電膜通過(guò)諸如層間絕緣膜的絕緣膜進(jìn) 一 步形成于該柵電極膜 上方；以及該半導(dǎo)體基板和該導(dǎo)電膜之間、該柵電極膜和該導(dǎo)電膜之間 以及該多層導(dǎo)電膜之間是通過(guò)該絕緣膜內(nèi)接觸孔中由導(dǎo)電材料制成的 接觸插塞來(lái)電連接的。此外，使用該多層導(dǎo)電膜或接觸插塞的材料，多 個(gè)光學(xué)波導(dǎo)管部垂直地層疊在光接收部上方的相應(yīng)位置。在加工和形成該多層導(dǎo)電膜和接觸插塞時(shí)，同時(shí)，在該光接收部上方形成導(dǎo)電膜和接觸插塞的導(dǎo)電材料膜順序形成為光學(xué)波導(dǎo)的 一部分。 因此，沒有像傳統(tǒng)上那樣形成用于形成光學(xué)波導(dǎo)的孔，通過(guò)僅使用除了 形成光學(xué)波導(dǎo)的傳統(tǒng)步驟之外的其它傳統(tǒng)加工步驟，與多層布線一起形 成光學(xué)波導(dǎo)區(qū)域。結(jié)果，可以通過(guò)該光學(xué)波導(dǎo)獲得良好聚光效果和光傳 播效果，并獲得不像傳統(tǒng)上那樣導(dǎo)致圖像質(zhì)量特性退化的固體圖像捕獲 裝置。如此，根據(jù)本發(fā)明，由于不設(shè)置用于形成波導(dǎo)的孔而可以實(shí)現(xiàn)具有 光學(xué)波導(dǎo)區(qū)域的固體圖像捕獲裝置，本發(fā)明可以防止在加工該用于形成 波導(dǎo)的孔時(shí)，光接收部遭受蝕刻損傷并由此導(dǎo)致圖像質(zhì)量特性劣化的問(wèn)題，同時(shí)本發(fā)明可以提高光的利用效率。此外，由于無(wú)需使用CVD等 涂敷高折射率材料和低折射率材料以及在用于形成波導(dǎo)的孔內(nèi)形成光 學(xué)波導(dǎo)區(qū)域，傳統(tǒng)上發(fā)生的包含在這些材料內(nèi)的雜質(zhì)朝光接收部擴(kuò)散， 由此使圖像質(zhì)量特性劣化的問(wèn)題因此可得以防止。此外，由于無(wú)需通過(guò) 使用高折射率材料和低折射率材料形成多層膜從而獲得光學(xué)波導(dǎo)的效 果，由于應(yīng)力導(dǎo)致的漏電流和裂縫，并因此使圖像質(zhì)量特性劣化的傳統(tǒng) 問(wèn)題可得以防止。再者，根據(jù)本發(fā)明，不需要用于形成光學(xué)波導(dǎo)的專用 步驟，且僅對(duì)抗蝕劑膜進(jìn)行設(shè)計(jì)改變，即可使用傳統(tǒng)加工步驟來(lái)形成光 學(xué)波導(dǎo)區(qū)域，因此半導(dǎo)體加工成本大幅削減，固體圖像捕獲裝置價(jià)格因 此降低。本領(lǐng)域技術(shù)人員在閱讀和理解結(jié)合附圖進(jìn)行的下述詳細(xì)描述時(shí)，將 顯見本發(fā)明的這些和其它優(yōu)點(diǎn)。


圖1為示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例1的固體圖像捕獲裝置的示例性基本 結(jié)構(gòu)的縱向剖面圖。圖2為用于描述圖1的固體圖像捕獲裝置的制造方法中第一接觸插 塞和第一光學(xué)波導(dǎo)管部的加工步驟的俯視圖。圖3為用于描述圖1的固體圖像捕獲裝置的制造方法中第一布線和 第二光學(xué)波導(dǎo)管部的加工步驟的俯視圖。圖4為用于描述圖1的固體圖像捕獲裝置的制造方法中第二接觸插 塞和第三光學(xué)波導(dǎo)管部的加工步驟的俯視圖。圖5為用于描述圖1的固體圖像捕獲裝置的制造方法中第二布線和 第四光學(xué)波導(dǎo)管部的加工步驟的俯^L圖。圖6為示出圖1的固體圖像捕獲裝置中垂直方向角度的入射光的光 學(xué)路徑的縱向剖面圖。圖7為示出圖1的固體圖像捕獲裝置中非垂直方向角度的入射光的 光學(xué)路徑的縱向剖面圖。圖8為示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例2的固體圖像捕獲裝置20A的示例性 基本結(jié)構(gòu)的縱向剖面圖。圖9為示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例3的固體圖像捕獲裝置20B的示例性 基本結(jié)構(gòu)的縱向剖面圖。圖10為示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例4的固體圖像捕獲裝置20C的示例 性基本結(jié)構(gòu)的縱向剖面圖。圖11為示出傳統(tǒng)固體圖像捕獲裝置的示例性基本結(jié)構(gòu)的縱向剖面圖。圖12為用于描述圖11的傳統(tǒng)固體圖像捕獲裝置的制造方法中第一 接觸插塞的加工步驟的俯一見圖。圖13為用于描述圖11的傳統(tǒng)固體圖像捕獲裝置的制造方法中第一 布線的加工步驟的俯—見圖。圖14為用于描述圖11的傳統(tǒng)固體圖像捕獲裝置的制造方法中第二 接觸插塞的加工步驟的俯—見圖。圖15為用于描述圖11的傳統(tǒng)固體圖像捕獲裝置的制造方法中第二 布線的加工步驟的俯—見圖。圖16為示出圖11的固體圖像捕獲裝置中垂直方向角度的入射光的 光學(xué)路徑的基本結(jié)構(gòu)縱向剖面圖。圖17為示出圖11的傳統(tǒng)固體圖像捕獲裝置中傾斜方向角度的入射 光的光學(xué)路徑的基本結(jié)構(gòu)縱向剖面圖。圖18為示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例5的固體圖像捕獲裝置的示例性基 本結(jié)構(gòu)的縱向剖面圖。圖19為用于描述圖18的固體圖像捕獲裝置的制造方法中接觸插塞的加工步驟的俯碎見圖。圖20為示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例6的固體圖像捕獲裝置的示例性基 本結(jié)構(gòu)的縱向剖面圖。圖21為示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例7的固體圖像捕獲裝置的示例性基 本結(jié)構(gòu)的縱向剖面圖。圖22為示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例8的固體圖像捕獲裝置的示例性基 本結(jié)構(gòu)的縱向剖面圖。圖23為示出使用該固體圖像捕獲裝置作為圖像捕獲部的根據(jù)本發(fā) 明實(shí)施例9的電子信息裝置的示例性示意結(jié)構(gòu)的方框圖，該電子信息裝 置包括實(shí)施例1至8中的固體圖像捕獲裝置20和20A-20G中的任何一 厶附圖標(biāo)記說(shuō)明1:半導(dǎo)體基板2:光接收部3:柵極絕緣膜4:柵電極膜5:接觸插塞5a:第一接觸插塞5b:第二接觸插塞5c:第三接觸插塞6:層間絕緣膜6a、 16a:第一絕緣膜6b、 16k第二絕緣膜6c、 16c:第三絕緣膜6d、 16d:第四絕緣膜6e:第五絕緣膜7:布線層 7a、 17a:第一布線 7b、 17b:第二布線 7c、 17c:第三布線 8:彩色濾光片 9:微透鏡10、 10A-10G:光學(xué)波導(dǎo)10a、 10Aa、 10Ba:第一光學(xué)波導(dǎo)管部10b、 10Ab、 10Bb:第二光學(xué)波導(dǎo)管部10c、 lOAc:第三光學(xué)波導(dǎo)管部10d:第四光學(xué)波導(dǎo)管部10e:第五光學(xué)波導(dǎo)管部10f:第六光學(xué)波導(dǎo)管部20、 20A-20G:固體圖像捕獲裝置27"遮光膜90:電子信息裝置91: 固體圖虧象4煮獲i更備(solid-state image capturing apparatus )92:存儲(chǔ)部93:顯示部94:通信部95:圖像輸出設(shè)備271:錐形具體實(shí)施方式
在下文將結(jié)合附圖詳細(xì)描述實(shí)施例1至4,其中根據(jù)本發(fā)明的固體 圖像捕獲裝置應(yīng)用于CMOS圖像傳感器，以及實(shí)施例5,使用根據(jù)任一 實(shí)施例1至4的固體圖像捕獲裝置作為圖像捕獲部的電子信息裝置(例 如數(shù)碼相機(jī)、裝備有相機(jī)的蜂窩電話裝置等)。實(shí)施例1圖1為示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例1的固體圖像捕獲裝置20的示例性 基本結(jié)構(gòu)的縱向剖面圖。在圖1中，對(duì)于實(shí)施例1的固體圖像捕獲裝置20，例如光電二極管等的多個(gè)光接收部2二維地形成于半導(dǎo)體基板1的表面層內(nèi)(圖像捕獲 區(qū)域)，其中該多個(gè)光接收部2用作將對(duì)象光轉(zhuǎn)換成信號(hào)電荷的光電轉(zhuǎn)換部。此外，為引出電極的柵電極膜4通過(guò)柵極絕緣膜3形成于該半導(dǎo) 體基板l上，且在該基板上方，多個(gè)接觸插塞5 (第一接觸插塞5a、第 二接觸插塞5b、第三接觸插塞5c)與/或多層層間絕緣膜6 (第一絕緣 膜6a、第二絕緣膜6b、第三絕緣膜6c和第四絕緣膜6d)和多層布線層 7(第一布線7a、第二布線7b和第三布線7c)分別交替配置以具有夾層 結(jié)構(gòu)。在形成每個(gè)該多層接觸插塞5和該多層布線層7時(shí)，多個(gè)光學(xué)波 導(dǎo)管部10a-10f相應(yīng)之一將同時(shí)順序形成。具體而言，第一絕緣膜6a形 成于半導(dǎo)體基板l上的柵電極膜4和光接收部2上方，第一接觸插塞5a 和第一光學(xué)波導(dǎo)管部10a形成于第一絕緣膜6a內(nèi)，第一布線7a和光學(xué) 波導(dǎo)管部10b形成于第一絕緣膜6a內(nèi)，第二絕緣膜6b形成于第一絕緣 膜6a內(nèi)，第二接觸插塞5b和光學(xué)波導(dǎo)管部10c形成于第二絕緣膜6b 上，第二布線7b和光學(xué)波導(dǎo)管部10d形成于第二絕緣膜6b內(nèi)，第三絕 緣膜6c形成于第二絕緣膜6b上，第三接觸插塞5c和光學(xué)波導(dǎo)管部10e 形成于第三絕緣膜6c內(nèi)，第三布線7c和光學(xué)波導(dǎo)管部10f形成于第三 絕緣膜6c上，且此外第四絕緣膜6d形成于第三絕緣膜6c上。由導(dǎo)電材料(例如鋁和鎢的金屬材料)制成的接觸插塞5 (第一接 觸插塞5a、第二接觸插塞5b、第三接觸插塞5c)形成于布線層7和半 導(dǎo)體基板l之間、布線層7和柵電極膜4之間、以及電路所需的布線層 7之間；且根據(jù)需要設(shè)置電路的位置電連接在布線層7和半導(dǎo)體基板1 之間、布線層7和4冊(cè)電極膜4之間、以及布線層7之間形成電連接。這 些接觸插塞5可以由與布線層7相同的材料(例如鋁和銅)形成，或者 可以由不同于鋁的材#牛例如鴒制成。此外，濾光片8形成于對(duì)應(yīng)于每個(gè)光接收部2的第四絕緣層6d上， 其中該濾光片8布置用于例如三基色(R、 G、 B)的各個(gè)顏色，且第五 絕緣膜6e形成于彩色濾光片8上，此外用于將聚光到每個(gè)光接收部2 的微透鏡9形成于第五絕緣膜6e上。在彩色濾光片形成之前，第四絕 緣層6d形成為鈍化膜或平坦化膜用以形成彩色濾光片，且在微透鏡形 成之前，第五絕緣膜6e形成為平坦化膜用以形成彩色濾光片。此外，在根據(jù)實(shí)施例1的固體圖像捕獲裝置20中，設(shè)置有光學(xué)波 導(dǎo)管部10a至10f,其分別具有圓筒形狀(環(huán)狀，或者其外周在平面圖中為矩形或方形且其內(nèi)周在平面圖中為圓形)，且使用構(gòu)成布線層7的 導(dǎo)電膜材料和構(gòu)成接觸插塞5的導(dǎo)電材料(金屬材料)形成。光學(xué)波導(dǎo)管部10a至10f沿縱向(與基板表面垂直的方向)順序?qū)盈B以構(gòu)成光學(xué) 波導(dǎo)10,用于在圓筒內(nèi)測(cè)的金屬表面上反射光并將光傳播朝向光接收部 2側(cè)。接著參考圖2至圖5詳細(xì)描述根據(jù)實(shí)施例1的固體圖像捕獲裝置的 制造方法的制造步驟。圖2至圖5分別為用于描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例1的固體圖像捕獲裝 置20的制造方法的制造步驟的俯視圖。如圖2所示，在形成柵電極膜4之后，首先使用Si02材料例如BPSG (硼磷硅酸鹽玻璃)與/或高密度等離子體Si〇2 (HDP-Si02)在柵電極 膜4上生長(zhǎng)第一絕緣膜6a。第一絕緣膜6a形成，通過(guò)CMP(化學(xué)機(jī)械 拋光)來(lái)拋光其表面，主要目的是平坦化以使下一步驟的加工變得容易。接下來(lái)，在第一絕緣膜6a的表面拋光之后，為了形成第一接觸插 塞5a,光敏抗蝕劑膜涂敷在第一絕緣膜6a上方且被曝光和顯影以具有 預(yù)定圖案化形狀，且以該圖案化抗蝕劑膜為掩模，對(duì)第一絕緣膜6a執(zhí) 行各向異性蝕刻。對(duì)于該抗蝕劑膜的圖案，由于形成第一接觸插塞5a 和第一光學(xué)波導(dǎo)管部10a，除了第一接觸插塞5a的形狀加工之外，第一 光學(xué)波導(dǎo)管部10a的形狀加工也被執(zhí)行以同時(shí)形成第一絕緣膜6a的形 狀。在蝕刻第一絕緣膜6a之后，通過(guò)金屬濺射在第一絕緣膜6a上生長(zhǎng) 接觸插塞用金屬膜。例如也可以用CVD(化學(xué)氣相沉積)生長(zhǎng)由鴒制成 的金屬插塞用金屬膜。此外，在金屬濺射之前，濺射阻擋金屬膜以防止 與基底硅化。隨后，第一絕緣膜6a的整個(gè)表面被蝕刻以除去第一絕緣 膜6a上的濺射膜，以同時(shí)形成嵌在第 一絕緣膜6a的孔內(nèi)的第 一接觸插 塞5a和第一光學(xué)波導(dǎo)管部10a。對(duì)整個(gè)表面的該蝕刻例如可以通過(guò)CMP 拋光來(lái)進(jìn)行。圖2為在上述步驟形成的形狀的俯視圖。圖2示出與第一 接觸插塞5a不在同一平面上的光電二極管(光接收部102)和柵電極膜 4，這是出于闡明其間的位置關(guān)系的目的。另外，如圖3所示，為了在其上形成有第一接觸插塞5a和第一光 學(xué)波導(dǎo)管部10a的該基板上方形成第一布線7a，通過(guò)金屬濺射生長(zhǎng)金屬 膜。隨后，光敏抗蝕劑膜涂敷在該金屬膜上方且被曝光和顯影以具有預(yù) 定圖案化形狀，且以該圖案化抗蝕劑膜為掩模，對(duì)該金屬膜執(zhí)行各向異性蝕刻。對(duì)于該抗蝕劑膜的圖案，第一布線7a的形狀以及第二光學(xué)波 導(dǎo)管部10b的相應(yīng)形狀形成，因此第一布線7a和第二光學(xué)波導(dǎo)管部10b 由相同的金屬材料同時(shí)形成。圖3為通過(guò)上述步驟形成的形狀的俯視圖。 圖3還示出與第一布線7a和第二光學(xué)波導(dǎo)管部10b不在同一平面上的 光電二極管(光接收部2)、柵電極膜4和笫一接觸插塞5a,這是出于 闡明其間的位置關(guān)系的目的。此外，第一布線7a示為鄰接的兩種類型的帶圖案。隨后，使用Si02材料例如BPSG(硼磷硅酸鹽玻璃)與/或高密度等 離子體Si02 (HDP-Si02)在其上形成有第一布線7a和第二光學(xué)波導(dǎo)管 部10b的基板上生長(zhǎng)第二絕緣膜6b。第二絕緣膜6b的表面通過(guò)CMP 來(lái)拋光，主要目的是平坦化以使下一步驟的加工變得容易。在拋光第二絕緣膜6b之后，為了形成第二接觸插塞5b和第三光學(xué) 波導(dǎo)管部10c,光敏抗蝕劑膜涂敷在第二絕緣膜6b上方且被曝光和顯影 以具有預(yù)定圖案化形狀，且以該圖案化抗蝕劑膜為掩模，對(duì)第二絕緣膜 6b執(zhí)行各向異性蝕刻。對(duì)于該抗蝕劑膜的圖案，第二接觸插塞5b和第 三光學(xué)波導(dǎo)管部10c的形狀被加工形成，以同時(shí)形成用于形成第二接觸 插塞5 b和第三光學(xué)波導(dǎo)管部10 c的第二絕緣膜6b的形狀。在蝕刻之后， 接觸插塞用金屬膜通過(guò)金屬濺射而生長(zhǎng)在第二絕緣膜6b上。例如也可 以用CVD生長(zhǎng)由鵠制成的金屬插塞用金屬膜。此外，在金屬濺射之前， 賊射阻擋金屬膜以防止與基底硅化。隨后，第二絕緣膜6b的整個(gè)表面 被蝕刻以除去第二絕緣膜6b上的濺射膜，從而同時(shí)形成第二接觸插塞 5b和第三光學(xué)波導(dǎo)管部10c。對(duì)整個(gè)表面的該蝕刻例如也可以通過(guò)CMP 拋光來(lái)進(jìn)行。圖4示出在上述步驟形成的形狀的俯視圖。圖4示出與第 二接觸插塞5b和第三光學(xué)波導(dǎo)管部10c不在同一平面上的光電二極管 (光接收部2)和柵電極膜4，這是出于闡明其間的位置關(guān)系的目的。此外，為了在其上形成有第二接觸插塞5b和第三光學(xué)波導(dǎo)管部10c 的表面上形成第二布線7b和第四光學(xué)波導(dǎo)管部10d,通過(guò)金屬濺射生長(zhǎng) 金屬膜，隨后光敏抗蝕劑膜涂敷在該金屬膜上方且被曝光和顯影以具有 預(yù)定圖案化形狀，且以該圖案化抗蝕劑膜為掩模，對(duì)該金屬膜執(zhí)行各向 異性蝕刻。對(duì)于該抗蝕劑膜掩模，第二布線7b的形狀和第四光學(xué)波導(dǎo) 管部10d的形狀一皮加工形成，使得第二布線7b和第四光學(xué)波導(dǎo)管部10d 的相應(yīng)形狀同時(shí)形成。第二布線7b和第四光學(xué)波導(dǎo)管部10d通過(guò)蝕刻形成。圖5示出在上述步驟形成的形狀的俯視圖。圖5示出與第二布線7b和第四光學(xué)波導(dǎo)管部10d不在同一平面上的光電二極管(光接收部 2)、柵電極膜4和第二接觸插塞5b,這是出于闡明其間的位置關(guān)系的 目的。此外，第二布線7b示為相互鄰接的兩種類型的帶圖案。類似地，第三絕緣膜6c、第三接觸插塞5c和第五光學(xué)波導(dǎo)管部10e、 第三布線7c和第六光學(xué)波導(dǎo)管部10f、以及第四絕緣膜6d順序形成。隨后，布置用于相應(yīng)顏色的濾光片8形成于用作平坦化膜的第四絕 緣膜6d上，且用作平坦化膜的第五絕緣膜6e形成于彩色濾光片8上。 此外，微透鏡9形成于彩色濾光片8上，由此制造圖l所示的具有光學(xué) 波導(dǎo)10 (光學(xué)波導(dǎo)管部10a至10f)的固體圖像捕獲裝置20。將以更簡(jiǎn)單的方式描述如上所述的固體圖像捕獲裝置20的制造方法。該固體圖像捕獲裝置20的制造方法，為了形成第一層布線膜，包 括第一絕緣膜形成步驟，在半導(dǎo)體基板上形成第一絕緣膜6a,其中多 個(gè)光接收部2 二維地形成于該半導(dǎo)體基板內(nèi)，且柵電極膜4形成為鄰接 光接收部2;第一抗蝕劑膜形成步驟，圖案化該第一絕緣膜6a上的第一 抗蝕劑膜以具有與該第一接觸插塞5a和該第一光學(xué)波導(dǎo)管部10a相對(duì) 應(yīng)的形狀；第一凹部形狀形成步驟，使用該第一抗蝕劑膜為掩模，在該 第一絕緣膜6a內(nèi)加工形成與該第一接觸插塞5a和該第一光學(xué)波導(dǎo)管部 10a相對(duì)應(yīng)的第一凹部形狀；第一金屬膜涂敷步驟，在其上形成有該第 一凹部形狀的該基板上涂敷第一金屬膜；除去整個(gè)第一絕緣膜6a上的 該第一金屬膜的步驟，使得該第一金屬膜保留在凹部?jī)?nèi)，以在相應(yīng)凹部 內(nèi)形成第一接觸插塞5a和第一光學(xué)波導(dǎo)管部10a;第二金屬膜涂敷步驟， 在其上形成有第一接觸插塞5a和第一光學(xué)波導(dǎo)管部10a的該基板上涂 敷第二金屬膜；第二抗蝕劑膜形成步驟，圖案化該第二金屬膜內(nèi)的第二 抗蝕劑膜以具有與第一布線7a和第二光學(xué)波導(dǎo)管部10b相對(duì)應(yīng)的形狀； 使用該第二抗蝕劑膜為掩模，由該第二金屬膜形成第一布線7a和第二 光學(xué)波導(dǎo)管部10b的步驟；以及第二絕緣膜形成步驟，在其上形成有第 一布線7a和第二光學(xué)波導(dǎo)管部10b的基板上形成第二絕緣膜6b。該固體圖像捕獲裝置20的制造方法，為了形成第二層布線膜，包 括第三抗蝕劑膜形成步驟，圖案化該第二絕緣膜6b上的第三抗蝕劑 膜以具有與該第二接觸插塞5b和該第三光學(xué)波導(dǎo)管部10c相對(duì)應(yīng)的形狀；第二凹部形狀形成步驟，使用該第三抗蝕劑膜為掩模，在該笫二絕緣膜6b內(nèi)加工形成與該第二接觸插塞5b和該第三光學(xué)波導(dǎo)管部10c相對(duì)應(yīng)的第二凹部形狀；笫三金屬膜涂敷步驟，在其上形成有該第二凹部形狀的該基板上涂敷第三金屬膜；除去整個(gè)第二絕緣膜6b上的該第三 金屬膜的步驟，使得該第三金屬膜保留在該第二凹部?jī)?nèi)，以分別在相應(yīng) 第二凹部?jī)?nèi)形成第二接觸插塞5b和第三光學(xué)波導(dǎo)管部10c;第四金屬膜 涂敷步驟，在其上形成有第二接觸插塞5b和第三光學(xué)波導(dǎo)管部10c的 該基板上涂敷第四金屬膜；第四抗蝕劑膜形成步驟，圖案化該第四金屬 膜內(nèi)的第四抗蝕劑膜以具有與第二布線7b和第四光學(xué)波導(dǎo)管部10d相 對(duì)應(yīng)的形狀；使用該第四抗蝕劑膜為掩才莫，由該第四金屬膜形成第二布 線7b和第四光學(xué)波導(dǎo)管部10d的步驟；以及第三絕緣膜形成步驟，在 其上形成有第二布線7b和第四光學(xué)波導(dǎo)管部10d的基板上形成第三絕 緣膜6c。；該固4圖像捕獲裝置20的制造方法，為了形成第三層布線膜，包 括笫五抗蝕劑膜形成步驟，圖案化該第三絕緣膜6c上的第五抗蝕劑 膜以具有與該第三接觸插塞5c和該第五光學(xué)波導(dǎo)管部10e相對(duì)應(yīng)的形 狀；第三凹部形狀形成步驟，使用該第五抗蝕劑膜為掩模，在該第三絕 緣膜6c內(nèi)加工形成與該第三接觸插塞5c和該第五光學(xué)波導(dǎo)管部10e相 對(duì)應(yīng)的第三凹部形狀；第五金屬膜涂敷步驟，在其上形成有該第三凹部 形狀的該基板上涂敷第五金屬膜；除去整個(gè)笫三絕緣膜6c上的該第五 金屬膜的步驟，使得該第五金屬膜保留在該第三凹部?jī)?nèi)，以分別在相應(yīng) 第三凹部?jī)?nèi)形成第三接觸插塞5c和第五光學(xué)波導(dǎo)管部10e;第六金屬膜 涂敷步驟，在其上形成有第三接觸插塞5c和第五光學(xué)波導(dǎo)管部10e的該 基板上涂敷第六金屬膜；第六抗蝕劑膜形成步驟，圖案化該第六金屬膜 內(nèi)的笫六抗蝕劑膜以具有與第三布線7c和第六光學(xué)波導(dǎo)管部10f相對(duì)應(yīng) 的形狀；使用該第六抗蝕劑膜為掩模，由該第六金屬膜形成第三布線7c 和第六光學(xué)波導(dǎo)管部10f的步驟；以及第四絕緣膜形成步驟，在其上形 成有第三布線7c和第六光學(xué)波導(dǎo)管部10f的基板上形成第四絕緣膜6d。如上所述，在本發(fā)明實(shí)施例1中使用三層布線膜。然而，本發(fā)明不 限于此。備選地，布線膜的數(shù)目可以是1或2。另外備選地，布線膜的 數(shù)目可以是4或以上。此外，將描述使用任意N層布線膜的情形。該固體圖像捕獲裝置20的制造方法，為了形成第N層布線膜，除了上述步驟之外還包括第2N-1抗蝕劑膜形成步驟，圖案化該第N絕 緣膜6上的第2N-1抗蝕劑膜以具有與第N接觸插塞5和第2N-1光學(xué)波 導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的形狀；第N凹部形狀形成步驟，使用該第2N-1抗蝕劑 膜為掩才莫，在該第N絕緣膜6內(nèi)加工形成與該第N接觸插塞5和該第 2N-1光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的第N凹部形狀；第2N-1金屬膜涂敷步驟， 在其上形成有該第N凹部形狀的該基板上涂敷第2N-1金屬膜；除去整 個(gè)第N絕緣膜6上的該第2N-1金屬膜的步驟，使得該第2N-1金屬膜保 留在該第N凹部?jī)?nèi)，以分別在相應(yīng)第N凹部?jī)?nèi)形成該第N接觸插塞5 和該第2N-1光學(xué)波導(dǎo)管部；第2N金屬膜涂敷步驟，在其上形成有該第 N接觸插塞5和該第2N-1光學(xué)波導(dǎo)管部的該基板上涂敷第2N金屬膜； 第2N抗蝕劑膜形成步驟，圖案化該第2N金屬膜內(nèi)的第2N抗蝕劑膜以 具有與該第N布線7和該第2N光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的形狀；使用該第 2N抗蝕劑膜為掩才莫，由該第2N金屬膜形成該第N布線7和該第2N光 學(xué)波導(dǎo)管部的步驟；以及第N+l絕緣膜形成步驟，在其上形成有第N 布線7和第2N光學(xué)波導(dǎo)管部的該基板上形成第N+l絕緣膜6。此外， 固體圖像捕獲裝置20的制造方法還包括濾光片形成步驟，在第N+l 絕緣膜6上形成布置用于相應(yīng)顏色的濾光片；第N+2絕緣膜形成步驟， 在該濾光片上形成第N+2絕緣膜；以及微透鏡形成步驟，在該第N+2 絕緣膜上形成微透鏡。
這里將描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例1的光學(xué)波導(dǎo)10的聚光效果。 圖6和7示出使用光線L的光學(xué)波導(dǎo)10的聚光效果。圖6示出下 述情形，其中從微透鏡9上方入射的光線以垂直方向角度(光線L1:在 圖像捕獲區(qū)域的中心)入射到固體圖像捕獲裝置20的圖像捕獲區(qū)域； 圖7示出下述情形，其中從微透鏡9上方入射的光線以非垂直方向的傾 斜方向角度(光線L2:在圖像捕獲區(qū)域的外圍)入射。如圖6和7所示， 從微透鏡9上方入射的光線L1和L2被包含光學(xué)波導(dǎo)管部10a至10f的 管狀光學(xué)波導(dǎo)10的金屬表面全反射，被引導(dǎo)至光接收部2且高效地聚 焦在光4^收部2上。
如上所述，在本發(fā)明實(shí)施例1中，當(dāng)布線層7和接觸插塞5形成時(shí)， 相應(yīng)布線膜(導(dǎo)電膜；金屬膜)順序?qū)盈B和形成于光接收部2上方，作 為光學(xué)波導(dǎo)管部以改善聚光效率。由此無(wú)需像傳統(tǒng)上那樣形成用于光學(xué) 波導(dǎo)的孔并分別涂敷用于光學(xué)波導(dǎo)區(qū)域的膜，且因此，可以獲得在光接收部2上方具有光學(xué)波導(dǎo)10的固體圖像捕獲裝置20，而不存在由于蝕 刻損傷及來(lái)自膜材料的雜質(zhì)污染引起的圖像質(zhì)量特性退化及應(yīng)力。此外，由于在各個(gè)布線層7和接觸插塞5形成的同時(shí)，形成光學(xué)波導(dǎo)10 的光學(xué)波導(dǎo)管部10a至10f，因此可以制造具有光學(xué)波導(dǎo)區(qū)域的固體圖 像捕獲裝置20,而無(wú)需另外增加加工形成光學(xué)波導(dǎo)區(qū)域的步驟。此外， 無(wú)需加工形成光學(xué)波導(dǎo)形成孔的蝕刻停止層，且無(wú)需考慮用于防止在加 工形成光學(xué)波導(dǎo)形成孔時(shí)發(fā)生的蝕刻損傷的氬燒結(jié)效果。再者，無(wú)需通 過(guò)CVD等在光學(xué)波導(dǎo)膜孔內(nèi)形成光學(xué)波導(dǎo)膜。再者，無(wú)需考慮由于形 成多層引起的應(yīng)力所導(dǎo)致的裝置特性的退化。再者，包括該光學(xué)波導(dǎo)區(qū) 域的光學(xué)波導(dǎo)區(qū)域制造步驟，通過(guò)改變傳統(tǒng)形成條件中光掩模的圖案， 即可容易地在光接收部上方形成光學(xué)波導(dǎo)，由此簡(jiǎn)化了固體圖像捕獲裝 置的制造步驟。盡管在本發(fā)明實(shí)施例1中未描述，不過(guò)雙鑲嵌(dual damascene) 結(jié)構(gòu)及其制造方法可以用于制造各個(gè)接觸插塞5、層間絕緣膜6、布線 層7和光學(xué)波導(dǎo)管部10a至10f。這種情況下，在形成層間絕緣膜6內(nèi) 形成接觸插塞5、布線層7和光學(xué)波導(dǎo)管部10a至10f之后，槽經(jīng)歷金 屬濺射且隨后經(jīng)歷CMP加工和圖案化加工，接觸插塞5、布線層7和光 學(xué)波導(dǎo)管部10a至10f由此形成。實(shí)施例2實(shí)施例1已經(jīng)描述了下述情形，其中在形成接觸插塞5或布線層7 時(shí)，垂直地一次一層地順序?qū)盈B多個(gè)管狀光學(xué)波導(dǎo)管部10a至10f而形 成光學(xué)波導(dǎo)IO。實(shí)施例2描述了這樣的情形， 一次同時(shí)層疊光學(xué)波導(dǎo)管 部10a至10f的兩層(下層尺寸較小且上層尺寸較大)，不過(guò)依賴于光 學(xué)波導(dǎo)管部10a至10f的對(duì)準(zhǔn)精確度，從而減小由于垂直層疊光學(xué)波導(dǎo) 管部10a至10f而導(dǎo)致的金屬表面對(duì)準(zhǔn)的不平度。圖8為示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例2的固體圖像捕獲裝置20A的示例性 基本結(jié)構(gòu)的縱向剖面圖。達(dá)成與圖1所示部件相似效果的部件使用與圖 l中的相同標(biāo)號(hào)來(lái)標(biāo)識(shí)，并對(duì)其描述予以省略。在圖8的固體圖像捕獲裝置20A,多個(gè)光接收部2二維地形成于半 導(dǎo)體基板1上，且柵電極膜4設(shè)置為鄰接光接收部2。在該半導(dǎo)體基板 上，多層層間絕緣膜16 (第一絕緣層16a、第二絕緣層16b和第三絕緣 層16c)順序形成，且布線層17 (第一布線17a、第二布線17b和第三布線17c)也順序形成用于相應(yīng)層間絕緣膜16,其中每層布線層17是 通過(guò)實(shí)施例1的接觸插塞和布線層整合而形成。當(dāng)其中整合了實(shí)施例1的接觸插塞和布線層的布線層17形成時(shí)，光學(xué)波導(dǎo)管部10Aa至lOAc 的每個(gè)管狀多層同時(shí)順序形成。具體而言，第一絕緣膜16a形成于半導(dǎo) 體基板1上的柵電極4和光接收部2上；接觸插塞和布線層整合形成的 布線層17a、沒有接觸插塞的布線層17a、以及光學(xué)波導(dǎo)管部10Aa (對(duì) 應(yīng)于根據(jù)實(shí)施例1的光學(xué)波導(dǎo)管部10a和10b整合的類型)形成于第一 絕緣膜16a內(nèi)；第二絕緣膜16b形成于第一絕緣膜16a上；接觸插塞和 布線層整合形成的布線層17b、沒有接觸插塞的布線層17b、以及光學(xué) 波導(dǎo)管部10Ab(對(duì)應(yīng)于上述實(shí)施例1的光學(xué)波導(dǎo)管部10c和10d整合的 類型)形成于第二絕緣膜16b內(nèi)；第三絕緣膜16c形成于第二絕緣膜16b 上；接觸插塞和布線層整合形成的布線層17c、沒有接觸插塞的布線層 17c、以及光學(xué)波導(dǎo)管部10Ac(對(duì)應(yīng)于上述實(shí)施例1的光學(xué)波導(dǎo)管部10e 和10f整合的類型)形成于第三絕緣膜16c上；且另外第四絕緣膜16d 形成于第三絕緣膜16c上。接著將描述根據(jù)實(shí)施例2的固體圖像捕獲裝置20A的制造方法的制 造步驟。在形成柵電極膜4之后，首先使用Si02材料例如BPSG (硼磷硅酸 鹽玻璃)或高密度等離子體Si02 ( HDP-Si02 )在柵電才及膜4上生長(zhǎng)第一 絕緣膜16a。第一絕緣膜16a形成，通過(guò)CMP (化學(xué)機(jī)械拋光)來(lái)拋光 其表面，主要目的是平坦化以使下一步驟的加工變得容易。接下來(lái)，在第一絕緣膜16a拋光之后，為了形成接觸插塞和部分的 第一光學(xué)波導(dǎo)管部10Aa到柵電極4的諸如孔或槽的凹部，光壽l抗蝕劑 膜涂敷在第 一絕緣膜16a上方且被曝光和顯影以具有預(yù)定圖案化形狀， 且以該圖案化抗蝕劑膜為掩模，對(duì)第一絕緣膜16a執(zhí)行各向異性蝕刻。 對(duì)于該抗蝕劑膜的圖案，由于形成接觸插塞和部分的第一光學(xué)波導(dǎo)管部 10Aa,除了接觸插塞部的形狀加工之外，該部分的第一光學(xué)波導(dǎo)管部 10Aa的形狀加工也被執(zhí)行以同時(shí)形成第一絕緣膜16a的形狀。此外，類 似地，為了形成和接觸插塞部整合的第一布線17a以及和部分的第一光 學(xué)波導(dǎo)管部10Aa整合的該第一光學(xué)波導(dǎo)管部10Aa的諸如孔或槽的凹 部，光敏抗蝕劑膜涂敷在第一絕緣膜16a上方且被曝光和顯影以具有預(yù) 定圖案化形狀，且以該圖案化抗蝕劑膜為掩模，對(duì)第一絕緣膜16a執(zhí)行各向異性蝕刻。對(duì)于該抗蝕劑膜的圖案，由于形成第一布線17a和該第一光學(xué)波導(dǎo)管部10Aa,除了第一布線17a之外，該第一光學(xué)波導(dǎo)管部 10Aa的形狀加工也祐j丸行以同時(shí)形成該第一絕緣膜16a的形狀。在蝕刻第一絕緣膜16a之后，通過(guò)金屬濺射在第一絕緣膜16a上生 長(zhǎng)接觸插塞或布線用金屬膜。例如也可以用CVD生長(zhǎng)由鋁或鎢制成的 金屬插塞或布線用金屬膜。此外，在金屬濺射之前，濺射阻擋金屬膜以 防止與基底硅化。隨后，第一絕緣膜16a的整個(gè)表面被蝕刻以除去第一 絕緣膜16a上的濺射膜，以同時(shí)形成嵌在第一絕緣膜16a的孔內(nèi)的第一 布線17a和第一光學(xué)波導(dǎo)管部10Aa。對(duì)整個(gè)表面的該蝕刻例如可以通過(guò) CMP拋光來(lái)進(jìn)行。隨后，類似地，第二絕緣膜16b形成于第一絕緣膜16a上，第二布 線17b和第二光學(xué)波導(dǎo)管部10Ab同時(shí)嵌入并形成于第二絕緣膜16b內(nèi)， 且笫三絕緣膜16c形成于第二絕緣膜16b上，第三布線17c和第三光學(xué) 波導(dǎo)管部10Ac同時(shí)嵌入并形成于第三絕緣膜16c內(nèi)，且此外第四絕緣 膜16d形成。隨后，布置用于相應(yīng)顏色的彩色濾光片8形成于用作平坦化膜的第 四絕緣膜16d上，以對(duì)應(yīng)于光接收部2;用作平坦化膜的第五絕緣膜16e 形成于彩色濾光片8上；以及，微透鏡9形成于第五絕緣膜16e上。結(jié) 果制造圖8所示的具有光學(xué)波導(dǎo)10A (光學(xué)波導(dǎo)管部10Aa至10Ac)的 固體圖像捕獲裝置20A。將以更簡(jiǎn)單的方式描述如上所述的固體圖像捕獲裝置20A的制造 方法。該固體圖像捕獲裝置20A的制造方法，為了形成第一層布線膜，包 括第一絕緣膜形成步驟，在半導(dǎo)體基板上形成第一絕緣膜16a，其中 多個(gè)光接收部2 二維地形成于該半導(dǎo)體基板內(nèi)，且柵電極膜4形成為鄰 接光接收部2;第一抗蝕劑膜形成步驟，圖案化該第一絕緣膜16a內(nèi)的 第 一抗蝕劑膜以具有與到柵電極膜4的第 一接觸插塞和部分的第 一光學(xué) 波導(dǎo)管部10Aa相對(duì)應(yīng)的形狀；第一凹部形狀形成步驟，使用該第一抗 蝕劑膜為掩模，在該第一絕緣膜16a內(nèi)加工形成與該第一接觸插塞5a 和部分的第一光學(xué)波導(dǎo)管部10Aa相對(duì)應(yīng)的第一凹部形狀；第二抗蝕劑 膜形成步驟，圖案化該第一絕緣膜16a上的第二抗蝕劑膜以具有與和接 觸插塞部整合的第一布線7a以及和部分的第一光學(xué)波導(dǎo)管部10Aa整合的該第一光學(xué)波導(dǎo)管部10Aa相對(duì)應(yīng)的形狀；第二凹部形狀形成步驟， 使用該第二抗蝕劑膜為掩模，在該第一絕緣膜16a內(nèi)加工形成與該第一 布線17a和該第一光學(xué)波導(dǎo)管部10Aa相對(duì)應(yīng)的第二凹部形狀；第一金 屬膜涂敷步驟，在其中形成有該第一凹部形狀和該第二凹部形狀的該第 一絕緣膜16a上涂敷第一金屬膜；以及除去整個(gè)第一絕緣膜16a上的該 第一金屬膜的步驟，使得該第一金屬膜保留在凹部?jī)?nèi)，以在相應(yīng)凹部?jī)?nèi) 形成該第一布線17a和該第一光學(xué)波導(dǎo)管部10Aa。該固體圖像捕獲裝置20A的制造方法，為了形成第二層布線膜，包 括第二絕緣膜形成步驟，在其上形成有第一布線17a和第一光學(xué)波導(dǎo) 管部10Aa的第一絕緣膜16a上形成第二絕緣膜16b;笫三抗蝕劑膜形成 步驟，圖案化該第二絕緣膜16b內(nèi)的第三抗蝕劑膜以具有與接觸插塞和 部分的第二光學(xué)波導(dǎo)管部10Ab相對(duì)應(yīng)的形狀；第三凹部形狀形成步驟， 使用該第三抗蝕劑膜為掩^t,在該第二絕緣膜16b內(nèi)加工形成與該接觸 插塞和部分的第二光學(xué)波導(dǎo)管部10Ab相對(duì)應(yīng)的第三凹部形狀；第四抗 蝕劑膜形成步驟，圖案化該第二絕緣膜16b上的第四抗蝕劑膜，以具有 與和該接觸插塞整合的第二布線7b以及和部分的第二光學(xué)波導(dǎo)管部 10Ab整合的該第二光學(xué)波導(dǎo)管部10Ab相對(duì)應(yīng)的形狀；第四凹部形狀形 成步驟，使用該第四抗蝕劑膜為掩模，在該第二絕緣膜16b內(nèi)加工形成 與該第二布線17b和該第二光學(xué)波導(dǎo)管部10Ab相對(duì)應(yīng)的第四凹部形狀； 第二金屬膜涂敷步驟，在其上形成有該第三凹部形狀和該第四凹部形狀 的該第二絕緣膜16b上涂敷第二金屬膜；以及除去整個(gè)第二絕緣膜16b 上的該第二金屬膜的步驟，使得該第二金屬膜保留在凹部?jī)?nèi)，以在相應(yīng) 凹部?jī)?nèi)形成該第二布線17b和該第二光學(xué)波導(dǎo)管部10Ab。該固體圖像捕獲裝置20A的制造方法，為了形成第三層布線膜，包 括第三絕緣膜形成步驟，在設(shè)置有第二布線17b和第二光學(xué)波導(dǎo)管部 10Ab的第二絕緣膜16b上形成第三絕緣膜16c;第五抗蝕劑膜形成步驟， 圖案化該第三絕緣膜16c內(nèi)的第五抗蝕劑膜以具有與該接觸插塞和部分 的第三光學(xué)波導(dǎo)管部10Ac相對(duì)應(yīng)的形狀；第五凹部形狀形成步驟，使 用該第五抗蝕劑膜為掩^t，在該第三絕緣膜16c內(nèi)加工形成與該接觸插 塞和部分的第三光學(xué)波導(dǎo)管部10Ac相對(duì)應(yīng)的第五凹部形狀；第六抗蝕 劑膜形成步驟，圖案化該第三絕緣膜16c上的第六抗蝕劑膜，以具有與 和該接觸插塞整合的第三布線17c以及和該部分的第三光學(xué)波導(dǎo)管部10Ac整合的該第三光學(xué)波導(dǎo)管部10Ac相對(duì)應(yīng)的形狀；第六凹部形狀形 成步驟，使用該第六抗蝕劑膜為掩模，在該第三絕緣膜16c內(nèi)加工形成 與該第三布線17c和該第三光學(xué)波導(dǎo)管部10Ac相對(duì)應(yīng)的第六凹部形狀； 第三金屬膜涂敷步驟，在其上形成有該第五凹部形狀和該第六凹部形狀 的該第三絕緣膜16c上涂敷第三金屬膜；以及除去整個(gè)第三絕緣膜16c 上的該第三金屬膜的步驟，使得該第三金屬膜保留在凹部?jī)?nèi)，以在相應(yīng) 凹部?jī)?nèi)形成該第三布線17c和該第三光學(xué)波導(dǎo)管部10Ac。如上所述，在本發(fā)明實(shí)施例2中使用三層布線膜。然而，本發(fā)明不 限于此。備選地，布線膜的數(shù)目可以是1或2。另外備選地，布線膜的 數(shù)目可以是4以上。此外，將描述使用任意N層布線膜的情形。該固體圖像捕獲裝置20的制造方法，為了形成第N層布線膜，除 了上述步驟之外還包括第N絕緣膜形成步驟，在設(shè)置有第N-l布線 17和第N-l光學(xué)波導(dǎo)管部的第N-l絕緣膜16上形成第N絕緣膜16;第 2N-1抗蝕劑膜形成步驟，圖案化該第N絕緣膜16上的第2N-1抗蝕劑 膜以具有與接觸插塞和部分的第N光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的形狀；第2N-1 凹部形狀形成步驟，使用該第2N-1抗蝕劑膜為掩模，在該第N絕緣膜 16內(nèi)加工形成與該接觸插塞和部分的第N光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的第 2N-1凹部形狀；第2N抗蝕劑膜形成步驟，圖案化該第N絕緣膜16內(nèi) 的第2N抗蝕劑膜，以具有與和該接觸插塞整合的第N布線17以及和該 部分的第N光學(xué)波導(dǎo)管部整合的該第N光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的形狀； 第2N凹部形狀形成步驟，使用該第2N抗蝕劑膜為掩才莫，在該第N絕 緣膜16內(nèi)加工形成與該第N布線17和該第N光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的第 2N凹部形狀；第N金屬膜涂敷步驟，在其上形成有該第2N-1凹部形狀 和第N凹部形狀的該第N絕緣膜16上涂敷第N金屬膜；以及除去整個(gè) 第N絕緣膜16上的該第N金屬膜的步驟，使得該第N金屬膜保留在凹 部?jī)?nèi)，以在相應(yīng)凹部?jī)?nèi)形成該第N布線17和該笫N光學(xué)波導(dǎo)管部。此 外，固體圖像捕獲裝置20A的制造方法還包括彩色濾光片形成步驟， 在第N+l絕緣膜16上形成布置用于相應(yīng)顏色的彩色濾光片8;第N+2 絕緣膜形成步驟，在該彩色濾光片8上形成第N+2絕緣膜；以及微透鏡 形成步驟，在該第N+2絕緣膜上形成微透鏡9。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例2，與實(shí)施例1中的兩層等效的光學(xué)波導(dǎo)管部同 時(shí)嵌入，使得可以更有利于光學(xué)波導(dǎo)10A內(nèi)表面的對(duì)準(zhǔn)，由此減小光學(xué)反饋并提高反射。 實(shí)施例3實(shí)施例1已經(jīng)描述了下述情形，其中在形成接觸插塞5或布線層7 時(shí)，垂直地一次一層地順序?qū)盈B多個(gè)管狀光學(xué)波導(dǎo)管部10a至10f而形 成光學(xué)波導(dǎo)10;且實(shí)施例2描述了這樣的情形， 一次同時(shí)層疊光學(xué)波導(dǎo) 管部10a至10f的兩層，從而減小由于垂直層疊光學(xué)波導(dǎo)管部10a至10f 而導(dǎo)致的金屬表面對(duì)準(zhǔn)的不平度。實(shí)施例3描述下述情形， 一次同時(shí)層 疊光學(xué)波導(dǎo)管部10a至10f的三層或五層下層，從而減小由于垂直層疊 光學(xué)波導(dǎo)管部10a至10f而導(dǎo)致的金屬表面對(duì)準(zhǔn)的不平度。圖9為示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例3的固體圖像捕獲裝置20B的示例性 基本結(jié)構(gòu)的縱向剖面圖。達(dá)成與圖1所示部件相似效果的部件使用與圖 l中的相同標(biāo)號(hào)來(lái)標(biāo)識(shí)，并省略對(duì)其描述。在圖9的固體圖像捕獲裝置20B,多個(gè)光接收部2二維地設(shè)置于半 導(dǎo)體基板1內(nèi)，且柵電極膜4設(shè)置為鄰接光接收部2。在該半導(dǎo)體基板 上，多層接觸插塞5 (第一接觸插塞5a、第二接觸插塞5b和第三接觸 插塞5c)與/或多層層間絕緣膜6 (第一絕緣膜6a、第二絕緣膜6b、第 三絕緣膜6c和第四絕緣膜6d)和多層布線層7 (第一布線7a、第二布 線7b和第三布線7c)分別交替配置以具有夾層結(jié)構(gòu)。在形成第二接觸 插塞5b、 5c和第三布線7c時(shí)，相應(yīng)管狀光學(xué)波導(dǎo)管部10Ba和10Bb將 同時(shí)順序形成，由此形成光學(xué)波導(dǎo)IOB。具體而言，第一絕緣膜6a形成 于半導(dǎo)體基板1上的柵電極膜4和光接收部2上方，第一接觸插塞5a 形成于第一絕緣膜6a內(nèi)，第一布線7a形成于第一絕緣膜6a上，第二絕 緣膜6b形成于第一布線7a上，第二接觸插塞5b和光學(xué)波導(dǎo)管部10Ba 形成于第二絕緣膜6b內(nèi)，第二布線7b形成于第二絕緣膜6b上，第三 絕緣膜6c形成于第二絕緣膜6b上，第三接觸插塞5c和部分的光學(xué)波導(dǎo) 管部10Bb形成于第三絕緣膜6c內(nèi)，第三布線7c和其余的光學(xué)波導(dǎo)管 部10Bb形成于第三絕緣膜6c上，且此外第四絕緣膜6d形成于第三絕 緣膜6c上。這種情況下，例如，提出了一種固體圖像捕獲裝置的制造方法，在 除了光接收部正上方的區(qū)域之外的區(qū)域上，通過(guò)相應(yīng)絕緣膜來(lái)形成多層 導(dǎo)電膜，且在光接收部上方形成光學(xué)波導(dǎo)，多個(gè)光接收部設(shè)置于半導(dǎo)體 基板的頂面部分內(nèi)。該方法包括接觸插塞/第一光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟，在形成接觸插塞的同時(shí)形成第一光學(xué)波導(dǎo)管部，該第一光學(xué)波導(dǎo)管部使 用與該接觸插塞相同的材料形成，該接觸插塞用于電連接該半導(dǎo)體基板 和多層導(dǎo)電膜之間以及該多層導(dǎo)電膜之間的至少之一 ，該第 一光學(xué)波導(dǎo)管部形成光學(xué)波導(dǎo)的一部分；以及導(dǎo)電膜/第二光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟， 在形成多層導(dǎo)電膜至少之一或單層導(dǎo)電膜的同時(shí)，在該第一光學(xué)波導(dǎo)管 部上形成第二光學(xué)波導(dǎo)管部，該第二光學(xué)波導(dǎo)管部使用與該導(dǎo)電膜相同 的材料形成。該接觸插塞/第一光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟包括例如，第一絕緣膜形 成步驟，在半導(dǎo)體基板上形成第一絕緣膜；第一接觸插塞形成步驟，在 該第一絕緣膜內(nèi)形成第一接觸插塞；第一布線膜形成步驟，在其中形成 有該第一接觸插塞的該第一絕緣膜上形成第一布線(第一布線膜)；第 二絕緣膜形成步驟，在其上形成有該第一布線的該基板上形成第二絕緣 膜；以及第二接觸插塞/第一光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟，在該第二絕緣膜內(nèi) 形成第二接觸插塞，且同時(shí)在該第二絕緣膜和該第 一絕緣膜內(nèi)形成第一光學(xué)波導(dǎo)管部。此外，該導(dǎo)電膜/第二光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟包括例如， 第二布線形成步驟，在其中形成有該第二接觸插塞和該第一光學(xué)波導(dǎo)管 部的該第二絕緣膜上形成第二布線；第三絕緣膜形成步驟，在其上形成 有該第二布線的該基板上形成第三絕緣膜；第三接觸插塞/部分的第二光 學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟，在該第三絕緣膜內(nèi)形成第三接觸插塞和部分的第 二光學(xué)波導(dǎo)管部；以及第三布線/第二光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟，在其中形 成有該第三接觸插塞和該部分的光學(xué)波導(dǎo)管部的該第三絕緣膜上形成 第三布線和其余的第二光學(xué)波導(dǎo)管部。如上所述，已經(jīng)描述了下述情形，實(shí)施例1的光學(xué)波導(dǎo)管部10a至 10f中的光學(xué)波導(dǎo)管部10a至10c三個(gè)層一皮同時(shí)嵌入。然而，本發(fā)明不 限于此。備選地，也可以將實(shí)施例1的光學(xué)波導(dǎo)管部10a至10f中的光 學(xué)波導(dǎo)管部10a至10e五個(gè)層同時(shí)嵌入。這種情況下，該接觸插塞/第一光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟包括第一絕 緣膜形成步驟，在半導(dǎo)體基板上形成第一絕緣膜；第一接觸插塞形成步 驟，在該第一絕緣膜內(nèi)形成第一接觸插塞；第一布線膜形成步驟，在其 中形成有該第 一接觸插塞的該第 一 絕緣膜上形成第 一布線；第二絕緣膜 形成步驟，在其上形成有該第一布線的該基板上形成第二絕緣膜；第二 接觸插塞形成步驟，在該第二絕緣膜內(nèi)形成第二接觸插塞；第二布線膜形成步驟，在其中形成有該第二接觸插塞的該第二絕緣膜上形成第二布 線；第三絕緣膜形成步驟，在其上形成有該第二布線的該基板上形成第 三絕緣膜；以及第三接觸插塞/第一光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟，在該第三絕 緣膜內(nèi)形成第三接觸插塞，同時(shí)在該第三絕緣膜、該第二絕緣膜和該第 一絕緣膜內(nèi)形成第 一光學(xué)波導(dǎo)管部。實(shí)施例4實(shí)施例4描述下述情形，遮光膜形成于多層布線層上，該遮光膜與 該光學(xué)波導(dǎo)管部的頂部整合。圖10為示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例4的固體圖像捕獲裝置20C的示例 性基本結(jié)構(gòu)的縱向剖面圖。達(dá)成與圖1所示部件相似效果的部件使用與 圖l中的相同標(biāo)號(hào)來(lái)表示，并對(duì)其描述予以省略。在圖10的實(shí)施例4的固體圖像捕獲裝置20C中，多個(gè)光接收部2 二維地設(shè)置于半導(dǎo)體基板上，且柵電極膜4設(shè)置為鄰接光接收部2。在 該半導(dǎo)體基板上，多層接觸插塞5 (第一接觸插塞5a、第二接觸插塞5b 和第三接觸插塞5c)與/或多層層間絕緣膜6 (第一絕緣膜6a、第二絕 緣膜6b、第三絕緣膜6c和第四絕緣膜6d)和多層布線層7 (第一布線 7a和第二布線7b)分別交替配置以具有夾層結(jié)構(gòu)。在形成多個(gè)接觸插 塞5b和多個(gè)布線層7c時(shí)，相應(yīng)管狀光學(xué)波導(dǎo)管部10Ca和10Ce將同時(shí) 順序形成，且此外遮光膜27c將形成，由此形成光學(xué)波導(dǎo)10C。具體而言，第一絕緣膜6a形成于半導(dǎo)體基板1上的柵電極膜4和 光接收部2上方，第一接觸插塞5a和第一光學(xué)波導(dǎo)管部10Ca形成于第 一絕緣膜6a內(nèi)，第一布線7a和光學(xué)波導(dǎo)管部10Cb形成于第一絕緣膜 6a上，第二絕緣膜6b形成于第一絕緣膜6a上，第二接觸插塞5b和光 學(xué)波導(dǎo)管部10Cc形成于第二絕緣膜6b內(nèi)，第二布線7b和光學(xué)波導(dǎo)管 部10Cd形成于第二絕緣膜6b上，第三絕緣膜6c形成于第二絕緣膜6b 上，第三接觸插塞5c (未示出)和光學(xué)波導(dǎo)管部10Ce形成于第三絕緣 膜6c內(nèi)，薄絕緣膜形成于絕緣膜6c上，且隨后，通過(guò)該薄絕緣膜，將 實(shí)施例1的第三布線7c和光學(xué)波導(dǎo)管部10f相互連4妻的遮光膜27c形成 來(lái)替代形成第三布線7c和光學(xué)波導(dǎo)管部10f，且此外，第四絕緣膜6d 形成于遮光膜27c上。這種情況下，形成光學(xué)波導(dǎo)管部10C的遮光膜27c和位于其下的光 學(xué)波導(dǎo)管部10Ca至10Ce通過(guò)薄絕緣膜相互絕緣，使得整合的光學(xué)波導(dǎo)管部10Ca至10Ce用作例如控制線、信號(hào)線、電源線或者時(shí)鐘線的布線。 實(shí)際上，不使用薄絕緣膜來(lái)絕緣，形成光學(xué)波導(dǎo)管部10C的遮光膜27c 和光學(xué)波導(dǎo)管部10Ca至10Ce可以整合為一，使得遮光膜27c和光學(xué)波 導(dǎo)管部10Ca至10Ce用作例如控制線、信號(hào)線、電源線或者時(shí)鐘線的布 線。此外，薄絕緣膜可以?shī)A置于光學(xué)波導(dǎo)管部10Ca至10Ce之間從而進(jìn) 一步將其分隔。這種情況下，可以共用兩個(gè)系統(tǒng)的布線和光學(xué)波導(dǎo)管部。此外，通過(guò)調(diào)整蝕刻條件等，形成光學(xué)波導(dǎo)管部入口的遮光膜27c 在遮光膜27c的角部具有大的錐形271,使得每個(gè)光學(xué)波導(dǎo)管部的部分 或所有開口可以更大。需要考慮的是，在角部形成錐形使得在不需要錐 形的角部也形成錐形。如上所述，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例4，通過(guò)將遮光膜27c和光學(xué)波導(dǎo)管 部的頂部整合并共用，以及使用部分或所有光學(xué)波導(dǎo)IOC的每個(gè)管部本 身作為布線，由此可以減小制造空間限制。此外，使用在頂層上的遮光 膜27c,可以使光僅入射至光學(xué)波導(dǎo)IOC。此外，4艮據(jù)蝕刻條件等，可 以將錐形271添加到形成光學(xué)波導(dǎo)管部頂部的遮光膜27c的內(nèi)角，由此 光學(xué)波導(dǎo)10C的開口可以更寬以獲得更多入射光。實(shí)施例5實(shí)施例1已經(jīng)描述了下述情形，其中在形成接觸插塞5或布線層7 時(shí)，垂直地一次一層地順序?qū)盈B多個(gè)管狀光學(xué)波導(dǎo)管部10a至10f而形 成光學(xué)波導(dǎo)IO。實(shí)施例5描述這樣的情形，僅當(dāng)最下位置的第一接觸插 塞形成時(shí)(在第一接觸插塞形成步驟時(shí))，第一光學(xué)波導(dǎo)管部不形成， 且這適用于本發(fā)明的實(shí)施例1。原因在于，如果進(jìn)行蝕刻以形成光接收部2上方的第 一光學(xué)波導(dǎo)管 部的凹部形狀，同時(shí)蝕刻以形成在最下位置的第一接觸插塞的凹部形 狀，第 一接觸插塞的凹部形狀和第 一光學(xué)波導(dǎo)管部的凹部形狀的深度將 相同，且光接收部2的凹部形狀的底部的位置將接近光接收部2并位于 光接收部2上方，由此導(dǎo)致光接收部2內(nèi)的蝕刻損傷。為了防止光接收部2內(nèi)的蝕刻損傷，盡管未在實(shí)施例1至4中描述， 需要在第 一光學(xué)波導(dǎo)管部的底部?jī)?nèi)構(gòu)造蝕刻停止層，或者使用不同圖案 的兩個(gè)光致抗蝕劑膜來(lái)分別但順序地形成第 一 接觸插塞的凹部形狀和 第一光學(xué)波導(dǎo)管部的凹部形狀，使其遠(yuǎn)離以減小對(duì)光接收部2的損傷。 這種情況下蝕刻停止層涂敷在光接收部2上方除了寬光接收中心部之外的區(qū)域，該蝕刻停止層的表面積顯著小于覆蓋光接收部2上方幾乎所有 區(qū)域的現(xiàn)有技術(shù)情形，由此顯著減小光接收部2上蝕刻停止層的負(fù)面影 響。此外，對(duì)于第一接觸插塞的凹部形狀和第一光學(xué)波導(dǎo)管部的凹部形 狀二者分別但順序地使用不同圖案的兩個(gè)光敏抗蝕劑膜來(lái)形成時(shí)，盡管 存在加工步驟更多的缺點(diǎn)，但是第 一光學(xué)波導(dǎo)管部的凹部形狀的深度可 以窄于第一接觸插塞的凹部形狀的深度，由此減小或防止對(duì)光接收部2 的蝕刻損傷。鑒于此，在實(shí)施例1至4中第一接觸插塞形成時(shí)(第一接 觸插塞形成步驟)，同時(shí)形成第一光學(xué)波導(dǎo)管部。圖18為示出本發(fā)明實(shí)施例5的固體圖像捕獲裝置20D的一個(gè)示例 性基本結(jié)構(gòu)的縱向剖面圖。圖19為用于描述圖18的固體圖像捕獲裝置 20D的制造方法中接觸插塞形成步驟的俯視圖。如圖18和19所示，為了制造固體圖像捕獲裝置20D,在形成柵電 極膜4之后，首先使用Si〇2材料例如BPSG (硼磷硅酸鹽玻璃)與/或高 密度等離子體Si〇2 (HDP-Si〇2)在柵電極膜4上生長(zhǎng)第一絕緣膜6a。 第一絕緣膜6a的表面通過(guò)CMP拋光，主要目的是平坦化以使下一步驟 變得容易。這與實(shí)施例l的情形相同。接下來(lái)，在第一絕緣膜6a的表面拋光之后，為了形成第一接觸插 塞5a(第一光學(xué)波導(dǎo)管部10a不形成)，光敏抗蝕劑材料涂敷在第一絕 緣膜6a上方且被曝光和顯影以具有預(yù)定圖案化形狀，且以該圖案化抗 蝕劑膜為掩模，對(duì)第一絕緣膜6a執(zhí)行各向異性蝕刻。使用該抗蝕劑膜 作為掩模，加工形成第一接觸插塞5a的形狀。在蝕刻第一絕緣膜6a之后，通過(guò)金屬濺射在第一絕緣膜6a上生長(zhǎng) 接觸插塞用金屬膜。例如也可以用CVD生長(zhǎng)由鴒制成的金屬插塞用金 屬膜。此外，在金屬濺射之前，濺射阻擋金屬膜以防止與基底硅化。隨 后，第一絕緣膜6a的整個(gè)表面被蝕刻以除去第一絕緣膜6a上的濺射膜， 以形成嵌在第一絕緣膜6a的孔(凹部形狀)內(nèi)的第一接觸插塞5a。對(duì) 整個(gè)表面的該蝕刻例如可以通過(guò)CMP拋光來(lái)進(jìn)行。圖19示出與第一接 觸插塞5a不在同 一平面上的光電二極管(光接收部102 )和柵電極膜4, 這是出于闡明與第 一接觸插塞5a的位置關(guān)系的目的。隨后重復(fù)與實(shí)施例1相同的步驟以形成光學(xué)波導(dǎo)IOD，由此制造本 發(fā)明實(shí)施例5的固體圖像捕獲裝置20D。將更總整體且筒化地描述如上所述的固體圖像捕獲裝置20D的制造方法。該固體圖像捕獲裝置20D的制造方法，為了形成第一層布線膜，包括第一絕緣膜形成步驟，在半導(dǎo)體基板上形成第一絕緣膜6a,其中多 個(gè)光接收部2 二維地形成于該半導(dǎo)體基板內(nèi)，且柵電才及膜4形成為鄰接 光接收部2;第一抗蝕劑膜形成步驟，圖案化該第一絕緣膜6a內(nèi)的笫一 抗蝕劑膜以具有與該第一接觸插塞5a相對(duì)應(yīng)的形狀；第一凹部形狀形 成步驟，使用該第一抗蝕劑膜為掩模，在該第一絕緣膜6a內(nèi)加工形成 與該第一接觸插塞5a相對(duì)應(yīng)的第一凹部形狀；第一金屬膜涂敷步驟， 在其上形成有該笫 一 凹部形狀的該基板上涂敷第 一金屬膜；除去整個(gè)第 一絕緣膜6a上的該第一金屬膜的步驟，使得該第一金屬膜保留在凹部 內(nèi)，以在相應(yīng)凹部?jī)?nèi)形成第一接觸插塞5a;第二金屬膜涂敷步驟，在其 上形成有第一接觸插塞5a的該基板上涂敷第二金屬膜；第二抗蝕劑膜 形成步驟，圖案化該第二金屬膜內(nèi)的第二抗蝕劑膜以具有與第一布線7a 和第二光學(xué)波導(dǎo)管部10b相對(duì)應(yīng)的形狀；使用該第二抗蝕劑膜為掩模， 由該第二金屬膜形成第一布線7a和第二光學(xué)波導(dǎo)管部10b的步驟；以 及第二絕緣膜形成步驟，在其上形成有第一布線7a和第二光學(xué)波導(dǎo)管 部10b的基板上形成第二絕緣膜6b。由于固體圖像捕獲裝置20D的制 造方法不形成第一光學(xué)波導(dǎo)管部10a,第二光學(xué)波導(dǎo)管部10b為最底下 的光學(xué)波導(dǎo)管部。除了上述說(shuō)明之外，該固體圖像捕獲裝置20D的制造方法包括第 2N-1 (N為大于或等于2的整數(shù))抗蝕劑膜形成步驟，圖案化該第N絕 緣膜6內(nèi)的第2N-1抗蝕劑膜以具有與第N接觸插塞5和第2N-1光學(xué)波 導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的形狀；第N凹部形狀形成步驟，4吏用該第2N-1抗蝕劑 膜為掩才莫，在該第N絕緣膜6內(nèi)加工形成與該第N接觸插塞5和該第 2N-1光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的第N凹部形狀；第2N-1金屬膜涂敷步驟， 在其上形成有該第N凹部形狀的該基板上涂敷第2N-1金屬膜；除去整 個(gè)第N絕緣膜6上的該第2N-1金屬膜的步驟，使得該第2N-1金屬膜保 留在該第N凹部?jī)?nèi)，以在相應(yīng)第N凹部?jī)?nèi)形成該第N接觸插塞5和該 第2N-1光學(xué)波導(dǎo)管部；第2N金屬膜涂敷步驟，在其上形成有該第N 接觸插塞5和該第2N-1光學(xué)波導(dǎo)管部的該基板上涂敷第2N金屬膜；第 2N抗蝕劑膜形成步驟，圖案化該第2N金屬膜上的第2N抗蝕劑膜以具 有與該第N布線7和該第2N光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的形狀；4吏用該第2N抗蝕劑膜為掩模，由該第2N金屬膜形成該第N布線7和該第2N光學(xué) 波導(dǎo)管部的步驟；以及第N+l絕緣膜形成步驟，在其上形成有第N布 線7和第2N光學(xué)波導(dǎo)管部的該基板上形成第N+l絕緣膜6。此外，固 體圖像捕獲裝置20D的制造方法還包括彩色濾光片形成步驟，在第 N+l絕緣膜6上形成布置用于相應(yīng)顏色的彩色濾光片8;第N+2絕緣膜 形成步驟，在該彩色濾光片上形成第N+2絕緣膜；以及微透鏡形成步驟， 在該第N+2絕緣膜上形成微透鏡。 實(shí)施例6實(shí)施例2描述了這樣的情形，一次同時(shí)層疊光學(xué)波導(dǎo)管部10a至10f 的兩層(下層尺寸較小且上層尺寸較大)，依賴于光學(xué)波導(dǎo)管部10a至 10f的對(duì)準(zhǔn)精確度，從而減小由于垂直層疊光學(xué)波導(dǎo)管部10a至10f而導(dǎo) 致的金屬表面對(duì)準(zhǔn)的不平坦。實(shí)施例6描述這樣的情形，僅當(dāng)?shù)谝唤佑| 插塞形成時(shí)(在第一接觸插塞形成步驟時(shí))，第一光學(xué)波導(dǎo)管部10Aa 下部的一部分不形成，且這適用于本發(fā)明的實(shí)施例2。第一光學(xué)波導(dǎo)管 部10Aa下部的一部分不形成的原因在于，如果在蝕刻以形成第一接觸 插塞的凹部形狀的同時(shí)，蝕刻形成第一光學(xué)波導(dǎo)管部的凹部形狀，第一 接觸插塞的凹部形狀和第一光學(xué)波導(dǎo)管部的凹部形狀的深度將相同，且 光接收部2的凹部形狀的底部的位置將接近光接收部2并位于光接收部 2上方，由此導(dǎo)致光接收部2內(nèi)的蝕刻損傷。圖20為示出本發(fā)明實(shí)施例6的固體圖像捕獲裝置20E的另一示例 性基本結(jié)構(gòu)的縱向剖面圖。如圖20所示，為了制造固體圖像捕獲裝置20E,在形成柵電極膜4 之后，首先使用Si02材料例如BPSG(硼磷硅酸鹽玻璃)與/或高密度等 離子體Si02 (HDP-Si02)在柵電極膜4上生長(zhǎng)第一絕緣膜16a。第一絕 緣膜16a的表面通過(guò)CMP拋光，主要目的是平坦化以使下一步驟變得 答易。接下來(lái)，在第一絕緣膜16a拋光之后，為了形成接觸插塞部到柵電 極4的諸如孔或槽的凹部，光敏抗蝕劑材料涂敷在第一絕緣膜16a上方 且被曝光和顯影以具有預(yù)定圖案化形狀，且以該圖案化抗蝕劑膜為掩 模，對(duì)第一絕緣膜16a執(zhí)行各向異性蝕刻。對(duì)于該抗蝕劑膜的圖案，執(zhí) 行接觸插塞部的形狀加工，使得由于形成該接觸插塞而形成第 一絕緣膜 16a的凹部形狀。此外，類似地，為了形成和接觸插塞部整合的第一布線17a以及該第一光學(xué)波導(dǎo)管部lOAa的諸如孔或槽的凹部，另 一光敏 抗蝕劑材料涂敷在第 一絕緣膜16a上方且被曝光和顯影以具有預(yù)定圖案 化形狀，且以該圖案化抗蝕劑膜為掩模，對(duì)第一絕緣膜16a執(zhí)行各向異 性蝕刻。除了與該接觸插塞部整合的第一布線17a之外，使用該抗蝕劑 膜為掩模執(zhí)行第一光學(xué)波導(dǎo)管部10Aa的形狀加工，由于形成第一布線 17a和第一光學(xué)波導(dǎo)管部10Aa,而同時(shí)形成該第一絕緣膜16a的形狀。在蝕刻第一絕緣膜16a之后，通過(guò)金屬濺射在第一絕緣膜16a上生 長(zhǎng)接觸插塞或布線用金屬膜。例如也可以用CVD生長(zhǎng)由鋁或鎢制成的 金屬膜。此外，在金屬賊射之前，濺射阻擋金屬膜以防止與基底硅化。 隨后，第一絕緣膜16a的整個(gè)表面被蝕刻以除去第一絕緣膜16a上的濺 射膜，以同時(shí)形成嵌在第一絕緣膜16a的相應(yīng)孔(凹部形狀)內(nèi)的第一 布線17a和第一光學(xué)波導(dǎo)管部10Aa。對(duì)整個(gè)表面的該蝕刻例如可以通過(guò) CMP拋光來(lái)進(jìn)行。在第一布線17a和第一光學(xué)波導(dǎo)管部10Aa形成之后，使用Si02材 料例如BPSG (硼磷硅酸鹽玻璃)與/或高密度等離子體Si〇2 ( HDP-Si〇2) 在第一絕緣膜16a上生長(zhǎng)第二絕緣膜16b。第二絕緣膜16b的表面通過(guò) CMP拋光，主要目的是平坦化以使下一步驟變得容易。在第二絕緣膜16b拋光之后，為了形成接觸插塞部到預(yù)定第一布線 17a和部分的第二光學(xué)波導(dǎo)管部10Ab的諸如孔或槽的凹部，光壽l抗蝕劑 膜涂敷在第二絕緣膜16b上方且被曝光和顯影以具有預(yù)定圖案化形狀， 且以該圖案化抗蝕劑膜為掩模，對(duì)第二絕緣膜16b執(zhí)行各向異性蝕刻。 對(duì)于該抗蝕劑膜的圖案，除了接觸插塞部的形狀加工之外，該部分的第 二光學(xué)波導(dǎo)管部10Ab的形狀加工也纟皮執(zhí)4亍，由于形成該接觸插塞和部 分的第二光學(xué)波導(dǎo)管部10Ab,而同時(shí)形成第二絕緣膜16b的形狀。此 外，類似地，為了形成和接觸插塞部整合的第二布線17b以及和部分的 第二光學(xué)波導(dǎo)管部10Ab整合的該第二光學(xué)波導(dǎo)管部10Ab的諸如孔或 槽的凹部，光敏抗蝕劑材料涂敷在第二絕緣膜16b上方且被曝光和顯影 以具有預(yù)定圖案化形狀，且以該圖案化抗蝕劑膜為掩模，對(duì)第二絕緣膜 16b執(zhí)行各向異性蝕刻。對(duì)于該抗蝕劑膜的圖案，由于形成第二布線17b 和該第二光學(xué)波導(dǎo)管部10Ab,除了第二布線17b之外，該第二光學(xué)波 導(dǎo)管部10Ab的形狀加工也被執(zhí)行以同時(shí)形成該第二絕緣膜16b的形狀。在蝕刻第二絕緣膜16b之后，通過(guò)金屬濺射在第二絕緣膜16b上生長(zhǎng)接觸插塞或布線用金屬膜。例如也可以用CVD生長(zhǎng)由鋁或鎢制成的 金屬膜。此外，在金屬濺射之前，濺射阻擋金屬膜以防止與基底硅化。隨后，第二絕緣膜16b的整個(gè)表面被蝕刻以除去第二絕緣膜16b上的濺 射膜，以同時(shí)形成嵌在第二絕緣膜16b的相應(yīng)孔(凹部形狀)內(nèi)的第二 布線17b和第二光學(xué)波導(dǎo)管部10Ab。對(duì)整個(gè)表面的該蝕刻例如可以通 過(guò)CMP拋光來(lái)進(jìn)行。隨后重復(fù)與實(shí)施例2相同的步驟以形成光學(xué)波導(dǎo)10E,由此制造本 發(fā)明實(shí)施例6的固體圖像捕獲裝置20E。將更總體且簡(jiǎn)化地描述如上所述的固體圖像捕獲裝置20E的制造 方法。該固體圖像捕獲裝置20E的制造方法，為了形成第一層布線膜，包 括第一絕緣膜形成步驟，在半導(dǎo)體基板上形成第一絕緣膜16a，其中 多個(gè)光接收部2 二維地形成于該半導(dǎo)體基板內(nèi)，且柵電極膜4形成為鄰 接光接收部2;第一抗蝕劑膜形成步驟，圖案化該第一絕緣膜16a上的 第 一抗蝕劑膜以具有與柵電極膜4上的接觸插塞相對(duì)應(yīng)的形狀；第 一 凹 部形狀形成步驟，使用該第一抗蝕劑膜為掩模，在該第一絕緣膜16a內(nèi) 加工形成與該接觸插塞相對(duì)應(yīng)的第 一 凹部形狀；第二抗蝕劑膜形成步 驟，圖案化該第一絕緣膜16a上的第二抗蝕劑膜以具有與和接觸插塞整 合的第一布線7a以及該第一光學(xué)波導(dǎo)管部10Aa相對(duì)應(yīng)的形狀；第二凹 部形狀形成步驟，使用該第二抗蝕劑膜為掩模，在該第一絕緣膜16a內(nèi) 加工形成與該接觸插塞部整合的第 一布線17a以及該第 一光學(xué)波導(dǎo)管部 10Aa相對(duì)應(yīng)的第二凹部形狀；第一金屬膜涂敷步驟，在其中形成有該 第一凹部形狀和該第二凹部形狀的該第一絕緣膜16a上涂敷第一金屬 膜；以及除去整個(gè)第一絕緣膜16a上的該第一金屬膜的步驟，使得該第 一金屬膜保留在凹部?jī)?nèi)，以在相應(yīng)凹部?jī)?nèi)形成與該接觸插塞部整合的該 第一布線17a以及該第一光學(xué)波導(dǎo)管部10Aa。除了上述說(shuō)明之外，該固體圖像捕獲裝置20E的制造方法包括第 N (N為大于或等于2的整數(shù))絕緣膜形成步驟，在其中設(shè)置有第N-l 布線17和第N-l光學(xué)波導(dǎo)管部的第N-l絕緣膜16上形成第N絕緣膜 16;第2N-1抗蝕劑膜形成步驟，圖案化該第N絕緣膜16上的第2N-1 抗蝕劑膜以具有與接觸插塞和部分的第N光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的形狀； 第2N-1凹部形狀形成步驟，使用該第2N-1抗蝕劑膜為掩模，在該第N絕緣膜16內(nèi)加工形成與該4妻觸插塞和部分的第N光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的第2N-1凹部形狀；第2N抗蝕劑膜形成步驟，圖案化該第N絕緣膜 16上的第2N抗蝕劑膜，以具有與和該接觸插塞整合的第N布線17以 及和該部分的光學(xué)波導(dǎo)管部整合的該第N光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的形狀； 第2N凹部形狀形成步驟，使用該第2N抗蝕劑膜為掩^^莫，在該第N絕 緣膜16內(nèi)加工形成與該第N布線17和該第N光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的第 2N凹部形狀；第N金屬膜涂敷步驟，在其中形成有該第2N-1凹部形狀 和第2N凹部形狀的該第N絕緣膜16上涂敷第N金屬膜；以及除去整 個(gè)第N絕緣膜16上的該第N金屬膜的步驟，使得該第N金屬膜保留在 凹部?jī)?nèi)，以在相應(yīng)凹部?jī)?nèi)形成該第N布線17和該第N光學(xué)波導(dǎo)管部。 此外，固體圖像捕獲裝置20E的制造方法還包括彩色濾光片形成步驟， 在第N+l絕緣膜16上形成布置用于相應(yīng)顏色以對(duì)應(yīng)于光^t妻收部2的彩 色濾光片8;第N+2絕緣膜形成步驟，在該彩色濾光片8上形成第N+2 絕緣膜；以及微透鏡形成步驟，在該第N+2絕緣膜上形成微透鏡9。 實(shí)施例7實(shí)施例3描述了下述情形， 一次同時(shí)層疊光學(xué)波導(dǎo)管部10a至10f 的下三層或五層，從而減小由于垂直層疊光學(xué)波導(dǎo)管部10a至10f而導(dǎo) 致的光反射表面的金屬表面對(duì)準(zhǔn)的不平坦。實(shí)施例7描述這樣的情形， 僅當(dāng)最底下接觸插塞5a形成的同時(shí)，管狀光學(xué)波導(dǎo)管部10Ab下部的一 部分不形成，且隨后進(jìn)行與實(shí)施例3中如上所述相似的步驟。管狀光學(xué) 波導(dǎo)管部10Ab下部的一部分不形成的原因在于，如果在蝕刻以形成第 一接觸插塞的凹部形狀的同時(shí)，蝕刻形成第一光學(xué)波導(dǎo)管部的凹部形 狀，第 一接觸插塞的凹部形狀和第 一 光學(xué)波導(dǎo)管部的凹部形狀的深度將 相同，且光接收部2的凹部形狀的底部的位置將接近光接收部2并位于 光接收部2上方，由此導(dǎo)致光接收部2內(nèi)的蝕刻損傷。圖21為示出本發(fā)明實(shí)施例7的固體圖像捕獲裝置20F的又一示例 性基本結(jié)構(gòu)的縱向剖面圖。在圖21的固體圖像捕獲裝置20F的制造方法中，第一絕緣膜6a形 成于半導(dǎo)體基板l上的柵電極膜4和光接收部2上方；第一接觸插塞5a 形成于第一絕緣膜6a內(nèi)；第一布線7a形成于第一接觸插塞5a上；第二 絕緣膜6b形成于第一絕緣膜6a上；第二接觸插塞5b和光學(xué)波導(dǎo)管部 10Ba形成于第二絕緣膜6b內(nèi)；第二布線7b形成于第二絕緣膜6b上；第三絕緣膜6c形成于第二絕緣膜6b上；第三接觸插塞5c和部分的光學(xué) 波導(dǎo)管部10Bb形成于第三絕緣膜6c內(nèi)；第三布線7c和其余的光學(xué)波 導(dǎo)管部10Bb形成于第三接觸插塞5c和光學(xué)波導(dǎo)管部10Bb上；且第四 絕緣膜6d形成于第三絕緣膜6c上。這種情況下，例如，提出了一種固體圖像捕獲裝置的制造方法，在 除了光接收部正上方的區(qū)域之外的區(qū)域上，通過(guò)相應(yīng)絕緣膜來(lái)形成多層 導(dǎo)電膜，且在該光接收部上方形成光學(xué)波導(dǎo)，多個(gè)光接收部設(shè)置于半導(dǎo) 體基板的頂面部分內(nèi)。該方法包括接觸插塞/第一光學(xué)波導(dǎo)管部形成步 驟，在形成接觸插塞的同時(shí)形成第一光學(xué)波導(dǎo)管部，該第一光學(xué)波導(dǎo)管 部使用與該接觸插塞相同的材料形成，該接觸插塞用于電連接該半導(dǎo)體 基板和該導(dǎo)電膜之間以及該多層導(dǎo)電膜之間的至少之一，該第 一光學(xué)波 導(dǎo)管部形成光學(xué)波導(dǎo)的一部分；以及導(dǎo)電膜/第二光學(xué)波導(dǎo)管部形成步 驟，在形成多層導(dǎo)電膜或單層導(dǎo)電膜至少之一的同時(shí)，在該第一光學(xué)波 導(dǎo)管部上形成第二光學(xué)波導(dǎo)管部，該第二光學(xué)波導(dǎo)管部使用與用于形成 部分的該光學(xué)波導(dǎo)的該導(dǎo)電膜相同的材料形成。該接觸插塞/第一光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟包括例如，第一絕緣膜形 成步驟，在半導(dǎo)體基板上形成第一絕緣膜；第一接觸插塞形成步驟，在 該第一絕緣膜內(nèi)形成第一接觸插塞；第一布線膜形成步驟，在其中形成 有該第一接觸插塞的該第一絕緣膜上形成第一布線(第一布線膜)；第 二絕緣膜形成步驟，在其上形成有該第一布線的該基板上形成第二絕緣 膜；以及第二接觸插塞/第一光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟，在該第二絕緣膜內(nèi) 形成第二接觸插塞，且同時(shí)僅在該第二絕緣膜內(nèi)形成第一光學(xué)波導(dǎo)管 部。此外，該導(dǎo)電膜/第二光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟包括例如，第二布線 形成步驟，在其中形成有該第二接觸插塞和該第一光學(xué)波導(dǎo)管部的該第 二絕緣膜上形成第二布線；第三絕緣膜形成步驟，在其上形成有該第二 布線的該基板上形成第三絕緣膜；第三接觸插塞/第二光學(xué)波導(dǎo)管部形成 步驟，在該第三絕緣膜內(nèi)形成第三接觸插塞和部分的第二光學(xué)波導(dǎo)管 部；以及第三布線/第二光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟，在其中形成有該第三接 觸插塞和該部分的第二光學(xué)波導(dǎo)管部的該第三絕緣膜上形成第三布線 和其余的第二光學(xué)波導(dǎo)管部。上述的步驟也可應(yīng)用于實(shí)施例1的光學(xué)波導(dǎo)管部10b至10e四層同 時(shí)嵌入的情形。這種情況下，該接觸插塞/第一光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟包括笫一絕 緣膜形成步驟，在半導(dǎo)體基板上形成第一絕緣膜；第一接觸插塞形成步驟，在該第一絕緣膜內(nèi)形成第一接觸插塞；第一布線膜形成步驟，在其中形成有該第一接觸插塞的該第一絕緣膜上形成第一布線(第一布線膜)；第二絕緣膜形成步驟，在其上形成有該第一布線的該基板上形成 第二絕緣膜；第二接觸插塞形成步驟，在該第二絕緣膜內(nèi)形成第二接觸 插塞；第二布線膜形成步驟，在其中形成有該第二接觸插塞的該笫二絕 緣膜上形成第二布線；第三絕緣膜形成步驟，在其上形成有該第二布線 的該基板上形成第三絕緣膜；以及第三接觸插塞/第 一光學(xué)波導(dǎo)管部形成 步驟，在該第三絕緣膜內(nèi)形成第三接觸插塞，且同時(shí)僅在該第三絕緣膜 和該第二絕緣膜內(nèi)形成第 一 光學(xué)波導(dǎo)管部。實(shí)施例8本發(fā)明的實(shí)施例4描述了下述情形，為了進(jìn)一步減小制造空間限制， 遮光膜27c和光學(xué)波導(dǎo)管部的頂部整合并共用，光學(xué)波導(dǎo)管部10Ca至 10Ce本身(類似于實(shí)施例1 )纟皮共用作為布線，且錐形271添加光入口 部，而本發(fā)明的實(shí)施例8描述了不形成最底下的光學(xué)波導(dǎo)管部10Ca的 情形。原因與不形成實(shí)施例1的最底下的光學(xué)波導(dǎo)管部10a的情形相同。 圖22示出在光接收部2上方具有如上所述的結(jié)構(gòu)的光學(xué)波導(dǎo)10G的固 體圖像捕獲裝置20G。圖22示出在形成第一接觸插塞時(shí)(在第一接觸 插塞形成步驟)不形成第一光學(xué)波導(dǎo)管部的情形，且這種情形適用于實(shí) 施例4的圖10。實(shí)施例8描述了在形成第一接觸插塞時(shí)不形成笫一光學(xué)波導(dǎo)管部的 情形，該情形適用于實(shí)施例4。然而，本發(fā)明不限于此。備選地，上述 情形可以調(diào)適于實(shí)施例5及6。無(wú)需說(shuō)，上述實(shí)施例4可以調(diào)適于任一 實(shí)施例1至3。實(shí)施例9實(shí)施例9描述具有例如數(shù)碼相機(jī)(例如數(shù)碼攝像機(jī)、數(shù)碼照相機(jī))、 圖像輸入相機(jī)(例如監(jiān)控?cái)z像機(jī)、門禁對(duì)話攝像機(jī)、諸如車載后視監(jiān)控 攝像機(jī)的車載攝像機(jī)、電視電話用相機(jī)、以及移動(dòng)電話用相機(jī))、以及 圖像輸入裝置(例如掃描儀、傳真和配備有相機(jī)的移動(dòng)電話裝置)的電 子信息裝置，其使用包含實(shí)施例1至8的任一固體圖像捕獲裝置20和 20A至20G的固體圖像捕獲設(shè)備。圖23為示出使用該固體圖像捕獲設(shè)備作為圖像捕獲部的根據(jù)本發(fā) 明實(shí)施例9的電子信息裝置的示例性示意結(jié)構(gòu)的方框圖，該電子信息裝置包括任一實(shí)施例1至8中的固體圖像捕獲裝置20和20A-20G。圖23中實(shí)施例9的電子信息裝置90包括下述至少之一固體圖像 捕獲設(shè)備91,使用任一實(shí)施例1至8的固體圖像捕獲裝置20和20A至 20G作為圖像捕獲部的圖像輸入裝置，對(duì)由此獲得的高質(zhì)量圖像捕獲信 號(hào)進(jìn)行無(wú)圖像質(zhì)量劣化的各種信號(hào)處理，從而獲得彩色圖像信號(hào)；存儲(chǔ) 部92(例如，記錄介質(zhì))，在用于記錄的預(yù)定信號(hào)處理之后數(shù)據(jù)記錄來(lái) 自固體圖像捕獲設(shè)備91的彩色圖像信號(hào)；顯示部93(例如，液晶顯示 裝置)，用于在進(jìn)行預(yù)定信號(hào)處理之后，將該彩色圖像信號(hào)顯示在顯示 屏幕(例如，液晶顯示屏幕)；通信部94(例如，收發(fā)裝置)，用于在 對(duì)彩色圖像信號(hào)進(jìn)行預(yù)定信號(hào)處理之后傳輸圖像數(shù)據(jù)；以及圖像輸出設(shè) 備95,用于印刷(印字)和輸出(印出)該彩色圖像信號(hào)。因此，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例9，基于來(lái)自固體圖像捕獲設(shè)備91的彩色 圖像信號(hào)，該彩色圖像信號(hào)可以良好地顯示在顯示屏幕上，使用圖像輸 出設(shè)備95印出(印刷)在紙張上，有線或無(wú)線地作為通信數(shù)據(jù)良好地 傳輸；通過(guò)執(zhí)行預(yù)定數(shù)據(jù)壓縮處理而良好地存儲(chǔ)在存儲(chǔ)部92;以及各種 數(shù)據(jù)處理可以良好地執(zhí)行。盡管在實(shí)施例1至9中沒有具體描述，如果多個(gè)光學(xué)波導(dǎo)管使用與 至少 一個(gè)該多層導(dǎo)電膜相同的材料配置成根據(jù)本發(fā)明的光學(xué)波導(dǎo)，則不 僅聚光和光傳播方面的出色效果可以被獲得，而且不像傳統(tǒng)那樣的圖像 質(zhì)量特性劣化的目的也可以達(dá)成。此外，在該固體圖像捕獲裝置中，在 除了光接收部正上方的區(qū)域之外的區(qū)域上，通過(guò)相應(yīng)絕緣膜來(lái)形成多層 導(dǎo)電膜，且在該光接收部上方形成光學(xué)波導(dǎo)，多個(gè)光接收部設(shè)置于半導(dǎo) 體基板的頂面部分內(nèi)；單層光學(xué)波導(dǎo)管可以配置成根據(jù)本發(fā)明的光學(xué)波 導(dǎo)，其使用與任一該多層導(dǎo)電膜或者任一用于電連接該半導(dǎo)體基板和該 導(dǎo)電膜之間與/或該導(dǎo)電膜之間的接觸插塞相同的材料。結(jié)果不僅可以獲 得聚光和光傳播方面的出色效果，而且還可以獲得避免傳統(tǒng)那樣的圖像 質(zhì)量特性劣化的目的。如上所述，使用優(yōu)選實(shí)施例1至9來(lái)示例性描述本發(fā)明。然而，本 發(fā)明不應(yīng)完全基于上述實(shí)施例1至9來(lái)解釋。應(yīng)理解，本發(fā)明的范圍應(yīng) 僅基于權(quán)利要求來(lái)解釋。還應(yīng)理解，基于本發(fā)明的說(shuō)明書以及本發(fā)明的詳細(xì)優(yōu)選實(shí)施例1至9，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以實(shí)施等同范圍的技術(shù)。此 外，應(yīng)理解，在本說(shuō)明書中引用的任何專利、專利申請(qǐng)和任何參考文獻(xiàn) 均引用結(jié)合于本說(shuō)明書，如同在此具體描述了其內(nèi)容。產(chǎn)業(yè)應(yīng)用性根據(jù)本發(fā)明，在下述領(lǐng)域中固體圖像捕獲裝置(例如CMOS圖像 傳感器、CCD圖像傳感器等)，其中光學(xué)波導(dǎo)區(qū)域形成在半導(dǎo)體基板上 形成的多個(gè)光接收部的每一個(gè)上；該固體圖像捕獲裝置的制造方法；以 及使用該固體圖像捕獲裝置作為圖像捕獲部的電子信息裝置，例如數(shù)碼 相機(jī)和裝備有相機(jī)的蜂窩電話裝置；由于不設(shè)置用于形成波導(dǎo)的孔而可 以實(shí)現(xiàn)具有光學(xué)波導(dǎo)區(qū)域的固體圖像捕獲裝置，本發(fā)明可以防止在加工 該用于形成波導(dǎo)的孔時(shí)，光接收部遭受蝕刻損傷并由此導(dǎo)致圖像質(zhì)量特 性劣化的問(wèn)題，同時(shí)本發(fā)明可以提高光的利用效率。此外，由于無(wú)需使 用CVD等涂敷高折射率材料和低折射率材料以及在用于形成波導(dǎo)的孔部擴(kuò)散，由此使圖像質(zhì)量特性劣化的問(wèn)題因此可得以防止。此外，由于 無(wú)需通過(guò)使用高折射率材料和低折射率材料形成多層膜從而獲得光學(xué) 波導(dǎo)的效果，由于應(yīng)力導(dǎo)致的漏電流和裂縫并因此使圖像質(zhì)量特性劣化 的傳統(tǒng)問(wèn)題可得以防止。再者，根據(jù)本發(fā)明，不需要用于形成光學(xué)波導(dǎo) 的專用步驟，且僅對(duì)抗蝕劑膜進(jìn)行設(shè)計(jì)改變，即可使用傳統(tǒng)加工步驟來(lái) 形成光學(xué)波導(dǎo)區(qū)域，因此半導(dǎo)體加工成本大幅削減，固體圖像捕獲裝置 價(jià)格因此降低。各種其它變型對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員是顯見的且可以容易地實(shí)現(xiàn)，而不 背離本發(fā)明的范圍和精神。因此，所附權(quán)利要求的范圍不應(yīng)限制于說(shuō)明 書及此處所列舉，相反，權(quán)利要求應(yīng)得到廣義的解釋。
權(quán)利要求
1.一種固體圖像捕獲裝置，其中在表面部分二維地布置有多個(gè)光接收部的半導(dǎo)體基板上，多層導(dǎo)電膜通過(guò)相應(yīng)絕緣膜形成于所述光接收部正上方的區(qū)域之外的區(qū)域上，且光學(xué)波導(dǎo)形成于光接收部上方，其中使用與所述多層導(dǎo)電膜至少之一相同的材料形成作為所述光學(xué)波導(dǎo)的多層光學(xué)波導(dǎo)管。
2. —種固體圖像捕獲裝置，其中在表面部分二維地布置有多個(gè)光 接收部的半導(dǎo)體基板上，多層導(dǎo)電膜通過(guò)相應(yīng)絕緣膜形成于所述光接收 部正上方的區(qū)域之外的區(qū)域上，且光學(xué)波導(dǎo)形成于光接收部上方，其中使用與導(dǎo)電膜、或者所述多層導(dǎo)電膜的導(dǎo)電膜之間的接觸插塞 以及電連接于所述半導(dǎo)體基板和所述導(dǎo)電膜之間與/或所述導(dǎo)電膜之間 的所述接觸插塞相同的材料形成作為所述光學(xué)波導(dǎo)的單層或多層光學(xué) 波導(dǎo)管。
3. 如權(quán)利要求1所述的固體圖像捕獲裝置，其中所述半導(dǎo)體基板 和所述導(dǎo)電層之間以及所述多層導(dǎo)電膜之間至少之 一 是通過(guò)由導(dǎo)電材 料制成的接觸插塞來(lái)電連接的，且所述多層光學(xué)波導(dǎo)管部至少之一是使 用與所述接觸插塞相同的材料形成。
4. 如權(quán)利要求1所述的固體圖像捕獲裝置，其中柵電極膜形成為 鄰接所述光接收部，所述半導(dǎo)體基板和所述導(dǎo)電膜之間、所述柵電極膜 和所述導(dǎo)電膜之間以及所述多層導(dǎo)電膜之間至少之一是通過(guò)由導(dǎo)電材 料制成的接觸插塞來(lái)電連接的，其中所述多層光學(xué)波導(dǎo)管部至少之一是使用與所述接觸插塞相同 的材料形成。
5. 如權(quán)利要求3或4所述的固體圖像捕獲裝置，其中所述多層光學(xué)波導(dǎo)管是通過(guò)順序?qū)盈B所述光學(xué)波導(dǎo)管部而構(gòu)成的，所述光學(xué)波導(dǎo)管 部與每個(gè)所述多層導(dǎo)電膜和所述接觸插塞同時(shí)形成。
6. 如權(quán)利要求3或4所述的固體圖像捕獲裝置，其中所述多層光 學(xué)波導(dǎo)管是通過(guò)順序?qū)盈B所述光學(xué)波導(dǎo)管部而構(gòu)成的，所述光學(xué)波導(dǎo)管 部與每個(gè)順序?qū)盈B的多層導(dǎo)電膜和所述接觸插塞同時(shí)形成。
7. 如權(quán)利要求1或2所述的固體圖像捕獲裝置，其中導(dǎo)電膜至少 為所述布線膜的布線膜以及遮光膜。
8. 如權(quán)利要求1或2所述的固體圖像捕獲裝置，其中所述導(dǎo)電膜為金屬膜。
9. 如權(quán)利要求1或2所述的固體圖像捕獲裝置，其中所述導(dǎo)電膜 是由銅、銀、鋁和鎢的至少一種或者其合金制成。
10. 如權(quán)利要求2至4任意一項(xiàng)所述的固體圖像捕獲裝置，其中所述接觸插塞是由與所述導(dǎo)電膜相同的材料制成，或者所述接觸插塞是由 與所述導(dǎo)電膜不同的材料制成。
11. 如權(quán)利要求1、 3和4任意一項(xiàng)所述的固體圖像捕獲裝置，其 中至少所述光學(xué)波導(dǎo)管的所述多層光學(xué)波導(dǎo)管部的內(nèi)周面對(duì)準(zhǔn)。
12. 如權(quán)利要求1、 3和4任意一項(xiàng)所述的固體圖像捕獲裝置，其 中所述光學(xué)波導(dǎo)管的所述多層光學(xué)波導(dǎo)管部的外周面不對(duì)準(zhǔn)。
13. 如權(quán)利要求11所述的固體圖像捕獲裝置，其中每個(gè)所述光學(xué) 波導(dǎo)管部調(diào)整為同一層內(nèi)的所述導(dǎo)電膜和所述接觸插塞的尺寸。
14. 如權(quán)利要求12所述的固體圖像捕獲裝置，其中每個(gè)所述光學(xué) 波導(dǎo)管部調(diào)整為同 一層內(nèi)的所述導(dǎo)電膜和所述接觸插塞的尺寸。
15. 如權(quán)利要求11所述的固體圖像捕獲裝置，其中在平面圖中， 所述光學(xué)波導(dǎo)管的內(nèi)周是圓形或橢圓形，且所述光學(xué)波導(dǎo)管的外周是圓 形、橢圓形、方形或矩形。
16. 如權(quán)利要求12所述的固體圖像捕獲裝置，其中在平面圖中， 所述光學(xué)波導(dǎo)管的內(nèi)周是圓形或橢圓形，且所述光學(xué)波導(dǎo)管的外周是圓 形、橢圓形、方形或矩形。
17. 如權(quán)利要求1所述的固體圖像捕獲裝置，其中越靠近所述光學(xué) 波導(dǎo)管的開口，所述光學(xué)波導(dǎo)管的內(nèi)周面變得越寬。
18. 如權(quán)利要求1所述的固體圖像捕獲裝置，其中錐形形成于所述 光學(xué)波導(dǎo)管的開口。
19. 如權(quán)利要求1或2所述的固體圖像捕獲裝置，其中所述光學(xué)波 導(dǎo)管用作與信號(hào)讀取電路一起被設(shè)置的電源線、控制線、時(shí)鐘線和信號(hào)線之一的一部分。
20. 如權(quán)利要求1或2所述的固體圖像捕獲裝置，其中所述光學(xué)波 導(dǎo)管的所述多層光學(xué)波導(dǎo)管部除了用作信號(hào)讀取電路的布線之外，還用 作設(shè)置于所述信號(hào)讀取電路內(nèi)的電源線、控制線、時(shí)鐘線和信號(hào)線之一 的一部分。
21. 如權(quán)利要求1所述的固體圖像捕獲裝置，其中所述光學(xué)波導(dǎo)管部的一層或多層通過(guò)絕緣膜與另一鄰接光學(xué)波導(dǎo)管部絕緣，所述絕緣膜 盡可能足夠薄以絕緣每條布線以及與所述信號(hào)讀取電路一起被設(shè)置的 電源線、控制線、時(shí)鐘線和信號(hào)線，所述信號(hào)讀取電路的布線也用于所 述光學(xué)波導(dǎo)管部。
22. 如權(quán)利要求1或2所述的固體圖像捕獲裝置，其中所述絕緣膜 為形成于導(dǎo)電膜和不同于所述導(dǎo)電膜的另 一導(dǎo)電膜之間的層間絕緣膜。
23. 如權(quán)利要求1或2所述的固體圖像捕獲裝置，其中彩色濾光片設(shè)置于所述絕緣膜的最上層上，使得相應(yīng)顏色對(duì)應(yīng)于每個(gè)所述光接收 部，且在形成微透鏡之前，平坦化膜形成于所述彩色濾光片上，以及微 透鏡形成于所述平坦化膜上以對(duì)應(yīng)于每個(gè)所述光接收部。
24. —種固體圖像捕獲裝置的制造方法，用于在表面部分二維地布 置有多個(gè)光接收部的半導(dǎo)體基板上，通過(guò)相應(yīng)絕緣膜在所述光接收部正 上方的區(qū)域之外的區(qū)域上形成多層導(dǎo)電膜，且在光接收部上方形成光學(xué) 波導(dǎo)，所述方法包括導(dǎo)電膜/光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟，在加工單層導(dǎo)電膜或所述多層導(dǎo)電 膜至少之一的同時(shí)，使用與所述單層導(dǎo)電膜或者所述多層導(dǎo)電膜相同的 材料形成光學(xué)波導(dǎo)管部，所述光學(xué)波導(dǎo)管部構(gòu)成所述光學(xué)波導(dǎo)的一部 分。
25. 如權(quán)利要求24所述的固體圖像捕獲裝置的制造方法，其中所 述半導(dǎo)體基板和所述導(dǎo)電膜之間以及所述多層導(dǎo)電膜之間至少之一是 通過(guò)由導(dǎo)電材料制成的接觸插塞來(lái)電連接的，所述方法還包括接觸插塞/光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟，在加工和形成所述接觸插塞的同 時(shí)，使用與所述接觸插塞相同的材料形成光學(xué)波導(dǎo)管部。
26. 如權(quán)利要求24所述的固體圖像捕獲裝置的制造方法，其中柵 電極膜形成為鄰接所述光接收部，且所述半導(dǎo)體基板和所述導(dǎo)電膜之 間、所述柵電極膜和導(dǎo)電膜之間、以及所述多層導(dǎo)電膜之間至少之一是 通過(guò)由導(dǎo)電材料制成的接觸插塞來(lái)電連接的，所述方法還包括接觸插塞/光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟，在加工和形成所述接觸插塞的同 時(shí)，使用與所述接觸插塞相同的材料形成光學(xué)波導(dǎo)管部。
27. 如權(quán)利要求25或26所述的固體圖像捕獲裝置的制造方法，包括第一絕緣膜形成步驟，在所述半導(dǎo)體基板上形成第一絕緣膜，所述半導(dǎo)體基板在其表面部分內(nèi)二維地形成有所述多個(gè)光接收部；第一接觸插塞/第一光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟，在所述第一絕緣膜內(nèi)同時(shí)形成第一接觸插塞和第一光學(xué)波導(dǎo)管部；以及第 一布線膜/第二光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟，在其中形成有所述第 一接 觸插塞和所述笫一光學(xué)波導(dǎo)管部的所述第一絕緣膜上形成第一布線膜 和第二光學(xué)波導(dǎo)管部。
28. 如權(quán)利要求25或26所述的固體圖像捕獲裝置的制造方法，包括第一絕緣膜形成步驟，在所述半導(dǎo)體基板上形成第一絕緣膜，所述半導(dǎo)體基板在其表面部分內(nèi)二維地形成有所述多個(gè)光接收部；第 一接觸插塞形成步驟，在所述第 一絕緣膜內(nèi)形成第 一接觸插塞；以及第 一布線膜/第二光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟，在其中形成有所述第 一接 觸插塞的所述第一絕緣膜上同時(shí)形成第一布線膜和第二光學(xué)波導(dǎo)管部。
29. 如權(quán)利要求27所述的固體圖像捕獲裝置的制造方法，其中所 述第一接觸插塞/第一光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟包括第 一抗蝕劑膜形成步驟，圖案化所述第 一絕緣膜內(nèi)的第 一抗蝕劑膜 以具有與所述第一接觸插塞和所述第一光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的形狀；第一凹部形狀形成步驟，使用所述第一抗蝕劑膜為掩模，在所述第 一絕緣膜內(nèi)加工形成與所述第一接觸插塞和所述第一光學(xué)波導(dǎo)管部相 對(duì)應(yīng)的第一凹部形狀；第一金屬膜涂敷步驟，在其中形成有所述第一凹部形狀的所述第一 絕緣膜上涂敷第一金屬膜；以及除去整個(gè)第一絕緣膜上的所述第一金屬膜的步驟，使得所述第一金 屬膜保留在所述第一凹部?jī)?nèi)，以在所述第一凹部?jī)?nèi)形成所述第一接觸插 塞和所述第一光學(xué)波導(dǎo)管部。
30. 如權(quán)利要求28所述的固體圖像捕獲裝置的制造方法，其中所 述第一接觸插塞形成步驟包括第一抗蝕劑膜形成步驟，圖案化所述第一絕緣膜上的第一抗蝕劑膜 以具有與所述第 一接觸插塞相對(duì)應(yīng)的形狀；第一凹部形狀形成步驟，使用所述第一抗蝕劑膜為掩模，在所述第 一絕緣膜內(nèi)加工形成與所述第 一接觸插塞相對(duì)應(yīng)的第 一 凹部形狀；第 一金屬膜涂敷步驟，在其中形成有所述第 一 凹部形狀的所述第一 絕緣膜內(nèi)涂敷第一金屬膜；以及除去整個(gè)第 一絕緣膜上的所述第 一金屬膜的步驟，使得所述第 一金 屬膜保留在所述第一凹部?jī)?nèi)，以在所述第一凹部?jī)?nèi)形成所述第一接觸插塞。
31. 如權(quán)利要求27所述的固體圖像捕獲裝置的制造方法，其中所 述第一布線膜/第二光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟包括第二金屬膜涂敷步驟，在其中形成有所述第一接觸插塞和所述第一 光學(xué)波導(dǎo)管部的所述第一絕緣膜上涂敷第二金屬膜；第二抗蝕劑膜形成步驟，圖案化所述第二金屬膜上的第二抗蝕劑膜 以具有與所述第 一布線和所述第二光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的形狀；以及使用所述第二抗蝕劑膜為掩模，由所述第二金屬膜形成所述第一布 線和所述第二光學(xué)波導(dǎo)管部的步驟。
32. 如權(quán)利要求28所述的固體圖像捕獲裝置的制造方法，其中所述第一布線膜/第二光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟包括第二金屬膜涂敷步驟，在其中形成有所述第一接觸插塞和所述第一 光學(xué)波導(dǎo)管部的所述第 一 絕緣膜上涂敷第二金屬膜；第二抗蝕劑膜形成步驟，圖案化所述第二金屬膜上的第二抗蝕劑膜 以具有與所述第一布線和所述第二光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的形狀；以及使用所述第二抗蝕劑膜為掩模，由所述第二金屬膜形成所述第一布 線和所述第二光學(xué)波導(dǎo)管部的步驟。
33. 如權(quán)利要求29所述的固體圖像捕獲裝置的制造方法，其中所 述第 一 凹部形狀為用于所述第 一接觸插塞的凹部形狀和用于所述第一 光學(xué)波導(dǎo)管部的凹部形狀。
34. 如權(quán)利要求30所述的固體圖像捕獲裝置的制造方法，其中所 述第 一 凹部形狀為用于所述第 一接觸插塞的凹部形狀和用于所述第一 光學(xué)波導(dǎo)管部的凹部形狀。
35. 如權(quán)利要求27所述的固體圖像捕獲裝置的制造方法，包括 第二絕緣膜形成步驟，在其上形成有所述第一布線和所述第二光學(xué)波導(dǎo)管部的所述基板上形成第二絕緣膜；第二接觸插塞/第三光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟，在所述第二絕緣膜內(nèi)形 成第二接觸插塞和第三光學(xué)波導(dǎo)管部；以及第二布線/第四光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟，在其中形成有所述第二接觸 插塞和所述第三光學(xué)波導(dǎo)管部的所述第二絕緣膜上同時(shí)形成第二布線 和第四光學(xué)波導(dǎo)管部。
36. 如權(quán)利要求28所述的固體圖像捕獲裝置的制造方法，包括第二絕緣膜形成步驟，在其上形成有所述第一布線和所述第二光學(xué)波導(dǎo)管部的所述基板上形成第二絕緣膜；第二接觸插塞/第三光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟，在所述第二絕緣膜內(nèi)形成第二接觸插塞和第三光學(xué)波導(dǎo)管部；以及第二布線/第四光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟，在其中形成有所述第二接觸 插塞和所述第三光學(xué)波導(dǎo)管部的所述第二絕緣膜上同時(shí)形成第二布線 和第四光學(xué)波導(dǎo)管部。
37. 如權(quán)利要求35所述的固體圖像捕獲裝置的制造方法，其中所述第二接觸插塞/第三光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟包括第三抗蝕劑膜形成步驟，圖案化所述第二絕緣膜上的第三抗蝕劑膜 以具有與所述第二接觸插塞和所述第三光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的形狀；第二凹部形狀形成步驟，使用所述第三抗蝕劑膜為掩模，在所述第 二絕緣膜內(nèi)加工形成與所述第二接觸插塞和所述第三光學(xué)波導(dǎo)管部相 對(duì)應(yīng)的第二凹部形狀；第三金屬膜涂敷步驟，在其中形成有所述第二凹部形狀的所述第二 絕緣膜內(nèi)涂敷第三金屬膜；以及除去整個(gè)第二絕緣膜上的所述第三金屬膜的步驟，使得所述第三金 屬膜保留在所述第二凹部?jī)?nèi)，以在相應(yīng)第二凹部?jī)?nèi)形成所述第二接觸插 塞和所述第三光學(xué)波導(dǎo)管部。
38. 如權(quán)利要求36所述的固體圖像捕獲裝置的制造方法，其中所 述第二接觸插塞/第三光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟包括第三抗蝕劑膜形成步驟，圖案化所述第二絕緣膜上的第三抗蝕劑膜 以具有與所述第二接觸插塞和所述第三光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的形狀；第二凹部形狀形成步驟，使用所述第三抗蝕劑膜為掩模，在所述第 二絕緣膜內(nèi)加工形成與所述第二接觸插塞和所述第三光學(xué)波導(dǎo)管部相 對(duì)應(yīng)的第二凹部形狀；第三金屬膜涂敷步驟，在其中形成有所述第二凹部形狀的所述第二 絕緣膜內(nèi)涂敷第三金屬膜；以及除去整個(gè)第二絕緣膜上的所述第三金屬膜的步驟，使得所述第三金 屬膜保留在所述第二凹部?jī)?nèi)，以在相應(yīng)第二凹部?jī)?nèi)形成所述第二接觸插 塞和所述第三光學(xué)波導(dǎo)管部。
39. 如權(quán)利要求35所述的固體圖像捕獲裝置的制造方法，其中所述第二布線/第四光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟包括第四金屬膜涂敷步驟，在其中形成有所述第二接觸插塞和所述第三 光學(xué)波導(dǎo)管部的所述基板上涂敷笫四金屬膜；第四抗蝕劑膜形成步驟，圖案化所述第四金屬膜上的第四抗蝕劑膜以具有與所述第二布線和所述第四光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的形狀；以及使用所述第四抗蝕劑膜為掩模，由所述第四金屬膜形成所述第二布 線和所述第四光學(xué)波導(dǎo)管部的步驟。
40. 如權(quán)利要求36所述的固體圖像捕獲裝置的制造方法，其中所 述第二布線/第四光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟包括第四金屬膜涂敷步驟，在其中形成有所述第二接觸插塞和所述第三 光學(xué)波導(dǎo)管部的所述基板上涂敷第四金屬膜；第四抗蝕劑膜形成步驟，圖案化所述第四金屬膜上的第四抗蝕劑膜 以具有與所述第二布線和所述第四光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的形狀；以及使用所述第四抗蝕劑膜為掩模，由所述第四金屬膜形成所述第二布 線和所述第四光學(xué)波導(dǎo)管部的步驟。
41. 如權(quán)利要求37所述的固體圖像捕獲裝置的制造方法，其中所 述第二凹部形狀為用于所述第二接觸插塞的凹部形狀和用于所述第三光學(xué)波導(dǎo)管部的凹部形狀。
42. 如權(quán)利要求38所述的固體圖像捕獲裝置的制造方法，其中所 述第二凹部形狀為用于所述第二接觸插塞的凹部形狀和用于所述第三 光學(xué)波導(dǎo)管部的凹部形狀。
43. 如權(quán)利要求35所述的固體圖像捕獲裝置的制造方法，包括 第三絕緣膜形成步驟，在其上形成有所述第二布線和所述第四光學(xué)波導(dǎo)管部的所述基板上形成第三絕緣膜；第三接觸插塞/第五光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟，在所述第三絕緣膜內(nèi)同 時(shí)形成第三接觸插塞和第五光學(xué)波導(dǎo)管部；以及第三布線/第六光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟，在其中形成有所述第三接觸 插塞和所述第五光學(xué)波導(dǎo)管部的所述第三絕緣膜上形成第三絕緣膜和第六光學(xué)波導(dǎo)管部。
44. 如權(quán)利要求36所述的固體圖像捕獲裝置的制造方法，包括第三絕緣膜形成步驟，在其上形成有所述第二布線和所述第四光學(xué)波導(dǎo)管部的所述基板上形成第三絕緣膜；第三接觸插塞/第五光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟，在所述第三絕緣膜內(nèi)同 時(shí)形成第三接觸插塞和第五光學(xué)波導(dǎo)管部；以及第三布線/第六光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟，在其中形成有所述第三接觸 插塞和所述第五光學(xué)波導(dǎo)管部的所述第三絕緣膜上形成第三絕緣膜和 第六光學(xué)波導(dǎo)管部。
45. 如權(quán)利要求43所述的固體圖像捕獲裝置的制造方法，其中所 述第三接觸插塞/第五光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟包括第五抗蝕劑膜形成步驟，圖案化所述第三絕緣膜上的第五抗蝕劑膜 以具有與所述第三接觸插塞和所述第五光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的形狀；第三凹部形狀形成步驟，使用所述第五抗蝕劑膜為掩模，在所述第 三絕緣膜內(nèi)加工形成與所述第三接觸插塞和所述第五光學(xué)波導(dǎo)管部相 對(duì)應(yīng)的第三凹部形狀；第五金屬膜涂敷步驟，在其上形成有所述第三凹部形狀的所述基板 上涂敷第五金屬膜；以及除去整個(gè)第三絕緣膜上的所述第五金屬膜的步驟，使得所述第五金 屬膜保留在第三凹部?jī)?nèi)，以在相應(yīng)第三凹部?jī)?nèi)形成所述第三接觸插塞和 所述第五光學(xué)波導(dǎo)管部。
46. 如權(quán)利要求44所述的固體圖像捕獲裝置的制造方法，其中所 述第三接觸插塞/第五光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟包括第五抗蝕劑膜形成步驟，圖案化所述第三絕緣膜上的第五抗蝕劑膜 以具有與所述第三接觸插塞和所述第五光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的形狀；第三凹部形狀形成步驟，使用所述第五抗蝕劑膜為掩模，在所述第 三絕緣膜內(nèi)加工形成與所述第三接觸插塞和所述第五光學(xué)波導(dǎo)管部相 對(duì)應(yīng)的第三凹部形狀；第五金屬膜涂敷步驟，在其上形成有所述第三凹部形狀的所述基板 上涂敷第五金屬膜；以及除去整個(gè)第三絕緣膜上的所述第五金屬膜的步驟，使得所述第五金 屬膜保留在第三凹部?jī)?nèi)，以在相應(yīng)第三凹部?jī)?nèi)形成所述第三接觸插塞和所述第五光學(xué)波導(dǎo)管部。
47. 如權(quán)利要求43所述的固體圖像捕獲裝置的制造方法，其中所述第三布線/第六光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟包括第六金屬膜涂敷步驟，在其中形成有所述第三接觸插塞和所述第五光學(xué)波導(dǎo)管部的所述基板上涂敷第六金屬膜；第六抗蝕劑膜形成步驟，圖案化所述第六金屬膜內(nèi)的第六抗蝕劑膜以具有與所述第三布線和所述第六光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的形狀；以及使用所述第六抗蝕劑膜為掩模，由所述第六金屬膜形成所述第三布 線和所述第六光學(xué)波導(dǎo)管部的步驟。
48. 如權(quán)利要求44所述的固體圖像捕獲裝置的制造方法，其中所 述第三布線/第六光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟包括第六金屬膜涂敷步驟，在其中形成有所述第三接觸插塞和所述第五 光學(xué)波導(dǎo)管部的所述基板上涂敷第六金屬膜；第六抗蝕劑膜形成步驟，圖案化所述第六金屬膜內(nèi)的第六抗蝕劑膜以具有與所述笫三布線和所述第六光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的形狀；以及使用所述第六抗蝕劑膜為掩模，由所述第六金屬膜形成所述第三布 線和所述第六光學(xué)波導(dǎo)管部的步驟。
49. 如權(quán)利要求45所述的固體圖像捕獲裝置的制造方法，其中所 述第三布線/第六光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟包括第六金屬膜涂敷步驟，在其中形成有所述第三接觸插塞和所述第五 光學(xué)波導(dǎo)管部的所述基板上涂敷第六金屬膜；第六抗蝕劑膜形成步驟，圖案化所述第六金屬膜內(nèi)的第六抗蝕劑膜 以具有與所述第三布線和所述第六光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的形狀；以及使用所述第六抗蝕劑膜為掩模，由所述第六金屬膜形成所述第三布 線和所述第六光學(xué)波導(dǎo)管部的步驟。
50. 如權(quán)利要求46所述的固體圖像捕獲裝置的制造方法，其中所 述第三布線/第六光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟包括第六金屬膜涂敷步驟，在其中形成有所述第三接觸插塞和所述第五 光學(xué)波導(dǎo)管部的所述基板上涂敷第六金屬膜；第六抗蝕劑膜形成步驟，圖案化所述笫六金屬膜內(nèi)的第六抗蝕劑膜以具有與所述第三布線和所述第六光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的形狀；以及使用所述第六抗蝕劑膜為掩模，由所述第六金屬膜形成所述第三布線和所述第六光學(xué)波導(dǎo)管部的步驟。
51. 如權(quán)利要求45所述的固體圖像捕獲裝置的制造方法，其中所 述第三凹部形狀為用于所述第三接觸插塞的凹部形狀和用于所述第五光學(xué)波導(dǎo)管部的凹部形狀。
52. 如權(quán)利要求46所述的固體圖像捕獲裝置的制造方法，其中所述第三凹部形狀為用于所述第三接觸插塞的凹部形狀和用于所述第五 光學(xué)波導(dǎo)管部的凹部形狀。
53. 如權(quán)利要求27所述的固體圖像捕獲裝置的制造方法，包括 第N (N為大于或等于2的整數(shù))絕緣膜形成步驟，在其上形成有所述第一布線和所述第二光學(xué)波導(dǎo)管部的所述基板上形成第N絕緣膜； 第N接觸插塞/第2N-1光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟，在所述第N絕緣膜內(nèi)同時(shí)形成第N"t妻觸插塞和第2N-1光學(xué)波導(dǎo)管部；以及第N布線/第2N光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟，在其中形成有所述第N接觸插塞和所述第2N-1光學(xué)波導(dǎo)管部的所述基板上形成第N布線和第2N光學(xué)波導(dǎo)管部。
54. 如權(quán)利要求28所述的固體圖像捕獲裝置的制造方法，包括 第N (N為大于或等于2的整數(shù))絕緣膜形成步驟，在其上形成有所述第一布線和所述第二光學(xué)波導(dǎo)管部的所述基板上形成第N絕緣膜； 第N接觸插塞/第2N-1光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟，在所述第N絕緣膜內(nèi)同時(shí)形成第N接觸插塞和第2N-1光學(xué)波導(dǎo)管部；以及第N布線/第2N光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟，在其中形成有所述第N接觸插塞和所述第2N-1光學(xué)波導(dǎo)管部的所述基板上形成第N布線和第2N光學(xué)波導(dǎo)管部。
55. 如權(quán)利要求53所述的固體圖像捕獲裝置的制造方法，其中所 述第N接觸插塞/第2N-1光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟包括第2N-1抗蝕劑膜形成步驟，圖案化所述第N絕緣膜上的第2N-1抗 蝕劑膜以具有與第N接觸插塞和笫2N-1光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的形狀；第N凹部形狀形成步驟，使用所述第2N-1抗蝕劑膜為掩模，在所 述第N絕緣膜內(nèi)加工形成與所述第N接觸插塞和所述笫2N-1光學(xué)波導(dǎo) 管部相對(duì)應(yīng)的第N凹部形狀；第2N-1金屬膜涂敷步驟，在其中形成有所述第N凹部形狀的所述 基板上涂敷第2N-1金屬膜；以及除去整個(gè)第N絕緣膜上的所述第2N-1金屬膜的步驟，使得所述第2N-1金屬膜保留在所述第N凹部?jī)?nèi)，以在相應(yīng)第N凹部?jī)?nèi)形成所述第 N接觸插塞和所述第2N-1光學(xué)波導(dǎo)管部。
56. 如權(quán)利要求54所述的固體圖像捕獲裝置的制造方法，其中所 述第N接觸插塞/第2N-1光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟包括第2N-1抗蝕劑膜形成步驟，圖案化所述第N絕緣膜上的第2N-1抗 蝕劑膜以具有與第N接觸插塞和第2N-1光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的形狀；第N凹部形狀形成步驟，使用所述第2N-1抗蝕劑膜為掩模，在所 述第N絕緣膜內(nèi)加工形成與所述第N接觸插塞和所述第2N-1光學(xué)波導(dǎo) 管部相對(duì)應(yīng)的第N凹部形狀；第2N-1金屬膜涂敷步驟，在其中形成有所述第N凹部形狀的所述 基板上涂敷第2N-1金屬膜；以及除去整個(gè)第N絕緣膜上的所述第2N-1金屬膜的步驟，使得所述第 2N-1金屬膜保留在所述第N凹部?jī)?nèi)，以在相應(yīng)第N凹部?jī)?nèi)形成所述第 N接觸插塞和所述第2N-1光學(xué)波導(dǎo)管部。
57. 如權(quán)利要求53所述的固體圖像捕獲裝置的制造方法，其中所 述第N布線/第2N光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟包括第2N金屬膜涂敷步驟，在其中形成有所述第N接觸插塞和所述第 2N-1光學(xué)波導(dǎo)管部的所述基板上涂敷第2N金屬膜；第2N抗蝕劑膜形成步驟，圖案化所述第2N金屬膜上的第2N抗蝕 劑膜以具有與所述第N布線和所述第2N光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的形狀； 以及使用所述第2N抗蝕劑膜為掩模，由所述第2N金屬膜形成所述第N 布線和所述第2N光學(xué)波導(dǎo)管部的步驟。
58. 如權(quán)利要求54所述的固體圖像捕獲裝置的制造方法，其中所 述第N布線/第2N光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟包括第2N金屬膜涂敷步驟，在其中形成有所述第N接觸插塞和所述第 2N-1光學(xué)波導(dǎo)管部的所述基板上涂敷第2N金屬膜；第2N抗蝕劑膜形成步驟，圖案化所述第2N金屬膜上的第2N抗蝕 劑膜以具有與所述第N布線和所述第2N光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的形狀； 以及使用所述第2N抗蝕劑膜為掩模，由所述第2N金屬膜形成所述第N布線和所述笫2N光學(xué)波導(dǎo)管部的步驟。
59.如權(quán)利要求25或26所述的固體圖像捕獲裝置的制造方法，包括第一絕緣膜形成步驟，在所述半導(dǎo)體基板上形成第一絕緣膜，所述 半導(dǎo)體基板在其表面部分內(nèi)二維地形成有多個(gè)光接收部；以及第一布線/第一光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟，在所述第一絕緣膜內(nèi)形成第 一布線和第一光學(xué)波導(dǎo)管部。
60. 如權(quán)利要求59所述的固體圖像捕獲裝置的制造方法，其中所 述第 一布線/第 一光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟包括第 一抗蝕劑膜形成步驟，圖案化所述第 一絕緣膜內(nèi)的第 一抗蝕劑膜 以具有與第 一接觸插塞和部分的第 一光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的形狀；第一凹部形狀形成步驟，使用所述第一抗蝕劑膜為掩模，在所述第 一絕緣膜內(nèi)加工形成與所述第一接觸插塞和所述部分的第一光學(xué)波導(dǎo) 管部相對(duì)應(yīng)的第一凹部形狀；第二抗蝕劑膜形成步驟，圖案化所述第 一絕緣膜上的第二抗蝕劑膜 以具有與和所述第一接觸插塞整合的所述第一布線以及和所述部分的第一光學(xué)波導(dǎo)管部整合的所述第一光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的形狀；第二凹部形狀形成步驟，使用所述第二抗蝕劑膜為掩模，在所述第一絕緣膜內(nèi)加工形成與所述第一布線和所述第一光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng) 的第二凹部形狀；第 一金屬膜涂敷步驟，在其中形成有所述第二凹部形狀的所述第一 絕緣膜上涂敷第一金屬膜；以及除去整個(gè)第 一絕緣膜上的所述第 一金屬膜的步驟，使得所述第 一金 屬膜保留在凹部?jī)?nèi)，以在相應(yīng)凹部?jī)?nèi)形成所述第一布線和所述第一光學(xué) 波導(dǎo)管部。
61. 如權(quán)利要求55所述的固體圖像捕獲裝置的制造方法，其中所 述第一布線/第一光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟包括第 一抗蝕劑膜形成步驟，圖案化所述第 一絕緣膜上的第 一抗蝕劑膜 以具有與所述第 一接觸插塞相對(duì)應(yīng)的形狀；第一凹部形狀形成步驟，使用所述第一抗蝕劑膜為掩模，在所述第 一絕緣膜內(nèi)加工形成與所述第 一接觸插塞相對(duì)應(yīng)的第 一 凹部形狀；第二抗蝕劑膜形成步驟，圖案化所述第 一絕緣膜上的第二抗蝕劑膜以具有與和所述第 一接觸插塞整合的所述第 一布線以及所述第 一光學(xué) 波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的形狀；第二凹部形狀形成步驟，使用所述第二抗蝕劑膜為掩模，在所述第一絕緣膜內(nèi)加工形成與所述第一布線和所述第一光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng) 的第二凹部形狀；第 一金屬膜涂敷步驟，在其中形成有所述第二凹部形狀的所述第一絕緣膜上涂敷第一金屬膜；以及除去整個(gè)第一絕緣膜上的所述第一金屬膜的步驟，使得所述第一金 屬膜保留在凹部?jī)?nèi)，以在相應(yīng)凹部?jī)?nèi)形成所述第一布線和所述第一光學(xué) 波導(dǎo)管部。
62. 如權(quán)利要求56所述的固體圖像捕獲裝置的制造方法，其中所 述第一布線/第一光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟包括第 一抗蝕劑膜形成步驟，圖案化所述第 一絕緣膜上的第 一抗蝕劑膜 以具有與所述第一接觸插塞相對(duì)應(yīng)的形狀；第一凹部形狀形成步驟，使用所述第一抗蝕劑膜為掩模，在所述第 一絕緣膜內(nèi)加工形成與所述第 一接觸插塞相對(duì)應(yīng)的第 一 凹部形狀；第二抗蝕劑膜形成步驟，圖案化所述第 一絕緣膜上的第二抗蝕劑膜 以具有與和所述第一接觸插塞整合的所述第一布線以及所述第一光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的形狀；第二凹部形狀形成步驟，使用所述第二抗蝕劑膜為掩模，在所述第一絕緣膜內(nèi)加工形成與所述第一布線和所述第一光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng) 的第二凹部形狀；第 一金屬膜涂敷步驟，在其中形成有所述第二凹部形狀的所述第一 絕緣膜上涂敷第一金屬膜；以及除去整個(gè)第 一絕緣膜上的所述第 一金屬膜的步驟，使得所述第 一金 屬膜保留在凹部?jī)?nèi)，以在相應(yīng)凹部?jī)?nèi)形成所述第一布線和所述第一光學(xué) 波導(dǎo)管部。
63. 如權(quán)利要求59所述的固體圖像捕獲裝置的制造方法，包括 第二絕緣膜形成步驟，在其中設(shè)置有所述第一布線和所述第一光學(xué)波導(dǎo)管部的所述第一絕緣膜上形成第二絕緣膜；以及第二布線/第二光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟，在所述第二絕緣膜內(nèi)形成第二布線和第二光學(xué)波導(dǎo)管部。
64. 如權(quán)利要求61所述的固體圖像捕獲裝置的制造方法，包括 第二絕緣膜形成步驟，在其中設(shè)置有所述第一布線和所述第一光學(xué)波導(dǎo)管部的所述第一絕緣膜上形成第二絕緣膜；以及第二布線/第二光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟，在所述第二絕緣膜內(nèi)形成第二布線和第二光學(xué)波導(dǎo)管部。
65. 如權(quán)利要求62所述的固體圖像捕獲裝置的制造方法，包括第二絕緣膜形成步驟，在其中設(shè)置有所述第一布線和所述第一光學(xué)波導(dǎo)管部的所述第一絕緣膜上形成第二絕緣膜；以及第二布線/第二光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟，在所述第二絕緣膜內(nèi)形成第二布線和第二光學(xué)波導(dǎo)管部。
66. 如權(quán)利要求63所述的固體圖像捕獲裝置的制造方法，其中所 述第二布線/第二光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟包括第三抗蝕劑膜形成步驟，圖案化所述第二絕緣膜上的第三抗蝕劑膜 以具有與第二接觸插塞和部分的第二光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的形狀；第三凹部形狀形成步驟，使用所述第三抗蝕劑膜為掩模，在所述第 二絕緣膜內(nèi)加工形成與所述第二接觸插塞和所述部分的第三光學(xué)波導(dǎo) 管部相對(duì)應(yīng)的第三凹部形狀；第四抗蝕劑膜形成步驟，圖案化所述第二絕緣膜上的第四抗蝕劑膜 以具有與和所述第二接觸插塞整合的所述第二布線以及和所述部分的 第二光學(xué)波導(dǎo)管部整合的所述第二光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的形狀；第四凹部形狀形成步驟，使用所述第四抗蝕劑膜為掩模，在所述第二絕緣膜內(nèi)加工形成與所述第二布線和所述第二光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng) 的第四凹部形狀；第二金屬膜涂敷步驟，在其中形成有所述第四凹部形狀的所述第二 絕緣膜上涂敷第二金屬膜；以及除去整個(gè)第二絕緣膜上的所述第二金屬膜的步驟，使得所述第二金 屬膜保留在凹部?jī)?nèi)，以在相應(yīng)凹部?jī)?nèi)形成所述第二布線和所述第二光學(xué) 波導(dǎo)管部。
67. 如權(quán)利要求64所述的固體圖像捕獲裝置的制造方法，其中所 述第二布線/第二光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟包括第三抗蝕劑膜形成步驟，圖案化所述第二絕緣膜上的第三抗蝕劑膜以具有與第二接觸插塞和部分的第二光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的形狀；第三凹部形狀形成步驟，使用所述第三抗蝕劑膜為掩模，在所述第 二絕緣膜內(nèi)加工形成與所述第二接觸插塞和所述部分的第三光學(xué)波導(dǎo) 管部相對(duì)應(yīng)的第三凹部形狀；第四抗蝕劑膜形成步驟，圖案化所述第二絕緣膜上的第四抗蝕劑膜 以具有與和所述第二接觸插塞整合的所述第二布線以及和所述部分的第二光學(xué)波導(dǎo)管部整合的所述第二光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的形狀；第四凹部形狀形成步驟，使用所述第四抗蝕劑膜為掩模，在所述第二絕緣膜內(nèi)加工形成與所述第二布線和所述第二光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng) 的第四凹部形狀；笫二金屬膜涂敷步驟，在其中形成有所述第四凹部形狀的所述第二絕緣膜上涂敷第二金屬膜；以及除去整個(gè)第二絕緣膜上的所述第二金屬膜的步驟，使得所述第二金 屬膜保留在凹部?jī)?nèi)，以在相應(yīng)凹部?jī)?nèi)形成所述第二布線和所述第二光學(xué) 波導(dǎo)管部。
68.如權(quán)利要求65所述的固體圖像捕獲裝置的制造方法，其中所 述第二布線/第二光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟包括第三抗蝕劑膜形成步驟，圖案化所述第二絕緣膜上的第三抗蝕劑膜 以具有與第二接觸插塞和部分的第二光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的形狀；第三凹部形狀形成步驟，使用所述第三抗蝕劑膜為掩^t,在所述第 二絕緣膜內(nèi)加工形成與所述第二接觸插塞和所述部分的第三光學(xué)波導(dǎo) 管部相對(duì)應(yīng)的第三凹部形狀；第四抗蝕劑膜形成步驟，圖案化所述第二絕緣膜上的第四抗蝕劑膜 以具有與和所述第二接觸插塞整合的所述第二布線以及和所述部分的 第二光學(xué)波導(dǎo)管部整合的所述第二光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的形狀；第四凹部形狀形成步驟，使用所述第四抗蝕劑膜為掩模，在所述第二絕緣膜內(nèi)加工形成與所述第二布線和所述第二光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng) 的第四凹部形狀；第二金屬膜涂敷步驟，在其中形成有所述第四凹部形狀的所述第二 絕緣膜上涂敷第二金屬膜；以及除去整個(gè)第二絕緣膜上的所述第二金屬膜的步驟，使得所述第二金 屬膜保留在凹部?jī)?nèi)，以在相應(yīng)凹部?jī)?nèi)形成所述第二布線和所述第二光學(xué) 波導(dǎo)管部。
69. 如權(quán)利要求63所述的固體圖像捕獲裝置的制造方法，包括 第三絕緣膜形成步驟，在設(shè)置有所述第二布線和所述第二光學(xué)波導(dǎo)管部的所述第二絕緣膜上形成第三絕緣膜；以及第三布線/第三光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟，在所述第三絕緣膜內(nèi)形成第 三布線和第三光學(xué)波導(dǎo)管部。
70. 如權(quán)利要求64所述的固體圖像捕獲裝置的制造方法，包括 第三絕緣膜形成步驟，在設(shè)置有所述第二布線和所述第二光學(xué)波導(dǎo)管部的所述第二絕緣膜上形成第三絕緣膜；以及第三布線/第三光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟，在所述第三絕緣膜內(nèi)形成第 三布線和第三光學(xué)波導(dǎo)管部。
71. 如權(quán)利要求65所述的固體圖像捕獲裝置的制造方法，包括 第三絕緣膜形成步驟，在設(shè)置有所述第二布線和所述第二光學(xué)波導(dǎo)管部的所述第二絕緣膜上形成第三絕緣膜；以及第三布線/第三光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟，在所述第三絕緣膜內(nèi)形成第 三布線和第三光學(xué)波導(dǎo)管部。
72. 如權(quán)利要求69所述的固體圖像捕獲裝置的制造方法，其中所 述第三布線/第三光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟包括第五抗蝕劑膜形成步驟，圖案化所述第三絕緣膜內(nèi)的第五抗蝕劑膜 以具有與第三接觸插塞和部分的第三光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的形狀；第五凹部形狀形成步驟，使用所述第五抗蝕劑膜為掩模，在所述第 三絕緣膜內(nèi)加工形成與所述第三接觸插塞和所述部分的第三光學(xué)波導(dǎo) 管部相對(duì)應(yīng)的第五凹部形狀；笫六抗蝕劑膜形成步驟，圖案化所述第三絕緣膜上的第六抗蝕劑膜 以具有與和所述第三接觸插塞整合的所述第三布線以及和所述部分的第三光學(xué)波導(dǎo)管部整合的所述第三光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的形狀；笫六凹部形狀形成步驟，使用所述第六抗蝕劑膜為掩模，在所述第 三絕緣膜內(nèi)加工形成與所述第三布線和所述第三光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng) 的第六凹部形狀；第三金屬膜涂敷步驟，在其中形成有所述第六凹部形狀的所述第三 絕緣膜上涂數(shù)第三金屬膜；以及除去整個(gè)第三絕緣膜上的所述第三金屬膜的步驟，使得所述第三金 屬膜保留在凹部?jī)?nèi)，以在相應(yīng)凹部?jī)?nèi)形成所述第三布線和所述第三光學(xué)波導(dǎo)管部。
73. 如權(quán)利要求70所述的固體圖像捕獲裝置的制造方法，其中所述第三布線/第三光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟包括第五抗蝕劑膜形成步驟，圖案化所述第三絕緣膜內(nèi)的第五抗蝕劑膜以具有與第三接觸插塞和部分的第三光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的形狀；第五凹部形狀形成步驟，使用所述第五抗蝕劑膜為掩模，在所述第三絕緣膜內(nèi)加工形成與所述第三接觸插塞和所述部分的第三光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的第五凹部形狀；第六抗蝕劑膜形成步驟，圖案化所述第三絕緣膜上的第六抗蝕劑膜以具有與和所述第三接觸插塞整合的所述第三布線以及和所述部分的第三光學(xué)波導(dǎo)管部整合的所述第三光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的形狀；第六凹部形狀形成步驟，使用所述第六抗蝕劑膜為掩模，在所述第三絕緣膜內(nèi)加工形成與所述第三布線和所述第三光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的第六凹部形狀；第三金屬膜涂敷步驟，在其中形成有所述第六凹部形狀的所述第三絕緣膜上涂敷第三金屬膜；以及除去整個(gè)第三絕緣膜上的所述第三金屬膜的步驟，使得所述第三金 屬膜保留在凹部?jī)?nèi)，以在相應(yīng)凹部?jī)?nèi)形成所述第三布線和所述第三光學(xué) 波導(dǎo)管部。
74. 如權(quán)利要求71所述的固體圖像捕獲裝置的制造方法，其中所 述第三布線/第三光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟包括第五抗蝕劑膜形成步驟，圖案化所述第三絕緣膜內(nèi)的第五抗蝕劑膜 以具有與第三接觸插塞和部分的第三光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的形狀；第五凹部形狀形成步驟，使用所述第五抗蝕劑膜為掩模，在所述第 三絕緣膜內(nèi)加工形成與所述第三接觸插塞和所述部分的第三光學(xué)波導(dǎo) 管部相對(duì)應(yīng)的第五凹部形狀;第六抗蝕劑膜形成步驟，圖案化所述第三絕緣膜上的第六抗蝕劑膜 以具有與和所述第三接觸插塞整合的所述第三布線以及和所述部分的 第三光學(xué)波導(dǎo)管部整合的所述第三光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的形狀；第六凹部形狀形成步驟，使用所述第六抗蝕劑膜為掩模，在所述第三絕緣膜內(nèi)加工形成與所述第三布線和所述第三光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng) 的第六凹部形狀；第三金屬膜涂敷步驟，在其中形成有所述第六凹部形狀的所述第三 絕緣膜上涂敷第三金屬膜；以及除去整個(gè)第三絕緣膜上的所述第三金屬膜的步驟，使得所述第三金 屬膜保留在凹部?jī)?nèi)，以在相應(yīng)凹部?jī)?nèi)形成所述第三布線和所述第三光學(xué) 波導(dǎo)管部。
75. 如權(quán)利要求59所述的固體圖像捕獲裝置的制造方法，包括 第N(N為大于或等于2的整數(shù))絕緣膜形成步驟，在設(shè)置有第N-l布線和第N-l光學(xué)波導(dǎo)管部的第N-l絕緣膜上形成第N絕緣膜；以及第N布線/第N光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟，在第N絕緣膜內(nèi)形成第N 布線和第N光學(xué)波導(dǎo)管部。
76. 如權(quán)利要求61所述的固體圖像捕獲裝置的制造方法，包括 第N(N為大于或等于2的整數(shù))絕緣膜形成步驟，在設(shè)置有第N-l布線和第N-l光學(xué)波導(dǎo)管部的第N-l絕緣膜上形成第N絕緣膜；以及第N布線/第N光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟，在第N絕緣膜內(nèi)形成第N 布線和第N光學(xué)波導(dǎo)管部。
77. 如權(quán)利要求62所述的固體圖像捕獲裝置的制造方法，包括 第N(N為大于或等于2的整數(shù))絕緣膜形成步驟，在設(shè)置有第N-l布線和第N-l光學(xué)波導(dǎo)管部的第N-l絕緣膜上形成第N絕緣膜；以及第N布線/第N光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟，在第N絕緣膜內(nèi)形成第N 布線和第N光學(xué)波導(dǎo)管部。
78. 如權(quán)利要求75所述的固體圖像捕獲裝置的制造方法，其中所 述第N布線/第N光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟包括第2N-1抗蝕劑膜形成步驟，圖案化所述第N絕緣膜上的第2N-1抗 蝕劑膜以具有與第N接觸插塞和部分的第N光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的形 狀；第2N-1凹部形狀形成步驟，使用所述第2N-1抗蝕劑膜為掩才莫，在 所述第N絕緣膜內(nèi)加工形成與所述第N接觸插塞和所述部分的第N光 學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的第2N-1凹部形狀；第2N抗蝕劑膜形成步驟，圖案化所述第N絕緣膜內(nèi)的第2N抗蝕 劑膜以具有與和所述第N接觸插塞整合的第N布線以及和所述部分的 第N光學(xué)波導(dǎo)管部整合的第N光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的形狀；第2N凹部形狀形成步驟，使用所述第2N抗蝕劑膜為掩模，在所述第N絕緣膜內(nèi)加工形成與所述第N布線和所述第N光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的第2N凹部形狀；第N金屬膜涂敷步驟，在其中形成有所述第2N-1凹部形狀和所述 第2N凹部形狀的所述第N絕緣膜上涂敷第N金屬膜；以及除去整個(gè)第N絕緣膜上的所述第N金屬膜的步驟，使得所述第N 金屬膜保留在凹部?jī)?nèi)，以在相應(yīng)凹部?jī)?nèi)形成所述第N布線和所述第N 光學(xué)波導(dǎo)管部。
79. 如權(quán)利要求76所述的固體圖像捕獲裝置的制造方法，其中所 述第N布線/第N光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟包括第2N-1抗蝕劑膜形成步驟，圖案化所述第N絕緣膜上的第2N-1抗 蝕劑膜以具有與第N接觸插塞和部分的第N光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的形 狀；第2N-1凹部形狀形成步驟，使用所述第2N-1抗蝕劑膜為掩模，在 所述第N絕緣膜內(nèi)加工形成與所述第N接觸插塞和所述部分的第N光 學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的第2N-1凹部形狀；第2N抗蝕劑膜形成步驟，圖案化所述第N絕緣膜內(nèi)的第2N抗蝕 劑膜以具有與和所述第N接觸插塞整合的第N布線以及和所述部分的 第N光學(xué)波導(dǎo)管部整合的第N光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的形狀；第2N凹部形狀形成步驟，使用所述第2N抗蝕劑膜為掩模，在所 述第N絕緣膜內(nèi)加工形成與所述第N布線和所述第N光學(xué)波導(dǎo)管部相 對(duì)應(yīng)的第2N凹部形狀；第N金屬膜涂敷步驟，在其中形成有所述第2N-1凹部形狀和所述 第2N凹部形狀的所述第N絕緣膜上涂敷第N金屬膜；以及除去整個(gè)第N絕緣膜上的所述第N金屬膜的步驟，使得所述第N 金屬膜4呆留在凹部?jī)?nèi)，以在相應(yīng)凹部?jī)?nèi)形成所述第N布線和所述第N 光學(xué)波導(dǎo)管部。
80. 如權(quán)利要求77所述的固體圖像捕獲裝置的制造方法，其中所 述第N布線/第N光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟包括第2N-1抗蝕劑膜形成步驟，圖案化所述第N絕緣膜上的第2N-1抗 蝕劑膜以具有與第N接觸插塞和部分的第N光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的形 狀；第2N-1凹部形狀形成步驟，使用所述第2N-1抗蝕劑膜為掩模，在所述第N絕緣膜內(nèi)加工形成與所述第N接觸插塞和所述部分的第N光 學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的第2N-1凹部形狀；第2N抗蝕劑膜形成步驟，圖案化所述第N絕緣膜內(nèi)的第2N抗蝕 劑膜以具有與和所述第N接觸插塞整合的第N布線以及和所述部分的 第N光學(xué)波導(dǎo)管部整合的第N光學(xué)波導(dǎo)管部相對(duì)應(yīng)的形狀；第2N凹部形狀形成步驟，使用所述第2N抗蝕劑膜為掩模，在所 述第N絕緣膜內(nèi)加工形成與所述第N布線和所述第N光學(xué)波導(dǎo)管部相 對(duì)應(yīng)的第2N凹部形狀；第N金屬膜涂敷步驟，在其中形成有所述第2N-1凹部形狀和所述 第2N凹部形狀的所述第N絕緣膜上涂敷第N金屬膜；以及除去整個(gè)第N絕緣膜上的所述第N金屬膜的步驟，使得所述第N金屬膜保留在凹部?jī)?nèi)，以在相應(yīng)凹部?jī)?nèi)形成所述第N布線和所述第N 光學(xué)波導(dǎo)管部。
81. 如權(quán)利要求53所述的固體圖像捕獲裝置的制造方法，還包括 第N+l絕緣膜形成步驟，在其上形成有所述第N布線和所述第2N光學(xué)波導(dǎo)管部的所述基板上形成第N+l絕緣膜；彩色濾光片形成步驟，在所述第N+l絕緣膜上形成布置用于相應(yīng)顏 色的彩色濾光片；第N+2絕緣膜形成步驟，在所述彩色濾光片上形成笫N+2絕緣膜；以及微透鏡形成步驟，在所述第N+2絕緣膜上形成微透鏡。
82. 如權(quán)利要求54所述的固體圖像捕獲裝置的制造方法，還包括 第N+l絕緣膜形成步驟，在其上形成有所述第N布線和所述第2N光學(xué)波導(dǎo)管部的所述基板上形成第N+l絕緣膜；彩色濾光片形成步驟，在所述第N+l絕緣膜上形成布置用于相應(yīng)顏 色的彩色濾光片；第N+2絕緣膜形成步驟，在所述彩色濾光片上形成第N+2絕緣膜；以及微透鏡形成步驟，在所述第N+2絕緣膜上形成微透鏡。
83. 如權(quán)利要求75所述的固體圖像捕獲裝置的制造方法，還包括 第N+l絕緣膜形成步驟，在其上形成有所述第N布線和所述第2N光學(xué)波導(dǎo)管部的所述基板上形成第N+l絕緣膜；彩色濾光片形成步驟，在所述第N+l絕緣膜上形成布置用于相應(yīng)顏色的彩色濾光片；第N+2絕緣膜形成步驟，在所述彩色濾光片上形成第N+2絕緣膜；以及微透鏡形成步驟，在所述第N+2絕緣膜上形成微透鏡。
84. 如權(quán)利要求76所述的固體圖像捕獲裝置的制造方法，還包括 第N+l絕緣膜形成步驟，在其上形成有所述第N布線和所述第2N光學(xué)波導(dǎo)管部的所述基板上形成第N+l絕緣膜；彩色濾光片形成步驟，在所述第N+l絕緣膜上形成布置用于相應(yīng)顏 色的彩色濾光片；第N+2絕緣膜形成步驟，在所述彩色濾光片上形成第N+2絕緣膜；以及微透鏡形成步驟，在所述第N+2絕緣膜上形成微透鏡。
85. 如權(quán)利要求77所述的固體圖像捕獲裝置的制造方法，還包括 第N+l絕緣膜形成步驟，在其上形成有所述第N布線和所述第2N光學(xué)波導(dǎo)管部的所述基板上形成第N+l絕緣膜；彩色濾光片形成步驟，在所述第N+l絕緣膜上形成布置用于相應(yīng)顏 色的彩色濾光片；第N+2絕緣膜形成步驟，在所述彩色濾光片上形成第N+2絕緣膜；以及微透鏡形成步驟，在所述笫N+2絕緣膜上形成微透鏡。
86. —種固體圖像捕獲裝置的制造方法，用于在表面部分二維地布 置有多個(gè)光接收部的半導(dǎo)體基板上，通過(guò)相應(yīng)絕緣膜在所述光接收部正 上方的區(qū)域之外的區(qū)域上形成多層導(dǎo)電膜，且在光接收部上方形成光學(xué) 波導(dǎo)，所述方法包括接觸插塞/第 一光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟，在加工和形成所述接觸插塞 的同時(shí)，使用與所述接觸插塞相同的材料形成第一光學(xué)波導(dǎo)管部，所述 第一光學(xué)波導(dǎo)管部構(gòu)成所述光學(xué)波導(dǎo)的一部分，且所述接觸插塞電連接 在所述半導(dǎo)體基板和多層導(dǎo)電膜之間以及所述多層導(dǎo)電膜之間的至少 之一上。
87. 如權(quán)利要求86所述的固體圖像捕獲裝置的制造方法，包括 導(dǎo)電膜/第二光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟，在形成多層導(dǎo)電膜至少之一或單層導(dǎo)電膜的同時(shí)，形成第二光學(xué)波導(dǎo)管部以將其層疊在所述第一光學(xué) 波導(dǎo)管部上，所述第二光學(xué)波導(dǎo)管部使用與所述導(dǎo)電膜相同的材料形 成，且所述第二光學(xué)波導(dǎo)管部構(gòu)成所述光學(xué)波導(dǎo)的一部分。
88. 如權(quán)利要求86所述的固體圖像捕獲裝置的制造方法，其中所述接觸插塞/第一光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟包括第一絕緣膜形成步驟，在所述半導(dǎo)體基板上形成第一絕緣膜； 第一接觸插塞形成步驟，在所述第一絕緣膜內(nèi)形成第一接觸插塞； 第一布線膜形成步驟，在其中形成有所述第一接觸插塞的所述第一絕緣膜上形成第一布線；第二絕緣膜形成步驟，在其上形成有所述第一布線的所述基板上形成第二絕緣膜；以及第二接觸插塞/第 一光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟，在所述第二絕緣膜內(nèi)形成第二接觸插塞，且同時(shí)在所述第二絕緣膜和所述第一絕緣膜內(nèi)或者僅在所述第二絕緣膜內(nèi)形成第一光學(xué)波導(dǎo)管部。
89. 如權(quán)利要求86所述的固體圖像捕獲裝置的制造方法，其中所 述接觸插塞/第 一光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟包括第一絕緣膜形成步驟，在所述半導(dǎo)體基板上形成第一絕緣膜；第 一接觸插塞形成步驟，在所述第 一絕緣膜內(nèi)形成第 一接觸插塞；第一布線膜形成步驟，在其中形成有所述第一接觸插塞的所述第一絕緣膜上形成第一布線膜；第二絕緣膜形成步驟，在其上形成有所述第一布線的所述基板上形成第二絕緣膜；第二接觸插塞形成步驟，在所述第二絕緣膜內(nèi)形成第二接觸插塞；第二布線膜形成步驟，在其中形成有所述第二接觸插塞的所述第二 絕緣膜上形成第二布線；第三絕緣膜形成步驟，在其上形成有所述第二布線的所述基板上形 成第三絕緣膜；以及第三接觸插塞/第一光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟，在第三接觸插塞形成于所述第三絕緣膜內(nèi)的同時(shí)，在所述第三絕緣膜、所述第二絕緣膜和所述第 一絕緣膜內(nèi)或者僅在所述第三絕緣膜和所述第二絕緣膜內(nèi)形成第一 光學(xué)波導(dǎo)管部。
90. 如權(quán)利要求88所述的固體圖像捕獲裝置的制造方法，其中所述導(dǎo)電膜/第二光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟包括第二布線形成步驟，在其中形成有所述第二接觸插塞和所述第 一光學(xué)波導(dǎo)管部的所述第二絕緣膜上形成第二布線；第三絕緣膜形成步驟，在其上形成有所述第二布線的所述基板上形 成第三絕緣膜；第三接觸插塞/第二光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟，在所述第三絕緣膜內(nèi)形成第三接觸插塞和部分的第二光學(xué)波導(dǎo)管部；以及第三布線/第二光學(xué)波導(dǎo)管部形成步驟，在其中形成有所述第三接觸 插塞和所述部分的第二光學(xué)波導(dǎo)管部的所述第三絕緣膜上形成第三布 線和其余的第二光學(xué)波導(dǎo)管部。
91. 一種電子信息裝置，使用如權(quán)利要求1至4任意一項(xiàng)所述的固 體圖像捕獲裝置作為圖像捕獲部。
全文摘要
本發(fā)明涉及固體圖像捕獲裝置、其制造方法、及電子信息裝置。根據(jù)本發(fā)明的一種固體圖像捕獲裝置，其中多層導(dǎo)電膜通過(guò)相應(yīng)絕緣膜來(lái)形成，且光學(xué)波導(dǎo)形成于光接收部上方，多個(gè)光接收部設(shè)置于半導(dǎo)體基板的表面部分內(nèi)，且該多層導(dǎo)電膜形成于該光接收部正上方的區(qū)域之外的區(qū)域上，其中使用與該多層導(dǎo)電膜至少之一相同的材料形成作為該光學(xué)波導(dǎo)的多層光學(xué)波導(dǎo)管。
文檔編號(hào)H01L27/14GK101271914SQ20081008721
公開日2008年9月24日 申請(qǐng)日期2008年3月24日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月22日
發(fā)明者石邊祥一 申請(qǐng)人:夏普株式會(huì)社