專利名稱：半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置、鐵電存儲器及半導(dǎo)體裝置的制造方法。
背景技術(shù)：
使用了鐵電體的存儲器(鐵電存儲器)與使用了絕緣材料等的 存儲器相比具有功耗低的優(yōu)點(diǎn)，這是大家熟知的。人們期望在鐵電 存儲器上進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)精細(xì)化和高集成化。不過，一i&情況下4失電存 儲器的單元隨著精細(xì)化程度的加強(qiáng)漏泄電流也增加。因此，在鐵電 存儲器的開發(fā)中，當(dāng)優(yōu)先考慮精細(xì)化時可能會有損鐵電存儲器功耗 低的優(yōu)點(diǎn)。從而，單元的尺寸需要考慮漏泄電流允許的范圍和對單 元的尺寸的要求兩個方面。鐵電存儲器的單元結(jié)構(gòu)有疊式和平面型。圖5是疊式的存儲單 元結(jié)構(gòu)的示意圖，圖5(a)表示上表面，圖5(b)表示截面。圖5 所示的存儲單元具有下部電極11、 4失電層9和上部電極7。在下部 電極11的下面形成塞13，在沒有圖示的離子注入層和下部電才及11 之間電接觸。而且，在上部電極7上有Si02等的絕緣膜15,在絕 緣膜15上形成布線層5。塞13通過在接觸孔3a中埋入鵠等的金屬而形成。此夕卜，在布線層5和上部電才及7之間通過4妻觸孔3b電4妄 觸。
在疊式單元中，在4妄觸孑L 3a的正上方形成才妄觸孑L 3b。因此， 疊式單元的上表面為圖中的a邊和b邊相等的正方形。
與在分離的位置形成兩個4妾觸孔的平面型相比，所示的疊式單 元的結(jié)構(gòu)存在單元的占用面積變小的優(yōu)點(diǎn)。因此，從單元的精細(xì)化 的角度考慮，最好在產(chǎn)品中采用疊式單元。不過，疊式單元的漏泄 電流比平面型單元大，如果其纟皮細(xì)孩i化至希望尺寸時，功4毛將達(dá)到 不適于實(shí)用的水平。
因此，在現(xiàn)有技術(shù)中，研發(fā)出了在功耗上存在優(yōu)勢的平面型單 元縮小化的技術(shù)。作為這種現(xiàn)有技術(shù)，列舉了在專利文獻(xiàn)l中記載 的現(xiàn)有技術(shù)。在專利文獻(xiàn)l中，調(diào)整平面型單元的接觸孔位置，以 縮小單元的占用面積，提高集成度。此外，在專利文獻(xiàn)2中披露了 上部電4及和下部電才及的大小不同的結(jié)構(gòu)，乂人而進(jìn)一步減少平面型單 元的漏:世電;充。
專利文獻(xiàn)1:凈爭開平10-229168號7>才艮
專利文獻(xiàn)2:特開平10-65113號公寺艮
發(fā)明內(nèi)容
不過，上述的現(xiàn)有纟支術(shù)，無"i侖哪一個都是采用平面型單元實(shí)現(xiàn) 技術(shù)改進(jìn)的。因此，即使是與采用了疊式單元時的單元尺寸相同的 尺寸的情況下也難以實(shí)現(xiàn)單元的微細(xì)化。本發(fā)明克服了上述技術(shù)缺 陷，其目的在于提供在采用疊式單元時，甚至在達(dá)到需要的尺寸實(shí) 現(xiàn)」微細(xì)化時也能使漏泄電流位于允許范圍內(nèi)的半導(dǎo)體裝置、鐵電存 儲器和半導(dǎo)體裝置的制造方法。為了解決上述的技術(shù)問題，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置包括疊式電 容器部，包括設(shè)置在第一絕緣部件上的第一電極、設(shè)置在所述第一 電極上的蓄電部件和設(shè)置在所述蓄電部件上的第二電極；第二絕緣 部，使所述第二電極和布線部件電氣絕緣；第一接觸孔，在所述第 一絕纟彖部件上開口 ，并埋入有用于電連4妄所述第一絕緣部件下的導(dǎo) 電層和所述第一電極的導(dǎo)電部件；以及第二接觸孔，在所述第二絕 緣部件上開口，用于電連接第二電極和所述布線部件，其中，從所 述疊式電容器部的平面圖看，所述第 一接觸孔和所述第二接觸孔在 互相偏離的位置上開口。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)的發(fā)明，在絕緣部件上設(shè)置第一電極，在第一電 極上設(shè)置蓄電部件，且在蓄電部件上設(shè)置第二電極，能夠形成疊式 電容器部。此外，在第一電極下的絕緣部件上使第一接觸孔開口， 用具有導(dǎo)電性的部件充塞以形成塞，通過塞能夠電連接第 一 電極和 絕緣部件下的導(dǎo)電層。此外，在第二電才及上的絕纟彖部件上4吏第二4妄 觸孔開口，電連纟妄第二電才及和布線部件。而且，,人疊式電容器部的 平面圖看，能夠?qū)⒌谝?妄觸孔和第二接觸孔開口在互相偏離的位置 上。蓄電部件因形成塞而受損。而且，在與布線連"^妾的4妄觸孔形成 時受損。不過，在本發(fā)明中，因塞形成而強(qiáng)烈受損的地方和因4妄觸 孔形成而強(qiáng)烈受損的地方相互4普開。因此，蓄電部件所受到的總體 的損傷緩和，能夠減少流經(jīng)蓄電部件中的漏泄電流。具有這種結(jié)構(gòu) 的本發(fā)明能夠提供的半導(dǎo)體裝置，在采用疊式的同時即使達(dá)到了需 要的尺寸實(shí)現(xiàn)了孩t細(xì)化的情況下，漏泄電流也處于允許范圍內(nèi)。此外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，從所述疊式電容器部的平面圖看， 所述笫二^妄觸孔的底面不與所述第一4妻觸孔的上表面重疊i也開口 。沖艮據(jù)具有這種結(jié)構(gòu)的發(fā)明，因塞形成而強(qiáng)烈受損的地方和因接 觸孔形成而強(qiáng)烈受損的地方相互4昔開。因此，蓄電部件所受到的總 體的損傷緩和，能夠減少流經(jīng)蓄電部件中的漏泄電流。
此外，在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置中，從所述疊式電容器部的平面 圖看，所述第二^妻觸^L以與所述第一4妄觸孔邊界4妄觸的方式開口 。
根據(jù)具有這種結(jié)構(gòu)的發(fā)明，因塞形成而強(qiáng)烈受損的地方和因接
觸孔形成而強(qiáng)烈受損的地方相互4昔開，同時接觸孔盡量相互靠近， 從而能夠使單元的占用面積實(shí)現(xiàn)最小化。
此外，在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置中，從平面圖看，所述疊式電容 器部呈大致長方形，將所述大致長方形沿著其短邊分割成兩個區(qū) 域，所述第一接觸孔形成在其中的一個區(qū)域上，所述第二接觸孔形 成在相對于第一^妄觸孔形成的區(qū)域的另 一個區(qū)域上。
才艮據(jù)具有這種結(jié)構(gòu)的發(fā)明，能夠在有效回避蓄電部件損傷的位 置上形成第一接觸孔和第二接觸孔。而且，在抑制電容器部所占用 的面積的同時，能夠減少漏泄電流。
此外，在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置中，所述蓄電部件由鐵電體構(gòu)成。
才艮據(jù)具有上述結(jié)構(gòu)的發(fā)明，本發(fā)明可以應(yīng)用到使用鐵電體作為 蓄電部件的半導(dǎo)體裝置中。
此外，本發(fā)明的鐵電存儲器包括上述任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置。
根據(jù)上述的發(fā)明，能夠提供包括上述半導(dǎo)體裝置的鐵電存儲器。此外，本發(fā)明提供的半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括以下工序 在第一絕緣部件上形成第一接觸孔；用導(dǎo)電部件充塞第一接觸孔形 成導(dǎo)電塞；在導(dǎo)電塞的上面形成第一電纟及層，第一電4及層通過導(dǎo)電 塞與第一絕緣部件下的局部導(dǎo)電層電連接；在第一電極層的上表面 設(shè)置蓄電部件；在蓄電部件層的上表面設(shè)置第二電極層；通過一次 光刻法(photolithography)工序?qū)Φ谝浑姌O層、蓄電部件、第二電 極層進(jìn)行加工，形成疊式電容器部；在疊式電容器部上形成第二絕 全彖部件；以及在所述第二絕》彖部件上、且從所述疊式電容器部的平 面圖看在與所述第一4妾觸孔偏離的位置上開口第二4妄觸孔。
才艮據(jù)上述的發(fā)明，通過在絕緣部件上設(shè)置第一電極，在第一電 極上設(shè)置蓄電部件，且在蓄電部件上設(shè)置第二電極，從而形成疊式 電容器部。此外，通過在第一電極下的絕緣部件上使第一接觸孔開 口，用具有導(dǎo)電性的部件充塞以形成塞，通過塞能夠4吏第一電才及和 局部導(dǎo)電層電連接。此外，在第二電極上的絕緣部件上開口第二接 觸孔，使第二電極和布線部件電連接。而且，從疊式電容器部的平 面圖看，能夠?qū)⒌谝?妄觸孔和第二4妄觸孔開口在互相偏離的位置 上。
蓄電部件因形成塞而受損。而且，在用于與布線連接的4妄觸孔 形成時受損。不過，在本發(fā)明中，因塞形成而強(qiáng)烈受損的地方和因 接觸孔形成而強(qiáng)烈受損的地方相互錯開。因此，蓄電部件所受到的 總體的損傷緩和，能夠減少流經(jīng)蓄電部件中的漏泄電流。本發(fā)明能
夠提供的半導(dǎo)體裝置的制造方法，在采用疊式的同時即使在達(dá)到需 要的尺寸實(shí)現(xiàn)了孩i細(xì)化的情況下，漏泄電流也處于允許范圍內(nèi)。
圖1是對本發(fā)明的一個實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置進(jìn)行i兌明的示意圖。圖2是對圖1所示的半導(dǎo)體裝置的制造方法進(jìn)行說明的工序圖。
圖3是對圖1所示的半導(dǎo)體裝置的制造方法進(jìn)行說明的另一工 序圖。
圖4是對本發(fā)明的一個實(shí)施例的技術(shù)效果進(jìn)行說明的示意圖。 圖5是現(xiàn)有的疊式單元的存儲器的示意圖。
具體實(shí)施例方式
下面，參照附圖，對本發(fā)明的鐵電存儲器的實(shí)施例進(jìn)行說明。 圖1是對本發(fā)明的一個實(shí)施例的鐵電存儲器進(jìn)行說明的示意圖，圖 1 (a)是在鐵電存儲器的單元中，電容器102的上表面圖；圖l(b) 是其截面圖。而且，在本i兌明書中，圖1 (a)所示的上表面圖對應(yīng) 于以下所述的疊式的電容器部的平面圖。
本實(shí)施例中的半導(dǎo)體裝置為鐵電存儲器。將注入雜質(zhì)的雜質(zhì)層 117作為局部導(dǎo)電層設(shè)置在襯底上，在作為雜質(zhì)層117上的第一絕 緣部件的SiCb層119上形成鐵電存儲器。而且，該鐵電存儲器包括 作為i殳置在Si02層119上的第一電才及的下部電才及111;作為i殳置在 下部電極111上的蓄電部件的鐵電層109;以及作為設(shè)置在鐵電層 109上的第二電才及的上部電才及107。
而且，本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置具有^殳置在上部電才及107上的布 線105。布線105包括作為在上部電4及107和布線105之間電氣絕 全彖的第二絕i彖部件的SiCb層118。在Si02層119上開口4妄觸孔103a， 其中i里入鴒4乍為導(dǎo)電部4牛，形成W塞113,用于在雜質(zhì)層117和下 部電才及111之間電連4妻。此夕卜，在SiCb層118上開口4妄觸孑L 103b, 用于在上部電4及107和布線105之間電連4妻。在本實(shí)施例中，將諸如Ir/Ir(VPt復(fù)合膜用作下部電極111,將 諸如Pt/IrOx/Ir復(fù)合膜用作上部電極107。而且，在鐵電層109上使 PZT系材料和PZTN系材泮牛。此夕卜，布線105由鉆構(gòu)成，雜質(zhì)層117 是位于襯底100上的晶體管120的源極或漏極。而且，在本實(shí)施例 中，將下部電極lll、鐵電層109、上部電極107形成的結(jié)構(gòu)表述為 疊式電容器部。在本實(shí)施例中，電容器部102由氧化鋁力莫等構(gòu)成的 阻擋膜115覆蓋。
在本實(shí)施例中，接觸孑L 103a是第一4妄觸孔，接觸孔103b是第 二接觸孑L。從電容器部102的平面圖看，接觸孑L 103a和接觸孔103b 在相互偏離的^f立置上開口 。
在本實(shí)施例中，/人平面圖看，電容器部102呈大致長方形，將 該大致長方形沿著(順著)短邊分割成兩個區(qū)域，接觸孔103a形 成在其中一個區(qū)域101a上。此夕卜，接觸孔103b形成在相對于接觸 孑L 103形成的區(qū)域的另 一個區(qū)域101b上。
在本實(shí)施例中，通過讓4妻觸孑L 103a和4妻觸孑L 103b靠近，減少 單元101的占用面積。而且，從疊式電容器部的平面圖看，接觸孔 103a和4妄觸孑L 103b相互偏離，乂人而既能4吏4失電層109的相同區(qū)i或 不受接觸孔形成或塞形成所帶來的影響，又能使漏泄電流減少。根 據(jù)這個目的，本實(shí)施例中所說的偏離的位置至少優(yōu)選，從電容器部 102的平面圖看，才矣觸孔103b的底面104b不與4矣觸孔103a的上表 面104a重疊的4立置。
而且，在本實(shí)施例中，從單元的占用面積和漏泄電流的條件可 知，優(yōu)選以其上表面中的a邊是b邊兩倍的方式形成單元101。不 過，本實(shí)施例并不限于這種結(jié)構(gòu)，可以在單元101的占用面積-故最 小化時，將接觸孔103b以其邊界在鐵電層109的面上與接觸孔103a 4妄觸的方式開口 。圖2 (a) - (c)和圖3 (a) - (c)是對圖1所示的半導(dǎo)體裝置 的制造方法進(jìn)4亍i兌明的工序圖。本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置用以下描述 的方法制造。首先，在本實(shí)施例中，將雜質(zhì)層117上的SiCb層119 的才妾觸孑L 103a開口 。 4妄著，在4妾觸孔103a中埋入諸如鵠，以形成 W塞113。當(dāng)形成W塞113時，將埋入鵠的上表面113a通過CMP (Chemical Mechanical Polishing: 4匕學(xué)片幾才戒拋光)等的方法充分平 坦化。
接著，在形成了 W塞113的SiCb層119上通過濺射法等的方 法形成Ir/IrOx/Pt復(fù)合月莫llla。當(dāng)形成Ir/IrOx/Pt復(fù)合膜llla時，為 防止鴒氧化，事先形成諸如TiAlN膜。接著，在Ir/IrOx/Pt復(fù)合膜 llla上涂ft諸如PZTN系4失電材泮+,形成4失電月莫109a。而且，在4失 電膜109a上通過賊射法等形成Pt/IrOx/Ir復(fù)合膜107a (圖2 ( b ))。
然后，在Pt/IrOx/Ir復(fù)合膜107a上涂敷抗蝕劑，通過光刻法形 成符合單元形狀的抗蝕劑掩膜。通過從該抗蝕劑掩膜上開始干蝕 刻，乂人而一次加工Ir/IrOx/Pt復(fù)合月莫llla、纟失電膜109a、 Pt/IrOx/Ir 復(fù)合膜107a,形成電容器部102 (圖2 (c))。
而且，在本實(shí)施例中，如圖3所示，用阻擋膜115覆蓋電容器 部102 (圖3 (a)),而且，在設(shè)置了 Si02層118后，開口接觸孔 103b (圖3 (b))。如上所述，接觸孑L 103b在鐵電層109上部的范 圍內(nèi)、且在4失電層109的面上不與4姿觸3L 103a重疊的〗立置上開口 。
而且，利用濺射法在接觸孔103b上產(chǎn)生鋁膜，對布線105制 作圖案，從而形成單元101。
圖4是對上述的本實(shí)施例的效果進(jìn)行說明的示意圖，其中4黃軸 表示漏泄電流的值，縱軸是按照百分比表示具有漏泄電流的各個值 的單元比例的分布Z。漏泄電流是施加了電壓3V時的值。在取得了圖4的數(shù)據(jù)的鐵電存儲器中，如圖l所示，是由單元形狀為a邊 比b邊長的半導(dǎo)體裝置取得的數(shù)據(jù)。此外，在本實(shí)施例中，將a邊 的長度"i殳為2 ju m，將b邊的長度設(shè)為1 m m。
在圖4中，d2表示由本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置獲得的數(shù)據(jù)，dl 是為與d2比較而形成的a邊的長度和b邊的長度相等的半導(dǎo)體裝 置的數(shù)據(jù)。獲得數(shù)據(jù)dl的存儲器和獲得數(shù)據(jù)d2的存儲器是同一批 制造的。
沖艮據(jù)圖4,可以知道本實(shí)施例的存儲器的50%的漏泄電流在小 于等于2/a A/cm2 (以圖中12表示)的范圍內(nèi)。而且，可以知道在 同一批中制造的存儲器的5(T/Q的漏泄電流在小于等于7juA/cm2(以 圖中II表示)的范圍內(nèi)。
根據(jù)上述的實(shí)施例，本實(shí)施例能夠提供在釆用疊式的半導(dǎo)體裝 置和《失電存儲器，-f旦可以減少傳統(tǒng)疊式單元的存儲器的漏泄電流， 以及半導(dǎo)體裝置的制造方法。根據(jù)本實(shí)施例，能夠提供半導(dǎo)體裝置 和鐵電存儲器，其中在漏泄電流的允許范圍內(nèi)可實(shí)現(xiàn)單元的孩史細(xì) 化，且與現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置相比他們既能夠?qū)崿F(xiàn)樣￡細(xì)化，又具有比 傳統(tǒng)半導(dǎo)體裝置更小的功耗，以及半導(dǎo)體裝置的制造方法。
以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā) 明，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。 凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn) 等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。附圖才示"i己i兌明
廳 襯底
102 電容器部 104a上表面
105 布線
109 4失電層
113 W塞
117 雜質(zhì)層
120 晶體管
101 單元
103a、 103b 4妾觸孑L
104b底面
107 上部電^L
111 下部電^f及
115 阻擋膜
118、 119 Si02層
權(quán)利要求
1. 一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于包括基板；第一絕緣膜，其形成在所述基板的上面；第一接觸孔，其形成在所述第一絕緣膜中；鐵電體電容器，其形成在所述第一接觸孔的上面；第二絕緣膜，其形成在所述鐵電體電容器的上面；以及第二接觸孔，其形成在所述第二絕緣膜中，其中，從平面圖看，所述鐵電體電容器為長方形，所述4失電體電容器包括將所述長方形沿著短邊分割成兩 個而成的一個區(qū)域和另一個區(qū)域，從平面圖看，所述第一接觸孔形成在所述一個區(qū)域中，從平面圖看，所述第二接觸孔形成在所述另一個區(qū)域中，/人平面圖看，所述第一^妾觸3L和所述第二^妄觸^L靠近所 述一個區(qū)域和所述另 一個區(qū)域之間的邊界而形成。
2. —種半導(dǎo)體裝置，其特征在于包括基板；第一絕緣膜，其形成在所述基板的上面； 第一接觸孔，其形成在所述第一絕緣膜中； 4失電體電容器，其形成在所述第一"l妄觸孔的上面； 第二絕緣膜，其形成在所述鐵電體電容器的上面；以及 第二接觸孔，其形成在所述第二絕緣膜中，其中，所述4失電體電容器包括分割成兩個而成的一個區(qū)i或和另一個區(qū)i或，所述第一"t妻觸3L形成在所述一個區(qū)i或的下面， 所述第二接觸孔形成在所述另一個區(qū)域的上面，所述第一^妄觸孔的部分端部和所述第二4矣觸^L的部分端 部靠近所述一個區(qū)域和所述另一個區(qū)域之間的邊界而形成。
3. —種半導(dǎo)體裝置，其特征在于包括基板；第一絕緣膜，其形成在所述基板的上面；第一接觸孔，其形成在所述第一絕緣膜中；鐵電體電容器，其形成在所述第一接觸孔的上面；第二絕緣膜，其形成在所述鐵電體電容器的上面；以及第二接觸孔，其形成在所述第二絕緣膜中，其中，乂人平面圖看，所述第一4妄觸孔和所述第二4妄觸孔 形成在偏離的4立置上，乂人平面圖看，所述第一4妄觸3L的部分端部和所述第二才妄 ^孑匕的*^^*才目*^:。
4. 一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于包括.基板；第一絕緣膜，其形成在所述基板的上面； 第一接觸孔，其形成在所述第一絕緣膜中； 4失電體電容器，其形成在所述第一接觸孔的上面； 第二絕緣膜，其形成在所述4失電體電容器的上面；以及第二接觸孔，其形成在所述第二絕緣膜中，其中，所述第一接觸孔和所述第二接觸孔形成在偏離的 位置上，所述第二4妄觸孔的部分端部位于所述第一4妻觸孔的部分 端部的延長線上。
5. —種半導(dǎo)體裝置，其特征在于包括基板；第一絕緣膜，其形成在所述基板的上面；第一接觸孔，其形成在所述第一絕緣膜中；鐵電體電容器，其形成在所述第一接觸孔的上面；第二絕緣膜，其形成在所述鐵電體電容器的上面；以及第二接觸孔，其形成在所述第二絕鄉(xiāng)彖膜中，其中，所述第二4妻觸孔的一個端部位于所述第一4妄觸孔 的一個端部的延長線上，所述第二接觸孔的另一個端部未位于所述第一接觸孔的 另一個端部的延長線上。
6. 根據(jù)權(quán)利要求l至5中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于所述基板上形成有晶體管的源4及或者漏才及，在所述第一4妄觸孔的內(nèi)部形成有塞，所述塞與所述源纟及或者所述漏4及電連4妄。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于所述基板上形成有晶體管的源極或者漏極， 在所述第一"J妻觸孔的內(nèi)部形成有塞，所述塞與所述源4及或者所述漏才及電連4^,在所述鐵電體電容器與所述第二絕緣膜之間形成有阻擋膜。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于所述基板上形成有晶體管的源極或者漏極， 在所述第一接觸孔的內(nèi)部形成有塞， 所述塞與所述源極或者所述漏極電連接， 在所述第二4妄觸孔的內(nèi)部形成有布線。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于所述基板上形成有晶體管的源極或者漏極，在所述第一"f妾觸孔的內(nèi)部形成有塞，所述塞與所述源才及或者所述漏4及電連4^，在所述第二4妻觸的內(nèi)部形成有布線，在所述鐵電體電容器與所述第二絕緣膜之間形成有阻擋膜。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于所述鐵電體電容器包括 下部電才及；4失電體膜，其形成在所述下部電極上；以及 上部電才及，其形成在所述4失電體膜上。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體裝置，雖然是疊式的但甚至在達(dá)到必要的尺寸實(shí)現(xiàn)精細(xì)化時仍具有允許的漏泄電流。該半導(dǎo)體裝置包括電容器部(102)，該電容器部(102)包括設(shè)置在位于襯底(100)上的雜質(zhì)層(117)上的SiO<sub>2</sub>層(119)上的下部電極(111)、設(shè)置在下部電極(111)上的鐵電層(109)；以及設(shè)置在鐵電層(109)上的上部電極(107)。該半導(dǎo)體裝置還包括SiO<sub>2</sub>層(118)，使上部電極(107)和布線(105)電氣絕緣；接觸孔(103a)，形成W塞(113)，用于在雜質(zhì)層(117)和下部電極(111)之間電連接；以及接觸孔(103b)，用于在上部電極(107)和布線(105)之間電連接。在電容器部(102)的平面圖中，接觸孔(103a)和接觸孔(103b)位于相互偏離的位置上。
文檔編號H01L21/8246GK101312198SQ20081012780
公開日2008年11月26日 申請日期2005年6月1日 優(yōu)先權(quán)日2004年6月25日
發(fā)明者松本昭人, 神谷俊幸 申請人:精工愛普生株式會社