專利名稱：有源元件陣列基板的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種有源元件陣列基板以及其制造方法，且特別是有關(guān)于一 種應(yīng)用于影像顯示器的有源元件陣列基板以及其制造方法。
背景技術(shù)：
目前顯示器的技術(shù)已發(fā)展出平面顯示器，例如液晶顯示器(Liquid Crystal Display, LCD)、有機(jī)發(fā)光二極管顯示器(Organic Light Emitting Diode, OLED)以 及等離子顯示器(Plasma Display Panel, PDP)等。然而，不管是哪一種平面顯示 裝置，其在制造過(guò)程中都必須進(jìn)行檢測(cè)以確定能夠正常運(yùn)作。
以薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor LCD, TFT LCD)為例，其包 括一薄膜晶體管陣列基板(TFT array substrate)，而薄膜晶體管陣列基板在制造完 成之后必須對(duì)其像素以及信號(hào)線路，也就是掃描線與數(shù)據(jù)線進(jìn)行檢測(cè)，以確定薄膜 晶體管液晶顯示器能正常運(yùn)作。
圖1A是已知的一種薄膜晶體管陣列基板的俯視示意圖，而圖1B是圖IA沿 線I-I'的剖面示意圖。請(qǐng)先參閱圖1A，薄膜晶體管陣列基板100的檢測(cè)方法為短 路棒(shorting bar)檢測(cè)法，而薄膜晶體管陣列基板100包括一基板110、多個(gè)像 素結(jié)構(gòu)120、多條信號(hào)線路130、 一短路棒140以及多個(gè)接觸結(jié)構(gòu)150a與150b。
基板110具有一顯示區(qū)112與一非顯示區(qū)114，而這些信號(hào)線路130是由多條 掃描線132與多條數(shù)據(jù)線134所構(gòu)成。這些信號(hào)線路130與這些像素結(jié)構(gòu)120設(shè)置 于顯示區(qū)112內(nèi)，而短路棒140與這些接觸結(jié)構(gòu)150a、 150b配置于非顯示區(qū)114 內(nèi)。
請(qǐng)同時(shí)參閱圖1A與圖1B，在非顯示區(qū)114中，還包括一銦錫氧化物層(Indium Tin Oxide layer, ITO layer) 160，其中這些接觸結(jié)構(gòu)150a位于銦錫氧化物層160與 短路棒140之間，而這些接觸結(jié)構(gòu)150b位于銦錫氧化物層160與這些數(shù)據(jù)線134 之間。因此，數(shù)據(jù)線134與短路棒140之間是透過(guò)銦錫氧化物層160與兩個(gè)接觸結(jié)
6構(gòu)150a、 150b的設(shè)置而電性連接。
由于短路棒140透過(guò)這些接觸結(jié)構(gòu)150a、 150b以及銦錫氧化物層160間接地 電性連接這些數(shù)據(jù)線134。如此，當(dāng)欲進(jìn)行檢測(cè)步驟時(shí)，可以透過(guò)短路棒140將測(cè) 試信號(hào)輸入以檢測(cè)這些數(shù)據(jù)線134，同時(shí)檢測(cè)這些像素結(jié)構(gòu)120是否能正常運(yùn)作。 同樣地，在掃描線132末端的部份也是透過(guò)短路棒(未繪示)來(lái)輸入測(cè)試信號(hào)。
一般而言，數(shù)據(jù)線134與短路棒140的材質(zhì)通常為金屬，但是用以將數(shù)據(jù)線 134與短路棒140電性連接的銦錫氧化物層160的電阻系數(shù)遠(yuǎn)大于金屬的電阻系 數(shù)。因此，短路棒140與這些數(shù)據(jù)線134之間存有較高的電阻。其次，每一數(shù)據(jù)線 134與短路棒140之間必須透過(guò)兩接觸結(jié)構(gòu)150a、 150b來(lái)電性連接，因此會(huì)占據(jù) 基板110的有限面積。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種有源元件陣列基板的制造方法，以降低有源元件陣列基板的 短路棒與多條信號(hào)線路之間的電阻。
本發(fā)明提供一種有源元件陣列基板的制造方法，以解決非顯示區(qū)中接觸結(jié)構(gòu) 會(huì)占據(jù)許多面積的問(wèn)題。
本發(fā)明提出一種有源元件陣列基板的制造方法。首先，提供一基板，其具有 一顯示區(qū)以及一周邊線路區(qū)。接著，在顯示區(qū)中形成多個(gè)柵極以及與這些柵極連接 的多條掃描線，并且同時(shí)在周邊線路區(qū)形成至少一第一短路棒。之后，形成一絕緣 層，其覆蓋這些柵極、這些掃描線與第一短路棒。然后，形成一半導(dǎo)體材料層于絕 緣層上。接下來(lái)，在半導(dǎo)體材料層上形成一圖案化光刻膠層，其中圖案化光刻膠層 具有多個(gè)位于第一短路棒上方的第一開(kāi)口，以暴露半導(dǎo)體材料層，而且位于這些柵 極上方的圖案化光刻膠層的厚度大于位于其它部份的圖案化光刻膠層的厚度。隨 之，移除被這些第一開(kāi)口所暴露半導(dǎo)體材料層與絕緣層，以形成多個(gè)第一接觸孔。 之后，移除其它部份的圖案化光刻膠層，以保留位于柵極上方的圖案化光刻膠層。 接著，移除未被圖案化光刻膠層所覆蓋的半導(dǎo)體材料層，以定義出多個(gè)通道層。然 后，移除柵極上方的圖案化光刻膠層。接下來(lái)，于顯示區(qū)的絕緣層上形成多條數(shù)據(jù) 線，以及在每一個(gè)通道層上形成一源極與一漏極，且這些數(shù)據(jù)線延伸周邊線路區(qū)并 會(huì)跨接第一短路棒，其中這些數(shù)據(jù)線會(huì)直接透過(guò)這些第一接觸孔而連接第一短路棒°
在本發(fā)明一實(shí)施例中，還包括于絕緣層上形成一保護(hù)層(passivation layer)。 接著，于保護(hù)層上形成多個(gè)像素電極，其中這些像素電極電性連接這些漏極。
在本發(fā)明一實(shí)施例中，上述移除其它部份的圖案化光刻膠層的方法包括對(duì)圖 案化光刻膠層進(jìn)行等離子灰化(ashing)制程。
在本發(fā)明一實(shí)施例中，上述形成這些第一接觸孔的方法包括對(duì)半導(dǎo)體材料層
與絕緣層進(jìn)行蝕刻制程。
在本發(fā)明一實(shí)施例中，這些掃描線延伸至周邊線路區(qū)，而圖案化光刻膠層更 具有多個(gè)位于周邊線路區(qū)內(nèi)與這些掃描線上方的第二開(kāi)口，其暴露半導(dǎo)體材料層， 且上述的有源元件陣列基板的制造方法在形成圖案化光刻膠層之后還包括，移除被 這些第二開(kāi)口所暴露半導(dǎo)體材料層與絕緣層，以形成多個(gè)第二接觸孔。接著，在移
除柵極上方的圖案化光刻膠層之后，于周邊線路區(qū)形成至少一第二短路棒，其中第 二短路棒與這些數(shù)據(jù)線同時(shí)形成，且第二短路棒會(huì)直接透過(guò)這些第二接觸孔而連接
這些掃描線。
在本發(fā)明一實(shí)施例中，上述形成這些第一接觸孔與這些第二接觸孔的方法包 括對(duì)半導(dǎo)體材料層與絕緣層進(jìn)行蝕刻制程。
在本發(fā)明一實(shí)施例中，上述形成半導(dǎo)體材料層的方法包括，首先，形成一通 道材料層于絕緣層上。接著，形成一歐姆接觸材料層于通道材料層上。
在本發(fā)明一實(shí)施例中，上述移除未被圖案化光刻膠層所覆蓋的半導(dǎo)體材料層 的方法包括，首先，移除未被圖案化光刻膠層所覆蓋的該歐姆接觸材料層。接著， 移除未被圖案化光刻膠層所覆蓋的通道材料層。
在本發(fā)明一實(shí)施例中，上述的有源元件陣列基板的制造方法在形成保護(hù)層之 前包括進(jìn)行一反向通道蝕刻制程。
在本發(fā)明一實(shí)施例中，上述有源元件陣列基板的制造方法還包括，于保護(hù)層 上形成一平坦層(planarization layer)。接著，于平坦層上形成這些像素電極。
本發(fā)明另提出一種有源元件陣列基板的制造方法。首先，提供一基板，其具 有一顯示區(qū)以及一周邊線路區(qū)。接著，在顯示區(qū)中形成多個(gè)柵極以及與這些柵極連 接的多條掃描線，其中這些掃描線延伸周邊線路區(qū)。之后，形成一絕緣層，其覆蓋 這些柵極與這些掃描線。然后，形成一半導(dǎo)體材料層于絕緣層上。接下來(lái)，在半導(dǎo)體材料層上形成一圖案化光刻膠層，其中圖案化光刻膠層具有多個(gè)位于周邊線路區(qū) 內(nèi)與這些掃描線上方的開(kāi)口，其暴露半導(dǎo)體材料層，而且位于這些柵極上方的圖案 化光刻膠層的厚度大于位于其它部份的圖案化光刻膠層的厚度。隨之，移除被這些 開(kāi)口所暴露半導(dǎo)體材料層與絕緣層，以形成多個(gè)接觸孔。接著，移除其它部份的圖 案化光刻膠層，以保留位于柵極上方的圖案化光刻膠層。之后，移除未被圖案化光 刻膠層所覆蓋的半導(dǎo)體材料層，以定義出多個(gè)通道層。然后，移除柵極上方的圖案 化光刻膠層。接著，于顯示區(qū)的絕緣層上形成多條數(shù)據(jù)線、多個(gè)源極、多個(gè)漏極與 至少一短路棒，其中短路棒會(huì)跨接延伸至周邊線路區(qū)的這些掃描線，并且直接透過(guò) 這些接觸孔而連接這些掃描線。之后，于絕緣層上形成一保護(hù)層。然后，于保護(hù)層 上形成多個(gè)像素電極，其中這些像素電極電性連接這些漏極。
在本發(fā)明一實(shí)施例中，上述移除其它部份的圖案化光刻膠層的方法包括對(duì)圖 案化光刻膠層進(jìn)行等離子灰化制程。
在本發(fā)明一實(shí)施例中，上述形成這些接觸孔的方法包括對(duì)半導(dǎo)體材料層與絕 緣層進(jìn)行蝕刻制程。
在本發(fā)明一實(shí)施例中，上述形成半導(dǎo)體材料層的方法包括，形成一通道材料 層于絕緣層上。接著，形成一歐姆接觸材料層于通道材料層上。
在本發(fā)明一實(shí)施例中，上述移除未被圖案化光刻膠層所覆蓋的半導(dǎo)體材料層 的方法包括，移除未被圖案化光刻膠層所覆蓋的歐姆接觸材料層。接著，移除未被 圖案化光刻膠層所覆蓋的通道材料層。
在本發(fā)明一實(shí)施例中，上述有源元件陣列基板的制造方法在形成保護(hù)層之前 還包括進(jìn)行一反向通道蝕刻制程。
在本發(fā)明一實(shí)施例中，上述有源元件陣列基板的制造方法還包括，于保護(hù)層 上形成一平坦層。接著，于平坦層上形成這些像素電極。
本發(fā)明的短路棒通過(guò)這些接觸結(jié)構(gòu)而得以直接連接于這些掃描線或這些數(shù)據(jù) 線，因此本發(fā)明能有效地降低短路棒與這些掃描線之間的電阻，或是降低短路棒與 這些數(shù)據(jù)線之間的電阻。如此，檢測(cè)有源元件陣列基板的準(zhǔn)確度得以提高。
此外，本發(fā)明還能減少短路棒電性連接這些掃描線與這些數(shù)據(jù)線所需的接觸 結(jié)構(gòu)的數(shù)量，所以有源元件陣列基板的周邊線路區(qū)的面積得以縮小。
為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說(shuō)明如下。


圖1A是已知一種薄膜晶體管陣列基板的俯視示意圖。
圖iB是圖iA沿線i-r的剖面示意圖。
圖2A是本發(fā)明一實(shí)施例的有源元件陣列基板的俯視示意圖。 圖2B是圖2A沿線J-J'的剖面示意圖。
圖3A至圖3K是圖2B中的有源元件陣列基板的制造方法的剖面示意圖。
具體實(shí)施例方式
圖2A是本發(fā)明一實(shí)施例的有源元件陣列基板的俯視示意圖，圖2B是圖2A 沿線J-J'的剖面示意圖。請(qǐng)同時(shí)參閱圖2A與圖2B，有源元件陣列基板200包括一 基板210、多個(gè)像素結(jié)構(gòu)220、多條掃描線230a、多條數(shù)據(jù)線230b、至少一第一短 路棒240a以及多個(gè)第一接觸結(jié)構(gòu)250a。
基板210具有一顯示區(qū)212與一周邊線路區(qū)214，其中這些像素結(jié)構(gòu)220、這 些掃描線230a與這些數(shù)據(jù)線230b皆配置于顯示區(qū)212內(nèi)，而第一短路棒240a與 這些第一接觸結(jié)構(gòu)250a皆配置于周邊線路區(qū)214。此外，這些掃描線230a與這些 數(shù)據(jù)線230b電性連接這些像素結(jié)構(gòu)220，以控制這些像素結(jié)構(gòu)220。
這些掃描線230a與這些數(shù)據(jù)線230b延伸至周邊線路區(qū)214，其中延伸至周邊 線路區(qū)214的這些數(shù)據(jù)線230b會(huì)跨接第一短路棒240a。此外，在本實(shí)施例中，第 一短路棒240a的延伸方向與這些掃描線230a的延伸方向相同，而且第一短路棒 240a還可以與這些掃描線230a實(shí)質(zhì)上平行，如圖2A所示。
這些第一接觸結(jié)構(gòu)250a位于第一短路棒240a與這些數(shù)據(jù)線230b之間，并接 觸第一短路棒240a與這些數(shù)據(jù)線230b。因此，第一短路棒240a得以透過(guò)這些第 一接觸結(jié)構(gòu)250a而電性連接這些數(shù)據(jù)線230b。
此外，這些第一接觸結(jié)構(gòu)250a的材質(zhì)與這些數(shù)據(jù)線230b的材質(zhì)相同，而且 其中一個(gè)第一接觸結(jié)構(gòu)250a以及與其連接的數(shù)據(jù)線230b還可以是一體成形。在本 實(shí)施例中，掃描線230a與數(shù)據(jù)線230b的材質(zhì)為金屬，而這些第一接觸結(jié)構(gòu)250a 的材質(zhì)亦可以為金屬。值得一提的是，雖然圖2A與圖2B只繪示一條第一短路棒240a，但是在其它 未繪示的實(shí)施例中，針對(duì)不同的產(chǎn)品需求，有源元件陣列基板200可以包括二條或 二條以上的第一短路棒240a。因此，在此強(qiáng)調(diào)，圖2A所示的第一短路棒240a的 數(shù)量為舉例說(shuō)明，并非限定本發(fā)明。
各個(gè)像素結(jié)構(gòu)220可包括一有源元件222以及一像素電極224，且在同一個(gè)像 素結(jié)構(gòu)220中，有源元件222電性連接像素電極224。有源元件222例如是薄膜晶 體管，且可包括一通道層C、 一柵極G、 一漏極D以及一源極S，如圖2B所示。 此外，有源元件222還可包括一歐姆接觸層O，其位于通道層C上。
在本實(shí)施例中，有源元件陣列基板200還包括至少一第二短路棒240b以及多 個(gè)第二接觸結(jié)構(gòu)250b，其中第二短路棒240b與這些第二接觸結(jié)構(gòu)250b皆配置于 周邊線路區(qū)214內(nèi)。第二短路棒240b會(huì)跨接延伸至周邊線路區(qū)214的這些掃描線 230a，而這些第二接觸結(jié)構(gòu)250b位于第二短路棒240b與這些掃描線230a之間。
這些第二接觸結(jié)構(gòu)250b會(huì)接觸第二短路棒240b以及這些掃描線230a。因此， 通過(guò)這些第二接觸結(jié)構(gòu)250b，第二短路棒240b得以直接電性連接這些掃描線230a。 另外，在本實(shí)施例中，第二短路棒240b的延伸方向與這些數(shù)據(jù)線230b的延伸方向 相同，而且第二短路棒240b更可以與這些數(shù)據(jù)線230b實(shí)質(zhì)上平行。
此外，這些第二接觸結(jié)構(gòu)250b的材質(zhì)與第二短路棒240b的材質(zhì)相同，而且 第二短路棒240b與這些第二接觸結(jié)構(gòu)250b還可以是一體成形。在本實(shí)施例中，第 二短路棒240b的材質(zhì)可以是金屬，而這些第二接觸結(jié)構(gòu)250b的材質(zhì)亦可以是金屬。
雖然圖2A與圖2B只繪示一條第二短路棒240b。但是，在其它未繪示的實(shí)施 例中，有源元件陣列基板200可以包括二條或二條以上的第二短路棒240b。因此， 圖2A與圖2B所示的第二短路棒240b的數(shù)量?jī)H為舉例說(shuō)明，并非限定本發(fā)明。
另外， 2A與圖2B所示的有源元件陣列基板200 僅是舉例說(shuō)明，并非限定本發(fā)明。
以上僅介紹本實(shí)施例的有源元件陣列基板200的結(jié)構(gòu)。接下來(lái)，將配合圖3A至圖3K，對(duì)有源元件陣列基板200的制造方法進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。
圖3A至圖3K是圖2B中的有源元件陣列基板的制造方法的剖面示意圖。請(qǐng) 參閱圖3A，首先，提供一基板210，其中基板210具有顯示區(qū)212以及周邊線路 區(qū)214。
接著，在顯示區(qū)212中形成多個(gè)柵極G以及與這些柵極G連接的這些掃描線 230a (圖3A至圖3K僅繪示一個(gè)柵極G與一條掃描線230a)，并且同時(shí)在周邊線 路區(qū)214內(nèi)形成至少一條第一短路棒240a。
請(qǐng)參閱圖3B，之后，形成一絕緣層260，其覆蓋這些柵極G、這些掃描線230a 與第一短路棒240a。絕緣層260可以由二氧化硅、氮化硅或其它絕緣材料所制成。
請(qǐng)同時(shí)參閱圖3C與圖3D，接著，形成一半導(dǎo)體材料層270于絕緣層260上， 其中半導(dǎo)體材料層270的材質(zhì)可以是非晶硅(amorphous-silicon, a-Si)、多晶硅 (polysilicon)或其它適當(dāng)?shù)陌雽?dǎo)體材料。
另外，在本實(shí)施例中，半導(dǎo)體材料層270可包括一通道材料層C'以及一歐姆 接觸材料層O'，而形成半導(dǎo)體材料層270的方法可以包括以下步驟。首先，形成 通道材料層C，于絕緣層260上(如圖3C所示)。接著，形成歐姆接觸材料層O， 于通道材料層C，上(如圖3D所示)，其中歐姆接觸材料層O，的材質(zhì)可以是N型 摻雜的半導(dǎo)體材料。
請(qǐng)參閱圖3E，接下來(lái)，在半導(dǎo)體材料層270上形成一圖案化光刻膠層280， 其中位于這些柵極G上方的圖案化光刻膠層280的厚度大于位于其它部份的圖案 化光刻膠層280的厚度。也就是說(shuō)，圖案化光刻膠層280的厚度并非相同。
此外，圖案化光刻膠層280具有多個(gè)位于第一短路棒240a上方的第一開(kāi)口 282 (圖3E與圖3F僅繪示一個(gè))。這些第一開(kāi)口 282會(huì)暴露半導(dǎo)體材料層270，例如 這些第一開(kāi)口 282會(huì)暴露歐姆接觸材料層0'。
形成圖案化光刻膠層280的方法有很多種，而在此提出其中一種圖案化光刻 膠層280的形成方法。圖案化光刻膠層280可通過(guò)以一光掩膜300為掩膜所進(jìn)行的 曝光及顯影制程來(lái)形成，而光掩膜300具有至少一透光區(qū)302、至少一部份透光區(qū) 304以及至少一不透光區(qū)306，其中部份透光區(qū)304的透光率介于不透光區(qū)306與 透光區(qū)302的透光率之間。因此，光掩膜300可以是半調(diào)式(half-tone)光掩膜或 是其它與光掩膜300結(jié)構(gòu)相似的光掩膜。圖案化光刻膠層280的材質(zhì)可以是正型光刻膠(positivephotoresist)或是負(fù)型 光刻膠(negativephotoresist)，而圖3E所示的圖案化光刻膠層280是以正型光刻 膠為例。因此，圖案化光刻膠層280在對(duì)應(yīng)透光區(qū)302的部份會(huì)形成這些第一開(kāi)口 282，而圖案化光刻膠層280在對(duì)應(yīng)不透光區(qū)306的部份具有較厚的厚度。
另外，在本實(shí)施例中，圖案化光刻膠層280更具有多個(gè)位于周邊線路區(qū)214 內(nèi)與這些掃描線230a上方的第二開(kāi)口 284 (圖3E與圖3F僅繪示一個(gè))。這些第 二開(kāi)口 284會(huì)暴露半導(dǎo)體材料層270，例如這些第二開(kāi)口 284會(huì)暴露歐姆接觸材料 層O，。
請(qǐng)同時(shí)參閱圖3E與圖3F，接著，移除被這些第一開(kāi)口 282所暴露的半導(dǎo)體 材料層270與絕緣層260，以形成多個(gè)第一接觸孔252a。形成這些第一接觸孔252a 的方法可以是對(duì)半導(dǎo)體材料層270與絕緣層260進(jìn)行蝕刻制程。
當(dāng)形成這些第一接觸孔252a時(shí)，被這些第二開(kāi)口 284所暴露半導(dǎo)體材料層270 與絕緣層260亦可以同時(shí)移除，以形成多個(gè)第二接觸孔252b，而形成這些第二接 觸孔252b的方法可以與第一接觸孔252a相同。也就是說(shuō)，這些第二接觸孔252b 可以是蝕刻半導(dǎo)體材料層270與絕緣層260而形成。
請(qǐng)同時(shí)參閱圖3F與圖3G，之后，移除其它部份的圖案化光刻膠層280，以保 留位于柵極G上方的圖案化光刻膠層280。如此，部份半導(dǎo)體材料層270會(huì)暴露出 來(lái)。在本實(shí)施例中，移除其它部份圖案化光刻膠層280的方法可以是對(duì)圖案化光刻 膠層280進(jìn)行等離子灰化制程。
請(qǐng)同時(shí)參閱圖3G與圖3H，接著，移除未被圖案化光刻膠層280所覆蓋的半 導(dǎo)體材料層270，以定義出多個(gè)通道層C (圖3H僅繪示一個(gè))及歐姆接觸層O。 在本實(shí)施例中，移除被圖案化光刻膠層280所暴露的半導(dǎo)體材料層270的方法包括， 首先，移除未被圖案化光刻膠層280所覆蓋的歐姆接觸材料層O'，以定義出歐姆 接觸層O以及暴露出通道材料層C'。接著，移除未被圖案化光刻膠層280所覆蓋 的通道材料層C'，以定義出通道層C。
請(qǐng)同時(shí)參閱圖3H與圖31，之后，移除柵極G上方的圖案化光刻膠層280。接 著，于顯示區(qū)212的絕緣層260上形成多條數(shù)據(jù)線230b、多個(gè)源極S與多個(gè)漏極 D (圖3I至圖3K僅繪示一個(gè)源極S、 一個(gè)漏極D以及一條數(shù)據(jù)線230b)。如此， 這些有源元件222已制造完成。此外，這些數(shù)據(jù)線230b延伸至周邊線路區(qū)214，并會(huì)跨接第一短路棒240a。
請(qǐng)參閱圖31，這些數(shù)據(jù)線230b會(huì)直接透過(guò)這些第一接觸孔252a而連接第一 短路棒240a。詳細(xì)而言，這些數(shù)據(jù)線230b會(huì)延伸至這些第一接觸孔252a內(nèi)，而 這些第一接觸結(jié)構(gòu)250a會(huì)分別形成于這些第一接觸孔252a內(nèi)，其中這些第一接觸 結(jié)構(gòu)250a的材質(zhì)與這些數(shù)據(jù)線230b相同，而且這些第一接觸結(jié)構(gòu)250a與這些數(shù) 據(jù)線230b可以同時(shí)形成。
另外，當(dāng)形成這些數(shù)據(jù)線230b、這些源極S與這些漏極D時(shí)，同時(shí)至少一條 第二短路棒240b亦會(huì)形成于周邊線路區(qū)214內(nèi)。也就是說(shuō)，第二短路棒240b與這 些數(shù)據(jù)線230b同時(shí)形成。第二短路棒240b會(huì)直接透過(guò)這些第二接觸孔252b而連 接這些掃描線230a，而這些第二接觸結(jié)構(gòu)250b會(huì)分別形成于這些第二接觸孔252b 內(nèi)。第二短路棒240b與這些第二接觸結(jié)構(gòu)250b的材質(zhì)相同，而且第二短路棒240b 與這些第二接觸結(jié)構(gòu)250b可以同時(shí)形成。
請(qǐng)參閱圖3J，在這些數(shù)據(jù)線230b、這些源極S與漏極D以及第二短路棒240b 形成之后，可以進(jìn)行一反向通道蝕刻制程。詳細(xì)而言，利用等離子蝕刻的方式來(lái)移 除位于源極S與漏極D之間的一部份歐姆接觸層O。如此，源極S不會(huì)直接電性 連接于漏極D，以確保這些有源元件222的運(yùn)作正常。接著于絕緣層260上形成一 保護(hù)層292，其中保護(hù)層292可以是氮化硅、二氧化硅或其它適當(dāng)?shù)慕^緣材料，且 保護(hù)層292覆蓋這些數(shù)據(jù)線230b、這些源極S與漏極D以及第二短路棒240b。
請(qǐng)參與圖3K，接著，在一實(shí)施例中，可以更于保護(hù)層292上形成一平坦層294， 其中平坦層294可以是由聚合物(polymer)或是其它高分子材料所形成。
接下來(lái)，于保護(hù)層292上形成多個(gè)像素電極224 (圖3K僅繪示一個(gè))，其中 這些像素電極224電性連接這些漏極D。詳細(xì)而言，平坦層294具有多個(gè)暴露這些 漏極D的接觸孔294a，而這些像素電極224會(huì)延伸至這些接觸孔294a內(nèi)，并連接 這些漏極D。在這些像素電極224形成之后，基本上有源元件陣列基板200已制造 完成。
值得注意的是，由于本實(shí)施例的有源元件陣列基板200可以僅包括至少一條 第一短路棒240a，而未包括任何第二短路棒240b，或者是，有源元件陣列基板200 可以僅包括至少一條第二短路棒240b，而未包括任何第一短路棒240a，因此圖3A 至圖3K所示的有源元件陣列基板200的制造方法可以未包括制造第一短路棒240a 14或第二短路棒240b的相關(guān)流程。
再者，熟悉本發(fā)明的技術(shù)領(lǐng)域者可以從圖3A至圖3K以及上述的說(shuō)明中得知 如何制造未包括第一短路棒240a或第二短路棒240b的有源元件陣列基板200。因 此，在此強(qiáng)調(diào)圖3A至圖3K所示的有源元件陣列基板200的制造方法僅為舉例說(shuō) 明，并非限定本發(fā)明。
綜上所述，通過(guò)這些第一接觸結(jié)構(gòu)，第一短路棒得以直接連接這些數(shù)據(jù)線， 而通過(guò)這些第二接觸結(jié)構(gòu)，第二短路棒得以直接連接這些掃描線。相較于已知技術(shù) 而言，第一短路棒與這些數(shù)據(jù)線之間存有非常低的電阻，而第二短路棒與這些掃描 線之間也同樣存有非常低的電阻。如此，本發(fā)明能提高檢測(cè)有源元件陣列基板的準(zhǔn) 確度，并且避免檢測(cè)結(jié)果因電阻太大而受到影響。
此外，由于第一短路棒是透過(guò)這些第一接觸結(jié)構(gòu)而直接連接這些數(shù)據(jù)線，而
第二短路棒是透過(guò)這些第二接觸結(jié)構(gòu)而直接連接這些掃描線，因此，相較于已知技
術(shù)，本發(fā)明的有源元件陣列基板具有較少的接觸結(jié)構(gòu)。由此可知，本發(fā)明能減少短
路棒(即第一短路棒與第二短路棒)電性連接這些掃描線與這些數(shù)據(jù)線所需的接觸
結(jié)構(gòu)的數(shù)量，而使顯示區(qū)的面積得以進(jìn)一步地增加。
雖然本發(fā)明已以實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù) 領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許更動(dòng)與潤(rùn)飾，
因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以權(quán)利要求所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種有源元件陣列基板的制造方法，包括提供一基板，該基板具有一顯示區(qū)以及一周邊線路區(qū)；在該顯示區(qū)中形成多個(gè)柵極以及與該些柵極連接的多條掃描線，并且同時(shí)在周邊線路區(qū)形成至少一第一短路棒；形成一絕緣層，其覆蓋該些柵極、該些掃描線與該第一短路棒；形成一半導(dǎo)體材料層于該絕緣層上；在該半導(dǎo)體材料層上形成一圖案化光刻膠層，其中該圖案化光刻膠層具有多個(gè)位于該第一短路棒上方的第一開(kāi)口，以暴露該半導(dǎo)體材料層，而且位于該些柵極上方的該圖案化光刻膠層的厚度大于位于其它部份的該圖案化光刻膠層的厚度；移除被該些第一開(kāi)口所暴露該半導(dǎo)體材料層與該絕緣層，以形成多個(gè)第一接觸孔；移除其它部份的該圖案化光刻膠層，并保留位于該柵極上方的該圖案化光刻膠層；移除未被該圖案化光刻膠層所覆蓋的該半導(dǎo)體材料層，以定義出多個(gè)通道層；移除該些柵極上方的該圖案化光刻膠層；于該顯示區(qū)的該絕緣層上形成多條數(shù)據(jù)線，以及在每一個(gè)通道層上形成一源極與一漏極，且該些數(shù)據(jù)線延伸該周邊線路區(qū)并會(huì)跨接該第一短路棒，其中該些數(shù)據(jù)線會(huì)直接透過(guò)該些第一接觸孔而連接該第一短路棒；
2. 如權(quán)利要求1所述的有源元件陣列基板的制造方法，其特征在于，還包括: 于該絕緣層上形成一保護(hù)層；以及于該保護(hù)層上形成多個(gè)像素電極，其中該些像素電極電性連接該些漏極。
3. 如權(quán)利要求1所述的有源元件陣列基板的制造方法，其特征在于，移除其 它部份的該圖案化光刻膠層的方法包括對(duì)該圖案化光刻膠層進(jìn)行等離子灰化制程。
4. 如權(quán)利要求1所述的有源元件陣列基板的制造方法，其特征在于，形成該 些第一接觸孔的方法包括對(duì)該半導(dǎo)體材料層與該絕緣層進(jìn)行蝕刻制程。
5. 如權(quán)利要求1所述的有源元件陣列基板的制造方法，其特征在于，該些掃 描線延伸至該周邊線路區(qū)，而該圖案化光刻膠層還具有多個(gè)位于該周邊線路區(qū)內(nèi)與該些掃描線上方的第二開(kāi)口，其暴露該半導(dǎo)體材料層，且在形成該圖案化光刻膠層 之后，還包括移除被該些第二開(kāi)口所暴露該半導(dǎo)體材料層與該絕緣層，以形成多個(gè)第二接 觸孔；以及在移除該柵極上方的該圖案化光刻膠層之后，于該周邊線路區(qū)形成至少一第 二短路棒，其中該第二短路棒與該些數(shù)據(jù)線同時(shí)形成，且該第二短路棒會(huì)直接透過(guò)該些第二接觸孔而連接該些掃描線。
6. 如權(quán)利要求5所述的有源元件陣列基板的制造方法，其特征在于，形成該 些第一接觸孔與該些第二接觸孔的方法包括對(duì)該半導(dǎo)體材料層與該絕緣層進(jìn)行蝕 刻制程。
7. 如權(quán)利要求1所述的有源元件陣列基板的制造方法，其特征在于，形成該 半導(dǎo)體材料層的方法包括形成一通道材料層于該絕緣層上；以及 形成一歐姆接觸材料層于該通道材料層上。
8. 如權(quán)利要求7所述的有源元件陣列基板的制造方法，其特征在于，移除未 被該圖案化光刻膠層所覆蓋的該半導(dǎo)體材料層的方法包括移除未被該圖案化光刻膠層所覆蓋的該歐姆接觸材料層；以及 移除未被該圖案化光刻膠層所覆蓋的該通道材料層。
9. 如權(quán)利要求2所述的有源元件陣列基板的制造方法，其特征在于，在形成 該保護(hù)層之前，還包括進(jìn)行一反向通道蝕刻制程。
10. 如權(quán)利要求2所述的有源元件陣列基板的制造方法，其特征在于，還包括 于該保護(hù)層上形成一平坦層；以及于該平坦層上形成該些像素電極。
11. 一種有源元件陣列基板的制造方法，包括 提供一基板，該基板具有一顯示區(qū)以及一周邊線路區(qū)；在該顯示區(qū)中形成多個(gè)柵極以及與該些柵極連接的多條掃描線，其中該些掃 描線延伸該周邊線路區(qū)；形成一絕緣層，其覆蓋該些柵極與該些掃描線； 形成一半導(dǎo)體材料層于該絕緣層上；在該半導(dǎo)體材料層上形成一圖案化光刻膠層，其中該圖案化光刻膠層具有多 個(gè)位于該周邊線路區(qū)內(nèi)與該些掃描線上方的開(kāi)口，其暴露該半導(dǎo)體材料層，而且位 于該些柵極上方的該圖案化光刻膠層的厚度大于位于其它部份的該圖案化光刻膠 層的厚度；移除被該些開(kāi)口所暴露該半導(dǎo)體材料層與該絕緣層，以形成多個(gè)接觸孔； 移除其它部份的該圖案化光刻膠層，以保留位于該柵極上方的該圖案化光刻膠層；移除未被該圖案化光刻膠層所覆蓋的該半導(dǎo)體材料層，以定義出多個(gè)通道層； 移除該些柵極上方的該圖案化光刻膠層；于該顯示區(qū)的該絕緣層上形成多條數(shù)據(jù)線與至少一短路棒，以及在每一個(gè)通 道層上形成一源極與一漏極，其中該短路棒會(huì)跨接延伸至該周邊線路區(qū)的該些掃描 線，并且直接透過(guò)該些接觸孔而連接該些掃描線；
12. 如權(quán)利要求11所述的有源元件陣列基板的制造方法，其特征在于，還包括于該絕緣層上形成一保護(hù)層；以及于該保護(hù)層上形成多個(gè)像素電極，其中該些像素電極電性連接該些漏極。
13. 如權(quán)利要求11所述的有源元件陣列基板的制造方法，其特征在于，移除 其它部份的該圖案化光刻膠層的方法包括對(duì)該圖案化光刻膠層進(jìn)行等離子灰化制程。
14. 如權(quán)利要求11所述的有源元件陣列基板的制造方法，其特征在于，形成 該些接觸孔的方法包括對(duì)該半導(dǎo)體材料層與該絕緣層進(jìn)行蝕刻制程。
15. 如權(quán)利要求11所述的有源元件陣列基板的制造方法，其特征在于，形成 該半導(dǎo)體材料層的方法包括形成一通道材料層于該絕緣層上；以及 形成一歐姆接觸材料層于該通道材料層上。
16. 如權(quán)利要求15所述的有源元件陣列基板的制造方法，其特征在于，移除 未被該周案化光刻膠層所覆蓋的該半導(dǎo)體材料層的方法包括移除未被該圖案化光刻膠層所覆蓋的該歐姆接觸材料層；以及 移除未被該圖案化光刻膠層所覆蓋的該通道材料層。
17. 如權(quán)利要求12所述的有源元件陣列基板的制造方法，其特征在于，在形成該保護(hù)層之前，還包括進(jìn)行一反向通道蝕刻制程。
18. 如權(quán)利要求12所述的有源元件陣列基板的制造方法，其特征在于，還包括于該保護(hù)層上形成一平坦層；以及 于該平坦層上形成該些像素電極。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種有源元件陣列基板的制造方法。首先，在基板的顯示區(qū)中形成多個(gè)柵極與多條掃描線。在基板的周邊線路區(qū)中形成至少一短路棒。接著，依序形成一絕緣層與一半導(dǎo)體材料層于基板上。接著，在半導(dǎo)體材料層上形成一圖案化光刻膠層。接著，移除部分半導(dǎo)體材料層與部分絕緣層，以形成多個(gè)接觸孔。移除部分圖案化光刻膠層。移除部分半導(dǎo)體材料層，以定義出多個(gè)通道層。移除圖案化光刻膠層。接著，形成多條數(shù)據(jù)線。在各個(gè)通道層上形成一源極與一漏極。這些數(shù)據(jù)線從顯示區(qū)延伸至周邊線路區(qū)，并經(jīng)由這些接觸孔連接短路棒。
文檔編號(hào)H01L21/70GK101621038SQ200810127928
公開(kāi)日2010年1月6日 申請(qǐng)日期2008年7月1日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月1日
發(fā)明者張錫明 申請(qǐng)人:中華映管股份有限公司