專利名稱：陣列基板及其制造方法和具有該陣列基板的顯示器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示器(LCD)， 一種特征為寬視角的陣列基板以 及該陣列基板和LCD的制造方法。
背景技術(shù)：
一種液晶顯示器(LCD)包括下基板，上基板和插入到上基板和下基板 之間的液晶層。像素電極形成在下基板上。上基板包括公共電極和彩色濾光 層。LCD通過在液晶層(LC)上施加電場且控制通過LCD的光強，從而顯 示圖像。常規(guī)的LCD相對于其他的顯示器，例如陰極射線管(CRT)或等離子 顯示面板(PDP),具有窄視角。為了獲得寬視角，強烈推薦垂直排列(VA) LCD。VALCD的一種類型在公共電極和像素電極有開口圖案。開口圖案在當(dāng) 電場施加到公共電極和像素電極時引起邊緣場。邊緣場確定液晶分子的傾斜 方向。VALCD的另一種類型具有形成在公共電極和像素電極上的突出。該 突出確定LC分子的傾斜方向。VA LCD的另一種類型是在公共電極上有突 出和在像素電極中有開口。通過形成液晶分子的多個傾斜方向使LCD具有寬視角。考慮到對比度和灰度反轉(zhuǎn)，由液晶分子的多傾斜方向形成的多個區(qū) 域能夠?qū)崿F(xiàn)LCD的寬視角。不幸地，VALCD的正面視角伽馬曲線與其斜面視角伽馬曲線不同。因 為在正面所示的圖像與斜面所示的圖像不同，伽馬曲線的不同引起了圖像的損失。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的 一個實施例提供了改善了顯示質(zhì)量的多區(qū)域LCD。 本發(fā)明的另 一個實施例提供了制造上述LCD的方法。 本發(fā)明的一個實施例公開了一種薄膜晶體管(TFT)陣列基板。該TFT 陣列基板具有形成在絕緣基板上的第一信號線和第二信號線。由第一信號線 和第二信號線限定了像素區(qū)域。第一像素電極形成在像素區(qū)域中。TFT形成 在像素區(qū)域中。該TFT電連接到第 一信號線、第二信號線以及第 一像素電極。 連接電極形成在像素區(qū)域中。連接電極通過一個接觸孔連接到第 一像素電 極。第二像素電極形成在像素區(qū)域中。第二像素電極經(jīng)由一個電容器電連接 到連接電極。絕緣層形成在連接電極和第二像素電極之間。形成在連接電極和第二像 素電極之間的絕緣層可以比絕緣層的其他區(qū)域更薄。存儲電極形成在像素區(qū) 域中。存儲電極與連接電極形成存儲電容，且絕緣層形成在連接電極和存儲 電極之間。從平面視角看，連接電極覆蓋了整個存儲電極。第一鈍化層和第 二鈍化層可以形成在陣列基板上。第一鈍化層可以由無機絕緣體制成。第二 鈍化層可以由有機絕緣體制成。第 一像素電極或第二像素電極可以具有 一 個元件將液晶層分離成兩個 或是多個區(qū)域。第 一和第二像素電極相對于將像素區(qū)域分開的水平參考線對 稱。本發(fā)明的實施例還公開了一種LCD，包括第一絕緣片；柵極線和柵極 形成在絕緣片上；柵絕緣層形成在柵極和柵線上；非晶硅圖案形成在柵絕緣 層上；源極、漏極和數(shù)據(jù)線，其中至少源極的一部分和至少漏極的一部分形 成在非晶硅圖案上。源極連接到數(shù)據(jù)線。連接電極形成在柵絕緣層上。鈍化層形成在數(shù)據(jù)線、源極、漏極和連接 電極上，其中在連接電極上的鈍化層比鈍化層的其他區(qū)域更薄。第一像素電 極形成在鈍化層上。第一像素電極電連接到漏極和連接電極上。第二像素電 極形成在鈍化層上。第二像素電極與連接電極重疊并電》茲地連接到連接電 極。面對第一絕緣基板的第二絕緣基板具有第一元件分隔LC區(qū)域。像素電 極具有第二元件分隔LC區(qū)域。第一元件和第二元件可以是電極中的開口或 是在電極上的突出。應(yīng)該理解，上述總體的描述和下面的詳細(xì)描述都是一種示意性的，而且 旨在提供如權(quán)利要求所述對本發(fā)明的進一步的解釋。


被包括以進一步說明本發(fā)明、合并入且組成本說明書的一部分的附圖， 示出了本發(fā)明的實施例，并與說明書 一起解釋本發(fā)明的原理。圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)VA模式LCD的伽馬曲線； 圖2A示出了多區(qū)域LCD中液晶分子的排列情況； 圖2B示出了當(dāng)兩個不同電壓分別施加到LCD中兩個子像素時，液晶分 子的排列情況；圖3示出了圖2B中液晶分子的傾斜角度；圖4A示出了圖2A中LCD的正面視角的伽馬曲線和斜面視角的伽馬曲線；圖4B示出了圖2B中LCD的正面視角的伽馬曲線和斜面視角的伽馬曲線；圖5示出了本發(fā)明一個具體實施例的伽馬曲線；圖6示出了在像素區(qū)域具有三個子像素的LCD的伽馬曲線，其中施加 到三個子像素的電壓彼此不同；圖7示出了本發(fā)明一個實施例TFT陣列基板的平面視圖； 圖8示出了本發(fā)明一個實施例上基板的平面視圖； 圖9示出了本發(fā)明另一個實施例的LCD的平面視圖； 圖IO示出了圖9中IV-IV'方向的截面圖； 圖11示出了本發(fā)明具體實施例的電子電路；圖12A、 13A、 14A和16A連續(xù)地示出了本發(fā)明具體實施例制造方法的 步驟；圖12B示出了圖12A中VIb-VIb'方向的截面圖；圖13B示出了圖13A中VIIb-VIIb'方向的截面圖;圖14B示出了圖14A中VIIIb-VIIIb'方向的截面圖;圖15示出了在圖14B隨后的步驟中，圖14A中VIIIb-VIIIb'方向的截面圖；圖16B示出了圖16A中Xb-Xb'方向的截面圖；圖17示出了在圖16B隨后的步驟中，圖16A中Xb-Xb'方向的截面圖； 圖18示出了本發(fā)明再一個具體實施例的LCD的平面圖； 圖19示出了圖18中XIII-XIir方向的截面圖；具體實施方式
圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)VA LCD的伽馬曲線。Cl是正面視圖伽馬曲線。 C2是上面視圖伽馬曲線。C3是右側(cè)視圖伽馬曲線。C4是對角線視圖伽馬曲 線。C2，C3和C4都偏離了 Cl許多，這就意味著斜面的亮度與正面的亮度有 很大的不同。更進一步，C2,C3和C4在他們的亮灰度范圍內(nèi)變化較慢，這 就意味著在此亮灰度范圍內(nèi)圖像不會很清晰。如圖2A和4A所示，甚至一個像素具有多個LC區(qū)域。如果整個像素區(qū) 域在相同的電壓下，這就使斜面角度視角的伽馬曲線偏離正面視角的伽馬曲 線很多。圖2B和4B示出了像素區(qū)域被分離成兩個子像素。施加到子像素上的 電壓彼此以一個確定的比率不同。 一個子像素中LC分子的傾斜角度與另一 個子像素的LC分子傾斜角度不同。圖4B中的伽馬曲線示出了比圖4A中的 偏離更小。如圖7、 8、 9和10所示，LCD包括TFT陣列基板100、相對于陣列基 板100的上基板200和包括LC分子310的LC層3, LC層3與陣列基板100 和上基板200垂直取向。取向?qū)?1和21分別形成在陣列基板100和上基板 200的內(nèi)部。取向?qū)?1和21可以是使LC分子垂直于表面取向的垂直取向 層。偏振器12和22分別附著在陣列基板100和上基板200的外部表面。TFT陣列基板100包括絕緣板110。多條柵極線121形成在絕緣板110 上。柵極線121橫向延伸。每個4冊極線的一部分形成多個柵極124。所述棚-極124可以從柵極線121上突出。柵極線121可以具有比其他部分更寬的接 觸區(qū)域，且可以連接到外部電路。柵極線121可以連接到形成在陣列基板110 的柵極驅(qū)動電路。存儲電極線131可以形成在柵極線121的相同層上。存儲 電極線具有多個存儲電極133。存儲電極133可以比存儲電極線131更寬。柵極線121和存儲電極線131由鋁(Al)，鋁合金(Al alloy )，銀(Ag ), 銀合金(Ag alloy)，鉻(Cr),鈥(Ti)，鉭(Ta ),鉬(Mo)等金屬制成。柵極 線121和存儲電極線131可以形成為單層或是雙層。雙層中的一層可以由例如Cr, Mo， Ti, Ta等具有好的機械抗磨度和化學(xué)抵抗力的材料制成。雙層中的 另一層可以由好的導(dǎo)電材料例如Al， Al合金等制成。柵極線121和存儲電 極線131的側(cè)邊相對于絕緣板110的表面以30度到80度之間的角度范圍逐 漸變細(xì)，這樣使上面層更容易超出。柵極絕緣層140形成在柵極線121和存儲電極線131的上面。柵極絕緣 層140由氮化硅(SiNx)或是氧化硅(SiOx)制成。多個數(shù)據(jù)線171和多個 漏極175形成在柵極絕緣層140上。數(shù)據(jù)線171縱向延伸。每個數(shù)據(jù)線171 具有多個從數(shù)據(jù)線171延伸且具有朝向漏極175的槽的源極173。數(shù)據(jù)線171 的一端具有一個接觸區(qū)域179,該接區(qū)域比其他部分更寬并連接到外部電路。連接電極176形成在柵極絕緣層140上。連接電極176與存儲電極133 交疊并沿著柵極絕緣層140形成電容。連接電極176與存儲電極133交疊有 利于獲得高的開口率。連接電極176可以與漏極175分隔開，也可以在同一 層直接連接到漏極175。存儲電極133的邊界在平面視圖中可以位于與連接 電極176邊界之外。數(shù)據(jù)線171、漏極175和連接電極176可以由鋁(Al)，鋁合金(Al alloy), 銀(Ag),銀合金(Ag alloy),鉻(Cr)，鈥(Ti),鉭(Ta ),鉬(Mo)，鉬合 金(Moalloy)等金屬制成。數(shù)據(jù)線171、漏極175和連接電極176可以用上面 的金屬形成多層例如Mo/Al合金/Mo或Cr/Al。半導(dǎo)體層151形成在數(shù)據(jù)線171和漏極175的下面。半導(dǎo)體層向柵極延 伸并形成一個TFT的溝道區(qū)域。半導(dǎo)體層可以由非晶硅制成。歐姆(ohmic) 接觸線161形成在數(shù)據(jù)線171和半導(dǎo)體層151之間。歐姆接觸島(ohmic contact island) 165形成在漏極175和半導(dǎo)體層151之間。歐姆接觸層可以減 少金屬層和半導(dǎo)體層之間的接觸電阻。歐姆接觸層161、 163和165可以由 硅化物或n型非本征非晶硅制成。鈍化層180形成在漏極175和數(shù)據(jù)線171上。鈍化層180可以由有機光 致抗蝕劑、低介電材料或者氮化硅(SiNx)制成。低介電材料可以由等離子 增強的化學(xué)氣相淀積(PECVD)制成。低介電材料可以是a-Si:C:O或者是 a-Si:O:F。鈍化層180可以形成兩層。第一層801可以由氮化硅或者氧化硅 制成。第二層802可以由有機絕緣材料制成。第二層802可以由彩色濾光片 制成。接觸孔182和185形成在鈍化層180中。接觸孔182暴露數(shù)據(jù)線的一端。ii接觸孔185暴露漏極175的一部分。暴露了柵極線121的一端部的接觸孔181 穿過柵極絕緣層140和鈍化層180形成。暴露了連接電極176的一部分的接 觸孔186形成在鈍化層180中。暴露第一鈍化層801的開口區(qū)域形成在第二 鈍化層802中。像素電極形成在鈍化層180上。接觸鋪助81和82形成在鈍化層180上。 像素電極和接觸鋪助由如錫銦氧化物(ITO)、鋅銦氧化物(IZO)等透明導(dǎo) 體制成。像素電極和接觸鋪助可以由像Al、 Cr等反射光線良好的不透明金 屬制成。像素電極包括第一像素電極190a和第二像素電極190b,這兩個電 極由開口區(qū)域彼此分離。第一像素電極190a通過接觸孔185連接到漏極175。 第一像素電極190a還通過接觸孔186連接到連接電極176。第二像素電極 190b與連接電極176交疊。因此，連接電容Ccp由連接電極176、第二像素 電極190b和第一鈍化層801形成。第二像素電極190b經(jīng)由連接電容Ccp電 磁性連接到第一像素電極。因為連接電容C印不包括第二鈍化層802,即使 連接電極176足夠小，連接電容Ccp也可以足夠的大，導(dǎo)致顯示器的更高的 開口率。分隔第一像素電極190a和第二像素電極190b的開口區(qū)域^皮分成兩個部 分。第一部分與柵極線121形成大約45度的角。第二部分與^"極線121形 成大約90度的角。第一部分被分離成191和193兩個部分。開口區(qū)域的第 一部分比第二部分要長。 一部分191與另一部分193形成大約90度的角。第二像素電極190b具有開口區(qū)域192。開口區(qū)域192從第二像素電極 190b的右側(cè)打開。開口區(qū)域192的右側(cè)比開口區(qū)域192的其他部分要寬。通 過一對柵極線121和一對數(shù)據(jù)線171限定了像素區(qū)域。第一像素電極190a 和第二像素電極190b相對于將像素區(qū)域等分的虛構(gòu)線對稱。該虛構(gòu)線與柵 極線121平行。接觸鋪助81通過接觸孔181連接到4冊極線121的一端。接 觸鋪助82通過接觸孔182連接到數(shù)據(jù)線171的一端。如下所述將上述的具體實施例改變一些部分可以獲得其他的具體實施 例。如果即使電容C叩包括第二鈍化層802電容也Ccp足夠大的話，則連接 電容也可以包括第二鈍化層802。作為使用垂直取向?qū)拥奶鎿Q，使用均勻取 向?qū)涌梢垣@得本發(fā)明的另一個具體實施例，使液晶分子與表面平行取向。雖 然在上述具體實施例中連接電極176與漏極175分離，連接電極也可以用相 同層直接連接到漏極。雖然存儲電極線在上述具體實施例中單獨提供，也可以用數(shù)據(jù)線和柵極線替換存儲電極線形成存儲電極。在本具體實施例中示出 兩個子像素電極。也可以形成三個或多個子像素電極以致三個或多個不同的 電壓可以施加到像素區(qū)域中。圖6所示為三個不同的電壓施加到像素區(qū)域的情形。傾斜視角的伽馬曲線比圖4B所示的更靠近正面^f見角的伽馬曲線。上基板200包括絕緣板210。絕緣板210由透明的材料例如玻璃、晶體 等制成。黑色矩陣圖案220形成在絕緣板210上。彩色濾光片層230形成在 黑色矩陣圖案220上。彩色濾光片層230可以是紅色、綠色或藍(lán)色。公共電 極270形成在彩色濾光片層230上。公共電極270由像錫銦氧化物(ITO)， 鋅銦氧化物(IZO)等透明導(dǎo)體制成。開口圖案271、 272和273形成在公共 電極270上。黑色矩陣220可以與開口圖案交疊。黑色矩陣可以阻塞開口圖 案區(qū)域的光泄漏。開口區(qū)域191在平面^f見圖中位于開口圖案271和272之間。開口區(qū)域193 在平面視圖中位于開口圖案272和273之間。開口圖案271、 272和273的 端部彎曲并分別與像素電極190的邊基本上平行。開口圖案271、 272和273 分別與像素電極190的一部分交疊。每個開口圖案271、 272和273的一端 縱向延伸；每個開口圖案271、 272和273的另一端橫向延伸。當(dāng)電壓施加到電極上時，開口圖案271、 272和273通過產(chǎn)生邊緣場來限定LC區(qū)域。開口圖案271、 272和273可以有槽口。槽口可以是凹進或是凸出。槽口可以是V型、圓形或是多邊形。槽口可以限定LC區(qū)域的邊界上的LC分子的傾斜方向。因此，LC區(qū)域的邊界上的LC分子可以穩(wěn)定并規(guī)則取向，這有助于開口圖案變狹窄，以致使顯示器的透射率加強。 一個或多個 槽口可以形成在一個開口圖案上。凹進的槽口和凸出的槽口可以交替地形成在開口圖案中。雖然槽口在本具體實施例中僅僅形成在公共電極開口圖案 中，槽口可以形成在開口 191、 192和193中。因此，槽口可以形成在公共 電極和像素電極中的 一個中。槽口也可以形成在像素電極和公共電極兩個 中。本發(fā)明的具體實施例包括陣列基板、上基板和當(dāng)兩個基板裝配在一起的 時候限定陣列基板和上基板的LC層。當(dāng)兩個基板裝配時，公共電極的開口 分別將第一像素電極190a和第二像素電極190b分隔成超過一個子區(qū)域。如 圖9所示，在本具體實施例中，第一像素電極190a和第二^象素電極190b分 別尋皮分隔成四個子區(qū)域。當(dāng)一個電場施加到LC層時，在一個子區(qū)域的LC分子都向一個方向傾斜，這就稱作一個LC區(qū)域。電壓通過晶體管提供到第一像素電極190a。電壓經(jīng)由連接電容Ccp提 供到第二像素電極190b。因此，第一像素電極190a和公共電極270之間的 電壓差總是比第二像素電極190b和公共電極270之間的電壓差要大。第一 像素電極區(qū)域的伽馬曲線與第二像素電極區(qū)域的伽馬曲線不同。因為兩個不 同的伽馬曲線存在一個像素區(qū)域，整個像素區(qū)域的伽馬曲線從一個觀察方向到另一個觀察方向不會偏離太多，這樣提高了顯示質(zhì)量。下面參照圖ll描述了第二像素電極190b的電壓與第一像素電壓的不同 的原因。C^是公共電極270和第一像素電極l卯a(chǎn)之間的電容，C,cb是公共 電極270和第二像素電極190b之間的電容。Cst是存儲電極131和第一像素 電極190a (或者連接電極176)之間的電容。Ccp是第二^象素電極190b和連 接電極176之間的電容。Va是第一像素電極190a和公共電極270之間的電 壓差。Vb是第二像素電極190b和公共電極270之間的電壓差。Vb = Vax[Ccp/(Ccp+Clcb)]其中CV(Ccp+dcb)總是小于1 。因此Vb總是小于Va。 Vb最好是Va的大 約50%到90%。較低的Vb使伽馬曲線彼此靠近。然而，較低的Vb會降低 顯示器的透射率。因此，Vb應(yīng)該是選擇最合適的。顯示的質(zhì)量也取決于第一 像素尺寸和第二像素尺寸的比率。如果第二像素尺寸與第一像素尺寸相似， Vb最好是Va的大約60%到75%。如果第二像素的尺寸是第一像素的大約 1.5倍，Vb最好是Va的大約65%到80%。像素尺寸的其他比率和電壓電壓 比率可以通過如上確定的例子以類似的方法計算出來。在其他方面，Vb相對于Va的比率可以由Ccp決定。Ccp能夠:帔連接電極176和第二像素電極190b的交疊尺寸以及連接電極176和第二像素電極190b 之間的距離來確定。該交疊尺寸取決于連接電極176的尺寸。該距離取決于 連接電極形成或者第二像素電極形成的層。下面參照圖12A、 12B、 13A、 13B、 14A、 14B、 15、 16A、 16B、 17、 18和19,描述本發(fā)明的制造方法的具體實施例。兩層金屬通過濺射法沉積在絕緣板IIO上。絕緣板110由例如玻璃，石 英(quartz)等透明材料制成。下金屬層可以具有與ITO或者IZO好的接觸 特性。下金屬層可以由Mo、 Mo合金、Cr等金屬制成。上金屬層可以包含 Al。具有多個柵極124的柵極線121和具有多個存儲電極133的存儲電極線131通過光刻由該金屬層形成。柵極絕緣層，本征非晶硅層和非本征非晶硅層依次連續(xù)地沉積在柵極線121和存儲電極線131上。包括多條線以及形成在線上的多個突出的半導(dǎo)體 圖案由光刻形成。柵極絕緣層可以由氮化硅制成。4冊極絕緣層沉積溫度在 250 ~ 500度。柵極絕緣層的厚度在2000 ~ 5000埃。金屬層沉積在半導(dǎo)體圖案上。金屬層通過光刻被構(gòu)圖以形成多個包括多 個源極的數(shù)據(jù)線、多個連接電極和多個漏極。然和，非本征半導(dǎo)體的暴露部 分被移去以致本征半導(dǎo)體151暴露出來。這樣，本征半導(dǎo)體可以被氧等離子 處理使本征半導(dǎo)體層的表面穩(wěn)定。第一鈍化層801沉積在數(shù)據(jù)金屬層上。第一鈍化層801由無機絕緣層如 SiNx形成。第二鈍化層802沉積在第一鈍化層801上。第二鈍化層802由 具有比第一鈍化層801低的介電常數(shù)的有機材料制成。第一鈍化層801和第 二鈍化層802 —起形成鈍化層180。光致抗蝕劑(photo resist)層通過旋轉(zhuǎn) 涂布或是狹縫涂布(slit coating),涂覆在鈍化層180上。光致抗蝕劑圖案52 和54由光刻形成。光致抗蝕劑圖案52比光致抗蝕劑圖案54更厚。在區(qū)域B 中，光致抗蝕劑圖案并不保留。光致抗蝕劑圖案可以由具有半透明區(qū)域、透 明區(qū)域以及遮光區(qū)域的光掩模形成。半透明區(qū)域可以由狹縫圖案或者格子圖 案形成。半透明區(qū)域可以比遮光區(qū)域形成更薄的層。半透明圖案也可以由大 約20%到80%透射率的材料制成。鈍化層180利用光致抗蝕劑(PR)圖案來蝕刻，以致連接電極121的一 部分和漏極175的一部分通過接觸孔185和186暴露。同時，形成暴露數(shù)據(jù) 線171和柵極線121的端部的接觸孔181和182。此后，PR圖案的部分54 被拋光工藝移去。在拋光工藝中，PR圖案52的一部分可以移去，因為拋光 程序影響基板的整個表面。盡管PR圖案54的整個部分都被移去了，但PR 圖案52的一部分仍然保留，因為PR圖案52比PR圖案54更厚。在區(qū)域C 的第二鈍化層802被拋光工藝暴露。區(qū)域C的第二鈍化層802被蝕刻除去。 這樣，區(qū)域A的PR圖案被除去。如本發(fā)明的另一個具體實施例，第二鈍化層802可以是感光材料。這種 情況下，就不需要蝕刻第二鈍化層。用感光材料形成第二鈍化圖案的工藝與 上述實施例中形成PR圖案的工藝類似。透明導(dǎo)體沉積在第二鈍化層上。透明導(dǎo)體大約500埃到大約1500埃厚，由ITO、 IZO或類似的材料制成。透明導(dǎo)體可以由賊射法形成。多個像素電極和接觸鋪助81和82由光刻形成。在透明導(dǎo)體是IZO的情況下，Cr光刻 材料像HN03/ (NH4) 2Ce(N03)6/H20等可以用于蝕刻IZO。這些蝕刻材料不 會損傷Al,使得在柵極線、數(shù)據(jù)線和漏極中的Al層不會損傷。如本發(fā)明的另 一個具體實施例，非本征半導(dǎo)體圖案與數(shù)據(jù)線金屬層圖案 類似，因為該半導(dǎo)體圖案是在形成數(shù)據(jù)線金屬層圖案之后形成的。這種情況 下，數(shù)據(jù)線金屬層圖案包括連接電極、漏極和源極以及數(shù)據(jù)線。除了 TFT 溝道區(qū)域外，本征半導(dǎo)體圖案也與數(shù)據(jù)線金屬層圖案類似。下面描述上述具體實施例的制造方法。因為制造本發(fā)明實施例的其他步 驟類似于上面提到的方法，下面僅描述了形成半導(dǎo)體圖案和數(shù)據(jù)金屬層圖案 的方法。在連續(xù)地形成柵極絕緣層、本征半導(dǎo)體層，非本征半導(dǎo)體層和數(shù)據(jù) 金屬層后，光致抗蝕劑圖案形成在數(shù)據(jù)金屬層上。PR圖案的TFT溝道區(qū)域 比其他區(qū)域的PR圖案更薄。實施與制造鈍化層180工藝類似的步驟來形成 薄的PR圖案。通過使用所述PR圖案作為掩模來構(gòu)圖數(shù)據(jù)金屬層，非本征 半導(dǎo)體層和本征半導(dǎo)體層。PR圖案被拋光來除去保留在溝道區(qū)域的PR。其 他區(qū)域的PR圖案的部分仍然保留，因為其比溝道區(qū)域中的PR圖案更厚。 在溝道區(qū)域的數(shù)據(jù)金屬層和非本征半導(dǎo)體層被依次除去。顯而易見地，在不背離本發(fā)明的精神和范圍的前提下，本發(fā)明的技術(shù)特 征可以有不同的修正和變化。因此，關(guān)于本發(fā)明的這些修正和變化包含在權(quán)利要求書和等同物的范圍之內(nèi)。本申請要求以2004年7月7日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局申請的、申請?zhí)枮?2004-052565以及2004年7月9日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局申請的、申請?zhí)枮?2004-053395的韓國專利申請作為其優(yōu)先權(quán)申請，以此在這里提出作為參照。
權(quán)利要求
1、一種薄膜晶體管基板，包括絕緣板；第一信號線，形成在所述絕緣板上并限定像素區(qū)域的第一邊界；存儲電極線，形成在所述絕緣板上并橫過所述像素區(qū)域的中間部分，所述存儲電極線包括存儲電極，所述存儲電極具有比所述存儲電極線的其他部分更大的寬度；柵極絕緣層，形成在所述第一信號線和所述存儲電極線上；第二信號線，形成在所述柵極絕緣層上并與所述第一信號線和所述存儲電極線絕緣，所述第二信號線與所述第一信號線交叉并形成所述像素區(qū)域的第二邊界；連接電極，形成在所述柵極絕緣層上并與所述存儲電極完全交疊；薄膜晶體管，包括第一端子，連接到所述第一信號線；第二端子，連接到所述第二信號線；和第三端子；鈍化層，形成在所述第二信號線、所述連接電極和所述薄膜晶體管上，所述鈍化層包括第一接觸孔和第二接觸孔；第一像素電極，形成在所述鈍化層上，所述第一像素電極通過所述第一接觸孔連接到所述薄膜晶體管的第三端子并通過所述第二接觸孔連接到所述連接電極；以及第二像素電極，形成在所述鈍化層上，所述第二像素電極通過開口區(qū)域與所述第一像素電極隔開并與所述連接電極部分交疊，所述開口區(qū)域包括第一部分，具有上部分和下部分，所述上部分位于所述存儲電極線之上的像素區(qū)域中并從所述存儲電極線沿第一對角線方向延伸，所述下部分位于所述存儲電極線之下的像素區(qū)域中并從所述存儲電極線沿第二對角線方向延伸；以及第二部分，與所述存儲電極線基本正交并與所述存儲電極基本完全交疊。
2、 如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其中所述存儲電極與所述連接電極形成存儲電容。
3、 一種薄膜晶體管基板，包括 絕緣板；第 一信號線，形成在所述絕緣板上并限定像素區(qū)域的第 一邊界； 存儲電極線，形成在所述絕緣板上并橫過所述像素區(qū)域的中間部分，所述存儲電極線包括存儲電極，所述存儲電極具有比所述存儲電極線的其他部分更大的寬度；柵極絕緣層，形成在所述第一信號線和所述存儲電極線上；第二信號線，形成在所述柵極絕緣層上并與所述第一信號線和所述存儲電極線絕緣，所述第二信號線與所述第一信號線交叉并形成所述像素區(qū)域的第二邊界；連接電極，形成在所述柵極絕緣層上并位于所述像素區(qū)域的中間部分； 所述連接電極和所述存儲電極中較大者與另一個完全交疊； 薄膜晶體管，包括 第一端子，連接到所述第一信號線； 第二端子，連接到所述第二信號線；和 第三端子；鈍化層，形成在所述第二信號線、所述連接電極和所述薄膜晶體管上， 所述鈍化層包括第 一接觸孔和第二接觸孔；第一像素電極，形成在所述鈍化層上，所述第一像素電極通過所述第一 接觸孔連接到所述薄膜晶體管的第三端子并通過所述第二接觸孔連接到所 述連接電極；以及第二像素電極，形成在所述鈍化層上，所述第二像素電極通過開口區(qū)域 與所述第一像素電極隔開并與所述連接電極部分交疊，所述開口區(qū)域包括第一部分，具有上部分和下部分，所述上部分位于所述存儲電極線之上 的像素區(qū)域中并從所述存儲電極線沿第 一對角線方向延伸，所述下部分位于 所述存儲電極線之下的像素區(qū)域中并從所述存儲電極沿第二對角線方向延 伸；以及第二部分，與所述存儲電極基本完全交疊。
4、 如權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管基板，其中所述存儲電極與所述連接電極形成存儲電容。
5、 如權(quán)利要求3或4所述的薄膜晶體管基板，其中所述第二部分與所述第一信號線形成基本大約90度的角。
6、 一種液晶顯示器，包括 第一基板，包括 絕緣板；第 一信號線，形成在所述絕緣板上并限定像素區(qū)域的第 一邊界； 存儲電極線，形成在所述絕緣板上并橫過所述像素區(qū)域的中間部分，所述存儲電極線包括存儲電極，所述存儲電極具有比所述存儲電極線的其他部分更大的寬度；柵極絕緣層，形成在所述第一信號線和所述存儲電極線上； 第二信號線，形成在所述柵極絕緣層上并與所述第一信號線和所述存儲電極線絕緣，所述第二信號線與所述第一信號線交叉并形成所述像素區(qū)域的第二邊界；輔助電極，形成在所述柵極絕緣層上并與所述存儲電極完全交疊；薄膜晶體管，包括第一端子，連接到所述第一信號線；第二端子，連接到所述第二信號線；和第三端子；鈍化層，形成在所述第二信號線、所述輔助電極和所述薄膜晶體管上， 所述鈍化層包括第一接觸孔和第二接觸孔；以及像素電極，形成在所述鈍化層上，所述像素電極通過所述第一接觸孔連 接到所述薄膜晶體管的第三端子線并通過所述第二接觸孔連接到所述輔助 電極；第二基板；以及液晶分子層，置于所述第一基板和所述第二基板之間；所述液晶分子層 包括第一疇和第二疇，位于所述存儲電極線之上的像素區(qū)域上；以及 第三疇和第四疇，位于所述存儲電極線之下的像素區(qū)域上，從而當(dāng)在所 述第一基板和所述第二基板之間施加電壓時，在平面圖中，所述第一疇、所 述第二疇、所述第三疇和所述第四疇各自具有不同的液晶分子的平均傾斜方向。
7、 如權(quán)利要求6所述的液晶顯示器，其中所述存儲電極與所述輔助電極形成存儲電容。
8、 一種液晶顯示器，包括 第一基板，包括 絕緣板；第 一信號線，形成在所述絕緣板上并限定像素區(qū)域的第一邊界； 存儲電極線，形成在所述絕緣板上并橫過所述像素區(qū)域的中間部分，所述存儲電極線包括存儲電極，所述存儲電極具有比所述存儲電極線的其他部分更大的寬度；柵極絕緣層，形成在所述第一信號線和所述存儲電極線上； 第二信號線，形成在所述柵極絕緣層上并與所述第一信號線和所述存儲電極線絕緣，所述第二信號線與所述第一信號線交叉并形成所述像素區(qū)域的第二邊界；輔助電極，形成在所述柵極絕緣層上，所述存儲電極和所述輔助電極中較大者與另一個完全交疊； 薄膜晶體管，包括第一端子，連接到所述第一信號線； 第二端子，連接到所述第二信號線；和 第三端子；鈍化層，形成在所述第二信號線、所述輔助電極和所述薄膜晶體管上， 所述鈍化層包括第一接觸孔和第二接觸孔；以及像素電極，形成在所述鈍化層上，所述像素電極通過所述第一接觸孔連 接到所述薄膜晶體管的第三端子線并通過所述第二接觸孔連接到所述輔助 電極；第二基板；以及液晶分子層，置于所述第一基板和所述第二基板之間；所述液晶分子層 包括第一疇和第二疇，位于所述存儲電極線之上的像素區(qū)域上；以及 第三疇和第四疇，位于所述存儲電極線之下的像素區(qū)域上，從而當(dāng)在所 述第一基板和所述第二基板之間施加電壓時，在平面圖中，所述第一疇、所 述第二疇、所述第三疇和所述第四疇各自具有不同的液晶分子的平均傾斜方向。
9、如權(quán)利要求8所述的液晶顯示器，其中所述存儲電極與所述輔助電極形成存儲電容。
全文摘要
一種陣列基板及其制造方法以及具有該基板的顯示器件。在該顯示器件中，第一像素電極和第二像素電極形成在像素區(qū)域。第一像素電極經(jīng)由連接電容連接到第二像素電極。電壓通過連接電容從第一像素電極供給到第二像素電極。因此，施加到第二像素電極的電壓取決于施加到第一像素電極的電壓且兩個電壓的具有確定比率。在像素區(qū)域施加兩個不同電壓可以提高顯示質(zhì)量。
文檔編號H01L23/522GK101330087SQ20081014487
公開日2008年12月24日 申請日期2005年7月7日 優(yōu)先權(quán)日2004年7月7日
發(fā)明者嚴(yán)允成, 李昶勛, 柳在鎮(zhèn), 鄭美惠 申請人:三星電子株式會社