專利名稱：電光學(xué)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶裝置和有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光(以下稱作有機(jī)EL)裝置等 電光學(xué)裝置。
背景技術(shù)：
作為代表的電光學(xué)裝置，可列舉液晶裝置和有機(jī)EL裝置等，在上 述電光學(xué)裝置所使用的元件基板中，形成有排列了多個(gè)具有像素電極和 像素晶體管的像素的像素區(qū)域。在這樣的電光學(xué)裝置中，如果液晶裝置 中溫度變化，則液晶的響應(yīng)速度與光學(xué)特性等會(huì)變化，如果有機(jī)EL裝 置中溫度變化，則由于有機(jī)EL元件的發(fā)光特性變化，所以在電光學(xué)裝 置中顯示的圖像的質(zhì)量下降。
因此，提出了一種在電光學(xué)裝置中內(nèi)置溫度傳感器，根據(jù)溫度傳感 器的檢測(cè)結(jié)果，來(lái)調(diào)節(jié)驅(qū)動(dòng)條件等的方案(例如，參照專利文獻(xiàn)l-3)。
例如，在專利文獻(xiàn)l記載的結(jié)構(gòu)中，在由像素區(qū)域和驅(qū)動(dòng)電路夾著 的區(qū)域形成薄膜晶體管，基于該薄膜晶體管的電阻值根據(jù)溫度變化，從 而監(jiān)視電光學(xué)裝置的溫度。
在專利文獻(xiàn)2記載的結(jié)構(gòu)中，檢測(cè)沿著具有矩形平面形狀的像素區(qū) 域的1邊延伸的陰極線的電阻變化，來(lái)監(jiān)視電光學(xué)裝置的溫度。
在專利文獻(xiàn)3記載的結(jié)構(gòu)中，具有矩形平面形狀的像素區(qū)域相對(duì)置 的2邊，合計(jì)散布了四個(gè)使用金屬線的電阻元件，來(lái)監(jiān)視電光學(xué)裝置的 溫度。特開平8-29265號(hào)公報(bào) [專利文獻(xiàn)21特開2004-198503號(hào)公報(bào) [專利文獻(xiàn)3特開2007-25685號(hào)7>才艮可是，在上述的專利文獻(xiàn)l-3中，由于都只能監(jiān)視電光學(xué)裝置的局 部溫度，所以離監(jiān)視像素區(qū)域全體的溫度的狀況相差甚遠(yuǎn)。因此，當(dāng)根 據(jù)溫度傳感器的檢測(cè)結(jié)果使驅(qū)動(dòng)條件變化時(shí)，存在著進(jìn)行了無(wú)用的變化 或向反方向的調(diào)整的問題。
在專利文獻(xiàn)l記載的結(jié)構(gòu)中，難以把薄膜晶體管再大型化。此外， 在專利文獻(xiàn)2記載的結(jié)構(gòu)中，只要利用陰極線，就難以從更寬的區(qū)域取 得溫度信息。并且，專利文獻(xiàn)3記載的結(jié)構(gòu)中，如果進(jìn)一步增加電阻元 件，則從電阻元件延伸的布線增加，存在著無(wú)法確保布線區(qū)域的問題。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于以上的問題，本發(fā)明的課題在于，提供一種即使溫度檢測(cè)元件 或溫度檢測(cè)用布線占有的面積窄時(shí)，也能可靠監(jiān)視像素區(qū)域全體的溫度 的電光學(xué)裝置。
為了解決所述課題，本發(fā)明提供一種電光學(xué)裝置，具有形成有像素 區(qū)域的元件基板，所述像素區(qū)域排列有多個(gè)具有像素電極和像素晶體管 的像素，其特征在于在所述元件基板的所述像素區(qū)域的周圍，形成有 沿著該像素區(qū)域的全周的至少1/2延伸的溫度檢測(cè)用電阻線。
在本發(fā)明中，由于作為用于對(duì)像素區(qū)域的溫度進(jìn)行檢測(cè)的溫度檢測(cè) 元件，利用了電阻線，可減小所以溫度檢測(cè)元件占有的面積。而且，由 于作為溫度檢測(cè)元件，利用了電阻線，所以電阻線自身兼任溫度檢測(cè)用 布線的一部分或全部，從而不存在溫度檢測(cè)用布線占有的面積，或者可 以減小該面積。因此，即使把電阻線沿著像素區(qū)域的全周的至少1/2延 伸，對(duì)設(shè)置其它布線等也沒有阻礙。此外，由于把電阻線沿著像素區(qū)域 的全周的至少l/2延伸，所以能正確檢測(cè)像素區(qū)域的溫度，因此能夠與 像素區(qū)域的溫度對(duì)應(yīng)，恰當(dāng)?shù)卣{(diào)整驅(qū)動(dòng)條件。
在本發(fā)明中，優(yōu)選所述電阻線在從一方的端部延伸后，向另一方的 端部朝向該一方的端部接近的方向彎曲。在電阻線的情況下，從兩端部
檢測(cè)電流值或電壓值，但在彎曲電阻線，使兩端部接近時(shí)，即使跨寬闊 的區(qū)域使電阻線延伸時(shí)，也能在窄的區(qū)域內(nèi)配置針對(duì)電阻線的端子等。
例如，優(yōu)選所述電阻線在所述像素區(qū)域的周圍，具有l(wèi)條布線在途中折返的平面形狀。如果這樣構(gòu)成，則能避免像素區(qū)域被電阻線包圍的 狀態(tài)，因此，與電阻線包圍了像素區(qū)域的周圍的情形不同，即使從電阻 線產(chǎn)生了感應(yīng)磁力線時(shí)，也能防止該感應(yīng)磁力線作為噪聲而侵入到像素 區(qū)域。
在本發(fā)明中，所述像素區(qū)域以矩形的平面形狀形成，所述電阻線沿
著至少所述像素區(qū)域的相鄰的2邊延伸。如果這樣構(gòu)成，則能取得與監(jiān) 視像素區(qū)域全體的溫度時(shí)同樣的監(jiān)視效果，因此，能與像素區(qū)域的溫度 正確地對(duì)應(yīng)，適當(dāng)調(diào)節(jié)驅(qū)動(dòng)條件。
在本發(fā)明中，優(yōu)選所述電阻線沿著所述像素區(qū)域的至少3邊延伸。 如果這樣構(gòu)成，則能取得與監(jiān)視像素區(qū)域全體的溫度時(shí)同樣的監(jiān)視效 果，所以能與像素區(qū)域的溫度正確地對(duì)應(yīng)，適當(dāng)調(diào)節(jié)驅(qū)動(dòng)條件。
在本發(fā)明中，優(yōu)選所述電阻線與構(gòu)成所述像素晶體管的多個(gè)導(dǎo)電層 中的任意一個(gè)同層。如果這樣構(gòu)成，則能夠不追加制造步驟地形成電阻 線。
在本發(fā)明中，所述電阻線由金屬膜構(gòu)成。如果這樣構(gòu)成，則與由半 導(dǎo)體膜形成電阻線時(shí)相比，能更正確地檢測(cè)溫度。即，在半導(dǎo)體膜的情 況下，電阻值有可能因照度而變化，但在金屬膜的情況下，幾乎沒有有 關(guān)的變化，所以能與照度無(wú)關(guān)地正確監(jiān)視像素區(qū)域的溫度。
本發(fā)明中，在所述元件基板中，在比所述像素區(qū)域靠外周側(cè)形成驅(qū) 動(dòng)電路，所述電阻線在由所述像素區(qū)域和所述驅(qū)動(dòng)電路夾持的區(qū)域延 伸。如果這樣構(gòu)成，則能把電阻線延伸到像素區(qū)域的附近，由此，與使 電阻線延伸到比驅(qū)動(dòng)電路靠外側(cè)的情形相比，能更正確地監(jiān)視像素區(qū)域 的溫度。
在本發(fā)明中，從所述像素區(qū)域向所述驅(qū)動(dòng)電路延伸的信號(hào)線和所述 電阻線，形成在被多個(gè)絕緣膜上下夾持的多個(gè)層間中的不同的層間。如 果這樣構(gòu)成，則能與從所述像素區(qū)域向所述驅(qū)動(dòng)電路延伸的信號(hào)線交叉 地使電阻線延伸，從而容易在像素區(qū)域的周圍使電阻線延伸。
在本發(fā)明中，從所述像素區(qū)域向所述驅(qū)動(dòng)電路延伸的信號(hào)線和所述 電阻線，形成在被多個(gè)絕緣膜上下夾持的多個(gè)層間中的同一層間，在該層間，在所述信號(hào)線和所述電阻線的交叉部分，所述信號(hào)線被中斷，并 且在與該層間不同的層間，形成有將所述信號(hào)線的中斷部分彼此電連接 的中繼用橋接布線。如果這樣構(gòu)成，則可在與從所述像素區(qū)域向所述驅(qū) 動(dòng)電路延伸的信號(hào)線交叉的方向使電阻線延伸，在像素區(qū)域的周圍電阻 線延伸是容易的。
當(dāng)應(yīng)用了本發(fā)明的電光學(xué)裝置是液晶裝置時(shí)，所述元件基板成為在 與該元件基板對(duì)置配置的對(duì)置基板之間保持有液晶層的結(jié)構(gòu)。
當(dāng)應(yīng)用了本發(fā)明的電光學(xué)裝置是有機(jī)EL裝置時(shí)，成為所述元件基 板中，在所述像素電極上形成了有機(jī)EL元件用的功能層的結(jié)構(gòu)。
應(yīng)用了本發(fā)明的電光學(xué)裝置在移動(dòng)電話或便攜式計(jì)算機(jī)等電子儀 器中，作為直視型的顯示部等被使用。此外，應(yīng)用了本發(fā)明的液晶裝置 (電光學(xué)裝置)也能作為投影型顯示裝置的光閥而使用。


圖l是表示本發(fā)明實(shí)施方式l的電光學(xué)裝置(液晶裝置)中使用的 元件基板的電氣結(jié)構(gòu)的等效電路圖。
圖2 (a)、 (b)分別是從對(duì)置基板一側(cè)觀察本發(fā)明實(shí)施方式1的電 光學(xué)裝置和形成在其上的各構(gòu)成要素的俯視圖、及其H-H，剖視圖。
圖3 (a)、 (b)分別是本發(fā)明實(shí)施方式1的電光學(xué)裝置的相鄰的2 個(gè)像素的俯視圖和1個(gè)像素的剖視圖。
圖4是表示在應(yīng)用了本發(fā)明的電光學(xué)裝置中，用于根據(jù)溫度監(jiān)視結(jié) 果修正驅(qū)動(dòng)條件的電路結(jié)構(gòu)的框圖。
圖5是表示作為電阻線而使用了金屬膜和半導(dǎo)體膜時(shí)的溫度-電阻 的關(guān)系的曲線圖。
圖6是表示在應(yīng)用了本發(fā)明的電光學(xué)裝置中，作為電阻線而使用的 金屬膜的結(jié)構(gòu)的剖視圖。
圖7是表示本發(fā)明實(shí)施方式2的電光學(xué)裝置(液晶裝置)中使用的 元件基板的電氣結(jié)構(gòu)的等效電路圖。圖8是因電阻線而引起的噪聲的說明圖。
圖9是表示本發(fā)明實(shí)施方式3的電光學(xué)裝置(有機(jī)EL裝置)中使 用的元件基板的電氣結(jié)構(gòu)的等效電路圖。
圖10 (a)、 (b)分別是從對(duì)置基板一側(cè)觀察本發(fā)明實(shí)施方式3的 電光學(xué)裝置和形成在其上的各構(gòu)成要素的俯視圖、及其J-J，剖視圖。
圖11 ( a )、 ( b )分別是本發(fā)明實(shí)施方式3的電光學(xué)裝置的相鄰的2 個(gè)像素的俯視圖和1個(gè)像素的剖視圖。
圖12表示本發(fā)明實(shí)施方式4的電光學(xué)裝置(有機(jī)EL裝置)中使 用的元件基板的電器結(jié)構(gòu)的等效電路圖。
圖13是使用了本發(fā)明的電光學(xué)裝置的電子儀器的說明圖。
符號(hào)說明3a—掃描線；6a—數(shù)據(jù)線；9a—像素電極；10—元件基 板；10b—像素區(qū)域；30a、 30b、 30c—薄膜晶體管(像素晶體管)；50 —液晶；80—有機(jī)EL元件；100—電光學(xué)裝置；100a—4象素；100b— ^^素區(qū)域；105—電阻線。
具體實(shí)施例方式
以下，說明本發(fā)明的實(shí)施方式。在以下的說明所參照的圖中，為了 使各層或各構(gòu)件為圖面上能識(shí)別程度的尺寸，對(duì)各層或各構(gòu)件，使縮小 比例尺不同。另外，在薄膜晶體管中，根據(jù)施加的電壓來(lái)切換源極和漏 極，但在以下的說明中，為了便于說明，把連接有像素電極的一側(cè)作為 漏極進(jìn)行i兌明。
(整體結(jié)構(gòu))
圖1是表示本發(fā)明實(shí)施方式1的電光學(xué)裝置(液晶裝置)中使用的 元件基板的電氣結(jié)構(gòu)的等效電路圖。圖2 (a)、 (b)分別是從對(duì)置基板 一側(cè)觀察本發(fā)明實(shí)施方式1的電光學(xué)裝置和形成在其上的各構(gòu)成要素的 俯視圖、及其H-H，剖視圖。如圖1所示，本方式的電光學(xué)裝置ioo是液晶裝置，在具有矩形平
面形狀的像素區(qū)域10b，以矩陣狀形成有多個(gè)像素100a。在多個(gè)像素 100a中分別形成有像素電極9a、及用于控制像素電極9a的像素開關(guān)用 的薄膜晶體管30a (像素晶體管)。從數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101延伸的數(shù)據(jù)線 6a與薄膜晶體管30a的源極電連接，數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101按線次序?qū)?shù) 據(jù)線6a供給圖像信號(hào)。從掃描線驅(qū)動(dòng)電路104延伸的掃描線3a與薄膜 晶體管30a的柵極電連接，掃描線驅(qū)動(dòng)電路104按線次序?qū)呙杈€3a 供給掃描信號(hào)。像素電極9a與薄膜晶體管30a的漏極電連接，在電光 學(xué)裝置100中，通過使薄膜晶體管30a只在一定期間處于導(dǎo)通狀態(tài)，在 規(guī)定的定時(shí)將從數(shù)據(jù)線6a供給的圖像信號(hào)寫入到各像素100a的液晶電 容50a。寫入到液晶電容50a的規(guī)定電平的圖像信號(hào)在形成于元件基板 10的像素電極9a和后面描述的對(duì)置基板的公共電極之間保持一定期 間。在像素電極9a和公共電極之間形成有保持電容60，像素電極9a 的電壓例如可被保持比施加源極電壓的時(shí)間長(zhǎng)3位的時(shí)間。由此，能實(shí) 現(xiàn)可改善電荷的保持特性、且能進(jìn)行對(duì)比度高的顯示的電光學(xué)裝置100。 本方式中，在構(gòu)成保持電容60時(shí)，都與掃描線3a并行地形成電容線3b， 但有時(shí)也在與前級(jí)的掃描線3a之間形成保持電容60。此外，當(dāng)是邊緣 場(chǎng)開關(guān)FFS (Fring Field Switching)模式的液晶裝置時(shí)，>&共電極與 像素電極9a同樣形成在元件基板10上。
在圖2 (a)、 (b)中，本方式的電光學(xué)裝置100是透過型的有源矩 陣型液晶裝置。在元件基板10上，以矩形框狀設(shè)置有密封材料107，由 密封材料107粘貼對(duì)置基板20和元件基板10。對(duì)置基板20和密封材料 107具有大致同一的輪廓，在由密封材料107包圍的區(qū)域內(nèi)保持有液晶 50。液晶50例如由混合了一種或數(shù)種向列液晶的液晶構(gòu)成。另外，在 密封材料107的角部分配置有用于在元件基板10和對(duì)置基板20之間進(jìn) 行電連接的導(dǎo)通材料109。
元件基板10中，在密封材料107的外側(cè)區(qū)域(像素區(qū)域10b的外 側(cè)區(qū)域)，數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路IOI、及由ITO (Indium Tin Oxide )膜構(gòu)成 的端子102沿著元件基板10的一邊設(shè)置，在端子102上連接著與外部 電路進(jìn)行電連接的柔性電路板(未圖示)。而且，元件基板10中，在密 封材料107的外側(cè)區(qū)域(像素區(qū)域10b的外側(cè)區(qū)域)，沿著與排列了端 子102的邊鄰接的2邊，形成有掃描線驅(qū)動(dòng)電路104。在元件基板10的剩下的一邊設(shè)置有用于連接在圖像顯示區(qū)域10a的兩側(cè)設(shè)置的掃描線 驅(qū)動(dòng)電路104之間的多條布線103。并且，利用形成在對(duì)置基板20的由 遮光膜構(gòu)成的額緣28,來(lái)設(shè)置預(yù)充電電路或檢查電路等外圍電路。
詳細(xì)內(nèi)容將在后面描述，但在元件基板10上以矩陣狀形成有像素 電極9a。與之相對(duì)，對(duì)置基板20上，在密封材料107的內(nèi)側(cè)區(qū)域形成 由遮光性材料構(gòu)成的額緣28，其內(nèi)側(cè)作為圖像顯示區(qū)域10a。對(duì)置基板 20中，在與元件基板IO的像素電極9a的縱橫邊界區(qū)域?qū)χ玫膮^(qū)域形成 有被稱作黑矩陣或黑條等的遮光膜23。
在這樣構(gòu)成的電光學(xué)裝置100中，圖像顯示區(qū)域10a是與參照?qǐng)D1 說明的像素區(qū)域10b重疊的區(qū)域，但是沿著像素區(qū)域10b的外周，有時(shí) 形成不直接有助于顯示的虛設(shè)的像素，這時(shí)，由像素區(qū)域10b中除了虛 設(shè)的像素之外的區(qū)域構(gòu)成圖像顯示區(qū)域10a。
(像素的詳細(xì)結(jié)構(gòu))
圖3 (a)、 (b)分別是本發(fā)明實(shí)施方式1的電光學(xué)裝置100的相鄰 的2個(gè)像素的俯視圖和1個(gè)像素的剖視圖。另外，圖3(b)是圖3(a) 的A-A，線的剖視圖，在圖3 (a)中，用長(zhǎng)的虛線表示像素電極9a， 用單點(diǎn)劃線表示數(shù)據(jù)線6a和與它同時(shí)形成的薄膜，用實(shí)線表示掃描線 3a,用短的虛線表示半導(dǎo)體層。
如圖3 (a)、 (b)所示，在元件基板10上，以矩陣狀按各個(gè)像素 100a形成多個(gè)透明的像素電極9a，沿著像素電極9a的縱橫邊界區(qū)域， 形成有數(shù)據(jù)線6a和掃描線3a。此外，在元件基板10中，與掃描線3a 并列地形成有電容線3b。
圖3 (b)所示的元件基板10的基體，由石英基板或耐熱性的玻璃 基板等支撐基板10d構(gòu)成，對(duì)置基板20的基體由石英基板或耐熱性的 玻璃基板等支撐基板20d構(gòu)成。元件基板10中，在支撐基板10d的表 面形成有由氧化硅膜等構(gòu)成的基底絕緣膜12,并且在其表面?zhèn)?，在與像 素電極9a對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成有薄膜晶體管30a。薄膜晶體管30a具有相對(duì) 于島狀的半導(dǎo)體層la,形成了溝道區(qū)域lg、低濃度源極區(qū)域lb、高濃 度源極區(qū)域ld、低濃度漏極區(qū)域lc、高濃度漏極區(qū)域le的LDD( LightlyD叩ed Drain )構(gòu)造。在半導(dǎo)體層la的表面?zhèn)刃纬捎杏裳趸枘せ蛘叩?化硅膜構(gòu)成的柵極絕緣層2，在柵極絕緣層2的表面形成有柵電極(掃 描線3a)。半導(dǎo)體層la是對(duì)元件基板10形成了非晶體硅后，通過激光 退火或燈退火等而多晶化的多晶硅膜或者單晶硅層。圖3(b)中表示 了在半導(dǎo)體層la的表面通過熱氧化形成了柵極絕緣層2，但柵極絕緣層 2有時(shí)也由CVD法等形成。
在薄膜晶體管30a的上層側(cè)形成有由氧化硅膜或氮化硅膜構(gòu)成的層 間絕緣層71、由氧化硅膜或氮化硅膜構(gòu)成的層間絕緣層72、及由厚度 1.5-2.0 jum的厚的感光性樹脂構(gòu)成的層間絕緣膜73 (平坦化膜)。在層 間絕緣層71的表面(層間絕緣膜71、 72的層間)形成有數(shù)據(jù)線6a和 漏電極6b，數(shù)據(jù)線6a通過形成在層間絕緣膜71的接觸孔71a與高濃 度源極區(qū)域ld電連接。此外，漏電極6b通過形成在層間絕緣膜71的 接觸孔71b與高濃度漏極區(qū)域le電連接。
在層間絕緣層73的表面形成有由ITO膜構(gòu)成的像素電極9a。像素 電極9a通過形成在層間絕緣層72、 73的接觸孔73a與漏電極6b電連 接。在像素電極9a的表面?zhèn)刃纬捎杏删埘啺纺?gòu)成的取向膜16。而 且，通過與掃描線3a同層的電容線3b作為上電極隔著和柵極絕緣層2 同時(shí)形成的絕緣層(電介質(zhì)膜)，與從高濃度漏極區(qū)域le開始的延伸部 分lf(下電極)對(duì)置，構(gòu)成了保持電容60。
在本方式中，掃描線3a和電容線3b是同時(shí)形成的導(dǎo)電膜，由鉬膜、 鋁膜、鈥膜、鴒膜、鉭膜、鉻膜等金屬單質(zhì)膜、或者它們的層疊膜構(gòu)成。 此外，數(shù)據(jù)線6a和漏電極6b是同時(shí)形成的導(dǎo)電膜，由鉬膜、鋁膜、鈦 膜、鎢膜、鉭膜、鉻膜等金屬單質(zhì)膜、或者它們的層疊膜構(gòu)成。另外， 圖l和圖2 (a)、 (b)所示的端子102由借助在層間絕緣層71、 72、 73 形成的接觸孔、或者在層間絕緣層72、 73形成的接觸孔，與和掃描線 3a或數(shù)據(jù)線6a同時(shí)形成的布線電連接的ITO膜構(gòu)成。
對(duì)置基板20中，在遮光膜23的上層側(cè)形成有由ITO膜構(gòu)成的公共 電極21，在其表面形成有取向膜22。這里，在電光學(xué)裝置100作為彩 色顯示用途而構(gòu)成時(shí)，對(duì)置基板20中，在多個(gè)像素100a中分別形成有 濾色器(未圖示)。這樣構(gòu)成的元件基板10和對(duì)置基板20被配置為像素電極9a和公 共電極21對(duì)置，并且在這些基板之間，在由所述密封材料107(參照?qǐng)D 2 (a)、 (b))包圍的空間內(nèi)封入有作為電光學(xué)物質(zhì)的液晶50。液晶50 在未被施加來(lái)自像素電極9a的電場(chǎng)的狀態(tài)下，通過取向膜16、 22取得 規(guī)定的取向狀態(tài)。
(溫度補(bǔ)償用的結(jié)構(gòu))
圖4是表示在應(yīng)用了本發(fā)明的電光學(xué)裝置中，用于根據(jù)溫度監(jiān)視結(jié) 果來(lái)修正驅(qū)動(dòng)條件的電路結(jié)構(gòu)的框圖。圖5是表示作為電阻線而使用了 金屬膜和半導(dǎo)體膜時(shí)的溫度-電阻的關(guān)系的曲線圖。圖6是表示在本方 式的電光學(xué)裝置中，作為電阻線而使用的金屬膜的結(jié)構(gòu)的剖視圖。
圖l中，在元件基板10的像素區(qū)域10b的周圍，形成有作為對(duì)像 素區(qū)域10b的溫度進(jìn)行檢測(cè)的溫度檢測(cè)元件的電阻線105，本方式中， 電阻線105在像素區(qū)域的周圍沿著像素區(qū)域10b的全周的至少1/2延伸。 更具體而言，電阻線105沿著具有矩形平面形狀的像素區(qū)域10b的4邊 10w、 10x、 10y、 10z中相鄰的3邊10w、 10x、 10y延伸，其兩端部通 過數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路IOI的兩側(cè)，與隔著數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路IOI和像素區(qū)域 10b的邊10z并列的多個(gè)端子102中的2個(gè)端子102分別連接。因此， 電阻線105具有在從一方的端部沿著像素區(qū)域10b的邊10w、 10x、 10y 一邊彎曲一邊延伸后，按照另一方的端部接近一方的端部的方式彎曲的 平面形狀。
而且，本方式中，在元件基板10中比像素區(qū)域10b靠向外側(cè)處形 成有數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101和掃描線驅(qū)動(dòng)電路104,在電阻線105中，沿 著像素區(qū)域10b的邊10w、 10y延伸的部分在被像素區(qū)域10b和掃描線 驅(qū)動(dòng)電路104夾持的區(qū)域內(nèi)延伸。這里，如果電阻線105是由像素區(qū)域 10b和掃描線驅(qū)動(dòng)電路104夾持的區(qū)域，則如圖2(a)所示，除了在與 額緣28重疊的區(qū)域延伸的結(jié)構(gòu)之外，還能采用在與由額緣28和密封材 料107夾持的區(qū)域重疊的區(qū)域延伸的結(jié)構(gòu)、在與密封材料107重疊的區(qū) 域延伸的結(jié)構(gòu)、在比密封材料107靠外側(cè)的區(qū)域延伸的結(jié)構(gòu)。另外，有 時(shí)在與密封材料107重疊的區(qū)域形成掃描線驅(qū)動(dòng)電路104，但在該結(jié)構(gòu) 的情況下，電阻線105形成為在由像素區(qū)域10b和掃描線驅(qū)動(dòng)電路104 夾持的區(qū)域延伸。這樣構(gòu)成的電阻線105如后所述，由于伴隨著溫度變化，電阻值變 化，所以可通過連接有電阻線105的端子102施加恒壓，并且計(jì)測(cè)電流 值，根據(jù)其結(jié)果，來(lái)檢測(cè)電阻線105的電阻值變化，結(jié)果，可監(jiān)視像素 區(qū)域10b的溫度。或者，電阻線105通過端子102通過恒電流，并計(jì)測(cè) 兩端的電壓值，根據(jù)其結(jié)果，檢測(cè)電阻線105的電阻值變化，從而監(jiān)視 像素區(qū)域10b的溫度。該像素區(qū)域10b的溫度監(jiān)視結(jié)果通過圖4所示的 結(jié)構(gòu)的電路，在驅(qū)動(dòng)條件的修正中使用，進(jìn)行溫度補(bǔ)償。
在圖4所示的電路中，信號(hào)源108輸出數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101和掃描 線驅(qū)動(dòng)電路104用于輸出圖像信號(hào)和掃描信號(hào)的數(shù)據(jù)信號(hào)及時(shí)鐘信號(hào)。 這里，數(shù)據(jù)信號(hào)從信號(hào)源108輸出后，通過驅(qū)動(dòng)電壓修正電路106被輸 入到數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路IOI。而且，驅(qū)動(dòng)電壓修正電路106與溫度檢測(cè)用 的電阻線105 (溫度檢測(cè)元件)電連接，驅(qū)動(dòng)電壓修正電路106根據(jù)電 阻線105的電阻變化，調(diào)節(jié)數(shù)據(jù)信號(hào)的增幅水平。即，由于液晶50的 施加電壓-透過率曲線的斜率在溫度低時(shí)減小，在溫度高時(shí)變得陡峭， 所以按照像素區(qū)域10b的溫度，修正數(shù)據(jù)信號(hào)，進(jìn)行適當(dāng)?shù)幕叶蕊@示。 例如，在溫度低時(shí)，提高向液晶50的施加電壓，在溫度高時(shí)，降低向 液晶50的施加電壓。
通過把金屬膜和半導(dǎo)體膜構(gòu)圖為線狀，形成該電阻線105。這里， 當(dāng)電阻線105是金屬膜時(shí)，如圖5中用實(shí)線L1所示，溫度越高，電阻 越增大，而當(dāng)電阻線105由半導(dǎo)體膜構(gòu)成時(shí)，如圖5中用虛線L2所示， 溫度越高，電阻越下降。該電阻線105能同時(shí)形成構(gòu)成薄膜晶體管30a 的導(dǎo)電膜(金屬膜和半導(dǎo)體膜)，在本方式中，同時(shí)形成構(gòu)成薄膜晶體 管30a的金屬膜和電阻線105。
即，在本方式中，如圖6 (a)所示，由與數(shù)據(jù)線6a同時(shí)形成的金 屬膜，形成了電阻線105，電阻線105由鉬膜、鋁膜、鈦膜、鴒膜、鉭 膜、鉻膜等金屬單質(zhì)膜、或者它們的層疊膜構(gòu)成。因此，電阻線105形 成在層間絕緣膜71、 72的層間。這里，由于電阻線105在由^^素區(qū)域 10b和掃描線驅(qū)動(dòng)電路104夾持的區(qū)域形成，所以電阻線105和掃描線 3a以及電容線3b交叉，但掃描線3a以及電容線3b形成在基底絕緣膜 12和層間絕緣層71的層間，所以電阻線105和掃描線3a以及電容線 3b形成在不同的層間。因此，電阻線105和掃描線3a以及電容線3b不會(huì)短路。另外，由于連接了電阻線105的端子102由形成在層間絕緣 膜73的表面的ITO膜構(gòu)成，所以通過形成在層間絕緣膜72、 73的接 觸孔73b與電阻線105電連接。
電阻線105能夠由與掃描線3a同時(shí)形成的金屬膜形成，這時(shí)，也 由鉬膜、鋁膜、鈦膜、鎢膜、鉭膜、鉻膜等金屬單質(zhì)膜、或者它們的層 疊膜構(gòu)成。該情況下，電阻線105、掃描線3a以及電容線3b都形成在 基底絕緣膜12和層間絕緣膜71的層間。這種情況下，如圖6 (b)所 示,在電阻線105和掃描線3a及電容線3b的交叉部分，在掃描線3a 以及電容線3b形成中斷部分，并且在層間絕緣膜71、 72的層間與數(shù)據(jù) 線6a同時(shí)形成中繼用橋接布線6d。由于該中繼用橋接布線6d通過接 觸孔71c、 71d與掃描線3a以及電容線3b的端部電連接，所以即使在 掃描線3a以及電容線3b設(shè)置中斷部分，也沒有障礙。
例如在由與數(shù)據(jù)線6a同時(shí)形成的金屬膜形成了電阻線105時(shí)，當(dāng) 數(shù)據(jù)線6a和電阻線105交叉時(shí)，也能應(yīng)用使用了該中繼用橋接布線的 結(jié)構(gòu)。
(本方式的主要的效果)
如上所述，在本方式的電光學(xué)裝置100中，由于作為用于對(duì)像素區(qū) 域10b的溫度進(jìn)行檢測(cè)的溫度檢測(cè)元件，利用了電阻線105，所以可減 小溫度檢測(cè)元件占有的面積。而且，由于作為溫度檢測(cè)元件，利用了電 阻線105，所以電阻線105自身兼任溫度檢測(cè)用布線的全部，因此，不 存在溫度檢測(cè)用布線占有的面積。從而，即使沿著像素區(qū)域10b的全周 的1/2以上延伸電阻線105,對(duì)設(shè)置其它布線也沒有障礙。此外，由于 沿著像素區(qū)域10b的全周的1/2以上使電阻線105延伸，所以能正確檢 測(cè)像素區(qū)域10b的溫度。因此，能與像素區(qū)域10b的溫度正確地對(duì)應(yīng)， 來(lái)適當(dāng)調(diào)節(jié)對(duì)各像素100a的驅(qū)動(dòng)條件。
而且，由于使電阻線105在由像素區(qū)域10b和掃描線驅(qū)動(dòng)電路104 夾持的區(qū)域中延伸，所以電阻線105位于像素區(qū)域10b的附近。因此， 能正確監(jiān)視像素區(qū)域10b的溫度。
另外，由于電阻線105在從一方的端部延伸后，另一方的端部朝向一方的端部接近的方向彎曲，所以能與沿著元件基板10的邊配置的端 子102電連接。因此，即使跨寬擴(kuò)的區(qū)域使電阻線105延伸時(shí)，也能在 窄的區(qū)域內(nèi)配置端子102。
并且，由于在與構(gòu)成薄膜晶體管30a的多個(gè)導(dǎo)電層的任意一個(gè)同一 層中形成電阻線105，所以沒必要追加制造步驟。
進(jìn)而，對(duì)于電阻線105，雖然能用金屬膜和半導(dǎo)體膜形成，但在本 方式中，用金屬膜形成，所以能正確檢測(cè)溫度。即，在半導(dǎo)體膜的情況 下，電阻值有可能因照度而變化，但在金屬線的情況下，幾乎沒有有關(guān) 的變化，所以能與照度無(wú)關(guān)地正確檢測(cè)像素區(qū)域10b的溫度。
[實(shí)施方式2
圖7是表示本發(fā)明實(shí)施方式2的電光學(xué)裝置(液晶裝置)中使用的 元件基板的電氣結(jié)構(gòu)的等效電路圖。圖8是因電阻線而引起的噪聲的說 明圖。另外，由于本方式的基本結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式l同樣，所以關(guān)于公共 的部分，付與相同的符號(hào)，省略它們的說明。
圖7所示的電光學(xué)裝置100也與實(shí)施方式1同樣是液晶裝置，在具 有矩形平面形狀的像素區(qū)域10b,以矩陣狀形成有多個(gè)像素100a。
本方式中，在元件基板10的像素區(qū)域10b的周圍，形成有作為對(duì) 4象素區(qū)域10b的溫度進(jìn)行檢測(cè)的溫度檢測(cè)元件的電阻線105。在本方式 中，電阻線105在像素區(qū)域的周圍，沿著像素區(qū)域10b的全周的至少 1/2延伸。更具體而言，電阻線105沿著具有矩形平面形狀的像素區(qū)域 10b的4邊10w、 10x、 10y、 10z中相鄰的3邊10w、 10x、 10y延伸， 其兩端部與隔著數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101和像素區(qū)域10b的邊10z并列的多 個(gè)端子102中的相鄰的2個(gè)端子102連接。即，電阻線105按照在從一 方的端部沿著像素區(qū)域10b的邊10w、 10x、 10y—邊彎曲一邊延伸后， 在像素區(qū)域10b的邊10y、 10z所成的角部分折返，另一方的端部與一 方的端部鄰接的方式，沿著〗象素區(qū)域10b的邊10y、 10x、 10w—邊彎曲 一邊延伸。
而且，元件基板10中，在比像素區(qū)域10b靠外側(cè)形成有數(shù)據(jù)線驅(qū) 動(dòng)電路101和掃描線驅(qū)動(dòng)電路104，在電阻線105中，沿著像素區(qū)域10b的邊10w、 10y延伸的部分在被^^素區(qū)域10b和掃描線驅(qū)動(dòng)電路104包 圍的區(qū)域內(nèi)延伸。
由于這樣構(gòu)成的電阻線105的其它結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式1同樣，所以省 略說明，但在本方式中，由于使電阻線105跨像素區(qū)域10b的全周的 1/2以上延伸，所以起到能正確檢測(cè)像素區(qū)域10b的溫度等與實(shí)施方式 1同樣的效果。
此外，在本方式中，由于電阻線105不包圍像素區(qū)域10b，所以如 圖8所示，電流流過電阻線105時(shí)，即使從電阻線105產(chǎn)生了感應(yīng)磁力 線，該感應(yīng)磁力線也不會(huì)作為噪聲而侵入到像素區(qū)域10b。
[實(shí)施方式3
以下，說明在有機(jī)EL裝置中應(yīng)用本發(fā)明的例子。另外，在以下的 說明中，為了容易理解與實(shí)施方式1、 2的對(duì)應(yīng)部分，盡可能對(duì)對(duì)應(yīng)的 部分付與相同的符號(hào)，進(jìn)行說明。
(整體結(jié)構(gòu))
圖9是表示本發(fā)明實(shí)施方式3的電光學(xué)裝置(有機(jī)EL裝置)中使 用的元件基板的電氣結(jié)構(gòu)的等效電路圖。圖10(a)、 (b)分別是從對(duì) 置基板一側(cè)觀察本發(fā)明實(shí)施方式3的電光學(xué)裝置和形成在其上的各構(gòu)成 要素的俯視圖、及其J-J，剖視圖。
圖9所示的電光學(xué)裝置100是有機(jī)EL裝置，在元件基板10上具有 多條掃描線3a、在與掃描線3a交叉的方向延伸的多條數(shù)據(jù)線6a、與掃 描線3a并列延伸的多條電源線3e。而且，元件基板10中，在矩形形狀 的像素區(qū)域10b以矩陣狀排列有多個(gè)像素100a。數(shù)據(jù)線6a與數(shù)據(jù)線驅(qū) 動(dòng)電路101連接，掃描線3a與掃描線驅(qū)動(dòng)電路104連接。在像素區(qū)域 10b分別構(gòu)成了通過掃描線3a對(duì)柵電極供給掃描信號(hào)的開關(guān)用薄膜晶 體管30b、保持通過該開關(guān)用薄膜晶體管30b從數(shù)據(jù)線6a供給的像素 信號(hào)的保持電容70、將由保持電容70保持的像素信號(hào)提供給柵電極的 驅(qū)動(dòng)用薄膜晶體管30c、當(dāng)通過該薄膜晶體管30c與電源線3e電連接時(shí) 從電源線3e流入驅(qū)動(dòng)電流的像素電極9a (陽(yáng)極層)、和在該〗象素電極 9a與陰極層之間夾持有機(jī)功能層的有機(jī)EL元件80。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，如果驅(qū)動(dòng)掃描線3a，則開關(guān)用薄膜晶體管30b導(dǎo)通， 這時(shí)的數(shù)據(jù)線6a的電位由保持電容70保持，按照保持電容70所保持 的電荷，決定驅(qū)動(dòng)用薄膜晶體管30c的導(dǎo)通/截止?fàn)顟B(tài)。然后，通過驅(qū)動(dòng) 用薄膜晶體管30c的溝道，電流從電源線3e流到像素電極9a,電流再 通過有機(jī)功能層流到異極層。結(jié)果，有機(jī)EL元件80按照流過它的電 流量而發(fā)光。
另外，在圖9所示的結(jié)構(gòu)中，電源線3e與掃描線3a并列，但也可 以釆用電源線3e與數(shù)據(jù)線6a并列的結(jié)構(gòu)。此外，在圖9所示的結(jié)構(gòu)中， 利用電源線3e構(gòu)成了保持電容70,但也可以與電源線3e獨(dú)立地形成電 容線，由該電容線構(gòu)成保持電容70。
圖10 (a)、 (b)中，在本方式的電光學(xué)裝置100中，元件基板10 和密封基板卯由密封材料107粘貼，在元件基板10和密封基板90之 間收納有干燥劑(未圖示)。元件基板10中，在密封材料107的外側(cè)的 區(qū)域，沿著元件基板10的一端設(shè)置有數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101、及由ITO 膜構(gòu)成的端子102，沿著與排列有端子102的邊鄰接的兩邊形成有掃描 線驅(qū)動(dòng)電路104。在元件基板10的剩下的一邊設(shè)置有用于連接在圖像顯 示區(qū)域10a的兩側(cè)設(shè)置的掃描線驅(qū)動(dòng)電路104之間的多條布線103。后 面將描述細(xì)節(jié)，在元件基板10中，以矩陣狀形成按順序?qū)盈B了像素電 極(陽(yáng)極)、有機(jī)功能層和陰極的有機(jī)EL元件80。另外，也可以不使 用密封基板90，而采用由密封樹脂覆蓋元件基板IO的構(gòu)造。
(像素的詳細(xì)結(jié)構(gòu))
圖ll(a)、 (b)分別是本發(fā)明實(shí)施方式3的電光學(xué)裝置100的相鄰 接的2個(gè)像素的俯視圖和1個(gè)像素的剖視圖。另外，圖ll(b)是圖ll (a)的B-B，線的剖視圖，在圖ll(a)中，用長(zhǎng)的虛線表示像素電極 9a，用單點(diǎn)劃線表示數(shù)據(jù)線6a和與它同時(shí)形成的薄膜，用實(shí)線表示掃 描線3a，用短的虛線表示半導(dǎo)體層。
如圖11 (a)、 (b)所示，在元件基板10上，按各個(gè)像素100a以矩 陣狀形成多個(gè)透明的像素電極9a (由長(zhǎng)的虛線包圍的區(qū)域)，沿著像素 電極9a的縱橫邊界區(qū)域，形成有數(shù)據(jù)線6a (用單點(diǎn)劃線表示的區(qū)域)、 及掃描線3a(用實(shí)線表示的區(qū)域)。此外，在元件基板10中，形成有與掃描線3a并列電源線3e。
圖11 (b)所示的元件基板10的基體，由石英玻璃或耐熱性的玻璃 等支撐基板10d構(gòu)成。元件基板10中，在支撐基板10d的表面形成有 由氧化硅膜等構(gòu)成的基底絕緣膜12，并且在其表面?zhèn)?，在與像素電極 9a對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成有薄膜晶體管30c。薄膜晶體管30c相對(duì)島狀的半導(dǎo) 體層la,形成有溝道區(qū)域lg、源極區(qū)域lh、及漏極區(qū)域li。在半導(dǎo)體 層la的表面?zhèn)刃纬捎袞艠O絕緣層2，在柵極絕緣層2的表面形成有柵電 極3f。該柵電極3f與薄膜晶體管30b的漏極電連接。另外，由于薄膜 晶體管30b的基本結(jié)構(gòu)與薄膜晶體管30c同樣，所以省略說明。
在薄膜晶體管30c的上層側(cè)形成有由氧化硅膜或氮化硅膜構(gòu)成的層 間絕緣層71、由氧化硅膜或氮化硅膜構(gòu)成的層間絕緣層72、及由厚度 1.5-2.0 pm的厚的感光性樹脂構(gòu)成的層間絕緣膜73 (平坦化膜)。在層 間絕緣層71的表面(層間絕緣膜71、 72的層間)形成有源電極6g和 漏電極6h，源電極6g通過形成在層間絕緣層71上的接觸孔71g與源 極區(qū)域lh電連接。此外，漏電極6h通過形成在層間絕緣層71上的接 觸孔71與漏極區(qū)域li電連接。
在層間絕緣層73的表面形成有由ITO膜構(gòu)成的像素電極9a。像素 電極9a通過形成在層間絕緣層72、 73上的接觸孔73g與漏電極6h電 連接。
而且，在像素電極9a的上層形成有具備用于規(guī)定發(fā)光區(qū)域的開口 部的由氧化硅膜等構(gòu)成的隔壁層5a、及由感光性樹脂等構(gòu)成的厚的隔壁 層5b。在由隔壁層5a和隔壁層5b包圍的區(qū)域內(nèi)，在像素電極9a的上 層形成有由3、 4-聚乙撐二氧噻吩/聚對(duì)苯乙烯磺酸(PEDOT/PSS)等構(gòu) 成的空穴注入層81、及由發(fā)光層82構(gòu)成的有機(jī)功能層，在發(fā)光層82 的上層形成有陰極層85。這樣，由像素電極9a、空穴注入層81、發(fā)光 層82和陰極層85構(gòu)成了有機(jī)EL元件80。發(fā)光層82例如由聚藥衍生 物、聚亞苯基衍生物、聚乙烯^唑、聚噻吩衍生物、或者在這些高分子 材料中摻雜了二萘嵌苯類色素、香豆素類色素、羅丹明類色素，例如紅 熒烯、二萘嵌苯、9、 10-二苯蒽、四苯丁二烯、尼羅紅、香豆素6、喹 吖啶酮等的材料構(gòu)成。此外，作為發(fā)光層82,由于雙鍵的7T電子在聚合 體鏈上非極性化的7T共軛類高分子材料是導(dǎo)電性高分子，所以發(fā)光性能優(yōu)異，因而適合使用。特別在該分子內(nèi)具有芴骨架的化合物、即聚芴類 化合物更適合使用。此外，在這樣的材料以外，還能使用包含共軛類高 分子有機(jī)化合物的前體、用于使發(fā)光特性變化的至少l種熒光色素的組 合物。在本方式中，可通過噴墨法等涂敷法形成有機(jī)功能層。另外，作 為涂敷法，有時(shí)也釆用多功能打印法、旋涂法、縫涂法、浸涂法等。此
外，關(guān)于有機(jī)功能層，有時(shí)由蒸鍍法等形成。并且，在發(fā)光層82和陰 極層85的層間有時(shí)形成由LiF等構(gòu)成的電子注入層。
在是頂發(fā)射型的有機(jī)EL裝置的情況下，從支撐基板10d觀察，由 于從形成了有機(jī)EL元件80的 一側(cè)取出光，所以陰極層85作為附加薄 的鋁膜、鎂或鋰等的薄膜，而調(diào)整了功函數(shù)的ITO膜等透光性電極形 成，作為支撐基板10d,除了玻璃等透明基板之外，也可使用不透明基 板。作為不透明基板，例如可列舉對(duì)氧化鋁等的陶瓷、不銹鋼等的金屬 板進(jìn)行表面氧化處理等絕緣處理的基板、樹脂基板等。而當(dāng)是底發(fā)射型 的有機(jī)EL裝置時(shí)，由于從支撐基板10d—側(cè)取出光，所以作為支撐基 板10d，可使用玻璃等透明基板。
(溫度補(bǔ)償用的結(jié)構(gòu))
再次回到圖9，在本方式中，也在元件基板10的4象素區(qū)域10b的 周圍，形成作為對(duì)像素區(qū)域10b的溫度進(jìn)行檢測(cè)的溫度檢測(cè)元件的電阻 線105，在本方式中，電阻線105在像素區(qū)域的周圍沿著像素區(qū)域10b 的全周的至少l/2延伸。更具體而言，電阻線105沿著具有矩形平面形 狀的像素區(qū)域10b的4邊10w、 10x、 10y、 10z中相鄰的3邊10w、 10x、 10y延伸，其兩端部通過數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101的兩側(cè)，與2個(gè)端子102 分別連接。因此，電阻線105成為在從一方的端部沿著像素區(qū)域10b的 邊10w、 10x、 10y—邊彎曲一邊延伸后，另一方的端部接近一方的端部 地彎曲的平面形狀。而且，元件基板10中，在比像素區(qū)域10b靠外側(cè) 形成有數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101和掃描線驅(qū)動(dòng)電路104，在電阻線105中， 沿著像素區(qū)域10b的邊10w、 10y延伸的部分在由像素區(qū)域10b和掃描 線驅(qū)動(dòng)電路104夾持的區(qū)域內(nèi)延伸。
這樣構(gòu)成的電阻線105因?yàn)榘殡S著溫度變化，電阻值發(fā)生變化，所 以與實(shí)施方式l同樣，可借助電阻線105，監(jiān)視像素區(qū)域10b的溫度， 該溫度監(jiān)視結(jié)果通過參照?qǐng)D4而說明的電路等，在對(duì)于各像素100a的驅(qū)動(dòng)條件的修正中使用。即，由于有機(jī)EL元件80的施加電流-亮度曲 線的斜率根據(jù)溫度而變化，所以按照像素區(qū)域10b的溫度，修正數(shù)據(jù)信 號(hào)，來(lái)進(jìn)行適當(dāng)?shù)幕叶刃拚?br> 在構(gòu)成該電阻線105時(shí)，本方式中也與實(shí)施方式1同樣，可通過把 金屬膜及半導(dǎo)體膜構(gòu)圖為線狀來(lái)形成，在本方式中，由與數(shù)據(jù)線6a或 源電極6g同時(shí)形成的金屬膜或者與掃描線3a同時(shí)形成的金屬膜，形成 電阻線105。因此，電阻線105由鉬膜、鋁膜、鈦膜、鴒膜、鉭膜、鉻 膜等金屬單質(zhì)膜、或者它們的層疊膜構(gòu)成。
由于這樣構(gòu)成時(shí)，也使電阻線105跨像素區(qū)域10b的全周的1/2以 上延伸，所以起到能正確檢測(cè)像素區(qū)域10b的溫度等與實(shí)施方式1同樣 的效果。
[實(shí)施方式4
圖12是表示本發(fā)明實(shí)施方式4的電光學(xué)裝置(有機(jī)EL裝置)中 使用的元件基板的電氣結(jié)構(gòu)的等效電路圖。另外，由于本方式的結(jié)構(gòu)與 實(shí)施方式3同樣，所以對(duì)于公共的部分付與相同的符號(hào)，并省略它們的 說明。
圖12所示的電光學(xué)裝置100也與實(shí)施方式3同樣是有機(jī)EL裝置， 在具有矩形平面形狀的像素區(qū)域10b以矩陣狀形成有多個(gè)像素100a。
本方式中，在元件基板10的像素區(qū)域10b的周圍，形成有作為對(duì) 像素區(qū)域10b的溫度進(jìn)行檢測(cè)的溫度檢測(cè)部件的電阻線105。在本方式 中，電阻線105在像素區(qū)域的周圍沿著像素區(qū)域10b的全周的至少1/2 延伸。更具體而言，電阻線105沿著具有矩形平面形狀的^^素區(qū)域10b 的4邊10w、 10x、 10y、 10z中相鄰的3邊10w、 10x、 10y延伸，其兩 端部與隔著數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101和像素區(qū)域10b的邊10z并列的多個(gè)端 子102中的相鄰的2個(gè)端子102連接。即，電阻線105按照在從一方的 端部沿著像素區(qū)域10b的邊10w、 10x、 10y—邊彎曲一邊延伸后，在傳_ 素區(qū)域10b的邊10y、 10z所成的角部分折返，使另一方的端部與一方 的端部鄰接的方式，沿著像素區(qū)域10b的邊10y、 10x、 10w彎曲、延伸。
而且，元件基板10中，在比像素區(qū)域10b靠外側(cè)形成有數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101和掃描線驅(qū)動(dòng)電路104,在電阻線105中，沿著像素區(qū)域10b 的邊10w、 10y延伸的部分在由像素區(qū)域10b和掃描線驅(qū)動(dòng)電路104夾 持的區(qū)域內(nèi)延伸。
由于這樣構(gòu)成的電阻線105的其它結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式3同樣，所以省 略說明，但在本方式中，由于使電阻線105跨像素區(qū)域10b的全周的 1/2以上延伸，所以起到能正確檢測(cè)像素區(qū)域10b的溫度等與實(shí)施方式 3同樣的效果。
并且，由于在本方式中，電阻線105不包圍像素區(qū)域10b，所以如 參照?qǐng)D8所述那樣，當(dāng)電流流過電阻線105時(shí)，即使從電阻線105產(chǎn)生 了感應(yīng)磁力線，該感應(yīng)磁力線也不會(huì)作為噪聲而侵入到像素區(qū)域10b。
[其他實(shí)施方式
在上述實(shí)施方式中，由金屬膜形成了電阻線105,但也可以通過將 與構(gòu)成薄膜晶體管的有源層(能動(dòng)層)的半導(dǎo)體層同時(shí)形成的半導(dǎo)體膜 導(dǎo)電化，形成電阻線105。此外，當(dāng)數(shù)據(jù)線或掃描線由導(dǎo)電性多晶硅層 形成時(shí)，也可以同時(shí)形成該導(dǎo)電性多晶硅層和電阻線105。
在上述實(shí)施方式中，沿著元件基板10的同一邊形成了端子102和 數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101,但當(dāng)在元件基板10中分別沿著相對(duì)的2邊，構(gòu)成 端子102和數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101時(shí)也可以應(yīng)用本發(fā)明。此外，在上述實(shí) 施方式中，將電阻線105和端子102電連接，在外部電路進(jìn)行了驅(qū)動(dòng)條 件的修正，但也可以根據(jù)電路方式，把電阻線105引向數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路 IOI的內(nèi)部。
并且，上述實(shí)施方式中，在元件基板10上形成有數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路 101和掃描線驅(qū)動(dòng)電路104,但在元件基板10上不形成上述驅(qū)動(dòng)電路的 電光學(xué)裝置中也可以應(yīng)用本發(fā)明。
[向電子儀器的搭載例
下面，說明應(yīng)用了上述實(shí)施方式的電光學(xué)裝置100的電子儀器。圖 13 (a)表示具有電光學(xué)裝置100的便攜式個(gè)人電腦的結(jié)構(gòu)。個(gè)人電腦 2000具有作為顯示單元的電光學(xué)裝置100和主體部2010。在主體部2010設(shè)置有電源開關(guān)2001和鍵盤2002。圖13(b)表示具有電光學(xué)裝置100 的移動(dòng)電話的結(jié)構(gòu)。移動(dòng)電話3000具有多個(gè)操作按鈕3001和滾動(dòng)按鈕 3002、作為顯示單元的電光學(xué)裝置100。通過操作滾動(dòng)按鈕3002,可滾 動(dòng)在電光學(xué)裝置100上顯示的畫面。圖13 (c)表示應(yīng)用了電光學(xué)裝置 100的《更攜式信息終端(PDA: Personal Digital Assistants )的結(jié)構(gòu)。 <更 攜式信息終端4000具有多個(gè)操作按鈕4001和電源開關(guān)4002、作為顯示 單元的電光學(xué)裝置100。如果操作電源開關(guān)4002,則在電光學(xué)裝置IOO 上顯示通訊錄或日程表等各種信息。
另外，作為可應(yīng)用電光學(xué)裝置100的電子儀器，除了圖13所示的電子 儀器之外，還可列舉數(shù)字靜態(tài)相機(jī)、液晶電視、取像器(view finder)型、 監(jiān)視直視型的錄像機(jī)、汽車導(dǎo)航裝置、尋呼機(jī)、電子記事本、計(jì)算器、文 字處理器、工作站、可視電話、POS終端、具有觸摸屏的機(jī)器等。而且， 作為這些各電子儀器的顯示部，能應(yīng)用上述的電光學(xué)裝置IOO。
權(quán)利要求
1. 一種電光學(xué)裝置，具有形成有像素區(qū)域的元件基板，所述像素區(qū)域排列有多個(gè)具有像素電極和像素晶體管的像素，其特征在于在所述元件基板的所述像素區(qū)域的周圍，形成有沿著該像素區(qū)域的全周的至少1/2延伸的溫度檢測(cè)用電阻線。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的電光學(xué)裝置，其特征在于所述電阻線在從一方的端部延伸后，向另一方的端部朝向該一方的 端部接近的方向彎曲。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的電光學(xué)裝置，其特征在于 所述電阻線具有1條布線在途中折返的平面形狀。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1 3中任意一項(xiàng)所述的電光學(xué)裝置，其特征在于 所述像素區(qū)域以矩形的平面形狀形成； 所述電阻線沿著至少所述像素區(qū)域的相鄰的2邊延伸。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的電光學(xué)裝置，其特征在于 所述電阻線沿著所述像素區(qū)域的至少3邊延伸。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1 5中任意一項(xiàng)所述的電光學(xué)裝置，其特征在于 所述電阻線與構(gòu)成所述像素晶體管的多個(gè)導(dǎo)電層中的任意一個(gè)同層。
7. 根據(jù)權(quán)利要求l-6中任意一項(xiàng)所述的電光學(xué)裝置，其特征在于 所述電阻線由金屬膜構(gòu)成。
8. 根據(jù)權(quán)利要求l-7中任意一項(xiàng)所述的電光學(xué)裝置，其特征在于 在所述元件基板中，在比所述像素區(qū)域靠外周側(cè)形成有驅(qū)動(dòng)電路； 所述電阻線在由所迷像素區(qū)域和所述驅(qū)動(dòng)電路夾持的區(qū)域延伸。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的電光學(xué)裝置，其特征在于從所述像素區(qū)域向所述驅(qū)動(dòng)電路延伸的信號(hào)線和所述電阻線，形成 在被多個(gè)絕緣膜上下夾持的多個(gè)層間中的不同的層間。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的電光學(xué)裝置，其特征在于 從所述4象素區(qū)域向所述驅(qū)動(dòng)電路延伸的信號(hào)線和所述電阻線，形成在被多個(gè)絕緣膜上下夾持的多個(gè)層間中的同 一層間，在該層間，在所述信號(hào)線和所述電阻線的交叉部分，所述信號(hào)線被 中斷，并且在與該層間不同的層間，形成有將所述信號(hào)線的中斷部分彼 此電連接的中繼用橋接布線。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1 10中任意一項(xiàng)所述的電光學(xué)裝置，其特征在于所述元件基板在與該元件基板對(duì)置配置的對(duì)置基板之間保持有液 晶層。
12. 根據(jù)權(quán)利要求1 10中任意一項(xiàng)所述的電光學(xué)裝置，其特征在于所述元件基板中，在所述像素電極上形成有有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光元件用的 功能層。
全文摘要
一種電光學(xué)裝置(100)，利用由金屬膜構(gòu)成的電阻線(105)，作為用于對(duì)像素區(qū)域(10b)的溫度進(jìn)行檢測(cè)的溫度檢測(cè)元件。因此，可以減小溫度檢測(cè)元件占有的面積，并且即使電阻線(105)跨像素區(qū)域(10b)的全周的1/2以上延伸，對(duì)設(shè)置其他布線也沒有障礙。此外，由于電阻線(105)跨像素區(qū)域(10b)的全周的1/2以上延伸，所以能正確檢測(cè)像素區(qū)域(10b)的溫度。從而，可提供即使溫度檢測(cè)元件或溫度檢測(cè)用布線占有的面積窄時(shí)，也能可靠地監(jiān)視像素區(qū)域全體的溫度的電光學(xué)裝置。
文檔編號(hào)H01L51/50GK101419369SQ200810170289
公開日2009年4月29日 申請(qǐng)日期2008年10月20日 優(yōu)先權(quán)日2007年10月22日
發(fā)明者服部恭典 申請(qǐng)人:精工愛普生株式會(huì)社