專利名稱：基板處理裝置以及基板處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及基板處理裝置等，該基板處理裝置向LCD(液晶顯示裝置)和 PDP(等離子顯示器)等FPD(平板顯示器)用玻璃基板、光掩模用玻璃基板、 半導(dǎo)體襯底等基板供給各種處理液以實(shí)施處理。
背景技術(shù)：
以往，作為向LCD等矩形基板的上表面(主面)供給處理液以實(shí)施規(guī)定的 處理的基板處理裝置，例如提出有專利文獻(xiàn)1所公開(kāi)的裝置。
該專利文獻(xiàn)1所公開(kāi)的裝置進(jìn)行所謂的浸漬式顯影處理，該浸漬式顯影 處理一邊在以水平姿勢(shì)搬送基板， 一邊向基板表面供給顯影液，利用其表面 張力形成液層，并在該狀態(tài)下實(shí)施規(guī)定時(shí)間的顯影處理。然后，使基板在寬 度方向上傾斜(在與搬送方向垂直的方向上傾斜)，從而使顯影液沿基板流下， 然后， 一邊以傾斜姿勢(shì)搬送該基板， 一邊向基板表面供給清洗液，以此實(shí)施 清洗處理。與以噴淋狀供給顯影液的裝置相比，實(shí)施浸漬式顯影處理的專利 文獻(xiàn)1的裝置能夠以少量的顯影液對(duì)整個(gè)基板實(shí)施均勻的顯影處理，因此具
有如下特點(diǎn)能夠控制運(yùn)行成本，從而能夠經(jīng)濟(jì)地實(shí)施顯影處理。
專利文獻(xiàn)1: JP特開(kāi)平11-87210號(hào)公報(bào)
但是，在上述現(xiàn)有裝置中存在如下問(wèn)題。即，在形成液層時(shí)，雖然從搬 送方向前端側(cè)起依次向基板供給顯影液，但由于在顯影處理后使基板在其寬 度方向上傾斜以使顯影液流下，因而顯然在基板面內(nèi)其處理時(shí)間上產(chǎn)生差異。 具體來(lái)講，有這樣一種傾向，即，在搬送方向上越是位于基板的后端一側(cè)， 或者越是位于傾斜姿勢(shì)的上側(cè)的部位，其處理時(shí)間越是變短。在基板尺寸小 的情況下，在基板面內(nèi)的處理時(shí)間的時(shí)間差(對(duì)于處理時(shí)間最長(zhǎng)的部位和處理 時(shí)間最短的部位的處理時(shí)間之間的時(shí)間差)小，所以幾乎能夠忽略其對(duì)質(zhì)量的 影響。但是，近幾年，隨著基板的大型化，所要求的處理精密度也日漸提高， 所以要確保質(zhì)量，就變得無(wú)法忽視在基板面內(nèi)的處理時(shí)間的時(shí)間差。另外， 近幾年，更加重視處理能力的提高，但在顯影處理后需停止搬送基板進(jìn)行姿
4勢(shì)變換的現(xiàn)有裝置，難以滿足這樣的要求。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述的情況而作出的，其目的在于，在通過(guò)所謂的浸漬處 理對(duì)基板實(shí)施規(guī)定處理的基板處理裝置中，對(duì)基板面更加均勻地實(shí)施處理， 并提高處理能力。
申請(qǐng)人鑒于上述問(wèn)題起因于變換基板的姿勢(shì)這一點(diǎn)上，研究了如下問(wèn)題: 為了在保持水平姿勢(shì)的情況下進(jìn)行從形成液層到除去液層為止的一系列處 理， 一邊水平搬送基板一邊對(duì)基板從其前端側(cè)其依次供給流體(噴射)，由此 除去液層。但是，存在破壞浸漬處理的穩(wěn)定性的問(wèn)題，即，若向基板噴射流 體，則受到其影響而會(huì)導(dǎo)致液層的紊亂，處理液從基板流下等。因此，申請(qǐng) 人經(jīng)過(guò)進(jìn)一步研究，發(fā)明了如下所述的基板處理裝置。
艮口，本發(fā)明的基板處理裝置具有除去單元，該除去單元設(shè)置成對(duì)于水平 支撐的基板能夠相對(duì)移動(dòng)，伴隨著所述相對(duì)移動(dòng)，從基板的一端側(cè)向另一端 側(cè)除去在所述基板的上表面形成的處理液的液層，所述除去單元具有流體 供給部，其為了除去所述液層，在與所述相對(duì)移動(dòng)的方向交叉的方向上橫跨 基板的整個(gè)寬度向基板上表面噴出調(diào)整過(guò)流量的除層用流體；消波部，其相 對(duì)于所述基板上的所述除層用流體的供給位置，在位于與該供給位置的所述 相對(duì)移動(dòng)方向上的上游側(cè)相鄰的位置上，與基板上表面?zhèn)葍H分離與所述液層 相對(duì)應(yīng)的距離并與基板相對(duì)配置，用于抑制在噴出所述除層用流體時(shí)所產(chǎn)生 的所述液層的波紋。
在該裝置中，除去單元對(duì)于被水平支撐且形成有液層的基板相對(duì)移動(dòng)， 在該移動(dòng)中，流體供給部向基板噴出除層用流體，以此從基板的一端側(cè)向另 一端側(cè)依次除去液層。這時(shí)，在比該除層用流體的噴出位置更鄰接于所述另 一端側(cè)的位置上，通過(guò)所述消波部抑制在噴出所述除層用流體時(shí)所產(chǎn)生的所 述液層的波紋，從而能夠良好地保持殘留在基板上的液層的穩(wěn)定性。因此， 在不破壞浸漬處理的穩(wěn)定性的情況下，在保持水平姿勢(shì)的狀態(tài)下能夠良好地 除去基板上的液層。
而且，本發(fā)明的基板處理方法是一種使用該基板處理裝置的基板處理方 法，液層形成工序，向水平支撐的基板的上表面從該基板的一端側(cè)向另一端側(cè)供給處理液，以此在基板上表面形成該處理液的液層；液層除去工序，使
用所述基板處理裝置， 一邊使所述除去單元對(duì)于形成有所述液層的所述基板 相對(duì)移動(dòng)， 一邊向所述基板的上表面噴出所述除層用流體，以此從該基板的 所述一端側(cè)向所述另 一端側(cè)除去所述液層。
根據(jù)該方法，則形成液層以及除去該液層的任何處理都在水平支撐基板 的狀態(tài)下進(jìn)行，而且，因?yàn)槿魏翁幚矶紡幕宓耐粋?cè)(上述一端側(cè))起依次 進(jìn)行，所以盡管進(jìn)行浸漬處理，也能夠使在基板面內(nèi)利用處理液的處理時(shí)間 變得均勻，另外，由于不需要變換基板的姿勢(shì)，所以能夠相應(yīng)地提高處理能 力。
此外，作為上述基板處理裝置的具體結(jié)構(gòu)，所述消波部具有與所述基板 的上表面相對(duì)的對(duì)置面，在該對(duì)置面與所述基板的上表面之間形成有所述處 理液的彎液面。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，利用消波部的對(duì)置面與基板上表面來(lái)限制液層的上下移動(dòng)， 從而有效地防止液層的波紋。
另外，若消波部上附著處理液，則會(huì)導(dǎo)致其干燥物混入下次的基板的液 層中等的不良情況，所以在上述裝置中，設(shè)置清洗單元，該清洗單元向消波 部噴射清洗液，以此清洗該消波部。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠除去附著于消波部上的處理液或者防止該處理液被干 燥，所以能夠消除如上所述的不良情況。
此外，上述裝置可以具有第一處理液供給單元，該第一處理供給單元設(shè) 置成對(duì)于水平支撐的基板能夠相對(duì)移動(dòng)，伴隨著所述移動(dòng)，從所述一端側(cè)起 向基板上表面供給所述處理液，以此形成所述液層。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠在使基板保持水平姿勢(shì)的狀態(tài)下，通過(guò)共同的裝置實(shí) 施從形成上述液層到除去該液層為止的工序。
另外，上述裝置可以具有第二處理液供給單元，該第二處理供給單元與 所述除去單元一體地對(duì)于所述基板相對(duì)移動(dòng)，伴隨著所述移動(dòng)，向在所述基 板上供給有所述除層用流體的區(qū)域供給不同于所述液層的其他處理液。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，伴隨著除去單元對(duì)基板的相對(duì)移動(dòng)，能夠向基板上的供給 有所述除層用流體的區(qū)域(液層被除去的區(qū)域)立即供給其他處理液。因此， 例如通過(guò)第二處理液供給單元供給下一個(gè)工序的處理液，則能夠防止在已經(jīng)除去液層的區(qū)域的基板干燥等，并能夠迅速地轉(zhuǎn)入下一個(gè)工序的處理。
另外，在上述裝置中，所述除去單元優(yōu)選地具有蓋構(gòu)件，該蓋構(gòu)件用于 罩住所述流體供給部以及在所述基板上的所述除層用流體的噴出位置。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠有效地防止伴隨著供給除層用流體的霧(霧狀的處理液) 的飛散。在該情況下，在具有第二處理液供給單元的裝置中，可以將所述蓋 構(gòu)件設(shè)置成罩住所述第二處理液供給單元以及在所述基板上的該第二處理液 供給單元供給處理液的位置。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，也能夠有效地防止伴隨著第二處 理液供給單元供給處理液的霧的飛散。
此外，在具有上述蓋構(gòu)件的情況下，優(yōu)選地，還具有排氣單元，該排氣 單元用于對(duì)該蓋構(gòu)件的內(nèi)部環(huán)境進(jìn)行排氣。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠防止在蓋構(gòu)件的內(nèi)部充滿霧。因此，能夠避免發(fā)生這 樣的不良情況在蓋構(gòu)件的內(nèi)面附著霧或者霧被干燥，其附著于基板上。
若適用上述本發(fā)明，則在水平支撐基板的狀態(tài)下，也能夠進(jìn)行形成液層 以及除去液層的任何處理。因此，盡管進(jìn)行所謂浸漬處理，但與現(xiàn)有技術(shù)相 比，也能夠使在基板面內(nèi)的處理時(shí)間變得均勻，并能夠提高處理能力。


圖1是表示本發(fā)明的基板處理裝置的大致結(jié)構(gòu)的剖視圖。
圖2是表示基板處理裝置的主要部分的圖1的放大圖。
圖3是表示消波構(gòu)件的其他例子的剖視簡(jiǎn)圖。
圖4是表示消波構(gòu)件的其他例子的剖視簡(jiǎn)圖。
圖5是表示消波構(gòu)件的其他例子的剖視簡(jiǎn)圖。
圖6是表示本發(fā)明的基板處理裝置的其他例子的剖視圖。
具體實(shí)施例方式
利用附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。
圖1以剖視圖示意性地示出了本發(fā)明的基板處理裝置。該基板處理裝置 1是一種一邊沿著附圖中的箭頭方向以水平姿勢(shì)搬送基板2， 一邊對(duì)該基板2 實(shí)施規(guī)定的工藝處理的裝置，包括顯影處理室10A以及清洗處理室IOB。
在各處理室10A、 10B中按規(guī)定的間隔并列設(shè)置有多個(gè)搬送輥14，沿著
7由這些搬送輥14構(gòu)成的搬送路徑以水平姿勢(shì)搬送基板2。此外，附圖中的附 圖標(biāo)記12表示開(kāi)口部，該開(kāi)口部分別形成于顯影處理室10A和其上游側(cè)的 處理室等之間的間隔壁IIA、顯影處理室IOA和清洗處理室10B之間的間隔 壁11B上，通過(guò)使基板2通過(guò)這些開(kāi)口部12，實(shí)現(xiàn)向鄰接的處理室的搬送基 板。
在所述顯影處理室10A的內(nèi)部，在其上游側(cè)(基板搬送方向上的上游側(cè)) 的端部設(shè)置有用于向基板2供給顯影液(處理液)的液體噴嘴16(稱為第一液 體噴嘴16，相當(dāng)于本發(fā)明的第一處理液供給單元)。該第一液體噴嘴16由所 謂的狹縫噴嘴構(gòu)成，該狹縫噴嘴在所述搬送路徑的寬度方向(與基板搬送方向 垂直的方向，在附圖中為與紙面垂直的方向)上細(xì)長(zhǎng)且具有沿著長(zhǎng)度方向連續(xù) 延伸的細(xì)長(zhǎng)的噴出口，該第一液體噴嘴16以噴出口朝下游側(cè)(基板搬送方向 上的下游側(cè))傾斜向下的狀態(tài)設(shè)置在所述開(kāi)口部12的上方位置。第一液體噴 嘴16經(jīng)由第一液體供給管32與顯影液的儲(chǔ)液槽30相連接，借助設(shè)置在第一 液體供給管32上的泵34的驅(qū)動(dòng)以及通過(guò)對(duì)未圖示的開(kāi)閉閥的控制，能夠接 收來(lái)自所述儲(chǔ)液槽30的顯影液并向基板2上供給顯影液。
另一方面，在顯影處理室IOA與清洗處理室10B之間的間隔壁IIB部分 設(shè)置有除去單元，該除去單元用于除去由第一液體噴嘴16供給至基板2上的 顯影液(后記為液層X(jué))。該除去單元由風(fēng)刀(air knife) 18、消波(wave suppressor)構(gòu)件20、消波清洗噴嘴22、基板清洗噴嘴24以及蓋構(gòu)件26等 構(gòu)成。
風(fēng)刀18 (相當(dāng)于本發(fā)明的流體供給部)設(shè)置于這樣的位置，該位置是指， 既是間隔壁11B的剛好開(kāi)口部12的部分又是所述搬送路徑的上方的位置。 風(fēng)刀18由狹縫噴嘴構(gòu)成，該狹縫噴嘴在所述搬送路徑寬度方向上細(xì)長(zhǎng)且具有 在長(zhǎng)度方向上連續(xù)延伸的細(xì)長(zhǎng)的噴出口，該風(fēng)刀18以噴出口朝正下方或者略 微朝向上游側(cè)的狀態(tài)設(shè)置。該風(fēng)刀18經(jīng)由空氣供給管28與空氣供給源29 相連接，通過(guò)操作未圖示的開(kāi)閉閥等，能夠接收來(lái)自所述空氣供給源29的規(guī) 定流量的空氣，具體地講是接收將凈化度以及溫濕度調(diào)整為規(guī)定等級(jí)的所謂 CDA (Clean Dry Air:潔凈干燥空氣，相當(dāng)于本發(fā)明的除層用流體)，并向基 板2上噴出該空氣。g卩，通過(guò)由風(fēng)刀18向基板2上噴出空氣，利用其氣壓除 去基板2上的顯影液(后記為液層X(jué))。此外，在所述搬送路徑上，在由所述
8風(fēng)刀18的空氣噴出位置上設(shè)置有搬送輥14，該搬送輥14能夠在基板2的整個(gè)寬度上支撐該基板2，由此能夠防止所述氣壓導(dǎo)致基板2的彎曲變形。
所述消波構(gòu)件20 (相當(dāng)于本發(fā)明的消波部)是用于防止伴隨著噴出上述空氣產(chǎn)生的顯影液(后記液層X(jué))的波紋的構(gòu)件。消波構(gòu)件20橫跨搬送路徑的整個(gè)寬度方向設(shè)置在既是搬送路徑的上方位置又是與所述風(fēng)刀18的上游側(cè)相鄰的位置的位置。
如圖2所示，該消波構(gòu)件20具有對(duì)置面21且呈剖面為L(zhǎng)形的形狀，該對(duì)置面21與搬送基板2相對(duì)且與該基板2的上表面大致平行。將消波構(gòu)件20設(shè)置成，所述對(duì)置面21與搬送基板2之間的間隙S相當(dāng)于形成在該基板2的上表面上的顯影液的液層(積液)X的厚度t相等，優(yōu)選使該間隙S比該厚度t寬少許。由此，能夠在基板2與對(duì)置面21之間形成彎液面(g卩，顯影液的液體架橋)。在本實(shí)施方式中，形成于基板2上的液層X(jué)的厚度t大致為3 4mm，將消波構(gòu)件20設(shè)置成使上述間隙S變?yōu)樵摵穸萾+lmm左右。另外，在基板搬送方向上的所述對(duì)置面21的長(zhǎng)度尺寸W比相同方向上的基板2的全長(zhǎng)短，在實(shí)施方式中，相對(duì)于1600mm左右的基板2的全長(zhǎng)，將對(duì)置面21的長(zhǎng)度尺寸W設(shè)定為10mm左右。
消波清洗噴嘴22(相當(dāng)于本發(fā)明的清洗單元)主要向消波構(gòu)件20的對(duì)置面21噴射作為清洗液的所述顯影液。該消波清洗噴嘴22由所謂噴淋?chē)娮鞓?gòu)成，該噴淋?chē)娮煸诎崴吐窂降膶挾确较蛏霞?xì)長(zhǎng)且在長(zhǎng)度方向上以規(guī)定間隔排列有噴出口 ，并且，該消波清洗噴嘴22以噴出口朝向消波構(gòu)件20 (對(duì)置面21)的狀態(tài)，配置在既是所述搬送路徑的下方位置又是間隔壁11B的附近的位置上。該消波清洗噴嘴22經(jīng)由第二液體供給管36與所述儲(chǔ)液槽30相連接，借助設(shè)置在第二液體供給管36上的泵38的驅(qū)動(dòng)以及通過(guò)控制未圖示的開(kāi)閉閥，能夠接收所述儲(chǔ)液槽30所供給的顯影液，并向消波構(gòu)件20供給顯影液。
在進(jìn)行顯影處理室10A中的處理之前，基板清洗噴嘴24向除去了液層X(jué)的基板上供給沖洗液(本實(shí)施方式中為純水)。該基板清洗噴嘴24(稱之為第二液體噴嘴24，相當(dāng)于本發(fā)明的第二處理液供給單元)設(shè)置在既是搬送路徑的上方位置又是與風(fēng)刀18的剛剛下游側(cè)相鄰的位置的位置，實(shí)際配置在與所述間隔壁11B相比更靠近清洗處理室10B —側(cè)的位置。第二液體噴嘴24與所述第一液體噴嘴16同樣，也由在搬送路徑的寬度方向上細(xì)長(zhǎng)的狹縫噴嘴構(gòu)成，并以噴出口略微朝向下游側(cè)的狀態(tài)配置。該第二液體噴嘴24經(jīng)由純水供給管25與未圖示的純水供給源相連接，能夠接收該供給源所供給的純水，并向基板2上供給純水。g卩，通過(guò)向基板2上噴出純水，對(duì)于顯影處理室10A處理過(guò)的基板2進(jìn)行水洗。
蓋構(gòu)件26在搬送路徑的寬度方向上的整個(gè)區(qū)域上，從其上方一體地罩住所述風(fēng)刀18、消波構(gòu)件20、第二液體噴嘴24以及空氣等的噴出位置。該蓋構(gòu)件26與所述間隔壁11B相連接且剖面形成為穹形，以使在其與所述基板2之間形成規(guī)定的空間。雖然省略了圖示，但是在該蓋構(gòu)件26或者處理室IOA、10B的內(nèi)側(cè)面，形成有與吸引泵等連通的吸引口，通過(guò)該吸引口能夠?qū)ιw構(gòu)件26的內(nèi)部環(huán)境(雰囲気)進(jìn)行吸引排氣。在該實(shí)施方式中，該吸引泵等以及吸引口相當(dāng)于本發(fā)明的排氣單元。
此外，在顯影處理室10A的內(nèi)底部上設(shè)置有呈漏斗狀的回收缽，使用后的顯影液被該回收缽收集并通過(guò)回收管31返回到所述儲(chǔ)液槽30內(nèi)。也就是說(shuō)，該顯影處理室10A具有顯影液的供排系統(tǒng)，該供排系統(tǒng)使顯影液在儲(chǔ)液槽30與所述第一液體噴嘴16及消波清洗噴嘴22之間循環(huán)并利用于基板2的處理中。
關(guān)于所述清洗處理室IOB，雖然未詳細(xì)圖示，但是在其處理室內(nèi)，例如在基板2的搬送路徑的上方，沿著該搬送路徑配備有由噴淋?chē)娮鞓?gòu)成的基板清洗噴嘴。由此，對(duì)于通過(guò)搬送輥14以水平姿勢(shì)被搬送的基板2的上表面，能夠供給清洗液(本實(shí)施方式中為純水)。
此外，在基板處理裝置1中設(shè)置有以計(jì)算機(jī)為構(gòu)成要素的未圖示的控制器，由該控制器40統(tǒng)一控制對(duì)搬送輥14及泵34、 38等的驅(qū)動(dòng)以及各種閥的開(kāi)閉等。例如，該裝置1在與顯影處理室10A中的上游側(cè)的間隔壁11A的開(kāi)口部12相比稍微偏上游側(cè)的位置和所述蓋構(gòu)件26的附近，具有基板2的檢測(cè)傳感器40a、 40b，所述控制器根據(jù)這些傳感器40a、 40b檢測(cè)到基板2，控制開(kāi)閉閥等。
接下來(lái)，說(shuō)明利用該基板處理裝置1的基板2的處理及其作用效果。在該基板處理裝置1中，各閥關(guān)閉直至檢測(cè)傳感器40a、 40b檢測(cè)到基板2為止。因此，停止向各噴嘴供給顯影液及清洗液。
通過(guò)驅(qū)動(dòng)搬送輥14搬送基板2，若該基板的前端被檢測(cè)傳感器40a檢測(cè)
10到，則從儲(chǔ)液槽30向所述第一液體噴嘴16開(kāi)始供給顯影液。然后，若基板2經(jīng)過(guò)開(kāi)口部12搬入到顯影處理室10A內(nèi)，則伴隨著該搬入，向基板2的上表面從該基板的前端(基板2的行進(jìn)方向前端)起依次供給顯影液。由此，在基板2的上表面形成具有規(guī)定厚度t的顯影液的液層X(jué)，并在已形成該液層X(jué)的狀態(tài)下低速搬送基板2，以此對(duì)基板2實(shí)施顯影處理。也就是說(shuō)，實(shí)施所謂浸漬式顯影處理。
繼續(xù)搬送基板2，若該基板的前端被檢測(cè)傳感器40b檢測(cè)到，則向風(fēng)刀18開(kāi)始供給空氣且向第二液體噴嘴24開(kāi)始供給純水，進(jìn)而對(duì)蓋構(gòu)件26內(nèi)開(kāi)始進(jìn)行排氣。然后，若基板2的前端通過(guò)了消波構(gòu)件20的下方位置，則風(fēng)刀18向基板2噴出空氣，基板上的液層X(jué)從該基板的前端側(cè)起被該空氣的氣壓除去，并且第二液體噴嘴24向該除去部位噴出純水。由此，從基板2的前端側(cè)起以此完成顯影處理，并對(duì)基板2的開(kāi)始清洗(置換水洗)處理。
此外，若向基板2噴出空氣，則在消波構(gòu)件20的前端側(cè)的液層X(jué)上產(chǎn)生波紋，由此，液層X(jué)與消波構(gòu)件20的對(duì)置面21接觸而在該對(duì)置面21和基板2之間形成彎液面。這樣形成了彎液面的結(jié)果，通過(guò)所述對(duì)置面21與基板2限制了液層X(jué)的上下移動(dòng)，所以能夠抑制波動(dòng)(液層X(jué)的波紋)向基板后端側(cè)的傳播。因此，能夠事先防止波動(dòng)傳播至整個(gè)液層以使在整個(gè)液層X(jué)上產(chǎn)生波紋，從而能夠使殘留液層X(jué)的穩(wěn)定性得以保持。
另外，若向基板2噴射空氣或純水，則會(huì)產(chǎn)生顯影液或純水的霧，但如上所述，空氣或純水的噴射位置被蓋構(gòu)件26罩住，而且對(duì)該蓋構(gòu)件26內(nèi)的環(huán)境進(jìn)行吸引排氣，其結(jié)果，能夠防止該霧大范圍地飛散至基板2上。
這樣，若搬送基板2，并由檢測(cè)傳感器40a、 40b依次檢測(cè)到基板2的后端，則根據(jù)基于該檢測(cè)的計(jì)時(shí)器的計(jì)時(shí)，檢測(cè)出基板2分別通過(guò)了第一液體噴嘴16的顯影液噴出位置、風(fēng)刀18的空氣噴出位置以及第二液體噴嘴24的純水噴出位置，與此相伴，依次停止向第一液體噴嘴16的顯影液供給、向風(fēng)刀18的空氣供給以及向第二液體噴嘴24的純水供給。由此，在顯影處理室10A中對(duì)該基板2實(shí)施的一系列顯影處理結(jié)束。
此外，在處理結(jié)束后，所述消波清洗噴嘴22向消波構(gòu)件20定期地噴射顯影液，由此能夠?qū)ο?gòu)件20進(jìn)行清洗，并能夠抑制附著在消波構(gòu)件20上的顯影液干燥。
ii如上所述，在該基板處理裝置l中， 一邊水平地搬送基板2—邊對(duì)該基板2實(shí)施浸漬式顯影處理，但并不僅限于液層X(jué)的形成(處理)，關(guān)于液層X(jué)的除去(處理)，也可以一邊水平搬送基板2—邊實(shí)施該處理，另外，關(guān)于任何處理，都一邊在相同方向上搬送基板2 —邊從該基板的前端側(cè)起依次實(shí)施處理。因此，不會(huì)像實(shí)施浸漬式顯影處理的以往的這種裝置、即在水平姿勢(shì)下形成液層后將基板的姿勢(shì)變換為傾斜姿勢(shì)以除去液層的裝置那樣，在基板面內(nèi)的處理時(shí)間上產(chǎn)生時(shí)間差，另外，由于不需要變換基板的姿勢(shì)，所以能夠縮短相應(yīng)的總處理時(shí)間。因此，若采用該基板處理裝置1,則能夠享受如控制顯影液的使用量以經(jīng)濟(jì)地進(jìn)行顯影處理的浸漬式顯影處理的優(yōu)點(diǎn)，另一方面，能夠提高在基板面內(nèi)的顯影處理的均勻性，并能夠提高處理能力。
尤其在該基板處理裝置1中，通過(guò)氣壓除去基板上的液層X(jué)，但是如上所述，在基板2的搬送路徑上方具有消波構(gòu)件20，利用它來(lái)抑制在液層X(jué)上產(chǎn)生的波動(dòng)的傳播以防止在整個(gè)液層上產(chǎn)生波紋，所以能夠良好地保持液層X(jué)的穩(wěn)定性。因此，能夠事先防止液層X(jué)的穩(wěn)定性被破壞而顯影液從基板上流下進(jìn)而影響顯影處理的質(zhì)量的情況，在這一點(diǎn)上也具有能夠提高在基板面內(nèi)的顯影處理的均勻性的優(yōu)點(diǎn)。
而且，在該基板處理裝置l中，在基板2處于非處理狀態(tài)時(shí)，消波清洗噴嘴22向消波構(gòu)件20定期地噴射顯影液，除去附著于對(duì)置面21上的顯影液的干燥物(異物)或者防止顯影液干燥，所以能夠事先防止液層X(jué)內(nèi)混入異物的不良情況。即，若伴隨著彎液面的形成而附著于消波構(gòu)件20上的顯影液干燥，則該干燥物(異物)可能會(huì)混入下次的基板2的液層X(jué)中并附著于基板2上，但是在該裝置l中，如上所述那樣定期地向消波構(gòu)件20噴射顯影液，所以能夠除去所述干燥物，或者能夠防止附著于消波構(gòu)件20上的顯影液干燥。因此，設(shè)置消波構(gòu)件20以確保液層X(jué)的穩(wěn)定性，另一方面，能夠事先防止由此產(chǎn)生的上述弊病、即干燥物混入到液層X(jué)中的情況。
而且，在該基板處理裝置1中，在與風(fēng)刀18的下游側(cè)相鄰的位置上具備第二液體噴嘴24，在除去了液層X(jué)后，立刻向基板2上供給純水。因此，在除去了液層X(jué)后，立刻在基板上形成純水液膜，從而能夠在防止干燥的同時(shí)迅速地對(duì)基板2實(shí)施清洗處理(置換水洗)。尤其是，第二液體噴嘴24采用狹縫噴嘴，所以能夠橫跨基板2的整個(gè)寬度供給純水，從而能夠在該基板的整
12個(gè)寬度上同時(shí)將對(duì)基板2的處理從顯影處理切換為清洗處理，由此能夠提高 在基板面內(nèi)的處理的均勻性。
而且，在該基板處理裝置1中，如上所述那樣風(fēng)刀18及第二液體噴嘴 24被蓋構(gòu)件26罩住，并對(duì)該蓋構(gòu)件26內(nèi)的環(huán)境進(jìn)行吸引排氣，從而能夠防 止霧(顯影液及純水)向基板飛散。因此，具有如下的優(yōu)點(diǎn)能夠事先防止顯 影液的霧再次附著于除去了液層X(jué)的部分上或者純水的霧附著于液層X(jué)上稀
釋顯影液等的情況。
另外，以上所說(shuō)明的基板處理裝置1只是本發(fā)明的基板處理裝置的優(yōu)選 實(shí)施方式中的一個(gè)例子，而其具體的結(jié)構(gòu)能夠在不脫離本發(fā)明的宗旨的范圍 內(nèi)適當(dāng)變更。
例如，如圖3所示，消波構(gòu)件20可以使角部(尤其是上游側(cè))成為圓角， 或者對(duì)角部實(shí)施倒角加工，由此在保持液層X(jué)的穩(wěn)定的同時(shí)，能夠在消波構(gòu) 件20(對(duì)置面21)的下方位置順暢地搬送基板2。另外，如圖4所示，也可以 將消波構(gòu)件20形成為剖面是倒T字形的形狀，以此提高消波構(gòu)件20的剛性。 若采用該消波構(gòu)件20，則能夠有效地防止彎曲所導(dǎo)致的對(duì)置面21的變形。 另外，如圖5所示，也可以采用這樣的消波構(gòu)件20:在基板搬送方向上隔開(kāi) 規(guī)定間隔并列設(shè)置分別具有與基板2相對(duì)的對(duì)置面21a 21c的單位構(gòu)件 20a 20c，從而使對(duì)置面21不連續(xù)。總之，只要消波構(gòu)件20的能夠抑制噴 出空氣時(shí)在液層X(jué)上產(chǎn)生的波動(dòng)的傳播以防止整個(gè)液層上產(chǎn)生波紋，那么消 波構(gòu)件20的具體形狀并不限于上述實(shí)施方式等中的形狀。
另外，在上述實(shí)施方式中，固定配置液層X(jué)的除去單元(風(fēng)刀18、消波 構(gòu)件20等)并使基板移動(dòng)，從而一邊使基板2對(duì)于所述除去單元相對(duì)移動(dòng)一 邊除去液層X(jué)，但無(wú)庸置疑地，也可以采用與此相反的結(jié)構(gòu)。也就是說(shuō)，如 圖6所示，可以停止基板2， 一邊對(duì)于該基板2相對(duì)移動(dòng)除去單元一邊除去 液層X(jué)。在該情況下，可以一邊搬送基板2—邊形成液層X(jué)，之后，在使基 板2停止的狀態(tài)下， 一邊使除去單元從間隔壁11B附近的原位置(home position)起向上游側(cè)移動(dòng)， 一邊除去液層X(jué)。在該情況下，可以將消波清洗 噴嘴22配置在原位置，并在消波構(gòu)件20復(fù)位到該位置時(shí)向消波構(gòu)件20噴射 顯影液。此外，除了這樣只移動(dòng)基板2或者除去單元之外，也可以一邊移動(dòng) 基板2以及除去單元兩者， 一邊對(duì)液層X(jué)進(jìn)行除去等。另外，在上述實(shí)施方式中，將風(fēng)刀18設(shè)置為其噴出口沿著搬送路徑的寬 度方向延伸，但是只要能夠橫跨基板2的整個(gè)寬度噴出顯影液，則風(fēng)刀18 的噴出口也可以沿著與寬度方向交差的方向延伸。
另外，在上述實(shí)施方式中，為了循環(huán)使用顯影液，而消波構(gòu)件20的清洗 液使用顯影液，但是在不循環(huán)使用顯影液等情況下，消波構(gòu)件20的清洗液也 可以采用顯影液以外的其他液體。
另外，在上述實(shí)施方式中，向液層X(jué)噴射空氣(CDA)，以此從基板2 除去液層X(jué)，但無(wú)庸置疑地，也能夠采用除此之外的流體。例如，能夠采用 N2 (氮)等非活性氣體。另夕卜，也可以采用顯影液，或顯影液和空氣(CDA) 的混合流體等。
此外，在上述實(shí)施方式中，說(shuō)明了將本發(fā)明適用于對(duì)基板2實(shí)施顯影處 理的基板處理裝置1中的例子，但只要是進(jìn)行浸漬處理的裝置，則無(wú)庸置疑 地，本發(fā)明也可以適用于對(duì)基板實(shí)施除了顯影處理以外的其他處理、例如蝕 刻處理等的基板處理裝置。
權(quán)利要求
1. 一種基板處理裝置，其特征在于，具有除去單元，該除去單元設(shè)置成對(duì)于水平支撐的基板能夠相對(duì)移動(dòng)，伴隨著所述相對(duì)移動(dòng)，從基板的一端側(cè)向另一端側(cè)除去在所述基板的上表面形成的處理液的液層，所述除去單元具有流體供給部，其為了除去所述液層，在與所述相對(duì)移動(dòng)的方向交叉的方向上橫跨基板的整個(gè)寬度向基板上表面噴出調(diào)整過(guò)流量的除層用流體；消波部，其相對(duì)于所述基板上的所述除層用流體的供給位置，在位于與該供給位置的所述相對(duì)移動(dòng)方向上的上游側(cè)相鄰的位置上，與基板上表面?zhèn)葍H分離與所述液層相對(duì)應(yīng)的距離并與基板相對(duì)配置，用于抑制在噴出所述除層用流體時(shí)所產(chǎn)生的所述液層的波紋。
2. 如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，所述消波部具有與所述基板的上表面相對(duì)的對(duì)置面，在該對(duì)置面與所述基板的上表面之間形成有所述處理液的彎液面。
3. 如權(quán)利要求1或者2所述的基板處理裝置，其特征在于，具有清洗單元，該清洗單元向所述消波部噴射清洗液，以此清洗該消波部。
4. 如權(quán)利要求1或者2所述的基板處理裝置，其特征在于，具有第一處理液供給單元，該第一處理供給單元設(shè)置成對(duì)于水平支撐的基板能夠相對(duì)移動(dòng)，伴隨著所述移動(dòng)，從所述一端側(cè)起向基板上表面供給所述處理液，以此形成所述液層。
5. 如權(quán)利要求1或者2所述的基板處理裝置，其特征在于，具有第二處理液供給單元，該第二處理供給單元與所述除去單元一體地對(duì)于所述基板相對(duì)移動(dòng)，伴隨著所述移動(dòng)，向在所述基板上供給有所述除層用流體的區(qū)域供給不同于所述液層的其他處理液。
6. 如權(quán)利要求5所述的基板處理裝置，其特征在于，所述除去單元具有蓋構(gòu)件，該蓋構(gòu)件用于罩住所述流體供給部以及在所述基板上的所述除層用流體的噴出位置。
7. 如權(quán)利要求6所述的基板處理裝置，其特征在于，具有所述第二處理液供給單元，所述蓋構(gòu)件設(shè)置成罩住所述第二處理液供給單元以及該第二處理液供給單元在所述基板上的處理液供給位置。
8. 如權(quán)利要求6所述的基板處理裝置，其特征在于，具有排氣單元，該排氣單元用于對(duì)所述蓋構(gòu)件的內(nèi)部環(huán)境進(jìn)行排氣。
9. 一種基板處理方法，使用權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，包括液層形成工序，向水平支撐的基板的上表面從該基板的一端側(cè)向另一端側(cè)供給處理液，以此在基板上表面形成該處理液的液層；液層除去工序，使用所述基板處理裝置， 一邊使所述除去單元對(duì)于形成有所述液層的所述基板相對(duì)移動(dòng)， 一邊向所述基板的上表面噴出所述除層用流體，以此從該基板的所述一端側(cè)向所述另一端側(cè)除去所述液層。
全文摘要
提供一種基板處理裝置以及基板處理方法，能夠?qū)迕娓泳鶆虻貙?shí)施處理，并能夠提高處理能力。基板處理裝置(1)具有液體噴嘴(16)，其一邊水平搬送基板(2)一邊在其上表面形成顯影液的液層(X)；除去單元，其用于除去形成于基板(2)上的液層(X)。該除去單元包括風(fēng)刀(18)，其設(shè)置成橫跨基板(2)，用于向該基板(2)的上表面噴出空氣；消波構(gòu)件(20)，其配置在比該風(fēng)刀(18)的空氣噴出位置更鄰接于基板(2)的后端側(cè)的位置上，用于抑制噴出所述空氣時(shí)所產(chǎn)生的液層(X)上的波紋。
文檔編號(hào)H01L21/00GK101499408SQ20081017542
公開(kāi)日2009年8月5日 申請(qǐng)日期2008年11月12日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月31日
發(fā)明者廚子卓哉, 亮 孫, 樋口尚, 篠原正樹(shù), 羽方滿之 申請(qǐng)人:大日本網(wǎng)屏制造株式會(huì)社