專利名稱：圖像傳感器的制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種圖像傳感器的制造方法
背景技術：
圖像傳感器是一種將光學圖像轉(zhuǎn)換為電信號的半導體器件?？?以將圖像傳感器主要分類為電荷耦合器件(CCD)圖像傳感器或 CMOS ( Complementary Metal Oxide Silicon )(互補金屬氧化石圭)圖 像傳感器(CIS)。 CMOS圖像傳感器具有在單位像素中形成的光電 二才及管和MOS晶體管以通過開關方法(switching method)來順序 檢測每個單位像素的電學信號，從而實現(xiàn)圖像。該CMOS圖像傳感 器具有一種結(jié)構(gòu)，在該結(jié)構(gòu)中將光信號轉(zhuǎn)換為電信號的光電二極管 區(qū)設置在半導體襯底上，該光電二極管區(qū)平行于處理電信號的晶體 管區(qū)。才艮據(jù)橫向CMOS圖像傳感器(lateral CMOS image sensor )， 在村底上形成彼此相鄰的光電二極管和晶體管，其中橫向CMOS 圖像傳感器是CMOS圖像傳感器各種類型中的一種。然而，這種結(jié) 構(gòu)需要用于形成光電二極管的額外區(qū)域。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實施例涉及一種圖像傳感器的制造方法，該制造方法提
供了 CMOS電路和光電二極管的垂直集成。
本發(fā)明實施例涉及一種圖像傳感器的制造方法，該制造方法最 大化了分辨率和靈每丈度。
本發(fā)明實施例涉及一種圖像傳感器的制造方法，該制造方法使 用了垂直型光電二4及管，并且防止了串護G (crosstalk)和噪聲現(xiàn)象。
本發(fā)明實施例涉及一種方法，該方法可以包括以下之中的至少 之一在半導體襯底上方形成具有金屬線的層間絕緣膜；在包括金 屬線和層間絕緣膜的半導體襯底的上方形成下部電才及層；在下部電 極層的上方形成光刻膠圖樣，該光刻膠圖樣暴露部分層間絕緣膜； 使用光刻膠圖樣作為掩膜，通過刻蝕工藝形成與金屬線電連接的下 部電4及；^使用第 一物質(zhì)通過多*第 一處理(primary treatment)來去 除由于形成下部電極而產(chǎn)《的冗刻膠聚合物；以及然后使用第二物 質(zhì)通過實施第二處理(secondary treatment)來去除由于形成下部電 極而產(chǎn)生的電極聚合物。
本發(fā)明實施例涉及 一 種方法，該方法可以包括以下之中的至少 之一在半導體襯底的上方形成具有金屬線的層間絕緣膜；在包括 金屬線和層間絕緣膜的半導體襯底的上方形成金屬層；在下部電極 層的上方形成光刻膠圖樣；使用光刻膠圖樣作為掩膜，通過在金屬 層上實施刻蝕工藝來形成隔離開的并且與金屬線電連接的下部電 極；以及然后使用酸性溶液和堿性溶液中的至少一種，通過澤塔勢 能(zetapotential)來去除由于形成下部電4及而產(chǎn)生的光刻力交聚合物 和電極聚合物。本發(fā)明實施例涉及一種方法，該方法可以包括以下之中的至少
之一在半導體襯底上方形成氧化膜和氮化膜中的一種，其中在氧 化膜和氮化膜中的上述一種中具有金屬線；在包括金屬線以及氧化 膜和氮化膜中的上述一種的半導體襯底的上方形成金屬層；在金屬 層上方形成光刻膠圖樣，該光刻膠圖樣暴露了氧化膜和氮化膜中的 上述一種的一部分；使用光刻膠圖樣作為掩膜，通過在金屬層上實 施刻蝕工藝來在氧化月莫和氮化膜中的上述一種的上方形成隔離開 的并與金屬線電連4妄的下部電極；4吏用第一清洗物質(zhì)(first cleaning substance)實施第一清洗工藝以去除由于形成下部電極而產(chǎn)生的光 刻膠聚合物；使用不同于第 一 清洗物質(zhì)的第二清洗物質(zhì)實施第二清 洗工藝以去除由于形成下部電極而產(chǎn)生的電才及聚合物；以及然后， 在fU匕力莫和氮4匕3莫中的上述一種的暴露部分以及下部電4及上方形 成光電二極管，并且光電二極管接觸該暴露部分和下部電極。


實例圖1到圖11示出了用于解釋才艮據(jù)本發(fā)明實施例制造圖像 傳感器的方法的橫截面圖。
具體實施例方式
所屬領域的技術人員應了解，為了便于解釋和清楚，在附圖中 放大，省略，或者大致示出了各層的厚度或尺寸。各個元件的尺寸 也不會總是反映實際尺寸。
參考實例圖1,根據(jù)本發(fā)明實施例制造圖像傳感器的方法包括， 在半導體襯底io上和/或上方形成具有金屬線30的層間絕緣膜20。 在半導體襯底io中還可以形成限定有源區(qū)和場區(qū)的器件隔離膜。 在半導體襯底io的有源區(qū)中，晶體管可以形成在單位像素中，其 中該晶體管與將接收的光信號轉(zhuǎn)換成電信號的光電二極管電連接。
8例如，該晶體管可以是3Tr、 4Tr和5Tr中的任意一種。在半導體襯 底10上和/或上方形成層間絕*彖力莫20和用于連4妄至電源線(power line)或信號線的金屬線30。層間絕緣膜20可以由多個層形成。層 間絕緣膜20可以由氮化膜或氧化膜形成。
金屬線30穿過層間絕纟彖膜20并且包括金屬線M和插塞 (plug)。金屬線30用于將光電二極管產(chǎn)生的電子傳遞到位于金屬 線30下面的晶體管?？梢孕纬山饘倬€30以使其連接到雜質(zhì)摻雜區(qū)， 其中雜質(zhì)摻雜區(qū)形成在單位像素中的半導體襯底10下面。例如， 金屬線30可以由多種導電材料制成，該導電材料包括金屬、合金， 或自對準金屬石圭化物(salicide)，導電材料的實例包括鋁、銅、鈷 和鴒，但不限于此。在包括金屬線30的層間絕緣膜20上和/或上方 形成下部電極層40。例如，下部電極層40可以由金屬諸如鉻(Cr) 制成。在層間絕緣膜20的整個部分上方形成下部電極層40以使下 部電才及層40與金屬線30電連4妾。通過4吏用錄:轉(zhuǎn)工藝(spin process ) 在下部電極層40上和/或上方涂覆光刻膠膜，以及然后使用曝光掩 膜實施曝光工藝和顯影工藝，來在下部電才及層40上和/或上方形成 光刻月交圖樣100。光刻月交圖樣100可以覆蓋相應于金屬線30的下部 電才及層40,而暴露了其他區(qū)域。
參考實例圖2，然后在單位^像素區(qū)中的層間絕^J莫20上和/或 上方隔離開地形成下部電極45以使下部電極45分別電連接至金屬 線30。下部電極45相互隔離以便它們可以根據(jù)金屬線30的位置形 成在單位像素中。使用光刻膠圖樣IOO作為刻蝕掩膜通過濕法刻蝕 下部電4及層40可以形成下部電才及45 。例如，4吏用硝'酸鈰4妄(ceric ammonium nitrate X CAN )通過濕法刻蝕工藝可以形成下部電才及45。 因此，下部電才及45可以形成于層間絕多彖膜20上和/或上方并凈皮電連 接至金屬線30。同樣，可以隔離開下部電極45以選擇性地暴露層間絕緣膜20。特別地，形成的下部電極45越寬，在光電二極管上 可以積聚的光電荷(photocharge )的量越大。
參考實例圖3,可以通過灰化來去除光刻膠圖樣100。光刻膠 圖樣100 ^皮去除時所產(chǎn)生的聚合物可以粘附于下部電才及45的側(cè)壁 以防止灰化工藝損傷下部電極45。意味著，當使用光刻膠圖樣IOO 作為刻蝕掩膜來刻蝕下部電極45時，光刻月交圖樣100的殘留物和 用作下部電極45的聚合物諸如鉻殘留物(CrxOyNz，其中x， y和z 是自然數(shù))殘留在半導體襯底10上和/或上方。例如，光刻月交圖樣 100的殘留物稱為第一聚合物110，而下部電極45的殘留物稱為第 二聚合物120。當?shù)谝痪酆衔?10和第二聚合物120殘留在半導體 一于底10上和/或上方時，可能降^[氐器件的電學特性。特別地，它們 妨礙了從形成在下部電極45上和/或上方的光電二極管中產(chǎn)生的光 電子的運動，從而降低圖像特性。通常，可以通過將第一聚合物110 和第二聚合物120暴露至氯氣和氧氣來將它們?nèi)コ?。然而，?各(Cr ) 制成的下部電極45會與氧氣發(fā)生反應，因而可能被腐蝕。為了防 止這個問題，本發(fā)明實施例先去除第一聚合物110，隨后去除第二 聚合物120。
參考實例圖4，在半導體4于底10上實施第一處理(primary treatment)以去除第一聚合物110。意味著，第一處理是光刻膠殘
留物的去除工藝。第一處理是使用H2S04的濕法處理。這種使用
H2S04的第一處理在大約70°C至90°C之間范圍內(nèi)的溫度下持續(xù)了 在大約5分鐘至30分鐘之間范圍內(nèi)的時間段(time period )。據(jù)此， 可以/人半導體^j"底10上去除第一聚合物110。同時，還可以去除光
刻膠圖樣100。典型地，通過H2S04和H202的混合物來完成光刻 膠的去除，然而，H202可能腐蝕鉻。由于這個原因，本發(fā)明實施例
僅使用H2S04來去除光刻膠殘留物而不損傷下部電極45。參考實例圖5,在半導體襯底10上的第二處理(secondary treatment)去除了第二聚合物120，即，鉻殘留物。該第二處理是 使用三曱基-乙氧基-氫氧化銨
(trimethyl-oxyethyl-ammonium-hydroxide ) (TMH)的5顯'法處5里。 可以用化學式CH303N (CH2CH2OH) OH表示TMH。使用TMH 的第二處理在大約60°C至75°C之間范圍內(nèi)的溫度下持續(xù)了在大約 5分鐘至20分鐘之間范圍內(nèi)的時間^殳。結(jié)果，可以,人半導體襯底 IO上去除第二聚合物120。通過使用上述化學制品的第一處理和第 二處理，從半導體襯底10上去除了第一聚合物110和第二聚合物 120,即光刻膠殘留物和4各殘留物。特別地，由于第一處理和第二 處理都是^f吏用化學制品的濕法處理，所以防止了由4各制成的下部電 極45受到腐蝕。因此，可以在半導體襯底10上和/或上方形成無聚 合物的(polymer-free)下部電才及45。結(jié)果，/人半導體襯底10上去 除了造成圖像傳感器的光學特性和電學特性降低的光刻膠殘留物 和4各殘留物，并因而可以^使器件的可靠性最大化。
參考實例圖6,在包括層間絕緣層20和下部電極45的半導體 襯底10上和/或上方形成光電二極管50。例如，通過向晶體半導體 層(crystalline semiconductor layer)內(nèi)注入n型摻雜物和p型摻雜 物，以及然后使晶體半導體層粘附于包括層間絕緣層20和下部電 才及45的半導體襯底10來形成光電二4及管50。可選地，可以通過在 包4舌層間絕纟彖層20和下部電才及45的半導體坤十底10上和/或上方沉> 積非晶硅來形成光電二極管50。以這種方式，當形成光電二極管 50時，從光電二極管50中產(chǎn)生的光電子通過下部電極45轉(zhuǎn)移到單 位像素電路。特別地，根據(jù)本發(fā)明實施例，由于聚集光電子的下部 電才及45的表面已經(jīng)清除了不必要的雜質(zhì)，所以圖〗象傳感器的光學 特性可以#皮最佳4匕?？梢栽诠怆姸?及管50上/和或上方形成濾色器 (color filter )和微透鏡。根據(jù)本發(fā)明實施例，可以通過使光電二極 管形成在具有金屬線的半導體襯底上和/或上方來實現(xiàn)垂直集成。此外，光電二極管的垂直集成可以使填充系數(shù)(fill factor )接近100%。 而且，可以集成額外的片上電路(on-chip circuitry ), /人而4吏圖4象傳 感器的性能最佳化。通過去除不需要的雜質(zhì)諸如由形成下部電極而 產(chǎn)生的聚合物，可以實現(xiàn)器件的小型化，可以降低總體制造成本并 可以防止器件缺陷。
參考實例圖7， 一種根據(jù)本發(fā)明實施例的制造圖像傳感器的方 法可以包括在半導體襯底10上和/或上方形成具有金屬線30的層間 絕緣膜20。其次，在單位像素中形成下部電極45以使下部電極45 分別在層間絕緣膜20上和/或上方電連接至金屬線30。半導體襯底 10、金屬線30、層間絕緣膜20和下部電極45與以上參考實例圖1 和圖2所示和所述的那些一樣，因此，為了簡便，在此將省略對它 們的描述。如實例圖2中所述，可以Y吏用硝酸鈰銨(CAN)和采用 光刻力交圖樣100作為刻蝕掩膜通過濕法刻蝕工藝來形成下部電極 45。
如實例圖7中所示，在層間絕多彖膜20上和/或上方形成下部電 極45以4吏下部電才及45分別與金屬線30電連4妻。同樣，可以隔離 開下部電極45以選擇性地暴露層間絕緣膜20。特別地，下部電極 45越寬，光電二極管上積聚的光電荷的量越大。這樣，當通過使用 光刻月交圖樣100作為刻蝕4奄膜來刻蝕下部電才及45時，光刻月交圖樣 100的殘留物和用作下部電極45的聚合物諸如鉻殘留物(CrxOyNz, 其中x，y和z是自然數(shù))留在了半導體襯底10上和/或上方。例如， 光刻膠圖樣的殘留物稱為第一聚合物110，而下部電極45的殘留物 稱為第二聚合物120。當?shù)谝痪酆衔?10和第二聚合物120殘留在 半導體襯底10上和/或上方時，可能降低器件的電學特性。特別地， 聚合物妨礙了A^形成在下部電才及45上和/或上方的光電二^l管中產(chǎn) 生的光電子的運動，損害了圖像特性。根據(jù)本發(fā)明實施例，可以使
12用澤i荅勢能(zeta potential)來去除第一聚合物110和第二聚合物 120。
將參考實例圖8來解釋澤塔勢能。典型地，物質(zhì)具有其本身的 電荷。 一組分散或漂浮于溶液中的細小(fine)和特殊的孩i粒稱為 膠體(colloid )。當月交體存在于水溶液介質(zhì)中時，膠體會攜帶電荷， 并且大部分電荷是由于對水溶液的選擇性離子吸附而產(chǎn)生的。如實 例圖8所示，膠狀物質(zhì)具有負電荷。由于所有的膠體具有負的靜電 荷，他們趨于彼此排斥，產(chǎn)生排斥力，其可以是澤塔勢能。意味著， 當負電荷孩史粒(negatively charged particle )存在于水溶液中時，4也 們周周吸引陽離子，其稱為斯特恩層(Stem layer )。由于在斯特恩 層周圍的負電荷微粒的吸引力，進一步聚集了其他陽離子。這些陽 離子被試圖靠近斯特恩層和膠體的其他陽離子的排斥力推開。這種 動態(tài)平衡允許在斯特恩層的周圍形成擴散層，該擴散層具有的陽離 子濃度比陰離子濃度高。在微粒表面附近，斯特恩層周圍的陽離子 的濃度保持很高，但是隨著距離的增加該濃度逐漸減少，并且最終 與本體溶液(bulk solution )達到平衡狀態(tài)。斯特恩層和擴散層之間 的界限稱為剪切邊界(shear boundary),并且剪切邊界和本體溶液 之間的勢能差異稱為澤塔勢能。澤塔勢能具有至少以下特性。第一， pH值越高，負電荷中的澤塔勢能變得越強，而pH值越低，正電荷 中的澤塔勢能變得越強。第二，諸如金屬、氧化物、氮化物等等的 物質(zhì)通常具有正電荷。第三，如果澤塔勢能增加，則膠體達到穩(wěn)定 的平4軒態(tài)，然而反之，如果澤塔勢能減少，膠體趨于凝結(jié)。
如實例圖9中所示，為了利用具有上述特性的澤塔勢能，第一 聚合物110和第二聚合物120、下部電極45和層間絕緣膜20在產(chǎn) 生^^斥力的性質(zhì)(nature)方面應該相同。第一聚合物110 (即，光 刻膠殘留物)和第二聚合物120 (即，鉻殘留物CrxOyNz)具有負電 荷。同時，下部電極45由鉻形成，而層間絕緣膜20由氧化膜或氮化膜形成，以便下部電極45和層間絕緣膜20具有正電荷。因此， 層間絕鄉(xiāng)彖膜20和下部電才及45在高pH溶液(即，基液(base solution )) 中遭受預處理，以及然后遭受4吏用洗滌器(scrubber)的后處理 (post-processing )。意味著，對具有下部電極45的層間絕緣膜20 的預處理4吏用了具有pHj直在大約7至14之間范圍內(nèi)的基液。例如， 基液可以是具有CxHyHz-OH (其中，x、 y和z是自然數(shù))的堿性溶 液。由于基液具有負電荷，所以當用基液來預處理第一聚合物110 和第二聚合物120時，第一聚合物110和第二聚合物120從層間絕 鄉(xiāng)彖膜20的表面剝離(lift off )。
參考實例圖10，當洗滌器，尤其是MHz洗滌器用于后處理時， 可以去除第一聚合物110和第二聚合物120兩者。例如，在洗滌工 藝(scrubber process )中結(jié)合4吏用去離子7K ( deionized water ) ( DIW ) 和C02可以去除半導體襯底10上和/或上方所有殘留的聚合物。可 選地，層間絕緣膜20和下部電極45可以在低pH溶液(即，酸性 溶液)中經(jīng)受預處理，以及然后經(jīng)受〗吏用洗滌器的后處理。具體地， 對具有下部結(jié)構(gòu)45的層間絕纟彖膜20的預處理4吏用了 pH值在大約 1到6之間范圍內(nèi)的酸性溶液。例如，酸性溶液可以是具有MxCy-H (其中，x和y是自然lt)的任意酸性溶液。酸性溶液具有正電荷 的性質(zhì)，并且因此，當用酸性溶液來預處理第一聚合物110和第二 聚合物120時，第一聚合物110和第二聚合物120可以從層間絕緣 膜20的表面剝離。其次，當洗滌器，尤其是MHz洗滌器被用于后 處理時，可以去除第一聚合物110和第二聚合物120兩者。例如， 在洗滌工藝中DIW和C02的結(jié)合4吏用可以去除半導體4于底10上所 有殘留的聚合物。因此，可以在半導體4于底10上和/或上方形成無 聚合物的下部電極45。結(jié)果，從半導體襯底10去除了導致圖像傳 感器的光學特性和電學特性降低的光刻膠殘留物和鉻殘留物，使得 器件的可靠性可以#皮最大化。參考實例圖11,在包括層間絕緣層20和下部電極45的半導體 襯底10上和/或上方形成光電二極管50。例如，通過向晶體半導體 層注入進n型摻雜物和p型摻雜物，以及然后使晶體半導體層粘附 于包括層間絕緣層20和下部電極45的半導體襯底10上和/或上方 來形成光電二極管50?？蛇x地，可以通過在層間絕緣膜20和下部 電極45上和/或上方沉積非晶硅來形成光電二極管50。當形成光電 二才及管50時，乂人光電二才及管50中產(chǎn)生的光電子通過下部電才及45 轉(zhuǎn)移到單位像素電路。根據(jù)本發(fā)明實施例，由于聚集光電子的下部 電極45的表面已經(jīng)變得4艮干凈，所以可以4是高圖像傳感器的光學 特性?？梢栽诠怆姸?f及管50上形成濾色器和樣i透^:。
根據(jù)本發(fā)明實施例，通過在具有金屬線的半導體襯底上和/或上 方形成光電二才及管，可以實現(xiàn)垂直集成。另外，光電二才及管的垂直 集成可以^吏填充系教:4妄近100%。此外，可以集成的額外片上電^各 能夠使圖像傳感器的性能最佳化，并進一步實現(xiàn)器件的小型化以及 降低制造成本。此外，因為通過澤塔勢能去除了在下部電極圖樣化 期間所產(chǎn)生的聚合物，所以沒有損壞下部電極。在像素尺寸相同的 條件下，垂直集成還可以提供比其他沖支術更高的靈每文度。每個單位 像素可以被設置具有更復雜的電路而不降低敏感度。而且，通過增 加單位像素內(nèi)的光電二極管的表面區(qū)域，可以使圖像傳感器的光敏 度(photosensitivity )最大化。另外，通過去除可能降低光電二極管 的光學特性的聚合物，可以使器件的圖像特性最佳化。
盡管本文中描述了多個實施例，j旦是應該理解，本領域才支術人 員可以想到多種其他修改和實施例，他們都將落入本公開原則的精 神和范圍內(nèi)。更特別地，在本/>開、附圖、以及所附4又利要求的范
^f奮改和改變。除了纟且成部分和/或4非列方面的》務改和改變以外，可以 選的4吏用對本領域才支術人員來"i兌也是顯而易見的選擇。
權利要求
1. 一種方法，包括在半導體襯底上方形成具有金屬線的層間絕緣膜；在包括所述金屬線和所述層間絕緣膜的所述半導體襯底上方形成下部電極層；在所述下部電極層上方形成暴露部分所述層間絕緣膜的光刻膠圖樣；使用所述光刻膠圖樣作為掩膜通過刻蝕工藝來形成電連接至所述金屬線的下部電極；通過使用第一物質(zhì)實施第一處理來去除由于形成所述下部電極而產(chǎn)生的光刻膠聚合物；以及然后通過使用第二物質(zhì)實施第二處理來去除由于形成所述下部電極而產(chǎn)生的電極聚合物。
2. 根據(jù)權利要求1所述的方法，在去除所述電極聚合物后，進一 步包括在所述層間絕纟彖膜的所述暴露部分以及所述下部電才及上 方形成光電二才及管，并且所述光電二才及管與所述暴露部分和所 述下部電相j婁觸。
3. 才艮據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述下部電極包括鉻材料。
4. 根據(jù)權利要求3所述的方法，其中，所述電極聚合物包括鉻基(CrxOyNz)殘留物。
5. 根據(jù)權利要求4所述的方法，其中，所述鉻基殘留物包括氮氧 化鉻。
6. 根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，通過濕法刻蝕所述下部電 才及層來形成所述下部電才及。
7. 根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述濕法刻蝕使用硝酸鈰 銨。
8. 根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述第一處理使用石克酸(H2S04)來去除所述光刻膠聚合物。
9. 根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述第二處理使用三甲基 -乙氧基-氫氧化銨來去除所述電極聚合物。
10. —種方法，包4舌在半導體襯底上方形成具有金屬線的層間絕緣膜；在包括所述金屬線和所述層間絕纟彖膜的所述半導體襯底 上方形成金屬層；在所述下部電4及層上方形成光刻力交圖樣；使用所述光刻膠圖樣作為掩膜，通過在所述金屬層上實 施刻蝕工藝來形成隔離開的并與所述金屬線電連接的下部電 才及；以及然后4吏用酸性:容液和石威性溶液中的至少一種通過澤〗荅勢能來 去除光刻膠聚合物和電極聚合物，所述光刻膠聚合物和所述電 才及聚合物是由所述下部電4及的形成而產(chǎn)生的。
11. 沖艮據(jù)權利要求10所述的方法，其中，所述層間絕緣膜和所述下部電極具有正電荷，而所述光刻膠和所述電極聚合物具有負 電荷。
12. 4艮據(jù)權利要求11所述的方法，其中，所述酸性溶液包括含有 MxCy-H的4b學制 品。
13. 根據(jù)權利要求11所述的方法，其中，所述堿性溶液包括含有 MxHyNz-OH的4匕學制品。
14. 根據(jù)權利要求11所述的方法，在去除所述聚合物之后，進一 步包括實施;先、/條工藝。
15. 4艮據(jù)權利要求14所述的方法，其中，在有二氧化碳C02和去 離子水的情況下實施所述洗滌工藝。
16. 根據(jù)權利要求11所述的方法，其中所述金屬層包括鉻。
17. —種方法，包4舌在半導體襯底上方形成氧化膜和氮化膜中的一種，所述 氧化膜和所述氮化膜中的所述一種具有形成于其中的金屬線；在包括所述氧化膜與所述氮化膜中的所述一種以及所述 金屬線的所述半導體襯底上方形成金屬層；在所述金屬層上方形成光刻膠圖樣，所述光刻膠圖樣暴 露所述氧化膜和所述氮化膜中的所述一種的一部分；使用所述光刻膠圖樣作為掩膜，通過在所述金屬層上實 施刻蝕工藝來在所述氧化膜和所述氮化膜中的所述一種上方 形成隔離開的并電連接至所述金屬線的下部電極；使用第 一 清洗物質(zhì)來實施第 一 清洗工藝以去除由于所述下部電的形成而產(chǎn)生的光刻月交聚合物；-使用不同于所述第一清洗物質(zhì)的第二清洗物質(zhì)來實施第 二清洗工藝以去除由于所述下部電極的形成而產(chǎn)生的電極聚 合物；以及然后在所述氧化膜和所述氮化膜中的所述一種的所述暴露部 分以及所述下部電極上方形成光電二才及管，并且所述光電二極 管與所述暴露部分和所述下部電極接觸。
18. 根據(jù)權利要求17所述的方法，其中，所述金屬層包括鉻。
19. 才艮據(jù)^L利要求17所述的方法，其中，所述第一清洗物質(zhì)包括 硫酸(H2S04)。
20. 才艮據(jù)權利要求17所述的方法，其中，所述第二清洗物質(zhì)包括 三甲基-乙氧基-氫氧化銨。
全文摘要
一種圖像傳感器的制造方法，包括在半導體襯底上方形成下部電極，其中該半導體襯底具有形成于其上方的金屬線和層間絕緣膜；通過使用第一物質(zhì)實施第一處理來去除由形成下部電極而產(chǎn)生的光刻膠聚合物；以及然后通過使用第二物質(zhì)實施第二處理來去除由形成下部電極而產(chǎn)生的電極聚合物。
文檔編號H01L21/822GK101471298SQ20081017901
公開日2009年7月1日 申請日期2008年11月21日 優(yōu)先權日2007年12月27日
發(fā)明者鄭沖耕 申請人:東部高科股份有限公司