專利名稱：抗晃電延時(shí)釋放接觸器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種接觸器，尤其是涉及一種具有抗晃電延時(shí)釋放功能的 接觸器，屬于交直流接觸器、繼電器、高低壓斷路器類電路開(kāi)關(guān)控制器件技術(shù) 領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
永磁式接觸器由于具有故障源少、噪音小、操作能耗低等顯著優(yōu)點(diǎn)，近年 來(lái)受到普遍關(guān)注。其典型結(jié)構(gòu)為在磁軛構(gòu)成的殼架中安裝永磁體和電磁線圈， 線圈中安置可在兩個(gè)穩(wěn)定位置間運(yùn)動(dòng)的銜鐵，通過(guò)脈沖勵(lì)磁電路對(duì)可控硅控制 電容的充放電，使在電磁線圈上產(chǎn)生正、反電脈沖，進(jìn)而分別產(chǎn)生與永久磁鐵 同向或反向的磁場(chǎng)時(shí)，銜鐵將分別運(yùn)動(dòng)到兩穩(wěn)定位置，從而帶動(dòng)執(zhí)行構(gòu)件實(shí)現(xiàn) 所需的電路分、合控制。
圖1是現(xiàn)有技術(shù)的永磁式接觸器脈沖勵(lì)磁電路原理圖，如圖1所示，現(xiàn)有 的永磁式接觸器的脈沖勵(lì)磁電路，主要包括整流電路、第一壓敏電阻觸發(fā)電路、 第二壓敏電阻取樣電路、三極管放大電路、線圈電容串聯(lián)成的充放電電路、以 及可控硅正反向脈沖勵(lì)磁回路；整流電路的輸出接觸發(fā)電路，觸發(fā)電路跨接在 正向勵(lì)磁可控硅DG1的正極和觸發(fā)極之間；正向勵(lì)磁可控硅DG1的輸出通過(guò)充 放電電路的線圈L和電容C4、 C5構(gòu)成正向勵(lì)磁回路；第二壓敏電阻YR2的標(biāo)定 電壓要小于第一壓敏電阻YR1，整流電路的輸出接取樣電路，取樣電路的輸出接 放大電路三極管Q1的基極，放大電路跨接在反向勵(lì)磁可控硅DG2的負(fù)極和觸發(fā) 極之間，反向勵(lì)磁可控硅DG2的輸出通過(guò)充放電電路的電容C4、 C5和線圈L構(gòu) 成反向勵(lì)磁回路。
上述脈沖勵(lì)磁電路借助取樣電路控制的三極管Ql鉗位反向勵(lì)磁可控硅DG2 ， 并利用第一壓敏電阻YR1和第二壓敏電阻YR2的差值，確保了在執(zhí)行構(gòu)件分、 合操作中正、反電脈沖的可控硅不會(huì)同時(shí)導(dǎo)通，保證了脈沖勵(lì)磁電路的可靠性 及抗干擾能力；其次，通過(guò)銜鐵、磁軛結(jié)構(gòu)以及運(yùn)動(dòng)位置關(guān)系的改變，簡(jiǎn)化了
結(jié)構(gòu)，保證了操動(dòng)機(jī)構(gòu)合閘控制位置狀態(tài)的穩(wěn)定可靠。
雖然上述的永磁式接觸器脈沖勵(lì)磁電路具有諸多優(yōu)點(diǎn)，但是由于電路中電 容C3容量較小，只能起到濾波作用，在電路突然瞬間斷電的情況下，其向外釋
放的電量較小，不能維持三極管Q1基級(jí)的電壓，反向可控硅DG2因電壓降低而 導(dǎo)通，使得接觸器立即釋放，抗晃電(電路瞬時(shí)斷電)功能較差。
實(shí)用新型內(nèi)容
為解決上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實(shí)用新型的目的在于提供一種具有較好的 抗晃電功能的接觸器，可以控制接觸器延時(shí)釋放。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型是通過(guò)以下的技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的
一種抗晃電延時(shí)釋放接觸器，包括永磁體、磁軛、線圈、銜鐵和脈沖勵(lì)磁 電路，所述的脈沖勵(lì)磁電路包括整流電路、第一壓敏電阻觸發(fā)電路、第二壓敏 電阻取樣電路、三極管放大電路、線圈電容串聯(lián)成的充放電電路、以及可控硅 正反向脈沖勵(lì)磁回路；整流電路的輸出接觸發(fā)電路，觸發(fā)電路跨接在正向勵(lì)磁 可控硅的正極和觸發(fā)極之間；正向勵(lì)磁可控硅的輸出通過(guò)充放電電路的線圈和 電容構(gòu)成正向勵(lì)磁回路；第二壓敏電阻的標(biāo)定電壓要小于第一壓敏電阻，整流 電路的輸出接取樣電路，取樣電路的輸出接放大電路三極管的基極，放大電路 跨接在反向勵(lì)磁可控硅的負(fù)極和觸發(fā)極之間，反向勵(lì)磁可控硅的輸出通過(guò)充放 電電路的電容和線圈構(gòu)成反向勵(lì)磁回路；其特征在于在所述的脈沖勵(lì)磁電路的 取樣電路中增設(shè)兩個(gè)電容，所述增設(shè)的兩個(gè)電容與原來(lái)的電容并聯(lián)。
前述的抗晃電延時(shí)釋放接觸器，其特征在于所述的增設(shè)的兩個(gè)電容的容量 大于原來(lái)的電容的容量。
前述的抗晃電延時(shí)釋放接觸器，其特征在于所述取樣電路輸入端與地之間 接電阻構(gòu)成的吸收電網(wǎng)干擾雜波電路。
前述的抗晃電延時(shí)釋放接觸器，其特征在于所述正向勵(lì)磁可控硅的負(fù)極和 觸發(fā)極之間接反向偏壓二極管。
前述的抗晃電延時(shí)釋放接觸器，其特征在于所述正向勵(lì)磁可控硅與線圈旁 并聯(lián)用以保持放電電壓的電阻。
前述的抗晃電延時(shí)釋放接觸器，其特征在于所述線圈兩端并聯(lián)第三壓敏電
4 阻。
前述的抗晃電延時(shí)釋放接觸器，其特征在于所述充放電電路的電容旁分別 并聯(lián)一只電阻。
工作中，當(dāng)電源電壓超過(guò)觸發(fā)電路第一壓敏電阻的標(biāo)定電壓時(shí)，正向勵(lì)磁 可控硅導(dǎo)通，線圈充電勵(lì)磁，接觸器的銜鐵工作到吸合位置，實(shí)現(xiàn)所需的電路 合閘控制，電容充滿后，觸發(fā)電路失壓，正向勵(lì)磁可控硅截止，停止充電勵(lì)磁， 此時(shí)取樣電路必然使放大電路導(dǎo)通，從而確保反向勵(lì)磁可控硅截止，此后即使 電源電壓在一定范圍波動(dòng)，封閉磁回路也能保持銜鐵的穩(wěn)態(tài)合閘；當(dāng)電源電壓 低于預(yù)定值或斷電時(shí)，取樣電路可使放大電路截止，從而使反向勵(lì)磁可控硅導(dǎo) 通，電容放電，使線圈反向勵(lì)磁，銜鐵運(yùn)動(dòng)到另一穩(wěn)態(tài)位置，實(shí)現(xiàn)所需的電路
分閘控制，此時(shí)正向勵(lì)磁可控硅必然截止。當(dāng)電路突然斷電時(shí)，增設(shè)的電容C31、 C32 (容量較大)向外放電，維持三極管Ql的基級(jí)電壓，反向勵(lì)磁可控硅DG2 不能導(dǎo)通，接觸器保持吸合狀態(tài)。當(dāng)電容的電量放完后，三極管Q1基級(jí)失電， 反向勵(lì)磁可控硅DG2導(dǎo)通，接觸器釋放。如果在電容C31、 C32沒(méi)有放電完畢的 情況下，電路恢復(fù)供電，由于三極管Q1基級(jí)始終有取樣電壓，接觸器始終處于 吸合狀態(tài)，對(duì)電路的瞬時(shí)斷電(晃電)有很好的抗拒作用，保證電路的工作正 常。
本實(shí)用新型的有益效果是本實(shí)用新型通過(guò)在取樣電路中增設(shè)容量較大的 電容，在電路突然斷電的情況下，延長(zhǎng)放電時(shí)間，延時(shí)釋放接觸器，對(duì)于電路 的瞬時(shí)斷電有很好的抗拒作用，與現(xiàn)有同類產(chǎn)品相比，可靠性、穩(wěn)定性顯著提 高。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)的永磁式接觸器脈沖勵(lì)磁電路原理圖； 圖2為本實(shí)用新型的永磁式接觸器脈沖勵(lì)磁電路原理圖。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說(shuō)明。
圖2為本實(shí)用新型的永磁式接觸器脈沖勵(lì)磁電路原理圖。如圖2所示，本 實(shí)用新型的抗晃電延時(shí)釋放接觸器，包括磁軛、線圈、銜鐵和脈沖勵(lì)磁電路。
脈沖勵(lì)磁電路中，四只二極管Dl-D4組成橋式整流電路，整流電路的輸出接限 流電阻R13與第一壓敏電阻YR1串聯(lián)構(gòu)成的觸發(fā)電路，該觸發(fā)電路跨接在正向 勵(lì)磁可控硅DG1的正極和觸發(fā)極之間，該正向勵(lì)磁可控硅DG1的輸出與串聯(lián)的 線圈L和充放電電容C4、 C5構(gòu)成正向勵(lì)磁回路。此外，整流電路的輸出還接按 序串聯(lián)的第二壓敏電阻YR2、 二極管D9、電阻R14構(gòu)成的取樣電路(YR2的標(biāo)定 值小于YR1)，該取樣電路的輸出接放大電路三極管Q1的基極，該三極管QI的 集電極和發(fā)射極跨接在反向勵(lì)磁可控硅DG2的觸發(fā)極和負(fù)極之間，串聯(lián)的充放 電電容C4、 C5和線圈L通過(guò)二極管D7、電阻R4、 二極管D8以及電阻R5、 R6 與反向勵(lì)磁可控硅DG2構(gòu)成反向勵(lì)磁回路。此外，在取樣電路中，增設(shè)兩個(gè)容 量較大的電容C31、 C32，與原來(lái)的電容C3并聯(lián)。
工作中，當(dāng)控制電壓高于預(yù)定值(例如為150V)時(shí)，第一壓敏電阻YR1被 擊穿，觸發(fā)電流從圖2中A—D5—R13—YR1—DG1觸發(fā)極，使正向勵(lì)磁可控硅DG1 導(dǎo)通，正向勵(lì)磁電流通過(guò)A點(diǎn)一D6—L—C4—C5—B點(diǎn)，結(jié)果脈沖勵(lì)磁電路向接 觸器的線圈加正向勵(lì)磁電流，銜鐵吸合；此后正向勵(lì)磁可控硅DG1因充放電電 容C4、 C5充滿電而快速截止，從而保持穩(wěn)定的吸合狀態(tài)。以上過(guò)程中，由于第 二壓敏電阻YR2先擊穿，因此通過(guò)三極管Ql保證反向勵(lì)磁可控硅DG2可靠截止。
當(dāng)控制電壓低于標(biāo)定值(例如為100V )或?yàn)榱銜r(shí)，第二壓敏電阻YR2不擊 穿，三極管Ql因無(wú)基極電流而迅速進(jìn)入截止?fàn)顟B(tài)，充放電電容C4、 C5兩端電 壓加到反向勵(lì)磁可控硅DG2上，使反向勵(lì)磁可控硅DG2導(dǎo)通，反向勵(lì)磁電流從 圖2中C4—L—D7—D8—R5—R6—DG2—C5—C4，向接觸器的線圈加反向脈沖電 流，使銜鐵分?jǐn)?，并且保持分?jǐn)鄷r(shí)的穩(wěn)定狀態(tài)。以上過(guò)程中，正向勵(lì)磁可控硅 DG1始終保持截止?fàn)顟B(tài)。
當(dāng)電路突然斷電時(shí)，增設(shè)的電容C31、 C32向外放電，維持三極管Q1的基 級(jí)電壓，反向勵(lì)磁可控硅DG2不能導(dǎo)通，接觸器保持系和狀態(tài)。當(dāng)電容的電量 放完后，三極管Q1基級(jí)失電，反向勵(lì)磁可控硅DG2導(dǎo)通，接觸器釋放。如果在 電容C31、 C32沒(méi)有放電完畢的情況下，電路恢復(fù)供電，由于三極管Q1基級(jí)始 終有取樣電壓，接觸器始終處于吸合狀態(tài)，對(duì)電路的瞬時(shí)斷電(晃電)有很好 的抗拒作用，保證電路的工作正常。同時(shí)電容C31、 C32的容量大小可以根據(jù)延
時(shí)釋放時(shí)間的長(zhǎng)短需要來(lái)進(jìn)行選擇，滿足各種不同的需要，適用面廣。 此外，以上電路還具有如下特點(diǎn)
1、 取樣電路輸入端與地之間接串聯(lián)電阻Rl、 R2構(gòu)成的吸收電網(wǎng)干擾雜波 電路，用于吸收電網(wǎng)干擾雜波，從而增強(qiáng)整個(gè)電路的抗干擾能力；
2、 在正向勵(lì)磁可控硅DG1的負(fù)極和觸發(fā)極之間接二極管D6、 D7，因此在電 容放電反向勵(lì)磁時(shí)，可以在正向勵(lì)磁可控硅DG1因其負(fù)極和觸發(fā)極之間有一反 偏電壓而進(jìn)一步保證截止；
3、 線圈L兩端并聯(lián)第三壓敏電阻YR3，可以防止因正向勵(lì)磁可控硅DG1快 速截止而產(chǎn)生在線圈兩端的過(guò)電壓損壞電子元件；
4、 在充放電電容C4、 C5旁各并聯(lián)一只電阻Rll、 R12，以避免電容均壓不 等而導(dǎo)致其中之一過(guò)電壓； '
5、 正向勵(lì)磁可控硅DG1與線圈L旁并聯(lián)阻值較大的電阻R3，可以彌補(bǔ)損耗， 保持充放電電容C4、 C5具有足夠的放電電壓。
除上述實(shí)施例外，本實(shí)用新型還可以有其他實(shí)施方式。凡采用等同替換或 等效變換形成的技術(shù)方案，均落在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1、抗晃電延時(shí)釋放接觸器，包括永磁體、磁軛、線圈、銜鐵和脈沖勵(lì)磁電路，所述的脈沖勵(lì)磁電路包括整流電路、第一壓敏電阻觸發(fā)電路、第二壓敏電阻取樣電路、三極管放大電路、線圈電容串聯(lián)成的充放電電路、以及可控硅正反向脈沖勵(lì)磁回路；整流電路的輸出接觸發(fā)電路，觸發(fā)電路跨接在正向勵(lì)磁可控硅的正極和觸發(fā)極之間；正向勵(lì)磁可控硅的輸出通過(guò)充放電電路的線圈和電容構(gòu)成正向勵(lì)磁回路；第二壓敏電阻的標(biāo)定電壓要小于第一壓敏電阻，整流電路的輸出接取樣電路，取樣電路的輸出接放大電路三極管的基極，放大電路跨接在反向勵(lì)磁可控硅的負(fù)極和觸發(fā)極之間，反向勵(lì)磁可控硅的輸出通過(guò)充放電電路的電容和線圈構(gòu)成反向勵(lì)磁回路；其特征在于在所述的脈沖勵(lì)磁電路的取樣電路中增設(shè)兩個(gè)電容，所述增設(shè)的兩個(gè)電容與原來(lái)的電容并聯(lián)。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的抗晃電延時(shí)釋放接觸器，其特征在于所述的增設(shè) 的兩個(gè)電容的容量大于原來(lái)的電容的容量。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的抗晃電延時(shí)釋放接觸器，其特征在于所述取 樣電路輸入端與地之間接電阻構(gòu)成的吸收電網(wǎng)干擾雜波電路。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的抗晃電延時(shí)釋放接觸器，其特征在于所述正 向勵(lì)磁可控硅的負(fù)極和觸發(fā)極之間接反向偏壓二極管。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的抗晃電延時(shí)釋放接觸器，其特征在于所述正 向勵(lì)磁可控硅與線圈旁并聯(lián)用以保持放電電壓的電阻。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的抗晃電延時(shí)釋放接觸器，其特征在于所述線 圈兩端并聯(lián)第三壓敏電阻。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的抗晃電延時(shí)釋放接觸器，其特征在于所述充 放電電路的電容旁分別并聯(lián)一只電阻。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種抗晃電延時(shí)釋放接觸器，包括永磁體、磁軛、線圈、銜鐵和脈沖勵(lì)磁電路，所述的脈沖勵(lì)磁電路包括整流電路、第一壓敏電阻觸發(fā)電路、第二壓敏電阻取樣電路等；其特征在于在所述的脈沖勵(lì)磁電路的取樣電路中增設(shè)兩個(gè)電容，所述增設(shè)的兩個(gè)電容與原來(lái)的電容并聯(lián)。所述的增設(shè)的兩個(gè)電容的容量大于原來(lái)的電容的容量。本實(shí)用新型通過(guò)在取樣電路中增設(shè)容量較大的電容，在電路突然斷電的情況下，延長(zhǎng)放電時(shí)間，延時(shí)釋放接觸器，對(duì)于電路的瞬時(shí)斷電有很好的抗拒作用，與現(xiàn)有同類產(chǎn)品相比，可靠性、穩(wěn)定性顯著提高。
文檔編號(hào)H01H51/01GK201191587SQ20082003114
公開(kāi)日2009年2月4日 申請(qǐng)日期2008年1月29日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月29日
發(fā)明者吳紀(jì)福, 張春榮, 力 蔣 申請(qǐng)人:江蘇中金電器設(shè)備有限公司