專利名稱：一種半導(dǎo)體整流器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及功率半導(dǎo)體MOS器件，特別涉及一種半導(dǎo)體整流器件。 這種MOS器件保留了肖特基勢壘整流二極管的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)具有正向快速導(dǎo) 通，反向漏電4氐，導(dǎo)通電壓Vf可由離子注入劑量調(diào)節(jié)等特點(diǎn)。另外，該器件 不需要?jiǎng)輭举F金屬，可以采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS硅工藝制作，因此器件的可靠性較 高而成本可以大大降低。
技術(shù)背景肖特基勢壘整流二極管是以貴金屬(如金、銀、鉑、鈦、鎳、鉬等)A為 正極，N型半導(dǎo)體B為負(fù)極，在二者接觸面上形成具有整流特性的異質(zhì)結(jié)勢 壘而制成的一種半導(dǎo)體器件。其工作原理是:N型半導(dǎo)體中存在著大量的電子， 貴金屬中僅有極少量的自由電子，所以電子^t從濃度高的B中向濃度低的A 中擴(kuò)散。金屬A中沒有空穴，也就不存在空穴自A向B的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。隨著電 子不斷從B擴(kuò)散到A， B表面上的電子沐JL^面逐漸降低，表面電中性被破 壞，于是就形成內(nèi)建電場，方向?yàn)锽—A。在該電場作用之下，A中的電子也 會(huì)產(chǎn)生從A —B的漂移運(yùn)動(dòng)，從而削弱了由于擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)而形成的電場.當(dāng)建立 起一定寬度的空間電荷區(qū)后，電場引起的電子漂移運(yùn)動(dòng)和濃度不同引起的電 子擴(kuò)^t運(yùn)動(dòng)達(dá)到相對的平衡，便形成了肖特基勢壘。如圖1-6所示，典型的肖特基整流二統(tǒng)管是以N-/N+型半導(dǎo)體外a片為基礎(chǔ)，在其上表面淀積陽極(阻檔層)金屬，例如鉑金等，經(jīng)過密切接觸以后便形成肖特基勢壘；當(dāng)肖特基整流4管兩端加上正偏壓時(shí)，金屬A和N型基片B分別接電源的正、負(fù)極，此時(shí)勢壘寬度W變窄；反之，加負(fù)偏壓時(shí)，勢壘寬度W則增加.由此可見，肖特基勢壘結(jié)構(gòu)具有類似于晶體^fel管的整流效應(yīng)，所以又稱作肖特基勢壘整流二極管。近年來，隨著功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和制造工藝技術(shù)的飛iiXIL人們設(shè)計(jì)和制 造了各種各樣的肖特基勢壘整流二極管.由于低功耗、超高速，它被廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、變頻器、驅(qū)動(dòng)器，探測，防護(hù)或微波通信等電路領(lǐng)域，作為 高頻、低壓、大電流的整流二極管、續(xù)流二極管、保護(hù)二極管、小信號(hào)檢波 二極管等。但是，有時(shí)因?yàn)樾枰^高的勢壘特性，必須使用特殊的勢壘金屬，如貴金 屬鉑等，因而導(dǎo)致其制造工藝存在以下不足之處1) 由于勢壘是由勢壘金屬與N型半導(dǎo)體的異質(zhì)結(jié)構(gòu)成，其相應(yīng)的正向?qū)?通閾值電壓Vf主要由勢壘高度決定，而為滿足各種各樣的Vf需求在制造中 需要調(diào)節(jié)勢壘高度，勢必需要調(diào)節(jié)勢壘金屬組成及形成，從而導(dǎo)致工藝復(fù)雜 化而難以滿足多樣性需求；2) 肖特基勢壘整流二極管存在因漏電流較大而導(dǎo)it良向功耗較高，并且 此問題隨溫度升高而加劇，從而引發(fā)電源可靠性問題；3) 如果使用重金屬，由于沾污問題，其制作與普通CMOS工藝難兼容；4) 如果使用貴金屬材料，則制作成本高；為此，如何保留肖特基勢壘整流二敗管的優(yōu)點(diǎn)，克ISJi述不足是一些相關(guān) 實(shí)用新型著重研究的課題.目前中國專利CN1248298C公開了 一種《制造半導(dǎo)體整流器件的方法及所 得器件》，其發(fā)明的基本思想在于 一種垂直半導(dǎo)體整流器件，由一等效的PN 結(jié)和垂直MOS管并WBL成；在加正向電壓時(shí)，由于并聯(lián)的垂直MOS管柵漏 短接，使其溝道快速開啟，從而使整個(gè)器件能在較低電壓下導(dǎo)通，提高了開 關(guān)iiA,在加反向電壓時(shí)，MOS管柵源短接，MOS管截止，與MOS管并聯(lián) 的PN結(jié)負(fù)擔(dān)反向偏壓，反向漏電流由PN結(jié)決定。該器件具有較短的平緩的 溝道摻雜區(qū)，從而改善了上部源/漏N+區(qū)與溝道P-區(qū)形成的PN的特性，提 高了有效電流密度，降低了大電流工作狀態(tài)下的JFET效應(yīng).然而，如圖7所示，由于垂直MOS管的上部源/漏N+區(qū)24面積較大，而 且位于等效的PN結(jié)區(qū)66上方，因此存在以下問題一是對于等效的PN結(jié)區(qū)66，由于其上方有上部源/漏N+區(qū)24存在，M 往下看便形成了上電極32、上部源/漏N+區(qū)24、第二P-擴(kuò)散區(qū)42、 N-外 延層22/N+襯底層20和下電極34串聯(lián)結(jié)構(gòu)，等效于一NPN三極管，而非單 純的PN結(jié)，導(dǎo)致固有的容抗和阻抗寄生效應(yīng)較大；二是一對于垂直MOS管，由于上部源/漏N+區(qū)24位于等效的PN結(jié)區(qū)66 和溝道緩變PN結(jié)36上方，此垂直MOS管的源/漏N+區(qū)等效結(jié)面積相應(yīng)較大， 因而結(jié)反向漏電流也較大，導(dǎo)致反向功耗依然較高。 發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型揭:供一種半導(dǎo)體整流器件，其目的是為了解決垂直MOS管的 上部源/漏N+區(qū)面積較大以及分布不合理所帶來的問題。為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是 一種半導(dǎo)體整流器件， 在俯視平面上，該器件有源區(qū)包含排布的各個(gè)整流單元；各個(gè)整流單元通過上、下電極并聯(lián)成整體；其中，每個(gè)整流單元由PN結(jié)區(qū)與垂直半導(dǎo)體MOS 管區(qū)相鄰組合而成；其創(chuàng)新在于在截面上，所述PN結(jié)區(qū)自上而下由上電極、第二 P -擴(kuò)散區(qū)、N —外延層、 N+襯底層和下電極構(gòu)成；其中，第二P-擴(kuò)散區(qū)與N-外延層形成PN結(jié)^fel 管；在截面上，所述垂直半導(dǎo)體MOS管區(qū)自上而下由上電極、多晶珪層、柵 氧化層、上部源/漏區(qū)、溝道區(qū)、作為下部漏/源區(qū)的N-外l^/N+襯底層和 下電極構(gòu)成；其中，垂直半導(dǎo)體MOS管區(qū)的上電極與PN結(jié)區(qū)的上電;febl同 一制造層，相應(yīng)的N-夕卜延層、N+襯底層和下電極亦分別屬于同一制造層； 經(jīng)過挖砝腐蝕后殘留的上部源/漏區(qū)位于柵電極的側(cè)面下方區(qū)域，上部源/漏區(qū) 的上方與柵氧化層接觸，靠PN結(jié)區(qū)一側(cè)的端面與上電極接觸，上部源/漏區(qū) 的另一側(cè)及下方與溝道區(qū)相連；溝道區(qū)的上方與柵氧化層接觸，另一側(cè)及下 方與N-外延區(qū)相連；所述垂直半導(dǎo)體MOS管區(qū)與PN結(jié)二改管區(qū)通過上、下電極并聯(lián)形成一 個(gè)復(fù)合結(jié)構(gòu)的整流單元。上述技術(shù)方案中的有關(guān)內(nèi)容解釋如下1. 上述方案中，所述"上部源/漏區(qū)"是指位于半導(dǎo)M片正面的N+區(qū)， 作為垂直MOS管的上部源或漏；所述"下部漏/源區(qū)"；1指位于半導(dǎo)M片 背面的N+區(qū)，作為垂直MOS管的下部漏或源。2. 上述方案中，垂直MOS管區(qū)在施加正向電壓時(shí)，上部源/漏區(qū)(N+區(qū)) 為漏極，下部漏/源區(qū)(N+襯底層)為源極，多晶珪層為柵極，第二P-擴(kuò)散 區(qū)表面為溝道形成區(qū)；垂直MOS管區(qū)在施加反向電壓時(shí)，上部源/漏區(qū)(N+ 區(qū))為源極，下部漏/源區(qū)(N+襯底層)為漏極，多晶硅層為柵極，第二P-擴(kuò)散區(qū)表面為溝道形成區(qū)，以此構(gòu)成垂直MOS管。3. 上述方案中，為了保護(hù)半導(dǎo)體器件，在俯視平面上，該器件有源區(qū)包 含排布的一個(gè)以上的保護(hù)4管；該保護(hù)二極管由P型雜質(zhì)注入推結(jié)后的第 一 P -擴(kuò)散區(qū)與N —外延層形成的PN結(jié)構(gòu)成.4. 上述方案中，為了保護(hù)半導(dǎo)體器件，在俯視平面上，該器件有源區(qū)外 圍設(shè)有至少一個(gè)保護(hù)環(huán);該保護(hù)環(huán)由P型雜質(zhì)注入推結(jié)后的第一 P —擴(kuò)散區(qū)與 N -外延層形成的PN結(jié)構(gòu)成。由于上述技術(shù)方案的運(yùn)用，本實(shí)用新型與中國專利CN1248298C相比具有 下列優(yōu)點(diǎn)和效果1. 本實(shí)用新型采用了挖硅腐蝕工藝，去除了多晶硅光刻腐蝕之后暴露出來的N+注入?yún)^(qū)，對于等效PN結(jié)區(qū)來說，其結(jié)果是用單一的PN結(jié)替代了原 來的NPN管，所以本實(shí)用新型的整流器件具有更小的PN結(jié)寄生效應(yīng)。同時(shí)， 由于降低了寄生效應(yīng)，相應(yīng)提高了單位截面積的結(jié)特性，為提高器件單元密 度辟出了空間.2. 本實(shí)用新型采用了挖硅腐蝕工藝，去除了多晶硅光刻腐蝕之后暴露出 來的N+注入?yún)^(qū)，對于等效的垂直MOS管區(qū)，其結(jié)果是用殘余的位于柵電極 的側(cè)面下方N型離子經(jīng)過快速熱退火形成上部源/漏區(qū)，從而大幅度的減少了 上部源/漏區(qū)的有效結(jié)面積，所以本實(shí)用新型整流器件具有更小的反向漏電流， 相應(yīng)降低了整流器件的功耗。3. 本實(shí)用新型整流器件由于單元密度提高可以大幅度降低整流器件的制 造成本。


附圖1為現(xiàn)有典型的肖特基整流二極管結(jié)構(gòu)示意圖；附圖2為現(xiàn)有典型的肖特基整流二極管剖面示意圖；附圖3為現(xiàn)有典型的肖特基整流二極管實(shí)物示意圖；附圖4為現(xiàn)有肖特基整流二敗管兩端加正向偏壓時(shí)勢壘寬度狀態(tài)示意圖；附圖5為現(xiàn)有肖特基整流二敗管兩端加反向偏壓時(shí)勢壘寬度狀態(tài)示意圖；附圖6為現(xiàn)有普通肖特基整流二極管能帶示意圖；附圖7為本實(shí)用新型半導(dǎo)體整流器件等效能帶圖；附圖8為本實(shí)用新型半導(dǎo)體整流器件等效電路圖；附圖9為中國專利CN1248298C半導(dǎo)體整流器件主剖面示意圖；附圖io為本實(shí)用新型實(shí)施例半導(dǎo)體整流器件俯視平面示意圖； 附圖11為本實(shí)用新型實(shí)施例半導(dǎo)體整流器件主剖面示意圖；附圖12-16為本實(shí)用新型實(shí)施例整流器件工藝制作流程示意圖。以上附圖中1、保護(hù)4管；3、垂直半導(dǎo)體MOS管區(qū)；20、 N+襯底層；21、上部源/漏區(qū)；22、 N-外延層；23、第一 P-擴(kuò)散區(qū)；24、上部源/漏N+區(qū)；25、第一氧化珪層；26、多晶珪柵電極；27、挖硅腐蝕處；28、保護(hù)環(huán)；30、保護(hù)二敗管；32、上電極；34、下電極；36、溝道PN結(jié)；38、溝道區(qū)；40、光刻膠；42、第二P-擴(kuò)散區(qū)；50、場氧化層；56、柵氧化層；66、PN結(jié)區(qū)。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖及實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步描述 實(shí)施例 一種半導(dǎo)體整流器件，如圖10所示，在俯視平面上，該半導(dǎo)體整流器件有源區(qū)由排布的各個(gè)整 流單元和排布的各個(gè)保護(hù)二極管1組成，各個(gè)整流單元通過上、下電極并聯(lián) 成整體，其中，每個(gè)整流單元由PN結(jié)區(qū)66與垂直半導(dǎo)體MOS管區(qū)3相鄰 組合而成。有源區(qū)的外圍設(shè)有保護(hù)環(huán)28,如圖11所示，在截面上，所述PN結(jié)區(qū)66自上而下由上電極32、第二P -擴(kuò)散區(qū)42、 N-外延層22、 N+襯底層20和下電極34構(gòu)成，其中，第二P -擴(kuò)散區(qū)42與N _外延層22形成所述PN結(jié)區(qū)。如圖ll所示，在截面上，所述垂直半導(dǎo)體MOS管區(qū)3自上而下由上電極 32、多晶>^:柵電極26、柵氧化層56、上部源/漏區(qū)21、溝道區(qū)38、作為下部 漏/源區(qū)的N 一外延層22/N+襯底層20和下電極34構(gòu)成。其中，垂直半導(dǎo)體 MOS管區(qū)3的上電極32與PN結(jié)區(qū)66的上電極32是同一制造層，相應(yīng)的N -外^>^22、 N+襯底層20和下電極34亦分別屬于同一制it^.經(jīng)過挖硅腐 蝕后殘留的上部源/漏區(qū)21位于多晶硅柵電極26的側(cè)面下方區(qū)域，上部源/漏 區(qū)21的上方與柵氧化層56接觸，靠PN結(jié)區(qū)66 —側(cè)的端面與上電極32接觸， 上部源/漏區(qū)21的另一側(cè)及下方與溝道區(qū)38相連。溝道區(qū)38的上方與柵氧化 層56接觸，另一側(cè)及下方與N-外延層22區(qū)相連。所述上部源/漏區(qū)21是指 位于半導(dǎo)體硅片正面的N+區(qū)，作為垂直半導(dǎo)體MOS管的上部源或漏。所述 下部漏/源區(qū)是指位于半導(dǎo)^法片背面的N+區(qū)(N+襯底層20 )，作為垂直半導(dǎo) 體MOS管的下部漏或源.當(dāng)垂直MOS管區(qū)3在施加正向電壓時(shí)，上部源/ 漏區(qū)21 (N+區(qū))為漏極，下部漏/源區(qū)(N+襯底層20)為源極，多晶珪層為 柵極，第二P-擴(kuò)散區(qū)42表面為溝道形成區(qū)；當(dāng)垂直MOS管區(qū)3在施加反 向電壓時(shí)，上部源/漏區(qū)21 (N+區(qū))為源極，下部漏/源區(qū)(N+襯底層20)為 漏極，多晶^為柵極，笫二P-擴(kuò)散區(qū)42表面為溝道形成區(qū)，以此構(gòu)成垂 直半導(dǎo)體MOS管3。所述垂直半導(dǎo)體MOS管3與PN結(jié)區(qū)66形成的二極管通過上電極32、下 電極34并聯(lián)形成一個(gè)復(fù)合結(jié)構(gòu)的整流單元。為了保護(hù)半導(dǎo)體器件，在俯視平面上(見圖10)，有源區(qū)內(nèi)的保護(hù)4管 1由P型雜質(zhì)注入推結(jié)后的第一P-擴(kuò)散區(qū)與N -外延層形成的PN結(jié)構(gòu)成(圖 11中未畫出)。為了保護(hù)半導(dǎo)體器件，見圖10所示，有源區(qū)外圍的保護(hù)環(huán)28由P型雜質(zhì)7注入推結(jié)后的第一 P —擴(kuò)散區(qū)23與N -外延層22形成的PN結(jié)構(gòu)成。本實(shí)施例半導(dǎo)體整流器件的制造方法，包括下列工藝步驟 圖12為整流器件工藝制作流程示意圖表示生長第一氧化^/第一 P-擴(kuò) 散區(qū)光刻腐蝕/B+注入。具體工藝步驟是a) 提供N型摻雜的具有兩個(gè)相對主表面的半導(dǎo)體硅片。其中，第一主表 面是指半導(dǎo)M片具有N-外U的正面，第二主表面是指半導(dǎo)體硅片具有 N+襯底層的背面。b) 于笫一主表面上生長第一氧化硅層25。c) 第一次光刻形成第一P-擴(kuò)散區(qū)23腐蝕掩蔽圖形。d) 進(jìn)行第一氧化硅層M腐蝕以打開第一P-擴(kuò)散區(qū)"窗口。 ei) P型離子注入.圖13為整流器件工藝制作流程示意圖表示高溫推結(jié)沐源區(qū)光刻沐源區(qū)腐 蝕.具體工藝步驟是e2)在P型離子注入后，高溫推結(jié)形成第一P-擴(kuò)散區(qū)23.第一P-擴(kuò)散 區(qū)23與N -外延層22形成保護(hù)環(huán)28和保護(hù)二極管1 (保護(hù)二極管1圖中未 畫出)。f) 第二次光刻形成有源區(qū)腐蝕掩蔽圖形。g) 對有源區(qū)窗口區(qū)域進(jìn)行氧化硅濕法腐蝕。圖14為整流器件工藝制作流程示意圖表示第二氧化硅層生h多晶硅生長/ 多晶珪柵電極光刻&腐蝕/As注入。具體工藝步驟是h) 第二氧化珪層生長.i) 于此第二氧化硅層上生長多晶硅層。j)第三次光刻形成多晶珪柵腐蝕掩蔽圖形。 k)進(jìn)行多晶珪柵腐蝕以形成柵電極26。1)在柵電極多晶>^1擇性腐蝕之后，對半導(dǎo)M片第一主表面暴露出來的 區(qū)域進(jìn)行N型離子注入。其中，第一主表面暴露出來的區(qū)^A指除去多晶硅 柵電極26區(qū)域以外的有源區(qū)。圖15為整流器件工藝制作流程示意圖表示挖硅腐蝕/B注入/RTA退火(快 速熱退火)。具體工藝步驟是m)在N型離子注入W,對所述半導(dǎo)M片第一主表面暴露出來的區(qū)域 進(jìn)行挖硅腐蝕(見挖硅腐蝕處27)，在柵電極26的側(cè)面下方區(qū)域殘留的N型離子經(jīng)過快速熱退火形成上部源/漏區(qū)21。所述挖硅腐蝕是采用等離子刻蝕的 方式選擇性地腐蝕硅，這個(gè)硅是指半導(dǎo)M片第一主表面暴露出來的區(qū)域(見 挖硅腐蝕處27 ).n)進(jìn)行至少一次P型離子注入形成第二P-擴(kuò)散區(qū)42,以作為溝道區(qū)。 這樣垂直半導(dǎo)體MOS管在施加正向電壓時(shí)，上部源/漏區(qū)21 (N+區(qū))為漏極， 下部漏/源區(qū)(N+襯底層20)為源極，多晶硅層26為柵極，第二P-擴(kuò)散區(qū) 42表面為溝道形成區(qū)。在施加反向電壓時(shí)，上部源/漏區(qū)21 (N+區(qū))為源極， 下部漏/源區(qū)(N+襯底層20)為漏極，多晶珪層26為柵極，第二P-擴(kuò)散區(qū) 42表面為溝道形成區(qū)，以此構(gòu)成垂直MOS管。圖16為整流器件工藝制作流程示意圖表示金屬化/背面金屬。具體工藝步 驟是o)正面金屬化形成上電極32，背面金屬形成下電極34。 上述實(shí)施例只為說明本實(shí)用新型的技術(shù)構(gòu)思及特點(diǎn)，其目的在于讓熟悉此 項(xiàng)技術(shù)的人士能夠了解本實(shí)用新型的內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，并不能以此限制本實(shí) 用新型的保護(hù)范圍。凡根據(jù)本實(shí)用新型精神實(shí)質(zhì)所作的等效變化或修飾，都 應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種半導(dǎo)體整流器件，在俯視平面上，該器件有源區(qū)包含排布的各個(gè)整流單元；各個(gè)整流單元通過上、下電極并聯(lián)成整體；其中，每個(gè)整流單元由PN結(jié)區(qū)與垂直半導(dǎo)體MOS管區(qū)相鄰組合而成；其特征在于在截面上，所述PN結(jié)區(qū)自上而下由上電極、第二P-擴(kuò)散區(qū)、N-外延層、N+襯底層和下電極構(gòu)成；其中，第二P-擴(kuò)散區(qū)與N-外延層形成PN結(jié)二極管；在截面上，所述垂直半導(dǎo)體MOS管區(qū)自上而下由上電極、多晶硅層、柵氧化層、上部源/漏區(qū)、溝道區(qū)、作為下部漏/源區(qū)的N-外延層/N+襯底層和下電極構(gòu)成；其中，垂直半導(dǎo)體MOS管區(qū)的上電極與PN結(jié)區(qū)的上電極是同一制造層，相應(yīng)的N-外延層、N+襯底層和下電極亦分別屬于同一制造層；經(jīng)過挖硅腐蝕后殘留的上部源/漏區(qū)位于柵電極的側(cè)面下方區(qū)域，上部源/漏區(qū)的上方與柵氧化層接觸，靠PN結(jié)區(qū)一側(cè)的端面與上電極接觸，上部源/漏區(qū)的另一側(cè)及下方與溝道區(qū)相連；溝道區(qū)的上方與柵氧化層接觸，另一側(cè)及下方與N-外延區(qū)相連；所述垂直半導(dǎo)體MOS管區(qū)與PN結(jié)二極管區(qū)通過上、下電極并聯(lián)形成一個(gè)復(fù)合結(jié)構(gòu)的整流單元。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體整流器件，其特征在于在俯視平面上， 該器件有源區(qū)包含排布的一個(gè)以上的保護(hù)二極管；該保護(hù)二敗管由P型雜質(zhì) 注入推結(jié)后的笫一 P —擴(kuò)散區(qū)與N —外延層形成的PN結(jié)構(gòu)成。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體整流器件，其特征在于在俯視平面上， 該器件有源區(qū)外圍設(shè)有至少一個(gè)床護(hù)環(huán)；該保護(hù)環(huán)由P型雜質(zhì)注入推結(jié)后的 第一 P -擴(kuò)散區(qū)與N —外延層形成的PN結(jié)構(gòu)成。
專利摘要一種半導(dǎo)體整流器件由一等效的PN結(jié)和垂直MOS管并聯(lián)組成，而垂直MOS管中的上部源/漏區(qū)通過以下工序形成a.在柵電極光刻和腐蝕工序之后，對硅片第一主表面暴露出來的區(qū)域進(jìn)行N型離子注入；b.在N型離子注入之后，對硅片第一主表面暴露出來的區(qū)域進(jìn)行挖硅腐蝕，在柵電極的側(cè)面下方區(qū)域殘留的N型離子經(jīng)過快速熱退火形成上部源/漏區(qū)。本實(shí)用新型通過挖硅腐蝕工藝，解決了現(xiàn)有垂直MOS管的上部源/漏N+區(qū)面積較大以及分布不合理所帶來的問題。對于等效PN結(jié)區(qū)來說，其用單一的PN結(jié)替代了原來的NPN管，具有更小的PN結(jié)寄生效應(yīng)。對于等效的垂直MOS管區(qū)，其用殘余的N型離子經(jīng)過快速熱退火形成上部源/漏區(qū)，從而大幅度的減少了上部源/漏區(qū)的有效結(jié)面積，具有更小的反向漏電流。
文檔編號(hào)H01L29/02GK201153122SQ20082003149
公開日2008年11月19日 申請日期2008年2月3日 優(yōu)先權(quán)日2008年2月3日
發(fā)明者周名輝, 朱袁正, 錢葉華 申請人:蘇州硅能半導(dǎo)體科技股份有限公司