專利名稱：中繼基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種中繼基板(interposer ),詳細(xì)地講，涉及 可安裝IC芯片等電子部件的中繼基板。
背景技術(shù)：
以往，公知有可安裝IC芯片等電子部件的內(nèi)置電容器基 板。在這種內(nèi)置電容器基板中，通過(guò)將內(nèi)置于該基板中的電容 器連接于電子部件的電源線與接地線之間來(lái)進(jìn)行去耦，從而來(lái) 抑制由在所安裝的電子部件高速接通斷開(kāi)時(shí)產(chǎn)生的開(kāi)關(guān)噪聲而 引起的誤動(dòng)作。例如，在專利文獻(xiàn)l中公開(kāi)有如下這樣的中繼 基板在絕緣體上設(shè)置通孔，通過(guò)形成于該通孔內(nèi)壁上的導(dǎo)體 將形成于絕緣體表背兩面上的第1電極部電連接，并在第1電極 部上依次層疊電介體層、第2電極部，從而形成電容器。
專利文漆夫l:曰本斗爭(zhēng)開(kāi)2()()1 — 3263()5號(hào)7>才艮

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的第l中繼基板是可安裝電子部件的中繼基板，其 包括基板主體、電容器、絕緣層、第1柱體、第1焊盤(pán)、第2焊 盤(pán)、第2柱體、第3焊盤(pán)、第4焊盤(pán)；
上述基板主體具有從第l表面貫通到第2表面的第l通孔和 第2通孔，
上述電容器是在第1.電極部上層疊電介體層和第2電極部 而成的，該第l電極部形成于上述第l通孔內(nèi)表面、上述第2通 孔內(nèi)表面以及上述基板主體的第]表面的至少 一部分上，
上述絕緣層是在上述第l.通孔內(nèi)的被上述第2電極部包圍
7而形成的空間內(nèi)》真充電絕^彖材津+而成的，
上述第l柱體貫通上述絕緣層，該第l柱體的一端與上述第 1電極部電連接，并且該第l柱體借助上述絕緣層與上述第2電 極部電絕緣，
上述第1焊盤(pán)形成于上述基板主體的第2表面，與上述第1 柱體的一端電連接，并與上述第2電極部電絕緣，
上述第2焊盤(pán)形成于上述基板主體的第l表面，與上述第l 柱體的另一端電連接，并與上述第2電極部電絕緣，
上述第2柱體填充于上述第2通孔內(nèi)的纟皮上述第2電極部包 圍而成的空間內(nèi)，該第2柱體外周面與上述第2電極部接觸，從 而使該第2柱體與該第2電極部電連接，另一方面，該第2柱體 與上述第l電極部電絕緣，
上述第3焊盤(pán)形成于上述基板主體的第2表面，與上述第2 柱體的一端電連接，并與上述第l電極部電絕緣，
上述第4焊盤(pán)形成于上述基板主體的第l表面，與上述第2 柱體的另一端電連接，并與上述第l電極部電絕緣。
本發(fā)明的第2中繼基板是可安裝電子部件的中繼基板，包 括基板主體、電容器、絕緣層、第1柱體、第1焊盤(pán)、第2焊盤(pán)、 第2柱體、第3焊盤(pán)、第4焊盤(pán)，
上述基板主體具有從第l表面貫通到第2表面的第l通孔和 第2通孔，
上述電容器是在第1.電極部上層疊電介體層和第2電極部 而成的，該第l電極部形成于上述第l通孔內(nèi)表面、上述第2通 孔內(nèi)表面以及上述基板主體的第l表面的至少 一部分上，
上述絕緣層是在上述第l通孔內(nèi)和上述第2通孔內(nèi)的被上 述第2電極部包圍而形成的空間內(nèi)填充電絕緣材料而成的，
上述第l柱體貫通上述第l.通孔內(nèi)的絕緣層，該第l.柱體的一端與上述第l電極部電連接，并且借助上述絕緣層與上述第2 電才及部電絕緣，
上述第1焊盤(pán)形成于上述基板主體的第2表面，與上述第l 柱體的另一端電連接，并與上述第2電極部電絕緣，
上述第2焊盤(pán)形成于上述基板主體的第1表面，與上述第l 柱體的另一端電連接，并與上述第2電極部電絕緣，
上述第2柱體的一端與上述第2電極部中的位于上述基板 主體第l表面的部分電連接，
上述第3焊盤(pán)形成于上述基板主體的第2表面的與上述第2 通孔相對(duì)的位置上，與上述第2電極部電連接，并與上述第l電 極部電絕》彖，
上述第4焊盤(pán)形成于上述基板主體的第1表面，與上述第2 主體的另一端電連接，與上述第l電極部電絕緣。
本發(fā)明的第3中繼基板是可安裝電子部件的中繼基板，包 括基板主體、電容器、絕緣層、第1柱體、第2柱體、第1焊盤(pán)、 第2焊盤(pán)、第3焊盤(pán)、第4焊盤(pán)，
上述基板主體具有從第l表面貫通到第2表面的第l通孔和 第2通孔，
上述電容器是在第1電極部上層疊電介體層和第2電極部 而成的，該第l電極部形成于上述第l通孔內(nèi)表面、上述第2通 孔內(nèi)表面以及上述基板主體的第l表面的至少一部分上，
上述絕緣層填充于上述第l通孔內(nèi)和第2通孔內(nèi)的被上述 第2電極部包圍而形成的空間內(nèi)，并覆蓋上述基板主體的第:.表 面，
上述第l.柱體的一端與上述第l電極部中的位于上述基板 主體的第l表面的部分電連接，
上述第2柱體的一端與上述第2電極部中的位于上述基板主體的第l表面的部分電連接，
上述第l焊盤(pán)設(shè)于上述基板主體的第2表面的與上述第l通 孔相對(duì)的位置上，與上述第l電極部電連接，并與上述第l電極 部電絕緣，
上述第2焊盤(pán)形成于上述基板主體的第l表面，與上述第l 電極部中的位于上述基板主體的第l表面的部分電連接，并與 第2電極部電絕緣，
上述第3焊盤(pán)設(shè)于上述基板主體的第2表面的與上述第2通 孔相對(duì)的位置上，與上述第2電極部電連接，并與上述第l電極 部電絕績(jī)、，
上述第4焊盤(pán)形成上述基板主體的第1表面，與上述第2電 極部中的位于上述基板主體的第l表面的部分電連4妄，并與第1 電極部電絕緣。
在本發(fā)明的第1 ~第3中繼基板中，電容器均是利用第l通 孔和第2通孔的內(nèi)表面(本說(shuō)明書(shū)中指內(nèi)壁和底面)而做成的， 因此，與未利用該內(nèi)表面的情況相比，電極面積變大，相應(yīng)地 靜電電容變大。而且，第1柱體不與電連接于第1電極部的第2 電極部接觸，因此，第l柱體和第2電極部是不同的電位。其結(jié) 果，電感降低，隨之阻抗降低，因此，電容器可有效地除去噪 聲。此時(shí)，第2柱體不是被與該第2柱體同電位的第2電極部隔 有間隙地包圍，因此，不會(huì)妨礙上述的電感降低。


圖l是表示中繼基板l()的使用狀態(tài)的概略說(shuō)明圖。
圖2是中繼基板l.O的要部剖視圖。
圖3是中繼基板10的俯視圖。
圖4是表示中繼基板].()的制造工序的說(shuō)明圖.，
10圖5是表示中繼基板10的制造工序的說(shuō)明圖。 圖6是表示中繼基板10的制造工序的說(shuō)明圖。
圖7是表示中繼基板10的制造工序的說(shuō)明圖。 圖8是表示中繼基板1()的制造工序的說(shuō)明圖。 圖9是表示中繼基板10的制造工序的說(shuō)明圖。 圖IO是表示中繼基板IO的制造工序的說(shuō)明圖。 圖ll是中繼基板210的要部剖視圖。 圖1.2是中繼基板310的要部剖視圖。
具體實(shí)施例方式
接著，基于

本發(fā)明的實(shí)施方式。圖l是本發(fā)明一 實(shí)施方式的中繼基板10的要部剖視圖，圖2是中繼基板l,()的俯 視圖，圖3是表示中繼基板10的使用狀態(tài)的概略說(shuō)明圖。另夕卜， 在本說(shuō)明書(shū)中，使用"上"、"下"、"左"、"右"等語(yǔ)句進(jìn)行說(shuō) 明，但這些語(yǔ)句僅是用于清楚地表示構(gòu)成要素的位置關(guān)系。因 此，例如可以將"上"、"下"倒置，或?qū)?右"、"左"倒置。
本實(shí)施方式的中繼基板10包括具有電絕緣性的基板主體 1.2;形成于該基板主體12上的第1通孔14和第2通孔16;內(nèi)置于 中繼基板].O中的電容器20;填充于第1通孔14的內(nèi)部空間并覆 蓋基板主體12上表面的絕緣層18;形成于中繼基板l()下表面的 第1焊盤(pán)31和第3焊盤(pán)33;形成于中繼基板l()上表面的第2焊盤(pán) 32和第4焊盤(pán)34。在此，第1焊盤(pán)31和第2焊盤(pán)32用作電源用焊 盤(pán)，第3焊盤(pán)33和第4焊盤(pán)34用作接地用焊盤(pán)。
基板主體12是表面平滑的厚約50pm左右的硅板，通過(guò)對(duì) 硅板進(jìn)行氧化處理，而在該基板主體12的外表面形成氧化硅薄 膜12a。之所以使用硅板，是因?yàn)樵谥欣^基板10的制造工序中 會(huì)實(shí)施濺鍍、燒結(jié)，因此要求耐熱性。另外，也可以取代硅板，而使用兼具電絕緣性和耐熱性的玻璃、聚酰亞胺樹(shù)脂等。
第1通孔14和第2通孔16是自基板主體12的上表面(第l表 面)貫通到下表面(第2表面)的圓筒形或倒圓錐臺(tái)形的孔， 是通過(guò)使用掩模對(duì)基板主體12進(jìn)行蝕刻來(lái)實(shí)施開(kāi)孔加工、或使 用掩模利用UV激光、YAG激光或準(zhǔn)分子激光器等實(shí)施開(kāi)孔加 工而形成的。這些第1通孑L14和第2通孑L16的內(nèi)徑約為100(im左 右，相鄰的通孔14、 16之間的間距約為200jim左右。
電容器2()由第1電極部22、電介體層24、第2電極部26形成， 該第1電極部22形成在包含第1通孔14內(nèi)表面、第2通孔16內(nèi)表 面和基板主體12上表面的區(qū)域上，該電介體層24層疊在該第1 電極部22之上，該第2電極部26層疊在該電介體層24之上。第l 電極部22是具有導(dǎo)電性的金屬薄膜，在此使用厚約0.()5pm左右 的鉑薄膜，但也可以使用銅、鋁、鎳、銀、金等。電介體層24 是以高溫對(duì)陶瓷系的高電介體材料進(jìn)行燒制而成的陶瓷薄膜， 在此使用厚約0.25(im左右的鈦酸鋇(BaTi03)，但也可以使用 SrTi()3、 Ta03、 Ta205、 PZT、 PLZT、 PNZT、 PCZT、 PSZT 等。第2電極部26是具有導(dǎo)電性的金屬薄膜，在此使用厚約 ().3fim左右的銅薄膜，但也可以使用鋁、鎳、銀、金、鉑等。
絕緣層1 8由具有電絕緣性的環(huán)氧樹(shù)脂形成。該絕緣層1 8形 成為覆蓋基板主體12的上表面，但不填充于第2通孔]6的內(nèi)部 空間，而是填充于第1通孔14的內(nèi)部空間。絕緣層18中的填充 于第l通孔14內(nèi)部空間的部分成為具有沿上下方向貫通絕緣層 〗8的中心孔的管，在該管的中心孔中形成第1柱體4()。此外， 絕緣層18的覆蓋基板主體12上表面的部分的厚度形成為約 8(im左右。另外，也可以使用具有電絕緣性的其他樹(shù)脂、例如 酚醛樹(shù)脂、聚酰亞胺等形成絕緣層18。
第1焊盤(pán)3]和第3焊盤(pán)33是由銅或鎳在中繼基板1 0的下表面形成為圓盤(pán)狀，但也可以由其他導(dǎo)電性金屬形成，也可以形 成為除圓盤(pán)狀以外的其他形狀。其中，第1焊盤(pán)31與電容器20
的第1電極部22和第l柱體40的一端電連接，但不與第2電極部 26接觸。此外，第3焊盤(pán)33與電容器20的第2電極部26和第2柱 體42的一端電連接，但不與第l電極部22接觸。中繼基板10的 下表面被阻焊劑層44覆蓋，但第1焊盤(pán)31和第3焊盤(pán)33分別與在 該阻焊劑層44上開(kāi)設(shè)的開(kāi)口內(nèi)的第l凸塊51和第3凸塊53電連 接。
第2焊盤(pán)32和第4焊盤(pán)34是由金/鎳(在鎳的上表面鍍金而 成)在中繼基板l()的上表面形成為圓盤(pán)狀，但也可以由其他導(dǎo) 電性金屬形成，也可以形成為除圓盤(pán)狀以外的其他形狀。如圖 2所示，上述第2焊盤(pán)32和第4焊盤(pán)34整體上配置成交錯(cuò)狀，但 也可以配置成格子狀，或隨機(jī)配置。第2焊盤(pán)32配置于第1焊盤(pán) 3:1的正上方位置，借助電容器2 ()的第1電極部2 2和貫通絕緣層 18的第l柱體40而與第1焊盤(pán)31電連接。第1柱體4()不與圓孔 26a的周緣接觸地貫穿該圓孔26a ，該圓孔26a是在第2電極部 26中的覆蓋第1通孔14底面的部分上開(kāi)設(shè)的。即，第1柱體40 與第2電極部26絕緣。此外，第4焊盤(pán)34配置于第3焊盤(pán)33的正 上方位置，借助電容器20的第2電極部26和無(wú)間隙地填充于第2 通孔16中的第2柱體42而與第3焊盤(pán)33電連接。因此，第2柱體 42不是隔著間隙地被第2電極部26包圍。此外，第2柱體42不與 圓孑L 22a的周緣接觸地貫穿該圓孔22a ，該圓孔22a是在第1電極 部22中的覆蓋第2通孔16底面的部分上開(kāi)設(shè)的。即，第2柱體42 與第1電極部22絕緣。另外，中繼基板].O的上表面被阻焊劑層 46覆蓋，但第2焊盤(pán)32和第4焊盤(pán)34分別與在該阻焊劑層46上開(kāi) 設(shè)的開(kāi)口內(nèi)的第2凸塊52和第4凸塊54電連接。另外，第l柱體 40和第2柱體42都是由銅形成的，但也可以用其他導(dǎo)電性金屬形成。
另外，由于圖1和圖2表示中繼基板10的中央附近，因此， 未圖示中繼基板IO周圍的狀態(tài)，在此簡(jiǎn)單說(shuō)明該中繼基板l()周
圍的狀態(tài)。在中繼基板10的周圍，在基板主體12的上下兩表面
形成有作為信號(hào)線的布線圖案，這些布線圖案適當(dāng)通過(guò)沿上下
方向貫通基板主體12的通孔而導(dǎo)通。此外，在形成于基板主體 12上下兩表面的布線圖案中的適當(dāng)位置分別形成有信號(hào)用焊 盤(pán)和凸塊。
接著，基于圖3對(duì)如此構(gòu)成的中繼基板10的使用例子進(jìn)行 說(shuō)明。首先，將中繼基板10載置于上表面排列有許多焊盤(pán)的封 裝基板64上，再將下表面排列有許多焊盤(pán)的IC芯片62載置于中 繼基板10上。在本實(shí)施方式中，將中繼基板l()的第1焊盤(pán)31和 第2焊盤(pán)32用作電源用焊盤(pán)，將第3焊盤(pán)33和第4焊盤(pán)34用作接 地用垾盤(pán)，因此，使封裝基板64的電源用端子和接地用端子分 別與中繼基板10的第1凸塊51和第3凸塊53接觸，使1:C芯片62 的電源用端子和接地用端子分別與中繼基板10的第2凸塊52和 第4凸塊54接觸。另外，也使IC芯片62的未圖示信號(hào)用端子和 中繼基板10的未圖示信號(hào)用凸塊相互接觸，使封裝基板64的未 圖示信號(hào)用端子和中繼基板10的未圖示信號(hào)用凸塊相互接觸。 接著，通過(guò)回流焊接合各端子。其結(jié)果，在包括電源用端子等 在內(nèi)的電源線與包括接地用端子等在內(nèi)的接地線之間夾設(shè)被植 入到中繼基板10中的薄膜電容器20。與該電容器2()僅形成在基 板主體12上表面的情況相比，還利用通孔內(nèi)表面形成電容器 20，因此，相應(yīng)地靜電電容變大。此外，在第1通孔14中，與 電源連接的第l柱體4()是被與地線連接的第2電極部26隔有間 隙地包圍的構(gòu)造。其結(jié)果，在第1通孔14中，相互接近的第2電 極26與第1柱體4()的電位不同，因此電感降低，隨之阻抗降低。
14因此，I:C芯片62的晶體管不易出現(xiàn)電源不足，還可以有效地防 止因高頻噪聲導(dǎo)致的誤動(dòng)作。另一方面，第2柱體42不是被與 該第2柱體42同樣地與地線連接的第2電極部26隔有間隙地包 圍的構(gòu)造。即，第2柱體42與第2電極部26連接而成為一體。因 此，形成于第2通孔16內(nèi)壁的第2電極部26與第2柱體42不會(huì)如 它們相分離的構(gòu)造那樣出現(xiàn)電感增加。因此，不會(huì)妨礙上述的 電感降低的效果。如此，在本實(shí)施方式中，在第1通孔14內(nèi)可 實(shí)現(xiàn)電感降低，在第2通孔16內(nèi)就算電感不降低也可抑制其增 加。因此，可抑制電感成分影響向IC芯片62供給電源，可以防 止由噪聲導(dǎo)致的誤動(dòng)作。另外，根據(jù)需要，也可以在中繼基板 〗0的周圍安裝靜電電容較大的芯片電容器，且將該芯片電容器 與電容器20并列連接。如此，容易進(jìn)一步提高電源供給能力。
接著，基于圖4~圖IO說(shuō)明本實(shí)施例的中繼基板10的制造 順序。首先，準(zhǔn)備要做成基板主體12的硅晶圓(參照?qǐng)D4( 1 ))， 對(duì)該硅晶圓進(jìn)行熱氧化而使其上下兩表面生成氧化硅薄膜12a (參照?qǐng)D4 (2))，然后通過(guò)濺鍍?cè)谙卤砻嫘纬捎摄~和鎳構(gòu)成的 晶種層7()a (參照?qǐng)D4 ( 3))。另外，作為形成氧化硅薄膜的方 法，并不限定于熱氧化，也可以采用例如CVD、 PVD等。接著， 在晶種層70a上涂敷了阻鍍劑72之后，采用光刻的方法形成圖 案，在要做成第1焊盤(pán)31和第3焊盤(pán)33的部位上形成圓孔72a(參 照?qǐng)D4 ( 4 )),通過(guò)電解鍍銅在晶種層7()a中的從圓孔72a露出的 部分層疊銅，做成包括晶種層70a在內(nèi)的下表面金屬層70 (參 照?qǐng)D4 ( 5 ))。
接著，剝離阻鍍劑72 (參照?qǐng)D5 ( 6)),在基板主體12的上 表面涂敷了抗蝕劑74之后，采用光刻方法形成圖案，在要做成 第1通孔14和第2通孔16的部位上設(shè)置圓筒孔74a (參照?qǐng)D5 (7)),實(shí)施采用反應(yīng)離子蝕刻(RIE)進(jìn)行的干刻或采用KOH進(jìn)行的濕刻，從而在基板主體12上形成第1通孔14和第2通孔16 (參照?qǐng)D5(8))。此時(shí)，薄膜12a成為阻擋層。接著，剝離抗 蝕劑74 (參照?qǐng)D5 ( 9 ))，在第1通孑L14和第2通孑L16的內(nèi)表面也 形成氧化硅薄膜12a (參照?qǐng)D5 ( 10 ))。該薄膜12a的形成方法 并無(wú)特別限定，可以采用例如CVD、 PVD等。
接著，在第1通孔14和第2通孔16的內(nèi)表面和基板主體12 的上表面涂敷了抗蝕劑76之后，采用光刻的方法形成圖案，形 成直徑小于各通孔14、 16的圓筒部分76a (參照?qǐng)D6 ( ll)),通 過(guò)蝕刻除去構(gòu)成該圓筒部分76a底面的氧化硅薄膜12a(參照?qǐng)D 6(12))，并剝離抗蝕劑76 (參照?qǐng)D6 ( 13))。接著，在第2通 孔16內(nèi)形成圓柱狀的阻鍍劑78 (參照?qǐng)D6 ( 14)),濺鍍鉑，在 基板主體12上表面和各通孔14、 16的內(nèi)表面形成第l電極部22 (參照?qǐng)D6 ( 15))。
接著，剝離阻鍍劑78 (參照?qǐng)D7 ( 16))。其結(jié)果，在第l 電極部22中的相當(dāng)于第2通孔16底面的部分形成圓孔22a 。接 著，將作為高電介體材料的鈦酸鋇的溶膠凝膠溶液涂在第l電 極部22上并使其干燥，然后在控制了氧分壓的環(huán)境下進(jìn)行燒 制，從而形成電介體層24 (參照?qǐng)D7 ( 17))。另外，在圓孑L22a 中填充電介體層24。接著，濺鍍銅，在電介體層24上形成第2 電極部26 (參照?qǐng)D7 ( 18))。其結(jié)果，形成由第1電極部22、電 介體層24和第2電極部26構(gòu)成的電容器20。其后，在第2電極部 26上涂敷了抗蝕劑80之后，采用光刻的方法形成圖案，形成直 徑與第1.柱體40相同的圓筒孔80a (參照?qǐng)D7 ( 19))，采用硫酸 和過(guò)氧化氫僅對(duì)圓筒孔8()a的第2電極部26進(jìn)行蝕刻，然后進(jìn)一 步用鹽酸僅對(duì)電介體層24進(jìn)行蝕刻(參照?qǐng)D7 (20))。
接著，剝離抗蝕劑8()(參照?qǐng)D8 ( 21 ))。其結(jié)果，在第2 電極部26中的相當(dāng)于第l通孔14底面的部分形成圓孔26a，成為第l電極部22通過(guò)該圓孔26a而露出到外部的狀態(tài)。此外，在第 2電極部26中的相當(dāng)于第2通孔16底面的部分也形成圓孔26b， 成為覆蓋基一反主體12下表面的下表面金屬層70通過(guò)該圓孑L26b 而露出到外部的狀態(tài)。接著，在基板主體12上表面涂敷了電絕 緣性的絕緣層18之后，采用光刻的方法形成圖案，在第l通孔 14內(nèi)形成直徑小于圓孑L26a直徑的圓筒孔18a，并形成使第2電 極部26在第2通孔16內(nèi)的壁面和底面露出那樣的孔18b(參照?qǐng)D 8(22))。接著，實(shí)施鍍銅，在各孔18a、 18b中填充銅，從而 形成第1柱體40和第2柱體42 (參照?qǐng)D8 ( 23))。接著，在絕緣 層18的上表面濺鍍鎳，從而形成晶種層82a (參照?qǐng)D8 ( 24)), 在該晶種層82a上涂敷了抗蝕劑86之后，采用光刻的方法形成 圖案，從而在第l柱體40和第2柱體42上部分別形成圓孔86a(參 照?qǐng)D8 ( 25))。
接著，在圓孔86a內(nèi)實(shí)施鍍4臬和鍍金，從而在絕緣層18上 形成包括晶種層82a在內(nèi)的上表面金屬層82 (參照?qǐng)D9 (26))， 其后，剝離抗蝕劑86 (參照?qǐng)D9 ( 27))。接著，用酸系蝕刻劑 對(duì)上表面金屬層82中的露出到外部的晶種層82a進(jìn)行蝕刻，從 而在絕緣層18的上表面形成第2焊盤(pán)32和第4焊盤(pán)34 (參照?qǐng)D9 (28 ))。在俯視時(shí)，這些第2焊盤(pán)32和第4焊盤(pán)34看起來(lái)為圓形。 接著，用硫酸和過(guò)氧化氫水對(duì)下表面金屬層7()中的露出到外部 的晶種層7()a進(jìn)行蝕刻，從而在基板主體12的下表面形成第1 焊盤(pán)31和第3焊盤(pán)33 (參照?qǐng)D9 (29))。這些第1焊盤(pán)31和第3 焊盤(pán)33也與第2焊盤(pán)32和第4焊盤(pán)34相同，在俯視時(shí)，看起來(lái)為 圓形。其后，在基板主體12的上表面和下表面涂敷了阻焊劑之 后形成圖案，形成具有使第l.焊盤(pán)31 ~第4焊盤(pán)34露出到外部的 圓孔44a、 46a的阻焊劑層44、 46 (參照?qǐng)D10 ( 30 )),在圓孔 44a中填充導(dǎo)體金屬而形成第1凸塊5]和第3凸塊53，在圓孔
1746a中填充導(dǎo)體金屬而形成第2凸塊52和第4凸塊54 (參照?qǐng)D10 (31)),從而完成本實(shí)施方式的中繼基板l.O。
采用以上詳述的中繼基板IO，由于電容器20是利用第l通 孔14和第2通孔16的內(nèi)表面而做成各電極部22、 26,因此，與 未利用該內(nèi)表面的情況相比，電極面積變大，相應(yīng)地l爭(zhēng)電電容 變大。此外，與電源連接的第l柱體40被與地線連接的第2電極 部26隔有間隙地包圍，因此電感降低，隨之阻抗降低。其結(jié)果， IC芯片62的晶體管不易出現(xiàn)電源不足，可以有效地防止因高頻 噪聲導(dǎo)致的誤動(dòng)作。另一方面，與地線連接的第2柱體42不是 隔著間隙地被與地線連接的第2電極部26包圍，因此不會(huì)妨礙 上述的電感降低。
另外，本發(fā)明絲毫不限于上述實(shí)施方式，不言而喻，只要
屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍，可以以各種方式予以實(shí)施。
例如，在上述實(shí)施方式中，將第1焊盤(pán)31和第2焊盤(pán)32用作 電源用焊盤(pán)，將第3焊盤(pán)33和第4焊盤(pán)34用作接地用焊盤(pán)，但也 可以相反地將第]焊盤(pán)31和第2焊盤(pán)32用作接地用焊盤(pán)，將第3 焊盤(pán)33和第4焊盤(pán)34用作電源用焊盤(pán)。在該情況下，也能得到 與上述實(shí)施方式相同的效果。
在上述實(shí)施方式中，在封裝基板64與IC芯片62之間配設(shè)中 繼基板l(),但也可以將中繼基板10內(nèi)置于封裝基板64內(nèi)。在該 情況下，也能得到與上述實(shí)施方式相同的效果。在該情況下， 中繼基板H)的上表面優(yōu)選是形成具有輸出端構(gòu)造的再布線層。
在上述實(shí)施方式中，電容器2()的第]電^l部22既可以形成 在基板主體12的上表面整個(gè)區(qū)域，也可以形成在局部區(qū)域。但 是，若考慮增大靜電電容，則優(yōu)選形成在盡可能大的區(qū)域。
在上述實(shí)施方式中，使用陶瓷燒結(jié)體作為電容器2()的電介 體層24,但也可以使用混有鈦酸鋇等無(wú)機(jī)填料的有機(jī)樹(shù)脂。在該情況下.，由于電容器20的不能充分提高電介體層24的介電常
數(shù)的部分的電極面積較大，因此，在一定程度上也可增大靜電
電容。此外，也可以對(duì)中繼基板10附加電阻、電感器成分。
可以取代上述實(shí)施方式的中繼基板10的構(gòu)成，而采用圖11 所示的中繼基板210的構(gòu)成。關(guān)于該中繼基板210，對(duì)于與中繼 基板l()相同的構(gòu)成標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記，省略其"i兌明。在該中 繼基板21()中，電容器20與上述實(shí)施方式的中繼基板l()相同， 因此，與上述實(shí)施方式相同，靜電電容變大。此外，在中繼基 板21()中，與第4凸塊54電連接的第4焊盤(pán)34通過(guò)第2柱體242與 第2電極部26中的位于基板主體12上表面的部位電連接。另一 方面，第1柱體4()不與同第l電極部22電連接的第2電極部26接 觸，因此，第l柱體40與隔有間隙地包圍該第l柱體40的第2電 極部26是不同的電位，電感降低。其結(jié)果，阻抗降低，因此， 電容器20可有效除去噪聲。此外，圖ll中的第2柱體242的長(zhǎng)度 小于圖1中的第2柱體42的長(zhǎng)度，因此，電感進(jìn)一步降低，可進(jìn) --步有效地除去噪聲。
圖12中的中繼基板310中，與第2凸塊52電連接的第2焊盤(pán) 32通過(guò)第l柱體與第1電極部22中的位于基板主體12上表面的 部位電連接，除此之外，圖12中的中繼基板310與圖ll所示的 中繼基板21()相同。因此，對(duì)于與中繼基板21()相同的構(gòu)成標(biāo)注 相同的附圖標(biāo)記，省略其說(shuō)明。在該情況下，電容器20也是利 用第1通孔14和第2通孔16的內(nèi)表面，因此靜電電容較大。此外， 由于第1柱體340和第2柱體342的長(zhǎng)度較短，因此，電感降低， 進(jìn)而可有效地除去噪聲。
本發(fā)明以2007年4月10日申請(qǐng)的美國(guó)臨時(shí)專利申請(qǐng) 6()/91():,97()號(hào)和2008年1月4日申請(qǐng)的美國(guó)專利申請(qǐng) 11/969，6()6號(hào)為主張優(yōu)先權(quán)的基礎(chǔ)，通過(guò)引用將其全部?jī)?nèi)容包
19含于本說(shuō)明書(shū)中。 工業(yè)實(shí)用性
本發(fā)明可用于組裝電子部件時(shí)、例如將IC芯片安裝在封裝 基板上時(shí)等。
權(quán)利要求
1.一種中繼基板，包括基板主體、電容器、絕緣層、第1柱體、第2柱體，上述基板主體具有從第1表面貫通到第2表面的第1通孔和第2通孔，上述電容器是在第1電極部上層疊電介體層和第2電極部而成的，該第1電極部形成于上述第1通孔內(nèi)表面、上述第2通孔內(nèi)表面以及上述基板主體第1表面的至少一部分上，上述絕緣層是在上述第1通孔內(nèi)的被上述第2電極部包圍而形成的空間內(nèi)填充電絕緣材料而成的，上述第1柱體貫通上述絕緣層，該第1柱體的一端與上述第1電極部電連接，并且該第1柱體借助上述絕緣層與上述第2電極部電絕緣，上述第2柱體填充于上述第2通孔內(nèi)的被上述第2電極部包圍而成的空間內(nèi)，該第2柱體的外周面與上述第2電極部接觸，從而使該第2柱體與該第2電極部電連接，另一方面，該第2柱體與上述第1電極部電絕緣。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的中繼基板，包括第l.焊盤(pán)、第2焊盤(pán)、第3焊盤(pán)、第4焊盤(pán)，上述第l焊盤(pán)形成于上述基板主體的第2表面，與上述第]柱體的一端電連接，并與上述第2電極部電絕緣，上述第2焊盤(pán)形成于上述基板主體的第l表面，與上述第l柱體的另 一端電連接，并與上述第2電極部電絕緣，上述第3焊盤(pán)形成于上述基板主體的第2表面，與上述第2柱體的一端電連接，并與上述第l電極部電絕緣，上述第4焊盤(pán)形成于上述基板主體的第1表面，與上述第2柱體的另 一端電連接，并與上述第l電極部電絕緣。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的中繼基板，上述第2焊盤(pán)設(shè)于上述第l焊盤(pán)的正上方，上述第3焊盤(pán)設(shè)于上述第4焊盤(pán)的正上方。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的中繼基板，上述基板主體含有硅。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的中繼基板，在上述基板主體與上述第l電極部之間形成有絕緣膜。
6. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的中繼基板，上述電介體層含有陶瓷系的高電介體材料。
7. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的中繼基板，在上述基板主體中的至少第l表面形成有電感器、電阻中的至少一個(gè)。
8. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的中繼基板，上述第2焊盤(pán)與上述第2柱體由同種金屬形成。
9. 一種中繼基板，包括基板主體、電容器、絕緣層、第l柱體、第2柱體，上述基板主體具有從第l表面貫通到第2表面的第l通孔和第2通孔，上述電容器是在第l電極部上層疊電介體層和第2電極部而成的，該第l電極部形成于上述第l通孔內(nèi)表面、上述第2通孔內(nèi)表面以及上述基板主體第l表面的至少一部分上，上述絕緣層是在上述第l通孔內(nèi)和上述第2通孔內(nèi)的上述第2電極部包圍而形成的空間內(nèi)填充電絕緣材料而成的，上述第l柱體貫通上述第l通孔內(nèi)的絕緣層，該第l柱體的一端與上述第1電極部電連接，并且該第1柱體借助上述絕緣層與上述第2電極部電絕緣，上述第2柱體的 一 端與上述第2電極部中的位于上述基板主體第l表面的部分電連接。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的中繼基板，包括第1焊盤(pán)、第2焊盤(pán)、第3焊盤(pán)、第4焊盤(pán)，上述第1焊盤(pán)形成于上述基板主體的第2表面，與上述第l柱體的另一端電連接，并與上述第2電極部電絕緣，上述第2焊盤(pán)形成于上述基板主體的第l表面，與上述第l柱體的另一端電連接，并與上述第2電極部電絕緣，上述第3焊盤(pán)形成于上述基板主體的第2表面的與上述第2通孔相對(duì)的位置，與上述第2電極部電連接，并與上述第l電極部電絕緣，上述第4焊盤(pán)形成于上述基板主體的第l表面，與上述第2柱體的另一端電連接，并與上述第l電極部電絕緣。
11. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的中繼基板，上述基板主體由石圭構(gòu)成。
12. 根據(jù)權(quán)利要求ll所述的中繼基板，在上述基板主體與上述第]電極部之間形成有絕緣膜。
13. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的中繼基板，上述電介體層由陶瓷系的高電介體材料構(gòu)成。
14. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的中繼基板，在上述基板主體的表背兩面的至少第l表面形成有電感器、電阻中的至少一個(gè)。
15. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的中繼基板，上述第2焊盤(pán)與上述第2柱體由同種金屬形成。
16. —種可安裝電子部件的中繼基板，包括基板主體、電容器、絕緣層、第1柱體、第2柱體，上述基板主體具有從第l表面貫通到第2表面的第l通孔和第2通孔，上述電容器是在第1電極部上層疊電介體層和第2電極部而成的，該第l電極部形成于上述第l通孔內(nèi)表面、上述第2通孔內(nèi)表面以及上述基板主體第1表面的至少 一 部分上，上述絕緣層填充于上述第].通孔內(nèi)和上述第2通孔內(nèi)的被上述第2電極部包圍而形成的空間內(nèi)，并覆蓋上迷基板主體的第l表面，
17.上述第l柱體的一端與上述第l電極部中的位于上述基板 主體第l表面的部分電連接，上述第2柱體的一端與上述第2電極部中的位于上述基板 主體第l表面的部分電連接。包括第1焊盤(pán)、第2焊盤(pán)、第3焊盤(pán)、第4焊盤(pán)，上述第1焊盤(pán)設(shè)于上述基板主體第2表面的與上述第l通孔 相對(duì)的位置，與上述第l電極部電連接，并與上述第2電才及部電絕緣，上述第2焊盤(pán)形成于上述基板主體的第l表面，與上述第1 電極部中的位于上述基板主體第l表面的部分電連接，并與上 述第2電極部電絕緣，上述第3焊盤(pán)設(shè)于上述基板主體第2表面的與上述第2通孔 相對(duì)的位置，與上述第2電極部電連接，并與上述第l電極部電 絕緣，上述第4焊盤(pán)形成于上述基板主體的第l.表面，與上述第2 電極部中的位于上述基板主體第l表面的部分電連接，并與第1 電才及部電絕全彖。
18. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的中繼基板，上述基板主體含有硅。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的中繼基板，在上述基板主體與 上述第1電極部之間形成有絕緣膜。
20,.根據(jù)權(quán)利要求16所述的中繼基板，上述電介體層含有陶瓷系的高電介體材料。
21.根據(jù)權(quán)利要求16所述的中繼基板，在上述基板主體中 的至少第l表面形成有電感器、電阻中的至少一個(gè)。
22.根據(jù)權(quán)利要求17所述的中繼基板，上述第2焊盤(pán)與上
全文摘要
本發(fā)明提供一種中繼基板。中繼基板(10)包括具有第1通孔(14)和第2通孔(16)的基板主體(12)；在形成于第1通孔(14)和第2通孔(16)的內(nèi)表面以及基板主體(12)的第1表面的第1電極部(22)上層疊電介體層(24)和第2電極部(26)而成的電容器(20)；在第1通孔(14)內(nèi)的被第2電極部(26)包圍而成的空間內(nèi)填充電絕緣材料而成的絕緣層(18)；貫通該絕緣層(18)、一端與第1電極部(22)電連接、并與第2電極部(26)電絕緣的第1柱體(40)。在該第1柱體(40)的兩端分別設(shè)有第1焊盤(pán)(31)和第2焊(32)。另一方面，在第2通孔(16)內(nèi)還具有第2柱體，該第2柱體的外周面與第2電極部(26)接觸，與第1電極部(22)電絕緣。在該第2柱體(42)的兩端分別設(shè)有第3焊盤(pán)(33)和第4焊盤(pán)(34)。
文檔編號(hào)H01L23/32GK101542722SQ200880000049
公開(kāi)日2009年9月23日 申請(qǐng)日期2008年4月2日 優(yōu)先權(quán)日2007年4月10日
發(fā)明者河野秀一 申請(qǐng)人:揖斐電株式會(huì)社