專利名稱：：SrTiO₃膜的成膜方法和存儲(chǔ)介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及利用CVD法或ALD法形成SrTi03膜的SrTi03膜成膜方法和存儲(chǔ)介質(zhì)。
背景技術(shù)：
：在半導(dǎo)體設(shè)備中，集成電路的高集成化日益發(fā)展，在DRAM中也要求減小存儲(chǔ)單元的面積、并增大存儲(chǔ)容量。與該要求相對(duì)應(yīng)，MIM(金屬-絕緣體-金屬)結(jié)構(gòu)的電容器受到關(guān)注。作為這種MIM結(jié)構(gòu)的電容器，使用鈦酸鍶(SrTK)3)等高介電常數(shù)材料作為絕緣膜(電介質(zhì)膜)。作為DRAM電容器用SrTiOj莫的成膜方法，一直以來大多采用使用Sr(DPM)2作為Sr原料，使用Ti(0-iPr)4或Ti(0-iPr)2(DPM)2作為Ti原料，使用03氣體、02氣體、H20或02等離子體作為氧化劑的利用ALD法進(jìn)行成膜的方法(例如J.H.Lee等的"PlasmaenhancedatomiclayerdepositionofSrTiO3thinfilmswithSr(tmhd)2andTi(i-OPr)4"(J.Vac.Scl.Technol.A20(5)，Sep/Oct2002(非專利文獻(xiàn)l))。但是，用作Sr原料的Sr(DPM)2是低蒸汽壓的物質(zhì)，而且難以吸附在基板表面，所以不得不使成膜速度明顯降低，存在處理能力低、覆蓋率差的問題。并且，為了以氣相供給Sr(DPM)2，需要加熱到超過200。C的溫度，在配管系統(tǒng)中需要使用耐熱性材料，會(huì)導(dǎo)致裝置成本的上升。此外，如上所述Sr(DPM)2難以吸附在基板表面，且容易在氣相中分解，在吸附之后不易進(jìn)行被氧化劑氧化而形成氧化膜的反應(yīng)，所以難以適當(dāng)?shù)匾?guī)定用于ALD的Sr原料或氧化劑的供給條件。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種能夠以高處理能力且高覆蓋率成膜，并且能夠在20(TC以下的低溫下進(jìn)行原料的氣化，能夠在適當(dāng)?shù)臈l件下成6膜的SrTiOj莫的成膜方法。此外，本發(fā)明的另一個(gè)目的在于提供存儲(chǔ)有實(shí)施該方法的程序的存儲(chǔ)介質(zhì)。根據(jù)本發(fā)明的第一觀點(diǎn)，提供一種SrTi03膜的成膜方法，其包括將基板配置在處理容器內(nèi)的工序；對(duì)基板進(jìn)行加熱的工序；和將氣體狀態(tài)的Sr原料、氣體狀態(tài)的Ti原料和氣體狀態(tài)的氧化劑導(dǎo)入上述處理容器內(nèi)的工序。使用Sr的胺化合物或Sr的亞胺化合物作為上述Sr原料，使這些Sr原料、Ti原料和氧化劑在被加熱的基板上反應(yīng)，在基板上形成SrTi03膜。根據(jù)本發(fā)明的第二觀點(diǎn)，提供一種SrTiOj莫的成膜方法，其包括將基板配置在處理容器內(nèi)的工序；對(duì)基板進(jìn)行加熱的工序；和將氣體狀態(tài)的Sr原料、氣體狀態(tài)的Ti原料和氣體狀態(tài)的氧化劑導(dǎo)入上述處理容器內(nèi)的工序。使用Sr的胺化合物或Sr的亞胺化合物作為上述Sr原料。將氣體狀態(tài)的Sr原料、氣體狀態(tài)的Ti原料和氣體狀態(tài)的氧化劑導(dǎo)入上述處理容器內(nèi)的工序，依次進(jìn)行將上述氣體狀態(tài)的Ti原料導(dǎo)入上述處理容器內(nèi)，并使其吸附在基板上的工序；將上述氣體狀態(tài)的氧化劑導(dǎo)入上述處理容器內(nèi)，使被吸附的Ti原料分解，形成含有Ti的氧化膜的工序；將上述氣體狀態(tài)的Sr原料導(dǎo)入上述處理容器內(nèi)，并使其吸附在上述含有Ti的氧化膜上的工序；和將上述氣體狀態(tài)的氧化劑導(dǎo)入上述處理容器內(nèi)，使被吸附的Sr原料分解，形成含有Sr的氧化膜的工序，并且，以這些工序作為一個(gè)循環(huán)，重復(fù)進(jìn)行多次循環(huán)，疊層在各循環(huán)中形成的薄膜，在基板上形成具有規(guī)定厚度的SrTi03膜。在上述第二觀點(diǎn)中，優(yōu)選在上述吸附Ti原料的工序、上述形成含有Ti的氧化膜的工序、上述吸附Sr原料的工序、和上述形成含有Sr的氧化膜的工序之間具有對(duì)上述處理容器進(jìn)行吹掃的工序。在上述第一或第二觀點(diǎn)中，作為上述Sr原料，優(yōu)選使用C24H46N4Sr或C26H5。N4Sr所示的化合物。上述Sr原料可以在被加熱到100200。C的狀態(tài)下通過鼓泡供給。并且，上述Sr原料可以在溶解于溶劑中且由氣化器加熱到100200。C而被氣化的狀態(tài)下被供給。作為上述溶劑，可以使用長(zhǎng)直鏈烴或環(huán)狀烴。作為這種溶劑，可以列舉出辛垸、環(huán)己烷。根據(jù)本發(fā)明的第三觀點(diǎn)，提供一種存儲(chǔ)介質(zhì)，其為在計(jì)算機(jī)上運(yùn)行、且存儲(chǔ)有控制成膜裝置的程序的計(jì)算機(jī)能夠讀取的存儲(chǔ)介質(zhì)，上述程序在執(zhí)行時(shí)，由計(jì)算機(jī)控制上述成膜裝置，使得實(shí)施SrTi03膜的成膜方法。該成膜方法包括將基板配置在處理容器內(nèi)的工序；對(duì)基板進(jìn)行加熱的工序；和將氣體狀態(tài)的Sr原料、氣體狀態(tài)的Ti原料和氣體狀態(tài)的氧化劑導(dǎo)入上述處理容器內(nèi)的工序。其中，使用Sr的胺化合物或Sr的亞胺化合物作為上述Sr原料。使這些Sr原料、Ti原料和氧化劑在被加熱的基板上反應(yīng)，在基板上形成SrTi03膜。根據(jù)本發(fā)明的第四觀點(diǎn)，提供一種存儲(chǔ)介質(zhì)，其為在計(jì)算機(jī)上運(yùn)行、且存儲(chǔ)有控制成膜裝置的程序的計(jì)算機(jī)能夠讀取的存儲(chǔ)介質(zhì)，上述程序在執(zhí)行時(shí)，由計(jì)算機(jī)控制上述成膜裝置，使得實(shí)施SrTi03膜的成膜方法。該成膜方法包括將基板配置在處理容器內(nèi)的工序；對(duì)基板進(jìn)行加熱的工序；和將氣體狀態(tài)的Sr原料、氣體狀態(tài)的Ti原料和氣體狀態(tài)的氧化劑導(dǎo)入上述處理容器內(nèi)的工序。其中，使用Sr的胺化合物或Sr的亞胺化合物作為上述Sr原料。將氣體狀態(tài)的Sr原料、氣體狀態(tài)的Ti原料和氣體狀態(tài)的氧化劑導(dǎo)入上述處理容器內(nèi)的工序，依次進(jìn)行將上述氣體狀態(tài)的Ti原料導(dǎo)入上述處理容器內(nèi)，并使其吸附在基板上的工序；將上述氣體狀態(tài)的氧化劑導(dǎo)入上述處理容器內(nèi)，使被吸附的Ti原料分解，形成含有Ti的氧化膜的工序；將上述氣體狀態(tài)的Sr原料導(dǎo)入上述處理容器內(nèi)，并使其吸附在上述含有Ti的氧化膜上的工序；和將上述氣體狀態(tài)的氧化劑導(dǎo)入上述處理容器內(nèi)，使被吸附的Sr原料分解，形成含有Sr的氧化膜的工序，并且，以這些工序作為一個(gè)循環(huán)，重復(fù)進(jìn)行多次循環(huán)，疊層在各循環(huán)中形成的薄膜，在基板上形成具有規(guī)定厚度的SrTi03膜。根據(jù)本發(fā)明，使用Sr的胺化合物或Sr的亞胺化合物作為上述Sr原料，但由于它們的蒸汽壓高于Sr(DPM)2，能夠供給足夠的氣體量，能夠提高處理能力。并且，Sr的結(jié)合鍵全部與N以單鍵結(jié)合的Sr的胺化合物或Sr的結(jié)合鍵中含有與N的雙鍵的Sr的亞胺化合物，均容易吸附在基板表面，所以能夠?qū)崿F(xiàn)高覆蓋率的成膜，又由于比Sr(DPM)2更穩(wěn)定，所以在氣相中分解或在吸附在基板表面上的同時(shí)分解能夠在一定程度上受到抑制，在ALD成膜時(shí)，它們被吸附后，在隨后的步驟8中03氣體等氧化劑吸附在其上，開始反應(yīng)成為氧化膜，所以能夠明確在ALD中必需的吸附、反應(yīng)的步驟，能夠適當(dāng)?shù)匾?guī)定用于ALD的Sr原料和氧化劑的供給條件。圖1是表示能夠在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的成膜方法的實(shí)施中使用的成膜裝置的大致結(jié)構(gòu)的截面圖。圖2是表示本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的成膜方法順序的工序圖。圖3是表示對(duì)每種Sr原料，Sr流量與一個(gè)循環(huán)中的Sr膜厚的關(guān)系的圖。圖4是表示處理氣體供給機(jī)構(gòu)的另一個(gè)例子的圖。具體實(shí)施例方式下面參照本發(fā)明的實(shí)施方式。圖1是表示能夠在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的成膜方法的實(shí)施中使用的成膜裝置的大致結(jié)構(gòu)的截面圖。圖1所示的成膜裝置100，具有例如由鋁等制成的成型為圓筒狀或箱狀的處理容器1，在處理容器1內(nèi)設(shè)有載置作為被處理基板的半導(dǎo)體晶片W的載置臺(tái)3。載置臺(tái)3由厚度為lmm左右的例如碳原料、氮化鋁等鋁化合物等構(gòu)成。在載置臺(tái)3的外周側(cè)，形成有從處理容器1的底部立起成為圓筒狀的、例如由鋁等構(gòu)成的間隔壁13，使其上端向水平方向彎曲例如呈L字形，形成彎曲部14。如此，通過設(shè)置圓筒狀的間隔壁13，在載置臺(tái)3里面一側(cè)形成惰性氣體吹掃室15。彎曲部14的上表面實(shí)質(zhì)上與載置臺(tái)3的上表面在同一平面上，與載置臺(tái)3的外周分離，在此間隙中插通有連接棒12。載置臺(tái)3由從間隔壁13的上部?jī)?nèi)壁延伸的三根(在圖示的例子中只表示了兩根)支撐臂4所支撐。在載置臺(tái)3的下方以從環(huán)狀支撐部件6向上方突出的方式設(shè)置有多根，例如三根(在圖示的例子中只表示了兩根)L字形的升降銷5。支撐部件6能夠利用從處理容器1底部貫穿設(shè)置的升降桿7升降，升降桿7利用位于處理容器1下方的驅(qū)動(dòng)器(actuator)IO上下運(yùn)動(dòng)。在載置臺(tái)3的與升降銷5相對(duì)應(yīng)的部分設(shè)有貫穿載置臺(tái)3的插通孔8,利用驅(qū)動(dòng)器IO，通過升降桿7和支撐部件6使升降銷5上升，由此能夠使升降銷5插通該插通孔8，抬起半導(dǎo)體晶片W。升降桿7向處理容器1的插入部分被波紋管9覆蓋，防止外部氣體由該插入部分侵入處理容器1內(nèi)。在載置臺(tái)3的周邊部設(shè)置有壓緊環(huán)部件11，該壓緊環(huán)部件用于保持半導(dǎo)體晶片w的周邊部并將其固定在載置臺(tái)3艦U，例如為沿著圓片狀半導(dǎo)體晶片W的輪廓形狀的大致的環(huán)狀，例如由氮化鋁等陶瓷制造。壓緊環(huán)部件11經(jīng)由連接棒12連接在上述支撐部件6上，與升降銷5一體地進(jìn)行升降。升降銷5和連接棒12等由氧化鋁等陶瓷形成。在環(huán)狀的壓緊環(huán)部件11內(nèi)周側(cè)的下表面，沿著圓周方向形成有大致等間隔地配置的多個(gè)接觸突起16，在壓緊時(shí)，接觸突起16的下端面與半導(dǎo)體晶片W周邊部的上表面接觸，對(duì)其進(jìn)行擠壓。其中，接觸突起16的直徑為lmm左右，高度大約為50(im左右。在壓緊時(shí)，在該部分形成環(huán)狀的第一氣體吹掃用間隙17。并且，壓緊時(shí)半導(dǎo)體晶片W的周邊部和壓緊環(huán)部件11內(nèi)周側(cè)之間的重疊量(第一氣體吹掃用間隙17的流路長(zhǎng)度)Ll為數(shù)mm左右。壓緊環(huán)部件11的周邊部位于間隔壁13的上端彎曲部14的上方，在此形成環(huán)狀的第二氣體吹掃用間隙18。第二氣體吹掃用間隙18的寬度例如為500pm左右，為比第一氣體吹掃用間隙17寬度大10倍左右的寬度。壓緊環(huán)部件11的周邊部與彎曲部14的重疊量(第二氣體吹掃用間隙18的流路長(zhǎng)度)例如為10mm左右。由此，能夠使惰性氣體吹掃室15內(nèi)的惰性氣體從兩個(gè)間隙17、18向處理空間側(cè)流出。在處理容器1的底部設(shè)置有向上述惰性氣體吹掃室15供給惰性氣體的惰性氣體供給機(jī)構(gòu)19。該氣體供給機(jī)構(gòu)19具有用于向惰性氣體吹掃室15導(dǎo)入惰性氣體例如Ar氣體的氣體噴嘴20、用于供給作為惰性氣體的Ar氣體的Ar氣體供給源21、和從Ar氣體供給源21向氣體噴嘴20導(dǎo)入Ar氣體的配管22。并且，在氣體配管22上設(shè)置有作為流量控制器的質(zhì)量流量控制器23和開關(guān)閥24、25。也可以使用He氣體等代替Ar氣體作為惰性氣體。在處理容器1底部的載置臺(tái)3的正下方，氣密地設(shè)置有由石英等熱線透過材料構(gòu)成的透過窗30，在其下方，以圍繞透過窗30的方式設(shè)置有箱狀的加熱室31。在該加熱室31內(nèi)，在兼作反射鏡的旋轉(zhuǎn)臺(tái)33上安裝有作為加熱單元的多個(gè)加熱燈32。旋轉(zhuǎn)臺(tái)33通過旋轉(zhuǎn)軸利用設(shè)在加熱室31底部的旋轉(zhuǎn)電機(jī)34旋轉(zhuǎn)。因此，由加熱燈32放出的熱線透過透過窗30照射到載置臺(tái)3的下表面，對(duì)其進(jìn)行加熱。此外，在處理容器l底部的周邊部設(shè)有排氣口36，在排氣口36上連接有與未圖示的真空泵連接的排氣管37。并且，通過經(jīng)由該排氣口36和排氣管37進(jìn)行排氣，能夠使處理容器1內(nèi)維持在規(guī)定的真空度。并且，在處理容器1的側(cè)壁上設(shè)置有搬入搬出半導(dǎo)體晶片W的搬入搬出口39和使搬入搬出口39開關(guān)的閘閥38。另一方面，在處理容器1中與載置臺(tái)3相對(duì)的天井部，設(shè)置有用于向處理容器1內(nèi)導(dǎo)入源氣體等的噴淋頭40。噴淋頭40例如由鋁等構(gòu)成，包括在內(nèi)部具有空間41a的圓盤狀的本體41。在本體41的天井部設(shè)置有氣體導(dǎo)入口42。供給SrTi03膜成膜所必需的處理氣體的處理氣體供給機(jī)構(gòu)50通過配管51與氣體導(dǎo)入口42連接。在噴淋頭本體41的底部在整個(gè)面內(nèi)配置有用于將供給到噴淋頭本體41內(nèi)的氣體向處理容器1內(nèi)的處理空間放出的多個(gè)氣體噴射孔43，向半導(dǎo)體晶片W的整個(gè)面上放出氣體。并且，在噴淋頭本體41內(nèi)的空間41a中，設(shè)置有具有多個(gè)氣體分散孔45的擴(kuò)散板44，使氣體能夠更均勻地供給到半導(dǎo)體晶片W的表面。此外，在處理容器1的側(cè)壁內(nèi)和噴淋頭40的側(cè)壁內(nèi)分別設(shè)有用于調(diào)節(jié)溫度的筒式加熱器(cartridgeheater)46、47，能夠?qū)⑴c氣體接觸的側(cè)壁和噴淋頭部保持在規(guī)定的溫度。處理氣體供給機(jī)構(gòu)50具有儲(chǔ)存Sr原料的Sr原料儲(chǔ)存部52、儲(chǔ)存Ti原料的Ti原料儲(chǔ)存部53、供給氧化劑的氧化劑供給源54、和供給用于稀釋處理容器1內(nèi)氣體的氬氣體等稀釋氣體的稀釋氣體供給源55。在與噴淋頭40連接的配管51上，連接有從Sr原料儲(chǔ)存部52延伸的配管56、從Ti原料儲(chǔ)存部53延伸的配管57、和從氧化劑供給源54延伸的配管58，在配管51上連接有上述稀釋氣體供給源55。在配管51上設(shè)有作為流量控制器的質(zhì)量流量控制器(MFC)60及其前后的開關(guān)閥61、62。并且，在配管58上設(shè)置有作為流量控制器的質(zhì)量流量控制器(MFC)63及其前后的開關(guān)閥64、65。ii供給Ar等用于鼓泡的載氣的載氣供給源66通過配管67與Sr原料儲(chǔ)存部52連接。在配管67上設(shè)置有作為流量控制器的質(zhì)量流量控制器(MFC)68及其前后的開關(guān)閥69、70。并且，供給Ar等載氣的載氣供給源71通過配管72也與Ti原料儲(chǔ)存部53連接。在配管72上設(shè)置有作為流量控制器的質(zhì)量流量控制器(MFC)73及其前后的開關(guān)閥74、75。在Sr原料儲(chǔ)存部52和Ti原料儲(chǔ)存部53中分別設(shè)有加熱器76、77。并且，儲(chǔ)存在Sr原料儲(chǔ)存部52中的Sr原料和儲(chǔ)存在Ti原料儲(chǔ)存部53中的Ti原料，在被這些加熱器76、77加熱的狀態(tài)下，通過鼓泡供給到處理容器l中。其中，雖未圖示，但在使Sr原料和Ti原料以被氣化的狀態(tài)進(jìn)行供給的配管中也設(shè)有加熱器。作為Sr原料，使用Sr的胺化合物或Sr的亞胺化合物。如下述(1)所示，Sr的胺化合物是Sr的結(jié)合鍵全部與N以單鍵結(jié)合的化合物。如下述(2)所示，Sr的亞胺化合物是S的結(jié)合鍵中含有與N的雙鍵的化合物。Sr(1)N=Sr=N(2)它們的蒸氣壓高于現(xiàn)有的Sr(DPN)2，而且具有容易吸附在基板表面的性質(zhì)，并且比Sr(DPN)2更穩(wěn)定，因此適合于作為如下所述的SrTi03膜的原料。其中，優(yōu)選作為Sr的胺化合物的C24H46N4Si^BC26H5。N4Sr。C24H46N4Sr具有下述(3)所示的結(jié)構(gòu)，C26H5QN4Sr具有下述(4)所示的結(jié)構(gòu)。12作為Ti原料，可以適當(dāng)?shù)厥褂靡恢币詠硎褂玫腡i(OiPr)4或Ti(OiPr)2(DPM)2等。作為氧化劑，可以使用一直以來使用的03氣體、02氣體、H20，可以將它們單獨(dú)或組合使用。還可以使用02氣體的等離子體。在處理容器1的側(cè)壁上部，設(shè)置有導(dǎo)入作為清洗氣體的NF3氣體的清洗氣體導(dǎo)入部81。在該清洗氣體導(dǎo)入部81上連接有供給NF3氣體的配管82，在該配管82上設(shè)置有遠(yuǎn)距離等離子體發(fā)生部83。并且，經(jīng)由配管82供給到該遠(yuǎn)距離等離子體發(fā)生部83中的NF3氣體被等離子化，將其供給到處理容器l內(nèi)，從而對(duì)處理容器l內(nèi)進(jìn)行清洗。并且，也可以將遠(yuǎn)距離等離子體發(fā)生部設(shè)置在噴淋頭40的正上方，通過噴淋頭40供給清洗氣體。此外，也可以不使用遠(yuǎn)距離等離子體，由C1F3等進(jìn)行無等離子體的熱清洗。成膜裝置100具有由微處理機(jī)(計(jì)算機(jī))組成的過程控制器90，成膜裝置100的各構(gòu)成部與該過程控制器90連接，并被其控制。并且，在過程控制器90上連接有用戶界面91，該用戶界面由操作人員用于管理成膜裝置100的各構(gòu)成部而進(jìn)行指令輸入操作的鍵盤、或可視化顯示成膜裝置100的各構(gòu)成部的運(yùn)行情況的顯示器等構(gòu)成。此外，在過程控制器90上還連接有存儲(chǔ)部92，在該存儲(chǔ)部?jī)?nèi)存儲(chǔ)有用于在過程控制器90的控制下實(shí)現(xiàn)在成膜裝置100中進(jìn)行的各種處理的控制程序、用于根據(jù)處理?xiàng)l件使處理裝置100的各構(gòu)成部實(shí)施規(guī)定處理的控制程序即方案、或各種數(shù)據(jù)庫(kù)等。方案存儲(chǔ)在存儲(chǔ)部92中的存儲(chǔ)介質(zhì)中。存儲(chǔ)介質(zhì)可以是硬盤等固定設(shè)置的介質(zhì)，也可以是CDROM、DVD、閃存存儲(chǔ)器等可移動(dòng)設(shè)置的介質(zhì)。并且，也可以從其他裝置例如通過專用線路適當(dāng)傳送方案。并且，根據(jù)需要，利用來自用戶界面91的指令等，從存儲(chǔ)部92出任意的方案，由過程控制器90執(zhí)行，由此，在過程控制器90的控制下，在成膜裝置100中進(jìn)行希望的處理。下面，說明使用如上結(jié)構(gòu)的成膜裝置進(jìn)行的成膜處理方法。首先，打開閘閥38，將半導(dǎo)體晶片W從搬入搬出口39搬入處理容器1內(nèi)，并載置在載置臺(tái)3上。載置臺(tái)3預(yù)先被由加熱燈32放出并透過透過窗30的熱線加熱，由該熱量加熱半導(dǎo)體晶片W。然后，以100800mL/min(sccm)的流量從稀釋氣體供給源55供給作為稀釋氣體的例如Ar氣體，并且由未圖示的真空泵通過排氣口36和排氣管37對(duì)處理容器1內(nèi)進(jìn)行排氣，由此使處理容器1內(nèi)的壓力被真空排氣至39665Pa左右。此時(shí)半導(dǎo)體晶片W的加熱溫度設(shè)定在例如200400。C。然后，使稀釋用氣體例如Ar氣體的流量為100500mL/min(sccm)，將處理容器1內(nèi)的壓力控制為成膜壓力39266Pa，開始實(shí)質(zhì)上的成膜。其中，處理容器l內(nèi)的壓力調(diào)節(jié)由設(shè)置在排氣管37中的自動(dòng)壓力控制器(APC)進(jìn)行。在本實(shí)施方式中，在實(shí)際成膜時(shí)，使用圖2所示順序的ALD法。首先，從被加熱器77加熱到5070。C左右或15023(TC的Ti原料儲(chǔ)存部53，通過鼓泡將Ti(0iPr)4或Ti(OiPr)2(DPM)2等Ti原料經(jīng)由噴淋頭40供給到處理容器1內(nèi)的半導(dǎo)體晶片W上(步驟l)。此時(shí)，來自稀釋氣體供給源55的稀釋氣體例如Ar氣體的流量為100500mL/min(sccm)，來自載氣供給源71的載氣例如Ar氣體的流量為100500mL/min(sccm)左右。該工序進(jìn)行的時(shí)間為例如0.120sec左右。然后，停止載氣，停止供給Ti原料，使來自稀釋氣體供給源55的稀釋氣體例如Ar氣體的流量為2001000mL/min(sccm)，向處理容器l內(nèi)供給，對(duì)處理容器內(nèi)進(jìn)行吹掃(步驟2)。該工序進(jìn)行的時(shí)間為例如0.120sec左右。然后，在以100500mL/min(sccm)左右從稀釋氣體供給源55供給稀釋氣體例如Ar氣體的狀態(tài)下，從氧化劑供給源54經(jīng)由噴淋頭40向處理容器l內(nèi)的半導(dǎo)體晶片W上供給氧化劑(步驟3)。由此，吸附在半導(dǎo)體晶片W表面上的Ti原料被分解，并發(fā)生氧化，形成TiOj莫。該工序進(jìn)行的時(shí)間為例如0.120sec左右。在使用03氣體作為氧化劑的情況下，使用臭氧發(fā)生器作為氧化劑供給源54，以50200g/Nm3左右的流量進(jìn)行供給。此時(shí)可以并用02氣體，此時(shí)02氣體的流量為1001000mL/min(sccm)左右。然后，停止供給氧化劑，在與步驟2同樣的條件下，向處理容器l內(nèi)供給來自稀釋氣體供給源55的稀釋氣體，對(duì)處理容器內(nèi)進(jìn)行吹掃(步驟4)。然后，從被加熱器76加熱到10020(TC左右的Sr原料儲(chǔ)存部52，通過鼓泡，經(jīng)由噴淋頭40向處理容器1內(nèi)的半導(dǎo)體晶片W上供給作為Sr原料的上述Sr的胺化合物或Sr的亞胺化合物，例如作為Sr的胺化合物的C24H46N4Sr或C26H5QN4Sr(步驟5)。由此使Sr原料吸附在TiOj莫的表面上。此時(shí)來自稀釋氣體供給源55的稀釋氣體例如Ar氣體的流量為100500mL/min(sccm)，來自載氣供給源66的載氣例如Ar氣體的流量為100500mL/min(sccm)左右。該工序進(jìn)行的時(shí)間為例如0.120sec左右。然后，停止載氣，停止Sr供給原料，在與步驟2同樣的條件下，向處理容器1內(nèi)供給來自稀釋氣體供給源55的稀釋氣體，例如Ar氣體的流量，對(duì)處理容器內(nèi)進(jìn)行吹掃(步驟6)。然后，在與步驟3同樣的條件下，在從稀釋氣體供給源55流出稀釋氣體的狀態(tài)下，經(jīng)由噴淋頭40，從氧化劑供給源54向處理容器1內(nèi)的半導(dǎo)體晶片W上供給氧化劑(步驟7)。然后，停止供給氧化劑，在與步驟2同樣的條件下，向處理容器l內(nèi)供給來自稀釋氣體供給源55的稀釋氣體，對(duì)處理容器內(nèi)進(jìn)行吹掃(步驟8)。通過重復(fù)進(jìn)行20次以上的上述步驟18，例如100次，形成規(guī)定厚度的SrTiCy莫。如此形成膜以后，以規(guī)定流量從氧化劑供給源54供給例如02氣體，在使膜可靠地氧化后，停止全部氣體，將處理容器內(nèi)抽真空，此后利用輸送臂搬出處理容器1內(nèi)的半導(dǎo)體晶片W。在以上的順序中，閥門或質(zhì)量流量控制器等的控制基于存儲(chǔ)在存儲(chǔ)部92中的方案，由過程控制器90進(jìn)行。在以上的成膜工序中，使用Sr的胺化合物或Sr的亞胺化合物作為Sr原料，它們的蒸氣壓高于一直以來用作Sr源的Sr(DPM)2。例如，對(duì)于Sr(DPM)2，在231。C的蒸氣壓是13.3Pa(0.1Torr)，而C24H46N4Sr在ll(TC是6,67Pa(0.05Torr)，C26H50N4Sr在125。C是6.67Pa。因此，能夠供給足夠的氣體量，能夠提高處理能力。并且，Sr的結(jié)合鍵全部與N以單鍵結(jié)合的Sr的胺化合物或者Sr的結(jié)合鍵含有與N的雙鍵的Sr的亞胺化合物的任何一種均容易吸附在基底的表面上，因此能夠?qū)崿F(xiàn)高覆蓋率的成膜。此外，由于比Sr(DPM)2更加穩(wěn)定，氣相分解或者在吸附在基板表面上的同時(shí)的分解在一定程度上受到抑制，在吸附Sr原料之后，在接下來的步驟中氧化劑吸附在其上，并開始進(jìn)行反應(yīng)，得到氧化膜，所以能夠明確在ALD中必需的吸附、反應(yīng)的步驟，能夠適當(dāng)?shù)匾?guī)定用于ALD的Sr原料和氧化劑的供給條件，能夠組合出高處理能力的合理順序。例如，如圖3所示，如果使Sr流量為橫軸，每l個(gè)循環(huán)的膜厚為縱坐標(biāo)，則對(duì)于Sr(DPM)2，相對(duì)于Sr流量每l個(gè)循環(huán)的膜厚不會(huì)飽和，而對(duì)于Sr的胺化合物或Sr的亞胺化合物，相對(duì)于Sr流量每1個(gè)循環(huán)的膜厚飽和，所以能夠很容易地決定飽和時(shí)刻的流在以上的成膜裝置中，使用通過鼓泡進(jìn)行原料供給的處理氣體供給機(jī)構(gòu)50，但也可以代之以使用如圖4所示的用氣化器進(jìn)行原料供給的處理氣體供給機(jī)構(gòu)50'。處理氣體供給機(jī)構(gòu)50'包括在使Sr原料溶解于溶劑中的狀態(tài)下儲(chǔ)存的Sr原料儲(chǔ)存部52'、在使Ti原料溶解于溶劑中的狀態(tài)下儲(chǔ)存的Ti原料儲(chǔ)存部53'、供給氧化劑的氧化劑供給源54'、和使Sr原料及Ti原料氣化的氣化器101。從Sr原料儲(chǔ)存部52'至氣化器101設(shè)置有配管102，從Ti原料儲(chǔ)存部53'至氣化器101設(shè)置有配管103。液體從Sr原料儲(chǔ)存部52'和Ti原料儲(chǔ)存部53'通過壓送氣體或泵等供給到氣化器101中。在配管102上設(shè)置有作為流量控制器的液體質(zhì)量流量控制器(LMFC)104及其前后的開關(guān)閥105、106。并且，在配管103上設(shè)置有液體質(zhì)量流量控制器(LMFC)107及其前后的開關(guān)閥108、109。在Sr原料儲(chǔ)存部52'和Ti原料儲(chǔ)存部53'中分別設(shè)有加熱器76'、77'。于是，儲(chǔ)存在Sr原料儲(chǔ)存部52'中并處于溶解于溶劑狀態(tài)的Sr原料和存儲(chǔ)在Ti原料儲(chǔ)存部53'中并處于溶解于溶劑狀態(tài)的Ti原料由這些加熱器76'、77'加熱到規(guī)定的溫度，通過泵或氣體壓送等以液體狀態(tài)供給至氣化器101中。其中，雖未圖示，但在流通Sr原料或Ti原料的配管中也設(shè)有加熱器。在氣化器101上連接有至噴淋頭40的上述配管51'。在氣化器101上連接有從供給Ar氣體等載氣的載氣供給源110延伸的配管111，向氣化器101供給載氣，經(jīng)由配管51'和噴淋頭40，將在氣化器101內(nèi)被加熱到例如10020(TC而被氣化的Sr原料和Ti原料導(dǎo)入處理容器1內(nèi)。在配管111上設(shè)有作為流量控制器的質(zhì)量流量控制器(MFC)112及其前后的開關(guān)閥113、114。從氧化劑供給源54'至配管51'設(shè)有配管115，將氧化劑從配管115經(jīng)由配管51'和噴淋頭40導(dǎo)入處理容器1內(nèi)。在配管115上設(shè)有作為流量控制器的質(zhì)量流量控制器(MFC)116及其前后的開關(guān)閥117、118。氣體供給機(jī)構(gòu)50'還具有供給用于稀釋處理容器1內(nèi)氣體的氬氣體等稀釋氣體的稀釋氣體供給源55'。在該稀釋氣體供給源55'中設(shè)有至配管51'的配管119，從配管119經(jīng)由配管51'和噴淋頭40向處理容器1內(nèi)導(dǎo)入稀釋用氬氣體。在配管119上設(shè)有作為流量控制器的質(zhì)量流量控制器(MFC)120及其前后的開關(guān)閥121、122。在如此使溶解于溶劑狀態(tài)下的原料在氣化器101中氣化并進(jìn)行供給的情況下，通過使用蒸氣壓高的Sr的胺化合物或Sr的亞胺化合物作為Sr原料，能夠使用辛垸等長(zhǎng)直鏈狀的烴或環(huán)己烷等環(huán)狀烴作為溶劑，能夠避免一直以來使用的THF那樣的溶質(zhì)與溶劑的反應(yīng)，能夠穩(wěn)定地進(jìn)行輸送和氣化。在使用氣體供給機(jī)構(gòu)50'進(jìn)行SrTiOj莫成膜的情況下，除了上述步驟1的Ti原料流和步驟5的Sr原料流不同以外，基本上與上述順序同樣操作，實(shí)施成膜處理。在步驟1的Ti原料流中，在Ti原料儲(chǔ)存部53'中，如上所述使Ti原料溶解在辛烷或環(huán)己垸中，搬送至被加熱到150230。C的氣化器101，并使其氣化。此時(shí)的濃度優(yōu)選為0.05lmol/L。此時(shí)來自稀釋氣體供給源55'的稀釋氣體例如Ar氣體的流量為100500mL/min(sccm)，來自載氣供給源110的載氣例如Ar氣體的流量為100500mL/min(sccm)左右。并且，該工序進(jìn)行的時(shí)間與上述鼓泡供給的情況相同。在步驟5的Sr原料流中，在Sr原料儲(chǔ)存部52'中，如上所述使Sr17原料溶解在辛垸或環(huán)己烷中。此時(shí)的濃度優(yōu)選為0.05lmol/L。將其供給至被加熱到10020(TC的氣化器101，并使其氣化。此時(shí)來自稀釋氣體供給源55'的稀釋氣體例如Ar氣體的流量為100500mL/min(sccm)，來自載氣供給源110的載氣例如Ar氣體的流量為100500mL/min(sccm)左右。并且，該工序進(jìn)行的時(shí)間與上述鼓泡供給的情況相同。在如此使用氣化器供給Sr原料、Ti原料的情況下，通過重復(fù)20次以上步驟18，例如100次，形成規(guī)定厚度的SrTi03膜。然后，與上述例同樣，停止02氣體的流通和氣體，進(jìn)行抽真空，然后將半導(dǎo)體晶片W從處理容器1搬出。其中，也可以使Sr原料儲(chǔ)存部和Ti原料儲(chǔ)存部的任一個(gè)為鼓泡型，另一個(gè)為氣化器型。下面，基于上述實(shí)施方式，一起表示實(shí)際成膜時(shí)的實(shí)施例和比較例。<實(shí)施例1>在上述圖1的裝置中，調(diào)節(jié)燈的功率，將載置臺(tái)的溫度設(shè)定為成膜溫度270。C，使用搬送機(jī)械手的臂將200mm的Si晶片搬入處理容器內(nèi)，形成SrTi03膜。使用C24H46N4Sr作為Sr原料，將其保持在加熱到150X:的容器中，用鼓泡法向處理容器內(nèi)供給作為載氣的Ar氣體。使用Ti(0iPr)4作為Ti原料，將其保持在加熱到4(TC的容器中，同樣用鼓泡法向處理容器內(nèi)供給作為載氣的Ar氣體。并且，使用03氣體和02氣體作為氧化劑。配管和處理容器的溫度為155°C。然后，用臂將Si晶片設(shè)置在載置臺(tái)上，然后以300mL/min(sccm)的流量流通稀釋Ar氣體30sec，并在133Pa(lTorr)的壓力下將Si晶片升溫至成膜溫度，然后將稀釋氣體維持在同樣流量，在10sec內(nèi)將壓力控制為成膜壓力106Pa(0.8Torr)，通過上述步驟18進(jìn)行成膜。步驟1的Ti原料供給工序，使載氣Ar氣體的流量為100mL/min(sccm)，稀釋Ar氣體的流量為100mL/min(sccm)，進(jìn)行2sec的時(shí)間。在步驟2的Ar氣體吹掃中，停止載氣Ar氣體，使稀釋Ar氣體的流量為500mL/min(sccm)，進(jìn)行l(wèi)sec的時(shí)間。步驟3的氧化劑供給工序，使03氣體為200g/Nm3、02氣體為1000mL/min(sccm)，使稀釋Ar氣體的流量為100mL/min(sccm)，進(jìn)行2sec的時(shí)間。步驟4的Ar氣體吹掃，在停止03氣體、02氣體后，與步驟2同樣，使稀釋Ar氣體的流量為500mL/min(sccm)，進(jìn)行l(wèi)sec的時(shí)間。步驟5的Sr原料供給工序，使載氣Ar氣體的流量為50mL/min(sccm)、稀釋Ar氣體的流量為100mL/min(sccm)，進(jìn)行2sec的時(shí)間。步驟6的Ar氣體吹掃與步驟2同樣，停止載氣Ar氣體，使稀釋Ar氣體的流量為500mL/min(sccm)，進(jìn)行l(wèi)sec的時(shí)間。步驟7的氧化劑供給工序和步驟8的Ar氣體吹掃，在與步驟3和步驟4完全相同的條件下進(jìn)行。重復(fù)100次如上所述的步驟18后，將壓力維持在成膜壓力，并使02氣體以300mL/min(sccm)的流量流通20sec，隨后在停止氣體的狀態(tài)下20sec的時(shí)間，對(duì)處理容器內(nèi)抽真空并保持，然后從處理容器中搬出Si晶片。對(duì)以上述順序形成的SrTi03膜的厚度進(jìn)行測(cè)定，為12nm。<實(shí)施例2>在上述圖1的裝置中，調(diào)節(jié)燈的功率，將載置臺(tái)的溫度設(shè)定為成膜溫度340°C，使用搬送機(jī)械手的臂將200mm的Si晶片搬入處理容器內(nèi)，形成SrTiOj莫。使用C26H5QN4Sr作為Sr原料，將其以0.4mol/L的濃度溶解于辛烷中，用He壓送到加熱至15(TC的氣化器中，使作為載氣的Ar氣體氣化，并供給到處理容器中。使用Ti(0iPr)4作為Ti原料，將其保持在加熱到40。C的容器中，用鼓泡法將作為載氣的Ar氣體供給到處理容器中。使用03氣體和02氣體作為氧化劑。配管和處理容器的溫度為155°C。然后，用臂將Si晶片設(shè)置在載置臺(tái)上，然后以300mL/min(sccm)的流量流通稀釋Ar氣體30sec的時(shí)間，并在133Pa(1Torr)的壓力下將Si晶片升溫至成膜溫度，然后使稀釋氣體維持同樣的流量，并在lOsec內(nèi)將壓力控制在成膜壓力106Pa(0.8Torr)，通過上述步驟18進(jìn)行成膜。直至步驟14，在與實(shí)施例1的步驟14同樣的條件下進(jìn)行，然后步驟5的Sr原料供給工序，使載氣Ar氣體的流量為50mL/min(sccm)、稀釋Ar氣體的流量為lOOmL/min(sccm)，用氣化器使溶解于辛垸中的C26H5QN4Sr氣化，供給2sec的時(shí)間。步驟6的Ar氣體吹掃與步驟2同樣，停止載氣Ar氣體，使稀釋Ar氣體的流量為500mL/min(sccm)，進(jìn)行l(wèi)sec的時(shí)間。步驟7的氧化劑供給工序和步驟8的Ar氣體吹掃，在與步驟3和步驟4完全相同的條件下進(jìn)行。重復(fù)100次如上所述的步驟18后，將壓力維持為成膜壓力，并使02氣體以300mL/min(sccm)的流量流通20sec，隨后在停止氣體的狀態(tài)下20sec的時(shí)間，對(duì)處理容器內(nèi)抽真空并保持，然后從處理容器內(nèi)搬出Si晶片。對(duì)以上述順序形成的SrTiOj莫的厚度進(jìn)行測(cè)定，為13nm。<比較例1>在上述圖1的裝置中，調(diào)節(jié)燈的功率，將載置臺(tái)的溫度設(shè)定為成膜溫度320°C，使用搬送機(jī)械手的臂將200mm的Si晶片搬入處理容器內(nèi)，形成SrTi03膜。使用Sr(DPM)2作為Sr原料，將其保持在加熱到200。C的容器中，用鼓泡法將作為載氣的Ar氣體供給到處理容器中。使用Ti(OiPr)4作為Ti原料，將其保持在加熱到40°C的容器中，同樣用鼓泡法將作為載氣的Ar氣體供給到處理容器中。使用03氣體作為氧化劑。配管和處理容器的溫度為180°C。然后利用臂將Si晶片設(shè)置在載置臺(tái)上之后，以300mL/min(sccm)的流量流通稀釋Ar氣體30sec，并在133Pa(1Torr)的壓力下將Si晶片升溫至成膜溫度之后，將稀釋氣體維持在同樣的流量，在10sec內(nèi)將壓力控制為成膜壓力40Pa(0.3Torr)，通過如上所述的步驟18進(jìn)行成膜。步驟1的Ti原料供給工序，使載氣Ar氣體的流量為lOOmL/min(sccm)、稀釋Ar氣體的流量為lOOmL/min(sccm)，進(jìn)行2sec的時(shí)間。在步驟2的Ar氣體吹掃中，停止載氣Ar氣體，使稀釋Ar氣體的流量為500mL/min(sccm)，進(jìn)行l(wèi)sec的時(shí)間。步驟3的氧化劑供給工序，使03氣體的流量為200g/Nm3、稀釋Ar氣體的流量為lOOOmL/min(sccm)，進(jìn)行2sec的時(shí)間。步驟4的Ar氣體吹掃，在停止03氣體之后，與步驟2同樣，使稀釋Ar氣體的流量為500mL/min(sccm)，進(jìn)行l(wèi)sec的時(shí)間。步驟5的Sr原料供給工序，使載氣Ar氣體的流量為50mL/min(sccm)、稀釋Ar氣體的流量為100mL/min(sccm)，進(jìn)行2sec的時(shí)20間。步驟6的Ar氣體吹掃，與步驟2同樣，停止載氣Ar氣體，使稀釋Ar氣體的流量為500mL/min(sccm)，進(jìn)行l(wèi)sec的時(shí)間。步驟7的氧化劑供給工序和步驟8的Ar氣體吹掃，在與步驟3和步驟4完全相同的條件下進(jìn)行。重復(fù)IOO次如上所述的步驟18后，將壓力維持為成膜壓力，并使02氣體以300mL/min(sccm)的流量流通20sec之后，在停止氣體的狀態(tài)下20sec的時(shí)間，對(duì)處理容器內(nèi)抽真空并保持，然后從處理容器內(nèi)搬出Si晶片。對(duì)以上述順序形成的SrTi03膜的厚度進(jìn)行測(cè)定，為3nm，其膜厚小于實(shí)施例。這是由于使用蒸氣壓低的Sr(DPM)2作為Sr原料，在200'C的鼓泡中Sr的供給量減少的緣故。<比較例2>使成膜溫度為350°C，將作為Sr原料的Sr(DPM)2溶解于THF中，用氣化器氣化進(jìn)行供給，將原料容器和氣化器加熱到31(TC，使成膜壓力為133Pa(lTorr)，除此之外，在與比較例1相同的條件下形成SrTi03膜。測(cè)定SrTiCb膜的厚度為6nm，其膜厚大于比較例1，但小于實(shí)施例?？梢哉J(rèn)為這是由于氣化溫度高、氣化量增大，但由于配管和處理容器的溫度還是1S0'C，使Sr(DPM)2在配管或處理容器的壁部再次固化，到達(dá)晶片的原料減少的緣故。<比較例3>除了使配管和處理容器的溫度為320'C以外，在與比較例2相同的條件下進(jìn)行SrTK)3膜的成膜。結(jié)果膜厚是12nm，與實(shí)施例一樣，但為了升高配管和處理容器的溫度，需要提高部件的耐熱性，樹脂閥門要變成全金屬閥門，處理容器的材料要由鋁變成不銹鋼，噴淋頭的材料要由鋁變成耐蝕耐熱鎳基合金(hastdloy)等，使設(shè)備的負(fù)擔(dān)過大而難以實(shí)現(xiàn)。以上實(shí)施例1、2和比較例13的結(jié)果顯示在表1中。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage22</column></row><table>此外，本發(fā)明并不限于上述實(shí)施方式，種種的限定都是可能的。例如，在上述實(shí)施方式中，表示的是用ALD法進(jìn)行成膜的情況，但利用通常的CVD法進(jìn)行成膜的情況也是能夠適用的。并且，作為成膜裝置，表示的是用燈加熱對(duì)被處理基板進(jìn)行加熱的情況，但也可以用電阻加熱加熱器進(jìn)行加熱。此外，在上述實(shí)施方式中，表示的是使用半導(dǎo)體晶片作為被處理基板的情況，但并不限于半導(dǎo)體晶片，也可以使用FPD用玻璃基板等其他基板。產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明的SrTi03膜的成膜方法，能夠以高處理能力、高覆蓋率得到品質(zhì)優(yōu)異的膜，因而作為MIM結(jié)構(gòu)的電容器中的電極是有效的。權(quán)利要求1.一種SrTiO3膜的成膜方法，其特征在于，包括將基板配置在處理容器內(nèi)的工序；對(duì)基板進(jìn)行加熱的工序；和將氣體狀態(tài)的Sr原料、氣體狀態(tài)的Ti原料和氣體狀態(tài)的氧化劑導(dǎo)入所述處理容器內(nèi)的工序，其中，使用Sr的胺化合物或Sr的亞胺化合物作為所述Sr原料，使這些Sr原料、Ti原料和氧化劑在被加熱的基板上反應(yīng)，在基板上形成SrTiO3膜。2.如權(quán)利要求l所述的SrTiOj莫的成膜方法，其特征在于使用C24H46N4Sr或C26H5QN4Sr所示的化合物作為所述Sr原料。3.如權(quán)利要求l所述的SrTi03膜的成膜方法，其特征在于所述Sr原料在被加熱到10020(TC的狀態(tài)下通過鼓泡供給。4.如權(quán)利要求l所述的SrTi03膜的成膜方法，其特征在于所述Sr原料在溶解于溶劑中且由氣化器加熱到100200°C而被氣化的狀態(tài)下被供給。5.如權(quán)利要求4所述的SrTi03膜的成膜方法，其特征在于所述溶劑是長(zhǎng)直鏈烴或環(huán)狀烴。6.如權(quán)利要求5所述的SrTi03膜的成膜方法，其特征在于所述溶劑是辛烷或環(huán)己烷。7.—種SrTi03膜的成膜方法，其特征在于，包括將基板配置在處理容器內(nèi)的工序；對(duì)基板進(jìn)行加熱的工序；和將氣體狀態(tài)的Sr原料、氣體狀態(tài)的Ti原料和氣體狀態(tài)的氧化劑導(dǎo)入所述處理容器內(nèi)的工序，其中，使用Sr的胺化合物或Sr的亞胺化合物作為所述Sr原料，將氣體狀態(tài)的Sr原料、氣體狀態(tài)的Ti原料和氣體狀態(tài)的氧化劑導(dǎo)入所述處理容器內(nèi)的工序，依次進(jìn)行將所述氣體狀態(tài)的Ti原料導(dǎo)入所述處理容器內(nèi)，并使其吸附在基板上的工序；將所述氣體狀態(tài)的氧化劑導(dǎo)入所述處理容器內(nèi)，使被吸附的Ti原料分解，形成含有Ti的氧化膜的工序；將所述氣體狀態(tài)的Sr原料導(dǎo)入所述處理容器內(nèi)，并使其吸附在所述含有Ti的氧化膜上的工序；和將所述氣體狀態(tài)的氧化劑導(dǎo)入所述處理容器內(nèi)，使被吸附的Sr原料分解，形成含有Sr的氧化膜的工序，并且，以這些工序作為一個(gè)循環(huán)，重復(fù)進(jìn)行多次循環(huán)，疊層在各循環(huán)中形成的薄膜，在基板上形成具有規(guī)定厚度的SrTi03膜。8.如權(quán)利要求7所述的SrTi03膜的成膜方法，其特征在于在所述吸附Ti原料的工序、所述形成含有Ti的氧化膜的工序、所述吸附Sr原料的工序、和所述形成含有Sr的氧化膜的工序之間具有對(duì)所述處理容器進(jìn)行吹掃的工序。9.如權(quán)利要求7所述的SrTi03膜的成膜方法，其特征在于使用C24H46N4Sr或C26H5QN4Sr所示的化合物作為所述Sr原料。10.如權(quán)利要求7所述的SrTi03膜的成膜方法，其特征在于所述Sr原料在被加熱到10020(TC的狀態(tài)下通過鼓泡供給。11.如權(quán)利要求7所述的SrTiOj莫的成膜方法，其特征在于所述Sr原料在溶解于溶劑中且由氣化器加熱到100200。C而被氣化的狀態(tài)下被供給。12.如權(quán)利要求ll所述的SrTi03膜的成膜方法，其特征在于所述溶劑是長(zhǎng)直鏈烴或環(huán)狀烴。13.如權(quán)利要求12所述的SrTi03膜的成膜方法，其特征在于所述溶劑是辛烷或環(huán)己烷。14.一種存儲(chǔ)介質(zhì)，其為在計(jì)算機(jī)上運(yùn)行、且存儲(chǔ)有控制成膜裝置的程序的計(jì)算機(jī)能夠讀取的存儲(chǔ)介質(zhì)，其特征在于所述程序在執(zhí)行時(shí)，由計(jì)算機(jī)控制所述成膜裝置，使得實(shí)施SrTi03膜的成膜方法，該成膜方法包括將基板配置在處理容器內(nèi)的工序；對(duì)基板進(jìn)行加熱的工序；和將氣體狀態(tài)的Sr原料、氣體狀態(tài)的Ti原料和氣體狀態(tài)的氧化劑導(dǎo)入所述處理容器內(nèi)的工序，其中，使用Sr的胺化合物或Sr的亞胺化合物作為所述Sr原料，使這些Sr原料、Ti原料和氧化劑在被加熱的基板上反應(yīng)，在基板上形成SrTi03膜。15.—種存儲(chǔ)介質(zhì)，其為在計(jì)算機(jī)上運(yùn)行、且存儲(chǔ)有控制成膜裝置的程序的計(jì)算機(jī)能夠讀取的存儲(chǔ)介質(zhì)，其特征在于所述程序在執(zhí)行時(shí)，由計(jì)算機(jī)控制所述成膜裝置，使得實(shí)施SrTi03膜的成膜方法，該成膜方法包括將基板配置在處理容器內(nèi)的工序；對(duì)基板進(jìn)行加熱的工序；和將氣體狀態(tài)的Sr原料、氣體狀態(tài)的Ti原料和氣體狀態(tài)的氧化劑導(dǎo)入所述處理容器內(nèi)的工序，其中，使用Sr的胺化合物或Sr的亞胺化合物作為所述Sr原料，將氣體狀態(tài)的Sr原料、氣體狀態(tài)的Ti原料和氣體狀態(tài)的氧化劑導(dǎo)入所述處理容器內(nèi)的工序，依次進(jìn)行將所述氣體狀態(tài)的Ti原料導(dǎo)入所述處理容器內(nèi)，并使其吸附在基板上的工序；將所述氣體狀態(tài)的氧化劑導(dǎo)入所述處理容器內(nèi)，使被吸附的Ti原料分解，形成含有Ti的氧化膜的工序；將所述氣體狀態(tài)的Sr原料導(dǎo)入所述處理容器內(nèi)，并使其吸附在所述含有Ti的氧化膜上的工序；和將所述氣體狀態(tài)的氧化劑導(dǎo)入所述處理容器內(nèi)，使被吸附的Sr原料分解，形成含有Sr的氧化膜的工序，并且，以這些工序作為一個(gè)循環(huán)，重復(fù)進(jìn)行多次循環(huán)，疊層在各循環(huán)中形成的薄膜，在基板上形成具有規(guī)定厚度的SrTi03膜。全文摘要當(dāng)將基板配置在處理容器內(nèi)，對(duì)基板進(jìn)行加熱，將Sr原料、Ti原料和氧化劑以氣體狀態(tài)導(dǎo)入上述處理容器內(nèi)，使這些氣體在被加熱的基板上反應(yīng)，在基板上形成SrTiO₃膜時(shí)，使用Sr的胺化合物或Sr的亞胺化合物作為Sr原料。文檔編號(hào)H01L21/316GK101542695SQ20088000010公開日2009年9月23日申請(qǐng)日期2008年2月27日優(yōu)先權(quán)日2007年3月1日發(fā)明者柿本明修,河野有美子申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社