專利名稱：用于微特征工件的重新分布結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明針對(duì)減小或消除微特征工件的線路干擾的重新分布結(jié)構(gòu)、具有此類重新分
布結(jié)構(gòu)的相關(guān)聯(lián)系統(tǒng)及用于制造重新分布結(jié)構(gòu)的方法。
背景技術(shù)：
微電子裝置通常具有裸片，所述裸片具有電耦合到形成于裸片內(nèi)的集成電路的非常小的接合位點(diǎn)的陣列。接合位點(diǎn)提供外部電觸點(diǎn)以用于將功率、輸入/輸出信號(hào)、接地及/或其它電信號(hào)傳輸?shù)郊呻娐?從集成電路傳輸功率、輸入/輸出信號(hào)、接地及/或其它電信號(hào)。不同類型的裸片可具有不同的接合位點(diǎn)布置，然而，不同裸片應(yīng)與相似的外部裝置兼容。現(xiàn)有封裝技術(shù)包括在裸片上形成重新分布結(jié)構(gòu)(RDS)。 RDS可包括線路及/或通路，其使裸片接合位點(diǎn)與經(jīng)布置以與外部裝置緊密配合的RDS接合位點(diǎn)連接。
然而，現(xiàn)有RDS配置具有可限制微電子裝置的性能的線路及/或通路。舉例來說，由于經(jīng)由線路及/或通路以高頻率傳輸?shù)男盘?hào)可歸因于電干擾及/或磁干擾而泄漏、失真或以其它方式受影響，因此微電子裝置不可以高時(shí)鐘速度操作。因此，現(xiàn)有RDS配置不可配合高性能微電子裝置順利工作。


圖1A為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的包括多個(gè)微特征裸片的半導(dǎo)體工件的部分示意性俯視圖。 圖1B為從圖1A中所示的工件單一化的微特征裸片的示意性透視圖。 圖2A為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的具有重新分布結(jié)構(gòu)的裸片的一部分的部分示意性俯視圖。 圖2B到圖2C為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖2A中所示的裸片的一部分的部分示意性橫截面圖。 圖3A到圖3K說明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于形成圖2A到圖2C中所示的重新分布結(jié)構(gòu)的過程。 圖4為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的可包括一個(gè)或一個(gè)以上微特征裸片的系統(tǒng)的示意圖。
具體實(shí)施例方式
圖1A為具有襯底102及布置于襯底102之上及/或之中的多個(gè)微特征裸片104的半導(dǎo)體工件100。以下所述的若干過程可于晶片級(jí)在半導(dǎo)體工件100上及/或在裸片104已從較大晶片102單一化之后在半導(dǎo)體工件100的個(gè)別微特征裸片104上進(jìn)行。因此，除非另有說明，否則以下在"微特征工件"的情形中所描述的結(jié)構(gòu)及方法可應(yīng)用于晶片102及/或從晶片102形成的裸片104。 盡管結(jié)合半導(dǎo)體工件或晶片來描述若干實(shí)施例，但其它實(shí)施例可具有其它類型的工件。同樣地，術(shù)語"微特征工件"及"工件"指其中及/或上面整體地形成有微電子裝置的襯底。典型微電子裝置包括微電子電路或組件、薄膜記錄頭、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件、微流體裝置及其它產(chǎn)品。微機(jī)與微機(jī)械裝置包括于此定義中，因?yàn)槠涫峭ㄟ^使用與制造集成電路中所使用的技術(shù)近乎相同的技術(shù)來制造。襯底可為半導(dǎo)體件(例如，摻雜硅晶片或砷化鎵晶片)、非導(dǎo)電件(例如，各種陶瓷襯底)或?qū)щ娂Ｔ谝恍顩r下，工件通常為圓的，且在其它狀況下，工件具有其它形狀，包括直線形狀。 圖1B為在已從圖1A中所示的晶片102單一化之后的個(gè)別裸片104的示意性透視圖。裸片104可包括可操作微電子結(jié)構(gòu)(例如集成電路)，且裸片104可任選地裝入于保護(hù)性囊封物內(nèi)。裸片104還可具有引腳、接合位點(diǎn)、焊球及/或其它導(dǎo)電結(jié)構(gòu)以使裸片104內(nèi)的結(jié)構(gòu)電耦合到位于裸片外部的結(jié)構(gòu)/裝置。 圖2A到圖2C說明具有可減小或消除干擾的重新分布結(jié)構(gòu)(RDS)的裸片104的若干實(shí)施例。在特定實(shí)施例中，RDS可包括至少部分地從外部電干擾及/或磁干擾受到屏蔽的線路及/或通路。然而，相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)理解本發(fā)明可具有額外實(shí)施例，且本發(fā)明可在無以下參看圖2到圖4所述實(shí)施例的若干細(xì)節(jié)的情況下實(shí)踐。 圖2A為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的襯底102的一部分及裸片104中的一者的部分示意性俯視圖。如圖2A中所示，裸片104可包括電連接到襯底102中的集成電路的多個(gè)接合位點(diǎn)124及安置于襯底120上的重新分布結(jié)構(gòu)122。重新分布結(jié)構(gòu)122可包括多個(gè)外部接觸位點(diǎn)126及導(dǎo)電線路128。外部接觸位點(diǎn)126可經(jīng)配置以收納用于將裸片104連接到外部裝置(未圖示)的電耦合器130(例如，焊球，為清晰起見以假想線展示)。導(dǎo)電線路128可為將接合位點(diǎn)124中的一者個(gè)別地連接到外部接觸位點(diǎn)126中的一者的金屬跡線。導(dǎo)電線路128通?？杀舜私咏?。 圖2B為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的沿圖2A中所示導(dǎo)電線路128的傳輸長度129的裸片104的一部分的部分示意性橫截面圖。如圖2B中所示，襯底102可包括電連接到接合位點(diǎn)124的集成電路123(示意性展示)。在所說明的實(shí)施例中，接合位點(diǎn)124通常與襯底120的表面125齊平。在其它實(shí)施例中，接合位點(diǎn)124可至少部分地凹入表面125中或在遠(yuǎn)離表面125的方向上突出。 重新分布結(jié)構(gòu)122可包括安置于襯底120的表面125上的第一介電層132、安置于第一介電層132上的第一金屬層136及安置于第一金屬層136上的第二介電層138。第一金屬層136具有大體上與接合位點(diǎn)124對(duì)準(zhǔn)的開口 137，且第二介電層138的一部分處于開口 137中。第一介電層132及第二介電層138具有大體上與第一金屬層136中的開口 137對(duì)準(zhǔn)且延伸到接合位點(diǎn)124的開口 134。第二介電層138的處于開口 137中的部分使第一金屬層136與開口 134電絕緣。 在此實(shí)施例中，導(dǎo)電線路128包括沿第二介電層138延伸的第一部分128a及在第一開口 134中的第二部分128b。導(dǎo)電線路128的第二部分128b將導(dǎo)電線路128的第一部分128a電耦合到裸片104的接合位點(diǎn)124。 重新分布結(jié)構(gòu)122可進(jìn)一步包括安置于導(dǎo)電線路128及第二介電層138上的第三介電層140、安置于第三介電層140上的第二金屬層142及安置于第二金屬層142及第三介電層140上的第四介電層144。第三介電層140及第四介電層144具有大體上與導(dǎo)電線路128的第一部分128a的區(qū)段對(duì)準(zhǔn)的開口 147。開口 147可以導(dǎo)電材料填充以形成用于收納電耦合器130的外部接觸位點(diǎn)126。第四介電層144使第二金屬層142與外部接觸位點(diǎn)126電絕緣。第一金屬層136及第二金屬層142可電連接到接地146，如以下參看圖2C所 更詳細(xì)描述。 在重新分布結(jié)構(gòu)122的各種實(shí)施例中，個(gè)別介電層132U38、140及144可包括氧 化硅、氮化硅、聚合物介電材料及/或其它適當(dāng)?shù)慕殡姴牧?。個(gè)別金屬層136、142、外部接觸 位點(diǎn)126及/或?qū)щ娋€路128可包括銅、鋁、金、鉬及/或其它適當(dāng)?shù)膶?dǎo)電材料。
圖2C為沿大體上正交于圖2A中所示導(dǎo)電線路128的傳輸長度129的平面的微特 征裸片104的一部分的另一部分示意性橫截面圖。如圖2C中展示，第二介電層138還可包 括一個(gè)或一個(gè)以上連接開口 139，其將第二介電層138分成第一區(qū)段、第二區(qū)段及第三區(qū)段 138a-c。第二區(qū)段138b載有導(dǎo)電線路128且與第三介電層140協(xié)作以形成大致沿導(dǎo)電線 路128的圓周環(huán)繞導(dǎo)電線路128的分離層151。 第二金屬層142可環(huán)繞第三介電層140及第二區(qū)段138b的至少一部分。第二金 屬層142還可延伸到連接開口 139中以接觸第一金屬層136。因此，第一金屬層136及第 二金屬層142可電耦合以沿傳輸長度129的至少一部分形成圍繞導(dǎo)電線路128的導(dǎo)電屏蔽 150。導(dǎo)電屏蔽150可經(jīng)由連接通路、跡線及/或其它適當(dāng)?shù)倪B接機(jī)構(gòu)連接到接地146。導(dǎo) 電屏蔽150及分離層151可沿導(dǎo)電線路128的傳輸長度129的至少一部分大體上同軸地延 伸。 操作中，導(dǎo)電屏蔽150可減小從導(dǎo)電線路128上所攜載的信號(hào)發(fā)射的電磁能、電能 及/或磁能。通過常規(guī)技術(shù)，微電子裝置中的電信號(hào)通常經(jīng)由以介電材料彼此分離的未屏 蔽導(dǎo)電線路傳輸。此類未屏蔽的導(dǎo)電線路可經(jīng)導(dǎo)電耦合、電容耦合、電感耦合及/或以其它 方式彼此電磁地相互作用。因此，當(dāng)信號(hào)經(jīng)由線路中的一者傳輸時(shí)，電耦合可產(chǎn)生對(duì)所傳輸 的信號(hào)及/或?qū)τ舌徑€路所攜載的其它信號(hào)的回波、衰減及/或其它干擾。此外，例如來 自附近操作機(jī)器的外部電磁干擾(EFI)還可影響導(dǎo)電線路上的所傳輸信號(hào)。
圖2A到圖2C中所示的裸片104的實(shí)施例通過沿導(dǎo)電線路128的傳輸長度129的 至少一部分形成接地導(dǎo)電屏蔽150而減輕或消除干擾。接地屏蔽150將經(jīng)由導(dǎo)電線路128 所傳輸?shù)男盘?hào)限制在第一金屬層136與第二金屬層142之間的區(qū)域。更明確地說，由于導(dǎo) 電屏蔽150可將感應(yīng)電流傳導(dǎo)到接地146，因此可減小或消除由所傳輸信號(hào)在超出接地屏 蔽150的區(qū)域中所感應(yīng)的電流。因此，為了增強(qiáng)的性能，導(dǎo)電線路128上所攜載的信號(hào)可以 高頻率操作。 導(dǎo)電屏蔽150還可允許導(dǎo)電線路128接近于彼此而定位。兩個(gè)鄰近的未屏蔽導(dǎo)電 線路之間的電磁耦合可隨兩個(gè)導(dǎo)電線路之間的距離減小而越深。因此，此電磁耦合可限制 每一對(duì)導(dǎo)電線路之間的"間距"。然而，由于個(gè)別導(dǎo)電線路128經(jīng)屏蔽且受到保護(hù)以免互相 干擾，因此圖2A到圖2C中所示的導(dǎo)電線路128的實(shí)施例可以小間距定位。
導(dǎo)電屏蔽150還可使得設(shè)計(jì)者能夠選擇導(dǎo)電線路128的所要阻抗。根據(jù)常規(guī)技術(shù)， 未屏蔽導(dǎo)電線路的阻抗通常(至少部分地)依據(jù)導(dǎo)電線路上所攜載信號(hào)的頻率而變。因此， 預(yù)測及調(diào)節(jié)導(dǎo)電線路的阻抗可為困難的。然而，導(dǎo)電線路128的若干實(shí)施例可具有不取決 于信號(hào)頻率的阻抗。替代地，導(dǎo)電線路128的阻抗(至少部分地)依據(jù)第二介電層138與 第三介電層140的相對(duì)介電常數(shù)及導(dǎo)電線路128、第一金屬層136及/或第二金屬層142的 幾何形狀而變。 導(dǎo)電屏蔽150可進(jìn)一步使得設(shè)計(jì)者能夠適當(dāng)?shù)卣{(diào)節(jié)導(dǎo)電線路128的所要截止頻率以減小傳輸噪聲。截止頻率通常指在其以上從導(dǎo)電線路128輸出的功率約為通帶的功率的一半的頻率。當(dāng)操作頻率在截止頻率以下時(shí)，導(dǎo)電線路128上所攜載的信號(hào)可在橫向電磁模式中作為波行進(jìn)。在截止頻率以上，信號(hào)還可在橫向電模式及/或橫向磁模式中行進(jìn)。多個(gè)模式可引起不同的相位速度以引起干擾的方式沿導(dǎo)電線路128傳播。當(dāng)以接地屏蔽保護(hù)導(dǎo)電線路128時(shí)，截止頻率可受導(dǎo)電線路128的幾何形狀的影響。因此，設(shè)計(jì)者可通過選擇導(dǎo)電線路128的合適幾何形狀而適當(dāng)?shù)卣{(diào)節(jié)所要截止頻率。 即使圖2C中展示第二介電層138包括兩個(gè)連接開口 139，在某些實(shí)施例中，第二介電層138仍可包括一個(gè)或兩個(gè)以上的連接開口 139。此外，盡管圖2C中展示導(dǎo)電線路128具有大體上矩形的橫截面，但在其它實(shí)施例中，導(dǎo)電線路128可具有圓形、橢圓形及/或其它橫截面。 圖3A到圖3K說明用于在襯底120上形成重新分布結(jié)構(gòu)122的過程的實(shí)施例的階段。圖3A說明過程的早期階段，其包括在襯底120上沉積第一介電層132及在第一介電層132上沉積第一金屬層136。圖3B說明過程的后續(xù)階段，其包括回蝕第一金屬層136以暴露第一介電層132的一部分。第一介電層132的所暴露部分大體上對(duì)應(yīng)于接合位點(diǎn)124。
圖3C說明另一階段，其包括在第一金屬層136及第一介電層132的暴露部分上沉積第二介電層138。第二介電層138還可經(jīng)研磨(例如，使用化學(xué)機(jī)械研磨)且/或以其它方式經(jīng)處理以具有大體上平坦的頂表面154。 如圖3D中所說明，接著可蝕刻第一介電層132及第二介電層138(例如，使用等離子增強(qiáng)蝕刻)以形成第一開口 134且暴露接合位點(diǎn)124。如圖3E中所示，所述過程還可包括蝕刻第二介電層138以形成連接開口 139，所述連接開口 139將第二介電層138分成第一區(qū)段、第二區(qū)段及第三區(qū)段138a-c。在一個(gè)實(shí)施例中，第一開口 134及連接開口 139在單獨(dú)蝕刻階段中形成。在其它實(shí)施例中，第一開口 134及連接開口 139可在單一蝕刻階段中形成。 所述過程還可包括在第二介電層138上及在第一開口 134中沉積導(dǎo)電線路128，如圖3F中所說明。如圖3G中所說明，導(dǎo)電線路128不覆蓋第二介電層138的全部區(qū)域。替代地，導(dǎo)電線路128可沉積于第二介電層138的第二區(qū)段138b上。在一個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)電線路128可通過沉積種子層(未圖示)且接著將導(dǎo)電材料(例如，銅、鋁及金)電鍍到種子層上而形成。在其它實(shí)施例中，導(dǎo)電線路128可通過化學(xué)氣相沉積、原子層沉積及/或其它適當(dāng)技術(shù)形成。 圖3H展示過程的一階段，其包括在導(dǎo)電線路128上沉積第三介電層140及在第三介電層140上沉積第二金屬層142。第二金屬層142接著可經(jīng)回蝕以暴露第三介電層140的一部分，如圖31中所說明。 參看圖3J，第二金屬層142可經(jīng)沉積以大致環(huán)繞第三介電層140及第二介電層138的第二區(qū)段138b的至少一部分，以使得第二介電層138及第三介電層140使導(dǎo)電線路128與第一金屬層136及第二金屬層142電絕緣。第二金屬層142還可沉積于連接開口 139中使得第二金屬層142的至少一部分與第一金屬層136物理且電接觸。
圖3K說明過程的一階段，其包括在裸片104上沉積第四介電層144及蝕刻第三介電層140及第四介電層144以形成第二開口 147。導(dǎo)電線路128的至少一部分在第二開口147中暴露。接著可以導(dǎo)電材料來填充第二開口 147以形成外部接觸位點(diǎn)126。
以上參看圖3A到圖3K所述的過程可具有額外及/或不同的過程階段。舉例來說， 在沉積金屬層中的至少一者之前可沉積阻擋層。當(dāng)移除任何所沉積材料的一部分時(shí)還可使 用蝕刻終止層或研磨終止層。 個(gè)別裸片104可并入于許多較大及/或較復(fù)雜系統(tǒng)110中的任一者中，所述系統(tǒng) 中的代表性系統(tǒng)示意地展示在圖4中。系統(tǒng)110可包括處理器111、存儲(chǔ)器112、輸入/輸 出裝置113及/或其它子系統(tǒng)或組件114。微特征工件(例如，以微特征裸片及/或微特征 裸片的組合的形式)可包括于圖4中所示組件的任一者中。所得系統(tǒng)110可執(zhí)行廣泛多種 計(jì)算、處理、存儲(chǔ)、傳感器及/或其它功能中的任一者。因此，代表性系統(tǒng)110可包括(但不 限于)計(jì)算機(jī)及/或其它數(shù)據(jù)處理器，例如，桌上型計(jì)算機(jī)、膝上型計(jì)算機(jī)、因特網(wǎng)設(shè)備及手 持式裝置(例如，掌上型計(jì)算機(jī)、佩戴型計(jì)算機(jī)、蜂窩式或移動(dòng)電話、多處理器系統(tǒng)、基于處 理器或可編程的消費(fèi)型電子裝置、網(wǎng)絡(luò)計(jì)算機(jī)、小型計(jì)算機(jī))。另一代表性系統(tǒng)110可包括 相機(jī)、光傳感器、服務(wù)器及相關(guān)聯(lián)服務(wù)器子系統(tǒng)、顯示器裝置及/或存儲(chǔ)器裝置。系統(tǒng)110 的組件可安放于單一單元中或分布于多個(gè)互連單元上(例如，經(jīng)由通信網(wǎng)絡(luò))。組件因此可 包括本地及/或遠(yuǎn)程存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置及廣泛多種計(jì)算機(jī)可讀媒體中的任一者，包括磁性或 光學(xué)可讀或可裝卸計(jì)算機(jī)磁盤。 從前述內(nèi)容應(yīng)了解，雖然為說明起見本文中已描述本發(fā)明的特定實(shí)施例，但在不 偏離本發(fā)明的情況下可進(jìn)行各種修改。舉例來說，除其它實(shí)施例的元件以外或代替其它實(shí) 施例的元件，一個(gè)實(shí)施例的許多元件可與其它實(shí)施例組合。因此，本發(fā)明不受除如由所附權(quán) 利要求書限制以外的限制。
權(quán)利要求
一種微特征裸片，其包含襯底，其具有接合位點(diǎn)及電耦合到所述接合位點(diǎn)的集成電路；重新分布結(jié)構(gòu)，其耦合到所述襯底，所述重新分布結(jié)構(gòu)具有外部接觸位點(diǎn)，其經(jīng)配置以接納電耦合器；導(dǎo)電線路，其具有傳輸長度，其中所述導(dǎo)電線路電連接到所述外部接觸位點(diǎn)及所述接合位點(diǎn)；以及導(dǎo)電屏蔽，其沿所述導(dǎo)電線路的所述傳輸長度的至少一部分而至少部分地環(huán)繞所述導(dǎo)電線路。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的微特征裸片，其中所述導(dǎo)電屏蔽電接地。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的微特征裸片，其中所述重新分布結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括在所述導(dǎo)電 線路與所述導(dǎo)電屏蔽之間的分離層。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的微特征裸片，其中所述分離層使所述導(dǎo)電線路與所述導(dǎo)電屏 蔽電絕緣。
5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的微特征裸片，其中所述導(dǎo)電屏蔽及所述分離層沿所述導(dǎo)電線 路的所述傳輸長度的至少一部分延伸。
6. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的微特征裸片，其中所述導(dǎo)電屏蔽及所述分離層沿所述導(dǎo)電線 路的所述傳輸長度的至少一部分大體上同軸地延伸。
7. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的微特征裸片，其中所述導(dǎo)電屏蔽及所述分離層沿所述導(dǎo)電線 路的所述傳輸長度的至少一部分大體上同軸地延伸，且其中所述分離層使所述導(dǎo)電線路與 所述導(dǎo)電屏蔽電絕緣，且其中所述導(dǎo)電屏蔽接地。
8. —種并入有根據(jù)權(quán)利要求1所述的微特征裸片的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括處理器、存儲(chǔ) 器及輸入/輸出裝置。
9. 一種微特征裸片，其包含襯底，其具有接合位點(diǎn)及電連接到所述接合位點(diǎn)的集成電路； 重新分布結(jié)構(gòu)，其耦合到所述襯底，所述重新分布結(jié)構(gòu)具有 外部接觸位點(diǎn)，其經(jīng)配置以接納電耦合器；導(dǎo)電線路，其將所述外部接觸位點(diǎn)電連接到所述接合位點(diǎn)；以及第一金屬層及電耦合到所述第一金屬層的第二金屬層，其中所述第一及第二金屬層的 至少一部分沿所述導(dǎo)電線路的長度的至少一部分環(huán)繞所述導(dǎo)電線路。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的微特征裸片，其中所述第一金屬層及/或所述第二金屬層電 連接到接地。
11. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的微特征裸片，其中所述重新分布結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括在所述襯 底的表面上的第一介電層及在所述第一金屬層上的第二介電層，且其中所述重新分布結(jié)構(gòu) 進(jìn)一步包括形成于所述第一及第二介電層中的開口 。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的微特征裸片，其中所述導(dǎo)電線路包括從所述第一及第二介 電層的所述開口延伸的第一部分及在所述第一及第二介電層的所述開口中的第二部分，且 其中所述第二介電層的一部分使所述第一金屬層與所述導(dǎo)電線路的所述第二部分電絕緣。
13. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的微特征裸片，其中所述重新分布結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括在所述第 二介電層中的至少一個(gè)連接開口，所述連接開口暴露所述第一金屬層的一部分，且其中所述第二金屬層延伸到所述連接開口中以與所述第一金屬層電連接。
14. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的微特征裸片，其中所述重新分布結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括在所述導(dǎo) 電線路上的第三介電層，所述第三介電層及所述第二介電層經(jīng)配置使得所述第二及第三介 電層的一部分沿所述導(dǎo)電線路的所述長度的至少一部分環(huán)繞所述導(dǎo)電線路。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的微特征裸片，其中所述第一及第二金屬層經(jīng)配置使得所述 第一及第二金屬層的一部分環(huán)繞所述第二及第三介電層。
16. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的微特征裸片，其中所述第三介電層及所述第二介電層使所 述導(dǎo)電線路與所述第一及第二金屬層電絕緣。
17. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的微特征裸片，其中所述重新分布結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括在所述第 二金屬層上且在所述第三介電層的至少一部分上的第四介電層，所述第四介電層使所述第 二金屬層與所述外部接觸位點(diǎn)電絕緣。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的微特征裸片，其中所述重新分布結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括在所述第 三及第四介電層中的開口 ，且其中所述重新分布結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括在所述開口中的導(dǎo)電材料 以形成所述外部接觸位點(diǎn)。
19. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的微特征裸片，其中所述重新分布結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括在所述第 三及第四介電層中的開口，且其中所述重新分布結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括在所述開口中的導(dǎo)電材料 以形成所述外部接觸位點(diǎn)，且其中所述第四介電層使所述第二金屬層與所述外部接觸位點(diǎn) 電絕緣。
20. —種并入有根據(jù)權(quán)利要求9所述的微特征裸片的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括處理器、存儲(chǔ) 器及輸入/輸出裝置。
21. —種微特征裸片，其包含襯底，其具有接合位點(diǎn)、電連接到所述接合位點(diǎn)的集成電路及經(jīng)配置以接納電耦合器 的外部接觸位點(diǎn)；導(dǎo)電跡線，其將所述外部接觸位點(diǎn)電連接到所述接合位點(diǎn)；以及 屏蔽，其封閉所述導(dǎo)電跡線的至少一部分，所述屏蔽導(dǎo)電且接地。
22. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的微特征裸片，其中所述導(dǎo)電線路具有傳輸長度，且其中所 述屏蔽包括沿所述傳輸長度的至少一部分環(huán)繞且延伸的縱向外殼。
23. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的微特征裸片，其進(jìn)一步包含在所述屏蔽的所述縱向外殼中 的介電襯里。
24. 根據(jù)權(quán)利要求23所述的微特征裸片，其中所述介電襯里至少部分地封閉所述導(dǎo)電 跡線。
25. —種用于在微特征裸片上形成重新分布結(jié)構(gòu)的方法，其包含形成導(dǎo)電線路，其中所述導(dǎo)電線路將所述微特征裸片的接合位點(diǎn)電連接到外部接觸位點(diǎn)；以及形成導(dǎo)電屏蔽，所述導(dǎo)電屏蔽至少部分地封閉所述導(dǎo)電線路的長度的至少一部分，其 中所述導(dǎo)電屏蔽電接地。
26. 根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其進(jìn)一步包含使所述導(dǎo)電線路與所述導(dǎo)電屏蔽電絕緣。
27. 根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其進(jìn)一步包含使所述外部接觸位點(diǎn)及所述接合位點(diǎn)與所述導(dǎo)電屏蔽電絕緣。
28. 根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其進(jìn)一步包含在所述導(dǎo)電線路與所述導(dǎo)電屏蔽之間 形成分離層。
29. 根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其中形成導(dǎo)電屏蔽包括以第一金屬層及電連接到所 述第一金屬層的第二金屬層至少部分地環(huán)繞所述導(dǎo)電線路。
30. 根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其中形成導(dǎo)電線路包括 在所述微特征裸片的襯底上沉積第一介電層； 在所述第一介電層上沉積第一金屬層； 回蝕所述第一金屬層以暴露所述第一介電層的一部分；在所述第一金屬層及所述第一介電層的所述暴露部分上沉積第二介電層；以及 在所述第一及第二介電層中形成第一開口以暴露所述接合位點(diǎn)； 在所述第二介電層上及在所述第一開口中沉積導(dǎo)電材料以形成所述導(dǎo)電線路； 且其中形成導(dǎo)電屏蔽包括在所述導(dǎo)電線路上沉積第三介電層且在所述第三介電層上沉積第二金屬層； 蝕刻所述第二金屬層以暴露所述第三介電層的一部分； 在所述第二金屬層及第三介電層的所述暴露部分上沉積第四介電層； 在所述第三及第四介電層中形成第二開口以暴露所述導(dǎo)電線路的一部分；以及 以導(dǎo)電材料填充所述第二開口以形成所述外部接觸位點(diǎn)。
31. —種用于減小具有重新分布結(jié)構(gòu)及襯底的微特征裸片中的干擾的方法，其包含 經(jīng)由電連接所述微特征裸片的接合位點(diǎn)與外部接觸位點(diǎn)的第一導(dǎo)電線路傳輸電信號(hào)；以及屏蔽所述所傳輸?shù)碾娦盘?hào)使其不向最接近于所述第一導(dǎo)電線路的第二導(dǎo)電線路發(fā)射 電磁能。
32. 根據(jù)權(quán)利要求31所述的方法，其中屏蔽所述所傳輸?shù)碾娦盘?hào)包括將所述所傳輸信 號(hào)的電磁能限制于導(dǎo)電屏蔽內(nèi)。
33. 根據(jù)權(quán)利要求31所述的方法，其中所述重新分布結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括沿所述導(dǎo)電線路 的長度的至少一部分環(huán)繞所述導(dǎo)電線路的導(dǎo)電屏蔽，且其中所述方法進(jìn)一步包括將所述導(dǎo) 電屏蔽中的感應(yīng)電流傳導(dǎo)到接地。
34. 根據(jù)權(quán)利要求31所述的方法，其進(jìn)一步包含減少所述第一及第二導(dǎo)電線路的電 容、電感、電阻耦合。
全文摘要
本發(fā)明揭示具有減小或消除線路干擾的重新分布結(jié)構(gòu)的微特征裸片。所述微特征裸片可包括襯底(120)，所述襯底具有接合位點(diǎn)(124)及電連接到所述接合位點(diǎn)的集成電路(123)。所述微特征裸片還可包括耦合到所述襯底的重新分布結(jié)構(gòu)(122)。所述重新分布結(jié)構(gòu)可包括經(jīng)配置以接納電耦合器的外部接觸(126)位點(diǎn)；電連接到所述外部接觸位點(diǎn)及所述接合位點(diǎn)的導(dǎo)電線路(128)；及至少部分地環(huán)繞所述導(dǎo)電線路的導(dǎo)電屏蔽(136、142)。
文檔編號(hào)H01L23/522GK101785105SQ200880103869
公開日2010年7月21日 申請(qǐng)日期2008年8月5日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月28日
發(fā)明者馬克·S·約翰遜 申請(qǐng)人:美光科技公司