專利名稱：用于高度準(zhǔn)直光收集布置的方法和裝置的制作方法
用于高度準(zhǔn)直光收集布置的方法和裝置
背景技術(shù)：
等離子體處理的進(jìn)步推動(dòng)了半導(dǎo)體工業(yè)的成長(zhǎng)。在等離子體處理過程中，可以使 用診斷工具來保證處理的器件的高成品率。光發(fā)射譜(0ES)經(jīng)常被用作用于蝕刻劑和刻蝕 產(chǎn)物的氣相監(jiān)視的診斷工具以保持對(duì)工藝參數(shù)的控制。 在等離子體的光詢問(opticalinterrogation)中，有與等離子體放電關(guān)聯(lián)的特 征輝光(也就是說，特定的光發(fā)射譜)。使用來自光詢問的光譜信息，可以收集和分析成分 種類(constituent species)的大量信息以提供等離子體處理過程中工藝監(jiān)視和控制的指 導(dǎo)。 為了便于討論，圖1A顯示了一個(gè)具有光學(xué)觀察孔(即窗)102的現(xiàn)有技術(shù)等離子 體處理室100的簡(jiǎn)圖，該窗102具有對(duì)等離子體104的直接視線。此處所使用的術(shù)語"視 線"是指從源到收集器的光學(xué)直線路徑而沒有任何形式的障礙。 考慮這種情況，例如，其中正在執(zhí)行等離子體104的光詢問。由于光路徑長(zhǎng)度，視 線在光學(xué)觀察孔102處有一定的任意的接受角。此處使用的術(shù)語接受角是從觀察孔102的 遠(yuǎn)端，非軸向光源仍然可以到達(dá)光學(xué)觀察孔102的收集器端的角度。 在一個(gè)實(shí)施例中，為了經(jīng)由光詢問執(zhí)行端點(diǎn)檢測(cè)，需要在觀察孔102使用特別視 線從等離子體104的特定區(qū)域收集信號(hào)源。接受角之外的區(qū)域可包括來自等離子體處理室 100中的其它表面的光的衍射和/或反射。因此，對(duì)于等離子體104的特定區(qū)域的光詢問， 非常需要很低的接受角。然而，圖1A的實(shí)施例中觀察孔102的簡(jiǎn)單設(shè)置可能適于更大的接 受角。 為了檢驗(yàn)該等離子體的發(fā)射譜，要求光學(xué)觀察孔102是對(duì)被測(cè)波長(zhǎng)( 一個(gè)或多個(gè) 波長(zhǎng))光學(xué)透明的。對(duì)于紅外(IR)到紫外(UV)波長(zhǎng)，光學(xué)觀察孔102可以是由一些類型 的熔凝硅石(例如，半導(dǎo)體等級(jí)或紫外光等級(jí)的)構(gòu)造而成的。在靠近等離子體的區(qū)域中 放置光學(xué)透明的觀察孔的一個(gè)問題是隨著時(shí)間的推移在光學(xué)觀察孔102上出現(xiàn)沉積或刻 蝕的趨勢(shì)。 通常，光學(xué)透明窗在等離子體處理過程中會(huì)被變模糊(clouded)或被腐蝕。當(dāng)由 于這種原因?qū)е碌墓庑盘?hào)退化達(dá)到了影響系統(tǒng)性能的程度，必須從服務(wù)中移除設(shè)備以恢復(fù) 初始功能。系統(tǒng)當(dāng)機(jī)增加了維護(hù)成本(部件的除去，清潔或替換，重新安裝)并減少了總產(chǎn) 考慮這種情況，例如，其中使用光詢問將制造工藝從時(shí)間零點(diǎn)的基準(zhǔn)工藝 (baseline process)微調(diào)到一組特定數(shù)值。在等離子體處理過程中，該制造工藝將實(shí)驗(yàn)值 與基準(zhǔn)值進(jìn)行比較以得到最佳成品率。然而，如果隨著時(shí)間的推移光學(xué)觀察孔102已經(jīng)被 沉積或刻蝕損害，那么制造工藝就不能夠確定信號(hào)傳送強(qiáng)度的偏差是由于等離子體特性的 改變還是由于觀察孔102的狀態(tài)的變化。 而且，信號(hào)傳送強(qiáng)度的改變是依賴于波長(zhǎng)的。例如，對(duì)于等離子體工藝，檢驗(yàn)UV到 IR光譜的信號(hào)強(qiáng)度。在時(shí)間零點(diǎn)，UV到IR光譜可以百分之100發(fā)射。然而，在時(shí)間X， UV 波長(zhǎng)可以發(fā)射百分之50而IR波長(zhǎng)可以發(fā)射百分之90。因此，難于在數(shù)量上區(qū)分在某個(gè)有限長(zhǎng)的時(shí)間段內(nèi)等離子體光譜信號(hào)的變化和窗的透射率的變化。 圖IB顯示了一種在等離子體處理室120中使用準(zhǔn)直儀(collimator) 128的現(xiàn)有 技術(shù)方案的簡(jiǎn)圖。在圖1B的實(shí)施方式中，準(zhǔn)直儀128耦合于光學(xué)觀察孔122，并具有到等離 子體124的直接視線。在一個(gè)實(shí)施例中，準(zhǔn)直儀128具有任意的長(zhǎng)度(L)和直徑(D) 。 L與 D的尺寸比(即L/D)是長(zhǎng)寬比。 通過使用準(zhǔn)直儀128，圖IB的實(shí)施例能夠解決觀察孔狀態(tài)變化和/或非軸向光的 接受角的一些問題。例如，該準(zhǔn)直儀的長(zhǎng)寬比(L/D)越高，L與D相比的值越大。對(duì)于接受 角的情況，當(dāng)該長(zhǎng)寬比增加時(shí)，到達(dá)該準(zhǔn)直儀128的收集器端的非軸向光的量被最小化。類 似地，由于分子擴(kuò)散，來自反應(yīng)室的到達(dá)光學(xué)觀察孔122的材料的量也被最小化。因此，由 于上述優(yōu)點(diǎn)，具有高長(zhǎng)寬比的準(zhǔn)直儀是很理想的。 圖IC顯示了在等離子體處理室140中具有長(zhǎng)準(zhǔn)直儀148的現(xiàn)有技術(shù)方案的簡(jiǎn)圖。 在圖1C的實(shí)施例中，準(zhǔn)直儀148耦合于光學(xué)觀察孔142，并具有到等離子體144的直接視 線。在一個(gè)實(shí)施例中，準(zhǔn)直儀148具有長(zhǎng)度(L)和直徑(D)。為了得到高長(zhǎng)寬比，在圖IC的 實(shí)施例中，L的值比D的值更大。 為了最小化觀察孔142上的沉積或刻蝕，通常需要大于10 : l的長(zhǎng)寬比。類似地， 為了得到小的接受角(例如，對(duì)于合適的光耦合，小于2。的視線)，期望約30 : l以上的 長(zhǎng)寬比。考慮這種情況，例如，其中準(zhǔn)直儀148具有約1英寸的直徑(D)。為了最小化觀察 孔的狀態(tài)變化和/或?qū)崿F(xiàn)很小的接受角，準(zhǔn)直儀148必須是30英寸長(zhǎng)以獲得大約2°的接 受角。然而，目前，30"長(zhǎng)的準(zhǔn)直儀對(duì)于等離子體處理設(shè)備來說不是一種實(shí)際的方案。
圖2A顯示了等離子體處理室220中具有單一的、小直徑的孔的準(zhǔn)直儀228的現(xiàn)有 技術(shù)方案的簡(jiǎn)圖。在圖2A的實(shí)施例中，準(zhǔn)直儀228耦合于光學(xué)觀察孔222，并具有到等離子 體224的直接視線。 為了形成具有高長(zhǎng)寬比的緊湊的準(zhǔn)直儀，可以減少該準(zhǔn)直儀中的孔的直徑。例如， 準(zhǔn)直儀228是具有鉆穿(bored through)該管長(zhǎng)的具有第一預(yù)定值的直徑的孔230的固體 管。圖2A的準(zhǔn)直儀228的具有第一預(yù)定值的孔的直徑小于圖IB的準(zhǔn)直儀148的具有第二 預(yù)定值的孔的直徑。 為了減少該準(zhǔn)直儀的長(zhǎng)度并仍舊保持高長(zhǎng)寬比，準(zhǔn)直儀可以有例如1英寸的尺寸 的1/10的直徑的孔。因此準(zhǔn)直儀228的長(zhǎng)度可以是1〃的孔的直徑所需的準(zhǔn)直儀長(zhǎng)度的 1/10，以獲得特定的長(zhǎng)寬比。然而，具有很小的直徑的孔的準(zhǔn)直儀可能不是實(shí)際的，因?yàn)楸?收集的光的量是最小的。因此，由于不合理的積分時(shí)間(integration time)和/或很高的 信噪比，使用最大光譜光度計(jì)(spectrophotometers)來處理信號(hào)的能力是不切實(shí)際的。
圖2B顯示了等離子體處理室240中的多孔準(zhǔn)直儀的簡(jiǎn)圖。在圖2A的實(shí)施例中， 準(zhǔn)直儀248耦合于光學(xué)觀察孔242，并具有到等離子體244的直接視線。準(zhǔn)直儀248是具有 多個(gè)鉆穿該管長(zhǎng)的孔(250A…250N)的固體管。 圖2B的準(zhǔn)直儀248可以被配置為具有全陣列的孔以收集發(fā)射到準(zhǔn)直儀248的遠(yuǎn) 端的全部面積的60%以上的光。從可制造性的立場(chǎng)來看，圖2B的準(zhǔn)直儀設(shè)置可以很容易地 被加工為約10 : l的長(zhǎng)寬比。然而，如果長(zhǎng)寬比超過10 : l，要加工出保持垂直于收集區(qū) 的良好度數(shù)的孔可能變得非常困難并昂貴。盡管10 : l的長(zhǎng)寬比可以減少光學(xué)觀察孔242
的狀態(tài)變化，然而需要更高的長(zhǎng)寬比(即30 : i)以對(duì)于直接視線獲得小的接受角以最小化非軸向光的收集。 不幸的是，上述現(xiàn)有技術(shù)準(zhǔn)直儀不能提供使用光發(fā)射譜、激光感生熒光、粒子探 測(cè)、光學(xué)吸收光譜、或半導(dǎo)體處理環(huán)境中使用的其它光詢問方法的等離子體的光詢問的最 佳方案。為了克服光學(xué)觀察孔上的沉積和刻蝕和/或高接受角的問題，需要具有高長(zhǎng)寬比 的準(zhǔn)直儀。為了獲得所需的高長(zhǎng)寬比，現(xiàn)有技術(shù)方案是不實(shí)際、太昂貴或者超出當(dāng)前的加工 能力的。

發(fā)明內(nèi)容
在一個(gè)實(shí)施方式中，本發(fā)明涉及用于在等離子體處理室中在等離子體處理過程中 等離子體的光詢問的方法。該方法包括提供光學(xué)觀察孔。該方法還包括提供準(zhǔn)直儀布置。 該準(zhǔn)直儀布置被配置為具有多個(gè)準(zhǔn)直儀，其中該多個(gè)準(zhǔn)直儀的第一準(zhǔn)直儀與該多個(gè)準(zhǔn)直儀 的第二準(zhǔn)直儀由連接區(qū)域分開。該方法進(jìn)一步包括當(dāng)正在處理基板時(shí)，通過該準(zhǔn)直儀布置 收集來自該等離子體處理室中的該等離子體的光信號(hào)，產(chǎn)生高度準(zhǔn)直的光信號(hào)。
上述發(fā)明內(nèi)容只涉及此處揭示的本發(fā)明的許多實(shí)施方式中的一個(gè)，并不意在限制 本發(fā)明的范圍，該范圍如權(quán)利要求所述。在下面本發(fā)明的具體實(shí)施方式
部分，結(jié)合附圖，對(duì) 本發(fā)明的這些及其他特征進(jìn)行更加詳細(xì)的描述。


本發(fā)明是以附圖的各圖中的實(shí)施例的方式進(jìn)行說明的，而不是以限制的方式，其 中類似的參考標(biāo)號(hào)表示類似的元件，其中 圖1A顯示了具有有到等離子體的直接視線的光學(xué)觀察孔(即窗)的現(xiàn)有技術(shù)等 離子體處理室的簡(jiǎn)圖。
圖1B顯示了在等離子體處理室中使用準(zhǔn)直儀的現(xiàn)有技術(shù)方案的簡(jiǎn)圖。 圖1C顯示了在等離子體處理室中具有長(zhǎng)準(zhǔn)直儀的現(xiàn)有技術(shù)方案的簡(jiǎn)圖。 圖2A顯示了在等離子體處理室中具有單一的、小直徑孔的準(zhǔn)直儀的現(xiàn)有技術(shù)方
案的簡(jiǎn)圖。 圖2B顯示了在等離子體處理室中的多孔準(zhǔn)直儀的簡(jiǎn)圖。 圖3A顯示了，按照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，具有兩個(gè)準(zhǔn)直儀的準(zhǔn)直儀布置的簡(jiǎn) 圖。 圖3B，按照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，顯示了整體式準(zhǔn)直儀布置的簡(jiǎn)圖。 圖3C，按照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，顯示了多元件準(zhǔn)直儀布置的簡(jiǎn)圖。 圖4，按照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，顯示了具有對(duì)準(zhǔn)特征的多元件準(zhǔn)直儀布置的簡(jiǎn)圖。 圖5A顯示了 ，按照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，準(zhǔn)直儀中的孔的形狀的各種變化的簡(jiǎn) 圖。 圖5B顯示了，按照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，錐穿(t即eringthrough)準(zhǔn)直儀的孔 的直徑的各種變化的簡(jiǎn)圖。 圖6A顯示了，按照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，準(zhǔn)直儀上的孔的放置的各種變化的簡(jiǎn) 圖。
圖6B顯示了，按照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，準(zhǔn)直儀上的孔的密度的各種變化的簡(jiǎn) 圖。 圖6C顯示了，按照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，準(zhǔn)直儀上的孔的直徑的分布的各種變 化的簡(jiǎn)圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在參考附圖中描繪的一些實(shí)施方式，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述。在下面的描述中， 闡明了許多具體細(xì)節(jié)以提供對(duì)本發(fā)明的徹底理解。然而，顯然，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來 說，本發(fā)明沒有這些具體細(xì)節(jié)中的一些或全部仍然可以實(shí)施。在其它情況下，沒有對(duì)已知的 工藝步驟和/或結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)描述，以免不必要地模糊本發(fā)明。 下面描述了包括方法和技術(shù)在內(nèi)的各種實(shí)施方式。應(yīng)當(dāng)記住，本發(fā)明也涵蓋包括 計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)的制造品，在該計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)上存儲(chǔ)有用于執(zhí)行本發(fā)明的技術(shù)的各實(shí)施 方式的計(jì)算機(jī)可讀指令。計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)可能包括，例如，半導(dǎo)體的、磁的、光磁的、光學(xué)的 或者其它形式的用于存儲(chǔ)計(jì)算機(jī)可讀代碼的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)。進(jìn)一步，本發(fā)明還可涵蓋用 于實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的各實(shí)施方式的裝置。這樣的裝置可包括用以執(zhí)行與本發(fā)明的實(shí)施方式有關(guān) 的任務(wù)的專用的或可編程的電路。這樣的裝置的例子包括恰當(dāng)編程過的通用計(jì)算機(jī)和/或 專用計(jì)算裝置，也可包括適于執(zhí)行與本發(fā)明的實(shí)施方式有關(guān)的計(jì)算機(jī)/計(jì)算裝置和專用的 /可編程的電路的結(jié)合。 按照本發(fā)明的實(shí)施方式，提供改善在等離子體處理過程中執(zhí)行等離子體的光詢問 的診斷工具的效率的方法和裝置。本發(fā)明的實(shí)施方式包括使用具有多個(gè)準(zhǔn)直儀的準(zhǔn)直儀布 置來獲得更高的有效長(zhǎng)寬比。通過獲得更高的有效長(zhǎng)寬比，準(zhǔn)直儀布置可保護(hù)觀察孔免于 被等離子體物質(zhì)引起狀態(tài)變化，同時(shí)減少到達(dá)外部信號(hào)測(cè)量設(shè)備的不在軸上的(off-axis) 光的量。 在一個(gè)實(shí)施方式中，該準(zhǔn)直儀布置可以被配置為具有由連接區(qū)域隔開的兩個(gè)準(zhǔn)直 儀。在另一個(gè)實(shí)施方式中，每個(gè)準(zhǔn)直儀可以被獨(dú)立加工以獲得最高的成本效率和/或商業(yè) 上可行的長(zhǎng)寬比。通過提供可獨(dú)立加工的準(zhǔn)直儀和/或連接區(qū)域，該準(zhǔn)直儀布置能夠?qū)崿F(xiàn) 比每個(gè)準(zhǔn)直儀的長(zhǎng)寬比的簡(jiǎn)單算術(shù)和更大的有效長(zhǎng)寬比。 在一個(gè)實(shí)施方式中，該準(zhǔn)直儀布置可以由單一單元加工而成。在一個(gè)實(shí)施方式中， 該準(zhǔn)直儀布置可以由多個(gè)元件構(gòu)成。因此，準(zhǔn)直儀布置可以用多種方法制造以實(shí)現(xiàn)類似的結(jié)果。 在裝配多元件準(zhǔn)直儀布置時(shí)，多個(gè)準(zhǔn)直儀之間的對(duì)準(zhǔn)在實(shí)現(xiàn)最高的光信號(hào)強(qiáng)度收 集中是很關(guān)鍵的。在一個(gè)實(shí)施例中，在一個(gè)實(shí)施方式中該準(zhǔn)直儀布置可以被配置為在每 個(gè)準(zhǔn)直儀上和/或在準(zhǔn)直儀外罩上有鍵控特征(keying features)。在一個(gè)實(shí)施方式中， 多元件準(zhǔn)直儀布置中的準(zhǔn)直儀可以被配置為具有移動(dòng)級(jí)以能夠平移、轉(zhuǎn)動(dòng)和/或萬向移動(dòng) (gimballing motion)。通過具有鍵控特征和/或移動(dòng)級(jí)，在為了達(dá)到最佳性能需要時(shí)可以 進(jìn)行各準(zhǔn)直儀的對(duì)準(zhǔn)。 在一個(gè)實(shí)施方式中，每個(gè)準(zhǔn)直儀可以被獨(dú)立配置為有不同直徑、長(zhǎng)度、形狀、錐形 函數(shù)(tapering functions)、放置(placements)、密度和/或直徑分布的孔。通過每個(gè)孔 有這些可選的置換，該準(zhǔn)直儀布置可以被優(yōu)化以獲得期望的光學(xué)收集效率。
參考下面的附圖和討論，可以更好地理解本發(fā)明的特征和優(yōu)點(diǎn)。圖3A顯示了，按 照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，具有兩個(gè)準(zhǔn)直儀的準(zhǔn)直儀布置300的簡(jiǎn)圖。
在一個(gè)實(shí)施方式中，準(zhǔn)直儀布置300可以被配置為有兩個(gè)準(zhǔn)直儀，第一準(zhǔn)直儀306 和第二準(zhǔn)直儀316，由空隙區(qū)304分開。空隙區(qū)304可以被配置為有圍繞空隙區(qū)304的殼 302以維持第一準(zhǔn)直儀306和第二準(zhǔn)直儀316的隔離和/或?qū)?zhǔn)。 在另一個(gè)實(shí)施方式中，準(zhǔn)直儀布置300可以被這樣配置以便每個(gè)準(zhǔn)直儀(第一準(zhǔn) 直儀306和/或第二準(zhǔn)直儀316)在孔的數(shù)量、空間排列、每個(gè)孔的直徑、準(zhǔn)直儀的長(zhǎng)度等等 方面是獨(dú)立的。每個(gè)準(zhǔn)直儀的獨(dú)立特征可以提供準(zhǔn)直儀布置300在設(shè)計(jì)和/或?qū)Ｓ没系?靈活性以適應(yīng)特定應(yīng)用的需要。 在一個(gè)實(shí)施例中，第一準(zhǔn)直儀306具有第一預(yù)定長(zhǎng)度310，第一預(yù)定數(shù)量的孔的陣 列308和每個(gè)孔的第一預(yù)定直徑312。類似地，第二準(zhǔn)直儀316也可以具有第二預(yù)定長(zhǎng)度 320，第二預(yù)定數(shù)量的孔的陣列308和每個(gè)孔的第二預(yù)定直徑322。因此，每個(gè)準(zhǔn)直儀可以被 獨(dú)立加工到最高的可行的(例如，在經(jīng)濟(jì)和制造限制兩方面)長(zhǎng)寬比。
因?yàn)榧庸つ芰梢允侵圃炀哂懈唛L(zhǎng)寬比的準(zhǔn)直儀的限制性的經(jīng)濟(jì)因素，現(xiàn)有工藝 最大限度地獨(dú)立加工每個(gè)準(zhǔn)直儀的能力允許長(zhǎng)寬比的總的增加。有效長(zhǎng)寬比的增加超出每 個(gè)準(zhǔn)直儀的長(zhǎng)寬比的算術(shù)和。然而，準(zhǔn)直儀布置300的總長(zhǎng)度會(huì)對(duì)有效長(zhǎng)寬比設(shè)置上限。
如圖3A所示，準(zhǔn)直儀布置300的有效長(zhǎng)寬比可以在各準(zhǔn)直儀的長(zhǎng)寬比的和以及由 準(zhǔn)直儀布置300的總長(zhǎng)度確定的長(zhǎng)寬比之間?？紤]這種情況，例如，其中每個(gè)準(zhǔn)直儀可以被 加工到商業(yè)上可行的加工能力，例如，IO : l的長(zhǎng)寬比。在一個(gè)實(shí)施例中，準(zhǔn)直儀布置300
的總長(zhǎng)度具有30 : i的總長(zhǎng)寬比。有效的準(zhǔn)直儀長(zhǎng)寬比可以在20 : l到30 : i之間。因
此，空隙區(qū)304有利地增加了準(zhǔn)直儀布置300的總長(zhǎng)度以增大有效長(zhǎng)寬比。 與現(xiàn)有技術(shù)相反，準(zhǔn)直儀布置300可以實(shí)現(xiàn)非常高的有效長(zhǎng)寬比(即大于30 : 1)
而不會(huì)帶來過多的生產(chǎn)成本和/或不切實(shí)際的準(zhǔn)直儀長(zhǎng)度。通過實(shí)現(xiàn)很高的有效長(zhǎng)寬比，
準(zhǔn)直儀布置300可以保護(hù)觀察孔免于被等離子體物質(zhì)改變狀況，同時(shí)獲得視線的低接受角。 圖3B，按照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，顯示了整體式準(zhǔn)直儀布置330的簡(jiǎn)圖。如圖 3B所示，整體式準(zhǔn)直儀布置330可以被配置為在每一端具有由單塊材料制成的第一準(zhǔn)直儀 332和第二準(zhǔn)直儀336。第一準(zhǔn)直儀332和第二準(zhǔn)直儀334由連接區(qū)域334分開。準(zhǔn)直儀 布置330可以適合被放入外罩338以防止等離子體物質(zhì)或不需要光源直接接觸在兩個(gè)準(zhǔn)直 段之間加工出的連接區(qū)域334。 在圖3B的實(shí)現(xiàn)中，在一個(gè)實(shí)施方式中，準(zhǔn)直儀布置330可以是由單一單元加工而 成的。按照一個(gè)實(shí)施方式，第一準(zhǔn)直儀332和第二準(zhǔn)直儀336可以在孔的數(shù)量、空間排列、 每個(gè)孔的直徑、準(zhǔn)直儀的長(zhǎng)度等方面獨(dú)立加工。因此，第一準(zhǔn)直儀332和第二準(zhǔn)直儀336可 以用通?？捎玫墓ぞ弑阋说乇恢圃鞛檫m中的長(zhǎng)寬比。替代地，每個(gè)準(zhǔn)直儀可以被加工以獲 得現(xiàn)有工具可能的最高的長(zhǎng)寬比而不會(huì)帶來過大的代價(jià)。然而，通過結(jié)合第一準(zhǔn)直儀332 和第二準(zhǔn)直儀336，準(zhǔn)直儀布置330可以實(shí)現(xiàn)比用單一準(zhǔn)直儀的傳統(tǒng)加工可能獲得的更高 的有效長(zhǎng)寬比。 開始時(shí)，準(zhǔn)直儀布置330可以是單一的固體材料塊。如圖3B所示，第一準(zhǔn)直儀332 和第二準(zhǔn)直儀336由連接區(qū)域334分開。在一個(gè)實(shí)施方式中，連接區(qū)域334可以被加工以
9形成空隙區(qū)340，該空隙區(qū)340允許第一準(zhǔn)直儀332和第二準(zhǔn)直儀336之間基本上全部的光 的透射。用單一單元加工第一準(zhǔn)直儀332、第二準(zhǔn)直儀336和連接區(qū)域334的優(yōu)點(diǎn)是可以高 度控制各準(zhǔn)直儀之間的對(duì)準(zhǔn)。另外，連接區(qū)域334可能充當(dāng)兩個(gè)準(zhǔn)直儀之間的隔離并加長(zhǎng) 準(zhǔn)直儀布置330以增加有效長(zhǎng)寬比。因此，各準(zhǔn)直儀之間的各孔的對(duì)準(zhǔn)結(jié)合高長(zhǎng)寬比可以 提供具有小接受角的視線。 盡管圖3A和3B的實(shí)現(xiàn)討論了具有兩個(gè)準(zhǔn)直儀的準(zhǔn)直儀布置以描述用于獲得高有 效長(zhǎng)寬比的方法，然而還可以使用具有多個(gè)準(zhǔn)直儀(例如超過2個(gè)準(zhǔn)直儀)的其它裝置?？?慮這種情況，例如，其中用戶需要具有縮短長(zhǎng)度的上述空隙區(qū)的準(zhǔn)直儀布置。準(zhǔn)直儀布置可 以被配置為在與上述空隙區(qū)同樣的長(zhǎng)度中具有三個(gè)或更多準(zhǔn)直儀。因此，每個(gè)準(zhǔn)直儀之間 的空隙區(qū)的長(zhǎng)度可以被有效減小而不會(huì)顯著影響有效長(zhǎng)寬比。 圖3C，按照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，顯示了多元件準(zhǔn)直儀布置350的簡(jiǎn)圖。如圖 3C所示，多元件準(zhǔn)直儀布置350可以被配置為具有安裝到外罩358的每一端的第一準(zhǔn)直儀 352和第二準(zhǔn)直儀356。 如圖3C的實(shí)現(xiàn)所示，第一準(zhǔn)直儀352和第二準(zhǔn)直儀356是分離的單元。在一個(gè)實(shí) 施方式中，每個(gè)準(zhǔn)直儀可以在孔的數(shù)量、空間排列、每個(gè)孔的直徑、準(zhǔn)直儀的長(zhǎng)度等等方面 獨(dú)立加工。因此，每個(gè)準(zhǔn)直儀可以以合理的代價(jià)被加工到可得到的最高長(zhǎng)寬比。
在一個(gè)實(shí)施方式中，第一準(zhǔn)直儀352和第二準(zhǔn)直儀356可以被安裝到外罩358的 每一端中。在一個(gè)實(shí)施方式中，可以使用外罩358來維持各準(zhǔn)直儀之間的隔離和/或?qū)?zhǔn)。 如上所述，該隔離特征外罩358可以用于加長(zhǎng)準(zhǔn)直儀布置350以增加有效長(zhǎng)寬比。
如圖3C所示，多元件準(zhǔn)直儀布置350的對(duì)準(zhǔn)可以用多種方法實(shí)現(xiàn)。按照本發(fā)明的 一個(gè)實(shí)施方式，可以在準(zhǔn)直儀上配置鍵控特征(一個(gè)或多個(gè))以獲得對(duì)準(zhǔn)。在一個(gè)實(shí)施例 中，第一準(zhǔn)直儀352可以被配置為具有第一鍵控特征360。在一個(gè)實(shí)施方式中，第一鍵控特 征360可以被配置在第一準(zhǔn)直儀352的一端以充當(dāng)用于決定插入外罩358的深度的深度鍵 控。替代地和/或同時(shí)，在一個(gè)實(shí)施方式中，第一鍵控特征360可充當(dāng)?shù)谝粶?zhǔn)直儀352的轉(zhuǎn) 動(dòng)對(duì)準(zhǔn)鍵控。 按照本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式，可以在外罩358上配置鍵控特征(一個(gè)或多個(gè))。 例如，可以在外罩358的內(nèi)表面上配置第二鍵控特征362。類似地，第二鍵控特征362也可 以用于對(duì)準(zhǔn)和/或深度鍵控方法。 盡管圖3C的實(shí)現(xiàn)已經(jīng)討論了鍵控方法以描述對(duì)準(zhǔn)和/或深度鍵控方法，然而，也
可以使用涉及用于對(duì)準(zhǔn)和/或深度鍵控的相同和/或不同特征的其它裝置。 通常，在使用多個(gè)準(zhǔn)直儀的準(zhǔn)直儀布置中，準(zhǔn)直儀之間的對(duì)準(zhǔn)對(duì)于最佳的信號(hào)強(qiáng)
度收集是很關(guān)鍵的。對(duì)于許多光詢問技術(shù)，在真空室的直徑方向的相對(duì)側(cè)上需要準(zhǔn)直組件。
同樣地，全部準(zhǔn)直儀組件的宏觀平移和轉(zhuǎn)動(dòng)控制對(duì)于跨越室的對(duì)準(zhǔn)是必需的。圖4顯示了，
按照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，具有對(duì)準(zhǔn)特征的多元件準(zhǔn)直儀布置(400)的簡(jiǎn)圖。 在一個(gè)實(shí)施例中，多元件準(zhǔn)直儀布置(400)可以被配置為具有第一準(zhǔn)直儀404。第
一準(zhǔn)直儀404可以被配置為相對(duì)于外罩402被固定在適當(dāng)位置。在外罩402的相對(duì)端，第
二準(zhǔn)直儀406可以被安裝有移動(dòng)級(jí)408以進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)。移動(dòng)級(jí)408可以被配置為允許第二準(zhǔn)
直儀406平移、轉(zhuǎn)動(dòng)和/或萬向移動(dòng)。 如圖4所示，平移可包括沿著x軸方向420、 y軸方向422和z軸方向424移動(dòng)。
10轉(zhuǎn)動(dòng)可包括圍繞外罩402順時(shí)針方向或逆時(shí)針方向移動(dòng)，如角度e (426)所限定的。萬向 移動(dòng)可包括第二準(zhǔn)直儀406圍繞空間中的任意點(diǎn)428傾斜。在圖4的實(shí)現(xiàn)中，第二準(zhǔn)直儀 406可以圍繞點(diǎn)428在x軸方向420和/或y軸方向422萬向移動(dòng)。而且，可以使用其它的 移動(dòng)第二準(zhǔn)直儀406的方法來對(duì)準(zhǔn)準(zhǔn)直儀布置400。 通過具有上述對(duì)準(zhǔn)能力，準(zhǔn)直儀布置400可以被優(yōu)化以獲得最高的光信號(hào)強(qiáng)度收 集。例如，可以使用在z軸方向424的平移來微調(diào)準(zhǔn)直儀布置400的長(zhǎng)度以獲得特定的有 效長(zhǎng)寬比。對(duì)于特定的光路徑，更高的有效長(zhǎng)寬比意味著更小的接受角。在另一個(gè)實(shí)施例 中，可以使用轉(zhuǎn)動(dòng)來微調(diào)第一準(zhǔn)直儀404和/或第二準(zhǔn)直儀406之間的各孔的對(duì)準(zhǔn)。例如， 第二準(zhǔn)直儀406可以被轉(zhuǎn)動(dòng)到一個(gè)特定角度e (426)以對(duì)于特定的光路徑達(dá)到具有最低接 受角的最優(yōu)直接視線。 多元件管狀組件對(duì)準(zhǔn)中另一個(gè)關(guān)心的因素是歪斜(skew)。此處使用的術(shù)語歪斜 是管狀元件從預(yù)定直線的傾斜。通過使用萬向移動(dòng)以圍繞空間中的任意點(diǎn)428在x軸方向 420和y軸方向424上傾斜第二準(zhǔn)直儀406可以在準(zhǔn)直儀布置400中微調(diào)歪斜。
考慮這種情況，例如，其中已經(jīng)確定第二準(zhǔn)直儀406在負(fù)x軸方向420有5毫米 (mm)的歪斜。因?yàn)榈诙?zhǔn)直儀406可以圍繞任意點(diǎn)428傾斜，準(zhǔn)直儀406可以在正x軸方 向420上傾斜5毫米以補(bǔ)償該歪斜。通過使用萬向移動(dòng)，可以微調(diào)準(zhǔn)直儀406以獲得相對(duì) 于另一元件(例如第一準(zhǔn)直儀404)的最高的線性對(duì)準(zhǔn)。 如在上述方法中所述，對(duì)于多元件準(zhǔn)直儀布置，可以使用各種對(duì)準(zhǔn)方法以獲得最 高光信號(hào)強(qiáng)度收集。通常，對(duì)于具有多個(gè)準(zhǔn)直儀的準(zhǔn)直儀布置，還可以使用其它對(duì)準(zhǔn)方法來 優(yōu)化光強(qiáng)度收集。 圖5A顯示了，按照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，準(zhǔn)直儀中的孔的形狀的變化的簡(jiǎn)圖。 例如，準(zhǔn)直儀502顯示了典型的圓孔504。圓孔504可以是直線鉆穿材料的孔。然而，根據(jù) 需要和現(xiàn)有的鉆孔方法，孔可以采用任何的任意形狀。在一個(gè)實(shí)施方式中，準(zhǔn)直儀505顯示 具有任意多邊形形狀(例如三角形)的孔506。在另一個(gè)實(shí)施方式中，準(zhǔn)直儀507顯示了具 有任意抽象形狀的孔508。因此，根據(jù)該光收集的需要和現(xiàn)有的加工技術(shù)，準(zhǔn)直儀可以有任 何形狀的孔以優(yōu)化光收集。 圖5B顯示了，按照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，錐穿準(zhǔn)直儀的孔直徑的變形的簡(jiǎn)圖。 傳統(tǒng)地，孔被直線鉆穿準(zhǔn)直儀以產(chǎn)生穿過兩端和/或穿過準(zhǔn)直儀的長(zhǎng)的同樣直徑的孔。然 而，該孔可以是錐形的以具有任意的函數(shù)(function)(也就是說，連續(xù)和/或不連續(xù)的函 數(shù))以最小化對(duì)于特定光路徑的接受角。 如圖5B所示，準(zhǔn)直儀510被配置為在一端具有第一直徑的第一孔512而在另一端 具有第二直徑的第二孔514。在一個(gè)實(shí)施方式中，第一孔512的直徑可以大于第二孔514的 直徑。在一個(gè)實(shí)施方式中，第一孔512和第二孔514由線性減小的連續(xù)函數(shù)(S卩，筆直的錐 形)連接。 在另一個(gè)實(shí)施方式中，準(zhǔn)直儀520被配置為在一端有第一直徑的第一孔522，其被 直線鉆穿準(zhǔn)直儀520到任意深度524。在準(zhǔn)直儀520的另一端，第二直徑的第二孔528可以 被直線鉆穿準(zhǔn)直儀520到同樣的任意深度524。在一個(gè)實(shí)施方式中，準(zhǔn)直儀520可以有不同 直徑的孔，例如第一孔522和第二孔528。每個(gè)孔可具有任意的非連續(xù)函數(shù)，例如在一個(gè)實(shí) 施方式中第一任意函數(shù)526和/或第二任意函數(shù)530。
因?yàn)橛心軌蚋淖兇┻^準(zhǔn)直儀的孔的直徑的靈活性，準(zhǔn)直儀可以被設(shè)計(jì)為具有被優(yōu) 化的孔以收集來自具有最小接受角的穿過視線的光路徑的光。高長(zhǎng)寬比準(zhǔn)直儀組件減少了 視線的光接受到一定的任意角度，theta，其取決于長(zhǎng)寬比。然而，另外的光，在小于或者大 于theta的入射角的，由于內(nèi)部孔表面的反射可以被引導(dǎo)穿過準(zhǔn)直儀孔。這種附加的不在 軸上的光的光源增加了噪音水平，并需要被最小化。比如使用低反射率的材料或使用錐形 直徑的準(zhǔn)直儀孔的方法是執(zhí)行這種功能的許多方法中的兩種。此處使用的術(shù)語"低反射率 材料"是具有低表面反射光比率的材料。 圖6A顯示了，按照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，準(zhǔn)直儀上的孔的放置的各種變化的簡(jiǎn) 圖。在一個(gè)實(shí)施方式中，準(zhǔn)直儀端602可被配置為具有孔的陣列604，其被排列為簡(jiǎn)單的線 性行，例如，各行是一行在另一行的上方。在另一個(gè)實(shí)施方式中，準(zhǔn)直儀端612可以被配置 為具有孔的陣列614，其被排列為同心圓。通常，也可以使用其他的排列以進(jìn)行準(zhǔn)直儀上孔 的放置。 圖6B顯示了，按照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，準(zhǔn)直儀上的孔的密度的各種變化的簡(jiǎn) 圖。在一個(gè)實(shí)施方式中，準(zhǔn)直儀端622可以被配置為具有孔的陣列624，其被配置為具有很 高的孔密度。在一個(gè)實(shí)施例中，對(duì)于高孔密度，相對(duì)于準(zhǔn)直儀末端622的面積，孔的密度可 達(dá)到約65 %到約70 % 。在另一個(gè)實(shí)施方式中，準(zhǔn)直儀端632可以被配置為具有孔的陣列 634，其被配置為具有稀疏的孔密度。在一個(gè)實(shí)施例中，相對(duì)于準(zhǔn)直儀端632的面積，孔的 密度可以是約10%到約15%。通常，相對(duì)于準(zhǔn)直儀端的面積的孔的密度可以是約5%到約 95%。 圖6C顯示了，按照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，準(zhǔn)直儀上的孔的直徑的分布的各種變 化的簡(jiǎn)圖。在一個(gè)實(shí)施方式中，準(zhǔn)直儀端642可以被配置為具有孔的陣列624，其被配置為 具有雙態(tài)分布(bimodaldistribution)，也就是說，兩種不同直徑的孔的分布。在另一個(gè)實(shí) 施方式中，準(zhǔn)直儀端652可以被配置為具有孔的陣列654，其被配置為具有三態(tài)分布，也就 是說，三種不同直徑的孔的分布。通常，該孔的直徑分布可以是任何的任意分布，以為孔面 積覆蓋百分比或任何其他需要的因素而優(yōu)化。 因此，在準(zhǔn)直儀布置中，每個(gè)準(zhǔn)直儀可以對(duì)孔的直徑、孔的長(zhǎng)度、孔的形狀、孔的錐 形函數(shù)、孔的放置、孔的密度和/或孔的直徑分布進(jìn)行獨(dú)立的優(yōu)化。每個(gè)特征的各種變換允 許多種方法以優(yōu)化準(zhǔn)直儀布置從而獲得同樣的光收集效率。 從上文可以看出，本發(fā)明的實(shí)施方式提供用于可以用傳統(tǒng)加工能力生產(chǎn)的適中尺 寸的準(zhǔn)直儀布置的方法和裝置。通過加工每個(gè)準(zhǔn)直儀到使用傳統(tǒng)加工技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)的最高 的長(zhǎng)寬比，可以實(shí)現(xiàn)成本節(jié)省并保持對(duì)視線的低接受角的控制。而且，具有高有效長(zhǎng)寬比的 準(zhǔn)直儀布置通過提供觀察孔與等離子體物質(zhì)的有效分離，可以更好地阻止光譜信號(hào)漂移。 因此，所提出的準(zhǔn)直儀組件顯著地增加了直接接觸等離子體的光學(xué)部件的MTBF (平均故障 間隔時(shí)間)并減少了整個(gè)系統(tǒng)的成本和當(dāng)機(jī)時(shí)間。 盡管依據(jù)一些優(yōu)選實(shí)施方式描述了本發(fā)明，然而，存在落入本發(fā)明范圍的變更、置 換和等同。而且，此處提供的名稱、發(fā)明內(nèi)容和摘要是為了方便，不應(yīng)當(dāng)被用于解釋此處權(quán) 利要求的范圍。應(yīng)當(dāng)注意，由許多實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的方法和裝置的替代方式。盡管此處提供了 各種實(shí)施例，我們的意圖是這些實(shí)施例是對(duì)本發(fā)明的說明而非限制。而且，在本應(yīng)用中，一 組"n"個(gè)項(xiàng)目設(shè)計(jì)該組中的零個(gè)或以上的項(xiàng)目。因而，所附權(quán)利要求的范圍意在被解讀為包括所有這些落入本發(fā)明的真實(shí)精神和范圍的變更、置換和等同替換。
權(quán)利要求
用于在等離子體處理室中在等離子體處理過程中進(jìn)行等離子體的光詢問的方法，包含提供光學(xué)觀察孔；提供準(zhǔn)直儀布置，所述準(zhǔn)直儀布置耦合于所述光學(xué)觀察孔，所述準(zhǔn)直儀布置被配置為具有多個(gè)準(zhǔn)直儀，其中所述多個(gè)準(zhǔn)直儀的第一準(zhǔn)直儀與所述多個(gè)準(zhǔn)直儀的第二準(zhǔn)直儀由連接區(qū)域分開；以及當(dāng)正在處理基板時(shí)，通過所述準(zhǔn)直儀布置收集來自所述等離子體處理室中的所述等離子體的光信號(hào)，產(chǎn)生高度準(zhǔn)直的光信號(hào)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述光學(xué)觀察孔是對(duì)預(yù)定的波長(zhǎng)范圍光學(xué)透明的。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述預(yù)定波長(zhǎng)范圍是從約紅外(IR)波長(zhǎng)到約紫外(UV)波長(zhǎng)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述準(zhǔn)直儀布置是由整體式單元制成的。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述準(zhǔn)直儀布置是由多個(gè)元件制成的。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述多個(gè)準(zhǔn)直儀的每個(gè)準(zhǔn)直儀是被獨(dú)立加工的。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述連接區(qū)域包括空隙區(qū)。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述準(zhǔn)直儀布置被放入外罩中。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述外罩被配置為具有多個(gè)鍵控特征的至少一個(gè)以對(duì)準(zhǔn)所述多個(gè)準(zhǔn)直儀的每個(gè)準(zhǔn)直儀。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述外罩被配置為具有多個(gè)鍵控特征的至少一個(gè)以分開所述多個(gè)準(zhǔn)直儀的每個(gè)準(zhǔn)直儀。
11. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述準(zhǔn)直儀布置中的所述多個(gè)準(zhǔn)直儀的所述第一準(zhǔn)直儀被配置為具有用于插入所述外罩的深度的鍵控特征。
12. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述準(zhǔn)直儀布置中的所述多個(gè)準(zhǔn)直儀的所述第一準(zhǔn)直儀被配置為具有用于與所述外罩中的所述第二準(zhǔn)直儀轉(zhuǎn)動(dòng)對(duì)準(zhǔn)的鍵控特征。
13. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中所述多個(gè)準(zhǔn)直儀的第二準(zhǔn)直儀被安裝有移動(dòng)級(jí)，用于在由所述多個(gè)元件制成的所述準(zhǔn)直儀布置中的對(duì)準(zhǔn)。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述移動(dòng)級(jí)被配置為允許所述第二準(zhǔn)直儀平移。
15. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述移動(dòng)級(jí)被配置為允許所述第二準(zhǔn)直儀轉(zhuǎn)動(dòng)。
16. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述移動(dòng)級(jí)被配置為允許所述第二準(zhǔn)直儀萬向移動(dòng)。
17. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述多個(gè)準(zhǔn)直儀的每個(gè)準(zhǔn)直儀被配置為具有多個(gè)孔，所述多個(gè)孔被加工到預(yù)定的合適的形狀以提供最佳的光收集。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述預(yù)定的合適的形狀是圓孔。
19. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述預(yù)定的合適的形狀是多邊形孔。
20. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述多個(gè)孔的每個(gè)孔具有預(yù)定的錐形函數(shù)以最小化光接受角。
21. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，中所述預(yù)定的錐形函數(shù)是連續(xù)函數(shù)。
22. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中所述預(yù)定的錐形函數(shù)是非連續(xù)函數(shù)。
23. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述多個(gè)孔以預(yù)定的布置排列。
24. 根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其中所述預(yù)定的布置是線性行的陣列。
25. 根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其中所述預(yù)定的布置是同心圓的陣列。
26. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述多個(gè)孔被配置為具有高孔密度。
27. 根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，其中所述高孔密度是孔的面積相對(duì)于所述每個(gè)準(zhǔn)直儀的面積是約65%到約70%。
28. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述多個(gè)孔被配置為具有低孔密度。
29. 根據(jù)權(quán)利要求28所述的方法，其中所述低孔密度是孔的面積相對(duì)于所述每個(gè)準(zhǔn)直儀的面積是約10%到約15%。
30. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述多個(gè)孔被配置為具有孔的面積相對(duì)于所述每個(gè)準(zhǔn)直儀的面積的約5%到約95%的孔密度。
31. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述多個(gè)孔被配置為具有多個(gè)預(yù)定直徑的分布。
32. —種用于在等離子體處理過程中執(zhí)行等離子體的光詢問的診斷工具，包含光學(xué)觀察孔；以及準(zhǔn)直儀布置，所述準(zhǔn)直儀布置耦合于所述光學(xué)觀察孔，所述準(zhǔn)直儀布置被配置為具有多個(gè)準(zhǔn)直儀，其中所述多個(gè)準(zhǔn)直儀的第一準(zhǔn)直儀與所述多個(gè)準(zhǔn)直儀的第二準(zhǔn)直儀由連接區(qū)域分開，其中所述準(zhǔn)直儀布置被配置為收集在處理基板時(shí)來自所述等離子體處理室中的所述等離子體的光信號(hào)以產(chǎn)生高度準(zhǔn)直的光信號(hào)。
33. 用于在等離子體處理室中在等離子體處理過程中進(jìn)行等離子體的光詢問的方法，包含提供光學(xué)觀察孔；提供準(zhǔn)直儀布置，所述準(zhǔn)直儀布置耦合于所述光學(xué)觀察孔，所述準(zhǔn)直儀布置被配置在第一端具有第一準(zhǔn)直儀而在第二端具有第二準(zhǔn)直儀，所述第一準(zhǔn)直儀和所述第二準(zhǔn)直儀由空隙區(qū)分開；以及在處理基板時(shí)，收集來自所述等離子體處理室的所述等離子體的光信號(hào)。
34. 用于減少在等離子體處理室中在等離子體處理過程中在光學(xué)觀察孔上的沉積的方法，包含提供準(zhǔn)直儀布置，所述準(zhǔn)直儀布置耦合于所述光學(xué)觀察孔，所述準(zhǔn)直儀布置被配置為具有多個(gè)準(zhǔn)直儀，其中所述多個(gè)準(zhǔn)直儀的第一準(zhǔn)直儀與所述多個(gè)準(zhǔn)直儀的第二準(zhǔn)直儀由連接區(qū)域分開；以及當(dāng)正在處理基板時(shí)，通過所述準(zhǔn)直儀布置收集來自所述等離子體處理室中的所述等離子體的光信號(hào)，產(chǎn)生高度準(zhǔn)直的光信號(hào)。
35. 用于在等離子體處理室中在等離子體處理過程中減少對(duì)光學(xué)觀察孔的刻蝕的方法，包含提供準(zhǔn)直儀布置，所述準(zhǔn)直儀布置耦合于所述光學(xué)觀察孔，所述準(zhǔn)直儀布置被配置為具有多個(gè)準(zhǔn)直儀，其中所述多個(gè)準(zhǔn)直儀的第一準(zhǔn)直儀與所述多個(gè)準(zhǔn)直儀的第二準(zhǔn)直儀由連接區(qū)域分開；以及當(dāng)正在處理基板時(shí)，通過所述準(zhǔn)直儀布置收集來自所述等離子體處理室中的所述等離子體的光信號(hào)，產(chǎn)生高度準(zhǔn)直的光信號(hào)。
全文摘要
提供一種用于在等離子體處理室中在等離子體處理過程中進(jìn)行等離子體的光詢問的方法。該方法包括提供光學(xué)觀察孔。該方法還包括提供準(zhǔn)直儀布置。該準(zhǔn)直儀布置被配置為具有多個(gè)準(zhǔn)直儀，其中該多個(gè)準(zhǔn)直儀的第一準(zhǔn)直儀與該多個(gè)準(zhǔn)直儀的第二準(zhǔn)直儀由連接區(qū)域分開。該方法進(jìn)一步包括當(dāng)正在處理基板時(shí)，通過該準(zhǔn)直儀布置收集來自該等離子體處理室中的該等離子體的光信號(hào)，產(chǎn)生高度準(zhǔn)直的光信號(hào)。
文檔編號(hào)H01L21/3065GK101796617SQ200880105514
公開日2010年8月4日 申請(qǐng)日期2008年6月12日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月29日
發(fā)明者埃里克·A·派普, 維甲壓庫馬爾·C·凡尼高泊 申請(qǐng)人:朗姆研究公司