專利名稱：：基板處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種例如在半導(dǎo)體晶片或FPD(平板顯示器)基板等基板上形成例如抗蝕劑等的處理膜的基板處理裝置。
背景技術(shù)：
：一般情況下，在半導(dǎo)體元器件的制造中，為了在例如半導(dǎo)體晶片和FPD基板這樣的基板上涂敷感光劑，對(duì)掩膜圖形進(jìn)行曝光處理然后形成電路圖形，使用了光刻技術(shù)。在該光刻技術(shù)中，使用旋涂法在晶片上涂敷抗蝕劑，按照規(guī)定的電路圖形對(duì)由此形成的抗蝕劑膜進(jìn)行曝光，并對(duì)該曝光圖形進(jìn)行顯像處理，由此在抗蝕劑膜上形成電路圖形。一般情況下，在旋涂法中，為了接受飛散的抗蝕劑，在由外罩和內(nèi)罩構(gòu)成的涂料器罩內(nèi)使晶片等基板旋轉(zhuǎn)。此外，為了防止從基板的邊緣部分飛散的抗蝕劑變成霧狀，在罩的上方飛舞，而附著在周圍的裝置或儀器上產(chǎn)生污染，從罩的底部進(jìn)行排氣。此外，在采用使基板高速旋轉(zhuǎn)的抗蝕劑涂敷裝置的情況下，為了抑制基板周邊部的抗蝕劑膜隆起的現(xiàn)象，采用一種在外罩與內(nèi)罩之間配置控制晶片附近氣流的氣流控制板的構(gòu)造(例如，特開2001-189266號(hào)公報(bào))。出于回收液霧的目的，現(xiàn)有的罩排氣設(shè)定排出(供給)抗蝕劑和清洗液時(shí)的排氣壓力。此外，多個(gè)抗蝕劑涂敷裝置的排氣部與工廠的排氣系統(tǒng)連接，氣體被向工廠外排出。但是，存在以下問題，即隨著處理能力的提高，需要增加涂料器罩的安裝數(shù)量，這樣排氣量就會(huì)相應(yīng)地增加，工廠的排氣容量變得緊張。為了解決這個(gè)問題，考慮降低排氣量，但是，為了達(dá)到防止排出抗蝕劑和清洗液時(shí)的液霧的目的，卻不能降低排氣量。
發(fā)明內(nèi)容發(fā)明的目的在于提供一種既能形成均一性高的處理膜，同時(shí)能夠防止液霧，并且能夠提高工廠的排氣效率的基板處理裝置。本發(fā)明提供一種基板處理裝置，它是一種向旋轉(zhuǎn)的被處理基板的表面供給處理液，使處理液擴(kuò)展后形成處理膜的基板處理裝置，它具備在水平姿勢(shì)下保持被處理基板的保持單元、使被處理基板在水平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)、向被處理基板的表面供給處理液的處理液供給噴嘴、以及收納前述保持單元并且在底部與排氣裝置連接的處理罩，前述處理罩包括具有包圍由前述保持單元所保持的上述被處理基板的外側(cè)的外側(cè)壁部的外罩、具有位于被處理基板的外周部下方的內(nèi)側(cè)壁部的內(nèi)罩、外周部被固定在前述外罩的外側(cè)壁部的內(nèi)周面上，同時(shí)內(nèi)周部位于與被處理基板的外周邊緣之間保持間隙的位置，并且，具有連通前述外罩的上部與前述內(nèi)罩的外側(cè)的多個(gè)通氣孔的中間罩、開閉前述中間罩的通氣孔的開閉部件、以及開閉移動(dòng)前述開閉部件的開閉移動(dòng)機(jī)構(gòu)，在向被處理基板供給處理液時(shí)，利用前述開閉部件封閉前述通氣孔，阻斷氣流通過前述通氣孔，在處理液供給后的處理膜形成時(shí)，開放前述通氣孔，容許氣流通過前述通氣孔。在此情況下，前述通氣孔最好以相等的間隔設(shè)置成同心圓形狀。在本發(fā)明中，前述外罩包括具有構(gòu)成前述外側(cè)壁部的一部分的可動(dòng)外側(cè)壁部的上部罩體，前述開閉部件具有外周部被固定在上述上部罩體的可動(dòng)外側(cè)壁部的內(nèi)周面上，內(nèi)周部可抵接在上述中間罩中的相比通氣孔的內(nèi)周側(cè)面上的環(huán)形圓板狀部件，前述開閉移動(dòng)機(jī)構(gòu)具有升降移動(dòng)前述上部罩體的升降機(jī)構(gòu)。在此情況下，對(duì)于前述開閉部件，只要其內(nèi)周部能夠抵接前述中間罩中的相比通氣孔的內(nèi)周側(cè)面，其設(shè)置方式并無限定，但是最好在其內(nèi)周部安裝能夠與前述中間罩的上面接觸的可撓性密封部件。在本發(fā)明中，前述開閉部件具有能夠開閉各個(gè)通氣孔的上端開口部的多個(gè)棒狀部件和連結(jié)各個(gè)棒狀部件的連結(jié)部件，前述開閉移動(dòng)機(jī)構(gòu)具有升降前述連結(jié)部件的升降機(jī)構(gòu)。在此情況下，前述棒狀部件優(yōu)選下端封閉部具有能夠插入上述通氣孔內(nèi)的狹小圓錐面。在本發(fā)明中，前述外罩具有連通前述通氣孔與前述外罩的外方一側(cè)并且在與外側(cè)壁部之間設(shè)置環(huán)狀進(jìn)氣口的外裝罩體，前述開閉部件具有能夠開閉前述環(huán)狀進(jìn)氣口的環(huán)狀部件，前述開閉移動(dòng)機(jī)構(gòu)具有升降移動(dòng)前述環(huán)狀部件的升降機(jī)構(gòu)。在本發(fā)明中，前述多個(gè)通氣孔既可以形成相同的圓形，也可以形成相同的橢圓形。根據(jù)本發(fā)明，當(dāng)向被處理基板供給處理液時(shí)，利用前述開閉部件封閉前述通氣孔，這樣就只能從被處理基板的周邊緣部與中間罩的內(nèi)周部之間的縫隙進(jìn)行排氣，即便是少量的排氣量，也能有效地回收液霧。此外，當(dāng)形成處理膜時(shí)，驅(qū)動(dòng)開閉移動(dòng)機(jī)構(gòu)，移動(dòng)開閉部件，然后開放通氣孔，于是，利用中間罩控制被處理基板的周邊緣部附近的氣流，從而能夠抑制被處理基板的周邊緣部的處理膜出現(xiàn)隆起的現(xiàn)象。因此，能夠形成均一性高的處理膜，同時(shí)，能夠防止液霧。此外，通過有效地進(jìn)行供給處理液時(shí)與形成處理膜時(shí)的排氣，這樣在較低的排氣壓力下也能回收液霧，因此，能夠提高工廠的排氣效率。圖1是表示適用本發(fā)明的基板處理裝置的抗蝕劑涂敷*顯像處理系統(tǒng)的一個(gè)例子的概略俯視圖。圖2是表示圖1的抗蝕劑涂敷顯像處理系統(tǒng)的概略主視圖。圖3是表示圖1的抗蝕劑涂敷顯像處理系統(tǒng)的概略后視圖。圖4是表示本發(fā)明的基板處理裝置的第一實(shí)施方式的抗蝕劑涂敷時(shí)的狀態(tài)的概略截面圖。圖5是表示第一實(shí)施方式的基板處理裝置的抗蝕劑膜形成時(shí)的狀態(tài)的概略截面圖。圖6A是表示本發(fā)明中的中間罩的通氣孔的其它形狀的俯視圖。圖6B是表示本發(fā)明中的中間罩的通氣孔的另外的形狀的俯視圖。圖7是表示具有第一實(shí)施方式中的開閉部件的外罩的一部分的截面立體圖。圖8是表示在開閉部件上安裝有密封部件的狀態(tài)的放大截面圖。圖9是表示第二實(shí)施方式的基板處理裝置的抗蝕劑涂敷時(shí)的狀態(tài)的概略截面圖。圖io是表示第二實(shí)施方式的基板處理裝置的抗蝕劑膜形成時(shí)的狀態(tài)的概略截面圖。圖11是表示第二實(shí)施方式中的開閉部件的立體圖。圖12是表示第二實(shí)施方式的開閉部件的封閉部的放大截面圖。圖13是表示第三實(shí)施方式的基板處理裝置的抗蝕劑涂敷時(shí)的狀態(tài)的概略截面圖。圖14是表示第三實(shí)施方式的基板處理裝置的抗蝕劑膜形成時(shí)的狀態(tài)的概略截面圖。圖15是表示本發(fā)明的抗蝕劑涂敷處理裝置與現(xiàn)有的抗蝕劑涂敷處理裝置中的排氣壓力與回收液霧數(shù)兩者關(guān)系的圖表。符號(hào)說明W半導(dǎo)體晶片(被處理基板)15抗蝕劑涂敷處理裝置(基板處理裝置)16旋轉(zhuǎn)卡盤(保持單元)16b旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)17涂敷噴嘴(處理液供給噴嘴)18真空泵(排氣裝置)60處理罩61底部62外罩62a外側(cè)壁部62b可動(dòng)外側(cè)壁部62c上部罩體62d外裝罩體63內(nèi)罩63a內(nèi)側(cè)壁部64中間罩64a外周部64b內(nèi)周部65縫隙66、66A通氣孔67、67A開閉部件67b密封部件68、68A、68B升降氣缸(開閉移動(dòng)機(jī)構(gòu))70控制器73排氣口76棒狀部件76a狹小圓錐面77連結(jié)部件78環(huán)狀進(jìn)氣口79環(huán)狀部件(開閉部件)具體實(shí)施例方式下面參照附圖，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式詳細(xì)進(jìn)行說明。在這里，對(duì)在半導(dǎo)體晶片的抗蝕劑涂敷顯像處理系統(tǒng)中的抗蝕劑涂敷處理裝置中應(yīng)用本發(fā)明的情況進(jìn)行說明。首先，對(duì)抗蝕劑涂敷，顯像處理系統(tǒng)進(jìn)行說明。圖1是表示具備本發(fā)明的基板處理裝置的半導(dǎo)體晶片的抗蝕劑涂敷顯像處理系統(tǒng)的概略俯視圖，圖2是表示該抗蝕劑涂敷顯像處理系統(tǒng)的概略主視圖，圖3是表示該抗蝕劑涂敷顯像處理系統(tǒng)的概略后視圖。如圖1所示，抗蝕劑涂敷顯像處理系統(tǒng)1具有將以下各部分連接成一體的結(jié)構(gòu)即，例如以25枚晶片W為盒單位從外部相對(duì)于抗蝕劑涂敷顯像處理系統(tǒng)1進(jìn)行搬入搬出，并且相對(duì)于盒C搬入搬出晶片W的盒裝卸臺(tái)2;與該盒裝卸臺(tái)2相鄰而設(shè)并且多級(jí)配置在涂敷顯像工序中單片式實(shí)施規(guī)定處理的各種處理單元構(gòu)成的處理臺(tái)3;以及在與該處理臺(tái)3相鄰而設(shè)的在與曝光裝置(未圖示)之間交接晶片W的接口部4。盒裝卸臺(tái)2可以將多個(gè)盒C沿著水平的X方向一列地載置在盒載放臺(tái)5上的規(guī)定位置。另外，在盒裝卸臺(tái)2上設(shè)置有能夠在搬送路徑6上沿著X方向移動(dòng)的晶片搬送臂7。晶片搬送臂7也可沿著被收納在盒C中的晶片W的晶片排列方向(Z方向鉛直方向)自由移動(dòng)，而能夠選擇地接近沿著X方向排列的各個(gè)盒C內(nèi)的晶片W。晶片搬送臂7能夠以Z軸為中心沿著e方向旋轉(zhuǎn)，如后所述，使其也能夠接近屬于處理臺(tái)3—側(cè)的第三處理單元組G3的轉(zhuǎn)移裝置(TRS)31。處理臺(tái)3具備多層配置多個(gè)處理單元的例如5個(gè)處理單元組GlG5。如圖l所示，在處理臺(tái)3的正面一側(cè)，從盒裝卸臺(tái)2—側(cè)依次配置第一處理單元組G1、第二處理單元組G2。另外，在處理臺(tái)3的背面一側(cè)，從盒裝卸臺(tái)2—側(cè)依次配置第三處理單元組G3、第四處理單元組G4以及第五處理單元組G5。在第三處理單元組G3與第四處理單元組G4之間設(shè)置第一搬送機(jī)構(gòu)110。第一搬送機(jī)構(gòu)110選擇地訪問第一處理單元組G1、第三處理單元組G3以及第四處理單元組G4，搬送晶片W。在第四處理單元組G4與第五處理單元組G5之間設(shè)置第二搬送機(jī)構(gòu)120。第二搬送機(jī)構(gòu)120選擇地接近第二處理單元組G2、第四處理單元組G4以及第五處理單元組G5,搬送晶片W。如圖2所示，在第一處理單元組G1中，將具有在本發(fā)明中的晶片W上涂敷抗蝕劑的抗蝕劑涂敷處理裝置的抗蝕劑涂敷單元(COT)10、11、12、和涂敷用來防止曝光時(shí)的光反射的紫外線硬化樹脂液以形成防反射膜的底部涂敷單元(BARC)13、14由下至上依次疊加5層。在第二處理單元組G2中，將例如對(duì)晶片W實(shí)施顯像處理的顯像處理單元(DEV)2024由下至上依次疊加5層。此外，在第一處理單元組Gl以及第二處理單元組G2的最下層，分別設(shè)置用來向各個(gè)處理單元組G1以及G2內(nèi)的前述液處理單元供給各種處理液的化學(xué)室(CHM)25、26。另一方面，如圖3所示，在第三處理單元組G3中，由下至上將調(diào)溫單元(TCP)30、用來交接晶片W的轉(zhuǎn)移裝置(TRS)31以及在高精度的溫度管理?xiàng)l件下加熱處理晶片W的熱處理單元(ULHP)3238依次疊加9層。在第四處理單元組G4中，將例如高精度調(diào)溫單元(CPL)40、對(duì)抗蝕劑涂敷處理后的晶片W進(jìn)行加熱處理的預(yù)烘焙?jiǎn)卧?PAB)4144以及對(duì)顯像處理后的晶片W進(jìn)行加熱處理的加熱處理后烘焙?jiǎn)?POST)4549由下至上依次疊加10層。在第五處理單元組G5中，將對(duì)晶片W進(jìn)行熱處理的多個(gè)熱處理單元例如高精度調(diào)溫單元(CPL)5053、對(duì)曝光后的晶片進(jìn)行加熱處理的曝光后烘焙?jiǎn)卧?PEB)5459由下至上依次疊加10層。另外，如圖1所示，在第一搬送機(jī)構(gòu)110的X方向的正向一側(cè)配置多個(gè)處理單元，例如如圖3所示，將用來對(duì)晶片W實(shí)施防水化處理的附著單元(AD)80、81、加熱晶片W的加熱單元(HP)82、83由下至上依次疊加4層。如圖1所示，在第二搬送機(jī)構(gòu)120的背面一側(cè)配置有例如僅對(duì)晶片W的邊緣部選擇地進(jìn)行曝光的周邊曝光單元(WEE)84。如圖2所示，在盒裝卸臺(tái)2、處理臺(tái)3以及接口部4的各個(gè)模塊的上部配備用來調(diào)節(jié)各個(gè)模塊內(nèi)空氣的空調(diào)單元90。利用該空調(diào)單元90，能夠?qū)⒑醒b卸臺(tái)2、處理臺(tái)3以及接口部4內(nèi)調(diào)整至規(guī)定的溫度和濕度。另外，如圖3所示，例如在處理臺(tái)3的上部分別設(shè)置作為用來向第三處理單元組G3、第四處理單元組G4以及第五處理單元組G5內(nèi)的各個(gè)裝置供給規(guī)定氣體的例如FFU(風(fēng)機(jī)過濾機(jī)單元)等氣體供給手段的氣體供給單元91。氣體供給單元91可在從被調(diào)整至規(guī)定溫度、濕度的氣體中除去雜質(zhì)后，按照規(guī)定的流量送出該氣體。如圖1所示，接口部4從處理臺(tái)3—側(cè)依次配備第一接口部100、第二接口部101。在第一接口部100中，在與第五處理單元組G5對(duì)應(yīng)的位置配置晶片搬送臂102。在晶片搬送臂102的X方向的兩側(cè)分別配置例如緩沖盒103(圖1的背面一側(cè))、104(圖1的正面一側(cè))。晶片搬送臂102能夠接近第五處理單元組G5內(nèi)的熱處理裝置與緩沖盒103、104。在第二接口部101中，設(shè)置有在朝著X方向設(shè)置的搬送路徑105上移動(dòng)的晶片搬送臂106。晶片搬送臂106能夠沿著Z方向移動(dòng)，并且能夠沿著e方向旋轉(zhuǎn)，從而能夠接近緩沖盒104和與第二接口部IOI相鄰的曝光裝置(未圖示)。因此，對(duì)于處理臺(tái)3內(nèi)的晶片W，可借助晶片搬送臂102、緩沖盒104以及晶片搬送臂106將其搬送至曝光裝置，對(duì)于曝光處理結(jié)束后的晶片W，可借助晶片搬送臂106、緩沖盒104以及晶片搬送臂102將其搬送至處理臺(tái)3內(nèi)。作為被應(yīng)用在抗蝕劑涂敷單元(COT)10、11、12中的本發(fā)明涉及的基板處理裝置的抗蝕劑涂敷處理裝置15配置在能夠密封內(nèi)部的處理容器150內(nèi)。在該處理容器150的一個(gè)側(cè)面上，在朝向作為晶片W的搬送手段的上述第一搬送機(jī)構(gòu)110的搬送區(qū)域的面上形成晶片W的搬入搬出口151，在搬入搬出口151處設(shè)置有能夠開閉的未圖示的開閉閘。下面，對(duì)本發(fā)明涉及的基板處理裝置的實(shí)施方式中的抗蝕劑涂敷處理裝置15進(jìn)行說明。(第一實(shí)施方式)圖4是表示抗蝕劑涂敷處理裝置15的第一實(shí)施方式中的抗蝕劑涂敷時(shí)的狀態(tài)的概略截面圖，圖5是表示供給抗蝕劑后的抗蝕劑膜形成狀態(tài)的概略截面圖?？刮g劑涂敷處理裝置15包括作為晶片W的保持單元在其上表面水平地真空吸附保持晶片W的旋轉(zhuǎn)卡盤16;通過軸部16a與旋轉(zhuǎn)卡盤16連結(jié)，并且由使晶片W在水平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)的例如伺服電動(dòng)機(jī)等構(gòu)成的旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)16b;向晶片W的表面供給抗蝕劑的處理液供給噴嘴17(以下稱作涂敷噴嘴17);向晶片W的表面供給清洗液例如純凈水的清洗噴嘴(未圖示)；向晶片W的背面供給清洗液例如純凈水的背面清洗噴嘴(未圖示)；向晶片W的外周邊緣的背面供給清洗液例如純凈水的邊緣背面清洗噴嘴(未圖示)；以及收納旋轉(zhuǎn)卡盤16并且在底部61與排氣裝置例如真空泵18相連的處理罩60。另外，旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)16b與控制抗蝕劑涂敷處理裝置15的各個(gè)構(gòu)成部分的控制器70電連接，根據(jù)來自控制器70的控制信號(hào)，控制旋轉(zhuǎn)卡盤16的轉(zhuǎn)速。另外，圖中省略，但在旋轉(zhuǎn)卡盤16的下方側(cè)設(shè)置有3根貫通旋轉(zhuǎn)卡盤16的例如作為基板支承銷的升降銷，通過該升降銷與未圖示的基板搬送單元的協(xié)作，晶片W被交給旋轉(zhuǎn)卡盤16。此外，以包圍旋轉(zhuǎn)卡盤16以及被旋轉(zhuǎn)卡盤16保持的晶片W的外方的方式，設(shè)置處理罩60。上述處理罩60包括具有包圍由旋轉(zhuǎn)卡盤16保持的晶片W的外方的外側(cè)壁部62a的外罩62;具有位于晶片W的外周部下方的內(nèi)側(cè)壁部63a的內(nèi)罩63;外周部64a固定在外罩62的外側(cè)壁部62a的內(nèi)周面上，同時(shí)內(nèi)周部64b位于與晶片W的外周邊之間保持間隙65的位置，并且具有連通外罩62的上部與內(nèi)罩63的外側(cè)的多個(gè)通氣孔66的中間罩64;為了阻擋通過中間罩64的通氣孔66的氣流而能夠開閉通氣孔66的開閉部件67;以及開閉移動(dòng)即升降移動(dòng)開閉部件67的作為開閉移動(dòng)機(jī)構(gòu)的升降氣缸68。在此情況下，外罩62包括具有構(gòu)成外側(cè)壁部62a的一部分的可動(dòng)外側(cè)壁部62b的上部罩體62c。外側(cè)壁部62a形成為圓筒狀，形成同樣圓筒狀的可動(dòng)外側(cè)壁部62b按照能夠滑動(dòng)的方式嵌裝在外側(cè)壁部62a的外周面。在上部罩體62c的可動(dòng)外側(cè)壁部62b的外表面的一處突出設(shè)置的支承部件69連結(jié)升降氣缸68的升降桿68a，通過驅(qū)動(dòng)升降氣缸68，上部罩62c相對(duì)于外罩62的外側(cè)壁部62a升降。另外，升降氣缸68與控制器70電連接，根據(jù)來自控制器70的控制信號(hào)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。開閉部件67由環(huán)形圓板狀部件形成，該環(huán)形圓板狀部的外周部被固定在上部罩體62c的可動(dòng)外側(cè)壁部62b的內(nèi)周面上，內(nèi)周部64b能夠抵接在中間罩64中的相比通氣孔66的內(nèi)周側(cè)面(參照?qǐng)D7)上。因此，伴隨著因驅(qū)動(dòng)升降氣缸68而進(jìn)行的上部罩體62c的升降，開閉部件67也升降，在下降狀態(tài)下，內(nèi)周部64b與中間罩64的上表面抵接，封閉中間罩64的通氣孔66，阻擋流經(jīng)通氣孔66的氣流。如圖8所示，在此情況下，對(duì)于開閉部件67，也可在其內(nèi)周部64b上安裝在能夠抵接中間罩64的上表面的可撓性密封部件例如在頂端一側(cè)具有可撓性舌片67a的硅橡膠制造的密封部件67b。這樣，通過采用在內(nèi)周部64b安裝具有可撓性舌片67a的硅橡膠制造的密封部件67b的開閉部件67，能夠防止通氣孔66封閉狀態(tài)時(shí)的氣流外漏。在開閉部件67上升的狀態(tài)下，內(nèi)周部64b離開中間罩64的上面，中間罩64的通氣孔66開放，借助通氣孔66進(jìn)行排氣。有關(guān)中間罩64，如圖4以及圖5所示，位于與晶片W的外周邊之間保持間隙65的位置的內(nèi)周部64b具有稍高出晶片表面的平坦表面64c，從內(nèi)周部64b朝著外周部64a具有斜坡面64d。如圖6A所示，在該中間罩64上設(shè)置的通氣孔66形成為按照相等間隔設(shè)置成同心圓狀的例如圓形。此外，通氣孔66的形狀未必是圓形，例如，如圖6B所示，也可以是按照相等間隔設(shè)置成同心圓狀的橢圓形狀的通氣孔66A。在從連結(jié)外罩62的外側(cè)壁部62a下端與內(nèi)罩63的內(nèi)側(cè)壁部63a下端的底部61中的中間部稍微靠近外周側(cè)的位置豎立設(shè)置圓筒狀的劃分壁部61a。從內(nèi)罩63的內(nèi)側(cè)壁部63a的上端朝著外罩62—側(cè)延伸的截面略呈山形的環(huán)形片63b、與從該環(huán)形片63b的周邊部垂下的下垂筒片63c保留有通氣通道71地位于該劃分壁部61a的上方。此外，在內(nèi)罩63的下部?jī)?nèi)方一側(cè)配設(shè)圓形板72，旋轉(zhuǎn)卡盤16的軸部16a以能夠旋轉(zhuǎn)的方式貫穿在設(shè)置在該圓形板72的中心部的貫通孔72a內(nèi)。在底部61的比劃分壁部61a更靠近內(nèi)方一側(cè)的位置，沿圓周方向按照適當(dāng)間隔設(shè)置多個(gè)排氣口73，排氣管74與排氣口73連接。在排氣管74中設(shè)置開閉閥75與作為排氣裝置的真空泵18。在處理罩60的底部61中的與排氣口73不同的位置設(shè)置導(dǎo)液口(未圖示)。開閉閥75以及真空泵18與控制器70電連接，根據(jù)來自控制器70的控制信號(hào)，控制開閉閥75的開閉以及真空泵18的ON、OFF。下面，參照各個(gè)工序內(nèi)容的匯總表l以及圖4、圖5，對(duì)第一實(shí)施方式中上述結(jié)構(gòu)的抗蝕劑涂敷處理裝置15的動(dòng)作方式進(jìn)行說明。首先，將涂敷噴嘴17移動(dòng)至晶片W的中心部上方，然后從與涂敷噴嘴17相鄰的沖淡劑噴嘴19向晶片W中心部供給沖淡劑(步驟1)。此時(shí)，因升降氣缸68的驅(qū)動(dòng)，升降桿68a收縮，上部罩體62c下降，開閉部件67的內(nèi)周部抵接中間罩64的上表面，從而封閉通氣孔66。在此狀態(tài)下，旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)16b開始驅(qū)動(dòng)，晶片W旋轉(zhuǎn)(例如1000rpm)，甩掉沖淡劑(步驟2)。接著，晶片W高速旋轉(zhuǎn)(例如3000rpm)，從涂敷噴嘴17向晶片W的中心部供給抗蝕劑液體，并使抗蝕劑液體向晶片W的外周擴(kuò)展(步驟3)。在步驟13中，由于利用開閉部件67封閉通氣孔66(參照表1)，因此，將因抗蝕劑液體的飛散所產(chǎn)生的液霧通過晶片W的外周邊緣與中間罩64的內(nèi)周部64b之間的狹小縫隙65排出。因此，即便是少量的排氣量，也能有效地回收液霧。如上所述，從涂敷噴嘴17供給規(guī)定時(shí)間(例如2.0秒)的抗蝕劑液體后，停止抗蝕劑液體的供給，旋轉(zhuǎn)晶片W(例如1500rpm),使晶片W上的抗蝕劑液體擴(kuò)展至晶片表面上從而形成抗蝕劑膜(步驟4)。此時(shí)，因開閉部件67開放通氣孔66(參照表l)，故通過晶片W的外周邊緣與中間罩64的內(nèi)周部64b之間的狹小縫隙65和通氣孔66進(jìn)行排氣。因此，晶片W的外周邊緣的氣流得到控制，從而能夠抑制抗蝕劑膜隆起的現(xiàn)象。形成抗蝕劑膜后，晶片W低速旋轉(zhuǎn)例如減速至1000rpm，在此狀態(tài)下，從背面清洗噴嘴以及邊緣背面清洗噴嘴向晶片W的背面以及周邊部背面供給清洗液(沖淡劑)，對(duì)晶片W的背面以及邊緣部分進(jìn)行清洗(步驟5、6)。在該步驟5、6中，如表1所示，由于通氣孔66開放，因此，通過晶片W的外周邊緣與中間罩64的內(nèi)周部64b之間的狹小縫隙65和通氣孔66進(jìn)行排氣。上述清洗處理結(jié)束后，晶片W進(jìn)行例如2000rpm的高速旋轉(zhuǎn)，甩掉殘留在晶片W上的抗蝕劑以及清洗液并進(jìn)行干燥(步驟7)。之后，停止晶片W的旋轉(zhuǎn)，結(jié)束抗蝕劑涂敷處理(步驟8)。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>(第二實(shí)施方式)圖9是表示第二實(shí)施方式中抗蝕劑涂敷處理裝置15涂敷抗蝕劑時(shí)的狀態(tài)的概略截面圖，圖io是表示供給抗蝕劑液后的抗蝕劑膜形成狀態(tài)的概略截面圖。第二實(shí)施方式是使用能夠開閉各個(gè)通氣孔66的上端開口部的多個(gè)鉛直狀配置的棒狀部件76、以及連結(jié)各個(gè)棒狀部件76的各個(gè)上端部彼此的環(huán)形圓板狀的連結(jié)部件77形成開閉部件67A的情況。在此情況下，棒狀部件76貫通設(shè)在外罩62上端的內(nèi)向凸緣部62d上的貫通孔62e，并且其下端封閉部具有能夠插入通氣孔66內(nèi)的狹小圓錐面76a。這樣，通過在棒狀部件76的下端封閉部設(shè)置狹小的圓錐面76a，即便因略微的尺寸誤差發(fā)生錯(cuò)位，也能可靠地通過各個(gè)棒狀部件76封閉通氣孔66。此外，在第二實(shí)施方式中，開閉移動(dòng)機(jī)構(gòu)使用具有與在開閉部件67A的連結(jié)部件77的一側(cè)突出設(shè)置的支承部件69A連結(jié)的升降桿68a的升降機(jī)構(gòu)例如升降氣缸68A構(gòu)成。升降氣缸68A與控制器70電連接，根據(jù)來自控制器70的控制信號(hào)，控制開閉部件67A的棒狀部件76開放封閉通氣孔66。在第二實(shí)施方式中，其它的部分與第一實(shí)施方式相同，因此，在相同的部分標(biāo)注相同的符號(hào)并省略其說明。下面，參照上述表1以及圖9、圖10，對(duì)第二實(shí)施方式的抗蝕劑涂敷處理裝置15的動(dòng)作方式進(jìn)行說明。首先，將涂敷噴嘴17移動(dòng)至晶片W的中心部上方，然后從與涂敷噴嘴17相鄰的沖淡劑噴嘴19向晶片W中心部供給沖淡劑(步驟l)。此時(shí)，因升降氣缸68A的驅(qū)動(dòng)，升降桿68a收縮，棒狀部件76下降，從而封閉通氣孔66。在此狀態(tài)下，旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)16b驅(qū)動(dòng)，晶片W旋轉(zhuǎn)(例如1000rpm)，甩掉沖淡劑(步驟2)。接著，晶片W高速旋轉(zhuǎn)(例如3000rpm)，從涂敷噴嘴17向晶片W的中心部供給抗蝕劑液體，并使抗蝕劑液體向晶片W的外周擴(kuò)展(步驟3)。在步驟13中，由于利用開閉部件67A(棒狀部件76)封閉通氣孔66(參照表1)，因此，將因抗蝕劑液體的飛散所產(chǎn)生的液霧通過晶片W的外周邊緣與中間罩64的內(nèi)周部64b之間的狹小縫隙65排出。因此，即便是少量的排氣量，也能有效地回收液霧。如上所述，從涂敷噴嘴17供給規(guī)定時(shí)間(例如2.0秒)的抗蝕劑液體后，停止抗蝕劑液體的供給，旋轉(zhuǎn)晶片W(例如1500rpm)，使晶片W上的抗蝕劑液體擴(kuò)展至晶片表面上從而形成抗蝕劑膜(步驟4)。此時(shí)，因開閉部件67A(棒狀部件76)開放通氣孔66(參照表l)，故通過晶片W的外周邊緣與中間罩64的內(nèi)周部64b之間的狹小縫隙65和通氣孔66進(jìn)行排氣。因此，晶片W的外周邊緣的氣流得到控制，從而能夠抑制抗蝕劑膜隆起的現(xiàn)象。形成抗蝕劑膜后，晶片W低速旋轉(zhuǎn)例如被減速至1000rpm，在此狀態(tài)下，從背面清洗噴嘴以及邊緣背面清洗噴嘴向晶片W的背面以及周邊部背面供給清洗液(沖淡劑)，對(duì)晶片W的背面以及邊緣部分進(jìn)行清洗(步驟5、6)。在該步驟5、6中，如表1所示，由于通氣孔66開放，因此，通過晶片W的外周邊緣與中間罩64的內(nèi)周部64b之間的狹小縫隙65和通氣孔66進(jìn)行排氣。上述清洗處理結(jié)束后，晶片W進(jìn)行例如2000rpm的高速旋轉(zhuǎn)，甩掉殘留在晶片W上的抗蝕劑以及清洗液并進(jìn)行干燥(步驟7)。之后，停止晶片W的旋轉(zhuǎn)，結(jié)束抗蝕劑涂敷處理(步驟8)。(第三實(shí)施方式)圖13是表示第二實(shí)施方式中抗蝕劑涂敷處理裝置15涂敷抗蝕劑時(shí)的狀態(tài)的概略截面圖，圖14是表示供給抗蝕劑液后的抗蝕劑膜形成狀態(tài)的概略截面圖。第三實(shí)施方式是通過開閉與通氣孔66連通的環(huán)狀進(jìn)氣口78的部件例如環(huán)狀部件79構(gòu)成開閉部件的情況。在此情況下，外罩62包括連通在中間罩64中設(shè)置的通氣孔66與外罩62的外側(cè)，并且在與外側(cè)壁部62a之間設(shè)置環(huán)狀進(jìn)氣口78的外裝罩體62d。開閉由該外裝罩體62d與外側(cè)壁部62a形成的環(huán)狀進(jìn)氣口78的環(huán)狀部件79在具有與在一側(cè)突出設(shè)置的支承部件69B連結(jié)的升降桿68a的升降機(jī)構(gòu)例如升降氣缸68B中形成。升降氣缸68B與控制器70電連接，根據(jù)來自控制器70的控制信號(hào)，控制環(huán)狀部件79對(duì)環(huán)狀進(jìn)氣口78的開放封閉，即借助通氣孔66控制向外排出或者阻斷氣體。在第三實(shí)施方式中，其它的部分與第一實(shí)施方式相同，因此，在相同的部分標(biāo)注相同的符號(hào)并省略其說明。下面，參照上述表1以及圖13、圖14，對(duì)第三實(shí)施方式的抗蝕劑涂敷處理裝置15的動(dòng)作方式進(jìn)行說明。首先，將涂敷噴嘴17移動(dòng)至晶片W的中心部上方，然后從與涂敷噴嘴17相鄰的沖淡劑噴嘴19向晶片W中心部供給沖淡劑(步驟l)。此時(shí)，因升降氣缸68B的驅(qū)動(dòng)，升降桿68a伸長(zhǎng)，環(huán)狀部件79上升，封閉環(huán)狀進(jìn)氣口78，并阻斷經(jīng)過通氣孔66的氣流。在此狀態(tài)下，旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)16b開始驅(qū)動(dòng)，晶片W旋轉(zhuǎn)(例如1000rpm)，甩掉沖淡劑(步驟2)。接著，晶片W高速旋轉(zhuǎn)(例如3000rpm)，從涂敷噴嘴17向晶片W的中心部供給抗蝕劑液體，并使抗蝕劑液體向晶片W的外周擴(kuò)展(步驟3)。在步驟13中，環(huán)狀部件79封閉環(huán)狀進(jìn)氣口78，經(jīng)過通氣孔66的氣流被阻斷(參照表1)，因此，將因抗蝕劑液體的飛散而產(chǎn)生的液霧通過晶片W的外周邊緣與中間罩64的內(nèi)周部64b之間的狹小縫隙65排出。因此，即便是少量的排氣量，也能有效地回收液霧。如上所述，從涂敷噴嘴17供給規(guī)定時(shí)間(例如2.0秒)的抗蝕劑液體后，停止抗蝕劑液體的供給，旋轉(zhuǎn)晶片W(例如1500rpm)，使晶片W上的抗蝕劑液體擴(kuò)展至晶片表面上從而形成抗蝕劑膜(步驟4)。此時(shí)，因環(huán)狀部件79開放環(huán)狀進(jìn)氣口78，從外部吸進(jìn)的氣體流經(jīng)通氣孔66(參照表1)，故通過晶片W的外周邊緣與中間罩64的內(nèi)周部64b之間的狹小縫隙65和通氣孔66進(jìn)行排氣。因此，晶片W的外周邊緣的氣流得到控制，從而能夠抑制抗蝕劑膜隆起的現(xiàn)象。形成抗蝕劑膜后，晶片W被減速至例如1000rpm的低速旋轉(zhuǎn)，在此狀態(tài)下，從背面清洗噴嘴以及邊緣背面清洗噴嘴向晶片W的背面以及周邊部背面供給清洗液(沖淡劑)，對(duì)晶片W的背面以及邊緣部分進(jìn)行清洗(步驟5、6)。在該步驟5、6中，如表1所示，由于通氣孔66開放，因此，通過晶片W的外周邊緣與中間罩64的內(nèi)周部64b之間的狹小縫隙65和通氣孔66進(jìn)行排氣。上述清洗處理結(jié)束后，晶片W進(jìn)行例如2000rpm的高速旋轉(zhuǎn)，甩掉殘留在晶片W上的抗蝕劑以及清洗液并進(jìn)行干燥(步驟7)。之后，停止晶片W的旋轉(zhuǎn)，結(jié)束抗蝕劑涂敷處理(步驟8)。(實(shí)驗(yàn)例)為了比較采用上述方式構(gòu)成的抗蝕劑涂敷處理裝置(實(shí)施例)、以及不開閉控制通氣孔66的傳統(tǒng)式抗蝕劑涂敷處理裝置(比較例)，在與上述相同的條件下進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，并調(diào)查排氣壓力與回收液霧數(shù)兩者的關(guān)系，得到圖15所示的結(jié)果。其結(jié)果，可以確認(rèn)，利用本發(fā)明涉及的抗蝕劑涂敷處理裝置，通過有效地進(jìn)行抗蝕劑液體供給時(shí)的排氣，即使在較低的排氣壓力下也能回收液霧。(抗蝕劑涂敷顯像處理系統(tǒng)的處理工序)下面，對(duì)在采用上述方式構(gòu)成的抗蝕劑涂敷顯像處理系統(tǒng)1中進(jìn)行的晶片W的處理工序進(jìn)行簡(jiǎn)單地說明。首先，將容納多個(gè)枚未處理晶片W的盒C載放在載放臺(tái)6上，從盒C中取出1枚晶片W，利用晶片搬送臂7將其搬送至第三處理單元組G3的調(diào)溫單元(TCP)30。被搬送至調(diào)溫單元(TCP)30的晶片W被調(diào)溫至規(guī)定溫度，然后，利用第一搬送機(jī)構(gòu)110將其搬送至底部涂敷單元(BARC)13，在晶片表面形成防反射膜。形成防反射膜的晶片W被第一搬送機(jī)構(gòu)110從底部涂敷單元(BARC)13中搬出，并被搬送至熱處理裝置3238中的任意一個(gè)，實(shí)施熱處理。實(shí)施了熱處理的晶片W被進(jìn)入熱處理裝置3238的框體60內(nèi)的第一搬送機(jī)構(gòu)110從熱處理裝置3238中取出后，被搬送至抗蝕劑涂敷單元1012中的任意一個(gè)抗蝕劑涂敷處理裝置15中，如上所述，進(jìn)行封閉通氣孔66狀態(tài)下的抗蝕劑供給工序(步驟3)、開放通氣孔66狀態(tài)下的抗蝕劑膜形成工序(步驟4)、清洗工序(步驟5、6)以及干燥工序(步驟7)等。由此，在晶片表面形成抗蝕劑膜。被實(shí)施了抗蝕劑處理的晶片W被搬送至預(yù)烘焙?jiǎn)卧?PAB)41中，進(jìn)行加熱處理。在預(yù)烘焙?jiǎn)卧?PAB)41中結(jié)束了加熱處理的晶片W被第二搬送機(jī)構(gòu)120搬送周邊曝光單元84中，在被曝光處理后，被搬送至高精度調(diào)溫單元(CPL)53中。然后，晶片W被第一接口部IOO的晶片搬送體102搬送至緩沖盒104中，接著，被第二接口部101的晶片搬送臂106搬送至未圖示的曝光裝置中。結(jié)束了曝光處理的晶片W被晶片搬送臂106以及晶片搬送臂102借助緩沖盒104搬送至緩沖盒103中。之后，晶片W被晶片搬送臂102搬送至例如后曝光烘焙?jiǎn)卧?PEB)54中。在后曝光烘焙?jiǎn)卧?PEB)54中的加熱處理結(jié)束后的晶片W被第二搬送機(jī)構(gòu)120依次搬送至高精度調(diào)溫單元(CPL)51、顯像處理單元(DEV)20、后烘焙?jiǎn)卧?PEB)45中，然后，在各個(gè)單元中實(shí)施規(guī)定的處理。結(jié)束了后烘焙處理的晶片W被第一搬送機(jī)構(gòu)IIO搬送至轉(zhuǎn)移裝置31中，然后，被晶片晶片搬送臂7送回盒C中。這樣，抗蝕劑涂敷'顯像處理系統(tǒng)1中的一系列晶片處理結(jié)束。在抗蝕劑涂敷*顯像處理系統(tǒng)1中，在相同的期間對(duì)多個(gè)枚晶片W連續(xù)實(shí)施上述的晶片處理。(其它實(shí)施方式)在上述實(shí)施方式中，對(duì)在半導(dǎo)體晶片的抗蝕劑涂敷顯像處理系統(tǒng)中應(yīng)用本發(fā)明涉及的基板處理裝置的情況進(jìn)行了說明，但是，也可應(yīng)用于例如FPD(平板顯示器)基板、掩膜基板等半導(dǎo)體晶片以外的被處理基板中。權(quán)利要求1.一種基板處理裝置，向旋轉(zhuǎn)的被處理基板的表面供給處理液，使處理液擴(kuò)展而形成處理膜，其特征在于，包括以水平姿勢(shì)保持被處理基板的保持單元；使被處理基板在水平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)；向被處理基板的表面供給處理液的處理液供給噴嘴；以及收納所述保持單元并且在底部與排氣裝置連接的處理罩，所述處理罩具有外罩，其具有包圍由所述保持單元保持的所述被處理基板的外側(cè)的外側(cè)壁部；內(nèi)罩，其具有位于被處理基板的外周部下方的內(nèi)側(cè)壁部；中間罩，其外周部固定在所述外罩的外側(cè)壁部的內(nèi)周面，且內(nèi)周部位于與被處理基板的外周邊緣保持有間隙的位置，并且具有連通所述外罩的上部與所述內(nèi)罩的外側(cè)的多個(gè)通氣孔；開閉部件，其開閉所述中間罩的通氣孔；以及開閉移動(dòng)機(jī)構(gòu)，其開閉移動(dòng)所述開閉部件，在對(duì)被處理基板供給處理液時(shí)，利用所述開閉部件封閉所述通氣孔，阻斷氣流通過所述通氣孔，在處理液供給后的處理膜形成時(shí)，打開所述通氣孔，容許氣流通過所述通氣孔。2.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于所述通氣孔以等間隔設(shè)置成同心圓形狀。3.如權(quán)利要求1或者2所述的基板處理裝置，其特征在于所述外罩包括上部罩體，該上部罩體具有構(gòu)成所述外側(cè)壁部的一部分的可動(dòng)外側(cè)壁部，所述開閉部件具有環(huán)形圓板狀部件，該環(huán)形圓板狀部件的外周部固定在所述上部罩體的可動(dòng)外側(cè)壁部的內(nèi)周面，內(nèi)周部能夠抵接在上述中間罩上的相比通氣孔的內(nèi)周側(cè)面上，所述開閉移動(dòng)機(jī)構(gòu)具有升降移動(dòng)所述上部罩體的升降機(jī)構(gòu)。4.如權(quán)利要求3所述的基板處理裝置，其特征在于所述開閉部件具有可撓性密封部件，該可撓性密封部件安裝在其內(nèi)周部上，并且能夠抵接在所述中間罩的上表面上。5.如權(quán)利要求1或者2所述的基板處理裝置，其特征在于所述開閉部件具有能夠開閉各個(gè)通氣孔的上端開口部的多個(gè)棒狀部件和連結(jié)各個(gè)棒狀部件的連結(jié)部件，所述開閉移動(dòng)機(jī)構(gòu)具有升降所述連結(jié)部件的升降機(jī)構(gòu)。6.如權(quán)利要求5所述的基板處理裝置，其特征在于-所述棒狀部件的下端封閉部具有能夠插入上述通氣孔內(nèi)的狹小圓錐面。7.如權(quán)利要求1或者2所述的基板處理裝置，其特征在于所述外罩具有外裝罩體，該外裝罩體連通所述通氣孔與所述外罩的外方側(cè)，并在其與外側(cè)壁部之間設(shè)置環(huán)狀進(jìn)氣口，所述開閉部件具有能夠開閉所述環(huán)狀進(jìn)氣口的環(huán)狀部件，所述開閉移動(dòng)機(jī)構(gòu)具有升降移動(dòng)所述環(huán)狀部件的升降機(jī)構(gòu)。8.如權(quán)利要求1或者2所述的基板處理裝置，其特征在于所述多個(gè)通氣孔形成相同的圓形。9.如權(quán)利要求1或者2所述的基板處理裝置，其特征在于所述多個(gè)通氣孔形成相同的橢圓形。全文摘要本發(fā)明提供一種從涂敷噴嘴(17)向被旋轉(zhuǎn)卡盤(16)旋轉(zhuǎn)的晶片(W)表面供給抗蝕劑液并使其擴(kuò)展而形成抗蝕劑膜的基板處理裝置，其包括具有包圍由旋轉(zhuǎn)卡盤保持的晶片外側(cè)的外側(cè)壁部(62a)的外罩(62)、位于晶片外周部下方的內(nèi)罩(63)、被固定在外罩的外側(cè)壁部的內(nèi)周面上，同時(shí)，位于與晶片的外周邊緣之間保持間隙(65)的位置，并且連通外罩上部與內(nèi)罩外側(cè)的多個(gè)通氣孔(66)的中間罩(64)、開閉中間罩的通氣孔的開閉部件(67)、以及開閉移動(dòng)開閉部件的升降氣缸(68)。當(dāng)供給抗蝕劑時(shí)，利用開閉部件封閉通氣孔，阻斷氣流經(jīng)過通氣孔，當(dāng)形成抗蝕劑膜時(shí)，開放通氣孔，容許氣流經(jīng)過通氣孔。文檔編號(hào)H01L21/00GK101615566SQ20091012704公開日2009年12月30日申請(qǐng)日期2009年3月13日優(yōu)先權(quán)日2008年6月25日發(fā)明者吉原孝介,高柳康治申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社