專利名稱：基板處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種基板處理裝置，所述基板處理裝置用于處理例如半導(dǎo)體晶片、液晶顯示裝置用基板、等離子顯示器用玻璃基板、FED (FieldEmission Display:場發(fā)射顯示器)用基板、光盤用基板、磁盤用基板、光磁盤用基板、 光掩模用基板等的基板。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體裝置或者液晶顯示裝置的制造工序中，為了利用處理液對半導(dǎo) 體晶片或者液晶顯示板用玻璃基板等基板實施處理，往往使用一張一張地處 理基板的單張式的基板處理裝置。在這種基板處理裝置中，為了降低處理液 的消耗量，存在這樣的機(jī)構(gòu)回收基板處理使用后的處理液，將該回收的處 理液再利用于以后的處理中。能夠單獨(dú)回收多種處理液的結(jié)構(gòu)的基板處理裝置例如在US2008078428 中被公開。該基板處理裝置具有旋轉(zhuǎn)卡盤， 一邊將基板保持為大致水平， 一邊使該基板旋轉(zhuǎn)；處理杯部，用于容置該旋轉(zhuǎn)卡盤。處理杯部具有能夠分 別獨(dú)立地升降的三個結(jié)構(gòu)構(gòu)件(第一 第三結(jié)構(gòu)構(gòu)件)。第一結(jié)構(gòu)構(gòu)件一體地具有底部，包圍旋轉(zhuǎn)卡盤的周圍，且俯視呈圓環(huán)狀；第一引導(dǎo)部，從該底部立起。第一引導(dǎo)部朝向中心側(cè)(靠近基板的旋轉(zhuǎn) 軸線的方向)向斜上方延伸。在底部，在第一引導(dǎo)部內(nèi)側(cè)形成有廢液槽，該 廢液槽用于廢棄基板處理使用后的處理液等；而且在底部第一引導(dǎo)部的外側(cè) 形成有同心雙層環(huán)狀的內(nèi)側(cè)回收槽及外側(cè)回收槽，所述內(nèi)側(cè)回收槽及外側(cè)回 收槽包圍該廢液槽，用于回收基板處理使用后的處理液。在廢液槽上連接有 用于向廢液處理設(shè)備引導(dǎo)處理液的廢液管，各回收槽連接有用于向回收處理 設(shè)備引導(dǎo)處理液的回收管。第二結(jié)構(gòu)構(gòu)件一體地具有第二引導(dǎo)部，位于第一引導(dǎo)部的外側(cè)；圓筒 狀的處理液分離壁，連接在第二引導(dǎo)部上，并位于該第二引導(dǎo)部的外側(cè)。第 二引導(dǎo)部具有圓筒狀的下端部，位于內(nèi)側(cè)回收槽上；上端部，從該下端部的上端朝向中心側(cè)(靠近基板的旋轉(zhuǎn)軸線的方向)向斜上方延伸。第二引導(dǎo) 部設(shè)置為與第一結(jié)構(gòu)構(gòu)件的第一引導(dǎo)部在上下方向上重疊，在第一結(jié)構(gòu)構(gòu)件 和第二結(jié)構(gòu)構(gòu)件最接近的狀態(tài)下，與第一引導(dǎo)部保持極微小間隙，接近第一 引導(dǎo)部。處理液分離壁連接在上端部的外周邊部上，呈圓筒狀。并且，處理 液分離壁位于外側(cè)回收槽上，在第一結(jié)構(gòu)構(gòu)件和第二結(jié)構(gòu)構(gòu)件最接近的狀態(tài) 下，容置在外側(cè)回收槽中，使得與外側(cè)回收槽(外側(cè)的回收槽)的內(nèi)壁及底 部和外結(jié)構(gòu)構(gòu)件的內(nèi)壁之間保持間隙并接近。第三結(jié)構(gòu)構(gòu)件具有位于第二引導(dǎo)部外側(cè)的第三引導(dǎo)部。第三引導(dǎo)部具有 下端部，位于外側(cè)回收槽上；上端部，從該下端部的上端朝向中心側(cè)(靠近基板的旋轉(zhuǎn)軸線的方向)向斜上方延伸。第三引導(dǎo)部設(shè)置為與第二結(jié)構(gòu)構(gòu)件 的第二引導(dǎo)部在上下方向上重疊，在第二結(jié)構(gòu)構(gòu)件和第三結(jié)構(gòu)構(gòu)件最接近的 狀態(tài)下，與第二引導(dǎo)部保持極微小間隙，接近第二引導(dǎo)部。在第一結(jié)構(gòu)構(gòu)件上結(jié)合有包括例如滾珠螺桿機(jī)構(gòu)等的第一升降驅(qū)動機(jī) 構(gòu)，在第二結(jié)構(gòu)構(gòu)件上結(jié)合有包括例如滾珠螺桿等的第二升降驅(qū)動機(jī)構(gòu)，在 第三結(jié)構(gòu)構(gòu)件上結(jié)合有包括例如滾珠螺桿等的第三升降驅(qū)動機(jī)構(gòu)。通過第 一 第三升降驅(qū)動機(jī)構(gòu)能夠使三個結(jié)構(gòu)構(gòu)件單獨(dú)地升降。在這種結(jié)構(gòu)的基板處理裝置中，能夠使第一 第三引導(dǎo)部的各上端部位 于基板的上方，成為通過第一引導(dǎo)部接收處理液的狀態(tài)。另外，通過使第一 引導(dǎo)部的上端位于基板的下方，并且使第二及第三引導(dǎo)部的各上端部位于基 板的上方，成為通過第二引導(dǎo)部接收處理液的狀態(tài)(第一回收狀態(tài))。在該 第一回收狀態(tài)下，在第一引導(dǎo)部的上端部和第二引導(dǎo)部的上端部之間形成與 基板的周邊部相向的第一回收口。從第一回收口進(jìn)入的處理液通過第二引導(dǎo) 構(gòu)件的引導(dǎo)，回收到內(nèi)側(cè)回收槽中。更進(jìn)一步，使第一及第二引導(dǎo)部的各上端部位于基板的下方，并且使第 三引導(dǎo)部的上端部位于基板的上方，成為通過該第三引導(dǎo)部接受來自基板的 處理液的狀態(tài)(第二回收狀態(tài))。在該第二回收狀態(tài)下，在第二引導(dǎo)部的上 端部和第三引導(dǎo)部的上端部之間形成與基板的周邊部相向的第二回收口。從 第二回收口進(jìn)入的處理液通過第三引導(dǎo)部的引導(dǎo)，回收到外側(cè)回收槽中。一邊通過旋轉(zhuǎn)卡盤使基板旋轉(zhuǎn)， 一邊向基板的表面供給第一藥液，由此 能夠?qū)宓谋砻鎸嵤├玫谝凰幰哼M(jìn)行的處理。供給到基板表面的第一藥液受到基板的旋轉(zhuǎn)所產(chǎn)生的離心力，從基板的周邊部向側(cè)方飛散。此時，如 果預(yù)先使第一回收口與基板的周邊部相向，則能夠回收從基板的周邊部飛散 的第一藥液。另外，與此相同，在向基板的表面供給第二藥液時，如果預(yù)先 使第二回收口與基板的周邊部相向，則能夠回收從基板飛散的第二藥液。這 樣，能夠分離第一及第二藥液，將其回收。另外， 一邊通過旋轉(zhuǎn)卡盤使基板旋轉(zhuǎn)， 一邊向基板表面供給沖洗液(處 理液)，由此能夠進(jìn)行利用沖洗液沖洗基板表面的沖洗處理。此時，如果預(yù) 先使第一引導(dǎo)部與基板的周邊部相向，則能夠?qū)_洗了基板表面的沖洗液收 集到廢液槽中，并能夠通過廢液管從廢液槽將其廢棄。由此，能夠防止向回 收的第一及第二藥液中混入使用過的沖洗液。另一方面，由于基板及旋轉(zhuǎn)卡盤的旋轉(zhuǎn)，有使旋轉(zhuǎn)卡盤周邊的氣流變亂， 第一及第二藥液霧飛揚(yáng)的擔(dān)心。若該第一及第二藥液霧漏出到處理杯部外， 則處理室的內(nèi)壁或者處理室內(nèi)的構(gòu)件被藥液霧污染。若藥液霧在處理室內(nèi)千 燥，則變?yōu)轭w粒漂浮在氣體中，有污染之后處理的基板的擔(dān)心。因此，在US2008078428中采用如下結(jié)構(gòu)，即，在廢液槽的底面形成排氣口 ，從該排氣 口排氣，從而在基板的周圍形成朝向廢液槽底面的下降氣流，防止藥液霧的 飛揚(yáng)。在該結(jié)構(gòu)中，在進(jìn)行第一引導(dǎo)部與基板的周邊部相向的沖洗處理時，從 基板飛散的沖洗液(特別是沖洗液霧)附著在處理杯部內(nèi)的下降氣流中，導(dǎo) 入到廢液槽中。但是，排氣口僅形成在廢液槽的底面，因此在對基板實施使用藥液(第 一或者第二藥液)的處理時，藥液霧的排出必須主要依靠朝向廢液槽底面的 下降氣流，不能從基板周邊高效地排除藥液霧。艮P，在實施利用藥液進(jìn)行的處理時，第一或者第二回收口與基板的周邊 部相向。因此，從基板飛散的藥液所朝向的方向和朝向廢液槽的下降氣流的 方向相交，從旋轉(zhuǎn)卡盤飛散的藥液霧不能充分地附著在下降氣流中，被導(dǎo)入 到第一或者第二回收口的內(nèi)側(cè)且在其中滯留。因此，藥液霧殘留在基板的周 邊，有可能對基板處理產(chǎn)生不好的影響。另外，含有藥液霧的氣體飛揚(yáng)，也 有可能從處理杯部漏出。發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明的目的在于提供能夠?qū)⑻幚硪红F從基板的周邊高效地排除 的基板處理裝置。本發(fā)明的基板處理裝置包括基板保持單元，其用于將基板保持為水平;基板旋轉(zhuǎn)單元，其使所述基板保持單元所保持的基板圍繞鉛直的旋轉(zhuǎn)軸線進(jìn)行旋轉(zhuǎn)；處理液供給單元，其用于對由所述基板旋轉(zhuǎn)單元旋轉(zhuǎn)的基板供給處 理液；有底筒狀的排氣桶，其具有排氣口，并在內(nèi)部容置所述基板保持單元; 多個防護(hù)裝置，其容置在所述排氣桶內(nèi)，互相能夠獨(dú)立地進(jìn)行升降；排氣路 徑形成單元，其通過使所述防護(hù)裝置升降，與所述基板保持單元所保持的基 板的周邊部相向地形成用于捕獲從基板飛散的處理液的捕獲口 ，并且形成從 所述捕獲口至所述排氣口的排氣路徑；排氣管，其連接在所述排氣口上，用 于將所述排氣桶內(nèi)的氣體經(jīng)所述排氣口排出。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，在排氣桶內(nèi)形成從捕獲口至排氣口的排氣路徑。對于基板 旋轉(zhuǎn)單元旋轉(zhuǎn)的基板而言，從處理液供給單元供給到基板上的處理液從基板 的周邊部向側(cè)方飛散，被與基板的周邊部相向的捕獲口捕獲。另外，由于向 基板供給來自處理液供給單元的處理液，所以會在基板周邊產(chǎn)生處理液霧。 含有該處理液霧的氣體(處理液氣體)在排氣管內(nèi)排氣時，從捕獲口通過排 氣路徑移動到排氣口，通過排氣管排出。因而，由于在排氣桶內(nèi)形成排氣路徑，因此能夠抑制或者防止排氣桶內(nèi) 的處理液氣體漏出到排氣桶外。另外，處理液氣體經(jīng)由與基板周邊部相向的捕獲口被排出。因此，能夠 高效地從基板周邊排除處理液霧。進(jìn)一步，優(yōu)選所述排氣路徑形成單元形成的所述排氣路徑的壓力損失小 于其他路徑的壓力損失，所述其他路徑是從所述基板保持單元所保持的基板 的周邊部不經(jīng)由所述排氣路徑至所述排氣口的路徑。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，排氣路徑的壓力損失小于不經(jīng)由該排氣路徑至排氣口的其 他路徑的壓力損失。因此，當(dāng)排氣管內(nèi)排氣時，在排氣桶內(nèi)主要產(chǎn)生在排氣 路徑中流通的氣流。由此，能夠以比較簡單的結(jié)構(gòu)，排出通過捕獲口的處理 液氣體。另外，也能夠通過將其他路徑的壓力損失設(shè)定得極大，使基板周邊的處理液氣體完全不進(jìn)入其他路徑。此時，在該其他的路徑為流通有不同種類的 處理液(或者處理液氣體)的情況下，通過防止處理液氣體進(jìn)入到上述其他 路徑中，從而能夠防止不同的處理液彼此的混合接觸。進(jìn)一步，優(yōu)選該基板處理裝置還與所述各防護(hù)裝置對應(yīng)地具有杯部，所 述杯部用于使所述各防護(hù)裝置所擋住的處理液積存，所述各防護(hù)裝置包括向 所述杯部引導(dǎo)處理液的引導(dǎo)部，所述排氣路徑包括折回路徑，所述折回路徑 形成于所述杯部與所述引導(dǎo)部之間的間隙中。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，在防護(hù)裝置和杯部之間的間隙中形成的排氣路徑具有折回 路徑。因此，在排氣路徑中流通的氣體含有的處理液霧，在該折回路徑中流 通的過程中附著在防護(hù)裝置壁面或者杯部壁面上而被捕獲。也就是說，能夠 使處理液氣體在排氣路徑中流通的過程中氣液分離。由此，不必另外單獨(dú)設(shè) 置氣液分離器，因此能夠使成本降低。另外，優(yōu)選該基板處理裝置還包括用于容置所述排氣桶的處理室，在所 述排氣桶的側(cè)壁上形成有取入口 ，所述取入口用于將所述處理室內(nèi)的所述排 氣桶外的氣體取入到所述排氣桶內(nèi)。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，處理室內(nèi)的氣體通過形成在處理室側(cè)壁上的取入口被取入 到排氣桶內(nèi)，通過排氣管排出。因此，能夠省略處理室內(nèi)排氣專用的設(shè)備， 能夠使成本降低。該取入口也可以在排氣桶的側(cè)壁上隔開間隔形成多個。參照附圖通過如下實施方式的說明能夠明確本發(fā)明上述的或者進(jìn)一步其 他目的、特征及效果。


圖1是表示本發(fā)明一實施方式的基板處理裝置的結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖2是從圖1所示的剖切線A—A觀察的剖視圖。 圖3是表示圖1所示的基板處理裝置的電氣結(jié)構(gòu)的框圖。 圖4是用于說明利用圖1所示的基板處理裝置進(jìn)行的處理的一個例子的 流程圖。圖5A是氫氟酸處理中的基板處理裝置的示意性的局部剖視圖。圖5B是SC1處理中及中間沖洗處理中的基板處理裝置的示意性的局部剖視圖。圖5C是SPM處理中的基板處理裝置的示意性的局部剖視圖。 圖5D是最終沖洗處理中的基板處理裝置的示意性的局部剖視圖。
具體實施方式
圖1是表示本發(fā)明一實施方式的基板處理裝置的結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖2是 從圖1所示的剖切線A—A觀察的剖視圖。基板處理裝置是單張式的裝置，該裝置用于如下處理，即在向例如作為 基板一個例子的半導(dǎo)體晶片(以下，僅稱"晶片")W的表面注入不純物的 離子注入處理或者干蝕刻處理后，從其晶片W的表面除去不需要的抗蝕層 (resist)?；逄幚硌b置具有處理室3，該處理室3被間隔壁包圍，內(nèi)部為 密閉空間。在處理室3中具有旋轉(zhuǎn)卡盤(基板保持單元)4，將晶片W保 持為大致水平，并使該晶片W圍繞大致鉛直的旋轉(zhuǎn)軸線C (參照圖2)旋轉(zhuǎn)； 處理杯部5，用于容置該旋轉(zhuǎn)卡盤4;作為處理液供給單元的處理液噴嘴6(圖 2參照)，用于向保持在旋轉(zhuǎn)卡盤4上的晶片W的表面(上表面)選擇性地 供給多種處理液。在本實施方式中是如下的結(jié)構(gòu)，即，從處理液噴嘴6向晶 片W選擇性地供給藥液(氫氟酸(HF)、SPM(sulfuric acid / hydrogen peroxide mixture:硫酸雙氧水混合液)、SCI (ammonia-hydrogen peroxide mixture: 氨水雙氧水混合液))及作為沖洗液的DIW (去離子水)。在處理室3的頂面設(shè)置有未圖示的風(fēng)機(jī)過濾單元(FFU: fan filter unit)， 該風(fēng)機(jī)過濾單元用于向處理室3內(nèi)供給純凈空氣的下行氣流(downflow)。 該風(fēng)機(jī)過濾單元為如下結(jié)構(gòu)，即，上下層疊風(fēng)機(jī)及過濾器，利用過濾器凈化 風(fēng)機(jī)送出的風(fēng)，并將其供給到處理室3內(nèi)。旋轉(zhuǎn)卡盤4具有圓盤狀的旋轉(zhuǎn)基座7，固定在大致鉛直地配置的旋轉(zhuǎn) 軸(未圖示)的上端；馬達(dá)(基板旋轉(zhuǎn)單元)8，配置在旋轉(zhuǎn)基座7的下方， 用于驅(qū)動旋轉(zhuǎn)軸；筒狀的罩構(gòu)件IO，包圍馬達(dá)8的周圍。在旋轉(zhuǎn)基座7的上 表面上，在其周邊部以大致相等角度間隔配置有多個(例如六個)夾持構(gòu)件 9。此外，在圖2中未示出旋轉(zhuǎn)卡盤4的剖面形狀，而示出其側(cè)面形狀。罩構(gòu) 件10的下端固定在處理室3的底壁3a上，上端到達(dá)旋轉(zhuǎn)基座7的附近。處理液噴嘴6安裝在噴嘴臂11的前端部，該噴嘴臂11在旋轉(zhuǎn)卡盤4的上方且大致水平地延伸。該噴嘴臂11支撐在臂支撐軸12上，該臂支撐軸12 在處理杯部5的側(cè)方大致鉛直地延伸。在臂支撐軸12上結(jié)合有包含馬達(dá)(未 圖示)的噴嘴驅(qū)動機(jī)構(gòu)13。從噴嘴驅(qū)動機(jī)構(gòu)13向臂支撐軸12輸入旋轉(zhuǎn)力， 使臂支撐軸12轉(zhuǎn)動，從而能夠使噴嘴臂11在旋轉(zhuǎn)卡盤4的上方擺動。處理 液噴嘴6在不供給處理液時，退避到處理杯部5側(cè)方的退避位置，在供給處 理液時，移動到與晶片W的上表面相向的位置。在處理液噴嘴6上連接有氫氟酸供給管14，用于供給來自氫氟酸供給 源的氫氟酸；SPM供給管15，用于從SPM供給源供給SPM; SC1供給管16， 用于從SC1供給源供給SC1; DIW供給管17，用于從DIW供給源供給常溫 (例如25'C)的DIW。在氫氟酸供給管14的中途部安裝有用于開閉氫氟酸 供給管14的氫氟酸閥18，在SPM供給管15的中途部安裝有用于開閉SPM 供給管15的SPM閥19，在SC1供給管16的中途部安裝有用于開閉SC1供 給管16的SC1閥20，在DIW供給管17的中途部安裝有用于開閉DIW供給 管17的DIW閥21。在關(guān)閉SPM閥19、SC1閥20及DIW閥21的狀態(tài)下，打開氫氟酸閥18， 從而來自氫氟酸供給管14的氫氟酸被供給到處理液噴嘴6，從處理液噴嘴6 向下方噴出氫氟酸。在關(guān)閉氫氟酸閥18、SC1閥20及DIW閥21的狀態(tài)下，打開SPM閥19， 從而來自SPM供給管15的SPM被供給到處理液噴嘴6，從處理液噴嘴6向 下方噴出SPM。在關(guān)閉氫氟酸閥18、SPM閥19及DIW閥21的狀態(tài)下，打開SC1閥20， 從而來自SC1供給管16的SC1被供給到處理液噴嘴6，從處理液噴嘴6向 下方噴出SC1。在關(guān)閉氫氟酸閥18、SPM閥19及SC1閥20的狀態(tài)下，打開DIW閥21， 從而來自DIW供給管17的DIW被供給到處理液噴嘴6，從處理液噴嘴6向 下方噴出DIW。此外，在圖2中，作為處理液噴嘴6能夠采用所謂的掃描噴嘴的形式， 該掃描噴嘴通過擺動噴嘴臂11，掃描晶片W的表面上的處理液的供給位置， 但處理液噴嘴6也可以采用如下結(jié)構(gòu)，即，將處理液噴嘴6固定地配置在旋 轉(zhuǎn)卡盤4的斜上方或者晶片W的旋轉(zhuǎn)軸線C上，從上方向晶片W表面供給處理液。另外，在具有于在后述的干燥工序中接近晶片w表面且與晶片w表面相向配置的遮斷板時，也可以在遮斷板的中央部形成處理液供給口，從該處理液供給口向晶片w表面供給處理液。處理杯部5具有排氣桶30，容置在處理室3內(nèi)，且為有底的圓筒狀； 第一杯部31及第二杯部32,固定地容置在排氣桶30內(nèi)。處理杯部5還具有 容置在排氣桶30內(nèi)并能夠相互獨(dú)立地升降的第一防護(hù)裝置33、第二防護(hù)裝 置34、第三防護(hù)裝置35及第四防護(hù)裝置36。在該實施方式中，第一杯部31 及第二杯部32不與第一 第四防護(hù)裝置33 36 —體地移動，固定在排氣桶 30內(nèi)。因此，能夠使應(yīng)該升降的構(gòu)件輕量化，能夠減輕用于分別使第一 第 四防護(hù)裝置33 36升降的第一 第四升降機(jī)構(gòu)81 84的負(fù)荷。在排氣桶30的側(cè)壁上形成有貫通該側(cè)壁內(nèi)外的排氣口 37。在該排氣口 37上連接有排氣管38，該排氣管38經(jīng)由排氣口 37將排氣桶30內(nèi)的氣體排 出。在排氣桶30的側(cè)壁上形成有取入口 39，該取入口 39用于將處理室3內(nèi) 的排氣桶30外的氣體取入到排氣桶30內(nèi)。取入口 39貫通排氣桶30側(cè)壁的 內(nèi)外，在排氣桶30的圓周方向隔開間隔地配置多個。在排氣桶30的底部連接有廢液管40。滯留在排氣桶30底部的處理液通 過廢液管40導(dǎo)出到廢液處理設(shè)備中。第一杯部31包圍旋轉(zhuǎn)卡盤4的周圍，并具有相對于通過旋轉(zhuǎn)卡盤4而旋 轉(zhuǎn)的晶片W的旋轉(zhuǎn)軸線C大致旋轉(zhuǎn)對稱的形狀。在該第一杯部31上一體地 具有底部41，俯視呈圓環(huán)狀；圓筒狀的內(nèi)壁部42，從該底部41的內(nèi)周邊 部向上方立起；圓筒狀的外壁部43，從該底部41的外周邊部向上方立起。 并且，底部41、內(nèi)壁部42及外壁部43剖面形成U字狀。通過上述的底部 41、內(nèi)壁部42及外壁部43劃分出廢液槽44，該廢液槽44用于收集晶片W 的處理所使用過的處理液(SC1及DIW)，并將其廢棄。在廢液槽44底部 的最低位置連接有廢液機(jī)構(gòu)45，該廢液機(jī)構(gòu)45用于將收集在該廢液槽44中 的處理液導(dǎo)入到未圖示的排氣設(shè)備中。該廢液機(jī)構(gòu)45如圖1所示，在廢液槽 44的圓周方向上等間隔地設(shè)置兩個。各廢液機(jī)構(gòu)45具有固定筒構(gòu)件46,固定在處理室3的底壁3a的下表 面，插通排氣桶30的底部及處理室3的底壁3a并向上方延伸；連通孔47， 連通該固定筒構(gòu)件46和廢液槽44。固定筒構(gòu)件46保持第一杯部31，固定筒構(gòu)件46的下部開口形成連接口 48。在該連接口 48上連接有接頭50，該接頭 50連接在從未圖示的廢液容器伸出的廢液管49上。收集在廢液槽44中的處 理液(SC1及DIW)經(jīng)由連通孔47、固定筒構(gòu)件46、接頭50及廢液管49， 導(dǎo)入到未圖示的廢液容器中。第二杯部32在第一杯部31的外側(cè)包圍旋轉(zhuǎn)卡盤4，具有相對于通過旋 轉(zhuǎn)卡盤4進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的晶片W的旋轉(zhuǎn)軸線C大致旋轉(zhuǎn)對稱的形狀。該第二杯部 32—體地具有底部51，俯視呈圓環(huán)狀；圓筒狀的內(nèi)壁部52，從該底部51 的內(nèi)周邊部向上方立起；圓筒狀的外壁部53，從底部51的外周邊部向上方 立起。底部51、內(nèi)壁部52及外壁部53剖面形成U字狀。通過上述的底部 51、內(nèi)壁部52及外壁部53劃分出內(nèi)側(cè)回收槽54，該內(nèi)側(cè)回收槽54用于收 集晶片W的處理所使用過的處理液(例如SPM)，并將其回收。在內(nèi)側(cè)回 收槽54底部的最低位置連接有第一回收機(jī)構(gòu)55，該第一回收機(jī)構(gòu)55用于將 收集在該內(nèi)側(cè)回收槽54中的處理液回收到未圖示的回收設(shè)備中。該第一回收 機(jī)構(gòu)55如圖1所示，在內(nèi)側(cè)回收槽54圓周方向等間隔地設(shè)置兩個。各第一回收機(jī)構(gòu)55具有固定筒構(gòu)件56，固定在處理室3底壁3a的下 表面，插通排氣桶30的底部及處理室3的底壁3a并向上方延伸；連通孔57, 連通該固定筒構(gòu)件56和內(nèi)側(cè)回收槽54。固定筒構(gòu)件56保持第二杯部32，固 定筒構(gòu)件56的下部開口形成連接口 57。在該連接口 58上連接有接頭60，該 接頭60連接在從未圖示的回收容器伸出的第一回收管59上。收集在內(nèi)側(cè)回 收槽54中的處理液經(jīng)由連通孔57、固定筒構(gòu)件56、接頭60及第一回收管 59回收到回收容器中。第一防護(hù)裝置33包圍旋轉(zhuǎn)卡盤4的周圍，并具有相對于通過旋轉(zhuǎn)卡盤4 進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的晶片W的旋轉(zhuǎn)軸線C大致旋轉(zhuǎn)對稱的形狀。該第一防護(hù)裝置33 具有大致圓筒狀的第一引導(dǎo)部61和連接在該第一引導(dǎo)部61上的圓筒狀的處 理液分離壁62。第一引導(dǎo)部61具有圓筒狀的下端部61a，包圍旋轉(zhuǎn)卡盤4的周圍；中 段部61d，從該下端部61a的上端向徑向外側(cè)(背離晶片W的旋轉(zhuǎn)軸線C的 方向)的斜上方延伸；上端部61b，從中段部61d的上端一邊描繪圓滑的圓 弧一邊向中心側(cè)(靠近晶片W的旋轉(zhuǎn)軸線C的方向)斜上方延伸；折回部 61c，將上端部61b的前端部向下方折回而形成。處理液分離壁62從中段部61d的外周邊部向下方垂下，位于第二杯部32的內(nèi)側(cè)回收槽54之上。第一引導(dǎo)部61的下端部61a位于廢液槽44之上，并形成為如下那樣的 長度，即，在第一防護(hù)裝置33最接近第一杯部31的狀態(tài)(圖2所示的狀態(tài)) 下，在第一引導(dǎo)部61的下端部61a與底部41及外壁部43之間保持極微小間 隙，容置在第一杯部31的廢液槽44內(nèi)。第二防護(hù)裝置34包圍第一防護(hù)裝置33的周圍，并具有相對于通過旋轉(zhuǎn) 卡盤4進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的晶片W的旋轉(zhuǎn)軸線C大致旋轉(zhuǎn)對稱的形狀。該第二防護(hù)裝 置34 —體地具有第二引導(dǎo)部63和杯部64。第二引導(dǎo)部63形成在第一防護(hù)裝置33的第一引導(dǎo)部61的外側(cè)，具有 下端部63a，呈與第一引導(dǎo)部61的下端部61a同軸的圓筒狀；上端部63b， 從該下端部63a的上端一邊描繪圓滑的圓弧一邊向中心側(cè)(靠近晶片W的旋 轉(zhuǎn)軸線C的方向)斜上方延伸；折回部63c，將上端部63b的前端部向下方 折回而形成。下端部63a位于內(nèi)側(cè)回收槽54之上。在第二防護(hù)裝置34與第 二杯部32最接近的狀態(tài)下，下端部63a與第二杯部32的底部51及外壁部 53和處理液分離壁62之間保持間隙，容置在內(nèi)側(cè)回收槽54中。另一方面， 上端部63b設(shè)置為與第一防護(hù)裝置33的第一引導(dǎo)部61的上端部61b在上下 方向上重疊。在第一防護(hù)裝置33和第二防護(hù)裝置34最接近的狀態(tài)下，上端 部63b與第一引導(dǎo)部61的上端部61b保持極微小的間隙，接近第一引導(dǎo)部 61的上端部61b。第二引導(dǎo)部63具有折回部63c，所述折回部63c是通過將第二引導(dǎo)部63 的上端部63b的前端向大致鉛直下方折回而形成的。該折回部63c形成為， 在第一防護(hù)裝置33和第二防護(hù)裝置34最接近的狀態(tài)下，與第一引導(dǎo)部61 的上端部61b在水平方向上重疊。另外，第二引導(dǎo)部63的上端部63b形成為 越向下方壁越厚。杯部64具有底部65，俯視呈圓環(huán)狀；圓筒狀的內(nèi)壁部66，從該底部 65的內(nèi)周邊部向上方立起，連接在第二引導(dǎo)部63上；圓筒狀的外壁部67， 其從底部65的外周邊部向上方立起。底部65、內(nèi)壁部66及外壁部67剖面 形成U字狀。通過上述的底部65、內(nèi)壁部66及外壁部67劃分出外側(cè)回收槽 68，該外側(cè)回收槽68用于收集晶片W的處理所使用過的處理液(例如氫氟 酸)，將其回收。杯部64的內(nèi)壁部66連接在第二引導(dǎo)部63的上端部63b的外周邊部。在外側(cè)回收槽68上連接有第二回收機(jī)構(gòu)69，該第二回收機(jī)構(gòu)69用于將 收集在該外側(cè)回收槽68中的處理液回收到未圖示的回收容器中。該第二回收 機(jī)構(gòu)69如圖l所示，在外側(cè)回收槽68的圓周方向以等間隔地設(shè)置兩個。如圖2所示，各第二回收機(jī)構(gòu)69具有固定筒構(gòu)件70，固定在處理室3 的底壁3a的下表面，插通排氣桶30的底部及處理室3的底壁3a向上方延伸； 圓環(huán)狀的保持構(gòu)件71，固定在第二防護(hù)裝置34的杯部64的底部65上；移 動筒構(gòu)件72，上端保持在該保持構(gòu)件71上，下端部插入固定筒構(gòu)件70內(nèi)； 連通孔73，將該移動筒構(gòu)件72內(nèi)部和外側(cè)回收槽68連通；波紋管(bellows) 74，上端部固定在保持構(gòu)件71上，并且下端部固定在固定筒構(gòu)件70上，覆 蓋移動筒構(gòu)件72的外周。固定筒構(gòu)件70的下部開口形成連接口75。在該連 接口 75上連接有接頭77，該接頭77連接在從回收容器延伸的第二回收管76 上。收集在外側(cè)回收槽68中的處理液經(jīng)由連通孔73、移動筒構(gòu)件72、固定 筒構(gòu)件70、接頭77及第二回收管76回收到回收容器中。上端部63b的外周邊部、下端部63a及內(nèi)壁部66的剖面形成倒U字狀。 通過這些上端部63b的外周邊部、下端部63a及內(nèi)壁部66劃分出容置槽22， 該容置槽22用于容置第二杯部32的外壁部53。該容置槽22位于第二杯部 32的外壁部53之上。該容置槽22形成如下那樣的深度，g卩，在第二防護(hù)裝 置34最接近第二杯部32的狀態(tài)(圖2所示的狀態(tài))下，使外壁部53與上端 部63b的外周邊部、下端部63a及內(nèi)壁部66之間保持極微小的間隙，容置在 該容置槽22內(nèi)。第三防護(hù)裝置35在第二防護(hù)裝置34的第二引導(dǎo)部63的外側(cè)包圍旋轉(zhuǎn)卡 盤4的周圍，并具有相對于通過旋轉(zhuǎn)卡盤4進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的晶片W的旋轉(zhuǎn)軸線C 大致旋轉(zhuǎn)對稱的形狀。該第三防護(hù)裝置35具有下端部35a，形成為與第二 引導(dǎo)部63的下端部63a同軸的圓筒狀；上端部35b，從下端部35a的上端一 邊描繪圓滑的圓弧一邊向中心側(cè)(靠近晶片W的旋轉(zhuǎn)軸線C的方向)斜上方 延伸；折回部35c，將上端部35b的前端部向大致鉛直下方折回而形成。下端部35a位于外側(cè)回收槽68之上，形成為如下那樣的長度，在第二防 護(hù)裝置34與第三防護(hù)裝置35最接近的狀態(tài)下，該下端部35a與第二防護(hù)裝 置34的杯部64的底部65、內(nèi)壁部66及外壁部67之間保持極微小的間隙，容置在外側(cè)回收槽68中。上端部35b設(shè)置為與第二防護(hù)裝置34的第二引導(dǎo)部63的上端部63b在 上下方向上重疊，在第二防護(hù)裝置34和第三防護(hù)裝置35最接近的狀態(tài)下， 與第二引導(dǎo)部63的上端部63b保持極微小的間隙，接近第二引導(dǎo)部63的上 端部63b。折回部35c形成為，在第二防護(hù)裝置34與第三防護(hù)裝置35最接近的狀 態(tài)下，與第二引導(dǎo)部63的上端部63b在水平方向上重疊。第四防護(hù)裝置36在第三防護(hù)裝置35的外側(cè)包圍旋轉(zhuǎn)卡盤4的周圍，并 具有相對于通過旋轉(zhuǎn)卡盤4進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的晶片W的旋轉(zhuǎn)軸線C大致旋轉(zhuǎn)對稱的 形狀。第四防護(hù)裝置36能夠升降地保持在排氣桶30的側(cè)壁上。該第四防護(hù) 裝置36具有下端部36a，形成為與第三防護(hù)裝置35的下端部35a同軸的 圓筒狀；上端部36b,從下端部36a的上端向中心側(cè)(靠近晶片W的旋轉(zhuǎn)軸 線C的方向)斜上方延伸；折回部36c，將上端部36b的前端部向大致鉛直 下方折回而形成。上端部36b設(shè)置為與第三防護(hù)裝置35的上端部35b在上下方向重疊，在 第三防護(hù)裝置35與第四防護(hù)裝置36最接近的狀態(tài)下，與第三防護(hù)裝置35 的上端部35b保持極微小的間隙，接近第三防護(hù)裝置35的上端部35b。折回部36c形成為，在第三防護(hù)裝置35與第四防護(hù)裝置36最接近的狀 態(tài)下，與第三防護(hù)裝置35的上端部35b在水平方向上重疊。另外，基板處理裝置具有第一升降機(jī)構(gòu)(排氣路徑形成單元)81，用 于升降第一防護(hù)裝置33;第二升降機(jī)構(gòu)(排氣路徑形成單元)82，用于升降 第二防護(hù)裝置34;第三升降機(jī)構(gòu)(排氣路徑形成單元)83，用于升降第三防 護(hù)裝置35;第四升降機(jī)構(gòu)(排氣路徑形成單元)84，用于升降第四防護(hù)裝36。 對于各升降機(jī)構(gòu)81、 82、 83、 84來說，采用將馬達(dá)作為驅(qū)動源的升降機(jī)構(gòu)(例 如，滾珠螺桿機(jī)構(gòu))，或者將氣缸作為驅(qū)動源的升降機(jī)構(gòu)等。如圖1所示， 各升降機(jī)構(gòu)81、 82、 83、 84在排氣桶30的圓周方向等間隔地設(shè)置三個。圖3是表示圖1所示的基板處理裝置的電氣結(jié)構(gòu)的框圖?；逄幚硌b置具有包括微型計算機(jī)的結(jié)構(gòu)的控制裝置80。在該控制裝置 80上連接有馬達(dá)8、噴嘴驅(qū)動機(jī)構(gòu)13、第一升降機(jī)構(gòu)81、第二升降機(jī)構(gòu)82、 第三升降機(jī)構(gòu)83、第四升降機(jī)構(gòu)84、氫氟酸閥18、 SPM閥19、 SC1閥20及DIW閥21等，作為控制對象。圖4是用于說明利用圖1所示的基板處理裝置進(jìn)行的處理的一個例子的 流程圖。另外，圖5A 圖5D是晶片W處理中的基板處理裝置的示意性的局 部剖視圖。在對晶片W進(jìn)行處理的過程中，通過未圖示的排氣設(shè)備強(qiáng)制性地對排氣 管38內(nèi)進(jìn)行排氣。另外，從風(fēng)機(jī)過濾單元向處理室3內(nèi)供給純凈空氣。因此， 處理室3內(nèi)形成從上方向下方流動的純凈空氣的下行氣流，該純凈空氣的下 行氣流通過旋轉(zhuǎn)卡盤4和處理杯部5的內(nèi)邊部(第四防護(hù)裝置36的上端部 36b)之間的間隙，被取入到處理杯部5內(nèi)，引導(dǎo)到保持在旋轉(zhuǎn)卡盤4上的晶 片W的側(cè)方。另外，在處理室3內(nèi)下降到底壁3a附近的純凈空氣通過形成在排氣桶 30的側(cè)壁上的取入口 39被取入到排氣桶30內(nèi)，經(jīng)由排氣口 37從排氣管38 排出。在抗蝕層除去處理時，離子注入處理后的晶片W被未圖示的搬運(yùn)機(jī)械手 搬入到處理室3內(nèi)(步驟S1)。該晶片W呈沒有對作為離子注入時的掩模 使用的抗蝕層實施灰化處理的狀態(tài)，在其表面存在抗蝕層。在將晶片W的表 面朝向上方的狀態(tài)下，晶片W保持在旋轉(zhuǎn)卡盤4上。此外，在搬入該晶片W 之前，為了不妨礙該搬入，如圖2所示，第一 第四防護(hù)裝置33、 34、 35、 36下降到下方位置(最下方位置)。因此，第一防護(hù)裝置33的第一引導(dǎo)部 61的上端部61b、第二防護(hù)裝置34的第二引導(dǎo)部63的上端部63b、第三防 護(hù)裝置35的上端部35b及第四防護(hù)裝置36的上端部36b都位于通過旋轉(zhuǎn)卡 盤4保持晶片W的保持位置的下方。若晶片W保持在旋轉(zhuǎn)卡盤4上，則控制裝置80控制馬達(dá)8，開始由旋 轉(zhuǎn)卡盤4進(jìn)行的晶片W的旋轉(zhuǎn)(旋轉(zhuǎn)基座7的旋轉(zhuǎn))(步驟S2)。另外， 控制裝置80控制第三及第四升降機(jī)構(gòu)83、 84，僅使第三及第四防護(hù)裝置35、 36上升到上方位置(最上方位置)，第三防護(hù)裝置35的上端部35b及第四 防護(hù)裝置36的上端部36b配置在旋轉(zhuǎn)卡盤4所保持的晶片W的上方。由此， 第二引導(dǎo)部63的上端部63b和第三防護(hù)裝置35的上端部35b之間形成了與 晶片W的周邊部相向的開口 (第二回收口) 93 (參照圖5A)。進(jìn)一步，控 制噴嘴驅(qū)動機(jī)構(gòu)13，使噴嘴臂11轉(zhuǎn)動，處理液噴嘴6從旋轉(zhuǎn)卡盤4側(cè)方的退避位置移動到晶片w的上方位置。在第二引導(dǎo)部63的上端部63b與第三防護(hù)裝置35的上端部35b之間形 成了第二回收口 93的狀態(tài)(第二回收狀態(tài))下，第一防護(hù)裝置33最接近第 一杯部31。因此，第一引導(dǎo)部61的端部61a與第一杯部31的外壁部43之 間保持極微小的間隙，并延伸到很接近第一杯部31的底部41的位置。因此， 第一路徑T1的壓力損失比較大，所述第一路徑T1為通過第一引導(dǎo)部61的 下端部61a和廢液槽44之間及排氣桶30內(nèi)至排氣口 37的路徑。另外，在該第二回收狀態(tài)下，第一及第二防護(hù)裝置33、 34最接近第二杯 部32。因此，第一及第二防護(hù)裝置33、 34在第一防護(hù)裝置33的第一引導(dǎo)部 61的上端部61b與第二防護(hù)裝置34的第二引導(dǎo)部63的上端部63b之間保持 極微小間隙的狀態(tài)下接近，并且第二引導(dǎo)部63的折回部63c與第一引導(dǎo)部 61的上端部61b在水平方向上重疊，而且，第二杯部32的外壁部53在與第 二引導(dǎo)部63的下端部63a及杯部64的內(nèi)壁部66之間保持極微小的間隙，并 延伸到很接近容置槽22頂部即上端部63b的外周邊部的位置。因此，第二路 徑T2的壓力損失比較大，所述第二路徑T2是通過第一引導(dǎo)部61的上端部 61b和第二引導(dǎo)部63的上端部63b之間、第二引導(dǎo)部63的下端部63a和內(nèi) 側(cè)回收槽54之間以及排氣桶30內(nèi)至排氣口 37的路徑。進(jìn)一步，在該第二回收狀態(tài)下，第三防護(hù)裝置35及第四防護(hù)裝置36互 相最接近，因此第三及第四防護(hù)裝置35、 36在各上端部35b、 36b間保持極 微小間隙的狀態(tài)下接近，并且，第四防護(hù)裝置36的折回部36c與第三防護(hù)裝 置35的上端部35b在水平方向上重疊。因此，第四路徑T4的壓力損失比較 大，所述第四路徑T4是通過第三防護(hù)裝置35的上端部35b和第四防護(hù)裝置 36的上端部36b之間的間隙以及排氣桶30內(nèi)至排氣口 37的路徑。另一方面，在排氣桶30內(nèi)形成第三排氣路徑P3，所述第三排氣路徑P3 是從第二回收口 93通過第二引導(dǎo)部63的上端部63b和第三防護(hù)裝置35的上 端部35b之間、第三防護(hù)裝置35的下端部35a和外側(cè)回收槽68之間及排氣 桶30內(nèi)至排氣口 37的路徑。因為第三防護(hù)裝置35的下端部35a進(jìn)入到外側(cè) 回收槽68內(nèi)的深度淺，所以第三排氣路徑P3與其他的路徑T1、 T2、 T4比 較，壓力損失特別小。因此，當(dāng)排氣管38內(nèi)被強(qiáng)制性地排氣時，從旋轉(zhuǎn)卡盤 4和處理杯部5的內(nèi)邊部(第四防護(hù)裝置36的上端部36b)之間被取入到處理杯部5內(nèi)的純凈空氣的下行氣流主要在第三排氣路徑P3流通，導(dǎo)入到排氣 口 37。由此，形成了從保持在旋轉(zhuǎn)卡盤4上的晶片W的周邊通過第二回收 口 93流入到第三排氣路徑P3的氣流。
若晶片W的轉(zhuǎn)速達(dá)到1500rpm，則控制裝置80打開氫氟酸閥18，從處 理液噴嘴6向旋轉(zhuǎn)中的晶片W的表面噴出氫氟酸(S3:氫氟酸處理)。
在該氫氟酸處理中，控制裝置80控制噴嘴驅(qū)動機(jī)構(gòu)13，在規(guī)定的角度 范圍內(nèi)擺動噴嘴臂U。由此，晶片W表面上的導(dǎo)入來自處理液噴嘴6的氫 氟酸的供給位置，在從晶片W的旋轉(zhuǎn)中心至晶片W的周邊部的范圍內(nèi)一邊 描繪與晶片W的旋轉(zhuǎn)方向相交的圓弧狀的軌跡， 一邊往復(fù)移動。另外，供給 到晶片W表面上的氫氟酸會在整個晶片W表面擴(kuò)展。由此，氫氟酸均勻地 供給到整個晶片W表面。通過從處理液噴嘴6向晶片W表面供給氫氟酸， 利用該氫氟酸的化學(xué)能力除去形成在晶片W表面上的自然氧化膜等。由于向 晶片W表面供給氫氟酸，所以會產(chǎn)生氫氟酸的霧。供給到晶片W表面上的 氫氟酸從晶片W的周邊部向晶片W的側(cè)方飛散。
從晶片W的周邊部甩出飛散到側(cè)方的氫氟酸被第二回收口 93捕獲，沿 著第三防護(hù)裝置35的內(nèi)表面流下，收集到外側(cè)回收槽68中，從外側(cè)回收槽 68通過第二回收機(jī)構(gòu)69回收到回收容器中。
此時，第一及第二防護(hù)裝置33、 34在第一防護(hù)裝置33的第一引導(dǎo)部61 的上端部61b與第二防護(hù)裝置34的第二引導(dǎo)部63的上端部63b之間保持極 微小間隙的狀態(tài)下接近，進(jìn)一步，第二引導(dǎo)部63的折回部63c與第一引導(dǎo)部 61的上端部61b在水平方向上重疊，因此能夠防止氫氟酸進(jìn)入到第一引導(dǎo)部 61和第二引導(dǎo)部63之間。
另外，第三及第四防護(hù)裝置35、 36在第三防護(hù)裝置35的上端部35b和 第四防護(hù)裝置36的上端部36b之間保持極微小間隙的狀態(tài)下接近，進(jìn)一步， 第四防護(hù)裝置36的折回部36c與第三防護(hù)裝置35的上端部35b在水平方向 上重疊，因此能夠防止氫氟酸進(jìn)入到第三防護(hù)裝置35和第四防護(hù)裝置36之 間。
另外，含有氫氟酸霧的氣體從第二回收口 93通過第三排氣路徑P3排到 排氣口 37。晶片W周邊的含有氫氟酸霧的氣體經(jīng)由與晶片W的周邊部相向 的第二回收口 93排出，因此能夠高效地從晶片W的周邊排除氫氟酸霧。此時，第三防護(hù)裝置35的下端部35a進(jìn)入到外側(cè)回收槽68內(nèi)，因此在 該部分中，第三排氣路徑P3具有從鉛直向下折回為鉛直向上的第三折回路徑 98。氣體中含有的氫氟酸霧在該第三折回路徑98流通的過程中，附著在第三 防護(hù)裝置35的下端部35a或者杯部64的外壁部67上而被捕獲。因此，在第 三排氣路徑P3內(nèi)流通的過程中能夠使含有氫氟酸霧的氣體氣液分離。被下端 部35a或者外壁部67捕獲的氫氟酸通過外側(cè)回收槽68導(dǎo)入到第二回收機(jī)構(gòu) 69中。
在從向晶片W供給氫氟酸開始經(jīng)過規(guī)定的氫氟酸處理時間時，控制裝置 80關(guān)閉氫氟酸閥18，停止供給來自處理液噴嘴6的氫氟酸。另外，控制裝置 80驅(qū)動第一及第二升降機(jī)構(gòu)81、 82，使第一及第二防護(hù)裝置33、 34上升到 上方位置，第一引導(dǎo)部61的上端部61b、第二引導(dǎo)部63的上端部63b、第三 防護(hù)裝置35的上端部35b及第四防護(hù)裝置36的上端部36b配置在旋轉(zhuǎn)卡盤 4所保持的晶片W的上方。由此，第一引導(dǎo)部61的上端部61b和下端部61a 之間形成與晶片W的周邊部相向的開口 (第一廢液口) 91 (參照圖5B)。 另外，控制裝置80驅(qū)動噴嘴驅(qū)動機(jī)構(gòu)13，使噴嘴臂ll停止擺動，處理液噴 嘴6停止在晶片W上方。
在第一引導(dǎo)部61的上端部61b與下端部61a之間形成了第一廢液口 91 的狀態(tài)(第一廢液狀態(tài))下，第一及第二防護(hù)裝置33、 34互相最接近。因此， 第一及第二防護(hù)裝置33、 34在第一防護(hù)裝置33的第一引導(dǎo)部61的上端部 61b和第二防護(hù)裝置34的第二引導(dǎo)部63的上端部63b之間保持極微小間隙 的狀態(tài)下接近，并且第二引導(dǎo)部63的折回部63c與第一引導(dǎo)部61的上端部 61b在水平方向上重疊。因此，第二路徑T2的壓力損失比較大，所述第二路 徑T2是通過第一引導(dǎo)部61的上端部61b和第二引導(dǎo)部63的上端部63b之 間、第二引導(dǎo)部63的下端部63a和內(nèi)側(cè)回收槽54之間以及排氣桶30內(nèi)至排 氣口37的路徑。
另外，在第一廢液狀態(tài)下，第二及第三防護(hù)裝置34、 35互相最接近。因 此，第二引導(dǎo)部63及第三防護(hù)裝置35在各上端部63b、 35b間保持極微小間 隙的狀態(tài)下接近，并且第三防護(hù)裝置35的折回部35c與第二引導(dǎo)部63的上 端部63b在水平方向上重疊，而且，第三防護(hù)裝置35的下端部35a與杯部 64的內(nèi)壁部66及外壁部67之間保持極微小的間隙，并延伸到很接近杯部64的底部65的位置。因此，第三路徑T3的壓力損失比較大，所述第三路徑T3 是通過第二引導(dǎo)部63的上端部63b和第三防護(hù)裝置35的上端部35b之間、 第三防護(hù)裝置35的下端部35a和外側(cè)回收槽68之間以及排氣桶30內(nèi)至排氣 口 37的路徑。
進(jìn)一步，在第一廢液狀態(tài)下，第三及第四防護(hù)裝置35、 36互相最接近， 因此第四路徑T4的壓力損失如上述那樣比較大，所述第四路徑T4是通過第 三防護(hù)裝置35的上端部35b和第四防護(hù)裝置36的上端部36b之間的間隙以 及排氣桶30內(nèi)至排氣口 37的間隙。
另一方面，在排氣桶30內(nèi)形成了第一排氣路徑P1，所述第一排氣路徑 Pl是從第一廢液口 91通過第一引導(dǎo)部61的下端部61a和廢液槽44之間至 排氣口 37的路徑。第一引導(dǎo)部61的下端部61a進(jìn)入到廢液槽44內(nèi)的深度淺， 因此第一排氣路徑P1與其他的路徑T2、 T3、 T4比較，壓力損失特別小。因 此，當(dāng)排氣管38內(nèi)被強(qiáng)制性地排氣時，從旋轉(zhuǎn)卡盤4和處理杯部5的內(nèi)邊部 (第四防護(hù)裝置36的上端部36b)之間被取入到處理杯部5內(nèi)的純凈空氣的 下行氣流主要在第一排氣路徑Pl中流通，導(dǎo)入排氣口37。由此，形成從保 持在旋轉(zhuǎn)卡盤4上的晶片W的周邊通過第一廢液口 91流入到第一排氣路徑 Pl中的氣流。
與晶片W的周邊部相向地形成第一廢液口 91后，控制裝置80使晶片W 繼續(xù)保持旋轉(zhuǎn)，打開DIW閥21。由此，從處理液噴嘴6向旋轉(zhuǎn)中的晶片W 表面的中央部噴出DIW (S4:中間沖洗處理)。由于從處理液噴嘴6噴出 DIW，所以會產(chǎn)生DIW的霧。在該中間沖洗處理中，供給到晶片W表面上 的DIW擴(kuò)展到整個晶片W表面，附著在晶片W表面的氫氟酸被DIW洗掉 流走。然后，含有氫氟酸的DIW通過晶片W的旋轉(zhuǎn)被甩出，從其周邊部飛 散到側(cè)方。從晶片W的周邊部甩出飛散到側(cè)方的DIW (含有氫氟酸的DIW) 被第一防護(hù)裝置33的第一引導(dǎo)部61的內(nèi)表面捕獲。然后，沿著第一防護(hù)裝 置33的內(nèi)表面流下，收集到廢液槽44中，從廢液槽44通過廢液機(jī)構(gòu)45導(dǎo)
入到廢液處理設(shè)備中。
此時，第一 第四防護(hù)裝置33、 34、 35、 36在各上端部61b、 63b、 35b、 36b間保持極微小間隙的狀態(tài)下接近，進(jìn)一步地，第四防護(hù)裝置36的折回部 36c與第三防護(hù)裝置35的上端部35b在水平方向上重疊，第三防護(hù)裝置35的折回部35c與第二引導(dǎo)部63的上端部63b在水平方向上重疊，第二引導(dǎo)部 63的折回部63c與第一引導(dǎo)部61的上端部61b在水平方向上重疊，因此能 夠防止DIW進(jìn)入到第一引導(dǎo)部61和第二引導(dǎo)部63之間，第二引導(dǎo)部63和 第三防護(hù)裝置35之間及第三防護(hù)裝置35和第四防護(hù)裝置36之間。
在進(jìn)行該中間沖洗處理時，有在晶片W的周邊殘留氫氟酸霧的擔(dān)心。含 有DIW霧及氫氟酸霧的氣體從第一廢液口 91通過第一排氣路徑P1排到排氣 □ 37。
此時，第一引導(dǎo)部61的下端部61a進(jìn)入到廢液槽44內(nèi)，因此在該部分 中，第一排氣路徑P1具有從鉛直向下折回為鉛直向上的第一折回路徑96。 氣體中含有的DIW霧及氫氟酸霧在該第一折回路徑96內(nèi)流通的過程中，附 著在第一引導(dǎo)部61的下端部61a或者第一杯部31的外壁部43上而被捕獲。 因此，在第一排氣路徑P1中流通的過程中能夠使含有DIW霧及氫氟酸霧的 氣體氣液分離。被下端部61a或者第一杯部31的外壁部43捕獲的DIW通過 廢液槽44導(dǎo)入到廢液機(jī)構(gòu)45中。
在從向晶片W供給DIW開始經(jīng)過規(guī)定的中間沖洗時間時，控制裝置80 關(guān)閉DIW閥21，停止供給來自處理液噴嘴6的DIW。另外，驅(qū)動第一升降 機(jī)構(gòu)81，僅使第一防護(hù)裝置33下降到下方位置，第一防護(hù)裝置33的第一引 導(dǎo)部61的上端部61b配置在旋轉(zhuǎn)卡盤4所保持的晶片W的下方。由此，在 第一引導(dǎo)部61的上端部61b和第二引導(dǎo)部63的上端部63b之間形成了與晶 片W的周邊部相向的開口 (第一回收口) 92 (參照圖5C)。
在第一引導(dǎo)部61的上端部61b和第二引導(dǎo)部63的上端部63b之間形成 有第一回收口 92的狀態(tài)(第一回收狀態(tài))下，第一防護(hù)裝置33最接近第一 杯部31。因此，第一路徑T1的壓力損失如上述那樣比較大，所述第一路徑 Tl是通過第一引導(dǎo)部61的下端部61a和廢液槽44之間以及排氣桶30內(nèi)至 排氣口37的路徑。
另外，在第一回收狀態(tài)下，第二及第三防護(hù)裝置34、 35互相最接近。因 此，第三路徑T3的壓力損失如上述那樣比較大，所述第三路徑T3是通過第 二引導(dǎo)部63的上端部63b和第三防護(hù)裝置35的上端部35b之間、第三防護(hù) 裝置35的下端部35a和外側(cè)回收槽68之間以及排氣桶30內(nèi)至排氣口 37的 路徑。進(jìn)一步，在該第一回收狀態(tài)下，第三及第四防護(hù)裝置35、 36互相最接近, 因此第四路徑T4的壓力損失如上述那樣比較大，所述第四路徑T4是通過第 三防護(hù)裝置35的上端部35b和第四防護(hù)裝置36的上端部36b之間的間隙， 以及排氣桶30內(nèi)至排氣口37。
另一方面，在排氣桶30內(nèi)形成第二排氣路徑P2，所述第二排氣路徑P2 是從第一回收口 92通過第一引導(dǎo)部61的上端部61b和第二引導(dǎo)部63的上端 部63b之間、第二引導(dǎo)部63的下端部63a和內(nèi)側(cè)回收槽54之間以及排氣桶 30內(nèi)至排氣口 37的路徑。因為第二引導(dǎo)部63的下端部63a進(jìn)入到內(nèi)側(cè)回收 槽54內(nèi)的深度淺，所以第二排氣路徑P2與其他的路徑T1、 T3、 T4相比較， 壓力損失特別小。因此，當(dāng)排氣管38內(nèi)被強(qiáng)制性地排氣時，從旋轉(zhuǎn)卡盤4 和處理杯部5的內(nèi)邊部(第四防護(hù)裝置36的上端部36b)之間被取入到處理 杯部5內(nèi)的純凈空氣的下行氣流，主要通過第二排氣路徑P2導(dǎo)入到排氣口 37。由此，形成從保持在旋轉(zhuǎn)卡盤4上的晶片W的周邊通過第一回收口 92 并流入第二排氣路徑P2的氣流。
與晶片W的周邊部相向地形成第一回收口 92后，控制裝置80繼續(xù)使晶 片W保持旋轉(zhuǎn)，打開SPM閥19。由此，從處理液噴嘴6向旋轉(zhuǎn)中的晶片W 表面噴出SPM (S5: SPM處理)。
在該SPM處理中，控制裝置80控制噴嘴驅(qū)動機(jī)構(gòu)13，在規(guī)定的角度范 圍內(nèi)擺動噴嘴臂ll。由此，晶片W表面上的導(dǎo)入來自處理液噴嘴6的SPM 的供給位置，在從晶片W的旋轉(zhuǎn)中心至晶片W的周邊部的范圍內(nèi)， 一邊描 繪與晶片W的旋轉(zhuǎn)方向相交的圓弧狀的軌跡一邊往復(fù)移動。另外，供給到晶 片W表面上的SPM擴(kuò)展到整個晶片W表面。由此，SPM均勻地供給到整個 晶片W表面上。在SPM供給到晶片W的表面上時，SPM中含有的過氧硫酸 的強(qiáng)酸性作用于抗蝕層，能夠從晶片W表面除去抗蝕層。由于向晶片W表 面供給SPM，所以會產(chǎn)生SPM霧。供給到晶片W表面上的SPM從晶片W 的周邊部向晶片W的側(cè)方飛散。
從晶片W的周邊部甩出飛散到側(cè)方的SPM被第一回收口 92捕獲。然后， SPM沿著第一引導(dǎo)部61的內(nèi)表面流下，收集到內(nèi)側(cè)回收槽54中，從內(nèi)側(cè)回 收槽54通過第一回收機(jī)構(gòu)55回收到回收容器中。
此時，第二 第四防護(hù)裝置34、 35、 36在各上端部間保持極微小間隙的狀態(tài)下接近，進(jìn)一步地，第四防護(hù)裝置36的折回部36c與第三防護(hù)裝置35 的上端部35b在水平方向上重疊，第三防護(hù)裝置35的折回部35c與第二引導(dǎo) 部63的上端部63b在水平方向上重疊，因此能夠防止SPM進(jìn)入到第二引導(dǎo) 部63和第三防護(hù)裝置35之間，以及第三防護(hù)裝置35和第四防護(hù)裝置36之 間。
另外，含有SPM霧的氣體從第一回收口 92通過第二排氣路徑P2排到排 氣口 37。晶片W周邊的含有SPM霧的氣體經(jīng)由與晶片W的周邊部相向的第 一回收口 92排出，因此能夠從晶片W的周邊高效地排除SPM霧。
此時，因為第二引導(dǎo)部63的下端部63a進(jìn)入到內(nèi)側(cè)回收槽54內(nèi)，所以 在該部分中，第二排氣路徑P2具有從鉛直向下折回為鉛直向上的第二折回路 徑97。氣體中含有的SPM霧在該第二折回路徑97流通的過程中，附著在第 二引導(dǎo)部63的下端部63a或者第二杯部32的外壁部53上而被捕獲。因此， 能夠使含有SPM霧的氣體在第二排氣路徑P2流通的過程中氣液分離。被下 端部63a或者外壁部53捕獲的SPM通過內(nèi)側(cè)回收槽54導(dǎo)入到第一回收機(jī)構(gòu) 55中。
在從向晶片W供給SPM開始經(jīng)過規(guī)定的SPM處理時間時，控制裝置 80關(guān)閉SPM閥19，停止供給來自處理液噴嘴6的SPM。另外，驅(qū)動第一升 降機(jī)構(gòu)81，使第一防護(hù)裝置33上升到上方位置，與晶片W的周邊部相向地 形成第一廢液口 91 (參照圖5B)。另外，控制裝置80驅(qū)動噴嘴驅(qū)動機(jī)構(gòu)13， 使噴嘴臂ll的擺動停止，處理液噴嘴6停止在晶片W之上。
在與晶片W的周邊部相向地形成第一廢液口 91后，控制裝置80使晶片 W繼續(xù)保持旋轉(zhuǎn)，打開DIW閥21。由此，從處理液噴嘴6向旋轉(zhuǎn)中的晶片 W表面的中央部噴出DIW(S6:中間沖洗處理)。在進(jìn)行該中間沖洗處理中， 附著在晶片W表面的SPM被供給到晶片W表面上的DIW洗掉流走。然后， 向晶片W的周邊部流動的DIW從晶片W的周邊部向側(cè)方飛散，被第一廢液 口91捕獲，收集到廢液槽44中，并從廢液槽44通過廢液機(jī)構(gòu)45導(dǎo)入到廢 液處理設(shè)備中。
在進(jìn)行該中間沖洗處理時，有在晶片W的周邊殘留有SPM霧的擔(dān)心。 含有DIW霧及SPM霧的氣體從第一廢液口 91通過第一排氣路徑Pl排到排 氣口 37。在從向晶片W供給DIW開始經(jīng)過規(guī)定的中間沖洗時間時，控制裝置80 關(guān)閉DIW閥21，停止供給來自處理液噴嘴6的DIW。另外，控制裝置80打 開SC1閥20，向晶片W的表面噴出來自處理液噴嘴6的SC1 (S7: SC1處理)。
在該SC1處理中，控制裝置80控制噴嘴驅(qū)動機(jī)構(gòu)13，在規(guī)定的角度范 圍內(nèi)擺動噴嘴臂ll。由此，晶片W表面上的導(dǎo)入來自處理液噴嘴6的SC1 的供給位置，在從晶片W的旋轉(zhuǎn)中心至晶片W的周邊部的范圍內(nèi)， 一邊描 繪與晶片W的旋轉(zhuǎn)方向相交的圓弧狀的軌跡一邊往復(fù)移動。另外，供給到晶 片W表面上的SC1擴(kuò)展到整個晶片W表面。由此，SC1均勻地供給到整個 晶片W表面上。通過從處理液噴嘴6向晶片W表面供給SC1，利用SC1的 化學(xué)能力能夠除去附著在晶片W表面上的抗蝕層殘渣及顆粒等雜質(zhì)。由于向 晶片W表面供給SC1，所以會產(chǎn)生SC1霧。供給到晶片W表面上的SC1從
晶片w的周邊部向晶片w的側(cè)方飛散。
然后，從晶片W的周邊部飛散的SC1被第一廢液口91捕獲，收集到廢 液槽44中，從廢液槽44通過廢液機(jī)構(gòu)45導(dǎo)入到廢液處理設(shè)備中。
另外，含有SC1霧的氣體從第一廢液口 91通過第一排氣路徑P1排到排 氣口37。此時，氣體中含有的SC1霧在第一折回路徑96中流通的過程中， 附著在第一引導(dǎo)部61的下端部61a或者第一杯部31的外壁部43上而被捕獲。 因此，能夠使含有SC1霧的氣體在第一排氣路徑Pl中流通的過程中氣液分 離。
在從向晶片W供給SC1開始經(jīng)過規(guī)定的SC1處理時間時，控制裝置80 關(guān)閉SC1閥20，停止供給來自處理液噴嘴6的SC1。另外，控制裝置80驅(qū) 動噴嘴驅(qū)動機(jī)構(gòu)13,使噴嘴臂11的擺動停止，處理液噴嘴6停止在晶片W 之上。
進(jìn)一步，控制裝置80使晶片W繼續(xù)保持旋轉(zhuǎn)，打開DIW閥21。由此， 從處理液噴嘴6向旋轉(zhuǎn)中的晶片W表面的中央部噴出DIW (S8:中間沖洗 處理)。在該中間沖洗處理中，附著在晶片W表面上的SC1被供給到晶片 W表面上的DIW沖洗流走。然后，向晶片W的周邊部流動的DIW從晶片W 的周邊部向側(cè)方飛散而被第一廢液口 91捕獲，集中到廢液槽44中，從廢液 槽44通過廢液機(jī)構(gòu)45導(dǎo)入到廢液處理設(shè)備中。在進(jìn)行該中間沖洗處理時，有在晶片w的周邊殘留有SC1霧的擔(dān)心。
含有DIW霧及SC1霧的氣體從第一廢液口 91通過第一排氣路徑Pl排到排 氣口 37。
在從向晶片W供給DIW開始經(jīng)過規(guī)定的中間沖洗時間時，控制裝置80 驅(qū)動第一 第三升降機(jī)構(gòu)81、 82、 83，使第一 第三防護(hù)裝置33、 34、 35 下降到下方位置，第一引導(dǎo)部61的上端部61b、第二引導(dǎo)部63的上端部63b、 及第三防護(hù)裝置35的上端部35b配置在旋轉(zhuǎn)卡盤4所保持的晶片W的下方。 由此，在第三防護(hù)裝置35的上端部35b和第四防護(hù)裝置36的上端部36b之 間形成與晶片W的周邊部相向的開口 (第二廢液口)94(S9:最終沖洗處理， 參照圖5D)。
此時，在第一引導(dǎo)部61的上端部61b和第二引導(dǎo)部63的上端部63b之 間、第二引導(dǎo)部63的上端部63b和第三防護(hù)裝置35的上端部35b之間保持 極微小間隙的狀態(tài)(保持第一 第三防護(hù)裝置33、 34、 35相對的位置關(guān)系的 狀態(tài))下，使第一 第三防護(hù)裝置33、 34、 35同步地上升到上方位置。由此， 即使繼續(xù)通過旋轉(zhuǎn)卡盤4旋轉(zhuǎn)晶片W以及繼續(xù)供給DIW，也能夠防止從晶 片W飛散的DIW進(jìn)入到第一引導(dǎo)部61和第二引導(dǎo)部63之間，以及第二引 導(dǎo)部63和第三防護(hù)裝置35之間。
在第三防護(hù)裝置35的上端部35b和第四防護(hù)裝置36的上端部36b之間 形成了第二廢液口94的狀態(tài)(第二廢液狀態(tài))下，第一防護(hù)裝置33最接近 第一杯部31。因此，第一路徑T1的壓力損失如上述那樣比較大，所述第一 路徑Tl是通過第一引導(dǎo)部61的下端部61a和廢液槽44之間以及排氣桶30 內(nèi)至排氣口37的路徑。
另外，在該第二廢液狀態(tài)下，第一及第二防護(hù)裝置33、 34最接近第二杯 部32。因此，第二路徑T2的壓力損失如上述那樣比較大，所述第二路徑T2 是通過第一引導(dǎo)部61的上端部61b和第二引導(dǎo)部63的上端部63b之間、第 二引導(dǎo)部63的下端部63a和內(nèi)側(cè)回收槽54之間以及排氣桶30內(nèi)至排氣口 37的路徑。
進(jìn)一步，在第二廢液狀態(tài)下，第二及第三防護(hù)裝置34、 35互相最接近。 因此，第三路徑T3的壓力損失如上述那樣比較大，所述第三路徑T3是通過 第二引導(dǎo)部63的上端部63b和第三防護(hù)裝置35的上端部35b之間、第三防護(hù)裝置35的下端部35a和外側(cè)回收槽68之間以及排氣桶30內(nèi)至排氣口 37 的路徑。
另一方面，在排氣桶30內(nèi)形成第四排氣路徑P4，所述第四排氣路徑P4 是從第二廢液口 94通過第三防護(hù)裝置35的上端部35b和第四防護(hù)裝置36 的上端部36b之間至排氣口 37的路徑。該第四排氣路徑P4與其他的路徑Tl 、 T2、 T3相比較，壓力損失特別小。因此，當(dāng)排氣管38內(nèi)被強(qiáng)制性地排氣時， 從旋轉(zhuǎn)卡盤4和處理杯部5的內(nèi)邊部(第四防護(hù)裝置36的上端部36b)之間 被取入到處理杯部5內(nèi)的純凈空氣的下行氣流主要通過第四排氣路徑P4導(dǎo)入 到排氣口 37。由此，形成從保持在旋轉(zhuǎn)卡盤4上的晶片W的周邊通過第二 廢液口 94流入到第四排氣路徑P4的氣流。
在該最終沖洗處理中，供給到晶片W表面上的DIW擴(kuò)展到整個晶片W 表面，附著在晶片W表面上的藥液(例如SC1)被DIW沖洗流走。然后， DIW通過晶片W的旋轉(zhuǎn)被甩出，從其周邊部飛散到側(cè)方。從晶片W的周邊 部甩出飛散到側(cè)方的DIW被第二廢液口94捕獲。然后，DIW沿著第四防護(hù) 裝置36的內(nèi)壁及排氣桶30的側(cè)壁內(nèi)表面流下，收集到排氣桶30的底部，從 排氣桶30的底部通過廢液管40導(dǎo)入到廢液處理設(shè)備中。
此時，第一 第三防護(hù)裝置33、 34、 35在各上端部間保持極微小間隙的 狀態(tài)下接近，進(jìn)一步，第三防護(hù)裝置35的折回部35c與第二引導(dǎo)部63的上 端部63b在水平方向上重疊，第二引導(dǎo)部63的折回部63c與第一引導(dǎo)部61 的上端部61b在水平方向上重疊，因此能夠防止DIW進(jìn)入到第一引導(dǎo)部61 和第二引導(dǎo)部63之間以及第二引導(dǎo)部63和第三防護(hù)裝置35之間。
另外，含有DIW霧的氣體從第一廢液口 91通過第一排氣路徑Pl排到排 氣口 37。
在從開始供給DIW經(jīng)過規(guī)定的最終沖洗時間時，關(guān)閉DIW閥21,停止 向晶片W上供給DIW。另外，控制裝置80驅(qū)動噴嘴驅(qū)動機(jī)構(gòu)13，使處理液 噴嘴6返回到處理杯部5側(cè)方的退避位置。然后，控制裝置80將晶片W的 轉(zhuǎn)速加速到旋轉(zhuǎn)干燥(spin dry)轉(zhuǎn)速(例如3000rpm)。由此，附著在最終 沖洗處理后的晶片W表面上的DIW借助離心力甩出，從而晶片W表面被干 燥(S10:旋轉(zhuǎn)干燥處理)。在該旋轉(zhuǎn)干燥處理時，從晶片W的周邊部飛散 的DIW附著在第四防護(hù)裝置36的內(nèi)壁上。旋轉(zhuǎn)千燥結(jié)束后，控制裝置80控制馬達(dá)8，停止晶片W的旋轉(zhuǎn)(步驟 Sll)。另外，控制裝置80控制第四升降機(jī)構(gòu)84，將第四防護(hù)裝置36下降 到下方位置(圖2所示的狀態(tài))。然后，晶片W被未圖示的搬運(yùn)機(jī)械手搬出 (步驟S12)。
根據(jù)以上那樣的實施方式，對于通過旋轉(zhuǎn)卡盤4旋轉(zhuǎn)的晶片W，從處理 液噴嘴6供給到晶片W上的藥液(氫氟酸、SPM及SC1)從晶片W的周邊 部向側(cè)方飛散，被與晶片W的周邊部相向的捕獲口 (第一廢液口 91、第一 及第二回收口 92、 93)捕獲。另外，由于向晶片W供給來自處理液噴嘴6 的藥液，所以會在晶片W的周邊產(chǎn)生藥液霧。當(dāng)對排氣管38內(nèi)排氣時，含 有藥液霧的氣體從捕獲口91 93通過第一 第三排氣路徑P1、 P2、 P3移動 到排氣口37，通過排氣管38被排出。第一 第三排氣路徑P1、 P2、 P3形成 在排氣桶30內(nèi)，因此能夠防止或者抑制排氣桶30內(nèi)的含有藥液霧的氣體漏 出到排氣桶30外。
進(jìn)一步，在第一廢液口 91與晶片W的周邊部相向時，在排氣桶30內(nèi)形 成從第一廢液口 91至排氣口 37的第一排氣路徑P1。在第一回收口 92與晶 片W的周邊部相向時，在排氣桶30內(nèi)形成從第一回收口 92至排氣口 37的 第二排氣路徑P2。在第二回收口 93與晶片W的周邊部相向時，在排氣桶30 內(nèi)形成從第二回收口 93至排氣口 37的第三排氣路徑P3。在第二廢液口 94 與晶片W的周邊部相向時，在排氣桶30內(nèi)形成從第二廢液口 94至排氣口 37的第四排氣路徑P4。因此，在與晶片W的周邊部相向地開口有任一捕獲 口91、 92、 93、 94時，都能夠通過捕獲口 91、 92、 93、 94將含有藥液(氫 氟酸、SPM及SC1)霧的氣體排出。因此，經(jīng)由與晶片W的周邊部相向的 捕獲口 91、 92、 93、 94，晶片W周邊的含有藥液霧的氣體被排出，因此能 夠從晶片W的周邊高效地排除藥液霧。
另外，從第二回收口93流入到第三排氣路徑P3的氫氟酸霧，在第三排 氣路徑P3流通的過程中回收到外側(cè)回收槽68中，另外，從第一回收口 92 流入到第二排氣路徑P2的SPM霧，在第二排氣路徑P2流通的過程中回收到 外側(cè)回收槽54中。由此，能夠提高氫氟酸的回收效率及SPM的回收效率。
進(jìn)一步，在第一 第三防護(hù)裝置33、 34、 35和第一 第三杯部31、 32、 64之間的間隙形成的第一 第三排氣路徑P1、 P2、 P3具有第一 第三折回路徑96、 97、 98。因此，在第一 第三排氣路徑P1、 P2、 P3內(nèi)流通的氣體 中含有的藥液(SC1、 SPM及氫氟酸)霧，被劃分該第一 第三折回路徑96、 97、 98的第一 第三防護(hù)裝置33、 34、 35的壁表面或者第一 第三杯部31、 32、 64的壁表面捕獲。也就是說，能夠使晶片W周邊含有藥液的氣體在第 一 第三排氣路徑Pl、 P2、 P3內(nèi)流通的過程中氣液分離。由此，沒有必要 另外單獨(dú)地設(shè)置氣液分離器，因此能夠使降低成本。
更進(jìn)一步,處理室3內(nèi)的氣體通過形成在處理室3的側(cè)壁上的取入口 39， 被取入到排氣桶30內(nèi)，通過排氣管38被排出。因此，能夠省略處理室內(nèi)排 氣專用的設(shè)備，從而能夠使降低成本。
以上，對本発明的一實施方式進(jìn)行了說明，但本發(fā)明也能夠用其他的方 式實施。
例如，在上述的實施方式中，對實施使用SPM從晶片W的表面除去不 需要的抗蝕層的抗蝕層除去處理進(jìn)行了說明，但也可以實施利用其他處理液 (藥液或者沖洗液)對晶片W進(jìn)行的處理。此時，作為藥液，除了上述的氫 氟酸及SC1之外，能夠舉例SC2(鹽酸雙氧水混合液)、緩沖氫氟酸(Buffered HF:氫氟酸和氟化銨的混合液)等。
進(jìn)一步，在上述的實施方式中，以使用DIW作為沖洗液的情況為例進(jìn)行 了說明，但也能夠使用碳酸水、電解離子水、含氫水、磁化水或者稀釋濃度 (例如，大約lppm左右)的氨水等來代替DIW。
對本發(fā)明的實施方式進(jìn)行了詳細(xì)地說明，但這些不過是用于明確本發(fā)明 技術(shù)內(nèi)容的具體例子，本發(fā)明不應(yīng)該解釋為限定于這些具體的例子，本發(fā)明
的構(gòu)思及范圍僅由附加的權(quán)利要求書限定。
本申請對應(yīng)2008年6月27日向日本專利局提出的特愿2008 — 168414 號，通過在此引用形成本申請的全部公開。
權(quán)利要求
1.一種基板處理裝置，其特征在于，包括基板保持單元，其用于將基板保持為水平；基板旋轉(zhuǎn)單元，其使所述基板保持單元所保持的基板圍繞鉛直的旋轉(zhuǎn)軸線進(jìn)行旋轉(zhuǎn)；處理液供給單元，其用于對由所述基板旋轉(zhuǎn)單元旋轉(zhuǎn)的基板供給處理液；有底筒狀的排氣桶，其具有排氣口，并在內(nèi)部容置所述基板保持單元；多個防護(hù)裝置，其容置在所述排氣桶內(nèi)，互相能夠獨(dú)立地進(jìn)行升降；排氣路徑形成單元，其通過使所述防護(hù)裝置升降，與所述基板保持單元所保持的基板的周邊部相向地形成用于捕獲從基板飛散的處理液的捕獲口，并且形成從所述捕獲口至所述排氣口的排氣路徑；排氣管，其連接在所述排氣口上，用于將所述排氣桶內(nèi)的氣體經(jīng)所述排氣口排出。
2. 如權(quán)利要求l所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述排氣路徑形成單元形成的所述排氣路徑的壓力損失小于其他路徑的壓力損失，所述其他路徑是從所述基板保持單元所保持的基板的周邊部不 經(jīng)由所述排氣路徑而至所述排氣口的路徑。
3. 如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于， 該基板處理裝置還與所述各防護(hù)裝置對應(yīng)地具有杯部，所述杯部用于使所述各防護(hù)裝置所擋住的處理液積存，所述各防護(hù)裝置包括向所述杯部弓I導(dǎo)處理液的引導(dǎo)部， 所述排氣路徑包括折回路徑，所述折回路徑形成于所述杯部與所述引導(dǎo)部之間的間隙中。
4. 如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于， 該基板處理裝置還包括用于容置所述排氣桶的處理室， 在所述排氣桶的側(cè)壁上形成有取入口 ，所述取入口用于將所述處理室內(nèi)的所述排氣桶外的氣體取入到所述排氣桶內(nèi)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種基板處理裝置，該基板處理裝置包括基板保持單元，其用于將基板保持為水平；基板旋轉(zhuǎn)單元，其使所述基板保持單元所保持的基板圍繞鉛直的旋轉(zhuǎn)軸線進(jìn)行旋轉(zhuǎn)；處理液供給單元，其用于對由所述基板旋轉(zhuǎn)單元旋轉(zhuǎn)的基板供給處理液；有底筒狀的排氣桶，其具有排氣口，并在內(nèi)部容置所述基板保持單元；多個防護(hù)裝置，其容置在所述排氣桶內(nèi)，互相能夠獨(dú)立地進(jìn)行升降；排氣路徑形成單元，其通過使所述防護(hù)裝置升降，與所述基板保持單元所保持的基板的周邊部相向地形成用于捕獲從基板飛散的處理液的捕獲口，并且形成從所述捕獲口至所述排氣口的排氣路徑；排氣管，其連接在所述排氣口上，用于將所述排氣桶內(nèi)的氣體經(jīng)所述排氣口排出。
文檔編號H01L21/00GK101615567SQ20091012823
公開日2009年12月30日 申請日期2009年3月18日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月27日
發(fā)明者井上一樹, 大橋泰彥, 澤島隼 申請人:大日本網(wǎng)屏制造株式會社