專利名稱：處理裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及在處理容器內(nèi)以包圍例如FPD(平板顯示器Flat Panel Display)用的玻璃基板等被處理體的方式設置整流部件，并向該處理 體供給處理氣體進行處理的技術。
背景技術：
在LCD (Liquid Crystal Display:液晶顯示器)的制造工序中，存 在對在玻璃基板上形成的鋁(Al)膜實施例如蝕刻處理的工序。進行 該工序的蝕刻處理裝置，例如圖17所示，包括真空腔室l;用于載 置作為被處理體的例如FPD基板S (以下簡稱為基板S)的載置臺11; 用于向該載置臺11上的基板S供給蝕刻氣體例如氯氣(Cl2)類氣體的 處理氣體供給部12。而且，從處理氣體供給部12向載置臺11上的基 板S供給蝕刻氣體，并且從排氣路13對真空腔室1內(nèi)進行真空排氣， 從高頻電源14向載置臺11施加高頻電力使蝕刻氣體等離子體化，通 過該等離子體對基板S的表面的鋁膜進行蝕刻處理。
但是，在這種鋁膜的蝕刻中，蝕刻速度(反應速度)，蝕刻氣體供 給量成為律速，即與蝕刻氣體供給量成比例地變快。因此，如圖18所 示，例如在基板S的周邊區(qū)域15，被蝕刻膜即鋁膜所占的比例比中央 區(qū)域16少，因此，作為眾所周知的負載效應(loading effect),供給到 該周邊區(qū)域15的鋁膜的蝕刻氣體比供給到中央?yún)^(qū)域16的鋁膜的蝕刻 氣體多，因而與中央?yún)^(qū)域16相比較快地進行蝕刻。
為了抑制這樣的負載效應，如圖17和圖19 (a)所示，通過設置 包圍基板S周圍的整流部件17，在基板S的周邊區(qū)域15形成氣體滯留， 抑制向上述周邊區(qū)域15的蝕刻氣體供給量，提高基板S的面內(nèi)的蝕刻 速度的均一性。該整流部件17以沿基板S各邊配置由橫長矩形狀的板 狀體構成的4個整流壁171，整體形狀為正方形的方式組合構成。另外， 例如在這4個之中的相對的2個整流壁171的側(cè)面以向載置臺11的外部延伸的方式設置有突出部172，通過用升降機構18使與該突出部172 的下面連接的支承軸181升降，如圖19 (b)所示，能夠在對基板S 進行搬入、搬出時升降整個整流部件17。此外，在基板S是大型基板 例如基板S的一邊是2m左右的情況下，該整流壁171構成為將長度尺 寸L是例如lm左右的2個板狀體在長度方向上連接。
在這里，由于這樣的整流壁171接觸蝕刻氣體的等離子體，所以 相對于等離子體必須具有高耐性，另外，為了避免對向載置臺ll施加 的高頻電力造成惡劣影響，必須具有高電絕緣性。因此，該整流壁171 由陶瓷例如氧化鋁(A1203)等構成。這樣的陶瓷通常由作為致密燒結(jié) 體的標準陶瓷構成，因此，表面如圖20所示極為平滑，表面粗糙度 Ra例如是l.Opm左右。但是，如圖21 (a)所示，例如氯氣和鋁反應 會生成生成物(反應生成物)。該生成物與未反應的蝕刻氣體等一起流 向基板S的外周側(cè)，如果到達整流部件17的內(nèi)壁，則會越過該整流部 件17被排放到上述排氣路13。在這里，在該生成物接觸整流壁171 的內(nèi)壁的情況下，如圖21 (b)所示，有時會作為堆積物附著在該內(nèi)壁 上。由于整流壁171的表面平滑，所以該堆積物與作為基材的氧化鋁 燒結(jié)體之間的緊貼力薄弱因而容易剝落，變成顆粒而成為基板S表面 的圖案不良等的原因。
因此，也可以嘗試預先通過例如噴砂處理破壞整流壁171的表面 (粗糙面化)來增加整流壁171的表面積，通過固著(榫接)效應(anchor effect)增強整流壁171和堆積物之間的緊貼力，抑制堆積物脫落。但 是，由于氧化鋁燒結(jié)體非常堅硬，表面粗糙度Ra只能粗糙化到5 6pm 左右。以這種程度的粗糙面不能充分防止堆積物的脫落，此外，利用 噴砂處理有可能導致整流壁171彎曲、變形或破裂。
另一方面，作為同樣使整流壁171粗糙化的手法，已知有例如噴 鍍陶瓷的方法，但是，通過該方法也不能得到充分抑制堆積物脫落的 程度的粗糙面，而且由于增設了噴鍍工序，也會導致成本上升。
在專利文獻1及專利文獻2中記載了以下技術在利用等離子體 的裝置中，使用多孔體作為覆蓋晶片周邊的物質(zhì)或密封板。專利文獻3 記載了在蝕刻裝置中，在密封環(huán)、聚焦環(huán)上形成粗糙面的技術。但是 均未探討關于上述整流 171的課題。
5專利文獻1:日本特開昭61-276322 (第二頁右欄第6行 第9行) 專利文獻2:日本特開2002-217172 (0017段) 專利文獻3:日本特開2004-289003 (0021段)

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于這樣的情況而完成的，其目的在于提供一種在被處 理體的周圍設置用于抑制負載效應的整流部件并利用處理氣體進行處 理的處理裝置中，能夠抑制附著在整流部件上的堆積物脫離并降低被 處理體的顆粒污染的處理裝置。
本發(fā)明的處理裝置，其特征在于，包括 設置在處理容器的內(nèi)部，用于載置被處理體的載置臺； 用于從上述載置臺上方側(cè)供給處理被處理體的處理氣體的處理氣 體供給單元；
用于排出上述處理容器內(nèi)的氣氛的氣體排出部；和 以包圍所述載置臺上的被處理體的方式設置的整流部件， 上述整流部件的至少處理氣氛側(cè)的表面部由多孔體構成。 上述整流部件也可以由比上述多孔體強度大的支承部件支承。另 外，上述整流部件也可包括由多孔體構成的整流壁。
上述支承部件優(yōu)選為，與上述整流壁卡合以承受上述整流壁的自重。
上述整流壁可以在長度方向上被分割，在這種情況下，相互鄰接
的分割部分之間由比多孔體強度大的連結(jié)部件連結(jié)，
優(yōu)選該連結(jié)部件與該整流壁卡合以承受上述整流壁的自重。 上述連結(jié)部件也可以跨越相鄰的分割部分，嵌入上述分割部分的內(nèi)部。
上述整流部件也可以由比多孔體強度大的主體部分，和層積在該 主體部分的處理氣氛側(cè)的多孔體構成。在這種情況下，優(yōu)選多孔體構 成為從上述主體部分裝卸自如。
優(yōu)選上述多孔體由多孔陶瓷構成。
優(yōu)選上述支承部件、上述連結(jié)部件或上述主體部分由陶瓷構成。 另外，上述處理裝置也可以包括使上述支承部件通過升降軸升降
6的升降機構。
根據(jù)本發(fā)明，在被處理體周圍設置用于抑制負載效應的整流部件 并通過處理氣體進行處理的處理裝置中，該整流部件中的至少處理氣 氛側(cè)的表面部由多孔體構成。因此，即使由被處理體的處理生成的生 成物附著、堆積在整流部件上，由于整流部件表面成為極為粗糙的面 的狀態(tài)，所以堆積物和整流部件的緊貼力大，因而能夠抑制該堆積物 的脫離，并能夠降低被處理體的顆粒污染。


圖1是表示本發(fā)明的蝕刻處理裝置的一個例子的縱向截面圖。
圖2是表示上述蝕刻處理裝置的水平截面圖。
圖3是表示上述蝕刻處理裝置中的整流部件的一個例子的立體圖。
圖4是放大表示構成上述整流部件的整流壁表面的模式圖。
圖5是表示支承上述整流部件的支承部件的一個例子的說明圖。
圖6是表示連接上述整流壁之間的連接部的一個例子的說明圖。
圖7是表示上述蝕刻處理裝置的作用的縱向截面圖。
圖8是表示在上述蝕刻處理裝置中進行蝕刻處理時的狀態(tài)的模式圖。
圖9是表示上述整流壁的其它例子的縱向截面圖。
圖IO是表示上述整流壁的其它例子的縱向截面圖。
圖11是表示上述整流壁的其它例子的縱向截面圖。
圖12是表示上述整流壁的其它例子的說明圖。
圖13是表示上述連接部的其它例子的縱向截面圖。
圖14是表示上述連接部的其它例子的縱向截面圖。
圖15是表示上述連接部的其它例子的說明圖。
圖16是表示上述連接部的其它例子的水平截面圖。
圖17是表示現(xiàn)有的蝕刻處理裝置的縱向截面圖。
圖18是用于說明現(xiàn)有的負載效應的基板的平面圖。
圖19是表示現(xiàn)有的蝕刻處理裝置的作用的立體圖。
圖20是表示上述現(xiàn)有的蝕刻處理裝置中的整流部件的表面的縱向截面圖。
圖21是表示上述現(xiàn)有的蝕刻處理的作用的模式圖。符號說明
S FPD基板(基板)
2 蝕刻處理裝置
3 載置臺
5 整流部件 20處理容器 24排氣路 40氣體噴淋頭 51整流壁 52固定部件 53支承部件 56突出部 57連結(jié)部件 59突出部
具體實施例方式
以下參照圖1 圖6說明本發(fā)明實施方式的處理裝置的一個例子。 圖1的縱向截面所示的蝕刻處理裝置2是對被處理體例如作為FPD (Flat Panel Display)基板的方形基板S的表面形成的鋁(Al)膜進行 蝕刻處理的裝置，包括作為真空腔室的方形處理容器20。該處理容器 20例如由鋁等的熱傳導性和導電性良好的材質(zhì)構成。在該處理容器20 的側(cè)壁部21的一面?zhèn)龋纬捎杏糜趯⒒錝搬入處理容器20內(nèi)的搬 入搬出口22，該搬入搬出口22構成為通過閘閥23開閉自如。此外， 處理容器20接地。
在處理容器20內(nèi)部配置有作為下部電極的載置臺3，在上述載置 臺3的上表面載置例如長度為2.5m左右的方形基板S。該載置臺3與 等離子體發(fā)生用的第一高頻電源部311以及引入等離子體中的離子用 的第二高頻電源部312電連接，使處理容器20內(nèi)發(fā)生等離子體，將該 等離子體中的離子引入至基板S表面。該載置臺3通過絕緣部件32配 設在處理容器20的底面上，由此處于從處理容器20電浮起的狀態(tài)。
另外，載置臺3上表面的周邊部及側(cè)面和絕緣部件32的側(cè)面，例如被由陶瓷材料等構成的聚焦環(huán)33覆蓋。該聚焦環(huán)33例如用于將載 置臺3上方的等離子體聚集在基板S上，提高基板S面內(nèi)的蝕刻速度。
進而，在載置臺3上形成有升降銷34突出沒入的貫通孔34a，貫 通孔34a用于在與蝕刻處理裝置2外部設置的未圖示的基板搬送裝置 之間進行基板S的交接。在處理容器20的下方位置設置有與該升降銷 34連接的升降機構35，該升降銷34構成為在通過升降機構35在與上 述搬送單元之間進行基板S的交接的上位置和在載置臺3上載置基板S 的下位置之間升降。
在處理容器20內(nèi)的載置臺3的上方，以與該載置臺3對置的方式 設置有例如由鋁構成的角板狀的氣體噴淋頭40作為處理氣體供給單 元。該氣體噴淋頭40由固定在處理容器20的頂壁上、下側(cè)開口為矩 形的上部電極基座41 ，和以阻塞該上部電極基座41的開口部的方式設 置在該上部電極基座41的下表面的平板狀上部電極4構成，處于與處 理容器20電導通的狀態(tài)。由這些上部電極基座41及上部電極4所圍 成的空間，構成蝕刻氣體的氣體擴散空間42。在該上部電極4上形成 有多個氣體供給孔45，另外在上部電極基座41上表面的中央位置上， 以與氣體擴散空間42連通的方式，通過處理容器20的頂壁與處理氣 體供給路43的一端側(cè)連接。在該處理氣體供給路43的另一端側(cè)，連 接有滯留處理氣體例如氯氣(Cl2)類氣體等的蝕刻氣體的處理氣體供 給部44。
在處理容器20的底面上，以包圍載置臺3周圍的方式，在多處連 接有作為氣體排氣部的排氣路24的一端側(cè)，在該排氣路24的另一端 側(cè)連接有未圖示的真空泵。
此外，本發(fā)明的蝕刻處理裝置2具備用于抑制上述負載效應的整 流部件5。以下對該整理部件5進行詳細敘述。
整流部件5，如圖2和圖3所示，構成為由例如高度尺寸H、寬度 尺寸W和長度尺寸L分別為5cm、 lcm、 250cm的板狀體構成的帶狀 的4個整流壁51分別沿著基板S的4邊配置，通過該整流部件5在基 板S的上方區(qū)域形成處理氣氛。關于上述4個整流壁51，例如按順時 針排列看，通過依次采取在從一個整流壁51的前端起稍微靠近中央的 側(cè)面抵接下一個(鄰接)端面這樣的連接方式，整體形狀構成四邊形
9的框狀，各整流壁51的一端側(cè)的前端部分呈突出狀態(tài)。而且，在由一 個整流壁51中的突出的部分和下一個整流壁51的端部所形成的L字 形部分中，使跨越兩整流壁51的側(cè)面的L字形的固定部件52從上述 整流部件5的外側(cè)適當配合，將該固定部件52的L字形的一方的部分 和一方的整流壁51的側(cè)面從固定部件52側(cè)通過螺栓52a進行固定， 并且將上述固定部件52的L字形的另一方的部分和下一個整流壁51 的端部的側(cè)面從固定部件52側(cè)通過螺栓52a固定，這樣就將相互鄰接 的整流壁51彼此連接起來。
該整流壁51，是由作為例如氣孔率為10% 50%的絕緣體的陶瓷 構成的多孔體例如多孔氧化鋁(A1203)等構成，因此表面的凹凸，如 圖4所示，為50pm 6(Vm左右。另一方面，固定部件52是由作為比 整流壁51密度高(強度大)的陶瓷例如所謂的標準陶瓷的通常的致密 燒結(jié)體例如氧化鋁等構成。
從搬入搬出口 22看載置臺3側(cè)，在左右的整流壁51的外表面(與 處理容器20的側(cè)壁部21相對的面)上，沿著該整流壁51的長度方向 分離設置有用于支承整流壁51的兩個支承部件53。該支承部件53， 從整流壁51的外側(cè)分別通過例如螺栓54等固定在該整流壁51上。該 支承部件53的平面形狀大致呈T字形，以凸部53a從整流壁51向側(cè) 壁部21在水平方向上延伸的方式，在該凸部53a的兩側(cè)位置上固定在 整流壁51上。另外，該支承部件53和上述固定部件52同樣，由比整 流壁51強度強的陶瓷例如通常的致密燒結(jié)體例如氧化鋁等構成。
在由上述支承部件53支承的位置上的整流壁51的下端部，從外 表面?zhèn)缺磺懈畛删匦?，如圖5所示，從支承部件53的下端部水平突出 的突出部56進入該切口部51a而成為兩者相互卡合的狀態(tài)。并且，該 支承部件53構成為在該突出部56上處于承接整流壁51的自重的狀態(tài) 下，通過上述螺栓54與整流壁51固定。因此，整流壁51避免該整流 壁51的自重集中施加于由螺栓54的固定部位上，因此防止以固定部 位作為基點而破裂。此外，在上述圖1中，為方便起見，將該支承部 件53的位置表示為離開載置臺3外側(cè)。
在該支承部件53的凸部53a的下表面?zhèn)?，分別兼用作升降整流壁 51的升降軸的支承軸55的一端側(cè)通過該凸部53a由螺栓55a固定。如上述圖1所示，該支承軸55貫通處理容器20的底面，該支承軸55的 另一端側(cè)通過升降板62與設置在處理容器20外部的升降機構61連接。 并且，通過升降機構61使支承軸55升降，能夠在載置臺3上整流部 件5下端所接觸的下位置以及通過該整流部件5的下端側(cè)和載置臺3 之間的間隙進行基板S的搬入搬出的上位置之間使整流部件5整體升 降。此外，為了保持處理容器20內(nèi)的氣密性，在處理容器20的下端 面和升降板62之間設置有波紋管63以覆蓋支承軸55。
另外，在該例子中，如上所述，由于整流壁51的長度尺寸L長， 所以該整流壁51，例如在長度方向上被分割成2個(整流壁511、 512)， 在該連結(jié)部分中的整流壁511、 512的大致中央部，如圖6所示，從外 表面?zhèn)缺磺懈畛删匦危纬汕锌诓?1b。該整流壁51通過被配置成跨 越連結(jié)部分中的整流壁511、 512的例如由致密陶瓷如氧化鋁等構成的 板狀連結(jié)部件57連結(jié)。并且，從連結(jié)部件57的中央部水平突出的突 出部59進入上述切口部51b而成為相互卡合的狀態(tài)。因此，該連結(jié)部 件57，與上述支承部件53同樣，在該突出部59中承受整流壁51的自 重的狀態(tài)下，從連結(jié)部件57側(cè)通過螺栓58a與該整流壁51固定而構 成。
此外，關于上述固定部件52，也與上述支承部件53、連結(jié)部件57 同樣，形成有未圖示的突出部，在該突出部中承受整流壁51的重量的 狀態(tài)下通過螺栓52a固定。
另外，如上述圖l所示，在蝕刻處理裝置2上連接有控制部7?？?制部7例如由具備未圖示的CPU、存儲器以及程序等的計算機等構成， 在該程序中編入該蝕刻處理裝置2的作用，即與將基板S搬入處理容 器20內(nèi)、在載置臺3上對基板S進行蝕刻處理，之后從處理容器20 內(nèi)搬出基板S的動作相關的控制等的步驟(命令)群。該程序被存儲 于例如硬盤、光盤、MO光盤、存儲卡等存儲介質(zhì)，并從該存儲介質(zhì)安 裝到計算機中。
其次，以下對本發(fā)明的蝕刻處理裝置2的作用進行說明。首先， 如圖7 (a)所示，使整流部件5上升至上位置，開放閘閥23。然后， 通過整流部件5和載置臺3之間的間隙，借助未圖示的搬送單元將表 面形成有鋁膜的基板S搬入處理容器20內(nèi)，并將該基板S搬送至載置臺3上方側(cè)的交接位置。接著，用升降銷34接住基板S，通過使搬送 單元從處理容器20中退出并降下升降銷34從而將基板S載置到載置 臺3上。然后，關閉搬入搬出口22，并使整流部件5下降至下位置(圖 7 (b))。
并且，通過未圖示的真空泵將處理容器20內(nèi)調(diào)整至規(guī)定的真空度， 并且從處理氣體供給部44通過氣體擴散空間42及氣體供給孔45向載 置臺3上的基板S噴出蝕刻氣體例如氯氣。另外，從高頻電源部311、 312向載置臺3供給高頻電力，在基板S上方的空間形成蝕刻氣體的等 離子體，并將該等離子體引向基板S側(cè)。該蝕刻氣體的等離子體到達 基板S后，主要基于以下(1)式與基板S表面的鋁膜反應。
3C1*+A1—A1C13...... (1)
作為通過該反應生成的生成物的氯化鋁(A1C13)，和未反應的蝕刻 氣體等一起傳向基板S的表面，同時向周緣區(qū)域側(cè)流去。并且，由于 這些生成物和未反應的蝕刻氣體在到達包圍基板S周圍的整流壁51時 被上述整流壁遮斷流動，所以在該整流壁51的內(nèi)側(cè)區(qū)域，即基板S的 周緣區(qū)域形成了氣體滯留。因此，由于在基板S的周緣區(qū)域蝕刻氣體 的流速變慢，所以與中央?yún)^(qū)域相比在基板S的周緣區(qū)域蝕刻氣體的供 給量受到更大抑制，這樣，負載效應受到抑制。因此，在基板S表面 內(nèi)，蝕刻處理以均一的蝕刻速度進行下去。
并且，在整流壁51的內(nèi)側(cè)形成的氣體滯留，如圖8 (a)所示，其 后越過整流壁51通過聚焦環(huán)33 (載置臺3)和處理容器20的側(cè)壁部 21之間的空間向排氣路24排氣。此時，如果包含在氣體滯留中的上述 生成物接觸到整流壁51，則作為堆積物100有時會堆積在該整流壁51 的表面，如圖8 (b)所示，該整流壁51由多孔體構成，因此在表面形 成有很大的凹凸。因而，該堆積物100通過氣體的流動被壓入整流壁 51的表面的凹部內(nèi)，通過固著(榫接)效應與該整流壁51的表面牢固 地貼緊。并且，以填滿整流壁51表面凹部的方式，生成物作為堆積物 100依次與上述整流壁51貼緊。結(jié)果，蝕刻處理在該堆積物100的脫
落受到抑制的狀態(tài)下進行下去。
其后，進行蝕刻處理，直到經(jīng)過所定時間，然后停止供給蝕刻氣 體和高頻電力，并對處理容器20內(nèi)進行真空排氣，以與搬入時相反的順序從處理容器20內(nèi)搬出基板S。
根據(jù)上述實施方式，在處理容器20內(nèi)的基板S周圍設置有用于抑 制負載效應的整流部件5的蝕刻裝置2中，由多孔體構成形成整流部 件5的整流壁51。因此，即使通過蝕刻處理生成的生成物作為堆積物 堆積在該整流壁51上，由于該整流壁51的表面成為極為粗糙的面的 狀態(tài)，所以該堆積物100緊緊吸附在整流壁51上，從而能夠抑制該堆 積物100的脫離。因此，能夠抑制顆粒等對基板S的污染。
另外，如上所述，對整流壁51的表面粗糙化時，沒有進行上述噴 砂處理，因此，不會產(chǎn)生起因于該處理的整流壁51的彎曲、變形、破 裂等。此外，由于沒有進行陶瓷的噴鍍等，因此不用增加多余的工程 就能夠得到表面狀態(tài)粗糙的整流壁51。
此外，作為整流壁51，在使用多孔體這種強度較弱的材料時，如 上所述，在支承部件53、連結(jié)部件57及固定部件52上設置突出部， 在該突出部上以承受整流壁51的自重的狀態(tài)通過螺栓固定整流壁51。 因此，該整流壁51的重量沒有集中施加在通過螺栓的固定部位上，整 流壁51能夠抑制以該固定部位為基點的破裂等的發(fā)生。
因此，在上述例子中，整個整流壁51都是通過多孔氧化鋁構成的， 但是其表面部由多孔體構成，內(nèi)部也可由普通的陶瓷構成。圖9表示 了上述例子，絕緣體例如氧化鋁等致密的燒結(jié)體即由陶瓷構成的板狀 主體部分102的露出面中，除下表面之外的其它表面上層積有與上述 整流壁51相同材質(zhì)的多孔體，接合例如由多孔體構成的薄板101，構 成整流壁51。在該情況下，薄板101和主體部分102，通過例如粘合 劑和未圖示的螺栓等加以固定。這樣，通過在整流壁51的表面部相對 于主體部分102裝卸自如地設置由多孔體構成的薄板IOI，例如進行用 于除去在整流壁51的表面上堆積的堆積物100的維護時，只需更換薄 板101即可，因此，具有簡化整流壁51的處理作業(yè)，提高維護性能等 優(yōu)點。
另外，上述堆積物100有特別容易堆積在處理氣氛側(cè)(整流壁51 圍成的空間側(cè))的傾向，因此如圖10所示，即使在與基板S相對的表 面的相反側(cè)的表面(與處理容器20的側(cè)壁部21相對的面)上不設置 薄板101也可以，或者如圖11所示，在整流壁51的上面不設置薄板101也可以。這樣，在發(fā)明中，通過由多孔體構成整流壁51的至少 處理氣氛側(cè)的表面，能夠得到上述效果。此外，即使整流壁51的處理 氣氛側(cè)的整個表面不由多孔體構成，例如圖12所示，也可從上述相對 的面上的外緣使內(nèi)側(cè)區(qū)域矩形凹陷而形成凹部，在該凹部嵌入板狀薄 板101。
另外，在支承部件53的下端側(cè)形成突出部56，但是，如圖13所 示，也可在中央附近形成。另外，也可在支承部件53的上端側(cè)形成突 出部56，或者如圖14所示，例如整流壁51的強度強時，也可不形成 突出部56。此外，在長度方向上分割整流壁51時，關于分割部分的連結(jié)方法， 如圖15、圖16所示，跨越被分割的整流壁511、 512嵌入例如由致密 的燒結(jié)體構成的氧化鋁等的陶瓷構成的芯材103，也可用該芯材103 承受整流壁51 (511、 512)的自重。在該例子中，在被分割的整流壁 511、 512的接合端面上，芯材103緊密嵌入矩形的凹部104沿著上述 整流壁511、 512的長度方向形成，在整流壁511、 512的外側(cè)面上形 成有比使用的螺栓58a大一周的貫通孔105。并且，通過該貫通孔105 從連結(jié)部件57側(cè)利用螺栓58a固定該連結(jié)部件57和芯材103。在利用 上述芯材103承受整流壁51 (511、 512)的自重的狀態(tài)下，該整流壁 51被固定。此外，關于該圖15、圖16，螺栓58a的數(shù)量只是為了方便 理解之用。
此外，在上述例子中，通過螺栓52a、 54、 58a固定整流壁51，但 也可以通過粘合劑等進行粘合。
另外，在上述例子中，整流壁51、固定部件52、支承部件53及 連結(jié)部件57由氧化鋁構成，但作為上述部件可以使用陶瓷例如氮化硅 (Si3N4)等和石英(Si02)等，在進行等離子體處理的情況下優(yōu)選是 絕緣體。作為固定部件52、支承部件53及連結(jié)部件57，只要是比整 流壁51的強度大的材質(zhì)就行。
另外，在上述例子中，各邊的整流壁51在長度方向上被分割，但 即使不被分割也可以。
此外，采用在整流部件5上連接支承軸55以便能夠升降該整流部 件5的結(jié)構，但也可使該整流部件5固定在載置臺3上，通過該整流部件5的上方位置進行基板S的搬送，或者在整流壁51的高度方向的 中間位置上形成未圖示的搬送口，通過該搬送口進行基板S的搬送。
此外，在上述例子中對鋁膜的蝕刻處理進行了說明，但鋁膜以外 的蝕刻處理，或者成膜處理等，不管有無負載效應，對產(chǎn)生生成物等 附著物的處理也可適用本發(fā)明的處理裝置。另外，作為被處理體，除 方形基板S以外，對于圓形的基板例如半導體晶片也可適用本發(fā)明。
權利要求
1.一種處理裝置，其特征在于，包括設置在處理容器的內(nèi)部，用于載置被處理體的載置臺；用于從所述載置臺的上方側(cè)供給對被處理體進行處理的處理氣體的處理氣體供給單元；用于排出所述處理容器內(nèi)的氣氛的氣體排出部；和以包圍所述載置臺上的被處理體的方式設置的整流部件，所述整流部件的至少處理氣氛側(cè)的表面部由多孔體構成。
2. 如權利要求l所述的處理裝置，其特征在于 所述整流部件由比所述多孔體強度大的支承部件支承。
3. 如權利要求2所述的處理裝置，其特征在于 所述整流部件包括由多孔體構成的整流壁。
4. 如權利要求3所述的處理裝置，其特征在于 所述支承部件與該整流壁卡合以承受所述整流壁的自重。
5. 如權利要求3或4所述的處理裝置，其特征在于 所述整流壁在長度方向上被分割，相互鄰接的分割部分之間由比多孔體強度大的連結(jié)部件連結(jié)，所述連結(jié)部件與該整流壁卡合以承受所述整流壁的自重。
6. 如權利要求5所述的處理裝置，其特征在于所述連結(jié)部件跨越相互鄰接的分割部分之間，嵌入該分割部分的 內(nèi)部。
7. 如權利要求1或2所述的處理裝置，其特征在于 所述整流部件由比多孔體強度大的主體部分，和配置在所述主體部分的處理氣氛側(cè)的多孔體構成。
8. 如權利要求7所述的處理裝置，其特征在于 所述多孔體構成為從所述主體部分裝卸自如。
9. 如權利要求1 4中任一項所述的處理裝置，其特征在于-所述多孔體由多孔陶瓷構成。
10. 如權利要求2 4中任一項所述的處理裝置，其特征在于: 所述支承部件由陶瓷構成。
11. 如權利要求5所述的處理裝置，其特征在于所述連結(jié)部件由陶瓷構成。
12. 如權利要求7所述的處理裝置，其特征在于所述主體部分由陶瓷構成。
13. 如權利要求2 4中任一項所述的處理裝置，其特征在于:包括使所述支承部件通過升降軸升降的升降機構。
全文摘要
本發(fā)明提供一種處理裝置。在內(nèi)部具備以包圍基板的方式配置的用于抑制方形基板的周邊區(qū)域的負載效應的整流部件的載置臺中，當對該基板進行蝕刻處理時，抑制由該蝕刻處理生成的生成物所造成的基板污染。在以包圍基板的方式設置的整流部件的至少與該基板相對的面上配置多孔體。并且，通過使由基板蝕刻處理生成的生成物吸附在該多孔體的表面，提高生成物和整流部件的緊貼強度，抑制該生成物的脫落。
文檔編號H01L21/00GK101615574SQ200910149488
公開日2009年12月30日 申請日期2009年6月25日 優(yōu)先權日2008年6月25日
發(fā)明者佐佐木芳彥, 南雅人 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社