專利名稱：減少接觸電阻影響的測(cè)試焊點(diǎn)設(shè)計(jì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明通常涉及到集成電路的制造，尤其涉及到晶片的驗(yàn)收測(cè)試，更 加涉及到減少測(cè)試焊點(diǎn)的接觸電阻的影響。
背景技術(shù)：
集成電路(IC)制造商正在以日益減小的尺寸和相應(yīng)的技術(shù)，來(lái)制造 較小的、高速度的半導(dǎo)體器件。隨同這些要求的提升，維持產(chǎn)量和生產(chǎn)能 力的^兆戰(zhàn)也已經(jīng)增加。
半導(dǎo)體晶片通常包括通過(guò)劃片槽相互分隔開管芯(或芯片)。在晶片
里的各芯片包括電路，并且，管芯用踞分割，然后，單獨(dú)封裝。在半導(dǎo)體 制造工藝中，在晶片(例如，集成電路)上的半導(dǎo)體器件，必須按照選定 的規(guī)定步驟或者在結(jié)束時(shí)進(jìn)行測(cè)試，以保持和確保器件的質(zhì)量。通常，測(cè) 試電路隨同實(shí)際的器件在晶片上同時(shí)制造。典型的測(cè)試方法提供多個(gè)測(cè)試 焊點(diǎn)(通常稱為工藝控制監(jiān)視焊點(diǎn)，或者PCM焊點(diǎn))，測(cè)試焊點(diǎn)位于表面 的劃片槽上。選取測(cè)試焊點(diǎn)以測(cè)試晶片的不同的性能，例如電壓、驅(qū)動(dòng)電 流、泄漏電流等。
圖1說(shuō)明測(cè)試線10，其可以被形成在晶片的劃片槽中，并且，可以包 括比圖1中所示的更多或更少的測(cè)試焊點(diǎn)(即TPI到TPIO)。測(cè)試焊點(diǎn) TP1到TP10的每一個(gè)被連接到將要被探測(cè)的器件的節(jié)點(diǎn)(或電路)。例如，測(cè)試焊點(diǎn)TP1到TP4可以被用于探測(cè)連接到晶體管的源、漏、柵和襯底。
部分測(cè)試方案被表示在圖2中，其被用于測(cè)試(探測(cè))晶體管22。晶 體管22的漏24被連接到測(cè)試焊點(diǎn)TP1。傳感-測(cè)量-裝置(SMU) 12，通 過(guò)用節(jié)點(diǎn)14標(biāo)記的探針，被連接到測(cè)試焊點(diǎn)TP1。電阻Rc表示在探針和 測(cè)試焊點(diǎn)TP1之間的接觸電阻。SMU12具有被連接到放大器18的輸出的 施加節(jié)點(diǎn)16，以及被連接到放大器18的負(fù)輸入的傳感節(jié)點(diǎn)20。為了測(cè)試 晶體管22， SMU12試圖施加一個(gè)電壓，例如IV,到晶體管22的漏24, 并且，通過(guò)晶體管22的電流I被4企測(cè)。
由于接觸電阻Rc，施加在晶體管22的漏24上的電壓#1減小。例如， 如果接觸電阻Rc是30Ohms，并且，電流I是1 mA ，那么，在接觸電阻 Rc上的電壓降是30mV。當(dāng)在測(cè)試點(diǎn)14處的電壓是IV時(shí)，施加到漏24 上的電壓降低到0.97V，這與所需電壓的有百分之3的偏移。于是，傳感電 流被偏移，這就導(dǎo)致對(duì)晶體管22的性能的錯(cuò)誤評(píng)估。
對(duì)于具有大約1 的4冊(cè)寬度和大約0.04 pm的4冊(cè)長(zhǎng)度的32nm標(biāo)稱的 器件來(lái)說(shuō)，傳感性能的偏移可以達(dá)到大約百分之10。更糟糕的是，接觸電 阻Rc受到各種因素的影響，例如，探測(cè)晶片的等待時(shí)間、探針板的過(guò)度使 用、和探針板的質(zhì)量。結(jié)果，接觸電阻可能在寬范圍內(nèi)變化，使得很難補(bǔ) 償探頭的不準(zhǔn)確度。于是，本技術(shù)領(lǐng)域需要一種可以克服現(xiàn)有技術(shù)不足的 傳感方案和結(jié)構(gòu)。

發(fā)明內(nèi)容
按照本發(fā)明的一個(gè)方面，集成電路結(jié)構(gòu)包括半導(dǎo)體晶片；在半導(dǎo)體 晶片中的集成電路器件；和在半導(dǎo)體晶片的上表面上的并且連接到集成電 路器件的多個(gè)測(cè)試焊點(diǎn)。測(cè)試焊點(diǎn)成對(duì)分組，多個(gè)測(cè)試焊點(diǎn)的每一對(duì)的測(cè) 試焊點(diǎn)相互連接。
按照本發(fā)明的另一個(gè)方面，集成電路結(jié)構(gòu)包括包含有第一半導(dǎo)體芯 片和第二半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體晶片；在第 一和第二半導(dǎo)體芯片之間的劃片
槽；在劃片槽中的測(cè)試線；和在測(cè)試線中的第一、第二、第三和第四測(cè)試 焊點(diǎn)。第一和第二測(cè)試焊點(diǎn)被相互連接構(gòu)成第一對(duì)。第三和第四測(cè)試焊點(diǎn)被相互連接構(gòu)成第二對(duì)。
按照本發(fā)明的又一個(gè)方面，集成電路探測(cè)器件包括多個(gè)傳感-測(cè)量-裝置，其每一個(gè)包括施加節(jié)點(diǎn)；和電連接到施加節(jié)點(diǎn)的傳感節(jié)點(diǎn)。集成電 路探測(cè)器件進(jìn)一步包括探針板，探針板包含有多個(gè)成對(duì)的探針。每一對(duì)探 針包括連接到施加節(jié)點(diǎn)的第一探針，和連接到傳感節(jié)點(diǎn)的第二探針，其中， 施加節(jié)點(diǎn)和傳感節(jié)點(diǎn)是多個(gè)傳感-測(cè)量-裝置中的相同的一個(gè)。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)包括減少在探針和測(cè)試焊點(diǎn)之間的接觸電阻的影響。因 此，探測(cè)精確度得到改善。


為了更加全面地了解本發(fā)明和本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)，現(xiàn)在，結(jié)合附圖，對(duì)本 發(fā)明進(jìn)行描述，其中
圖1示出常規(guī)技術(shù)的具有多個(gè)測(cè)試焊點(diǎn)的測(cè)試線；
圖2示出常規(guī)技術(shù)的測(cè)試方案，其中，傳感-測(cè)量-裝置的施加節(jié)點(diǎn)和傳 感節(jié)點(diǎn)被連接到將要被探測(cè)的器件的節(jié)點(diǎn)；
圖3示出具有多個(gè)半導(dǎo)體芯片的晶片，并且，劃線槽分隔半導(dǎo)體芯片， 其中，測(cè)試線位于劃線槽中；
圖4示出本發(fā)明的測(cè)試線的實(shí)施例，其中，在測(cè)試線中的測(cè)試焊點(diǎn)被 形成為成對(duì)相互連4妄；
圖5示出本發(fā)明的測(cè)試方案，其中，傳感-測(cè)量-裝置包括連接到成對(duì)的 測(cè)試焊點(diǎn)的施加節(jié)點(diǎn)和傳感節(jié)點(diǎn)；
圖6示出測(cè)試線，其中，在測(cè)試線中的測(cè)試焊點(diǎn)被相等分隔，且其中， 在同一對(duì)中的鄰接的測(cè)試焊點(diǎn)是相互連接的；和
圖7示出測(cè)試線，其中，在測(cè)試線中的測(cè)試焊點(diǎn)焊點(diǎn)被相等分隔，且 其中，在同 一對(duì)中的測(cè)試焊點(diǎn)被其它對(duì)的測(cè)試焊點(diǎn)相互分隔開。
具體實(shí)施例方式
下面，將詳細(xì)討論本優(yōu)選實(shí)施例的制造和使用。然而，應(yīng)該認(rèn)識(shí)到 本發(fā)明提供了許多可應(yīng)用的發(fā)明概念，能夠在許多特定的情況中實(shí)施。這里討論的特定實(shí)施例，僅僅是對(duì)使用本發(fā)明的特定的方法的說(shuō)明，而不能 夠限制本發(fā)明的范圍。
新穎的測(cè)試焊點(diǎn)設(shè)計(jì)和對(duì)應(yīng)的探測(cè)方案被提供。討論了優(yōu)選實(shí)施例的 變型和操作。各個(gè)視圖和本發(fā)明的說(shuō)明性實(shí)施例中，同樣的引用數(shù)字用于 指明同樣的元件。
圖3示出其中包括有多個(gè)半導(dǎo)體芯片32的晶片30。半導(dǎo)體芯片32被 劃片槽34相互分隔開，為了把半導(dǎo)體芯片32相互分隔開，在封裝加工時(shí) 被踞開。測(cè)試線36被形成在晶片30中。每一條測(cè)試線36包括暴露于晶 片30的上表面的多個(gè)測(cè)試焊點(diǎn)TP (圖3中未示出，請(qǐng)參考圖4)。在優(yōu)選 的實(shí)施例中，測(cè)試線36被形成在劃線槽34中。在另一個(gè)實(shí)施例中，測(cè)試 線36可以被形成在半導(dǎo)體芯片32內(nèi)。
圖4舉例示出測(cè)試線36的實(shí)施例的俯;f見圖。在優(yōu)選的實(shí)施例中，成對(duì) 形成測(cè)試焊點(diǎn)TP (指示為測(cè)試焊點(diǎn)TPs或TPf)。在每一對(duì)中，在晶片30 的探測(cè)期間，測(cè)試焊點(diǎn)TP中的一個(gè)邱皮用作施加電壓或電流，并因此^皮稱為 施加焊點(diǎn)TPf。該對(duì)的另一測(cè)試焊點(diǎn)被用作傳感電壓或電流，并因此被稱 為傳感焊點(diǎn)TPs。傳感焊點(diǎn)TPs的設(shè)計(jì)和尺寸可以和施加焊點(diǎn)TPf是一樣 的。在探測(cè)期間，測(cè)試焊點(diǎn)TP的連接和功能決定測(cè)試焊點(diǎn)是施加焊點(diǎn)還是 傳感焊點(diǎn)。
在每一對(duì)測(cè)試焊點(diǎn)36中，傳感焊點(diǎn)TPs和施加焊點(diǎn)TPf ^皮相互連接， 并且，被連接到將要被檢測(cè)(也稱為在測(cè)試器件，或DUT)的器件(或 電路)的同一節(jié)點(diǎn)。貫穿整個(gè)說(shuō)明書，當(dāng)兩個(gè)測(cè)試焊點(diǎn)被稱為是"相互連 接"時(shí)，這意味著測(cè)試焊點(diǎn)僅被連接通過(guò)共用的相互連接線和通孔，并 且，沒(méi)有有源器件例如晶體管被形成在其之間。又，沒(méi)有無(wú)源器件，例如 電阻、電容、和/或感應(yīng)器，被故意形成在相互連接的測(cè)試焊點(diǎn)之間，盡管 寄生的無(wú)源器件有時(shí)是不可避免的。然而，寄生的無(wú)源器件對(duì)相互連接的 測(cè)試焊點(diǎn)必需具有盡可能小的影響。例如，同一對(duì)中的在傳感焊點(diǎn)TPs和 施加焊點(diǎn)TPf之間的連接線的電阻盡可能小。于是，施加焊點(diǎn)TPf和傳感 焊點(diǎn)TPs可以被相互連接在靠近施加焊點(diǎn)TPf和傳感焊點(diǎn)TPs的點(diǎn)，或者， 換言之，靠近各自的半導(dǎo)體芯片的上表面。在示例性實(shí)施例中，在鈍化層或在上金屬化層中的金屬線，相互連接焊點(diǎn)TPs到焊點(diǎn)TPf。然后，通過(guò) 共用的導(dǎo)電路徑40， DUT被連接到金屬線，如在圖4中所示。
通過(guò)^f吏用如在圖4中所示的測(cè)試線36，在DUT中的每一個(gè)節(jié)點(diǎn)一皮連 接到一對(duì)測(cè)試焊點(diǎn)TP,而不是僅一個(gè)。在圖4中所示的示例性實(shí)施例中， 其是DUT的晶體管44包括襯底46、漏48、源50和4冊(cè)52。因此，為了 探測(cè)晶體管44，需要4對(duì)測(cè)試焊點(diǎn)TP，每一對(duì)被相互連接，并且，連接到 上面討論的節(jié)點(diǎn)之一。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將會(huì)認(rèn)識(shí)到對(duì)于不同的DUT， 可能需要多對(duì)或幾對(duì)測(cè)試焊點(diǎn)。例如，為了探測(cè)電阻器，僅需要兩對(duì)測(cè)試 焊點(diǎn)。
因?yàn)槊恳粚?duì)焊點(diǎn)TP物理上與其它對(duì)是分隔開的，為了探測(cè)DUT的每 一個(gè)節(jié)點(diǎn)， 一對(duì)探針是需要的。圖4示意性地說(shuō)明探針板60，其包括多對(duì) 探針P(指示為Pf或者Ps )。每一對(duì)探針P被連接到傳感-測(cè)量-裝置(SMU) 62,其中，更詳細(xì)的SMUs62被表示在圖5中。每一個(gè)SMUs62具有兩個(gè) 端部，每一個(gè)端部被連接到探針Pf和Ps中的一個(gè)，這里，探針Pf凈皮用于 施加電壓和/或電流到DUT，并且，探針Ps被用于傳感電壓和/或電流。探 針Pf和Ps的位置被排列成對(duì)應(yīng)于那個(gè)測(cè)試焊點(diǎn)TP ，使得探針Ps/Pf中的 每一個(gè)可以與測(cè)試焊點(diǎn)TP中的一個(gè)并且僅一個(gè)接觸。換言之，使用已知的 探針板60的設(shè)計(jì)，測(cè)試焊點(diǎn)TP需要被排列成與探針P的位置相匹配。
圖5示出用于連接SMU62到被用作示例性的DUT的晶體管44的示例 性的模式。請(qǐng)注意SMU62被示為具有運(yùn)算放大器64,其在傳感-測(cè)量-裝 置中是共用的。然而，在本發(fā)明的實(shí)施例中，傳感-測(cè)量-裝置可以具有不同 的設(shè)計(jì)。SMU62被連接到一對(duì)測(cè)試焊點(diǎn)，包括傳感焊點(diǎn)TPs和施加焊點(diǎn) TPf。 SMU62包括施加節(jié)點(diǎn)66和傳感節(jié)點(diǎn)68,施加節(jié)點(diǎn)66被連接到運(yùn)算 放大器64的輸出，傳感節(jié)點(diǎn)68被連接到運(yùn)算》文大器64的輸入之一。電阻 器Rcl代表探針Pf和測(cè)試焊點(diǎn)TPf之間的接觸電阻，并且，電阻器Rc2 代表探針Ps和測(cè)試焊點(diǎn)TPs之間的接觸電阻。
為了〗果測(cè)晶體管44， SMU62試圖施加一個(gè)電壓，例如IV，到晶體管 44的漏48。因此，在傳感節(jié)點(diǎn)68處的電壓^皮i殳置為IV。因?yàn)槭┘雍蛡?感路徑是被分隔開的，所以，流過(guò)電阻器Rc2的電流12可以非常小，并且，可以在毫孩i安培(nano amps)的量級(jí)。在示例性實(shí)施例中，H定電流12 是l nA，接觸電阻Rcl具有30歐姆的電阻，因此，在接觸電阻Rc2上的 電壓降僅為0.03mV。施加在晶體管44的漏48上的電壓是(1V - 0.03 mV)， 或者0.99997 V。因此，接觸電阻Rc2對(duì)于探測(cè)的精度的影響非常小，所 需要的電壓能夠被精確地施加在漏48上。通過(guò)測(cè)試焊點(diǎn)TPs，可以檢測(cè)電 流Il。因?yàn)槭┘釉诼?8上的電壓是精確的，所以，沖全測(cè)的電流I1也是4青 確的。在優(yōu)選的實(shí)施例中，在探測(cè)期間，電流I2至少低于電流I1兩個(gè)級(jí)別。 類似地，通過(guò)一對(duì)測(cè)試焊點(diǎn)，另外的SMU62被連接到晶體管44的源 50。雖然沒(méi)有在圖5中示出，但是，晶體管44的柵52和(可能地)襯底， 通過(guò)一對(duì)測(cè)試焊點(diǎn)，每一個(gè)也^皮連接到SMU62。示意性的連"l妄^皮表示在圖 4中。
再參考圖4，在本發(fā)明的實(shí)施例中，在同一對(duì)中的施加焊點(diǎn)Pf和傳感 焊點(diǎn)Ps，緊靠定位。在示例性實(shí)施例中，在同一對(duì)中的施加焊點(diǎn)TPf和傳 感焊點(diǎn)TPs之間的距離Dl小于約10 pm，并且，更加優(yōu)選地，是在約0.2 (xm 和約10(am,之間，而在鄰接的測(cè)試焊點(diǎn)對(duì)之間的距離D2大于約10(im,并 且，更加優(yōu)選地是在約lOpm和約100pm，之間。距離Dl與距離D2的比 率可以小于l，并且，更優(yōu)選地是在約1/50和約1之間。因此，在探針板 60中，屬于同一對(duì)的探針P緊靠定位，與測(cè)試焊點(diǎn)TP的間隔相匹配。
圖6示出本發(fā)明的另 一個(gè)實(shí)施例，在測(cè)試線36中，測(cè)試焊點(diǎn)TP被等 距離分隔開。然而，傳感焊點(diǎn)TPs和施加焊點(diǎn)TPf按照交替模式放置，并 且，傳感焊點(diǎn)TPs被連接到各自鄰接的施加焊點(diǎn)TPf,構(gòu)成測(cè)試焊點(diǎn)對(duì)。
圖7示出本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例，在測(cè)試線36中，測(cè)試焊點(diǎn)TP^皮等 距離分隔開。傳感焊點(diǎn)TPs被放置在一起作為一組，并且，施加焊點(diǎn)TPf 被放置在一起作為另外一組。每一個(gè)傳感焊點(diǎn)TPs仍然被連接到施加焊點(diǎn) TPf中的一個(gè)，構(gòu)成測(cè)試焊點(diǎn)對(duì)。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將會(huì)認(rèn)識(shí)到存在 有許多設(shè)置傳感焊點(diǎn)TPs和施加焊點(diǎn)TPf的變化方案，以適合于不同的測(cè) 試需求。于是，也相應(yīng)安排探針板60的設(shè)計(jì)(參考圖4)。
在上面討論的實(shí)施例中，測(cè)試線被用作實(shí)例，來(lái)解釋本發(fā)明的概念。 然而，本發(fā)明的實(shí)施例的教導(dǎo)可以被應(yīng)用到測(cè)試鍵，并且，可以被使用在電路內(nèi)部半導(dǎo)體芯片(與在劃線槽中的相比較)的電路探測(cè)中。半導(dǎo)體芯
片內(nèi)部電路的成對(duì)的測(cè)試焊點(diǎn)，可以凈皮安排為測(cè)試線，如在圖3中所示， 或者在任何其它形式例如焊點(diǎn)陣列中，只要探針板也具有成對(duì)的探針，其 安排與成對(duì)的測(cè)試焊點(diǎn)相匹配。
有利地，本發(fā)明的實(shí)施例有效地改善了探測(cè)的精確度。參考圖4，假 定電流I2是lnA,并且，接觸電阻Rc2具有30 Ohms的電阻，當(dāng)SMU62 試圖施加IV的電壓到節(jié)點(diǎn)68時(shí)，那么，在漏48處的電壓僅偏移所期望 的電壓值的百分之0.003 。然而，如果測(cè)試焊點(diǎn)TPf和TPs纟皮結(jié)合成一個(gè) 焊點(diǎn)，按照常規(guī)的設(shè)計(jì)，并且，電流Il是lnA,那么，電壓偏移將是百分 之3，或者30mV,這一值大于本發(fā)明實(shí)施例的1000倍。
雖然已經(jīng)詳細(xì)地描述了本發(fā)明和它的優(yōu)點(diǎn)，但是，應(yīng)該明白在這里 能夠進(jìn)行各種變化、替換和更改，而不會(huì)偏離由權(quán)利要求確定的本發(fā)明的 精神和范圍。此外，本發(fā)明的范圍不被限制于在說(shuō)明書中描述的特定實(shí)施 例的處理過(guò)程、機(jī)器、產(chǎn)品、物質(zhì)的合成物、裝置、方法和步驟。本領(lǐng)域 的熟練技術(shù)人員將從本發(fā)明的揭示，容易理解現(xiàn)有的或以后開發(fā)的、實(shí)質(zhì) 上執(zhí)行相同的功能的、或者實(shí)質(zhì)上獲得與按照本發(fā)明利用在這里描述的對(duì) 應(yīng)的實(shí)施例的相同結(jié)果的處理過(guò)程、機(jī)器、產(chǎn)品、物質(zhì)的合成物、裝置、 方法或步驟。因此，所附權(quán)利要求將把這樣的處理過(guò)程、機(jī)器、產(chǎn)品、物 質(zhì)的合成物、裝置、方法或步驟包括在其范圍中。
10
權(quán)利要求
1.一種集成電路結(jié)構(gòu)包括半導(dǎo)體晶片；在半導(dǎo)體晶片里的集成電路器件；和設(shè)置在半導(dǎo)體晶片的上表面上的并且連接到所述集成電路器件的多個(gè)測(cè)試焊點(diǎn)，其中，測(cè)試焊點(diǎn)成對(duì)分組，且其中，同一對(duì)中的測(cè)試焊點(diǎn)相互連接。
2. 按照權(quán)利要求1所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中，所述測(cè)試焊點(diǎn)在半導(dǎo)體晶片中形成測(cè)試線。
3. 按照權(quán)利要求2所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中，所述在測(cè)試線中的測(cè)試焊點(diǎn)等距離分隔開。
4. 按照權(quán)利要求1所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中，所述測(cè)試焊點(diǎn)是在半導(dǎo)體晶片中的半導(dǎo)體芯片內(nèi)。
5. 按照權(quán)利要求1所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中，在同一對(duì)中的測(cè)試焊點(diǎn)按照第一距離被分隔開，并且，多個(gè)測(cè)試焊點(diǎn)的相鄰接的對(duì)按照大于第一距離的第二距離^皮分隔開
6. 按照權(quán)利要求5所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中，第一距離對(duì)于第二距離的比率小于1。
7. 按照權(quán)利要求1所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中，沒(méi)有有源器件被形成在多個(gè)測(cè)試焊點(diǎn)的同 一對(duì)中的測(cè)試焊點(diǎn)之間。
8. 按照權(quán)利要求1所述的集成電路結(jié)構(gòu)，在半導(dǎo)體晶片中還包括集成電路器件，其中，多個(gè)測(cè)試焊點(diǎn)中的一對(duì)被連接到集成電路器件的節(jié)點(diǎn)。
9. 集成電路結(jié)構(gòu)包括包含有第一和第二半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體晶片；在第 一和第二半導(dǎo)體芯片之間的劃片槽；在劃片槽中的測(cè)試線；和在測(cè)試線中的第一、第二、第三和第四測(cè)試焊點(diǎn)，其中，第一和第二測(cè)試焊點(diǎn)被相互連接構(gòu)成第一對(duì)，且其中，第三和第四測(cè)試焊點(diǎn)被相互連接構(gòu)成第二對(duì)。
10. 按照權(quán)利要求9所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中，第一、第二、第三 和第四測(cè)試焊點(diǎn)被等距離分隔開。
11. 按照權(quán)利要求9所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中，沒(méi)有有源器件被形 成在第一和第二測(cè)試焊點(diǎn)之間，并且，沒(méi)有有源器件被形成在第三和第四 測(cè)試焊點(diǎn)之間。
12. 集成電路探測(cè)器件，包括 多個(gè)傳感-測(cè)量-裝置，其每一個(gè)包括 施力口節(jié)，存、；和電連接到施加節(jié)點(diǎn)的傳感節(jié)點(diǎn)；和探針板，包括有多個(gè)成對(duì)的探針，其中，每一對(duì)探針包括連接到多個(gè) 傳感-測(cè)量-裝置中的同一個(gè)的施加節(jié)點(diǎn)的第一探針，和連接到多個(gè)傳感-測(cè) 量-裝置中的同 一 個(gè)的傳感節(jié)點(diǎn)的第二探針。
13. 按照權(quán)利要求12所述的集成電路探測(cè)器件，其中，多個(gè)傳感-測(cè) 量-裝置中的每一個(gè)被配置成將電壓施加在第一探針上，用第一電流流過(guò)第 一探針，且配置成探測(cè)通過(guò)第二探針的第二電流，且其中，第一電流小于 第二電流至少兩個(gè)級(jí)別。
14. 按照權(quán)利要求12所述的集成電路探測(cè)器件，其中，在同一對(duì)中的 第一探針和第二探針相互鄰接，并且被第一距離分隔開，且相鄰接的探針 對(duì)被大于第一距離的第二距離分隔開。
15. 按照權(quán)利要求14所述的集成電路探測(cè)器件，其中，第一距離與第 二距離的比率是在約1/50和1之間。
全文摘要
集成電路結(jié)構(gòu)包括半導(dǎo)體晶片；在半導(dǎo)體晶片里的集成電路器件；和在半導(dǎo)體晶片的上表面上的并且連接到集成電路器件的多個(gè)測(cè)試焊點(diǎn)。測(cè)試焊點(diǎn)成對(duì)分組，在同一對(duì)中的測(cè)試焊點(diǎn)相互連接。
文檔編號(hào)H01L23/544GK101661924SQ20091016806
公開日2010年3月3日 申請(qǐng)日期2009年8月24日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月22日
發(fā)明者李建昌, 羅增錦, 董易諭, 邵志杰 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司